KR102200494B1 - 질화티탄 제거용 액체 조성물 및 이것을 이용한 반도체소자의 세정방법, 그리고 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

질화티탄 제거용 액체 조성물 및 이것을 이용한 반도체소자의 세정방법, 그리고 반도체소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102200494B1
KR102200494B1 KR1020167010489A KR20167010489A KR102200494B1 KR 102200494 B1 KR102200494 B1 KR 102200494B1 KR 1020167010489 A KR1020167010489 A KR 1020167010489A KR 20167010489 A KR20167010489 A KR 20167010489A KR 102200494 B1 KR102200494 B1 KR 102200494B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
alkyl group
formula
substituted
Prior art date
Application number
KR1020167010489A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160111903A (ko
Inventor
사토시 타마이
켄지 시마다
Original Assignee
미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 filed Critical 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
Publication of KR20160111903A publication Critical patent/KR20160111903A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102200494B1 publication Critical patent/KR102200494B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C11D11/0047—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/004—Surface-active compounds containing F
    • C11D1/006—Surface-active compounds containing fluorine and phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/02—Anionic compounds
    • C11D1/12—Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof
    • C11D1/29—Sulfates of polyoxyalkylene ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/02—Anionic compounds
    • C11D1/34—Derivatives of acids of phosphorus
    • C11D1/345—Phosphates or phosphites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0073—Anticorrosion compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/12—Water-insoluble compounds
    • C11D3/122—Sulfur-containing, e.g. sulfates, sulfites or gypsum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/24—Organic compounds containing halogen
    • C11D3/245—Organic compounds containing halogen containing fluorine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
    • C11D3/3947—Liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/10—Salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/36—Organic compounds containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C23G1/04—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors
    • C23G1/06—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors
    • C23G1/061—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors nitrogen-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C23G1/10—Other heavy metals
    • C23G1/106—Other heavy metals refractory metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76814—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics post-treatment or after-treatment, e.g. cleaning or removal of oxides on underlying conductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명에 따르면, 질화티탄, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 갖는 기판으로부터, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키는 일 없이, 질화티탄을 제거하고, (A)과망간산칼륨, 퍼옥소이황산암모늄, 퍼옥소이황산칼륨, 및 퍼옥소이황산나트륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 산화제, (B)불소 화합물, 및 (C)텅스텐 방식제를 포함하고, 또한 pH값이 0~4인 액체 조성물로서, 상기 (C)텅스텐 방식제가, 알킬아민 및 그의 염, 플루오로알킬아민 및 그의 염 등으로 이루어진 C1화합물군으로부터 선택되는 2종 이상의 상이한 화합물을 포함하거나, 혹은, 상기 C1화합물군으로부터 선택되는 1종 이상과, 폴리옥시알킬렌알킬아민, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬아민 등으로 이루어진 C2화합물군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며, 상기 (A)산화제에 있어서의 과망간산칼륨의 농도가 0.001~0.1질량%이고, 상기 (B)불소 화합물의 농도가 0.01~1질량%인, 상기 액체 조성물을 제공할 수 있다.

Description

질화티탄 제거용 액체 조성물 및 이것을 이용한 반도체소자의 세정방법, 그리고 반도체소자의 제조방법{LIQUID COMPOSITION FOR REMOVING TITANIUM NITRIDE, SEMICONDUCTOR-ELEMENT CLEANING METHOD USING SAME, AND SEMICONDUCTOR-ELEMENT MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 액체 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체소자의 제조공정에 있어서, 배선에 이용되는 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식하지 않고, 하드마스크에 이용되는 질화티탄을 제거하기 위한 액체 조성물, 및 이것을 이용한 반도체소자의 세정방법, 그리고 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다.
반도체기판의 제조에 있어서는, 유기재료와 무기재료의 종류를 불문하고 다양한 재료가 사용되는데, 이들 중에 텅스텐과 질화티탄이 있다. 텅스텐은 예를 들어 배선재료로서 이용되고, 질화티탄은 최근에는 하드마스크로서 사용하는 방법이 검토되고 있다.
텅스텐과 질화티탄이 표면에 공존하는 반도체기판에 있어서, 예를 들어 텅스텐이 배선으로서 이용되고, 질화티탄이 하드마스크로서 이용되는 경우에는, 텅스텐을 부식시키는 일 없이 질화티탄을 제거할 것이 요구된다. 질화티탄은 과산화수소를 함유하는 조성물을 이용한다면 비교적 용이하게 제거할 수 있는데, 과산화수소는 텅스텐에 대한 부식성이 크기 때문에 사용하기 어렵다. 덧붙여, 텅스텐에 대한 질화티탄의 에칭선택비를 크게 할 필요성도 있다.
그러므로, 과산화수소에 의한 텅스텐의 부식을 방지하기 위하여, 과산화수소를 함유하는 조성물에 방식제를 첨가하는 방법이 검토되고 있다. 특허문헌 1에 있어서는, 4급암모늄 및 그의 염, 4급피리디늄 및 그의 염, 4급비피리디늄 및 그의 염, 그리고 4급이미다졸리움 및 그의 염을 이용하는 방식제가 개시되어 있다. 그러나, 인용문헌 1에 개시된 방식제는 텅스텐에 대한 방식효과가 충분하지 않다.
또한, 특허문헌 2에 있어서는, 과산화수소를 사용하지 않는 조성물로서 농황산을 이용하여, 텅스텐을 부식시키지 않고 질화티탄을 에칭할 수 있다고 개시하고 있다. 그러나, 인용문헌 2는, 질화티탄의 에칭레이트는 3~15Å/min로 느리고, 예를 들어 통상 수백~수천Å의 두께를 갖는 질화티탄 하드마스크의 제거에 이용하는 경우에는 실용적이지 않다.
또한, 특허문헌 3에 있어서는, 산화제와 불소 화합물과 방식제를 함유하는 조성물을 이용하여, 텅스텐을 부식시키지 않고 질화티탄을 에칭할 수 있다고 개시하고 있다. 그러나, 인용문헌 3은, 질화티탄의 제거성이 낮고, 또한, 텅스텐의 방식효과가 충분하지 않은 등의 문제가 있다.
일본특허공개 2008-285508호 공보 일본특허공개 2003-234307호 공보 국제공개 제2013/101907호
본 발명은, 상기 종래에 있어서의 문제 중 적어도 하나를 해결하는 것을 과제로 한다. 나아가, 본 발명은, 질화티탄과 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 포함하는 기판으로부터, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키는 일 없이 질화티탄을 제거할 수 있는 액체 조성물, 및 이것을 이용한 반도체소자의 세정방법 그리고 반도체소자의 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토한 결과, 특정 산화제와 불소 화합물 및 텅스텐 방식제를 포함하는 액체 조성물을 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다.
즉, 본 발명은 이하와 같다.
<1> 질화티탄, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 갖는 기판으로부터, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키는 일 없이, 질화티탄을 제거하고,
(A)과망간산칼륨, 퍼옥소이황산암모늄, 퍼옥소이황산칼륨, 및 퍼옥소이황산나트륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 산화제,
(B)불소 화합물, 및
(C)텅스텐 방식제를 포함하고,
또한 pH값이 0~4인 액체 조성물로서,
상기 (C)텅스텐 방식제가, 알킬아민 및 그의 염, 플루오로알킬아민 및 그의 염, 알킬아민옥사이드, 플루오로알킬아민옥사이드, 알킬베타인, 플루오로알킬베타인, 알킬4급암모늄 및 그의 염, 플루오로알킬4급암모늄 및 그의 염, 알킬4급피리디늄염, 플루오로알킬4급피리디늄염, 알킬4급비피리디늄염, 플루오로알킬4급비피리디늄염, 알킬4급이미다졸리움염, 및 플루오로알킬4급이미다졸리움염으로 이루어진 C1화합물군으로부터 선택되는 2종 이상의 상이한 화합물을 포함하거나, 혹은,
상기 C1화합물군으로부터 선택되는 1종 이상과, 폴리옥시알킬렌알킬아민, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬아민, 폴리옥시알킬렌알킬에테르, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르, 폴리옥시알킬렌알킬인산에스테르, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬인산에스테르, 폴리옥시알킬렌알킬에테르황산염, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르황산염, 알킬디페닐에테르설폰산염, 및 플루오로알킬디페닐에테르설폰산염으로 이루어진 C2화합물군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고,
상기 (A)산화제에 있어서의 과망간산칼륨의 농도가 0.001~0.1질량%이고,
상기 (B)불소 화합물의 농도가 0.01~1질량%인, 상기 액체 조성물이다.
<2> 과산화수소를 포함하지 않는, 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
<3> 상기 (B)불소 화합물이, 불산, 불화암모늄, 산성불화암모늄, 불화테트라메틸암모늄, 불화칼륨, 헥사플루오로규산, 및 테트라플루오로붕산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
<4> 상기 C1화합물군에 있어서의 알킬아민 또는 플루오로알킬아민이 하기 일반식(1)로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00001
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
<5> 상기 C1화합물군에 있어서의 알킬아민염 또는 플루오로알킬아민염이, 염산염, 질산염, 아세트산염, 메탄설폰산염, 염소산염, 과염소산염, 불화수소산염, 브롬화수소산염, 요오드화수소산염, 황산수소염, 황산염, 탄산수소염, 탄산염, 인산이수소염, 인산수소염, 및 인산염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
<6> 상기 C1화합물군에 있어서의 알킬아민옥사이드 또는 플루오로알킬아민옥사이드가, 하기 일반식(2)로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00002
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
<7> 상기 C1화합물군에 있어서의 알킬베타인 또는 플루오로알킬베타인이, 하기 일반식(3) 또는 (4)로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00003
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
Figure 112016038343912-pct00004
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
<8> 상기 C1화합물군에 있어서의 알킬4급암모늄 및 그의 염 또는 플루오로알킬4급암모늄 및 그의 염이, 하기 일반식(5), (6) 또는 (7)로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00005
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4는 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
Figure 112016038343912-pct00006
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4는 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
Figure 112016038343912-pct00007
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4는 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
<9> 상기 C1화합물군에 있어서의 알킬4급피리디늄염 또는 플루오로알킬4급피리디늄염이, 하기 일반식(8)로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00008
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4, R5, R6은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
<10> 상기 C1화합물군에 있어서의 알킬4급비피리디늄염 또는 플루오로알킬4급비피리디늄염이, 하기 일반식(9)로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00009
[식 중, R1, R2는 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3~R10은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
<11> 상기 C1화합물군에 있어서의 알킬4급이미다졸리움염 또는 플루오로알킬4급이미다졸리움염이, 하기 일반식(10) 또는 (11)로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00010
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3~R5는 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
Figure 112016038343912-pct00011
[식 중, R1, R2는 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3~R5는 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
<12> 상기 C2화합물군에 있어서의 폴리옥시알킬렌알킬아민 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬아민이, 하기 일반식(12)로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00012
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, m과 n은 2~20의 정수를 나타내고, m과 n은 동일할 수도 상이할 수도 있다.]
<13> 상기 C2화합물군에 있어서의 폴리옥시알킬렌알킬에테르 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르가, 하기 일반식(13)으로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물.
Figure 112016038343912-pct00013
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, n은 2~20의 정수를 나타낸다.]
<14> 상기 C2화합물군에 있어서의 폴리옥시알킬렌알킬인산에스테르 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬인산에스테르가, 하기 일반식(14) 또는 (15)로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00014
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, n은 2~20의 정수를 나타낸다.]
Figure 112016038343912-pct00015
[식 중, R1, R2는 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3, R4는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, m과 n은 2~20의 정수를 나타내고, m과 n은 동일할 수도 상이할 수도 있다.]
<15> 상기 C2화합물군에 있어서의 폴리옥시알킬렌알킬에테르황산염 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르황산염이, 하기 일반식(16)으로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00016
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기, 탄소수 8~18의 알케닐기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, n은 2~20의 수를 나타낸다. M은 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 암모늄(NH4)을 나타낸다.]
<16> 상기 C2화합물군에 있어서의 알킬디페닐에테르설폰산염 또는 플루오로알킬디페닐에테르설폰산염이, 하기 일반식(17)로 표시되는 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
Figure 112016038343912-pct00017
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기, 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. M은 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 암모늄(NH4)을 나타낸다.]
<17> 상기 (A)산화제에 있어서의 퍼옥소이황산암모늄, 퍼옥소이황산칼륨, 또는 퍼옥소이황산나트륨의 농도가 0.1~20질량%인 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
<18> 상기 (C)텅스텐 방식제의 농도가 0.002~2질량%인 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
<19> 상기 C1화합물의 농도가 0.001~1질량%이고, 상기 C2화합물의 농도가 0.001~1질량%인 상기 <1>에 기재된 액체 조성물이다.
<20> 상기 <1>~<19> 중 어느 하나에 기재된 액체 조성물을 이용하는 반도체소자의 세정방법이다.
<21> 질화티탄, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 갖는 기판으로부터, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키는 일 없이, 질화티탄을 제거하는 반도체소자의 제조방법으로서, 질화티탄, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 갖는 기판에, 상기 <1>~<19> 중 어느 하나에 기재된 액체 조성물을 접촉시키는 것을 포함하는, 상기 반도체소자의 제조방법이다.
본 발명의 액체 조성물은, 질화티탄과 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 갖는 기판에 있어서, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키는 일 없이, 질화티탄을 제거할 수 있다.
도 1은 질화티탄 하드마스크(1), 텅스텐 배선(2), 및 저유전율 층간절연막(3)을 포함하는 반도체소자의 단면을 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
<액체 조성물>
본 발명의 액체 조성물은, 질화티탄과 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 갖는 기판에 있어서, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키는 일 없이 질화티탄을 제거하기 위하여 사용되는 것으로, (A)산화제, (B)불소 화합물, 및 (C)텅스텐 방식제를 포함하고, pH값이 0~4인 액체 조성물이다.
(A)산화제
본 발명의 액체 조성물에 포함되는 산화제(이하, 간단히 (A)성분이라고도 함)는, 질화티탄의 산화제로서 기능하는 것이다. 본 발명의 액체 조성물은, 과산화수소를 포함하지 않는 것이 특징 중 하나이다. 본 발명의 액체 조성물은 과산화수소를 포함하지 않으므로, 텅스텐을 부식시킨다는 문제가 없다. 산화제로는, 과망간산칼륨, 퍼옥소이황산암모늄, 퍼옥소이황산칼륨, 및 퍼옥소이황산나트륨을 바람직하게 들 수 있다. 이들 산화제는, 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 복수개를 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 액체 조성물 중에 있어서의 (A)성분인 과망간산칼륨의 함유량은, 0.001질량%~0.1질량%인 것이 바람직하고, 0.005질량%~0.1질량%인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.005질량%~0.05질량%인 것이 바람직하다. 본 발명의 액체 조성물 중의 과망간산칼륨((A)성분)의 함유량이 상기 범위 내이면, 질화티탄의 제거성이 높아, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키지 않는다. 과망간산칼륨 농도가 높을수록, 질화티탄의 제거성은 높아지지만, 한편으로 텅스텐의 부식성이 증대하기 때문에 과망간산칼륨 농도가 너무 높으면 바람직하지 않다.
본 발명의 액체 조성물 중에 있어서의 (A)성분인 퍼옥소이황산암모늄, 퍼옥소이황산칼륨, 및 퍼옥소이황산나트륨의 함유량은, 0.1질량%~20질량%인 것이 바람직하고, 0.1질량%~10질량%인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.5질량%~10질량%인 것이 바람직하다. 본 발명의 액체 조성물 중의 퍼옥소이황산암모늄, 퍼옥소이황산칼륨, 및 퍼옥소이황산나트륨의 함유량이 상기 범위 내이면, 질화티탄의 제거성이 높아, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키지 않는다. 퍼옥소이황산이온 농도가 높을수록, 질화티탄의 제거성은 높아지지만, 한편으로 텅스텐의 부식성이 증대하기 때문에 퍼옥소이황산이온 농도가 너무 높으면 바람직하지 않다.
(B)불소 화합물
본 발명의 액체 조성물에 포함되는 불소 화합물(이하, 간단히 (B)성분이라고도 함)은, 질화티탄의 에칭기능을 갖는다. 불소 화합물로는, 불소원자를 갖는 화합물로부터 선택되는 것이다. 불소 화합물로는, 예를 들어, 불산, 불화암모늄, 산성불화암모늄, 불화테트라메틸암모늄, 불화칼륨, 헥사플루오로규산, 헥사플루오로규산암모늄, 테트라플루오로붕산, 테트라플루오로붕산암모늄과 같은 불소 화합물을 바람직하게 들 수 있다. 이들 불소 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 복수개를 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서도 불산, 불화암모늄, 산성불화암모늄, 불화테트라메틸암모늄, 및 불화칼륨이 보다 바람직하다. 특히 불산, 불화암모늄 및 산성불화암모늄이 바람직하다.
본 발명의 액체 조성물 중의 (B)성분인 불소 화합물의 함유량은, 0.01~1질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.05~1질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.05~0.5질량%인 것이 특히 바람직하다. 본 발명의 액체 조성물 중의 불소 화합물의 함유량이 상기 범위 내이면, 질화티탄의 제거성이 높아, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키지 않는다. 불소 화합물의 농도가 높을수록, 질화티탄의 제거성은 높아지지만, 한편으로 텅스텐이나 저유전율 층간절연막의 부식성이 증대하기 때문에 불소 화합물의 농도가 너무 높으면 바람직하지 않다.
(C)텅스텐 방식제
본 발명의 액체 조성물에 포함되는 텅스텐 방식제(이하, 간단히 (C)성분이라고도 함)는, C1화합물군으로부터 선택되는 2종 이상의 상이한 화합물을 포함하거나, 혹은, C1화합물군으로부터 선택되는 1종 이상과, C2화합물군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고, 이들에 의해 텅스텐의 방식기능을 갖는다.
C1화합물군(이하, 각각을 「(C1)성분」이라고도 함)으로는, 알킬아민 및 그의 염, 플루오로알킬아민 및 그의 염, 알킬아민옥사이드, 플루오로알킬아민옥사이드, 알킬베타인, 플루오로알킬베타인, 알킬4급암모늄 및 그의 염, 플루오로알킬4급암모늄 및 그의 염, 알킬4급피리디늄염, 플루오로알킬4급피리디늄염, 알킬4급비피리디늄염, 플루오로알킬4급비피리디늄염, 알킬4급이미다졸리움염, 및 플루오로알킬4급이미다졸리움염을 들 수 있다.
(C1)알킬아민 또는 플루오로알킬아민은, 바람직하게는 하기 일반식(1)로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00018
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
(C1)알킬아민염 또는 플루오로알킬아민염은, 염산염, 질산염, 아세트산염, 메탄설폰산염, 염소산염, 과염소산염, 불화수소산염, 브롬화수소산염, 요오드화수소산염, 황산수소염, 황산염, 탄산수소염, 탄산염, 인산이수소염, 인산수소염, 및 인산염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
알킬아민 및 그의 염 또는 플루오로알킬아민 및 그의 염의 구체예로는, 예를 들어, 옥틸아민, 데실아민, 도데실아민, 테트라데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 도데실아민염산염, 퍼플루오로도데실아민, 디옥틸아민, 디데실아민, 디도데실아민, 트리옥틸아민, 트리데실아민, 트리도데실아민, 옥틸디메틸아민, 데실디메틸아민, 도데실디메틸아민 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도데실아민, 테트라데실아민, 헥사데실아민이 바람직하다.
(C1)알킬아민옥사이드 또는 플루오로알킬아민옥사이드는 바람직하게는 하기 일반식(2)로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00019
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
알킬아민옥사이드 또는 플루오로알킬아민옥사이드의 구체예로는, 예를 들어, N-데실-N,N-디메틸아민옥사이드, N-도데실-N,N-디메틸아민옥사이드, N-테트라데실-N,N-디메틸아민옥사이드, N-헥사데실-N,N-디메틸아민옥사이드, SURFLON S-241(상품명, AGC Seimi Chemical Co., Ltd.제 퍼플루오로알킬아민옥사이드), AMOGEN(상품명, DKS Co. Ltd.제 알킬아민옥사이드) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, SURFLON S-241이 바람직하다.
(C1)알킬베타인 또는 플루오로알킬베타인은, 바람직하게는 하기 일반식(3) 또는 (4)로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00020
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
Figure 112016038343912-pct00021
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
알킬베타인 또는 플루오로알킬베타인의 구체예로는, 예를 들어, 도데실디메틸아미노아세트산베타인, 퍼플루오로도데실디메틸아미노아세트산베타인, 도데실디메틸아미노설포베타인, 퍼플루오로도데실디메틸아미노설포베타인, AMPHITOL(상품명, DKS Co. Ltd.제 알킬베타인) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, AMPHITOL 20YB, AMPHITOL 24B가 바람직하다.
(C1)알킬4급암모늄 및 그의 염 또는 플루오로알킬4급암모늄 및 그의 염은, 바람직하게는 하기 일반식(5), (6) 또는 (7)로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00022
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4는 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
Figure 112016038343912-pct00023
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4는 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
Figure 112016038343912-pct00024
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4는 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
알킬4급암모늄 및 그의 염 또는 플루오로알킬4급암모늄 및 그의 염의 구체예로는, 예를 들어, 도데실트리메틸암모늄하이드록사이드, 테트라데실트리메틸암모늄하이드록사이드, 헥사데실트리메틸암모늄하이드록사이드, 벤질디메틸데실암모늄하이드록사이드, 벤질디메틸도데실암모늄하이드록사이드, 벤질디메틸테트라데실암모늄하이드록사이드, 벤질디메틸헥사데실암모늄하이드록사이드, 도데실트리메틸암모늄하이드록사이드, 테트라데실트리메틸암모늄하이드록사이드, 헥사데실트리메틸암모늄하이드록사이드, 도데실트리메틸암모늄클로라이드, 테트라데실트리메틸암모늄클로라이드, 헥사데실트리메틸암모늄클로라이드, 벤질디메틸데실암모늄클로라이드, 벤질디메틸도데실암모늄클로라이드, 벤질디메틸테트라데실암모늄클로라이드, 벤질디메틸헥사데실암모늄클로라이드, ETHOQUAD(상품명, Lion Corporation제 폴리옥시에틸렌 부가형 4급암모늄클로라이드), 및, FLUORAD FC-135(상품명, Sumitomo 3M Limited제 퍼플루오로알킬4급암모늄요오드화물), QUARTAMIN(상품명, Kao Corporation제 알킬4급암모늄클로라이드), CATIOGEN(상품명, DKS Co. Ltd.제 알킬4급암모늄에틸황산염) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도데실트리메틸암모늄클로라이드, 헥사데실트리메틸암모늄클로라이드, FLUORAD FC-135가 바람직하다.
(C1)알킬4급피리디늄염 또는 플루오로알킬4급피리디늄염은, 바람직하게는 하기 일반식(8)로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00025
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4, R5, R6은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
(C1)알킬4급피리디늄염 또는 플루오로알킬4급피리디늄염의 구체예로는, 예를 들어, 1-데실피리디늄클로라이드, 1-도데실피리디늄클로라이드, 1-테트라데실피리디늄클로라이드, 1-헥사데실피리디늄클로라이드, 및 1-헥사데실-4-메틸피리디늄클로라이드를 들 수 있다. 그 중에서도, 1-도데실피리디늄클로라이드, 및, 1-헥사데실-4-메틸피리디늄클로라이드가 바람직하다.
(C1)알킬4급비피리디늄염 또는 플루오로알킬4급비피리디늄염은, 바람직하게는 하기 일반식(9)로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00026
[식 중, R1, R2는 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3~R10은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
알킬4급비피리디늄염 또는 플루오로알킬4급비피리디늄염의 구체예로는, 예를 들어, 1,1’-디-n-옥틸-4,4’-비피리디늄디브로마이드, 1-메틸-1’-테트라데실-4,4’-비피리디늄디브로마이드, 및 1,1’-디-n-퍼플루오로옥틸-4,4’-비피리디늄디브로마이드를 들 수 있다. 그 중에서도 1,1’-디-n-옥틸-4,4’-비피리디늄디브로마이드가 바람직하다.
(C1)알킬4급이미다졸리움염 또는 플루오로알킬4급이미다졸리움염은, 바람직하게는 하기 일반식(10) 또는 (11)로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00027
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, R3~R5는 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
Figure 112016038343912-pct00028
[식 중, R1, R2는 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3~R5는 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
알킬4급이미다졸리움염 또는 플루오로알킬4급이미다졸리움염의 구체예로는, 예를 들어, 1-옥틸-3-메틸이미다졸리움클로라이드, 1-데실-3-메틸이미다졸리움클로라이드, 1-도데실-3-메틸이미다졸리움클로라이드, 1-테트라데실-3-메틸이미다졸리움클로라이드, 1-헥사데실-3-메틸이미다졸리움클로라이드, 1-옥타데실-3-메틸이미다졸리움클로라이드, 1,3-디데실-2-메틸이미다졸리움클로라이드, 및 1-퍼플루오로옥틸이미다졸리움클로라이드를 들 수 있다. 그 중에서도 1-도데실-3-메틸이미다졸리움클로라이드, 1-테트라데실-3-메틸이미다졸리움클로라이드, 1-헥사데실-3-메틸이미다졸리움클로라이드, 1-옥타데실-3-메틸이미다졸리움클로라이드, 및 1,3-디데실-2-메틸이미다졸리움클로라이드가 바람직하다.
C2화합물군(이하, 각각을 「(C2)성분」이라고도 함)으로는, 폴리옥시알킬렌알킬아민, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬아민, 폴리옥시알킬렌알킬에테르, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르, 폴리옥시알킬렌알킬인산에스테르, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬인산에스테르, 폴리옥시알킬렌알킬에테르황산염, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르황산염, 알킬디페닐에테르설폰산염, 및 플루오로알킬디페닐에테르설폰산염을 들 수 있다.
(C2)폴리옥시알킬렌알킬아민 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬아민은, 바람직하게는 하기 일반식(12)로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00029
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, m과 n은 2~20의 정수를 나타내고, m과 n은 동일할 수도 상이할 수도 있다.]
폴리옥시알킬렌알킬아민 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬아민의 구체예로는, 예를 들어, NYMEEN(상품명, NOF Corporation제 폴리옥시에틸렌알킬아민), NOIGEN(상품명, DKS Co. Ltd.제 폴리옥시에틸렌알킬아민), 등을 들 수 있다. 그 중에서도, NYMEEN F-215, NOIGEN ET-189, 및 NOIGEN XL-140이 바람직하다.
(C2)폴리옥시알킬렌알킬에테르 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르는, 바람직하게는 하기 일반식(13)으로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00030
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, n은 2~20의 정수를 나타낸다.]
폴리옥시알킬렌알킬에테르 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르의 구체예로는, 예를 들어, NEWCOL(상품명, Nippon Oil & Fats Co., Ltd.제 알킬에테르형 비이온성 계면활성제), FTERGENT(상품명, Neos Company Limited제 폴리옥시에틸렌퍼플루오로알킬에테르), ANTIFROS(상품명, DKS Co. Ltd.제 특수비이온성 계면활성제), 등을 들 수 있다. 그 중에서도, NEWCOL 2308-LY, ANTIFROS M-9, FTERGENT 222F, FTERGENT 250, FTERGENT 251이 바람직하다.
(C2)폴리옥시알킬렌알킬인산에스테르 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬인산에스테르는, 바람직하게는 하기 일반식(14) 또는 (15)로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00031
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, n은 2~20의 정수를 나타낸다.]
Figure 112016038343912-pct00032
[식 중, R1, R2는 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3, R4는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, m과 n은 2~20의 정수를 나타내고, m과 n은 동일할 수도 상이할 수도 있다.]
폴리옥시알킬렌알킬인산에스테르 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬인산에스테르의 구체예로는, 예를 들어, PHOSPHANOL(상품명, TOHO Chemical Industry Co., Ltd.제 폴리엑시에틸렌인산에스테르)을 들 수 있다. 그 중에서도, PHOSPHANOL RA-600, PHOSPHANOL RS-710, PHOSPHANOL RL-310, PHOSPHANOL ED-230, PHOSPHANOL 또는 iD10-P, PHOSPHANOL ML-240, PHOSPHANOL OF-100이 바람직하다.
(C2)폴리옥시알킬렌알킬에테르황산염 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르황산염은, 바람직하게는 하기 일반식(16)으로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00033
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기, 탄소수 8~18의 알케닐기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, n은 2~20의 정수를 나타낸다. M은 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 암모늄(NH4)을 나타낸다.]
폴리옥시알킬렌알킬에테르황산염 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르황산염의 구체예로는, 예를 들어, HITENOL(상품명, DKS Co. Ltd.제 폴리옥시에틸렌알킬에테르설폰산)을 들 수 있다. 그 중에서도, HITENOL NF-08, HITENOL NF-13, HITENOL NF-17이 바람직하다.
(C2)알킬디페닐에테르설폰산염 또는 플루오로알킬디페닐에테르설폰산염은, 바람직하게는 하기 일반식(17)로 표시된다.
Figure 112016038343912-pct00034
[식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기, 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. M은 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 암모늄(NH4)을 나타낸다.]
알킬디페닐에테르설폰산염 또는 플루오로알킬디페닐에테르설폰산염의 구체예로는, 예를 들어, PELEX(상품명, Kao Corporation제 알킬디페닐에테르디설폰산염)를 들 수 있다. 그 중에서도, PELEX SS-H, PELEX SS-L이 바람직하다.
본 발명의 액체 조성물 중의 텅스텐 방식제((C)성분)의 함유량은, 0.002~2질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.004~1.0질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.01~0.4질량%인 것이 특히 바람직하다. 본 발명의 액체 조성물 중의 (C)성분의 함유량이 상기 범위 내이면, 충분한 텅스텐방식성능을 얻을 수 있다. 텅스텐 방식제의 농도가 0.002중량% 미만이면 충분한 방식성능을 얻을 수 없는 경우가 있고, 2질량%를 초과하면 경제적이지 않아, 실용에 적합하지 않다.
본 발명의 액체 조성물 중의 텅스텐 방식제인 (C1)성분의 함유량은, 0.001~1질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.002~0.5질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.005~0.2질량%인 것이 특히 바람직하다. 본 발명의 액체 조성물 중의 (C1)성분의 함유량이 상기 범위 내이면, 충분한 텅스텐방식성능을 얻을 수 있다. 텅스텐 방식제의 농도가 0.001중량% 미만이면 충분한 방식성능을 얻을 수 없는 경우가 있고, 1질량%를 초과하면 경제적이지 않아, 실용에 적합하지 않다.
본 발명의 액체 조성물 중의 텅스텐 방식제인 (C2)성분의 함유량은, 0.001~1질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.001~0.5질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.005~0.2질량%인 것이 특히 바람직하다. 본 발명의 액체 조성물 중의 (C2)성분의 함유량이 상기 범위 내이면, 충분한 텅스텐방식성능을 얻을 수 있다. 텅스텐 방식제의 농도가 0.001중량% 미만이면 충분한 방식성능을 얻을 수 없는 경우가 있고, 1질량%를 초과하면 경제적이지 않아, 실용에 적합하지 않다.
(D) pH 조정제
본 발명의 액체 조성물의 pH값은 0~4가 바람직하고, 0.5~3.5가 보다 바람직하고, 특히 1~3이 바람직하다.
pH값을 조정하기 위한 pH 조정제((D)성분이라고도 함)는, pH를 조정할 수 있는 있는 것이면 특별히 제한은 없으며, 예를 들어, 염산, 질산, 황산, 인산, 과염소산, 아세트산 등의 무기산 및 유기산류, 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄 등의 무기 및 유기염기 화합물을 들 수 있다. 이들 산 또는 염기 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 복수개를 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서도, 질산, 황산, 인산, 아세트산, 암모니아, 수산화칼륨 및 수산화테트라메틸암모늄이 특히 바람직하다.
본 발명의 액체 조성물 중의 pH 조정제의 함유량은, 액체 조성물의 pH가 목적의 값이 되도록, 다른 성분의 함유량에 의해 적당히 결정되는 것이다.
본 발명의 액체 조성물은, 상기한 (A)성분, (B)성분, (C)성분, 및 필요에 따라 포함되는 pH 조정제 이외에, 물, 그 밖에, 세정용의 액체 조성물에 통상 이용되는 각종 수용성 유기용제나 첨가제를 상기한 액체 조성물의 효과를 저해하지 않는 범위에서 포함할 수 있다. 예를 들어, 물로는, 증류, 이온교환처리, 필터처리, 각종 흡착처리 등에 의해 금속이온이나 유기불순물, 파티클입자 등이 제거된 것이 바람직하고, 순수가 보다 바람직하고, 특히 초순수가 바람직하다.
수용성 유기용제로는, 상기한 액체 조성물의 효과를 저해하지 않는 것이라면 특별히 제한은 없으며, 예를 들어, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 에틸렌글리콜류; 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, t-부탄올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린 등을 호적하게 사용할 수 있다.
<반도체소자의 제조방법>
본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은, 질화티탄과 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 포함하는 기판으로부터, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키는 일 없이, 질화티탄을 제거하는 반도체소자의 제조방법으로서, 질화티탄과 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 포함하는 기판에 상기 액체 조성물을 접촉시키는 공정을 포함하는 것이다. 본 발명의 방법에 따르면, 질화티탄과 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 포함하는 기판으로부터, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키는 일 없이, 질화티탄을 제거할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은, 질화티탄과 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 포함하는 기판을 대상물로 한다. 세정대상물은, 예를 들어 실리콘웨이퍼 등의 기판 상에 텅스텐 배선, 저유전율 층간절연막, 질화티탄 하드마스크, 포토레지스트를 적층한 후, 이 포토레지스트에 선택적 노광·현상처리를 실시하고, 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이어서, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 질화티탄 하드마스크, 저유전율 층간절연막에 드라이에칭처리를 실시하고, 이 포토레지스트를 제거함으로써 얻을 수 있다.
세정대상물에 액체 조성물을 접촉시키는 방법에는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 액체 조성물의 적하(매엽스핀처리)나 스프레이 등의 형식에 의해 대상물에 접촉시키는 방법이나, 에칭대상물을 액체 조성물에 침지시키는 방법 등을 채용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 어떠한 방법이든 세정이 가능하다.
<반도체소자의 세정방법>
본 발명의 액체 조성물의 사용온도로는, 10~70℃의 온도가 바람직하고, 특히 20~60℃가 바람직하다. 액체 조성물의 온도가 10℃ 이상이면, 에칭속도가 양호해지므로 우수한 생산효율이 얻어진다. 한편, 70℃ 이하이면, 액조성 변화를 억제하여, 에칭조건을 일정하게 유지할 수 있다. 액체 조성물의 온도를 높게 함으로써, 에칭속도는 상승되지만, 액체 조성물의 조성변화를 작게 억제하는 것 등도 고려한 후에, 적당히 최적의 처리온도를 결정하면 된다.
실시예
다음에, 본 발명을 실시예를 통해 더욱 상세하게 설명하나, 본 발명의 범위가 이들 실시예로 한정되는 것은 전혀 아니다.
<질화티탄 제거성, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막의 방식성 평가> 질화티탄 제거성, 텅스텐방식성 및 저유전율 층간절연막의 방식성 평가는 SEM 관찰로 행하였다. 실시예 및 비교예에서 얻어진 액체 조성물의 접촉처리 후의 기판단면을, 주사형 전자현미경(「SU9000(형번)」; Hitachi High-Tech Fielding Corporation제)을 이용하여, 가속전압 2kV, emission전류 7μA로 관찰하였다. 얻어진 SEM 화상을 토대로, 질화티탄 하드마스크의 제거성, 텅스텐 배선의 방식성 및 저유전율 층간절연막의 방식성을 평가하였다.
합격은 각각 E와 G이다.
판정;
I. 질화티탄 하드마스크(1)의 제거성
E: 질화티탄 하드마스크가 완전히 제거되었다.
G: 질화티탄 하드마스크가 거의 제거되었다.
P: 질화티탄 하드마스크가 제거되지 않았다.
II . 텅스텐 배선(2)의 방식성
E: 텅스텐 배선이 세정 전과 비교할 때 변화가 보이지 않았다.
G: 텅스텐 배선의 표면에 조금 거침이 보였다.
P: 텅스텐 배선에 부식이 관찰되었다.
III . 저유전율 층간절연막(3)의 방식성
E: 저유전율 층간절연막이 세정 전과 비교할 때 변화가 보이지 않았다.
G: 저유전율 층간절연막의 표면이 약간 패여 있었다.
P: 저유전율 층간절연막에 부식이 관찰되었다.
실시예 1
용량 10L의 폴리프로필렌용기에, 순수 8.53kg과, (A)성분으로서 0.02mol/L과망간산칼륨용액(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.제, 특급, 분자량 158.03)을 1.0kg과, (B)성분으로서 40질량%불화암모늄용액(Morita Chemical Industries Co., Ltd.제, 반도체용 그레이드, 분자량 37.04)을 0.0375kg과, (C1)성분으로서 SURFLON S-241(30질량%품, 상품명, AGC Seimi Chemical Co., Ltd.제 퍼플루오로알킬아민옥사이드) 0.0033kg과, (C2)성분으로서 PHOSPHANOL RS-710(상품명, TOHO Chemical Industry Co., Ltd.제의 폴리엑시에틸렌인산에스테르) 0.001kg과, (D)성분으로서, 47질량%황산(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.제, 특급, 분자량 98.08) 0.426kg을 투입하였다. 교반하여 각 성분의 용해를 확인하고, 액체 조성물을 조제하였다. 얻어진 액체 조성물의 pH값은 1.4였다(표 1).
상기와 같이 하여 얻어진 액체 조성물을 이용하여, 도 1에 나타낸 바와 같은 단면의 배선구조를 갖는 반도체소자를, 50℃, 5분간 침지하고, 그 후, 초순수에 의한 린스, 건조질소가스를 분사하여 건조를 행하였다. 세정처리 후의 질화티탄과 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 포함하는 기판을 파단하고, 기판의 단면을, SEM으로 관찰함으로써, 질화티탄 하드마스크(1)의 제거성, 텅스텐 배선(2) 및 저유전율 층간절연막(3)의 방식성을 평가한 결과, 질화티탄은 완전히 제거되었으며, 텅스텐의 부식 및 저유전율 층간절연막의 부식은 관찰되지 않았다(표 1).
실시예 2~41
표 1~7에 나타낸 배합량의 액체 조성물을 조합한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 세정처리를 행하였다. 평가결과를 표 1~7에 나타낸다. 세정처리 후의 기판단면을 SEM으로 관찰한 결과, 어떠한 액체 조성물에 의한 세정처리 후의 기판에 관해서도, 질화티탄은 완전히 제거되어 있었으며, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막의 부식은 관찰되지 않았다.
비교예 1~10
표 8~9에 나타낸 배합량의 액체 조성물을 조합한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 세정처리를 행하였다. 평가결과를 표 8~9에 나타낸다. 세정처리 후의 기판단면을 SEM으로 관찰한 결과, 질화티탄의 제거성, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막의 방식성 모두를 만족하는 액체 조성물은 없었다.
비교예 11
표 10에 나타낸 배합량 대로, 산화제로서 요오드산암모늄, 에칭제로서 헥사플루오로규산, 방식제로서 5-페닐-1H-테트라졸과 미리스틸트리메틸암모늄브로마이드를 배합하고, 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 세정처리를 행하였다. 평가결과를 표 10에 나타낸다. 세정처리 후의 기판단면을 SEM으로 관찰한 결과, 질화티탄의 제거성이 불충분하였다.
Figure 112016038343912-pct00035
Figure 112016038343912-pct00036
Figure 112016038343912-pct00037
Figure 112016038343912-pct00038
Figure 112016038343912-pct00039
Figure 112016038343912-pct00040
Figure 112016038343912-pct00041
Figure 112016038343912-pct00042
Figure 112016038343912-pct00043
Figure 112016038343912-pct00044
이상의 평가결과로부터도 명백한 바와 같이, 실시예의 액체 조성물은 모두, 질화티탄을 제거하고, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키지 않았다.
[산업상 이용가능성]
본 발명의 액체 조성물은, 질화티탄과 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 포함하는 기판의 세정에 호적하게 이용할 수 있으며, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키지 않고, 질화티탄을 양호한 속도로 제거할 수 있어, 높은 생산성을 달성할 수 있다.
[부호의 설명]
1 질화티탄
2 저유전율 층간절연막
3 텅스텐

Claims (21)

  1. 질화티탄, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 갖는 기판으로부터, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키는 일 없이, 질화티탄을 제거하고,
    (A)과망간산칼륨, 퍼옥소이황산암모늄, 퍼옥소이황산칼륨, 및 퍼옥소이황산나트륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 산화제,
    (B)불소 화합물, 및
    (C)텅스텐 방식제를 포함하고,
    또한 pH값이 0~4인 액체 조성물로서,
    상기 (C)텅스텐 방식제가, 알킬아민 및 그의 염, 플루오로알킬아민 및 그의 염, 알킬아민옥사이드, 플루오로알킬아민옥사이드, 알킬베타인, 플루오로알킬베타인, 알킬4급암모늄 및 그의 염, 플루오로알킬4급암모늄 및 그의 염, 알킬4급피리디늄염, 플루오로알킬4급피리디늄염, 알킬4급비피리디늄염, 플루오로알킬4급비피리디늄염, 알킬4급이미다졸리움염, 및 플루오로알킬4급이미다졸리움염으로 이루어진 C1화합물군으로부터 선택되는 2종 이상의 상이한 화합물을 포함하거나, 혹은,
    상기 C1화합물군으로부터 선택되는 1종 이상과, 폴리옥시알킬렌알킬아민, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬아민, 폴리옥시알킬렌알킬에테르, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르, 폴리옥시알킬렌알킬인산에스테르, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬인산에스테르, 폴리옥시알킬렌알킬에테르황산염, 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르황산염, 알킬디페닐에테르설폰산염, 및 플루오로알킬디페닐에테르설폰산염으로 이루어진 C2화합물군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고,
    상기 (A)산화제에 있어서의 과망간산칼륨의 농도가 0.001~0.1질량%이고,
    상기 (B)불소 화합물의 농도가 0.01~1질량%인, 상기 액체 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    과산화수소를 포함하지 않는, 액체 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (B)불소 화합물이, 불산, 불화암모늄, 산성불화암모늄, 불화테트라메틸암모늄, 불화칼륨, 헥사플루오로규산, 및 테트라플루오로붕산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 액체 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 C1화합물군에 있어서의 알킬아민 또는 플루오로알킬아민이 하기 일반식(1)로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112016038343912-pct00045

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
  5. 제1항에 있어서,
    상기 C1화합물군에 있어서의 알킬아민염 또는 플루오로알킬아민염이, 염산염, 질산염, 아세트산염, 메탄설폰산염, 염소산염, 과염소산염, 불화수소산염, 브롬화수소산염, 요오드화수소산염, 황산수소염, 황산염, 탄산수소염, 탄산염, 인산이수소염, 인산수소염, 및 인산염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 액체 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 C1화합물군에 있어서의 알킬아민옥사이드 또는 플루오로알킬아민옥사이드가, 하기 일반식(2)로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 2]
    Figure 112016038343912-pct00046

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
  7. 제1항에 있어서,
    상기 C1화합물군에 있어서의 알킬베타인 또는 플루오로알킬베타인이, 하기 일반식(3) 또는 (4)로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 3]
    Figure 112016038343912-pct00047

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
    [화학식 4]
    Figure 112016038343912-pct00048

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
  8. 제1항에 있어서,
    상기 C1화합물군에 있어서의 알킬4급암모늄 및 그의 염 또는 플루오로알킬4급암모늄 및 그의 염이, 하기 일반식(5), (6) 또는 (7)로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 5]
    Figure 112016038343912-pct00049

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4는 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
    [화학식 6]
    Figure 112016038343912-pct00050

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4는 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
    [화학식 7]
    Figure 112016038343912-pct00051

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4는 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다.]
  9. 제1항에 있어서,
    상기 C1화합물군에 있어서의 알킬4급피리디늄염 또는 플루오로알킬4급피리디늄염이, 하기 일반식(8)로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 8]
    Figure 112016038343912-pct00052

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3, R4, R5, R6은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
  10. 제1항에 있어서,
    상기 C1화합물군에 있어서의 알킬4급비피리디늄염 또는 플루오로알킬4급비피리디늄염이, 하기 일반식(9)로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 9]
    Figure 112016038343912-pct00053

    [식 중, R1, R2는 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3~R10은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
  11. 제1항에 있어서,
    상기 C1화합물군에 있어서의 알킬4급이미다졸리움염 또는 플루오로알킬4급이미다졸리움염이, 하기 일반식(10) 또는 (11)로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 10]
    Figure 112016038343912-pct00054

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3~R5는 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
    [화학식 11]
    Figure 112016038343912-pct00055

    [식 중, R1, R2는 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3~R5는 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. X는 할로겐원자: F, Cl, Br, 또는 I를 나타낸다.]
  12. 제1항에 있어서,
    상기 C2화합물군에 있어서의 폴리옥시알킬렌알킬아민 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬아민이, 하기 일반식(12)로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 12]
    Figure 112016038343912-pct00056

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2, R3은 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, m과 n은 2~20의 정수를 나타내고, m과 n은 동일할 수도 상이할 수도 있다.]
  13. 제1항에 있어서,
    상기 C2화합물군에 있어서의 폴리옥시알킬렌알킬에테르 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르가, 하기 일반식(13)으로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 13]
    Figure 112016038343912-pct00057

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, n은 2~20의 정수를 나타낸다.]
  14. 제1항에 있어서,
    상기 C2화합물군에 있어서의 폴리옥시알킬렌알킬인산에스테르 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬인산에스테르가, 하기 일반식(14) 또는 (15)로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 14]
    Figure 112016038343912-pct00058

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, n은 2~20의 정수를 나타낸다.]
    [화학식 15]
    Figure 112016038343912-pct00059

    [식 중, R1, R2는 탄소수 8~18의 알킬기 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R3, R4는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, m과 n은 2~20의 정수를 나타내고, m과 n은 동일할 수도 상이할 수도 있다.]
  15. 제1항에 있어서,
    상기 C2화합물군에 있어서의 폴리옥시알킬렌알킬에테르황산염 또는 폴리옥시알킬렌플루오로알킬에테르황산염이, 하기 일반식(16)으로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 16]
    Figure 112016038343912-pct00060

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기, 탄소수 8~18의 알케닐기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. R2는 탄소수 2~6의 알칸디일기를 나타내고, n은 2~20의 수를 나타낸다. M은 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 암모늄(NH4)을 나타낸다.]
  16. 제1항에 있어서,
    상기 C2화합물군에 있어서의 알킬디페닐에테르설폰산염 또는 플루오로알킬디페닐에테르설폰산염이, 하기 일반식(17)로 표시되는 액체 조성물.
    [화학식 17]
    Figure 112016038343912-pct00061

    [식 중, R1은 탄소수 8~18의 알킬기, 또는 탄소수 8~18의 알케닐기를 나타내고, 이 알킬기 또는 알케닐기에 결합하는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자와 치환하고 있을 수도 있다. M은 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 암모늄(NH4)을 나타낸다.]
  17. 제1항에 있어서,
    상기 (A)산화제에 있어서의 퍼옥소이황산암모늄, 퍼옥소이황산칼륨, 또는 퍼옥소이황산나트륨의 농도가 0.1~20질량%인 액체 조성물.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 (C)텅스텐 방식제의 농도가 0.002~2질량%인 액체 조성물.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 C1화합물의 농도가 0.001~1질량%이고, 상기 C2화합물의 농도가 0.001~1질량%인 액체 조성물.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 액체 조성물을 이용하는 반도체소자의 세정방법.
  21. 질화티탄, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 갖는 기판으로부터, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 부식시키는 일 없이, 질화티탄을 제거하는 반도체소자의 제조방법으로서, 질화티탄, 텅스텐 및 저유전율 층간절연막을 갖는 기판에, 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 액체 조성물을 접촉시키는 것을 포함하는, 상기 반도체소자의 제조방법.
KR1020167010489A 2014-01-27 2015-01-23 질화티탄 제거용 액체 조성물 및 이것을 이용한 반도체소자의 세정방법, 그리고 반도체소자의 제조방법 KR102200494B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014012364 2014-01-27
JPJP-P-2014-012364 2014-01-27
PCT/JP2015/051784 WO2015111684A1 (ja) 2014-01-27 2015-01-23 窒化チタン除去用液体組成物およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法、並びに半導体素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160111903A KR20160111903A (ko) 2016-09-27
KR102200494B1 true KR102200494B1 (ko) 2021-01-08

Family

ID=53681482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167010489A KR102200494B1 (ko) 2014-01-27 2015-01-23 질화티탄 제거용 액체 조성물 및 이것을 이용한 반도체소자의 세정방법, 그리고 반도체소자의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9777251B2 (ko)
JP (1) JP6455445B2 (ko)
KR (1) KR102200494B1 (ko)
CN (1) CN105981136B (ko)
DE (1) DE112015000506T5 (ko)
TW (1) TWI642763B (ko)
WO (1) WO2015111684A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9645497B2 (en) * 2014-10-31 2017-05-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography patterning technique
US10538846B2 (en) * 2015-12-11 2020-01-21 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Etching solution composition for tungsten layer, method for preparing electronic device using the same and electronic device
JP6495230B2 (ja) 2016-12-22 2019-04-03 花王株式会社 シリコンウェーハ用リンス剤組成物
CN108513679B (zh) * 2016-12-26 2020-02-07 三菱瓦斯化学株式会社 用于具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻组合物和使用其的湿蚀刻方法
KR102575928B1 (ko) * 2017-05-26 2023-09-07 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 반도체기판에 발알코올성을 부여하는 표면처리방법
US11499236B2 (en) * 2018-03-16 2022-11-15 Versum Materials Us, Llc Etching solution for tungsten word line recess
EP3850123B1 (en) * 2018-09-12 2024-01-03 FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. Etching compositions
WO2022036246A1 (en) 2020-08-13 2022-02-17 Entegris, Inc. Nitride etchant composition and method
KR20230146553A (ko) * 2021-02-12 2023-10-19 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 반도체기판 세정용 조성물, 그리고 반도체기판의 세정방법 및 제조방법
KR20230159521A (ko) * 2021-03-23 2023-11-21 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 메모리소자용 반도체기판의 제조방법
JPWO2023277048A1 (ko) * 2021-07-02 2023-01-05
WO2024004980A1 (ja) * 2022-07-01 2024-01-04 三菱瓦斯化学株式会社 半導体基板洗浄用組成物、半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008285508A (ja) 2007-05-15 2008-11-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 洗浄用組成物
JP2010515246A (ja) 2006-12-21 2010-05-06 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド エッチング後残留物を除去するための液体洗浄剤
WO2013101907A1 (en) 2011-12-28 2013-07-04 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6489281B1 (en) * 2000-09-12 2002-12-03 Ecolab Inc. Cleaning composition comprising inorganic acids, an oxidant, and a cationic surfactant
JP2003234307A (ja) 2002-02-12 2003-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd エッチング方法、基板洗浄方法及び半導体装置の製造方法
WO2007111694A2 (en) * 2005-11-09 2007-10-04 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon
JP5029686B2 (ja) * 2007-03-16 2012-09-19 富士通株式会社 シリコン系絶縁膜のエッチング後処理剤、半導体装置の製造方法および半導体装置
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
CN101673672B (zh) * 2009-10-19 2011-07-27 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种氮化物膜的制备方法
SG10201508015RA (en) * 2010-10-06 2015-10-29 Entegris Inc Composition and process for selectively etching metal nitrides
US9873833B2 (en) * 2014-12-29 2018-01-23 Versum Materials Us, Llc Etchant solutions and method of use thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010515246A (ja) 2006-12-21 2010-05-06 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド エッチング後残留物を除去するための液体洗浄剤
JP2008285508A (ja) 2007-05-15 2008-11-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 洗浄用組成物
WO2013101907A1 (en) 2011-12-28 2013-07-04 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Also Published As

Publication number Publication date
TW201533221A (zh) 2015-09-01
CN105981136B (zh) 2018-09-07
WO2015111684A1 (ja) 2015-07-30
US9777251B2 (en) 2017-10-03
JPWO2015111684A1 (ja) 2017-03-23
DE112015000506T5 (de) 2016-11-17
TWI642763B (zh) 2018-12-01
JP6455445B2 (ja) 2019-01-23
US20160281038A1 (en) 2016-09-29
KR20160111903A (ko) 2016-09-27
CN105981136A (zh) 2016-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102200494B1 (ko) 질화티탄 제거용 액체 조성물 및 이것을 이용한 반도체소자의 세정방법, 그리고 반도체소자의 제조방법
KR101912400B1 (ko) ＴｉＮ 하드 마스크 및 에치 잔류물 제거
JP4815406B2 (ja) シリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液及びエッチング方法
CA2544209C (en) Cleaning solutions and etchants and methods for using same
JP2007526623A (ja) 半導体ウエハの高効率洗浄／研摩のための組成物および方法
CN105295924A (zh) 氮化钛硬掩膜和蚀刻残留物的去除
KR101294906B1 (ko) 반도체 소자 제조공정의 선택적 식각액
WO2015095726A1 (en) Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist
WO2010016350A1 (ja) 残渣剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法
TWI359866B (en) Cleaning composition and method
TWI527881B (zh) 用於歐姆接觸層的蝕刻劑組成物及平板顯示裝置
JP6485587B1 (ja) エッチング液
JP4758187B2 (ja) フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液
JP6458913B1 (ja) エッチング液
KR101777415B1 (ko) 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물
KR20200070410A (ko) 플루오라이드를 기초로 한 세정 조성물
KR20140107867A (ko) 구리막 및 티타늄막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법
KR20080029412A (ko) 반도체 기판 세정액 및 이를 이용한 반도체 기판의 세정방법
KR102026484B1 (ko) 알루미늄 에칭후 잔류물 제거 및 동시 표면 부동태화
KR20080061140A (ko) 전자 재료용 세정액 조성물 및 이를 이용하는 세정 방법
KR100906502B1 (ko) 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인식각 선택성이 향상된 식각용액

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant