KR102256845B1 - 적분구를 이용한 형광 측정 장치 및 방법 - Google Patents

적분구를 이용한 형광 측정 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

적분구를 이용한 형광 측정 장치 및 방법을 개시한다. 본 발명은 적분구(積分球)의 오염으로 인한 측정 오차를 보정하여 출력함으로써, 정확한 측정이 가능하다.

Description

적분구를 이용한 형광 측정 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING FLUORESCENCE USING INTEGRATING SPHERE}
본 발명은 적분구를 이용한 형광 측정 장치 및 방법에 관한 발명으로서, 더욱 상세하게는 적분구(積分球)의 오염으로 인한 측정 오차를 보정하여 출력하는 적분구를 이용한 형광 측정 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 형광은 측정 대상이 되는 샘플에 여기광(勵起光)을 조사하면, 다른 파장이나 다른 색깔을 나타낸다.
이러한 형광을 측정하는 기술로서, 발광재료 등의 샘플에 여기광을 조사하고, 샘플로부터 방출되는 형광을 적분구 내에서 다중 반사시켜 검출하는 것에 의해, 샘플의 양자 수율(발광재료에 흡수된 여기광의 포톤(Photon) 수에 대한 발광 재료로부터 방출된 형광의 포톤 수의 비율)을 측정하는 기술이 알려져 있다.
도 1은 일반적인 적분구를 이용한 측정 장치의 스펙트럼 분포를 나타낸 그래프이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 임의의 샘플에 대하여 여기광의 포톤에 대한 그래프(10)와, 파장 변환이 되지 않은 포톤의 그래프(20)와, 파장변환이 된 포톤의 그래프(30)로 나타낼 수 있다.
그러나, 적분구를 이용한 측정장치는 적분구의 내부면에 측정 대상 샘플(형광체)를 배치한 다음 형광 측정을 수행하고, 형광 측정이 완료된 후, 이전 형광 측정에 사용된 샘플이 적분구의 내부에 남아 있거나 또는 적분구 내부를 오염시키는 경우, 새로 측정하는 샘플의 측정 오류가 발생하는 문제점이 있다.
도 2는 도 1의 스펙트럼에서 오염된 적분구로 인한 기준 여기광의 스펙트럼 일부를 나타낸 그래프로서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 적분구의 오염으로 인해 불필요하게 발생되는 여기광의 테일 스펙트럼(11)이 발생된다.
이러한 테일 스펙트럼(11)은 측정 대상 샘플에서 형광으로 계산되어 오차를 발생시키는 문제점이 있다.
또한, 측정 대상 샘플에서 발생하는 형광의 세기가 약하거나 또는 형광의 농도가 낮을수록 적분구의 오염으로 인한 측정 오차가 증가하는 문제점이 있다.
한국 등록특허공보 등록번호 제10-1647857호(발명의 명칭: 분광측정장치, 분광측정방법 및 분광측정 프로그램)
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 적분구(積分球)의 오염으로 인한 측정 오차를 보정하여 출력하는 적분구를 이용한 형광 측정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치는 레퍼런스 여기광과, 측정 대상인 샘플에 여기광을 조사하는 광원부; 상기 샘플이 수납되는 적분구; 상기 적분구에서 출력되는 계측광의 측정 스펙트럼을 검출하는 분광부; 및 상기 분광부에서 출력되는 스펙트럼의 보정을 통해 상기 샘플의 광 특성을 산출하는 데이터 분석부를 포함한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 데이터 분석부의 스펙트럼 보정은 레퍼런스 여기광 측정 스펙트럼(점선)에서 여기광의 스펙트럼(R1)과, 오염에 의해 파장 변환된 스펙트럼(R2)을 이용하고, 측정 스펙트럼(실선)에서 파장 변환되지 않은 광의 스펙트럼(S1)을 통해 파장 변환된 측정 스펙트럼(S2)으로부터 측정과정에서 발생하는 오염에 의해 파장 변환된 양을 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 스펙트럼의 보정은 샘플의 삽입 후 파장변환된 측정 스펙트럼 영역에서 다음의 수식, S2 - R2 × (S1의 세기/R1의 세기) - 여기서, R1은 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(점선)에서 여기광 스펙트럼, R2는 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(점선)에서 파장 변환된 스펙트럼(오염에 의해 발생됨), S1은 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼(실선)에서 파장 변환되지 않은 광의 스펙트럼, S2는 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼(실선)에서 파장 변환된 광의 스펙트럼 - 으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 S1의 세기/R1의 세기는 S1의 높이/R1의 높이 또는 S1의 면적/R1의 면적 중 어느 하나로 산출하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 방법은 a) 분광부가 적분구로부터 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R1, R2)을 수신하는 단계; b) 상기 분광부가 적분구로부터 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼에서 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1)과, 파장 변환된 측정 스펙트럼(S2)을 수신하는 단계; c) 데이터 분석부가 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼에서 오염으로 발생한 오차를 계산하는 단계; 및 d) 상기 데이터 분석부가 상기 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼에서 파장 변환된 부분의 측정 스펙트럼(S2)으로부터 적분구의 오염에 의해 발생한 양을 제거하여 보정된 스펙트럼을 산출하고, 상기 보정된 스펙트럼을 출력하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 d) 단계의 보정된 스펙트럼의 산출은 샘플의 삽입 후 파장변환된 측정 스펙트럼 영역에서 다음의 수식, S2 - R2 × (S1의 세기/R1의 세기) - 여기서, R1은 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(점선)에서 여기광 스펙트럼, R2는 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(점선)에서 파장 변환된 스펙트럼(오염에 의해 발생됨), S1은 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼(실선)에서 파장 변환되지 않은 광의 스펙트럼, S2는 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼(실선)에서 파장 변환된 광의 스펙트럼 - 으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 S1의 세기/R1의 세기는 S1의 높이/R1의 높이 또는 S1의 면적/R1의 면적 중 어느 하나로 산출하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 적분구(積分球)의 오염으로 인한 측정 오차를 보정하여 출력함으로써, 정확한 측정이 가능한 장점이 있다.
도 1은 일반적인 적분구를 이용한 측정 장치의 스펙트럼 분포를 나타낸 그래프.
도 2는 도 1의 스펙트럼에서 오염된 적분구로 인한 기준 여기광의 스펙트럼 일부를 나타낸 그래프.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치의 구성을 나타낸 블록도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치의 동작과정을 나타낸 흐름도.
도 5는 도 3의 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치를 통해 획득한 스펙트럼 분포를 나타낸 그래프.
도 6은 도 3의 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치의 보정 전 스펙트럼 분포를 나타낸 그래프.
도 7은 도 3의 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치의 보정 후 스펙트럼 분포를 나타낸 그래프.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치 및 방법의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다는 표현은 다른 구성요소를 배제하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
또한, "‥부", "‥기", "‥모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어, 또는 그 둘의 결합으로 구분될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치의 구성을 나타낸 블록도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치의 동작과정을 나타낸 흐름도이다.
도 3 및 도 4를 참조하여 본 발발명의 일 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치 및 방법을 설명한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 장치는 광원부(100)와, 적분구(300)와, 분광부(400)와, 데이터 분석부(500)를 포함하여 구성된다.
상기 광원부(100)는 측정 대상인 샘플(310)이 수용된 적분구(300)로 일정 파장의 빛을 조사하는 구성으로서, 상기 샘플(310)의 발광 특성을 측정하기 위한 레퍼런스 여기광을 출력한다.
또한, 상기 광원부(100)는 적분구(300)와의 사이에 파장 선택부(200)가 설치될 수 있어서, 상기 광원부(100)에서 출력되는 여기광을 특정 파장의 여기광으로 변환하여 출력될 수 있도록 한다.
상기 파장 선택부(200)는 광원부(100)에서 출력되는 빛 중에서 일정 파장범위의 빛만 선택하여 통과되도록 하고, 분광 필터 또는 분광기 등으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 광원부(100)은 일정 파장의 레퍼런스 여기광에서 출력된 여기광은 광케이블(210)을 통해 적분구(300)의 내부로 조사된다.
상기 적분구(300)는 내부에 측정 대상인 샘플(310)이 배치되어, 상기 샘플(310)의 발광 특성을 측정하기 위한 구성으로서, 상기 샘플(310)에 조사되는 여기광이 입사되는 입사구와, 상기 샘플(310)로부터의 피측정광을 적분구(300)의 외부로 출력하는 출사구가 구비될 수 있다.
상기 분광부(400)는 적분구(300)와 광케이블(410)을 통해 연결되고, 상기 적분구(300)에서 출력되는 계측광을 분광하여 스펙트럼을 측정한다.
또한, 상기 분광부(400)는 계측광을 파장 성분으로 분해하는 분광기와, 분광기로부터 광을 검출하는 광 검출기로 구성될 수 있다.
상기 광 검출기로서는 예를 들어 파장 분해된 계측광의 각 파장 성분을 검출하기 위한 복수 채널의 화소가 1차원으로 배열된 CCD 리니어 센서를 이용할 수 있다.
또한, 상기 분광부(400)는 측정 파장 영역이 구체적인 구성 등에 따라 예를 들면, 300nm ~ 950nm 파장 범위에서 적절하게 설정할 수도 있다.
또한, 상기 분광부(400)는 측정한 스펙트럼의 데이터를 광케이블(410)을 통해 연결된 데이터 분석부(500)로 출력한다.
상기 데이터 분석부(500)는 분광부(400)에서 출력되는 측정 스펙트럼을 분석하고, 상기 측정 스펙트럼의 보정을 통해 샘플(310)의 정확한 형광(또는 발광) 특성을 산출하여 디스플레이 되도록 한다.
즉, 상기 데이터 분석부(500)는 도 5에 나타낸 바와 같이, 측정된 스펙트럼의 보정을 위해 광원부(100)로부터 출력되는 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼을 분광부(400)를 통해 수신한다.
상기 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼은 적분구(300)가 오염된 경우, 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼에는 여기광의 스펙트럼(R1, 450nm 부근의 점선)과, 오염된 형광체에서 파장 변환된 스펙트럼(R2, 500nm ~ 700nm 부근의 점선)이 포함될 수 있어서, 샘플(310)이 없는 상태의 적분구(300)에서 레퍼런스 여기광에 의한 측정 스펙트럼을 수신한다.
또한, 상기 데이터 분석부(500)는 샘플(310)을 적분구(300)에 설치한 다음, 도 5와 같이, 여기광에 의한 상기 샘플(310)의 파장 변환 측정 스펙트럼(S1, S2)을 분광부(400)를 통해 수신한다.
여기서, 상기 샘플(310)에 의한 파장 변환 측정 스펙트럼(S1, S2)은 여기광에 의해 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1, 450nm 부근의 실선)과, 상기 레퍼런스 여기광에 의해 파장 변환된 측정 스펙트럼(S2, 500nm ~ 700nm 부근의 실선)으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 데이터 분석부(500)는 샘플(310)에 의한 파장 변환 측정 스펙트럼(S1, S2)에서 오염된 부분을 제외하기 위해, 오염된 성분을 포함하고 있는 레퍼런스 여기광으로부터 측정과정에서 오염으로 발생한 양을 유추하여 제거하는(또는 빼는) 보정을 수행한다.
상기 보정은 다음의 수식을 통해 이루어질 수 있다.
S2 - R2 × (S1의 세기/R1의 세기)
여기서, R1은 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(점선)에서 여기광 스펙트럼, R2는 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(점선)에서 파장 변환된 스펙트럼(오염에 의해 발생됨), S1은 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼(실선)에서 파장 변환되지 않은 광의 스펙트럼, S2는 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼(실선)에서 파장 변환된 광의 스펙트럼이다.
즉, 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R1)을 샘플(310)에서 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1)의 비율로 축소하고, 상기 S1의 비율로 축소되어 정규화된 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R2)을 상기 샘플(310)에서 파장 변환된 측정 스펙트럼(S2)에서 제거하는 보정을 통해 적분구(300)에 오염된 성분을 제외한 샘플(310)의 정확한 형광(또는 발광) 특성을 나타낸 스펙트럼을 산출할 수 있다.
또한, 상기 S1의 세기/R1의 세기는 S1의 높이/R1의 높이 또는 S1의 면적/R1의 면적으로 산출할 수도 있다.
다음은 본 발명의 일 실시 예에 따른 적분구를 이용한 형광 측정 방법을 설명한다.
우선, 분광부(400)가 샘플(310)이 설치되지 않은 빈 적분구(300)로부터 광원부(100)에서 출력되는 일정 파장의 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R1, R2)을 수신(S100)한다.
상기 S100 단계에서 측정되는 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼은 여기광의 스펙트럼(R1)과, 적분구(300)의 내부를 오염시킨 성분의 스펙트럼(R2)을 포함한다.
또한, 상기 분광부(400)는 샘플(310)이 삽입된 후 적분구(300)로부터, 광원부(100)의 레퍼런스 여기광에 대해 샘플(310)에서 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1)과, 파장 변환된 측정 스펙트럼(S2)을 수신(S200)한다.
데이터 분석부(500)는 샘플(310) 삽입 후 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1)에서 오염 물질로 발생한 오차를 계산한다(S300).
상기 데이터 분석부(500)는 상기 샘플(310) 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼에서 파장 변환된 측정 스펙트럼(S2)으로부터 적분구의 오염에 의해 발생한 양을 제거하여 보정된 스펙트럼을 산출하고, 상기 산출된 스펙트럼을 모니터 등의 디스플레이 수단을 통해 출력(S400)한다.
상기 S400 단계서 보정된 스펙트럼은 다음의 수식을 통해 이루어질 수 있다.
S2 - R2 × (S1의 세기/R1의 세기)
여기서, R1은 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(점선)에서 여기광 스펙트럼, R2는 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(점선)에서 파장 변환된 스펙트럼(오염에 의해 발생됨), S1은 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼(실선)에서 파장 변환되지 않은 광의 스펙트럼, S2는 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼(실선)에서 파장 변환된 광의 스펙트럼이다.
또한, 상기 S1의 세기/R1의 세기는 S1의 높이/R1의 높이 또는 S1의 면적/R1의 면적으로 산출할 수도 있다.
도 6 및 도 7은 보정 전과 보정 후의 측정 스펙트럼을 나타낸 그래프로서, 형광체의 농도가 5%, 20%, 40%, 60%, 75%로 구성된 형광체 필름에 대하여, 410㎚와 450㎚의 여기광을 조사하여 획득한 측정 스펙트럼이다.
도 6의 보정 전 측정 스펙트럼에서는 S3에 나타난 바와 같이, 적분구의 오염 성분으로 인해 실선과 점선이 서로 떨어져 측정되는 것을 알 수 있다.
이는 형광체의 효율이 낮거나 또는 형광체의 농도가 낮은 경우, 오염된 성분이 반영되어 측정 스펙트럼이 서로 겹쳐지지 않는다.
반면에, 도 7의 보정 후 측정 스펙트럼에서는 S4에 나타난 바와 같이, 보정을 통해 실선과 점선이 서로 겹쳐져 측정되는 것을 알 수 있다.
따라서, 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R1)을 샘플(310)에서 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1)의 비율로 축소하고, 상기 S1의 비율로 축소되어 정규화된 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R2)을 상기 샘플(310)에서 파장 변환된 측정 스펙트럼(S2)에서 제거함으로써, 적분구(積分球)의 오염으로 인한 측정 오차의 보정과, 샘플의 정확한 형광(또는 발광) 특성의 측정이 가능하게 된다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 도면번호는 설명의 명료성과 편의를 위해 기재한 것일 뿐 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예를 설명하는 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있으며, 상술된 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로, 이러한 용어들에 대한 해석은 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
100 : 광원부
200 : 파장 선택부
210 : 광케이블
300 : 적분구
310 : 샘플
400 : 분광부
410 : 광케이블
500 : 데이터 분석부

Claims (6)

  1. 레퍼런스 여기광과, 측정 대상인 샘플(310)에 여기광을 조사하는 광원부(100);
    상기 샘플(310)이 수납되는 적분구(300);
    상기 적분구(300)에서 출력되는 계측광의 측정 스펙트럼을 검출하는 분광부(400); 및
    상기 분광부(400)에서 출력되는 스펙트럼의 보정을 통해 상기 샘플(310)의 광 특성을 나타낸 스펙트럼을 산출하는 데이터 분석부(500)를 포함하되,
    상기 데이터 분석부(500)의 스펙트럼 보정은 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R1)을 샘플(310)에서 레퍼런스 여기광에 의해 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1)의 비율로 축소하고,
    상기 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1)의 비율로 축소되어 정규화된 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R2)을 상기 샘플(310)에서 레퍼런스 여기광에 의해 파장 변환된 측정 스펙트럼(S2)에서 제거하는 것을 특징으로 하는 적분구를 이용한 형광 측정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스펙트럼의 보정은 샘플(310)의 삽입 후 파장변환된 측정 스펙트럼 영역에서 다음의 수식,
    S2 - R2 × (S1의 세기/R1의 세기)
    - 여기서, R1은 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼에서 여기광 스펙트럼, R2는 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼에서 파장 변환된 스펙트럼, S1은 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼에서 파장 변환되지 않은 광의 스펙트럼, S2는 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼에서 파장 변환된 광의 스펙트럼 - 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적분구를 이용한 형광 측정 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 S1의 세기/R1의 세기는 S1의 높이/R1의 높이 또는 S1의 면적/R1의 면적 중 어느 하나로 산출하는 것을 특징으로 하는 적분구를 이용한 형광 측정 장치.
  4. a) 분광부(400)가 적분구(300)로부터 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R1, R2)을 수신하는 단계;
    b) 상기 분광부(400)가 적분구(300)로부터 샘플(310) 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼에서 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1)과, 파장 변환된 측정 스펙트럼(S2)을 수신하는 단계;
    c) 데이터 분석부(500)가 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼에서 적분구의 오염으로 발생한 오차를 계산하는 단계; 및
    d) 상기 데이터 분석부(500)가 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R1)을 샘플(310)에서 레퍼런스 여기광에 의해 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1)의 비율로 축소하고, 상기 파장 변환되지 않은 측정 스펙트럼(S1)의 비율로 축소되어 정규화된 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼(R2)을 상기 샘플(310)에서 레퍼런스 여기광에 의해 파장 변환된 측정 스펙트럼(S2)에서 제거하여 적분구의 오염에 따른 보정된 스펙트럼을 산출하고, 상기 보정된 스펙트럼을 출력하는 단계를 포함하는 적분구를 이용한 형광 측정 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    d) 단계의 보정된 스펙트럼의 산출은 샘플(310)의 삽입 후 파장변환된 측정 스펙트럼 영역에서 다음의 수식,
    S2 - R2 × (S1의 세기/R1의 세기)
    - 여기서, R1은 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼에서 여기광 스펙트럼, R2는 레퍼런스 여기광의 측정 스펙트럼에서 파장 변환된 스펙트럼, S1은 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼에서 파장 변환되지 않은 광의 스펙트럼, S2는 샘플 삽입 후 측정한 측정 스펙트럼에서 파장 변환된 광의 스펙트럼 - 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적분구를 이용한 형광 측정 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 S1의 세기/R1의 세기는 S1의 높이/R1의 높이 또는 S1의 면적/R1의 면적 중 어느 하나로 산출하는 것을 특징으로 하는 적분구를 이용한 형광 측정 방법.
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