KR102471944B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시예는 공통 전극 패드; 상기 공통 전극 패드 상에 배치되고, 제1 전극이 상기 공통 전극 패드와 접촉하는 적어도 하나의 제1 발광소자; 상기 공통 전극 패드 상에 배치되고, 제2 전극이 상기 공통 전극 패드와 접촉하는 적어도 하나의 제2 발광소자; 상기 제1 발광소자의 제2 전극과 연결되는 제1 전극 패드; 및 상기 제2 발광소자의 제1 전극과 연결되는 제2 전극 패드를 포함하고, 상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드는 상기 공통 전극 패드를 사이에 두고 서로 마주보고, 상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드는 상기 공통 전극 패드를 둘러싸고 배치되며, 상기 제1 발광소자와 제2 발광소자는 50 마이크로 미터 이내의 거리로 이격되어 배치되는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a common electrode pad; at least one first light emitting element disposed on the common electrode pad and having a first electrode in contact with the common electrode pad; at least one second light emitting element disposed on the common electrode pad and having a second electrode in contact with the common electrode pad; a first electrode pad connected to the second electrode of the first light emitting element; and a second electrode pad connected to the first electrode of the second light emitting element, wherein the first electrode pad and the second electrode pad face each other with the common electrode pad interposed therebetween, and the first electrode pad and A second electrode pad is disposed surrounding the common electrode pad, and the first light emitting device and the second light emitting device are spaced apart from each other by a distance of less than 50 micrometers.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다. Group 3-5 compound semiconductors such as GaN and AlGaN are widely used in optoelectronics and electronic devices due to their many advantages, such as having a wide and easily tunable band gap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials have developed thin film growth technology and device materials to produce red, green, blue, and ultraviolet light. Various colors can be implemented, and white light with high efficiency can be implemented by using fluorescent materials or combining colors, and compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lights, low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environment It has the advantage of affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a light emitting diode backlight that replaces a cold cathode fluorescence lamp (CCFL) constituting a backlight of a transmission module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device, and a white light emission that can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb. Applications are expanding to diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights.

발광 소자는 사파이어 등으로 이루어진 기판 위에 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물이 형성되고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치된다. 발광 소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 활성층에서 방출되는 빛은 활성층을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 등일 수 있다.In the light emitting device, a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer is formed on a substrate made of sapphire or the like, and a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer are respectively formed. A first electrode and a second electrode are disposed. In the light emitting device, electrons injected through the first conductivity-type semiconductor layer and holes injected through the second conductivity-type semiconductor layer meet each other to emit light having energy determined by an energy band inherent to a material constituting an active layer. Light emitted from the active layer may vary depending on the composition of a material constituting the active layer, and may be blue light, ultraviolet (UV), or deep UV.

이러한 발광 소자는 패키지의 형태로 백라이트 유닛이나 조명 장치 등에 배치될 수 있으며, 최근에는 이동 단말기의 광원으로 사용이 증가하고 있다.Such a light emitting element may be disposed in a backlight unit or lighting device in the form of a package, and recently, its use as a light source for mobile terminals is increasing.

특히, 조명 장치의 광원으로 사용될 때, 발광소자로부터 발생하는 열의 방출이 중요하고, 하나의 발광소자 패키지 내에 복수 개의 발광소자가 배치될 때 발광소자들 간의 색편차가 발생하지 않아야 하며 또한 컴팩트(compact)한 디자인이 요구되어 각종 설계 마진(margin)을 줄일 필요가 있다.In particular, when used as a light source of a lighting device, the emission of heat generated from the light emitting device is important, and when a plurality of light emitting devices are arranged in one light emitting device package, color deviation between the light emitting devices must not occur, and a compact ), it is necessary to reduce various design margins.

실시예는 복수 개의 발광소자가 배치된 발광소자 패키지의 방열 특성를 향상시키고, 색편차를 없애고자 한다.The embodiment aims to improve heat dissipation characteristics of a light emitting device package in which a plurality of light emitting devices are disposed and eliminate color deviation.

실시예는 공통 전극 패드; 상기 공통 전극 패드 상에 배치되고, 제1 전극이 상기 공통 전극 패드와 접촉하는 적어도 하나의 제1 발광소자; 상기 공통 전극 패드 상에 배치되고, 제2 전극이 상기 공통 전극 패드와 접촉하는 적어도 하나의 제2 발광소자; 상기 제1 발광소자의 제2 전극과 연결되는 제1 전극 패드; 및 상기 제2 발광소자의 제1 전극과 연결되는 제2 전극 패드를 포함하고, 상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드는 상기 공통 전극 패드를 사이에 두고 서로 마주보고, 상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드는 상기 공통 전극 패드를 둘러싸고 배치되며, 상기 제1 발광소자와 제2 발광소자는 50 마이크로 미터 이내의 거리로 이격되어 배치되는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a common electrode pad; at least one first light emitting element disposed on the common electrode pad and having a first electrode in contact with the common electrode pad; at least one second light emitting element disposed on the common electrode pad and having a second electrode in contact with the common electrode pad; a first electrode pad connected to the second electrode of the first light emitting element; and a second electrode pad connected to the first electrode of the second light emitting element, wherein the first electrode pad and the second electrode pad face each other with the common electrode pad interposed therebetween, and the first electrode pad and A second electrode pad is disposed surrounding the common electrode pad, and the first light emitting device and the second light emitting device are spaced apart from each other by a distance of less than 50 micrometers.

제1 발광소자와 제2 발광소자는, 직렬로 연결될 수 있다.The first light emitting device and the second light emitting device may be connected in series.

제1 발광소자와 제2 발광소자는 각각 복수 개가 구비되고, 상기 복수 개의 제1 발광소자들 및/또는 복수 개의 제2 발광소자들은 서로 병렬로 연결될 수 있다.A plurality of first light emitting devices and a plurality of second light emitting devices may be provided, and the plurality of first light emitting devices and/or the plurality of second light emitting devices may be connected in parallel to each other.

제1 발광소자의 제2 전극과 상기 제2 발광소자의 제1 전극이 상부로 노출될 수 있다.The second electrode of the first light emitting device and the first electrode of the second light emitting device may be exposed upward.

공통 전극 패드와 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드 중 적어도 하나는, 방열부와 접착부 및 반사부를 포함할 수 있다.At least one of the common electrode pad, the first electrode pad, and the second electrode pad may include a heat radiation portion, an adhesive portion, and a reflection portion.

제1 전극 패드와 제2 전극 패드에 각각 대응되어 상기 패키지 몸체의 하부에 배치되는 제1-1 전극 패드와 제2-1 전극 패드를 더 포함하고, 상기 제1-1 전극 패드와 제2-1 전극 패드는 각각 상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드에 전기적으로 연결될 수 있다.A 1-1 electrode pad and a 2-1 electrode pad corresponding to the first electrode pad and the second electrode pad are disposed under the package body, respectively, and the 1-1 electrode pad and the 2-1 electrode pad are disposed below the package body. One electrode pad may be electrically connected to the first electrode pad and the second electrode pad, respectively.

공통 전극 패드에 대응되어 상기 패키지 몸체의 하부에 배치되는 방열 패드를 더 포함하고, 상기 방열 패드는 상기 공통 전극 패드와 전기적으로 분리될 수 있다.The package may further include a heat dissipation pad disposed under the package body to correspond to the common electrode pad, and the heat dissipation pad may be electrically separated from the common electrode pad.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 발광소자와 제2 발광소자가 하나의 공통 전극 패드 상에 서로 직렬로 연결되며 배치되므로, 제1 발광소자와 제2 발광소자가 서로 가까이 배치되어 발광소자 패키지 내에서 색편차가 감소할 수 있다. 또한, 수직형의 제1 발광소자와 제2 발광소자의 도전성 지지 기판이 모두 공통 전극 패드와 접촉하여, 열 방출에 유리할 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, since the first light emitting device and the second light emitting device are serially connected to each other and disposed on one common electrode pad, the first light emitting device and the second light emitting device are disposed close to each other, and the light emitting device package Color deviation can be reduced within In addition, both of the vertical conductive support substrates of the first light emitting device and the second light emitting device may be in contact with the common electrode pad, which may be advantageous for heat dissipation.

또한, 하나의 발광소자 패키지 내에서 발광 소자들이 종래보다 인접하여 배치되므로, 중앙 영역과 가장 자리 영역 간의 색감 차이가 감소할 수 있다.In addition, since the light emitting devices are disposed more adjacently than in the prior art within one light emitting device package, a color difference between a central region and an edge region may be reduced.

도 1a는 발광소자 패키지의 일실시예의 단면도이고,
도 1b는 도 1a의 공통 전극 패드 등을 상세히 나타낸 도면이고,
도 2는 도 1의 평면도이고,
도 3a 및 도 3b는 도 1의 발광소자들의 구조를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 1의 발광소자들의 전류 흐름을 나타낸 도면이다.1A is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device package;
1B is a view showing the common electrode pad of FIG. 1A in detail;
Figure 2 is a plan view of Figure 1,
3a and 3b are views showing the structure of the light emitting devices of FIG. 1,
FIG. 4 is a diagram showing current flow of the light emitting elements of FIG. 1 .

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention that can specifically realize the above object will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed on "on or under" of each element, on or under (on or under) or under) includes both elements formed by directly contacting each other or by indirectly placing one or more other elements between the two elements. In addition, if it is expressed as “on or under”, it may include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one element.

도 1a는 발광소자 패키지의 일실시예의 단면도이고, 도 1b는 도 1a의 공통 전극 패드 등을 상세히 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1의 평면도이되 렌즈(180)를 생략하여 도시하고 있다.FIG. 1A is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device package, FIG. 1B is a view showing the common electrode pad of FIG. 1A in detail, and FIG. 2 is a plan view of FIG. 1 , but the lens 180 is omitted.

실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 몸체부(110) 상에 공통 전극 패드(122)과 제1 전극 패드(126a) 및 제2 전극 패드(126b)가 서로 이격되어 배치되고, 공통 전극 패드(122) 상에 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)가 배치되고, 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)는 각각 제1 전극 패드(126a)와 제2 전극 패드(126b)에 와이어(160)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있고, 발광소자(200a, 200b)와 와이어(160) 등을 둘러싸고 렌즈(180)가 배치될 수 있다.In the light emitting device package 100 according to the embodiment, the common electrode pad 122, the first electrode pad 126a, and the second electrode pad 126b are disposed spaced apart from each other on the body 110, and the common electrode pad The first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b are disposed on the 122, and the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b are respectively connected to the first electrode pad 126a and the second light emitting device 200b. It may be electrically connected to the second electrode pad 126b through a wire 160, and a lens 180 may be disposed surrounding the light emitting devices 200a and 200b and the wire 160.

몸체부(110)는 절연성 물질로 이루어지고, 발광소자 패키지(100)를 지지하는 작용을 하며, 예를 들면 PPA 수지이거나 세라믹 계열의 재료일 수 있으며, 특히 방열 특성이 우수한 재료인 Al2O3 또는 AlN으로 이루어질 수 있다.The body portion 110 is made of an insulating material, serves to support the light emitting device package 100, and may be, for example, a PPA resin or a ceramic-based material, especially Al 2 O 3 which is a material having excellent heat dissipation characteristics. or AlN.

공통 전극 패드(122)와 제1 전극 패드(126a) 및 제2 전극 패드(126b)는 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들면 리드 프레임(Lead Frame)일 수 있다.The common electrode pad 122, the first electrode pad 126a, and the second electrode pad 126b may be made of a conductive material, and may be, for example, a lead frame.

공통 전극 패드(122)는 몸체부(110)의 중앙 영역 상에 배치되고, 공통 전극 패드(122) 상에 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)가 각각 2개씩 배치될 수 있다. 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)는 각각 공통 전극 패드(122) 상에 도전성 접착층(170)을 통하여 고정될 수 있으며, 도전성 접착층(170)은 도전성 재료, 예를 들면 금(Au)과 주석(Sn)으로 이루어질 수 있다. 상술한 도전성 접착층(170)은 금과 주석이 각각 8대 2로 혼합된 재료를 300도 내지 330도의 온도에서 용융하여, 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)를 공통 전극 패드(122)에 접착시킬 수 있다.The common electrode pad 122 may be disposed on the central region of the body portion 110, and two first light emitting devices 200a and two second light emitting devices 200b may be respectively disposed on the common electrode pad 122. have. The first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b may be respectively fixed on the common electrode pad 122 through the conductive adhesive layer 170, and the conductive adhesive layer 170 is made of a conductive material, such as gold. (Au) and tin (Sn). The above-described conductive adhesive layer 170 is formed by melting a material in which gold and tin are mixed in a ratio of 8:2 at a temperature of 300°C to 330°C to form the first light emitting element 200a and the second light emitting element 200b with a common electrode pad. (122).

제1 전극 패드(126a)와 제2 전극 패드(126b)는 공통 전극 패드(122)를 사이에 두고 서로 마주보고 배치될 수 있으며, 예를 들면 제1 전극 패드(126a)와 제2 전극 패드(126b)는 공통 전극 패드(122)를 둘러싸고 배치될 수 있다. 단, 제1 전극 패드(126a)와 제2 전극 패드(126b)의 공통 전극 패드(122)의 둘레 영역에서 도시된 바와 같이 서로 전기적으로 분리되어 배치될 수 있다.The first electrode pad 126a and the second electrode pad 126b may be disposed facing each other with the common electrode pad 122 therebetween, and for example, the first electrode pad 126a and the second electrode pad ( 126b) may be disposed surrounding the common electrode pad 122 . However, as shown in the peripheral area of the common electrode pad 122 of the first electrode pad 126a and the second electrode pad 126b, they may be disposed electrically separated from each other.

공통 전극 패드(122)와 제1 전극 패드(126a)와 제2 전극 패드(126b)는 패키지 몸체(110)의 상부에 구비되고, 상기 공통 전극 패드(122)와 제1 전극 패드(126a)와 제2 전극 패드(126b)와 대응하여 패키지 몸체(110)의 하부에 방열 패드(122-1)와 제1-1 전극 패드(126a-1)와 제2-1 전극 패드(126b-1)가 각각 배치될 수 있다.The common electrode pad 122, the first electrode pad 126a, and the second electrode pad 126b are provided on the upper part of the package body 110, and the common electrode pad 122 and the first electrode pad 126a A heat dissipation pad 122-1, a 1-1 electrode pad 126a-1, and a 2-1 electrode pad 126b-1 are disposed under the package body 110 to correspond to the second electrode pad 126b. each can be placed.

방열 패드(122-1)은 패키지 몸체(110)의 중앙 영역의 하부에 배치되고, 공통 전극 패드(122)보다 폭이 좁을 수 있다. 방열 패드(122-1)는 세라믹 등의 재료로 이루어진 패키지 몸체(110)를 통하여 공통 전극 패드(122)로부터 열을 하부 방향의 회로 기판(미도시) 등으로 방출할 수 있고, 전기적으로는 공통 전극 패드(122)와 분리될 수 있다.The heat dissipation pad 122 - 1 is disposed under the central region of the package body 110 and may have a narrower width than the common electrode pad 122 . The heat dissipation pad 122-1 can dissipate heat from the common electrode pad 122 to a circuit board (not shown) in a downward direction through the package body 110 made of a material such as ceramic, and is electrically common. It may be separated from the electrode pad 122 .

전극 패드(126a-1)와 제2-1 전극 패드(126b-1)는 각각 제1 전극 패드(126a) 및 제2 전극 패드(126b)와 대응되어 패키지 몸체(110)의 하부에 배치될 수 있으며, 각각 제1 전극 패드(126a) 및 제2 전극 패드(126b)와 동일한 폭을 가질 수 있으나, 반드시 이에 한정하지 않는다.The electrode pad 126a-1 and the 2-1st electrode pad 126b-1 may correspond to the first electrode pad 126a and the second electrode pad 126b, respectively, and may be disposed under the package body 110. and may have the same width as the first electrode pad 126a and the second electrode pad 126b, but are not necessarily limited thereto.

전극 패드(126a-1)와 제2-1 전극 패드(126b-1)는 세라믹 등의 재료로 이루어진 패키지 몸체(110)를 통하여, 각각 제1 전극 패드(126a)와 제2 전극 패드(126b)로부터 열을 하부 방향의 회로 기판(미도시) 등으로 방출할 수 있고, 제1 관통 전극(126a-2) 및 제2 관통 전극(126b-2)을 통하여 각각 전기적으로는 제1 전극 패드(126a) 및 제2 전극 패드(126b)와 연결될 수 있다.The electrode pad 126a-1 and the 2-1st electrode pad 126b-1 are connected to the first electrode pad 126a and the second electrode pad 126b, respectively, through the package body 110 made of a material such as ceramic. The heat can be discharged to a circuit board (not shown) in a downward direction, and the first electrode pad 126a is electrically connected through the first through electrode 126a-2 and the second through electrode 126b-2, respectively. ) and the second electrode pad 126b.

제1 관통 전극(126a-2) 및 제2 관통 전극(126b-2)은 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들면 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 제1 관통 전극(126a-2)의 폭(w)은 제2 관통 전극(126b-2)의 폭과 동일할 수 있으며, 예를 들면 60 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터일 수 있고, 폭(w)이 60 마이크로 미터 보다 작으면 제1 전극 패드(126a)와 제1-1 전극 패드(126a-1) 등을 전기적으로 안정적으로 연결하기 어려울 수 있고, 폭(w)이 너무 크면 패키지 몸체(110)가 제거되는 영역이 너무 커질 수 있다.The first through electrode 126a-2 and the second through electrode 126b-2 may be made of a conductive material, for example, copper (Cu). The width w of the first through electrode 126a-2 may be the same as that of the second through electrode 126b-2, for example, 60 micrometers to 100 micrometers, and the width w If it is less than 60 micrometers, it may be difficult to stably electrically connect the first electrode pad 126a and the 1-1 electrode pad 126a-1, etc., and if the width w is too large, the package body 110 The area to be removed may become too large.

도 1a 내지 도 2에서 공통 전극 패드(122)의 좌측 영역에는 2개의 제1 발광소자(200a)가 배치되는데, 2개의 제1 발광소자(200a)는 제1 전극이 공통 전극 패드(122)와 전기적으로 접촉하고 제2 전극이 와이어(160)를 통하여 제1 전극 패드(126a)와 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 공통 전극 패드(122)의 우측 영역에는 2개의 제2 발광소자(200b)가 배치되는데, 2개의 제2 발광소자(200b)는 제2 전극이 공통 전극 패드(122)와 전기적으로 접촉하고 제1 전극이 와이어(160)를 통하여 제2 전극 패드(126b)와 전기적으로 연결될 수 있다.In FIGS. 1A to 2 , two first light emitting devices 200a are disposed in the left area of the common electrode pad 122, and the first electrode of the two first light emitting devices 200a is connected to the common electrode pad 122. Electrical contact may be made and the second electrode may be electrically connected to the first electrode pad 126a through the wire 160 . In addition, two second light emitting elements 200b are disposed on the right side of the common electrode pad 122, and the second electrode of the two second light emitting elements 200b electrically contacts the common electrode pad 122 and The first electrode may be electrically connected to the second electrode pad 126b through the wire 160 .

도 1b에서 공통 전극 패드(122)의 구성을 상세히 나타내고 있으며, 제1 전극 패드(126a)와 제2 전극 패드(126b)도 동일한 구성을 가질 수 있다.1B shows the configuration of the common electrode pad 122 in detail, and the first electrode pad 126a and the second electrode pad 126b may have the same configuration.

공통 전극 패드(122)는 하부로부터 제1 층(first layer)와 제2 층(second layer) 및 제3 층(third layer)를 포함할 수 있으며, 제1 층이 패키지 몸체와 접촉하고, 제3 층은 발광소자(20a, 200b)와 본딩될 수 있다. 제1 층은 방열부로 작용하며, 방열 특성이 우수한 재료 예를 들면 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 제3 층은 반사부로 작용할 수 있고, 반사율이 우수한 재료 예를 들면 금(Au)으로 이루어질 수 있다. 제2 층은 접착부로 작용할 수 있고, 제1 층 및 제3층과 접착 특성이 우수하나 재료 예를 들면 니켈(Ni)로 이루어질 수 있다.The common electrode pad 122 may include a first layer, a second layer, and a third layer from below, the first layer being in contact with the package body, and the third layer being in contact with the package body. The layer may be bonded to the light emitting devices 20a and 200b. The first layer serves as a heat dissipation unit and may be made of a material having excellent heat dissipation characteristics, for example, copper (Cu). The third layer may act as a reflector and may be made of a material having excellent reflectivity, for example, gold (Au). The second layer may act as an adhesive and has excellent adhesion properties with the first and third layers, but may be made of, for example, nickel (Ni).

제1 층은 80 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터의 제1 두께(t1)를 가질 수 있고, 제1 두께(t1)가 80 마이크로 미터 보다 작으면 방열특성이 저하될 수 있고 100 마이크로 미터보다 크면 공통 전극 패드(122)의 전체 두께가 너무 커질 수 있다.The first layer may have a first thickness t1 of 80 micrometers to 100 micrometers, and if the first thickness t1 is less than 80 micrometers, heat dissipation characteristics may be deteriorated, and if the first thickness t1 is greater than 100 micrometers, the common electrode The overall thickness of pad 122 may be too large.

제2 층은 5 마이크로 미터 내지 8 마이크로 미터의 제2 두께(t2)를 가질 수 있고, 제2 두께(t2)가 5 마이크로 미터 보다 작으면 접착 특성이 저하될 수 있고 8 마이크로 미터 이하이면 충분하다.The second layer may have a second thickness t2 of 5 micrometers to 8 micrometers, and if the second thickness t2 is less than 5 micrometers, adhesive properties may be deteriorated, and less than 8 micrometers is sufficient. .

제3 층은 0.2 마이크로 미터 내지 0.6 마이크로 미터의 제3 두께(t3)를 가질 수 있고, 제3 두께(t3)가 0.2 마이크로 미터 보다 작으면 반사율이 저하될 수 있고 0.6 마이크로 미터보다 크면 재료비가 증가할 수 있다.The third layer may have a third thickness t3 of 0.2 micrometer to 0.6 micrometer, and if the third thickness t3 is less than 0.2 micrometer, the reflectance may decrease, and if it is greater than 0.6 micrometer, the material cost increases. can do.

공통 전극 패드(122) 전체의 두께(t0)는 상술한 제1 두께 내지 제3 두께(t1~t3)의 합과 동일할 수 있다.The overall thickness t0 of the common electrode pad 122 may be equal to the sum of the aforementioned first to third thicknesses t1 to t3.

상술한 공통 전극 패드(122)의 구조는, 제1 전극 패드(126a)와 제2 전극 패드(126b) 외에, 방열 패드(122-1)와 제1-1 전극 패드(126a-1)와 제2-1 전극 패드(126b-1)에도 적용될 수 있으며 이때 패키지 몸체(110) 방향에 제1 층이 배치되고 반대 방향에 즉 도 1a의 하부 방향에 제3 층이 배치될 수 있다.The structure of the above-described common electrode pad 122 includes, in addition to the first electrode pad 126a and the second electrode pad 126b, the heat dissipation pad 122-1 and the 1-1 electrode pad 126a-1 and the second electrode pad 126a-1. It may also be applied to the 2-1 electrode pad 126b-1, and at this time, the first layer may be disposed in the direction of the package body 110 and the third layer may be disposed in the opposite direction, that is, in the downward direction of FIG. 1A.

도 3a 및 도 3b는 도 1의 발광소자들의 구조를 나타낸 도면이고, 발광 소자는 발광 다이오드(Light emitting diode)일 수 있고, 수직형 발광소자가 일 예로 도시되고 있다.Figures 3a and 3b is a view showing the structure of the light emitting device of Figure 1, the light emitting device may be a light emitting diode (Light emitting diode), a vertical light emitting device is shown as an example.

도 3a의 제1 발광소자(200a)는 지지기판(215) 상에 접합층(214)과 반사층(213) 및 오믹층(212)이 배치되고, 오믹층(212) 상에 발광 구조물(light emitting structure, 211)이 배치될 수 있고, 발광 구조물의 하부의 가장 자리 영역에는 채널층(channel layer, 219)이 배치될 수 있다.In the first light emitting device 200a of FIG. 3A, a bonding layer 214, a reflective layer 213, and an ohmic layer 212 are disposed on a support substrate 215, and a light emitting structure is formed on the ohmic layer 212. structure 211) may be disposed, and a channel layer 219 may be disposed at an edge region of a lower portion of the light emitting structure.

지지기판(215)은 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W) 등 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 또한 지지기판(215)은 캐리어 웨이퍼, 예를 들어 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, Ga2O3, GaN 등으로 구현될 수 있다.The support substrate 215 is a base substrate and may be implemented with at least one of copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), and copper-tungsten (Cu-W). In addition, the support substrate 215 may be implemented with a carrier wafer such as Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, Ga 2 O 3 , GaN, or the like.

상기 지지기판(215)상에는 접합층(350이 배치될 수 있다. 접합층(214)은 지지기판(215)에 반사층(213)을 접합시킬 수 있다. 접합층(214)는 예를 들어 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.A bonding layer 350 may be disposed on the support substrate 215. The bonding layer 214 may bond the reflective layer 213 to the support substrate 215. The bonding layer 214 may be, for example, Ti, At least one of Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, or Ta may be included.

접합층(214) 상에는 반사층(213)이 형성될 수 있다. 반사층(213)은 반사특성이 우수한 물질, 예를 들어 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 루비듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 백금(Pt), 금(Au), 하프늄(Hf) 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성되거나, 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성할 수 있다. 또한 반사층(213)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있으며 이에 한정하지 않는다.A reflective layer 213 may be formed on the bonding layer 214 . The reflective layer 213 is made of a material having excellent reflective characteristics, for example, silver (Ag), nickel (Ni), aluminum (Al), rubidium (Rh), palladium (Pd), iridium (Ir), ruthenium (Ru), magnesium (Mg), zinc (Zn), platinum (Pt), gold (Au), hafnium (Hf), and formed from a material composed of optional combinations thereof, or the metal material and IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, It may be formed in a single layer or multiple layers using a light-transmitting conductive material such as AZO or ATO. In addition, the reflective layer 213 may be laminated with IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, etc., but is not limited thereto.

반사층(213) 상에는 오믹층(212)이 형성되는데, 오믹층(212)은 발광 구조물의 하면에 오믹 접촉되며, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다.An ohmic layer 212 is formed on the reflective layer 213, and the ohmic layer 212 is in ohmic contact with the lower surface of the light emitting structure and may be formed in a layer or a plurality of patterns.

오믹층(212)은 투광성 전극층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.For the ohmic layer 212, a light-transmitting electrode layer and a metal may be selectively used. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), or indium aluminum zinc oxide (IAZO) , indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, It may be implemented as a single layer or multilayer using at least one of Ni/IrOx/Au and Ni/IrOx/Au/ITO.

지지기판(215), 접합층(214), 반사층(213) 및 반사층(212)은 제1 전극으로 작용할 수 있으며 발광 구조물에 전류를 공급할 수 있다.The support substrate 215, the bonding layer 214, the reflective layer 213, and the reflective layer 212 may act as first electrodes and supply current to the light emitting structure.

제1 전극과 발광 구조물(211)의 가장 자리 사이에 채널층(219)이 배치될 수 있다. 채널층(219)은 발광 구조물의 하부 가장자리 영역에 배치될 수 있고 투광성 물질로 형성될 수 있으며 예컨대 금속 산화물, 금속 질화물, 투광성 질화물, 투광성 산화물 또는 투광성 절연층으로 형성될 수 있다.A channel layer 219 may be disposed between the first electrode and an edge of the light emitting structure 211 . The channel layer 219 may be disposed on the lower edge region of the light emitting structure and may be formed of a light-transmitting material, such as metal oxide, metal nitride, light-transmitting nitride, light-transmitting oxide, or a light-transmitting insulating layer.

예를 들어, 채널층(219)는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 등에서 선택적으로 형성될 수 있다.For example, the channel layer 219 may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), IZO nitride (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), and indium gallium oxide (IGZO). zinc oxide), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 and the like.

오믹층(212) 상에는 발광 구조물(211)이 배치될 수 있다. 발광 구조물(211)은 제1 도전형 반도체층(211a)과 활성층(211b) 및 제2 도전형 반도체층(211c)을 포함하여 이루어진다.A light emitting structure 211 may be disposed on the ohmic layer 212 . The light emitting structure 211 includes a first conductivity type semiconductor layer 211a, an active layer 211b, and a second conductivity type semiconductor layer 211c.

제1 도전형 반도체층(211a)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(211a)은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 211a may be implemented with a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI, and may be doped with a first conductivity type dopant. The first conductivity-type semiconductor layer 211a is a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), AlGaN, GaN , InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, may be formed of any one or more of AlGaInP.

제1 도전형 반도체층(211a)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(211a)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductivity-type semiconductor layer 211a is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant may include an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. The first conductivity type semiconductor layer 211a may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

활성층(211b)은 제1 도전형 반도체층(211a)과 제2 도전형 반도체층(211c) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 211b is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 211a and the second conductivity type semiconductor layer 211c, and has a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, or a multi quantum well (MQW: Multi Quantum Well). Well) structure, quantum dot structure, or quantum wire structure.

활성층(211b)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 구현될 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가질 수 있으며, 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.The active layer 211b may be implemented using a compound semiconductor material of a group III-V element, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+ y≤1), well layer and barrier layer, for example AlGaN / AlGaN, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP (InGaP ) / AlGaP may be formed of one or more pair structures, but is not limited thereto.

우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than that of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(211c)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(211c)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(211c)은 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaNAlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 211c may be formed of a semiconductor compound. The second conductivity type semiconductor layer 211c may be implemented with a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI, and may be doped with a second conductivity type dopant. The second conductivity-type semiconductor layer 211c is, for example, AlGaN, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) , GaNAlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, may be formed of any one or more of AlGaInP.

제2 도전형 반도체층(211c)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(211c)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the second conductivity type semiconductor layer 211c is a p-type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba. The second conductivity type semiconductor layer 211c may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

도시되지는 않았으나, 활성층(211b)과 제2 도전형 반도체층(211c)의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer)가 배치될 수 있다. 전자 차단층은 초격자(superlattice) 구조로 이루어질 수 있는데, 초격자는 예를 들어 제2 도전형 도펀트로 도핑된 AlGaN이 배치될 수 있고, 알루미늄의 조성비를 달리하는 GaN이 층(layer)을 이루어 복수 개 서로 교대로 배치될 수도 있으나 이에 한정하지 않는다.Although not shown, an electron blocking layer may be disposed between the active layer 211b and the second conductive semiconductor layer 211c. The electron blocking layer may be formed of a superlattice structure. In the superlattice, for example, AlGaN doped with a second conductivity type dopant may be disposed, and GaN having a different composition ratio of aluminum may be formed as a layer. A plurality may be alternately arranged with each other, but is not limited thereto.

제2 도전형 반도체층(211c)의 표면이 요철 등의 패턴을 이루어 광추출 효율을 향상시킬 수 있고, 제2 도전형 반도체층(211c)의 표면에는 제2 전극(216)이 배치되는데 도시된 바와 같이 제2 전극(216)이 배치되는 제2 도전형 반도체층(211c)의 표면은 제2 도전형 반도체층(211c)의 표면을 따라 패턴을 이루거나 패턴을 이루지 않을 수 있다. 제2 전극(216)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The surface of the second conductivity-type semiconductor layer 211c can form a pattern such as concavo-convex to improve light extraction efficiency, and the second electrode 216 is disposed on the surface of the second conductivity-type semiconductor layer 211c. As such, the surface of the second conductivity type semiconductor layer 211c on which the second electrode 216 is disposed may or may not form a pattern along the surface of the second conductivity type semiconductor layer 211c. The second electrode 216 may include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au), and may be formed in a single layer or multilayer structure. have.

발광 구조물(211)의 하부에는 제2 전극(216)과 대응하여 전류 차단층(218, current blocking layer)이 배치될 수 있는데, 전류 차단층은 절연성 물질로 이루어질 수 있으며, 전류 차단층에 의하여 지지기판(215) 방향에서 공급되는 전류가 제2 도전형 반도체층(211c)의 전 영역으로 고루 공급될 수 있다. 전류 차단층(218)은 제2 전극(216)과 수직적으로 중첩하는 영역에 배치될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.A current blocking layer (218) may be disposed under the light emitting structure 211 to correspond to the second electrode 216. The current blocking layer may be made of an insulating material and supported by the current blocking layer. A current supplied in the direction of the substrate 215 may be evenly supplied to the entire area of the second conductivity type semiconductor layer 211c. The current blocking layer 218 may be disposed in a region vertically overlapping the second electrode 216, but is not limited thereto.

발광 구조물(211)의 둘레에는 패시베이션층(217)이 형성될 수 있는데, 패시베이션층(217)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 패시베이션층(217)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.A passivation layer 217 may be formed around the light emitting structure 211 . The passivation layer 217 may be made of an insulating material, and the insulating material may be made of non-conductive oxide or nitride. As an example, the passivation layer 217 may include at least one of a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, and an aluminum oxide layer.

도 3b의 제2 발광소자(200b)는, 도 3a의 발광소자와 유사하나 제1,2 도전형 반도체층(211a, 211c)이 서로 반대 방향으로 구비되어, 상부에 제1 전극(216)이 구비되고 하부의 구조물(212~215)이 제2 전극으로 작용할 수 있다.The second light emitting device 200b of FIG. 3B is similar to the light emitting device of FIG. 3A, but the first and second conductivity type semiconductor layers 211a and 211c are provided in opposite directions, and the first electrode 216 is provided thereon. and the lower structures 212 to 215 may act as second electrodes.

도 1에서 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b) 상에는 형광체 필름(150)이 배치되어, 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)로부터 방출되는 제1 파장 영역의 광에 의하여 형광체 필름(150) 내의 형광체가 여기되어 제2 파장 영역의 광을 방출할 수 있다.1, a phosphor film 150 is disposed on the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b, and the first wavelength region emitted from the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b The phosphors in the phosphor film 150 are excited by the light of the second wavelength region and may emit light.

도 2에서 2개의 제1 발광소자(200a)는 서로 병렬로 연결되고, 상부의 제2 전극(미도시)이 와이어(160)를 통하여 제1 전극 패드(126a)와 연결될 수 있다. 그리고, 2개의 제2 발광소자(200b)는 서로 병렬로 연결되고, 상부의 제1 전극(미도시)이 와이어(160)를 통하여 제2 전극 패드(126b)와 연결될 수 있다.In FIG. 2 , two first light emitting devices 200a may be connected in parallel to each other, and an upper second electrode (not shown) may be connected to the first electrode pad 126a through a wire 160 . Also, the two second light emitting devices 200b may be connected in parallel to each other, and an upper first electrode (not shown) may be connected to the second electrode pad 126b through the wire 160 .

즉, 도 1과 도 2에 도시되지는 않았으나, 제1 발광소자(200a)의 제2 전극과 제2 발광소자(200b)의 제1 전극이 상부로 노출될 수 있다.That is, although not shown in FIGS. 1 and 2 , the second electrode of the first light emitting device 200a and the first electrode of the second light emitting device 200b may be exposed upward.

본 실시예에서 제1 전극 패드(126a)는 (+)전극과 연결되고 제2 전극 패드(126b)는 (-)전극과 연결될 수 있다. 따라서, 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)는 서로 직렬로 연결되어 도 4와 같은 전류 흐름을 가질 수 있다. 즉, 제1 발광소자(200a) 2개는 서로 병렬로 연결되고, 제2 발광소자(200b)는 서로 병렬로 연결되며, 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)는 서로 직렬로 연견될 수 있다.In this embodiment, the first electrode pad 126a may be connected to the (+) electrode and the second electrode pad 126b may be connected to the (-) electrode. Accordingly, the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b may be connected in series to each other to have a current flow as shown in FIG. 4 . That is, the two first light emitting devices 200a are connected in parallel to each other, the second light emitting devices 200b are connected in parallel to each other, and the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b are connected in series to each other. can be associated with

상술한 구조는 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)의 서로 다른 전극을 하나의 공통 전극 패드(122)에 전기적으로 연결할 수 있다. 만약, 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)를 동일한 극성으로 배치하게 되면, 공통 전극 패드(122) 상에 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)를 모두 배치하면 서로 직렬이 아닌 병렬로 연결하게 된다.In the above structure, different electrodes of the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b may be electrically connected to one common electrode pad 122 . If the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b are disposed with the same polarity, both the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b are placed on the common electrode pad 122. When placed, they are connected in parallel rather than in series.

따라서, 실시예에서는 하나의 공통 전극 패드(122)에 서로 다른 극성의 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)을 직렬로 배치할 수 있다.Accordingly, in the embodiment, the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b having different polarities may be disposed in series on one common electrode pad 122 .

도 1에서 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)는 제3 이격 거리(d3) 만큼 이격될 수 있는데, 제3 이격 거리(d3)는 50 마이크로 미터 미만일 수 있다. 만약 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)를 병렬로 연결하게 되면, 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)가 배치되는 전극 패드는 서로 이격되어야 하며, 이때 각각의 전극 패드는 공정 마진 등을 고려하면 100 마이크로 미터 이상 이격될 수 있다.In FIG. 1 , the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b may be spaced apart by a third distance d3, which may be less than 50 micrometers. If the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b are connected in parallel, the electrode pads on which the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b are disposed must be spaced apart from each other. Each electrode pad may be spaced apart by 100 micrometers or more considering process margins and the like.

따라서, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)는 하나의 공통 전극 패드(122) 상에 서로 직렬로 연결되며 배치되므로, 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)가 서로 가까이 배치되어 발광소자 패키지 내에서 색편차가 감소할 수 있다. 또한, 수직형의 제1 발광소자(200a)와 제2 발광소자(200b)의 도전성 지지 기판이 모두 공통 전극 패드(122)와 접촉하여, 열 방출에 유리할 수 있다.Therefore, in the light emitting device package according to the embodiment, since the first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b are serially connected and disposed on one common electrode pad 122, the first light emitting device 200a ) and the second light emitting device 200b are disposed close to each other, so that color deviation within the light emitting device package can be reduced. In addition, both of the conductive supporting substrates of the vertical first light emitting device 200a and the second light emitting device 200b contact the common electrode pad 122, which may be advantageous for heat dissipation.

공통 전극 패드(122)는 제1 전극 패드(126a) 및 제2 전극 패드(126b)와 각각 제1 거리(d1) 및 제2 거리(d2) 만큼 이격될 수 있고, 예를 들면 제1 거리(d1) 및 제2 거리(d2)는 각각 100 마이크로일 수 있다.The common electrode pad 122 may be spaced apart from the first electrode pad 126a and the second electrode pad 126b by a first distance d1 and a second distance d2, respectively. For example, the first distance ( d1) and the second distance d2 may each be 100 microns.

상술한 발광소자 패키지는 조명 시스템의 광원으로 사용될 수 있는데, 예를 들어 영상표시장치의 영상표시장치와 조명 장치 등의 발광 장치에 사용될 수 있다.The light emitting device package described above may be used as a light source of a lighting system, and may be used, for example, in a light emitting device such as an image display device and a lighting device of an image display device.

영상표시장치의 백라이트 유닛으로 사용될 때 에지 타입의 백라이트 유닛으로 사용되거나 직하 타입의 백라이트 유닛으로 사용될 수 있고, 조명 장치에 사용될 때 등기구나 벨트 타입의 광원에 사용될 수도 있으며, 또한 이동 단말기의 광원으로 사용될 수도 있다.When used as a backlight unit of an image display device, it can be used as an edge-type backlight unit or a direct-type backlight unit, and when used in a lighting device, it can be used for a light source or a belt-type light source, and can also be used as a light source for a mobile terminal. may be

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments, this is only an example and does not limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention belongs will not deviate from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.

100: 발광소자 패키지 110: 몸체부
122: 공통 전극 패드 126a: 제1 전극 패드
126b: 제2 전극 패드 150: 형광체 필름
160: 와이어 200a: 제1 발광소자
200b: 제2 발광소자100: light emitting device package 110: body
122: common electrode pad 126a: first electrode pad
126b: second electrode pad 150: phosphor film
160: wire 200a: first light emitting element
200b: second light emitting element

Claims (7)

공통 전극 패드;
상기 공통 전극 패드 상에 배치되고, 제1 전극이 상기 공통 전극 패드와 접촉하는 적어도 하나의 제1 발광소자;
상기 공통 전극 패드 상에 배치되고, 제2 전극이 상기 공통 전극 패드와 접촉하는 적어도 하나의 제2 발광소자;
상기 제1 발광소자의 제2 전극과 연결되는 제1 전극 패드; 및
상기 제2 발광소자의 제1 전극과 연결되는 제2 전극 패드를 포함하고,
상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드는 상기 공통 전극 패드를 사이에 두고 서로 마주보고, 상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드는 상기 공통 전극 패드를 둘러싸고 배치되며, 상기 제1 발광소자와 제2 발광소자는 50 마이크로 미터 이내의 거리로 이격되어 배치되고,
상기 공통 전극 패드와 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드 중 적어도 하나는, 하부로부터 적층된 방열부와 접착부 및 반사부를 포함하며,
패키지 몸체; 및
상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드에 각각 대응되어 상기 패키지 몸체의 하부에 배치되는 제1-1 전극 패드와 제2-1 전극 패드;를 더 포함하고,
상기 제1-1 전극 패드와 제2-1 전극 패드는 각각 상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드에 전기적으로 연결되는 발광소자 패키지.common electrode pad;
at least one first light emitting element disposed on the common electrode pad and having a first electrode in contact with the common electrode pad;
at least one second light emitting element disposed on the common electrode pad and having a second electrode in contact with the common electrode pad;
a first electrode pad connected to the second electrode of the first light emitting element; and
And a second electrode pad connected to the first electrode of the second light emitting element,
The first electrode pad and the second electrode pad face each other with the common electrode pad interposed therebetween, the first electrode pad and the second electrode pad are disposed surrounding the common electrode pad, and the first light emitting element and the second electrode pad are disposed. 2 light emitting elements are spaced apart from each other at a distance of less than 50 micrometers,
At least one of the common electrode pad, the first electrode pad, and the second electrode pad includes a heat dissipation part, an adhesive part, and a reflective part stacked from the bottom,
package body; and
A 1-1 electrode pad and a 2-1 electrode pad respectively correspond to the first electrode pad and the second electrode pad and are disposed under the package body;
The 1-1 electrode pad and the 2-1 electrode pad are electrically connected to the first electrode pad and the second electrode pad, respectively. 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광소자와 제2 발광소자는, 직렬로 연결되는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The first light emitting device and the second light emitting device are connected in series. 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광소자와 제2 발광소자는 각각 복수 개가 구비되고, 상기 복수 개의 제1 발광소자들은 서로 병렬로 연결되거나, 또는, 상기 복수 개의 제2 발광소자들은 서로 병렬로 연결되는 발광소자 패키지.According to claim 1,
A plurality of first light emitting elements and second light emitting elements are provided, and the plurality of first light emitting elements are connected in parallel to each other, or the plurality of second light emitting elements are connected to each other in parallel. 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광소자의 제2 전극과 상기 제2 발광소자의 제1 전극이 상부로 노출되는 발광소자 패키지.According to claim 1,
A light emitting device package in which the second electrode of the first light emitting device and the first electrode of the second light emitting device are exposed upward. 제1 항에 있어서,
상기 공통 전극 패드에 대응되어 상기 패키지 몸체의 하부에 배치되는 방열 패드를 더 포함하고, 상기 방열 패드는 상기 공통 전극 패드와 전기적으로 분리되는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The light emitting device package further includes a heat dissipation pad disposed under the package body to correspond to the common electrode pad, wherein the heat dissipation pad is electrically separated from the common electrode pad. 삭제delete 삭제delete
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