KR102224077B1 - Light emitting device - Google Patents

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KR102224077B1 KR1020140068205A KR20140068205A KR102224077B1 KR 102224077 B1 KR102224077 B1 KR 102224077B1 KR 1020140068205 A KR1020140068205 A KR 1020140068205A KR 20140068205 A KR20140068205 A KR 20140068205A KR 102224077 B1 KR102224077 B1 KR 102224077B1
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Abstract

실시예에 따른 발광소자는 몸체; 상기 몸체 상에 발광 칩; 상기 발광 칩의 측면에 배치되어 상기 발광 칩이 상기 몸체에 지지되도록 하는 접착물질; 상기 몸체에 결합되어 상기 발광 칩과 전기적으로 연결되는 제1,2리드 프레임; 및 상기 발광 칩 상에 형광체를 포함하는 몰딩부재를 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a body; A light emitting chip on the body; An adhesive material disposed on a side surface of the light emitting chip to support the light emitting chip on the body; First and second lead frames coupled to the body and electrically connected to the light emitting chip; And a molding member including a phosphor on the light emitting chip.

Description

발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}Light emitting device{LIGHT EMITTING DEVICE}

실시예는 발광소자에 관한 것이다. 상기 발광소자는 조명 시스템에 포함될 수 있다.The embodiment relates to a light emitting device. The light emitting device may be included in a lighting system.

발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환시키는 특성을 가진 소자로서, LED는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device is a device having a characteristic of converting electrical energy into light energy, and LEDs can implement various colors by adjusting the composition ratio of a compound semiconductor.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are attracting great interest in the development of optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, a blue light emitting device, a green light emitting device, and an ultraviolet (UV) light emitting device using a nitride semiconductor have been commercialized and widely used.

백색광을 방출하는 LED는 형광체를 도포하여 형광체로부터 발광하는 2차 광원을 이용하는 방법으로서, 청색 LED에 황색을 내는 YAG:Ce 형광체를 도포하여 백색광을 얻는 방식이 일반적이다. LED emitting white light is a method of using a secondary light source that emits light from a phosphor by applying a phosphor, and a method of obtaining white light by applying a yellow YAG:Ce phosphor to a blue LED is common.

그러나, 상기 방법은 2차광을 이용하면서 발생하는 양자결손(quantum deficits) 및 재방사 효율에 기인한 효율감소가 수반되고, 색 렌더링(Color rendering)이 용이하지 않다는 단점이 있다. However, the method has a disadvantage in that it is accompanied by a reduction in efficiency due to quantum deficits and re-emission efficiency generated while using secondary light, and color rendering is not easy.

따라서, 최근 다양한 형광체를 이용한 LED가 사용화되고 있으며, 광 효율을 향상시키기 위한 연구가 진행되고 있다.Accordingly, recently, LEDs using various phosphors have been used, and research is being conducted to improve light efficiency.

실시예는 광 효율이 향상된 발광소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device with improved light efficiency.

실시예는 발광 칩의 부착력이 향상된 발광소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having improved adhesion of a light emitting chip.

실시예에 따른 발광소자는 몸체; 상기 몸체 상에 발광 칩; 상기 발광 칩의 측면에 배치되어 상기 발광 칩이 상기 몸체에 지지되도록 하는 접착물질; 상기 몸체에 결합되어 상기 발광 칩과 전기적으로 연결되는 제1리드 프레임 및 제2리드 프레임; 및 상기 발광 칩 상에 형광체를 포함하는 몰딩부재를 포함하고, 상기 발광 칩은 투명기판과, 상기 투명기판 상에 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층을 포함하며, 상기 접착물질의 굴절률은 상기 투명기판의 굴절률보다 작거나 같고, 상기 몰딩부재의 굴절률보다 크거나 같은 물질을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a body; A light emitting chip on the body; An adhesive material disposed on a side surface of the light emitting chip to support the light emitting chip on the body; A first lead frame and a second lead frame coupled to the body and electrically connected to the light emitting chip; And a molding member including a phosphor on the light emitting chip, wherein the light emitting chip includes a transparent substrate and a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer on the transparent substrate, and the adhesion The refractive index of the material is less than or equal to the refractive index of the transparent substrate, and may include a material that is greater than or equal to the refractive index of the molding member.

실시예에 의하면 광 효율이 향상된 발광소자를 제공할 수 있다.According to the embodiment, a light emitting device having improved light efficiency can be provided.

실시예에 의하면 발광 칩의 부착력이 향상된 발광소자를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device having improved adhesion of a light emitting chip.

도 1은 제1실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 2는 제2실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 3은 실시예들에서 사용될 수 있는 발광 칩을 예시한 도면.
도 4는 실시예들에 따른 발광소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도.
도 5는 실시예들에 따른 발광소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도.
도 6은 실시예들에 따른 발광소자를 갖는 조명장치를 나타낸 분해 사시도.
1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment.
2 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment.
3 is a diagram illustrating a light emitting chip that can be used in embodiments.
4 is a perspective view illustrating a display device having light emitting devices according to exemplary embodiments.
5 is a perspective view illustrating a display device having light emitting devices according to exemplary embodiments.
6 is an exploded perspective view showing a lighting device having a light emitting device according to embodiments.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is "on/over" or "under" of the substrate, each layer (film), region, pad, or patterns. In the case of being described as being formed in, "on/over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed do. In addition, the criteria for the top/top or bottom of each layer will be described based on the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not fully reflect the actual size.

도 1은 제1실시예에 따른 발광 소자를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to a first embodiment.

도 1을 참조하면, 발광소자(10)는 몸체(11), 제1 및 제2리드 프레임(21,23), 투명기판(311)을 포함하는 발광 칩(300), 접착물질(28) 및 형광체(31,32,33)를 갖는 제1몰딩부재(41)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the light emitting device 10 includes a body 11, first and second lead frames 21 and 23, a light emitting chip 300 including a transparent substrate 311, an adhesive material 28, and And a first molding member 41 having phosphors 31, 32, and 33.

상기 몸체(11)는 상기 발광 칩(300)에 의해 방출된 파장의 광에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(11)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물이 첨가되어 형성될 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함하며, 상기 몸체(11) 내에 3wt% 이상의 비율로 첨가될 수 있다. 상기 몸체(11)는 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 몸체(11) 내에 첨가된 금속 산화물의 함량이 3wt% 이하인 경우, 반사 효율이 저하될 수 있으며, 이러한 반사 효율이 저하되면 광 지향각 분포가 달라질 수 있다. The body 11 may be formed of a material having a reflectance higher than transmittance, for example, a material having a reflectance of 70% or more for light having a wavelength emitted by the light emitting chip 300. When the body 11 has a reflectance of 70% or more, it may be defined as a non-transmissive material. The body 11 may be formed of a resin-based insulating material, for example, a resin material such as polyphthalamide (PPA). The body 11 may be formed by adding a metal oxide to a resin material such as epoxy or silicon, and the metal oxide includes at least one of TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , and the body 11 It may be added in an amount of 3wt% or more. The body 11 may effectively reflect incident light. Here, when the content of the metal oxide added in the body 11 is 3wt% or less, the reflection efficiency may decrease, and when the reflection efficiency decreases, the light directivity distribution may change.

상기 몸체(11)는 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하며, 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 또한 상기 몸체(11) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 적어도 어느 하나가 선택적으로 첨가될 수 있다. 상기 몸체(11)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 11 includes a silicone-based, epoxy-based, or plastic material, and may be formed of a thermosetting resin, or a high heat resistance, high light resistance material. In addition, at least one of an acid anhydride, an antioxidant, a release material, a light reflecting material, an inorganic filler, a curing catalyst, a light stabilizer, a lubricant, and titanium dioxide may be selectively added to the body 11. The body 11 may be molded by at least one selected from the group consisting of an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, a modified silicone resin, an acrylic resin, and a urethane resin. For example, an epoxy resin composed of triglycidyl isocyanurate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, etc., and an acid composed of hexahydro phthalic anhydride, 3-methylhexahydro phthalic anhydride 4-methylhexahydro phthalic anhydride, etc. Anhydride was added DBU (1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7) as a curing accelerator to the epoxy resin, ethylene glycol, titanium oxide pigment, and glass fiber as a cocatalyst, and partially by heating. A solid epoxy resin composition obtained by curing reaction and forming a B stage may be used, but the present invention is not limited thereto.

또한 상기 몸체(11) 내에 차광성 물질 또는 확산제를 혼합하여 투과하는 광을 저감시켜 줄 수 있다. 또한 상기 몸체(11)는 소정의 기능을 갖게 하기 위해서, 열 경화성수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.In addition, a light-shielding material or a diffusing agent may be mixed in the body 11 to reduce transmitted light. In addition, in order for the body 11 to have a predetermined function, at least one selected from the group consisting of a diffusing agent, a pigment, a fluorescent material, a reflective material, a light-shielding material, a light stabilizer, and a lubricant is properly mixed with a thermosetting resin. You may do it.

상기 몸체(11)는 상기 몸체(11)의 상면으로부터 소정 깊이로 리세스되거나 오픈된 캐비티(15)를 포함한다. 상기 캐비티(15)는 오목한 컵 구조, 오픈 구조, 또는 리세스 구조와 같은 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 11 includes a cavity 15 recessed or opened to a predetermined depth from the upper surface of the body 11. The cavity 15 may be formed in a shape such as a concave cup structure, an open structure, or a recess structure, but is not limited thereto.

상기 몸체(11)에는 제1 및 제2리드 프레임(21,23)이 결합되며, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,23)은 상기 캐비티(15)의 바닥에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1리드 프레임(21) 및 상기 제2리드 프레임(23)의 하부는 상기 몸체(11)의 하부로 노출되거나, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,23)의 일부가 절곡될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(21) 및 제2리드 프레임(23)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(21,23)의 두께는 0.15mm 이상 예컨대, 0.18mm 이상으로 형성될 수 있다.First and second lead frames 21 and 23 are coupled to the body 11, and the first and second lead frames 21 and 23 may be disposed on the bottom of the cavity 15, thereby It is not limited to. The lower portions of the first and second lead frames 21 and 23 may be exposed to the lower portion of the body 11, or portions of the first and second lead frames 21 and 23 may be bent. have. The first lead frame 21 and the second lead frame 23 are made of metal, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), and tantalum. It may contain at least one of nium (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P), and may be formed as a single layer or multiple layers. The first and second lead frames 21 and 23 may have a thickness of 0.15 mm or more, for example, 0.18 mm or more.

상기 제1 및 제2리드 프레임(21,23)의 다른 예로서, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,23) 중 적어도 하나는 오목한 컵 형상의 구조로 형성되거나, 절곡된 구조를 갖거나, 몸체(11)와의 결합을 위해 리세스된 홈 또는 구멍을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As another example of the first and second lead frames 21 and 23, at least one of the first and second lead frames 21 and 23 is formed in a concave cup-shaped structure, or has a bent structure, , It may include a recessed groove or hole for coupling with the body 11, but is not limited thereto.

상기 제1리드 프레임(21) 위에는 발광 칩(300)이 배치되며, 상기 발광 칩(300)은 접착물질(28)에 의해 상기 제1리드 프레임(21) 상에 접착된다. 상기 발광 칩(300)은 상기 몸체(11) 상에 배치되며, 상기 발광 칩(300)은 상기 접착물질(28)에 의해 상기 몸체(11)에 접착될 수도 있다. 즉, 상기 발광 칩(300)은 상기 몸체(11) 상에 배치되어 지지되며, 상기 접착물질(28)에 의해 상기 몸체(11)에 고정된다. 상기 접착물질(28)은 상기 발광 칩(300)의 둘레를 감싸면서 형성되므로 접착면적이 크기 때문에, 상기 발광 칩(300)의 부착력이 향상될 수 있다.A light emitting chip 300 is disposed on the first lead frame 21, and the light emitting chip 300 is adhered to the first lead frame 21 by an adhesive material 28. The light emitting chip 300 is disposed on the body 11, and the light emitting chip 300 may be adhered to the body 11 by the adhesive material 28. That is, the light emitting chip 300 is disposed and supported on the body 11 and is fixed to the body 11 by the adhesive material 28. Since the adhesive material 28 is formed while surrounding the circumference of the light emitting chip 300, the adhesion area is large, so that the adhesion of the light emitting chip 300 may be improved.

상기 발광 칩(300)은 투명기판(311)을 포함하며, 상기 투명기판(311)은 가시광 영역에서 1.75~1.8의 굴절률을 가진 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 투명기판(311)은 사파이어 기판으로 형성될 수 있으며, 상기 발광 칩(300)은 상기 투명기판(311) 상에서 성장되거나 혹은 상기 투명기판(311) 상에 부착될 수도 있다.The light emitting chip 300 includes a transparent substrate 311, and the transparent substrate 311 may be formed of a material having a refractive index of 1.75 to 1.8 in a visible light region. For example, the transparent substrate 311 may be formed of a sapphire substrate, and the light emitting chip 300 may be grown on the transparent substrate 311 or attached to the transparent substrate 311.

상기 접착물질(28)은 상기 투명기판(311)의 측면에 배치되어 상기 발광 칩(300)이 상기 제1리드 프레임(21) 또는 상기 몸체(11)에 접착될 수 있도록 한다. 상기 접착물질(28)은 상기 발광 칩(300)의 제1도전형 반도체층의 측면에도 배치될 수도 있다. 또한, 상기 접착물질(28)은 상기 투명기판(311)의 하부와 상기 제1리드 프레임(21) 사이에도 배치될 수도 있다.The adhesive material 28 is disposed on the side surface of the transparent substrate 311 to allow the light emitting chip 300 to be adhered to the first lead frame 21 or the body 11. The adhesive material 28 may also be disposed on a side surface of the first conductive type semiconductor layer of the light emitting chip 300. In addition, the adhesive material 28 may also be disposed between the lower portion of the transparent substrate 311 and the first lead frame 21.

상기 접착물질(28)은 상기 발광 칩(300)이 상기 제1리드 프레임(21) 또는 몸체(11)에 고정될 수 있도록 하는 기능을 함과 동시에 상기 발광 칩(300)에서 발생된 광이 효과적으로 추출될 수 있도록 한다.The adhesive material 28 functions to fix the light emitting chip 300 to the first lead frame 21 or the body 11, and at the same time, the light generated from the light emitting chip 300 is effectively Let it be extracted.

상기 접착물질(28)의 굴절률은 상기 투명기판(311)의 굴절률보다 작거나 같고, 상기 제1몰딩부재(41)의 굴절률보다 크거나 같은 물질로 형성될 수 있다. The refractive index of the adhesive material 28 may be less than or equal to the refractive index of the transparent substrate 311 and may be formed of a material that is greater than or equal to the refractive index of the first molding member 41.

예를 들어, 상기 제1몰딩부재(41)의 굴절률은 1.4~1.55, 접착물질(28)의 굴절률은 1.4~1.8, 상기 투명기판(311)의 굴절률은 1.75~1.8로 형성될 수 있다.For example, the refractive index of the first molding member 41 may be 1.4 to 1.55, the refractive index of the adhesive material 28 may be 1.4 to 1.8, and the refractive index of the transparent substrate 311 may be 1.75 to 1.8.

상기 접착물질(28)의 광 투과도는 80% 이상이며, 예를 들어 90% 이상이 될 수도 있다.The light transmittance of the adhesive material 28 is 80% or more, and may be, for example, 90% or more.

따라서, 상기 발광 칩(300)에서 발생된 광 중 하측방향, 즉 제1리드 프레임(21)이 배치된 방향으로 진행하는 광은 상기 투명기판(311)과 접착물질(28)을 통해 상기 제1몰딩부재(41)로 효과적으로 방출될 수 있어 광 효율이 증가될 수 있다.Accordingly, light traveling in a downward direction, that is, in the direction in which the first lead frame 21 is disposed, among the light generated from the light emitting chip 300 is transmitted through the transparent substrate 311 and the adhesive material 28. Since it can be effectively discharged to the molding member 41, light efficiency can be increased.

상기 발광 칩(300)은 제1 및 제2리드 프레임(21,23) 중 적어도 하나의 연결 부재(27)로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 연결 부재(27)는 전도성 재질 예컨대, 금속 재질의 와이어를 포함한다.The light emitting chip 300 may be connected to at least one of the first and second lead frames 21 and 23, but is not limited thereto. The connection member 27 includes a wire made of a conductive material, for example, a metal material.

상기 발광 칩(300)은 가시광선의 파장 범위 중에서 400nm 내지 600nm 범위의 피크 파장을 발광하게 된다. 예를 들어, 상기 발광 칩(300)은 청색 피크 파장을 발광할 수 있다. The light emitting chip 300 emits a peak wavelength in the range of 400 nm to 600 nm in the wavelength range of visible light. For example, the light emitting chip 300 may emit a blue peak wavelength.

상기 캐비티(15)에는 상기 제1몰딩부재(41)가 채워지며, 상기 제1몰딩부재(41)는 형광체(31,32,33)를 포함한다. 상기 형광체(31,32,33)는 하나의 종류로만 형성될 수도 있으며, 다양한 종류로 형성될 수도 있다. 다만, 실시예에서는 3종류의 형광체(31,32,33)가 예시되어 있다.The cavity 15 is filled with the first molding member 41, and the first molding member 41 includes phosphors 31, 32, and 33. The phosphors 31, 32, and 33 may be formed of only one type, or may be formed of various types. However, in the embodiment, three types of phosphors 31, 32, and 33 are illustrated.

상기 형광체(31,32,33)는 상기 제1몰딩부재(41) 내에 5wt% 이상 예컨대, 9wt% 이상으로 첨가될 수 있다. 상기 형광체(31,32,33)는 상기 제1몰딩부재(41) 내에 8wt% 내지 25wt% 범위로 첨가될 수 있다.The phosphors 31, 32, and 33 may be added in an amount of 5 wt% or more, for example, 9 wt% or more, in the first molding member 41. The phosphors 31, 32, and 33 may be added in the range of 8wt% to 25wt% in the first molding member 41.

상기 형광체(31,32,33)는 제1피크 파장을 발광하는 제1형광체(31), 제2피크 파장을 발광하는 제2형광체(32) 및 제3피크 파장을 발광하는 제3형광체(33)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1형광체(31)는 녹색 형광체이며, 상기 제2형광체(32)는 황색 형광체이며, 상기 제3형광체(33)는 적색 형광체를 포함한다. 상기 제1 내지 제3형광체(31,32,33)는 서로 다른 피크 파장을 발광하는 형광체 예컨대, 질화물 형광체를 포함한다.The phosphors (31, 32, 33) include a first phosphor (31) emitting a first peak wavelength, a second phosphor (32) emitting a second peak wavelength, and a third phosphor (33) emitting a third peak wavelength. ) Can be included. For example, the first phosphor 31 is a green phosphor, the second phosphor 32 is a yellow phosphor, and the third phosphor 33 includes a red phosphor. The first to third phosphors 31, 32, and 33 include phosphors emitting different peak wavelengths, for example, nitride phosphors.

상기 제1형광체(31)는 녹색 형광체이며, N을 포함하고, La, Si, Ba, Al, Ca, Sr로 이루어진 군에서 적어도 2개의 원소를 포함하며, 이러한 조성물을 형광체 모체로서 이용하면, 예를 들면 예를 들면, Eu2 + 이온을 발광 중심으로 하여 첨가한 경우, 형광체 조성물은 자외, 근자외, 자색, 청색 광으로 여기하고, 녹색계의 발광을 발하는 형광체가 된다. 상기 제1형광체(31)은 예컨대, La3Si6N11:Ce3 +를 포함할 수 있으며, 다른 예로서 BaSiN2:Eu2 +, Sr1 .5Al3Si9N16:Eu2 +, Ca1 .5A13Si9N16:Eu2 +, CaSiA12O3N2:Eu2 +, SrSiA12O3N2:Eu2+, CaSi2O2N2:Eu2 +, SrSi2O2N2:Eu2 +, BaSi2O2N2:Eu2 +, Sr2Si5N8:Ce3 +, Ca1.5Al3Si9N16:Ce3+ 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first phosphor 31 is a green phosphor, contains N, and contains at least two elements from the group consisting of La, Si, Ba, Al, Ca, and Sr. For example, when Eu 2 + ions are added as the center of light emission, the phosphor composition becomes a phosphor that excites with ultraviolet, near ultraviolet, purple, and blue light, and emits green light. The first phosphor 31 is, for example, La 3 Si 6 N 11: Ce 3 + may include, as another example BaSiN 2: Eu 2 +, Sr 1 .5 Al 3 Si 9 N 16: Eu 2 + , Ca 1 .5 A1 3 Si 9 N 16: Eu 2 +, CaSiA1 2 O 3 N 2: Eu 2 +, SrSiA1 2 O 3 N 2: Eu 2+, CaSi 2 O 2 N 2: Eu 2 +, SrSi 2 O 2 N 2 :Eu 2 + , BaSi 2 O 2 N 2 :Eu 2 + , Sr 2 Si 5 N 8 :Ce 3 + , Ca 1.5 Al 3 Si 9 N 16 :Ce 3+ It may contain at least one have.

상기 제2형광체(32)는 황색 형광체이며, N을 포함하고, Mg, Ca, Sr, Ba, 및 Zn으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 2개의 원소를 포함하며, 이러한 조성물을 형광체 모체로서 이용하면, 예를 들면, Eu2 + 이온을 발광 중심으로 하여 첨가한 경우, 형광체 조성물은 자외, 근자외, 자색, 청색 광으로 여기하고, 황색의 난색계의 발광을 발하는 형광체가 된다. 상기 제2형광체의 예로서, (Sr,Ba)1Si2O2N2 :Eu2 +를 포함할 수 있으며, 다른 예로서, (SrXCa1 -X)2Si5N8:Eu2 +, Sr2Si5N8:Eu2 +, Ca2Si5N8:Eu2 +, SrXCa1 - XSi7N10:Eu2 +, SrSi7N10:Eu2 +, CaSi7N10:Eu2+, Ca1 .5A13Si9N16:Eu2 +, CaSiA12O3N2:Eu2 +로 표현되는 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second phosphor 32 is a yellow phosphor, includes N, and includes at least two elements selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, Ba, and Zn, and using such a composition as a phosphor matrix, For example, when Eu 2 + ions are added as the center of light emission, the phosphor composition becomes a phosphor that excites with ultraviolet, near ultraviolet, purple, and blue light, and emits light in a warm yellow color system. As an example of the second phosphor, (Sr,Ba) 1 Si 2 O 2 N 2 : Eu 2 + may be included, and as another example, (Sr X Ca 1 -X ) 2 Si 5 N 8 :Eu 2 + , Sr 2 Si 5 N 8 :Eu 2 + , Ca 2 Si 5 N 8 :Eu 2 + , Sr X Ca 1 - X Si 7 N 10 :Eu 2 + , SrSi 7 N 10 :Eu 2 + , CaSi 7 N 10: Eu 2+, Ca 1 .5 a 13 Si 9 N 16: Eu 2 +, CaSiA 12 O 3 N 2: may comprise at least one of a phosphor represented by Eu + 2.

상기 제3형광체(33)는 적색 형광체로서, N을 포함하고, 또한 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, 및 Zn 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와, C, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, 및 Hf 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하며, 희토류 원소 중에서 선택된 적어도 하나의 원소로 활성화된 질화물계 형광체 특히 SrAlSiN3 또는 CaAlSiN3의 조성식 또는 화학식으로 나타내는 것이 바람직하다. 예를 들면, (Sr, Ca)AlSiN3, (Sr, Mg)AlSiN3, (Ca, Mg)AlSiN3, (Sr, Ca, Ba)AlSiN3 등, 알칼리 토류금속 원소를 복수개 갖는 조성물 이어도 된다. 또한, 상기 조성식 중의 O(산소)는, 형광체 조성물의 제조 중에 들어가는 불순 원소이다. 상기 제3형광체는 예컨대, (Sr,Ca)AlSiN3 : Eu2 +를 포함할 수 있으며, 다른 예로서 Sr2Si5N8:EU2 +, SrSiN2:EU2 +, SrAlSiN3:Eu2 +, CaAlSiN3:EU2 +, Sr2Si4AlON7:Eu2 + 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The third phosphor 33 is a red phosphor, including N, and at least one element selected from Be, Mg, Ca, Sr, Ba, and Zn, C, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, And at least one element selected from Hf, and a nitride-based phosphor activated with at least one element selected from rare earth elements, particularly SrAlSiN 3 or CaAlSiN 3 It is preferably represented by a composition formula or a chemical formula. For example, (Sr, Ca) AlSiN 3 , (Sr, Mg) AlSiN 3 , (Ca, Mg) AlSiN 3 , (Sr, Ca, Ba) AlSiN 3 It may be a composition having a plurality of alkaline earth metal elements. In addition, O (oxygen) in the above compositional formula is an impurity element that enters during manufacture of the phosphor composition. The third phosphor may include, for example, (Sr,Ca)AlSiN 3 : Eu 2 + , and as another example, Sr 2 Si 5 N 8 :EU 2 + , SrSiN 2 :EU 2 + , SrAlSiN 3 :Eu 2 + , CaAlSiN 3 :EU 2 + , Sr 2 Si 4 AlON 7 :Eu 2 + It may include at least one of.

상기 제1 내지 제3형광체(31,32,33)에서의 활성제는 Eu2+이거나, 각종 희토류 이온이나 전이금속 이온에서 선택되는 금속 이온을 필요에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, Ce3 +, Pr3 +, Nd3+, Sm3 +, EU3 +, Gd3 +, Tb3 +, Dy3 +, Ho3 +, Er3 +, Tm3 +, Yb3 + 등의 3가 희토류금속 이온, Sm2 +, Eu2 +, Yb2 + 등의 2가 희토류금속 이온, Mn2+ 등의 2가 전이금속이온, Cr3 +이나 Fe3 + 등의 3가 전이금속이온, Mn4 + 등의 4가 전이금속이온 등이다.Active agent in the first to third fluorescent material (31,32,33) is or Eu2 +, and can be appropriately selected according to the needs of various rare-earth ions or transition metal ion is selected from metal ions, for example, Ce + 3, Trivalent rare earth metal ions such as Pr 3 + , Nd 3+ , Sm 3 + , EU 3 + , Gd 3 + , Tb 3 + , Dy 3 + , Ho 3 + , Er 3 + , Tm 3 + and Yb 3 + , Sm 2 + , Eu 2 + , and divalent rare earth metal ions such as Yb 2 + , divalent transition metal ions such as Mn 2+ , trivalent transition metal ions such as Cr 3 + or Fe 3 + , Mn 4 +, etc. And tetravalent transition metal ions of.

도 2는 제2실시예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다. 도 2를 설명함에 있어서, 도 1과 동일한 부분은 도 1의 설명을 참조하기로 한다.2 is a view showing a light emitting device according to a second embodiment. In describing FIG. 2, the same portions as in FIG. 1 will be referred to the description of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 상기 캐비티(15) 내에는 제1몰딩부재(41)와 제2몰딩부재(40)가 채워지며, 상기 제2몰딩부재(40)는 제1몰딩부재(41)와 마찬가지로 실리콘이나 에폭시와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 제2몰딩부재(40)의 굴절률은 상기 제1몰딩부재(41)의 굴절률보다 크거나 같게 형성될 수 있다. 이 경우 상기 제2몰딩부재(40)로부터 제1몰딩부재(41)로 광이 효과적으로 추출될 수 있다.2, a first molding member 41 and a second molding member 40 are filled in the cavity 15, and the second molding member 40 is similar to the first molding member 41. It may be formed of a resin material such as silicone or epoxy. The refractive index of the second molding member 40 may be greater than or equal to the refractive index of the first molding member 41. In this case, light may be effectively extracted from the second molding member 40 to the first molding member 41.

도 2에서는 상기 제1몰딩부재(40)에만 형광체(31,32,33)가 형성된 것이 예시되어 있으나, 상기 형광체(31,32,33)는 상기 제2몰딩부재(40)에도 분포될 수 있다.2 illustrates that phosphors 31, 32, and 33 are formed only in the first molding member 40, but the phosphors 31, 32, and 33 may also be distributed in the second molding member 40. .

도 3은 실시예들에 따른 발광소자(10)에서 사용될 수 있는 발광 칩(300)을 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating a light emitting chip 300 that can be used in the light emitting device 10 according to embodiments.

실시예에 따른 발광 칩(300)은 투명기판(311), 버퍼층(312), 발광 구조물(310), 제1전극(316) 및 제2전극(317)을 포함한다. 상기 투명기판(311)은 투광성 재질의 절연성 기판을 포함한다.The light emitting chip 300 according to the embodiment includes a transparent substrate 311, a buffer layer 312, a light emitting structure 310, a first electrode 316 and a second electrode 317. The transparent substrate 311 includes an insulating substrate made of a translucent material.

상기 버퍼층(312)은 투명기판(311)과 상기 발광 구조물(310)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(312)과 상기 발광 구조물(310)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. The buffer layer 312 reduces a difference in lattice constant between the transparent substrate 311 and the material of the light emitting structure 310, and may be formed of a nitride semiconductor. A nitride semiconductor layer not doped with a dopant may be further formed between the buffer layer 312 and the light emitting structure 310 to improve crystal quality.

상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)를 포함한다. The light emitting structure 310 includes a first conductive type semiconductor layer 313, an active layer 314, and a second conductive type semiconductor layer 315.

상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. The first conductive type semiconductor layer 313 is implemented as a group III-V compound semiconductor doped with a first conductive type dopant, and the first conductive type semiconductor layer 313 is In x Al y Ga 1 -x- and a composition formula of y N (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1). The first conductive semiconductor layer 313 is a stacked structure of layers including at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. It may include. The first conductive semiconductor layer 313 is an n-type semiconductor layer, and the first conductive dopant is an n-type dopant and includes Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 활성층(314) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(314)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first cladding layer may be formed between the first conductive semiconductor layer 313 and the active layer 314. The first cladding layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and a band gap thereof may be formed to be greater than or equal to the band gap of the active layer 314. This first cladding layer is formed in a first conductive type and serves to confine a carrier.

상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The active layer 314 is disposed on the first conductive semiconductor layer 313 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. do. The active layer 314 includes a cycle of a well layer and a barrier layer. The well layer includes a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), and the barrier layer is In x Al y A composition formula of Ga 1-xy N (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1) may be included. The cycle of the well layer/barrier layer may be formed in one or more cycles using a stacked structure of, for example, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN. The barrier layer may be formed of a semiconductor material having a band gap higher than that of the well layer.

상기 활성층(314) 위에는 제2도전형 반도체층(315)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. A second conductive semiconductor layer 315 is formed on the active layer 314. The second conductivity type semiconductor layer 315 is a semiconductor doped with a second conductivity type dopant, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+) The composition formula of y≤1) is included. The second conductive semiconductor layer 315 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. The second conductive type semiconductor layer 315 is a p-type semiconductor layer, and the second conductive type dopant is a p-type dopant, and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 315 may include a superlattice structure, and the superlattice structure may include an InGaN/GaN superlattice structure or an AlGaN/GaN superlattice structure. The superlattice structure of the second conductive type semiconductor layer 315 may irregularly diffuse a current included in a voltage to protect the active layer 314.

또한 상기 발광 구조물(310)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(313)은 P형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다. In addition, the conductive type of the light emitting structure 310 may be reversely disposed. For example, the first conductive type semiconductor layer 313 is a P type semiconductor layer, and the second conductive type semiconductor layer 315 is disposed as an n type semiconductor layer. can do. A first conductive type semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type may be further disposed on the second conductive type semiconductor layer 315.

상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 '-'은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(310)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(315)으로 설명하기로 한다.The light emitting structure 310 may be implemented in any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. Here, p is a p-type semiconductor layer, n is an n-type semiconductor layer, and'-' includes a structure in which the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are in direct contact or indirect contact. Hereinafter, for convenience of description, the uppermost layer of the light emitting structure 310 will be described as a second conductive semiconductor layer 315.

상기 제1도전형 반도체층(313) 상에는 제1전극(316)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(315) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2전극(317)을 포함한다.
A first electrode 316 is disposed on the first conductive type semiconductor layer 313, and a second electrode 317 having a current diffusion layer is disposed on the second conductive type semiconductor layer 315.

<조명 시스템><Lighting system>

실시예에 따른 발광 소자(10) 또는 발광 칩(300)은 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 4 및 도 5에 도시된 표시 장치, 도 6에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device 10 or the light emitting chip 300 according to the embodiment may be applied to a lighting system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light-emitting elements are arrayed, and includes the display device shown in FIGS. 4 and 5, and the lighting device shown in FIG. 6, and may include a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, an electric sign, etc. have.

도 4는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다. 4 is an exploded perspective view of a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.

도 4를 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 4, a display device 1000 according to an exemplary embodiment includes a light guide plate 1041, a light source module 1031 providing light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), an optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light source module 1031, and a reflective member 1022. The bottom cover 1011 may be included, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, an acrylic resin series such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may contain one of the resins.

상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다. 상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자(200)를 포함하며, 상기 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The light source module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device. The light source module 1031 includes at least one, and may directly or indirectly provide light from one side of the light guide plate 1041. The light source module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device 200 according to the disclosed embodiment, and the light emitting devices 1035 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals.

상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB), and the like, but is not limited thereto. When the light emitting device 200 is mounted on a side surface of the bottom cover 1011 or on a heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat dissipation plate may contact the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 복수의 발광 소자(200)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(200)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light emitting devices 200 may be mounted on the substrate 1033 such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but the embodiment is not limited thereto. The light-emitting device 200 may directly or indirectly provide light to a light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and directs it upward, thereby improving the luminance of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light source module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a receiving portion 1012 having a box shape with an open top surface, but the embodiment is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but the embodiment is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes first and second substrates made of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, and the structure of the polarizing plate is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 can be applied to various portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041, and includes at least one translucent sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, the horizontal or/and vertical prism sheet condenses incident light to a display area, and the brightness enhancement sheet reuses lost light to improve luminance. In addition, a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the embodiment is not limited thereto.

여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, as an optical member on the light path of the light source module 1031, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included, but the embodiment is not limited thereto.

도 5는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 5 is a diagram illustrating a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.

도 5를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(200)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 5, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the above-described light emitting devices 200 are arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(200)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(200)를 포함한다.The substrate 1120 and the light emitting device 200 may be defined as a light source module 1160. The bottom cover 1152, at least one light source module 1160, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150. The bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but the embodiment is not limited thereto. The light source module 1160 includes a substrate 1120 and a plurality of light emitting devices 200 arranged on the substrate 1120.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a poly methyl methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area, and the brightness enhancement sheet reuses lost light to improve brightness.

상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light source module 1160 and performs a surface light source, diffusion, or condensation of light emitted from the light source module 1060.

도 6은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.6 is an exploded perspective view of a lighting device having a light emitting device according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the lighting device according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a radiator 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. I can. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include one or more of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device according to the embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합되고, 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape with a hollow and an open portion. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200 and may be coupled to the radiator 2400. The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the radiator 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 확산재를 갖는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 이러한 유백색 재료를 이용하여 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛을 산란 및 확산되어 외부로 방출시킬 수 있다. The inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky white paint having a diffusion material. Using such a milky white material, light from the light source module 2200 may be scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent or opaque so that the light source module 2200 can be seen from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광 소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the radiator 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the radiator 2400. The light source module 2200 may include a light emitting element 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 조명소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 조명소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on an upper surface of the radiator 2400 and has guide grooves 2310 into which a plurality of lighting elements 2210 and a connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the board and connector 2250 of the lighting device 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light reflected on the inner surface of the cover 2100 and returned toward the light source module 2200 toward the cover 2100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the radiator 2400. The radiator 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to radiate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating part 2710 of the inner case 2700. Accordingly, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 may have a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in the storage groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply part 2600 may include a protrusion 2610, a guide part 2630, a base 2650, and an extension part 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(Electrostatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500. A number of components may be disposed on one surface of the base 2650. The plurality of components may include, for example, a direct current converter, a driving chip that controls driving of the light source module 2200, an electrostatic discharge (ESD) protection element for protecting the light source module 2200, and the like. It is not limited to.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)는 전선을 통해 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension part 2670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection part 2750 of the inner case 2700. The extension part 2670 may be electrically connected to the socket 2800 through an electric wire.

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding portion is a portion in which the molding liquid is solidified, and allows the power supply unit 2600 to be fixed inside the inner case 2700.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments have been described above, these are only examples and are not intended to limit the embodiments, and those of ordinary skill in the field to which the embodiments belong to, without departing from the essential characteristics of the present embodiment, various not illustrated above. It will be seen that branch transformation and application are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set in the appended claims.

10: 발광 소자 11: 몸체
15: 캐비티 21: 제1리드 프레임
23: 제2리드 프레임 300: 발광 칩
40: 제1몰딩부재 41: 제2몰딩부재
10: light-emitting element 11: body
15: cavity 21: first lead frame
23: second lead frame 300: light emitting chip
40: first molding member 41: second molding member

Claims (8)

상하부가 오픈된 캐비티를 몸체;
상기 캐비티의 바닥에 배치되며 상기 몸체와 결합하는 제1 및 제2리드 프레임;
상기 몸체의 캐비티 내에 배치되며 상기 제1리드 프레임 상에 배치되는 발광 칩;
상기 발광 칩과 상기 제1리드 프레임을 연결하는 제1연결 부재;
상기 발광 칩과 상기 제2리드 프레임을 연결하는 제2연결 부재;
상기 발광 칩의 측면에 배치되어 상기 발광 칩이 상기 몸체에 지지되도록 하는 접착물질;
상기 캐비티 내에 배치되며 상기 발광 칩 상에 형광체를 포함하는 제1몰딩부재; 및
상기 캐비티 내에 배치되며 상기 발광 칩 및 상기 제1몰딩부재 사이에 배치되고, 상기 발광 칩 및 상기 접착물질을 커버하는 제2몰딩부재를 포함하고,
상기 형광체는 상기 제1몰딩부재 전체 wt%에 대해 8wt% 내지 25wt% 범위로 첨가되며, 상기 제2몰딩부재에는 첨가되지 않고,
상기 제1몰딩부재는 상기 캐비티 내에 배치되며 상기 발광 칩, 상기 제1및 제2연결 부재보다 상부에 배치되고, 상기 캐비티에 의해 노출되는 상기 몸체의 내측면과 직접 접촉하고,
상기 제1몰딩부재의 상면은 상기 몸체의 상면과 동일 평면 상에 배치되고,
상기 제2몰딩부재는 상기 발광 칩의 높이, 상기 제1 및 제2연결 부재의 높이보다 높은 높이를 가지며, 상기 발광 칩, 상기 제1 및 제2연결 부재를 감싸며 배치되고,
상기 발광 칩은 상기 제1리드 프레임 상에 배치되며 상기 제1리드 프레임과 마주하는 투명기판, 상기 투명기판 상에 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층을 포함하며,
상기 접착물질은 상기 제1리드 프레임 상에 배치되며 상기 제2리드 프레임과 이격되고, 상기 투명기판의 측면, 상기 제1도전형 반도체층의 측면과 접하며 배치되고,
상기 접착물질의 수평 방향 너비는 상기 발광 칩의 하부에서 상부 방향으로 갈수록 작아지고,
상기 접착물질의 굴절률은 상기 투명기판의 굴절률보다 작거나 같고, 상기 제1몰딩부재의 굴절률보다 크거나 같고,
상기 제2몰딩부재는 상기 몸체의 내측면, 상기 발광 칩의 상면, 상기 접착물질, 상기 제1리드 프레임의 상면, 상기 제2리드 프레임의 상면과 직접 접촉하고, 상기 접착물질에 의해 상기 투명기판 및 상기 제1도전형 반도체층의 측면과 이격되고,
상기 몸체의 반사율은 70% 이상이고,
상기 제2몰딩부재의 굴절률은 상기 제1몰딩부재의 굴절률보다 크거나 같고,
상기 접착물질의 굴절률은 1.4~1.8이고, 상기 제1몰딩부재의 굴절률은 1.4~1.8이고, 상기 투명기판의 굴절률은 1.75~1.8이고,
상기 접착물질의 광 투과도는 80% 이상인 발광소자.
The upper and lower parts of the body have an open cavity;
First and second lead frames disposed on the bottom of the cavity and coupled to the body;
A light emitting chip disposed in the cavity of the body and disposed on the first lead frame;
A first connection member connecting the light emitting chip and the first lead frame;
A second connection member connecting the light emitting chip and the second lead frame;
An adhesive material disposed on a side surface of the light emitting chip to support the light emitting chip on the body;
A first molding member disposed in the cavity and including a phosphor on the light emitting chip; And
And a second molding member disposed in the cavity, disposed between the light emitting chip and the first molding member, and covering the light emitting chip and the adhesive material,
The phosphor is added in a range of 8 wt% to 25 wt% with respect to the total wt% of the first molding member, and is not added to the second molding member,
The first molding member is disposed in the cavity and disposed above the light emitting chip and the first and second connection members, and directly contacts the inner surface of the body exposed by the cavity,
The upper surface of the first molding member is disposed on the same plane as the upper surface of the body,
The second molding member has a height higher than the height of the light emitting chip and the first and second connection members, and is disposed surrounding the light emitting chip and the first and second connection members,
The light emitting chip is disposed on the first lead frame and includes a transparent substrate facing the first lead frame, a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer on the transparent substrate,
The adhesive material is disposed on the first lead frame and spaced apart from the second lead frame, and is disposed in contact with a side surface of the transparent substrate and a side surface of the first conductive semiconductor layer,
The width of the adhesive material in the horizontal direction decreases from the bottom of the light emitting chip toward the top,
The refractive index of the adhesive material is less than or equal to the refractive index of the transparent substrate, and is greater than or equal to the refractive index of the first molding member,
The second molding member directly contacts the inner surface of the body, the upper surface of the light emitting chip, the adhesive material, the upper surface of the first lead frame, and the upper surface of the second lead frame, and the transparent substrate And spaced apart from a side surface of the first conductive semiconductor layer,
The reflectance of the body is more than 70%,
The refractive index of the second molding member is greater than or equal to the refractive index of the first molding member,
The refractive index of the adhesive material is 1.4 to 1.8, the refractive index of the first molding member is 1.4 to 1.8, the refractive index of the transparent substrate is 1.75 to 1.8,
A light emitting device having a light transmittance of 80% or more of the adhesive material.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000049387A (en) * 1998-07-27 2000-02-18 Matsushita Electron Corp Semiconductor light emitting device
JP2007335798A (en) 2006-06-19 2007-12-27 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting device
JP2013175767A (en) 2006-12-26 2013-09-05 Seoul Semiconductor Co Ltd Light emitting element
WO2013190962A1 (en) * 2012-06-18 2013-12-27 シャープ株式会社 Semiconductor light emitting device
JP2014033168A (en) 2012-07-13 2014-02-20 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786640A (en) * 1993-06-17 1995-03-31 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000049387A (en) * 1998-07-27 2000-02-18 Matsushita Electron Corp Semiconductor light emitting device
JP2007335798A (en) 2006-06-19 2007-12-27 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting device
JP2013175767A (en) 2006-12-26 2013-09-05 Seoul Semiconductor Co Ltd Light emitting element
WO2013190962A1 (en) * 2012-06-18 2013-12-27 シャープ株式会社 Semiconductor light emitting device
JP2014033168A (en) 2012-07-13 2014-02-20 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device

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