KR100796980B1 - Apparatus and methed for treating substrates - Google Patents

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    • A47L17/00—Apparatus or implements used in manual washing or cleaning of crockery, table-ware, cooking-ware or the like
    • A47L17/04—Pan or pot cleaning utensils
    • A47L17/08—Pads; Balls of steel wool, wire, or plastic meshes
    • D—TEXTILES; PAPER
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    • D06M15/00—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment
    • D06M15/19—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment with synthetic macromolecular compounds
    • D06M15/37—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • D06M15/564—Polyureas, polyurethanes or other polymers having ureide or urethane links; Precondensation products forming them

Abstract

An apparatus and a method for processing a substrate are provided to improve ashing uniformity by uniformly making plasma density formed on the substrate. A process chamber(110) provides process space where a substrate treatment process is performed. The process chamber has a substrate entrance and a gate valve for opening and blocking the substrate entrance at a side thereof. A substrate supporting member(120) is installed in the process chamber. The substrate transferred through the substrate entrance is placed on the substrate supporting member. Gas distribution plates(170a,170b) are formed on an upper side of the process chamber to distribute plasma and process gas to the process space. The gas distribution plate includes plural gas spraying channels(172a) having asymmetric shapes. The process chamber includes an exhaust pipe(116) formed on a bottom thereof.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHED FOR TREATING SUBSTRATES}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHED FOR TREATING SUBSTRATES}

도 1은 종래 에싱 장치를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a conventional ashing apparatus.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 외관도이다.2 is an external view of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 정단면도이다.3 is a front sectional view of the substrate processing apparatus according to the present invention.

도 4는 도 3에 표시된 A-A' 선을 따라 절취한 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3.

도 5는 도 4에 표시된 B-B'선을 따라 절취한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 4.

도 6은 제1가스 분배 플레이트의 평면도이다6 is a plan view of the first gas distribution plate.

도 7은 본 발명에 도 8에 도시된 가스 분배 플레이트가 적용된 예를 보여주는 평단면도이다. 7 is a plan sectional view showing an example in which the gas distribution plate shown in FIG. 8 is applied to the present invention.

도 8은 변형된 가스 분배 플레이트를 보여주는 도면이다. 8 shows a modified gas distribution plate.

도 9는 제2가장자리 부분에 슬롯 형상의 가스분사유로들이 형성된 가스분배플레이트를 보여주는 도면이다. FIG. 9 is a view illustrating a gas distribution plate in which slot-shaped gas injection flow paths are formed at a second edge portion.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

110 : 공정 챔버110: process chamber

120 : 기판 지지부재120: substrate support member

130 : 가스공급부재130: gas supply member

140 : 플라즈마 생성부재140: plasma generating member

150 : 배기부재150: exhaust member

160 : 구획부재160: partition member

170a : 제1가스 분배 플레이트170a: first gas distribution plate

170b : 제2가스 분배 플레이트 170b: second gas distribution plate

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 기판이 공정챔버로 로딩/언로딩될 때 열리고 닫히는 기판 출입구를 갖는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate processing apparatus and method having a substrate entrance that opens and closes when the substrate is loaded / unloaded into the process chamber.

통상적으로 반도체 웨이퍼 또는 액정기판을 처리하기 위한 장치에서, 반도체 웨이퍼 또는 액정기판은 공정 챔버에 구비되는 기판 이송 통로인 기판 출입구를 통하여 입출입되는데, 이러한 기판 출입구에는 이 통로를 개폐하는 게이트 밸브가 구비된다. In general, in an apparatus for processing a semiconductor wafer or liquid crystal substrate, the semiconductor wafer or liquid crystal substrate enters and exits through a substrate entrance, which is a substrate transfer passage provided in the process chamber, and the substrate entrance and exit is provided with a gate valve for opening and closing the passage. .

도 1에서와 같이, 게이트 밸브(20)는 공정 챔버(10)의 일측벽(13)에 설치되어 공정 챔버(10)의 기판 이송 통로인 기판 출입구(12)를 개폐한다. 상기와 같은 구조에서, 기판(w)은 공정챔버(10) 일측면에 형성된 기판 출입구(12)를 통하여 공정 챔버(10) 내로 반입 또는 반출된다. As shown in FIG. 1, the gate valve 20 is installed at one side wall 13 of the process chamber 10 to open and close a substrate entrance 12, which is a substrate transfer passage of the process chamber 10. In the structure as described above, the substrate (w) is carried into or out of the process chamber 10 through the substrate entrance 12 formed on one side of the process chamber 10.

이상과 같은 종래의 공정 챔버에서는 다음과 같은 문제점이 발생한다. The following problems occur in the conventional process chamber as described above.

종래의 게이트 밸브(20)는 공정 챔버(10) 외부에 결합되어 선택적으로 공정 챔버(10)의 일측면에 형성된 기판 출입구(12)를 개폐하므로, 공정 챔버(10) 내부의 공간적인 비대칭이 발생하여 기판(w)에 대한 플라즈마 처리 등을 수행하는 경우 불균일이 발생한다. 즉, 공정 챔버(10) 일측면(13)에 형성된 기판 출입구(12)에 의하여 챔버 격벽의 두께 만큼의 공간적인 불균일이 발생하고, 이에 따라 공정 챔버(10) 내부에서 플라즈마 처리 등을 수행하는 경우에 유니폼(Uniform)한 처리가 어려워지는 문제점이 발생한다. 특히, 기판의 좌우 가장자리 부분(a 부분과 b 부분)에서 플라즈마 밀도 차이가 존재하고, 이로 인하여 기판 처리의 균일도가 떨어진다.The conventional gate valve 20 is coupled to the outside of the process chamber 10 to selectively open and close the substrate entrance 12 formed on one side of the process chamber 10, so that spatial asymmetry inside the process chamber 10 occurs. Non-uniformity occurs when the plasma treatment or the like is performed on the substrate w. That is, when the substrate unevenness 12 formed in one side surface 13 of the process chamber 10 generates a spatial unevenness as much as the thickness of the chamber partition wall, and thus, plasma processing is performed in the process chamber 10. There is a problem that uniform processing becomes difficult. In particular, there is a difference in plasma density at the left and right edge portions (a portion and b portion) of the substrate, resulting in poor uniformity of substrate processing.

한편, 이러한 문제를 개선시키기 위하여 도어 안쪽에만 슬릿을 함께 작동하여 이러한 문제를 막는 방법도 사용하지만, 이를 사용하는 경우 공정 챔버 내부에 무빙 파트가 들어가게 되어 이것으로부터 기인된 문제인 파티클 발생과 에러 발생 등으로 인한 문제가 나온다.On the other hand, in order to improve this problem, the slit is operated only inside the door together to prevent such a problem, but when it is used, the moving part enters the inside of the process chamber, which causes problems such as particle generation and error. The problem is caused.

본 발명의 목적은 공정 챔버 내부 공간의 공간적인 불균형으로 인한 플라즈마 및 가스의 밀도차를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of minimizing the density difference between the plasma and the gas due to the spatial imbalance of the space inside the process chamber.

본 발명의 목적은 공정 챔버 내부에서 플라즈마 처리 등을 수행하는 경우에 균일한 플라즈마 밀도를 제공하여 유니폼(Uniform)한 기판 처리가 가능한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of uniform substrate processing by providing a uniform plasma density when performing a plasma treatment, etc. in the process chamber.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행된 프로세스 공간을 제공하는 그리고 일측면에 기판의 입출을 위한 기판 출입구와 상기 기판 출입구를 개폐하는 게이트 밸브를 갖는 공정챔버; 상기 공정챔버 내부에 설치되며 상기 기판 출입구를 통해 들어온 기판이 놓여지는 기판 지지부재; 상기 공정챔버의 상측에 상기 프로세스 영역으로 플라즈마 및 공정가스를 분배하기 위한 가스 분배 플레이트를 포함하되; 상기 가스 분배 플레이트는 비대칭으로 형성되는 다수의 가스분사유로들을 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the substrate processing apparatus provides a process space in which the substrate processing process is performed and a gate valve for opening and closing the substrate and the gate valve for opening and closing the substrate on one side Having a process chamber; A substrate support member installed inside the process chamber and having a substrate introduced through the substrate entrance and exit; A gas distribution plate above the process chamber for distributing plasma and process gas to the process region; The gas distribution plate includes a plurality of gas injection flow paths formed asymmetrically.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가스 분배 플레이트는 상기 기판 출입구와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기가 다른 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기보다 큰 것이 바람직하다. According to an embodiment of the present invention, it is preferable that the size of the gas injection paths formed in the area adjacent to the substrate entrance and exit is larger than the size of the gas injection paths formed in the other area.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 비대칭의 가스분사유로들 중에서 상기 기판 출입구와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기가 상대적으로 큰 것이 바람직하다. According to an embodiment of the present invention, it is preferable that the size of the gas injection paths formed in the region adjacent to the substrate entrance and exit among the asymmetric gas injection paths is relatively large.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 가스 분배 플레이트의 상측에 플라즈마 생성을 위한 플라즈마 소스부를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a plasma source unit for generating plasma on the upper side of the gas distribution plate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공정챔버는 바닥에 형성되는 배기구를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the process chamber further includes an exhaust port formed at the bottom.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가스 분배 플레이트는 상기 배기구와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기가 다른 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기보다 큰 것이 바람직하다.According to an embodiment of the present invention, it is preferable that the size of the gas injection passages formed in the region adjacent to the exhaust port is larger than the size of the gas injection passages formed in the other region.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 출입구와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기는 다른 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기보다 1%에서 1000% 크다. According to an embodiment of the present invention, the size of the gas injection paths formed in the area adjacent to the substrate entrance and exit is 1% to 1000% larger than the size of the gas injection paths formed in the other area.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 공정챔버 내부의 기판쪽으로 플라즈마 및 공정가스를 분배하기 위한 가스분배플레이트를 포함하는 기판 처리 장치는 상기 가스 분배 플레이트는 플라즈마 및 공정가스의 분배가 상기 공정챔버 내부에 서로 다르게 제공되도록 다수의 가스분사유로들이 비대칭으로 형성된다. According to a feature of the present invention for achieving the above object, a substrate processing apparatus including a gas distribution plate for distributing the plasma and the process gas toward the substrate inside the process chamber, the gas distribution plate is a distribution of plasma and process gas A plurality of gas injection flow passages are formed asymmetrically to be provided differently in the process chamber.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 기판상에 애싱 공정을 수행하는 장치는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 프로세스 공간들을 제공하는 그리고 일측면에 기판의 입출을 위한 기판 출입구를 갖는 공정챔버; 상기 공정챔버 내부에 설치되어 공정시 기판을 지지하는 복수의 기판지지부재들; 상기 기판 지지부재들 각각에 전력을 인가하는 전력인가기; 플라즈마를 발생시켜 상기 공정챔버 내부로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 생성부재; 상기 공정챔버 내 가스를 배기시키는 배기부재; 상기 기판 지지부재들이 설치되는 상기 공정챔버 내 프로세스 공간들 및 상기 배기부재의 배기공간을 구획하는 구획부재; 및 상기 공정챔버 내 프로세스 공간들 상부에 설치되며, 상기 기판 지지부재 각각에 놓여진 기판쪽으로 플라즈마 및 공정가스를 분배하기 위한 가스분배 플레이트를 포함하되; 상기 가스 분배 플레이트는 비대칭으로 형성되는 다수의 가스분사유로들을 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, an apparatus for performing an ashing process on a substrate provides a process space therein is performed the substrate processing process and having a substrate entrance for entry and exit of the substrate on one side Process chamber; A plurality of substrate support members installed inside the process chamber to support the substrate during the process; A power applicator for applying power to each of the substrate support members; A plasma generating member generating plasma to supply plasma into the process chamber; An exhaust member for exhausting the gas in the process chamber; A partition member partitioning process spaces in the process chamber in which the substrate support members are installed and exhaust space of the exhaust member; And a gas distribution plate disposed above the process spaces in the process chamber and configured to distribute the plasma and the process gas toward the substrate placed on each of the substrate support members. The gas distribution plate includes a plurality of gas injection flow paths formed asymmetrically.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가스 분배 플레이트는 상기 기판 출입구와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기가 다른 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기보다 크다. According to an embodiment of the present invention, the gas distribution plate has a larger size of the gas injection passages formed in the region adjacent to the substrate entrance and exit than the size of the gas injection passages formed in the other region.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가스 분배 플레이트는 상기 배기부재와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기가 다른 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기보다 크다. According to an embodiment of the present invention, the gas distribution plate has a larger size of the gas injection passages formed in the region adjacent to the exhaust member than the size of the gas injection passages formed in the other region.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기부재는, 상기 공정챔버의 하부벽에서 상기 기판 지지부재들 각각의 중심을 기준으로 환형으로 형성되는 배기구들을 통해 상기 프로세스 공간들 내 가스를 배출시키는 공통 배기관을 포함하고, 상기 구획부재는, 상기 공정챔버 내부에서 상기 프로세스 공간들을 구획하는 구획벽과, 상기 프로세스 공간들 각각으로부터 배기되는 가스들이 독립적으로 배기되도록 상기 공통 배기관 내 배기공간을 구획하는 격벽을 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the exhaust member may include a common exhaust pipe for discharging gas in the process spaces through exhaust ports formed in an annular shape with respect to the center of each of the substrate support members at the lower wall of the process chamber. The partition member includes a partition wall partitioning the process spaces inside the process chamber, and a partition wall partitioning an exhaust space in the common exhaust pipe so that gases exhausted from each of the process spaces are independently exhausted. .

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구획벽은, 상기 지지부재들의 중심을 지나며 상기 구획벽과 평행하는 선을 중심으로 좌우대칭되도록 상기 공정공간들을 구획하고, 상기 격벽은, 상기 격벽을 중심으로 좌우대칭되도록 상기 배기공간을 구획한다.According to an embodiment of the present invention, the partition wall partitions the process spaces so as to be symmetrical about a line parallel to the partition wall passing through the centers of the supporting members, and the partition wall is left and right around the partition wall. The exhaust space is partitioned to be symmetrical.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 기판 처리 방법은 공정 챔버의 기판 출입구를 통해 프로세스 공간에 위치하는 기판 지지부재에 기판을 로딩하는 단계; 상기 공정 챔버의 내부 압력을 기설정된 압력으로 감압하는 단계; 플라즈마 생성부재에서 생성된 플라즈마 및 공정가스를 가스공급부재를 통해 상기 공정 챔버의 프로세스 공간으로 공급하는 단계를 포함하되; 상기 플라즈마 및 공정 가스의 공급은 기판 가장자리 영역 중에서 상기 공정 챔버의 기판 출입구와 인접한 기판 가장자리 영역으로는 좀 더 많은 양을 공급하여, 기판 출입구에 의한 공간 불균형으로 인한 플라즈마 불균형을 최소화한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the substrate processing method comprises the steps of loading a substrate on a substrate support member located in the process space through the substrate entrance and exit of the process chamber; Reducing the internal pressure of the process chamber to a predetermined pressure; Supplying plasma and a process gas generated in the plasma generating member to a process space of the process chamber through a gas supply member; The supply of the plasma and the process gas supplies a larger amount of the substrate edge region to the substrate edge region adjacent to the substrate entrance of the process chamber, thereby minimizing the plasma imbalance due to the space imbalance by the substrate entrance.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 및 공정 가스의 공급은 상기 가스공급부재의 비대칭으로 형성된 다수의 가스분사유로들을 갖는 가스분배 플레이트를 통해 상기 공정챔버의 프로세스 공간으로 비대칭하게 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the supply of the plasma and the process gas is provided asymmetrically into the process space of the process chamber through a gas distribution plate having a plurality of gas injection passages formed asymmetrically of the gas supply member.

이하, 본 발명에 따른 에싱 장치를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an ashing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수 있다. 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 각각의 장치는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 개략적으로 도시된 것이다. 또한, 각각의 장치에는 본 명세서에서 자세히 설명되지 아니한 각종의 다양한 부가 장치가 구비되어 있을 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. The invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. The embodiments introduced herein are provided to make the disclosed contents thorough and complete, and to fully convey the spirit and features of the present invention to those skilled in the art. In the drawings, each device is schematically shown for clarity of the invention. Each device may also be equipped with a variety of additional devices not described in detail herein. Like reference numerals denote like elements throughout the specification.

(실시예)(Example)

본 실시 예에서는 플라즈마를 이용하여 사진 공정 후 기판상에 남아 있는 불필요한 감광제를 제거하는 플라즈마 애싱 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 플라즈마를 이용하여 반도체 기판을 처리하는 다른 종류의 모든 장치에도 적용될 수 있다. In the present embodiment, a plasma ashing apparatus for removing unnecessary photoresist remaining on a substrate after a photographic process using plasma is described as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and the present invention may be applied to any other type of apparatus for processing a semiconductor substrate using plasma.

또한, 본 실시 예에서는 플라즈마를 생성시키기 위한 에너지원으로 마이크로파를 예로 들어 설명하지만, 이외에도 고주파 전원 등 다양한 에너지원이 사용될 수 있다. In addition, in the present exemplary embodiment, microwaves are described as an energy source for generating plasma, but various energy sources such as a high frequency power source may be used.

도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 플라즈마 소스부에서 생성되는 라디칼을 이용하여 반도체 소자 제조용 기판(이하 기판이라고 함)의 표면을 에싱하기 위한 반도체 제조 장치이다. 2 to 6, a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention uses a radical generated in a plasma source unit to semiconductor a surface of a semiconductor device manufacturing substrate (hereinafter referred to as a substrate). It is a manufacturing apparatus.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(100)는, 소정의 밀폐된 분위기를 제공하는 공정 챔버(process chamber, 110), 기판 지지부재(120), 배기부재(150), 구획부재(160), 플라즈마 생성부재(140) 그리고 제1,2가스분배플레이트(170a,170b)를 갖는 가스공급부재(130)를 포함한다. 2 to 4, the substrate processing apparatus 100 may include a process chamber 110, a substrate support member 120, an exhaust member 150, and a partition member that provide a predetermined closed atmosphere. 160, the gas generating member 130 having the plasma generating member 140 and the first and second gas distribution plates 170a and 170b.

공정 챔버(110)는 내부에 애싱 공정(ashing process)을 수행하는 프로세스 공간을 제공한다. 공정 챔버(110)는 두 개의 기판을 동시에 처리할 수 있는 구조를 갖는다. 즉, 공정 챔버(110)의 프로세스 공간은 제1공간(a)과 제2공간(b)으로 구획된다. 제1공간(a)과 제2공간(b) 각각은 공정시 수용된 낱장의 기판상에 애싱 공정이 수행되는 공간이다. 공정 챔버(110)의 일측벽에는 제1공간(a)과 제2공간(b)으로 각각 기판 출입이 이루어지는 기판 출입구(112)가 형성된다. 기판 출입구(112)는 게이트 밸브와 같은 개폐도어(114)에 의해 개폐된다. The process chamber 110 provides a process space therein for performing an ashing process. The process chamber 110 has a structure capable of simultaneously processing two substrates. That is, the process space of the process chamber 110 is partitioned into a first space a and a second space b. Each of the first space (a) and the second space (b) is a space in which an ashing process is performed on a single substrate accommodated in the process. One side wall of the process chamber 110 is formed with a substrate entrance and exit 112 through which the substrate enters and exits into the first space a and the second space b, respectively. The substrate entrance 112 is opened and closed by an opening / closing door 114 such as a gate valve.

그리고, 공정 챔버(110)의 하부벽에는 공정 챔버(110) 내 가스가 배기되는 배기구(116)가 제공된다. 배기구(116)는 각각의 기판 지지부재(120)를 중심으로 환형으로 형성된다. 본 실시예에서는 두 개의 공간을 가지는 공정 챔버(110)를 예로 들어 설명하였으나, 공정 챔버(110) 내 구획 공간은 세 개 이상일 수도 있다.In addition, an exhaust port 116 through which gas in the process chamber 110 is exhausted is provided at a lower wall of the process chamber 110. The exhaust port 116 is formed in an annular shape with respect to each substrate support member 120. In the present embodiment, the process chamber 110 having two spaces has been described as an example, but three or more partition spaces in the process chamber 110 may be provided.

상기 공정 챔버(110)의 제1공간(a)과 제2공간(b)에는 공정시 기판을 지지하는 기판 지지부재(120)가 각각 설치된다. 기판 지지부재(120)로는 정전척(electrode chuck)이 사용될 수 있다. 또한, 기판 지지부재(120)는 공정시 기판(W)을 안착시켜 기설정된 공정온도로 가열한다. 이를 위해, 기판 지지부재(120)는 기판을 일정온도로 가열하기 위한 히터 및 상술한 로봇으로 하여금 기판의 이송이 용이하도록 기판을 지지하는 형태로 승하강 구동하는 리프트 어셈블리(미도시됨) 등이 구비된 통상의 구성을 갖는다. 기판 지지부(120)는 기판(w)상의 포토레지스터가 제거될 수 있는 적정온도(200-400℃)로 유지된다. 도시하지 않았지만, 통상의 리프트 어셈블리는 기판 출입구(112)의 개방에 따라 로봇(미도시됨)에 의해 투입 위치되는 기판(w)의 저면을 받쳐 지지하는 리프트 핀들과, 리프트 핀들을 상승(업 위치)/하강(다운 위치)시키기 위한 구동부를 포함할 수 있다. 기판(w)은 리프트 핀들에 의해 기판 지지부재 상면으로부터 이격된 업 위치와, 기판 지지부재 상면에 놓이는 다운 위치로 이동하게 된다. 그리고, 기판 지지부재(120)에는 전력인가기(122)가 연결된다. 전력인가기(122)는 기판 지지부재(120)에 기설정된 바이어스 전력을 인가한다.Substrate support members 120 supporting the substrate during the process are respectively installed in the first space a and the second space b of the process chamber 110. An electrostatic chuck may be used as the substrate support member 120. In addition, the substrate support member 120 seats the substrate W during the process and heats the substrate to a predetermined process temperature. To this end, the substrate support member 120 may include a heater for heating the substrate to a predetermined temperature, and a lift assembly (not shown) for driving the robot to move up and down in the form of supporting the substrate to facilitate the transfer of the substrate by the robot. It has a conventional configuration provided. The substrate support 120 is maintained at an appropriate temperature (200-400 ° C.) at which the photoresist on the substrate w can be removed. Although not shown, a typical lift assembly lifts and lifts lift pins that support the bottom surface of the substrate w, which is placed by the robot (not shown) as the substrate entrance 112 opens. It may include a drive for () / down (down position). The substrate w is moved to an up position spaced apart from the upper surface of the substrate support member by the lift pins and to a down position lying on the upper surface of the substrate support member. In addition, the power applying unit 122 is connected to the substrate support member 120. The power applicator 122 applies a predetermined bias power to the substrate support member 120.

도 3에 도시된 바와 같이, 배기부재(150)는 공정 챔버(110)의 내부를 진공 상태로 형성하고, 에싱 공정이 수행되는 동안 발생하는 반응 부산물 등을 배출시키기 위한 것이다. As shown in FIG. 3, the exhaust member 150 is configured to form the inside of the process chamber 110 in a vacuum state, and to discharge reaction by-products and the like generated during the ashing process.

배기부재(150)는 공통 배기관(152), 메인 배기관(154), 그리고 감압부 재(156)를 포함한다. 공통 배기관(152)은 공정 챔버(110) 내부 가스를 외부로 배기시킨다. 공통 배기관(152)은 제1 및 제2 공간(a, b) 내 가스를 모두 배기하도록 공정챔버(110)의 배기구(116)와 연결된다. 여기서, 보다 효과적인 분리 배기를 위해 배기부재(150)는 단일 배기관(152a)을 더 구비할 수 있다. 단일 배기관(152a)은 배기구(116)로부터 아래방향으로 환형으로 연장된다. 단일 배기관(152a)은 공정시 제1 및 제2 공간(a, b)으로부터 배기구(116)를 통해 배기되는 가스가 균일한 흐름을 갖고 공통 배기관(152)으로 이동되도록 한다. 단일 배기관(152a)은 배기구(116)를 통해 배기되는 가스의 역류 및 흐름의 불균일을 방지한다. 공통 배기관(152)은 단일 배기관(152a) 사이에서 단일 각각의 제1 및 제2 공간(a, b)과 연결되는 배기관(152a)으로부터 배기되는 가스를 배기시킨다. 메인 배기관(154)은 공통 배기관(152)과 연결된다. 감압부재(156)는 메인 배기관(154)에 설치된다. 감압부재(156)는 하우징(110) 내부 압력을 감압하도록 제1 및 제2 공간(a, b) 내 가스를 강제로 흡입한다. 감압부재(156)로는 진공펌프(vacuum pump)가 사용될 수 있다.The exhaust member 150 includes a common exhaust pipe 152, a main exhaust pipe 154, and a pressure reducing member 156. The common exhaust pipe 152 exhausts the gas inside the process chamber 110 to the outside. The common exhaust pipe 152 is connected to the exhaust port 116 of the process chamber 110 to exhaust all the gases in the first and second spaces a and b. Here, the exhaust member 150 may be further provided with a single exhaust pipe (152a) for more effective separate exhaust. The single exhaust pipe 152a extends annularly downward from the exhaust port 116. The single exhaust pipe 152a allows the gas exhausted from the first and second spaces a and b through the exhaust port 116 to flow to the common exhaust pipe 152 with a uniform flow during the process. The single exhaust pipe 152a prevents non-uniformity of backflow and flow of gas exhausted through the exhaust port 116. The common exhaust pipe 152 exhausts the gas exhausted from the exhaust pipe 152a connected to the single first and second spaces a and b between the single exhaust pipes 152a. The main exhaust pipe 154 is connected to the common exhaust pipe 152. The pressure reducing member 156 is installed in the main exhaust pipe 154. The pressure reducing member 156 forcibly sucks gas in the first and second spaces a and b to reduce the pressure inside the housing 110. As the pressure reducing member 156, a vacuum pump may be used.

구획부재(160)는 구획벽(162) 및 격벽(164)을 포함한다. 구획벽(162)은 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)이 동등한 구조를 갖도록 공정 챔버(110) 내부를 구획한다. 구획벽(162)은 공정 챔버(110) 내부 중앙에서 상하로 수직하게 설치된다. 이때, 구획벽(162)은 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 각각이 선(X2, X3)을 기준으로 좌우 대칭되도록 공정 챔버(110) 내부를 구획한다. 선(X2)은 제1공간(a)의 기판 지지부재(120) 중심을 가로지르는 가상선이고, 선(X3)은 제2공간의 기판 지지부재(124)의 중심을 가로지르는 가상선이다. 이때, 선(X2, X3)은 구획벽(162)을 수직하게 가로 지르는 선(X1)과 평행하다. 구획벽(162)의 외측면(162a)은 선(X2, X3)을 기준으로 공정 챔버(110)의 내측면(111)과 대칭되는 형상으로 제작된다.The partition member 160 includes a partition wall 162 and a partition wall 164. The partition wall 162 partitions the inside of the process chamber 110 such that the first space a and the second space b have an equivalent structure. The partition wall 162 is vertically installed vertically in the center of the process chamber 110. In this case, the partition wall 162 partitions the inside of the process chamber 110 such that each of the first space a and the second space b is symmetrical with respect to the lines X2 and X3. The line X2 is an imaginary line crossing the center of the substrate support member 120 in the first space a, and the line X3 is an imaginary line crossing the center of the substrate support member 124 in the second space. At this time, the lines X2 and X3 are parallel to the line X1 crossing the partition wall 162 vertically. The outer side surface 162a of the partition wall 162 is manufactured to have a shape symmetrical with the inner side surface 111 of the process chamber 110 based on the lines X2 and X3.

격벽(164)은 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)으로부터 배기되는 가스가 분리 배기되도록 공통 배기관(152) 내부의 배기 공간을 구획한다. 격벽(164)은 구획벽(162)으로부터 아래방향으로 수직하게 연장된다. 격벽(164)은 공통 배기관(152)과 메인 배기관(154)이 연결되는 부분까지 연장되는 것이 바람직하다. 격벽(164)은 제1 공간(a) 내 가스가 배기되는 제1 배기공간(c)과 제2 공간(b) 내 가스가 배기되는 제2 배기공간(d)이 서로 동등한 구조를 갖도록 공통 배기관(152)을 구획한다.The partition wall 164 partitions the exhaust space inside the common exhaust pipe 152 so that the gas exhausted from the first space a and the second space b is separated and exhausted. The partition wall 164 extends vertically downward from the partition wall 162. The partition wall 164 preferably extends to a portion where the common exhaust pipe 152 and the main exhaust pipe 154 are connected. The partition wall 164 has a common exhaust pipe such that the first exhaust space c in which the gas in the first space a is exhausted and the second exhaust space d in which the gas in the second space b is exhausted have the same structure. Section 152 is partitioned.

구획부재(160)는 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)의 분리배기를 위해 제공된다. 또한, 구획부재(160)는 제1공간(a)의 기판 지지부재(120)에 인가되는 전력과 제2공간(b)의 기판 지지부재(120)에 인가되는 전력이 서로 영향을 받지 않도록 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)을 구획한다. 따라서, 구획부재(160)의 재질은 절연체인 것이 바람직하다.The partition member 160 is provided for separation and exhaust of the first space a and the second space b. In addition, the partition member 160 may be configured such that the power applied to the substrate support member 120 in the first space a and the power applied to the substrate support member 120 in the second space b are not affected by each other. The first space a and the second space b are partitioned. Therefore, the material of the partition member 160 is preferably an insulator.

본 실시예에서는 구획부재(160)가 일체형의 구획벽(162) 및 격벽(164)을 구비하여 공정챔버(110) 및 공통 배기관(152)을 구획하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 구획부재의 구조 및 형상, 그리고 설치 방식은 다양하게 변경 및 변형될 수 있다. 예컨대, 구획부재(160)는 구획벽(162)과 격벽(164)이 서로 분리가능한 구조로 이루어질 수 있으며, 구획벽(162)과 격벽(164)은 복수개로 이루어질 수 있다. 또는, 구획부재(160)의 구획벽(162)은 공정 챔버(110)에 고정 설치되고, 격벽(166)은 공통 배기관(152)에 고정 설치되어 기판 처리 장치(100)의 조립시 구획벽과 격벽이 서로 체결되는 구성일 수도 있다.In the present embodiment, the partition member 160 includes an integral partition wall 162 and a partition wall 164 to partition the process chamber 110 and the common exhaust pipe 152, but the structure of the partition member and The shape and installation manner can be variously changed and modified. For example, the partition member 160 may have a structure in which the partition wall 162 and the partition wall 164 may be separated from each other, and the partition wall 162 and the partition wall 164 may be formed in plural. Alternatively, the partition wall 162 of the partition member 160 is fixedly installed in the process chamber 110, and the partition wall 166 is fixedly installed in the common exhaust pipe 152 so that the partition wall and the partition wall assemble when the substrate processing apparatus 100 is assembled. The partition may be configured to be fastened to each other.

플라즈마 생성부재(140)는 공정시 플라즈마를 발생시켜 공정 챔버(110)로 공급한다. 플라즈마 생성부재(140)로는 원격 플라즈마 발생장치(remote plasma generating apparatus)가 사용된다. 플라즈마 생성부재(140)는 제1 생성부재(142) 및 제2 생성부재(144)를 포함한다. 제1 생성부재(142)는 공정시 제1 공급부재(132)로 플라즈마를 공급하고, 제2 생성부재(144)는 공정시 제2 공급부재(134)로 플라즈마를 공급한다. 제1 및 제2 생성부재(142, 144) 각각은 마그네트론(magnetron)(142a, 144a), 도파관(wave guide line)(142b, 144b), 그리고 가스 공급관(gas supply line)(142c, 144c)을 포함한다. 마그네트론(142a, 144a)은 공정시 플라즈마 생성을 위한 마이크로파(micro wave)를 발생시킨다. 도파관(142b)은 마그네트론(142a)에서 생성된 마이크로파를 가스 공급관(142c)으로 유도하고, 도파관(144b)은 마그네트론(144a)에서 생성된 마이크로파를 각각의 가스 공급관(144c)으로 유도한다. 가스 공급관(142c, 144c)은 공정시 반응 가스를 공급한다. 이때, 마그네트론(142a, 144b)에서 생성된 마이크로파에 의해 가스 공급관(142c, 144c)을 통해 공급받은 반응가스로부터 플라즈마가 발생된다. 플라즈마 생성부재(140)에서 생성된 플라즈마는 애싱 공정시 가스공급부재(130)로 공급된다. The plasma generating member 140 generates a plasma during the process and supplies the plasma to the process chamber 110. A remote plasma generating apparatus is used as the plasma generating member 140. The plasma generating member 140 includes a first generating member 142 and a second generating member 144. The first generating member 142 supplies the plasma to the first supply member 132 during the process, and the second generating member 144 supplies the plasma to the second supply member 134 during the process. Each of the first and second generating members 142 and 144 may include a magnetron 142a and 144a, a wave guide line 142b and 144b, and a gas supply line 142c and 144c. Include. The magnetrons 142a and 144a generate microwaves for plasma generation during the process. The waveguide 142b guides the microwaves generated in the magnetron 142a to the gas supply pipe 142c, and the waveguide 144b guides the microwaves generated in the magnetron 144a to each gas supply pipe 144c. The gas supply pipes 142c and 144c supply reaction gases during the process. At this time, plasma is generated from the reaction gas supplied through the gas supply pipes 142c and 144c by the microwaves generated by the magnetrons 142a and 144b. The plasma generated by the plasma generating member 140 is supplied to the gas supply member 130 during the ashing process.

가스공급부재(130)의 제1공급부재(132)와 제2공급부재(134)는 공정시 공정 챔버(110)의 제1 공간(a)과 제2 공간(b)으로 플라즈마(plasma)와 공정가스를 분사한다. 제1 공급부재(132)는 공정 챔버(110)의 제1 공간(a) 상부에 설치되며, 제1 생성부재(142)와 연결되는 깔때기 형상의 유로를 제공하는 덮개(136a)와, 덮 개(136a) 하부에 기판(w)에 대향되게 설치되는 제1가스 분배 플레이트(Gas Distribution Plate, GDP;170a)를 갖는다. 제2 공급부재(134)는 공정 챔버(110)의 제2 공간(b) 상부에 설치되며, 제2 생성부재(144)와 연결되는 깔때기 형상의 유로를 제공하는 덮개(136b)와, 덮개(136b) 하부에 기판(w)에 대향되게 설치되는 제2 가스 분배 플레이트(Gas Distribution Plate;170b)를 갖는다. The first supply member 132 and the second supply member 134 of the gas supply member 130 are connected to the first space a and the second space b of the process chamber 110 during the process. Inject process gas. The first supply member 132 is installed in the upper portion of the first space (a) of the process chamber 110, the cover 136a for providing a funnel-shaped flow path connected to the first generating member 142, the cover 136a has a first gas distribution plate (GDP) 170a installed to face the substrate w. The second supply member 134 is installed in an upper portion of the second space b of the process chamber 110, and includes a cover 136b that provides a funnel-shaped flow path connected to the second generating member 144, and a cover ( 136b) has a second gas distribution plate 170b installed to face the substrate w.

제1 공급부재(132)는 공정시 제1 공간(a)의 기판 지지부재(120)에 안착된 기판(W)을 향해 플라즈마와 공정가스를 분사하고, 제2 공급부재(134)는 공정시 제2 공간(b)의 기판 지지부재(124)에 안착된 기판(W)을 향해 플라즈마와 공정가스를 분사한다. The first supply member 132 injects plasma and process gas toward the substrate W seated on the substrate support member 120 in the first space a during the process, and the second supply member 134 is processed during the process. The plasma and the process gas are sprayed toward the substrate W seated on the substrate support member 124 in the second space b.

특히, 제1 및 제2 가스 분배 플레이트(170a,170b)는 제1 및 제2 공간(a, b)으로 제공되는 공정가스 및 플라즈마의 밀도가 균일하게 형성되도록 비대칭으로 형성되는 다수의 가스분사유로(172a,172b)들을 갖는다. 구체적으로, 제1 및 제2 가스 분배 플레이트(170a,170b)는 동일한 크기의 가스분사유로(172a)들이 형성된 제1 가장자리 부분(k1)과, 기판 출입구(112)와 인접하고 제1 가장자리 부분(k1)에 형성된 가스분사유로(172a)들보다는 상대적으로 큰 가스분사유로(172b)들이 형성된 제2 가장자리 부분(k2)으로 구분될 수 있는 비대칭의 가스분사유로(172a,172b)들을 갖는다. In particular, the first and second gas distribution plates 170a and 170b may be formed in an asymmetrical manner so that the density of the process gas and the plasma provided to the first and second spaces a and b is uniformly formed. (172a, 172b). Specifically, the first and second gas distribution plates 170a and 170b may include a first edge portion k1 having gas injection passages 172a of the same size, and a first edge portion adjacent to the substrate entrance 112. Gas injection flow paths 172b that are relatively larger than the gas injection flow paths 172a formed in k1) have asymmetric gas injection flow paths 172a and 172b that can be divided into the formed second edge portion k2.

도 5에서 보여주는 바와 같이, 공정 챔버(110)는 기판이 들어오고 나가는 기판 출입구(112)에 의해 일측면(111a)이 오목한 형태를 띄게 된다. 즉, 기판 출입구(112)에 의하여 공정 챔버(110)의 일측면 두께 만큼의 공간적인 불균일이 발생하 고, 이에 따라, 기판출입구(112) 부분에서는 공정 챔버(110) 내 다른 영역에서와는 다른 가스 및 플라즈마의 흐름이 발생되어 기판처리공정의 유니폼(Uniform)한 처리가 어려워지는 문제점이 발생한다. 따라서, 기판출입구(112)에 의한 가스 및 플라즈마의 흐름 변화로 인한 밀도 불균형을 방지하기 위해 가스 및 플라즈마의 분배 구조를 개선할 필요성이 있다. 즉, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 및 제2 가스분배 플레이트(170a,170b)는 제2 가장자리 부분(k2)에 형성된 가스분사유로(172b)들을 통해 기판 출입구(112)와 인접한 공간으로는 제1 가장자리 부분(k1)으로 제공되는 양보다 상대적으로 많은 플라즈마와 공정가스를 제공하게 된다. 이러한 비대칭형의 가스분사유로(172a,172b)들을 갖는 제1 및 제2 가스분배 플레이트(170a,170b)는 공정 챔버(110)의 비대칭적인 공간 구조에서 밀도가 낮은 기판 출입구(112) 부근으로 좀 더 많은 플라즈마를 분배하게 함으로써, 기판(w) 가장자리에 형성되는 플라즈마 밀도를 균일화하여 애싱 균일도를 향상시킨다. 제2 가장자리 부분(k2)에 형성된 가스분사유로(172b)의 크기는 제1 가장자리 부분(k1)에 형성된 가스분사유로(172a)에 비해 작게는 1%에서 가장 크게는 1000% 까지 개구 면적의 차이를 갖는 것이 바람직하다. 참고로, 중앙 부분(k3)에 형성된 가스분사유로(172c)들은 대칭형으로 형성되며, 그 크기는 제2가장자리 부분(k2)에 형성된 가스분사유로(172b)보다 상대적으로 작은 것이 바람직하다. 한편, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2가장자리 부분(k2)에 형성된 가스분사유로(172b)들은 슬롯 형상으로도 이루어질 수 있다. As shown in FIG. 5, in the process chamber 110, one side 111a of the process chamber 110 is concave by the substrate entrance and exit 112. That is, spatial nonuniformity of one side thickness of the process chamber 110 is generated by the substrate inlet and outlet 112. Accordingly, in the substrate outlet 112, the gas and plasma are different from those in other regions of the process chamber 110. A problem occurs that a uniform flow of the substrate processing process becomes difficult due to the flow of. Therefore, there is a need to improve the distribution structure of gas and plasma in order to prevent density imbalance due to the change in the flow of gas and plasma by the substrate entrance 112. That is, as shown in FIGS. 5 and 6, the first and second gas distribution plates 170a and 170b of the present invention may be connected to the substrate entrance (172b) through the gas injection passages 172b formed at the second edge portion k2. The space adjacent to 112 may provide more plasma and process gas than the amount provided to the first edge portion k1. The first and second gas distribution plates 170a and 170b having these asymmetric gas injection passages 172a and 172b are located near the low density substrate entrance 112 in the asymmetric spatial structure of the process chamber 110. By distributing more plasma, the plasma density formed at the edge of the substrate w is made uniform to improve ashing uniformity. The size of the gas injection passage 172b formed in the second edge portion k2 is smaller than the gas injection passage 172a formed in the first edge portion k1 from 1% to the largest 1000%. It is preferable to have. For reference, the gas injection passages 172c formed in the central portion k3 are formed symmetrically, and the size thereof is preferably smaller than the gas injection passages 172b formed in the second edge portion k2. Meanwhile, as shown in FIG. 9, the gas injection passages 172b formed in the second edge portion k2 may also have a slot shape.

도 8은 변형된 가스 분배 플레이트를 보여주는 도면이고, 도 7은 본 발명에 도 8에 도시된 가스 분배 플레이트가 적용된 예를 보여주는 평단면도이다. 8 is a view showing a modified gas distribution plate, Figure 7 is a plan sectional view showing an example in which the gas distribution plate shown in Figure 8 is applied to the present invention.

도 3을 참조하면, 공정 챔버(110)의 제1 및 제2 공간(a,b)에서의 배기 흐름을 보면, 공통 배기관(152)과 다이렉트로 연결된 배기구(116) 측(구획벽과 인접한 영역)이 제1,2공간 내 다른 영역에 비해 가스 및 플라즈마의 흐름이 빠르게 이루어지기 때문에 가스 및 플라즈마 밀도차가 발생된다. 따라서, 공통 배기관(152)의 영향에 의한 가스 및 플라즈마의 흐름 변화로 인한 밀도 불균형을 방지하기 위해 가스 및 플라즈마의 분배 구조를 개선할 필요성이 있다. 도 7 및 도 8에서와 같이, 제3 가스분배 플레이트(170c)는 제2가장자리 부분(k2)에 형성된 가스분사유로(172b)들을 통해 기판 출입구(112)와 인접한 공간으로 제1가장자리 부분(k1)으로 제공되는 양보다 상대적으로 많은 플라즈마와 공정가스를 제공하고, 특히 공통 배기관(152)과 인접한 제3가장자리 부분(k4)에 형성된 가스분사유로(172d)등을 통해 공통 배기관(152)과 인접한 공간으로 제1가장자리 부분(k1)으로 제공되는 양보다 상대적으로 많은 플라즈마와 가스를 제공하게 된다. 이러한 비대칭형의 가스분사유로(172a,172b,172d)들을 갖는 제3가스분배 플레이트(170c)는 공정 챔버(110)의 비대칭적인 공간 구조에서 밀도가 낮은 기판 출입구(112) 부근과 공통 배기관(152) 부근으로 좀 더 많은 플라즈마와 가스를 분배하게 함으로써, 기판(w) 가장자리에 형성되는 플라즈마 밀도를 균일화하여 애싱 균일도를 향상시킨다.Referring to FIG. 3, when the exhaust flows in the first and second spaces a and b of the process chamber 110 are viewed, the exhaust port 116 directly connected to the common exhaust pipe 152 (the area adjacent to the partition wall) is shown. ), The gas and plasma density difference is generated because the flow of the gas and plasma is faster than the other regions in the first and second spaces. Therefore, there is a need to improve the distribution structure of the gas and the plasma in order to prevent the density imbalance caused by the flow change of the gas and the plasma due to the influence of the common exhaust pipe 152. As shown in FIGS. 7 and 8, the third gas distribution plate 170c may be spaced adjacent to the substrate entrance 112 through the gas injection passages 172b formed in the second edge portion k2. And a relatively larger amount of plasma and process gas than the amount provided in (), and in particular, adjacent to the common exhaust pipe 152 through the gas injection passage 172d formed in the third edge portion k4 adjacent to the common exhaust pipe 152. The space provides relatively more plasma and gas than the amount provided to the first edge portion k1. The third gas distribution plate 170c having the asymmetric gas injection passages 172a, 172b, and 172d may be disposed near the low density substrate entrance 112 and the common exhaust pipe 152 in the asymmetric spatial structure of the process chamber 110. By distributing more plasma and gas in the vicinity of), the plasma density formed at the edge of the substrate w is made uniform, thereby improving the ashing uniformity.

도 2에 도시된 기판 처리 장치에서의 에싱 공정을 상세히 설명하기로 한다. An ashing process in the substrate processing apparatus shown in FIG. 2 will be described in detail.

도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(100)의 공정이 개시되면, 기판 들(W)은 기판 출입구(112)를 통해 기판 지지부재(120)들에 각각 로딩(loading)된다. 기판들(W)이 기판 지지부재(120)에 로딩되면, 기판(W)은 기판 지지부재(120)에 제공된 히터에 의해 기설정된 온도로 가열된다. 그리고, 전력인가기(122)는 기판 지지부재(120) 각각에 바이어스 전력을 인가한다. 또한, 감압부재(156)는 공정 챔버(110) 내부 공기를 강제흡입하여, 공정 챔버(110) 내부 압력을 기설정된 압력으로 감압한다.2 and 3, when the process of the substrate processing apparatus 100 is started, the substrates W are loaded onto the substrate support members 120 through the substrate entrance and exit 112, respectively. When the substrates W are loaded on the substrate support member 120, the substrate W is heated to a predetermined temperature by a heater provided to the substrate support member 120. The power applicator 122 applies bias power to each of the substrate support members 120. In addition, the pressure reducing member 156 forcibly sucks air in the process chamber 110 to reduce the pressure in the process chamber 110 to a predetermined pressure.

공정 챔버(110) 내부 공정 압력 및 온도 등의 공정 조건이 기설정된 조건을 만족하면, 플라즈마 생성부재(140)는 플라즈마를 생성하여 가스공급부재(130)로 공급하고, 배기부재(150)는 공정 챔버(110) 내부 압력을 일정압력을 유지시킨다. 가스공급부재(130)를 통해 분사되는 플라즈마는 기판(W) 표면의 불필요한 레지스트를 제거한다. 그리고, 배기부재(150)는 공정 챔버(110) 내부로 공급된 플라즈마 및 공정가스를 일정 유량으로 배기시켜, 공정 챔버(110) 내부 압력을 유지한다. 기판(W) 표면에 레지스트가 제거되면, 기판(W)은 기판 지지부재(120)로부터 언로딩(unloading)된 후 기판 출입구(112)를 통해 공정 챔버(110)로부터 반출된다.When the process conditions such as the process pressure and temperature inside the process chamber 110 satisfy predetermined conditions, the plasma generating member 140 generates plasma and supplies the plasma to the gas supply member 130, and the exhaust member 150 processes the process. The pressure inside the chamber 110 is maintained at a constant pressure. Plasma sprayed through the gas supply member 130 removes unnecessary resist on the surface of the substrate (W). In addition, the exhaust member 150 exhausts the plasma and the process gas supplied into the process chamber 110 at a constant flow rate to maintain the pressure inside the process chamber 110. When the resist is removed from the surface of the substrate W, the substrate W is unloaded from the substrate support member 120 and then removed from the process chamber 110 through the substrate entrance 112.

상술한 기판(W) 표면의 레지스트 제거 공정(애싱 공정)이 수행되는 과정에서 제1 및 제2 공간(a,b)으로의 플라즈마 및 가스의 분배는 비대칭적으로 이루어진다. 즉, 공정 챔버(110)의 비대칭적인 공간 구조에서 밀도가 낮아지는 기판 출입구(112) 부근으로 좀 더 많은 플라즈마와 가스를 분배하게 함으로써, 기판(w) 가장자리에 형성되는 플라즈마 밀도를 균일화하여 애싱 균일도를 향상시킨다. In the process of performing the resist removal process (ashing process) on the surface of the substrate W, the distribution of the plasma and the gas to the first and second spaces a and b is asymmetric. That is, by distributing more plasma and gas to the vicinity of the substrate entrance 112 where the density becomes lower in the asymmetric spatial structure of the process chamber 110, the density of the plasma formed at the edge of the substrate w is made uniform to ashing uniformity. To improve.

또한, 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 각각의 배기는 독립적으로 이루어진다. 즉, 제1 공간(a) 내 플라즈마 및 공정가스는 구획부재(160)에 의해 공통 배기관(152) 내 제1 배기공간(c)으로 배기되고, 제2 공간(b) 내 플라즈마 및 공정가스는 구획부재(160)에 의해 공통 배기관(152) 내 제2 배기공간(d)으로 배기된다. 이때, 제1 및 제2 공간(a, b)으로부터 배기되는 가스는 단일 배기관(152a)에 의해 역류가 방지된다. 따라서, 제1 공간(a)과 제2 공간(b)으로 공급된 가스는 서로 독립적으로 분리배기되며, 제1 공간(a)과 제2 공간(b) 내 플라즈마 및 가스의 흐름은 서로 동일한 흐름을 가진다. 한편,In addition, the exhaust of each of the first space a and the second space b is made independently. That is, the plasma and the process gas in the first space (a) are exhausted into the first exhaust space (c) in the common exhaust pipe (152) by the partition member 160, and the plasma and the process gas in the second space (b) The partition member 160 exhausts the second exhaust space d in the common exhaust pipe 152. At this time, the gas exhausted from the first and second spaces a and b is prevented from backflow by the single exhaust pipe 152a. Therefore, the gases supplied to the first space a and the second space b are separated and exhausted independently of each other, and the flows of plasma and gas in the first space a and the second space b are the same. Has Meanwhile,

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 기판 출입구(112)로 인한 비대칭적인 공간 구조를 갖는 공정 챔버(110)에서 기판을 처리할 때, 기판 출입구(112) 부근으로 좀 더 많은 플라즈마와 가스를 분배하게 함으로써, 기판(w) 상에 형성되는 플라즈마 밀도를 균일화하여 애싱 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, 공정 챔버(110) 내부에 복수의 지지부재(120)들을 구비하여 복수의 기판을 동시에 처리할 때, 각각의 기판이 처리되는 공정공간들을 동등한 크기 및 구조, 그리고 지지부재를 중심으로 좌우대칭되는 구조를 갖도록 하우징 내부를 구획함으로써, 각각의 기판들 상에 균일하고 동등한 공정 처리를 수행할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention is further processed near the substrate entrance 112 when processing the substrate in the process chamber 110 having an asymmetric space structure due to the substrate entrance 112. By distributing a large amount of plasma and gas, it is possible to equalize the plasma density formed on the substrate w to improve the ashing uniformity. In addition, when a plurality of supporting members 120 are provided in the process chamber 110 to process a plurality of substrates at the same time, the process spaces in which the respective substrates are processed are symmetrically centered around the same size and structure, and the supporting members. By partitioning the interior of the housing to have a structure such that it is possible to perform uniform and equivalent process processing on the respective substrates.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 공정 챔버 내부 공간의 공간적인 불균형으로 인한 플라즈마 및 가스의 분포차를 최소화할 수 있다. 본 발명은 공정 챔버 내부에서 플라즈마 처리 등을 수행하는 경우에 균일한 플라즈마 밀도를 제공하여 유니폼(Uniform)한 기판 처리가 가능하다. As described in detail above, the present invention can minimize the difference in distribution of plasma and gas due to spatial imbalance in the space inside the process chamber. The present invention enables uniform substrate processing by providing a uniform plasma density when performing a plasma treatment or the like in the process chamber.

Claims (15)

기판 처리 장치에 있어서:In the substrate processing apparatus: 기판 처리 공정이 수행된 프로세스 공간을 제공하는 그리고 일측면에 기판의 입출을 위한 기판 출입구와 상기 기판 출입구를 개폐하는 게이트 밸브를 갖는 공정챔버; A process chamber providing a process space in which a substrate processing process has been performed and having a substrate entrance and exit at one side thereof and a gate valve for opening and closing the substrate entrance; 상기 공정챔버 내부에 설치되며 상기 기판 출입구를 통해 들어온 기판이 놓여지는 기판 지지부재;A substrate support member installed inside the process chamber and having a substrate introduced through the substrate entrance and exit; 상기 공정챔버의 상측에 상기 프로세스 영역으로 플라즈마 및 공정가스를 분배하기 위한 가스 분배 플레이트를 포함하되;A gas distribution plate above the process chamber for distributing plasma and process gas to the process region; 상기 가스 분배 플레이트는 비대칭으로 형성되는 다수의 가스분사유로들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the gas distribution plate comprises a plurality of gas injection flow paths formed asymmetrically. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 분배 플레이트는The gas distribution plate 상기 기판 출입구와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 개공밀도가 다른 영역에 형성된 가스분사유로들의 개공밀도 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the pore density of the gas injection passages formed in the region adjacent to the substrate entrance and exit is greater than the pore density of the gas injection passages formed in the other region. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 비대칭의 가스분사유로들 중에서 상기 기판 출입구와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기가 상대적으로 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a plurality of gas injection paths formed in an area adjacent to the substrate entrance and exit of the asymmetric gas injection paths are relatively large. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기판 처리 장치는The substrate processing apparatus 상기 가스 분배 플레이트의 상측에 플라즈마 생성을 위한 플라즈마 소스부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a plasma source unit for generating plasma on an upper side of the gas distribution plate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공정챔버는 바닥에 형성되는 배기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The process chamber further comprises an exhaust vent formed on the bottom. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 가스 분배 플레이트는The gas distribution plate 상기 배기구와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기가 다른 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the size of the gas injection passages formed in the region adjacent to the exhaust port is larger than the size of the gas injection passages formed in the other region. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 출입구와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기는 다른 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기보다 1%에서 1000% 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the size of the gas injection paths formed in the area adjacent to the substrate entrance and exit is 1% to 1000% larger than the size of the gas injection paths formed in the other area. 공정챔버 내부의 기판쪽으로 플라즈마 및 공정가스를 분배하기 위한 가스분배플레이트를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서: A substrate processing apparatus comprising a gas distribution plate for distributing plasma and process gas toward a substrate inside a process chamber: 상기 가스 분배 플레이트는 플라즈마 및 공정가스의 분배가 상기 공정챔버 내부에 서로 다르게 제공되도록 다수의 가스분사유로들이 비대칭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The gas distribution plate is a substrate processing apparatus, characterized in that a plurality of gas injection flow paths are formed asymmetrically so that the distribution of plasma and process gas is provided differently in the process chamber. 기판상에 애싱 공정을 수행하는 장치에 있어서,An apparatus for performing an ashing process on a substrate, 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 프로세스 공간들을 제공하는 그리고 일측면에 기판의 입출을 위한 기판 출입구를 갖는 공정챔버;A process chamber having a substrate entrance therein for providing process spaces therein to which the substrate processing process is performed and for entering and exiting the substrate; 상기 공정챔버 내부에 설치되어 공정시 기판을 지지하는 복수의 기판지지부재들;A plurality of substrate support members installed inside the process chamber to support the substrate during the process; 상기 기판 지지부재들 각각에 전력을 인가하는 전력인가기;A power applicator for applying power to each of the substrate support members; 플라즈마를 발생시켜 상기 공정챔버 내부로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 생성부재; A plasma generating member generating plasma to supply plasma into the process chamber; 상기 공정챔버 내 가스를 배기시키는 배기부재;An exhaust member for exhausting the gas in the process chamber; 상기 기판 지지부재들이 설치되는 상기 공정챔버 내 프로세스 공간들 및 상기 배기부재의 배기공간을 구획하는 구획부재; 및 A partition member partitioning process spaces in the process chamber in which the substrate support members are installed and exhaust space of the exhaust member; And 상기 공정챔버 내 프로세스 공간들 상부에 설치되며, 상기 기판 지지부재 각 각에 놓여진 기판쪽으로 플라즈마 및 공정가스를 분배하기 위한 가스분배 플레이트를 포함하되;A gas distribution plate disposed above the process spaces in the process chamber and distributing a plasma and a process gas toward a substrate placed on each of the substrate support members; 상기 가스 분배 플레이트는 비대칭으로 형성되는 다수의 가스분사유로들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And the gas distribution plate comprises a plurality of gas injection flow paths formed asymmetrically. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 가스 분배 플레이트는The gas distribution plate 상기 기판 출입구와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기가 다른 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the size of the gas injection paths formed in the area adjacent to the substrate entrance and exit is greater than the size of the gas injection paths formed in the other area. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 가스 분배 플레이트는The gas distribution plate 상기 배기부재와 인접한 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기가 다른 영역에 형성된 가스분사유로들의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the size of the gas injection passages formed in the region adjacent to the exhaust member is larger than the size of the gas injection passages formed in the other region. 제10항 또는 제11항에 있어서,The method according to claim 10 or 11, wherein 상기 배기부재는,The exhaust member, 상기 공정챔버의 하부벽에서 상기 기판 지지부재들 각각의 중심을 기준으로 환형으로 형성되는 배기구들을 통해 상기 프로세스 공간들 내 가스를 배출시키는 공통 배기관을 포함하고,A common exhaust pipe for discharging gas in the process spaces through exhaust ports formed in an annular shape with respect to the center of each of the substrate support members at a lower wall of the process chamber; 상기 구획부재는,The partition member, 상기 공정챔버 내부에서 상기 프로세스 공간들을 구획하는 구획벽과,A partition wall partitioning the process spaces inside the process chamber; 상기 프로세스 공간들 각각으로부터 배기되는 가스들이 독립적으로 배기되도록 상기 공통 배기관 내 배기공간을 구획하는 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a partition wall partitioning an exhaust space in the common exhaust pipe so that gases exhausted from each of the process spaces are independently exhausted. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 구획벽은,The partition wall, 상기 지지부재들의 중심을 지나며 상기 구획벽과 평행하는 선을 중심으로 좌우대칭되도록 상기 공정공간들을 구획하고,Partitioning the process spaces so as to be symmetrical about a line parallel to the partition wall passing through the center of the support members; 상기 격벽은,The partition wall, 상기 격벽을 중심으로 좌우대칭되도록 상기 배기공간을 구획하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the exhaust space is divided so as to be symmetrical with respect to the partition wall. 기판 처리 방법에 있어서:In the substrate processing method: 공정 챔버의 기판 출입구를 통해 프로세스 공간에 위치하는 기판 지지부재에 기판을 로딩하는 단계;Loading a substrate into a substrate support member positioned in the process space through a substrate entrance to the process chamber; 상기 공정 챔버의 내부 압력을 기설정된 압력으로 감압하는 단계;Reducing the internal pressure of the process chamber to a predetermined pressure; 플라즈마 생성부재에서 생성된 플라즈마 및 공정가스를 가스공급부재를 통해 상기 공정 챔버의 프로세스 공간으로 공급하는 단계를 포함하되;Supplying plasma and a process gas generated in the plasma generating member to a process space of the process chamber through a gas supply member; 상기 공정 챔버의 프로세스 공간으로 공급되는 플라즈마 및 공정가스는 기판 가장자리 영역 중에서 상기 공정 챔버의 기판 출입구와 인접한 기판 가장자리 영역으로 많이 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The plasma and process gas supplied to the process space of the process chamber is supplied to the substrate edge region adjacent to the substrate entrance and exit of the process chamber from the substrate edge region. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 플라즈마 및 공정 가스의 공급은 상기 가스공급부재의 비대칭으로 형성된 다수의 가스분사유로들을 갖는 가스분배 플레이트를 통해 상기 공정챔버의 프로세스 공간으로 비대칭하게 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the supply of the plasma and the process gas is provided asymmetrically into the process space of the process chamber through a gas distribution plate having a plurality of gas injection passages formed asymmetrically of the gas supply member.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101057119B1 (en) * 2009-04-10 2011-08-16 피에스케이 주식회사 Exhaust system and substrate processing apparatus having same
KR101546447B1 (en) 2014-03-20 2015-08-25 피에스케이 주식회사 Baffle and substrate treating apparatus including the baffle
US20180185893A1 (en) * 2016-12-31 2018-07-05 Applied Materials, Inc. Systems, methods, and apparatus for transfer chamber gas purge of electronic device processing systems

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100851236B1 (en) * 2007-03-06 2008-08-20 피에스케이 주식회사 Exhausting apparatus and substrate treating apparatus including the same, and method for exhausting
KR101205242B1 (en) * 2010-04-30 2012-11-27 주식회사 테라세미콘 Plasma processing apparatus
KR20140122548A (en) * 2013-04-10 2014-10-20 피에스케이 주식회사 Apparatus and method for providing power, and apparatus for treating substrate using the same
KR101445226B1 (en) * 2013-04-23 2014-09-29 피에스케이 주식회사 Exhaust ring assembly and apparatus for treating including the assembly
KR102187121B1 (en) * 2019-04-30 2020-12-07 피에스케이 주식회사 A substrate processing apparatus
CN112216586B (en) * 2019-07-12 2023-03-10 中微半导体设备(上海)股份有限公司 Double-station processor for realizing uniform exhaust and plasma processing equipment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58185498A (en) 1982-04-21 1983-10-29 Clarion Co Ltd Device for growing thin film in vaper phase
KR20030030161A (en) * 2001-10-09 2003-04-18 주성엔지니어링(주) air exhaust system of chamber for semiconductor manufacture
KR20030043478A (en) * 2001-11-28 2003-06-02 최우범 Wafer bonding machine with plasma treatment and control method thereof
KR20040102600A (en) * 2003-05-28 2004-12-08 삼성전자주식회사 Deposition apparatus for manufacturing semiconductor devices

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0210828A (en) * 1988-06-29 1990-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Etching device and method thereof
JPH02115359A (en) * 1988-10-25 1990-04-27 Dainippon Printing Co Ltd Formation of compound thin film and device therefor
US6077157A (en) * 1996-11-18 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Process chamber exhaust system
JPH10242118A (en) * 1997-02-27 1998-09-11 Matsushita Electron Corp Apparatus for manufacturing semiconductor device
JP3531466B2 (en) * 1998-03-26 2004-05-31 松下電器産業株式会社 Semiconductor device manufacturing equipment
JP2000030894A (en) * 1998-07-07 2000-01-28 Kokusai Electric Co Ltd Plasma processing method and device
JP3002448B1 (en) * 1998-07-31 2000-01-24 国際電気株式会社 Substrate processing equipment
JP2002212786A (en) * 2001-01-17 2002-07-31 Ebara Corp Substrate processor
US8580076B2 (en) * 2003-05-22 2013-11-12 Lam Research Corporation Plasma apparatus, gas distribution assembly for a plasma apparatus and processes therewith

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58185498A (en) 1982-04-21 1983-10-29 Clarion Co Ltd Device for growing thin film in vaper phase
KR20030030161A (en) * 2001-10-09 2003-04-18 주성엔지니어링(주) air exhaust system of chamber for semiconductor manufacture
KR20030043478A (en) * 2001-11-28 2003-06-02 최우범 Wafer bonding machine with plasma treatment and control method thereof
KR20040102600A (en) * 2003-05-28 2004-12-08 삼성전자주식회사 Deposition apparatus for manufacturing semiconductor devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101057119B1 (en) * 2009-04-10 2011-08-16 피에스케이 주식회사 Exhaust system and substrate processing apparatus having same
KR101546447B1 (en) 2014-03-20 2015-08-25 피에스케이 주식회사 Baffle and substrate treating apparatus including the baffle
US20180185893A1 (en) * 2016-12-31 2018-07-05 Applied Materials, Inc. Systems, methods, and apparatus for transfer chamber gas purge of electronic device processing systems

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