KR102225958B1 - A Substrate processing apparatus and method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 상압인 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간으로 기판을 반송하고, 기판의 저면 중앙 영역이 외부로 노출되도록 기판을 지지하는 반송 핸드와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하고, 기판의 저면 중앙 영역에 제1상압 플라즈마를 공급하는 지지 유닛과; 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 반송 핸드가 상기 지지 유닛의 상부에서 기판을 지지한 상태에서 상기 지지 유닛이 상기 제1상압 플라즈마를 공급하도록 상기 반송 핸드와 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes: a housing having a processing space of normal pressure; A transfer hand for transferring the substrate to the processing space and supporting the substrate so that a central region of the bottom surface of the substrate is exposed to the outside; A support unit supporting a substrate in the processing space and supplying a first atmospheric pressure plasma to a central region of a bottom surface of the substrate; A controller may be included, wherein the controller may control the transfer hand and the support unit so that the support unit supplies the first atmospheric pressure plasma while the transfer hand supports the substrate above the support unit.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{A Substrate processing apparatus and method}A substrate processing apparatus and a substrate processing method TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상압 플라즈마를 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for cleaning a substrate using atmospheric pressure plasma.

반도체 소자 및 평판표시패널 등을 제조하기 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하여 감광막을 형성하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정은 감광막에 대하여 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.Various processes such as photography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed to manufacture semiconductor devices and flat panel display panels. Among these processes, the photographic process sequentially performs coating, exposure, and development processes. The coating process is a process of forming a photosensitive film by applying a photoresist, such as a photoresist, to the surface of a substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photosensitive film is formed. The developing process is a process of selectively developing an exposed area of the photosensitive film.

이러한 도포, 노광, 또는 현상 공정들 전후에는 세정 공정이 수행된다. 세정 공정은 기판에 부착된 파티클(Particle) 등의 불순물을 기판으로부터 제거하거나, 도포, 노광, 또는 현상 공정 등이 수행되면서 기판에 형성된 불필요한 유기 막질을 제거한다. 세정 공정은 기판 상면을 세정하는 공정, 그리고 기판 저면을 세정하는 공정을 포함할 수 있다. A cleaning process is performed before and after these coating, exposure, or development processes. In the cleaning process, impurities such as particles attached to the substrate are removed from the substrate, or unnecessary organic films formed on the substrate are removed while a coating, exposure, or development process is performed. The cleaning process may include a process of cleaning the upper surface of the substrate and a process of cleaning the lower surface of the substrate.

일반적으로, 기판 저면을 세정하는 공정은 브러쉬(Brush) 등의 기재를 기판과 접촉시키는 물리적 방식으로 기판 저면을 세정한다. 그러나 이러한 방식은 기판으로부터 분리된 파티클(Particle) 등이 기판에 재부착될 수 있으며, 불필요한 유기 막질을 제거하는데 효율적이지 않다. In general, in the process of cleaning the bottom of the substrate, the bottom of the substrate is cleaned in a physical manner in which a substrate such as a brush is brought into contact with the substrate. However, in this method, particles, etc. separated from the substrate may be reattached to the substrate, and it is not efficient to remove unnecessary organic film.

또 다른 방안으로, 척(Chuck)에 지지된 기판을 회전시키고, 기판의 저면에 레이저 또는 오존(Ozone) 등을 공급하여 기판의 저면을 세정하는 방안을 고려할 수 있다. 그러나, 이러한 방식은 기판 저면의 중앙 영역이 세정되기 어려운 문제가 있다. 기판 저면이 적절히 세정되지 않는 경우, 기판 저면에 부착된 불순물이 분리되어 기판 처리 장치에 부착될 수 있고, 기판 처리 장치에 부착된 불순물은 다시 다른 기판에 다시 부착되어 기판 처리 효율을 떨어뜨릴 수 있다.As another method, a method of cleaning the bottom surface of the substrate by rotating the substrate supported by the chuck and supplying a laser or ozone to the bottom surface of the substrate may be considered. However, this method has a problem in that it is difficult to clean the central region of the bottom surface of the substrate. If the bottom of the substrate is not properly cleaned, impurities adhering to the bottom of the substrate may be separated and adhered to the substrate processing apparatus, and impurities attached to the substrate processing apparatus may be re-adhered to other substrates, thereby reducing substrate processing efficiency .

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 저면에 부착된 유기 물질을 화학적 반응을 통해 효율적으로 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다. In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently cleaning an organic material attached to a bottom surface of a substrate through a chemical reaction.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 상압인 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간으로 기판을 반송하고, 기판의 저면 중앙 영역이 외부로 노출되도록 기판을 지지하는 반송 핸드와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하고, 기판의 저면 중앙 영역에 제1상압 플라즈마를 공급하는 지지 유닛과; 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 반송 핸드가 상기 지지 유닛의 상부에서 기판을 지지한 상태에서 상기 지지 유닛이 상기 제1상압 플라즈마를 공급하도록 상기 반송 핸드와 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes: a housing having a processing space of normal pressure; A transfer hand for transferring the substrate to the processing space and supporting the substrate so that a central region of the bottom surface of the substrate is exposed to the outside; A support unit supporting a substrate in the processing space and supplying a first atmospheric pressure plasma to a central region of a bottom surface of the substrate; A controller may be included, wherein the controller may control the transfer hand and the support unit so that the support unit supplies the first atmospheric pressure plasma while the transfer hand supports the substrate above the support unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 기판의 저면을 지지하는 지지판과; 상기 지지판의 저면에 결합되어 상기 지지판을 회전시키는 회전축을 포함하되, 상기 지지판에는, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지판의 센터 영역에는 상기 제1상압 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급부가 제공되고, 상기 지지판의 에지 영역에는 상기 기판을 흡착하는 흡착홀이 형성될 수 있다.According to an embodiment, the support unit includes: a support plate supporting a bottom surface of the substrate; And a rotation shaft coupled to a bottom surface of the support plate to rotate the support plate, wherein when viewed from above, a plasma supply unit for supplying the first atmospheric pressure plasma is provided in the center region of the support plate, and An adsorption hole for adsorbing the substrate may be formed in the edge region.

일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역에 제2상압 플라즈마를 토출하는 처리 유닛을 포함하고, 상기 처리 유닛은, 상기 기판의 가장자리 영역이 삽입되는 삽입구가 형성된 바디와; 상기 바디에 제공되고, 상기 제2상압 플라즈마를 토출하는 제1플라즈마 토출구를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the apparatus includes a processing unit that discharges a second atmospheric pressure plasma to an edge region of a substrate supported by the support unit, wherein the processing unit includes an insertion hole into which the edge region of the substrate is inserted. Body and; A first plasma discharge port provided on the body and discharging the second atmospheric pressure plasma may be included.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1플라즈마 토출구는 상기 삽입구에 삽입된 기판의 저면 가장자리 영역에 상기 제2상압 플라즈마를 토출하도록 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first plasma discharge port may be provided to discharge the second atmospheric pressure plasma to an edge region of a bottom surface of a substrate inserted into the insertion hole.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리 유닛은, 상기 바디에 제공되고, 상기 처리 유닛이 토출하는 상기 제2상압 플라즈마에 의해 발생하는 부산물을 배기하는 배기구를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the processing unit may include an exhaust port provided in the body and exhausting by-products generated by the second atmospheric pressure plasma discharged by the processing unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리 유닛은, 상기 바디에 제공되고, 상기 삽입구에 삽입된 기판의 상면 가장자리 영역에 상기 제2상압 플라즈마를 토출하도록 제공되는 제2플라즈마 토출구를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the processing unit may include a second plasma discharge port provided in the body and provided to discharge the second atmospheric pressure plasma to an edge region of an upper surface of a substrate inserted into the insertion port.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리 유닛은, 상기 바디에 제공되고, 상기 삽입구에 삽입된 기판의 상면 가장자리 영역에 레이저를 조사하도록 제공되는 레이저 조사 부재를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the processing unit may include a laser irradiation member provided on the body and provided to irradiate a laser to an edge region of an upper surface of a substrate inserted into the insertion hole.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리 유닛은, 상기 바디의 삽입구에 기판의 가장자리 영역이 삽입되는 처리 위치와 상기 바디가 기판의 외측으로 이격되는 대기 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 지지 유닛에 기판이 놓이면, 상기 바디를 상기 처리 위치로 이동시키고, 회전되는 기판의 가장자리 영역으로 상기 제2상압 플라즈마를 토출하도록 상기 반송 핸드, 상기 처리 유닛, 그리고 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the processing unit includes a moving member that moves between a processing position in which an edge region of the substrate is inserted into an insertion hole of the body and a standby position in which the body is spaced apart from the outside of the substrate, wherein the controller, When the substrate is placed on the support unit, the transfer hand, the processing unit, and the support unit may be controlled to move the body to the processing position and discharge the second atmospheric pressure plasma to the edge region of the rotating substrate. .

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 제1상압 플라즈마가 공급된 이후 상기 제2상압 플라즈마를 토출하도록 상기 반송 핸드, 상기 처리 유닛, 그리고 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the transfer hand, the processing unit, and the support unit to discharge the second atmospheric pressure plasma after the first atmospheric pressure plasma is supplied.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리 유닛은, 상기 바디의 삽입구에 기판의 가장자리 영역이 삽입되는 처리 위치와 기판의 외측으로 이격되는 대기 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 제1상압 플라즈마 공급시에는 상기 바디를 상기 대기 위치로 이동시키고, 상기 제2상압 플라즈마 공급시에는 상기 바디를 상기 처리 위치로 이동시키도록 상기 반송 핸드, 상기 지지 유닛, 그리고 상기 처리 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the processing unit includes a moving member that moves between a processing position in which an edge region of the substrate is inserted into an insertion hole of the body and a standby position spaced apart from the outside of the substrate, wherein the controller comprises: the first When the normal pressure plasma is supplied, the body is moved to the standby position, and when the second normal pressure plasma is supplied, the transfer hand, the support unit, and the processing unit may be controlled to move the body to the processing position. .

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 반송 핸드가 상기 처리 공간으로 상기 기판을 반송하여, 상기 기판을 상기 지지 유닛의 상부로 이동시키는 반송 단계와; 상기 반송 핸드에 상기 기판이 지지된 상태에서 상기 지지 유닛이 기판의 저면 중앙 영역으로 상기 제1상압 플라즈마를 공급하는 제1처리 단계와; 상기 반송 핸드가 상기 기판을 상기 지지 유닛에 기판을 로딩하는 로딩 단계와; 상기 처리 유닛이 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 제2상압 플라즈마를 토출하는 제2처리 단계를 포함할 수 있다.In addition, the present invention provides a method of processing a substrate. A method of processing a substrate using a substrate processing apparatus, comprising: a conveying step of the conveying hand conveying the substrate to the processing space and moving the substrate to an upper portion of the support unit; A first processing step of supplying the first atmospheric pressure plasma to a central region of a bottom surface of the substrate by the support unit while the substrate is supported by the transfer hand; A loading step in which the transfer hand loads the substrate onto the support unit; The processing unit may include a second processing step of discharging the second atmospheric pressure plasma to an edge region of the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 반송 단계, 상기 제1처리 단계, 그리고 상기 로딩 단계에는 상기 바디를 대기 위치로 이동시키고, 상기 제2처리 단계에는 상기 바디를 처리 위치로 이동시키되, 상기 대기 위치는 상기 바디가 상기 기판의 외측으로 이격된 위치이고, 상기 처리 위치는 상기 기판의 가장자리 영역이 상기 바디의 삽입구에 삽입된 위치일 수 있다.According to an embodiment, in the conveying step, the first processing step, and the loading step, the body is moved to a standby position, and in the second processing step, the body is moved to a processing position, and the standby position is the The body may be a position spaced apart from the outside of the substrate, and the processing position may be a position in which an edge region of the substrate is inserted into an insertion hole of the body.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1상압 플라즈마가 상기 기판의 저면 중앙 영역에 공급되는 면적은 상기 제2상압 플라즈마가 상기 기판의 가장자리 영역에 공급되는 면적보다 넓을 수 있다.According to an embodiment, an area in which the first atmospheric pressure plasma is supplied to a central region of the bottom surface of the substrate may be larger than an area in which the second atmospheric pressure plasma is supplied to an edge region of the substrate.

또한, 기판을 처리하는 방법은, 상기 기판의 저면 중앙 영역이 외부로 노출되도록 기판을 지지하는 반송 핸드가 상기 기판을 지지한 상태에서, 상기 기판을 지지하는 지지 유닛이 상기 기판의 저면 중앙 영역으로 제1상압 플라즈마를 공급할 수 있다.In addition, the method of processing the substrate includes a transfer hand supporting the substrate supporting the substrate so that the central region of the bottom surface of the substrate is exposed to the outside, and the support unit supporting the substrate moves to the central region of the bottom surface of the substrate The first atmospheric pressure plasma can be supplied.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1상압 플라즈마가 공급된 이후, 상기 기판을 상기 지지 유닛에 안착 및 회전시키고, 상기 기판의 가장자리 영역에 삽입되는 삽입구를 가지고, 제2상압 플라즈마를 공급하는 제1플라즈마 토출구가 제공되는 바디가 이동하여, 상기 기판의 가장자리 영역이 상기 삽입구에 삽입되고, 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 제1플라즈마 토출구가 상기 제2상압 플라즈마를 토출할 수 있다.According to an embodiment, after the first atmospheric pressure plasma is supplied, a first plasma that mounts and rotates the substrate on the support unit, has an insertion hole inserted into the edge region of the substrate, and supplies a second atmospheric pressure plasma. The body provided with the discharge port is moved so that the edge region of the substrate is inserted into the insertion hole, and the first plasma discharge port discharges the second atmospheric pressure plasma to the edge region of the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 제2상압 플라즈마는 상기 기판의 저면 가장자리 영역으로 토출되고, 상기 제1상압 플라즈마가 상기 기판의 저면 중앙 영역에 공급되는 면적은 상기 제2상압 플라즈마가 상기 기판의 가장자리 영역에 공급되는 면적보다 넓을 수 있다.According to an embodiment, the second atmospheric pressure plasma is discharged to an edge region of the bottom surface of the substrate, and the area in which the first atmospheric pressure plasma is supplied to the central region of the bottom surface of the substrate is an edge region of the substrate. It may be larger than the area supplied to it.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently process a substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 저면에 부착된 유기 물질을 화학적 반응을 통해 효율적으로 세정할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the organic material attached to the bottom surface of the substrate may be efficiently cleaned through a chemical reaction.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 도 3의 세정 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 지지 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 9는 도 7의 지지 유닛의 내부 구성을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 7의 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 12 내지 도 15는 기판 처리 장치가 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 수행시 구동하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 1.
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 3.
5 is a cross-sectional plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 3.
6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5.
7 is a cross-sectional view showing the cleaning chamber of FIG. 3.
8 is a view as viewed from the top of the support unit of FIG. 7.
9 is a view showing the internal configuration of the support unit of FIG. 7.
10 is a cross-sectional view showing the processing unit of FIG. 7.
11 is a flow chart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
12 to 15 are views showing a state in which the substrate processing apparatus is driven when performing the substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention.
16 is a view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
17 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features or It is to be understood that the presence or addition of numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of preliminary exclusion.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 1, and FIG. 3 is a substrate processing apparatus of FIG. It is a top view.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.Referring to FIGS. 1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to an embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as the X-axis direction 12, and when viewed from the top, the direction perpendicular to the X-axis direction 12 is referred to as The Y-axis direction 14 is referred to, and a direction perpendicular to both the X-axis direction 12 and the Y-axis direction 14 is referred to as the Z-axis direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and stores the processed substrate W into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the Y-axis direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 based on the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the Y-axis direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a container 10 for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 can be placed on the load port 22 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. have.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 provided in a longitudinal direction in the Y-axis direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the Z-axis direction 16, and the Z-axis direction 16. It may be provided to be movable along the way.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)에서는 기판(W)에 도포액, 예컨대 포토레지스트 등의 감광액을 공급하여 도포 공정을 수행할 수 있다. 현상 블럭(30b)에서는 기판(W)에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행할 수 있다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 1의 실시 예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. In the coating block 30a, a coating solution, for example, a photoresist, such as a photoresist, may be supplied to the substrate W to perform a coating process. In the developing block 30b, a developing process may be performed by supplying a developer to the substrate W. A plurality of coating blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of FIG. 1, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The coating blocks 30a may be disposed under the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a perform the same process with each other, and may be provided with the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other, and may be provided with the same structure.

도 3을 참조하면, 현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 세정 챔버(3700), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리할 수 있다. 반송 챔버(3400)는 현상 블럭(30b) 내에서 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 세정 챔버(3700) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 3, the developing block 30b includes a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, a cleaning chamber 3700, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 may develop a substrate by supplying a developer onto the substrate W. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the cleaning chamber 3700 within the development block 30b.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 반송 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveyance chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the X-axis direction 12. A transfer unit 3420 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer unit 3420 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to an example, the transfer unit 3420 has a transfer hand A on which the substrate W is placed, and the hand A moves forward and backward, rotation around the Z-axis direction 16, and the Z-axis. It may be provided to be movable along the direction 16. In the conveyance chamber 3400, a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided in parallel with the X-axis direction 12 may be provided, and the conveyance unit 3420 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 6은 도 5의 반송 유닛의 반송 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 반송 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 이에, 반송 핸드(A)가 기판(W)을 지지하는 경우 기판(W)의 저면 중앙 영역이 외부로 노출될 수 있다.6 is a diagram illustrating an example of a conveyance hand of the conveyance unit of FIG. 5. Referring to FIG. 6, the conveyance hand A has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 are provided and support an edge region of the substrate W. According to an example, the support protrusions 3429 may be provided with four at equal intervals. Accordingly, when the transfer hand A supports the substrate W, the central area of the bottom of the substrate W may be exposed to the outside.

다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.Referring back to FIGS. 2 and 3, a plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located on one side of the transfer chamber 3400.

도 5은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 용기(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 5 is a cross-sectional plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4, and FIG. 6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5. The heat treatment chamber 3200 has a container 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240.

용기(3210)는 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 용기(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 용기(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The container 3210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carry-in port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the side wall of the container 3210. The entrance can be kept open. A door (not shown) may be provided to selectively open and close the entrance. A cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240 are provided in the container 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the Y-axis direction 14. According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member 3224 is provided on the cooling plate 3222. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 Z축 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다. The heating unit 3230 has a heating plate 3232, a cover 3234, and a heater 3233. The heating plate 3232 has a generally circular shape when viewed from the top. The heating plate 3232 has a larger diameter than the substrate W. A heater 3233 is installed on the heating plate 3232. The heater 3233 may be provided as a heating resistor to which current is applied. The heating plate 3232 is provided with lift pins 3238 that can be driven in the vertical direction along the Z-axis direction 16. The lift pin 3238 receives the substrate W from the conveying means outside the heating unit 3230 and puts it down on the heating plate 3232 or lifts the substrate W from the heating plate 3232 to the outside of the heating unit 3230. Hand over by means of conveyance. According to an example, three lift pins 3238 may be provided. The cover 3234 has a space in which the lower part is open. The cover 3234 is located above the heating plate 3232 and is moved in the vertical direction by the driver 3236. When the cover 3234 comes into contact with the heating plate 3232, the space surrounded by the cover 3234 and the heating plate 3232 is provided as a heating space for heating the substrate W.

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3420)의 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 이동된다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The transfer plate 3240 has a generally disk shape and has a diameter corresponding to the substrate W. A notch 3244 is formed at the edge of the transfer plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand A of the transfer robot 3420 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand A, and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the vertical position of the hand A and the transfer plate 3240 is changed in the position where the hand A and the transfer plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W between the hand A and the transfer plate 3240 is changed. Delivery takes place. The conveying plate 3240 is mounted on the guide rail 3249, and is moved along the guide rail 3249 by the driver 3246. The transfer plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3242. The guide groove 3242 extends from the end of the transfer plate 3240 to the inside of the transfer plate 3240. The guide groove 3242 is provided along the Y-axis direction 14 in its longitudinal direction, and the guide grooves 3242 are positioned to be spaced apart from each other along the X-axis direction 12. The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pin from interfering with each other when the transfer of the substrate W is made between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 히터 유닛(1200) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)는 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)는 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the heater unit 1200, and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed. It is made in the state of being in contact with. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well performed. According to an example, the transfer plate 3240 may be made of a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

다시 도 2와 도 3를 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3420)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버(3600)들은 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공될 수 있다. 액 처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 기판(W)을 현상 처리할 수 있다. 일 예로, 액 처리 챔버(3600)는 현상액을 공급하는 노즐을 포함할 수 있다. Referring back to FIGS. 2 and 3, a plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid treatment chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3420. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. The liquid processing chambers 3600 may be provided at positions adjacent to the index module 20. The liquid processing chamber 3600 may develop the substrate W by supplying a developer onto the substrate W. For example, the liquid processing chamber 3600 may include a nozzle that supplies a developer.

세정 챔버(3700)는 복수 개로 제공된다. 세정 챔버(3700)들 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 세정 챔버(3700)들은 반송 챔버(3420)의 일측에 배치될 수 있다. 세정 챔버(3700)들은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열될 수 있다. 또한, 세정 챔버(3700)들은 액 처리 챔버(3600)의 일 측에 배치될 수 있다. 세정 챔버(3700)들은 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 세정 챔버(3700)가 인덱스 모듈(20)에 인접한 위치에 제공되고, 액 처리 챔버(3600)가 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공될 수도 있다. 또한, 세정 챔버(3700)의 배치는 도 2와 도 3에 도시된 예에 한정되는 것은 아니고 다양하게 변형될 수 있다.The cleaning chamber 3700 is provided in plural. Some of the cleaning chambers 3700 may be provided to be stacked on each other. The cleaning chambers 3700 may be disposed on one side of the transfer chamber 3420. The cleaning chambers 3700 may be arranged side by side along the first direction 12. Also, the cleaning chambers 3700 may be disposed on one side of the liquid processing chamber 3600. The cleaning chambers 3700 may be provided at positions adjacent to the interface module 40. However, the present invention is not limited thereto, and the cleaning chamber 3700 may be provided at a position adjacent to the index module 20, and the liquid processing chamber 3600 may be provided at a position adjacent to the interface module 40. In addition, the arrangement of the cleaning chamber 3700 is not limited to the examples shown in FIGS. 2 and 3 and may be variously modified.

이하에서는 도 7 내지 도 15를 참고하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다. 이하에서는 세정 챔버(3700)에 제공되는 기판 처리 장치가 기판(W)에 상압 플라즈마를 공급 또는 토출하여 기판(W)을 세정하는 것을 예로 들어 설명한다. 그러나, 이하의 실시 예는 상압 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 세정하는 것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 다양한 장치 및 방법에서도 마찬가지로 적용될 수 있다. Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to an exemplary embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 7 to 15. Hereinafter, an example of cleaning the substrate W by supplying or discharging atmospheric pressure plasma to the substrate W by the substrate processing apparatus provided in the cleaning chamber 3700 will be described. However, the following embodiments are not limited to cleaning the substrate W using atmospheric pressure plasma. For example, it may be similarly applied to various apparatuses and methods for processing the substrate W using plasma.

또한, 이하에서는 세정 챔버(3700)에 제공되는 기판 처리 장치가, 현상 공정을 마친 기판에 부착된 유기물 또는 파티클을 제거하는 것을 예로 들어 설명한다. 그러나, 이하의 실시 예는 현상 공정을 마친 기판에 부착된 유기물을 제거하는 것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도포 공정을 마친 기판에 부착된 유기물을 제거하는 등 다양한 방식으로 변형될 수 있다.In addition, hereinafter, the substrate processing apparatus provided in the cleaning chamber 3700 will be described as an example of removing organic substances or particles adhering to the substrate after the development process has been completed. However, the following embodiments are not limited to removing organic substances attached to the substrate after the development process has been completed. For example, it may be modified in various ways, such as removing organic substances attached to the substrate after the coating process has been completed.

또한, 이하에서는 설명의 편의를 위해 지지 유닛(3730)이 공급하는 상압 플라즈마를 제1상압 플라즈마(P1)로 정의하고, 처리 유닛(3750)이 토출하는 상압 플라즈마를 제2상압 플라즈마(P1)로 정의한다.In addition, hereinafter, for convenience of description, the atmospheric pressure plasma supplied by the support unit 3730 is defined as the first atmospheric pressure plasma P1, and the atmospheric pressure plasma discharged by the processing unit 3750 is used as the second atmospheric pressure plasma P1. define.

도 7은 도 3의 세정 챔버를 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 세정 챔버(3700)는 기판(W)에 상압 플라즈마를 공급 또는 토출하여 기판(W)에 부착된 유기물 또는 파티클을 제거할 수 있다. 기판(W)으로 공급 또는 토출된 상압 플라즈마는 유기물 또는 파티클과 화학적으로 반응할 수 있다. 예컨대, 기판(W)으로 공급 또는 토출된 상압 플라즈마는 유기물 또는 파티클을 기화시켜 기판(W)으로부터 제거할 수 있다. 세정 챔버(3700)는 하우징(3710), 지지 유닛(3730), 처리 유닛(3750), 그리고 제어기(3790)를 포함할 수 있다.7 is a cross-sectional view showing the cleaning chamber of FIG. 3. Referring to FIG. 7, the cleaning chamber 3700 may supply or discharge atmospheric pressure plasma to the substrate W to remove organic substances or particles attached to the substrate W. The atmospheric pressure plasma supplied or discharged to the substrate W may chemically react with organic substances or particles. For example, the atmospheric pressure plasma supplied or discharged to the substrate W may be removed from the substrate W by vaporizing organic substances or particles. The cleaning chamber 3700 may include a housing 3710, a support unit 3730, a processing unit 3750, and a controller 3790.

하우징(3710)은 처리 공간(3712)을 가진다. 처리 공간(3712)은 기판(W)이 처리되는 공간으로 제공될 수 있다. 처리 공간(3710)은 기판(W)을 처리하는 동안 상압으로 유지될 수 있다. 하우징(3710)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(3710)의 처리 공간(3712)을 밀폐한다. 하우징(3710)의 바닥면에는 배기홀(3714)이 형성된다. 배기홀(3714)은 배기 라인(3716)과 연결된다. 이에, 처리 공간(3712)에서 기판(W)이 처리되면서 발생되는 부산물을 세정 챔버(3700)의 외부로 배기할 수 있다. The housing 3710 has a processing space 3712. The processing space 3712 may be provided as a space in which the substrate W is processed. The processing space 3710 may be maintained at atmospheric pressure while processing the substrate W. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 3710. The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door (not shown) is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process proceeds, the door closes the opening to seal the processing space 3712 of the housing 3710. An exhaust hole 3714 is formed in the bottom surface of the housing 3710. The exhaust hole 3714 is connected to the exhaust line 3716. Accordingly, by-products generated while the substrate W is processed in the processing space 3712 may be exhausted to the outside of the cleaning chamber 3700.

지지 유닛(3730)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 또한, 지지 유닛(3730)은 기판(W)의 저면 중앙 영역에 제1상압 플라즈마(P1)를 공급할 수 있다. 지지 유닛(3730)은 지지판(3732), 그리고 회전축(3736)을 포함할 수 있다. 지지판(3732)은 기판을 지지한다. 지지판(3732)은 상부에서 바라보았을 때, 원형의 판 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 지지판(3732)은 상면이 저면보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(3732)의 상면 및 저면을 잇는 측면은 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 방향을 향할 수 있다. 지지판(3732)의 상면은 기판(W)의 저면이 안착될 수 있다. 지지판(3732)의 상면은 기판(W)보다 작은 면적을 가진다. 일 예에 의하면, 지지판(3732)의 상면의 직경은 기판(W)의 반경보다 작을 수 있다. The support unit 3730 supports and rotates the substrate W. Also, the support unit 3730 may supply the first atmospheric pressure plasma P1 to the central region of the bottom surface of the substrate W. The support unit 3730 may include a support plate 3732 and a rotation shaft 3736. The support plate 3732 supports the substrate. When viewed from the top, the support plate 3732 may be provided to have a circular plate shape. The support plate 3732 may have an upper surface having a larger diameter than a lower surface. The side surfaces connecting the upper and lower surfaces of the support plate 3732 may be inclined downward as they become closer to the central axis. The lower surface of the substrate W may be mounted on the upper surface of the support plate 3732. The upper surface of the support plate 3732 has an area smaller than that of the substrate W. According to an example, the diameter of the upper surface of the support plate 3732 may be smaller than the radius of the substrate W.

도 8은 도 7의 지지 유닛을 상부에서 바라본 도면이다. 도 8을 참조하면, 지지판(3732)을 상부에서 바라볼 때 지지판(3732)은 센터 영역과 에지 영역으로 구분될 수 있다. 지지판(3732)의 센터 영역에는 제1상압 플라즈마(P1)를 공급하는 플라즈마 공급부(3737)가 제공될 수 있다. 또한, 지지판(3732)의 에지 영역에는 복수의 흡착홀(3733)들이 형성될 수 있다. 복수의 흡착홀(3733)은 지지판(3732)의 원주 방향을 따라 서로 동일한 거리로 이격되어 지지판(3732)에 형성될 수 있다. 흡착홀(3733)들은 지지판(3732)에 놓인 기판(W)을 감압하여 기판(W)을 흡착시키는 홀 일 수 있다. 8 is a view as viewed from the top of the support unit of FIG. 7. Referring to FIG. 8, when the support plate 3732 is viewed from above, the support plate 3732 may be divided into a center region and an edge region. A plasma supply unit 3737 for supplying the first atmospheric pressure plasma P1 may be provided in the center region of the support plate 3732. In addition, a plurality of adsorption holes 3733 may be formed in the edge region of the support plate 3732. The plurality of adsorption holes 3733 may be formed in the support plate 3732 by being spaced apart at the same distance from each other along the circumferential direction of the support plate 3732. The adsorption holes 3733 may be holes for adsorbing the substrate W by depressurizing the substrate W placed on the support plate 3732.

다시 도 7을 참조하면, 흡착홀(3733)들은 흡착 라인(3734)에 의해 진공 부재(3735)와 연결된다. 진공 부재(3735)는 흡착홀(3733)을 감압하는 펌프일 수 있다. 그러나, 진공 부재(3735)는 펌프인 것에 한정되는 것이 아니고, 흡착홀(3733)에 감압을 제공하는 공지의 기재 등으로 다양하게 변형될 수 있다.Referring back to FIG. 7, the adsorption holes 3733 are connected to the vacuum member 3735 by an adsorption line 3734. The vacuum member 3735 may be a pump that depressurizes the adsorption hole 3733. However, the vacuum member 3735 is not limited to being a pump, and may be variously modified into a known substrate that provides a reduced pressure to the adsorption hole 3733.

회전축(3736)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하는 통 형상을 가지도록 제공된다. 회전축(3736)은 지지판(3732)의 저면에 결합된다. 구동기(미도시)는 회전축(3736)에 회전력을 전달한다. 회전축(3736)은 구동기로부터 제공된 회전력에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지판(3732)은 회전축(3736)과 함께 회전 가능하다. 회전축(3736)은 구동기에 의해 그 회전 속도가 조절되어 기판(W)의 회전 속도를 조절 가능하다. 예컨대, 구동기는 모터일 수 있다. 그러나, 구동기는 모터인 것에 한정되는 것이 아니고, 회전축(3736)에 회전력을 제공하는 공지의 기재 등으로 다양하게 변형될 수 있다.The rotation shaft 3736 is provided so as to have a cylindrical shape whose longitudinal direction faces up and down. The rotation shaft 3736 is coupled to the bottom surface of the support plate 3732. The actuator (not shown) transmits rotational force to the rotation shaft 3736. The rotation shaft 3736 is rotatable about a central axis by a rotational force provided from a driver. The support plate 3732 is rotatable together with the rotation shaft 3736. The rotation speed of the rotation shaft 3736 is controlled by a driver, so that the rotation speed of the substrate W can be adjusted. For example, the driver may be a motor. However, the driver is not limited to being a motor, and may be variously modified into a known substrate that provides rotational force to the rotation shaft 3736.

도 9는 도 7의 지지 유닛의 내부 구성을 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 지지 유닛(3730)의 내부에는 제1전극(3741), 제2전극(3742), 그리고 가스 공급 라인(3744)이 제공될 수 있다. 제1전극(3741)은 지지 유닛(3730)의 회전축(3736) 내부 공간에 제공될 수 있다. 제1전극(3741)은 바(Bar) 형상으로 제공될 수 있다. 예컨대, 제1전극(3741)은 원 기둥의 바(Bar) 형상으로 제공될 수 있다. 제1전극(3741)은 도체로 제공될 수 있다. 제1전극(3741)은 전원(3743)에 연결될 수 있다. 제2전극(3742)은 접지될 수 있다. 제2전극(3742)은 내부에 빈 공간이 형성되는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 제1전극(3741)은 제2전극(3742) 내부의 빈 공간에 삽입되는 방식으로 배치될 수 있다. 또한, 제2전극(3742)은 도체로 제공될 수 있다. 9 is a view showing the internal configuration of the support unit of FIG. 7. Referring to FIG. 9, a first electrode 3741, a second electrode 3742, and a gas supply line 3744 may be provided inside the support unit 3730. The first electrode 3741 may be provided in the inner space of the rotation shaft 3736 of the support unit 3730. The first electrode 371 may be provided in a bar shape. For example, the first electrode 3741 may be provided in a bar shape of a circular column. The first electrode 371 may be provided as a conductor. The first electrode 3741 may be connected to the power source 3743. The second electrode 3742 may be grounded. The second electrode 3742 may be provided in a cylindrical shape in which an empty space is formed. The first electrode 371 may be disposed in a manner that is inserted into an empty space inside the second electrode 3742. In addition, the second electrode 3742 may be provided as a conductor.

가스 공급 라인(3744)은 제1전극(3741)과 제2전극(3742)이 이격된 공간에 가스(G)를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(3744)이 공급하는 가스(G)는 비활성 가스 또는 산소 가스이거나, 비활성 가스와 산소 가스가 혼합된 가스일 수 있다. The gas supply line 3744 may supply gas G to a space where the first electrode 371 and the second electrode 3742 are spaced apart. The gas G supplied by the gas supply line 3744 may be an inert gas or oxygen gas, or a gas in which an inert gas and oxygen gas are mixed.

제1전극(3741)과 제2전극(3742)은 일정 거리만큼 이격된다. 또한, 제1전극(3741)과 제2전극(3742)이 이격된 공간에는 가스(G)가 공급된다. 전원(3743)이 제1전극(3741)에 전기 에너지를 인가하면서, 제1전극(3741)과 제2전극(3742) 사이에는 전기장이 형성된다. 이에, 제1전극(3741)과 제2전극(3742) 사이에 공급된 가스(G)는 전자들과 충돌하며, 전자들과 가스(G)의 충돌에 의해 상압 플라즈마가 발생된다. 제1전극(3741)과 제2전극(3742)이 이격된 공간에서 발생된 상압 플라즈마는 지지판(3732)에 형성된 확산 공간(3738)을 거쳐 기판(W)의 저면 중앙 영역으로 공급될 수 있다. 또한, 도 9에서는 도시하지 않았지만, 제1전극(3741)과 제2전극(3742)이 이격된 공간에 마이크로파(Microwave)를 인가하는 마이크로파 인가 부재가 제공될 수 있다. 즉, 마이크로파 인가 부재는 주파수가 매우 높은 마이크로파를 제1전극(3741)과 제2전극(3742)이 이격된 공간에 인가하여, 가스(G)로부터 플라즈마가 발생되는 비율을 더욱 높일 수 있다.The first electrode 371 and the second electrode 3742 are spaced apart by a predetermined distance. In addition, gas G is supplied to a space where the first electrode 371 and the second electrode 3742 are spaced apart. While the power source 3743 applies electrical energy to the first electrode 3741, an electric field is formed between the first electrode 371 and the second electrode 3742. Accordingly, the gas G supplied between the first electrode 371 and the second electrode 3742 collides with electrons, and atmospheric pressure plasma is generated by the collision of the electrons and the gas G. Atmospheric pressure plasma generated in a space where the first electrode 371 and the second electrode 3742 are spaced apart from each other may be supplied to the central region of the bottom surface of the substrate W through the diffusion space 3738 formed on the support plate 3732. In addition, although not shown in FIG. 9, a microwave applying member for applying microwaves to a space where the first electrode 371 and the second electrode 3742 are spaced apart from each other may be provided. That is, the microwave applying member applies microwaves having a very high frequency to a space where the first electrode 371 and the second electrode 3742 are spaced apart from each other, thereby further increasing the rate at which plasma is generated from the gas G.

또한, 제1상압 플라즈마(P1)가 기판(W)의 저면으로 공급되는 면적은 후술하는 제2상압 플라즈마(P2)가 기판의 가장자리 영역에 공급되는 면적보다 넓을 수 있다.In addition, an area in which the first atmospheric pressure plasma P1 is supplied to the bottom surface of the substrate W may be larger than an area in which the second atmospheric pressure plasma P2 to be described later is supplied to the edge region of the substrate.

도 10은 도 7의 처리 유닛을 보여주는 단면도이다. 도10을 참조하면, 처리 유닛(3750)은 기판(W)의 가장자리 영역에 제2상압 플라즈마(P2)를 토출할 수 있다. 처리 유닛(3750)은 바디(3751), 제1플라즈마 토출구(3753), 배기구(3756), 그리고 이동 부재(3757)를 포함할 수 있다.10 is a cross-sectional view showing the processing unit of FIG. 7. Referring to FIG. 10, the processing unit 3750 may discharge the second atmospheric pressure plasma P2 to the edge region of the substrate W. The processing unit 3750 may include a body 3751, a first plasma discharge port 3755, an exhaust port 3756, and a moving member 3573.

바디(3751)에는 기판(W)의 가장자리 영역이 삽입되는 삽입구(3752)가 형성될 수 있다. 즉, 바디(3751)는 정면에서 바라보았을 때 'ㄷ' 형상을 가질 수 있다. 또한, 바디(3751)에는 제1플라즈마 토출구(3753)가 제공될 수 있다. 제1플라즈마 토출구(3753)는 바디(3751)의 내측 하단에 제공되어, 위를 향하는 방향으로 제2상압 플라즈마(P2)를 토출할 수 있다. 즉, 삽입구(3752)에 기판(W)의 가장자리 영역이 삽입되면, 제1플라즈마 토출구(3753)는 기판(W)의 저면 가장자리 영역에 제2상압 플라즈마(P2)를 토출하도록 제공될 수 있다. 도 10에서는 도시하지 않았지만, 제1플라즈마 토출구(3753)에는 지지 유닛(3730)에 제공되는 제1전극(3741), 제2전극(3742), 전원(3743), 그리고 가스 공급 라인(3744) 등의 구성이 동일 또는 유사하게 제공될 수 있다. 또한, 제2상압 플라즈마(P2)가 기판(W)의 가장자리 영역으로 토출되는 면적은 상술한 제1상압 플라즈마(P2)가 기판 저면의 중앙 영역에 공급되는 면적보다 작을 수 있다. 즉, 제2상압 플라즈마(P2)는 기판(W)의 가장자리 영역에 국부적으로 토출될 수 있다.The body 3751 may be provided with an insertion hole 3762 into which an edge region of the substrate W is inserted. That is, the body 3751 may have a'c' shape when viewed from the front. In addition, a first plasma discharge port 3755 may be provided in the body 3751. The first plasma discharge port 3755 is provided at an inner lower end of the body 3751 and may discharge the second atmospheric pressure plasma P2 in an upward direction. That is, when the edge region of the substrate W is inserted into the insertion hole 3762, the first plasma discharge port 373 may be provided to discharge the second atmospheric pressure plasma P2 to the edge region of the bottom surface of the substrate W. Although not shown in FIG. 10, the first plasma discharge port 3755 includes a first electrode 371, a second electrode 3742, a power supply 3743, and a gas supply line 3743 provided to the support unit 3730. The configuration of may be provided identically or similarly. Also, an area in which the second atmospheric pressure plasma P2 is discharged to the edge region of the substrate W may be smaller than the area in which the first atmospheric pressure plasma P2 is supplied to the central region of the bottom surface of the substrate. That is, the second atmospheric pressure plasma P2 may be locally discharged to the edge region of the substrate W.

또한, 바디(3751)에는 배기구(3756)가 제공될 수 있다. 배기구(3756)는 바디(3751)의 내측 측단에 제공될 수 있다. 배기구(3756)는 처리 유닛(3750)이 토출하는 제2상압 플라즈마(P2)에 의해 발생하는 부산물을 배기할 수 있다. 예컨대, 배기구(3756)는 삽입구(3752)에 기판(W)의 가장자리 영역이 삽입되고, 기판(W)의 가장자리 영역에 제2상압 플라즈마(P2)가 토출되어 발생하는 부산물을 배기할 수 있다. 또한, 배기구(3756)에는 배기 라인(미도시)이 연결되고 배기 라인을 통해 부산물을 하우징(3710)의 외부로 배기할 수 있다. In addition, an exhaust port 3756 may be provided in the body 3751. The exhaust port 3756 may be provided at an inner side end of the body 3751. The exhaust port 3756 may exhaust by-products generated by the second atmospheric pressure plasma P2 discharged by the processing unit 3750. For example, the exhaust port 3756 may exhaust by-products generated by inserting the edge region of the substrate W into the insertion hole 3762 and discharging the second atmospheric pressure plasma P2 to the edge region of the substrate W. In addition, an exhaust line (not shown) is connected to the exhaust port 3756, and by-products may be exhausted to the outside of the housing 3710 through the exhaust line.

바디(3751)에는 바디(3751)를 이동시키는 이동 부재(3757)가 연결될 수 있다. 이동 부재(3757)는 바디(3751)를 처리 위치와 대기 위치 간에 이동시킬 수 있다. 여기서 처리 위치는 바디(3751)의 삽입구(3752)에 기판(W)의 가장자리 영역이 삽입되는 위치를 의미할 수 있다. 또한, 대기 위치는 바디(3751)가 기판(W)의 외측으로 이격되는 위치를 의미할 수 있다. 이동 부재(3757)는 바디(3751)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 이동 부재(3757)는 바디(3751)를 수직 방향으로도 이동시킬 수 있다. 이동 부재(3757)는 바디(3751)를 이동시킬 수 있는 구동력을 제공하는 기재로 제공될 수 있다. 예컨대, 이동 부재(3757)는 모터로 제공될 수 있다. 이와 달리, 이동 부재(3757)는 공압 또는 유압을 이용하는 실린더로 제공될 수도 있다. 이동 부재(3757)의 종류는 이에 한정되는 것은 아니고, 바디(3751)를 이동시킬 수 있는 구동력을 제공하는 공지의 기재로 다양하게 변형될 수 있다.A moving member 3573 for moving the body 3751 may be connected to the body 3751. The moving member 3573 may move the body 3751 between the processing position and the standby position. Here, the processing position may mean a position where the edge region of the substrate W is inserted into the insertion hole 3762 of the body 3751. In addition, the standby position may mean a position at which the body 3751 is spaced apart from the outside of the substrate W. The moving member 3573 may move the body 3751 in the horizontal direction. However, the present invention is not limited thereto, and the moving member 3573 may also move the body 3751 in a vertical direction. The moving member 3573 may be provided as a substrate providing a driving force capable of moving the body 3751. For example, the moving member 3573 may be provided as a motor. Alternatively, the moving member 3573 may be provided as a cylinder using pneumatic or hydraulic pressure. The type of the moving member 3573 is not limited thereto, and may be variously modified into a known substrate that provides a driving force capable of moving the body 3751.

다시 도 7을 참조하면, 제어기(3790)는 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 제어기(3790)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(3790)는 반송 유닛(3420), 지지 유닛(3730), 그리고 처리 유닛(3750)을 제어할 수 있다. Referring back to FIG. 7, the controller 3790 may control the substrate processing apparatus. The controller 3790 may control the substrate processing apparatus to perform the substrate processing method described below. For example, the controller 3790 may control the transfer unit 3420, the support unit 3730, and the processing unit 3750.

이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다. 이하에서는 기판(W)에 상압 플라즈마를 공급하여 기판에 부착된 유기물 또는 파티클을 제거하는 것을 예로 들어 설명한다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고, 이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 다양한 공정(예컨대 에칭, 애싱 공정 등)에도 마찬가지로 적용될 수 있다.Hereinafter, a method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention will be described in detail. Hereinafter, an example of removing organic substances or particles attached to the substrate by supplying atmospheric pressure plasma to the substrate W will be described. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate processing method described below may be applied to various processes (eg, etching, ashing, etc.) of processing a substrate using plasma.

또한, 이하에서 설명하는 기판 처리 방법이 수행되는 동안에는 하우징(3710)의 처리 공간(3712)이 상압으로 유지될 수 있다.In addition, while the substrate processing method described below is performed, the processing space 3712 of the housing 3710 may be maintained at atmospheric pressure.

도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 또한, 도 12 내지 도 15는 기판 처리 장치가 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 수행시 구동하는 모습을 보여주는 도면이다. 구체적으로, 도 12는 도 11의 반송 단계(S10)를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이고, 도 13은 도 11의 제1처리 단계(S20)를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 모습이고, 도 14는 도 11의 로딩 단계(S30)를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이고, 도 15는 도 11의 제2처리 단계(S40)를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다. 11 is a flow chart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. In addition, FIGS. 12 to 15 are views illustrating a state in which the substrate processing apparatus is driven when the substrate processing method according to an exemplary embodiment is performed. Specifically, FIG. 12 is a view showing the appearance of the substrate processing apparatus performing the transfer step (S10) of FIG. 11, and FIG. 13 is a view showing the appearance of the substrate processing apparatus performing the first processing step (S20) of FIG. 14 is a view showing a state of the substrate processing apparatus performing the loading step (S30) of FIG. 11, and FIG. 15 is a view showing the state of the substrate processing apparatus performing the second processing step (S40) of FIG. 11 It is a drawing.

도 11 내지 도 15를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 반송 단계(S10), 제1처리 단계(S20), 로딩 단계(S30), 그리고 제2처리 단계(S40)를 포함할 수 있다. 또한, 반송 단계(S10), 제1처리 단계(S20), 로딩 단계(S30), 그리고 제2처리 단계(S40)는 순차적으로 수행될 수 있다.11 to 15, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a transfer step (S10), a first processing step (S20), a loading step (S30), and a second processing step (S40). It may include. In addition, the conveying step (S10), the first processing step (S20), the loading step (S30), and the second processing step (S40) may be sequentially performed.

반송 단계(S10)에는 반송 핸드(A)가 하우징(3710)의 처리 공간(3712)로 기판(W)을 반송할 수 있다. 반송 단계(S10)에는 반송 핸드(A)에 지지된 기판(W)의 중심이 지지 유닛(3730)의 중심과 일치되도록 기판(W)을 반송할 수 있다. 또한, 반송 단계(S10)에는 반송 핸드(A)에 지지된 기판(W)의 지지 유닛(3730)의 상부에 위치되도록 기판(W)을 반송할 수 있다. 또한, 반송 핸드(A)는 기판(W)의 저면 중앙 영역이 외부로 노출되도록 기판(W)을 지지한다. 즉, 반송 핸드(A)에 의해 기판(W)이 지지 유닛(3730)의 상부에 위치되면, 기판(W) 저면의 중앙 영역은 지지 유닛(3730)에 제공되는 플라즈마 공급부(3737)와 대향될 수 있다. In the transfer step S10, the transfer hand A may transfer the substrate W to the processing space 3712 of the housing 3710. In the transfer step S10, the substrate W may be transferred such that the center of the substrate W supported by the transfer hand A coincides with the center of the support unit 3730. In addition, in the conveying step S10, the substrate W may be conveyed to be positioned above the supporting unit 3730 of the substrate W supported by the conveying hand A. Further, the transfer hand A supports the substrate W so that the central region of the bottom surface of the substrate W is exposed to the outside. That is, when the substrate W is positioned above the support unit 3730 by the transfer hand A, the central region of the bottom surface of the substrate W will be opposed to the plasma supply unit 3737 provided to the support unit 3730. I can.

제1처리 단계(S20)에는 반송 핸드(A)에 기판(W)이 지지된 상태에서, 지지 유닛(3730)에 제공되는 플라즈마 공급부(3737)가 제1상압 플라즈마(P1)를 공급할 수 있다. 또한, 제1처리 단계(S20)에는 기판(W)의 중심이 지지 유닛(3730)의 중심과 일치되도록 반송 핸드(A)를 제어할 수 있다. 플라즈마 공급부(3737)가 공급하는 제1상압 플라즈마(P1)는 기판(W)의 저면 중앙 영역으로 공급될 수 있다. 기판(W)의 저면 중앙 영역으로 공급되는 제1상압 플라즈마(P1)는 기판(W)의 저면에 부착된 유기 물질 또는 파티클(Particle) 등과 화학적으로 반응할 수 있다. 즉, 제1상압 플라즈마(P1)에 포함된 라디칼(Radical)이 기판(W)에 부착된 유기 물질 또는 파티클(Particle) 등을 기화시킬 수 있다. 이에, 기판(W)에 부착된 유기 물질 또는 파티클(Particle) 등이 제거될 수 있다.In the first processing step S20, while the substrate W is supported on the transfer hand A, the plasma supply unit 3737 provided to the support unit 3730 may supply the first atmospheric pressure plasma P1. In addition, in the first processing step S20, the transfer hand A may be controlled so that the center of the substrate W coincides with the center of the support unit 3730. The first atmospheric pressure plasma P1 supplied by the plasma supply unit 3737 may be supplied to the central region of the bottom surface of the substrate W. The first atmospheric pressure plasma P1 supplied to the central region of the lower surface of the substrate W may chemically react with an organic material or particles attached to the lower surface of the substrate W. That is, radicals included in the first atmospheric pressure plasma P1 may vaporize organic materials or particles attached to the substrate W. Accordingly, organic materials or particles attached to the substrate W may be removed.

로딩 단계(S30)에는 반송 핸드(A)가 기판(W)을 지지 유닛(3730)에 로딩(안착)시킬 수 있다. 지지 유닛(3730)에 기판(W)이 로딩되면, 제어기(3790)는 이동 부재(3757)를 구동하는 제어 신호를 출력할 수 있다.In the loading step S30, the transfer hand A may load (seat) the substrate W on the support unit 3730. When the substrate W is loaded on the support unit 3730, the controller 3790 may output a control signal for driving the moving member 3573.

제2처리 단계(S40)에는 이동 부재(3757)가 대기 위치에 있던 바디(3751)를 처리 위치로 이동시킬 수 있다. 제2처리 단계(S40)에는 바디(3751)가 처리 위치로 이동되면서, 바디(3751)의 삽입구(3752)에 기판(W)의 가장자리 영역이 삽입된다. 바디(3751)의 삽입구(3752)에 기판(W)의 가장자리 영역이 삽입되면, 지지 유닛(3730)은 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판(W)이 회전되면 처리 유닛(3750)의 제1플라즈마 토출구(3753)는 기판(W)의 가장자리 영역으로 제2상압 플라즈마(P2)를 토출할 수 있다. 예컨대, 제1플라즈마 토출구(3753)는 기판(W) 저면의 가장자리 영역으로 제2상압 플라즈마(P2)를 토출할 수 있다. 기판(W) 저면의 가장자리 영역으로 공급되는 제2상압 플라즈마(P2)는 기판(W)의 저면에 부착된 유기 물질 또는 파티클(Particle) 등과 화학적으로 반응할 수 있다. 즉, 제2상압 플라즈마(P2)에 포함된 라디칼(Radical)이 기판(W)에 부착된 유기 물질 또는 파티클(Particle) 등을 기화시킬 수 있다. 이에, 기판(W)에 부착된 유기 물질 또는 파티클(Particle) 등이 제거될 수 있다. 또한, 제2상압 플라즈마(P2)가 기판(W)의 가장자리 영역으로 토출되어 발생되는 부산물은 배기구(3756)를 통해 하우징(3710)의 외부로 배기될 수 있다.In the second processing step S40, the body 3751 in the standby position of the moving member 3573 may be moved to the processing position. In the second processing step (S40 ), while the body 3751 is moved to the processing position, the edge region of the substrate W is inserted into the insertion hole 3762 of the body 3751. When the edge region of the substrate W is inserted into the insertion hole 3762 of the body 3751, the support unit 3730 may rotate the substrate W. When the substrate W is rotated, the first plasma discharge port 3755 of the processing unit 3750 may discharge the second atmospheric pressure plasma P2 to the edge region of the substrate W. For example, the first plasma discharge port 3755 may discharge the second atmospheric pressure plasma P2 to the edge region of the bottom surface of the substrate W. The second atmospheric pressure plasma P2 supplied to the edge region of the bottom surface of the substrate W may chemically react with an organic material or particles attached to the bottom surface of the substrate W. That is, radicals included in the second atmospheric pressure plasma P2 may vaporize organic materials or particles attached to the substrate W. Accordingly, organic materials or particles attached to the substrate W may be removed. In addition, by-products generated by the second atmospheric pressure plasma P2 being discharged to the edge region of the substrate W may be exhausted to the outside of the housing 3710 through the exhaust port 3756.

일반적으로, 기판 저면을 세정하는 공정은 브러쉬(Brush) 등의 기재를 기판과 접촉시키는 물리적 방식으로 기판 저면을 세정한다. 그러나 이러한 방식은 기판으로부터 분리된 파티클(Particle) 등이 기판에 재부착될 수 있으며, 불필요한 유기 막질을 제거하는데 효율적이지 않다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면 상압 플라즈마를 기판(W)으로 토출하여 기판(W)에 부착된 유기 물질 또는 파티클(Particle) 등을 제거할 수 있다. 플라즈마는 원자나 분자에서 전자가 분리되어 전자와 이온들이 존재하는 상태를 의미하고, 화학적으로 반응성이 큰 매개체이다. 이에, 기판(W)에 부착된 유기 물질 또는 파티클(Particle) 등과 쉽게 반응할 수 있고, 유기 물질 또는 파티클(Particle) 등을 기판(W)으로부터 쉽게 제거할 수 있다. In general, in the process of cleaning the bottom of the substrate, the bottom of the substrate is cleaned in a physical manner in which a substrate such as a brush is brought into contact with the substrate. However, in this method, particles, etc. separated from the substrate may be reattached to the substrate, and it is not efficient to remove unnecessary organic film. However, according to an embodiment of the present invention, an atmospheric pressure plasma may be discharged to the substrate W to remove organic materials or particles attached to the substrate W. Plasma refers to a state in which electrons and ions exist because electrons are separated from an atom or molecule, and is a chemically highly reactive medium. Accordingly, it is possible to easily react with an organic material or particle attached to the substrate W, and an organic material or particle can be easily removed from the substrate W.

또한, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 일반적인 장치에서는, 플라즈마가 공급되는 챔버의 내부를 진공으로 유지하거나, 진공에 가까운 압력으로 유지한다. 챔버 내부를 진공으로 유지하기 위해서 요구되는 구성들로, 그 구조가 매우 복잡해지고, 챔버 또한 대형화 된다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판(W)에 부착하는 유기 물질 또는 파티클(Particle)을 제거하는데 있어서, 상압 플라즈마를 이용한다. 또한, 하우징(3710)의 내부 공간은 상압으로 유지될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예는, 하우징(3710)의 내부 공간을 진공으로 유지하는데 필요한 구성들이 생략되므로 세정 챔버(3700)를 소형화 할 수 있다. 또한, 세정 챔버(3700)의 제작 비용을 최소화 할 수 있다.In addition, in a general apparatus for processing a substrate using plasma, the interior of a chamber to which plasma is supplied is maintained under vacuum or at a pressure close to the vacuum. With the configurations required to keep the inside of the chamber in a vacuum, the structure becomes very complex, and the chamber is also enlarged. However, according to an embodiment of the present invention, in removing organic materials or particles adhering to the substrate W, atmospheric pressure plasma is used. In addition, the inner space of the housing 3710 may be maintained under normal pressure. That is, in an exemplary embodiment of the present invention, components necessary for maintaining the internal space of the housing 3710 in a vacuum are omitted, so that the cleaning chamber 3700 can be miniaturized. In addition, it is possible to minimize the manufacturing cost of the cleaning chamber 3700.

또한, 척(Chuck)에 지지된 기판을 회전시키고, 기판의 저면에 레이저 또는 오존(Ozone) 등을 공급하여 기판의 저면을 세정하는 방안은 기판 저면의 중앙 영역이 세정되기 어려운 문제가 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판(W)이 반송 핸드(A)에 지지된 상태에서, 지지 유닛(3730)이 기판(W) 저면의 중앙 영역에 상압 플라즈마를 공급하므로, 기판(W) 저면의 중앙 영역을 세정하는 것이 가능하다.In addition, the method of cleaning the bottom of the substrate by rotating a substrate supported by a chuck and supplying a laser or ozone to the bottom of the substrate has a problem that it is difficult to clean the central region of the bottom of the substrate. However, according to an embodiment of the present invention, in a state in which the substrate W is supported by the transfer hand A, the support unit 3730 supplies atmospheric pressure plasma to the central region of the bottom of the substrate W, so that the substrate ( W) It is possible to clean the central area of the bottom surface.

상술한 예에서는, 바디(3751)에 제1플라즈마 토출구(3754)와 배기구(3756)가 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 16에 도시된 바와 같이 바디(3751)에는 기판(W)의 상면 가장자리 영역에 제2상압 플라즈마(P2)를 토출하도록 제공되는 제2플라즈마 토출구(3754)가 제공될 수 있다. 제2플라즈마 토출구(3754)는 바디(3751)의 내측 상단에 제공될 수 있다. 또한, 제2플라즈마 토출구(3754)는 아래를 향하는 방향으로 제2상압 플라즈마(P2)를 토출할 수 있다. 즉, 삽입구(3752)에 기판(W)의 가장자리 영역이 삽입되면, 제2플라즈마 토출구(3754)는 기판(W)의 상면 가장자리 영역에 제2상압 플라즈마(P2)를 토출하도록 제공될 수 있다. 제2플라즈마 토출구(3754)의 구성 및 기능은 상술한 내용을 제외하고 제1플라즈마 토출구(3753)와 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.In the above-described example, the first plasma discharge port 3754 and the exhaust port 3756 are provided in the body 3751 as an example, but the present disclosure is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 16, the body 3751 may be provided with a second plasma discharge port 3754 that is provided to discharge the second atmospheric pressure plasma P2 to the edge region of the upper surface of the substrate W. The second plasma discharge port 3754 may be provided at an inner upper end of the body 3751. In addition, the second plasma discharge port 3754 may discharge the second atmospheric pressure plasma P2 in a downward direction. That is, when the edge region of the substrate W is inserted into the insertion hole 3762, the second plasma discharge port 3754 may be provided to discharge the second atmospheric pressure plasma P2 to the edge region of the upper surface of the substrate W. Since the configuration and function of the second plasma discharge port 3754 is the same as or similar to the first plasma discharge port 3755 except for the above description, a detailed description will be omitted.

상술한 예에서는, 바디(3751)에 제1플라즈마 토출구(3754)와 배기구(3756)가 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 17에 도시된 바와 같이 바디(3751)에는 기판(W)의 상면 가장자리 영역에 레이저(L)를 조사하도록 제공되는 레이저 조사 부재(3755)가 제공될 수 있다. 레이저 조사 부재(3755)는 바디(3751)의 내측 상단에 제공될 수 있다. 또한, 레이저 조사 부재(3755)는 아래를 향하는 방향으로 레이저(L)를 조사할 수 있다. 즉, 삽입구(3752)에 기판(W)의 가장자리 영역이 삽입되면, 레이저 조사 부재(3755)는 기판(W)의 상면 가장자리 영역에 레이저(L)를 조사하도록 제공될 수 있다. 또한, 레이저(L)는 기판(W) 상에 제공되는 막질을 제거할 수 있다. 또한, 레이저 조사 부재(3755)가 조사하는 레이저(L)는 복수의 단위 펄스 레이저 형태로 조사될 수 있다.In the above-described example, the first plasma discharge port 3754 and the exhaust port 3756 are provided in the body 3751 as an example, but the present disclosure is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 17, a laser irradiation member 3755 may be provided on the body 3751 to irradiate the laser L to the edge region of the upper surface of the substrate W. The laser irradiation member 3755 may be provided on the inner upper end of the body 3751. Further, the laser irradiation member 3755 can irradiate the laser L in a downward direction. That is, when the edge region of the substrate W is inserted into the insertion hole 3762, the laser irradiation member 3755 may be provided to irradiate the laser L to the edge region of the upper surface of the substrate W. In addition, the laser L may remove film quality provided on the substrate W. In addition, the laser L irradiated by the laser irradiation member 3755 may be irradiated in the form of a plurality of unit pulse lasers.

상술한 예에서는, 제1처리 단계(S10)를 수행시 기판(W)의 중심이 지지 유닛(3730)의 중심과 일치되도록 반송 핸드(A)를 제어하는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1처리 단계(S10)를 수행시 반송 핸드(A)가 기판(W)을 수평 방향으로 반복 이동시켜, 기판(W) 저면의 더 넓은 영역을 세정할 수 있다.In the above-described example, it has been described as an example of controlling the transfer hand A so that the center of the substrate W coincides with the center of the support unit 3730 when performing the first processing step S10, but is not limited thereto. . For example, when performing the first processing step S10, the transfer hand A may repeatedly move the substrate W in the horizontal direction, thereby cleaning a wider area of the bottom surface of the substrate W.

상술한 예에서는, 세정 챔버(3700)의 크기가 액처리 챔버(3600)와 동일한 것으로 도시하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 세정 챔버(3700)는 액처리 챔버(3600)보다 작은 크기로 제공될 수 있다.In the above-described example, the cleaning chamber 3700 has the same size as the liquid processing chamber 3600, but is not limited thereto. The cleaning chamber 3700 may be provided with a size smaller than that of the liquid processing chamber 3600.

상술한 예에서는, 세정 챔버(3700)가 현상 블럭(30b)에 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니고, 세정 챔버(3700)는 도포 블럭(30a)에 제공되거나, 도포 블럭(30a) 및 현상 블록(30b) 모두에 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described as an example that the cleaning chamber 3700 is provided in the developing block 30b, but is not limited thereto, and the cleaning chamber 3700 is provided in the coating block 30a or the coating block 30a And the developing block 30b.

상술한 예에서는, 세정 챔버(3700)가 현상 공정, 그리고 도포 공정 등을 수행하는 기판 처리 장치에 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 세정 챔버(3700)는 회전하는 기판(W)으로 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described as an example that the cleaning chamber 3700 is provided in a substrate processing apparatus that performs a developing process and a coating process, but is not limited thereto. For example, the cleaning chamber 3700 may be provided to a substrate processing apparatus that performs a cleaning process by supplying a cleaning solution to the rotating substrate W.

상술한 예에서는, 반송 단계(S10), 제1처리 단계(S20), 로딩 단계(S30), 그리고 제2처리 단계(S40)는 순차적으로 수행되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제2처리 단계(S40)가 먼저 수행된 이후, 제1처리 단계(S20)가 수행될 수 있다. In the above-described example, the conveying step (S10), the first processing step (S20), the loading step (S30), and the second processing step (S40) has been described as an example that is sequentially performed, but is not limited thereto. For example, after the second processing step S40 is performed first, the first processing step S20 may be performed.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시 예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구 범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

3700 : 세정 챔버
3710 : 하우징
3730 : 지지 유닛
3750 : 처리 유닛
3790 : 제어기
S10 : 반송 단계
S20 : 제1처리 단계
S30 : 로딩 단계
S40 : 제2처리 단계3700: cleaning chamber
3710: housing
3730: support unit
3750: processing unit
3790: controller
S10: Return step
S20: first processing step
S30: loading stage
S40: second processing step

Claims (16)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
상압인 처리 공간을 가지는 하우징과;
상기 처리 공간으로 기판을 반송하고, 기판의 저면 중앙 영역이 외부로 노출되도록 기판을 지지하는 반송 핸드와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하고, 기판의 저면 중앙 영역에 제1상압 플라즈마를 공급하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역에 제2상압 플라즈마를 토출하는 처리 유닛과;
제어기를 포함하되,
상기 처리 유닛은,
상기 기판의 가장자리 영역이 삽입되는 삽입구가 형성된 바디와;
상기 바디에 제공되고, 상기 제2상압 플라즈마를 토출하는 제1플라즈마 토출구와;
상기 바디의 삽입구에 기판의 가장자리 영역이 삽입되는 처리 위치와 상기 바디가 기판의 외측으로 이격되는 대기 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 반송 핸드가 상기 지지 유닛의 상부에서 기판을 지지한 상태에서 상기 지지 유닛이 상기 제1상압 플라즈마를 공급하고,
상기 지지 유닛에 기판이 놓이면, 상기 바디를 상기 처리 위치로 이동시켜 상기 처리 유닛이 회전되는 기판의 가장자리 영역으로 상기 제2상압 플라즈마를 토출하도록 상기 반송 핸드와 상기 지지 유닛 그리고 상기 처리 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A housing having an atmospheric pressure processing space;
A transfer hand for transferring the substrate to the processing space and supporting the substrate so that a central region of the bottom surface of the substrate is exposed to the outside;
A support unit supporting a substrate in the processing space and supplying a first atmospheric pressure plasma to a central region of a bottom surface of the substrate;
A processing unit that discharges a second atmospheric pressure plasma to an edge region of the substrate supported by the support unit;
Including a controller,
The processing unit,
A body having an insertion hole into which an edge region of the substrate is inserted;
A first plasma discharge port provided on the body and discharging the second atmospheric pressure plasma;
A moving member for moving between a processing position in which the edge region of the substrate is inserted into the insertion hole of the body and a standby position in which the body is spaced apart from the outside of the substrate,
The controller,
The support unit supplies the first atmospheric pressure plasma while the transfer hand supports the substrate above the support unit,
When the substrate is placed on the support unit, the transfer hand, the support unit, and the processing unit are controlled to discharge the second atmospheric pressure plasma to the edge region of the substrate where the processing unit is rotated by moving the body to the processing position. Substrate processing apparatus. 제1항에 있어서,
상기 지지 유닛은,
상기 기판의 저면을 지지하는 지지판과;
상기 지지판의 저면에 결합되어 상기 지지판을 회전시키는 회전축을 포함하되,
상기 지지판에는,
상부에서 바라볼 때, 상기 지지판의 센터 영역에는 상기 제1상압 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급부가 제공되고, 상기 지지판의 에지 영역에는 상기 기판을 흡착하는 흡착홀이 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The support unit,
A support plate supporting a bottom surface of the substrate;
It is coupled to the bottom of the support plate and includes a rotation shaft for rotating the support plate,
In the support plate,
When viewed from above, a plasma supply unit for supplying the first atmospheric pressure plasma is provided in a center region of the support plate, and an adsorption hole for adsorbing the substrate is formed in an edge region of the support plate. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1플라즈마 토출구는 상기 삽입구에 삽입된 기판의 저면 가장자리 영역에 상기 제2상압 플라즈마를 토출하도록 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The first plasma discharge port is provided to discharge the second atmospheric pressure plasma to an edge region of a bottom surface of the substrate inserted into the insertion port. 제4항에 있어서,
상기 처리 유닛은,
상기 바디에 제공되고, 상기 처리 유닛이 토출하는 상기 제2상압 플라즈마에 의해 발생하는 부산물을 배기하는 배기구를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The processing unit,
A substrate processing apparatus including an exhaust port provided on the body and configured to exhaust by-products generated by the second atmospheric pressure plasma discharged by the processing unit. 제4항에 있어서,
상기 처리 유닛은,
상기 바디에 제공되고, 상기 삽입구에 삽입된 기판의 상면 가장자리 영역에 상기 제2상압 플라즈마를 토출하도록 제공되는 제2플라즈마 토출구를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The processing unit,
A substrate processing apparatus comprising a second plasma discharge port provided in the body and provided to discharge the second atmospheric pressure plasma to an edge region of an upper surface of the substrate inserted into the insertion port. 제4항에 있어서,
상기 처리 유닛은,
상기 바디에 제공되고, 상기 삽입구에 삽입된 기판의 상면 가장자리 영역에 레이저를 조사하도록 제공되는 레이저 조사 부재를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The processing unit,
A substrate processing apparatus comprising a laser irradiation member provided on the body and provided to irradiate a laser to an edge region of an upper surface of a substrate inserted into the insertion hole. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 제1상압 플라즈마 공급 시에는 상기 바디를 상기 대기 위치로 이동시키고,
상기 제2상압 플라즈마 공급 시에는 상기 바디를 상기 처리 위치로 이동시키도록 상기 반송 핸드, 상기 지지 유닛, 그리고 상기 처리 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The controller,
When the first atmospheric pressure plasma is supplied, the body is moved to the standby position,
When the second atmospheric pressure plasma is supplied, the transfer hand, the support unit, and the processing unit are controlled to move the body to the processing position. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 반송 핸드가 상기 처리 공간으로 상기 기판을 반송하여, 상기 기판을 상기 지지 유닛의 상부로 이동시키는 반송 단계와;
상기 반송 핸드에 상기 기판이 지지된 상태에서 상기 지지 유닛이 기판의 저면 중앙 영역으로 상기 제1상압 플라즈마를 공급하는 제1처리 단계와;
상기 반송 핸드가 상기 기판을 상기 지지 유닛에 기판을 로딩하는 로딩 단계와;
상기 처리 유닛이 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 제2상압 플라즈마를 토출하는 제2처리 단계를 포함하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1,
A conveying step of the conveying hand conveying the substrate to the processing space and moving the substrate to an upper portion of the support unit;
A first processing step of supplying the first atmospheric pressure plasma to a central region of a bottom surface of the substrate by the support unit while the substrate is supported by the transfer hand;
A loading step in which the transfer hand loads the substrate onto the support unit;
And a second processing step in which the processing unit discharges the second atmospheric pressure plasma to an edge region of the substrate. 제11항에 있어서,
상기 반송 단계, 상기 제1처리 단계, 그리고 상기 로딩 단계에는 상기 바디를 대기 위치로 이동시키고,
상기 제2처리 단계에는 상기 바디를 처리 위치로 이동시키되,
상기 대기 위치는 상기 바디가 상기 기판의 외측으로 이격된 위치이고,
상기 처리 위치는 상기 기판의 가장자리 영역이 상기 바디의 삽입구에 삽입된 위치인 기판 처리 방법.The method of claim 11,
In the conveying step, the first processing step, and the loading step, the body is moved to a standby position,
In the second processing step, the body is moved to a processing position,
The standby position is a position where the body is spaced apart from the outside of the substrate,
The processing position is a position in which an edge region of the substrate is inserted into an insertion hole of the body. 제12항에 있어서,
상기 제1상압 플라즈마가 상기 기판의 저면 중앙 영역에 공급되는 면적은 상기 제2상압 플라즈마가 상기 기판의 가장자리 영역에 공급되는 면적보다 넓은 기판 처리 방법.The method of claim 12,
A substrate processing method in which an area in which the first atmospheric pressure plasma is supplied to a central region of a bottom surface of the substrate is larger than an area in which the second atmospheric pressure plasma is supplied to an edge region of the substrate. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판의 저면 중앙 영역이 외부로 노출되도록 기판을 지지하는 반송 핸드가 상기 기판을 지지한 상태에서, 상기 기판을 지지하는 지지 유닛이 상기 기판의 저면 중앙 영역으로 제1상압 플라즈마를 공급하되,
상기 제1상압 플라즈마가 공급된 이후, 상기 기판을 상기 지지 유닛에 안착 및 회전시키고,
상기 기판의 가장자리 영역에 삽입되는 삽입구를 가지고, 제2상압 플라즈마를 공급하는 제1플라즈마 토출구가 제공되는 바디가 이동하여, 상기 기판의 가장자리 영역이 상기 삽입구에 삽입되고,
상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 제1플라즈마 토출구가 상기 제2상압 플라즈마를 토출하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
In a state in which a transfer hand supporting the substrate supports the substrate so that the central region of the bottom surface of the substrate is exposed to the outside, a support unit supporting the substrate supplies a first atmospheric pressure plasma to the central region of the bottom surface of the substrate,
After the first atmospheric pressure plasma is supplied, the substrate is seated and rotated on the support unit,
A body having an insertion hole inserted into an edge region of the substrate and provided with a first plasma discharge opening supplying a second atmospheric pressure plasma is moved so that the edge region of the substrate is inserted into the insertion opening,
The substrate processing method in which the first plasma discharge port discharges the second atmospheric pressure plasma to an edge region of the substrate. 삭제delete 제14항에 있어서,
상기 제2상압 플라즈마는 상기 기판의 저면 가장자리 영역으로 토출되고,
상기 제1상압 플라즈마가 상기 기판의 저면 중앙 영역에 공급되는 면적은 상기 제2상압 플라즈마가 상기 기판의 가장자리 영역에 공급되는 면적보다 넓은 기판 처리 방법.The method of claim 14,
The second atmospheric pressure plasma is discharged to an edge region of the bottom surface of the substrate,
A substrate processing method in which an area in which the first atmospheric pressure plasma is supplied to a central region of a bottom surface of the substrate is larger than an area in which the second atmospheric pressure plasma is supplied to an edge region of the substrate.
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