KR102248084B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시예는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 구비된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 각각 전기적으로 연결되는 발광소자;및 상기 패키지 몸체에 구비되고, 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 각각 전기적으로 연결된 압전 소자를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a package body; A first lead frame and a second lead frame provided in the package body; A light emitting device package including a light emitting device electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, respectively; and a piezoelectric device provided in the package body and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, respectively Provides.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부의 진동 등에 의하여 구동할 수 있는 발광소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package, and more particularly, to a light emitting device package that can be driven by external vibration or the like.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.Group 3-5 compound semiconductors such as GaN and AlGaN are widely used in optoelectronics and electronic devices due to their many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.In particular, light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material of semiconductors are developed in thin film growth technology and device materials, such as red, green, blue, and ultraviolet rays. Various colors can be implemented, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or by combining colors. Low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. It has the advantage of affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, the transmission module of the optical communication means, a light-emitting diode backlight that replaces the Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) that constitutes the backlight of the LCD (Liquid Crystal Display) display, and white light that can replace a fluorescent lamp or incandescent light bulb. Applications are expanding to diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights.

발광소자는 사파이어(Sapphire) 등으로 이루어진 기판 위에 언도프드 반도체층(un-GaN)과 제1 도전형 반도체층(n-GaN)과 활성층(MQW) 및 제2 도전형 반도체층(p-GaN)을 포함하는 발광구조물이 형성되고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치될 수 있다.The light emitting device is an undoped semiconductor layer (un-GaN), a first conductivity type semiconductor layer (n-GaN), an active layer (MQW), and a second conductivity type semiconductor layer (p-GaN) on a substrate made of sapphire or the like. A light emitting structure including a may be formed, and a first electrode and a second electrode may be disposed on the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer, respectively.

발광소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 활성층에서 방출되는 빛은 활성층을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 또는 다른 파장 영역의 광일 수 있다.The light emitting device emits light having energy determined by an energy band inherent to a material constituting the active layer by meeting each other with electrons injected through the first conductivity-type semiconductor layer and holes injected through the second conductivity-type semiconductor layer. Light emitted from the active layer may vary depending on the composition of the material constituting the active layer, and may be blue light, ultraviolet (UV), deep ultraviolet (Deep UV), or light in a different wavelength range.

도 1은 발광소자 패키지의 전압 공급을 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a voltage supply of a light emitting device package.

발광소자(LED)는 외부에서 전압이 공급되어 구동하는데 도시된 바와 같이 전지 등이 구비되어 구동에 필요한 구동 전압(Voltage)이 발광소자에 공급이 가능하나, 도보 운동을 할 때나 자전거를 탈 때 등 이동을 할 때 발광소자를 구비한 광원을 구비하더라도, 전압이 공급되지 않으면 발광소자를 구동할 수 없는 문제점이 있다.The light-emitting device (LED) is driven by supplying a voltage from the outside. As shown, a battery is provided to supply the driving voltage required for driving to the light-emitting device. However, when exercising on foot or riding a bicycle, etc. Even if a light source having a light emitting device is provided when moving, there is a problem that the light emitting device cannot be driven unless a voltage is supplied.

또한, 기존의 발광소자에 비하여 10배 이상의 휘도를 나타내는 고전압 발광소자는 전력 소모가 많아서 지속적인 전력 공급이 필요하다.In addition, a high-voltage light-emitting device exhibiting a luminance of 10 times or more compared to a conventional light-emitting device consumes a lot of power and needs to be continuously supplied with power.

실시예는 발광소자에서 지속적으로 전압을 공급하고자 한다.The embodiment intends to continuously supply voltage from a light emitting device.

실시예는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 구비된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 각각 전기적으로 연결되는 발광소자;및 상기 패키지 몸체에 구비되고, 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 각각 전기적으로 연결된 압전 소자를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a package body; A first lead frame and a second lead frame provided in the package body; A light emitting device package including a light emitting device electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, respectively; and a piezoelectric device provided in the package body and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, respectively Provides.

압전 소자는 상기 패키지 몸체의 내부에 배치될 수 있다.The piezoelectric element may be disposed inside the package body.

압전 소자는, 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 직접 접촉할 수 있다.The piezoelectric element may directly contact the first lead frame and the second lead frame.

압전 소자와 연결되는 커패시터를 더 포함하고, 상기 커패시터는 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.A capacitor connected to the piezoelectric element may be further included, and the capacitor may be electrically connected to at least one of the first lead frame and the second lead frame.

압전 소자는 수정, 석영, 로셀염, 티탄산바륨 및 인공 세라믹 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.The piezoelectric element may be made of at least one of quartz, quartz, rossell salt, barium titanate, and artificial ceramic.

압전 소자는, 두께가 적어도 나노미터 스케일일 수 있다.The piezoelectric element may have a thickness of at least a nanometer scale.

압전 소자는, 단면적이 적어도 1.0 mm2이고 길이가 적어도 3 밀리미터일 수 있다.The piezoelectric element may have a cross-sectional area of at least 1.0 mm 2 and a length of at least 3 millimeters.

패키지 몸체는 캐비티를 포함하고, 상기 발광소자는 상기 캐비티의 바닥면에 배치되고, 상기 압전 소자는 상기 캐티비의 하부에 배치될 수 있다.The package body may include a cavity, the light emitting device may be disposed on a bottom surface of the cavity, and the piezoelectric device may be disposed under the cavity.

실시예에 따른 발광소자 패키지들은 자전거나 차량 또는 운동화 등에 구비될 때, 자전거나 차량 및 운동화의 이동에 따라 압전 소자에 전위차가 발생하여 발광소자 패키지의 전력원으로 사용될 수 있고, 상술한 전위차에 의하여 발생한 전압이 커패시터 저장된 후 필요한 때에 발광소자 패키지에 전압을 공급할 수 있다.When the light emitting device packages according to the embodiment are provided on a bicycle, vehicle, or sports shoes, a potential difference is generated in the piezoelectric element according to the movement of the bicycle, vehicle, and sports shoes, and can be used as a power source of the light emitting device package. After the generated voltage is stored in the capacitor, the voltage can be supplied to the light emitting device package when necessary.

도 1은 발광소자 패키지의 전압 공급을 나타낸 도면이고,
도 2a는 발광소자 패키지의 일실시예의 단면도이고,
도 2b는 도 2a의 발광소자 패키지의 발광소자의 단면도이고,
도 3a 및 도 3b는 도 2의 압전 소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 발광소자 패키지의 다른 실시예의 단면도이고,
도 5는 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a voltage supply of a light emitting device package,
2A is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device package,
2B is a cross-sectional view of a light emitting device of the light emitting device package of FIG. 2A,
3A and 3B are views showing an embodiment of the piezoelectric element of FIG. 2,
4 is a cross-sectional view of another embodiment of a light emitting device package,
5 is a view showing an embodiment of a lighting device including a light emitting device package.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention capable of realizing the above object will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where it is described as being formed in "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) (on or under) includes both elements in direct contact with each other or in which one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed as “on or under”, it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one element.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 압전 소자를 구비하여, 외부로부터의 기계적 응력으로부터 전압을 발생시킨다. 압전 소자는 기계적 응력을 걸면 전압이 발생하고 반대로 전압을 걸면 일그러짐이 발생하는 수정이나 압전 세라믹스 등을 사용한 소자로, 압력을 가하면 전압이 변화하고, 반대로 전압을 가하면 팽창되거나 수축될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment includes a piezoelectric device to generate a voltage from external mechanical stress. Piezoelectric elements are elements using crystals or piezoelectric ceramics that generate voltage when mechanical stress is applied and distortion occurs when voltage is applied to the contrary. When pressure is applied, voltage changes, and when voltage is applied on the contrary, it can expand or contract.

도 2a는 발광소자 패키지의 일실시예의 단면도이다.2A is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device package.

실시예에 따른 발광소자 패키지(100a)는 캐비티를 포함하는 패키지 몸체(110)와, 상기 패키지 몸체(110)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 121) 및 제2 리드 프레임(122)과, 상기 패키지 몸체(110)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과 전기적으로 연결되는 발광소자(200)와, 캐비티에 형성된 몰딩부(160)를 포함한다.The light emitting device package 100a according to the embodiment includes a package body 110 including a cavity, a first lead frame 121 and a second lead frame 122 installed in the package body 110, A light emitting device 200 installed on the package body 110 and electrically connected to the first lead frame 121 and the second lead frame 122, and a molding unit 160 formed in the cavity.

패키지 몸체(110)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 패키지 몸체(110)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 패키지 몸체(110)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(121, 22) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다. 패키지 몸체(310)에는 바닥면과 측벽을 포함하는 캐비티(cavity)가 형성되고, 캐비티의 바닥면에 발광소자(200)가 배치될 수 있다.The package body 110 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. When the package body 110 is made of a conductive material such as a metal material, although not shown, an insulating layer is coated on the surface of the package body 110 to prevent an electrical short between the first and second lead frames 121 and 22. I can. A cavity including a bottom surface and a sidewall may be formed in the package body 310, and the light emitting device 200 may be disposed on the bottom surface of the cavity.

제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(100)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)은 발광소자(200)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(200)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The first lead frame 121 and the second lead frame 122 are electrically separated from each other and supply current to the light emitting device 100. In addition, the first lead frame 121 and the second lead frame 122 may reflect light generated from the light emitting device 200 to increase light efficiency, and transfer heat generated from the light emitting device 200 to the outside. It can also be discharged.

도 2b는 도 2a의 발광소자 패키지의 발광소자의 단면도이다.2B is a cross-sectional view of a light emitting device of the light emitting device package of FIG. 2A.

발광소자(200)는 도전성 지지기판(278)과 접합층(270)과 반사층(274)과 오믹층(272)과 발광 구조물(230) 및 패시베이션층(280)을 포함하여 이루어지고, 발광 구조물(230)의 표면에는 광추출 구조가 형성되며, 활성층(234)과 제2 도전형 반도체층(236)의 사이에는 전자 차단층(240)이 배치될 수 있다.The light emitting device 200 includes a conductive support substrate 278, a bonding layer 270, a reflective layer 274, an ohmic layer 272, a light emitting structure 230, and a passivation layer 280, and includes a light emitting structure ( A light extraction structure is formed on the surface of 230, and an electron blocking layer 240 may be disposed between the active layer 234 and the second conductivity type semiconductor layer 236.

발광 구조물(230)은 제1 도전형 반도체층(232)과 활성층(234) 및 제2 도전형 반도체층(236)을 포함하여 이루어지고, 광추출 구조는 제1 도전형 반도체층(232) 상에 형성될 수 있다.The light emitting structure 230 includes a first conductivity type semiconductor layer 232, an active layer 234, and a second conductivity type semiconductor layer 236, and the light extraction structure is formed on the first conductivity type semiconductor layer 232. Can be formed in

제1 도전형 반도체층(232)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑되어 제1 도전형의 반도체층일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(232)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어 AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 232 may be implemented as a compound semiconductor such as Group III-V or Group II-VI, and may be a semiconductor layer of a first conductivity type by doping with a first conductivity type dopant. The first conductivity type semiconductor layer 232 is made of a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). It may be formed of, for example, any one or more of AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.

제1 도전형 반도체층(232)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(232)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductivity-type semiconductor layer 232 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant may include an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductivity type semiconductor layer 232 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

활성층(234)은 제1 도전형 반도체층(232)의 하부에 배치되며, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조를 가질 수 있다.The active layer 234 is disposed under the first conductivity type semiconductor layer 232 and may have a multi quantum well (MQW) structure.

활성층(234)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The active layer 234 is a well layer and a barrier layer, for example, AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs (InGaAs) using a compound semiconductor material of group III-V element. /AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP may be formed in any one or more pair structure, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(236)은 활성층(234)의 표면에 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(236)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(236)은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있고, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 236 may be formed of a semiconductor compound on the surface of the active layer 234. The second conductivity type semiconductor layer 236 may be implemented as a compound semiconductor such as Group III-V or Group II-VI, and may be doped with a second conductivity type dopant. The second conductivity type semiconductor layer 236 is, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) AlGaN, GaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP may be formed of any one or more.

제2 도전형 반도체층(236)은 제2 도전형 도펀트가 도핑되어 제2 도전형의 반도체층일 수 있는데, 제2 도전형 반도체층(236)이 p형 반도체층일 경우 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(236)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductivity type semiconductor layer 236 may be a second conductivity type semiconductor layer doped with a second conductivity type dopant. When the second conductivity type semiconductor layer 236 is a p type semiconductor layer, the second conductivity type dopant is Mg , Zn, Ca, Sr, Ba, etc. may be a p-type dopant. The second conductivity type semiconductor layer 236 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

활성층(234)과 제2 도전형 반도체층(236)의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer, 240)이 배치될 수 있다.An electron blocking layer 240 may be disposed between the active layer 234 and the second conductivity type semiconductor layer 236.

발광 구조물(230)의 하부에 도시된 오믹층(272)과 반사층(274)과 접합층(270) 및 도전성 지지기판(278)이 제2 전극으로 작용할 수 있다.The ohmic layer 272, the reflective layer 274, the bonding layer 270, and the conductive support substrate 278 shown below the light emitting structure 230 may serve as second electrodes.

오믹층(272)은 약 200 옹스트롱의 두께일 수 있다. 오믹층(272)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The ohmic layer 272 may be about 200 angstroms thick. The ohmic layer 272 includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin oxide (IGTO). ), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx , NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, It may be formed by including at least one of Au and Hf, but is not limited to these materials.

반사층(274)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(224)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.The reflective layer 274 may be formed of a metal layer including aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), or an alloy including Al, Ag, Pt, or Rh. . Aluminum or silver can effectively reflect light generated from the active layer 224 to greatly improve light extraction efficiency of the light emitting device.

도전성 지지기판(metal support, 278)은 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 발광소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 금속을 사용할 수 있다.As the conductive support substrate 278, a metal having excellent electrical conductivity may be used, and a metal having high thermal conductivity may be used because it must be able to sufficiently dissipate heat generated during operation of the light emitting device.

도전성 지지기판(278)은 금속 또는 반도체 물질등으로 형성될 수 있다. 또한 전기전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The conductive support substrate 278 may be formed of a metal or semiconductor material. In addition, it may be formed of a material having high electrical conductivity and thermal conductivity. For example, it may be made of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu), and aluminum (Al), or an alloy thereof, and gold (Au ), copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafer (e.g. GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3, etc.) And the like may be optionally included.

상기 도전성 지지기판(278)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.The conductive support substrate 278 may have a mechanical strength sufficient to separate chips into separate chips through a scribing process and a breaking process without causing warpage to the entire nitride semiconductor.

접합층(270)은 반사층(274)과 도전성 지지기판(278)을 결합하는데, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다.The bonding layer 270 combines the reflective layer 274 and the conductive support substrate 278, including gold (Au), tin (Sn), indium (In), aluminum (Al), silicon (Si), and silver (Ag). , Nickel (Ni) and copper (Cu) may be formed of a material selected from the group consisting of or an alloy thereof.

제1 도전형 반도체층(222)의 상부에는 제1 전극(262)이 배치될 수 있고, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.A first electrode 262 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 222, and aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold It may be formed in a single-layer or multi-layered structure including at least one of (Au).

발광 구조물(230)의 둘레에는 패시베이션층(280)이 배치되고 있다. 패시베이션층(280)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 패시베이션층(280)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.A passivation layer 280 is disposed around the light emitting structure 230. The passivation layer 280 may be made of an insulating material, and the insulating material may be made of a non-conductive oxide or nitride. As an example, the passivation layer 280 may be formed of a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, and an aluminum oxide layer.

도 2b에서는 수직형 발광소자를 도시하고 있으나, 수평형 발광소자나 플립 칩 타입의 발광소자가 배치될 수도 있다.Although a vertical light emitting device is shown in FIG. 2B, a horizontal light emitting device or a flip chip type light emitting device may be disposed.

발광소자(200)는 패키지 몸체(110)의 바닥면에 도전성 페이스트(미도시) 등으로 고정될 수 있고, 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)에 와이어(140)로 본딩될 수 있다. 몰딩부(160)는 발광소자(200)를 포위하여 보호할 수 있고, 형광체(165)를 포함하는데, 형광체(165)는 발광소자(200) 상에 필름 타입으로 배치될 수도 있다.The light emitting device 200 may be fixed to the bottom surface of the package body 110 with a conductive paste (not shown), etc., and bonded to the first lead frame 121 and the second lead frame 122 with a wire 140 Can be. The molding unit 160 may surround and protect the light emitting device 200, and includes a phosphor 165, and the phosphor 165 may be disposed on the light emitting device 200 in a film type.

형광체(165)는 발광소자(200)에서 방출되는 제1 파장 영역의 광에 의하여 여기되어, 보다 장파장인 제2 파장 영역의 광을 방출할 수 있다.The phosphor 165 is excited by the light in the first wavelength region emitted from the light emitting device 200, and thus may emit light in the second wavelength region, which is a longer wavelength.

발광소자 패키지(200)는 발광소자(200)가 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package 200 may include one or a plurality of light emitting devices 200, but is not limited thereto.

본 실시예에 따른 발광소자 패키지(100a)는 패키지 몸체(110)의 내부에 압전 소자(piezoelectrical element, 180)가 배치되는데, 압전 소자(180)는 상술한 캐비티의 바닥면 하부의 패키지 몸체(110)에 매립될 수 있다.In the light emitting device package 100a according to the present embodiment, a piezoelectric element 180 is disposed inside the package body 110, and the piezoelectric element 180 includes the package body 110 below the bottom surface of the above-described cavity. ) Can be buried.

압전 소자(180)는 압전 효과(piezoelectric effect)를 이용한 소자인데, 고체에 힘을 가하였을 때 결정 겉면에 전기적 분극이 일어나는 현상을 압전 효과 또는 피에조 저항 효과라고 한다. 수정이나 로셀염 등의 결정에 압력을 가하면 전압이 발생하여, 이를 이용하여 발광소자 패키지(100a)의 구동에 필요한 전압을 얻을 수 있다.The piezoelectric element 180 is a device using a piezoelectric effect, and a phenomenon in which electrical polarization occurs on the surface of a crystal when a force is applied to a solid is referred to as a piezoelectric effect or a piezoresistive effect. When pressure is applied to crystals such as crystals or rossell salts, voltage is generated, and a voltage required for driving the light emitting device package 100a can be obtained by using this voltage.

압전 효과를 일으키기 위하여 압전 소자(180)는 압전 물질로 이루어질 수 있는데, 압전 물질이란 어떤 결정에 압력을 가하였을 때 전위차(전압)이 발생하고 또한, 반대로 압전 물질에 전위차를 가하면 물리적 변위가 생길 수 있다.In order to produce a piezoelectric effect, the piezoelectric element 180 may be made of a piezoelectric material, and the piezoelectric material generates a potential difference (voltage) when a pressure is applied to a certain crystal, and on the contrary, when a potential difference is applied to the piezoelectric material, a physical displacement may occur. have.

이러한 압전 물질로 수정, 석영, 로셀염, 티탄산바륨(BaTiO3) 및 인공 세라믹 중 적어도 하나가 사용될 수 있으며, 기타 인산이수소암모늄이나 타르타르산에틸렌디아민 등이 사용될 수도 있다.As such a piezoelectric material, at least one of quartz, quartz, roselle salt, barium titanate (BaTiO 3 ), and artificial ceramics may be used, and other ammonium dihydrogen phosphate or ethylenediamine tartrate may be used.

압전 효과가 나타나는 원리는, 이온 결정들이 음이온과 양이온이 동수로 구비되어 전기적으로 중성이며 압전 물질의 표면에도 음이온과 양이온이 동수로 구비될 수 있다. 그리고, 외부로부터 진동 등이 발생하여 압전 물질에 힘이 가해지면 음이온과 양이온의 움직임이 다르므로 압전 물질의 표면에 특정 전하의 이온들이 많이 쌓여서, 표면 사이에 전위차가 발생할 수 있다.The principle that the piezoelectric effect appears is that ionic crystals are electrically neutral because anions and cations are provided in the same number, and anions and cations may be provided in the same number on the surface of a piezoelectric material. In addition, when a force is applied to the piezoelectric material due to vibration or the like from the outside, movements of anions and cations are different, so that a lot of ions of a specific charge accumulate on the surface of the piezoelectric material, and a potential difference may occur between the surfaces.

발광소자 패키지(100a)가 자전거나 차량 또는 운동화 등에 구비될 때, 자전거나 차량 및 운동화의 이동에 따라 압전 소자(180)에는 전위차가 발생할 수 있고, 상술한 전위차를 이용하여 발광소자 패키지(100a)에 전압을 공급할 수 있다.When the light-emitting device package 100a is provided on a bicycle, vehicle, or sports shoes, a potential difference may occur in the piezoelectric device 180 according to the movement of the bicycle, vehicle, and sports shoes, and the light-emitting device package 100a may be formed by using the above-described potential difference. Can supply voltage to

이를 위하여 압전 소자(180)는 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있는데, 도시된 바와 같이 압전 소자(180)는 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)에 직접 컨택할 수도 있다.To this end, the piezoelectric element 180 may be electrically connected to the first lead frame 121 and the second lead frame 122, respectively. As shown, the piezoelectric element 180 includes the first lead frame 121 and the first lead frame 121 and the second lead frame 122. 2 It is also possible to directly contact the lead frame 122.

도 3a 및 도 3b는 도 2의 압전 소자의 일실시예를 나타낸 도면이다.3A and 3B are views showing an embodiment of the piezoelectric element of FIG. 2.

압전 소자(180)는 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있는데, 두께(t)가 적어도 나노미터 스케일일 수 있으며 마이크로 미터 스케일일 수도 있는데, 적어도 나노미터 스케일로 압전 물질이 구비되어야 발광소자 패키지(100a)의 구동에 필요한 전압을 발생할 수 있다.The piezoelectric element 180 may be formed of a single layer or multiple layers, and the thickness t may be at least a nanometer scale and may be a micrometer scale. It can generate the voltage required for driving.

예를 들어 압전 소자(280)의 단면적(S)이 1.0 mm2이고 길이(L)가 3 밀리미터일 때, 3 볼트(V)의 전압을 발광소자 패키지(100a)에 공급할 수 있다.For example, when the cross-sectional area (S) of the piezoelectric element 280 is 1.0 mm 2 and the length (L) is 3 mm, a voltage of 3 volts (V) may be supplied to the light emitting device package 100a.

도 4는 발광소자 패키지의 다른 실시예의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of another embodiment of a light emitting device package.

본 실시예에 따른 발광소자 패키지(100b)는 도 2a의 발광소자 패키지와 동일하나, 커패시터(capacitor, C)를 구비하는 차이점이 있다. 커패시터(C)는 압전 소자(180)와 연결되고, 또한 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122) 중 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있으며, 패키지 몸체(110)의 외부에 배치될 수도 있으나 도시된 바와 같이 내부에 구비되는 것이 효과적일 수 있다. 그리고, 압전 소자(180)와 커패시터(C)가 직렬로 연결되고 있는데, 병렬로 연결될 수도 있다.The light emitting device package 100b according to the present exemplary embodiment is the same as the light emitting device package of FIG. 2A, but includes a capacitor (C). The capacitor C is connected to the piezoelectric element 180, and may be electrically connected to at least one of the first lead frame 121 and the second lead frame 122, and may be disposed outside the package body 110. It may be, but it may be effective to be provided inside as shown. In addition, although the piezoelectric element 180 and the capacitor C are connected in series, they may be connected in parallel.

본 실시예에 따른 발광소자 패키지(100b)가 자전거나 차량 또는 운동화 등에 구비될 때, 자전거나 차량 및 운동화의 이동에 따라 압전 소자(180)에 전위차가 발생할 수 있고, 상술한 전위차에 의하여 발생한 전압이 커패시터(C)에 저장된 후 필요한 때에 발광소자 패키지(100b)에 전압을 공급할 수 있다.When the light emitting device package 100b according to the present embodiment is provided on a bicycle, vehicle, or sports shoes, a potential difference may occur in the piezoelectric element 180 according to the movement of the bicycle, vehicle, or sports shoes, and the voltage generated by the above-described potential difference After being stored in the capacitor C, a voltage may be supplied to the light emitting device package 100b when necessary.

이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 조명장치를 설명한다.Hereinafter, a lighting device will be described as an embodiment of a lighting system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 6은 발광소자 패키지가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an embodiment of a lighting device in which a light emitting device package is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1200), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device according to the present embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a radiator 1200, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 1300 and the holder 1500, and the light source module 1200 may include a light emitting device package according to the above-described embodiments. .

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1200)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1200)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 has a shape of a bulb or a hemisphere, is hollow, and may be provided in an open shape. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be coupled to the radiator 1200. The cover 1100 may have a coupling portion coupled to the radiator 1200.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 1100. The milky white paint may include a diffuser that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is to allow the light from the light source module 1200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 1100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 1100 may be transparent or opaque so that the light source module 1200 can be seen from the outside. The cover 1100 may be formed through blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1200)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1200)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one surface of the radiator 1200. Accordingly, heat from the light source module 1200 is conducted to the radiator 1200. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1200)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)이 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the radiator 1200 and has guide grooves 1310 into which a plurality of light emitting device packages 1210 and a connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate and the connector 1250 of the light emitting device package 1210.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects light reflected on the inner surface of the cover 1100 and returned toward the light source module 1200 toward the cover 1100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1200)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1200)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1200)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 1200 and the connection plate 1230. The member 1300 is made of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 1230 and the radiator 1200. The radiator 1200 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to radiate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 blocks the receiving groove 1919 of the insulating part 1710 of the inner case 1700. Accordingly, the power supply unit 1600 accommodated in the insulating unit 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide protrusion 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the protrusion 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is accommodated in the storage groove 1719 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 1630 has a shape protruding outward from one side of the base 1650. The guide part 1630 may be inserted into the holder 1500. A number of parts may be disposed on one surface of the base 1650. A number of components include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source to DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source module 1200, and an ESD for protecting the light source module 1200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 1670 has a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension part 1670 is inserted into the connection part 1750 of the inner case 1700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension part 1670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection part 1750 of the inner case 1700. Each end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the extension part 1670, and the other end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the socket 1800. .

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding unit together with the power supply unit 1600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is solidified, and allows the power supply part 1600 to be fixed inside the inner case 1700.

상술한 조명 장치가 자전거 등에 사용될 때, 자전거의 이동에 따라 발광소자 패키지 내의 압전 소자에 전위차가 발생하여, 외부의 전력 공급 없이 압전 소자에서 발생한 전압에 의하여 자전거에 구비된 조명 장치가 작동할 수 있다.When the above-described lighting device is used in a bicycle or the like, a potential difference occurs in the piezoelectric element in the light emitting device package as the bicycle moves, so that the lighting device provided in the bicycle can be operated by the voltage generated from the piezoelectric element without external power supply. .

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments have been described above, these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs are not exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100a, 100b: 발광소자 패키지 110: 패키지 몸체
121: 제1 리드 프레임 12: 제2 리드 프레임
140: 와이어 160: 몰딩부
165: 형광체 180: 압전 소자
200: 발광소자 230: 발광 구조물
232: 제1 도전형 반도체층 234: 활성층
236: 제2 도전형 반도체층 240: 전자 차단층
262: 제1 전극 270: 접합층
272: 오믹층 274: 반사층
278: 도전성 지지 기판 280: 패시베이션층
C: 커패시터100a, 100b: light emitting device package 110: package body
121: first lead frame 12: second lead frame
140: wire 160: molding part
165: phosphor 180: piezoelectric element
200: light emitting device 230: light emitting structure
232: first conductivity type semiconductor layer 234: active layer
236: second conductivity type semiconductor layer 240: electron blocking layer
262: first electrode 270: bonding layer
272: ohmic layer 274: reflective layer
278: conductive support substrate 280: passivation layer
C: capacitor

Claims (8)

캐비티를 가지는 패키지 몸체;
상기 캐비티의 바닥면에 구비된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 각각 전기적으로 연결되는 발광소자; 및
상기 패키지 몸체에 구비되고, 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 각각 전기적으로 연결된 압전 소자를 포함하고,
상기 캐비티는 바닥면의 폭이 상면의 폭보다 작고,
상기 압전소자의 폭은 상기 캐비티의 바닥면의 폭보다 크고 상기 캐비티의 상면의 폭보다 작고,
상기 압전소자는 상기 패키지 몸체의 내부에 배치되고, 상기 제1 리드 프레임의 일부의 하면 및 상기 제2 리드 프레임의 일부의 하면과 각각 면접촉하는 발광소자 패키지.A package body having a cavity;
A first lead frame and a second lead frame provided on the bottom surface of the cavity;
Light emitting devices electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, respectively; And
A piezoelectric element provided on the package body and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, respectively,
The cavity has a width of the bottom surface less than that of the top surface,
The width of the piezoelectric element is larger than the width of the bottom surface of the cavity and smaller than the width of the upper surface of the cavity,
The piezoelectric element is disposed inside the package body, and is in surface contact with a lower surface of a portion of the first lead frame and a lower surface of a portion of the second lead frame, respectively. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 압전 소자는 수정, 석영, 로셀염, 티탄산바륨 및 인공 세라믹 중 적어도 하나로 이루어지는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The piezoelectric device is a light emitting device package made of at least one of crystal, quartz, rossell salt, barium titanate, and artificial ceramic. 제1 항에 있어서,
상기 압전 소자는, 두께가 적어도 나노미터 스케일이고, 단면적이 적어도 1.0 mm2이고 길이가 적어도 3 밀리미터인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The piezoelectric device has a thickness of at least a nanometer scale, a cross-sectional area of at least 1.0 mm 2, and a length of at least 3 millimeters. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045684A (en) 2001-08-01 2003-02-14 Nec Tokin Ceramics Corp Lighting device for luminous object
JP2006210278A (en) * 2005-01-31 2006-08-10 Nissin Electric Co Ltd Piezoelectric luminescent module and its applied product
JP2011171358A (en) * 2010-02-16 2011-09-01 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light-emitting device
JP2013093583A (en) 2011-10-26 2013-05-16 Lg Innotek Co Ltd Light source module and lighting apparatus having the same
JP2013120753A (en) 2011-12-06 2013-06-17 Midas Wei Trading Co Ltd Piezoelectric resonator light-emitting-diode driving circuit

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0775195B2 (en) * 1993-01-14 1995-08-09 株式会社富士セラミックス Lamp lighting device
JP3323910B2 (en) * 1997-01-16 2002-09-09 経済産業省産業技術総合研究所長 Driving method of electroluminescent device by piezoelectric material

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045684A (en) 2001-08-01 2003-02-14 Nec Tokin Ceramics Corp Lighting device for luminous object
JP2006210278A (en) * 2005-01-31 2006-08-10 Nissin Electric Co Ltd Piezoelectric luminescent module and its applied product
JP2011171358A (en) * 2010-02-16 2011-09-01 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light-emitting device
JP2013093583A (en) 2011-10-26 2013-05-16 Lg Innotek Co Ltd Light source module and lighting apparatus having the same
JP2013120753A (en) 2011-12-06 2013-06-17 Midas Wei Trading Co Ltd Piezoelectric resonator light-emitting-diode driving circuit

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