KR102202464B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

Substrate treating apparatus and substrate treating method Download PDF

Info

Publication number
KR102202464B1
KR102202464B1 KR1020180163521A KR20180163521A KR102202464B1 KR 102202464 B1 KR102202464 B1 KR 102202464B1 KR 1020180163521 A KR1020180163521 A KR 1020180163521A KR 20180163521 A KR20180163521 A KR 20180163521A KR 102202464 B1 KR102202464 B1 KR 102202464B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
curtain
opening
process chamber
chamber
Prior art date
Application number
KR1020180163521A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180137458A (en
Inventor
이종석
조순천
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180163521A priority Critical patent/KR102202464B1/en
Publication of KR20180137458A publication Critical patent/KR20180137458A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102202464B1 publication Critical patent/KR102202464B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 처리하고, 상기 기판이 반입 또는 반출되는 경로를 제공하는 개구를 갖는 공정 챔버; 상기 공정 챔버로 상기 기판을 반입 또는 반출하는 트랜스퍼 챔버; 상기 개구를 개폐하는 공정 챔버 도어; 및 상기 개구에 인접하게 위치되고, 상기 개구를 통해 상기 기판이 이송되는 방향인 좌우 방향에 대해 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하는 커튼 노즐을 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. A substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention includes a process chamber having an opening for processing a substrate and providing a path through which the substrate is carried in or out; A transfer chamber for carrying the substrate into or out of the process chamber; A process chamber door opening and closing the opening; And a curtain nozzle positioned adjacent to the opening and spraying the curtain fluid in a direction crossing a left-right direction, which is a direction in which the substrate is transported through the opening.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}Substrate treating apparatus and substrate treating method TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다.In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on the substrate by performing various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning.

이 같은 기판의 처리는 공정 챔버에서 수행된다. 이 중 건식식각, 증착, 애싱 공정 등을 수행하는 공정 챔버는 플라스마를 이용할 수 있다. 일반적으로 플라스마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라스마 상태로 여기 시킨다. 또한, 공정 챔버는 케미컬 등과 같은 처리액을 통해 기판을 처리 할 수 있다. 공정 챔버에서 처리될 기판은 트랜스퍼 챔버를 통해 공정 챔버로 반입되고, 공정 처리가 완료된 기판은 공정 챔버에서 트랜스퍼 챔버로 반출된다.Such processing of the substrate is performed in a process chamber. Among them, plasma may be used as a process chamber for performing dry etching, deposition, and ashing processes. In general, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in the inner space of a chamber, and the electromagnetic field excites the process gas provided in the chamber into a plasma state. In addition, the process chamber may process a substrate through a processing liquid such as a chemical. The substrate to be processed in the process chamber is carried into the process chamber through the transfer chamber, and the substrate that has been processed is carried out from the process chamber to the transfer chamber.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 파티클에 의한 기판의 오염이 방지되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which contamination of a substrate by particles is prevented.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 처리하고, 상기 기판이 반입 또는 반출되는 경로를 제공하는 개구를 갖는 공정 챔버; 상기 공정 챔버로 상기 기판을 반입 또는 반출하는 트랜스퍼 챔버; 상기 개구를 개폐하는 공정 챔버 도어; 및 상기 개구에 인접하게 위치되고, 상기 개구를 통해 상기 기판이 이송되는 방향인 좌우 방향에 대해 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하는 커튼 노즐을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber having an opening for processing a substrate and providing a path through which the substrate is carried in or taken out; A transfer chamber for carrying the substrate into or out of the process chamber; A process chamber door opening and closing the opening; And a curtain nozzle positioned adjacent to the opening and spraying a curtain fluid in a direction crossing a left-right direction, which is a direction in which the substrate is transported, through the opening.

또한, 상기 커튼 노즐은 슬릿 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the curtain nozzle may be provided in a slit shape.

또한, 상기 커튼 노즐은 상기 개구의 폭 방향과 나란하게 위치될 수 있다.In addition, the curtain nozzle may be positioned parallel to the width direction of the opening.

또한, 상기 트랜스퍼 챔버는, 몸체; 및 상기 몸체의 내측에 위치되어 상기 기판을 이송하는 반송 로봇을 포함하고, 상기 커튼 노즐을 상기 몸체의 내면에 위치될 수 있다.In addition, the transfer chamber, the body; And a transport robot positioned inside the body to transfer the substrate, and the curtain nozzle may be positioned on the inner surface of the body.

또한, 상기 커튼 노즐은, 상기 커튼 유체를 상기 개구 방향으로 분사하도록 제공될 수 있다.In addition, the curtain nozzle may be provided to inject the curtain fluid in the opening direction.

또한, 상기 커튼 노즐은, 상기 커튼 유체를 마주보는 상기 몸체의 일면을 향해 분사하도록 제공될 수 있다.In addition, the curtain nozzle may be provided to spray the curtain fluid toward one surface of the body facing the curtain fluid.

또한, 상기 몸체에는 상기 커튼 노즐과 마주보는 면에 커튼 배기홀이 형성될 수 있다.In addition, a curtain exhaust hole may be formed in the body on a surface facing the curtain nozzle.

또한, 상기 커튼 노즐은, 서로 이격 되게 위치되는 한 쌍의 전극; 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 위치되는 유전체를 포함할 수 있다.In addition, the curtain nozzle, a pair of electrodes positioned to be spaced apart from each other; And a dielectric material positioned between the pair of electrodes.

본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 기판이 처리되는 공정 챔버에서 상기 기판이 이동하는 경로를 제공하는 개구를 개방한 상태로, 상기 개구에 인접한 위치에서 상기 기판이 이동하는 경로인 좌우 방향에 대해 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, an opening providing a path for moving the substrate is opened in a process chamber in which a substrate is processed, and crosses the left and right direction, which is a path for moving the substrate at a position adjacent to the opening. A method of treating a substrate in which the curtain fluid is sprayed in a direction may be provided.

또한, 상기 커튼 유체는 상기 공정 챔버의 외부에서 상기 개구를 향해 분사될 수 있다.In addition, the curtain fluid may be injected from the outside of the process chamber toward the opening.

또한, 상기 커튼 유체는 플라즈마 상태로 분사될 수 있다.In addition, the curtain fluid may be injected in a plasma state.

또한, 상기 개구가 개방된 상태의 상기 공정 챔버는 하우징에 형성된 배기홀을 통해 배출되는 상태로 제공될 수 있다.In addition, the process chamber with the opening open may be provided in a state discharged through an exhaust hole formed in the housing.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 공정 챔버 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a process chamber and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 파티클에 의한 기판의 오염이 방지되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which contamination of a substrate by particles is prevented may be provided.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도어가 개방되어 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이의 통로가 개방된 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 커튼 노즐에서 커튼 유체가 분사되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 커튼 노즐이 제공된 상태의 트랜스퍼 챔버를 나타내는 도면이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 커튼 노즐의 단면도이다.1 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a view showing a state in which a door is opened and a passage between a process chamber and a transfer chamber is opened.
3 is a view showing a state in which curtain fluid is injected from the curtain nozzle.
4 is a diagram illustrating a transfer chamber in a state in which a curtain nozzle is provided according to another exemplary embodiment.
5 is a cross-sectional view of a curtain nozzle according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM, 10)과 공정 처리실(20)를 포함한다. 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)은 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)이 배열된 방향을 제1방향(X)이라 정의하고, 위쪽에서 바라볼 때 제 1 방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an equipment front end module (EFEM) 10 and a process processing chamber 20. The facility front end module (EFEM) 10 and the process treatment chamber 20 are arranged in one direction. Hereinafter, the direction in which the facility front end module (EFEM, 10) and the process chamber 20 are arranged is defined as the first direction (X), and when viewed from above, the direction perpendicular to the first direction (X) is defined as the second direction. It is called the direction (Y).

설비 전방 단부 모듈(10)은 공정 처리실(20) 전방에 장착되며, 기판이 수납된 캐리어(16)와 공정 처리실(20) 간에 기판(W)을 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(10)은 로드 포트(12)와 프레임(14)을 포함한다.The facility front end module 10 is mounted in front of the processing chamber 20 and transfers the substrate W between the carrier 16 in which the substrate is accommodated and the processing chamber 20. The equipment front end module 10 includes a load port 12 and a frame 14.

로드 포트(12)는 프레임(14) 전방에 배치되며, 복수 개 제공된다. 로드 포트(12)들은 서로 이격하여 제2방향(Y)을 따라 일렬로 배치된다. 캐리어(16)(예를 들어, 카세트, FOUP 등)는 로드 포트(12)들에 각각 안착된다. 캐리어(16)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. The load port 12 is disposed in front of the frame 14, and a plurality of load ports 12 are provided. The load ports 12 are spaced apart from each other and are arranged in a line along the second direction Y. Carriers 16 (eg, cassettes, FOUPs, etc.) are seated on the load ports 12, respectively. The carrier 16 accommodates a substrate W to be provided for a process and a substrate W that has been processed.

프레임(14)은 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22) 사이에 배치된다. 프레임(14) 내부에는 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22)간에 기판(W)을 이송하는 이송로봇(18)이 배치된다. 이송로봇(18)은 제2방향(Y)으로 구비된 이송레일(19)을 따라 이동 가능하다.The frame 14 is disposed between the load port 12 and the load lock chamber 22. A transfer robot 18 that transfers the substrate W between the load port 12 and the load lock chamber 22 is disposed inside the frame 14. The transfer robot 18 is movable along the transfer rail 19 provided in the second direction (Y).

공정처리실(20)은 로드락 챔버(22), 트랜스퍼 챔버(24), 그리고 복수 개의 공정 챔버(30)를 포함한다.The process processing chamber 20 includes a load lock chamber 22, a transfer chamber 24, and a plurality of process chambers 30.

로드락 챔버(22)는 트랜스퍼 챔버(24)와 프레임(14) 사이에 배치되며, 공정에 제공될 기판(W)이 공정 챔버(30)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 캐리어(16)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(22)는 하나 또는 복수 개 제공될 수 있다. 실시 예에 의하면, 로드락 챔버(22)는 두 개 제공된다. 하나의 로드락 챔버(22)에는 공정 처리를 위해 공정 챔버(30)로 제공되는 기판(W)이 수납되고, 다른 하나의 로드락 챔버(22)에는 공정 챔버(30)에서 공정이 완료된 기판(W)이 수납될 수 있다.The load lock chamber 22 is disposed between the transfer chamber 24 and the frame 14, and the substrate W to be provided for the process is transferred to the process chamber 30, or the substrate W has been processed. It provides a space to wait before being transferred to the carrier (16). One or a plurality of load lock chambers 22 may be provided. According to the embodiment, two load lock chambers 22 are provided. One load lock chamber 22 accommodates the substrate W provided to the process chamber 30 for process processing, and the other load lock chamber 22 accommodates the substrate on which the process is completed in the process chamber 30 ( W) can be stored.

트랜스퍼 챔버(24)는 제1방향(X)을 따라 로드락 챔버(22)의 후방에 배치되며, 상부에서 바라볼 때 다각형의 몸체(25)를 갖는다. 몸체(25)의 외측에는 로드락 챔버(22)들과 복수 개의 공정 챔버(30)들이 몸체(25)의 둘레를 따라 배치된다. 실시 예에 의하면, 트랜스퍼 챔버(24)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 설비 전방 단부 모듈(10)과 인접한 두 측벽에는 로드락 챔버(22)가 각각 배치되고, 나머지 측벽에는 공정 챔버(30)들이 배치된다. 몸체(25)의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성된다. 통로는 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22) 간에, 또는 트랜스퍼 챔버(24)와 공정 챔버(30) 간에 기판(W)이 출입하는 공간을 제공한다. 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22)사이의 통로에는 로드락 도어가 위치된다. 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22)사이의 통로에는 공정 챔버 도어(28)가 위치된다. 트랜스퍼 챔버(24)는 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형상으로 제공될 수 있다.The transfer chamber 24 is disposed at the rear of the load lock chamber 22 along the first direction X, and has a polygonal body 25 when viewed from the top. On the outside of the body 25, load lock chambers 22 and a plurality of process chambers 30 are arranged along the circumference of the body 25. According to an embodiment, the transfer chamber 24 has a pentagonal body when viewed from above. Load lock chambers 22 are disposed on two sidewalls adjacent to the facility front end module 10, and process chambers 30 are disposed on the other sidewalls. A passage (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on each sidewall of the body 25. The passage provides a space through which the substrate W enters and exits between the transfer chamber 24 and the load lock chamber 22 or between the transfer chamber 24 and the process chamber 30. A load lock door is located in the passage between the transfer chamber 24 and the load lock chamber 22. A process chamber door 28 is located in the passage between the transfer chamber 24 and the load lock chamber 22. The transfer chamber 24 may be provided in various shapes according to a required process module.

트랜스퍼 챔버(24)의 내부에는 반송로봇(26)이 배치된다. 반송로봇(26)은 로드락 챔버(22)에서 대기하는 미처리 기판(W)을 공정 챔버(30)로 이송하거나, 공정 챔버(30)에서 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(22)로 이송한다. 반송 로봇(26)은 공정 챔버(30)들에 순차적으로 기판(W)을 제공할 수 있다.A transfer robot 26 is disposed inside the transfer chamber 24. The transfer robot 26 transfers the unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 22 to the process chamber 30, or transfers the processed substrate W in the process chamber 30 to the load lock chamber 22 ). The transfer robot 26 may sequentially provide the substrates W to the process chambers 30.

공정 챔버(30)는 플라스마 상태의 가스를 기판으로 공급하여 공정 처리를 수행하는 챔버, 케미컬과 같은 처래액을 통해 기판을 처리하는 챔버 등으로 제공될 수 있다.The process chamber 30 may be provided as a chamber for performing a process process by supplying a plasma gas to a substrate, a chamber for treating a substrate through a treatment liquid such as a chemical, or the like.

도 2는 도어가 개방되어 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이의 통로가 개방된 상태를 나타내는 도면이고, 도 3은 커튼 노즐에서 커튼 유체가 분사되는 상태를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a state in which a door is opened to open a passage between a process chamber and a transfer chamber, and FIG. 3 is a view illustrating a state in which a curtain fluid is sprayed from a curtain nozzle.

도시의 편의를 위해 공정 챔버 도어(28)는 생략 되었다.For convenience of illustration, the process chamber door 28 has been omitted.

도 2 및 도 3을 참조하면, 공정 챔버(30)는 하우징(300), 지지 유닛(310)을 포함한다.2 and 3, the process chamber 30 includes a housing 300 and a support unit 310.

하우징(300)은 내부에 공정 공간이 형성되며, 공정 공간은 기판(W) 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 하우징(300)의 일 측벽에는 개구(301)가 형성된다. 개구(301)는 기판(W)이 하우징(300) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 개구(301)는 공정 챔버 도어(28)에 의해 개폐된다. The housing 300 has a process space formed therein, and the process space is provided as a space in which a substrate (W) processing process is performed. An opening 301 is formed in one sidewall of the housing 300. The opening 301 is provided as a passage through which the substrate W can enter and exit the housing 300. The opening 301 is opened and closed by the process chamber door 28.

하우징(300)의 바닥면에는 배기홀(320)이 형성된다. 배기홀(320)은 배기 라인(321)과 연결된다. 배기 라인(321)을 통한 배기로, 하우징(300)의 내부는 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징(300) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(321)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 지지 유닛(310)은 하우징(300)의 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지한다.An exhaust hole 320 is formed on the bottom surface of the housing 300. The exhaust hole 320 is connected to the exhaust line 321. By exhausting through the exhaust line 321, the interior of the housing 300 may be maintained at a pressure lower than normal pressure. In addition, reaction by-products generated during the process and gas remaining in the housing 300 may be discharged to the outside through the exhaust line 321. The support unit 310 is located inside the housing 300 and supports the substrate W.

트랜스퍼 챔버(24)의 내측에는 개구(301)에 인접하게 커튼 노즐(200)이 위치된다. 커튼 노즐(200)은 기판(W)이 이송되는 좌우 방향에 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사한다. 커튼 유체는 질소 등과 같은 불활성 가스일 수 있다. 일 예로, 커튼 노즐(200)은 트랜스퍼 챔버(24)의 상부에 위치되어, 커튼 유체를 좌우 방향에 대해 상하 방향으로 교차하도록 분사할 수 있다. 커튼 노즐(200)은 개구(301)의 폭에 대응하는 길이를 갖는 슬릿 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 슬릿 형상의 커튼 노즐(200)은 개구(301)의 폭 방향과 나란하게 위치될 수 있다. 따라서, 개구(301)의 폭에 대응되는 부분에는 커튼 노즐(200)에서 분사된 커튼 유체가 유동될 수 있다.The curtain nozzle 200 is positioned adjacent to the opening 301 inside the transfer chamber 24. The curtain nozzle 200 sprays the curtain fluid in a direction crossing the left and right directions in which the substrate W is transferred. The curtain fluid may be an inert gas such as nitrogen or the like. For example, the curtain nozzle 200 may be positioned above the transfer chamber 24 to spray the curtain fluid so as to intersect in the vertical direction with respect to the left and right directions. The curtain nozzle 200 may be formed in a slit shape having a length corresponding to the width of the opening 301. In addition, the slit-shaped curtain nozzle 200 may be positioned parallel to the width direction of the opening 301. Accordingly, the curtain fluid injected from the curtain nozzle 200 may flow in a portion corresponding to the width of the opening 301.

커튼 노즐(200)은 좌우에 대해 상하로 수직한 방향에 대해 경사진 방향으로 커튼 유체를 분사할 수 있다. 구체적으로, 커튼 노즐(200)은 수직한 방향에 대해 개구(301) 방향으로 경사지게 커튼 유체를 분사하게 제공될 수 있다. 따라서, 공정 챔버 도어(28)가 개방된 상태에서 커튼 노즐(200)이 커튼 유체를 분사하면, 커튼 유체는 기판(W)이 이송되는 방향을 가로질러 공정 챔버(30) 내측으로 유입된다.The curtain nozzle 200 may spray the curtain fluid in a direction inclined with respect to a vertical direction vertically with respect to the left and right. Specifically, the curtain nozzle 200 may be provided to spray the curtain fluid obliquely in the direction of the opening 301 with respect to the vertical direction. Accordingly, when the curtain nozzle 200 injects the curtain fluid while the process chamber door 28 is open, the curtain fluid flows into the process chamber 30 across the direction in which the substrate W is transferred.

공정 챔버(30)에서 처리된 기판(W)이 반출되거나, 처리될 기판(W)이 공정 챔버(30)로 반입되기 위해 공정 챔버 도어(28)가 개방될 때, 공정 챔버(30)의 내측과 트랜스퍼 챔버(24)의 내측은 압력이 상이할 수 있다. 압력의 차이는 공정 챔버(30)와 트랜스퍼 챔버(24) 사이에 기체의 유동을 야기하여, 기판(W) 및 공정 챔버(30)의 내측을 오염시킬 수 있다. 예를 들어, 트랜스퍼 챔버(24)의 저면에는 반송로봇(26)이 동작하는 과정에서 발생된 파티클이 있을 수 있다. 또한, 공정 챔버(30)의 내측 하부에는 기판(W)의 처리 과정에서 발생된 파티클 가운데 배출되지 않은 것을 있을 수 있다. 공정 챔버(30)와 트랜스퍼 챔버(24) 사이에 기체의 유동이 발생하면, 이 같은 파티클이 비산되어 오염을 야기할 수 있다.When the processed substrate W is carried out from the process chamber 30 or the process chamber door 28 is opened to carry the substrate W to be processed into the process chamber 30, the inside of the process chamber 30 And the inside of the transfer chamber 24 may have different pressures. The difference in pressure may cause a gas to flow between the process chamber 30 and the transfer chamber 24, thereby contaminating the substrate W and the inside of the process chamber 30. For example, particles generated during the operation of the transfer robot 26 may be present on the bottom of the transfer chamber 24. In addition, there may be particles that are not discharged from among particles generated during the processing of the substrate W below the inner side of the process chamber 30. When a gas flow occurs between the process chamber 30 and the transfer chamber 24, such particles may scatter and cause contamination.

반면 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버 도어(28)가 개방될 때, 커튼 유체가 분사되어, 공정 챔버(30)와 트랜스퍼 챔버(24) 사이에 기체가 대류하는 현상이 방지된다. 또한, 공정 챔버 도어(28)가 개방된 상태로 커튼 유체가 분사될 때, 배기 라인(321)을 통해 공정 챔버(30) 내측으로 유입된 커튼 유체는 외부로 배출될 수 있다.On the other hand, in the substrate processing apparatus according to the present invention, when the process chamber door 28 is opened, the curtain fluid is injected to prevent the gas from convectively flowing between the process chamber 30 and the transfer chamber 24. In addition, when the curtain fluid is injected while the process chamber door 28 is open, the curtain fluid flowing into the process chamber 30 through the exhaust line 321 may be discharged to the outside.

도 4는 다른 실시 예에 따른 커튼 노즐이 제공된 상태의 트랜스퍼 챔버를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a transfer chamber in a state in which a curtain nozzle is provided according to another exemplary embodiment.

도 4를 참조하면, 커튼 노즐(200b)은 개구(301)에 인접하게 트랜스퍼 챔버(24b)의 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 커튼 노즐(200b)은 몸체(25b)의 상면, 하면 또는 측면에 위치될 수 있다. 커튼 노즐(200b)은 기판(W)이 이송되는 좌우 방향에 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하도록 제공된다. 이 때, 커튼 유체는 커튼 노즐(200b)이 위치된 면과 마주보는 몸체(25b)의 일면을 향해 분사될 수 있다. 그리고 분사된 커튼 유체가 향하는 몸체(25b)의 일면에는 커튼 배기 라인(211)이 연결된 커튼 배기홀(210)이 형성될 수 있다. 따라서, 커튼 노즐(200b)에서 분사된 커튼 유체는 공정 챔버(30b)로 유입되지 않은 상태로, 공정 챔버(30b)와 트랜스퍼 챔버(24b) 사이의 대류를 차단한 후 외부로 배출될 수 있다.Referring to FIG. 4, the curtain nozzle 200b may be located inside the transfer chamber 24b adjacent to the opening 301. For example, the curtain nozzle 200b may be located on an upper surface, a lower surface, or a side surface of the body 25b. The curtain nozzle 200b is provided to spray the curtain fluid in a direction crossing the left-right direction in which the substrate W is transferred. In this case, the curtain fluid may be injected toward one surface of the body 25b facing the surface on which the curtain nozzle 200b is positioned. Further, a curtain exhaust hole 210 to which the curtain exhaust line 211 is connected may be formed on one surface of the body 25b to which the injected curtain fluid is directed. Therefore, the curtain fluid injected from the curtain nozzle 200b may be discharged to the outside after blocking convection between the process chamber 30b and the transfer chamber 24b without flowing into the process chamber 30b.

도 5는 다른 실시 예에 따른 커튼 노즐의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a curtain nozzle according to another embodiment.

도 5를 참조하면, 커튼 노즐(200, 200b)은 전극(201, 202) 및 유전체(203)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the curtain nozzles 200 and 200b may include electrodes 201 and 202 and a dielectric material 203.

한 쌍의 전극(201, 202)은 커튼 노즐(200)의 양측에 위치된다. 전극(201, 202)은 전원(205)에 연결되어, 전극(201, 202)은 그 사이에 전기장이 형성될 수 있도록 제공된다. 전극(201, 202)의 사이에는 유전체(203)가 위치된다. 전극(201, 202)과 유전체(203)는 서로 이격 되어, 커튼 유체 통로(204)가 형성된다. 커튼 유체가 분사될 때, 전극(201, 202)에는 전기장이 형성되어, 커튼 유체는 유전체(203) 장벽 방전(DBD)에 의해 플라즈마 상태로 여기 된다. 따라서, 좌우 방향을 가로 질러 형성된 커튼 유체의 장벽을 플라즈마 상태로 제공되어, 커튼 유체에 접근한 파티클을 연소 시킬 수 있다.A pair of electrodes 201 and 202 are located on both sides of the curtain nozzle 200. The electrodes 201 and 202 are connected to the power source 205, so that the electrodes 201 and 202 are provided so that an electric field can be formed therebetween. A dielectric 203 is positioned between the electrodes 201 and 202. The electrodes 201 and 202 and the dielectric 203 are spaced apart from each other, so that a curtain fluid passage 204 is formed. When the curtain fluid is injected, an electric field is formed in the electrodes 201 and 202, and the curtain fluid is excited in a plasma state by the barrier discharge DBD of the dielectric 203. Accordingly, the barrier of the curtain fluid formed across the left and right direction is provided in a plasma state, so that particles that have approached the curtain fluid can be burned.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

10: 설비 전방 단부 모듈 14: 프레임
20: 공정 처리실 24: 트랜스퍼 챔버
30: 공정 챔버 200: 커튼 노즐10: equipment front end module 14: frame
20: process chamber 24: transfer chamber
30: process chamber 200: curtain nozzle

Claims (10)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
상기 기판을 처리하고, 상기 기판이 반입 또는 반출되는 경로를 제공하는 개구를 갖는 공정 챔버;
상기 공정 챔버에 인접하게 배치되고, 상기 공정 챔버로 상기 기판을 반입 또는 반출하는 트랜스퍼 챔버;
상기 개구를 개폐하는 공정 챔버 도어;
상기 개구에 인접한 상기 트랜스퍼 챔버의 상부에 위치되고, 상기 개구가 개방된 상태에서 상기 개구를 관통하여 상기 공정 챔버의 내측으로 상기 기판이 이송되는 방향에 대해 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하는 커튼 노즐;
상기 커튼 유체를 상기 장치의 외부로 배출하는 배기홀을 포함하고,
상기 커튼 노즐은,
상기 커튼 유체를 플라즈마 상태로 분사하고,
상기 배기홀을 향해 상기 커튼 유체를 분사하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A process chamber that processes the substrate and has an opening providing a path through which the substrate is carried in or taken out;
A transfer chamber disposed adjacent to the process chamber and carrying or carrying out the substrate into the process chamber;
A process chamber door opening and closing the opening;
A curtain nozzle positioned above the transfer chamber adjacent to the opening and injecting a curtain fluid in a direction crossing the direction in which the substrate is transferred to the inside of the process chamber through the opening while the opening is open ;
And an exhaust hole for discharging the curtain fluid to the outside of the device,
The curtain nozzle,
Injecting the curtain fluid in a plasma state,
A substrate processing apparatus for injecting the curtain fluid toward the exhaust hole. 제1항에 있어서,
상기 커튼 노즐은,
서로 이격 되게 위치되는 한 쌍의 전극; 및
상기 한 쌍의 전극 사이에 위치되는 유전체를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The curtain nozzle,
A pair of electrodes positioned to be spaced apart from each other; And
A substrate processing apparatus including a dielectric material positioned between the pair of electrodes. 제2항에 있어서,
상기 배기홀은 상기 공정 챔버의 바닥면에 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The exhaust hole is a substrate processing apparatus formed on a bottom surface of the process chamber. 제3항에 있어서,
상기 커튼 노즐은,
상기 배기홀을 향해 경사지도록 상기 커튼 유체를 분사하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The curtain nozzle,
A substrate processing apparatus for injecting the curtain fluid to be inclined toward the exhaust hole. 제4항에 있어서,
상기 커튼 노즐은 슬릿 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The curtain nozzle is a substrate processing apparatus provided in a slit shape. 제5항에 있어서,
상기 커튼 노즐은 상기 개구의 폭 방향과 나란하게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The curtain nozzle is positioned in parallel with the width direction of the opening. 제1항에 있어서,
상기 트랜스퍼 챔버는,
몸체; 및
상기 몸체의 내측에 위치되어 상기 기판을 이송하는 반송 로봇을 포함하고,
상기 커튼 노즐은 상기 몸체의 상부면에 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The transfer chamber,
Body; And
It is located inside the body and comprises a transfer robot for transferring the substrate,
The curtain nozzle is a substrate processing apparatus located on the upper surface of the body. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판이 처리되는 공정 챔버에서 상기 기판이 이동하는 경로를 제공하는 개구를 개방한 상태로, 상기 개구에 인접한 위치에서 상기 기판이 이동하는 경로인 좌우 방향에 대해 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1,
A substrate that sprays curtain fluid in a direction crossing the left and right directions, which are the paths that the substrate moves at a position adjacent to the opening, with an opening providing a path for moving the substrate open in a process chamber where the substrate is processed Processing method. 제8항에 있어서,
상기 커튼 유체는 상기 공정 챔버의 외부에서 상기 개구를 향해 분사되는 기판 처리 방법.The method of claim 8,
The curtain fluid is sprayed from the outside of the process chamber toward the opening. 제8항에 있어서,
상기 개구가 개방된 상태의 상기 공정 챔버는 하우징에 형성된 배기홀을 통해 배출되는 상태로 제공되는 기판 처리 방법.
The method of claim 8,
The substrate processing method in which the process chamber with the opening open is discharged through an exhaust hole formed in the housing.
KR1020180163521A 2018-12-17 2018-12-17 Substrate treating apparatus and substrate treating method KR102202464B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180163521A KR102202464B1 (en) 2018-12-17 2018-12-17 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180163521A KR102202464B1 (en) 2018-12-17 2018-12-17 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160151072A Division KR20180054945A (en) 2016-11-14 2016-11-14 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180137458A KR20180137458A (en) 2018-12-27
KR102202464B1 true KR102202464B1 (en) 2021-01-14

Family

ID=64953151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180163521A KR102202464B1 (en) 2018-12-17 2018-12-17 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102202464B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007129209A (en) 2005-10-07 2007-05-24 Xtreme Technologies Gmbh Device for restraining undesirable spectrum components in euv radiation source based on plasma

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7691278B2 (en) * 2005-09-27 2010-04-06 Lam Research Corporation Apparatus for the removal of a fluorinated polymer from a substrate and methods therefor
KR20090071970A (en) * 2007-12-28 2009-07-02 주식회사 동부하이텍 Manufacturing device for semiconductor
KR20100059221A (en) * 2008-11-26 2010-06-04 세메스 주식회사 Apparatus for processing a substrate

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007129209A (en) 2005-10-07 2007-05-24 Xtreme Technologies Gmbh Device for restraining undesirable spectrum components in euv radiation source based on plasma

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180137458A (en) 2018-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102476174B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method
KR100796980B1 (en) Apparatus and methed for treating substrates
KR101445226B1 (en) Exhaust ring assembly and apparatus for treating including the assembly
TWI631642B (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101477602B1 (en) Apparatus for treatimg substrate
KR20070049693A (en) Apparatus for manufacturing a substrate
KR102202464B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
TWI681491B (en) Substrate treating apparatus
KR100944157B1 (en) Apparatus and method of producting substrate
JP4790326B2 (en) Processing system and processing method
US11139152B2 (en) Substrate processing apparatus
KR101928008B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102047894B1 (en) Buffer unit and Apparatus for treating a substrate with the unit
KR20180054945A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101484273B1 (en) Plasma reactor and substrate processing system
KR102568084B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR100994463B1 (en) Apparatus for processing substrate with plasma
KR101446632B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102020230B1 (en) Substrate treating apparatus, process fluid treating apparatus and ozone decomposition method
KR20210008549A (en) Buffer unit, Apparatus and Method for treating substrate with the unit
KR101393466B1 (en) Plasma processing apparatus
KR20210054105A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101526504B1 (en) Waveguide, apparatus for treating substrate and including the waveguide, and method for treating and using the apparatus
KR102250367B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102225958B1 (en) A Substrate processing apparatus and method

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant