KR102247651B1 - 반도체 제조 장치의 작동 상태를 모니터링하는 시스템 및 방법 - Google Patents

반도체 제조 장치의 작동 상태를 모니터링하는 시스템 및 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법에서, 장치의 작동 중에 장치의 프로세서 챔버 내의 사운드가 검출된다. 검출된 사운드에 대응하는 전기 신호가 신호 프로세서에 의해 획득된다. 획득한 전기 신호는 신호 프로세서에 의해 프로세싱된다. 프로세싱된 전기 신호에 기초하여 장치의 작동 중에 이벤트가 검출된다. 장치의 작동은 검출된 이벤트에 따라 제어된다.

Description

반도체 제조 장치의 작동 상태를 모니터링하는 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR MONITORING OPERATION CONDITIONS OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}
관련 출원
본 출원은 2017년 11월 10일자로 출원된 미국 특허 가출원 제62/584,471호를 우선권 주장하고, 그 전체 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다.
기술분야
본 개시는 반도체 제조 프로세스에서 사용되는 화학적 기계적 폴리싱 방법, 및 화학적 기계적 폴리싱 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스를 제조할 때에, 다양한 종류의 장비가 사용된다. 장비는 반도체를 프로세싱하는 프로세스 장치 및 검사 장치를 포함한다. 일반적으로, 이들 장치는 양호하게 유지 보수되지만, 장치는 다양한 원인으로 인해 비정상적으로 작동할 수 있다.
본 개시는 첨부 도면과 함께 읽을 때에 이하의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 산업에 있어서의 표준적 실시에 따라, 다양한 피쳐들은 실척으로 도시되지 않고 예시 목적만을 위해 사용된다는 점이 강조된다. 사실상, 다양한 피쳐들의 치수는 논의의 명확도를 위해 임의로 증가 또는 감소될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른, 반도체 제조 작동에 대한 정상적인 작동에서의 장치의 개략도이다.
도 2는 일 실시예에 따른, 반도체 제조 작동에 대한 비정상적인 작동에서 장치의 개략도이다.
도 3은 일 실시예에 따른, 반도체 제조 작동에 대한 비정상적인 작동에서 장치의 개략도이다.
도 4a 및 도 4b는 일 실시예에 따른, 정상적인 작동에서 동작하는 장치로부터 나오는 사운드의 시뮬레이션된 시간 및 주파수 도메인 플롯이다.
도 5a 및 도 5b는 일 실시예에 따른, 비정상적인 작동에서 동작하는 장치로부터 나오는 사운드의 시뮬레이션된 시간 및 주파수 도메인 플롯이다.
도 6은 일 실시예에 따른, 반도체 제조 장치를 제어하는 시스템의 개략도이다.
도 7은 일 실시예에 따른, 제조 장치를 제어하는 방법의 예시적인 흐름도를 도시한다.
도 8 및 도 9는 본 개시의 실시예에 따른 제어 장치를 도시한다.
이하의 개시는 제공된 주제의 상이한 피쳐들을 실행하기 위한 많은 상이한 실시예, 즉 예를 제공한다. 구성요소 및 배열의 특정한 예가 본 개시를 간소화하도록 아래에서 설명된다. 물론, 이들은 단지 예일 뿐이고 한정하도록 의도되지 않는다. 예컨대, 아래의 설명에서 제2 피쳐 위에 또는 제2 피쳐 상에 제1 피쳐의 형성은 제1 및 제2 피쳐가 직접적인 접촉 상태로 형성되는 실시예를 포함할 수 있고, 또한 제1 및 제2 피쳐가 직접적으로 접촉하지 않을 수 있도록 제1 및 제2 피쳐 사이에 추가의 피쳐가 형성될 수 있는 실시예를 포함할 수 있다. 또한, 본 개시는 다양한 실시예에서 참조 부호 및/또는 문자가 반복될 수 있다. 이 반복은 간소화 및 명확화를 위한 것이고 설명되는 다양한 실시예들 및/또는 구성들 간의 관계를 자체가 결정하지 않는다.
또한, "밑에", "아래에", "하부", "위에", "상부" 등과 같이 공간적으로 상대적인 용어는 본 명세서에서 도면에 예시된 바와 같이 다른 요소(들) 또는 피쳐(들)에 대한 하나의 요소 또는 피쳐의 관계를 설명하도록 설명의 용이함을 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시된 배향 외에 사용 또는 작동 시에 디바이스의 여러 배향들을 포괄하기 위한 것이다. 장치/디바이스는 달리 배향(예컨대, 90도 또는 다른 배향으로 회전)될 수 있고 본 명세서에 사용되는 공간적으로 상대적인 기술어는 마찬가지로 이에 따라 해석될 수 있다. 게다가, "제조되는"이라는 용어는 "포함하는" 또는 "구성되는"을 의미할 수 있다.
본 개시는 전체적으로 하나 이상의 반도체 제조 또는 분석 장치를 모니터링 및 제어하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 명세서에 기술되는 방법 및 장치는 이례적인 거동(anomalous behavior)을 검출하기 위해 장치의 작동 상태를 모니터링하는 것을 용이하게 한다.
도 1 내지 도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 반도체 제조 또는 분석 장치의 개략도를 도시한다. 도 1은 정상적인 작동에서 장치의 상황을 도시하고, 도 2 및 도 3은 비정상적인 작동에서 장치의 상황을 도시한다. 본 개시에서, "비정상적인 작동"은, 제한하지 않지만, 기계적 오류, 기계적 고장, 마모(wear-and-tear), 반도체 웨이퍼에 손상을 줄 수 있는 작동, 즉각적인 도움 및/또는 유지 보수를 필요로 할 수 있는 작동, 또는 장치가 작동하지 못하도록 하는 임의의 다른 상황을 포함한다. 또한, 일부 실시예에서, 비정상적인 작동은 기계적 고장 및/또는 웨이퍼의 손상을 곧 초래할 예측 이벤트를 포함한다. 비정상적인 작동, 상태 또는 이동은, 예를 들어, 제한하지 않지만, 장비의 이동 부품 또는 비이동 부품에 의한 웨이퍼 스크래치, 이동 부품의 부딪침, 이동 부품의 예정된 또는 의도된 속도보다 느리거나 빠른 이동, 부품의 헐거워짐, 입자 또는 먼지의 퇴적, 웨이퍼의 오취급(떨어뜨림), 핸들러, 스테이지 및/또는 웨이퍼 스토커(wafer stocker)에 대한 웨이퍼의 오정렬, 또는 특정한 사운드를 생성하는 임의의 다른 기계적 문제를 포함한다. 또한, 비정상적인 작동, 상태 또는 운동은 챔버 내로 가스를 주입하거나 챔버로부터 가스를 배출하거나 챔버를 진공화할 때에 비정상적인 가스 유동을 포함한다.
본 개시의 일부 실시예에서, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 반도체 웨이퍼(123)가 배치되는 웨이퍼 스테이지(110) 및 웨이퍼(123)를 웨이퍼 스테이지(110)로 그리고 웨이퍼 스테이지로부터 이송하는 웨이퍼 핸들링 기구(120)(예를 들어, 웨이퍼 핸들러)를 포함한다. 일부 실시예에서, 웨이퍼 스테이지(100)는 X-Y 방향에서 수평으로 및/또는 Z 방향에서 수직으로 이동할 수 있다.
일부 실시예에서, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 프로세스 챔버(100) 내에 수용된다. 도 1에 도시되지 않았지만, 프로세스 챔버(100)는 로드 락 챔버(load lock chamber)와 같이 웨이퍼 입구 및/또는 출구 포트를 포함하여, 반도체 웨이퍼(123)가 외측으로부터 프로세스 챔버(100) 내로 이송될 수 있다. 일부 실시예에서, 프로세스 챔버(100)는 프로세스 챔버(100)의 압력이 감소될 수 있도록 기밀식일 수 있다. 다른 실시예에서, 프로세스 챔버(100)는 개방형이다.
반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 예는, 제한하지 않지만, 플라즈마 에칭 장치, CVD(chemical vapor deposition) 장치, 스퍼터링 증착 장치, ALD(atomic layer deposition) 장치, 에피택셜 성장 장치, 어닐링 장치, 열 산화 장치, 이온 주입 장치, 리소그래피 장치, 습식 프로세스 장치, 또는 반도체 웨이퍼를 프로세싱하는 데에 사용되는 임의의 다른 장치와 같은 제조 장치; 및 제한하지 않지만, SEM(scanning electron microscope) 및 광학 현미경을 포함하는 CD(critical dimension) 측정 장치, 막 두께 측정 장치, 오버레이 측정 장치, 입자 및/또는 결함 검사 장치, 전기적 특성 측정 장치, 또는 프로세싱된 반도체 웨이퍼를 분석하고 측정하는 데에 사용되는 임의의 다른 장치와 같은 분석 장치를 포함한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 모니터 디바이스(250)가 프로세스 챔버(100)의 내측 또는 외측에 배치된다. 일부 실시예에서, 하나 이상의 모니터 디바이스(250)는 진동 모니터 디바이스이다. 특정 실시예에서, 진동 모니터 디바이스는 마이크로폰이다.
웨이퍼 핸들링 기구(120) 및/또는 웨이퍼 스테이지(110)의 기계적 이동은 프로세스 챔버(100) 내에 특징적인 사운드를 생성한다. 프로세스 챔버(100) 및/또는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 임의의 다른 부품이 가동 부품을 포함할 때에, 그러한 가동 부품은 또한 그 이동에 의해 특징적인 사운드를 생성할 수 있다. 가동 부품은, 일부 실시예에서, 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼 스테이지 내의 리프팅 핀, 웨이퍼 핸들링 기구, 밸브, 개폐 게이트, 가동 커버, 또는 임의의 다른 가동 부품을 포함한다.
도 4a는, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)가 정상적으로 작동할 때에, 시간 도메인에서 하나 이상의 마이크로폰(250)에 의해 검출된 특징적인 사운드의 일례를 도시하고, 도 4b는 주파수 도메인에서 특징적인 사운드의 일례를 도시한다. 프로세스 챔버(100) 내측 및/또는 외측의 특징적인 사운드의 진폭 및 주파수는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 부품의 작동 및/또는 이동에 따라 좌우될 수 있다. 도 4b에, 시간 = 0 초에서 시간 = 4 초까지의 평균 크기가 도시되어 있다.
예를 들어, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 웨이퍼 이송 기구(120)가 웨이퍼(123)를 이송할 때, 웨이퍼 이송 기구(120)가 웨이퍼(123)를 웨이퍼 스테이지(110) 상에 배치할 때, 그리고 웨이퍼 이송기구(120)가 웨이퍼(123)를 웨이퍼 스테이지(110)로부터 픽업할 때에 상이한 특징적인 사운드를 생성한다. 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 웨이퍼 스테이지(110)가 상승할 때 그리고 웨이퍼 스테이지(110)가 하강할 때에 상이한 특징적인 사운드를 생성할 수 있다. 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 웨이퍼 프로세싱 및/또는 웨이퍼 분석 중에 상이한 특징적인 사운드를 생성할 수 있다.
도면들에서 보이지는 않지만, 일부 실시예에서, 사운드 스펙트럼은 헤르쯔(예를 들어, 0.01 Hz)의 분율만큼 낮은 주파수로부터 수십 또는 수백 메가헤르츠(예를 들어, 20 MHz 내지 200 MHz)만큼 높은 주파수까지의 사운드를 포함한다.
반도체 제조 또는 분석 장치(10)가 정상적으로 작동할 때에, 각각의 작동 및/또는 이동에 대응하는 특징적인 사운드는 실질적으로 동일하고, 시간 및 주파수 도메인에서의 사운드 스펙트럼은 실질적으로 동일하게 유지된다.
이와 달리, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)에서 비정상적인 작동, 상태 또는 이동이 있는 경우에, 사운드 스펙트럼은 변경되어야 한다.
도 2 및 도 3은 비정상적으로 작동하는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)를 개략적으로 도시한다.
도 2에서, 웨이퍼 스테이지(110)는 웨이퍼 핸들링 기구(120)에 대해 오정렬되어 있으므로, 웨이퍼 핸들링 기구(120)의 일부(예를 들어, 아암)가 웨이퍼 이송 이동 중에 웨이퍼 스테이지(110)의 일부와 충돌한다. 그러한 경우에, 웨이퍼 핸들링 기구(120)의 일부와 웨이퍼 스테이지(110)의 일부의 충돌은 비정상적인 사운드를 생성한다. 유사하게, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 핸들링 기구(110)는 웨이퍼 스테이지(110)에 대해 오정렬되어 있으므로, 웨이퍼 핸들링 기구(120)의 일부가 웨이퍼 이송 이동 중에 웨이퍼 스테이지(110)의 일부와 충돌한다. 그러한 경우에, 웨이퍼 핸들링 기구(120)의 일부와 웨이퍼 스테이지(110)의 일부의 충돌은 비정상적인 사운드를 생성한다. 그러한 비정상적인 사운드는 하나 이상의 마이크로폰(250)에 의해 검출될 수 있다.
도 5a는, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)가 정상적으로 작동할 때에, 시간 도메인에서 하나 이상의 마이크로폰(250)에 의해 검출된 특징적인 사운드의 일례를 도시하고, 도 5b는 주파수 도메인에서 특징적인 사운드의 일례를 도시한다. 도 5b에, 시간 = 0 초에서 시간 = 4 초까지의 평균 크기가 도시되어 있다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 시간 = 약 1 초에서, 예를 들어 2개의 부품의 충돌에 의해 야기된 비정상적인 사운드가 마이크로폰(250)에 의해 검출되고, 대응하는 피크가 도 5b에 도시된 주파수 도메인의 약 3.2 Hz에서 관찰될 수 있다.
따라서, 사운드 스펙트럼의 변화는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 비정상적인 작동 및/또는 이동을 나타낸다. 전술한 바와 같이, 달리 발생하지 않아야 하는 2개의 부품의 충돌은 일부 실시예에서 비정상적인 소리를 유발한다. 다른 실시예에서, 예를 들어 가동 구성요소의 마모에 의해 야기된 웨이퍼 핸들링 기구(120)의 비정상적인 이동은 또 다른 타입의 비정상적인 사운드를 유발한다. 바꿔 말해서, 상이한 비정상적인 이벤트들에 의해 야기된 비정상적인 사운드들의 사운드 스펙트럼은 서로 상이하다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 프로세스 챔버(100)의 내측 및/또는 외측에 배치된 하나 이상의 마이크로폰(250)을 포함한다. 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 하나 이상의 마이크로폰(250)에 작동 가능하게 연결되고 하나 이상의 마이크로폰(250)으로부터 전기 신호를 수신하고 프로세싱하도록 구성된 신호 프로세서(310)를 더 포함한다. 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 반도체 제조 또는 분석 장치(10) 및 신호 프로세서(310)의 다양한 이동 가능한 기구들에 작동 가능하게 연결된 장치 제어기(320)를 더 포함한다. 장치 제어기(320)는 신호 프로세서(310)로부터 신호를 수신하고 신호에 기초하여 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 가동 기구들의 작동 및/또는 이동을 제어하도록 구성된다. 일부 실시예에서, 장치 제어기(320) 및 신호 프로세서(310)는 상이한 디바이스들이고, 다른 실시예에서, 신호 프로세서(310)는 장치 제어기(320)의 일부이다.
일부 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 반도체 제조 또는 분석 장치(10)로부터의 사운드 수집을 최적화하도록 선택된다. 예를 들어, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 약 0.01 Hz 내지 약 200 MHz 범위의 사운드를 검출하도록 설계된 단일 광대역 마이크로폰을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 특정 주파수 범위를 검출하도록 맞춤화된 여러 개의 협대역 마이크로폰을 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 약 0.01 Hz 내지 약 20 Hz의 주파수의 사운드를 검출하도록 설계된 하나 이상의 초저주파 마이크로폰, 약 20 Hz 내지 약 20 kHz(가청 범위)의 주파수의 사운드를 검출하도록 설계된 하나 이상의 음향 마이크로폰, 및 약 20 kHz 내지 약 200 MHz(초음파 범위)의 사운드를 검출하도록 설계된 하나 이상의 초음파 마이크로폰을 포함할 수 있다. 초저주파 마이크로폰의 일례는, 제한하지 않지만, 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰(electret condenser microphone)을 포함한다. 음향 및 초음파 마이크로폰의 예는, 제한하지 않지만, 압전 마이크로폰, 용량성 마이크로폰, 이동 코일 마이크로폰, 또는 광음향 마이크로폰(optoacoustic microphone)을 포함한다.
일부 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 사운드를 검출하기 위해 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 프로세스 챔버(100)의 내측 및/또는 외측의 하나 이상의 위치에 배치된다.
일부 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 프로세스 챔버(100)의 내벽 상에 또는 그 근처의 하나 이상의 위치에 배치된다. 하나 이상의 마이크로폰(250)은 일부 실시예에서 내벽에 직접 부착될 수 있거나, 또는 부착 장치(지지부)에 의해 프로세스 챔버(100)에 부착될 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 가동 요소 상에 또는 그 부근에 배치된다. 예를 들어, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 웨이퍼 스테이지(110) 상에 또는 그 부근에 배치되고, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 웨이퍼 핸들링 기구(120) 상에 또는 그 부근에 배치된다. 하나 이상의 마이크로폰(250)은 일부 실시예에서 가동 요소에 직접 부착될 수 있거나, 또는 부착 장치(지지부)에 의해 가동 요소에 부착될 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 2개의 가동 소자가 그들의 작동 및/또는 이동 중에 교차하는 위치 또는 그 부근에 배치된다. 또한, 특정 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 프로세스 챔버(100)의 외측에 배치된다. 예를 들어, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 프로세스 챔버(100)의 외벽 상에 또는 그 근처에 배치된다.
일부 실시예에서, 마이크로폰의 분배 및 배치는 프로세스 챔버(100)의 내측 및/또는 외측의 특정 위치에서 예상되는 사운드의 주파수 및 진폭에 기초하여 최적화된다. 보다 높은 주파수의 사운드는 지향성을 지니고 반경 방향으로 감쇠될 것으로 예상된다. 그러한 사운드에 대해, 특정 실시예에서는 지향성 사운드를 검출하도록 설계된 협대역 마이크로폰이 사용된다.
일부 실시예에서, 하나 이상의 초저주파 마이크로폰은 프로세스 챔버(100)의 상부벽 상에 배치되고, 집합적으로 전체 음향 스펙트럼(즉, 약 20 Hz 내지 약 20 kHz)에 걸쳐있는 하나 이상의 협대역 음향 마이크로폰은 프로세스 챔버(100)의 측벽 상에 배치되며, 집합적으로 약 20 kHz 내지 약 200 MHz 범위의 사운드 스펙트럼에 걸쳐있는 하나 이상의 협대역 초음파 마이크로폰은 웨이퍼 스테이지(110)의 바닥면 상에 배치되고, 집합적으로 약 20 KHz 내지 약 200 MHz 범위의 사운드 스펙트럼에 걸쳐있는 하나 이상의 협대역 초음파 마이크로폰은 웨이퍼 핸들링 기구(120) 상에 배치된다. 그러나, 마이크로폰의 배열 및 타입은 상기 구성으로 제한되지 않는다.
일부 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250) 각각은 검출된 사운드에 대응하는 전기 신호를 송신하도록 신호 프로세서(310)에 고정 배선으로 연결된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250) 각각은 검출된 사운드에 대응하는 전기 신호를 신호 프로세서(310)에 무선 방식으로 송신한다. 예를 들어, 마이크로폰은 특정 실시예에서, 제한하지 않지만, 블루투스 또는 IEEE 802.11(Wi-Fi)와 같은 무선 통신 프로토콜을 사용하여 신호 프로세서(310)에 전기 신호를 송신한다. 독점 프로토콜(proprietary protocol)을 포함하는 다른 타입의 무선 통신 프로토콜이 본 개시의 범위 내에서 고려된다.
일 실시예에서, 신호 프로세서(310)는 하나 이상의 비일시적 컴퓨터 판독 가능 메모리, 하나 이상의 마이크로폰(250)으로부터 전기 신호를 수신하도록 구성된 인터페이스, 및 수신된 전기 신호를 프로세싱하고 전기 신호를 분석하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함한다. 신호 프로세싱은, 제한 없이, 전기 신호를 동기화하고 전기 신호를 필터링하여 잡음을 감소시키는 단계를 포함한다.
일부 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250)은 마이크로폰의 설치를 용이하게 하도록 프로세스 챔버(100) 내에 공간적으로 분산되고 동기화되지 않는다. 그러한 실시예에서, 신호 프로세서(310)에서 다양한 마이크로폰으로부터 수신된 전기 신호의 동기화는 필요에 따라 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 전기 신호를 동기화하는 단계는 비동기화된 전기 신호의 주파수로부터 실질적으로 분리된 주파수를 갖는 타이밍 신호를 생성하는 단계, 타이밍 신호를 각각의 마이크로폰에 송신하는 단계, 타이밍 신호와 각각의 마이크로폰으로부터의 대응하는 비동기화된 전기 신호의 결합을 포함하는 결합된 신호를 수신하는 단계, 및 비동기화된 전기 신호와 타이밍 신호를 복원하도록 각각의 결합된 신호들을 분리시켜 동기화된 전기 신호를 생성하도록 복원된 타이밍 신호에 따라 비동기화된 전기 신호들을 정렬시키는 단계를 포함한다. 그러한 실시예에서, 타이밍 신호의 주파수는, 무시해도 될 정도이고, 있다면 전기 신호에 포함된 정보를 흡수하지 못하게 하기 위해 비동기화된 전기 신호와 에너지가 오버랩하도록 선택되는 것이 고려된다. 예를 들어, 일부 실시예에서, 타이밍 신호는 하나 이상의 마이크로폰(250)으로부터 수신된 전기 신호가 거의 또는 전혀 에너지를 갖지 않는 기가헤르쯔(GHz) 영역의 주파수를 갖는다.
일 실시예에서, 모든 마이크로폰(250)은 장치 제어기(320)로부터의 신호를 사용하여 동기화된다. 예를 들어, 장치 제어기(320)는 "검출 개시" 신호를 각각의 마이크로폰에 동시에 송신하고, 각각의 마이크로폰은 일부 실시예에서 "검출 개시" 신호의 수신에 응답하여 사운드 신호의 검출을 시작한다.
장치 제어기(320)는 또한 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 부품들의 각각의 작동 및/또는 이동을 나타내는 작동 신호를 획득한다. 장치 제어기(320)는 일부 실시예에서 "검출 개시" 신호를 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 부품들의 작동 및/또는 이동의 시작과 동기화시킨다. 따라서, 각각의 마이크로폰에서의 사운드 검출(및 이에 의한 전기 신호의 생성)은 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 부품들의 작동 및/또는 이동의 시작과 동기화된다. 비동기화된 마이크로폰으부터의 전기 신호를 동기화시키는 다른 방법이 본 개시의 범위 내에서 고려된다.
일 실시예에서, 신호 프로세서(310)는 각각의 마이크로폰(250)으로부터 수신된 전기 신호를 필터링하여 주변 사운드 및 잡음을 감소시켜 신호 대 잡음비(SNR; signal to noise ratio)를 향상시키도록 구성된다. 전기 신호를 필터링하는 다양한 방법이 당업계에 공지되어 있으므로 본 명세서에서는 상세히 설명하지 않는다.
신호 분석은, 제한 없이, 사운드 위치 검출, 사운드 스펙트럼의 시간 도메인 분석, 시간 도메인으로부터 주파수 영역으로의 전기 신호의 변환, 사운드 스펙트럼의 주파수 도메인 분석, 신호들의 분해, 패턴 인식, 패턴 비교, 패턴 매칭 등을 포함한다. 일부 실시예에서, 검출된 사운드는 주파수-도메인 변환 전에 필터링 회로 및/또는 평활 회로에 의해 필터링 및/또는 평활화된다. 주파수 도메인에서, 인접한 피크들은, 패턴 인식, 패턴 비교 및/또는 패턴 매칭 작업에 사용될 수 있는 사운드의 "스펙트럼 곡선"을 형성하도록 평활하게 연결될 수 있다.
특정 실시예에서, 신호 프로세서(310)는 사운드 소스의 위치를 검출하도록 구성된다. 사운드의 소스는 삼각 측량 알고리즘을 사용하여 검출될 수 있다. 예를 들어, 마이크로폰(250)이 비동기화된 경우에, 마이크로폰(250)은 일부 실시예에서 프로세스 챔버(100)의 내측 및/또는 외측에 배치된, 동일한 대역폭 및 주파수 감도를 갖는 3개 이상의 마이크로폰을 갖도록 구성된다. 3개 이상의 마이크로폰의 대역폭 및 중심 주파수는, 일부 실시예에서, 예를 들어, 3개 이상의 마이크로폰에서 수신 또는 검출된 사운드 신호의 강도를 최대화하도록 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 부품들의 작동 및/또는 이동 또는 가동 부품들의 작동 및/또는 이동 동안의 사운드 스펙트럼의 주파수 도메인 분석에 따라 선택된다. 동기화 프로세스 후에, 3개 이상의 마이크로폰에서 수신된 특정 사운드의 도달 시간차는 3개 이상의 마이크로폰 각각으로부터의 사운드 소스의 거리를 계산하는 데에 사용될 수 있으며, 이는 차례로 사운드의 소스 위치를 계산하는 데에 사용된다.
마이크로폰(250)이, 예를 들어 장치 제어기(320)를 통해 동기화되는 실시예에서, 신호 프로세서(310)는 동기화된 전기 신호를 수신하고, 신호를 프로세싱하여 오버랩 주파수 대역의 사운드를 검출하는 마이크로폰으로부터의 신호의 공통 패턴을 검출하며, 다른 마이크로폰으로부터 오는 공통 패턴 사이의 시간차를 계산하도록 구성된다. 공통 패턴의 소스 위치는 공통 패턴을 제공하는 마이크로폰의 위치를 사용함으로써 시간차에 기초하여 계산된다.
다양한 실시예에서, 푸리에 변환(예를 들어, FFT(fast Fourier transform), DFT(discrete Fourier transform) 등), 라플라스 변환(Laplace transform), 또는 웨이블릿 변환(wavelet transform)과 같은 알고리즘이 시간 도메인 신호를 주파수 도메인 신호로 변환하도록 채택된다.
패턴 인식은 모델 기반 방법 또는 기계 학습 방법을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 모델 기반 방법은 마이크로폰(250)으로부터 수신된 모든 전기 신호의 동기화 후에 사운드 스펙트럼의 패턴을 인식하는 데에 사용된다. 모델 기반 방법에서, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 정상적인 작동 및/또는 이동을 위한 사운드 스펙트럼 모델이 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 부품들의 여러 가지 정상적인 작동 및/또는 이동에 걸쳐 수행된 회귀 분석을 사용하여 생성된다. 2개 이상의 모델 사운드 스펙트럼을 획득하여 다양한 부품들 및/또는 이동들을 위해 시스템에 저장할 수 있다. 일반적으로, 상이한 이동들은 상이한 사운드를 유발하므로, 상이한 사운드 스펙트럼을 획득하여 상이한 이동과 관련하여 저장한다. 예를 들어, 신호 프로세서(310)는 웨이퍼 핸들링 기구(120)의 부분과 웨이퍼 스테이지(110)의 부분의 충돌에 대한 사운드 스펙트럼 모델에 기초하여 웨이퍼 핸들링 기구(120)의 부분과 웨이퍼 스테이지(110)의 부분의 충돌을 인식한다.
일부 실시예에서, 신호 프로세서(310)는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 동작 및/또는 이동의 특징적인 사운드의 정상적인 사운드 스펙트럼을 "학습"하고 정상적인 사운드 스펙트럼을 저장하도록 구성된다. 신호 프로세서(310)는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 동작 및/또는 이동과 동기하여 하나 이상의 마이크로폰(250)으로부터 수신된 신호 스펙트럼을 모델 사운드 스펙트럼과 비교한다. 모델 사운드 스펙트럼으로부터의 편차가 임계값을 초과하면, 신호 프로세서는 일부 실시예에서 비정상적인 작동을 검출할 수 있다. 일부 실시예에서, 하나 이상의 마이크로폰(250)으로부터 수신된 신호 스펙트럼이 모델 사운드 스펙트럼과 상이한지의 여부를 결정하기 위해 패턴 매칭 프로세스가 이용된다. 매칭 스코어가 임계값(예를 들어, 70-90%, 여기서 100%는 완벽한 매칭을 의미함)보다 작은 경우, 신호 프로세서는 비정상적인 상태가 있다고 결정한다. 하나 이상의 마이크로폰(250)으로부터 수신된 신호 스펙트럼을 상이한 부품들 또는 이동들에 대한 2개 이상의 모델 사운드 스펙트럼과 비교함으로써, 어떤 타입의 이상이 발생하는지를 결정할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 특정 주파수 값 또는 범위에 대한 주파수 도메인에서의 강도가 모니터링된다. 강도가 예정된 양(예를 들어, 10-30% 이상)을 초과하는 정상적인 작동에서의 강도(미리 저장됨)보다 크게 되면, 신호 프로세서는 비정상적인 상태가 있다고 결정한다. 특정 주파수 값 또는 범위는 의도적으로 비정상적인 작동을 유발함으로써 미리 획득될 수 있다.
일부 실시예들에서, 사운드 스펙트럼에 대한 패턴(본 명세서에서 "사운드 패턴"으로 상호 교환 가능함)이 인식되면, 신호 프로세서(310)는 사운드 패턴에 기초하여 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 작동 및/또는 이동에 관한 정보를 포함하는 피드백 신호를 생성하고, 이 피드백 신호를 장치 제어기(320)로 송신한다. 피드백 신호는, 사운드 패턴이 정상적인 작동 및/또는 이동을 나타내는 경우에 간단히 "모두 OK" 신호일 수 있다.
이와 달리, 사운드 스펙트럼의 패턴이 비정상적인 작동 및/또는 이동을 나타내는 경우에, 피드백 신호는 비정상적인 또는 이례적인 이벤트가 발생했음을 장치 제어기(320)에게 알려준다. 그러한 경우에, 피드백 신호는, 예를 들어 이벤트의 타입 및 비정상 소스를 나타내는 이레적인 이벤트에 관한 정보를 포함한다.
일 실시예에서, 장치 제어기(320)는 하나 이상의 비일시적 컴퓨터 판독 가능 메모리, 신호 프로세서(310)로부터 피드백 신호를 수신하도록 구성된 인터페이스, 및 피드백 신호를 분석하여 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 작동 및/또는 이동을 제어하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함한다. 일부 실시예에서, 장치 제어기(320)가 비정상적인 이벤트의 발생을 나타내는 피드백 신호를 수신하는 경우, 장치 제어기(320)는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 작동 및 이동을 정지시킨다. 특정 실시예에서, 비정상적인 이벤트가 사소하거나 자가 복구 가능한 경우, 장치 제어기(320)는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 작동 및 이동을 계속할 수 있다. 비정상적인 이벤트의 발생에 대한 로그는 장치 제어기(320)에 저장되고, 및/또는 일부 실시예에서는 전체 반도체 제조 프로세스/장비를 관리하는 중앙 서버로 송신된다.
전술한 실시예에서, 마이크로폰은 진동 모니터 디바이스(250)로서 이용된다. 다른 실시예에서, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 물리적 부분의 진동을 검출할 수 있는 진동 센서가 진동 모니터 디바이스(250)로서 사용된다. 그러한 경우에, 하나 이상의 진동 센서는 프로세스 챔버(100)의 내벽 및/또는 외벽에, 웨이퍼 스테이지(110) 및/또는 웨이퍼 핸들링 기구(120)에 부착되어 각 부분의 진동을 검출한다.
전술한 사운드 검출 경우와 유사하게, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 작동 및/또는 이동은 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 작동 및/또는 이동에 일반적으로 고유한 특징적인 진동을 생성한다. 예를 들어, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 웨이퍼 이송 기구(120)가 웨이퍼(123)를 이송할 때, 웨이퍼 이송 기구(120)가 웨이퍼(123)를 웨이퍼 스테이지 상에 배치할 때, 그리고 웨이퍼 이송기구(120)가 웨이퍼(123)를 웨이퍼 스테이지(110)로부터 픽업할 때에 상이한 특징적인 진동을 생성한다. 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 웨이퍼 스테이지(110)가 상승할 때 그리고 웨이퍼 스테이지(110)가 하강할 때에 상이한 특징적인 진동을 생성할 수 있다. 반도체 제조 또는 분석 장치(10)는 웨이퍼 프로세싱 및/또는 웨이퍼 분석 중에 상이한 특징적인 진동을 생성할 수 있다.
일부 실시예에서, 하나 이상의 진동 센서에 의해 검출된 진동은 신호 프로세서(310)에 의해 분석된다. 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 동작 및/또는 이동 각각의 정상적인 작동에 대한 진동 신호는 반복적으로 획득되어 신호 프로세서(310)에 저장된다. 신호 프로세서는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 작동 및/또는 이동 각각에 대한 진동 스펙트럼 모델을 생성할 수 있다.
반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 작동 중에, 신호 프로세서(310)는 하나 이상의 진동 센서(250)로부터 송신된 진동 신호를 모니터링하고 검출된 진동 신호의 신호 스펙트럼을 정상적인 작동에 대한 모델 진동 신호 스펙트럼과 비교한다. 모델 진동 스펙트럼으로부터의 편차가 임계값을 초과하는 경우, 신호 프로세서(310)는 반도체 제조 또는 분석 장치(10) 내에 비정상적인 이벤트가 있다고 결정한다.
다른 실시예에서, 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 동작 및/또는 이동 각각의 비정상적적 작동에 대한 진동 신호는 반복적으로 획득되어 신호 프로세서(310)에 저장되며, 신호 프로세서는 반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 다양한 가동 부품들의 동작 및/또는 이동 각각에 대한 비정상적인 작동의 진동 스펙트럼 모델을 생성한다.
반도체 제조 또는 분석 장치(10)의 작동 중에, 신호 프로세서(310)는 하나 이상의 진동 센서(250)로부터 송신된 진동 신호를 모니터링하고 검출된 진동 신호의 신호 스펙트럼이 정상적인 작동에 대한 모델 진동 신호와 매칭하는지를 결정한다. 비정상적인 작동에 대한 모델 진동 스펙트럼과 동일하거나 유사한 진동 스펙트럼이 검출된, 신호 프로세서(310)는 반도체 제조 또는 분석 장치(10) 내에 비정상적인 이벤트가 있다고 결정한다. 그러한 경우에, 신호 프로세서(310)는 모델 진동 신호 스펙트럼에 기초하여 비정상적인 이벤트의 타입을 결정할 수 있다.
마이크로폰이 진동 모니터 디바이스로서 사용되는 실시예와 관련하여 전술한 것과 동일하거나 유사한 작동, 구성, 프로세스 및/또는 동작은 진동 센서가 진동 모니터 디바이스로서 사용되는 실시예에 적용될 수 있다.
다양한 진동 센서가 본 실시예에서 이용된다. 진동 센서는 가속도계, 압전 센서 및 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 센서 등을 포함한다. 진동 센서는 약 0.01 Hz 내지 약 30 kHz의 주파수 범위 또는 약 10 Hz 내지 약 10 kHz의 주파수 범위의 진동을 검출할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른, 반도체 제조 장치를 제어하는 시스템의 개략도이다.
도 6에서, 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치(EP1, EP2, EP3 및 EP4)는 중앙 서버(CTR)에 통신 가능하게 연결된다. 각각의 장치(EP1, EP2, EP3 및 EP4)는 도 1 내지 도 3에 도시된 반도체 제조 또는 분석 장치(10)에 대응한다. 일부 실시예에서, 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치(EP1, EP2, EP3 및 EP4)는 동일한 타입의 장치이다. 다른 실시예에서, 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치(EP1, EP2, EP3 및 EP4)는 하나 이상의 상이한 타입의 장치를 포함한다.
중앙 서버(CTR)는 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치(EP1, EP2, EP3 및 EP4) 각각으로부터 모니터링 신호를 수신하여 그 작동 조건을 모니터링한다. 일부 실시예에서, 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치(EP1, EP2, EP3 및 EP4) 각각의 장치 제어기(320)는 모니터링 신호를 중앙 서버(CTR)로 송신한다. 다른 실시예에서, 중앙 서버(CTR)는 장치 제어기(320) 및/또는 신호 프로세서(310)의 기능들의 일부를 작동시키고, 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치(EP1, EP2, EP3 및 EP4) 각각의 프로세스 상태를 직접 모니터링할 수 있다.
중앙 서버(CTR)가 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치(EP1, EP2, EP3 및 EP4) 중 하나 이상의 장치로부터 비정상적인 작동의 발생을 나타내는 모니터링 신호를 수신한 경우, 중앙 서버(CTR)는, 예를 들어 디스플레이 상에 경고 메시지를 표시함으로써 경고 신호를 발생시키고 및/또는 해당 장치(들)의 작동을 정지시킨다.
다른 실시예에서, 중앙 서버(CTR) 및/또는 장치 제어기(320)는 특징적인 사운드 또는 진동을 모니터링하고 특징적인 사운드 또는 진동의 변화에 기초하여 다음의 유지 보수 타이밍을 예측 또는 추정한다. 예를 들어, 가동 부품들은 장기간 작동에 의한 마모로 인해 성능이 저하되어 특징적인 사운드 또는 진동의 변화를 유발한다. 그러한 특징적인 사운드 또는 진동의 변화를 검출함으로써, 중앙 서버(CTR) 및/또는 장치 제어기(320)는 다음의 유지 보수 타이밍을 예측 또는 추정함으로써, 웨이퍼 및/또는 장치를 손상시킬 수 있는 기계적 고장이 방지될 수 있다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른, 하나 이상의 제조 장치를 제어하는 방법의 예시적인 흐름도를 도시한다. 이하의 실시예에서는 전술한 실시예와 동일하거나 유사한 장치, 디바이스, 프로세스, 구성을 채택하기 때문에, 그 상세한 설명은 생략될 수 있다.
S710에서, 장치(반도체 제조 또는 분석 장치(10))는 프로세스 레시피에 따라 웨이퍼를 프로세싱 또는 분석하도록 작동을 시작한다. S720에서, 장치는 장치의 내측 및/또는 외측의 사운드 또는 진동을 모니터링한다. S730에서, 장치는 검출된 사운드 또는 진동을 프로세싱한다. S740에서, 장치는 비정상적인 이벤트를 검출한다. 그 후, 장치는 S750에서 피드백 신호를 발생시키고, 일부 실시예에서 피드백 신호는 중앙 서버(예를 들어,도 6의 CTR)로 송신된다.
도 8 및 도 9는 본 개시의 실시예에 따른 제어 장치를 도시한다. 전술한 신호 프로세서(310), 장치 제어기(320) 및 중앙 서버(CTR) 중 하나 이상은 도 8 및 도 9에 도시된 컴퓨터 시스템(900)에 의해 구현될 수 있다.
도 8은 신호 프로세서(310), 장치 제어기(310) 및/또는 중앙 서버(CTR)의 기능들 중 하나 이상을 실행하는 컴퓨터 시스템의 개략도이다. 전술한 실시예는 컴퓨터 하드웨어 및 컴퓨터 하드웨어에서 실행되는 컴퓨터 프로그램을 사용하여 실현될 수 있다. 도 8에서, 컴퓨터 시스템(900)에는 광 디스크 판독 전용 메모리(예를 들어, CD-ROM 또는 DVD-ROM) 드라이브(905) 및 자기 디스크 드라이브(906), 키보드(902), 마우스(903), 및 모니터(904)가 마련된다.
도 9는 컴퓨터 시스템(900)의 내부 구성을 도시하는 도면이다. 도 9에서, 컴퓨터(901)에는, 광 디스크 드라이브(905) 및 자기 디스크 드라이브(906) 이외에, 마이크로 프로세싱 유닛(MPU)과 같은 하나 이상의 프로세서(911), 부팅 프로그램과 같은 프로그램이 저장되는 ROM(912), MPU(911)에 연결되고 애플리케이션 프로그램의 명령어가 일시적으로 저장되며 일시적인 저장 영역이 제공되는 랜덤 액세스 메모리(RAM)(913), 어플리케이션 프로그램, 시스템 프로그램, 및 데이터가 저장되는 하드 디스크(914), 및 MPU(911), ROM(912) 등을 연결하는 버스(915)가 마련된다. 컴퓨터(901)는 LAN에 접속하기 위한 네트워크 카드(도시 생략)를 포함할 수 있다.
전술한 실시예에서 컴퓨터 시스템(900)이 전술한 기능들을 실행하게 하는 프로그램은, 광 디스크 드라이브(905) 또는 자기 디스크 드라이브(906)에 삽입되는 광 디스크(921) 또는 자기 디스크(922)에 저장되고 하드 디스크(914)로 송신될 수 있다. 대안으로, 프로그램은 네트워크(도시 생략)를 통해 컴퓨터(901)로 송신되어 하드 디스크(914)에 저장될 수 있다. 실행시에, 프로그램은 RAM(913)에 로딩된다. 프로그램은 광 디스크(921) 또는 자기 디스크(922)로부터, 또는 네트워크로부터 직접 로딩될 수 있다.
프로그램은, 예를 들어 컴퓨터(901)가 전술한 실시예에서 전술한 기능들을 실행하게 하기 위해 오퍼레이팅 시스템(OS) 또는 제3자 프로그램을 반드시 포함할 필요는 없다. 프로그램은 제어 모드에서 적절한 기능(모듈)을 호출하여 원하는 결과를 얻는 명령 부분만을 포함할 수 있다.
프로그램에서, 프로그램에 의해 실현되는 기능은 일부 실시예에서 하드웨어에 의해서만 실현될 수 있는 기능을 포함하지 않는다. 예를 들어, 정보를 획득하는 취득 유닛 또는 정보를 출력하는 출력 유닛에서, 네트워크 인터페이스와 같은 하드웨어에 의해서만 실현될 수 있는 기능은, 전술한 프로그램에 의해 실현되는 기능에는 포함되지 않는다. 더욱이, 프로그램을 실행하는 컴퓨터는 단일 컴퓨터일 수 있거나, 복수의 컴퓨터일 수도 있다.
또한, 전술한 기능들을 실현하기 위한 프로그램의 전부 또는 일부는 반도체 제조 프로세스에 사용되는 다른 프로그램의 일부이다. 또한, 기능들을 실현하는 프로그램의 전부 또는 일부는, 예를 들어 반도체 디바이스로 제조된 ROM에 의해 실현된다.
전술한 실시예들은, 제조 프로세스가 반도체 디바이스용 제조 또는 분석 장치와 유사한, 액정 디스플레이 및 일렉트로 루미네센스 디스플레이와 같은 평판 디스플레이용 제조 또는 분석 장치에 적용될 수 있다는 것이 주목된다.
모든 이점이 본 명세서에서 논의된 것은 아니며, 특정한 이점이 모든 실시예 또는 예에 대해 요구되지 않고, 다른 실시예 또는 예가 상이한 이점을 제공할 수 있다는 점이 이해될 것이다.
예를 들어, 반도체 제조 또는 분석 장치의 하나 이상의 가동 부품들에 의해 생성된 특징적인 소리를 검출하고 분석함으로써, 반도체 제조 또는 분석 장치의 비정상적인 작동을 효과적으로 검출할 수 있다. 또한, 특징적인 사운드를 모니터링함으로써, 다음의 유지 보수 시간을 예측하여 웨이퍼 및/또는 장치의 손상을 방지할 수 있다.
본 개시의 한가지 양태에 따르면, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법에서, 장치의 작동 중에 장치의 프로세서 챔버 내의 사운드가 검출된다. 검출된 사운드에 대응하는 전기 신호가 신호 프로세서에 의해 획득된다. 획득한 전기 신호는 신호 프로세서에 의해 프로세싱된다. 프로세싱된 전기 신호에 기초하여 장치의 작동 중의 이벤트가 검출된다. 장치의 작동은 검출된 이벤트에 따라 제어된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 신호 프로세서는, 이벤트를 검출하는 것에 응답하여, 검출된 이벤트에 대응하는 피드백 신호를 장치의 제어기로 송신한다. 제어기는 상기 피드백 신호에 기초하여 장치의 작동을 제어한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 사운드는 하나 이상의 마이크로폰에 의해 검출된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 사운드는 상이한 검출 주파수 범위들을 갖는 복수의 마이크로폰에 의해 검출된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 가청 사운드 범위의 검출 주파수 범위를 갖는다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 초음파 사운드 범위의 검출 주파수 범위를 갖는다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 마이크로폰은 프로세스 챔버의 내측에 배치된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 마이크로폰은 프로세스 챔버의 내측 및 외측에 배치된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 장치는 반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러를 더 포함하고, 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 웨이퍼 핸들러 상에 배치된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 장치는 반도체 웨이퍼가 배치되는 가동 웨이퍼 스테이지를 더 포함하고, 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 가동 웨이퍼 스테이지 상에 배치된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 이벤트는 기계적 오류, 기계적 고장, 및 2개 이상의 부품들의 충돌로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 전기 신호를 프로세싱하는 단계는, 검출된 사운드로부터 잡음 또는 주변 사운드를 제거하도록 전기 신호를 필터링하는 단계, 검출된 사운드의 소스 위치를 검출하는 단계, 전기 신호를 시간 도메인에서 또는 주파수 도메인에서 프로세싱하는 단계, 및 장치의 작동 중에 예정된 이벤트에 대응하는 검출된 사운드에서의 패턴을 인식하는 단계로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 패턴을 인식하는 단계는, 이벤트 모델에 기초하여 사운드의 패턴을 기지의 이벤트와 매칭시키는 것 또는 사운드의 패턴과 이벤트 사이의 이전에 학습한 대응을 사용하는 것을 포함한다.
본 개시의 다른 양태에 따르면, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 복수의 장치를 작동시키는 방법에서, 복수의 장치 각각은 프로세스 챔버를 포함한다. 방법에서, 복수의 장치 각각의 작동 중에 장치의 프로세스 챔버 내의 사운드가 검출된다. 검출된 사운드에 대응하는 복수의 장치로부터의 전기 신호는 하나 이상의 컴퓨터에 의해 획득된다. 하나 이상의 컴퓨터는 획득한 전기 신호를 프로세싱한다. 프로세싱된 전기 신호에 기초하여 복수의 장치 각각의 작동 중에 하나 이상의 이벤트가 검출된다. 복수의 장치 각각의 작동은 검출된 하나 이상의 이벤트에 따라 제어된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 장치 각각은, 플라즈마 에칭 장치, CVD(chemical vapor deposition) 장치, 스퍼터링 증착 장치, ALD(atomic layer deposition) 장치, 에피택셜 성장 장치, 어닐링 장치, 열 산화 장치, 이온 주입 장치, 리소그래피 장치, 습식 프로세스 장치, CD(critical dimension) 측정 장치, SEM(scanning electron microscope) 및 광학 현미경, 막 두께 측정 장치, 오버레이 측정 장치, 입자 검사 장치, 결함 검사 장치, 및 전기적 특성 측정 장치로 이루어지는 그룹에서 선택된 장치이다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 장치 각각은 반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러를 포함하고, 사운드는 이동할 때에 웨이퍼 핸들러에 의해 생성되는 사운드를 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 장치 각각은 반도체 웨이퍼가 배치되는 가동 웨이퍼 스테이지를 포함하고, 사운드는 이동할 때에 웨이퍼 스테이지에 의해 생성되는 사운드를 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 검출된 하나 이상의 이벤트가 기계적 고장을 나타내는 예정된 이벤트에 대응할 때에, 하나 이상의 이벤트가 검출된 하나 이상의 장치의 작동은 정지된다.
본 개시의 또 다른 양태에 따르면, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법에서, 장치의 작동 중에 장치의 프로세서 챔버 내의 진동이 하나 이상의 센서에 의해 검출된다. 검출된 진동에 대응하는 전기 신호가 신호 프로세서에 의해 획득된다. 신호 프로세서는 획득한 전기 신호를 프로세싱한다. 프로세싱된 전기 신호에 기초하여 장치의 작동 중의 이벤트가 검출된다. 장치의 작동은 검출된 이벤트에 따라 제어된다.
본 개시의 한가지 양태에 따르면, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치는, 반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러, 반도체 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼 핸들러와 웨이퍼 스테이지가 배치되는 프로세스 챔버, 장치의 작동 중에 장치에 의해 생성된 사운드를 검출하고 검출된 사운드에 대응하는 전기 신호를 송신하도록 배치된 하나 이상의 마이크로폰, 하나 이상의 마이크로폰으로부터 전기 신호를 수신하고, 전기 신호를 프로세싱하며, 장치의 작동 중에 이벤트를 검출하도록 구성된 신호 프로세서, 및 검출된 이벤트에 따라 장치의 작동을 제어하는 제어기를 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 신호 프로세서는, 이벤트를 검출하는 것에 응답하여, 검출된 이벤트에 대응하는 피드백 신호를 제어기로 송신하고, 제어기는 피드백 신호에 기초하여 장치의 작동을 제어한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 장치는 사운드를 검출하기 위한 복수의 마이크로폰을 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 마이크로폰은 상이한 검출 주파수 범위들을 갖는다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 가청 사운드 범위의 검출 주파수 범위를 갖는다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 초음파 사운드 범위의 검출 주파수 범위를 갖는다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 마이크로폰은 프로세스 챔버의 내측 및 외측에 배치된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 장치는 반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러를 더 포함하고, 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 웨이퍼 핸들러 상에 배치된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 장치는 반도체 웨이퍼가 배치되는 가동 웨이퍼 스테이지를 더 포함하고, 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 가동 웨이퍼 스테이지 상에 배치된다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 이벤트는 기계적 오류, 기계적 고장, 및 2개 이상의 부품들의 충돌로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 전기 신호를 프로세싱하는 단계는, 검출된 사운드로부터 잡음 또는 주변 사운드를 제거하도록 전기 신호를 필터링하는 단계, 검출된 사운드의 소스 위치를 검출하는 단계, 전기 신호를 시간 도메인에서 또는 주파수 도메인에서 프로세싱하는 단계, 및 장치의 작동 중에 예정된 이벤트에 대응하는 검출된 사운드에서의 패턴을 인식하는 단계로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 패턴을 인식하는 단계는, 이벤트 모델에 기초하여 사운드의 패턴을 기지의 이벤트와 매칭시키는 것 또는 사운드의 패턴과 이벤트 사이의 이전에 학습한 대응을 사용하는 것을 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 장치는, 플라즈마 에칭 장치, CVD(chemical vapor deposition) 장치, 스퍼터링 증착 장치, ALD(atomic layer deposition) 장치, 에피택셜 성장 장치, 어닐링 장치, 열 산화 장치, 이온 주입 장치, 리소그래피 장치, 및 습식 프로세스 장치로 이루어지는 그룹에서 선택된 장치이다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 장치는, CD(critical dimension) 측정 장치, SEM(scanning electron microscope) 및 광학 현미경, 막 두께 측정 장치, 오버레이 측정 장치, 입자 검사 장치, 결함 검사 장치, 및 전기적 특성 측정 장치로 이루어지는 그룹에서 선택된 장치이다.
본 개시의 또 다른 양태에 따르면, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 시스템은, 중앙 서버 및 중앙 서버에 통신 가능하게 연결된 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치를 포함한다. 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치 각각은, 반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러,반도체 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼 핸들러와 웨이퍼 스테이지가 배치되는 프로세스 챔버, 장치의 작동 중에 장치에 의해 생성된 사운드를 검출하고 검출된 사운드에 대응하는 전기 신호를 송신하도록 배치된 하나 이상의 마이크로폰, 및 하나 이상의 마이크로폰으로부터 전기 신호를 수신하고, 전기 신호를 프로세싱하며, 장치의 작동 중에 이벤트를 검출하고, 검출된 이벤트에 따라 장치의 작동을 제어하도록 구성된 하나 이상의 컴퓨터를 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치 각각은 하나 이상의 마이크로폰을 더 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치 각각은 상이한 검출 주파수 범위를 갖는 복수의 마이크로폰을 더 포함한다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 가청 사운드 범위 및 초음파 사운드 범위 중 적어도 한 범위의 검출 주파수 범위를 갖는다. 전술한 또는 이하의 실시예들 중 하나 이상에서, 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치 각각은 반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러, 및 반도체 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 스테이지를 더 포함한다. 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 웨이퍼 핸들러와 웨이퍼 스테이지 중 적어도 하나에 배치된다.
본 개시의 또 다른 양태에 따르면, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치는, 반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러, 반도체 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼 핸들러와 웨이퍼 스테이지가 배치되는 프로세스 챔버, 장치의 작동 중에 장치에 의해 생성된 진동을 검출하고 검출된 진동에 대응하는 전기 신호를 송신하도록 배치된 하나 이상의 센서, 하나 이상의 센서로부터 전기 신호를 수신하고, 전기 신호를 프로세싱하며, 장치의 작동 중에 이벤트를 검출하도록 구성된 신호 프로세서, 및 검출된 이벤트에 따라 장치의 작동을 제어하는 제어기를 포함한다.
전술한 내용은 당업자가 본 개시의 양태를 더욱 잘 이해할 수 있도록 여러 개의 실시예들 또는 예들의 특징들을 개설하고 있다. 당업자라면 본 명세서에서 소개된 실시예들 또는 예들과 동일한 목적을 수행하고 및/또는 동일한 이점을 달성하기 위해 다른 프로세스 및 구조를 설계 또는 수정하기 위한 기초로서 본 개시를 쉽게 이용할 수 있다는 것을 알아야 한다. 당업자라면 또한 그러한 균등한 구성이 본 개시의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고, 본 개시의 사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 본 명세서에 다양한 변화, 대체 및 변경이 이루어질 수 있다는 것을 알아야 한다.
<부 기>
1. 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법으로서,
상기 장치의 작동 중에 상기 장치의 프로세스 챔버 내의 사운드를 검출하는 단계;
검출된 사운드에 대응하는 전기 신호를 신호 프로세서에 의해 획득하는 단계;
획득된 전기 신호를 상기 신호 프로세서에 의해 프로세싱하는 단계;
프로세싱된 전기 신호에 기초하여 상기 장치의 작동 중에 이벤트를 검출하는 단계; 및
검출된 이벤트에 따라 상기 장치의 작동을 제어하는 단계
를 포함하는 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
2. 제1항에 있어서,
상기 이벤트를 검출하는 것에 응답하여, 검출된 이벤트에 대응하는 피드백 신호를 상기 신호 프로세서에 의해 상기 장치의 제어기로 송신하는 단계를 더 포함하고,
상기 제어기는 상기 피드백 신호에 기초하여 상기 장치의 작동을 제어하는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 사운드는 하나 이상의 마이크로폰에 의해 검출되는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 사운드는 상이한 검출 주파수 범위들을 갖는 복수의 마이크로폰에 의해 검출되는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 가청 사운드 범위의 검출 주파수 범위를 갖는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
6. 제4항에 있어서, 상기 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 초음파 사운드 범위의 검출 주파수 범위를 갖는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
7. 제4항에 있어서, 상기 복수의 마이크로폰은 상기 프로세스 챔버의 내측에 배치되는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
8. 제4항에 있어서, 상기 복수의 마이크로폰은 상기 프로세스 챔버의 내측 및 외측에 배치되는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
9. 제4항에 있어서,
상기 장치는 반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러를 더 포함하고,
상기 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 상기 웨이퍼 핸들러 상에 배치되는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
10. 제4항에 있어서,
상기 장치는 반도체 웨이퍼가 배치되는 가동(movable) 웨이퍼 스테이지를 더 포함하고,
상기 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 상기 가동 웨이퍼 스테이지 상에 배치되는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
11. 제1항에 있어서, 상기 이벤트는 기계적 오류, 기계적 고장, 및 2개 이상의 부품(parts)의 충돌로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
12. 제1항에 있어서, 상기 전기 신호를 프로세싱하는 단계는, 상기 검출된 사운드로부터 잡음 또는 주변 사운드를 제거하도록 상기 전기 신호를 필터링하는 단계, 상기 검출된 사운드의 소스 위치를 검출하는 단계, 상기 전기 신호를 시간 도메인에서 또는 주파수 도메인에서 프로세싱하는 단계, 및 상기 장치의 작동 중에 예정된 이벤트에 대응하는 상기 검출된 사운드에서의 패턴을 인식하는 단계로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 패턴을 인식하는 단계는, 이벤트 모델에 기초하여 사운드의 패턴을 기지의 이벤트와 매칭시키는 것 또는 사운드의 패턴과 이벤트 사이의 이전에 학습한 대응을 사용하는 것을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
14. 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치로서,
반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러;
반도체 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 스테이지;
상기 웨이퍼 핸들러와 상기 웨이퍼 스테이지가 배치되는 프로세스 챔버;
상기 장치의 작동 중에 상기 장치에 의해 생성된 사운드를 검출하고 검출된 사운드에 대응하는 전기 신호를 송신하도록 배치된 하나 이상의 마이크로폰;
상기 하나 이상의 마이크로폰으로부터 상기 전기 신호를 수신하고, 상기 전기 신호를 프로세싱하며, 상기 장치의 작동 중에 이벤트를 검출하도록 구성된 신호 프로세서; 및
검출된 이벤트에 따라 상기 장치의 작동을 제어하는 제어기
를 포함하는 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치.
15. 제14항에 있어서,
상기 신호 프로세서는, 상기 이벤트를 검출하는 것에 응답하여, 검출된 이벤트에 대응하는 피드백 신호를 상기 제어기로 송신하고,
상기 제어기는 상기 피드백 신호에 기초하여 상기 장치의 작동을 제어하는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치.
16. 제14항에 있어서, 상기 사운드는 가청 사운드 범위와 초음파 사운드 범위 중 적어도 하나를 포함하는 검출 주파수 범위를 갖는 복수의 마이크로폰에 의해 검출되는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치.
17. 제16항에 있어서, 상기 복수의 마이크로폰은 상기 프로세스 챔버의 내측 및 외측에 배치되는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치.
18. 제14항에 있어서,
상기 전기 신호를 프로세싱하는 것은 상기 장치의 작동 중에 예정된 이벤트에 대응하는 주파수 도메인과 시간 도메인 중 적어도 하나에서 검출된 사운드의 패턴을 인식하는 것을 포함하고,
패턴을 인식하는 것은, 이벤트 모델에 기초하여 사운드의 패턴을 예정된 이벤트들 중 하나와 매칭시키는 것 또는 사운드의 패턴과 이벤트 사이의 이전에 학습한 대응을 사용하는 것을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치.
19. 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 시스템으로서,
중앙 서버; 및
상기 중앙 서버에 통신 가능하게 연결된 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치를 포함하고,
상기 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치의 각각은,
반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러;
반도체 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 스테이지;
상기 웨이퍼 핸들러와 상기 웨이퍼 스테이지가 배치되는 프로세스 챔버;
상기 장치의 작동 중에 상기 장치에 의해 생성된 사운드를 검출하고 검출된 사운드에 대응하는 전기 신호를 송신하도록 배치된 하나 이상의 마이크로폰; 및
상기 하나 이상의 마이크로폰으로부터 상기 전기 신호를 수신하고, 상기 전기 신호를 프로세싱하며, 상기 장치의 작동 중에 이벤트를 검출하고, 검출된 이벤트에 따라 상기 장치의 작동을 제어하도록 구성된 하나 이상의 컴퓨터
를 포함하는 것인 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 시스템.

Claims (10)

  1. 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법으로서,
    상기 장치의 작동 중에 상기 장치의 프로세스 챔버 내의 사운드를 검출하는 단계;
    검출된 사운드에 대응하는 전기 신호를 신호 프로세서에 의해 획득하는 단계;
    획득된 전기 신호를 상기 신호 프로세서에 의해 프로세싱하는 단계;
    프로세싱된 전기 신호에 기초하여 상기 장치의 작동 중에 이벤트를 검출하는 단계; 및
    상기 검출된 이벤트에 따라 상기 장치의 작동을 제어하는 단계
    를 포함하고,
    상기 방법은,
    비정상적인 이벤트가 검출될 때, 상기 비정상적인 이벤트가 자가 복구 가능한지 여부가 결정되고,
    상기 비정상적인 이벤트가 자가 복구 가능하다고 결정되면, 상기 장치의 작동을 계속 행하는 단계
    를 더 포함하는, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이벤트를 검출하는 것에 응답하여, 상기 검출된 이벤트에 대응하는 피드백 신호를 상기 신호 프로세서에 의해 상기 장치의 제어기로 송신하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제어기는 상기 피드백 신호에 기초하여 상기 장치의 작동을 제어하는 것인, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 사운드는 하나 이상의 마이크로폰에 의해 검출되는 것인, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 사운드는 상이한 검출 주파수 범위들을 갖는 복수의 마이크로폰에 의해 검출되는 것인, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 가청 사운드 범위 또는 초음파 사운드 범위 중 적어도 하나의 검출 주파수 범위를 갖는 것인, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 장치는 반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러를 더 포함하고,
    상기 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 상기 웨이퍼 핸들러 상에 배치되는 것인, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 장치는 반도체 웨이퍼가 배치되는 가동(movable) 웨이퍼 스테이지를 더 포함하고,
    상기 복수의 마이크로폰 중 적어도 하나는 상기 가동 웨이퍼 스테이지 상에 배치되는 것인, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 이벤트는 기계적 오류, 기계적 고장, 및 2개 이상의 부품(parts)의 충돌로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것인, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치를 작동시키는 방법.
  9. 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치로서,
    반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러;
    반도체 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 스테이지;
    상기 웨이퍼 핸들러와 상기 웨이퍼 스테이지가 배치되는 프로세스 챔버;
    상기 장치의 작동 중에 상기 장치에 의해 생성된 사운드를 검출하고 검출된 사운드에 대응하는 전기 신호를 송신하도록 배치된 하나 이상의 마이크로폰;
    상기 하나 이상의 마이크로폰으로부터 상기 전기 신호를 수신하고, 상기 전기 신호를 프로세싱하며, 상기 장치의 작동 중에 이벤트를 검출하도록 구성된 신호 프로세서; 및
    검출된 이벤트에 따라 상기 장치의 작동을 제어하는 제어기
    를 포함하고,
    비정상적인 이벤트가 검출될 때, 상기 신호 프로세서는 상기 비정상적인 이벤트가 자가 복구 가능한지 여부를 결정하고,
    상기 비정상적인 이벤트가 자가 복구 가능하다고 결정되면, 상기 제어기는 상기 장치의 작동을 계속 행하게 하는 것인, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 장치.
  10. 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 시스템으로서,
    중앙 서버; 및
    상기 중앙 서버에 통신 가능하게 연결된 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치를 포함하고,
    상기 복수의 반도체 제조 또는 분석 장치의 각각은,
    반도체 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들러;
    반도체 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 스테이지;
    상기 웨이퍼 핸들러와 상기 웨이퍼 스테이지가 배치되는 프로세스 챔버;
    상기 장치의 작동 중에 상기 장치에 의해 생성된 사운드를 검출하고 검출된 사운드에 대응하는 전기 신호를 송신하도록 배치된 하나 이상의 마이크로폰; 및
    상기 하나 이상의 마이크로폰으로부터 상기 전기 신호를 수신하고, 상기 전기 신호를 프로세싱하며, 상기 장치의 작동 중에 이벤트를 검출하고, 상기 장치의 작동을 제어하도록 구성된 하나 이상의 컴퓨터
    를 포함하고,
    비정상적인 이벤트가 검출될 때, 상기 하나 이상의 컴퓨터는 상기 비정상적인 이벤트가 자가 복구 가능한지 여부를 결정하고,
    상기 비정상적인 이벤트가 자가 복구 가능하다고 결정되면, 상기 하나 이상의 컴퓨터는 상기 장치의 작동을 계속 행하게 하는 것인, 반도체 웨이퍼를 제조 또는 분석하는 시스템.
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