KR102236275B1 - 액정 조성물 및 그 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 조성물을 제공하며, 상기 액정 조성물은: 1종 이상의 일반식 I의 화합물; 1종 이상의 일반식 M의 화합물; 1종 이상의 일반식 A-1의 화합물을 포함한다. 본 발명은 상기 액정 조성물을 포함하는 액정 디스플레이 장치를 더 공개한다. 본 발명의 액정 조성물은 투명점, 광학 이방성, 유전 이방성 및 저온 저장 안정성을 정상 수준으로 유지할 때, 비교적 큰 수직 유전 상수ε⊥, 비교적 큰 수직 유전에 대한 유전율 이방성의 비ε⊥/
Figure 112019095670214-pat00234
ε, 비교적 큰 평균 탄성 계수Kave, 비교적 작은 회전 점도γ1, 더 큰 VHR(초기) 및 VHR(UV) 및 VHR(고온)(즉 비교적 높은 신뢰성), 비교적 높은 투과율을 더 가져, 본 발명의 액정 조성물을 포함하는 액정 디스플레이 장치가 비교적 높은 투과율, 비교적 높은 콘트라스트, 비교적 빠른 응답 속도를 가지도록 하며, 이는 특히 능동 매트릭스 박막 트랜지스터(AM-TFT)에 의해 구동되는 액정 디스플레이 소자에 적용된다.

Description

액정 조성물 및 그 디스플레이 장치{LIQUID CRYSTAL COMPOSITION AND DISPLAY DEVICE THEREOF}
본 발명은 액정 재료 분야에 관한 것으로, 구체적으로 액정 조성물 및 그 디스플레이 장치에 관한 것이다.
액정 디스플레이 소자는 시계와 전자 계산기를 대표로 하는 각종 가전제품, 측정 설비, 자동차 패널, 워드 프로세서, 컴퓨터, 프린터, 텔레비전 등에 사용될 수 있다. 디스플레이 모드에 따라 PC(phase change, 상변화), TN (twist nematic, 트위스트 네마틱상), STN(super twisted nematic, 슈퍼 트위스티드 네마틱상), ECB(electrically controlled birefringence, 전압 제어 복굴절), OCB(optically compensated bend, 광학 보상 휨), IPS(in-plane switching, 평면 정렬 스위칭), VA(vertical alignment, 수직 배향) 등의 유형으로 분류할 수 있고, 소자의 구동 방식에 따라 PM(passive matrix, 수동 매트릭스)형 및 AM(active matrix, 능동 매트릭스)형으로 분류된다. PM은 정적상태(static) 및 멀티플렉스(multiplex) 등의 유형으로 분류되고, AM은 TFT(thin film transistor, 박막 트랜지스터), MIM(metal insulator metal, 금속-절연체-금속)등의 유형으로 나뉜다. TFT는 비정질 실리콘(amorphous silicon) 및 다결정 실리콘(polycrystal silicon)으로 나뉘고, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 제조 공정에 따라 고온형과 저온형으로 나뉜다. 액정 디스플레이 소자는 광원의 종류에 따라, 자연광을 이용한 반사형, 백 라이트를 이용한 투과형, 자연광 및 백 라이트 모두를 이용한 반투과형으로 분류된다.
정보량이 적은 경우, 일반적으로 패시브 구동 방법을 적용하지만, 정보량이 많아지고, 디스플레이 사이즈와 디스플레이 채널 수가 증가됨에 따라, 크로스 토크 및 콘트라스트의 저하 현상이 심각해졌으며, 따라서 일반적으로 액티브 매트릭스(AM)의 구동 방식을 채택하고, 현재 박막 트랜지스터(TFT)를 채택하여 구동하는 경우가 많다. AM-TFT소자에서, TFT 스위칭 장치는 2차원 그리드에서 어드레싱되고, 도통된 제한 시간 동안 픽셀 전극을 충전한 후, 다음 사이클에서 다시 어드레싱 될 때까지 오프 상태가 된다. 따라서, 2 개의 어드레싱 사이클 사이에서, 픽셀 점에서의 전압 변화를 원하지 않으며, 전압 변화가 생기면 픽셀 점의 투과율이 변하여, 디스플레이의 불안정을 초래한다. 픽셀 점의 방전속도는 전극 용량 및 전극 사이의 유전 재료의 저항률에 의해 결정된다. 따라서, 구동 전압을 낮추고 전력 소모를 줄이기 위해, 액정 재료는 비교적 높은 저항률이 요구되며, 동시에 적절한 광학 이방성
Figure 112019095670214-pat00001
n(
Figure 112019095670214-pat00002
n 값은 일반적으로 0.08~0.13 정도이다) 및 비교적 낮은 문턱전압이 요구되며; 빠른 응답 요구를 만족시키기 위해, 비교적 낮은 점도를 구비하는 것도 요구된다. 이러한 액정 조성물에 관해서는, 예컨대 WO9202597, WO9116398, WO9302153, WO9116399 및 CN1157005A 등의 많은 문헌 보도가 있었다.
1970년대 초, 연구자들은 이미 균일 배열 및 트위스트 배열된 네마틱 액정의 IPS 모드의 기본적인 전기 광학 특성에 대해 실험적 연구를 하기 시작하였으며, 이는 한 쌍의 전극을 동일 기판에 마련하고, 다른 기판에는 적극을 구비하지 않도록 하여, 해당 전극 사이에 인가되는 횡전기장에 따라 액정 분자의 배열을 제어하는 특징이 있기 때문에, 이와 같은 모드를 횡전기장 모드라고도 할 수 있다. IPS 모드에서, 네마틱상 액정 분자는 두 개의 기판 사이에 균일하게 평행 배열되며, 두 개의 편광판이 직각 교차하여 배치된다. IPS 모드는 전기장이 인가되지 않을 경우, 입사광이 두 개의 직각 교차되는 편광판에 차단되어 암상태(dark state)를 나타내며, 전기장이 인가될 경우 액정 분자가 회전하여 지연이 발생하므로, 두 개의 직각 교차하는 편광판으로부터 빛이 새어 나온다.
IPS 모드 장치는 제조 방법이 간단하고 매우 넓은 시야각을 가지므로, 시야각 특성을 개선하고 대면적의 디스플레이를 실현 가능하게 하는 가장 매력적인 방법이 되었다.
IPS 모드의 디스플레이 장치는 포지티브 액정 또는 네거티브 액정을 사용할 수 있으며, 투과율 포화 전압(즉 투과율이 최대치일 경우의 구동 전압)은
Figure 112019095670214-pat00003
ε의 절대값의 증가에 따라 감소하므로, 네거티브 액정에 비해 포지티브 액정은 투과율 포화 전압이 낮고, 응답 속도가 더 빠르지만, 네거티브 액정의 투과율은 포지티브 액정보다 좋은데, 이는 주로 포지티브 액정과 네거티브 액정이 전기장에서의 회전이 상이한 것에서 기인된 것이다. IPS 모드의 투과율 공식 transmittance ∝
Figure 112019095670214-pat00004
ε/ε⊥에 의하면, 포지티브 IPS 액정에 네거티브 액정을 혼합하는 방법을 통해, 낮은 구동전압을 유지하는 전제 하에서, 액정 디스플레이 장치의 투과율을 크게 높일 수 있다. 포지티브 액정 조성물에 네거티브 액정 모노머를 추가하여 투과율을 향상시키는 방법이 종래 기술로 이미 존재하지만, 섞어 넣은 네거티브 액정 모노머는 액정 조성물의 유전율 값이 떨어짐과 동시에 액정 디스플레이 장치의 신뢰성이 떨어지고, 응답 속도가 늦어지게 한다.
또한, 연구에 따르면, 액정 디스플레이 소자의 콘트라스트에 영향을 주는 가장 주요한 요인이 액정 재료의 광 누설이며, 광 누설에 영향을 주는 주요 요인은 빛 산란(LC Scattering)이며, LC Scattering과 평균 탄성 계수 Kave의 관계식은 다음과 같다:
Figure 112019095670214-pat00005
여기서, d는 액정 셀의 간격을 나타내고, ne는 이상광 굴절률을 나타내며, no는 정상광 굴절률을 나타낸다. 상기 관계식에서 보다시피, LC Scattering과 Kave는 반비례하고, Kave가 커지면, 액정 재료의 광 누설을 줄일 수 있다.
이외에도, 콘트라스트(CR)와 휘도(L)의 관계식은 다음과 같다:
CR=L255/L0Х100%，
여기서, L255는 온 스테이트 휘도이고, L0은 오프 스테이트 휘도이다. CR에 현저하게 영향을 주는 것은 L0의 변화임을 알 수 있다. 오프 스테이트에서, L0은 액정 분자의 유전체와 무관하며, 액정 재료 자체의 LC Scattering과 관계 있기 때문에, L0이 작을수록, CR도 따라서 현저하게 향상된다.
유전 이방성 절대값이 큰 액정 조성물을 가지는 액정 디스플레이 소자는 기준 전압값 및 구동 전압을 낮추고, 나아가 전력 소모를 줄일 수 있다.
비교적 낮은 문턱전압의 액정 조성물을 가지는 액정 디스플레이 소자는 디스플레이의 전력 소모를 효과적으로 줄일 수 있으며, 특히 휴대폰, 태블릿 PC 등 휴대용 전자 제품과 같은 소모품에 더 긴 항속 시간을 제공한다. 그러나 비교적 낮은 문턱전압을 가지는 액정 조성물(일반적으로 큰 유전 극성을 가지는 라디칼)에 있어서, 그 액정 분자는 규칙도가 낮으므로, 액정 분자의 규칙도를 나타내는 Kave 값도 낮아지기 때문에, 액정 재료의 광 누설 및 콘드라스트에 영향을 주므로, 일반적으로 양자 모두를 고려하기 어렵다.
점도가 낮은 액정 조성물은 액정 디스플레이 소자의 응답 속도를 높일 수 있다. 액정 디스플레이 소자의 응답 속도가 빠를 때, 이는 애니메이션 디스플레이에 적용될 수 있다. 또한, 액정 디스플레이 소자의 액정 셀 내에 액정 조성물을 주입할 경우, 주입 시간을 줄일 수 있고, 작업성을 향상시킬 수 있다.
특허문헌 CN102858918A와 같은 종래기술에는 낮은 전력 소모 및 비교적 빠른 응답 속도를 가지는 액정 조성물이 개시되어 있지만, 종래기술의 액정 조성물에는 환경문제(예, 염소 함유 화합물의 사용)가 있고, 사용 수명이 짧으며(예, UV 또는 열에 대한 낮은 안정성), 콘트라스트가 낮은 문제점(예, 주간에 디스플레이 스크린에 백색 스크린이 나타남)이 있고, 적절한 광학 이방성, 적절한 유전 이방성, 높은 전압 유지율, 양호한 UV차단 안정성 및 고온 안정성을 요구하는 액정 텔레비전 및 태플릿 PC등의 성능 균형을 동시에 고려하기 어려운 문제점이 있어, 여러 가지 가이드라인을 동시에 만족하지 못한다.
액정 재료의 제조 면에서 출발하면, 액정 재료의 각 성능은 서로 영향력을 미치며, 어느 성능 지수가 올라가면 기타 성능에 변화가 일어날 수 있다. 따라서, 각 방면의 성능에 모두 적합한 액정 재료를 제조하기 위해 진보적 노력이 필요한 경우가 많다.
액정 재료는 액정 디스플레이의 중요한 구성 부분이며, 현재 전세계 액정 디스플레이 장치는 매우 큰 시장 수요가 있으며, 이는 전기 전자 제품에 많이 사용되지만, 사용 수명이 비교적 짧다. 비교적 짧은 사용 주기는 자연적으로 폐기와 오염 등의 문제를 야기하며, 오늘날 사회 각계가 환경보호 문제를 날로 중요시하는 환경에서, 액정 재료의 조제 과정에서부터 환경보호 소재를 사용하는 것과 같이 원천적으로 제어할 수 있다면, 액정 디스플레이 장치 폐기물을 처리하는데 치르는 환경 대가를 크게 줄일 수 있다. 따라서, 각 방면의 성능에 모두 적합하고, 경제적이며 환경 친화적인 액정 재료를 제조하는 것은 더 많은 진보적 노력을 필요로 한다.
발명 목적: 종래 기술의 단점을 감안하여, 투명점, 광학 이방성, 유전 이방성 및 저온 저장 안정성을 정상 수준으로 유지하면서, 비교적 큰 수직 유전 상수ε⊥, 비교적 큰 수직 유전에 대한 유전율 이방성의 비ε⊥/
Figure 112019095670214-pat00006
ε, 비교적 큰 평균 탄성 계수Kave, 비교적 작은 회전 점도γ1, 더 큰 VHR(초시) 및 VHR(UV) 및 VHR(고온)(즉 비교적 높은 신뢰성), 비교적 높은 투과율을 더 가져, 본 발명의 액정 조성물을 포함하는 액정 디스플레이 장치가 비교적 높은 투과율, 비교적 높은 콘트라스트, 비교적 빠른 응답 속도를 가지도록 하며, 특히 능동 매트릭스 박막 트랜지스터(AM-TFT)에 의해 구동되는 액정 디스플레이 소자의 액정 조성물에 적용된다. 본 발명의 다른 목적은 상기 액정 조성물을 포함하는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
상기 발명의 목적을 실현하기 위해, 본 발명은 액정 조성물을 제공하며, 상기 액정 조성물은:
1종 이상의 일반식 I의 화합물
Figure 112019095670214-pat00007
1종 이상의 일반식 M의 화합물
Figure 112019095670214-pat00008
1종 이상의 일반식 A-1의 화합물
Figure 112019095670214-pat00009
을 포함하고,
여기서,
R1 및 RA1은 각각 독립적으로 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
Figure 112019095670214-pat00010
,
Figure 112019095670214-pat00011
또는
Figure 112019095670214-pat00012
를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있으며, 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
Figure 112019095670214-pat00013
,
Figure 112019095670214-pat00014
또는
Figure 112019095670214-pat00015
중의 1개 이상의 -H는 각각 독립적으로 -F 또는 -Cl로 치환될 수 있으며;
RM1 및 RM2 는 각각 독립적으로 -H, 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
Figure 112019095670214-pat00016
,
Figure 112019095670214-pat00017
또는
Figure 112019095670214-pat00018
를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있으며;
Z1, Z2 및 Z3은 각각 독립적으로 단일 결합, -CH2CH2-, -CF2CF2-, -CO-O-, -O-CO-, -O-CO-O-, -CH＝CH-, -CF＝CF-, -CH2O- 또는 -OCH2-를 나타내고;
ZA11은 단일결합, -CH2CH2-, -CF2CF2-, -CO-O-, -O-CO-, -O-CO-O-, -CH＝CH-, -CF＝CF-, -CH2O- 또는 -OCH2-를 나타내며;
ZM1 및 ZM2는 각각 독립적으로 단일 결합, -CO-O-, -O-CO-, -CH2O-, -OCH2-, -CH＝CH-, -C≡C-, -CH2CH2- 또는 -(CH2)4-를 나타내고;
L1, L2, L3, L4, LA11, LA12 및 LA13은 각각 독립적으로 -H, 탄소 원자 1개 내지 3개를 포함하는 알킬기 또는 할로겐을 나타내며;
X 및 XA1은 각각 독립적으로 할로겐, 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 할로알킬기 또는 할로알콕시기, 탄소 원자 2개 내지 5개를 포함하는 할로알케닐기 또는 할로알케닐옥시기를 나타내고;
고리
Figure 112019095670214-pat00019
및 고리
Figure 112019095670214-pat00020
는 각각 독립적으로
Figure 112019095670214-pat00021
또는
Figure 112019095670214-pat00022
를 나타내고, 여기서,
Figure 112019095670214-pat00023
중 1개 이상의 -CH2-는 -O-로 치환될 수 있고, 1개 이상의 고리 중 단일 결합은 이중 결합으로 치환될 수 있으며,
Figure 112019095670214-pat00024
중의 1개 이상의 -H는 -CN, -F 또는 -Cl로 치환될 수 있고, 1개 이상의 고리 중 -CH=는 -N=로 치환될 수 있으며;
고리
Figure 112019095670214-pat00025
, 고리
Figure 112019095670214-pat00026
및 고리
Figure 112019095670214-pat00027
는 각각 독립적으로
Figure 112019095670214-pat00028
또는
Figure 112019095670214-pat00029
를 나타내고， 여기서,
Figure 112019095670214-pat00030
중 1개 이상의 -CH2-는 -O-로 치환될 수 있고,
Figure 112019095670214-pat00031
중의 1개 이하의 -H는 할로겐으로 치환될 수 있으며;
고리
Figure 112019095670214-pat00032
및 고리
Figure 112019095670214-pat00033
는 각각 독립적으로
Figure 112019095670214-pat00034
,
Figure 112019095670214-pat00035
,
Figure 112019095670214-pat00036
또는
Figure 112019095670214-pat00037
를 나타내고，여기서，
Figure 112019095670214-pat00038
,
Figure 112019095670214-pat00039
및
Figure 112019095670214-pat00040
중의 1개 이상의 CH2-는 -O-로 치환될 수 있고, 1개 이상의 고리 중의 단일 결합은 이중 결합으로 치환될 수 있으며,
Figure 112019095670214-pat00041
및
Figure 112019095670214-pat00042
중의 하나 이상의 -H는 -CN, -F 또는 -Cl로 치환될 수 있고, 1개 이상의 고리 중의 -CH=는 -N=로 치환될 수 있으며；
n1및 n2는 각각 독립적으로 0, 1또는 2를 나타내고， 0≤n1+n2≤3이고， n1=2일 경우，고리
Figure 112019095670214-pat00043
은 같거나 다를 수 있고 ，Z1은 같거나 다를 수 있으며, n2=2일 경우，고리
Figure 112019095670214-pat00044
는 같거나 다를 수 있고, Z2는 같거나 다를 수 있으며；
nM1 및 nA11은 각각 독립적으로 0, 1, 2 또는 3을 나타내고, nM1=2 또는 3일 경우, 고리
Figure 112019095670214-pat00045
는 같거나 다를 수 있고, ZM2는 같거나 다를 수 있으며, nA11=2 또는 3일 경우, 고리
Figure 112019095670214-pat00046
은 같거나 다를 수 있고, ZA11 은 같거나 다를 수 있으며; 또한
nA12는 1 또는 2를 나타내고， nA12=2일 경우, 고리
Figure 112019095670214-pat00047
는 같거나 다를 수 있다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 I의 화합물의 함량은 저온에서의 용해성, 변환 온도, 전기 신뢰성, 투과율, 콘트라스트, 복굴절률, 공정 적응성, 드레인 흔적, 번인, 유전 이방성 등 성능에 대한 요구에 따라 적절하게 조절할 필요가 있다.
일반식 I의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 I의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 0.1%, 0.5%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 20%, 30% 또는 40%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 I의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 60%, 55%, 50%, 45%, 40%, 35%, 30%, 28%, 27%, 26%, 25.5%, 25%, 24.5%, 24%, 22%, 20%, 18%, 16% 또는 15%이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 I의 화합물은 액정 조성물의 중량의 0.1%~60%를 차지한다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 I의 화합물에서, n1=0 또는 n2=1일 경우, Z2 및 Z3중 1개 이상은 단일 결합이 아니고; n1=1 또는 n2=0일 경우, Z1 및 Z3 중 1개 이상은 단일 결합이 아니다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 I의 화합물에서, 바람직하게 R1은 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 또는 알콕시기, 탄소 원자 2개 내지 8개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알케닐기 또는 알케닐옥시기를 나타내고; 더 바람직하게 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 또는 알콕시기, 탄소 원자 2개 내지 5개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알케닐기 또는 알케닐옥시기이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 고리
Figure 112019095670214-pat00048
및 고리
Figure 112019095670214-pat00049
는 각각 독립적으로
Figure 112019095670214-pat00050
,
Figure 112019095670214-pat00051
,
Figure 112019095670214-pat00052
,
Figure 112019095670214-pat00053
,
Figure 112019095670214-pat00054
,
Figure 112019095670214-pat00055
,
Figure 112019095670214-pat00056
,
Figure 112019095670214-pat00057
,
Figure 112019095670214-pat00058
,
Figure 112019095670214-pat00059
,
Figure 112019095670214-pat00060
,
Figure 112019095670214-pat00061
,
Figure 112019095670214-pat00062
,
Figure 112019095670214-pat00063
,
Figure 112019095670214-pat00064
,
Figure 112019095670214-pat00065
,
Figure 112019095670214-pat00066
또는
Figure 112019095670214-pat00067
를 나타낸다.
본 발명의 일부 실시방안에서, L1, L2, L3 및L4 는 각각 독립적으로 -H, -CH3, -F 또는 -Cl를 나타낸다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 I의 화합물은 하기 화합물:
Figure 112019095670214-pat00068
로 조성되는 그룹에서 선택되고,
여기서,
L1, L2, 및L5는 각각 독립적으로 -H 또는 -F를 나타내고; 또한
Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 -CH2- 또는 -O-를 나타낸다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 바람직하게 상기 일반식I-1 내지 일반식 I-8의 화합물 중, L5는 -H를 나타낸다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식I의 화합물은 바람직하게 일반식 I-1, 일반식 I-2, 일반식 I-3, 일반식 I-4, 일반식 I-5, 일반식 I-6, 일반식 I-7 및 일반식 I-8로 조성되는 그룹에서 선택된다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 본 발명의 액정 조성물은 바람직하게 2종 이상의 일반식I의 화합물을 포함하며, 여기서 1종 이상의 일반식I의 화합물은 일반식 I-1, 일반식 I-2, 일반식 I-3, 일반식 I-4, 일반식 I-5, 일반식 I-6, 일반식 I-7 및 일반식 I-8로 조성되는 그룹에서 선택된다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 본 발명의 액정 조성물은 바람직하게 3종 이상의 일반식I의 화합물을 포함하며, 여기서 1종 이상의 일반식I의 화합물은 일반식 I-1, 일반식 I-2, 일반식 I-3, 일반식 I-4, 일반식 I-5, 일반식 I-6, 일반식 I-7 및 일반식 I-8로 조성되는 그룹에서 선택되며; 더 바람직하게 2종 이상의 일반식 I-1, 일반식 I-2, 일반식 I-3, 일반식 I-4, 일반식 I-5, 일반식 I-6, 일반식 I-7 및 일반식 I-8로 조성되는 그룹에서 선택되는 화합물에서 선택된다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 M의 화합물 중, RM1 및 RM2는 바람직하게 각각 독립적으로 탄소 원자 1개 내지 10개를 포함하는 직쇄의 알킬기, 탄소 원자 1개 내지 9개를 포함하는 직쇄의 알콕시기, 또는 탄소 원자 2개 내지 10개를 포함하는 직쇄형의 알케닐기이고; 더 바람직하게 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄의 알킬기, 탄소 원자 1개 내지 7개를 포함하는 직쇄의 알콕시기, 또는 탄소 원자 2개 내지 8개를 포함하는 직쇄의 알케닐기이고; 보다 더 바람직하게 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 직쇄의 알킬기, 탄소 원자 1개 내지 4개를 포함하는 직쇄의 알콕시기, 또는 탄소 원자 2개 내지 5개를 포함하는 직쇄의 알케닐기이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, RM1 및 RM2는 바람직하게 각각 독립적으로 탄소 원자 2개 내지 8개를 포함하는 직쇄의 알케닐기이고; 더 바람직하게 각각 독립적으로 탄소 원자 2개 내지 5개를 포함하는 직쇄의 알케닐기이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 바람직하게, RM1 및 RM2 중의 하나는 탄소 원자 2개 내지 5개를 포함하는 직쇄의 알케닐기이고, 나머지 하나는 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 직쇄의 알킬기이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 바람직하게, RM1 및 RM2 양자 모두 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄의 알킬기, 또는 탄소 원자 1개 내지 7개를 포함하는 직쇄의 알콕시기이며; 더 바람직하게, RM1 및 RM2 양자 모두 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 직쇄의 알킬기, 또는 탄소 원자 1개 내지 4개를 포함하는 직쇄의 알콕시기이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 바람직하게, RM1 및 RM2 중의 하나는 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 직쇄의 알킬기이고, 나머지 하나는 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 직쇄의 알킬기이며, 또는 탄소 원자 1개 내지 4개를 포함하는 직쇄의 알콕시이며; 더 바람직하게, RM1 및 RM2 양자 모두 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 직쇄의 알킬기이다.
본 발명의 알케닐기는 바람직하게 식(V1) 내지 식(V9) 중 어느 하나로 나타내는 라디칼에서 선택되고, 특히 바람직하게 식(V1), 식(V2), 식(V8), 또는 식(V9)에서 선택된다. 식(V1) 내지 식(V9)가 나타내는 라티칼은:
Figure 112019095670214-pat00069
Figure 112019095670214-pat00070
Figure 112019095670214-pat00071
Figure 112019095670214-pat00072
Figure 112019095670214-pat00073
Figure 112019095670214-pat00074
Figure 112019095670214-pat00075
Figure 112019095670214-pat00076
Figure 112019095670214-pat00077
이고,
여기서, *은 결합된 고리 구조 중의 탄소 원자를 나타낸다.
본 발명에서, 알케닐옥시기는 바람직하게 식(OV1) 내지 식(OV9) 중의 어느 하나로 나타내는 라디칼에서 선택되고, 특히 바람직하게 식(OV1), 식(OV2), 식(OV8), 또는 식(OV9)에서 선택된다. 식(OV1) 내지 식(OV9)가 나타내는 라티칼은:
Figure 112019095670214-pat00078
Figure 112019095670214-pat00079
Figure 112019095670214-pat00080
Figure 112019095670214-pat00081
Figure 112019095670214-pat00082
Figure 112019095670214-pat00083
Figure 112019095670214-pat00084
Figure 112019095670214-pat00085
Figure 112019095670214-pat00086
이고,
여기서, *은 결합된 고리 구조 중의 탄소 원자를 나타낸다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 M의 화합물은 하기 화합물:
Figure 112019095670214-pat00087
Figure 112019095670214-pat00088
로 조성되는 그룹에서 선택된다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 M의 화합물의 함량은 저온에서의 용해성, 변환 온도, 전기 신뢰성, 복굴절률, 공정 적응성, 드레인 흔적, 번인, 유전 이방성 등 성능에 대한 요구에 따라 적절하게 조절할 필요가 있다.
일반식 M의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 0.1%, 1%, 10%, 20%, 30%, 40% 또는 50%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 90%, 85%, 80%, 75%, 70%, 65%, 60%, 55%, 50%, 45%, 35% 또는 25%이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 M의 화합물은 액정 조성물의 중량의 0.1%~90%를 차지한다.
일반식 M의 화합물의 함량과 관련하여, 본 발명의 액정 조성물의 비교적 낮은 점도 및 비교적 짧은 응답 시간을 유지할 필요가 있을 경우, 바람직하게 하한값은 비교적 높고 상한값도 비교적 높아야 하며; 나아가 본 발명의 액정 조성물의 비교적 높은 투명점 및 양호한 온도 안정성을 유지할 필요가 있을 경우, 바람직하게 하한값은 비교적 높고 상한값도 비교적 높아야 하며; 구동 전압을 비교적 낮게 유지하고, 유전 이방성의 절대 값을 크게 하기 위해, 바람직하게 하한값은 낮게 하고, 상한값을 낮게 해야 한다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 신뢰성을 중요시하는 상황에서, 바람직하게 RM1 및 RM2는 모두 알킬기이고; 화합물의 휘발성 저감을 중요시하는 상황에서, 바람직하게 RM1 및 RM2는 모두 알콕시기이며; 점도 저감을 중요시하는 상황에서, 바람직하게 RM1 및 RM2 중의 1종 이상은 알케닐기이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 M의 화합물은 특히 바람직하게 일반식 M1, 일반식 M2, 일반식 M3, 일반식 M4, 일반식 M7, 일반식 M8, 일반식 M9, 일반식 M10, 일반식 M11, 일반식 M13, 일반식 M15, 일반식 M16, 일반식 M17, 일반식 M18, 일반식 M19, 일반식 M20, 일반식 M21, 일반식 M22, 일반식 M23 및 일반식 M24의 화합물로 조성되는 그룹에서 선택된다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 M의 화합물은 바람직하게 일반식 M1, 일반식 M2, 일반식 M4, 일반식 M9, 일반식 M11, 일반식 M13, 일반식 M20, 일반식 M21, 일반식 M22 및 일반식 M23의 화합물로 조성되는 그룹에서 선택된다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 M1의 화합물 중, RM1은 탄소 원자 1개 내지 7개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; 더 바람직하게 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 또는 알콕시기를 나타낸다.
일반식 M1의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M1의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 3%, 5%, 7%, 10%, 13%, 15%, 17%, 20%, 23%, 25% 또는 30%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M1의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 60%, 55%, 50%, 45%, 40%, 37%, 35%, 33%, 30%, 27%, 25%, 23%, 20%, 17%, 15%, 13% 또는 10%이다.
본 발명의 액정 조성물의 응답 시간을 특별히 개선하기 위해, 바람직하게 일반식 M1의 화합물 중 RM1은 에틸기, n-프로필기, 부틸기 또는 펜틸기이고, RM2는 메틸기 또는 메톡시기의 화합물이며, 일반식 M1의 화합물 중 RM1은 에틸기, n-프로필기, 부틸기 또는 펜틸기이고, RM2는 에틸기 또는 에톡시기의 화합물이고, 또는 일반식 M1의 화합물 중 RM1은 n-프로필기, 부틸기 또는 펜틸기이고, RM2는 n-프로필기 또는 프로폭시기의 화합물이다.
본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M1의 화합물 중 RM1은 n-프로필기이고, RM2는 에틸기인 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 2%, 3%, 5%, 7%, 10%, 13%, 15%, 18% 또는 20%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M1의 화합물 중 RM1은 n-프로필기이고, RM2는 에틸기인 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 20%, 17%, 15%, 13%, 10%, 8%, 7% 또는 6%이다.
일반식 M2의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M2의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 2%, 3%, 5%, 7% 또는 10%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M2의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 20%, 15%, 13%, 10%, 8%, 7%, 6%, 5% 또는3%이다.
일반식 M4의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M4의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 2%, 3%, 5%, 7% 또는 10%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M4의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 20%, 15%, 13%, 10%, 8%, 7%, 6%, 5% 또는 3%이다.
일반식 M9의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M9의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 2%, 3%, 5%, 7%, 10%, 14%, 16%, 20%, 23%, 26%, 30%, 35% 또는40%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M9의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 50%, 40%, 35%, 30%, 20%, 15%, 10% 또는 5%이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 저온에서의 용해성, 변환 온도, 전기 신뢰성, 복굴절률 등 성능에 대한 요구에 따라, 바람직하게 일반식 M9의 화합물 중 RM1은 탄소 원자 2개 내지 4개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알케닐기, RM2는 CH3-인 화합물을 포함하며, 상기 탄소 원자 2개 내지 4개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알케닐기는 더 바람직하게
Figure 112019095670214-pat00089
또는
Figure 112019095670214-pat00090
이다.
본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M9의 화합물 중 RM1은
Figure 112019095670214-pat00091
또는
Figure 112019095670214-pat00092
, RM2는 CH3-인 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 3%, 5%, 7%, 9%, 11%, 12%, 13%, 18% 또는 21%이고, 또한 바람직한 상한값은 45%, 40%, 35%, 30%, 25%, 23%, 20%, 18%, 15%, 13%, 10% 또는 8%이다. 상기 두 가지 화합물을 동시에 함유할 경우, 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 상기 두 가지 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은3%, 5%, 7%, 9%, 11%, 13%, 15%, 19%, 24% 또는 30%이고, 또한 바람직한 상한값은 45%, 40%, 35%, 30%, 25%, 23%, 20%, 18%, 15%, 13%, 11% 또는 9%이다.
일반식 M10의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M10의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 7%, 10%, 14%, 16% 또는 20%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M10의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 45%, 40%, 35%, 30%, 20%, 15%, 10% 또는 5%이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 저온에서의 용해성, 변환 온도, 전기 신뢰성, 복굴절률 등 성능에 대한 요구에 따라, 바람직하게 일반식 M10의 화합물 중 RM1은 탄소 원자 2개 내지 4개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알케닐기, RM2는 CH3-인 화합물을 포함하며, 상기 탄소 원자 2개 내지 4개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알케닐기는 더 바람직하게
Figure 112019095670214-pat00093
또는
Figure 112019095670214-pat00094
이다.
본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M10의 화합물 중 RM1은
Figure 112019095670214-pat00095
또는
Figure 112019095670214-pat00096
이고, RM2는 CH3-인 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 3%, 4%, 5%, 7%, 9%, 11%, 12%, 13%, 18% 또는 20%이고, 또한 바람직하게 40%, 35%, 30%, 25%, 23%, 20%, 18%, 15%, 13%, 10% 또는 8%이다. 상기 두 가지 화합물을 동시에 함유할 경우, 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 상기 두 가지 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 3%, 5%, 7%, 9%, 11%, 13%, 15%, 19%, 24% 또는 30%이고, 바람직한 상한값은 45%, 40%, 35%, 30%, 25%, 23%, 20%, 18%, 15% 또는 13%이다.
일반식 M11의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M11의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 2%, 3%, 5%, 7%, 10%, 14%, 16%, 20%, 23%, 26%, 30%, 35% 또는 40%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M11의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 50%, 40%, 35%, 30%, 20%, 15%, 10% 또는 5%이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 M11의 화합물은 바람직하게 RM1은 n-프로필기 또는 n-펜틸기, RM2는 C2H5-인 화합물이고, 또는 바람직하게 RM1은
Figure 112019095670214-pat00097
또는
Figure 112019095670214-pat00098
이며, RM2는 n-프로필기인 화합물이며, 또는 바람직하게 RM1은 n-프로필기, n-부틸기 또는 n-펜틸기이고, RM2는 CH3O-인 화합물이며; 특히 바람직하게 RM1은 n-프로필기이고, RM2는 C2H5-인 화합물이다.
일반식 M13의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M13의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 2%, 3%, 5%, 7%, 10%, 14%, 16%, 20%, 23%, 26%, 30%, 35% 또는 40%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M13의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 50%, 40%, 35%, 30%, 20%, 15%, 10% 또는 5%이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 M13의 화합물은 바람직하게 RM1 및 RM2는 각각 독립적으로 탄소 원자 2개 내지 5개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기를 나타내는 화합물, 또는 바람직하게 RM1 및 RM2 중의 하나가
Figure 112019095670214-pat00099
또는
Figure 112019095670214-pat00100
이고, 나머지 하나는 CH3- 또는 C2H5-인 화합물이다.
일반식 M15의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M15의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 2%, 3%, 5%, 7%, 10%, 12%, 14%, 16%, 18%, 20%, 23%, 26%, 30%, 35% 또는 40%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M15의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 50%, 40%, 35%, 30%, 25%, 22%, 20%, 18%, 15%, 12%, 10%, 8% 또는 5%이다.
일반식 M16의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M16의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 2%, 3%, 5%, 7%, 10%, 12%, 14%, 16%, 18%, 20%, 23%, 26%, 30%, 35% 또는 40%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M16의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 50%, 40%, 35%, 30%, 25%, 22%, 20%, 18%, 15%, 12%, 10%, 8% 또는 5%이다.
일반식 M20 내지 M24의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M20 내지 M24의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 1%, 2%, 3%, 5%, 7%, 10%, 14%, 16% 또는 20%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 M20 내지 M24의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 30%, 25%, 23%, 20%, 18%, 15%, 12%, 10% 또는 5%이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 A-1의 화합물은 하기 화합물:
Figure 112019095670214-pat00101
Figure 112019095670214-pat00102
Figure 112019095670214-pat00103
로 조성되는 그룹에서 선택되고,
여기서,
RA1은 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
Figure 112019095670214-pat00104
,
Figure 112019095670214-pat00105
또는
Figure 112019095670214-pat00106
를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있으며, 또한 상기 라디칼 중에 존재하는 1개 이상의 -H는 각각 독립적으로 -F 또는 -Cl로 치환될 수 있으며;
R v 및 Rw 는 각각 독립적으로 -CH2- 또는 -O-를 나타내고；
LA11, LA12, LA11 ', LA12 ', LA14, LA15 및 LA16 은 각각 독립적으로 -H 또는 -F를 나타내며;
LA13 및 LA13 '는 각각 독립적으로 -H 또는 -CH3을 나타내고;
XA1은 -F, -CF3 또는 -OCF3을 나타내며; 또한
v 및 w는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타낸다.
일반식 A-1의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 A-1의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 0.1%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 12%, 14%, 15%, 17%, 18% 또는 20%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 A-1의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 80%, 60%, 55%, 50%, 45%, 40%, 35%, 30% 또는 25%이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 A-1의 화합물은 액정 조성물의 중량의 0.1%~80%를 차지한다.
일반식 A-1의 화합물의 바람직한 함량과 관련하여, 본 발명의 액정 조성물의 점도를 비교적 낮게, 응답 속도를 빠르게 유지하는 환경에서, 바람직하게 그 하한값은 약간 낮게, 상한값도 약간 낮게 하며; 나아가, 본 발명의 액정 조성물의 투명점은 비교적 높게, 온도 안정성은 양호하게 유지하는 환경에서, 바람직하게 그 하한값은 약간 낮게, 상한값도 약간 낮게 해야 하며; 이외에도, 구동 전압을 비교적 낮게 유지하고, 유전 이방성의 절대값을 증가하려고 할 경우, 바람직하게 그 하한값은 약간 높게, 상한값도 비교적 높게 해야 한다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 A-1의 화합물은 바람직하게 일반식 A-1-7, 일반식 A-1-13, 일반식 A-1-14 및 일반식 A-1-15의 화합물로 조성되는 그룹에서 선택된다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 액정 조성물은 1종 이상의 일반식 A-2의 화합물:
Figure 112019095670214-pat00107
을 더 포함하고,
여기서,
RA2는 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
Figure 112019095670214-pat00108
,
Figure 112019095670214-pat00109
또는
Figure 112019095670214-pat00110
를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있으며, 또한 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
Figure 112019095670214-pat00111
,
Figure 112019095670214-pat00112
또는
Figure 112019095670214-pat00113
중의 1개 이상의 -H는 각각 독립적으로 -F 또는 -Cl로 치환될 수 있으며;
ZA21 및 ZA22는 각각 독립적으로 단일 결합, -CH2CH2-, -CF2CF2-, -CO-O-, -O-CO-, -O-CO-O-, -CH＝CH-, -CF＝CF-, -CH2O- 또는 -OCH2-를 나타내고;
LA21 및 LA22는 각각 독립적으로 -H, 탄소 원자 1개 내지 3개를 포함하는 알킬기 또는 할로겐을 나타내며;
XA2는 할로겐, 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 할로알킬기 또는 할로알콕시기, 탄소 원자 2개 내지 5개를 포함하는 할로알케닐기 또는 할로알케닐옥시기를 나타내며;
고리
Figure 112019095670214-pat00114
및 고리
Figure 112019095670214-pat00115
는 각각 독립적으로
Figure 112019095670214-pat00116
,
Figure 112019095670214-pat00117
,
Figure 112019095670214-pat00118
또는
Figure 112019095670214-pat00119
를 나타내고, 여기서,
Figure 112019095670214-pat00120
,
Figure 112019095670214-pat00121
및
Figure 112019095670214-pat00122
중의 1개 이하의 -CH2-는 -O- 로 치환될 수 있고, 1개 이상의 고리 중의 단일 결합은 이중 결합으로 치환될 수 있으며
Figure 112019095670214-pat00123
및
Figure 112019095670214-pat00124
중의 1개 이상의 -H 는 -CN, -F 또는 -Cl로 치환될 수 있으며, 1개 이상의 고리 중의 -CH=는 -N=로 치환될 수 있고；또한
nA2는 0, 1, 2 또는 3을 나타내고, nA2=1일 경우, ZA21 및 ZA22는 모두 단일 결합을 나타내고, 고리
Figure 112019095670214-pat00125
및 고리
Figure 112019095670214-pat00126
는 각각 독립적으로
Figure 112019095670214-pat00127
을 나타낼 수 있고; nA2=2 또는 3일 경우, 고리
Figure 112019095670214-pat00128
는 같거나 다를 수 있고, ZA21은 같거나 다를 수 있다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 A-2의 화합물은 하기 화합물:
Figure 112019095670214-pat00129
Figure 112019095670214-pat00130
로 조성되는 그룹에서 선택되고,
여기서,
R A2는 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있으며, 또한 상기 라디칼 중에 존재하는 1개 이상의 -H는 각각 독립적으로 -F 또는 -Cl로 치환될 수 있으며;
LA21, LA22, LA23, LA24 및 LA25 는 각각 독립적으로 -H 또는 -F를 나타내며; 또한
XA2는 -F, -CF3, -OCF3 또는 -CH2CH2CH=CF2를 나타낸다.
일반식 A-2의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 바람직한 중량%와 관련하여: 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 A-2의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 하한값은 0.1%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 12%, 14%, 15%, 17%, 18% 또는 20%이고; 본 발명의 액정 조성물의 총중량 대비, 일반식 A-2의 화합물이 본 발명의 액정 조성물에서 차지하는 중량%의 바람직한 상한값은 80%, 75%, 70%, 65%, 60%, 55%, 50%, 45%, 40%, 35%, 30% 또는 25%이다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 A-2의 화합물은 액정 조성물의 중량의 0.1%~80%를 차지한다.
일반식 A-2의 화합물의 바람직한 함량과 관련하여, 본 발명의 액정 조성물의 점도를 비교적 낮게, 응답 속도를 빠르게 유지하는 환경에서, 바람직하게 그 하한값은 약간 낮게, 상한값도 약간 낮게 해야 하며; 나아가, 본 발명의 액정 조성물의 투명점은 비교적 높게, 온도 안정성은 양호하게 유지하는 환경에서, 바람직하게 그 하한값은 약간 낮게, 상한값도 약간 낮게 해야 하며; 이외에도, 구동 전압을 비교적 낮게 유지하고, 유전 이방성의 절대값을 증가하려고 할 경우, 바람직하게 그 하한값은 약간 높게, 상한값도 약간 높게 해야 한다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 일반식 A-2의 화합물은 바람직하게 일반식 A-2-4, 일반식 A-2-8, 일반식 A-2-11 및 일반식 A-2-12의 화합물로 조성되는 그룹에서 선택된다.
상술한 화합물 이외에, 본 발명의 액정 조성물은 통상의 네마틱상 액정, 스멕틱 액정, 콜릭스테릭상 액정, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 적외선 흡수제, 중합성 모노머 또는 광안정제 등을 함유해도 된다.
본 발명의 액정 조성물에 바람직하게 첨가할 수 있는 첨가제는 다음과 같다:
Figure 112019095670214-pat00131
Figure 112019095670214-pat00132
본 발명의 일부 실시방안에서, 바람직하게, 첨가제는 액정 조성물의 중량의 0~5%를 차지하고; 더 바람직하게, 첨가제는 액정 조성물의 0~1중량%를 차지한다.
이외에도, 본 발명의 액정 조성물에 사용되는 산화 방지제, 광안정제 등 첨가제는 바람직하게 하기 물질에서 선택한다:
Figure 112019095670214-pat00133
Figure 112019095670214-pat00134
Figure 112019095670214-pat00135
Figure 112019095670214-pat00136
여기서, n은 1 내지 12의 양의 정수이다.
바람직하게, 광안정제는 아래와 같은 광안정제에서 선택한다:
Figure 112019095670214-pat00137
본 발명의 실시방안에서, 바람직하게 광안정제는 액정 조성물의 총중량의 0~5%를 차지하고; 더 바람직하게, 광안정제는 액정 조성물의 총중량의 0~1%를 차지하며; 특히 바람직하게, 광안정제는 액정 조성물의 총중량의 0.01~0.1%를 차지한다.
본 발명의 일부 실시방안에서, 액정 조성물의 투명점Cp의 범위는 80~120℃이고; 유전 이방성
Figure 112019095670214-pat00138
ε의 절대값의 범위는 3~12이며; 광학 이방성
Figure 112019095670214-pat00139
n의 범위는 0.08~0.12이고; 수직 유전에 대한 유전율 이방성의 비ε⊥/
Figure 112019095670214-pat00140
ε는 0.46이상이며; 평균 탄성 계수 Kave는 13.3 이상이고; -30℃에서 저온 저장 시간은 500h 보다 길다.
본 발명의 다른 방면에는 액정 디스플레이 장치가 제공되며, 이는 본 발명에서 제공하는 액정 조성물을 포함한다.
본 발명의 액정 조성물은 투명점, 광학 이방성, 유전 이방성 및 저온 저장 안정성을 정상 수준으로 유지함과 동시에, 비교적 큰 수직 유전 상수ε⊥, 비교적 큰 수직 유전에 대한 유전율 이방성의 비ε⊥/
Figure 112019095670214-pat00141
ε, 비교적 큰 평균 탄성 계수Kave, 비교적 작은 회전 점도γ1, 더 큰 VHR(초기) 및 VHR(UV) 및 VHR(고온)(즉 비교적 높은 신뢰성), 비교적 높은 투과율을 더 가져, 본 발명의 액정 조성물을 포함하는 액정 디스플레이 장치가 비교적 높은 투과율, 비교적 높은 콘트라스트, 비교적 빠른 응답 속도를 가지도록 하며, 이는 특히 능동 매트릭스 박막 트랜지스터(AM-TFT)에 의해 구동되는 액정 디스플레이 소자에 적용된다.
이하, 구체적인 실시방안을 결합하여 본 발명을 설명한다. 설명해야 할 것은, 이하 실시예는 본 발명의 예시이며, 본 발명을 설명하기 위해 사용될 뿐, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다. 본 발명의 요지 또는 범위를 벗어나지 않는 경우, 본 발명의 구상 범위에서 다른 조합 및 다양한 개선이 이루어질 수 있다.
본 발명에 있어서 특별히 설명하지 않는 한, 상기 비율은 모두 중량비를 의미하고, 상기 모든 온도는 섭씨온도이다.
표현의 편의를 위해, 이하 각 실시예에서, 액정 조성물의 라디칼 구조는 표 1의 코드로 표시한다:
Figure 112019095670214-pat00142
이하 구조식의 화합물을 예로 들면:
Figure 112019095670214-pat00143
상기 구조식을 표 1의 코드로 나타낼 경우, nCCGF로 표시되고, 코드에서 n은 좌측이 알킬기의 C 원자임을 나타내며, 예를 들어 n이 "3"일 경우, 즉 알킬기가 -C3H7 임을 나타내고; 코드에서 C는 사이클로헥실기를 나타내며; G는 2-플루오로-1, 4-페닐렌, F는 플루오로를 나타낸다.
이하 실시예의 테스트 항목의 약자부호는 다음과 같다:
Figure 112019095670214-pat00144
여기서,광학 이방성은 아베 굴절계를 사용하여 나트륨 램프(589nm) 광원 하에 25
Figure 112019095670214-pat00145
에서 테스트를 통해 얻는다.
Figure 112019095670214-pat00146
ε=ε
Figure 112019095670214-pat00147
-ε⊥, 여기서, ε
Figure 112019095670214-pat00148
는 분자축에 평행되는 유전 상수이고, ε⊥ 는 분자축에 수직한 유전 상수이며, 테스트 조건은: 25℃, 1KHz이고, 테스트 케이스는 TN90형, 케이스 두께는 7μm이다.
γ1 은 TOYO6254형 액정 물성 평가 시스템을 사용하여 테스트를 통해 얻고; 테스트 온도는 25℃이며, 테스트 전압은 90V이며, 케이스 두께는 20μm이다.
K11, K22, K33은 LCR 테스터 및 역평행 마찰 케이스를 이용하여, 액정의 C-V 커브를 계산하여 얻은 값이며, 테스트 조건은: 7μm 역평행 마찰 케이스, V=0.1~20V; Kave=1/3(K11+K22+K33)이다.
VHR(초기)은 TOYO6254형 액정 물성 평가 시스템을 사용하여 얻고; 테스트 온도는 60℃, 테스트 전압은 5V, 테스트 주파수는 6Hz, 테스트 케이스 두께는 9μm이다.
VHR(UV)은 TOYO6254형 액정 물성 평가 시스템을 사용하여 얻고; 파장이 365nm이고, 에너지가 6000mJ/cm2인 UV 광을 사용하여 액정 재료를 조사하여 테스트하였으며, 테스트 온도는 60℃, 테스트 전압은 5V, 테스트 주파수는 6Hz, 테스트 케이스 두께는 9μm이다.
VHR(고온)은 TOYO6254형 액정 물성 평가 시스템을 사용하여 얻고; 액정은 150℃의 고온에서 1h유지하여 테스트하였으며, 테스트 온도는 60℃, 테스트 전압은 5V, 테스트 주파수는 6Hz, 테스트 케이스 두께는 9μm이다.
이하의 실시예에서 사용하는 각 성분은 모두 공지된 방법을 통하여 합성될 수 있거나 또는 상업경로를 통하여 얻을 수 있다. 이러한 합성기술은 통상적인 것으로서, 획득한 각 액정화합물은 테스트를 통하여 전자류 화합물의 표준에 부합된다.
이하 실시예에서 규정한 액정 조성물의 배합비율에 따라 액정 조성물을 제조한다. 상기 액정 조성물의 제조는 본 발명의 기술분야에서 통상적으로 사용되는 방법에 따라 제조된 것으로서, 예를 들어 가열, 초음파, 현탁 등의 방식으로 규정된 비율에 따라 혼합하여 제조된 것이다.
이하 실시예에서 제공하는 액정 조성물을 제조하고 연구한다. 액정 조성물의 조성 및 그 성능 파라미터는 다음과 같다.
비교예 1
표 2에 열거된 각 화합물과 중량%에 따라 비교예 1의 액정 조성물을 제조하고, 이를 액정 디스플레이 장치의 두 개의 기판 사이에 충진시켜 성능테스트를 한다. 테스트 데이터는 다음 표와 같다:
Figure 112019095670214-pat00149
실시예 1
표 3에 열거된 각 화합물 및 중량%에 따라 실시예 1의 액정 조성물을 조제하고, 이를 액정 디스플레이 장치의 두 개의 기판 사이에 충진시켜 성능테스트를 한다. 테스트 데이터는 다음 표와 같다:
Figure 112019095670214-pat00150
비교예 1 및 실시예 1을 비교하면, 본 발명의 액정 조성물은 기본적으로 동일한 유전 이방성 및 광학 이방성을 가지는 전제 하에서, 비교적 높은 투명점, 비교적 큰 수직 유전에 대한 유전율 이방성의 비ε⊥/
Figure 112019095670214-pat00151
ε, 비교적 큰 평균 탄성 계수Kave, 비교적 작은 회전 점도γ1, 비교적 큰 VHR(초기) 및 VHR(UV) 및 VHR(고온)(즉 비교적 높은 신뢰성), 및 비교적 좋은 저온 안정성을 가짐을 알 수 있고, 이는 본 발명의 액정 조성물이 높은 콘트라스트, 높은 투과율, 빠른 응답 및 넓은 네마틱상 온도 범위를 요구하는 액정 디스플레이 장치에 더 적합함을 의미한다.
비교예 2
표 4에 열거된 각 화합물과 중량%에 따라 비교예 2의 액정 조성물을 제조하고, 이를 액정 디스플레이 장치의 두 개의 기판 사이에 충진시켜 성능테스트를 한다. 테스트 데이터는 다음 표와 같다:
Figure 112019095670214-pat00152
실시예 2
표 5에 열거된 각 화합물 및 중량%에 따라 실시예 2의 액정 조성물을 조제하고, 이를 액정 디스플레이 장치의 두 개의 기판 사이에 충진시켜 성능테스트를 한다. 테스트 데이터는 다음 표와 같다:
Figure 112019095670214-pat00153
비교예 2 및 실시예 2를 비교하면, 본 발명의 액정 조성물은 기본적으로 동일한 투명점, 광학 이방성 및 유전 이방성을 가지는 전제 하에서, 비교적 큰 수직 유전에 대한 유전율 이방성의 비ε⊥/
Figure 112019095670214-pat00154
ε, 비교적 큰 평균 탄성 계수Kave, 비교적 작은 회전 점도γ1, 비교적 큰 VHR(초기) 및 VHR(UV) 및 VHR(고온)(즉 비교적 높은 신뢰성), 및 비교적 좋은 저온 안정성을 가짐을 알 수 있고, 이는 본 발명의 액정 조성물이 높은 콘트라스트, 높은 투과율, 빠른 응답 및 넓은 네마틱상 온도 범위를 요구하는 액정 디스플레이 장치에 더 적합함을 의미한다.
실시예 3
표 6에 열거된 각 화합물과 중량%에 따라 실시예 3의 액정 조성물을 제조하고, 이를 액정 디스플레이 장치의 두 개의 기판 사이에 충진시켜 성능테스트를 한다. 테스트 데이터는 다음 표와 같다:
Figure 112019095670214-pat00155
실시예 4
표 7에 열거된 각 화합물 및 중량%에 따라 실시예 4의 액정 조성물을 조제하고, 이를 액정 디스플레이 장치의 두 개의 기판 사이에 충진시켜 성능테스트를 한다. 테스트 데이터는 다음 표와 같다:
Figure 112019095670214-pat00156
실시예 5
표 8에 열거된 각 화합물 및 중량%에 따라 실시예 5의 액정 조성물을 조제하고, 이를 액정 디스플레이 장치의 두 개의 기판 사이에 충진시켜 성능테스트를 한다. 테스트 데이터는 다음 표와 같다:
Figure 112019095670214-pat00157
실시예 6
표 9에 열거된 각 화합물 및 중량%에 따라 실시예 6의 액정 조성물을 조제하고, 이를 액정 디스플레이 장치의 두 개의 기판 사이에 충진시켜 성능테스트를 한다. 테스트 데이터는 다음 표와 같다:
Figure 112019095670214-pat00158
상기 실시예에서 보다시피, 본 발명의 액정 조성물은 투명점, 광학 이방성, 유전 이방성 및 저온 저장 안정성을 정상 수준으로 유지함과 동시에, 비교적 큰 수직 유전 상수ε⊥, 비교적 큰 수직 유전에 대한 유전율 이방성의 비ε⊥/
Figure 112019095670214-pat00159
ε, 비교적 큰 평균 탄성 계수Kave, 비교적 작은 회전 점도γ1, 더 큰 VHR(개시) 및 VHR(UV) 및 VHR(고온)(즉 비교적 높은 신뢰성), 및 비교적 높은 투과율을 더 가져, 본 발명의 액정 조성물을 포함하는 액정 디스플레이 장치가 비교적 높은 투과율, 비교적 높은 콘트라스트, 비교적 빠른 응답 속도를 가지도록 하며, 이는 특히 능동 매트릭스 박막 트랜지스터(AM-TFT)에 의해 구동되는 액정 디스플레이 소자에 적용된다.
상기 실시방식은 본 발명의 기술 사상 및 특징을 설명하기 위한 것이며, 당업자가 본 발명의 내용을 이해하고 실시하도록 하는 데에 목적이 있으며, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 사상에 따른 실질적으로 동등한 변형이나 수정은 본 발명의 범위 내에 포함되어야 한다.

Claims (13)

  1. 2종 이상의 일반식 I의 화합물
    Figure 112020124352407-pat00236

    1종 이상의 일반식 M의 화합물
    Figure 112020124352407-pat00161

    1종 이상의 일반식 A-1의 화합물
    Figure 112020124352407-pat00162

    을 포함하고,
    여기서,
    R1 및 RA1은 각각 독립적으로 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
    Figure 112020124352407-pat00163
    ,
    Figure 112020124352407-pat00164
    또는
    Figure 112020124352407-pat00165
    를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있으며, 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
    Figure 112020124352407-pat00166
    ,
    Figure 112020124352407-pat00167
    또는
    Figure 112020124352407-pat00168
    중의 1개 이상의 -H는 각각 독립적으로 -F 또는 -Cl로 치환될 수 있으며;
    RM1 및 RM2 는 각각 독립적으로 -H, 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
    Figure 112020124352407-pat00169
    ,
    Figure 112020124352407-pat00170
    또는
    Figure 112020124352407-pat00171
    를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있으며;
    Z1, Z2 및 Z3은 각각 독립적으로 단일 결합, -CH2CH2-, -CF2CF2-, -CO-O-, -O-CO-, -O-CO-O-, -CH＝CH-, -CF＝CF-, -CH2O- 또는 -OCH2-를 나타내고;
    ZA11은 단일 결합, -CH2CH2-, -CF2CF2-, -CO-O-, -O-CO-, -O-CO-O-, -CH＝CH-, -CF＝CF-, -CH2O- 또는 -OCH2-를 나타내며;
    ZM1 및 ZM2는 각각 독립적으로 단일 결합, -CO-O-, -O-CO-, -CH2O-, -OCH2-, -CH＝CH-,-C≡C-, -CH2CH2- 또는 -(CH2)4-를 나타내고;
    L1, L2, L3, L4, LA11, LA12 및 LA13은 각각 독립적으로 -H, 탄소 원자 1개 내지 3개를 포함하는 알킬기 또는 할로겐을 나타내며;
    X 및 XA1은 각각 독립적으로 할로겐, 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 할로알킬기 또는 할로알콕시기, 탄소 원자 2개 내지 5개를 포함하는 할로알케닐기 또는 할로알케닐옥시기를 나타내고;
    고리
    Figure 112020124352407-pat00172
    및 고리
    Figure 112020124352407-pat00173
    는 각각 독립적으로
    Figure 112020124352407-pat00174
    또는
    Figure 112020124352407-pat00175
    를 나타내고, 여기서,
    Figure 112020124352407-pat00176
    중 1개 이상의 -CH2-는 -O-로 치환될 수 있고, 1개 이상의 고리 중 단일 결합은 이중 결합으로 치환될 수 있으며,
    Figure 112020124352407-pat00177
    중의 1개 이상의 -H는 -CN, -F 또는 -Cl로 치환될 수 있고, 1개 이상의 고리 중 -CH=는 -N=로 치환될 수 있으며;
    고리
    Figure 112020124352407-pat00178
    , 고리
    Figure 112020124352407-pat00179
    및 고리
    Figure 112020124352407-pat00180
    는 각각 독립적으로
    Figure 112020124352407-pat00181
    또는
    Figure 112020124352407-pat00182
    를 나타내고， 여기서,
    Figure 112020124352407-pat00183
    중 1개 이상의 -CH2-는 -O-로 치환될 수 있고,
    Figure 112020124352407-pat00184
    중의 1개 이하의 -H는 할로겐으로 치환될 수 있으며;
    고리
    Figure 112020124352407-pat00185
    및 고리
    Figure 112020124352407-pat00186
    는 각각 독립적으로
    Figure 112020124352407-pat00187
    ,
    Figure 112020124352407-pat00188
    ,
    Figure 112020124352407-pat00189
    또는
    Figure 112020124352407-pat00190
    를 나타내고，여기서，
    Figure 112020124352407-pat00191
    ,
    Figure 112020124352407-pat00192
    및
    Figure 112020124352407-pat00193
    중의 1개 이상의 CH2-는 -O-로 치환될 수 있고, 1개 이상의 고리 중의 단일 결합은 이중 결합으로 치환될 수 있으며,
    Figure 112020124352407-pat00194
    및
    Figure 112020124352407-pat00195
    중의 하나 이상의 -H는 -CN, -F 또는 -Cl로 치환될 수 있고, 1개 이상의 고리 중의 -CH=는 -N=로 치환될 수 있으며；
    n1 및 n2는 각각 독립적으로 0, 1 또는 2를 나타내고， 0≤n1+n2≤3이고， n1=2일 경우，고리
    Figure 112020124352407-pat00196
    은 같거나 다를 수 있고 ，Z1은 같거나 다를 수 있으며, n2=2일 경우，고리
    Figure 112020124352407-pat00197
    는 같거나 다를 수 있고, Z2는 같거나 다를 수 있으며；
    nM1 및 nA11은 각각 독립적으로 0, 1, 2 또는 3을 나타내고, nM1=2 또는 3일 경우, 고리
    Figure 112020124352407-pat00198
    는 같거나 다를 수 있고, ZM2는 같거나 다를 수 있으며, nA11=2 또는 3일 경우, 고리
    Figure 112020124352407-pat00199
    은 같거나 다를 수 있고, ZA11 은 같거나 다를 수 있으며; 또한
    nA12는 1 또는 2를 나타내고， nA12=2일 경우 고리
    Figure 112020124352407-pat00200
    는 같거나 다를 수 있으며,
    상기 2종 이상의 일반식 I의 화합물 중 1종 이상의 일반식 I의 화합물은 하기 화합물:
    Figure 112020124352407-pat00237

    로 조성되는 그룹에서 선택되고,
    여기서,
    L1, L2, 및L5는 각각 독립적으로 -H 또는 -F를 나타내고; 또한
    Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 -CH2- 또는 -O-를 나타내는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  2. 제1항에 있어서, n1=0 또는 n2=1일 경우, Z2 및 Z3중 1개 이상은 단일 결합이 아니고; n1=1 또는 n2=0일 경우, Z1 및 Z3 중 1개 이상은 단일 결합이 아닌 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 일반식 I-1 내지 상기 일반식 I-8의 화합물 중, L5는 -H를 나타내는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 일반식 I의 화합물은 상기 액정 조성물의 중량의 0.1~60%를 차지하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 일반식 M의 화합물은 하기 화합물:
    Figure 112020124352407-pat00202

    Figure 112020124352407-pat00203

    로 조성되는 그룹에서 선택되고,
    여기서,
    RM1 및 RM2 는 각각 독립적으로 -H, 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
    Figure 112020124352407-pat00238
    ,
    Figure 112020124352407-pat00239
    또는
    Figure 112020124352407-pat00240
    를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 일반식 M의 화합물은 상기 액정 조성물의 중량의 0.1%~90%를 차지하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 일반식 A-1의 화합물은 하기 화합물:
    Figure 112019095670214-pat00204

    Figure 112019095670214-pat00205

    Figure 112019095670214-pat00206

    로 조성되는 그룹에서 선택되고,
    여기서,
    RA1은 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
    Figure 112019095670214-pat00207
    ,
    Figure 112019095670214-pat00208
    또는
    Figure 112019095670214-pat00209
    를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있으며, 또한 상기 라디칼 중에 존재하는 1개 이상의 -H는 각각 독립적으로 -F 또는 -Cl로 치환될 수 있으며;
    R v 및 Rw 는 각각 독립적으로 -CH2- 또는 -O-를 나타내고；
    LA11, LA12, LA11 ', LA12 ', LA14, LA15 및 LA16 은 각각 독립적으로 -H 또는 -F를 나타내며;
    LA13 및 LA13 '는 각각 독립적으로 -H 또는 -CH3을 나타내고;
    XA1은 -F, -CF3 또는 -OCF3을 나타내며; 또한
    v 및 w는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 일반식 A-1의 화합물은 액정 조성물의 중량의 0.1%~80%를 차지하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 액정 조성물은 1종 이상의 일반식 A-2의 화합물:
    Figure 112019095670214-pat00210

    을 더 포함하고,
    여기서,
    RA2는 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
    Figure 112019095670214-pat00211
    ,
    Figure 112019095670214-pat00212
    또는
    Figure 112019095670214-pat00213
    를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있으며, 또한 상기 탄소 원자 1개 내지 12개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기,
    Figure 112019095670214-pat00214
    ,
    Figure 112019095670214-pat00215
    또는
    Figure 112019095670214-pat00216
    중의 1개 이상의 -H는 각각 독립적으로 -F 또는 -Cl로 치환될 수 있으며;
    ZA21 및 ZA22는 각각 독립적으로 단일 결합, -CH2CH2-, -CF2CF2-, -CO-O-, -O-CO-, -O-CO-O-, -CH＝CH-, -CF＝CF-, -CH2O- 또는 -OCH2-를 나타내고;
    LA21 및 LA22는 각각 독립적으로 -H, 탄소 원자 1개 내지 3개를 포함하는 알킬기 또는 할로겐을 나타내며;
    XA2는 할로겐, 탄소 원자 1개 내지 5개를 포함하는 할로알킬기 또는 할로알콕시기, 탄소 원자 2개 내지 5개를 포함하는 할로알케닐기 또는 할로알케닐옥시기를 나타내며;
    고리
    Figure 112019095670214-pat00217
    및 고리
    Figure 112019095670214-pat00218
    는 각각 독립적으로
    Figure 112019095670214-pat00219
    ,
    Figure 112019095670214-pat00220
    ,
    Figure 112019095670214-pat00221
    또는
    Figure 112019095670214-pat00222
    를 나타내고, 여기서,
    Figure 112019095670214-pat00223
    ,
    Figure 112019095670214-pat00224
    및
    Figure 112019095670214-pat00225
    중의 1개 이하의 -CH2-는 -O- 로 치환될 수 있고, 1개 이상의 고리 중의 단일 결합은 이중 결합으로 치환될 수 있으며
    Figure 112019095670214-pat00226
    및
    Figure 112019095670214-pat00227
    중의 1개 이상의 -H 는 -CN, -F 또는 -Cl로 치환될 수 있으며, 1개 이상의 고리 중의 -CH=는 -N=로 치환될 수 있고；또한
    nA2는 0, 1, 2 또는 3을 나타내고, nA2=1일 경우, ZA21 및 ZA22는 모두 단일 결합을 나타내고, 고리
    Figure 112019095670214-pat00228
    및 고리
    Figure 112019095670214-pat00229
    는 각각 독립적으로
    Figure 112019095670214-pat00230
    을 나타낼 수 있고; nA2=2 또는 3일 경우, 고리
    Figure 112019095670214-pat00231
    는 같거나 다를 수 있고, ZA21은 같거나 다를 수 있는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 상기 일반식 A-2의 화합물은 하기 화합물:
    Figure 112019095670214-pat00232

    Figure 112019095670214-pat00233

    로 조성되는 그룹에서 선택되고,
    여기서,
    R A2는 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기를 나타내고, 상기 탄소 원자 1개 내지 8개를 포함하는 직쇄 또는 측쇄의 알킬기 중의 하나 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -CH＝CH-, -C≡C-, -O-, -CO-, -CO-O- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있으며, 또한 상기 라디칼 중에 존재하는 1개 이상의 -H는 각각 독립적으로 -F 또는 -Cl로 치환될 수 있으며;
    LA21, LA22, LA23, LA24 및 LA25 는 각각 독립적으로 -H 또는 -F를 나타내며; 또한,
    XA2는 -F, -CF3, -OCF3 또는 -CH2CH2CH=CF2를 나타내는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  12. 제10항에 있어서, 상기 일반식 A-2의 화합물은 액정 조성물의 중량의 0.1%~80%를 차지하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  13. 제1항, 제2항 및 제4항 내지 제12항 중 어느 한 항의 상기 액정 조성물을 포함하는 액정 표시 장치.
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