JP2006005326A - 化合物半導体太陽電池の製造方法及び製造装置 - Google Patents
化合物半導体太陽電池の製造方法及び製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006005326A JP2006005326A JP2005014252A JP2005014252A JP2006005326A JP 2006005326 A JP2006005326 A JP 2006005326A JP 2005014252 A JP2005014252 A JP 2005014252A JP 2005014252 A JP2005014252 A JP 2005014252A JP 2006005326 A JP2006005326 A JP 2006005326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- hydrogen
- solar cell
- type semiconductor
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】基板の一面側に形成された電極層上に、銅(Cu)層とインジウム(In)層とが積層されて成るプリカーサを、硫化水素雰囲気又はセレン化水素雰囲気中で加熱処理して形成した、CuInS2又はCuInSe2から成るp型半導体層と、p型半導体層の一面側に密着して形成したn型半導体層とを具備する化合物半導体太陽電池を製造する際に、加熱処理を、硫化水素又はセレン化水素とCu及びInとの反応の進行状況をモニターしつつ施すべく、反応によって発生する水素ガスの分圧を測定する。
【選択図】図1
Description
n型半導体層106は、ZnS又はCdS等からなり、透明電極層108は、ZnO:Al又はIn2O3等からなっている。そして、p型半導体層104として、エネルギー変換効率が高く、低コストであるという利点から、CuInS2等のカルコパイライト系の化合物半導体層が用いられている。
この煩雑さは、p型半導体層としてCuInSe2を形成するために、インジウム層と銅層とからなるプリカーサを、セレン化水素雰囲気中で加熱処理をするセレン化処理の場合も同様に当てはまる。
そこで、本発明の課題は、硫化処理又はセレン化処理を施してp型半導体層を形成する際に、硫化処理又はセレン化処理の進行状況を簡単に把握し得る化合物半導体太陽電池の製造方法及び製造装置を提供することにある。
すなわち、本発明による化合物半導体太陽電池の製造方法は、基板の一面側に形成された電極層上に、銅(Cu)層とインジウム(In)層とが積層されて成るプリカーサを、硫化水素雰囲気又はセレン化水素雰囲気中で加熱処理して形成した、CuInS2又はCuInSe2から成るp型半導体層と、前記p型半導体層の一面側に密着して形成したn型半導体層とを具備する化合物半導体太陽電池を製造する際に、前記加熱処理を、硫化水素又はセレン化水素とCu及びInとの反応の進行状況をモニターしつつ施すべく、前記反応によって発生する水素ガスの分圧を測定することを特徴とする。これにより、効率良く硫化処理又はセレン化処理の進行状況を知ることができる。
かかる本発明において、水素ガスの分圧の測定を加熱処理の開始から終了まで連続して行うことによって、硫化処理又はセレン化処理の進行状況を連続して把握できる。
また、水素ガスの分圧の測定を質量分析計で行うことによって、簡単に水素ガスの分圧を測定できる。
すなわち、水素分圧が高い場合には、硫化水素又はセレン化水素と銅及びインジウムとの反応が急速に進行している状態を示す。かかる反応速度が速過ぎると、形成されたp型半導体層内に空孔が形成され易く、良好な効率の太陽電池を得ることができない。
一方、水素分圧が低い場合には、硫化水素又はセレン化水素と銅及びインジウムとの反応の進行が遅い状態を示す。かかる反応速度が遅過ぎると、硫化処理又はセレン化処理が長時間となり、太陽電池の生産性が低下する。
このため、硫化処理又はセレン化処理の際に、その水素分圧が適度の範囲となる様に、硫化水素又はセレン化水素の濃度や温度等を調整できる。
その結果、形成されたp型半導体層内に空孔が形成されず且つ硫化処理又はセレン化処理を適度の時間で行うことができ、生産性を低下させることなく良好な効率の太陽電池を製造できる。
図3に示す製造方法では、まず、基板(ガラス基板)100の一面側に、電極層としてのモリブデン層102をスパッタリングによって形成した後、モリブデン層102上にインジウム層103を室温下での蒸着によって形成する。次いで、インジウム層103上に室温下での蒸着によって銅層105を形成し(図3(a)の工程)、インジウム層103及び銅層105から成るプリカーサに、硫化水素雰囲気中で加熱処理をする硫化処理を施すことによって、CuInS2のp型半導体層104を形成する(図3(b)の工程)。
こうして形成されたp型半導体層上に、化学的溶液析出法によってZnS、或いはCdSから成るn型半導体層106を密着して形成する(図3(c)の工程)。さらに、n型半導体層106上にAlがドープされたZnOから成る透明電極層108を形成する(図3(d)の工程)。その後、透明電極層108上にアルミニウムから成る櫛形電極を形成した後、モリブデン層上に電極端子を形成して太陽電池を得ることができる。
図1に示す処理装置10では、加熱処理を行うための電気炉(処理室)11に、ガス導入口12とガス排出口13が電気炉11の長手方向に対向して設けられている。ガス導入口12には、硫化水素がアルゴンガス等の不活性ガスと共に電気炉11内へ導入可能に、導入管14が接続されている。また、電気炉11内のガスが、ガス処理設備15へ排出されるように、排出管16を介して電気炉11のガス排出口13とガス処理設備15が接続されている。
そして、排出管16の中途には配管17が接続されており、配管17を介して電気炉11から排出される排気ガスが質量分析計18に導入され、硫化処理と並行して排気ガスの成分を分析可能に設けられている。質量分析計18としては、特に四重極質量分析計が好適である。
水素ガスは比較的軽いガスで、拡散性が良いので、電気炉11から速やかに質量分析計18へと導入される。従って水素ガスは、電気炉11内での生成と時間的な差を生じることなく質量分析計18に到達するので、水素ガスの分圧の変化は、Cu層とIn層とから成るプリカーサと、硫化水素との反応の進行具合による変化としてとらえることができる。そして、水素ガス分圧を観察することで、硫化処理と並行して同時期に、硫化処理の進行状況をモニターし、p型半導体層の形成状態を予想することができる。
また、水素ガス分圧がバックグラウンドレベルに戻った時を、プリカーサ全体が硫化水素と反応した、硫化処理の完了時、つまりp型半導体層の形成反応完了時と判断できる。
従って、硫化処理の場合と同様の図1に示す処理装置10を用い、同様の操作によって、電気炉内にモリブデン層と、インジウム層と銅層から成るプリカーサを形成した基板を収容し、これを所定温度に加熱しながら、アルゴン等の不活性ガスと共にセレン化水素を電気炉内に導入することで、プリカーサにセレン化処理を施すことができる。そして、セレン化処理と並行して、質量分析計により電気炉から排出される水素ガスの分圧を測定することで、セレン化処理の進行状況をモニターすることができる。
この場合も水素ガス分圧がバックグラウンドレベルに戻った時を、セレン化処理の完了時、つまりp型半導体層の形成反応完了時と判断できる。
このように、プリカーサの種類や形成方法に限定されず、プリカーサを硫化水素雰囲気中或いはセレン化水素雰囲気中で加熱処理することで、硫化処理或いはセレン化処理を施す際に、副生成物として水素ガスが生成される場合に本発明が適用できる。
また、水素分圧がピークとなるまでの処理時間を知ることで、硫化処理或いはセレン化処理が完了し、均一な結晶に形成されたp型半導体層を効率良く簡単に得ることができる。さらに、ピーク時前に硫化処理或いはセレン化処理を停止すれば、プリカーサが完全に硫化或いはセレン化処理されずに残存しているものも必要に応じて作成できる。
図4は、この硫化処理と並行して、四重極質量分析計18で測定した硫化水素ガス(H2S)と水素ガス(図ではH2(蒸着)で示す)、それぞれの分圧の経時変化を示したグラフである。尚、60分を過ぎたところでH2Sの電気炉への供給を停止した。
ところで、図4のグラフの縦軸は、質量分析計の検出電流であるイオン電流値で、単位はアンペア(A)であるが、感度係数を乗算することで分圧に換算できる。後述する図5、図6についても同様である。
グラフにおいてH2Sの分圧の立ち上がりが遅いのは、H2Sの質量が比較的重く拡散性が悪いため、四重極質量分析計に到達するまでに時間がかかるからと考えられる。
水素ガス分圧の上昇が約30分間にわたり観察されるので、硫化処理の完了までに要する処理時間は約30分であることが分かる。
このことを実証するため、硫化処理と並行して5分おきに試料を取り出し、その試料をICP分析によって組成分析するという確認を行った。その結果を表1に示す。
また、No.6(処理時間30分)の試料をFIB装置によって加工し、その断面を電子顕微鏡で観察したところ、プリカーサは認められず、モリブデン層上に均一な結晶のCuInS2層が形成されていることが確認できた。
図4に、このときの硫化処理と並行して、四重極質量分析計18で測定した水素ガス(図ではH2(メッキ)で示す)の分圧の経時変化を示す。
図5は、硫化処理と並行して四重極質量分析計で測定した硫化水素ガスと水素ガス、それぞれの分圧の経時変化を示したグラフである。尚、80分を過ぎたところでH2Sの電気炉への導入を停止した。
図6は、硫化処理と並行して四重極質量分析計18で測定した硫化水素ガスと水素ガス、それぞれの分圧の経時変化を示したグラフである。尚、80分を過ぎたところでH2Sの電気炉内への導入を停止した。
さらに、同じメッキによるプリカーサであっても、硫化水素濃度が5%のときは水素ガス分圧は硫化処理時間が約15分でピークとなり(図4参照)、硫化水素濃度2.5%では約30分(図5参照)で、硫化水素濃度1%では約50分(図6参照)でピークとなっていることから、硫化水素濃度を低くすることで、硫化速度が遅くなることがわかる。
図8は、実施例4(硫化水素濃度1.0%)の硫化処理における、処理途中の基板(硫化処理時間約10分)の断面の電子顕微鏡写真である。基板34の上層にCuInS2の層30が形成され、モリブデン層32とCuInS2層30との間には、硫化水素と反応していないプリカーサ31が存在している。そして、図7で見られた空孔33は認められず、プリカーサ31とCuInS2層30はそれぞれ均一な厚さの層になっている。
空孔33は、太陽電池において均一な厚さの膜形成の障害となり、ショート(電気的短絡)の原因となるので硫化処理は、空孔が発生しない条件で行わなくてはならない。上記の結果から、硫化水素の濃度を高くして急速に硫化処理を行うと空孔が発生しやすく、硫化水素の濃度を低くして硫化速度を遅くすると、空孔の無い良好なp型半導体層を形成できることがわかる。
11 電気炉
12 ガス導入口
13 ガス排出口
14 導入管
15 ガス処理設備
16 排出管
17 配管
18 質量分析計
Claims (5)
- 基板の一面側に形成された電極層上に、銅(Cu)層とインジウム(In)層とが積層されて成るプリカーサを、硫化水素雰囲気又はセレン化水素雰囲気中で加熱処理して形成した、CuInS2又はCuInSe2から成るp型半導体層と、前記p型半導体層の一面側に密着して形成したn型半導体層とを具備する化合物半導体太陽電池を製造する際に、
前記加熱処理を、硫化水素又はセレン化水素とCu及びInとの反応の進行状況をモニターしつつ施すべく、前記反応によって発生する水素ガスの分圧を測定することを特徴とする化合物半導体太陽電池の製造方法。 - 水素ガスの分圧の測定を加熱処理の開始から終了まで連続して行うことを特徴とする請求項1記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。
- 水素ガスの分圧の測定を、質量分析計で行うことを特徴とする請求項1または2記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。
- 一面側に形成された電極層上に、銅(Cu)層とインジウム(In)層とが積層されて成るプリカーサを有した基板を、処理室内で加熱しながら、該処理室内に導入される硫化水素或いはセレン化水素と、前記プリカーサとを反応させることにより、p型半導体層を形成する化合物半導体太陽電池の製造装置において、
処理室から排気される、前記反応によって生成する水素ガスの分圧を測定する測定装置が設けられていることを特徴とする化合物半導体太陽電池の製造装置。 - 水素ガスの分圧を測定する測定装置が、質量分析計である請求項4記載の化合物半導体太陽電池の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005014252A JP4676771B2 (ja) | 2004-05-20 | 2005-01-21 | 化合物半導体太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004150066 | 2004-05-20 | ||
JP2005014252A JP4676771B2 (ja) | 2004-05-20 | 2005-01-21 | 化合物半導体太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006005326A true JP2006005326A (ja) | 2006-01-05 |
JP4676771B2 JP4676771B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=35773401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005014252A Active JP4676771B2 (ja) | 2004-05-20 | 2005-01-21 | 化合物半導体太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4676771B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009021543A (ja) * | 2007-06-11 | 2009-01-29 | Canon Inc | 化合物半導体膜、発光膜およびその製造方法 |
JP2011060789A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
JP2011057455A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
JP2011114109A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Kyocera Corp | 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
JP2014502592A (ja) * | 2010-12-27 | 2014-02-03 | エヌウイクスセーイエス | I−iii−vi2材料層とモリブデン基板間の改良された界面 |
JP5548208B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2014-07-16 | 大陽日酸株式会社 | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
CN112853264A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-05-28 | 河北大学 | 无硒气氛制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07221028A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | Cvd装置 |
JP2001148490A (ja) * | 1999-03-29 | 2001-05-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体太陽電池及びその製造方法 |
JP2003077782A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-01-21 JP JP2005014252A patent/JP4676771B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07221028A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | Cvd装置 |
JP2001148490A (ja) * | 1999-03-29 | 2001-05-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体太陽電池及びその製造方法 |
JP2003077782A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009021543A (ja) * | 2007-06-11 | 2009-01-29 | Canon Inc | 化合物半導体膜、発光膜およびその製造方法 |
JP2011060789A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
JP2011057455A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
JP5548208B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2014-07-16 | 大陽日酸株式会社 | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
JP2011114109A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Kyocera Corp | 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
JP2014502592A (ja) * | 2010-12-27 | 2014-02-03 | エヌウイクスセーイエス | I−iii−vi2材料層とモリブデン基板間の改良された界面 |
CN112853264A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-05-28 | 河北大学 | 无硒气氛制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4676771B2 (ja) | 2011-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3876440B2 (ja) | 光吸収層の作製方法 | |
JP4676771B2 (ja) | 化合物半導体太陽電池の製造方法 | |
Tao et al. | Synthesis and characterization of Cu 2 ZnSnS 4 thin films by the sulfurization of co-electrodeposited Cu–Zn–Sn–S precursor layers for solar cell applications | |
TWI746269B (zh) | 在基板上形成光子裝置的方法 | |
US8586457B1 (en) | Method of fabricating high efficiency CIGS solar cells | |
US20110162706A1 (en) | Passivated polysilicon emitter solar cell and method for manufacturing the same | |
Lakhe et al. | Characterization of electrochemically deposited CuInTe2 thin films for solar cell applications | |
US20130104972A1 (en) | Se OR S BASED THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | |
JP4110515B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
US9722111B2 (en) | Surface passivation for CdTe devices | |
US9252302B2 (en) | Photovoltaic back contact | |
TWI722078B (zh) | 光電轉換裝置之製造方法 | |
JP2008235794A (ja) | 光電変換材およびその製造方法、半導体素子、並びに太陽電池 | |
Park et al. | Amorphous TiO2 Passivating Contacts for Cu (In, Ga)(S, Se) 2 Ultrathin Solar Cells: Defect‐State‐Mediated Hole Conduction | |
JP2004172271A (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
Raval et al. | Industrial silicon solar cells | |
US9231148B2 (en) | Method for cleaning and passivating chalcogenide layers | |
JP2004140307A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
Shishiyanu et al. | The mechanism of enhanced diffusion of phosphorus in silicon during rapid photothermal processing of solar cells | |
JP2009290013A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
CN115274404A (zh) | 改性隧穿氧化层及制备方法、TOPCon结构及制备方法和太阳电池 | |
Hung et al. | Characteristics of CuInSe2 nanowire arrays electrodeposited into anodic alumina templates with dimethyl sulfoxide (DMSO) additive | |
JPH05145100A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法および製造装置 | |
Gretener | Back contact, doping and stability of CdTe thin film solar cells in substrate configuration | |
JP5172993B2 (ja) | テクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110128 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140204 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4676771 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |