KR102199162B1 - 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법 - Google Patents

황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102199162B1
KR102199162B1 KR1020180116242A KR20180116242A KR102199162B1 KR 102199162 B1 KR102199162 B1 KR 102199162B1 KR 1020180116242 A KR1020180116242 A KR 1020180116242A KR 20180116242 A KR20180116242 A KR 20180116242A KR 102199162 B1 KR102199162 B1 KR 102199162B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
zns
cleaning
zns material
carbon impurities
diw
Prior art date
Application number
KR1020180116242A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200036510A (ko
Inventor
김동균
권인회
조영길
Original Assignee
(주)그린광학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)그린광학 filed Critical (주)그린광학
Priority to KR1020180116242A priority Critical patent/KR102199162B1/ko
Publication of KR20200036510A publication Critical patent/KR20200036510A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102199162B1 publication Critical patent/KR102199162B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G9/00—Compounds of zinc
    • C01G9/08—Sulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

본 발명은 광학소재로 가공하여 사용할 목적으로 CVD공법에 의하여 성장시킨 황화아연(ZnS)의 표면에 깊히 박힌 탄소불순물을 열처리를 통해 산소와 반응시켜 산화아연층을 생성시킨 후 이 산화막을 특정 화학물질을 사용하여 제거함으로써 황화아연의 손실 없이 제거할 수 있는 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법에 관한 것으로서, 화학기상증착공법으로 성장시킨 ZnS소재를 흑연기판으로부터 분리한 후, 열처리하여 상기 ZnS소재의 표면에 박힌 탄소불순물을 제거하는 탈탄공정; 상기 탈탄공정을 거친 ZnS소재를 세정용액에 넣고 초음파 세척하는 1차 세정공정; 1차 세정된 ZnS소재에서 세정용액을 제거하는 1차 건조공정; 1차 건조된 ZnS소재의 표면을 관찰하여 흑점 및 산화층 제거상태를 확인하는 검사공정; 상기 검사공정에서 ZnS소재의 상태가 양호하면, DIW, 과산화수소, 암모니아를 3:1:1의 부피비로 혼합한 세정용액에 넣어 초음파 세척하여 유기물을 제거하는 2차 세정공정; 2차 세정된 ZnS소재를 DIW와 질산이 5:1의 부피비로 혼합된 세정용액에 넣어 초음파 세척하여 무기물을 제거하는 3차 세정공정; 3차 세정된 ZnS소재를 DIW를 이용하여 5-10분 동안 헹구고, 섭씨 70-80도의 오븐에서 2-3시간 동안 건조하는 2차 건조공정;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법을 제공한다.

Description

황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법{Method for removing carbon impurities of ZnS surface}
본 발명은 광학소재로 가공하여 사용할 목적으로 CVD공법에 의하여 성장시킨 황화아연(ZnS) 표면의 이물질 제거방법에 관한 것으로, 특히 황화아연의 표면에 깊히 박힌 탄소불순물을 열처리를 통해 산소와 반응시켜 산화아연층을 생성시킨 후 이 산화막을 특정 화학물질을 사용하여 제거함으로써 황화아연의 손실을 최소화 할 수 있는 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법에 관한 것이다.
외부와 차단된 반응로 안에 가스를 공급하면서 임의의 열 에너지에 의하여 표면기판에 소재를 합성시켜 증착하는 CVD(Chemical Vapor Deposition)공정은 주로 반도체 분야에서 박막을 증착할 목적으로 수십nm의 얇은 박막층 형성을 위하여 사용된다.
한편, CVD공정은 광학소재로 사용되는 고순도 벌크형 모재 성장을 위해서도 일부 활용되고 있는데, 특히, CVD공정은 챔버 내에 도입되는 하나 이상의 반응물들이 화학적인 반응을 통해서 모재를 성장시키기 때문에, 모재를 증착 및 성장시키기 위하여 기판을 필요로 하며, 주로 그라파이트(graphite, 흑연)소재의 기판이 사용된다.
흑연기판은 내열성, 내식성이 우수하고 챔버 내의 반응물들의 화학적 반응에도 거의 영향을 받지 않기 때문에, 고온에서 화학적 반응이 지속적으로 발생하는 CVD공정에서 소재를 증착 및 성장시키는데 적합하다.
도 1은 흑연기판(30)에 증착되어 성장한 광학용 모재로 사용되는 황화아연(ZnS)을 간략히 나타낸 도면이다.
CVD장비의 챔버 내에서 충분히 성장한 ZnS(10, 황화아연)는 흑연기판(30)과 분리하여 세척, 테스트 및 가공 공정을 거쳐 광학소재로 사용된다. 이때, ZnS(10)를 흑연기판(30)과 분리하는 과정에서 ZnS(10)와 맞닿은 흑연기판의 표면으로부터 탄소입자들이 ZnS(10)의 표면에 침착된 형태로 분리된다. 따라서 광학용 모재로 사용되는 ZnS(10)는 광투과율이 매우 중요한 특성이기 때문에 ZnS(10)의 표면에 침착된 탄소불순물(20)의 제거는 필수적인 공정이다.
특히, 성장시킨 ZnS(10)가 흑연기판(30)으로부터 쉽게 분리되도록 흑연기판(30)의 표면에 코팅하는 폴리에틸렌 계열의 이형제는 흑연기판(30)으로부터 떨어져 나온 탄소입자들이 ZnS(10)의 표면 침착을 더욱 견고하게 하기 때문에, ZnS(10)의 표면으로부터 탄소불순물(20)을 제거하는 것을 더욱 어렵게 만드는 요인이 된다.
따라서 종래에는 흑연기판(10)으로부터 묻어나는 탄소불순물(20)을 ZnS(10)의 표면으로부터 제거하기 위하여, ZnS(10)의 표면을 일정 두께로 연마하여 ZnS(10)와 함께 표면에 침착된 탄소불순물(20)을 제거하는 방법이 사용되어 왔다.
그러나 ZnS(10)의 표면을 탄소불순물(20)과 함께 연마하는 물리적 제거방법은 실제 탄소불순물(20)이 침착된 부분뿐만 아니라 그 이상으로 깨끗한 ZnS(10)의 표면이 함께 제거되는 문제점이 있다. 특히, CVD공법에 의하여 성장시키는 ZnS(10)는 시간당 수십 um 정도로 아주 천천히 성장하는데, 물리적 제거방법을 통해서는 수 mm 이상의 ZnS(10)가 연삭되기 때문에, 많은 인력과 시간이 소요될 뿐만 아니라 비용적인 측면에서도 매우 비효율적인 제거방법이다.
한편, 시중에서 판매되고 있는 카본제거제의 경우에는 표면에 약한 힘으로 붙어있는 탄소를 제거하는 데에는 효과적이나, CVD공법으로 성장시킨 ZnS(10)의 표면에 열에 의하여 침착된 탄소와 탄소불순물을 제거하는 데에는 거의 효과가 없다.
따라서 이러한 ZnS의 표면에 침착된 탄소불순물을 제거하기 위하여, 본 출원인에 의하여 개발된 “화학기상증착공법으로 성장시킨 황화아연의 표면 탄소불순물 제거 방법”이 특허출원 제10-2017-0089344호(2017.07.14. 출원)가 있다.
그러나 상기 선출원은 ZnS의 표면에 얇게 침착된 탄소불순물을 제거하기에는 탁월하지만, 대량의 ZnS에 적용하는 경우에는 그 효과가 크지 않고 ZnS에 깊히 박혀있는 탄소불순물(20')을 제거하는데 한계가 있다.
KR 10-0518058 B1 (2005.09.22) KR 10-0619332 B1 (2006.08.25) KR 10-0848064 B1 (2008.07.17)
이에 본 발명자는 상술한 제반 사항을 종합적으로 고려하여 기존의 ZnS 표면의 탄소제거방법이 지닌 한계 및 문제점의 해결에 역점을 두어, 대량의 ZnS에 적용하여도 높은 효율을 가지며, ZnS에 깊히 박혀있는 탄소불순물을 제거하는데 효율적인 새로운 탄소 제거방법을 개발하고자 각고의 노력을 기울여 부단히 연구하던 중 그 결과로써 본 발명을 창안하게 되었다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 및 목적은 대량의 ZnS의 표면에 침착된 탄소불순물을 ZnS의 손실을 최소화하면서 제거할 수 있는 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 ZnS의 표면에 깊히 박혀있어 기존의 탄소 제거방법으로는 제거할 수 없는 탄소불순물 및 탄소불순물을 포함하는 유기물과 무기물을 모두 효과적으로 제거할 수 있는 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법을 제공하는데 있다.
여기서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 및 목적은 이상에서 언급한 기술적 과제 및 목적으로 국한하지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제 및 목적들은 아래의 기재로부터 당업자가 명확하게 이해할 수 있을 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법은, 화학기상증착공법으로 성장시킨 ZnS소재를 흑연기판으로부터 분리한 후, 열처리하여 상기 ZnS소재의 표면에 박힌 탄소불순물을 제거하는 탈탄공정; 상기 탈탄공정을 거친 ZnS소재를 세정용액에 넣고 초음파 세척하는 1차 세정공정; 1차 세정된 ZnS소재에서 세정용액을 제거하는 1차 건조공정; 1차 건조된 ZnS소재의 표면을 관찰하여 흑점 및 산화층 제거상태를 확인하는 검사공정; 상기 검사공정에서 ZnS소재의 상태가 양호하면, DIW, 과산화수소, 암모니아를 3:1:1의 부피비로 혼합한 세정용액에 넣어 초음파 세척하여 유기물을 제거하는 2차 세정공정; 2차 세정된 ZnS소재를 DIW와 질산이 5:1의 부피비로 혼합된 세정용액에 넣어 초음파 세척하여 무기물을 제거하는 3차 세정공정; 3차 세정된 ZnS소재를 DIW를 이용하여 5-10분 동안 헹구고, 섭씨 70-80도의 오븐에서 2-3시간 동안 건조하는 2차 건조공정;으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법에 있어서 상기 탈탄공정은, 하기의 화학식 2에 따른 탄소층 제거공정으로서, 알루미나 플레이트에 의하여 650-750℃에서 6-24시간 동안 상기 ZnS소재를 열처리하는 것을 특징으로 한다.
<화학식 2>
Figure 112018096230014-pat00001
또한, 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법에 있어서 상기 1차 세정공정은, 상기 탈탄공정을 거친 ZnS소재를 질산과 DIW가 5:1의 부피비로 혼합된 묽은질산에 넣고 초음파 세척하여 상기 ZnS소재 표면의 산화막을 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법에 있어서 상기 1차 건조공정은, 섭씨 100-150도의 오븐에서 10-20시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 한다.
전술한 바와 같이 본 발명은 CVD공정에 의하여 성장한 ZnS의 표면에 깊이 침착된 탄소불순물을 ZnS의 손실을 최소화하면서 제거할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 ZnS의 표면에 침착되어 있는 탄소불순물을 포함하는 유기물 및 무기물을 모두 효과적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 대량의 ZnS의 표면에 침착되어 있는 탄소불순물을 포함하는 유기물과 무기물에 대하여 탄소불순물의 높은 제거효율을 제공하는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 표면으로부터 손실되는 ZnS의 두께를 최소화하고 광투과율을 높임으로써 ZnS의 광학모재 활용 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 흑연기판에 증착 및 성장한 ZnS를 간략히 나타낸 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 공정도,
도 3은 본 발명의 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법에 따른 알루미나 플레이트에 의한 열처리를 나타낸 사진,
도 4는 본 발명에 따른 탈탄공정의 공정조건 최적화 시험결과를 정리한 도면,
도 5는 본 발명에 따른 산화막 제거공정의 질산과 DIW의 혼합비율 및 세정시간 비교 시험결과를 정리한 도면,
도 6은 EDS 성분 분석을 위해 준비된 샘플 사진,
도 7a 및 도 7b는 EDS 분석을 위한 측정 위치를 나타낸 도면,
도 8a 및 도 8b는 EDS 분석결과를 나타낸 도면,
도 9는 XRD 분석 결과 그래프.
이하에서는 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법에 대한 실시 예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이하에서 설명되는 실시 예는 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것으로, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되지 않고 다양한 형태로 구현될 수 있다.
도면들 중 동일한 구성들은 가능한 한 어느 곳에서든지 동일한 부호들을 나타낸다. 하기의 설명에서 구체적인 특정 사항들이 나타나고 있는데, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해 제공된 것일 뿐, 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
여기서, 첨부된 도면들은 기술의 구성 및 작용에 대한 설명과 이해의 편의 및 명확성을 위해 일부분을 과장하거나 간략화하여 도시한 것으로, 각 구성요소가 실제의 크기와 정확하게 일치하는 것은 아님을 밝힌다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 것으로서, 이는 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 개념과 당해 기술분야에서 통용 또는 통상적으로 인식되는 의미로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
ZnS(10)의 표면에 침착된 탄소층을 제거하는 방식은 일정 두께 이상 연마를 통해 제거하는 물리적인 방식이 일반적이지만, 물리적인 방식은 다량의 작은 소재를 처리하는 데에 작업시간이 많이 소요되기 때문에 부적절하다.
따라서 ZnS(10) 표면의 탄소층을 효과적으로 제거하면서도 모재의 손실을 최소화하고, 탄소층 외의 불순물도 함께 제거할 수 있는 화학적인 방식이 있다.
화학적인 방식은 2가지 세정용액을 각각 2회에 걸쳐 초음파 세척을 통해 ZnS(10)의 표면에 침착된 탄소불순물을 제거할 수 있도록 한다. 1차 초음파 세척은 유기물을 세정하고, 2차 초음파 세척은 무기물을 세정하여 세정효과를 높일 수 있다.
그러나 화학적인 방식은 도 1에 도시된 바와 같이 ZnS(10)의 표면에 깊숙이 침착된 탄소불순물을 제거하는 데에 한계가 있다.
따라서 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법은 화학적인 방식에 따라 2가지 세정용액으로 2차에 걸쳐 초음파로 세척하기에 앞서 처리가 필요한 황화아연에 산화층을 형성시킨 후 환원작업을 통해 이를 제거함으로써 고품질의 ZnS소재를 제공할 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 공정도로서, 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법은 원료를 준비하고(201단계), 준비된 원료에 대하여 산화처리하는 탈탄공정(203단계)을 수행한다.
203단계의 탈탄공정은 하기의 화학식 1로 표현되는 산화층 생성공정으로서, 표면에 탄소층이 형성된 ZnS소재를 산화시키면서 탄소층은 산소와 결합하여 가스상태의 이산화탄소를 생성한다.
Figure 112018096230014-pat00002
상기 화학식 1에 따른 203단계의 탈탄공정은 도 3의 열처리에 의하여 수행된다. 도 3의 열처리는 ZnS소재에 형성된 탄소층을 위를 향하게 배치하여 산소와의 반응을 원활하게 하고, 반응이 일어나는 표면적을 넓게 제공함으로써 전체적으로 ZnS소재 표면에 산화막이 잘 형성된다. 도 3은 본 발명의 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법에 따른 알루미나 플레이트에 의한 열처리를 나타낸 것이다.
203단계의 탈탄공정에 있어서 산화막 형성을 위한 온도 및 유지시간을 도출하기 위하여, 대기압 하에서 12시간 동안 600, 650, 750℃로 각각 열처리한 결과 탄소층은 650-750℃에서 산소와 원활히 반응하여 제거되었고 산화층이 형성되었으며, 각각의 온도에 대하여 6,12,24시간 열처리한 결과 6-24시간에서 탄소층 제거 및 산화층이 형성되었다. 본 발명에 따른 탈탄공정의 공정조건 최적화 시험결과를 도 4에 정리하였다. 도 4에 나타난 바와 같이, 탈탄공정 전과 탈탄공정 수행에 따른 산화층 제거 후 두께 및 산화층 두께를 탈탄공정 유지시간과 대비할 때, 원료인 ZnS소재의 손실이 가장 적은 조건이 최적의 조건이 될 수 있다.
상기 화학식 1에 따라 탄소층은 제거되므로, 상기 화학반응에 의하여 새롭게 형성된 산화막을 제거하는 1차 세정공정(205단계)를 상온에서 초음파 세척방식으로 수행한다.
205단계의 1차 세정공정을 통한 ZnO의 제거효과를 높이기 위하여, 일반적으로 세정용액으로 많이 사용되고 있는 과산화수소, 암모니아, 염산, 질산을 대상으로 산화층 제거효과를 시험한 결과 DIW와 질산을 혼합한 묽은 질산이 본 발명에 따라 형성된 ZnO산화막 제거에 가장 효과적임을 알아내었다. 도 5에 본 발명에 따른 산화막 제거공정의 질산과 DIW의 혼합비율 및 세정시간 비교 시험결과를 정리하여 나타내었다. 도 5에 나타난 바와 같이, 질산과 DIW 혼합비율이 1:5이고 세정시간이 30분일 때 최적의 세정결과를 얻을 수 있다.
205단계의 1차 세정공정이 완료되면, 세정용액을 제거하는 1차 건조공정(207단계)을 수행한다. 207단계의 1차 건조공정은 100-150℃에서 10-20시간 동안 이루어질 수 있다.
207단계의 1차 건조공정이 완료되면, ZnS소재의 표면을 관찰하여 탄소불순물에 의한 흑점 및 산화층 제거 상태를 확인하는 검사공정(209단계)을 수행한다. 209단계의 검사공정에서 상태가 양호한 ZnS소재는 유기물 제거를 위한 2차 세정공정(211단계)와, 무기물 제거를 위한 3차 세정공정(213단계) 및 세정용액을 제거하는 2차 건조공정(215단계)을 차례로 수행한다. 한편, 209단계의 검사공정에서 흑점 및 산화층 제거 상태가 불량한 ZnS소재는 다시 203단계로 돌아가서 탈탄공정(203단계)과, 1차 세정공정(205단계) 및 1차 건조공정(207단계)을 재 수행한다.
상기 유기물 제거를 위한 2차 세정공정(211단계)는 DIW, 과산화수소, 암모니아를 3:1:1의 부피비로 혼합하여 제조한 세정용액을 이용하여 초음파 세척기에 ZnS를 넣고, 35~45kHz / 600W의 초음파로 섭씨 40-50도에서 1-2시간 진행한다.
상기 무기물 제거를 위한 3차 세정공정(213단계)는 DIW와 질산을 5:1의 부피비로 혼합하여 제조한 세정용액을 이용하여 초음파 세척기에 ZnS를 넣고, 35~45kHz / 600W의 초음파로 섭씨 40-50도에서 1-2시간 진행한다.
상기 세정용액을 제거하는 2차 건조공정(215단계)은 DIW 또는 아세톤을 이용하여 5-10분 동안 ZnS의 2차 린스를 수행하고, 섭씨 70-80도의 오븐에서 2-3시간 동안 2차 건조를 수행한다.
한편, 상기 유기물 제거를 위한 2차 세정공정(211단계) 후, 상기 무기물 제거를 위한 3차 세정공정(213단계)을 수행하기 전에 DIW를 이용하여 5-10분 동안 ZnS의 1차 린스를 수행하고, 섭씨 70-80도의 오븐에서 0.5-1시간 동안 3차 건조를 수행할 수 있다.
상기 211단계의 2차 세정공정 및 213단계의 3차 세정공정에 사용되는 세정용액을 구성하는 과산화수소, 암모니아 및 질산의 농도는 각각 30-35%, 25-35%, 65-75%를 갖는다. 여기서, '농도'는 부피비를 기준으로 물과 희석된 화학물질의 농도이다. 한편, 제조된 세정용액의 수소이온농도는 211단계의 2차 세정공정의 세정용액이 PH 8-9의 범위인 것이 바람직하고, 213단계의 3차 세정공정의 세정용액은 PH 2-3의 범위인 것이 바람직하다.
도 6은 EDS 성분 분석을 위해 준비된 샘플 사진이고, 도 7a 및 도 7b는 EDS 분석을 위한 측정 위치를 나타낸 도면이며, 도 8a 및 도 8b는 EDS 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, EDS(Energy Dispersive x-ray Spectroscopy) 성분 분석을 위하여, 탈탄공정을 거치지 않고 세정공정만 거친 ZnS소재(a)와, 각각의 온도조건 하에서 각각의 유지시간 동안 탈탄공정을 거쳐 세정공정을 마친 (b), (c), (d)의 ZnS소재를 샘플로 준비하였다.
EDS 성분 분석을 위해서는 측정 위치가 매우 중요하므로, 도 7a에 도시된 바와 같이 ZnS소재의 샘플 표면에 고르게 분포되는 3개의 측정 위치를 정하고, 도 7b에 도시된 바와 같이 샘플 단면에 고르게 분포되도록 4개의 측정 위치를 정하였고, EDS 성분 분석 결과를 도 8a 및 도 8b에 걸쳐 나타내었다.
본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법의 유효성을 정성적으로 분석하기 위한 EDS 분석 결과, 탈탄공정을 거치지 않고 세정공정만 거친 ZnS소재인 (a)샘플과 대비할 때, 각각의 온도조건 하에서 각각의 유지시간 동안 탈탄공정을 거쳐 세정공정을 마친 (b), (c), (d)샘플의 탄소(C함유량) 및 산소량(O함유량)이 미량으로 분석되었으며, (b), (c), (d)샘플 중에서는 (d)샘플의 결과가 우수하였다.
도 9는 XRD 분석 결과 그래프로서, 도 9에 나타난 바와 같이 XRD(X-Ray Diffraction) 측정 결과, 각각의 온도조건 하에서 각각의 유지시간 동안 탈탄공정을 거쳐 세정공정을 마친 (b), (c), (d)샘플에서는 ZnO의 피크가 나타나지 않았으며, 이에 따라 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법은 ZnS소재에 침착된 탄소층을 효율적으로 제거하는 것으로 확인되었다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법은 대량의 ZnS의 표면에 침착된 탄소불순물을 ZnS의 손실을 최소화하면서 제거할 수 있으며, ZnS의 표면에 깊히 박혀있어 기존의 탄소 제거방법으로는 제거할 수 없는 탄소불순물 및 탄소불순물을 포함하는 유기물과 무기물을 모두 효과적으로 제거할 수 있다.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 첨부된 도면에 의해 참조되는 바람직한 실시 예를 중심으로 구체적으로 기술되었으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구의 범위뿐 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해서 정해져야 한다.
10: ZnS소재
20: ZnS소재 표면의 탄소불순물
20': ZnS소재 표면에 깊히 박힌 탄소불순물
30: 흑연기판

Claims (4)

  1. 화학기상증착공법으로 성장시킨 ZnS소재를 흑연기판으로부터 분리한 후, 열처리하여 상기 ZnS소재의 표면에 박힌 탄소불순물을 제거하는 탈탄공정;
    상기 탈탄공정을 거친 ZnS소재를 세정용액에 넣고 초음파 세척하는 1차 세정공정;
    1차 세정된 ZnS소재에서 세정용액을 제거하는 1차 건조공정;
    1차 건조된 ZnS소재의 표면을 관찰하여 흑점 및 산화층 제거상태를 확인하는 검사공정;
    상기 검사공정에서 ZnS소재의 상태가 양호하면, DIW, 과산화수소, 암모니아를 3:1:1의 부피비로 혼합한 세정용액에 넣어 초음파 세척하여 유기물을 제거하는 2차 세정공정;
    2차 세정된 ZnS소재를 DIW와 질산이 5:1의 부피비로 혼합된 세정용액에 넣어 초음파 세척하여 무기물을 제거하는 3차 세정공정;
    3차 세정된 ZnS소재를 DIW를 이용하여 5-10분 동안 헹구고, 섭씨 70-80도의 오븐에서 2-3시간 동안 건조하는 2차 건조공정;으로 이루어지며,
    상기 탈탄공정은,
    하기의 화학식 2에 따른 탄소층 제거공정으로서, 알루미나 플레이트에 의하여 650-750℃에서 6-24시간 동안 상기 ZnS소재를 열처리하는 것을 특징으로 하는 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법.
    <화학식 2>
    Figure 112020020170804-pat00015

  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 1차 세정공정은,
    상기 탈탄공정을 거친 ZnS소재를 질산과 DIW가 5:1의 부피비로 혼합된 묽은질산에 넣고 초음파 세척하여 상기 ZnS소재 표면의 산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 1차 건조공정은,
    섭씨 100-150도의 오븐에서 10-20시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법.
KR1020180116242A 2018-09-28 2018-09-28 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법 KR102199162B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180116242A KR102199162B1 (ko) 2018-09-28 2018-09-28 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180116242A KR102199162B1 (ko) 2018-09-28 2018-09-28 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200036510A KR20200036510A (ko) 2020-04-07
KR102199162B1 true KR102199162B1 (ko) 2021-01-06

Family

ID=70291290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180116242A KR102199162B1 (ko) 2018-09-28 2018-09-28 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102199162B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848064B1 (ko) 2004-07-23 2008-07-23 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 기판으로부터 탄소 함유의 잔사를 제거하는 방법
KR100980528B1 (ko) * 2005-12-16 2010-09-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 금속계막의 탈탄소 처리 방법, 성막 방법 및 반도체 장치의제조 방법
KR101929884B1 (ko) 2017-07-17 2018-12-18 (주)그린광학 다결정 황화아연 연마방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2459082C (en) 2002-06-29 2007-10-23 Lg Cable Ltd. Method for fabricating optical fiber preform without hydroxyl group in core
KR100619332B1 (ko) 2004-09-10 2006-09-12 엘에스전선 주식회사 수정화학기상증착공법을 이용한 광섬유 모재 제조방법 및이의 제조를 위한 전기로

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848064B1 (ko) 2004-07-23 2008-07-23 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 기판으로부터 탄소 함유의 잔사를 제거하는 방법
KR100980528B1 (ko) * 2005-12-16 2010-09-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 금속계막의 탈탄소 처리 방법, 성막 방법 및 반도체 장치의제조 방법
KR101929884B1 (ko) 2017-07-17 2018-12-18 (주)그린광학 다결정 황화아연 연마방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
논문(2014.12.)*

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200036510A (ko) 2020-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Adams et al. The Chemical Deposition of Boron‐Nitrogen Films
CN104831253B (zh) 一种具有强Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法
US20180179661A1 (en) Method of evaluating manufacturing process of silicon material and manufacturing method of silicon material
Ganesh et al. Investigation of the electrochemical behavior of indium nitride thin films by plasma-assisted reactive evaporation
CN1079579C (zh) 半导体衬底清洗方法与半导体器件制造方法
JP2008004851A (ja) 石英製品のベーク方法及び記憶媒体
CN107210222A (zh) 外延涂布的半导体晶圆和生产外延涂布的半导体晶圆的方法
KR102199162B1 (ko) 황화아연 표면의 탄소불순물 제거 방법
CN108364860B (zh) 一种石墨烯催化基底腐蚀液及基底腐蚀方法
JP2006005326A (ja) 化合物半導体太陽電池の製造方法及び製造装置
JPWO2008149806A1 (ja) 半導体製造装置の汚染評価方法
Xie et al. An investigation on surface conditions for Si molecular beam epitaxial (MBE) growth
CN104419935A (zh) 金刚石薄膜的表面处理方法、晶体管的制造方法和传感器元件
JP2001179080A (ja) 低金属汚染の基板処理用部材
EP2650913A1 (en) Dry cleaning method
CN110323127A (zh) 一种利用peald在硅衬底上生长石墨烯的方法
KR102019813B1 (ko) 화학기상증착공법으로 성장시킨 황화아연의 표면 탄소불순물 제거 방법
JP6569628B2 (ja) 劣化評価方法およびシリコン材料の製造方法
WO2003088332A1 (fr) Procede de formation d&#39;une couche epitaxiale de silicium
TWI303087B (ko)
JP2021082828A (ja) 基板の表面の金属汚染物を減少させるための方法
JP4240637B2 (ja) ウエハの表面清浄化方法
Reidy et al. Comparison of two surface preparations used in the homoepitaxial growth of silicon films by plasma enhanced chemical vapor deposition
JP7129774B2 (ja) 気相成長装置の洗浄方法
JP3867014B2 (ja) 半導体ウェーハの金属汚染評価方法、半導体ウェーハの製造方法、これらの装置およびダミーウェーハ

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant