KR102223005B1 - Method of chamfering of glass - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유리 기판의 모서리에 가열 부재를 접촉시켜 상기 모서리를 면취 하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 가열 부재로부터 상기 유리 기판으로 공급되는 열량은 10 내지 200Kcal이고, 상기 가열부재가 유리 기판에 가하는 압력은 300 내지 700kgf/cm2로써 유리 기판의 표면 조도를 낮추고 응력을 고르게 분포시켜 유리 기판의 연신율을 향상 시킬 수 있는 유리 기판의 면취 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of chamfering the corner by contacting a heating member with the corner of a glass substrate, and more particularly, the amount of heat supplied from the heating member to the glass substrate is 10 to 200 Kcal, and the heating member is a glass substrate The pressure applied to is 300 to 700kgf/cm 2 to reduce the surface roughness of the glass substrate and evenly distribute the stress to improve the elongation of the glass substrate.
Description
본 발명은 특정 범위의 열량 및 압력을 가하여 유리 기판을 면취 하는 유리 기판 면취 가공 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for chamfering a glass substrate by applying a specific range of heat and pressure.
모니터, 카메라, VTR, 휴대폰 등 영상 및 광학장비, 자동차 등 운송장비, 각종 식기류, 건축시설 등 폭넓은 기술 및 산업분야에 있어서 유리제품은 필수 구성요소로 다루어지고 있으며, 이에 따라 각 산업분야의 특성에 맞추어 다양한 물성을 갖는 유리가 제조되어 사용되고 있다.In a wide range of technologies and industries, such as video and optical equipment such as monitors, cameras, VTRs, mobile phones, transportation equipment such as automobiles, various tableware, and construction facilities, glass products are treated as essential components, and accordingly, the characteristics of each industrial field. Glass having various physical properties has been manufactured and used according to the requirements.
이들 중 영상 장비의 핵심 구성요소로서 주목 받고 있는 것이 디스플레이이다.Among these, the display is drawing attention as a core component of video equipment.
이와 같은 디스플레이용 유리 기판은 크게는 Floating 공법과 Overflow 공법으로 생산될 수 있다. Floating 공법은 용해로에서 흘러내리는 유리물을 밑으로 떨어뜨려 냉각시키면서 유리기판을 만들어내는 방식이며, Overflow 공법은 용해로에서 끓인 유리물을 수평으로 흘려 유리기판을 만드는 공법을 말하는데 Floating 공법은 Overflow 공법에 비해 연마 공정이 추가적으로 필요한 반면 광폭 생산이 가능한 장점이 있어 유리 기판 제조 시 많이 사용되고 있다.Such a glass substrate for display can be produced largely by the floating method and the overflow method. The floating method is a method of creating a glass substrate by dropping the glass material flowing down from the melting furnace and cooling it. The overflow method refers to a method of making a glass substrate by horizontally flowing the glass water boiled in the melting furnace. The floating method is compared to the overflow method. While it requires an additional polishing process, it is widely used in manufacturing glass substrates because it has the advantage of enabling wide production.
Floating 공법에 의할 경우 용해, 성형, 서냉, 절단, 면취 및 연마 공정을 거친 후 세정 및 건조를 하여 원하는 유리 기판을 만들어 낸다.In the case of the floating method, after melting, shaping, slow cooling, cutting, chamfering and polishing processes, cleaning and drying are performed to create the desired glass substrate.
이 중 기존의 면취 공정 방식에 의하면 공정 동안 발생한 입자들이 유리박판의 표면의 주된 오염원이 될 수 있어 유리 기판의 제조 공정 마지막에 대규모의 세정과 건조가 요구되고 상기 추가적인 단계들에 의해 제조비용이 증가되는 문제점이 발생한다. 또한, 벨트와 유리박판 사이에 잡힌 입자들과 칩들이 유리박판의 표면을 심각하게 손상시킬 수 있고, 일련의 가공단계를 중단시킬 수 있으며 정선품의 수가 감소되기 때문에 가공율이 나빠지는 결과를 낳을 수 있다.Among them, according to the existing chamfering process method, particles generated during the process can become the main contaminants on the surface of the glass thin plate, so large-scale cleaning and drying are required at the end of the manufacturing process of the glass substrate, and the manufacturing cost is increased by the above additional steps. A problem occurs. In addition, particles and chips caught between the belt and the glass plate can seriously damage the surface of the glass plate, can interrupt a series of processing steps, and result in poor processing rates because the number of selected products is reduced. have.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 한국공개특허 제2013-0081541호는 유리 기판의 모서리 가공 시 발생하는 분진을 최소화하기 위해 MoSi2를 발열체로 사용하여 유리 모서리를 스트립 형태로 깎아내는 가공방식에 대해 개시하고 있다. 열에 의해 가공하는 방식이므로 유리 표면 상태가 중요한데 가공 전 유리 기판에 존재하던 칩핑(Chipping)들로 인해 불균일한 열분포를 야기하고, 가공 후에는 유리 표면이 직진성을 띄지 않아 응력 집중현상이 발생하므로, 유리의 강도를 저하시키는 문제점이 있다.
In order to solve the above problems, Korean Patent Laid-Open No. 2013-0081541 uses MoSi 2 to minimize dust generated during edge processing of a glass substrate. Disclosed is a processing method in which a glass edge is cut into a strip shape by using it as a heating element. Because it is a method of processing by heat, the state of the glass surface is important.Chipping that existed on the glass substrate before processing causes non-uniform heat distribution, and after processing, the glass surface does not have straightness, which causes stress concentration. There is a problem of reducing the strength of the.
본 발명은 유리 기판의 표면 조도를 낮출 수 있는 유리 기판의 면취 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method for chamfering a glass substrate capable of lowering the surface roughness of a glass substrate.
또한, 본 발명은 유리 기판의 연신율을 향상시킬 수 있는 유리 기판의 면취 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
In addition, an object of the present invention is to provide a method for chamfering a glass substrate capable of improving the elongation rate of the glass substrate.
1. 유리 기판의 모서리에 가열 부재를 접촉시켜 상기 모서리를 면취 하는 방법으로서, 상기 가열 부재로부터 상기 유리 기판으로 공급되는 열량은 10 내지 200Kcal이고, 상기 가열부재가 유리 기판에 가하는 압력은 300 내지 700kgf/cm2인, 유리 면취 방법.1. A method of chamfering the corner by contacting a heating member with a corner of a glass substrate, wherein the amount of heat supplied from the heating member to the glass substrate is 10 to 200 Kcal, and the pressure applied by the heating member to the glass substrate is 300 to 700 kgf /cm 2 person, glass chamfering method.
2. 위 1에 있어서, 상기 유리 기판의 모서리는 열응력에 의해 절취되는, 유리 면취 방법.2. In the above 1, the edge of the glass substrate is cut by thermal stress, the glass chamfering method.
3. 위 1에 있어서, 상기 유리 기판의 열전도계수는 0.5 내지 1 Kcal/mh℃인, 유리 면취 방법.3. In the above 1, the thermal conductivity coefficient of the glass substrate is 0.5 to 1 Kcal / mh ℃, the glass chamfering method.
4. 위 1에 있어서, 상기 가열 부재의 온도는 1200 내지 1700℃인, 유리 면취 방법.4. In the above 1, the temperature of the heating member is 1200 to 1700 ℃, the glass chamfering method.
5. 위 1에 있어서, 상기 가열 부재의 이동 속도는 0.5 내지 5 m/min인, 유리 면취 방법.5. In the above 1, the moving speed of the heating member is 0.5 to 5 m/min, the glass chamfering method.
6. 위 1에 있어서, 상기 유리 기판의 면취된 면의 표면 조도(Ra)는 20㎛이하인, 유리 면취 방법.6. In the above 1, the surface roughness (Ra) of the chamfered surface of the glass substrate is 20㎛ or less, the glass chamfering method.
7. 위 1에 있어서, 상기 유리 기판은 강화 유리 기판인, 유리 면취 방법.7. In the above 1, wherein the glass substrate is a tempered glass substrate, the glass chamfering method.
8. 위 7에 있어서, 상기 강화 유리 기판은 비커스 경도가 600 내지 700 kgf/mm2인, 유리 면취 방법.8. In the above 7, wherein the tempered glass substrate has a Vickers hardness of 600 to 700 kgf / mm 2 , the glass chamfering method.
9. 위 7에 있어서, 상기 강화 유리 기판은 강화층 깊이가 10 내지 200㎛인, 유리 면취 방법.
9. In the above 7, wherein the tempered glass substrate has a reinforcing layer depth of 10 to 200㎛, the glass chamfering method.
본 발명은 유리 기판에 특정 범위의 열량 및 압력을 가하여 면취함으로써 유리 기판의 모서리를 매끄럽게 가공하여 표면 조도를 낮출 수 있다.In the present invention, by applying a specific range of heat and pressure to the glass substrate and chamfering, the edge of the glass substrate can be smoothly processed, thereby lowering the surface roughness.
또한, 본 발명의 방법으로 유리 기판을 면취함으로써 응력이 고르게 분포되어 유리 기판의 연신율을 향상시킬 수 있다.Further, by chamfering the glass substrate by the method of the present invention, the stress is evenly distributed and the elongation of the glass substrate can be improved.
또한, 본 발명의 방법으로 면취 가공을 거친 유리 기판의 품질을 개선할 수 있다.
In addition, it is possible to improve the quality of the glass substrate subjected to chamfering by the method of the present invention.
도 1은 실시예 1의 방법으로 면취 하였을 때 유리 기판의 절단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 비교예 1의 방법으로 면취 하였을 때 유리 기판의 절단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따라 면취 가공된 절단면의 개략적인 단면도(a)와 정면도(b)이다.
도 4는 본 발명에 따른 면취 방법의 일 구현예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 면취 방법의 다른 일 구현예를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a cut surface of a glass substrate when chamfering by the method of Example 1. FIG.
2 is a view schematically showing a cut surface of a glass substrate when chamfering by the method of Comparative Example 1.
3 is a schematic cross-sectional view (a) and a front view (b) of a cut surface chamfered according to the present invention.
4 is a diagram schematically showing an embodiment of the chamfering method according to the present invention.
5 is a view schematically showing another embodiment of the chamfering method according to the present invention.
본 발명은 유리 기판의 모서리에 가열 부재를 접촉시켜 상기 모서리를 면취 하는 방법으로서, 상기 가열 부재로부터 상기 유리 기판으로 공급되는 열량은 10 내지 200Kcal이고, 상기 가열부재가 유리 기판에 가하는 압력은 300 내지 700kgf/cm2인, 유리 면취 방법에 관한 것이다.The present invention is a method of chamfering the corner by contacting a heating member with a corner of a glass substrate, wherein the amount of heat supplied from the heating member to the glass substrate is 10 to 200 Kcal, and the pressure applied by the heating member to the glass substrate is 300 to It relates to a method of chamfering the glass, which is 700kgf/cm 2.
이하, 본 발명을 상세히 설명 한다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
본 발명에 따르면 가열 부재를 유리 기판의 모서리에 접촉시켜 모서리를 면취 하는데, 상기 가열 부재로부터 상기 유리 기판으로 공급되는 열량(Q)은 유리의 열전도율, 발열체의 온도, 유리의 온도, 발열체의 이동 속도 및 발열체가 유리와 접촉한 후 유리 방향으로 발열체가 이동한 거리를 통하여 조절할 수 있으며, 10 내지 200Kcal이다.According to the present invention, the heating member is in contact with the corner of the glass substrate to chamfer the corner, and the amount of heat (Q) supplied from the heating member to the glass substrate is the thermal conductivity of the glass, the temperature of the heating element, the temperature of the glass, and the moving speed of the heating element. And after the heating element contacts the glass, it can be adjusted through the distance the heating element moves in the glass direction, and is 10 to 200 Kcal.
공급되는 열량이 10Kcal 미만이면 열응력이 부족하여 상기 가열 부재로 유리 기판을 면취 하는 것이 불가능하고, 200Kcal를 초과하면 열응력이 변형되어 유리가 파손되는 문제점이 있다.If the amount of heat supplied is less than 10 Kcal, it is impossible to chamfer the glass substrate with the heating member due to insufficient thermal stress, and if it exceeds 200 Kcal, the thermal stress is deformed and the glass is damaged.
또한, 본 발명의 유리 면취 방법에 따르면 상기 가열 부재가 유리 기판에 특정 범위의 압력을 가하여 유리 기판을 면취 한다.Further, according to the glass chamfering method of the present invention, the heating member chamfers the glass substrate by applying a pressure in a specific range to the glass substrate.
유리 기판에 다른 공정 조건의 부가 없이 가열 부재만을 접촉하여 면취 하는 경우 종래 유리 기판의 면취 공정에서 문제시 되었던 가공 과정에서의 분진 발생을 방지할 수 있다는 장점은 있으나, 가공 전 유리 기판의 모서리에 존재하는 칩핑(chipping)들이 고온의 가열 부재와 접촉하면서 유리 기판에 불균일한 열 분포를 야기하여 응력 집중 현상이 발생하고 그에 따라 유리의 강도를 저하시키는 문제가 있었다.In the case of chamfering by contacting only the heating member without the addition of other processing conditions to the glass substrate, there is an advantage in that it can prevent the generation of dust in the processing process, which was a problem in the conventional chamfering process of the glass substrate, but it exists at the edge of the glass substrate before processing. There is a problem that a stress concentration phenomenon occurs due to non-uniform heat distribution in the glass substrate while the chippings are in contact with the high-temperature heating member, thereby reducing the strength of the glass.
따라서, 본 발명은 유리 기판에 특정 범위의 압력을 가하면서 가열 부재를 접촉시켜 유리 기판을 면취 하는 방법을 제공함으로써 고온 및 고압에 의해 유리 기판을 일부 녹일 수 있고 그에 따라 모서리에 존재하는 칩핑(chipping)들을 일부 제거하여 상대적으로 균일한 깊이로 열응력을 가할 수 있게 된다. 이에 따라 가공 표면이 매끄러워져 표면 조도(Ra)가 낮아지는데, 이 때 표면 조도 값은 본 발명의 목적에 부합하는 한 특별히 문제되지 않고, 예를 들면 20㎛이하일 수 있으며 그 하한에 특별한 제한은 없다.Accordingly, the present invention provides a method of chamfering a glass substrate by contacting a heating member while applying a specific range of pressure to the glass substrate, so that a part of the glass substrate can be melted by high temperature and high pressure. ) Can be partially removed to apply thermal stress to a relatively uniform depth. Accordingly, the surface roughness (Ra) is lowered due to the smoothing of the processed surface. In this case, the surface roughness value is not particularly problematic as long as it meets the purpose of the present invention, and may be, for example, 20 μm or less, and there is no particular limitation on the lower limit thereof. .
표면 조도가 낮아짐에 따라 유리 기판에 응력이 고르게 분포되어 유리 기판의 연신율(강도)이 개선될 수 있고, 본 발명의 목적에 부합하는 한 연신율 값은 특별히 문제되지 않으며, 예를 들면 0.15% 이상 향상될 수 있고 그 상한에 특별한 제한은 없다.As the surface roughness decreases, the stress is evenly distributed on the glass substrate, so that the elongation (strength) of the glass substrate can be improved, and the elongation value is not particularly problematic as long as it meets the purpose of the present invention, and for example, it is improved by 0.15% or more. And there is no special limit on its upper limit.
유리 기판에 가하는 압력의 범위는 300 내지 700kgf/cm2이고, 바람직하게는 450 내지 650kgf/cm2 일 수 있다. 압력이 300kgf/cm2 미만이면 연신율 향상 정도가 낮아 유리 기판의 강도 개선 효과가 저하되고, 압력이 700kgf/cm2 를 초과하면 유리 기판에 미세 크랙(crack)이 발생하는 문제가 있다.The range of the pressure applied to the glass substrate may be 300 to 700kgf/cm 2 , and preferably 450 to 650kgf/cm 2 . Pressure 300kgf / cm 2 If it is less than, the degree of elongation improvement is low, and the effect of improving the strength of the glass substrate is reduced, and the pressure is 700kgf/cm 2 . If it is exceeded, there is a problem that fine cracks occur in the glass substrate.
본 발명의 유리 면취 방법은 가열 부재를 유리 기판의 모서리에 접촉하여 열응력에 의해 유리 기판의 모서리 부분을 절취함으로써 유리 기판을 면취 할 수 있다. 본 발명의 가열 부재를 유리 기판의 모서리에 접촉시키면, 열전달률이 낮은 유리의 특성 상 발열장치가 접촉된 모서리 부위에 열응력이 발생하여 열원 접촉 부위로부터 소정 깊이까지의 부분이 떨어져 나가게 된다. 따라서, 발열장치가 유리 기판의 모서리를 따라 접촉한 채로 이동하게 되면 유리 기판의 모서리가 면취 가공될 수 있다. In the glass chamfering method of the present invention, the glass substrate can be chamfered by bringing the heating member into contact with the edge of the glass substrate and cutting the edge portion of the glass substrate by thermal stress. When the heating member of the present invention is brought into contact with the edge of the glass substrate, due to the characteristic of the glass having a low heat transfer rate, thermal stress is generated at the edge portion where the heating device is in contact, so that the portion to a predetermined depth is separated from the contact portion of the heat source. Accordingly, when the heating device is moved while being in contact along the edge of the glass substrate, the edge of the glass substrate may be chamfered.
본 발명의 유리 면취 방법에 따라 면취 되는 유리 기판의 열전도계수의 범위는 0.5 내지 1 Kcal/mh℃일 수 있고, 바람직하게는 0.7 내지 0.9 Kcal/mh℃일 수 있다. 유리 기판이 상기 범위의 열전도계수를 갖는 경우에 본 발명이 목적하는 효과를 보다 우수하게 나타내면서 본 발명에 따른 면취 가공이 이루어질 수 있다.The range of the thermal conductivity coefficient of the glass substrate chamfered according to the glass chamfering method of the present invention may be 0.5 to 1 Kcal/mh°C, and preferably 0.7 to 0.9 Kcal/mh°C. When the glass substrate has a thermal conductivity in the above range, the chamfering process according to the present invention can be performed while more excellently exhibiting the desired effect of the present invention.
본 발명에 따라 유리 기판을 면취 가공하는 경우, 가열 부재의 온도는 1200 내지 1700℃일 수 있고, 상기 범위의 온도가 면취 가공에 바람직하며 상기 범위 내에서 온도가 높을수록 가공 속도가 빨라지는 효과가 있다.In the case of chamfering the glass substrate according to the present invention, the temperature of the heating member may be 1200 to 1700°C, and the temperature in the above range is preferable for chamfering, and the higher the temperature within the range, the faster the processing speed is. have.
본 발명에 따라 유리 기판을 면취 가공하는 경우, 가열 부재의 이동 속도는 0.5 내지 5 m/min일 수 있고, 상기 범위 내에서 열 충격에 의한 크랙의 발생을 방지할 수 있다.When chamfering the glass substrate according to the present invention, the moving speed of the heating member may be 0.5 to 5 m/min, and within the above range, it is possible to prevent the occurrence of cracks due to thermal shock.
본 발명에 따라 면취 가공되는 유리 기판의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예로서 통상적인 유리, 강화 유리 등을 들 수 있다. 본 발명의 면취 가공용 발열 장치는 강화 유리에도 적용이 가능하다.The type of the glass substrate to be chamfered according to the present invention is not particularly limited, and examples thereof include conventional glass and tempered glass. The heating device for chamfering processing of the present invention can also be applied to tempered glass.
또한, 본 발명의 면취 가공 대상이 강화 유리인 경우, 상기 강화 유리 기판의 경도는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 구체적으로 비커스 경도가 600 내지 700 kgf/mm2 일 수 있다. 또한, 상기 강화 유리 기판의 강화층 깊이는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 구체적으로 10 내지 200㎛ 일 수 있다. 상기 범위에서 본 발명의 면취 방법에 따라 유리 기판을 가공 할 경우, 유리 기판의 표면 조도를 낮출 수 있고 연신율 향상 효과를 현저히 나타낼 수 있다.In addition, when the chamfering processing target of the present invention is a tempered glass, the hardness of the tempered glass substrate is not particularly limited, but specifically, the Vickers hardness may be 600 to 700 kgf/mm 2 . In addition, the depth of the reinforcing layer of the tempered glass substrate is not particularly limited, but may be specifically 10 to 200 μm. When processing a glass substrate according to the chamfering method of the present invention within the above range, the surface roughness of the glass substrate can be reduced and the elongation improving effect can be remarkably exhibited.
본 발명에 따른 면취 방법의 구현 예를 보다 상세하게 설명하면, 유리의 측면의 상부 모서리부와 하부 모서리부가 경사지게 가공할 수 있으며, 도 3에는 면취 가공된 유리의 측면의 개략적인 단면도(a)와 정면도(b)가 도시되어 있다.When an embodiment of the chamfering method according to the present invention will be described in more detail, the upper and lower corners of the side of the glass may be inclined, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view (a) of the side of the chamfered glass. A front view (b) is shown.
도 3과 같이 유리의 측면의 상부 모서리부와 하부 모서리부를 경사지게 가공하는 방법은, 최종적인 형태가 상부 모서리부와 하부 모서리부가 경사지게 된다면 발열체를 접촉시키는 구체적인 순서나 횟수, 경사 각도 등의 상세한 조건에는 특별한 제한이 없다.In the method of processing the upper and lower corners of the side of the glass inclined as shown in FIG. 3, if the final shape is to be inclined at the upper and lower corners, the detailed conditions such as the specific order or number of contacting the heating element, the inclination angle, etc. There are no special restrictions.
보다 구체적인 예를 들면, 본 발명의 일 구현 예로서, 유리의 상부 모서리부와 하부 모서리부에 발열체를 접촉시켜 수행될 수 있다. 도 4에 개략적으로 도시된 바와 같이, 발열체를 유리의 측면의 상부 모서리부(①)와 하부 모서리부(②)에 접촉시켜 경사면을 형성할 수 있다.For a more specific example, as an exemplary embodiment of the present invention, it may be performed by contacting a heating element with an upper edge portion and a lower edge portion of the glass. As schematically illustrated in FIG. 4, the heating element may be brought into contact with the upper edge portion (①) and the lower edge portion (②) of the side surface of the glass to form an inclined surface.
본 발명의 다른 일 구현에로서, 유리의 측면의 상부 모서리부와 하부 모서리부에 발열체를 접촉시킨 후 유리의 측면의 평행한 방향으로 발열체를 접촉시켜 수행될 수 있다. 본 구현예는 면취 방법에 의해 제거되는 강화 유리 부분이 많은 경우로서 필요한 경우 채택될 수 있다. 도 5에 본 구현예의 면취 방법이 개략적으로 도시되어 있다. 도 5를 참고하여 설명하면, 먼저 유리의 측면의 상부 모서리부에 발열체를 접촉시켜 소정 부분(①)까지 경사면을 형성한다. 다음으로 유리의 측면의 상부 모서리부에 발열체를 접촉시켜 소정 부분(②)까지 경사면을 형성한다. 이어서 유리의 측면의 평행한 방향으로 발열체를 접촉시켜 요구되는 부분(③)까지 유리를 제거함으로써 최종 단면 형태를 얻을 수 있다.In another embodiment of the present invention, after contacting the heating element to the upper and lower corners of the side of the glass, it may be performed by contacting the heating element in a direction parallel to the side of the glass. This embodiment is a case where there are many tempered glass portions to be removed by the chamfering method, and may be adopted if necessary. 5 schematically shows the chamfering method of this embodiment. Referring to FIG. 5, first, the heating element is brought into contact with the upper edge of the side surface of the glass to form an inclined surface up to a predetermined portion (①). Next, the heating element is brought into contact with the upper edge of the side surface of the glass to form an inclined surface up to a predetermined portion (②). Subsequently, by contacting the heating element in a direction parallel to the side of the glass and removing the glass to the required part (③), the final cross-sectional shape can be obtained.
또한, 본 발명의 상기 구현 예에서 면취 가공의 순서는 변경이 가능하며, 따라서 면취 가공은 도 5에 도시된 순서와 다른 순서로 진행될 수도 있다. 예를 들면, ②번, ①번 및 ③번의 순서로 수행될 수도 있으며, 또는 ③번, ②번, 및 ①번의 순서로 수행될 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, in the embodiment of the present invention, the order of chamfering processing may be changed, and thus chamfering processing may be performed in a different order from the order shown in FIG. 5. For example, it may be performed in the order of No. ②, No. ①, and No. ③, or may be performed in the order of No. ③, No. ②, and No. ①, but is not limited thereto.
전술한 바와 같은 발열체에 의한 유리의 측면의 경사면 가공이 완료되면, 필요에 따라 유리의 측면의 표면의 보강 공정을 더 수행할 수 있다. 이러한 보강 공정을 통해 보다 균일한 표면 및 우수한 강도를 갖도록 할 수 있다.When the processing of the inclined surface of the side of the glass by the heating element as described above is completed, a reinforcing process of the surface of the side of the glass may be further performed as necessary. Through this reinforcing process, it is possible to have a more uniform surface and excellent strength.
본 발명에 따른 보강 공정은 폴리싱휠로 유리의 측면을 연마하거나, 불산을 포함하는 식각액으로 유리의 측면을 식각하는 방법을 들 수 있다.The reinforcing process according to the present invention may include polishing the side surface of the glass with a polishing wheel or etching the side surface of the glass with an etching solution containing hydrofluoric acid.
먼저, 폴리싱휠로 연마하는 방법은, 발열체에 의한 경사면 가공이 완료된 후, 회전하는 폴리싱휠을 유리의 측면에 접촉시켜 유리의 측면을 보다 고르게 연마하는 방법이다. 이에 의해 표면에 존재하는 미세 크랙 등을 연마시켜 유리의 측면을 보강하게 된다.First, a method of polishing with a polishing wheel is a method of polishing the side surface of the glass more evenly by contacting the rotating polishing wheel with the side surface of the glass after the processing of the inclined surface by the heating element is completed. As a result, the side surfaces of the glass are reinforced by polishing fine cracks or the like existing on the surface.
폴리싱휠은 산화세륨과 같은 연마입자로 제조된 휠을 사용할 수 있다. 연마 입자의 크기는 5㎛ 이하인 것이 유리의 측면 보강 효과를 충분히 나타내는 측면에서 바람직하다. 연마 입자의 크기는 작을수록 연마 정밀도를 높일 수 있어 바람직하다. 따라서, 하한은 특별히 제한되지 않으나, 공정 시간 등을 고려하면 0.01㎛ 정도를 사용할 수 있다.The polishing wheel may be a wheel made of abrasive particles such as cerium oxide. It is preferable that the size of the abrasive particles is 5 μm or less from the viewpoint of sufficiently exhibiting the side reinforcing effect of the glass. The smaller the size of the abrasive particles is, the higher the polishing precision is, and thus it is preferable. Therefore, the lower limit is not particularly limited, but considering the process time, etc., about 0.01 μm may be used.
폴리싱휠의 회전속도는 특별히 한정되지 않고 유리의 측면이 충분히 연마되어 원하는 수준의 강도를 얻을 수 있도록 적절히 선택될 수 있으며, 예를 들면 1,000 내지 10,000 rpm일 수 있다.The rotation speed of the polishing wheel is not particularly limited, and may be appropriately selected so that the side of the glass is sufficiently polished to obtain a desired level of strength, and may be, for example, 1,000 to 10,000 rpm.
다음으로, 불산을 사용하여 식각하는 방법은, 불산을 포함하는 식각액을 유리의 측면에 도포하여 유리의 측면의 표면 부위를 식각하는 방법이다. 불산을 포함하는 식각액으로 유리의 측면을 식각하게 되면, 유리의 측면이 엠보 패턴을 나타내며 식각되고 표면이 보강된다.Next, the etching method using hydrofluoric acid is a method of etching the surface portion of the side surface of the glass by applying an etching solution containing hydrofluoric acid to the side surface of the glass. When the side surface of the glass is etched with an etching solution containing hydrofluoric acid, the side surface of the glass is etched to show an embossed pattern, and the surface is reinforced.
불산을 포함하는 식각액은 불산 수용액으로서, 불산 외에 필요한 산 성분, 예를 들면 염산, 질산, 황산 등 유리 식각 성분으로 당분야에 알려진 성분들이 더 포함될 수 있다.The etchant containing hydrofluoric acid is an aqueous hydrofluoric acid solution, and components known in the art as free etching components such as hydrochloric acid, nitric acid, and sulfuric acid may be further included in addition to hydrofluoric acid.
불산을 포함하는 식각액으로 유리의 측면을 식각하는 시간은 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들면 30 초 내지 10 분 사이에서 식각하는 것이 유리의 측면을 과도하게 식각하지 않으면서 강도를 상승시킬 수 있다. The time to etch the side of the glass with an etching solution containing hydrofluoric acid is not particularly limited, but etching between 30 seconds to 10 minutes may increase the strength without excessively etching the side of the glass .
불산을 포함하는 식각액의 온도는 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들면 20 내지 50℃인 것이 바람직하다. 온도가 20℃보다 낮을 경우 공정시간이 길어지고 식각이 불충분하게 진행될 수 있으며, 온도가 50℃보다 높을 경우 공정시간은 짧아지나 식각이 불균일하게 진행될 수 있다.The temperature of the etching solution containing hydrofluoric acid is not particularly limited, but is preferably 20 to 50°C, for example. If the temperature is lower than 20°C, the processing time may be lengthened and etching may be insufficiently performed. If the temperature is higher than 50°C, the processing time may be shortened, but etching may proceed unevenly.
불산을 포함하는 식각액은, 유리의 측면에 분사되거나 유리의 측면을 상기 식각액에 침지시키는 등 당분야에 공지된 방식으로 유리의 측면에 도포될 수 있다.
The etching solution containing hydrofluoric acid may be applied to the side of the glass in a manner known in the art, such as spraying on the side of the glass or immersing the side of the glass in the etching solution.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
Hereinafter, preferred embodiments are presented to aid the understanding of the present invention, but these examples are only illustrative of the present invention and do not limit the scope of the appended claims, and examples within the scope and spirit of the present invention It is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications are possible, and it is natural that such modifications and modifications fall within the appended claims.
실시예Example 및 And 비교예Comparative example
유리 기판에 하기 표 1과 같은 공정 조건으로 가열 부재를 접촉시켜 면취 공정을 실시하였다. 공정 시 주변 온도는 23.5℃이고, 습도(RH)는 17%였다. A chamfering process was performed by bringing the heating member into contact with the glass substrate under the process conditions shown in Table 1 below. During the process, the ambient temperature was 23.5°C and the humidity (RH) was 17%.
유리 기판은 Corning 사의 고릴라 글래스를 이용하였으며 그 물성은 하기 표 2와 같다.
The glass substrate was made of Corning's Gorilla glass, and its physical properties are shown in Table 2 below.
(m/min)speed
(m/min)
실험예Experimental example
1. 표면 조도 측정 1. Surface roughness measurement
실시예 및 비교예에 따른 면취 가공 후 가공 표면 조도(Ra)를 측정하여 마모 정도를 알아보았다. 표면 조도 측정 시 3D 현미경을 사용하였고, 그 결과는 하기 표 3과 같다.
After chamfering processing according to Examples and Comparative Examples, the degree of wear was determined by measuring the surface roughness (Ra). When measuring the surface roughness, a 3D microscope was used, and the results are shown in Table 3 below.
2. 2. 연신율Elongation 측정 Measure
강화 유리 기판의 하부에 기판 중앙으로부터 양쪽으로 이격된 2개의 지지 스팬을 설치하고, 기판 중앙 상부에 위치한 상부 스팬으로 윈도우 기판 상부에 하중을 가하면서, 상부 스팬이 윈도우 기판에 닿는 지점부터 윈도우 기판이 깨지게 되는 지점까지의 거리(크로스헤드 변위)를 측정하여 하기 수학식 1에 따라 산출하였으며 그 결과는 하기 표 3과 같다.Two support spans are installed on the lower part of the tempered glass substrate, spaced from the center of the substrate to both sides, and a load is applied to the upper part of the window substrate with the upper span located above the center of the substrate, and the window substrate is removed from the point where the upper span touches the window substrate. The distance to the broken point (crosshead displacement) was measured and calculated according to
[수학식 1][Equation 1]
연신율(%)= (6Tδ)/s2 Elongation (%) = (6Tδ)/s 2
(식 중, T는 윈도우 기판의 두께(mm), δ는 크로스헤드 변위(mm), s는 지지 스팬 사이의 거리(mm)임).
(In the formula, T is the thickness of the window substrate (mm), δ is the crosshead displacement (mm), and s is the distance between the support spans (mm)).
상기 표 3을 참조하면, 실시예들에 따라 면취된 유리 기판들이 비교예 1의 방법으로 면취된 경우에 비해 대체적으로 표면 조도가 낮음을 알 수 있었다.Referring to Table 3, it can be seen that the glass substrates chamfered according to the examples generally have a lower surface roughness than when chamfered by the method of Comparative Example 1.
또한, 실시예들에 따라 면취된 경우가 비교예들에 따라 면취된 유리 기판들에 비해 연신율이 높음을 확인할 수 있었다.
In addition, it was confirmed that the case chamfered according to the examples had a higher elongation compared to the glass substrates chamfered according to the comparative examples.
Claims (9)
상기 유리 기판의 면취된 면의 표면 조도(Ra)는 20㎛ 이하인, 유리 면취 방법.
A method of chamfering the corner by contacting a heating member with a corner of a glass substrate, wherein the amount of heat supplied from the heating member to the glass substrate through a point where the heating member contacts the glass substrate is 10 to 200 Kcal, and the heating The pressure applied by the member to the glass substrate is 300 to 700 kgf/cm 2 ,
The surface roughness (Ra) of the chamfered surface of the glass substrate is 20 μm or less, the glass chamfering method.
The method of claim 1, wherein the edge of the glass substrate is cut by thermal stress.
The method of claim 1, wherein the glass substrate has a thermal conductivity coefficient of 0.5 to 1 Kcal/mh°C.
The method of claim 1, wherein the heating member has a temperature of 1200 to 1700°C.
The method of claim 1, wherein the moving speed of the heating member is 0.5 to 5 m/min.
The method of claim 1, wherein the glass substrate is a tempered glass substrate.
The method of claim 7, wherein the tempered glass substrate has a Vickers hardness of 600 to 700 kgf/mm 2 .
The method of claim 7, wherein the tempered glass substrate has a tempered layer depth of 10 to 200 μm.
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