KR102223763B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 약액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치느 내부에 처리공간을 제공하며, 상부가 개방된 용기, 상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 지지플레이트, 상기 지지플레이트에 지지된 기판 상으로 약액을 공급하는 약액공급유닛, 상기 처리공간의 분위기를 배기하는 배기유닛, 그리고 상기 용기의 상부에 위치되며, 상기 용기의 상단에 위치된 퓸을 제거하는 퓸 제거유닛을 포함한다. 용기 내부의 하부영역을 배기유닛으로 배기하고, 그 상부영역을 퓸제거유닛으로 배기하므로, 용기 내에 발생된 퓸이 용기의 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for treating a substrate with a chemical solution. The substrate processing apparatus provides a processing space inside, a container with an open top, a support plate for supporting and rotating a substrate in the processing space, a chemical solution supply unit for supplying a chemical solution onto a substrate supported by the support plate, and the processing space And an exhaust unit for exhausting the atmosphere of the container, and a fume removal unit positioned at the top of the container and removing fume located at the top of the container. Since the lower area inside the container is exhausted to the exhaust unit and the upper area is exhausted to the fume removing unit, it is possible to prevent the fume generated in the container from being exposed to the outside of the container.

Figure R1020130165432
Figure R1020130165432

Description

기판처리장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 약액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for treating a substrate with a chemical liquid.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 다양한 공정들이 진행되며, 크게 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 세정 공정들이 진행된다. 이 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정공정에는 기판 상에 약액을 공급하여 그 기판을 처리하는 공정을 수행한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes are performed, and largely, photography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed. Among them, a process of treating the substrate by supplying a chemical solution to the substrate is performed in the photographing, etching, ashing, and cleaning processes.

일반적으로 기판을 약액 처리하는 공정으로는, 용기 내에서 기판을 지지하고, 이를 회전하는 중에 약액을 공급한다. 약액은 기판의 중앙영역에서 그 가장자리영역으로 확산되고, 사용된 약액은 용기의 내측면에 제공되는 드레인라인을 통해 드레인된다. 또한 약액은 기판 상에 형성된 박막과 반응하여 퓸을 발생하거나, 대기 중에 노출되어 퓸을 발생한다. 이로 인해 공정이 진행되는 동안, 용기의 내부 분위기을 필히 배기해야 한다. In general, as a process of treating a substrate with a chemical liquid, the substrate is supported in a container, and the chemical liquid is supplied while rotating the substrate. The chemical liquid diffuses from the central region of the substrate to the edge region, and the used chemical liquid is drained through a drain line provided on the inner side of the container. In addition, the chemical solution reacts with the thin film formed on the substrate to generate fume or is exposed to the atmosphere to generate fume. For this reason, the internal atmosphere of the container must be exhausted during the process.

도1은 일반적으로 기판을 약액 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 용기(2) 내에 위치된 기판으로 약액을 공급하여 기판을 처리한다. 용기 내부에 발생된 퓸은 용기의 저면에 결합된 배기라인을 통해 배기된다. 그러나 퓸의 일부는 용기(2)의 내측면으로 비산되어 그 용기(2)의 개방된 상부영역으로 제공된다. 이로 인해 퓸은 용기(2)의 외부로 노출되고, 이는 용기(2) 및 이의 주변 장치를 오염시킨다.1 is a cross-sectional view showing an apparatus for treating a substrate in general. Referring to FIG. 1, a substrate is processed by supplying a chemical solution to a substrate positioned in the container 2. The fume generated inside the container is exhausted through an exhaust line coupled to the bottom of the container. However, some of the fume is scattered to the inner surface of the container 2 and is provided to the open upper area of the container 2. This exposes the fume to the outside of the container 2, which contaminates the container 2 and its peripheral devices.

한국 공개 특허: 제2009-0118820호Korean Patent Publication: No. 2009-0118820

본 발명은 기판을 약액 처리 시 용기 내에 발생되는 퓸을 제거할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of removing fume generated in a container when a substrate is treated with a chemical solution.

또한 본 발명은 용기 내에 발생된 퓸의 일부가 용기의 개방된 상부영역으로 배출되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide an apparatus and method capable of preventing some of the fume generated in the container from being discharged to the open upper area of the container.

본 발명의 실시예는 기판을 약액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치느 내부에 처리공간을 제공하며, 상부가 개방된 용기, 상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 지지플레이트, 상기 지지플레이트에 지지된 기판 상으로 약액을 공급하는 약액공급유닛, 상기 처리공간의 분위기를 배기하는 배기유닛, 그리고 상기 용기의 상부에 위치되며, 상기 용기의 상단에 위치된 퓸을 제거하는 퓸 제거유닛을 포함한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for treating a substrate with a chemical solution. The substrate processing apparatus provides a processing space inside, a container with an open top, a support plate for supporting and rotating a substrate in the processing space, a chemical solution supply unit for supplying a chemical solution onto a substrate supported by the support plate, and the processing space And an exhaust unit for exhausting the atmosphere of the container, and a fume removal unit positioned at the top of the container and removing fume located at the top of the container.

상기 배기유닛은 상기 용기의 저면에 결합되는 배기라인 및 상기 배기라인에 음압을 제공하는 감압부재를 포함하고, 상기 퓸제거유닛은 상기 용기의 상면을 감싸도록 제공되는 링 형상의 바디 및 상기 바디 및 상기 배기라인을 연결하는 퓸제거라인을 포함할 수 있다. 상기 바디는 상기 용기의 상면과 상하방향으로 대향되게 위치되는 상부벽 및 상기 수평면의 외측단으로부터 아래로 연장되어 상기 용기와 결합되는 외측벽을 포함할 수 있다. 상기 상부벽의 내측단은 상기 용기과 마주보도록 제공될 수 있다. 상기 바디는 상기 상부벽의 내측단으로부터 아래로 연장되며, 상기 용기와 이격되는 내측벽을 더 포함할 수 있다.The exhaust unit includes an exhaust line coupled to a bottom surface of the container and a decompression member providing negative pressure to the exhaust line, and the fume removal unit includes a ring-shaped body and the body provided to surround an upper surface of the container, and It may include a fume removal line connecting the exhaust line. The body may include an upper wall positioned to face an upper surface of the container in a vertical direction, and an outer wall extending downward from an outer end of the horizontal surface to be coupled to the container. The inner end of the upper wall may be provided to face the container. The body may further include an inner wall extending downward from the inner end of the upper wall and spaced apart from the container.

지지플레이트에 지지 및 회전되는 기판 상에 약액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 방법으로는 상기 지지플레이트를 감싸며, 상부가 개방된 용기의 내부 분위기를 배기하고, 상기 용기의 상단에 위치된 퓸을 제거한다.As a method of treating the substrate by supplying a chemical solution to the substrate that is supported and rotated on the support plate, the support plate is wrapped around the support plate, the internal atmosphere of the container with the open top is exhausted, and the fume located at the top of the container is removed. do.

상기 용기의 상단에 위치된 상기 퓸을 제거하는 것은 상기 용기의 상면과 대향되는 그 상부영역에 퓸수용공간을 가지는 바디를 제공하고, 상기 퓸수용공간에 음압을 제공할 수 있다. 상기 퓸수용공간에 음압을 제공하는 것은 상기 용기의 내부에 음압을 제공하는 감압부재와 상기 퓸수용공간을 서로 연결할 수 있다. 상기 약액은 현상액으로 제공될 수 있다.Removing the fume located at the upper end of the container may provide a body having a fume receiving space in the upper area facing the upper surface of the container, and provide a negative pressure to the fume receiving space. Providing a negative pressure to the fume-receiving space may connect a decompression member that provides a negative pressure to the inside of the container and the fume-receiving space. The chemical solution may be provided as a developer.

본 발명의 실시예에 의하면, 용기 내부의 하부영역을 배기유닛으로 배기하고, 그 상부영역을 퓸제거유닛으로 배기하므로, 용기 내에 발생된 퓸이 용기의 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, since the lower area inside the container is exhausted to the exhaust unit and the upper area is exhausted to the fume removing unit, it is possible to prevent fume generated in the container from being exposed to the outside of the container.

도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도3는 도2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도4는 도2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도5는 도2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도6은 도2의 현상챔버에 제공되는 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도7은 도6의 바디를 보여주는 사시도이다.
도8 및 도9는 도6의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리 시 퓸의 배기 과정을 보여주는 도면들이다.1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the direction AA.
4 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 as viewed from the BB direction.
5 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the CC direction.
6 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided in the developing chamber of FIG. 2.
Fig. 7 is a perspective view showing the body of Fig. 6;
8 and 9 are views illustrating a fume exhaust process when a substrate is processed using the substrate processing apparatus of FIG. 6.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely describe the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the facility of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. In the following, a case where a wafer is used as a substrate is described as an example.

도2 내지 도9은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도3은 도2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도4는 도2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도5는 도2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 to 9 are views schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view of the substrate processing facility viewed from the top, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the BB direction, and FIG. 5 is the facility of FIG. Is a view viewed from the CC direction.

도2 내지 도5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing facility 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, and a second buffer module 500. ), a pre-exposure processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700 Are sequentially arranged in a row in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( The direction in which 700) is arranged is called the first direction 12, the direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is called the second direction 14, and the first direction 12 and the second A direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door in the front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of placement tables 120 are provided, and the placement tables 200 are arranged in a row along the second direction 14. In FIG. 1, four mounting tables 120 were provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 includes a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty inside, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210. The index robot 220 is driven by four axes so that the hand 221 that directly handles the substrate W can move and rotate in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. It has this possible structure. The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixedly installed on the arm 222. The arm 222 is provided in a stretchable structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 so as to be movable along the support 223. Support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be able to move linearly along the guide rail 230. Further, although not shown, a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 is further provided on the frame 210.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 includes a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the index module 200 and the coating and developing module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located in the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 to be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are applied to a coating and developing module ( It is located at a height corresponding to the developing module 402 of 400). The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart a predetermined distance from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 and the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. In the housing 331, the index robot 220, the first buffer robot 360, and the developing unit robot 482 of the developing module 402 to be described later attach the substrate W to the support 332 in the housing 331. An opening (not shown) is provided in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in a direction in which the applicator robot 432 positioned in the application module 401 to be described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided to the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided to the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixedly installed on the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be able to move linearly in the third direction 16 along the support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer than this in an upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven only in two axes along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. Each of the cooling chambers 350 cools the substrate W. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods, such as cooling using cooling water or cooling using a thermoelectric element, may be used. In addition, a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350. The housing 351 includes the index robot 220 so that the developing unit robot 482 provided to the index robot 220 and the developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352. The provided direction and the developing unit robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. In addition, doors (not shown) for opening and closing the above-described opening may be provided in the cooling chamber 350.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist onto the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The coating and developing module 400 has a substantially rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The coating module 401 and the developing module 402 are disposed to be partitioned into layers therebetween. According to one example, the application module 401 is located above the developing module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The coating module 401 includes a process of applying a photoresist, such as a photoresist, to the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling of the substrate W before and after the resist coating process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist coating chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the resist coating chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the figure, an example in which six resist application chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, unlike this, the number of bake chambers 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned parallel to the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, an application unit robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is the first of the bake chambers 420, the resist coating chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520. The guide rail 433 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to linearly move in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixedly installed on the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable structure to allow the hand 434 to move in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be able to move linearly in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the support 437, and the support 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. All of the resist application chambers 410 have the same structure. However, the types of photoresists used in each resist application chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photo resist. The resist application chamber 410 applies a photoresist onto the wafer W. The resist application chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the wafer W. The support plate 412 is provided rotatably. The nozzle 413 supplies photoresist onto the wafer W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tubular shape and can supply a photoresist to the center of the wafer W. Optionally, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 414 supplying a cleaning solution such as deionized water may be further provided in the resist application chamber 410 to clean the surface of the wafer W on which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 420 heats the substrate W. For example, the bake chambers 420 heat the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove organic matter or moisture from the surface of the substrate W, or use a photoresist as a substrate ( A soft bake process or the like performed after coating on W) is performed, and a cooling process or the like of cooling the substrate W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. Further, the heating plate 422 is provided with a heating means 424 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may have only the cooling plate 421 and some of the bake chambers 420 may have only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 is a developing process in which a part of the photoresist is removed by supplying a developer to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. Includes. The developing module 402 has a developing chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The developing chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the developing chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six developing chambers 460 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the figure, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, unlike this, the number of bake chambers 470 may be provided.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned parallel to the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, a developing unit robot 482 and a guide rail 483 are positioned. The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the baking chambers 470, the developing chambers 460, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. Transfer the substrate (W) between the second cooling chamber 540 of. The guide rail 483 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing robot 482 has a hand 484, an arm 485, a support 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixedly installed on the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable structure to allow the hand 484 to move in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 so as to be able to move linearly in the third direction 16 along the support 486. The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. 현상챔버는 기판(W) 상에 현상액을 공급하는 기판처리장치(800)로 제공된다. 도6은 도2의 현상챔버에 제공되는 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도6을 참조하면, 기판처리장치(800)는 기판지지유닛(820), 용기(850), 승강유닛(880), 약액공급유닛(890), 배기유닛(900), 그리고 퓸제거유닛(910)을 포함한다. All of the developing chambers 460 have the same structure. However, the types of developing solutions used in each developing chamber 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes a region of the photoresist on the substrate W to which light is irradiated. At this time, the region irradiated with light in the protective layer is also removed. Depending on the type of photoresist that is selectively used, only the areas of the photoresist and the protective layer that are not irradiated with light may be removed. The developing chamber is provided as a substrate processing apparatus 800 that supplies a developer onto the substrate W. 6 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided in the developing chamber of FIG. 2. Referring to FIG. 6, the substrate processing apparatus 800 includes a substrate support unit 820, a container 850, an elevating unit 880, a chemical solution supply unit 890, an exhaust unit 900, and a fume removal unit 910. ).

기판지지유닛(820)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판지지유닛(820)은 지지플레이트(820) 및 구동부재를 포함한다. 지지플레이트(820)의 상면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재들이 위치된다. 지지핀(822)들은 기판(W)의 저면을 지지하고, 척핀(824)들은 기판(W)의 측면을 지지한다. 지지플레이트(820)는 구동부재에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 구동부재는 구동축 및 구동기를 포함한다. 구동축은 지지플레이트(820)를 지지한다. 구동축은 구동기에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 예컨대, 구동기는 모터일 수 있다.The substrate support unit 820 supports and rotates the substrate W. The substrate support unit 820 includes a support plate 820 and a driving member. Pin members supporting the substrate W are positioned on the upper surface of the support plate 820. The support pins 822 support the bottom surface of the substrate W, and the chuck pins 824 support the side surface of the substrate W. The support plate 820 is provided to be rotatable by a driving member. The drive member includes a drive shaft and a driver. The drive shaft supports the support plate 820. The drive shaft is provided to be rotatable by a driver. For example, the driver may be a motor.

용기(850)는 내부에 현상공정이 수행되는 처리공간을 제공한다. 용기(850)는 상부가 개방된 통 형상을 가지도록 제공된다, 용기(850)는 회수통(860) 및 안내벽(870)을 포함한다. 회수통(860)은 기판지지유닛(820)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 회수통(860)은 제1경사벽(862), 수직벽(864), 그리고 바닥벽(866)을 포함한다. 제1경사벽(862)은 기판지지유닛(820)을 둘러싸도록 제공된다. 제1경사벽(862)은 기판지지유닛(820)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공된다. 수직벽(864)은 제1경사벽(862)의 하단으로부터 아래 방향으로 연장된다. 수직벽(864)은 지면과 수직한 길이방향을 가질 수 있다. 바닥벽(866)은 수직벽(864)의 하단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 바닥멱은 기판지지유닛(820)의 중심축을 향하는 방향을 수평하게 제공된다. 바닥벽(866)에는 회수라인(868)이 연결된다. 회수라인(868)은 회수통(860)에 유입된 약액을 외부로 배출한다. 배출된 약액은 약액재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다. 회수라인(868)은 바닥벽(866)에서 안내벽(870)과 수직벽(864) 사이에 위치될 수 있다.The container 850 provides a processing space in which a developing process is performed. The container 850 is provided to have a cylindrical shape with an open top. The container 850 includes a recovery container 860 and a guide wall 870. The recovery container 860 is provided to have an annular ring shape surrounding the substrate support unit 820. The recovery container 860 includes a first inclined wall 862, a vertical wall 864, and a bottom wall 866. The first inclined wall 862 is provided to surround the substrate support unit 820. The first inclined wall 862 is provided to be inclined downward in a direction away from the substrate supporting unit 820. The vertical wall 864 extends downward from the lower end of the first inclined wall 862. The vertical wall 864 may have a longitudinal direction perpendicular to the ground. The bottom wall 866 extends in a vertical direction from the lower end of the vertical wall 864. The bottom edge is horizontally provided in a direction toward the central axis of the substrate support unit 820. A recovery line 868 is connected to the bottom wall 866. The recovery line 868 discharges the chemical liquid introduced into the recovery container 860 to the outside. The discharged chemical liquid can be reused through a chemical liquid regeneration system (not shown). The recovery line 868 may be located between the guide wall 870 and the vertical wall 864 in the bottom wall 866.

안내벽(870)은 제1경사벽(862)과 바닥벽(866) 사이에 위치된다. 안내벽(870)은 회수통(860)의 내측에서 기판지지유닛(820)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 안내벽(870)은 제2경사벽(872) 및 사이벽(874)을 포함한다. 제2경사벽(872)은 기판지지유닛(820)을 감싸도록 제공된다. 제2경사벽(872)은 기판지지유닛(820)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공된다. 제2경사벽(872)과 제1경사벽(862)의 사이공간은 약액이 회수되는 회수공간(865)으로 제공된다. 제2경사벽(872)의 상단은 제1경사벽(862)의 상단과 상하방향으로 일치되게 제공될 수 있다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)과 바닥벽(866)을 연결한다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)의 상단으로부터 아래방향으로 연장된다. The guide wall 870 is positioned between the first inclined wall 862 and the bottom wall 866. The guide wall 870 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 820 inside the collection container 860. The guide wall 870 includes a second inclined wall 872 and an intermediate wall 874. The second inclined wall 872 is provided to surround the substrate support unit 820. The second inclined wall 872 is provided to be inclined downward in a direction away from the substrate supporting unit 820. The space between the second inclined wall 872 and the first inclined wall 862 is provided as a recovery space 865 in which the chemical is recovered. The upper end of the second inclined wall 872 may be provided to be aligned with the upper end of the first inclined wall 862 in the vertical direction. The inter-wall 874 connects the second inclined wall 872 and the bottom wall 866. The inter-wall 874 extends downward from the upper end of the second inclined wall 872.

승강유닛(880)은 용기(850)을 상하방향으로 승강 이동시킨다. 승강유닛(880)은 용기(850)과 기판지지유닛(820) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강유닛(880)은 브라켓(882), 이동축(884), 그리고 구동기(886)를 포함한다. 브라켓(882)은 제1경사벽(862)의 외측면에 고정설치된다. 브라켓(882)에는 구동기(886)에 의해 상하방향으로 이동 가능한 이동축(884)이 고정 결합된다.The lifting unit 880 moves the container 850 up and down. The lifting unit 880 adjusts the relative height between the container 850 and the substrate support unit 820. The lifting unit 880 includes a bracket 882, a moving shaft 884, and a driver 886. The bracket 882 is fixedly installed on the outer surface of the first inclined wall 862. A movable shaft 884 that can be moved vertically by a driver 886 is fixedly coupled to the bracket 882.

약액공급유닛(890)은 지지플레이트(820)에 로딩된 기판(W)에 약액을 공급한다. 약액공급유닛(890)은 지지축(891), 아암(893), 그리고 노즐(894)을 포함한다. 지지축(891)은 용기(850)의 일측에 위치된다. 지지축(891)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 지지축(891)은 구동기(미도시)에 의해 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 아암(893)은 지지축(891)의 상단으로부터 수직한 방향으로 연장되게 제공된다. 지지축(891)의 끝단에는 노즐(894)이 결합된다. 지지축(891)의 회전에 의해 노즐(894)은 아암(893)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(894)은 지지축(891)의 회전에 의해 공정위치 및 대기위치로 이동 가능하다. 여기서 공정위치는 노즐(894)이 용기(850)의 상부에서 용기(850)과 대향되는 위치이고, 대기위치는 노즐(894)이 공정위치를 벗어난 위치이다. 예컨대, 약액은 현상액일 수 있다. 추가적으로 약액공급유닛(890)은 현상액이 공급된 기판(W)의 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(894)이 더 제공될 수 있다. The chemical solution supply unit 890 supplies the chemical solution to the substrate W loaded on the support plate 820. The chemical solution supply unit 890 includes a support shaft 891, an arm 893, and a nozzle 894. The support shaft 891 is located on one side of the container 850. The support shaft 891 is provided so that its longitudinal direction faces the third direction. The support shaft 891 is provided to be rotatable about its central axis by a driver (not shown). The arm 893 is provided to extend in a vertical direction from the upper end of the support shaft 891. A nozzle 894 is coupled to the end of the support shaft 891. By the rotation of the support shaft 891, the nozzle 894 is capable of swinging together with the arm 893. The nozzle 894 can be moved to a process position and a standby position by rotation of the support shaft 891. Here, the process position is a position where the nozzle 894 faces the container 850 at the top of the container 850, and the standby position is a position where the nozzle 894 is out of the process position. For example, the chemical solution may be a developer. Additionally, the chemical solution supply unit 890 may further be provided with a nozzle 894 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W supplied with the developer.

배기유닛(900)은 처리공간의 분위기를 배기한다. 배기유닛(900)은 처리공간에 발생된 퓸을 제거한다. 배기유닛(900)은 배기관(902), 감압부재(908), 그리고 커버(906)를 포함한다. 배기관(902)은 용기(850)의 바닥벽(866)에 설치된다. 배기관(902)은 바닥벽(866)에서 안내벽(870)과 기판지지유닛(820)의 구동축 사이에 위치된다. 배기관(902)은 복수 개로 제공된다. 각각의 배기관(902)은 구동축을 감싸도록 제공될 수 있다. 각각의 배기관(902)은 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 배기관(902)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 각각 배기관(902)의 상단은 처리공간에 위치된다. 각각의 배기관(902)의 상단은 지지플레이트(820)보다 낮은 높이를 가진다. 각각의 배기관(902)은 용기(850)의 아래에서 서로 합쳐져 하나의 배기라인(904)으로 통합된다. 배기라인(904)에는 감압부재(908)가 설치된다. 감압부재(908)는 배기라인(904)을 통해 각각의 배기관(902)에 음압을 제공한다. 음압은 처리공간의 분위기가 배기관(902)으로 배기되도록 처리공간에 힘을 가한다. 처리공간에 발생된 퓸의 일부는 배기관(902)을 통해 배기될 수 있다.The exhaust unit 900 exhausts the atmosphere of the processing space. The exhaust unit 900 removes fume generated in the processing space. The exhaust unit 900 includes an exhaust pipe 902, a pressure reducing member 908, and a cover 906. The exhaust pipe 902 is installed on the bottom wall 866 of the container 850. The exhaust pipe 902 is located between the guide wall 870 and the drive shaft of the substrate support unit 820 in the bottom wall 866. The exhaust pipe 902 is provided in plural. Each exhaust pipe 902 may be provided to surround the drive shaft. Each exhaust pipe 902 is provided to have the same shape. The exhaust pipe 902 is provided so that its longitudinal direction faces the third direction. The upper end of each exhaust pipe 902 is located in the processing space. The upper end of each exhaust pipe 902 has a height lower than that of the support plate 820. Each of the exhaust pipes 902 are merged with each other under the vessel 850 and integrated into one exhaust line 904. A pressure reducing member 908 is installed in the exhaust line 904. The pressure reducing member 908 provides a negative pressure to each of the exhaust pipes 902 through the exhaust line 904. The negative pressure applies a force to the treatment space so that the atmosphere in the treatment space is exhausted to the exhaust pipe 902. Part of the fume generated in the processing space may be exhausted through the exhaust pipe 902.

커버(906)는 배기관(902)에 약액이 유입되는 것을 방지한다. 커버(906)는 배기관(902)과 지지플레이트(820) 사이에 위치된다. 커버(906)는 배기관(902)의 상단과 대향되게 위치된다. 커버(906)는 배기관(902)과 지지플레이트(820) 각각으로부터 이격되게 위치된다. The cover 906 prevents the chemical solution from flowing into the exhaust pipe 902. The cover 906 is located between the exhaust pipe 902 and the support plate 820. The cover 906 is positioned opposite to the upper end of the exhaust pipe 902. The cover 906 is positioned to be spaced apart from the exhaust pipe 902 and the support plate 820, respectively.

퓸제거유닛(910)은 용기(850)으로부터 비산되어 용기(850)의 외부로 노출되는 퓸을 제거한다. 퓸제거유닛(910)은 용기(850)의 상단에 위치된 퓸을 제거한다. 도7은 도6의 바디를 보여주는 사시도이다. 도7을 참조하면, 퓸제거유닛(910)은 바디(920) 및 퓸제거라인(930)을 포함한다. 바디(920)는 용기(850)의 상부에 위치된다. 바디(920)는 제1경사벽(862)의 상면을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 바디(920)는 상부벽(922), 외측벽(926), 그리고 내측벽(924)을 포함한다. 상부벽(922)은 상하방향을 따라 제1경사벽(862)과 대향되게 위치된다. 상부벽(922)은 제1경사벽(862)과 이격되게 위치된다. 상부벽(922)의 내측단과 제1경사벽(862)의 상단은 상하방향을 따라 일치되도록 제공된다. 선택적으로, 상부벽(922)의 내측단은 용기(850)의 개방영역과 대향되게 위치될 수 있다. 외측벽(926)은 상부벽(922)과 제1경사벽(862)을 연결한다. 외측벽(926)은 상부벽(922)의 외측단으로부터 아래로 연장되게 제공된다. 외측벽(926)의 하단은 제1경사벽(862)에 결합되도록 제공된다. 내측벽(924)은 상부벽(922)의 내측단으로부터 아래로 연장되게 제공된다. 내측벽(924)의 하단은 제1경사벽(862)과 이격되게 제공된다. 따라서 바디(920)와 제1경사벽(862)은 서로 조합되어 퓸수용공간을 형성한다.The fume removal unit 910 removes fume that is scattered from the container 850 and exposed to the outside of the container 850. The fume removing unit 910 removes fume located at the top of the container 850. Fig. 7 is a perspective view showing the body of Fig. 6; Referring to FIG. 7, the fume removal unit 910 includes a body 920 and a fume removal line 930. The body 920 is located on the top of the container 850. The body 920 is provided in a ring shape surrounding the upper surface of the first inclined wall 862. The body 920 includes an upper wall 922, an outer wall 926, and an inner wall 924. The upper wall 922 is positioned to face the first inclined wall 862 along the vertical direction. The upper wall 922 is positioned to be spaced apart from the first inclined wall 862. The inner end of the upper wall 922 and the upper end of the first inclined wall 862 are provided so as to coincide along the vertical direction. Optionally, the inner end of the upper wall 922 may be positioned opposite to the open area of the container 850. The outer wall 926 connects the upper wall 922 and the first inclined wall 862. The outer wall 926 is provided to extend downward from the outer end of the upper wall 922. The lower end of the outer wall 926 is provided to be coupled to the first inclined wall 862. The inner wall 924 is provided to extend downward from the inner end of the upper wall 922. The lower end of the inner wall 924 is provided to be spaced apart from the first inclined wall 862. Accordingly, the body 920 and the first inclined wall 862 are combined with each other to form a fume accommodation space.

퓸제거라인(930)은 퓸수용공간에 제공된 퓸을 배기라인(904)으로 배기시킨다. 퓸제거라인(930)은 퓸수용공간과 배기라인(904)을 연결한다. 퓸제거라인(930)은 배기라인(904)으로부터 제공된 음압을 퓸수용공간으로 전달한다. 일 예에 의하면, 퓸제거라인(930)은 배기라인(904)에서 퓸이 배기되는 방향을 따라 감압부재(908)보다 하류에 연결될 수 있다.The fume removal line 930 exhausts fume provided in the fume accommodation space to the exhaust line 904. The fume removal line 930 connects the fume receiving space and the exhaust line 904. The fume removal line 930 transmits the negative pressure provided from the exhaust line 904 to the fume receiving space. According to an example, the fume removal line 930 may be connected to the downstream of the pressure reducing member 908 along the direction in which fume is exhausted from the exhaust line 904.

도8 및 도9는 도6의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리 시 퓸의 배기 과정을 보여주는 도면들이다. 도8 및 도9를 참조하면, 기판(W)이 지지플레이트(820)의 핀부재에 놓여지면, 구동축에 의해 회전된다. 회전되는 기판(W) 상에 노즐(894)을 약액을 공급한다. 약액은 기판(W)의 원심력에 의해 제1경사벽(862)과 제2경사벽(872)의 사이 공간으로 회수된다. 회수된 약액은 회수라인(868)을 통해 외부로 배출된다. 처리공간에서 발생된 퓸은 그 일부가 배기유닛(900)을 통해 배기된다. 이와 달리 퓸의 다른 일부는 제1경사벽(862)으로부터 비산되어 용기(850)의 개방영역으로 이동된다. 용기(850)의 개방영역을 통해 이동되는 퓸은 퓸제거라인(930)으로부터 전달된 음암에 의해 퓸수용공간으로 이동된다. 퓸수용공간에 제공된 퓸은 퓸제거라인(930)을 통해 제거된다.8 and 9 are views showing a fume exhaust process when a substrate is processed using the substrate processing apparatus of FIG. 6. 8 and 9, when the substrate W is placed on the pin member of the support plate 820, it is rotated by the drive shaft. A chemical solution is supplied to the nozzle 894 on the rotating substrate W. The chemical solution is recovered into the space between the first inclined wall 862 and the second inclined wall 872 by the centrifugal force of the substrate W. The recovered chemical solution is discharged to the outside through a recovery line 868. Part of the fume generated in the processing space is exhausted through the exhaust unit 900. In contrast, another part of the fume is scattered from the first inclined wall 862 and moved to the open area of the container 850. The fume that moves through the open area of the container 850 is moved to the fume accommodation space by the shade transmitted from the fume removal line 930. The fume provided in the fume accommodation space is removed through the fume removal line 930.

상술한 실시예에는 바디(920)가 상부벽(922), 외측벽(926), 그리고 내측벽(924)을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 바디(920)에는 내측벽(924)이 제공되지 않고, 상부벽(922) 및 외측벽(926)만 제공될 수 있다. In the above-described embodiment, it has been described that the body 920 has an upper wall 922, an outer wall 926, and an inner wall 924. However, the body 920 is not provided with the inner wall 924, and only the upper wall 922 and the outer wall 926 may be provided.

또한 퓸제거유닛(910)은 바디(920)가 제공되지 않을 수 있다. 퓸제거유닛(910)의 퓸제거라인(930)은 제1경사벽(862)과 배기라인(904)을 연결할 수 있다. 제1경사벽(862)의 상면에는 배기홀이 형성될 수 있다. 배기라인(904)으로부터 제공된 음압은 퓸제거라인(930)을 통해 배기홀로 전달될 수 있다.In addition, the body 920 may not be provided in the fume removing unit 910. The fume removal line 930 of the fume removal unit 910 may connect the first inclined wall 862 and the exhaust line 904. An exhaust hole may be formed on an upper surface of the first inclined wall 862. The negative pressure provided from the exhaust line 904 may be transmitted to the exhaust hole through the fume removal line 930.

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The baking chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 470 have a post bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each bake process. A cooling process or the like of cooling the resulting substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only the cooling plate 471 and some of the bake chambers 470 may have only the heating plate 472.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the coating and developing module 400 and the pre-exposure processing module 600. In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process such as a cooling process or an edge exposure process on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560. Have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located in the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. When viewed from above, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 and the first direction 12 of the application module 401. The edge exposure chamber 550 is disposed to be spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transports the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a similar structure to the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W processed by the coating module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process was performed in the coating module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes the edges of the substrates W on which the cooling process has been performed in the first cooling chamber 530. The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to a pretreatment module 601 to be described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the substrates W processed in the post-processing module 602 to be described later are transferred to the developing module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to a height corresponding to the developing module 402. In this case, the substrates W processed by the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs an immersion exposure process, the pre-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film to protect the photoresist film applied to the substrate W during immersion exposure. In addition, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using a chemically amplified resist, the pre-exposure processing module 600 may process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-treatment module 601 and the post-treatment module 602 are arranged to be partitioned into layers therebetween. According to one example, the pre-processing module 601 is located above the post-processing module 602. The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 includes a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided, and are disposed along the third direction 16 to form a layer with each other. Optionally, a plurality of protective layer application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. A plurality of bake chambers 620 are provided, and are disposed along the third direction 16 to form layers with each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned parallel to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. A pre-treatment robot 632 is located in the transfer chamber 630. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pretreatment robot 632 is between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. Transfer the substrate W. The pretreatment robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixedly installed on the arm 634. The arm 634 is provided in a stretchable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 to allow linear movement along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film application chamber 610 applies a protective film to protect the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is provided rotatably. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tubular shape, and a protective liquid can be supplied to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and a discharge port of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid contains a foamable material. As the protective solution, a photoresist and a material having a low affinity for water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heats the substrate W on which the protective film is applied. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 622 is provided with a heating means 624 such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in one bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622, and some of the bake chambers 620 may have only the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-treatment module 602 includes a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers with each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. After exposure, a plurality of bake chambers 670 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers with each other. Optionally, after exposure, a plurality of bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned parallel to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 and in the first direction 12 when viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 includes the cleaning chambers 660, the post-exposure bake chambers 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transported between the buffers 730. The post-processing robot 682 provided to the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided to the pre-processing module 601.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is provided rotatably. The nozzle 663 supplies a cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. Water such as deionized water may be used as the cleaning liquid. The cleaning chamber 660 supplies a cleaning solution to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may linearly move or rotate from the center region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process has been performed using far ultraviolet rays. In the post-exposure bake process, the substrate W is heated to amplify the acid generated in the photoresist by exposure to complete the change in the properties of the photoresist. After exposure, the bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. After exposure, the bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, optionally, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre-exposure processing module 600, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-treatment module 601 and the transfer chamber 680 of the post-treatment module 602 are provided in the same size, and may be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and may be provided so as to completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may have the same size and may be completely overlapped with each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900 before and after exposure. The interface module 700 includes a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located in the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are disposed to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is located at a height corresponding to the pre-processing module 601, and the second buffer 730 is disposed at a height corresponding to the post-processing module 602. When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a row along the transfer chamber 630 of the pretreatment module 601 and the first direction 12, and the second buffer 730 is the post-processing module 602 It is positioned to be arranged in a line along the transfer chamber 630 and the first direction 12 of.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 transports the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed by the preprocessing module 601 before they are moved to the exposure apparatus 900. In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W that have been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed in the housing 721 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. One substrate W is placed on each of the supports 722. The housing 721 is a direction and a pre-treatment robot 740 provided with the interface robot 740 so that the interface robot 740 and the pre-treatment robot 632 can carry the substrate W into or out of the support 722 into the housing 721. 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in a direction in which the interface robot 740 is provided and a direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only buffers and a robot may be provided to the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

820: 지지플레이트 850: 용기
890: 약액공급유닛 900: 배기유닛
910: 퓸 제거유닛 920: 바디
930: 퓸제거라인820: support plate 850: container
890: chemical liquid supply unit 900: exhaust unit
910: fume removal unit 920: body
930: fume removal line

Claims (9)

내부에 처리공간을 제공하며, 상부가 개방된 용기와;
상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 지지플레이트와;
상기 지지플레이트에 지지된 기판 상으로 약액을 공급하는 약액공급유닛과;
상기 처리공간의 분위기를 배기하는 배기유닛과;
상기 용기의 상부에 위치되는 퓸제거라인을 포함하는 퓸 제거유닛을 포함하고,
상기 배기유닛은 상기 용기의 저면에 결합되는 배기라인을 포함하고,
상기 배기라인은 상기 용기의 하단에 위치된 퓸을 제거하고,
상기 퓸제거라인은 상기 용기의 상단에 위치된 퓸을 제거하고,
상기 용기는 상기 지지플레이트를 감싸도록 제공되는 회수통을 포함하고,
상기 퓸 제거유닛은 상기 회수통의 상벽보다 높은 위치에서 상기 상벽과 대향되게 위치되는 상부벽과, 상기 상부벽의 외측단으로부터 아래로 연장되어 상기 용기에 결합되는 외측벽을 포함하며, 상기 상부벽, 상기 외측벽 및 상기 상벽으로 둘러싸인 퓸수용공간이 형성되는 바디를 포함하고,
상기 퓸제거라인은,
상기 외측벽에 결합되어 상기 퓸수용공간에 유입되는 퓸을 상기 용기의 외측으로 배출시키는 기판처리장치.A container provided with a processing space therein and an open top thereof;
A support plate for supporting and rotating the substrate in the processing space;
A chemical liquid supply unit for supplying a chemical liquid onto the substrate supported by the support plate;
An exhaust unit for exhausting the atmosphere of the processing space;
It includes a fume removal unit including a fume removal line located on the upper portion of the container,
The exhaust unit includes an exhaust line coupled to the bottom of the container,
The exhaust line removes fume located at the bottom of the container,
The fume removal line removes fume located at the top of the container,
The container includes a collection container provided to surround the support plate,
The fume removing unit includes an upper wall positioned to face the upper wall at a position higher than the upper wall of the recovery container, and an outer wall extending downward from an outer end of the upper wall and coupled to the container, the upper wall, And a body in which a fume accommodation space is formed surrounded by the outer wall and the upper wall,
The fume removal line,
A substrate processing apparatus that is coupled to the outer wall and discharges fume flowing into the fume receiving space to the outside of the container. 제1항에 있어서,
상기 배기유닛은 상기 배기라인에 음압을 제공하는 감압부재를 포함하고,
상기 퓸 제거유닛은 상기 용기의 상면을 감싸도록 제공되는 링 형상의 바디를 포함하고,
상기 퓸제거라인은 상기 바디 및 상기 배기라인을 연결하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The exhaust unit includes a decompression member for providing a negative pressure to the exhaust line,
The fume removal unit includes a ring-shaped body provided to surround the upper surface of the container,
The fume removal line is a substrate processing apparatus connecting the body and the exhaust line. 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 상부벽의 내측단은 상기 용기과 마주보도록 제공되는 기판처리장치.The method of claim 2,
The substrate processing apparatus is provided so that the inner end of the upper wall faces the container. 제4항에 있어서,
상기 바디는.
상기 상부벽의 내측단으로부터 아래로 연장되며, 상기 용기와 이격되는 내측벽을 더 포함하는 기판처리장치.The method of claim 4,
The body.
The substrate processing apparatus further comprises an inner wall extending downward from the inner end of the upper wall and spaced apart from the container. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하며 지지플레이트에 지지 및 회전되는 기판 상에 약액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 지지플레이트를 감싸며, 상부가 개방된 용기의 내부 분위기를 배기하고,
상기 용기의 상기 내부 분위기를 배기하는 것은,
상기 용기의 저면에 결합되는 배기라인을 통해 상기 용기의 하단에 위치하는 퓸을 제거하고, 상기 용기의 상부에 결합되는 퓸제거라인을 통해 상기 용기의 상단에 위치하는 퓸을 제거하는 기판처리방법.In the method of processing the substrate by supplying a chemical solution onto a substrate that is supported and rotated on a support plate using the substrate processing apparatus of claim 1,
It surrounds the support plate and exhausts the internal atmosphere of the container with an open top,
Exhausting the internal atmosphere of the container,
A substrate processing method for removing fume located at the lower end of the container through an exhaust line coupled to the bottom of the container, and removing fume located at the upper end of the container through a fume removing line coupled to the upper portion of the container. 제6항에 있어서,
상기 용기의 상단에 위치된 상기 퓸을 제거하는 것은,
상기 용기의 상면과 대향되는 그 상부영역에 퓸수용공간을 가지는 바디를 제공하고, 상기 퓸수용공간에 음압을 제공하는 기판처리방법.The method of claim 6,
Removing the fume located at the top of the container,
A substrate processing method comprising providing a body having a fume receiving space in an upper area thereof facing the upper surface of the container, and providing a negative pressure to the fume receiving space. 제7항에 있어서,
상기 퓸수용공간에 음압을 제공하는 것은,
상기 용기의 내부에 음압을 제공하는 감압부재와 상기 퓸수용공간을 서로 연결하는 기판처리방법.The method of claim 7,
Providing a negative pressure to the fume-receiving space,
A substrate processing method for connecting a decompression member providing a negative pressure in the container and the fume receiving space. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 약액은 현상액으로 제공되는 기판처리방법.The method according to any one of claims 6 to 8,
The substrate treatment method wherein the chemical solution is provided as a developer.
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