KR20180054945A - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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이종석
조순천
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a substrate treating apparatus and a substrate treating method. The substrate treating apparatus according to one embodiment of the present invention comprises: a process chamber for treating a substrate, and having an aperture for providing a passage through which the substrate is introduced or discharged; a transfer chamber for introducing or discharging the substrate into or from the process chamber; a process chamber door for opening and closing the aperture; and a curtain nozzle located adjacent to the aperture, and injecting a curtain fluid to a direction intersecting with respect to a horizontal direction in which the substrate is transferred through the aperture.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다.In order to manufacture a semiconductor device, a substrate is subjected to various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning to form a desired pattern on the substrate.

이 같은 기판은 처리는 공정 챔버에서 수행된다. 이 중 건식식각, 증착, 애싱 공정 등을 수행하는 공정 챔버는 플라스마를 이용할 수 있다. 일반적으로 플라스마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라스마 상태로 여기 시킨다. 또한, 공정 챔버는 케미컬 등과 같은 처리액을 통해 기판을 처리 할 수 있다. 공정 챔버에서 처리될 기판은 트랜스퍼 챔버를 통해 공정 챔버로 반입되고, 공정 처리가 완료된 기판은 공정 챔버에서 트랜스퍼 챔버로 반출된다.In such a substrate, the treatment is carried out in the process chamber. Plasma can be used as a process chamber for performing dry etching, vapor deposition, and ashing process. Generally, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in an inner space of a chamber, and an electromagnetic field excites a process gas provided in the chamber into a plasma state. In addition, the process chamber can process the substrate through a process liquid such as a chemical or the like. The substrate to be processed in the process chamber is transferred into the process chamber through the transfer chamber, and the processed substrate is transferred from the process chamber to the transfer chamber.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 파티클에 의한 기판의 오염이 방지되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which contamination of a substrate by particles is prevented.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 처리하고, 상기 기판이 반입 또는 반출되는 경로를 제공하는 개구를 갖는 공정 챔버; 상기 공정 챔버로 상기 기판을 반입 또는 반출하는 트랜스퍼 챔버; 상기 개구를 개폐하는 공정 챔버 도어; 및 상기 개구에 인접하게 위치되고, 상기 개구를 통해 상기 기판이 이송되는 방향인 좌우 방향에 대해 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하는 커튼 노즐을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber comprising: a processing chamber having an opening for processing a substrate and providing a path through which the substrate is loaded or unloaded; A transfer chamber for transferring the substrate into or out of the process chamber; A process chamber door for opening and closing said opening; And a curtain nozzle positioned adjacent to the opening, the curtain nozzle ejecting the curtain fluid in a direction intersecting with the left-right direction in which the substrate is transported through the opening.

또한, 상기 커튼 노즐은 슬릿 형상으로 제공될 수 있다.Further, the curtain nozzle may be provided in a slit shape.

또한, 상기 커튼 노즐은 상기 개구의 폭 방향과 나란하게 위치될 수 있다.Further, the curtain nozzle may be positioned in parallel with the width direction of the opening.

또한, 상기 트랜스퍼 챔버는, 몸체; 및 상기 몸체의 내측에 위치되어 상기 기판을 이송하는 반송 로봇을 포함하고, 상기 커튼 노즐을 상기 몸체의 내면에 위치될 수 있다.The transfer chamber may further include: a body; And a transport robot positioned inside the body to transport the substrate, wherein the curtain nozzle can be positioned on the inner surface of the body.

또한, 상기 커튼 노즐은, 상기 커튼 유체를 상기 개구 방향으로 분사하도록 제공될 수 있다.Further, the curtain nozzle may be provided to jet the curtain fluid in the opening direction.

또한, 상기 커튼 노즐은, 상기 커튼 유체를 마주보는 상기 몸체의 일면을 향해 분사하도록 제공될 수 있다.In addition, the curtain nozzle may be provided to eject the curtain fluid toward one side of the body facing the curtain fluid.

또한, 상기 몸체에는 상기 커튼 노즐과 마주보는 면에 커튼 배기홀이 형성될 수 있다.In addition, the body may be provided with a curtain vent hole on a surface facing the curtain nozzle.

또한, 상기 커튼 노즐은, 서로 이격 되게 위치되는 한 쌍의 전극; 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 위치되는 유전체를 포함할 수 있다.The curtain nozzle includes a pair of electrodes spaced apart from each other; And a dielectric disposed between the pair of electrodes.

본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 기판이 처리되는 공정 챔버에서 상기 기판이 이동하는 경로를 제공하는 개구를 개방한 상태로, 상기 개구에 인접한 위치에서 상기 기판이 이동하는 경로인 좌우 방향에 대해 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: opening an opening to provide a path through which the substrate moves in a process chamber in which the substrate is processed; A method of processing a substrate for spraying a curtain fluid may be provided.

또한, 상기 커튼 유체는 상기 공정 챔버의 외부에서 상기 개구를 향해 분사될 수 있다.In addition, the curtain fluid may be ejected from the exterior of the process chamber toward the opening.

또한, 상기 커튼 유체는 플라즈마 상태로 분사될 수 있다.In addition, the curtain fluid may be injected in a plasma state.

또한, 상기 개구가 개방된 상태의 상기 공정 챔버는 하우징에 형성된 배기홀을 통해 배출되는 상태로 제공될 수 있다.In addition, the process chamber in which the opening is opened may be provided to be discharged through an exhaust hole formed in the housing.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 공정 챔버 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a process chamber and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 파티클에 의한 기판의 오염이 방지되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which contamination of a substrate by particles is prevented can be provided.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도어가 개방되어 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이의 통로가 개방된 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 커튼 노즐에서 커튼 유체가 분사되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 커튼 노즐이 제공된 상태의 트랜스퍼 챔버를 나타내는 도면이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 커튼 노즐의 단면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a state in which a door is opened and a passage between a process chamber and a transfer chamber is opened;
3 is a view showing a state in which a curtain fluid is sprayed from a curtain nozzle.
4 is a view showing a transfer chamber in a state in which a curtain nozzle according to another embodiment is provided.
5 is a cross-sectional view of a curtain nozzle according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM, 10)과 공정 처리실(20)를 포함한다. 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)은 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)이 배열된 방향을 제1방향(X)이라 정의하고, 위쪽에서 바라볼 때 제 1 방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an equipment front end module (EFEM) 10 and a processing chamber 20. The facility front end module (EFEM) 10 and the process chamber 20 are arranged in one direction. A direction in which the facility front end module (EFEM) 10 and the process chamber 20 are arranged is defined as a first direction X and a direction perpendicular to the first direction X as viewed from above is defined as a second direction Direction (Y).

설비 전방 단부 모듈(10)은 공정 처리실(20) 전방에 장착되며, 기판이 수납된 캐리어(16)와 공정 처리실(20) 간에 기판(W)을 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(10)은 로드 포트(12)와 프레임(14)을 포함한다.The facility front end module 10 is mounted in front of the processing chamber 20 and transports the substrate W between the carrier 16 in which the substrate is housed and the processing chamber 20. The facility front end module 10 includes a load port 12 and a frame 14. [

로드 포트(12)는 프레임(14) 전방에 배치되며, 복수 개 제공된다. 로드 포트(12)들은 서로 이격하여 제2방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 캐리어(16)(예를 들어, 카세트, FOUP 등)는 로드 포트(12)들에 각각 안착된다. 캐이어(16)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. The load port 12 is disposed in front of the frame 14, and a plurality of load ports 12 are provided. The load ports 12 are arranged in a line along the second direction 2 away from each other. The carrier 16 (e.g., cassette, FOUP, etc.) is seated in the load ports 12, respectively. The cassette 16 contains a substrate W to be supplied to the process and a substrate W to which the process is completed.

프레임(14)은 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22) 사이에 배치된다. 프레임(14) 내부에는 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22)간에 기판(W)을 이송하는 이송로봇(18)이 배치된다. 이송로봇(18)은 제2방향(Y)으로 구비된 이송레일(19)을 따라 이동 가능하다.The frame 14 is disposed between the load port 12 and the load lock chamber 22. A transfer robot 18 for transferring the substrate W between the load port 12 and the load lock chamber 22 is disposed in the frame 14. [ The transfer robot 18 is movable along the transfer rail 19 provided in the second direction Y. [

공정처리실(20)은 로드락 챔버(22), 트랜스퍼 챔버(24), 그리고 복수 개의 공정 챔버(30)를 포함한다.The process chamber 20 includes a load lock chamber 22, a transfer chamber 24, and a plurality of process chambers 30.

로드락 챔버(22)는 트랜스퍼 챔버(24)와 프레임(14) 사이에 배치되며, 공정에 제공될 기판(W)이 공정 챔버(30)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 캐리어(16)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(22)는 하나 또는 복수 개 제공될 수 있다. 실시 예에 의하면, 로드락 챔버(22)는 두 개 제공된다. 하나의 로드락 챔버(22)에는 공정 처리를 위해 공정 챔버(30)로 제공되는 기판(W)이 수납되고, 다른 하나의 로드락 챔버(22)에는 공정 챔버(30)에서 공정이 완료된 기판(W)이 수납될 수 있다.The load lock chamber 22 is disposed between the transfer chamber 24 and the frame 14 and is connected to the substrate W before the substrate W to be supplied to the process is transferred to the process chamber 30, To be conveyed to the carrier (16). One or a plurality of load lock chambers 22 may be provided. According to the embodiment, two load lock chambers 22 are provided. One of the load lock chambers 22 houses a substrate W supplied to the process chamber 30 for processing and another load lock chamber 22 accommodates substrates W) can be accommodated.

트랜스퍼 챔버(24)는 제1방향(X)을 따라 로드락 챔버(22)의 후방에 배치되며, 상부에서 바라볼 때 다각형의 몸체(25)를 갖는다. 몸체(25)의 외측에는 로드락 챔버(22)들과 복수 개의 공정 챔버(30)들이 몸체(25)의 둘레를 따라 배치된다. 실시 예에 의하면, 트랜스퍼 챔버(24)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 설비 전방 단부 모듈(10)과 인접한 두 측벽에는 로드락 챔버(22)가 각각 배치되고, 나머지 측벽에는 공정 챔버(30)들이 배치된다. 몸체(25)의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성된다. 통로는 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22) 간에, 또는 트랜스퍼 챔버(24)와 공정 챔버(30) 간에 기판(W)이 출입하는 공간을 제공한다. 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22)사이의 통로에는 로드락 도어가 위치된다. 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22)사이의 통로에는 공정 챔버 도어(28)가 위치된다. 트랜스퍼 챔버(24)는 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형상으로 제공될 수 있다.The transfer chamber 24 is disposed rearwardly of the load lock chamber 22 along the first direction X and has a polygonal body 25 as viewed from the top. On the outside of the body 25, load lock chambers 22 and a plurality of process chambers 30 are disposed along the circumference of the body 25. [ According to the embodiment, the transfer chamber 24 has a pentagonal body when viewed from the top. A load lock chamber 22 is disposed on each of the two sidewalls adjacent to the facility front end module 10, and process chambers 30 are disposed on the remaining sidewalls. On the respective side walls of the body 25, passages (not shown) through which the substrate W enters and exits are formed. The passageway provides a space for transfer of the substrate W between the transfer chamber 24 and the load lock chamber 22 or between the transfer chamber 24 and the process chamber 30. [ A load lock door is located in the path between the transfer chamber 24 and the load lock chamber 22. A process chamber door 28 is located in the passage between the transfer chamber 24 and the load lock chamber 22. The transfer chamber 24 may be provided in various shapes depending on the required process module.

트랜스퍼 챔버(24)의 내부에는 반송로봇(26)이 배치된다. 반송로봇(26)은 로드락 챔버(22)에서 대기하는 미처리 기판(W)을 공정 챔버(30)로 이송하거나, 공정 챔버(30)에서 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(22)로 이송한다. 반송 로봇(26)은 공정 챔버(30)들에 순차적으로 기판(W)을 제공할 수 있다.A transfer robot (26) is disposed inside the transfer chamber (24). The transfer robot 26 transfers the unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 22 to the process chamber 30 or transfers the substrate W processed in the process chamber 30 to the load lock chamber 22 ). The transfer robot 26 may sequentially provide the substrate W to the process chambers 30. [

공정 챔버(30)는 플라스마 상태의 가스를 기판으로 공급하여 공정 처리를 수행하는 챔버, 케미컬과 같은 처래액을 통해 기판을 처리하는 챔버 등으로 제공될 수 있다.The process chamber 30 may be provided with a chamber for supplying a gas in a plasma state to the substrate to perform a process process, a chamber for processing the substrate through a process liquid such as a chemical, and the like.

도 2는 도어가 개방되어 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이의 통로가 개방된 상태를 나타내는 도면이고, 도 3은 커튼 노즐에서 커튼 유체가 분사되는 상태를 나타내는 도면이다.Fig. 2 is a view showing a state in which a door is opened and a passage between a process chamber and a transfer chamber is opened. Fig. 3 is a view showing a state in which a curtain fluid is sprayed from a curtain nozzle.

도시의 편의를 위해 공정 챔버 도어(28)는 생략 되었다.The process chamber door 28 is omitted for convenience of illustration.

도 2 및 도 3을 참조하면, 공정 챔버(30)는 하우징(300), 지지 유닛(310)을 포함한다.Referring to FIGS. 2 and 3, the process chamber 30 includes a housing 300 and a support unit 310.

하우징(300)은 내부에 공정 공간이 형성되며, 공정 공간은 기판(W) 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 하우징(300)의 일 측벽에는 개구(301)가 형성된다. 개구(301)는 기판(W)이 하우징(300) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 개구(301)는 공정 챔버 도어(28)에 의해 개폐된다. The housing 300 has a process space formed therein, and the process space is provided as a space in which the substrate W processing process is performed. An opening (301) is formed in one side wall of the housing (300). The opening 301 is provided as a passage through which the substrate W can enter and exit the inside of the housing 300. The opening 301 is opened and closed by the process chamber door 28.

하우징(300)의 바닥면에는 배기홀(320)이 형성된다. 배기홀(320)은 배기 라인(321)과 연결된다. 배기 라인(321)을 통한 배기로, 하우징(300)의 내부는 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징(300) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(321)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 지지 유닛(310)은 하우징(300)의 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지한다.An exhaust hole 320 is formed in the bottom surface of the housing 300. The exhaust hole 320 is connected to the exhaust line 321. With the exhaust through the exhaust line 321, the interior of the housing 300 can be maintained at a pressure lower than normal pressure. The reaction byproducts generated in the process and the gas remaining in the housing 300 may be discharged to the outside through the exhaust line 321. [ The support unit 310 is located inside the housing 300 and supports the substrate W. [

트랜스퍼 챔버(24)의 내측에는 개구(301)에 인접하게 커튼 노즐(200)이 위치된다. 커튼 노즐(200)은 기판(W)이 이송되는 좌우 방향에 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사한다. 커튼 유체는 질소 등과 같은 불활성 가스일 수 있다. 일 예로, 커튼 노즐(200)은 트랜스퍼 챔버(24)의 상부에 위치되어, 커튼 유체를 좌우 방향에 대해 상하 방향으로 교차하도록 분사할 수 있다. 커튼 노즐(200)은 개구(301)의 폭에 대응하는 길이를 갖는 슬릿 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 슬릿 형상의 커튼 노즐(200)은 개구(301)의 폭 방향과 나란하게 위치될 수 있다. 따라서, 개구(301)의 폭에 대응되는 부분에는 커튼 노즐(200)에서 분사된 커튼 유체가 유동될 수 있다.Inside the transfer chamber 24, the curtain nozzle 200 is positioned adjacent to the opening 301. The curtain nozzle 200 ejects the curtain fluid in a direction crossing the left and right direction in which the substrate W is fed. The curtain fluid may be an inert gas such as nitrogen. In one example, the curtain nozzle 200 is located at the top of the transfer chamber 24, and can jet the curtain fluid so as to intersect in the vertical direction with respect to the lateral direction. The curtain nozzle 200 may be formed in a slit shape having a length corresponding to the width of the opening 301. Further, the slit-shaped curtain nozzle 200 can be positioned in parallel with the width direction of the opening 301. Therefore, the curtain fluid ejected from the curtain nozzle 200 can flow at a portion corresponding to the width of the opening 301.

커튼 노즐(200)은 좌우에 대해 상하로 수직한 방향에 대해 경사진 방향으로 커튼 유체를 분사할 수 있다. 구체적으로, 커튼 노즐(200)은 수직한 방향에 대해 개구(301) 방향으로 경사지게 커튼 유체를 분사하게 제공될 수 있다. 따라서, 공정 챔버 도어(28)가 개방된 상태에서 커튼 노즐(200)이 커튼 유체를 분사하면, 커튼 유체는 기판(W)이 이송되는 방향을 가로질러 공정 챔버(30) 내측으로 유입된다.The curtain nozzle 200 can jet the curtain fluid in an inclined direction with respect to the vertical direction up and down with respect to the left and right. Specifically, the curtain nozzle 200 can be provided to eject the curtain fluid at an inclination in the direction of the opening 301 with respect to the vertical direction. The curtain fluid flows into the process chamber 30 across the direction in which the substrate W is conveyed when the curtain nozzle 200 sprays the curtain fluid while the process chamber door 28 is open.

공정 챔버(30)에서 처리된 기판(W)이 반출되거나, 처리될 기판(W)이 공정 챔버(30)로 반입되기 위해 공정 챔버 도어(28)가 개방될 때, 공정 챔버(30)의 내측과 트랜스퍼 챔버(24)의 내측은 압력이 상이할 수 있다. 압력의 차이는 공정 챔버(30)와 트랜스퍼 챔버(24) 사이에 기체의 유동을 야기하여, 기판(W) 및 공정 챔버(30)의 내측을 오염시킬 수 있다. 예를 들어, 트랜스퍼 챔버(24)의 저면에는 반송로봇(26)이 동작하는 과정에서 발생된 파티클이 있을 수 있다. 또한, 공정 챔버(30)의 내측 하부에는 기판(W)의 처리 과정에서 발생된 파티클 가운데 배출되지 않은 것을 있을 수 있다. 공정 챔버(30)와 트랜스퍼 챔버(24) 사이에 기체의 유동이 발생하면, 이 같은 파티클이 비산되어 오염을 야기할 수 있다.When the processed substrate W is removed from the process chamber 30 or when the process chamber door 28 is opened to bring the substrate W to be processed into the process chamber 30, And the inside of the transfer chamber 24 may be different from each other in pressure. The difference in pressure can cause gas flow between the process chamber 30 and the transfer chamber 24 and can contaminate the interior of the substrate W and process chamber 30. For example, there may be particles generated in the bottom of the transfer chamber 24 during the operation of the transfer robot 26. In addition, the inner lower part of the process chamber 30 may not be discharged among the particles generated during the processing of the substrate W. When a flow of gas occurs between the process chamber 30 and the transfer chamber 24, such particles may scatter and cause contamination.

반면 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버 도어(28)가 개방될 때, 커튼 유체가 분사되어, 공정 챔버(30)와 트랜스퍼 챔버(24) 사이에 기체가 대류하는 현상이 방지된다. 또한, 공정 챔버 도어(28)가 개방된 상태로 커튼 유체가 분사될 때, 배기 라인(321)을 통해 공정 챔버(30) 내측으로 유입된 커튼 유체는 외부로 배출될 수 있다.On the other hand, the substrate processing apparatus according to the present invention prevents curtain fluid from being injected when the process chamber door 28 is opened, so that the gas is prevented from convection between the process chamber 30 and the transfer chamber 24. Further, when the curtain fluid is sprayed with the process chamber door 28 open, the curtain fluid introduced into the process chamber 30 through the exhaust line 321 can be discharged to the outside.

도 4는 다른 실시 예에 따른 커튼 노즐이 제공된 상태의 트랜스퍼 챔버를 나타내는 도면이다.4 is a view showing a transfer chamber in a state in which a curtain nozzle according to another embodiment is provided.

도 4를 참조하면, 커튼 노즐(200b)은 개구(301)에 인접하게 트랜스퍼 챔버(24b)의 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 커튼 노즐(200b)은 몸체(25b)의 상면, 하면 또는 측면에 위치될 수 있다. 커튼 노즐(200b)은 기판(W)이 이송되는 좌우 방향에 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하도록 제공된다. 이 때, 커튼 유체는 커튼 노즐(200b)이 위치된 면과 마주보는 몸체(25b)의 일면을 향해 분사될 수 있다. 그리고 분사된 커튼 유체가 향하는 몸체(25b)의 일면에는 커튼 배기 라인(211)이 연결된 커튼 배기홀(210)이 형성될 수 있다. 따라서, 커튼 노즐(200b)에서 분사된 커튼 유체는 공정 챔버(30b)로 유입되지 않은 상태로, 공정 챔버(30b)와 트랜스퍼 챔버(24b) 사이의 대류를 차단한 후 외부로 배출될 수 있다.Referring to FIG. 4, the curtain nozzle 200b may be located inside the transfer chamber 24b adjacent the opening 301. As shown in FIG. For example, the curtain nozzle 200b may be positioned on the upper surface, the lower surface, or the side surface of the body 25b. The curtain nozzle 200b is provided to jet the curtain fluid in the direction crossing the left and right direction in which the substrate W is fed. At this time, the curtain fluid may be injected toward one surface of the body 25b facing the surface where the curtain nozzle 200b is located. A curtain exhaust hole 210 to which a curtain exhaust line 211 is connected may be formed on one side of the body 25b toward which the injected curtain fluid is directed. Therefore, the curtain fluid ejected from the curtain nozzle 200b can be discharged to the outside after the convection flow between the process chamber 30b and the transfer chamber 24b is blocked, without flowing into the process chamber 30b.

도 5는 다른 실시 예에 따른 커튼 노즐의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a curtain nozzle according to another embodiment.

도 5를 참조하면, 커튼 노즐(200, 200b)은 전극(201, 202) 및 유전체(203)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, curtain nozzles 200 and 200b may include electrodes 201 and 202 and dielectric 203.

한 쌍의 전극(201, 202)은 커튼 노즐(200)의 양측에 위치된다. 전극(201, 202)은 전원(205)에 연결되어, 전극(201, 202)은 그 사이에 전기장이 형성될 수 있도록 제공된다. 전극(201, 202)의 사이에는 유전체(203)가 위치된다. 전극(201, 202)과 유전체(203)는 서로 이격 되어, 커튼 유체 통로(204)가 형성된다. 커튼 유체가 분사될 때, 전극(201, 202)에는 전기장이 형성되어, 커튼 유체는 유전체(203) 장벽 방전(DBD)에 의해 플라즈마 상태로 여기 된다. 따라서, 좌우 방향을 가로 질러 형성된 커튼 유체의 장벽을 플라즈마 상태로 제공되어, 커튼 유체에 접근한 파티클을 연소 시킬 수 있다.A pair of electrodes 201 and 202 are positioned on both sides of the curtain nozzle 200. Electrodes 201 and 202 are connected to a power supply 205 so that electrodes 201 and 202 are provided so that an electric field can be formed therebetween. A dielectric material 203 is disposed between the electrodes 201 and 202. The electrodes 201, 202 and the dielectric 203 are spaced apart from each other, so that the curtain fluid passage 204 is formed. When the curtain fluid is sprayed, an electric field is created in the electrodes 201, 202, and the curtain fluid is excited into the plasma state by the dielectric barrier discharge DBD. Thus, a barrier of the curtain fluid formed across the lateral direction can be provided in a plasma state to burn particles approaching the curtain fluid.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 설비 전방 단부 모듈 14: 프레임
20: 공정 처리실 24: 트랜스퍼 챔버
30: 공정 챔버 200: 커튼 노즐10: Facility front end module 14: Frame
20: process chamber 24: transfer chamber
30: Process chamber 200: Curtain nozzle

Claims (12)

기판을 처리하고, 상기 기판이 반입 또는 반출되는 경로를 제공하는 개구를 갖는 공정 챔버;
상기 공정 챔버로 상기 기판을 반입 또는 반출하는 트랜스퍼 챔버;
상기 개구를 개폐하는 공정 챔버 도어; 및
상기 개구에 인접하게 위치되고, 상기 개구를 통해 상기 기판이 이송되는 방향인 좌우 방향에 대해 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하는 커튼 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber having an opening to process the substrate and provide a path through which the substrate is carried in or out;
A transfer chamber for transferring the substrate into or out of the process chamber;
A process chamber door for opening and closing said opening; And
And a curtain nozzle positioned adjacent to the opening and ejecting a curtain fluid in a direction transverse to the left and right direction in which the substrate is transported through the opening. 제1항에 있어서,
상기 커튼 노즐은 슬릿 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the curtain nozzle is provided in a slit shape. 제2항에 있어서,
상기 커튼 노즐은 상기 개구의 폭 방향과 나란하게 위치되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the curtain nozzle is positioned in parallel with the width direction of the opening. 제1항에 있어서,
상기 트랜스퍼 챔버는,
몸체; 및
상기 몸체의 내측에 위치되어 상기 기판을 이송하는 반송 로봇을 포함하고,
상기 커튼 노즐을 상기 몸체의 내면에 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the transfer chamber comprises:
Body; And
And a transfer robot positioned inside the body for transferring the substrate,
Wherein the curtain nozzle is located on the inner surface of the body. 제4항에 있어서,
상기 커튼 노즐은,
상기 커튼 유체를 상기 개구 방향으로 분사하도록 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The curtain nozzle
And to jet the curtain fluid in the direction of the opening. 제4항에 있어서,
상기 커튼 노즐은,
상기 커튼 유체를 마주보는 상기 몸체의 일면을 향해 분사하도록 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The curtain nozzle
And to eject the curtain fluid toward one face of the body facing the curtain fluid. 제6항에 있어서,
상기 몸체에는 상기 커튼 노즐과 마주보는 면에 커튼 배기홀이 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein a curtain vent hole is formed in a surface of the body facing the curtain nozzle. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 커튼 노즐은,
서로 이격 되게 위치되는 한 쌍의 전극; 및
상기 한 쌍의 전극 사이에 위치되는 유전체를 포함하는 기판 처리 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The curtain nozzle
A pair of electrodes positioned to be spaced apart from each other; And
And a dielectric disposed between the pair of electrodes. 기판이 처리되는 공정 챔버에서 상기 기판이 이동하는 경로를 제공하는 개구를 개방한 상태로, 상기 개구에 인접한 위치에서 상기 기판이 이동하는 경로인 좌우 방향에 대해 교차하는 방향으로 커튼 유체를 분사하는 기판 처리 방법.A substrate for ejecting a curtain fluid in a direction transverse to a left and right direction of a path along which the substrate moves in a position adjacent to the opening in a state in which an opening for providing a path through which the substrate moves in a process chamber in which the substrate is processed is opened, Processing method. 제9항에 있어서,
상기 커튼 유체는 상기 공정 챔버의 외부에서 상기 개구를 향해 분사되는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the curtain fluid is ejected from the exterior of the process chamber toward the opening. 제9항에 있어서,
상기 커튼 유체는 플라즈마 상태로 분사되는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the curtain fluid is injected in a plasma state. 제9항에 있어서,
상기 개구가 개방된 상태의 상기 공정 챔버는 하우징에 형성된 배기홀을 통해 배출되는 상태로 제공되는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the process chamber in which the opening is opened is provided to be discharged through an exhaust hole formed in the housing.
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