KR102217668B1 - 세라믹 히터 및 통형 샤프트의 제법 - Google Patents

세라믹 히터 및 통형 샤프트의 제법 Download PDF

Info

Publication number
KR102217668B1
KR102217668B1 KR1020190103418A KR20190103418A KR102217668B1 KR 102217668 B1 KR102217668 B1 KR 102217668B1 KR 1020190103418 A KR1020190103418 A KR 1020190103418A KR 20190103418 A KR20190103418 A KR 20190103418A KR 102217668 B1 KR102217668 B1 KR 102217668B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hole
cylindrical shaft
shaft
ceramic heater
plate
Prior art date
Application number
KR1020190103418A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200026075A (ko
Inventor
유타카 운노
Original Assignee
엔지케이 인슐레이터 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔지케이 인슐레이터 엘티디 filed Critical 엔지케이 인슐레이터 엘티디
Publication of KR20200026075A publication Critical patent/KR20200026075A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102217668B1 publication Critical patent/KR102217668B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/06—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/4807—Ceramic parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/26—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
    • H05B3/265—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base the insulating base being an inorganic material, e.g. ceramic
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
    • F27D5/0031—Treatment baskets for ceramic articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

세라믹 히터(10)는, 웨이퍼를 적재하는 웨이퍼 적재면(20a)을 갖고 저항 발열체(22)를 내장한 세라믹제 플레이트(20)와, 일단부가 플레이트(20)의 이면에 접합된 세라믹제 통형 샤프트(30)를 구비한다. 통형 샤프트(30)는, 종단면의 형상이 적어도 1개소에 S자 부분 또는 변곡점을 갖는 만곡 부분을 구비한 형상이며, 통형 샤프트(30)의 일단부로부터 타단부까지를 관통하고 축선이 통형 샤프트(30)의 종단면 형상을 따르는 관통 구멍(36)을 갖는다.

Description

세라믹 히터 및 통형 샤프트의 제법{CERAMIC HEATER AND MANUFACTURING METHOD FOR TUBULAR SHAFT}
본 발명은 세라믹 히터 및 통형 샤프트의 제법에 관한 것이다.
종래부터 세라믹 히터로서, 웨이퍼를 적재하는 웨이퍼 적재면을 갖고 저항 발열체를 내장한 세라믹제 플레이트와, 플레이트의 웨이퍼 적재면과 반대측 면(이면)에 접합된 세라믹제 통형 샤프트를 구비한 것이 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 이와 같은 세라믹 히터에 있어서, 상방을 향하여 갈수록 넓어지는 나팔형의 통형 샤프트가 개시되어 있다. 통형 샤프트의 하단은 O링을 개재하여 베이스판에 장착되어 있다.
이 통형 샤프트의 외벽의 일부에는, 높이 방향을 따라서 열전대를 삽입 관통시키기 위한 삽입 관통로가 형성되어 있다. 삽입 관통로는, 통형 샤프트의 외벽에 마련되어 높이 방향을 따라서 연장되는 오목 홈과, 그 오목 홈을 막도록 용착하여 접합된 덮개 부재로 구성되어 있다.
일본 특허 공개 제2009-010195호 공보
그러나, 특허문헌 1에서는, 통형 샤프트가 나팔형으로 되어 있기는 하지만, 통형 샤프트를 통과하는 열의 경로가 비교적 짧기 때문에, 통형 샤프트의 하단부면의 고온화를 방지할 수 없다는 문제가 있었다. 통형 샤프트의 하단부면이 너무 고온이 되면 O링의 내열 온도를 초과해 버려, O링이 충분한 시일성을 발휘하지 못하게 될 우려가 있었다. 또한, 특허문헌 1에서는, 삽입 관통로는 오목 홈에 덮개 부재를 씌운 구조이기 때문에, 외관 상의 미관이 나쁜 데다가, 덮개 부재의 접합이 불충분하다면 덮개 부재가 벗겨질 우려가 있었다.
본 발명은 이와 같은 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 통형 샤프트의 하단부면의 고온화를 방지함과 함께, 외관상의 미관이 양호하고, 관통 구멍 구조를 장기간 유지하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 세라믹 히터는,
웨이퍼를 적재하는 웨이퍼 적재면을 갖고 저항 발열체를 내장한 세라믹제 플레이트와, 일단부가 상기 플레이트의 이면에 접합된 세라믹제 통형 샤프트를 구비한 세라믹 히터이며,
상기 통형 샤프트는, 종단면의 형상이 적어도 1개소에 S자 부분 또는 변곡점을 갖는 만곡 부분을 구비한 형상이며, 상기 통형 샤프트의 상기 일단부로부터 타단부까지를 관통하고 축선이 상기 통형 샤프트의 상기 종단면의 형상을 따르는 관통 구멍을 갖는 것이다.
이 세라믹 히터에서는, 통형 샤프트는, 종단면의 형상이 적어도 1개소에 S자 부분 또는 변곡점을 갖는 만곡 부분을 구비한 형상이다. 그 때문에, 통형 샤프트를 통과하는 열의 경로(통형 샤프트의 일단부로부터 타단부에 이르기까지의 경로)가 길어져, 통형 샤프트의 타단부면의 고온화를 방지할 수 있다. 또한, 통형 샤프트의 일단부로부터 타단부까지를 관통하는 관통 구멍은, 특허문헌 1과 같이 덮개 부재를 접합하여 형성되는 것이 아니기 때문에, 외관 상의 미관이 양호하고, 관통 구멍 구조를 장기간 유지할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 관통 구멍은, 가스 통로이며, 상기 플레이트는, 상기 관통 구멍에 연통하여 상기 플레이트를 두께 방향으로 관통하는 가스 유통 구멍을 갖는 것으로 해도 된다. 이 경우, 통형 샤프트의 관통 구멍을 통과하는 것은 가스이기 때문에, 관통 구멍의 형상에 관계 없이 용이하게 통과한다. 그 때문에, 통형 샤프트의 종단면 형상이 2개소 이상에 S자 부분 또는 만곡 부분을 구비한 형상이며, 관통 구멍의 축선이 그 형상을 따른 것이라고 해도, 가스는 용이하게 관통 구멍을 통과한다. 통형 샤프트의 종단면 형상이 2개소 이상에 S자 부분 또는 만곡 부분을 구비한 형상이면, 통형 샤프트를 통과하는 열의 경로를 보다 길게 할 수 있기 때문에, 통형 샤프트의 타단부면의 고온화를 보다 방지하기 쉬워진다. 또한, 가스 통로는, 가스 유통 구멍을 통해 웨이퍼 적재면에 적재된 웨이퍼의 이면에 가스(예를 들어 열 전도용 가스)를 공급하기 위해서 사용되어도 되고, 웨이퍼 적재면에 적재된 웨이퍼의 이면으로부터 가스 유통 구멍을 통해 가스를 배출하여 진공화하는 데 사용되어도 된다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 관통 구멍은, 열전대 배치 구멍이며, 상기 플레이트는, 상기 열전대 배치 구멍에 연통하여 상기 플레이트의 내부에 바닥을 갖는, 바닥이 있는 구멍을 갖는 것으로 해도 된다. 이 경우, 관통 구멍을 통과하는 것은 유형의 열전대이기 때문에, 관통 구멍의 형상은 비교적 간단한 편이 좋다. 즉, 통형 샤프트의 종단면 형상이 1개소에만 S자 부분 또는 만곡 부분을 구비한 형상으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 관통 구멍은, 상기 통형 샤프트의 벽 두께 미만의 직경을 갖는 구멍이어도 된다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 관통 구멍은, 상기 통형 샤프트의 내주벽과 외주벽 사이의 통형 공간이며, 상기 통형 공간의 횡단면 형상은, 상기 통형 샤프트의 횡단면과 동심원(공차 등은 허용됨)이 되는 링 형상이며, 상기 통형 공간에는, 상기 내주벽과 상기 외주벽을 부분적으로 연결하는 연결부가 마련되어 있어도 된다. 이와 같이 하면, 통형 샤프트의 횡단면적이 작아지기 때문에, 통형 샤프트의 일단부로부터 타단부로의 열저항이 커진다. 그 결과, 통형 샤프트의 일단부로부터 타단부로의 열전도량이 적어지고, 플레이트 중 통형 샤프트에 접하는 부분과 그 이외의 부분의 온도차가 경감 또는 해소된다. 또한, 열 응력도 경감되기 때문에, 사용 중의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 가스 공급 구멍 또는 진공화 구멍으로서 이와 같은 관통 구멍을 사용한 경우에는, 소직경(통형 샤프트의 벽 두께 미만의 직경)의 관통 구멍을 사용한 경우에 비하여 국소적으로 가스 흐름이 집중되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 플레이트의 균일 가열성이 양호해진다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 통형 샤프트는, 벽 두께(내주면으로부터 외주면까지의 길이)가 10㎜ 이하여도 된다. 이와 같이 하면, 통형 샤프트의 벽 두께가 얇아지기 때문에, 열 응력이 경감된다. 또한, 통형 샤프트의 강도를 고려하면, 벽 두께는 6㎜ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 통형 샤프트의 제법은,
세라믹제 통형 샤프트로서, 종단면의 형상이 적어도 1개소에 S자 부분 또는 변곡점을 갖는 만곡 부분을 구비한 형상이며, 상기 통형 샤프트의 상기 일단부로부터 타단부까지를 관통하고 축선이 상기 통형 샤프트의 상기 종단면의 형상을 따르는 관통 구멍을 갖는 것을 제조하는 방법이며,
(a) 세라믹 분말을 포함하는 슬러리를 사용하여 3D 프린터에 의해 상기 통형 샤프트와 동일 또는 서로 유사한 형상의 성형체를 제작하거나, 또는 세라믹 분말을 포함하는 슬러리를 사용하여 몰드 캐스트법에 의해 상기 통형 샤프트와 동일 또는 서로 유사한 형상의 성형체를 제작하는 공정과,
(b) 상기 성형체를 소성함으로써 상기 통형 샤프트를 얻는 공정
을 포함하는 것이다.
이 제법에 의하면, 통형 샤프트가 비교적 복잡한 형상, 즉, 종단면의 형상이 적어도 1개소에 S자 부분 또는 변곡점을 갖는 만곡 부분을 구비한 형상이며, 통형 샤프트의 일단부로부터 타단부까지를 관통하고 축선이 통형 샤프트의 종단면 형상을 따르는 관통 구멍을 갖는 것이라고 해도, 비교적 용이하게 그 통형 샤프트를 제조할 수 있다.
도 1은 실시 형태의 세라믹 히터(10)의 사시도.
도 2는 세라믹 히터(10)의 종단면도.
도 3은 통형 샤프트(30)의 평면도.
도 4는 통형 샤프트(30)의 저면도.
도 5는 세라믹 히터(110)의 종단면도.
도 6은 통형 샤프트(80)의 평면도.
도 7은 통형 샤프트(80)의 횡단면도(도 5의 A-A 단면도).
도 8은 세라믹 히터(210)의 종단면도.
도 9는 세라믹 히터(10)의 변형예의 종단면도.
본 발명의 적합한 실시 형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 세라믹 히터(10)의 사시도, 도 2는 세라믹 히터(10)의 종단면도(세라믹 히터(10)를 중심축을 포함하는 면으로 절단했을 때의 단면도), 도 3은 통형 샤프트(30)의 평면도, 도 4는 통형 샤프트(30)의 저면도이다.
세라믹 히터(10)는, 에칭이나 CVD 등의 처리가 실시될 웨이퍼를 가열하기 위해서 사용되는 것이며, 도시되지 않은 진공 챔버 내에 마련된다. 이 세라믹 히터(10)는, 웨이퍼를 적재 가능한 플레이트(20)와, 플레이트(20)를 지지하는 통형 샤프트(30)를 구비하고 있다.
플레이트(20)는, 저항 발열체(22)를 내장하는 세라믹제의 원판이다. 플레이트(20)의 표면은, 웨이퍼를 적재하는 웨이퍼 적재면(20a)으로 되어 있다. 웨이퍼 적재면(20a)에는, 엠보스 가공에 의해 다수의 미세한 원주 돌기(도시 생략)가 마련 되어 있고, 돌기의 상면으로 웨이퍼를 지지하게 되어 있다. 플레이트(20)에는, 플레이트(20)를 두께 방향으로 관통하는 복수(본 실시 형태에서는 2개)의 가스 유통 구멍(26)이 마련되어 있다. 가스 유통 구멍(26)은, 웨이퍼 적재면(20a) 중 도시되지 않은 원주 돌기끼리의 사이에 개구되어 있다. 세라믹으로서는, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예를 들어 질화알루미늄, 알루미나, 탄화규소, 질화규소 등을 원료로 한 세라믹을 들 수 있다.
저항 발열체(22)는, 코일 형상, 리본 형상, 메쉬 형상, 판형 또는 막형이며, 예를 들어 W, Mo, Ti, Si, Ni의 단체 또는 화합물(탄화물 등)을 주성분으로 하는 재료, 그들을 조합한 재료, 또는 그들과 플레이트(20)에 사용된 세라믹 원료의 혼합 재료 등에 의해 제작된다. 저항 발열체(22)는, 일단부로부터 타단부까지를 끊김없이 쓰는 방식의 요령으로 웨이퍼 적재면(20a)의 전역에 도달하게 배선되어 있다. 저항 발열체(22)의 일단부와 타단부는, 각각 플레이트(20)의 이면(20b)으로부터 통형 샤프트(30)의 내부 공간에 노출되는 급전 단자(도시 생략)에 접속되어 있다. 1쌍의 급전 단자는, 각각에 접속되는 봉형 급전 부재(도시 생략)를 통하여 외부 전원(도시 생략)에 접속되어 있다. 봉형 급전 부재는 통형 샤프트(30)의 내부 공간을 통과하도록 배치된다. 저항 발열체(22)는, 그 외부 전원으로부터 전력이 공급되면 발열하여 웨이퍼 적재면(20a)에 적재된 웨이퍼를 가열한다.
통형 샤프트(30)는, 세라믹제 통형 부재이며, 플레이트(20)의 이면(20b)에 접합되어 있다. 통형 샤프트(30)는, 스트레이트형 샤프트 하방부(31)와, 상방으로 향하여 반경 외향으로 점차 넓어지는 형상의 샤프트 상방부(32)를 갖고 있다. 샤프트 상방부(32)의 종단면 형상은, 도 2에 도시된 바와 같이, S자 부분(본 실시 형태에서는 변곡점(32a)을 갖는 만곡 부분)을 구비한 형상이다. 통형 샤프트(30)는, 상단부면(30a)이 플레이트(20)의 이면(20b)에 접합되어 있다. 세라믹으로서는, 이미 예시한 것을 사용할 수 있지만, 플레이트(20)와 동일한 재료인 것이 바람직하다.
통형 샤프트(30)는, 상단부면(30a)으로부터 하단부면(30b)까지를 관통하는 복수의 관통 구멍(36)을 갖고 있다. 본 실시 형태에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 관통 구멍(36)을 통형 샤프트(30)의 주위 방향을 따라 180° 간격으로 2개 마련했다. 관통 구멍(36)의 직경 φ1은, 통형 샤프트(30)의 벽 두께 t(내주면으로부터 외주면까지의 길이)보다도 작다. 통형 샤프트(30)의 열 응력을 경감하는 것을 고려하면, 벽 두께 t는 10㎜ 이하가 바람직하다. 단, 통형 샤프트(30)의 강도를 고려하면, 벽 두께 t는 6㎜ 이상인 것이 바람직하다. 관통 구멍(36)의 축선은, 도 2에 도시된 바와 같이, 통형 샤프트(30)의 종단면 형상을 따르고 있다. 관통 구멍(36)은, 플레이트(20)의 가스 유통 구멍(26)과 연통되어 있다.
통형 샤프트(30)는, 하단부의 외주면으로부터 반경 외향으로 돌출된 플랜지(33)를 갖고 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 통형 샤프트(30)의 하단부면(30b)은, 플랜지(33)의 하단부면을 포함하고, 진공 챔버의 일부품인 판형 베이스(40)의 원 구멍(42)의 주위에 장착되어 있다. 구체적으로는, 베이스(40)의 원 구멍(42)의 주위에는 도넛형 오목 홈(44)이 마련되어 있고, 통형 샤프트(30)의 하단부면(30b)은, 이 오목 홈(44)에 끼워 넣어진 불소 수지(예를 들어 테플론(등록 상표))제의 O링(50)을 통하여 베이스(40)에 나사 등에 의해 고정되어 있다. 통형 샤프트(30)의 내부 S1과 외부 S2는 O링(50)에 의해 시일되어 있다.
통형 샤프트(30)의 상단부면(30a)은, 플레이트(20)의 이면(20b)에 고상 접합 또는 TCB 접합(Thermal compression bonding)되어 있다. 고상 접합의 상세는, 일본 특허 제2783980호, 일본 특허 제4070752호, 일본 특허 제3316167호 등에 기재되고, TCB 접합의 상세는, 예를 들어 일본 특허 제5008875호 등에 기재되어 있다.
베이스(40)는, 원 구멍(42)의 반경 방향 외측에 베이스(40)를 관통하는 복수(본 실시 형태에서는 2개)의 삽입 관통 구멍(46)을 갖고 있다. 베이스(40)의 삽입 관통 구멍(46)은 통형 샤프트(30)의 관통 구멍(36)을 통하여 플레이트(20)의 가스 유통 구멍(26)과 연통되어 있다.
다음에, 세라믹 히터(10)의 사용예에 대해 설명한다. 먼저, 진공 챔버 내에 세라믹 히터(10)를 설치하고, 그 세라믹 히터(10)의 웨이퍼 적재면(20a)에 웨이퍼를 적재한다. 그리고, 저항 발열체(22)에 공급하는 전력을 조정하여 웨이퍼의 온도가 설정 온도가 되도록 조정한다. 또한, 헬륨 가스, 아르곤 가스, 질소 가스 등의 열 전도용 가스를 베이스(40)의 삽입 관통 구멍(46), 통형 샤프트(30)의 관통 구멍(36) 및 플레이트(20)의 가스 유통 구멍(26)을 통하여 웨이퍼 적재면(20a)에 적재된 웨이퍼의 이면에 공급한다. 이 열 전도용 가스에 의해, 웨이퍼와 웨이퍼 적재면(20a)의 열전도가 양호해진다. 그리고, 진공 챔버 내를 진공 분위기 또는 감압 분위기가 되도록 설정하고, 진공 챔버 내에 플라스마를 발생시켜, 그 플라스마를 이용하여 웨이퍼에 CVD 성막을 실시하거나 에칭을 실시하거나 한다.
다음에, 통형 샤프트(30)의 제조예에 대해 설명한다. 3D 프린터를 사용하여 슬러리 적층 조형 기술에 의해 통형 샤프트(30)와 서로 유사한 형상의 성형체(소성 시의 수축을 예측하여 약간 크게 설계됨)를 제작하고, 얻어진 성형체를 소성하여 통형 샤프트(30)를 얻는다. 「슬러리 적층 조형 기술」은, 광 경화성 또는 열 경화성 액체 수지에, 세라믹스 원료 분말을 분산시킨 슬러리를 사용하고, 상술한 성형체를 정밀하고 또한 고속으로 제작하는 방법이다. 구체적으로는, 슬러리를 기계 제어의 나이프에지로 작업 영역에 도포하고, 레이저 조사에 의해 액체 수지를 고화시킴으로써 광 경화 또는 열경화를 원하는 영역만에서 생기게 하여, 임의 형상의 2차원 단면을 형성시킨다. 이 조작을 반복함으로써, 2차원 단면이 차례차례로 적층되어, 최종적으로 원하는 형상의 성형체가 얻어진다.
이상 설명한 세라믹 히터(10)에서는, 통형 샤프트(30)는, 종단면의 형상이 S자 부분을 구비한 형상이다. 그 때문에, 통형 샤프트(30)를 통과하는 열의 경로(통형 샤프트(30)의 상단부면(30a)으로부터 하단부면(30b)에 이르기까지의 경로)가 길어져, 통형 샤프트(30)의 하단부면(30b)의 고온화를 방지할 수 있다. 이에 의해, 하단부면(30b)에 접하는 불소 수지제 O링(50)을 내열 온도 이하로 유지할 수 있고, O링(50)의 시일성을 장기간 유지할 수 있다. 또한, 통형 샤프트(30)를 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍(36)은, 특허문헌 1과 같이 덮개 부재를 접합하여 형성되는 것은 아니기 때문에, 외관상의 미관이 양호하고, 관통 구멍 구조를 장기간 유지할 수 있다.
또한, 관통 구멍(36)은, 열 전도용 가스가 유통하는 가스 통로이며, 플레이트(20)는, 이 관통 구멍(36)에 연통하여 플레이트(20)를 두께 방향으로 관통하는 가스 유통 구멍(26)을 갖는다. 이와 같이 관통 구멍(36)을 통과하는 것은 가스이기 때문에, 관통 구멍(36)의 형상에 관계없이 용이하게 통과한다. 그 때문에, 통형 샤프트(30)의 종단면 형상이 만곡 부분을 구비한 형상이고, 관통 구멍(36)의 축선이 그 형상을 따른 것이라고 해도, 가스는 용이하게 관통 구멍(36)을 통과한다.
또한, 통형 샤프트(30)의 제법은, (a) 세라믹 분말을 포함하는 슬러리를 사용하여 3D 프린터에 의해 통형 샤프트(30)와 동일 또는 서로 유사한 형상의 성형체를 제작하는 공정과,
(b) 그 성형체를 소성함으로써 통형 샤프트(30)를 얻는 공정을 포함한다. 그 때문에, 통형 샤프트(30)와 같이 복잡한 형상이라고 해도, 비교적 용이하게 그 통형 샤프트(30)를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은 상술한 실시 형태에 전혀 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 다양한 형태로 실시할 수 있음은 물론이다.
예를 들어, 상술한 실시 형태의 세라믹 히터(10)에서는, 관통 구멍(36)을 구비한 통형 샤프트(30)를 예시했지만, 도 5 내지 도 7의 세라믹 히터(110)에 나타내는 바와 같이, 관통 공간(86)을 구비한 통형 샤프트(80)을 채용해도 된다. 도 5는 세라믹 히터(110)의 종단면도, 도 6은 통형 샤프트(80)의 평면도, 도 7은 통형 샤프트(80)의 횡단면도(도 5의 A-A 단면도)이다. 도 5 내지 도 7에서는, 상술한 실시 형태와 동일 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여했다. 통형 샤프트(80)는, 관통 구멍(36)이 아니라 관통 공간(86)을 구비하고 있는 점 이외는, 통형 샤프트(30)와 같다. 즉, 통형 샤프트(80)는, 세라믹제 통형 부재이며, 플레이트(20)의 이면(20b)에 접합되어 있다. 통형 샤프트(80)는, 스트레이트형 샤프트 하방부(81)와, 상방을 향하여 갈수록 반경 외향으로 점차 넓어지는 형상의 샤프트 상방부(82)를 갖고, 하단부에 플랜지(83)를 갖고 있다. 샤프트 상방부(82)의 종단면 형상은, S자 부분(여기서는 변곡점을 갖는 만곡 부분)을 구비한 형상이다. 관통 공간(86)은, 통형 샤프트(80)의 상단부면(80a)으로부터 하단부면(80b)까지를 관통하고, 내주벽(80c)와 외주벽(80d) 사이에 마련된 통형 공간이다. 이 관통 공간(86)의 횡단면 형상은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 통형 샤프트(80)의 횡단면과 거의 동심원이 되는 링 형상이다. 이 관통 공간(86)에는, 내주벽(80c)과 외주벽(80d)을 부분적으로 연결하는 연결부(80e)가 마련되어 있다. 여기에서는, 연결부(80e)는, 통형 샤프트(80)의 상단과 하단에 있어서 주위 방향을 따라 90°간격으로 4개씩, 합계8개 마련했다. 관통 공간(86)은 베이스(40)의 삽입 관통 구멍(46)에 연통함과 함께 플레이트(20)의 가스 유통 구멍(26)에도 연통되어 있다. 이와 같은 세라믹 히터(110)도, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 추가로, 통형 샤프트(80)는, 통형 샤프트(30)에 비하여 횡단면적이 작아지기 때문에, 통형 샤프트(80)의 상단부면(80a)으로부터 하단부면(80b)으로의 열저항이 보다 커진다. 그 결과, 통형 샤프트(80)의 상단부면(80a)으로부터 하단부면(80b)으로의 열전도량이 적어지고, 플레이트(20) 중 통형 샤프트(80)에 접하는 부분과 그 이외의 부분의 온도차가 경감 또는 해소된다. 또한, 열 응력도 경감되기 때문에, 사용 중인 통형 샤프트(80)의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 관통 공간(86)을 가스 통로로서 사용한 경우, 상술한 실시 형태의 관통 구멍(36)을 사용한 경우에 비하여 국소적으로 가스 흐름이 집중되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 플레이트(20)의 균일 가열성이 양호해진다.
상술한 실시 형태의 세라믹 히터(10)에서는, 통형 샤프트(30)의 복수의 관통 구멍(36)을 모두 가스 통로에 사용했지만, 도 8의 세라믹 히터(210)에 나타내는 바와 같이, 복수의 관통 구멍(36) 중 하나의 관통 구멍(361)을 열전대 배치 구멍에 사용해도 된다. 도 8에서는, 상술한 실시 형태와 동일 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여했다. 이 경우, 플레이트(20)에는, 관통 구멍(361)에 연통하고, 플레이트(20)의 내부에 바닥을 갖는, 굴곡 형상의, 바닥이 있는 구멍(261)을 마련한다. 도시되지 않은 와이어형 열전대를, 베이스(40)의 삽입 관통 구멍(46), 통형 샤프트(30)의 관통 구멍(361) 및 플레이트(20)의 바닥이 있는 구멍(261)을 통과시켜, 선단부가 바닥이 있는 구멍(261)의 바닥에 닿도록 한다. 세라믹 히터(210)의 사용 시, 이 와이어형 열전대로부터 얻어지는 온도가 설정 온도와 일치하도록 저항 발열체(22)에 공급하는 전력을 조정한다. 또한, 도 8에서는 바닥이 있는 구멍(261)을 굴곡 형상으로 했지만, 상하 방향으로 연장되는 형상으로 해도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 도 9에 나타내는 바와 같이, 통형 샤프트(30)의 단면 형상은 S자 부분을 2개소에 구비한 형상으로 하고, 관통 구멍(36)의 축선이 그 형상을 따르게 해도 된다. 이와 같이 해도, 관통 구멍(36)은 가스 통로이기 때문에, 가스는 관통 구멍(36)을 용이하게 통과한다. 통형 샤프트(30)의 종단면 형상이 2개소에 S자 부분을 구비한 형상이면, 통형 샤프트(30)를 통과하는 열의 경로를 보다 길게 할 수 있기 때문에, 통형 샤프트(30)의 하단부면(30b)의 고온화를 보다 방지하기 쉬워진다.
상술한 실시 형태에서는, 관통 구멍(36)을 열 전도용 가스가 유통하는 가스 통로로 했지만, 진공화를 위한 가스 통로로 해도 된다. 이 경우, 웨이퍼 적재면(20a)에 적재된 웨이퍼의 이면으로부터 가스를 배출하여 웨이퍼의 이면을 진공 분위기로 하기 위해서, 웨이퍼를 웨이퍼 적재면(20a)에 흡착할 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 플레이트(20)에 저항 발열체(22)를 내장한 경우를 예시했지만, 플레이트(20)에 저항 발열체(22) 이외에도 정전 전극을 내장하거나 고주파 전극을 내장하거나 해도 된다. 정전 전극은, 웨이퍼 적재면(20a)에 웨이퍼를 흡착하는 데 사용되는 전극이며, 고주파 전극은, 플라스마를 발생시키는 데 사용되는 전극이다.
상술한 실시 형태에서는, 통형 샤프트(30)를 3D 프린터를 사용하여 제작했지만, 통형 샤프트(30)와 서로 유사한 형상의 금형(니어 네트 셰이프의 금형)을 사용하여 몰드 캐스트법에 의해 성형체를 제작하고, 얻어진 성형체를 소성하여 통형 샤프트(30)를 얻게 해도 된다. 「몰드 캐스트법」은, 세라믹 원료 분말과 몰드화제를 포함하는 세라믹 슬러리를 성형틀 내에 주입하고, 그 성형틀 내에서 몰드화제를 화학 반응시켜 세라믹 슬러리를 몰드화시킴으로써 성형체를 얻는 방법을 말한다. 몰드화제로서는, 예를 들어 이소시아네이트 및 폴리올을 포함하고, 우레탄 반응에 의해 몰드화하는 것으로 해도 된다. 또한, 3D 프린터에 공급하는 슬러리로서, 몰드 캐스트법으로 사용하는 세라믹 슬러리를 채용해도 된다.
본 출원은, 2018년 8월 29일에 출원된 일본 특허 출원 제2018-160303호를 우선권 주장의 기초로 하고 있고, 인용에 의해 그 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.

Claims (7)

  1. 웨이퍼를 적재하는 웨이퍼 적재면을 갖고 저항 발열체를 내장한 세라믹제 플레이트와, 일단부가 상기 플레이트의 이면에 접합된 세라믹제 통형 샤프트를 구비한 세라믹 히터이며,
    상기 통형 샤프트는, 종단면의 형상이 적어도 1개소에 S자 부분 또는 변곡점을 갖는 만곡 부분을 구비한 형상의, 부재를 접합한 접합체가 아닌 일체품이며, 상기 통형 샤프트의 상기 일단부로부터 타단부까지를 관통하고 축선이 상기 통형 샤프트의 상기 종단면의 형상을 따르는 관통 구멍을 갖는,
    세라믹 히터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 관통 구멍은, 가스 공급 구멍 또는 진공화 구멍이며,
    상기 플레이트는, 상기 관통 구멍에 연통하여 상기 플레이트를 두께 방향으로 관통하는 가스 유통 구멍을 갖는,
    세라믹 히터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 관통 구멍은, 열전대 배치 구멍이며,
    상기 플레이트는, 상기 열전대 배치 구멍에 연통하여 상기 플레이트의 내부에 바닥을 갖는, 바닥이 있는 구멍을 갖는,
    세라믹 히터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 관통 구멍은, 상기 통형 샤프트의 벽 두께 미만의 직경을 갖는 구멍인,
    세라믹 히터.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 관통 구멍은, 상기 통형 샤프트의 내주벽과 외주벽의 사이의 통형 공간이며, 상기 통형 공간의 횡단면 형상은, 상기 통형 샤프트의 횡단면과 동심원이 되는 링 형상이며, 상기 통형 공간에는, 상기 내주벽과 상기 외주벽을 부분적으로 연결하는 연결부가 마련되어 있는,
    세라믹 히터.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 통형 샤프트는, 벽 두께가 10㎜ 이하인,
    세라믹 히터.
  7. 세라믹제 통형 샤프트로서, 종단면의 형상이 적어도 1개소에 S자 부분 또는 변곡점을 갖는 만곡 부분을 구비한 형상의, 부재를 접합한 접합체가 아닌 일체품이며, 상기 통형 샤프트의 일단부로부터 타단부까지를 관통하고 축선이 상기 통형 샤프트의 상기 종단면의 형상을 따르는 관통 구멍을 갖는 것을 제조하는 방법이며,
    (a) 세라믹 분말을 포함하는 슬러리를 사용하여 3D 프린터에 의해 상기 통형 샤프트와 동일 또는 서로 유사한 형상의 성형체를 제작하거나, 또는 세라믹 분말을 포함하는 슬러리를 사용하여 몰드 캐스트법에 의해 상기 통형 샤프트와 동일 또는 서로 유사한 형상의 성형체를 제작하는 공정과,
    (b) 상기 성형체를 소성함으로써 상기 통형 샤프트를 얻는 공정
    을 포함하는 통형 샤프트의 제법.
KR1020190103418A 2018-08-29 2019-08-23 세라믹 히터 및 통형 샤프트의 제법 KR102217668B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-160303 2018-08-29
JP2018160303A JP6959201B2 (ja) 2018-08-29 2018-08-29 セラミックヒータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200026075A KR20200026075A (ko) 2020-03-10
KR102217668B1 true KR102217668B1 (ko) 2021-02-19

Family

ID=69639126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190103418A KR102217668B1 (ko) 2018-08-29 2019-08-23 세라믹 히터 및 통형 샤프트의 제법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11367631B2 (ko)
JP (1) JP6959201B2 (ko)
KR (1) KR102217668B1 (ko)
CN (1) CN110876211B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110959306B (zh) * 2018-07-13 2022-02-11 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
JP7197534B2 (ja) * 2020-06-12 2022-12-27 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
KR102242589B1 (ko) * 2020-09-09 2021-04-21 주식회사 미코세라믹스 세라믹 히터

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017057933A (ja) 2015-09-17 2017-03-23 タイガースポリマー株式会社 可撓性チューブおよびその接続方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1887155A (en) * 1930-05-09 1932-11-08 Gyro Process Co Tubular heater
US4014369A (en) * 1975-12-31 1977-03-29 Exxon Research And Engineering Company Triple pipe low temperature pipeline
JP2783980B2 (ja) 1994-09-01 1998-08-06 日本碍子株式会社 接合体およびその製造方法
JP3316167B2 (ja) 1996-10-08 2002-08-19 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質基材の接合体の製造方法およびこれに使用する接合助剤
JP3604888B2 (ja) 1997-01-30 2004-12-22 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質セラミックス基材の接合体、窒化アルミニウム質セラミックス基材の接合体の製造方法及び接合剤
JP4070752B2 (ja) 1997-01-30 2008-04-02 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質セラミックス基材の接合剤
TW200633947A (en) 2005-02-16 2006-10-01 Ngk Insulators Ltd Joined body and manufacturing method for the same
JP4590364B2 (ja) * 2005-03-16 2010-12-01 日本碍子株式会社 処理装置
JP2007258115A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
JP5135915B2 (ja) 2007-06-28 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び熱処理装置
US20090031955A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Applied Materials, Inc. Vacuum chucking heater of axisymmetrical and uniform thermal profile
KR101305760B1 (ko) 2008-03-21 2013-09-17 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹스 히터
JP5284153B2 (ja) * 2008-03-21 2013-09-11 日本碍子株式会社 セラミックスヒータ
JP5202175B2 (ja) * 2008-08-07 2013-06-05 日本碍子株式会社 シャフト付きヒータ
JP5358543B2 (ja) 2009-09-17 2013-12-04 日本碍子株式会社 セラミックスヒーター及びその製造方法
JP5807032B2 (ja) * 2012-03-21 2015-11-10 日本碍子株式会社 加熱装置及び半導体製造装置
TWI654332B (zh) * 2014-07-02 2019-03-21 美商應用材料股份有限公司 用於電漿處理的多區域基座
JP6674800B2 (ja) 2016-03-07 2020-04-01 日本特殊陶業株式会社 基板支持装置
US10840117B2 (en) 2016-09-12 2020-11-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Holding apparatus
JP6704821B2 (ja) * 2016-09-12 2020-06-03 日本特殊陶業株式会社 保持装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017057933A (ja) 2015-09-17 2017-03-23 タイガースポリマー株式会社 可撓性チューブおよびその接続方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11367631B2 (en) 2022-06-21
CN110876211A (zh) 2020-03-10
JP2020035603A (ja) 2020-03-05
US20200075361A1 (en) 2020-03-05
JP6959201B2 (ja) 2021-11-02
CN110876211B (zh) 2023-06-23
KR20200026075A (ko) 2020-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102217668B1 (ko) 세라믹 히터 및 통형 샤프트의 제법
KR101066173B1 (ko) 샤워 플레이트의 제조 방법, 샤워 플레이트 및 플라즈마 처리 장치
KR102368339B1 (ko) 웨이퍼 지지대
US7189946B2 (en) Substrate heating device
US7800029B2 (en) Heating device
US8394199B2 (en) Processing device
CN106068251B (zh) 接合体的制造方法
US10483147B2 (en) Dual-purpose vias for use in ceramic pedestals
CN111095521B (zh) 晶片载置台及其制法
US10615060B2 (en) Heating device
US20180092161A1 (en) Heating device
KR20190045669A (ko) 열전대 삽입 홈을 구비한 히터
KR20210128506A (ko) 라멜라 (lamellar) 세라믹 구조체
US11499229B2 (en) Substrate supports including metal-ceramic interfaces
JP6789081B2 (ja) 保持装置
JP7429208B2 (ja) ウエハ載置台
US20240006226A1 (en) Member for semiconductor manufacturing apparatus
CN113196870B (zh) 电极埋设构件和其制造方法、静电卡盘、陶瓷制加热器
JP4522963B2 (ja) 加熱装置
US20230420282A1 (en) Wafer placement table
US11961747B2 (en) Heater and heater system
US20240055240A1 (en) Member for semiconductor manufacturing apparatus
KR20230140367A (ko) 기판 유지 부재
JP2022146276A (ja) セラミックス部材
KR20230051055A (ko) 웨이퍼 배치대

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant