KR102163987B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층, 상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 위에 배치된 AlGaAsP 반도체층; 상기 AlGaAsP 반도체층 위에 배치되며 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 발광구조물 아래에 배치된 윈도우층; 상기 윈도우층 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes: a light emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, an active layer disposed under the first conductive type semiconductor layer, and a second conductive type semiconductor layer disposed under the active layer; An AlGaAsP semiconductor layer disposed on the light emitting structure; A first electrode disposed on the AlGaAsP semiconductor layer and electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer; A window layer disposed under the light emitting structure; A second electrode disposed under the window layer and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer; Includes.

Description

발광소자 {LIGHT EMITTING DEVICE}Light emitting device {LIGHT EMITTING DEVICE}

실시 예는 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit.

발광소자의 하나로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 자외선과 같은 빛의 형태로 변환한다.As one of the light emitting devices, a light emitting diode (LED: Light Emitting Diode) is widely used. Light-emitting diodes use the properties of compound semiconductors to convert electrical signals into forms of light such as infrared, visible, and ultraviolet.

발광소자의 광 효율이 증가됨에 따라 표시장치, 조명기기를 비롯한 다양한 분야에 발광소자가 적용되고 있다.As the light efficiency of light-emitting devices increases, light-emitting devices are being applied to various fields including display devices and lighting devices.

실시 예는 고 품질의 반도체층을 제공하고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit capable of providing a high-quality semiconductor layer and improving reliability.

실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층, 상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 위에 배치된 AlGaAsP 반도체층; 상기 AlGaAsP 반도체층 위에 배치되며 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 발광구조물 아래에 배치된 윈도우층; 상기 윈도우층 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes: a light emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, an active layer disposed under the first conductive type semiconductor layer, and a second conductive type semiconductor layer disposed under the active layer; An AlGaAsP semiconductor layer disposed on the light emitting structure; A first electrode disposed on the AlGaAsP semiconductor layer and electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer; A window layer disposed under the light emitting structure; A second electrode disposed under the window layer and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer; Includes.

실시 예에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛은 고 품질의 반도체층을 제공하고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The light emitting device, the light emitting device package, and the light unit according to the embodiment have an advantage of providing a high-quality semiconductor layer and improving reliability.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2 및 도 3은 종래 발광소자에 적용된 발광구조물의 표면 형상을 나타낸 도면이다.
도 4 및 도 5는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 발광구조물의 표면 형상을 나타낸 도면이다.
도 6 내지 도 9는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a light emitting device according to an embodiment.
2 and 3 are views showing the surface shape of a light emitting structure applied to a conventional light emitting device.
4 and 5 are views showing a surface shape of a light emitting structure applied to a light emitting device according to an embodiment.
6 to 9 are diagrams illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.
10 is a diagram illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
11 is a diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
12 is a diagram illustrating another example of a display device according to an exemplary embodiment.
13 is a view showing a lighting device according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern, or structure is "on" or "under" of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. In the case of being described as being formed in, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed do. In addition, the standards for the top/top or bottom/bottom of each layer will be described based on the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛 및 발광소자 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device, a light emitting device package, a light unit, and a method of manufacturing a light emitting device according to embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a light emitting device according to an embodiment.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 1에 도시된 바와 같이, 발광구조물(10), 윈도우층(15), AlGaAsP 반도체층(90)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a light emitting structure 10, a window layer 15, and an AlGaAsP semiconductor layer 90, as shown in FIG. 1.

상기 발광구조물(10)은 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 상기 활성층(12) 아래에 배치될 수 있다.The light emitting structure 10 may include a first conductivity type semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second conductivity type semiconductor layer 13. The active layer 12 may be disposed between the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 13. The active layer 12 may be disposed under the first conductivity type semiconductor layer 11, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be disposed under the active layer 12.

예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.For example, the first conductivity-type semiconductor layer 11 is formed of an n-type semiconductor layer to which an n-type dopant is added as a first conductivity-type dopant, and the second conductivity-type semiconductor layer 13 is a second conductivity-type dopant. It may be formed as a p-type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. In addition, the first conductivity-type semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The first conductivity-type semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be implemented as a compound semiconductor. The first conductivity-type semiconductor layer 11 may be implemented as, for example, a group II-VI compound semiconductor or a group III-V compound semiconductor.

예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 (AlxGa1 -x)yIn1 - yP(0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 상기 조성식에서 y는 0.5의 값을 갖고, x는 0.5 내지 0.8의 값을 가질 수도 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어 AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, the first conductive type semiconductor layer 11 (Al x Ga 1 -x) y In 1 - can be implemented in a semiconductor material having a composition formula y P (0≤x≤1, 0≤y≤1) have. In the first conductivity type semiconductor layer 11, y may have a value of 0.5 and x may have a value of 0.5 to 0.8. The first conductivity-type semiconductor layer 11 may be selected from, for example, AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP, and may be doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the active layer 12, electrons (or holes) injected through the first conductivity type semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductivity type semiconductor layer 13 meet each other, It is a layer that emits light due to a difference in a band gap of an energy band according to a material of the active layer 12. The active layer 12 may be formed in any one of a single well structure, a multiple well structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(12)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 (AlxGa1 -x)yIn1 - yP(0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예를 들어 AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 활성층(12)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있다.The active layer 12 may be implemented as a compound semiconductor. The active layer 12 may be implemented as a group II-VI or III-V compound semiconductor, for example. The active layer 12 is by way of example (Al x Ga 1 -x) y In 1 - can be implemented in a semiconductor material having a composition formula y P (0≤x≤1, 0≤y≤1). The active layer 12 may be selected from AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP, for example. When the active layer 12 is implemented in a multi-well structure, the active layer 12 may be implemented by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers.

상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The second conductivity-type semiconductor layer 13 may be implemented as, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 13 may be implemented as a compound semiconductor. The second conductivity-type semiconductor layer 13 may be implemented as, for example, a group II-VI compound semiconductor or a group III-V compound semiconductor.

예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 (AlxGa1 -x)yIn1 - yP(0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, C 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, the second conductive type semiconductor layer 13 (Al x Ga 1 -x) y In 1 - can be implemented in a semiconductor material having a composition formula y P (0≤x≤1, 0≤y≤1) have. The second conductivity type semiconductor layer 13 may be selected from, for example, AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP, etc., and may be doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or C.

예로서, 상기 발광구조물(10)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P)으로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 구현될 수 있다.For example, the light emitting structure 10 may be implemented by including at least two or more elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), and phosphorus (P).

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductivity type semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer. In addition, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductivity-type semiconductor layer 13. Accordingly, the light emitting structure 10 may have at least one of an np, pn, npn, and pnp junction structure. In addition, doping concentrations of impurities in the first conductivity-type semiconductor layer 11 and the second conductivity-type semiconductor layer 13 may be uniformly or non-uniformly formed. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be formed in various ways, but the present invention is not limited thereto.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 윈도우층(15)을 포함할 수 있다. 상기 윈도우층(15)은 상기 발광구조물(10) 아래에 배치될 수 있다. 상기 윈도우층(15)은 (AlxGa1-x)yIn1-yP(0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 윈도우층(15)은, 예를 들어 AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 윈도우층(15)은 전류 퍼짐 효과를 제공할 수 있다. 상기 윈도우층(15)은 불순물을 포함할 수도 있다. 상기 윈도우층(15)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 동일한 극성의 불순물을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include the window layer 15. The window layer 15 may be disposed under the light emitting structure 10. The window layer 15 may be implemented with a semiconductor material having a composition formula of (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0≦x≦1, 0≦ y ≦1). The window layer 15 may be selected from, for example, AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP, or the like. The window layer 15 may provide a current spreading effect. The window layer 15 may also contain impurities. The window layer 15 may include impurities having the same polarity as the second conductivity type semiconductor layer 13.

상기 AlGaAsP 반도체층(90)은 상기 발광구조물(10) 위에 배치될 수 있다. 상기 AlGaAsP 반도체층(90)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 AlGaAsP 반도체층(90)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 AlGaAsP 반도체층(90)은 상기 발광구조물(10)의 결정성을 향상시키기 위하여 제공된 것이다. 상기 AlGaAsP 반도체층(90)은 공정 챔버 내에서 As 원소와 P 원소의 섞임 현상 등으로 인하여 상기 발광구조물(10)의 에피 성장이 영향을 받는 것을 방지하기 위하여 제공된 것이다. 예컨대, 상기 AlGaAsP 반도체층(90)의 두께는 수 옹스트롬 내지 수십 옹스트롬으로 제공될 수 있다. The AlGaAsP semiconductor layer 90 may be disposed on the light emitting structure 10. The AlGaAsP semiconductor layer 90 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11. The AlGaAsP semiconductor layer 90 may be disposed in contact with the first conductivity type semiconductor layer 11. The AlGaAsP semiconductor layer 90 is provided to improve the crystallinity of the light emitting structure 10. The AlGaAsP semiconductor layer 90 is provided to prevent the epitaxial growth of the light emitting structure 10 from being affected due to mixing of As elements and P elements in the process chamber. For example, the thickness of the AlGaAsP semiconductor layer 90 may be several angstroms to tens of angstroms.

실시 예에 따른 발광소자는, 상기 발광구조물(10) 위에 배치된 제1 전극(60)과 전극패드(70)를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(60)은 상기 AlGaAsP 반도체층(90) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(60)은 상기 AlGaAsP 반도체층(90) 위에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(60)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. The light emitting device according to the embodiment may include a first electrode 60 and an electrode pad 70 disposed on the light emitting structure 10. The first electrode 60 may be disposed on the AlGaAsP semiconductor layer 90. The first electrode 60 may be disposed in contact with the AlGaAsP semiconductor layer 90. The first electrode 60 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 11.

상기 제1 전극(60)은 상기 AlGaAsP 반도체층(90)에 오믹 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(60)은 상기 AlGaAsP 반도체층(90)과 오믹 접촉되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(60)은 Ge, Zn, Mg, Ca, Au, Ni, AuGe, AuGe/Ni/Au 등에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The first electrode 60 may be disposed in ohmic contact with the AlGaAsP semiconductor layer 90. The first electrode 60 may include a region in ohmic contact with the AlGaAsP semiconductor layer 90. The first electrode 60 may include at least one selected from Ge, Zn, Mg, Ca, Au, Ni, AuGe, AuGe/Ni/Au, and the like.

상기 제1 전극(60)과 상기 AlGaAsP 반도체층(90) 사이에 고농도 불순물 반도체층이 더 포함될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 전극(60)과 상기 AlGaAsP 반도체층(90) 사이에 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 불순물 농도 보다 더 높은 고농도 불순물을 포함하는 GaAs 반도체층이 더 배치될 수 있다. 상기 GaAs 반도체층은 예로서 수백 옹스트롬의 두께로 제공될 수 있다.A high-concentration impurity semiconductor layer may be further included between the first electrode 60 and the AlGaAsP semiconductor layer 90. For example, between the first electrode 60 and the AlGaAsP semiconductor layer 90, a GaAs semiconductor layer including a high-concentration impurity higher than the impurity concentration of the first conductivity type semiconductor layer 11 may be further disposed. The GaAs semiconductor layer may be provided with a thickness of several hundred angstroms, for example.

또한, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 GaAs 반도체층과 상기 제1 전극(60) 사이에 배치된 GaAsP 반도체층을 더 포함할 수 있다. 상기 GaAsP 반도체층은 예로서 수십 옹스트롬의 두께로 제공될 수 있다. 이와 같은 실시 예에 따른 발광소자의 적층 구조 변형에 대해서는 발광소자 제조방법을 설명하면서 추가로 설명하기로 한다.In addition, the light emitting device according to the embodiment may further include a GaAsP semiconductor layer disposed between the GaAs semiconductor layer and the first electrode 60. The GaAsP semiconductor layer may be provided with a thickness of several tens of angstroms, for example. The modification of the stacked structure of the light emitting device according to this embodiment will be further described while describing the method of manufacturing the light emitting device.

상기 전극패드(70)는 상기 제1 전극(60)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극패드(70)는 상기 제1 전극(60) 위에 배치될 수 있다. 상기 전극패드(70)는 상기 제1 전극(60) 위에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 전극패드(70)는 외부 전원에 연결되어 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전극패드(70)는 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo, Ti/Au/Ti/Pt/Au, Ni/Au/Ti/Pt/Au, Cr/Al/Ni/Cu/Ni/Au 등에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The electrode pad 70 may be electrically connected to the first electrode 60. The electrode pad 70 may be disposed on the first electrode 60. The electrode pad 70 may be disposed in contact with the first electrode 60. The electrode pad 70 may be connected to an external power source to provide power to the light emitting structure 10. The electrode pad 70 is Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo, Ti/Au/Ti/Pt/Au, Ni/Au/Ti/Pt/Au, Cr/Al It may include at least one selected from /Ni/Cu/Ni/Au.

실시 예에 따른 발광소자는 ODR(Omni Directional Reflector)층(21), 오믹접촉층(23), 반사층(30)을 포함할 수 있다. The light emitting device according to the embodiment may include an ODR (Omni Directional Reflector) layer 21, an ohmic contact layer 23, and a reflective layer 30.

상기 ODR층(21)은 상부 방향으로부터 입사되는 빛을 상부 방향으로 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. 상기 ODR층(21)은 예로서 상기 발광구조물(10)에 비해 낮은 굴절률을 갖도록 구현될 수 있다. 상기 ODR층(21)은 상기 발광구조물(10)을 이루는 물질의 굴절률과 큰 차이를 갖는 낮은 굴절률을 갖도록 선택됨으로써, 반사 기능을 제공할 수 있다. 상기 ODR층(21)은 상기 윈도우층(15)에 접촉되어 배치될 수 있다.The ODR layer 21 may perform a function of reflecting light incident from an upper direction toward an upper direction. The ODR layer 21 may, for example, be implemented to have a lower refractive index than the light emitting structure 10. The ODR layer 21 may be selected to have a low refractive index having a large difference from the refractive index of the material constituting the light emitting structure 10, thereby providing a reflective function. The ODR layer 21 may be disposed in contact with the window layer 15.

상기 ODR층(21)은 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 상기 ODR층(21)은 예로서, SiO2, SiNx, ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), GZO(Gallium-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide) 등의 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The ODR layer 21 may include oxide or nitride. The ODR layer 21 is, for example, SiO 2 , SiN x , ITO (Indium-Tin-Oxide), IZO (Indium-Zinc-Oxide), AZO (Aluminum-Zinc-Oxide), ATO (Antimony-Tin-Oxide). ), IZTO (Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO (Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), GZO (Gallium-Zinc-Oxide), IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO (Indium-Gallium- Tin-Oxide), AZO (Aluminum-Zinc-Oxide), and the like.

상기 오믹접촉층(23)은 상기 윈도우층(15)과 오믹 접촉되도록 구현될 수 있다. 상기 오믹접촉층(23)은 상기 윈도우층(15)과 오믹 접촉되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(23)은 상기 발광구조물(10)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 오믹접촉층(23)은 상기 ODR층(21)을 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 오믹접촉층(23)은 원 또는 타원 형상의 상부면을 갖도록 구현될 수 있다. 상기 오믹접촉층(23)은 예로서, Au, Au/AuBe/Au, AuZn, ITO, AuBe, GeAu 등의 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The ohmic contact layer 23 may be implemented to come into ohmic contact with the window layer 15. The ohmic contact layer 23 may include a region in ohmic contact with the window layer 15. The ohmic contact layer 23 may be electrically connected to the light emitting structure 10. The ohmic contact layer 23 may be disposed through the ODR layer 21. For example, the ohmic contact layer 23 may be implemented to have a circular or elliptical top surface. The ohmic contact layer 23 may include, for example, at least one selected from materials such as Au, Au/AuBe/Au, AuZn, ITO, AuBe, and GeAu.

상기 반사층(30)은 상기 오믹접촉층(23) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반사층(30)은 상기 ODR층(21) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반사층(30)은 상부 방향으로부터 입사되는 빛을 상부 방향으로 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. 상기 반사층(30)은 예로서, Ag, Au, Al 등의 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective layer 30 may be disposed under the ohmic contact layer 23. The reflective layer 30 may be disposed under the ODR layer 21. The reflective layer 30 may perform a function of reflecting light incident from an upper direction toward an upper direction. The reflective layer 30 may include, for example, at least one selected from materials such as Ag, Au, and Al.

실시 예에 따른 발광소자는 본딩층(40)과 지지기판(50)을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(40)은 상기 반사층(30)과 상기 지지기판(50)을 부착시켜 주는 기능을 수행할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a bonding layer 40 and a support substrate 50. The bonding layer 40 may perform a function of attaching the reflective layer 30 and the support substrate 50.

상기 본딩층(40)은 예로서, Sn, AuSn, Pd, Al, Ti, Au, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Ta, Ti/Au/In/Au 등의 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지기판(50)은 Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The bonding layer 40 is a material such as Sn, AuSn, Pd, Al, Ti, Au, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Ta, Ti/Au/In/Au, etc. It may include at least one selected from among. The support substrate 50 is a semiconductor substrate implanted with Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W or impurities (e.g., Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, etc.) may include at least one selected from.

실시 예에 따른 발광소자는 보호층(80)을 포함할 수 있다. 상기 보호층(80)은 상기 발광구조물(10)의 상부에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)은 상기 발광구조물(10)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)은 상기 발광구조물(10)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)은 상기 윈도우층(15) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)의 일부 영역은 상기 윈도우층(15)의 일부 영역 위에 배치될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a protective layer 80. The protective layer 80 may be disposed on the light emitting structure 10. The protective layer 80 may be disposed around the light emitting structure 10. The protective layer 80 may be disposed on the side of the light emitting structure 10. The protective layer 80 may be disposed around the window layer 15. A partial region of the protective layer 80 may be disposed on a partial region of the window layer 15.

상기 보호층(80)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)은 상기 제1 전극(60) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)은 상부면에 제공된 광 추출 구조를 포함할 수 있다. 상기 광 추출 구조는 요철 구조로 지칭될 수도 있고, 또한 러프니스(roughness)로 지칭될 수도 있다. 상기 광 추출 구조는 규칙적으로 배열될 수도 있으며, 또한 랜덤(random)하게 배열될 수도 있다. 상기 보호층(80)의 상부면에 제공된 광 추출 구조는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부면에 제공된 광 추출 구조에 대응될 수 있다.The protective layer 80 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11. The protective layer 80 may be disposed on the first electrode 60. The protective layer 80 may include a light extraction structure provided on an upper surface. The light extraction structure may be referred to as an uneven structure or may also be referred to as roughness. The light extraction structures may be arranged regularly or may be arranged randomly. The light extraction structure provided on the upper surface of the protective layer 80 may correspond to the light extraction structure provided on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 11.

상기 보호층(80)은 산화물 또는 질화물 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 보호층(80)은 예로서 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.The protective layer 80 may include at least one of oxide or nitride. The protective layer 80 is selected from the group consisting of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, etc. Can be formed.

한편, 실시 예에 의하면, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 지지기판(50)이 전도성으로 구현될 수 있으며, 상기 지지기판(50)에 연결된 외부 전원에 의하여 상기 발광구조물(10)에 전원이 인가될 수 있다. 상기 지지기판(50)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전원이 인가될 수 있다. Meanwhile, according to an embodiment, as shown in FIG. 1, the support substrate 50 may be implemented in a conductive manner, and power is supplied to the light emitting structure 10 by an external power connected to the support substrate 50. Can be authorized. Power may be applied to the second conductivity type semiconductor layer 13 through the support substrate 50.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결된 제2 전극은 상기 오믹접촉층(23), 상기 반사층(30), 상기 본딩층(40), 상기 지지기판(50) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, according to an embodiment, the second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 13 is the ohmic contact layer 23, the reflective layer 30, the bonding layer 40, and the support substrate ( 50) may include at least one.

이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 발광구조물(10) 위에 배치된 상기 AlGaAsP 반도체층(90)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 상기 AlGaAsP 반도체층(90)은 상기 발광구조물(10)의 에피 성장 시 반도체층의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 발광구조물(10) 위에 상기 GaAs 반도체층과 상기 GaAsP 반도체층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.As described above, the light emitting device according to the embodiment may include the AlGaAsP semiconductor layer 90 disposed on the light emitting structure 10. The AlGaAsP semiconductor layer 90 according to the embodiment may improve the quality of the semiconductor layer during epitaxial growth of the light emitting structure 10. In addition, the light emitting device according to the embodiment may selectively further include the GaAs semiconductor layer and the GaAsP semiconductor layer on the light emitting structure 10.

종래 발광소자의 경우 AlGaAsP 반도체층이 제공되지 않은 경우, 공정 챔버 내에 혼재된 As 원소 및 P 원소 등에 의하여 발광구조물의 에피 성장 시 모폴로지(morphology)가 좋지 않음이 보고되고 있다. 도 2 및 도 3은 종래 발광소자에 적용된 발광구조물의 표면 형상을 나타낸 것이다. 예로서, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 종래 발광구조물의 표면거칠기(RMS)는 수백 옹스트롬으로 보고되고 있다. 이와 같은 표면거칠기에 따른 계면 불량이 상부로 전이될 수 있으며 발광구조물의 품질을 저하시킬 수 있게 된다.In the case of a conventional light emitting device, when the AlGaAsP semiconductor layer is not provided, it has been reported that the morphology is poor during epitaxial growth of the light emitting structure due to the As element and P element mixed in the process chamber. 2 and 3 show the surface shape of a light emitting structure applied to a conventional light emitting device. For example, as shown in Figs. 2 and 3, the surface roughness (RMS) of a conventional light emitting structure is reported to be several hundred angstroms. Interface defects due to such surface roughness may be transferred to the top, and the quality of the light emitting structure may be deteriorated.

이에 반하여 실시 예에 따른 발광소자는 상기 AlGaAsP 반도체층(90)을 형성시킴으로써, 챔버 내에 혼재된 As 원소 및 P 원소 등이 상기 발광구조물(10) 성장 시 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 발광소자는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 양질의 모폴로지를 제공할 수 있게 된다. 도 4 및 도 5는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 발광구조물(10)의 표면 형상을 나타낸 것이다. 예로서, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 실시 예에 따른 발광구조물(10)의 표면거칠기(RMS)는 수 옹스트롬으로 측정되었다. 또한, 실시 예에 따른 발광구조물(10)의 품질이 향상될 수 있다.In contrast, in the light emitting device according to the embodiment, by forming the AlGaAsP semiconductor layer 90, the As element and the P element mixed in the chamber can be prevented from affecting the growth of the light emitting structure 10. Accordingly, the light emitting device according to the embodiment can provide a high quality morphology as shown in FIGS. 4 and 5. 4 and 5 show the surface shape of the light emitting structure 10 applied to the light emitting device according to the embodiment. As an example, as shown in FIGS. 4 and 5, the surface roughness (RMS) of the light emitting structure 10 according to the embodiment was measured in several angstroms. In addition, the quality of the light emitting structure 10 according to the embodiment may be improved.

그러면, 도 6 내지 도 9를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기로 한다. Then, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 6 to 9.

실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(5) 위에 식각정지층(7), GaAsP 반도체층(92), 제1 반도체층(91), AlGaAsP 반도체층(90), 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13), 윈도우층(15)이 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11), 상기 활성층(12), 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 발광구조물(10)로 정의될 수 있다.According to the method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment, as shown in FIG. 6, an etch stop layer 7, a GaAsP semiconductor layer 92, a first semiconductor layer 91, an AlGaAsP semiconductor layer ( 90), a first conductivity type semiconductor layer 11, an active layer 12, a second conductivity type semiconductor layer 13, and a window layer 15 may be formed. The first conductivity type semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be defined as a light emitting structure 10.

상기 기판(5)은 예를 들어, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(5)과 상기 식각정지층(7) 사이에는 버퍼층이 더 형성될 수 있다. The substrate 5 may be formed of at least one of, for example, a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge, but is not limited thereto. A buffer layer may be further formed between the substrate 5 and the etch stop layer 7.

상기 식각정지층(7)은 예로서 (AlxGa1 -x)yIn1 - yP(0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 식각정지층(7)의 기능에 대해서는 뒤에서 다시 설명하기로 한다.The etching stop layer 7 is an example (Al x Ga 1 -x) y In 1 - can be implemented in a semiconductor material having a composition formula y P (0≤x≤1, 0≤y≤1). The function of the etch stop layer 7 will be described later.

예로서, 상기 버퍼층이 GaAs 조성을 포함하고 상기 발광구조물(10)이 AlGaInP 조성을 포함하는 경우, 공정 챔버 내에 As 원소 및 P 원소 등이 혼재 될 수 있으며, 이로 인하여 성장되는 에피 층의 계면에 예상하지 못한 결함(defect)이 발생될 수 있다. 아러한 결함이 형성되는 경우, 계면 불량이 상부 반도체층으로 전이되면서 상기 발광구조물(10)의 품질 특성이 저하될 수 있다.For example, when the buffer layer includes a GaAs composition and the light emitting structure 10 includes an AlGaInP composition, an As element and a P element may be mixed in the process chamber, which is not expected at the interface of the grown epi layer. Defects can occur. When such a defect is formed, the quality characteristics of the light emitting structure 10 may be deteriorated as the interface defect is transferred to the upper semiconductor layer.

이를 방지하기 위하여 실시 예에 의하면, 상기 식각정지층(7)이 성장된 후 Ga 처리(treatment)를 실시하였고, 이에 따라 상기 GaAsP 반도체층(92)이 성장될 수 있다. In order to prevent this, according to an embodiment, a Ga treatment is performed after the etch stop layer 7 is grown, so that the GaAsP semiconductor layer 92 may be grown.

예컨대, 상기 GaAsP 반도체층(92)은 수십 옹스트롬의 두께로 성장될 수 있다. 여기서, Ga 처리는 Ga 원소를 포함하고 있는 소스를 공정 챔버에 짧은 시간 공급하는 것을 의미한다. For example, the GaAsP semiconductor layer 92 may be grown to a thickness of several tens of angstroms. Here, the Ga treatment means supplying a source containing the Ga element to the process chamber for a short time.

상기 GaAsP 반도체층(92)은 공정 챔버 내에서 As 원소와 P 원소의 섞임 현상 등으로 인하여 상기 발광구조물(10)의 에피 성장이 영향을 받는 것을 방지하기 위하여 제공된 것이다. The GaAsP semiconductor layer 92 is provided to prevent the epitaxial growth of the light emitting structure 10 from being affected due to mixing of As elements and P elements in the process chamber.

이어서, 상기 GaAsP 반도체층(92) 위에 상기 제1 반도체층(91)이 성장될 수 있다. 상기 제1 반도체층(91)은 고농도 불순물을 포함하는 반도체층일 수 있으며, 예로서 GaAs 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1 반도체층(91)은 예로서 수백 옹스트롬의 두께로 성장될 수 있다.Subsequently, the first semiconductor layer 91 may be grown on the GaAsP semiconductor layer 92. The first semiconductor layer 91 may be a semiconductor layer containing a high-concentration impurity, and may be implemented as a GaAs semiconductor layer, for example. The first semiconductor layer 91 may be grown to a thickness of several hundred angstroms, for example.

실시 예에 의하면, 상기 제1 반도체층(91)이 성장된 후 Ga 처리를 실시하였고, 이에 따라 상기 AlGaAsP 반도체층(90)이 성장될 수 있다. 예컨대, 상기 AlGaAsP 반도체층(90)은 수십 옹스트롬의 두께로 성장될 수 있다.According to an embodiment, after the first semiconductor layer 91 is grown, Ga treatment is performed, and accordingly, the AlGaAsP semiconductor layer 90 may be grown. For example, the AlGaAsP semiconductor layer 90 may be grown to a thickness of several tens of angstroms.

상기 AlGaAsP 반도체층(90)은 공정 챔버 내에서 As 원소와 P 원소의 섞임 현상 등으로 인하여 상기 발광구조물(10)의 에피 성장이 영향을 받는 것을 방지하기 위하여 제공된 것이다. The AlGaAsP semiconductor layer 90 is provided to prevent the epitaxial growth of the light emitting structure 10 from being affected due to mixing of As elements and P elements in the process chamber.

이상에서 설명된 상기 GaAsP 반도체층(92), 상기 제1 반도체층(91), 상기 AlGaAsP 반도체층(90)은 설계에 따라 선택적으로 변형되어 형성될 수 있으며, 적어도 하나의 층이 선택적으로 형성될 수 있다. The GaAsP semiconductor layer 92, the first semiconductor layer 91, and the AlGaAsP semiconductor layer 90 described above may be selectively modified and formed according to design, and at least one layer may be selectively formed. I can.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.According to an embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n type semiconductor layer to which an n type dopant is added as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 13 is a second conductivity type. It may be formed as a p-type semiconductor layer to which a p-type dopant is added as a dopant. In addition, the first conductivity-type semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The first conductivity-type semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be implemented as a compound semiconductor. The first conductivity-type semiconductor layer 11 may be implemented as, for example, a group II-VI compound semiconductor or a group III-V compound semiconductor.

예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 (AlxGa1 -x)yIn1 - yP (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 상기 조성식에서 y는 0.5의 값을 갖고, x는 0.5 내지 0.8의 값을 가질 수도 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어 AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 may be implemented as a semiconductor material having a composition formula of (Al x Ga 1 -x ) y In 1 - y P (0≤x≤1, 0≤y≤1). have. In the first conductivity type semiconductor layer 11, y may have a value of 0.5 and x may have a value of 0.5 to 0.8. The first conductivity-type semiconductor layer 11 may be selected from, for example, AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP, and may be doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the active layer 12, electrons (or holes) injected through the first conductivity type semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductivity type semiconductor layer 13 meet each other, It is a layer that emits light due to a difference in a band gap of an energy band according to a material of the active layer 12. The active layer 12 may be formed in any one of a single well structure, a multiple well structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(12)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 (AlxGa1 -x)yIn1 - yP (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예를 들어 AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 활성층(12)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있다.The active layer 12 may be implemented as a compound semiconductor. The active layer 12 may be implemented as a group II-VI or III-V compound semiconductor, for example. The active layer 12 is by way of example (Al x Ga 1 -x) y In 1 - can be implemented in a semiconductor material having a composition formula y P (0≤x≤1, 0≤y≤1). The active layer 12 may be selected from AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP, for example. When the active layer 12 is implemented in a multi-well structure, the active layer 12 may be implemented by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers.

상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The second conductivity-type semiconductor layer 13 may be implemented as, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 13 may be implemented as a compound semiconductor. The second conductivity-type semiconductor layer 13 may be implemented as, for example, a group II-VI compound semiconductor or a group III-V compound semiconductor.

예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 (AlxGa1 -x)yIn1 - yP (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, C 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, the second conductivity type semiconductor layer 13 may be implemented as a semiconductor material having a composition formula of (Al x Ga 1 -x ) y In 1 - y P (0≤x≤1, 0≤y≤1). have. The second conductivity type semiconductor layer 13 may be selected from, for example, AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP, etc., and may be doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or C.

예로서, 상기 발광구조물(10)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P)으로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 구현될 수 있다.For example, the light emitting structure 10 may be implemented by including at least two or more elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), and phosphorus (P).

상기 윈도우층(15)은 (AlxGa1 -x)yIn1 - yP (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 윈도우층(15)은, 예를 들어 AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 윈도우층(15)은 발광소자 구동 시 전류 퍼짐 효과를 제공할 수 있다. The window layer 15 (Al x Ga 1 -x) y In 1 - can be implemented in a semiconductor material having a composition formula y P (0≤x≤1, 0≤y≤1). The window layer 15 may be selected from, for example, AlGaInP, AlInP, GaP, GaInP, or the like. The window layer 15 may provide a current spreading effect when driving the light emitting device.

다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 윈도우층(15) 위에 ODR층(21), 오믹접촉층(23), 반사층(30)이 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 7, an ODR layer 21, an ohmic contact layer 23, and a reflective layer 30 may be formed on the window layer 15.

상기 ODR층(21)은 입사되는 빛을 다시 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. 상기 ODR층(21)은 예로서 상기 발광구조물(10)에 비해 낮은 굴절률을 갖도록 구현될 수 있다. 상기 ODR층(21)은 상기 발광구조물(10)을 이루는 물질의 굴절률과 큰 차이를 갖는 낮은 굴절률을 갖도록 선택됨으로써, 반사 기능을 제공할 수 있다. 상기 ODR층(21)은 상기 윈도우층(15)에 접촉되어 배치될 수 있다.The ODR layer 21 may perform a function of reflecting incident light again. The ODR layer 21 may, for example, be implemented to have a lower refractive index than the light emitting structure 10. The ODR layer 21 may be selected to have a low refractive index having a large difference from the refractive index of the material constituting the light emitting structure 10, thereby providing a reflective function. The ODR layer 21 may be disposed in contact with the window layer 15.

상기 ODR층(21)은 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 상기 ODR층(21)은 예로서, SiO2, SiNx, ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), GZO(Gallium-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide) 등의 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The ODR layer 21 may include oxide or nitride. The ODR layer 21 is, for example, SiO 2 , SiNx, ITO (Indium-Tin-Oxide), IZO (Indium-Zinc-Oxide), AZO (Aluminum-Zinc-Oxide), ATO (Antimony-Tin-Oxide) , IZTO (Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO (Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), GZO (Gallium-Zinc-Oxide), IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO (Indium-Gallium-Tin -Oxide), AZO (Aluminum-Zinc-Oxide), and the like.

상기 오믹접촉층(23)은 상기 윈도우층(15)과 오믹 접촉되도록 구현될 수 있다. 상기 오믹접촉층(23)은 상기 윈도우층(15)과 오믹 접촉되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(23)은 상기 발광구조물(10)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 오믹접촉층(23)은 상기 ODR층(21)을 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 오믹접촉층(23)은 원 또는 타원 형상의 상부면을 갖도록 구현될 수 있다. 상기 오믹접촉층(23)은 예로서, Au, Au/AuBe/Au, AuZn, ITO, AuBe, GeAu 등의 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The ohmic contact layer 23 may be implemented to come into ohmic contact with the window layer 15. The ohmic contact layer 23 may include a region in ohmic contact with the window layer 15. The ohmic contact layer 23 may be electrically connected to the light emitting structure 10. The ohmic contact layer 23 may be disposed through the ODR layer 21. For example, the ohmic contact layer 23 may be implemented to have a circular or elliptical top surface. The ohmic contact layer 23 may include, for example, at least one selected from materials such as Au, Au/AuBe/Au, AuZn, ITO, AuBe, and GeAu.

상기 반사층(30)은 상기 오믹접촉층(23) 위에 배치될 수 있다. 상기 반사층(30)은 상기 ODR층(21) 위에 배치될 수 있다. 상기 반사층(30)은 입사되는 빛을 다시 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. 상기 반사층(30)은 예로서, Ag, Au, Al 등의 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective layer 30 may be disposed on the ohmic contact layer 23. The reflective layer 30 may be disposed on the ODR layer 21. The reflective layer 30 may perform a function of reflecting incident light again. The reflective layer 30 may include, for example, at least one selected from materials such as Ag, Au, and Al.

이어서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 반사층(30) 위에 본딩층(40), 지지기판(50)이 제공될 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 8, a bonding layer 40 and a support substrate 50 may be provided on the reflective layer 30.

상기 본딩층(40)은 상기 반사층(30)과 상기 지지기판(50)을 부착시켜 주는 기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(40)은 예로서, Sn, AuSn, Pd, Al, Ti, Au, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Ta, Ti/Au/In/Au 등의 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지기판(50)은 Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The bonding layer 40 may perform a function of attaching the reflective layer 30 and the support substrate 50. The bonding layer 40 is a material such as Sn, AuSn, Pd, Al, Ti, Au, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Ta, Ti/Au/In/Au, etc. It may include at least one selected from among. The support substrate 50 is a semiconductor substrate implanted with Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W or impurities (e.g., Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, etc.) may include at least one selected from.

다음으로, 상기 식각정지층(7)으로부터 상기 기판(5)을 제거한다. 하나의 예로서 상기 기판(5)은 식각 공정에 의하여 제거될 수 있다. 상기 기판(5)이 GaAs로 구현되는 경우, 상기 기판(5)은 습식 식각 공정에 의하여 제거될 수 있으며, 상기 식각정지층(7)은 식각되지 않음으로써 상기 기판(5)만 식각 되어 분리될 수 있도록 정지층의 기능을 수행할 수 있다. 상기 식각정지층(7)은 별도의 제거 공정을 통하여 상기 발광구조물(10)로부터 분리될 수 있다. 예로서, 상기 식각정지층(7)은 별도의 식각 공정을 통하여 제거될 수 있다.Next, the substrate 5 is removed from the etch stop layer 7. As an example, the substrate 5 may be removed by an etching process. When the substrate 5 is implemented with GaAs, the substrate 5 may be removed by a wet etching process, and since the etch stop layer 7 is not etched, only the substrate 5 is etched and separated. To be able to perform the function of the stop layer. The etch stop layer 7 may be separated from the light emitting structure 10 through a separate removal process. For example, the etch stop layer 7 may be removed through a separate etching process.

한편, 실시 예에 의하면, Ga 처리 여부에 따라 상기 GaAsP 반도체층(92)과 상기 AlGaAsP 반도체층(90)이 형성될 수도 있고 또한 형성되지 않을 수도 있다. 또한, 상기 식각정지층(7)을 제거한 후, 상기 GaAsP 반도체층(92), 상기 제1 반도체층(91), 상기 AlGaAsP 반도체층(90) 중에서 어디까지 추가 식각을 수행하는 지에 따라 잔존하는 반도체층이 변경될 수 있다.Meanwhile, according to an embodiment, the GaAsP semiconductor layer 92 and the AlGaAsP semiconductor layer 90 may or may not be formed depending on whether Ga is processed. In addition, after the etch stop layer 7 is removed, the remaining semiconductors from among the GaAsP semiconductor layer 92, the first semiconductor layer 91, and the AlGaAsP semiconductor layer 90 are further etched. The layers can be changed.

즉, 상기 발광구조물(10) 위에 상기 AlGaAsP 반도체층(90), 상기 제1 반도체층(91), 상기 GaAsP 반도체층(92)이 모두 제공될 수도 있다. 또한, 상기 발광구조물(10) 위에 상기 AlGaAsP 반도체층(90), 상기 제1 반도체층(91)이 제공될 수도 있고, 상기 발광구조물(10) 위에 상기 AlGaAsP 반도체층(90)만이 제공될 수도 있다.That is, all of the AlGaAsP semiconductor layer 90, the first semiconductor layer 91, and the GaAsP semiconductor layer 92 may be provided on the light emitting structure 10. In addition, the AlGaAsP semiconductor layer 90 and the first semiconductor layer 91 may be provided on the light-emitting structure 10, or only the AlGaAsP semiconductor layer 90 may be provided on the light-emitting structure 10. .

도 9에는 상기 발광구조물(10) 위에 상기 AlGaAsP 반도체층(90)만이 제공된 경우를 기준으로 도시한 것으로서, 상기 AlGaAsP 반도체층(90) 위에 제1 전극(60)이 형성되고, 이이솔레이션 식각이 수행되어 상기 발광구조물(10)의 측면이 식각될 수 있다.9 shows a case where only the AlGaAsP semiconductor layer 90 is provided on the light emitting structure 10, and a first electrode 60 is formed on the AlGaAsP semiconductor layer 90, and isolation etching is performed. Then, the side surface of the light emitting structure 10 may be etched.

상기 제1 전극(60)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(60)은 상기 AlGaAsP 반도체층(90)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(60)은 상기 AlGaAsP 반도체층(90)에 오믹 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(60)은 상기 AlGaAsP 반도체층(90)과 오믹 접촉되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(60)은 Ge, Zn, Mg, Ca, Au, Ni, AuGe, AuGe/Ni/Au 등에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The first electrode 60 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 11. The first electrode 60 may be disposed in contact with the AlGaAsP semiconductor layer 90. The first electrode 60 may be disposed in ohmic contact with the AlGaAsP semiconductor layer 90. The first electrode 60 may include a region in ohmic contact with the AlGaAsP semiconductor layer 90. The first electrode 60 may include at least one selected from Ge, Zn, Mg, Ca, Au, Ni, AuGe, AuGe/Ni/Au, and the like.

그리고, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 발광구조물(10)과 상기 제1 전극(60) 위에 보호층(80)과 전극패드(70)가 형성될 수 있다. In addition, as shown in FIG. 9, a protective layer 80 and an electrode pad 70 may be formed on the light emitting structure 10 and the first electrode 60.

상기 보호층(80)은 상기 발광구조물(10)의 상부에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)은 상기 발광구조물(10)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)은 상기 발광구조물(10)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)은 상기 윈도우층(15) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)의 일부 영역은 상기 윈도우층(15)의 일부 영역 위에 배치될 수 있다.The protective layer 80 may be disposed on the light emitting structure 10. The protective layer 80 may be disposed around the light emitting structure 10. The protective layer 80 may be disposed on the side of the light emitting structure 10. The protective layer 80 may be disposed around the window layer 15. A partial region of the protective layer 80 may be disposed on a partial region of the window layer 15.

상기 보호층(80)은 산화물 또는 질화물 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 보호층(80)은 예로서 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.The protective layer 80 may include at least one of oxide or nitride. The protective layer 80 is selected from the group consisting of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, etc. Can be formed.

상기 보호층(80)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)은 상기 제1 전극(60) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(80)은 상부면에 제공된 광 추출 구조를 포함할 수 있다. 상기 광 추출 구조는 요철 구조로 지칭될 수도 있고, 또한 러프니스(roughness)로 지칭될 수도 있다. 상기 광 추출 구조는 규칙적으로 배열될 수도 있으며, 또한 랜덤(random)하게 배열될 수도 있다.The protective layer 80 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11. The protective layer 80 may be disposed on the first electrode 60. The protective layer 80 may include a light extraction structure provided on an upper surface. The light extraction structure may be referred to as an uneven structure or may also be referred to as roughness. The light extraction structures may be arranged regularly or may be arranged randomly.

상기 전극패드(70)는 상기 제1 전극(60)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극패드(70)는 상기 제1 전극(60) 위에 배치될 수 있다. 상기 전극패드(70)는 상기 제1 전극(60) 위에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 전극패드(70)는 외부 전원에 연결되어 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전극패드(70)는 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo, Ti/Au/Ti/Pt/Au, Ni/Au/Ti/Pt/Au, Cr/Al/Ni/Cu/Ni/Au 등에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The electrode pad 70 may be electrically connected to the first electrode 60. The electrode pad 70 may be disposed on the first electrode 60. The electrode pad 70 may be disposed in contact with the first electrode 60. The electrode pad 70 may be connected to an external power source to provide power to the light emitting structure 10. The electrode pad 70 is Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo, Ti/Au/Ti/Pt/Au, Ni/Au/Ti/Pt/Au, Cr/Al It may include at least one selected from /Ni/Cu/Ni/Au.

이상에서 설명된 발광소자 제조방법은 필요에 따라 또한 공정 설계에 따라 변형되어 실시될 수도 있다.The method of manufacturing a light emitting device described above may be modified and implemented according to the process design as necessary.

이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 발광구조물(10) 위에 배치된 상기 AlGaAsP 반도체층(90)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 상기 AlGaAsP 반도체층(90)은 상기 발광구조물(10)의 에피 성장 시 반도체층의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 발광구조물(10) 위에 상기 제1 반도체층(91)과 상기 GaAsP 반도체층(92)을 선택적으로 더 포함할 수 있다.As described above, the light emitting device according to the embodiment may include the AlGaAsP semiconductor layer 90 disposed on the light emitting structure 10. The AlGaAsP semiconductor layer 90 according to the embodiment may improve the quality of the semiconductor layer during epitaxial growth of the light emitting structure 10. In addition, the light emitting device according to the embodiment may further selectively include the first semiconductor layer 91 and the GaAsP semiconductor layer 92 on the light emitting structure 10.

종래 발광소자의 경우 AlGaAsP 반도체층이 제공되지 않은 경우, 공정 챔버 내에 혼재된 As 원소 및 P 원소 등에 의하여 발광구조물의 에피 성장 시 모폴로지(morphology)가 좋지 않음이 보고되고 있다. 도 2 및 도 3은 종래 발광소자에 적용된 발광구조물의 표면 형상을 나타낸 것이다. 예로서, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 종래 발광구조물의 표면거칠기(RMS)는 수백 옹스트롬으로 보고되고 있다. 이와 같은 표면거칠기에 따른 계면 불량이 상부로 전이될 수 있으며 발광구조물의 품질을 저하시킬 수 있게 된다.In the case of a conventional light emitting device, when the AlGaAsP semiconductor layer is not provided, it has been reported that the morphology is poor during epitaxial growth of the light emitting structure due to the As element and P element mixed in the process chamber. 2 and 3 show the surface shape of a light emitting structure applied to a conventional light emitting device. For example, as shown in Figs. 2 and 3, the surface roughness (RMS) of a conventional light emitting structure is reported to be several hundred angstroms. Interface defects due to such surface roughness may be transferred to the top, and the quality of the light emitting structure may be deteriorated.

이에 반하여 실시 예에 따른 발광소자는 상기 AlGaAsP 반도체층(90)을 형성시킴으로써, 챔버 내에 혼재된 As 원소 및 P 원소 등이 상기 발광구조물(10) 성장 시 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 발광소자는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 양질의 모폴로지를 제공할 수 있게 된다. 도 4 및 도 5는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 발광구조물(10)의 표면 형상을 나타낸 것이다. 예로서, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 실시 예에 따른 발광구조물(10)의 표면거칠기(RMS)는 수 옹스트롬으로 측정되었다. 또한, 실시 예에 따른 발광구조물(10)의 품질이 향상될 수 있다.In contrast, in the light emitting device according to the embodiment, by forming the AlGaAsP semiconductor layer 90, the As element and the P element mixed in the chamber can be prevented from affecting the growth of the light emitting structure 10. Accordingly, the light emitting device according to the embodiment can provide a high quality morphology as shown in FIGS. 4 and 5. 4 and 5 show the surface shape of the light emitting structure 10 applied to the light emitting device according to the embodiment. As an example, as shown in FIGS. 4 and 5, the surface roughness (RMS) of the light emitting structure 10 according to the embodiment was measured in several angstroms. In addition, the quality of the light emitting structure 10 according to the embodiment may be improved.

도 10은 실시 예에 따른 발광소자가 적용된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.10 is a diagram illustrating a light emitting device package to which a light emitting device according to an embodiment is applied.

도 10을 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, a light emitting device package according to an embodiment includes a body 120, a first lead electrode 131 and a second lead electrode 132 disposed on the body 120, and the body 120 The light emitting device 100 according to the embodiment provided in and electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132, and a molding member 140 surrounding the light emitting device 100 Can include.

상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 120 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 100. In addition, the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 reflect light generated from the light emitting device 100 to increase light efficiency, and heat generated from the light emitting device 100 It can also play a role of discharging to the outside.

상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the body 120 or may be disposed on the first lead electrode 131 or the second lead electrode 132.

상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 by any one of a wire method, a flip chip method, or a die bonding method.

상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 140 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 140 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting devices or light emitting device packages according to the embodiment may be arrayed on a substrate, and an optical member such as a lens, a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet may be disposed on an optical path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member may function as a light unit. The light unit may be implemented in a top view or a side view type, and may be provided to display devices such as portable terminals and notebook computers, or may be variously applied to lighting devices and indication devices. Another embodiment may be implemented as a lighting device including the light emitting device or the light emitting device package described in the above-described embodiments. For example, the lighting device may include a lamp, a street light, an electric sign, and a headlamp.

실시 예에 따른 발광소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 11 및 도 12에 도시된 표시 장치, 도 13에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다. The light emitting device according to the embodiment may be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting devices are arrayed, and may include a display device illustrated in FIGS. 11 and 12 and a lighting device illustrated in FIG. 13.

도 11을 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 11, a display device 1000 according to an embodiment includes a light guide plate 1041, a light-emitting module 1031 providing light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), an optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflective member 1022. The bottom cover 1011 may be included, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin series such as PMMA (polymethyl metaacrylate), PET (polyethylene terephthlate), PC (polycarbonate), COC (cycloolefin copolymer), and PEN (polyethylene naphthalate) It may contain one of the resins.

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light emitting module 1031 may be provided, and light may be provided directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device or a light emitting device package 200 according to the embodiment described above. The light emitting device package 200 may be arranged on the substrate 1033 at predetermined intervals.

상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern. However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB), etc., but is not limited thereto. When the light emitting device package 200 is provided on a side surface of the bottom cover 1011 or on a heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat dissipation plate may contact the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light emitting device packages 200 may be mounted such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but the embodiment is not limited thereto. The light emitting device package 200 may directly or indirectly provide light to a light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and directs it upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, PVC resin, or the like, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light emitting module 1031 and the reflective member 1022. To this end, the bottom cover 1011 may include a receiving portion 1012 having a box shape with an open top surface, but is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but the embodiment is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes first and second substrates made of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, and the structure of the polarizing plate is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041, and includes at least one translucent sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, the horizontal or/and vertical prism sheet condenses incident light to a display area, and the brightness enhancement sheet reuses lost light to improve luminance. In addition, a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the embodiment is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041) 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, as an optical member on the light path of the light emitting module 1031, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included, but the embodiment is not limited thereto.

도 12는 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다. 12 is a diagram illustrating another example of a display device according to an exemplary embodiment.

도 12를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 12, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the light emitting devices 100 disclosed above are arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155. The substrate 1020 and the light emitting device package 200 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but the embodiment is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a poly methy methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed.

상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. The diffusion sheet diffuses incident light, the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area, and the brightness enhancement sheet reuses lost light to improve brightness.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060 and performs a surface light source, diffusion, or condensation of light emitted from the light emitting module 1060.

도 13은 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.13 is a view showing a lighting device according to an embodiment.

도 13을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13, a lighting device according to an embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a radiator 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. I can. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include one or more of a member 2300 and a holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device package according to the embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape with a hollow and an open portion. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the radiator 2400. The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the radiator 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 2100. The milky white paint may include a diffuser that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is to allow light from the light source module 2200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent or opaque so that the light source module 2200 is visible from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the radiator 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the radiator 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on an upper surface of the radiator 2400 and has guide grooves 2310 into which a plurality of light source units 2210 and a connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate and the connector 2250 of the light source unit 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light reflected on the inner surface of the cover 2100 and returning toward the light source module 2200 toward the cover 2100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the radiator 2400. The radiator 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to radiate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다. The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating part 2710 of the inner case 2700. Accordingly, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in the storage groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide portion 2630, a base 2650, and an extension 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500. A number of components may be disposed on one surface of the base 2650. A number of components include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source to DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source module 2200, and an ESD for protecting the light source module 2200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. The extension part 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside.

예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.For example, the extension part 2670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection part 2750 of the inner case 2700. Each end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the extension part 2670, and the other end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the socket 2800. .

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is solidified, and allows the power supply part 2600 to be fixed inside the inner case 2700.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Accordingly, contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the embodiments have been described above, these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention pertains are illustrated above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications that are not available are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

10 발광구조물 11 제1 도전형 반도체층
12 활성층 13 제2 도전형 반도체층
15 윈도우층 21 ODR층
23 오믹접촉층 30 반사층
40 본딩층 50 지지기판
60 제1 전극 70 전극패드
80 보호층 90 AlGaAsP 반도체층
91 제1 반도체층 92 GaAsP 반도체층10 Light-emitting structure 11 First conductivity type semiconductor layer
12 Active layer 13 Second conductive semiconductor layer
15 Window layer 21 ODR layer
23 Ohmic contact layer 30 Reflective layer
40 Bonding layer 50 Support substrate
60 First electrode 70 Electrode pad
80 Protective layer 90 AlGaAsP semiconductor layer
91 First semiconductor layer 92 GaAsP semiconductor layer

Claims (7)

제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층, 상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 발광구조물 위에 배치된 AlGaAsP 반도체층;
상기 AlGaAsP 반도체층 위에 배치되며 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극;
상기 발광구조물 아래에 배치된 윈도우층;
상기 윈도우층 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 및
상기 AlGaAsP 반도체층과 상기 제1 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 도전형 반도체층에 포함된 불순물 농도에 비해 더 높은 고농도 불순물을 포함하는 제1 반도체층을 포함하는 발광소자. A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer disposed below the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type semiconductor layer disposed below the active layer;
An AlGaAsP semiconductor layer disposed on the light emitting structure;
A first electrode disposed on the AlGaAsP semiconductor layer and electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer;
A window layer disposed under the light emitting structure;
A second electrode disposed under the window layer and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer; And
A light emitting device comprising a first semiconductor layer disposed between the AlGaAsP semiconductor layer and the first electrode and including a high-concentration impurity higher than the impurity concentration included in the first conductivity type semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 발광구조물은 AlGaInP 조성을 포함하고, 상기 윈도우층은 GaP 조성을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The light emitting structure includes an AlGaInP composition, and the window layer includes a GaP composition. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 반도체층은 GaAs 조성을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The first semiconductor layer is a light emitting device containing a GaAs composition. 제1항에 있어서,
상기 제1 반도체층과 상기 제1 전극 사이에 배치된 GaAsP 반도체층을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
A light emitting device comprising a GaAsP semiconductor layer disposed between the first semiconductor layer and the first electrode. 제1항에 있어서,
상기 AlGaAsP 반도체층의 두께는 수 옹스트롬 내지 수십 옹스트롬인 발광소자.The method of claim 1,
The AlGaAsP semiconductor layer has a thickness of several angstroms to tens of angstroms. 제1항에 있어서,
상기 발광구조물의 표면거칠기는 수 옹스트롬인 발광소자.
The method of claim 1,
A light emitting device having a surface roughness of several angstroms of the light emitting structure.
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