KR102051978B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 인라인 방식으로 이송하며 플라즈마를 이용하여 기판을 연속적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 일측에 기판이 반입되는 기판 반입구와 타측에 반입된 기판이 반출되는 기판 반출구가 형성되어 있는 공정챔버와, 공정챔버 내에 설치되며 기판을 기판 반입구로부터 기판 반출구로 이송하는 기판 이송부와, 기판에 대해 플라즈마가 조사되도록 공정챔버 내에 설치되는 플라즈마 발생부와, 공정챔버 내부를 배기하는 제1 펌프와, 기판 반입구를 개방시키거나 차단되도록 설치된 제1 게이트 밸브와, 기판 반출구를 개방시키거나 차단되도록 설치된 제2 게이트 밸브와, 기판 반입구가 개방되도록 제1 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 기판 반입구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않도록 기판 반입구 주변에 배치되며 기판 반입구 주변의 가스 및 입자가 유입되는 제1 배기부와, 기판 반출구가 개방되도록 제2 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 기판 반출구를 통해 공정챔버의 외부로 배출되지 않도록 기판 반출구 주변에 배치되며 기판 반출구 주변의 가스 및 입자가 유입되는 제2 배기부와, 그리고, 제1 배기부 및 제2 배기부와 연결되어 제1 배기부 및 제2 배기부에 유입된 가스 및 입자를 배기하는 제2 펌프를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus that transfers a substrate in an inline manner and can continuously process the substrate using plasma. A substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber in which a substrate inlet through which a substrate is loaded on one side and a substrate outlet through which the substrate on the other side is carried out is formed, and a substrate is installed in the process chamber and the substrate is removed from the substrate inlet. A substrate transfer part for transferring to the sphere, a plasma generating part installed in the process chamber to irradiate the plasma to the substrate, a first pump for exhausting the inside of the process chamber, a first gate valve installed to open or shut off the substrate inlet, And a second gate valve installed to open or block the substrate outlet, and gas and particles in the process chamber through the substrate inlet when the substrate treatment is performed with the first gate valve open to open the substrate outlet. It is disposed around the substrate inlet so as not to be discharged to the outside of the process chamber and gas and particles around the substrate inlet are introduced. When the substrate treatment is performed with the first exhaust portion and the second gate valve open to open the substrate outlet, gas and particles inside the process chamber are not discharged to the outside of the process chamber through the substrate outlet. A second exhaust part disposed around the outlet and into which gas and particles around the substrate outlet port flow, and connected to the first exhaust part and the second exhaust part and introduced into the first exhaust part and the second exhaust part; And a second pump for evacuating the particles.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}Substrate Processing Unit {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 인라인 방식으로 이송하며 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for transferring a substrate in an in-line manner and processing the substrate using plasma.

태양전지, 액정 디스플레이 또는 발광다이오드 등의 제조를 위해서는 기판에 여러 가지 공정이 수행될 것이 요구된다. 이를테면, 기판을 열처리하기 위한 열처리 공정, 기판에 박막을 증착하는 증착 공정, 증착된 박막을 식각하는 식각 공정, 기판을 플라즈마 처리하기 위한 플라즈마 공정 등이 기판에 대해 수행된다.In order to manufacture a solar cell, a liquid crystal display, or a light emitting diode, various processes are required to be performed on a substrate. For example, a heat treatment process for heat treating the substrate, a deposition process for depositing a thin film on the substrate, an etching process for etching the deposited thin film, a plasma process for plasma processing the substrate, and the like are performed on the substrate.

이러한 기판에 대한 여러 가지 공정들은 하나의 챔버에서 이루어질 수도 있으나, 각 공정별로 사용되는 가스가 상이하고 특성이 상이하며 부산물 등의 문제도 있어 대부분 해당 공정을 담당하는 챔버에서 해당 공정이 이루어지는 것이 일반적이다. 즉, 열처리 공정은 열처리 공정챔버에서, 증착 공정은 증착 공정챔버에서, 식각 공정은 식각 공정챔버에서, 플라즈마 공정은 플라즈마 공정챔버에서 이루어지는 것이 일반적이다.Various processes for such a substrate may be performed in a single chamber, but the gas used for each process is different, characteristics are different, and there are also problems such as by-products, which are generally performed in the chamber in charge of the corresponding process. . That is, the heat treatment process is generally performed in the heat treatment process chamber, the deposition process in the deposition process chamber, the etching process in the etching process chamber, the plasma process is generally performed in the plasma process chamber.

이를 위해, 종래에는 로드락(Load Lock) 챔버와 공정챔버가 클러스터 형태를 이루고 있는 클러스터 타입의 기판 처리 시스템이 이용되었으나, 로드락 챔버와 공정챔버들 사이에서 기판을 이송하는 로봇이 공간을 차지하게 되어 전체 시스템이 차지하는 면적이 증가하게 되고, 로드락 챔버와 공정챔버들 사이에서 기판을 이송해야 함에 따라 전체 공정시간이 증가하는 문제점이 있었다.To this end, a cluster type substrate processing system in which a load lock chamber and a process chamber form a cluster is conventionally used, but a robot transferring a substrate between the load lock chamber and the process chamber occupies a space. Therefore, the area occupied by the entire system is increased, and the overall process time increases as the substrate is transferred between the load lock chamber and the process chambers.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 다양한 공정챔버를 일렬로 배치하고 각 챔버에서 기판의 처리가 이루어진 후에는 각 챔버에 설치된 구동 롤러로 기판을 이송하는 인라인 타입의 기판 처리 시스템이 소개되었다. 이 기판 처리 시스템은 클러스터 타입의 기판 처리 시스템에 비해 시스템이 차지하는 면적이 작으며, 전체 공정시간도 단축시킬 수 있다.In order to solve this problem, an inline type substrate processing system for arranging various process chambers in a row and transferring substrates to a driving roller installed in each chamber after the processing of the substrates in each chamber has been introduced. This substrate processing system has a smaller area than the cluster type substrate processing system and can shorten the overall processing time.

그러나 이러한 인라인 타입의 기판 처리 시스템도 로드락 챔버를 구비하는 것이 통상적이므로, 로드락 챔버를 통한 기판의 로딩, 언로딩 등의 과정들을 수행하는데 시간이 많이 소요되기 때문에, 기판이 연속적으로 처리되지 못하는 문제점이 있다.However, since the inline type substrate processing system also includes a load lock chamber, since it takes a long time to perform processes such as loading and unloading the substrate through the load lock chamber, the substrate cannot be processed continuously. There is a problem.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 기판을 연속적으로 처리할 수 있는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 인라인 기판 처리 장치를 제공하는 데에 있다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide an inline substrate processing apparatus for processing a substrate using a plasma capable of processing the substrate continuously.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 대한 일 실시예는 일측에 기판이 반입되는 기판 반입구와 타측에 반입된 기판이 반출되는 기판 반출구가 형성되어 있는 공정챔버; 상기 공정챔버 내에 설치되며, 기판을 상기 기판 반입구로부터 상기 기판 반출구로 이송하는 기판 이송부; 상기 기판에 대해 플라즈마가 조사되도록 상기 공정챔버 내에 설치되는 플라즈마 발생부; 상기 공정챔버 내부를 배기하는 제1 펌프; 상기 기판 반입구를 개방시키거나 차단되도록 설치된 제1 게이트 밸브; 상기 기판 반출구를 개방시키거나 차단되도록 설치된 제2 게이트 밸브; 상기 기판 반입구가 개방되도록 상기 제1 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반입구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않도록 상기 기판 반입구 주변에 배치되며, 상기 기판 반입구 주변의 가스 및 입자가 유입되는 제1 배기부; 상기 기판 반출구가 개방되도록 상기 제2 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반출구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않도록 상기 기판 반출구 주변에 배치되며, 상기 기판 반출구 주변의 가스 및 입자가 유입되는 제2 배기부; 및 상기 제1 배기부 및 상기 제2 배기부와 연결되어, 상기 제1 배기부 및 상기 제2 배기부에 유입된 가스 및 입자를 배기하는 제2 펌프;를 포함한다.In order to solve the above technical problem, an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber in which a substrate inlet through which a substrate is loaded on one side and a substrate outlet through which the substrate is carried on the other side are formed; A substrate transfer part installed in the process chamber and transferring a substrate from the substrate inlet to the substrate outlet; A plasma generator installed in the process chamber so that the plasma is irradiated to the substrate; A first pump exhausting the inside of the process chamber; A first gate valve installed to open or block the substrate inlet; A second gate valve installed to open or shut off the substrate outlet; When the substrate processing is performed while the first gate valve is opened to open the substrate inlet, the substrate half is prevented from discharging gas and particles inside the process chamber to the outside of the process chamber through the substrate inlet. A first exhaust part disposed around the inlet and into which gas and particles around the substrate inlet are introduced; When the substrate treatment is performed while the second gate valve is opened to open the substrate outlet, the substrate half is prevented from discharging gas and particles inside the process chamber to the outside of the process chamber through the substrate outlet. A second exhaust unit disposed around the outlet and into which gas and particles around the substrate outlet outlet flow; And a second pump connected to the first exhaust part and the second exhaust part to exhaust gas and particles introduced into the first exhaust part and the second exhaust part.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 대한 다른 실시예는 일측에 기판이 반입되는 기판 반입구와 타측에 반입된 기판이 반출되는 기판 반출구가 형성되어 있는 공정챔버; 상기 공정챔버 내에 설치되며, 기판을 상기 기판 반입구로부터 상기 기판 반출구로 이송하는 기판 이송부; 상기 기판에 대해 플라즈마가 조사되도록 상기 공정챔버 내에 설치되는 플라즈마 발생부; 상기 공정챔버 내부를 배기하는 제1 펌프; 상기 플라즈마 발생부 주변에 배치되며, 기판 처리시 발생되는 가스 및 입자가 유입되는 내부 배기부; 및 상기 내부 배기부와 연결되어, 상기 내부 배기부에 유입된 가스 및 입자를 배기하는 제2 펌프;를 포함한다.Another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention for solving the above technical problem is a process chamber in which a substrate inlet through which the substrate is carried in on one side and a substrate outlet in which the substrate carried in the other is carried out; A substrate transfer part installed in the process chamber and transferring a substrate from the substrate inlet to the substrate outlet; A plasma generator installed in the process chamber so that the plasma is irradiated to the substrate; A first pump exhausting the inside of the process chamber; An internal exhaust part disposed around the plasma generation part and into which gas and particles generated during substrate processing are introduced; And a second pump connected to the internal exhaust part and configured to exhaust gas and particles introduced into the internal exhaust part.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판 반입구를 개방시키거나 차단되도록 설치된 제1 게이트 밸브; 상기 기판 반출구를 개방시키거나 차단되도록 설치된 제2 게이트 밸브; 상기 기판 반입구가 개방되도록 상기 제1 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반입구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않도록 상기 기판 반입구 주변에 배치되며, 상기 기판 반입구 주변의 가스 및 입자가 유입되는 제1 배기부; 및 상기 기판 반출구가 개방되도록 상기 제2 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반출구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않도록 상기 기판 반출구 주변에 배치되며, 상기 기판 반출구 주변의 가스 및 입자가 유입되는 제2 배기부;를 더 포함하며, 상기 제2 펌프는, 상기 제1 배기부, 상기 제2 배기부 및 상기 내부 배기부와 연결되어, 상기 제1 배기부, 상기 제2 배기부 및 상기 내부 배기부에 유입된 가스 및 입자를 배기할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, comprising: a first gate valve installed to open or close the substrate inlet; A second gate valve installed to open or shut off the substrate outlet; When the substrate processing is performed while the first gate valve is opened to open the substrate inlet, the substrate half is prevented from discharging gas and particles inside the process chamber to the outside of the process chamber through the substrate inlet. A first exhaust part disposed around the inlet and into which gas and particles around the substrate inlet are introduced; And when the substrate processing is performed in the state in which the second gate valve is opened so that the substrate outlet is opened, the gas and particles inside the process chamber are not discharged to the outside of the process chamber through the substrate outlet. A second exhaust part disposed around the discharge outlet and into which gas and particles around the substrate outlet exit are introduced; wherein the second pump includes the first exhaust part, the second exhaust part, and the internal exhaust; In connection with the base, the gas and particles introduced into the first exhaust unit, the second exhaust unit, and the internal exhaust unit may be exhausted.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판 반입구를 개방시키거나 차단되도록 설치된 제1 게이트 밸브; 상기 기판 반출구를 개방시키거나 차단되도록 설치된 제2 게이트 밸브; 상기 기판 반입구가 개방되도록 상기 제1 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반입구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않게 하기 위해, 상기 기판 반입구 주변에 가스 커튼이 형성되도록 가스를 공급하는 제1 가스 공급부; 및 상기 기판 반출구가 개방되도록 상기 제2 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반출구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않게 하기 위해, 상기 기판 반출구 주변에 가스 커튼이 형성되도록 가스를 공급하는 제2 가스 공급부;를 더 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, comprising: a first gate valve installed to open or close the substrate inlet; A second gate valve installed to open or shut off the substrate outlet; In order to prevent gas and particles inside the process chamber from being discharged to the outside of the process chamber through the substrate inlet when the substrate processing is performed while the first gate valve is opened to open the substrate inlet. A first gas supply unit supplying a gas to form a gas curtain around the substrate inlet; And to prevent gas and particles inside the process chamber from being discharged to the outside of the process chamber through the substrate outlet when the substrate processing is performed while the second gate valve is opened to open the substrate outlet. The gas supply unit may further include a second gas supply unit configured to supply a gas to form a gas curtain around the substrate outlet.

본 발명에 따르면, 공정챔버 내의 가스나 입자가 게이트 밸브를 통해 외부로 배출되는 것이 방지되므로, 게이트 밸브가 열린 상태로 공정 수행이 가능하게 되어 기판을 연속적으로 처리할 수 있게 된다. 이에 따라 공정시간이 크게 단축되어 생산성이 향상된다.According to the present invention, since the gas or particles in the process chamber are prevented from being discharged to the outside through the gate valve, the process can be performed while the gate valve is open, and thus the substrate can be continuously processed. As a result, the process time is greatly shortened and productivity is improved.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치에 이용되는 배기부를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치에 이용되는 배기부를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에 이용되는 이온빔 발생장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a diagram schematically showing an exhaust unit used in the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
3 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
4 is a view schematically showing an exhaust unit used in the substrate processing apparatus according to the second embodiment.
FIG. 5 is a view schematically showing an ion beam generator used in a substrate processing apparatus according to the second embodiment.
6 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
7 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples can be modified in various other forms, and the scope of the present invention is It is not limited to an Example. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the inventive concept to those skilled in the art.

도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Thus, embodiments of the present invention should not be construed as limited to the specific shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing. Like numbers refer to like elements all the time. Furthermore, various elements and regions in the drawings are schematically drawn. Accordingly, the invention is not limited by the relative size or spacing drawn in the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 공정챔버(110), 기판 이송부(미도시), 플라즈마 발생부(130), 제1 펌프(140), 제1 게이트 밸브(150), 제2 게이트 밸브(160), 제1 배기부(170), 제2 배기부(180) 및 제2 펌프(190)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention may include a process chamber 110, a substrate transfer unit (not shown), a plasma generation unit 130, a first pump 140, and a first processing unit. The first gate valve 150, the second gate valve 160, the first exhaust unit 170, the second exhaust unit 180, and the second pump 190 are provided.

공정챔버(110)는 기판(W)에 대한 소정의 처리가 이루어지는 공간을 제공한다. 공정챔버(110)의 형상은 특별한 형태로 제한되지 않으며, 공정챔버(110)의 재질은 스테인리스 스틸, 알루미늄, 또는 석영 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 공정챔버(110)는 일측에 기판(W)이 반입되는 기판 반입구(112)와 타측에 반입된 기판(W)이 반출되는 기판 반출구(114)가 형성되어 있다. The process chamber 110 provides a space in which a predetermined process of the substrate W is performed. The shape of the process chamber 110 is not limited to a particular shape, and the material of the process chamber 110 may be stainless steel, aluminum, quartz, or the like, but is not limited thereto. The process chamber 110 has a substrate inlet 112 through which the substrate W is carried on one side and a substrate outlet 114 through which the substrate W carried on the other side is carried out.

공정챔버(110) 내에는 기판(W)을 기판 반입구(112)로부터 기판 반출구(114)로 이송하는 기판 이송부(미도시)가 설치되어 있다. 기판 이송부는 기판(W)을 수평하게 이송할 수 있도록 설치되며, 이를 위해 컨베이어 벨트, 롤러, 선형 엑츄에이터 또는 로봇암 등이 이용될 수 있다.In the process chamber 110, a substrate transfer unit (not shown) for transferring the substrate W from the substrate inlet 112 to the substrate outlet 114 is provided. The substrate transfer unit is installed to transfer the substrate W horizontally, and a conveyor belt, a roller, a linear actuator, or a robot arm may be used for this purpose.

플라즈마 발생부(130)는 공정챔버(110) 내에 설치되며, 플라즈마 발생부(130)에 의해 기판(W)에 플라즈마가 조사된다. 플라즈마 발생부(130)는 기판(W) 처리를 위해 플라즈마를 발생하여 기판(W)에 조사하는 것으로, 이때 발생되는 플라즈마는 선형 플라즈마일 수 있으며, 이를 위해 이온빔 발생장치가 이용될 수 있다. 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 인라인 기판 처리 장치로, 이를 위해 기판이 이송되는 방향과 교차되는 방향으로 플라즈마가 조사될 수 있다. 플라즈마 발생부(130)는 하나 또는 복수 개 설치될 수 있으며, 플라즈마 발생부(130)의 개수는 택트 타임(tact time)에 따라 적절히 선택될 수 있다.The plasma generator 130 is installed in the process chamber 110, and the plasma is irradiated onto the substrate W by the plasma generator 130. The plasma generator 130 generates a plasma for processing the substrate W and irradiates the substrate W. The plasma generated at this time may be a linear plasma, and an ion beam generator may be used for this purpose. The substrate processing apparatus 100 according to the present exemplary embodiment is an inline substrate processing apparatus, and for this purpose, plasma may be irradiated in a direction crossing the direction in which the substrate is transferred. One or more plasma generators 130 may be installed, and the number of plasma generators 130 may be appropriately selected according to a tact time.

공정챔버(110)에는 기판(W)의 처리를 위해 필요한 가스를 공급하는 가스 공급 수단(미도시)이 형성되어 있을 수 있다. In the process chamber 110, gas supply means (not shown) for supplying a gas necessary for processing the substrate W may be formed.

제1 펌프(140)는 공정챔버(110) 내부를 배기하는 펌프로, 제1 펌프(140)를 통해 공정챔버(110) 내부의 진공이 유지된다.The first pump 140 is a pump that exhausts the inside of the process chamber 110, and the vacuum inside the process chamber 110 is maintained through the first pump 140.

제1 게이트 밸브(150)와 제2 게이트 밸브(160)는 각각 기판 반입구(112)와 기판 반출구(114)를 개방시키거나 차단되도록 설치된다. 통상의 기판 처리 장치에서의 게이트 밸브(150, 160)는 기판(W)이 반입되거나 반출될 때 개방되고, 공정 중에는 차단된 상태가 유지된다. 그러나 기판(W)의 반입, 반출시에 개방되고 공정 중에는 차단을 하면 연속적인 기판(W) 처리가 이루어지지 않아 공정 시간이 크게 증가하게 된다. 이를 해결하기 위해 본 발명에서는 기판(W)의 반입이나 반출 뿐만 아니라, 기판(W) 처리 과정 중에도 게이트 밸브(150, 160)를 개방시켜 연속적인 기판(W) 처리가 가능하도록 한다. The first gate valve 150 and the second gate valve 160 are installed to open or block the substrate inlet 112 and the substrate outlet 114, respectively. In the conventional substrate processing apparatus, the gate valves 150 and 160 are opened when the substrate W is loaded or unloaded, and are blocked during the process. However, if the substrate W is opened at the time of carrying in or out of the substrate W and blocked during the process, the processing time of the substrate W is not increased. In order to solve this problem, in the present invention, not only the loading and unloading of the substrate W but also the gate valves 150 and 160 are opened during the processing of the substrate W so that the continuous processing of the substrate W is possible.

다만, 게이트 밸브(150, 160)를 개방시키고 기판(W)을 처리하게 되면, 공정챔버(110) 내의 가스 및 입자가 기판 반입구(112)나 기판 반출구(114)를 통해 외부로 배출되는 문제점이 발생할 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 실시예에서는 기판 반입구(112)와 기판 반출구(114) 주변에 각각 제1 배기부(170)와 제2 배기부(180)를 설치한다. 제1 배기부(170)는 기판 반입구(112)가 개방되도록 제1 게이트 밸브(150)가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 공정챔버(110) 내부의 가스 및 입자가 기판 반입구(112)를 통해 공정챔버(110)의 외부로 배출되지 않도록 기판 반입구(112) 주변의 가스 및 입자가 유입된다. 제2 배기부(180)는 기판 반출구(114)가 개방되도록 제2 게이트 밸브(160)가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 공정챔버(110) 내부의 가스 및 입자가 기판 반출구(114)를 통해 공정챔버(110)의 외부로 배출되지 않도록 기판 반출구(112) 주변의 가스 및 입자가 유입된다. However, when the gate valves 150 and 160 are opened and the substrate W is processed, gas and particles in the process chamber 110 are discharged to the outside through the substrate inlet 112 or the substrate outlet 114. Problems may arise. In order to solve this problem, in the present embodiment, the first exhaust unit 170 and the second exhaust unit 180 are disposed around the substrate inlet 112 and the substrate outlet 114, respectively. When the substrate processing is performed while the first gate valve 150 is opened to open the substrate inlet 112, the first exhaust unit 170 may include gas and particles in the process chamber 110. Gas and particles around the substrate inlet 112 are introduced so as not to be discharged to the outside of the process chamber 110 through the 112. When the substrate treatment is performed while the second gate valve 160 is opened to open the substrate outlet 114, the second exhaust part 180 may allow the gas and particles in the process chamber 110 to enter the substrate outlet ( Gas and particles around the substrate outlet 112 are introduced so as not to be discharged to the outside of the process chamber 110 through the 114.

그리고 제1 배기부(170)와 제2 배기부(180)로 유입된 가스 및 입자는 제1 배기부(170)와 제2 배기부(180)와 연결된 제2 펌프(190)를 통해 외부로 배기된다.The gas and particles introduced into the first exhaust unit 170 and the second exhaust unit 180 are transferred to the outside through the second pump 190 connected to the first exhaust unit 170 and the second exhaust unit 180. Exhausted.

배기부(170, 180)는 기판 반입구(112)와 기판 반출구(114) 주변의 가스 및 입자를 유입하기만 하면 어떠한 형태로 이루어져도 관계없다. 이러한 제1 배기부(170)의 일 예를 도 2에 나타내었다. 도 2a는 제1 배기부(170)를 기판 반입구(112)에서 바라본 단면도이고, 도 2b 및 도 2c는 기판 반입구(112)와 수직한 면에서 바라본 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2에는 제1 배기부(170)의 일 예만을 나타내었으나, 제2 배기부(180)도 대응되는 형태로 이루어질 수 있다. The exhaust parts 170 and 180 may be formed in any form as long as the gas and particles around the substrate inlet 112 and the substrate outlet 114 are introduced. An example of such a first exhaust unit 170 is illustrated in FIG. 2. 2A is a cross-sectional view of the first exhaust unit 170 viewed from the substrate inlet 112, and FIGS. 2B and 2C are cross-sectional views of the first exhaust unit 170 viewed from a plane perpendicular to the substrate inlet 112. Although only one example of the first exhaust unit 170 is illustrated in FIG. 2, the second exhaust unit 180 may also be formed in a corresponding form.

도 2를 참조하면, 제1 배기부(170)는 복수의 제1 배기홀(172)과 제1 배기유로(174)로 구성될 수 있다. 제1 배기홀(172)은 기판 반입구(112)와 연통되며 기판 반입구(112) 주위를 감싸도록 배치되어, 기판 반입구(112) 주변의 가스 및 공기가 외부로 유출되지 않고 제1 배기홀(172)로 유입되도록 한다. 이때 복수의 제1 배기홀(172) 각각은 단열(도 2b 참조) 또는 복수열(도 2c 참조)로 구성될 수 있다. 제1 배기유로(174)는 복수의 제1 배기홀(172)과 모두 연결되어 제1 배기홀(172)로 유입된 가스 및 입자가 제2 펌프(190)를 통해 배기되도록 한다. 제1 배기유로(174)에는 제1 배기유로(174)의 압력을 측정할 수 있는 제1 압력 측정 수단(176)이 배치될 수 있다. 제1 압력 측정 수단(176)으로부터 측정된 압력을 통해 제2 펌프(190)의 펌핑 스피드를 제어함으로써 기판 반입구(112) 주변의 가스 및 입자가 보다 원활하게 제1 배기부(170)를 통해 배기될 수 있도록 할 수 있다.Referring to FIG. 2, the first exhaust unit 170 may include a plurality of first exhaust holes 172 and a first exhaust passage 174. The first exhaust hole 172 communicates with the substrate inlet 112 and is disposed to surround the substrate inlet 112 so that the gas and air around the substrate inlet 112 do not flow out to the outside. Inflow to the hole 172. In this case, each of the plurality of first exhaust holes 172 may be configured by heat insulation (see FIG. 2B) or a plurality of rows (see FIG. 2C). The first exhaust passage 174 is connected to all of the plurality of first exhaust holes 172 to allow the gas and particles introduced into the first exhaust hole 172 to be exhausted through the second pump 190. The first exhaust passage 174 may be provided with a first pressure measuring means 176 capable of measuring the pressure of the first exhaust passage 174. By controlling the pumping speed of the second pump 190 through the pressure measured from the first pressure measuring means 176, the gas and particles around the substrate inlet 112 more smoothly through the first exhaust unit 170. Can be exhausted.

이와 같이 기판 반입구(112) 주변의 가스 및 입자는 제1 배기부(170)와 제2 펌프(190)를 통해 외부로 배기되고, 기판 반출구(114) 주변의 가스 및 입자는 제2 배기부(180)와 제2 펌프(190)를 통해 외부로 배기되므로, 공정챔버(110) 내의 가스 및 입자가 기판 반입구(112)나 기판 반출구(114)를 통해 외부로 배출되지 않게 되어, 게이트 밸브(150, 160)를 개방시킨 상태에서 연속적으로 기판(W) 처리를 수행하여도 공정챔버(110) 내의 가스 및 입자가 외부로 배출되는 문제점이 발생하지 않는다. 따라서 본 발명에 따르면 연속적으로 기판(W) 처리가 가능하므로 공정시간이 크게 감소하여 생산성이 향상된다.As such, the gas and particles around the substrate inlet 112 are exhausted to the outside through the first exhaust unit 170 and the second pump 190, and the gas and the particles around the substrate outlet 114 are secondly discharged. Since it is exhausted to the outside through the base 180 and the second pump 190, the gas and particles in the process chamber 110 is not discharged to the outside through the substrate inlet 112 or the substrate outlet 114, Even if the substrate W is continuously processed while the gate valves 150 and 160 are opened, the gas and particles in the process chamber 110 are not discharged to the outside. Therefore, according to the present invention, since the substrate W can be processed continuously, the process time is greatly reduced and productivity is improved.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.3 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 공정챔버(210), 기판 이송부(미도시), 플라즈마 발생부(230), 제1 펌프(240), 제1 게이트 밸브(250), 제2 게이트 밸브(260), 내부 배기부(220) 및 제2 펌프(290)를 구비한다.Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention may include a process chamber 210, a substrate transfer unit (not shown), a plasma generator 230, a first pump 240, The first gate valve 250, the second gate valve 260, the internal exhaust unit 220, and the second pump 290 are provided.

공정챔버(210)는 기판(W)에 대한 소정의 처리가 이루어지는 공간을 제공한다. 공정챔버(210)의 형상은 특별한 형태로 제한되지 않으며, 공정챔버(210)의 재질은 스테인리스 스틸, 알루미늄, 또는 석영 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 공정챔버(210)는 일측에 기판(W)이 반입되는 기판 반입구(212)와 타측에 반입된 기판(W)이 반출되는 기판 반출구(214)가 형성되어 있다. The process chamber 210 provides a space in which a predetermined process of the substrate W is performed. The shape of the process chamber 210 is not limited to a particular shape, and the material of the process chamber 210 may be stainless steel, aluminum, quartz, or the like, but is not limited thereto. The process chamber 210 has a substrate inlet 212 through which the substrate W is carried on one side and a substrate outlet 214 through which the substrate W carried on the other side is carried out.

공정챔버(210) 내에는 기판(W)을 기판 반입구(212)로부터 기판 반출구(214)로 이송하는 기판 이송부(미도시)가 설치되어 있다. 기판 이송부는 기판(W)을 수평하게 이송할 수 있도록 설치되며, 이를 위해 컨베이어 벨트, 롤러, 선형 엑츄에이터 또는 로봇암 등이 이용될 수 있다.In the process chamber 210, a substrate transfer unit (not shown) for transferring the substrate W from the substrate inlet 212 to the substrate outlet 214 is provided. The substrate transfer unit is installed to transfer the substrate W horizontally, and a conveyor belt, a roller, a linear actuator, or a robot arm may be used for this purpose.

플라즈마 발생부(230)는 공정챔버(210) 내에 설치되며, 플라즈마 발생부(230)에 의해 기판(W)에 플라즈마가 조사된다. 플라즈마 발생부(230)는 기판(W) 처리를 위해 플라즈마를 발생하여 기판(W)에 조사하는 것으로, 이때 발생되는 플라즈마는 선형 플라즈마일 수 있으며, 이를 위해 이온빔 발생장치가 이용될 수 있다. 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 인라인 기판 처리 장치로, 이를 위해 기판이 이송되는 방향과 교차되는 방향으로 플라즈마가 조사될 수 있다. 플라즈마 발생부(230)는 하나 또는 복수 개 설치될 수 있으며, 플라즈마 발생부(230)의 개수는 택트 타임(tact time)에 따라 적절히 선택될 수 있다.The plasma generator 230 is installed in the process chamber 210, and the plasma is irradiated onto the substrate W by the plasma generator 230. The plasma generator 230 generates a plasma for processing the substrate W and irradiates the substrate W. The plasma generated at this time may be a linear plasma, and an ion beam generator may be used for this purpose. The substrate processing apparatus 200 according to the present exemplary embodiment is an inline substrate processing apparatus, and for this purpose, plasma may be irradiated in a direction crossing the direction in which the substrate is transferred. One or more plasma generators 230 may be installed, and the number of plasma generators 230 may be appropriately selected according to a tact time.

공정챔버(210)에는 기판(W)의 처리를 위해 필요한 가스를 공급하는 가스 공급 수단(미도시)이 형성되어 있을 수 있다. In the process chamber 210, gas supply means (not shown) for supplying a gas necessary for processing the substrate W may be formed.

제1 펌프(240)는 공정챔버(210) 내부를 배기하는 펌프로, 제1 펌프(240)를 통해 공정챔버(210) 내부의 진공이 유지된다.The first pump 240 is a pump for exhausting the inside of the process chamber 210, and the vacuum inside the process chamber 210 is maintained through the first pump 240.

제1 게이트 밸브(250)와 제2 게이트 밸브(260)는 각각 기판 반입구(212)와 기판 반출구(214)를 개방시키거나 차단되도록 설치된다. 통상의 기판 처리 장치에서의 게이트 밸브(250, 260)는 기판(W)이 반입되거나 반출될 때 개방되고, 공정 중에는 차단된 상태가 유지된다. 그러나 기판(W)의 반입, 반출시에 개방되고 공정 중에는 차단을 하면 연속적인 기판(W) 처리가 이루어지지 않아 공정 시간이 크게 증가하게 된다. 이를 해결하기 위해 본 발명에서는 기판(W)의 반입이나 반출 뿐만 아니라, 기판(W) 처리 과정 중에도 게이트 밸브(250, 260)를 개방시켜 연속적인 기판(W) 처리가 가능하도록 한다. The first gate valve 250 and the second gate valve 260 are installed to open or block the substrate inlet 212 and the substrate outlet 214, respectively. In the conventional substrate processing apparatus, the gate valves 250 and 260 are opened when the substrate W is loaded or unloaded, and remain blocked during the process. However, if the substrate W is opened at the time of carrying in or out of the substrate W and blocked during the process, the processing time of the substrate W is not increased. In order to solve this problem, in the present invention, the gate valves 250 and 260 are opened during the process of processing the substrate W, as well as the loading and unloading of the substrate W so that the continuous processing of the substrate W is possible.

다만, 게이트 밸브(250, 260)를 개방시키고 기판(W)을 처리하게 되면, 공정챔버(110) 내의 가스 및 입자가 기판 반입구(212)나 기판 반출구(214)를 통해 외부로 배출되는 문제점이 발생할 수 있다. 특히 기판(W) 처리시에 발생되는 가스 및 입자가 외부로 배출되는 문제점이 발생할 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 실시예에서는 플라즈마 발생부(230) 주변에 내부 배기부(220)를 설치한다. 플라즈마에 의해 기판(W)이 처리될 때 발생되는 가스 및 입자는 플라즈마 발생부(220) 주변에 많이 분포되므로, 내부 배기부(220)를 플라즈마 발생부 주변에 배치함으로써 기판(W) 처리시에 발생하는 가스 및 입자를 빠르게 외부로 배기할 수 있게 된다. 이에 따라 기판(W) 처리시에 발생되는 가스 및 입자가 외부로 배출되는 것을 방지된다. 내부 배기부(220)는 도 3에 도시된 바와 같이 복수의 플라즈마 발생부(230) 각각의 주변에 모두 설치될 수 있다.However, when the gate valves 250 and 260 are opened and the substrate W is processed, gas and particles in the process chamber 110 are discharged to the outside through the substrate inlet 212 or the substrate outlet 214. Problems may arise. In particular, the gas and particles generated during the processing of the substrate W may be discharged to the outside. In order to solve this problem, in the present embodiment, the internal exhaust unit 220 is installed around the plasma generator 230. Since the gas and particles generated when the substrate W is processed by the plasma are distributed around the plasma generating unit 220, the internal exhaust unit 220 is disposed around the plasma generating unit to process the substrate W. It is possible to quickly exhaust the gas and particles generated to the outside. As a result, the gas and particles generated during the processing of the substrate W are prevented from being discharged to the outside. As illustrated in FIG. 3, the internal exhaust unit 220 may be installed around each of the plurality of plasma generators 230.

그리고 내부 배기부(220)로 유입된 가스 및 입자는 내부 배기부(220)와 연결된 제2 펌프(290)를 통해 외부로 배기된다.Gas and particles introduced into the internal exhaust unit 220 are exhausted to the outside through the second pump 290 connected to the internal exhaust unit 220.

내부 배기부(220)는 플라즈마 발생부(230) 주변의 가스 및 입자를 유입하기만 하면 어떠한 형태로 이루어져도 관계없다. 이러한 내부 배기부(220)의 일 예를 도 4에 나타내었다. 도 4a는 제1 배기부(170)를 기판(W) 이송 방향에서 바라본 단면도이고, 도 4b 및 도 4c는 기판(W) 이송 방향과 수직한 면에서 바라본 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.The internal exhaust unit 220 may be formed in any form as long as the gas and particles around the plasma generator 230 are introduced therein. An example of such an internal exhaust unit 220 is illustrated in FIG. 4. 4A is a cross-sectional view of the first exhaust unit 170 viewed from the substrate W transport direction, and FIGS. 4B and 4C are cross-sectional views of the first exhaust unit 170 viewed from a plane perpendicular to the transport direction of the substrate W. FIG.

도 4를 참조하면, 내부 배기부(220)는 복수의 내부 배기홀(222)과 내부 배기유로(224)로 구성될 수 있다. 내부 배기홀(222)은 플라즈마 발생부(220) 주변과 플라즈마 발생부(220) 주위를 감싸도록 배치되어, 플라즈마 발생부(220) 주변의 가스 및 공기가 내부 배기홀(222)로 유입되도록 한다. 이때 복수의 내부 배기홀(222) 각각은 단열(도 4b 참조) 또는 복수열(도 4c 참조)로 구성될 수 있다. 내부 배기유로(224)는 복수의 내부 배기홀(222)과 모두 연결되어 내부 배기홀(222)로 유입된 가스 및 입자가 제2 펌프(290)를 통해 배기되도록 한다. 내부 배기유로(224)에는 내부 배기유로(224)의 압력을 측정할 수 있는 내부 압력 측정 수단(226)이 배치될 수 있다. 내부 압력 측정 수단(226)으로부터 측정된 압력을 통해 제2 펌프(290)의 펌핑 스피드를 제어함으로써 플라즈마 발생부(230) 주변의 기판(W) 처리시에 발생되는 가스 및 입자가 보다 원활하게 내부 배기부(220)를 통해 배기될 수 있도록 할 수 있다.Referring to FIG. 4, the internal exhaust unit 220 may include a plurality of internal exhaust holes 222 and internal exhaust flow paths 224. The inner exhaust hole 222 is disposed to surround the plasma generator 220 and the plasma generator 220 to allow gas and air around the plasma generator 220 to flow into the inner exhaust hole 222. . In this case, each of the plurality of internal exhaust holes 222 may be configured by heat insulation (see FIG. 4B) or a plurality of rows (see FIG. 4C). The internal exhaust passage 224 is connected to all of the plurality of internal exhaust holes 222 to allow gas and particles introduced into the internal exhaust holes 222 to be exhausted through the second pump 290. The internal exhaust passage 224 may be provided with internal pressure measuring means 226 capable of measuring the pressure of the internal exhaust passage 224. By controlling the pumping speed of the second pump 290 through the pressure measured from the internal pressure measuring means 226, the gas and particles generated during the processing of the substrate W around the plasma generator 230 are more smoothly internal. It may be possible to exhaust through the exhaust 220.

도 3과 도 4에서는 플라즈마 발생부(230)와 내부 배기부(220)가 별도로 설치되는 형태에 대해 도시하고 설명하였으나 이에 한정되지 않으며, 플라즈마 발생부(230)와 내부 배기부(220)는 일체로 형성될 수도 있다. 이때 플라즈마 발생부(230)는 이온빔 발생수단일 수 있으며, 이 이온빔 발생수단과 내부 배기부가 일체로 형성된 이온빔 발생 장치가 플라즈마 발생부(230)와 내부 배기부(220)를 대체하여 사용될 수도 있다. 도 5는 이러한 이온빔 발생 장치(500)에 대해 개략적으로 나타내었다.3 and 4 illustrate and describe a form in which the plasma generator 230 and the internal exhaust unit 220 are separately installed, but are not limited thereto. The plasma generator 230 and the internal exhaust unit 220 may be integrally formed. It may be formed as. In this case, the plasma generating unit 230 may be an ion beam generating unit, and the ion beam generating unit in which the ion beam generating unit and the internal exhaust unit are integrally formed may be used in place of the plasma generating unit 230 and the internal exhaust unit 220. 5 schematically illustrates the ion beam generator 500.

도 5를 참조하면, 이온빔 발생 장치(500)는 프레임(510), 이온빔 발생 수단(520), 이온빔 인출부(530) 및 배기부(540)를 구비한다.Referring to FIG. 5, the ion beam generating apparatus 500 includes a frame 510, an ion beam generating unit 520, an ion beam extracting unit 530, and an exhaust unit 540.

프레임(510)은 바닥부(512)와 측면부(514)를 구비하며, 바닥부(512)와 측면부(514)로부터 내부에 일면이 개방된 수용부가 형성된다. 측면부(514)는 바닥부(512)의 가장자리로부터 상방향으로 연장 형성되며, 측면부(514)와 바닥부(512)는 일체로 형성될 수도 있다.The frame 510 includes a bottom portion 512 and a side portion 514, and an accommodating portion having one surface opened therein is formed from the bottom portion 512 and the side portion 514. The side portion 514 extends upward from an edge of the bottom portion 512, and the side portion 514 and the bottom portion 512 may be integrally formed.

이온빔 발생 수단(520)은 프레임(510)의 수용부 내에 배치된다. 이온빔 발생 수단(520)은 예컨대, 자성체와 방전가스에 고전압을 인가하는 양극과 음극으로 이루어진 형태일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The ion beam generating means 520 is disposed in the receiving portion of the frame 510. The ion beam generating means 520 may be, for example, a form of an anode and a cathode for applying a high voltage to the magnetic material and the discharge gas, but is not limited thereto.

이온빔 인출부(530)는 프레임(510)의 개방된 일면이 덮이도록 배치된다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 이온빔 발생 수단(520)이 덮이도록 프레임(510)의 상면이 덮이도록 배치된다. 그리고 이온빔 인출부(530)에는 이온빔 발생 수단(520)에서 발생된 이온빔의 인출경로(532)가 형성되어 있다. 이때 이온빔 인출경로(532)는 이온빔 발생 장치(500)가 선형 이온빔 소스(Linear Ion Beam Source)가 되도록 형성된다.The ion beam lead-out unit 530 is disposed to cover one open surface of the frame 510. That is, as shown in FIG. 5, the upper surface of the frame 510 is disposed to cover the ion beam generating means 520. In the ion beam extraction unit 530, an extraction path 532 of the ion beam generated by the ion beam generating unit 520 is formed. In this case, the ion beam extraction path 532 is formed such that the ion beam generator 500 becomes a linear ion beam source.

그리고 프레임(510)의 주변의 가스 및 입자가 유입되는 배기부(540)가 프레임(510)의 측면부(514)에 형성된다. 그리고 도 5에 도시된 바와 같이, 프레임(510)의 측면부(514)는 이온빔 인출부(520)보다 상방으로 연장형성되며, 배기부(540)는 측면부(514)의 상단에 형성된다. 이때, 배기부(540)는 측면부(514)의 상단에 형성되어 프레임(510)의 주변의 가스 및 입자가 유입되는 배기구(542)와 배기구(542)로 유입된 가스 및 입자가 외부로 배기되는 배기유로(544)를 구비한다.In addition, an exhaust part 540 through which gas and particles around the frame 510 flow is formed in the side part 514 of the frame 510. As shown in FIG. 5, the side portion 514 of the frame 510 is extended upward from the ion beam lead-out portion 520, and the exhaust portion 540 is formed at the top of the side portion 514. At this time, the exhaust portion 540 is formed on the upper side of the side portion 514 to exhaust the gas and particles introduced into the exhaust port 542 and the exhaust port 542 around the frame 510 is exhausted to the outside An exhaust passage 544 is provided.

이러한 이온빔 발생 장치(500)의 상방으로 기판(W)이 이송되면서 기판(W)의 처리가 수행되며, 이때 도 5에 도시된 바와 같이 프레임(510)의 측면부(514)가 기판(W)을 향해 연장형성되고 그 내부에 배기부(540)가 형성되면, 기판(W) 처리시에 발생되는 가스 및 입자가 배기부(540)의 배기구(542)로 유입되기 용이하다. 그리고 배기유로(544)는 제2 펌프(290)와 연결되어 배기부(540)로 유입된 가스 및 입자를 배기시킬 수 있다. 이온빔 발생 수단(520)과 배기부(540)(도 3에서는 내부 배기부(220))가 일체로 형성된 이온빔 발생 장치(500)를 기판 처리 장치(200)에 설치하면, 기판(W) 처리시에 발생되는 가스 및 입자를 보다 원활히 외부로 배기할 수 있다.As the substrate W is transferred above the ion beam generator 500, the substrate W is processed, and as shown in FIG. 5, the side portion 514 of the frame 510 moves the substrate W. As shown in FIG. When it is formed to extend and the exhaust portion 540 is formed therein, gas and particles generated during the processing of the substrate W are easily introduced into the exhaust port 542 of the exhaust portion 540. In addition, the exhaust passage 544 may be connected to the second pump 290 to exhaust the gas and particles introduced into the exhaust unit 540. When the ion beam generating apparatus 500 in which the ion beam generating means 520 and the exhaust part 540 (inner exhaust part 220 in FIG. 3) are integrally provided in the substrate processing apparatus 200, the substrate W is processed, It is possible to exhaust the gas and particles generated in the outside more smoothly.

이와 같이 기판(W) 처리시에 발생되는 가스 및 입자는 내부 배기부(220)(도 5에 도시된 이온빔 발생 장치(500)를 이용할 경우에는 배기부(540))와 제2 펌프(290)를 통해 외부로 배기되므로, 기판(W) 처리시에 발생되는 가스 및 입자가 기판 반입구(212)나 기판 반출구(214)를 통해 외부로 배출되지 않게 되어, 게이트 밸브(250, 260)를 개방시킨 상태에서 연속적으로 기판(W) 처리를 수행하여도 기판(W) 처리시에 발생되는 가스 및 입자가 외부로 배출되는 문제점이 발생하지 않는다. 따라서 본 발명에 따르면 연속적으로 기판(W) 처리가 가능하므로 공정시간이 크게 감소하여 생산성이 향상된다.As such, the gas and particles generated during the processing of the substrate W include the internal exhaust unit 220 (the exhaust unit 540 in the case of using the ion beam generator 500 illustrated in FIG. 5) and the second pump 290. Since the gas is discharged to the outside through the substrate W, the gas and particles generated during the processing of the substrate W are not discharged to the outside through the substrate inlet 212 or the substrate outlet 214. Even if the substrate W is continuously processed in the open state, the gas and particles generated during the substrate W are not discharged to the outside. Therefore, according to the present invention, since the substrate W can be processed continuously, the process time is greatly reduced and productivity is improved.

그러나 도 2에 도시된 제2 실시예는 기판(W) 처리시에 발생되는 가스 및 입자는 내부 배기부(220)를 통해 외부로 용이하게 배기할 수 있으나, 기판 반입구(212)나 기판 반출구(214)를 통해 공정챔버(210) 내의 가스 및 입자가 외부로 배출되는 것을 방지하는 것은 용이치 않다. 따라서 기판 반입구(212)나 기판 반출구(214)를 통해 공정챔버(210) 내의 가스 및 입자가 외부로 배출되는 것을 방지하기 위한 구성이 부가될 경우 그 효능이 더욱 우수하게 된다. 이를 위해, 제1 실시예에서 도시하고 설명한 바와 같이 기판 반입구(212)와 기판 반출구(214) 주변에 각각 제1 배기부(270)와 제2 배기부(280)를 설치할 수 있다. 이를 도 6에 개략적으로 나타내었다.However, in the second embodiment shown in FIG. 2, the gas and particles generated during the processing of the substrate W may be easily exhausted to the outside through the internal exhaust unit 220, but the substrate inlet 212 or the substrate half may be exhausted. It is not easy to prevent the gas and particles in the process chamber 210 from being discharged to the outside through the outlet 214. Therefore, when a configuration is added to prevent the gas and particles in the process chamber 210 from being discharged to the outside through the substrate inlet 212 or the substrate outlet 214, the effect is more excellent. To this end, as shown and described in the first embodiment, the first exhaust unit 270 and the second exhaust unit 280 may be provided around the substrate inlet 212 and the substrate outlet 214, respectively. This is schematically illustrated in FIG. 6.

도 6에 도시된 기판 처리 장치(600)는 도 1에 도시된 제1 실시예와 도 3에 도시된 제2 실시예가 조합된 구성이므로 동일한 도면부호로 표시된 동일한 명칭의 구성요소의 기능은 동일하므로 자세한 설명은 생략한다. 다만, 제1 배기부(270), 제2 배기부(280) 및 내부 배기부(220)는 하나의 펌프(제2 펌프(290))를 통해 유입된 가스 및 입자를 외부로 배기한다.Since the substrate processing apparatus 600 shown in FIG. 6 is a combination of the first embodiment shown in FIG. 1 and the second embodiment shown in FIG. 3, the functions of the components of the same name denoted by the same reference numerals are the same. Detailed description will be omitted. However, the first exhaust unit 270, the second exhaust unit 280, and the internal exhaust unit 220 exhaust the gas and particles introduced through one pump (the second pump 290) to the outside.

도 6에 도시된 기판 처리 장치(600)와 같은 구성을 가지면, 기판(W) 처리시에 발생된 가스 및 입자는 내부 배기부(220)를 통해 외부로 배기되고, 기판 반입구(212)나 기판 반출구(214) 주변의 가스 및 입자는 제1 배기부(270)와 제2 배기부(280)를 통해 외부로 배기되므로, 공정챔버(210) 내의 가스 및 입자가 기판 반입구(212)나 기판 반출구(214)를 통해 외부로 배출될 가능성이 현저히 감소하게 된다.Having the same configuration as the substrate processing apparatus 600 shown in FIG. 6, the gas and particles generated during the processing of the substrate W are exhausted to the outside through the internal exhaust unit 220, and the substrate inlet 212 or the like. Since the gas and particles around the substrate outlet 214 are exhausted to the outside through the first exhaust unit 270 and the second exhaust unit 280, the gas and particles in the process chamber 210 are transferred to the substrate inlet 212. B, the possibility of being discharged to the outside through the substrate outlet 214 is significantly reduced.

도 7은 기판 반입구(212)나 기판 반출구(214)를 통해 공정챔버(210) 내의 가스 및 입자가 외부로 배출되는 방지하기 위한 또 다른 기판 처리 장치(700)를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a schematic view of another substrate processing apparatus 700 for preventing gas and particles in the process chamber 210 from being discharged to the outside through the substrate inlet 212 or the substrate outlet 214.

도 7에 도시된 기판 처리장치(700)는 도 3에 도시된 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)에 제1 가스 공급부(710)와 제2 가스 공급부(720)가 부가된 형태이고 다른 구성요소는 제2 실시예와 동일하므로, 동일한 도면부호로 표시된 동일한 명칭의 구성요소의 기능은 동일하므로 자세한 설명은 생략한다. The substrate processing apparatus 700 illustrated in FIG. 7 has a form in which a first gas supply unit 710 and a second gas supply unit 720 are added to the substrate processing apparatus 200 according to the second embodiment shown in FIG. 3. Since the other components are the same as in the second embodiment, the functions of the components of the same name denoted by the same reference numerals are the same, so detailed description thereof will be omitted.

제1 가스 공급부(710)는 기판 반입구(212) 주변에 가스 커튼이 형성되도록 가스를 공급하는 것으로, 이 가스 커튼을 통해 공정챔버(210) 내부의 가스 및 입자가 기판 반입구(212)를 통해 공정챔버(210)의 외부로 배출되는 것을 억제한다. 제2 가스 공급부(720)는 기판 반출구(214) 주변에 가스 커튼이 형성되도록 가스를 공급하는 것으로, 이 가스 커튼을 통해 공정챔버(210) 내부의 가스 및 입자가 기판 반출구(214)를 통해 공정챔버(210)의 외부로 배출되는 것을 억제한다.The first gas supply unit 710 supplies a gas so that a gas curtain is formed around the substrate inlet 212, and the gas and particles in the process chamber 210 may pass through the substrate inlet 212 through the gas curtain. It is suppressed to be discharged to the outside of the process chamber 210 through. The second gas supply unit 720 supplies a gas so that a gas curtain is formed around the substrate outlet 214, and the gas and particles in the process chamber 210 pass through the substrate outlet 214 through the gas curtain. It is suppressed to be discharged to the outside of the process chamber 210 through.

즉, 도 7에 도시된 기판 처리 장치(700)는 기판(W) 처리시에 발생된 가스 및 입자는 내부 배기부(220)를 통해 외부로 배기시키고, 기판 반입구(212)나 기판 반출구(214) 주변의 가스 및 입자는 제1 가스 공급부(710)와 제2 가스 공급부(720)에 의해 형성된 가스 커튼에 의해 기판 반입구(212)나 기판 반출구(214)를 통해 외부로 배출되는 것이 억제되므로, 공정챔버(210) 내의 가스 및 입자가 기판 반입구(212)나 기판 반출구(214)를 통해 외부로 배출될 가능성이 현저히 감소하게 된다.That is, the substrate processing apparatus 700 illustrated in FIG. 7 exhausts gas and particles generated during the processing of the substrate W to the outside through the internal exhaust unit 220, and supplies the substrate inlet 212 or the substrate outlet. Gas and particles around the outside are discharged to the outside through the substrate inlet 212 or the substrate outlet 214 by the gas curtain formed by the first gas supply unit 710 and the second gas supply unit 720. Since it is suppressed, the possibility that the gas and particles in the process chamber 210 are discharged to the outside through the substrate inlet 212 or the substrate outlet 214 is significantly reduced.

이상에서 본 발명의 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.Although the embodiments of the present invention have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the above-described specific embodiments, and the present invention is not limited to the specific scope of the present invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and such changes are within the scope of the claims.

Claims (4)

일측에 기판이 반입되는 기판 반입구와 타측에 반입된 기판이 반출되는 기판 반출구가 형성되어 있으며, 내부에서 기판 처리가 수행되는 공정챔버;
상기 공정챔버 내에 설치되며, 기판을 상기 기판 반입구로부터 상기 기판 반출구로 이송하는 기판 이송부;
상기 기판에 대해 플라즈마가 조사되도록 상기 공정챔버 내에 설치되는 플라즈마 발생부;
상기 공정챔버 내부를 배기하는 제1 펌프;
상기 기판 반입구를 개방시키거나 차단되도록 설치된 제1 게이트 밸브;
상기 기판 반출구를 개방시키거나 차단되도록 설치된 제2 게이트 밸브;
상기 기판 반입구가 개방되도록 상기 제1 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반입구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않도록 상기 기판 반입구 주변에 배치되며, 상기 기판 반입구 주변의 가스 및 입자가 유입되는 제1 배기부;
상기 기판 반출구가 개방되도록 상기 제2 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반출구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않도록 상기 기판 반출구 주변에 배치되며, 상기 기판 반출구 주변의 가스 및 입자가 유입되는 제2 배기부; 및
상기 제1 배기부 및 상기 제2 배기부와 연결되어, 상기 제1 배기부 및 상기 제2 배기부에 유입된 가스 및 입자를 외부로 배기하는 제2 펌프;를 포함하며,
상기 기판 반입구와 상기 기판 반출구가 개방되도록 상기 제1 게이트 밸브와 상기 제2 게이트 밸브가 열린 상태에서, 상기 기판 이송부를 통해 상기 기판 반입구로부터 기판이 반입되어 상기 공정챔버 내부에서 기판 처리가 수행된 후 상기 기판 반출구로 반출되고, 기판 처리가 수행되는 동안 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반입구 또는 상기 기판 반출구를 통해 외부로 배출되지 않도록, 상기 제1 배기부로 유입된 상기 기판 반입구 주변의 가스 및 입자가 상기 제2 펌프를 통해 외부로 배기되고 상기 제2 배기부로 유입된 상기 기판 반출구 주변의 가스 및 입자가 상기 제2 펌프를 통해 외부로 배기되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate inlet through which a substrate is carried in on one side and a substrate inlet through which the substrate loaded on the other side is carried out, and a process chamber in which substrate processing is performed;
A substrate transfer part installed in the process chamber and transferring a substrate from the substrate inlet to the substrate outlet;
A plasma generator installed in the process chamber so that the plasma is irradiated to the substrate;
A first pump exhausting the inside of the process chamber;
A first gate valve installed to open or block the substrate inlet;
A second gate valve installed to open or shut off the substrate outlet;
When the substrate processing is performed while the first gate valve is opened to open the substrate inlet, the substrate half is prevented from discharging gas and particles inside the process chamber to the outside of the process chamber through the substrate inlet. A first exhaust part disposed around the inlet and into which gas and particles around the substrate inlet are introduced;
When the substrate treatment is performed while the second gate valve is opened to open the substrate outlet, the substrate half is prevented from discharging gas and particles inside the process chamber to the outside of the process chamber through the substrate outlet. A second exhaust unit disposed around the outlet and into which gas and particles around the substrate outlet outlet flow; And
And a second pump connected to the first exhaust part and the second exhaust part to exhaust gas and particles introduced into the first exhaust part and the second exhaust part to the outside.
In the state in which the first gate valve and the second gate valve are opened to open the substrate inlet and the substrate outlet, the substrate is loaded from the substrate inlet through the substrate transfer part, thereby processing the substrate in the process chamber. After being carried out to the substrate outlet, the gas introduced into the first exhaust part so that the gas and particles inside the process chamber are not discharged to the outside through the substrate inlet or the substrate outlet during substrate treatment. The gas and the particles around the substrate inlet is exhausted to the outside through the second pump and the gas and particles around the substrate outlet outlet introduced to the second exhaust is exhausted to the outside through the second pump. Substrate processing apparatus. 제1항에 있어서,
상기 플라즈마 발생부 주변에 배치되며, 기판 처리시 발생되는 가스 및 입자가 유입되는 내부 배기부;를 더 포함하며,
상기 내부 배기부는 상기 제2 펌프와 연결되어 상기 내부 배기부에 유입된 가스 및 입자가 외부로 배기되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
It is disposed around the plasma generating unit, and further comprises an internal exhaust for introducing gas and particles generated during substrate processing;
And the internal exhaust part is connected to the second pump to exhaust gas and particles introduced into the internal exhaust part to the outside. 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 기판 반입구가 개방되도록 상기 제1 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반입구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않게 하기 위해, 상기 기판 반입구 주변에 가스 커튼이 형성되도록 가스를 공급하는 제1 가스 공급부; 및
상기 기판 반출구가 개방되도록 상기 제2 게이트 밸브가 열린 상태에서 기판 처리가 수행될 때, 상기 공정챔버 내부의 가스 및 입자가 상기 기판 반출구를 통해 상기 공정챔버의 외부로 배출되지 않게 하기 위해, 상기 기판 반출구 주변에 가스 커튼이 형성되도록 가스를 공급하는 제2 가스 공급부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
In order to prevent gas and particles inside the process chamber from being discharged to the outside of the process chamber through the substrate inlet when the substrate processing is performed while the first gate valve is opened to open the substrate inlet. A first gas supply unit supplying a gas to form a gas curtain around the substrate inlet; And
In order to prevent the gas and particles inside the process chamber from being discharged to the outside of the process chamber through the substrate outlet when the substrate processing is performed while the second gate valve is opened to open the substrate outlet. And a second gas supply unit configured to supply a gas so that a gas curtain is formed around the substrate outlet port.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008248395A (en) * 2008-07-02 2008-10-16 Sharp Corp Plasma treating apparatus and pressure control method of plasma treating apparatus
KR101325141B1 (en) * 2012-03-02 2013-11-06 최대규 Apparatus and method for processing of material

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110125344A (en) * 2010-05-13 2011-11-21 주식회사 제이씨텍 Thin film deposition apparatus using plasma

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008248395A (en) * 2008-07-02 2008-10-16 Sharp Corp Plasma treating apparatus and pressure control method of plasma treating apparatus
KR101325141B1 (en) * 2012-03-02 2013-11-06 최대규 Apparatus and method for processing of material

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