KR102200850B1 - Supporting glass substrate and conveyance element using same - Google Patents

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히카루 이케다
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니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 가공 기판을 지지하고 또한 가공 기판의 치수 변화를 발생시키기 어려운 지지 유리 기판으로서, 20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수는 50×10-7/℃ 이상이고 또한 66×10-7/℃ 이하인 것을 특징으로 한다.The present invention is a supporting glass substrate that supports a processed substrate and is unlikely to cause a dimensional change of the processed substrate, and the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 20 to 200°C is 50×10 -7 /°C or more, and is 66× It is characterized by being less than 10 -7 /℃.

Description

지지 유리 기판 및 이것을 사용한 반송체{SUPPORTING GLASS SUBSTRATE AND CONVEYANCE ELEMENT USING SAME}A supporting glass substrate and a carrier using the same TECHNICAL FIELD [SUPPORTING GLASS SUBSTRATE AND CONVEYANCE ELEMENT USING SAME}

본 발명은 지지 유리 기판 및 이것을 사용한 반송체에 관한 것이고, 구체적으로는 반도체 패키지(반도체 장치)의 제조 공정에서 가공 기판의 지지에 사용하는 지지 유리 기판 및 이것을 사용한 반송체에 관한 것이다.The present invention relates to a supporting glass substrate and a carrier using the same, and specifically to a supporting glass substrate used for supporting a processed substrate in a manufacturing process of a semiconductor package (semiconductor device), and a carrier using the same.

휴대전화, 노트형 개인용 컴퓨터, PDA(Personal Data Assistant) 등의 휴대형 전자기기에는 소형화 및 경량화가 요구되고 있다. 이것에 따라, 이들 전자기기에 사용되는 반도체칩의 실장 스페이스도 엄격히 제한되고 있고, 반도체칩의 고밀도한 실장이 과제가 되고 있다. 그래서, 최근에서는 삼차원 실장 기술, 즉 반도체칩끼리를 적층하여 각 반도체칩 사이를 배선 접속함으로써 반도체 패키지의 고밀도 실장을 도모하고 있다.Miniaturization and weight reduction are required for portable electronic devices such as cell phones, notebook personal computers, and PDA (Personal Data Assistant). Accordingly, the mounting space of semiconductor chips used in these electronic devices is also strictly limited, and high-density mounting of semiconductor chips is a problem. Therefore, in recent years, a three-dimensional mounting technique, that is, by stacking semiconductor chips and wiring between the semiconductor chips, has attempted to mount a semiconductor package at high density.

또한, 종래의 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)는 범프를 웨이퍼의 상태에서 형성한 후, 다이싱으로 개편화함으로써 제작되고 있다. 그러나, 종래의 WLP는 핀수를 증가시키기 어려울 뿐만 아니라, 반도체칩의 이면이 노출한 상태에서 실장되기 때문에 반도체칩의 결여 등이 발생하기 쉽다는 문제가 있었다.Further, a conventional wafer level package (WLP) is manufactured by forming bumps in a wafer state and then dicing them into pieces. However, the conventional WLP has a problem that not only it is difficult to increase the number of pins, but also the lack of a semiconductor chip is liable to occur because the rear surface of the semiconductor chip is mounted in an exposed state.

그래서, 새로운 WLP로서 팬 아웃형의 WLP가 제안되고 있다. 팬 아웃형의 WLP는 핀수를 증가시키는 것이 가능하고, 또한 반도체칩의 단부를 보호함으로써 반도체칩의 결여 등을 방지할 수 있다.Therefore, a fan-out type WLP has been proposed as a new WLP. In the fan-out type WLP, it is possible to increase the number of pins, and by protecting the end of the semiconductor chip, it is possible to prevent a lack of semiconductor chips or the like.

팬 아웃형의 WLP에서는 복수의 반도체칩을 수지의 밀봉재로 몰드하여 가공 기판을 형성한 후에, 가공 기판의 일방의 표면에 배선하는 공정, 땜납 범프를 형성하는 공정 등을 갖는다.In the fan-out type WLP, a plurality of semiconductor chips are molded with a resin encapsulant to form a processed substrate, followed by wiring on one surface of the processed substrate, forming solder bumps, and the like.

이들 공정은 약 200℃의 열처리를 따르기 때문에, 밀봉재가 변형하여 가공 기판이 치수 변화할 우려가 있다. 가공 기판이 치수 변화하면, 가공 기판의 일방의 표면에 대하여 고밀도로 배선하는 것이 곤란해지고, 또한 땜납 범프를 정확하게 형성하는 것도 곤란해진다.Since these processes follow heat treatment at about 200°C, there is a concern that the sealing material is deformed and the processed substrate is dimensionally changed. When the size of the processed substrate changes, it becomes difficult to wire at high density with respect to one surface of the processed substrate, and it becomes difficult to accurately form solder bumps.

가공 기판의 치수 변화를 억제하기 위해서, 가공 기판을 지지하기 위한 지지 기판을 사용하는 것이 유효하다. 그러나, 지지 기판을 사용했을 경우에도 가공 기판의 치수 변화가 발생하는 경우가 있었다.In order to suppress the dimensional change of the processed substrate, it is effective to use a support substrate for supporting the processed substrate. However, even when the supporting substrate is used, there is a case where the dimensional change of the processed substrate occurs.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 기술적 과제는 가공 기판의 치수 변화를 발생시키기 어려운 지지 기판 및 이것을 사용한 반송체를 창안함으로써, 반도체 패키지의 고밀도 실장에 기여하는 것이다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and its technical problem is to contribute to high-density mounting of a semiconductor package by creating a support substrate and a carrier using the same, which makes it difficult to change the dimensions of the processed substrate.

본 발명자 등은 다양한 실험을 반복한 결과, 지지 기판으로서 유리 기판을 채택함과 아울러, 이 유리 기판의 열팽창계수를 엄밀하게 규제함으로써 상기 기술적 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명으로서 제안하는 것이다. 즉, 본 발명의 지지 유리 기판은 20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수는 50×10-7/℃ 이상이고 또한 66×10-7/℃ 이하인 것을 특징으로 한다. 여기서, 「20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수」는 딜라토미터로 측정 가능하다.As a result of repeating various experiments, the present inventors have found that the above technical problem can be solved by adopting a glass substrate as a supporting substrate and strictly regulating the thermal expansion coefficient of the glass substrate, and proposes as the present invention. . That is, the supporting glass substrate of the present invention is characterized in that the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 200°C is 50×10 -7 /°C or more and 66×10 -7 /°C or less. Here, the "average linear thermal expansion coefficient in a temperature range of 20 to 200°C" can be measured with a dilatometer.

유리 기판은 표면을 평활화하기 쉽고, 또한 높은 강성을 갖는다. 따라서, 지지 기판으로서 유리 기판을 사용하면, 가공 기판을 강고 또한 정확하게 지지하는 것이 가능해진다. 또한, 유리 기판은 자외광 등의 광을 투과하기 쉽다. 따라서, 지지 기판으로서 유리 기판을 사용하면, 접착층 등을 설치함으로써 가공 기판과 지지 유리 기판을 용이하게 고정할 수 있다. 또한, 박리층 등을 설치함으로써 가공 기판과 지지 유리 기판을 용이하게 분리할 수도 있다.The glass substrate is easy to smooth the surface and has high rigidity. Therefore, when a glass substrate is used as the support substrate, it becomes possible to support the processed substrate firmly and accurately. Further, the glass substrate is easy to transmit light such as ultraviolet light. Therefore, if a glass substrate is used as the support substrate, the processing substrate and the support glass substrate can be easily fixed by providing an adhesive layer or the like. Further, by providing a peeling layer or the like, the processing substrate and the supporting glass substrate can be easily separated.

또한, 본 발명의 지지 유리 기판에서는 20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수는 50×10-7/℃ 이상이고 또한 66×10-7/℃ 이하로 규제되어 있다. 이렇게 하면, 가공 기판 내에서 반도체칩의 비율이 적고 밀봉재의 비율이 많은 경우에 가공 기판과 지지 유리 기판의 선 열팽창계수를 조정하기 쉬워진다. 그리고, 양자의 선 열팽창계수가 조정되면, 가공 처리시에 가공 기판의 치수 변화(특히, 휨 변형)를 억제하기 쉬워진다. 결과적으로, 가공 기판의 일방의 표면에 대하여 고밀도로 배선하는 것이 가능하게 되고, 또한 땜납 범프를 정확하게 형성하는 것도 가능해진다.In addition, in the supporting glass substrate of the present invention, the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 20 to 200°C is 50×10 -7 /°C or more and is regulated to 66×10 -7 /°C or less. This makes it easy to adjust the linear thermal expansion coefficient of the processed substrate and the supporting glass substrate when the proportion of semiconductor chips is small and the proportion of the sealing material is large in the processing substrate. And when both coefficients of linear thermal expansion are adjusted, it becomes easy to suppress the dimensional change (particularly, warpage deformation) of the processed substrate during processing. As a result, it becomes possible to wire at a high density with respect to one surface of the processed substrate, and it is also possible to accurately form solder bumps.

제 2로, 본 발명의 지지 유리 기판은 30∼380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수는 50×10-7/℃ 이상이고 또한 70×10-7/℃ 이하인 것을 특징으로 한다. 여기서, 「30∼380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수」는 딜라토미터로 측정 가능하다.Secondly, the supporting glass substrate of the present invention is characterized in that the average coefficient of linear thermal expansion in a temperature range of 30 to 380°C is 50×10 -7 /°C or more and 70×10 -7 /°C or less. Here, the "average linear thermal expansion coefficient in a temperature range of 30 to 380°C" can be measured with a dilatometer.

제 3으로, 본 발명의 지지 유리 기판은 반도체 패키지의 제조 공정에서 가공 기판의 지지에 사용하는 것이 바람직하다.Third, it is preferable that the supporting glass substrate of the present invention is used for supporting a processed substrate in the manufacturing process of a semiconductor package.

제 4로, 본 발명의 지지 유리 기판은 판 두께 방향에 대한 파장 300nm에 있어서의 자외선 투과율은 40% 이상인 것이 바람직하다. 여기서, 「판 두께 방향에 대한 파장 300nm에 있어서의 자외선 투과율」은, 예를 들면 더블빔형 분광광도계 를 이용하여 파장 300nm의 분광 투과율을 측정하는 것으로 평가 가능하다.Fourth, it is preferable that the supporting glass substrate of the present invention has an ultraviolet transmittance of 40% or more at a wavelength of 300 nm in the thickness direction. Here, the "ultraviolet transmittance at a wavelength of 300 nm with respect to the plate thickness direction" can be evaluated by measuring the spectral transmittance at a wavelength of 300 nm using, for example, a double beam spectrophotometer.

제 5로, 본 발명의 지지 유리 기판은 영률이 65GPa 이상인 것이 바람직하다. 여기서, 「영률」은 굽힘 공진법에 의해 측정한 값을 가리킨다. 또한, 1GPa는 약 101.9Kgf/mm2에 해당하다.Fifth, the supporting glass substrate of the present invention preferably has a Young's modulus of 65 GPa or more. Here, "Young's modulus" refers to a value measured by the bending resonance method. In addition, 1GPa corresponds to about 101.9Kgf/mm 2 .

제 6으로, 본 발명의 지지 유리 기판은 유리 조성으로서, 질량%로 SiO2 50∼80%, Al2O3 1∼20%, B2O3 3∼20%, MgO 0∼10%, CaO 0∼10%, SrO 0∼7%, BaO 0∼7%, ZnO 0∼7%, Na2O 5∼15%, K2O 0∼10%를 함유하는 것이 바람직하다.Sixth, the supporting glass substrate of the present invention is a glass composition, in terms of mass%, SiO 2 50 to 80%, Al 2 O 3 1 to 20%, B 2 O 3 3 to 20%, MgO 0 to 10%, CaO It is preferable to contain 0 to 10%, SrO 0 to 7%, BaO 0 to 7%, ZnO 0 to 7%, Na 2 O 5 to 15%, and K 2 O 0 to 10%.

제 7로, 본 발명의 지지 유리 기판은 유리 조성으로서, 질량%로 SiO2 55∼70%, Al2O3 3∼15%, B2O3 5∼20%, MgO 0∼5%, CaO 0∼10%, SrO 0∼5%, BaO 0∼5%, ZnO 0∼5%, Na2O 5∼15%, K2O 0∼10%를 함유하는 것이 바람직하다.Seventh, the supporting glass substrate of the present invention is a glass composition, in terms of mass%, SiO 2 55 to 70%, Al 2 O 3 3 to 15%, B 2 O 3 5 to 20%, MgO 0 to 5%, CaO It is preferable to contain 0 to 10%, SrO 0 to 5%, BaO 0 to 5%, ZnO 0 to 5%, Na 2 O 5 to 15%, K 2 O 0 to 10%.

제 8로, 본 발명의 지지 유리 기판은 판 두께가 2.0mm 미만이고, 직경이 100∼500mm인 웨이퍼 형상 또는 대략 원판 형상이고, 또한 판 두께 편차가 30㎛ 이하인 것이 바람직하다.Eighth, it is preferable that the supporting glass substrate of the present invention has a plate thickness of less than 2.0 mm, a wafer shape having a diameter of 100 to 500 mm or a substantially disk shape, and a plate thickness variation of 30 µm or less.

제 9로, 본 발명의 반송체는 적어도 가공 기판과 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판을 구비하는 반송체로서, 지지 유리 기판은 상기 지지 유리 기판인 것을 특징으로 한다.Ninth, the carrier of the present invention is a carrier comprising at least a processing substrate and a supporting glass substrate for supporting the processing substrate, and the supporting glass substrate is the supporting glass substrate.

제 10으로, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은 적어도 가공 기판과 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판을 구비하는 반송체를 얻는 공정과, 반송체를 반송하는 공정과, 가공 기판에 대하여 가공 처리를 행하는 공정을 가짐과 아울러, 지지 유리 기판은 상기 지지 유리 기판인 것을 특징으로 한다. 또한, 「반송체를 반송하는 공정」과 「가공 기판에 대하여 가공 처리를 행하는 공정」이란 별도로 행할 필요는 없고, 동시이어도 좋다. 구체적으로는, 반송하고 있는 도중에 반송체의 가공 기판에 대하여 가공 처리를 행해도 좋고, 또는 반송체를 반송하고 있는 도중의 정지시 또는 반송체의 반송을 개시하기 전의 정지시 또는 반송체의 반송을 종료한 후의 정지시에, 반송체의 가공 기판에 대하여 가공 처리를 행해도 좋다.Tenth, the manufacturing method of the semiconductor package of the present invention includes at least a process of obtaining a carrier comprising a process substrate and a supporting glass substrate for supporting the process substrate, a process of conveying the carrier, and a process treatment of the processed substrate. In addition to having a step of performing, the supporting glass substrate is characterized in that it is the supporting glass substrate. In addition, the "step of conveying the carrier" and "the step of performing a processing treatment on the processed substrate" do not need to be performed separately, and may be simultaneously performed. Specifically, processing may be performed on the processed substrate of the carrier while it is being conveyed, or at the time of stopping during the transfer of the carrier, or at the time of stopping before starting the transfer of the carrier, or the transfer of the carrier. At the time of stopping after completion, a processing treatment may be performed on the processed substrate of the carrier.

제 11로, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은 가공 처리가 가공 기판의 일방의 표면에 배선하는 처리를 포함하는 것이 바람직하다.Eleventh, in the method of manufacturing a semiconductor package of the present invention, it is preferable that the processing includes a processing of wiring to one surface of the processing substrate.

제 12로, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은 가공 처리가 가공 기판의 일방의 표면에 땜납 범프를 형성하는 처리를 포함하는 것이 바람직하다.Twelfth, in the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, it is preferable that the processing includes a processing of forming a solder bump on one surface of the processing substrate.

제 13으로, 본 발명의 반도체 패키지는 상기 반도체 패키지의 제조 방법에 의해 제작된 것을 특징으로 한다.Thirteenth, the semiconductor package of the present invention is manufactured by the method of manufacturing the semiconductor package.

제 14로, 본 발명의 전자기기는 반도체 패키지를 구비하는 전자기기로서, 반도체 패키지는 상기 반도체 패키지인 것을 특징으로 한다.Fourteenth, the electronic device of the present invention is an electronic device including a semiconductor package, wherein the semiconductor package is the semiconductor package.

도 1은 본 발명의 반송체의 일례를 나타내는 개념 사시도이다.
도 2a는 팬 아웃형의 WLP의 제조 공정을 나타내는 개념 단면도이다.
도 2b는 팬 아웃형의 WLP의 제조 공정을 나타내는 개념 단면도이다.
도 2c는 팬 아웃형의 WLP의 제조 공정을 나타내는 개념 단면도이다.
도 2d는 팬 아웃형의 WLP의 제조 공정을 나타내는 개념 단면도이다.
도 2e는 팬 아웃형의 WLP의 제조 공정을 나타내는 개념 단면도이다.
도 2f는 팬 아웃형의 WLP의 제조 공정을 나타내는 개념 단면도이다.
도 2g는 팬 아웃형의 WLP의 제조 공정을 나타내는 개념 단면도이다.1 is a conceptual perspective view showing an example of the carrier of the present invention.
2A is a conceptual cross-sectional view showing a manufacturing process of a fan-out type WLP.
2B is a conceptual cross-sectional view showing a manufacturing process of a fan-out type WLP.
2C is a conceptual cross-sectional view showing a manufacturing process of a fan-out type WLP.
2D is a conceptual cross-sectional view showing a manufacturing process of a fan-out type WLP.
2E is a conceptual cross-sectional view showing a manufacturing process of a fan-out type WLP.
2F is a conceptual cross-sectional view showing a manufacturing process of a fan-out type WLP.
2G is a conceptual cross-sectional view showing a manufacturing process of a fan-out type WLP.

본 발명의 지지 유리 기판에 있어서, 20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수는 50×10-7/℃ 이상이고 또한 66×10-7/℃ 이하이고, 바람직하게는 53×10-7/℃ 이상이고 또한 65×10-7/℃ 이하, 특히 바람직하게는 55×10-7/℃ 이상이고 또한 63×10-7/℃ 이하이다. 20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수가 상기 범위 이외가 되면, 가공 기판과 지지 유리 기판의 선 열팽창계수를 조정하기 어려워진다. 그리고, 양자의 선 열팽창계수가 부정합이 되면, 가공 처리시에 가공 기판의 치수 변화(특히, 휨 변형)가 발생하기 쉬워진다.In the supporting glass substrate of the present invention, the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 200°C is 50×10 -7 /°C or more and 66×10 -7 /°C or less, preferably 53×10 It is -7 /°C or more and 65×10 -7 /°C or less, particularly preferably 55×10 -7 /°C or more, and 63×10 -7 /°C or less. When the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 20 to 200°C is outside the above range, it becomes difficult to adjust the linear thermal expansion coefficient of the processed substrate and the supporting glass substrate. In addition, when the linear thermal expansion coefficients of both are mismatched, dimensional change (especially, warpage deformation) of the processed substrate is liable to occur during processing.

30∼380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수는 50×10-7/℃ 이상이고 또한 70×10-7/℃ 이하이고, 바람직하게는 55×10-7/℃ 이상이고 또한 65×10-7/℃ 이하이다. 30∼380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수가 상기 범위 이외가 되면, 가공 기판과 지지 유리 기판의 선 열팽창계수를 조정하기 어려워진다. 그리고, 양자의 선 열팽창계수가 부정합이 되면, 가공 처리시에 가공 기판의 치수 변화(특히, 휨 변형)가 발생하기 쉬워진다.The average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380°C is 50×10 -7 /°C or more and 70×10 -7 /°C or less, preferably 55×10 -7 /°C or more, and 65× It is 10 -7 /℃ or less. When the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380°C is outside the above range, it becomes difficult to adjust the linear thermal expansion coefficient of the processed substrate and the supporting glass substrate. In addition, when the linear thermal expansion coefficients of both are mismatched, dimensional change (especially, warpage deformation) of the processed substrate is liable to occur during processing.

본 발명의 지지 유리 기판에 있어서, 판 두께 방향에 대한 파장 300nm에 있어서의 자외선 투과율(다시 말하면, 파장 300nm에 있어서의 판 두께 방향의 자외선 투과율)은 바람직하게는 40% 이상, 50% 이상, 60% 이상 또는 70% 이상, 특히 바람직하게는 80% 이상이다. 자외선 투과율이 너무 낮으면, 자외광의 조사에 의해 접착층에 의해 가공 기판과 지지 기판을 접착하기 어려워질 뿐만 아니라, 박리층에 의해 가공 기판으로부터 지지 기판을 박리하기 어려워진다.In the supporting glass substrate of the present invention, the ultraviolet transmittance at a wavelength of 300 nm in the plate thickness direction (that is, the ultraviolet transmittance in the plate thickness direction at a wavelength of 300 nm) is preferably 40% or more, 50% or more, 60 % Or more or 70% or more, particularly preferably 80% or more. If the ultraviolet transmittance is too low, not only it becomes difficult to adhere the processed substrate and the support substrate by the adhesive layer by irradiation of ultraviolet light, but also it becomes difficult to peel the support substrate from the processed substrate by the release layer.

본 발명의 지지 유리 기판은 유리 조성으로서, 질량%로 SiO2 50∼80%, Al2O3 1∼20%, B2O3 3∼20%, MgO 0∼10%, CaO 0∼10%, SrO 0∼7%, BaO 0∼7%, ZnO 0∼7%, Na2O 5∼15%, K2O 0∼10%를 함유하는 것이 바람직하다. 상기한 바와 같이, 각 성분의 함유량을 한정한 이유를 이하에 나타낸다. 또한, 각 성분의 함유량의 설명에 있어서, % 표시는 특별히 언급하는 경우를 제외하고, 질량%를 나타낸다.The supporting glass substrate of the present invention is a glass composition, in terms of mass%, SiO 2 50 to 80%, Al 2 O 3 1 to 20%, B 2 O 3 3 to 20%, MgO 0 to 10%, CaO 0 to 10% , SrO 0 to 7%, BaO 0 to 7%, ZnO 0 to 7%, Na 2 O 5 to 15%, K 2 O 0 to 10%. As described above, the reasons for limiting the content of each component are shown below. In addition, in the description of the content of each component, the% indication represents the mass% except for the case where it is specifically mentioned.

SiO2는 유리의 골격을 형성하는 주성분이다. SiO2의 함유량은 바람직하게는 50∼80%, 55∼75% 또는 55∼70%, 특히 바람직하게는 55∼65%이다. SiO2의 함유량이 너무 적으면, 영률, 내산성이 저하하기 쉬워진다. 한편, SiO2의 함유량이 너무 많으면, 고온 점도가 높아지고 용융성이 저하하기 쉬워질 뿐만 아니라, 크리스토발라이트 등의 실투 결정이 석출하기 쉬워져 액상 온도가 상승하기 쉬워진다.SiO 2 is a main component that forms the skeleton of glass. The content of SiO 2 is preferably 50 to 80%, 55 to 75% or 55 to 70%, particularly preferably 55 to 65%. When the content of SiO 2 is too small, the Young's modulus and acid resistance tend to decrease. On the other hand, when the content of SiO 2 is too large, not only the high-temperature viscosity increases and the meltability tends to decrease, but also devitrification crystals such as cristobalite are liable to precipitate, and the liquidus temperature tends to rise.

Al2O3은 영률을 높이는 성분임과 아울러, 분상, 실투를 억제하는 성분이다. Al2O3의 함유량은 바람직하게는 1∼20%, 3∼18%, 4∼16%, 5∼13.5% 또는 6∼12%, 특히 바람직하게는 7∼10%이다. Al2O3의 함유량이 너무 적으면 영률이 저하하기 쉬워지고, 또한 유리가 분상, 실투하기 쉬워진다. 한편, Al2O3의 함유량이 너무 많으면 고온 점도가 높아지고, 용융성, 성형성이 저하하기 쉬워진다.Al 2 O 3 is a component that increases Young's modulus and suppresses powdery formation and devitrification. The content of Al 2 O 3 is preferably 1 to 20%, 3 to 18%, 4 to 16%, 5 to 13.5% or 6 to 12%, particularly preferably 7 to 10%. When the content of Al 2 O 3 is too small, the Young's modulus tends to decrease, and the glass is easily powdered and devitrified. On the other hand, when the content of Al 2 O 3 is too large, the high-temperature viscosity increases, and the meltability and moldability tend to decrease.

B2O3은 용융성, 내실투성을 높이는 성분이고, 또한 쉽게 스크레치가 생기는 것을 개선하여 강도를 높이는 성분이다. B2O3의 함유량은 바람직하게는 3∼20%, 5∼20% 또는 7∼18%, 특히 바람직하게는 10∼15%이다. B2O3의 함유량이 너무 적으면 용융성, 내실투성이 저하하기 쉬워지고, 또한 불산계의 약액에 대한 내성이 저하하기 쉬워진다. 한편, B2O3의 함유량이 너무 많으면 영률, 내산성이 저하하기 쉬워진다.B 2 O 3 is a component that enhances meltability and devitrification resistance, and is a component that improves scratch resistance and enhances strength. The content of B 2 O 3 is preferably 3 to 20%, 5 to 20% or 7 to 18%, particularly preferably 10 to 15%. When the content of B 2 O 3 is too small, the meltability and devitrification resistance tend to decrease, and the resistance to hydrofluoric acid-based chemical solutions tends to decrease. On the other hand, when the content of B 2 O 3 is too large, the Young's modulus and acid resistance tend to decrease.

MgO는 고온 점성을 낮추어 용융성을 높이는 성분이고, 알칼리 토류금속 산화물 중에서는 영률을 현저하게 향상시키는 성분이다. MgO의 함유량은 바람직하게는 0∼10%, 0∼8%, 0∼6% 또는 0∼5%, 특히 바람직하게는 0∼1%이다. MgO의 함유량이 너무 많으면, 내실투성이 저하하기 쉬워진다.MgO is a component that lowers high-temperature viscosity to increase meltability, and is a component that significantly improves Young's modulus among alkaline earth metal oxides. The content of MgO is preferably 0 to 10%, 0 to 8%, 0 to 6% or 0 to 5%, particularly preferably 0 to 1%. When the content of MgO is too large, devitrification resistance tends to decrease.

CaO는 고온 점성을 낮추어 용융성을 현저하게 향상시키는 성분이다. 또한, 알칼리 토류금속 산화물 중에서는 도입 원료가 비교적 저렴하기 때문에, 원료 비용을 저렴화하는 성분이다. CaO의 함유량은 바람직하게는 0∼10%, 0.5∼8% 또는 1∼6%, 특히 바람직하게는 2∼5%이다. CaO의 함유량이 너무 많으면, 유리가 실투하기 쉬워진다. 또한, CaO의 함유량이 너무 적으면, 상기 효과를 누리기 어려워진다.CaO is a component that significantly improves meltability by lowering the high-temperature viscosity. In addition, among the alkaline earth metal oxides, since the raw material to be introduced is relatively inexpensive, it is a component that reduces the cost of the raw material. The content of CaO is preferably 0 to 10%, 0.5 to 8% or 1 to 6%, particularly preferably 2 to 5%. When the CaO content is too large, the glass becomes liable to devitrify. Moreover, when the content of CaO is too small, it becomes difficult to enjoy the above effect.

SrO는 분상을 억제하는 성분이고, 또한 내실투성을 높이는 성분이다. SrO의 함유량은 바람직하게는 0∼7%, 0∼5% 또는 0∼3%, 특히 바람직하게는 0∼1% 미만이다. SrO의 함유량이 너무 많으면, 유리가 실투하기 쉬워진다.SrO is a component that suppresses powder phase, and is a component that enhances devitrification resistance. The content of SrO is preferably 0 to 7%, 0 to 5% or 0 to 3%, particularly preferably less than 0 to 1%. When the content of SrO is too large, the glass becomes liable to devitrify.

BaO는 내실투성을 높이는 성분이다. BaO의 함유량은 바람직하게는 0∼7%, 0∼5%, 0∼3% 또는 0∼1% 미만이다. BaO의 함유량이 너무 많으면, 유리가 실투하기 쉬워진다.BaO is a component that increases devitrification resistance. The content of BaO is preferably 0 to 7%, 0 to 5%, 0 to 3%, or less than 0 to 1%. When the content of BaO is too large, the glass becomes liable to devitrify.

ZnO는 고온 점성을 낮추어 용융성을 현저하게 향상시키는 성분이다. ZnO의 함유량은 바람직하게는 0∼7% 또는 0.1∼5%, 특히 바람직하게는 0.5∼3%이다. ZnO의 함유량이 너무 적으면, 상기 효과를 누리기 어려워진다. 또한, ZnO의 함유량이 너무 많으면, 유리가 실투하기 쉬워진다.ZnO is a component that significantly improves meltability by lowering the high-temperature viscosity. The content of ZnO is preferably 0 to 7% or 0.1 to 5%, particularly preferably 0.5 to 3%. If the content of ZnO is too small, it becomes difficult to enjoy the above effect. Moreover, when the content of ZnO is too large, glass becomes liable to devitrify.

Na2O는 열팽창계수를 적정화하기 위해서 중요한 성분이고, 또한 고온 점성을 낮추어 용융성을 현저하게 향상시킴과 아울러, 유리 원료의 초기 용융에 기여하는 성분이다. Na2O의 함유량은 바람직하게는 5∼15% 또는 6∼13.5%, 특히 바람직하게는 7∼13%이다. Na2O의 함유량이 너무 적으면 용융성이 저하하기 쉬워질 뿐만 아니라, 열팽창계수가 부당하게 낮아질 우려가 있다. 한편, Na2O의 함유량이 너무 많으면, 열팽창계수가 부당하게 높아질 우려가 있다.Na 2 O is an important component in order to optimize the coefficient of thermal expansion, and is a component contributing to the initial melting of the glass raw material while remarkably improving the meltability by lowering the high-temperature viscosity. The content of Na 2 O is preferably 5 to 15% or 6 to 13.5%, particularly preferably 7 to 13%. If the content of Na 2 O is too small, not only the meltability tends to be lowered, but there is also a concern that the coefficient of thermal expansion unreasonably decreases. On the other hand, if the content of Na 2 O is too large, there is a concern that the coefficient of thermal expansion unreasonably increases.

질량비(Al2O3+Na2O)/SiO2는 열팽창계수를 적정화하는 관점에서, 바람직하게는 0.2∼0.4, 0.23∼0.35 또는 0.25∼0.3, 특히 바람직하게는 0.26∼0.29이다.The mass ratio (Al 2 O 3 +Na 2 O)/SiO 2 is preferably 0.2 to 0.4, 0.23 to 0.35 or 0.25 to 0.3, particularly preferably 0.26 to 0.29 from the viewpoint of optimizing the coefficient of thermal expansion.

K2O는 열팽창계수를 조정하기 위한 성분이고, 또한 고온 점성을 낮추어 용융성을 높임과 아울러, 유리 원료의 초기 용융에 기여하는 성분이다. K2O의 함유량은 바람직하게는 0∼15%, 0∼10% 또는 0∼5%, 특히 바람직하게는 0∼1%이다. K2O의 함유량이 너무 많으면, 열팽창계수가 부당하게 높아질 우려가 있다.K 2 O is a component for adjusting the coefficient of thermal expansion, and is a component contributing to the initial melting of the glass raw material while increasing the meltability by lowering the high-temperature viscosity. The content of K 2 O is preferably 0 to 15%, 0 to 10% or 0 to 5%, particularly preferably 0 to 1%. If the content of K 2 O is too large, there is a concern that the coefficient of thermal expansion unreasonably increases.

상기 성분 이외에도, 임의의 성분으로서 다른 성분을 도입해도 좋다. 또한, 상기 성분 이외의 다른 성분의 함유량은 본 발명의 효과를 정확하게 누리는 관점에서 합량으로 10% 이하, 특히 5% 이하가 바람직하다.In addition to the above components, other components may be introduced as optional components. In addition, the content of other components other than the above components is preferably 10% or less, particularly 5% or less, in terms of the total amount from the viewpoint of accurately enjoying the effects of the present invention.

Fe2O3은 불순물 성분, 또는 정화제 성분으로서 도입할 수 있는 성분이다. 그러나, Fe2O3의 함유량이 너무 많으면, 자외선 투과율이 저하할 우려가 있다. 즉, Fe2O3의 함유량이 너무 많으면, 수지층, 박리층을 통하여 가공 기판과 지지 유리 기판의 접착과 탈착을 적정하게 행하는 것이 곤란해진다. 따라서, Fe2O3의 함유량은 바람직하게는 0.05% 이하 또는 0.03% 이하, 특히 바람직하게는 0.02% 이하이다. 또한, 본 발명에서 말하는 「Fe2O3」은 2가의 산화철과 3가의 산화철을 포함하고, 2가의 산화철은 Fe2O3으로 환산하여 취급한 것으로 한다. 다른 산화물에 관해서도, 마찬가지로 표기의 산화물을 기준으로 하여 취급한 것으로 한다.Fe 2 O 3 is a component that can be introduced as an impurity component or a purifying agent component. However, if the content of Fe 2 O 3 is too large, there is a concern that the ultraviolet transmittance may decrease. That is, when the content of Fe 2 O 3 is too large, it becomes difficult to properly adhere and detach the processed substrate and the supporting glass substrate through the resin layer and the release layer. Therefore, the content of Fe 2 O 3 is preferably 0.05% or less or 0.03% or less, particularly preferably 0.02% or less. In addition, "Fe 2 O 3 "in the present invention includes divalent iron oxide and trivalent iron oxide, and the divalent iron oxide is treated in terms of Fe 2 O 3 . As for other oxides, similarly, it is assumed that the indicated oxides are used as a reference.

정화제로서 As2O3, Sb2O3이 유효하게 작용하지만, 환경적 관점에서 말하면, 이들 성분을 극력 저감하는 것이 바람직하다. As2O3의 함유량은 바람직하게는 1% 이하 또는 0.5% 이하, 특히 바람직하게는 0.1% 이하이고, 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다. 여기서, 「실질적으로 As2O3을 함유하지 않는」이란 유리 조성중의 As2O3의 함유량이 0.05% 미만인 경우를 가리킨다. 또한, Sb2O3의 함유량은 바람직하게는 1% 이하 또는 0.5% 이하, 특히 바람직하게는 0.1% 이하이고, 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다. 여기서, 「실질적으로 Sb2O3을 함유하지 않는 」이란 유리 조성 중의 Sb2O3의 함유량이 0.05% 미만인 경우를 가리킨다.Although As 2 O 3 and Sb 2 O 3 act effectively as a purifying agent, from an environmental point of view, it is preferable to reduce these components as much as possible. The content of As 2 O 3 is preferably 1% or less or 0.5% or less, particularly preferably 0.1% or less, and is preferably substantially not contained. Here, "substantially not containing As 2 O 3 " refers to a case where the content of As 2 O 3 in the glass composition is less than 0.05%. Further, the content of Sb 2 O 3 is preferably 1% or less or 0.5% or less, particularly preferably 0.1% or less, and is preferably substantially not contained. Here, "substantially not containing Sb 2 O 3 " refers to a case where the content of Sb 2 O 3 in the glass composition is less than 0.05%.

SnO2는 고온역에서 양호한 정화 작용을 갖는 성분이고, 또한 고온 점성을 저하시키는 성분이다. SnO2의 함유량은 바람직하게는 0∼1%, 0.001∼1% 또는 0.01∼0.9%, 특히 바람직하게는 0.05∼0.7%이다. SnO2의 함유량이 너무 많으면, SnO2의 실투 결정이 석출하기 쉬워진다. 또한, SnO2의 함유량이 너무 적으면, 상기 효과를 누리기 어려워진다.SnO 2 is a component having a good purifying action in a high temperature region and a component that lowers the high temperature viscosity. The content of SnO 2 is preferably 0 to 1%, 0.001 to 1%, or 0.01 to 0.9%, particularly preferably 0.05 to 0.7%. When the content of SnO 2 is too large, the devitrification crystals of SnO 2 become liable to precipitate. In addition, when the content of SnO 2 is too small, it becomes difficult to enjoy the above effect.

또한, 유리 특성이 손상되지 않는 한, 정화제로서 F, Cl, SO3, C, 또는 Al, Si 등의 금속 분말을 각각 3% 정도까지 도입해도 좋다. 또한, CeO2 등도 3% 정도까지 도입할 수 있지만, 자외선 투과율의 저하에 유의할 필요가 있다.Further, as long as the glass properties are not impaired, metal powders such as F, Cl, SO 3 , C, or Al, Si may be introduced up to about 3% each as a purifying agent. In addition, CeO 2 or the like can be introduced up to about 3%, but it is necessary to pay attention to the decrease in ultraviolet transmittance.

Cl은 유리의 용융을 촉진하는 성분이다. 유리 조성 중에 Cl을 도입하면, 용융 온도의 저온화, 정화 작용의 촉진을 도모할 수 있고, 결과적으로 용융 비용의 저렴화, 유리 제조로의 장기 수명화를 달성하기 쉬워진다. 그러나, Cl의 함유량이 너무 많으면, 유리 제조로 주위의 금속 부품을 부식시킬 우려가 있다. 따라서, Cl의 함유량은 바람직하게는 3% 이하, 1% 이하 또는 0.5% 이하, 특히 바람직하게는 0.1% 이하이다.Cl is a component that accelerates the melting of glass. When Cl is introduced into the glass composition, the melting temperature can be lowered and the purifying action can be promoted, and as a result, it becomes easy to achieve a lower melting cost and a longer life for glass production. However, if the content of Cl is too high, there is a concern that the surrounding metal parts are corroded by glass production. Therefore, the content of Cl is preferably 3% or less, 1% or less, or 0.5% or less, particularly preferably 0.1% or less.

P2O5는 실투 결정의 석출을 억제할 수 있는 성분이다. 단, P2O5를 다량으로 도입하면, 유리가 분상하기 쉬워진다. 따라서, P2O5의 함유량은 바람직하게는 0∼2.5%, 0∼1.5% 또는 0∼0.5%, 특히 바람직하게는 0∼0.3%이다.P 2 O 5 is a component capable of suppressing the precipitation of devitrified crystals. However, when P 2 O 5 is introduced in a large amount, the glass becomes liable to be powdered. Therefore, the content of P 2 O 5 is preferably 0 to 2.5%, 0 to 1.5% or 0 to 0.5%, particularly preferably 0 to 0.3%.

TiO2는 고온 점성을 낮추어 용융성을 높이는 성분임과 아울러, 솔라리제이션을 억제하는 성분이다. 그러나, TiO2를 다량으로 도입하면, 유리가 착색하고 투과율이 저하하기 쉬워진다. 따라서, TiO2의 함유량은 바람직하게는 0∼5%, 0∼3% 또는 0∼1%, 특히 바람직하게는 0∼0.02%이다.TiO 2 is a component that lowers high-temperature viscosity to increase meltability and suppresses solarization. However, when TiO 2 is introduced in a large amount, the glass is colored and the transmittance is liable to decrease. Therefore, the content of TiO 2 is preferably 0 to 5%, 0 to 3% or 0 to 1%, particularly preferably 0 to 0.02%.

ZrO2는 내약품성, 영률을 개선시키는 성분이다. 그러나, ZrO2를 다량으로 유입하면 유리가 실투하기 쉬워지고, 또한 도입 원료가 난용해성이기 때문에 미용해의 결정성 이물이 제품 기판에 혼입될 우려가 있다. 따라서, ZrO2의 함유량은 바람직하게는 0∼5%, 0∼3% 또는 0∼1%, 특히 바람직하게는 0∼0.5%이다.ZrO 2 is a component that improves chemical resistance and Young's modulus. However, when a large amount of ZrO 2 is introduced, glass is liable to devitrify, and since the introduced raw material is poorly soluble, there is a fear that undissolved crystalline foreign matter may be mixed into the product substrate. Therefore, the content of ZrO 2 is preferably 0 to 5%, 0 to 3% or 0 to 1%, particularly preferably 0 to 0.5%.

Y2O3, Nb2O5, La2O3에는 스트레인점, 영률 등을 높이는 활동이 있다. 그러나, 이들 성분의 함유량이 각각 5% 또는 1%보다 많으면, 원료 비용, 제품 비용이 앙등할 우려가 있다.Y 2 O 3 , Nb 2 O 5 , and La 2 O 3 have activities to increase the strain point and Young's modulus. However, if the content of these components is more than 5% or 1%, respectively, there is a concern that the cost of raw materials and product costs will rise.

본 발명의 지지 유리 기판은 이하의 특성을 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the supporting glass substrate of this invention has the following characteristics.

본 발명의 지지 유리 기판에 있어서, 영률은 바람직하게는 65GPa 이상, 67GPa 이상, 68GPa 이상, 69GPa 이상 또는 70GPa 이상, 특히 바람직하게는 71GPa 이상이다. 영률이 너무 낮으면, 반송체의 강성을 유지하기 어렵고, 가공 기판의 변형, 휨, 파손이 발생하기 쉬워진다.In the supporting glass substrate of the present invention, the Young's modulus is preferably 65 GPa or more, 67 GPa or more, 68 GPa or more, 69 GPa or more, or 70 GPa or more, particularly preferably 71 GPa or more. If the Young's modulus is too low, it is difficult to maintain the rigidity of the carrier, and deformation, warpage, and breakage of the processed substrate are liable to occur.

액상 온도는 바람직하게는 1150℃ 미만, 1120℃ 이하, 1100℃ 이하, 1080℃ 이하, 1050℃ 이하, 1010℃ 이하, 980℃ 이하, 960℃ 이하 또는 950℃ 이하, 특히 바람직하게는 940℃ 이하이다. 이렇게 하면, 다운드로우법, 특히 오버플로우 다운드로우법으로 유리 기판을 성형하기 쉬워지기 때문에 판 두께가 작은 유리 기판을 제작하기 쉬워짐과 아울러, 표면을 연마하지 않아도 판 두께 편차를 저감시킬 수 있고, 결과적으로 유리 기판의 제조 비용을 저렴화할 수도 있다. 또한, 유리 기판의 제조 공정시에, 실투 결정이 발생하여 유리 기판의 생산성이 저하하는 사태를 방지하기 쉬워진다. 여기서, 「액상 온도」는 표준체 30메쉬(500㎛)를 통과하고, 50메쉬(300㎛)에 남는 유리 분말을 백금 보트에 넣은 후, 온도 구배로 중에 24시간 유지하여 결정이 석출하는 온도를 측정함으로써 산출 가능하다.The liquidus temperature is preferably less than 1150°C, 1120°C or less, 1100°C or less, 1080°C or less, 1050°C or less, 1010°C or less, 980°C or less, 960°C or less or 950°C or less, particularly preferably 940°C or less . In this way, since it becomes easy to form a glass substrate by the down-draw method, particularly the overflow down-draw method, it becomes easier to manufacture a glass substrate with a small plate thickness, and it is possible to reduce the plate thickness variation without polishing the surface. As a result, it is also possible to reduce the manufacturing cost of the glass substrate. In addition, it becomes easy to prevent a situation in which devitrification crystals are generated during the manufacturing process of the glass substrate and the productivity of the glass substrate decreases. Here, the "liquid temperature" is measured by measuring the temperature at which crystals precipitate by passing through 30 mesh (500㎛) of the standard body, placing the remaining glass powder in the 50 mesh (300㎛) into a platinum boat and holding it in a temperature gradient for 24 hours. It can be calculated by doing.

액상 온도에 있어서의 점도는 바람직하게는 10000dPa·s 이상, 30000dPa·s 이상, 60000dPa·s 이상, 100000dPa·s 이상, 150000dPa·s 이상, 200000dPa·s 이상, 250000dPa·s 이상, 300000dPa·s 이상 또는 350000dPa·s 이상, 특히 바람직하게는 400000dPa·s 이상이다. 이렇게 하면, 다운드로우법, 특히 오버플로우 다운드로우법으로 유리 기판을 성형하기 쉬워지기 때문에 판 두께가 작은 유리 기판을 제작하기 쉬워짐과 아울러, 표면을 연마하지 않아도 판 두께 편차를 저감시킬 수 있고, 결과적으로 유리 기판의 제조 비용을 저렴화할 수 있다. 또한, 유리 기판의 제조 공정시에, 실투 결정이 발생하여 유리 기판의 생산성이 저하하는 사태를 방지하기 쉬워진다. 여기서, 「액상 온도에 있어서의 점도」는 백금구 인상법으로 측정 가능하다. 또한, 액상 온도에 있어서의 점도는 성형성의 지표이고, 액상 온도에 있어서의 점도가 높을수록 성형성은 향상된다.The viscosity at the liquidus temperature is preferably 10000 dPa·s or more, 30000 dPa·s or more, 60000 dPa·s or more, 100000 dPa·s or more, 150000 dPa·s or more, 200000 dPa·s or more, 250000 dPa·s or more, 300000 dPa·s or more, or It is 350000 dPa·s or more, particularly preferably 400000 dPa·s or more. In this way, since it becomes easy to form a glass substrate by the down-draw method, particularly the overflow down-draw method, it becomes easier to manufacture a glass substrate with a small plate thickness, and it is possible to reduce the plate thickness variation without polishing the surface. As a result, the manufacturing cost of the glass substrate can be reduced. In addition, it becomes easy to prevent a situation in which devitrification crystals are generated during the manufacturing process of the glass substrate and the productivity of the glass substrate decreases. Here, "viscosity at liquidus temperature" can be measured by a platinum ball pulling method. Further, the viscosity at the liquidus temperature is an index of moldability, and the higher the viscosity at the liquidus temperature, the better the moldability.

102. 5dPa·s에 있어서의 온도는 바람직하게는 1580℃ 이하, 1550℃ 이하, 1520℃ 이하, 1500℃ 이하 또는 1480℃ 이하, 특히 바람직하게는 1300∼1470℃이다. 102. 5dPa·s에 있어서의 온도가 높아지면, 용융성이 저하하고 유리 기판의 제조 비용이 앙등한다. 여기서, 「102. 5dPa·s에 있어서의 온도」는 백금구 인상법으로 측정 가능하다. 또한, 102. 5dPa·s에 있어서의 온도는 용융 온도에 상당하고, 이 온도가 낮을수록 용융성은 향상된다.The temperature in 10 2. 5 dPa·s is preferably 1580°C or less, 1550°C or less, 1520°C or less, 1500°C or less, or 1480°C or less, particularly preferably 1300 to 1470°C. 10 2. When the temperature in 5 dPa·s increases, the meltability decreases and the manufacturing cost of the glass substrate rises. Here, "temperature in 10 2. 5 dPa·s" can be measured by the platinum ball pulling method. In addition, the temperature at 10 2. 5 dPa·s corresponds to the melting temperature, and the lower the temperature, the better the melting property.

본 발명의 지지 유리 기판은 다운드로우법, 특히 오버플로우 다운드로우법으로 성형되어 지는 것이 바람직하다. 오버플로우 다운드로우법은 내열성의 홈통상 구조물의 양측으로부터 용융 유리를 넘치게 하여 넘친 용융 유리를 홈통상 구조물의 하정단에서 합류시키면서, 하방으로 연신 성형하여 유리 기판을 제조하는 방법이다. 오버플로우 다운드로우법에서는 유리 기판의 표면이 되어야 할 면은 홈통상 내화물에 접촉하지 않고, 자유 표면의 상태에서 성형된다. 이 때문에, 판 두께가 작은 유리 기판을 제작하기 쉬워짐과 아울러, 표면을 연마하지 않아도 판 두께 편차를 저감시킬 수 있고, 결과적으로 유리 기판의 제조 비용을 저렴화할 수 있다. 또한, 홈통상 구조물의 구조나 재질은 소망의 치수나 표면 정밀도를 실현시킬 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 하방으로의 연신 성형을 행할 때에 힘을 인가하는 방법도 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 충분히 큰 폭을 갖는 내열성 롤을 유리에 접촉시킨 상태에서 회전시켜 연신하는 방법을 채용해도 좋고, 복수의 쌍을 이룬 내열성 롤을 유리의 단면 근방에만 접촉시켜 연신하는 방법을 채용해도 좋다.It is preferable that the supporting glass substrate of the present invention is formed by a downdraw method, particularly an overflow downdraw method. The overflow downdraw method is a method in which molten glass is overflowed from both sides of a heat-resistant trench-like structure, and the overflowed molten glass is joined at the lower end of the trough-like structure, and is stretched downward to produce a glass substrate. In the overflow downdraw method, the surface to be the surface of the glass substrate is formed in a state of a free surface without contacting the trough-shaped refractory. For this reason, it becomes easy to manufacture a glass substrate with a small plate thickness, and the plate thickness variation can be reduced even if the surface is not polished, and as a result, the manufacturing cost of the glass substrate can be reduced. In addition, the structure and the material of the trough-shaped structure are not particularly limited as long as the desired dimension and surface accuracy can be realized. Further, the method of applying a force when performing downward stretch molding is also not particularly limited. For example, a method of rotating and stretching a heat-resistant roll having a sufficiently large width in contact with glass may be employed, or a method in which a plurality of paired heat-resistant rolls are brought into contact only in the vicinity of the end face of the glass may be used for stretching. .

유리 기판의 성형 방법으로서 오버플로우 다운드로우법 이외에도, 예를 들면 슬롯다운법, 리드로법, 플로트법 등을 채택할 수도 있다.As a molding method of the glass substrate, in addition to the overflow down-draw method, for example, a slot-down method, a lead furnace method, a float method, or the like may be adopted.

본 발명의 유리 기판은 대략 원판상 또는 웨이퍼상이 바람직하고, 그 직경은 100mm 이상이고 또한 500mm 이하, 특히 150mm 이상이고 또한 450mm 이하가 바람직하다. 이렇게 하면, 반도체 패키지의 제조 공정에 적용하기 쉬워진다. 필요에 따라서, 그 이외의 형상, 예를 들면 직사각형 등의 형상으로 가공해도 좋다.The glass substrate of the present invention is preferably in the form of a substantially disk or a wafer, and the diameter thereof is 100 mm or more and 500 mm or less, particularly 150 mm or more and 450 mm or less. In this way, it becomes easy to apply it to the manufacturing process of a semiconductor package. If necessary, it may be processed into a shape other than that, for example, a shape such as a rectangle.

본 발명의 지지 유리 기판에 있어서, 판 두께는 바람직하게는 2.0mm 미만, 1.5mm 이하, 1.2mm 이하, 1.1mm 이하 또는 1.0mm 이하, 특히 바람직하게는 0.9mm 이하이다. 판 두께가 얇아질수록 반송체의 질량이 가벼워지기 때문에, 핸들링성은 향상된다. 한편, 판 두께가 너무 얇으면, 지지 유리 기판 자체의 강도가 저하하여 지지 기판으로서의 기능을 달성하기 어려워진다. 따라서, 판 두께는 바람직하게는 0.1mm 이상, 0.2mm 이상, 0.3mm 이상, 0.4mm 이상, 0.5mm 이상 또는 0.6mm 이상, 특히 바람직하게는 0.7mm 초과이다.In the supporting glass substrate of the present invention, the plate thickness is preferably less than 2.0 mm, 1.5 mm or less, 1.2 mm or less, 1.1 mm or less, or 1.0 mm or less, particularly preferably 0.9 mm or less. The thinner the plate thickness is, the lighter the mass of the carrier is, so the handling property is improved. On the other hand, when the plate thickness is too thin, the strength of the supporting glass substrate itself decreases, making it difficult to achieve the function as the supporting substrate. Accordingly, the plate thickness is preferably 0.1 mm or more, 0.2 mm or more, 0.3 mm or more, 0.4 mm or more, 0.5 mm or more or 0.6 mm or more, particularly preferably more than 0.7 mm.

본 발명의 지지 유리 기판에 있어서, 판 두께 편차는 바람직하게는 30㎛ 이하, 20㎛ 이하, 10㎛ 이하, 5㎛ 이하, 4㎛ 이하, 3㎛ 이하, 2㎛ 이하 또는 1㎛ 이하, 특히 바람직하게는 0.1∼1㎛ 미만이다. 또한, 산술 평균 조도(Ra)는 바람직하게는 100nm 이하, 50nm 이하, 20nm 이하, 10nm 이하, 5nm 이하, 2nm 이하 또는 1nm 이하, 특히 바람직하게는 0.5nm 이하이다. 표면 정밀도가 높을수록 가공 처리의 정밀도를 높이기 쉬워진다. 특히, 배선 정밀도를 높일 수 있기 때문에 고밀도의 배선이 가능해진다. 또한, 지지 유리 기판의 강도가 향상하여 지지 유리 기판 및 반송체가 파손되기 어려워진다. 또한, 지지 유리 기판의 재이용 횟수를 증가시킬 수 있다. 또한, 「산술 평균 조도(Ra)」는 촉침식 표면 조도계 또는 원자간력 현미경(AFM)에 의해 측정 가능하다.In the supporting glass substrate of the present invention, the plate thickness variation is preferably 30 µm or less, 20 µm or less, 10 µm or less, 5 µm or less, 4 µm or less, 3 µm or less, 2 µm or less, or 1 µm or less, particularly preferably It is preferably less than 0.1 to 1 μm. In addition, the arithmetic mean roughness (Ra) is preferably 100 nm or less, 50 nm or less, 20 nm or less, 10 nm or less, 5 nm or less, 2 nm or less, or 1 nm or less, particularly preferably 0.5 nm or less. The higher the surface precision, the easier it is to increase the precision of the processing treatment. In particular, high-density wiring is possible because wiring accuracy can be improved. Moreover, the strength of the supporting glass substrate improves, and it becomes difficult to damage the supporting glass substrate and the carrier body. In addition, it is possible to increase the number of times of reuse of the supporting glass substrate. In addition, the "arithmetic mean roughness (Ra)" can be measured with a stylus type surface roughness meter or an atomic force microscope (AFM).

본 발명의 지지 유리 기판은 오버플로우 다운드로우법으로 성형한 후에, 표면을 연마하여 이루어지는 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 판 두께 편차를 2㎛ 이하 또는 1㎛ 이하, 특히 1㎛ 미만으로 규제하기 쉬워진다.It is preferable that the supporting glass substrate of the present invention is formed by polishing the surface after forming by the overflow down-draw method. In this way, it becomes easy to regulate the plate thickness variation to 2 µm or less or 1 µm or less, particularly less than 1 µm.

본 발명의 지지 유리 기판은 제조 효율의 관점에서 화학 강화 처리가 되어 있지 않은 것이 바람직하고, 기계적 강도의 관점에서 화학 강화 처리가 되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 제조 효율의 관점에서 표면에 압축 응력층을 갖지 않는 것이 바람직하고, 기계적 강도의 관점에서 표면에 압축 응력층을 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the supporting glass substrate of the present invention has not been subjected to a chemical strengthening treatment from the viewpoint of manufacturing efficiency, and a chemical strengthening treatment is preferably performed from the viewpoint of mechanical strength. That is, it is preferable not to have a compressive stress layer on the surface from the viewpoint of manufacturing efficiency, and it is preferable to have a compressive stress layer on the surface from the viewpoint of mechanical strength.

본 발명의 반송체는 적어도 가공 기판과 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판을 구비하는 반송체이고, 지지 유리 기판이 상기 지지 유리 기판인 것을 특징으로 한다. 여기서, 본 발명의 반송체의 기술적 특징(바람직한 구성, 효과)은 본 발명의 지지 유리 기판의 기술적 특징과 중복한다. 따라서, 본 명세서에서는 그 중복 부분에 대해서 상세한 기재를 생략한다.The carrier of the present invention is a carrier comprising at least a processing substrate and a supporting glass substrate for supporting the processing substrate, and the supporting glass substrate is the supporting glass substrate. Here, the technical features (preferred configuration, effects) of the carrier of the present invention overlap with those of the supporting glass substrate of the present invention. Therefore, detailed description of the overlapping portion is omitted in this specification.

본 발명의 반송체는 가공 기판과 지지 유리 기판 사이에 접착층을 갖는 것이 바람직하다. 접착층은 수지인 것이 바람직하고, 예를 들면 열경화성 수지, 광경화성 수지(특히, 자외선 경화 수지) 등이 바람직하다. 또한, 반도체 패키지의 제조 공정에서 사용되는 각종 약액, 또는 드라이 에칭시에 사용되는 가스나 플라즈마에 대하여 내성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 반도체 패키지의 제조 공정에 있어서의 열처리에 견디는 내열성을 갖는 것이 바람직하다. 이에 따라, 반도체 패키지의 제조 공정에서 접착층이 융해하기 어려워 가공 처리의 정밀도를 높일 수 있다.It is preferable that the carrier of the present invention has an adhesive layer between the processing substrate and the supporting glass substrate. The adhesive layer is preferably a resin, and for example, a thermosetting resin, a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curing resin) and the like are preferable. In addition, it is preferable to have resistance to various chemical solutions used in the manufacturing process of semiconductor packages, or gases or plasmas used in dry etching. In addition, it is desirable to have heat resistance to withstand heat treatment in the manufacturing process of a semiconductor package. Accordingly, it is difficult to melt the adhesive layer in the manufacturing process of the semiconductor package, so that the precision of the processing treatment can be improved.

본 발명의 반송체는 또한 가공 기판과 지지 유리 기판의 사이에, 보다 구체적으로는 가공 기판과 접착층의 사이에 박리층을 갖는 것이 더 바람직하다. 이렇게 하면, 가공 기판에 대하여 소정의 가공 처리를 행한 후에, 가공 기판을 지지 유리 기판으로부터 박리하기 쉬워진다. 가공 기판의 박리는 생산성의 관점에서 레이저광 등의 조사광에 의해 행하는 것이 바람직하다.It is further preferable that the carrier of the present invention further has a release layer between the processed substrate and the supporting glass substrate, more specifically, between the processed substrate and the adhesive layer. In this way, after performing a predetermined processing treatment on the processed substrate, it becomes easy to peel the processed substrate from the supporting glass substrate. It is preferable to peel off the processed substrate by irradiation light such as laser light from the viewpoint of productivity.

박리층은 레이저광 등의 조사광에 의해 「층내 박리」또는 「계면 박리」가 발생되는 재료로 구성된다. 즉, 일정한 강도의 광을 조사하면, 원자 또는 분자에 있어서의 원자간 또는 분자간의 결합력이 소실 또는 감소하고, 어블레이션 등이 발생하여 박리를 발생시키는 재료로 구성된다. 또한, 조사광의 조사에 의해 박리층에 포함되는 성분이 기체가 되어 방출되어서 분리에 도달하는 경우와, 박리층이 광을 흡수하여 기체가 되어 그 증기가 방출되어서 분리에 도달하는 경우가 있다.The peeling layer is composed of a material in which "intralayer peeling" or "interfacial peeling" occurs by irradiation light such as laser light. That is, when irradiated with light of a certain intensity, the bonding force between atoms or molecules in atoms or molecules is lost or decreased, and ablation or the like occurs, and the material is composed of a material that causes peeling. In addition, there are cases in which components contained in the peeling layer become gas by irradiation of irradiation light and are released to reach separation, and there are cases where the peeling layer absorbs light to become a gas and the vapor is released to reach separation.

본 발명의 반송체에 있어서, 지지 유리 기판은 가공 기판보다 큰 것이 바람직하다. 이에 따라, 가공 기판과 지지 유리 기판을 지지할 때에 양자의 중심 위치가 약간 이간한 경우에도 지지 유리 기판으로부터 가공 기판의 가장자리부가 밀려나오기 어려워진다.In the carrier of the present invention, it is preferable that the supporting glass substrate is larger than the processed substrate. Accordingly, when supporting the processing substrate and the supporting glass substrate, even when the central positions of both are slightly separated, the edge portions of the processing substrate are difficult to be pushed out of the supporting glass substrate.

본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은 적어도 가공 기판과 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판을 구비하는 반송체를 얻는 공정과, 반송체를 반송하는 공정과, 가공 기판에 대하여 가공 처리를 행하는 공정을 가짐과 아울러, 지지 유리 기판이 상기 지지 유리 기판인 것을 특징으로 한다. 여기서, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 기술적 특징(바람직한 구성, 효과)은 본 발명의 지지 유리 기판 및 반송체의 기술적 특징과 중복한다. 따라서, 본 명세서에서는 그 중복 부분에 대해서 상세한 기재를 생략한다.The method for manufacturing a semiconductor package of the present invention comprises at least a step of obtaining a carrier including a process substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, a process of transferring the carrier, and a process of performing a processing treatment on the processed substrate. In addition to having, it is characterized in that the supporting glass substrate is the supporting glass substrate. Here, the technical features (preferred configuration, effects) of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention overlap with those of the supporting glass substrate and the carrier of the present invention. Therefore, detailed description of the overlapping portion is omitted in this specification.

본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, 가공 처리는 가공 기판의 일방의 표면에 배선하는 처리, 또는 가공 기판의 일방의 표면에 땜납 범프를 형성하는 처리가 바람직하다. 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는 이들 처리시에 가공 기판이 치수 변화하기 어렵기 때문에, 이들 공정을 적정하게 행할 수 있다.In the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, the processing treatment is preferably a process of wiring to one surface of a processed substrate or a process of forming a solder bump on one surface of the processed substrate. In the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, since the size of the processed substrate is difficult to change during these treatments, these steps can be appropriately performed.

가공 처리로서 상기 이외에도, 가공 기판의 일방의 표면(통상, 지지 유리 기판과는 반대측의 표면)을 기계적으로 연마하는 처리, 가공 기판의 일방의 표면(통상, 지지 유리 기판과는 반대측의 표면)을 드라이 에칭하는 처리, 가공 기판의 일방의 표면(통상, 지지 유리 기판과는 반대측의 표면)을 습식 에칭하는 처리 중 어느 하나이어도 좋다. 또한, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는 가공 기판에 휨이 발생하기 어려움과 아울러, 반송체의 강성을 높게 유지할 수 있다. 결과적으로, 상기 가공 처리를 적정하게 행할 수 있다.As a processing treatment, in addition to the above, a treatment for mechanically polishing one surface of the processing substrate (usually, the surface opposite to the supporting glass substrate), and a processing of one surface of the processing substrate (usually, the surface opposite to the supporting glass substrate). Any one of dry etching treatment or treatment of wet etching one surface of the processed substrate (usually the surface opposite to the supporting glass substrate) may be used. In addition, in the method of manufacturing a semiconductor package of the present invention, it is difficult to cause warpage in the processed substrate, and it is possible to maintain high rigidity of the carrier. As a result, the processing treatment can be appropriately performed.

본 발명의 반도체 패키지는 상기 반도체 패키지의 제조 방법에 의해 제작된 것을 특징으로 한다. 여기서, 본 발명의 반도체 패키지의 기술적 특징(바람직한 구성, 효과)은 본 발명의 지지 유리 기판, 반송체 및 반도체 패키지의 제조 방법의 기술적 특징과 중복한다. 따라서, 본 명세서에서는 그 중복 부분에 대해서 상세한 기재를 생략한다.The semiconductor package of the present invention is characterized in that it is manufactured by the method of manufacturing the semiconductor package. Here, the technical features (preferred configuration, effects) of the semiconductor package of the present invention overlap with those of the manufacturing method of the supporting glass substrate, carrier and semiconductor package of the present invention. Therefore, detailed description of the overlapping portion is omitted in this specification.

본 발명의 전자기기는 반도체 패키지를 구비하는 전자기기이고, 반도체 패키지는 상기 반도체 패키지인 것을 특징으로 한다. 여기서, 본 발명의 전자기기의 기술적 특징(바람직한 구성, 효과)은 본 발명의 지지 유리 기판, 반송체, 반도체 패키지의 제조 방법, 반도체 패키지의 기술적 특징과 중복한다. 따라서, 본 명세서에서는 그 중복 부분에 대해서 상세한 기재를 생략한다.The electronic device of the present invention is an electronic device including a semiconductor package, and the semiconductor package is the semiconductor package. Here, the technical features (preferred configuration, effects) of the electronic device of the present invention overlap with the technical features of the supporting glass substrate, carrier, semiconductor package manufacturing method, and semiconductor package of the present invention. Therefore, detailed description of the overlapping portion is omitted in this specification.

도면을 참작하면서 본 발명을 더욱 설명한다.The present invention will be further described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 반송체(1)의 일례를 나타내는 개념 사시도이다. 도 1에서는 반송체(1)는 지지 유리 기판(10)과 가공 기판(반도체 기판)(11)을 구비하고 있다. 지지 유리 기판(10)은 가공 기판(11)의 치수 변화를 방지하기 위해서 가공 기판(11)에 점착되어 있다. 지지 유리 기판(10)과 가공 기판(11) 사이에는 박리층(12)과 접착층(13)이 배치되어 있다. 박리층(12)은 지지 유리 기판(10)과 접촉하고 있고, 접착층(13)은 가공 기판(11)과 접촉하고 있다.1 is a conceptual perspective view showing an example of a carrier 1 of the present invention. In FIG. 1, the carrier 1 includes a supporting glass substrate 10 and a processing substrate (semiconductor substrate) 11. The supporting glass substrate 10 is adhered to the processed substrate 11 in order to prevent dimensional change of the processed substrate 11. A peeling layer 12 and an adhesive layer 13 are disposed between the supporting glass substrate 10 and the processed substrate 11. The peeling layer 12 is in contact with the supporting glass substrate 10, and the adhesive layer 13 is in contact with the processed substrate 11.

도 1에서 파악할 수 있도록, 반송체(1)는 지지 유리 기판(10), 박리층(12), 접착층(13), 가공 기판(11)이 순차적으로 적층 배치되어 있다. 지지 유리 기판(10)의 형상은 가공 기판(11)에 따라 결정되지만, 도 1에서는 지지 유리 기판(10) 및 가공 기판(11)의 형상은 모두 대략 원판 형상이다. 박리층(12)은 비정질 실리콘(a-Si) 이외에도, 산화규소, 규산 화합물, 질화규소, 질화알루미늄, 질화티타늄 등을 사용할 수 있다. 박리층(12)은 플라즈마 CVD, 졸-겔법에 의한 스핀코트 등에 의해 형성된다. 접착층(13)은 수지로 구성되어 있고, 예를 들면 각종 인쇄법, 잉크젯법, 스핀코트법, 롤코팅법 등에 의해 도포 형성된다. 접착층(13)은 박리층(12)에 의해 가공 기판(11)으로부터 지지 유리 기판(10)이 박리된 후, 용제 등에 의해 용해 제거된다.In order to be able to grasp from FIG. 1, as for the carrier body 1, the supporting glass substrate 10, the peeling layer 12, the adhesive layer 13, and the processed substrate 11 are sequentially stacked and arranged. The shape of the supporting glass substrate 10 is determined depending on the processed substrate 11, but in FIG. 1, the shapes of the supporting glass substrate 10 and the processed substrate 11 are both substantially disk-shaped. In addition to amorphous silicon (a-Si), the release layer 12 may be formed of silicon oxide, a silicic acid compound, silicon nitride, aluminum nitride, titanium nitride, or the like. The release layer 12 is formed by plasma CVD, spin coating by a sol-gel method, or the like. The adhesive layer 13 is made of a resin, and is formed by coating, for example, various printing methods, inkjet methods, spin coating methods, roll coating methods, or the like. After the supporting glass substrate 10 is peeled from the processed substrate 11 by the peeling layer 12, the adhesive layer 13 is dissolved and removed with a solvent or the like.

도 2a∼도 2g는 팬 아웃형의 WLP의 제조 공정을 나타내는 개념 단면도이다. 도 2a는 지지 부재(20)의 일방의 표면 상에 접착층(21)을 형성한 상태를 나타내고 있다. 필요에 따라서, 지지 부재(20)와 접착층(21) 사이에 박리층을 형성해도 좋다. 이어서, 도 2b에 나타내는 바와 같이 접착층(21) 상에 복수의 반도체칩(22)을 부착한다. 그 때, 반도체칩(22)의 액티브측의 면을 접착층(21)에 접촉시킨다. 이어서, 도 2c에 나타내는 바와 같이 반도체칩(22)을 수지의 밀봉재(23)로 몰드한다. 밀봉재(23)는 압축 성형 후의 치수 변화, 배선을 성형할 때의 치수 변화가 적은 재료가 사용된다. 계속해서, 도 2d 및 도 2e에 나타내는 바와 같이 지지 부재(20)로부터 반도체칩(22)이 몰드된 가공 기판(24)을 분리한 후, 접착층(25)을 통하여 지지 유리 기판(26)과 접착 고정시킨다. 그 때, 가공 기판(24)의 표면의 내, 반도체칩(22)이 매입된 측의 표면과는 반대측의 표면이 지지 유리 기판(26)측에 배치된다. 이렇게 하여, 반송체(27)를 얻을 수 있다. 또한, 필요에 따라서 접착층(25)과 지지 유리 기판(26) 사이에 박리층을 형성해도 좋다. 또한, 얻어진 반송체(27)를 반송한 후에, 도 2f에 나타내는 바와 같이 가공 기판(24)의 반도체칩(22)이 매입된 측의 표면에 배선(28)을 형성하고, 그 후에 배선(28)의 노출부측에 복수의 땜납 범프(29)를 형성한다. 최후에, 지지 유리 기판(26)으로부터 가공 기판(24)을 분리한 후에, 도 2g에 나타내는 바와 같이 가공 기판(24)을 반도체칩(22)마다 절단하여 후의 패키징 공정에 제공한다.2A to 2G are conceptual cross-sectional views showing a manufacturing process of a fan-out type WLP. 2A shows a state in which an adhesive layer 21 is formed on one surface of the support member 20. If necessary, a release layer may be formed between the support member 20 and the adhesive layer 21. Next, a plurality of semiconductor chips 22 are attached on the adhesive layer 21 as shown in FIG. 2B. At that time, the surface of the semiconductor chip 22 on the active side is brought into contact with the adhesive layer 21. Next, as shown in Fig. 2C, the semiconductor chip 22 is molded with a resin sealing material 23. The sealing material 23 is made of a material having little dimensional change after compression molding and less dimensional change when forming wiring. Subsequently, after separating the processed substrate 24 on which the semiconductor chip 22 is molded from the support member 20 as shown in FIGS. 2D and 2E, the support glass substrate 26 is adhered through the adhesive layer 25. Fix it. In that case, the inside of the surface of the processing substrate 24 and the surface on the opposite side to the surface on which the semiconductor chip 22 is embedded are disposed on the supporting glass substrate 26 side. In this way, the carrier 27 can be obtained. Further, if necessary, a peeling layer may be formed between the adhesive layer 25 and the supporting glass substrate 26. Further, after conveying the obtained carrier 27, as shown in Fig. 2F, a wiring 28 is formed on the surface of the processed substrate 24 on the side where the semiconductor chip 22 is embedded, and thereafter, the wiring 28 A plurality of solder bumps 29 are formed on the exposed portion side of ). Finally, after separating the processed substrate 24 from the supporting glass substrate 26, as shown in FIG. 2G, the processed substrate 24 is cut for each semiconductor chip 22, and is provided for a subsequent packaging process.

실시예 1Example 1

이하, 본 발명을 실시예에 의거하여 설명한다. 또한, 이하의 실시예는 단순한 예시이다. 본 발명은 이하의 실시예로 조금도 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described based on examples. In addition, the following examples are mere examples. The present invention is not limited at all to the following examples.

표 1은 본 발명의 실시예(시료 No.1∼7)를 나타내고 있다.Table 1 shows examples (Samples Nos. 1 to 7) of the present invention.

Figure 112015112295886-pct00001
Figure 112015112295886-pct00001

우선, 표 중의 유리 조성이 되도록 유리 원료를 조합한 유리 배치를 백금 도가니에 넣고 1550℃에서 4시간 용융했다. 유리 배치의 용해시에는 백금 스터러를 이용하여 교반해서 균질화를 행했다. 이어서, 용융 유리를 카본판 상에 흘려 내보내어 판상으로 성형한 후, 서냉점보다 20℃ 정도 높은 온도에서 3℃/분으로 상온까지 서랭했다. 얻어진 각 시료에 대해서, 20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수(α20 ∼200), 30∼380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수(α30 ∼380), 밀도(ρ), 스트레인점(Ps), 서냉점(Ta), 연화점(Ts), 고온 점도 104. 0dPa·s에 있어서의 온도, 고온 점도 103. 0dPa·s에 있어서의 온도, 고온 점도 102. 5dPa·s에 있어서의 온도, 고온 점도 102. 0dPa·s에 있어서의 온도, 액상 온도(TL), 및 액상 온도(TL)에 있어서의 점도(η), 영률(E), 판 두께 방향에 대한 파장 300nm에 있어서의 자외선 투과율(T)을 평가했다.First, the glass batch in which the glass raw materials were combined so that it might become the glass composition in the table was put into a platinum crucible, and it melted at 1550 degreeC for 4 hours. At the time of dissolution of the glass batch, homogenization was performed by stirring using a platinum stirrer. Subsequently, the molten glass was poured out onto a carbon plate and formed into a plate shape, and then slowly cooled to room temperature at 3°C/min at a temperature approximately 20°C higher than the slow cooling point. For each sample obtained, and the average coefficient of linear thermal expansion (α 20 ~200) in the temperature range of 20~200 ℃, the average coefficient of linear thermal expansion (α 30 ~380) in the temperature range of 30~380 ℃, density ( ρ), strain point (Ps), slow cooling point (Ta), softening point (Ts), high temperature viscosity 10 4. 0 dPa·s temperature, high temperature viscosity 10 3. 0 dPa·s temperature, high temperature viscosity Temperature at 10 2. 5 dPa·s, viscosity at high temperature 10 2. Temperature at 0 dPa·s, liquidus temperature (TL), and viscosity (η) at liquidus temperature (TL), Young's modulus (E) , The ultraviolet transmittance (T) at a wavelength of 300 nm with respect to the plate thickness direction was evaluated.

20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수(α20 ∼200), 30∼380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수(α30 ∼ 380)는 딜라토미터로 측정한 값이다.The average linear thermal expansion coefficient (α 20 to 200 ) in the temperature range of 20 to 200 °C, and the average linear thermal expansion coefficient (α 30 to 380 ) in the temperature range of 30 to 380 °C are values measured with a dilatometer. .

밀도(ρ)는 주지의 아르키메데스법에 의해 측정한 값이다.The density (ρ) is a value measured by the known Archimedes method.

스트레인점(Ps), 서냉점(Ta), 연화점(Ts)은 ASTM C336의 방법에 의거하여 측정한 값이다.Strain point (Ps), slow cooling point (Ta), and softening point (Ts) are values measured according to the method of ASTM C336.

고온 점도 104. 0dPa·s, 103. 0dPa·s, 102. 5dPa·s에 있어서의 온도는 백금구 인상법으로 측정한 값이다.The temperature at high temperature viscosity of 10 4. 0 dPa·s, 10 3. 0 dPa·s, and 10 2. 5 dPa·s is a value measured by the platinum ball pulling method.

액상 온도(TL)는 표준체 30메쉬(500㎛)를 통과하고 50메쉬(300㎛)에 남는 유리 분말을 백금 보트에 넣어서, 온도 구배로 중에 24시간 유지한 후 결정이 석출하는 온도를 현미경 관찰로 측정한 값이다. 액상 온도에 있어서의 점도(η)는 액상 온도(TL)에 있어서의 유리의 점도를 백금구 인상법으로 측정한 값이다.The liquidus temperature (TL) passes through 30 meshes (500㎛) of the standard body and puts the glass powder remaining in the 50 meshes (300㎛) into a platinum boat, and is maintained in a temperature gradient furnace for 24 hours, and the temperature at which crystals precipitate is observed by microscopic observation. This is the measured value. The viscosity (η) at the liquidus temperature is a value obtained by measuring the viscosity of the glass at the liquidus temperature (TL) by a platinum ball pulling method.

영률(E)은 공진법에 의해 측정한 값을 가리킨다.Young's modulus (E) refers to a value measured by the resonance method.

파장 300nm에 있어서의 자외선 투과율(T)은 더블빔형 분광 광도계를 이용하여 판 두께 방향에 대한 파장 300nm의 분광 투과율을 측정한 값이다. 측정 시료로서, 판 두께가 0.7mm이고 또한 양면을 광학 연마면(경면)으로 연마한 것을 사용했다. 또한, AFM에 의해 이 평가 시료의 산술 표면 조도(Ra)를 측정한 바, 측정 영역 10㎛×10㎛에서 0.5∼1.0nm이었다.The ultraviolet transmittance (T) at a wavelength of 300 nm is a value obtained by measuring a spectral transmittance of a wavelength of 300 nm in the thickness direction of the plate using a double beam type spectrophotometer. As a measurement sample, a plate having a thickness of 0.7 mm and having both surfaces polished with an optical polishing surface (mirror surface) was used. Further, when the arithmetic surface roughness (Ra) of this evaluation sample was measured by AFM, it was 0.5 to 1.0 nm in a measurement area of 10 µm × 10 µm.

표 1로부터 명백한 바와 같이, 시료 No.1∼7은 20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수(α30 ∼ 200)가 56×10-7/℃∼65×10-7/℃이고, 30∼380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수(α30 ∼ 380)가 58×10-7/℃∼68×10-7/℃이었다. 또한, 시료 No.1∼7은 영률(E)이 70GPa 이상이고, 판 두께 방향에 대한 파장 300nm에 있어서의 자외선 투과율(T)이 55% 이상이었다. 따라서, 시료 No.1∼7은 반도체 제조 장치의 제조 공정에서 가공 기판의 지지에 사용하는 지지 유리 기판으로서 바람직하다고 생각된다.As is clear from Table 1, Sample Nos. 1 to 7 have an average linear thermal expansion coefficient (α 30 to 200 ) in the temperature range of 20 to 200°C of 56×10 -7 /°C to 65×10 -7 /°C. And the average linear thermal expansion coefficient (α 30 to 380 ) in the temperature range of 30 to 380 °C was 58×10 -7 /°C to 68×10 -7 /°C. Further, Samples Nos. 1 to 7 had a Young's modulus (E) of 70 GPa or more, and an ultraviolet transmittance (T) of 55% or more at a wavelength of 300 nm in the thickness direction. Therefore, it is considered that Samples Nos. 1 to 7 are preferable as supporting glass substrates used for supporting a processed substrate in a manufacturing process of a semiconductor manufacturing apparatus.

실시예 2Example 2

우선, 표 1에 기재된 시료 No.1∼7의 유리 조성이 되도록, 유리 원료를 조합한 후 유리 용융로에 공급하여 1500∼1600℃에서 용융하고, 이어서 용융 유리를 오버플로우 다운드로우 성형 장치에 공급하여 판 두께가 0.7mm이 되도록 각각 성형했다. 얻어진 유리 기판에 대해서 양쪽 표면을 기계 연마하여 판 두께 편차를 1㎛ 미만으로 저감시켰다.First, to obtain the glass composition of Sample Nos. 1 to 7 shown in Table 1, the glass raw materials were combined and then supplied to a glass melting furnace to melt at 1500 to 1600°C, and then the molten glass was supplied to an overflow downdraw molding apparatus. Each was molded so that the plate thickness was 0.7 mm. With respect to the obtained glass substrate, both surfaces were mechanically polished to reduce the plate thickness variation to less than 1 µm.

1, 27: 반송체 10, 26: 지지 유리 기판
11, 24: 가공 기판 12: 박리층
13, 21, 25: 접착층 20: 지지 부재
22: 반도체칩 23: 밀봉재
28: 배선 29: 땜납 범프1, 27: carrier 10, 26: supporting glass substrate
11, 24: processed substrate 12: peeling layer
13, 21, 25: adhesive layer 20: support member
22: semiconductor chip 23: sealing material
28: wiring 29: solder bump

Claims (14)

적어도 가공 기판과 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판을 구비하는 반송체로서,
지지 유리 기판의 20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수는 50×10-7/℃ 이상이고 또한 66×10-7/℃ 이하이고,
가공 기판이, 복수의 반도체칩을 포함하며, 해당 복수의 반도체칩이 수지의 밀봉재로 몰드되어 있는 것을 특징으로 하는 반송체.As a carrier comprising at least a processing substrate and a supporting glass substrate for supporting the processing substrate,
The average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 20 to 200°C of the supporting glass substrate is 50×10 -7 /°C or more and 66×10 -7 /°C or less,
A carrier, characterized in that the processed substrate includes a plurality of semiconductor chips, and the plurality of semiconductor chips are molded with a resin sealing material. 제 1 항에 있어서,
지지 유리 기판의 30∼380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수는 50×10-7/℃ 이상이고 또한 70×10-7/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 반송체.The method of claim 1,
A carrier, characterized in that the support glass substrate has an average linear thermal expansion coefficient of 50×10 -7 /°C or more and 70×10 -7 /°C or less in a temperature range of 30 to 380°C. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
지지 유리 기판의 판 두께 방향에 대한 파장 300nm에 있어서의 자외선 투과율은 40% 이상인 것을 특징으로 하는 반송체.The method according to claim 1 or 2,
A carrier, characterized in that the ultraviolet transmittance at a wavelength of 300 nm with respect to the thickness direction of the supporting glass substrate is 40% or more. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
지지 유리 기판의 영률은 65GPa 이상인 것을 특징으로 하는 반송체.The method according to claim 1 or 2,
A carrier, characterized in that the Young's modulus of the supporting glass substrate is 65 GPa or more. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
지지 유리 기판이, 유리 조성으로서, 질량%로 SiO2 50∼80%, Al2O3 1∼20%, B2O3 3∼20%, MgO 0∼10%, CaO 0∼10%, SrO 0∼7%, BaO 0∼7%, ZnO 0∼7%, Na2O 5∼15%, K2O 0∼10%를 함유하는 것을 특징으로 하는 반송체.The method according to claim 1 or 2,
The supporting glass substrate is a glass composition, in terms of mass%, SiO 2 50 to 80%, Al 2 O 3 1 to 20%, B 2 O 3 3 to 20%, MgO 0 to 10%, CaO 0 to 10%, SrO A carrier comprising 0 to 7%, BaO 0 to 7%, ZnO 0 to 7%, Na 2 O 5 to 15%, and K 2 O 0 to 10%. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
지지 유리 기판이, 유리 조성으로서, 질량%로 SiO2 55∼70%, Al2O3 3∼15%, B2O3 5∼20%, MgO 0∼5%, CaO 0∼10%, SrO 0∼5%, BaO 0∼5%, ZnO 0∼5%, Na2O 5∼15%, K2O 0∼10%를 함유하는 것을 특징으로 하는 반송체.The method according to claim 1 or 2,
The supporting glass substrate is a glass composition, in terms of mass%, SiO 2 55 to 70%, Al 2 O 3 3 to 15%, B 2 O 3 5 to 20%, MgO 0 to 5%, CaO 0 to 10%, SrO A carrier, characterized in that it contains 0 to 5%, BaO 0 to 5%, ZnO 0 to 5%, Na 2 O 5 to 15%, and K 2 O 0 to 10%. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
지지 유리 기판의 판 두께가 2.0mm 미만이고, 지지 유리 기판의 직경이 100∼500mm인 웨이퍼 형상 또는 원판 형상인 것을 특징으로 하는 반송체.The method according to claim 1 or 2,
A carrier, characterized in that the support glass substrate has a thickness of less than 2.0 mm, and the support glass substrate has a wafer shape or a disk shape having a diameter of 100 to 500 mm. 적어도 가공 기판과 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판을 구비하는 반송체를 얻는 공정과,
반송체를 반송하는 공정과,
가공 기판에 대하여 가공 처리를 행하는 공정을 가짐과 아울러,
지지 유리 기판의 20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 열팽창계수는 50×10-7/℃ 이상이고 또한 66×10-7/℃ 이하이고, 가공 기판이, 복수의 반도체칩을 포함하며, 해당 복수의 반도체칩이 수지의 밀봉재로 몰드되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.A process of obtaining a carrier comprising at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate,
The process of conveying the carrier, and
In addition to having a process of performing processing on the processed substrate,
The average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 20-200°C of the supporting glass substrate is 50×10 -7 /°C or more and 66×10 -7 /°C or less, and the processed substrate includes a plurality of semiconductor chips. And the plurality of semiconductor chips are molded with a resin sealing material. 제 8 항에 있어서,
가공 처리는 가공 기판의 일방의 표면에 배선하는 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 8,
A method of manufacturing a semiconductor package, characterized in that the processing treatment includes a treatment of wiring on one surface of a processed substrate. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
가공 처리는 가공 기판의 일방의 표면에 땜납 범프를 형성하는 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 8 or 9,
A method of manufacturing a semiconductor package, characterized in that the processing treatment includes a treatment of forming a solder bump on one surface of a processing substrate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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