KR102176359B1 - Copper alloy wire for ball bonding - Google Patents

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히로유키 아마노
나나코 마에다
유카 나가에
다쿠야 하마모토
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타나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤
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Abstract

(과제) 본 발명의 목적은, 본딩 와이어를 가늘게 하여 용융 볼을 작게 해도, 압착 볼의 용착 면적이 꽃잎상으로 퍼지지 않고, 안정적으로 균일한 압착 형상을 확보할 수 있는 볼 본딩용 구리 합금선을 제공하는 것에 있다.
(해결 수단) 본 발명의 볼 본딩용 구리 합금선은, 0.1 ∼ 1.5 질량％ 의 니켈 (Ni), 0.01 ∼ 1.5 질량％ 의 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd), 0.1 ∼ 20 질량ppm 의 황 (S), 10 ∼ 80 질량ppm 의 산소 (O) 및 잔부 구리 (Cu), 특히 0.1 ∼ 1.5 질량％ 의 니켈 (Ni), 0.01 ∼ 1.5 질량％ 의 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd), 0.1 ∼ 20 질량ppm 의 황 (S), 10 ∼ 100 질량ppm 의 인 (P), 10 ∼ 80 질량ppm 의 산소 (O) 및 잔부 구리 (Cu) 로 이루어지는 것을 특징으로 한다.(Problem) An object of the present invention is to provide a copper alloy wire for ball bonding capable of securing a stable and uniform crimping shape without spreading the welding area of the crimping ball into petals even if the fusion ball is made small by thinning the bonding wire It is in offering.
(Solution means) The copper alloy wire for ball bonding of the present invention is 0.1 to 1.5 mass% of nickel (Ni), 0.01 to 1.5 mass% of platinum (Pt) or palladium (Pd), and 0.1 to 20 mass ppm of sulfur ( S), 10 to 80 ppm by mass of oxygen (O) and the balance copper (Cu), in particular 0.1 to 1.5% by mass of nickel (Ni), 0.01 to 1.5% by mass of platinum (Pt) or palladium (Pd), 0.1 to It is characterized by comprising 20 ppm by mass of sulfur (S), 10 to 100 ppm by mass of phosphorus (P), 10 to 80 ppm by mass of oxygen (O) and the balance copper (Cu).

Description

볼 본딩용 구리 합금선{COPPER ALLOY WIRE FOR BALL BONDING}Copper alloy wire for ball bonding {COPPER ALLOY WIRE FOR BALL BONDING}

본 발명은, 볼 본딩용 구리 합금선에 관한 것으로, 특히 프리 에어 볼 (FAB) 본딩에 의해 반도체 소자 상의 패드 전극에 제 1 본드를 한 후, 스티치 본딩에 의해, 리드 프레임 상의 외부 전극에 제 2 본드를 하는 볼 본딩용 구리 합금선의 제 1 본드의 개량에 관한 것이다.The present invention relates to a copper alloy wire for ball bonding, and in particular, a first bond is applied to a pad electrode on a semiconductor element by free air ball (FAB) bonding, and then a second bond is applied to an external electrode on a lead frame by stitch bonding. It relates to the improvement of the first bond of the copper alloy wire for ball bonding to be bonded.

지금까지 구리 니켈 등 합금은, 본딩 와이어로서 거의 고려되고 있지 않았다. 니켈 (Ni), 혹은 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 을 첨가하면 구리 (Cu) 의 저항이 상승한다. 이 때문에, 구리 니켈 등 합금을 본딩 와이어로 하면, 금 본딩 와이어의 대체품으로서 저저항을 특징으로 한 구리 본딩 와이어의 우위성이 상실된다는 결점이 있다. 구리 니켈 등 합금에 관한 본딩 와이어를 예시하면 이하의 것이 있다.So far, alloys such as copper nickel have hardly been considered as bonding wires. When nickel (Ni), platinum (Pt), or palladium (Pd) is added, the resistance of copper (Cu) increases. For this reason, if an alloy such as copper nickel is used as a bonding wire, there is a disadvantage that the superiority of the copper bonding wire characterized by low resistance as a substitute for the gold bonding wire is lost. When a bonding wire related to an alloy such as copper nickel is illustrated, there are the following.

일본 공개특허공보 평01-291435호 (후술하는 특허문헌 1) 의 특허 청구의 범위 (1) 에 「S, Se 및 Te 의 총 함유량을 1.0 ppm 이하로 한 고순도 무산소동에, Al, Cr, Fe, Mn, Ni, P, Sn, Zn 의 1 종 또는 2 종 이상을 총계로 1.0 ∼ 500 ppm 첨가한 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 구리 합금 극세선」으로 이루어지는 발명이 개시되어 있고, 제 1 표의 실시예 6 에, 고순도 무산소동에 Ni : 376 ppm 을 첨가한 소재로 이루어지는 반도체 장치용 구리 합금 극세선이 개시되어 있다.In the claim (1) of JP-A01-291435 (Patent Document 1 to be described later), ``In high purity oxygen-free copper in which the total content of S, Se and Te is 1.0 ppm or less, Al, Cr, Fe , Mn, Ni, P, Sn, Zn, one or two or more of which are added in a total amount of 1.0 to 500 ppm. In Example 6, a copper alloy ultrafine wire for a semiconductor device made of a material obtained by adding Ni:376 ppm to high-purity oxygen-free copper is disclosed.

또, 일본 공개특허공보 평01-290231호 (후술하는 특허문헌 2) 의 특허 청구의 범위 (2) 항에는, 「S, Se 및 Te 의 총 함유량을 1.0 ppm 이하로 한 고순도 무산소동에, 적어도 Si 를 1.0 ppm 첨가하고, 추가로 Al, Cr, Fe, Mn, Ni, P, Sn, Zn 의 1 종 또는 2 종 이상을 Si 와 총계로 1.0 ∼ 500 ppm 첨가한 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 구리 합금 극세선」으로 이루어지는 발명이 개시되어 있고, 제 2 표의 실시예 9 에, 고순도 무산소동에 Si : 54 ppm 및 Ni : 46 ppm 을 첨가한 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 구리 합금 극세선」이 개시되어 있다.In addition, in the claim (2) of JP-A01-290231 (Patent Document 2 to be described later), ``a high purity oxygen-free copper in which the total content of S, Se and Te is 1.0 ppm or less, Copper for semiconductor devices, characterized in that 1.0 ppm of Si is added, and 1.0 to 500 ppm of Si and 1.0 to 500 ppm are added in a total amount of one or more of Al, Cr, Fe, Mn, Ni, P, Sn, and Zn. Invention consisting of "alloy ultra-fine wire" is disclosed, and in Example 9 of Table 2, a copper alloy ultra-fine wire for a semiconductor device characterized by adding Si: 54 ppm and Ni: 46 ppm to high-purity oxygen-free copper" is disclosed. Has been.

그러나, 동 공보의 제 2 표의 비교예 2 에서는, 고순도 무산소동에 Si : 89 ppm 및 Ni : 660 ppm 을 첨가한 소재는, 볼 경도가 높아지고, 피막의 손상이나 마이크로 크랙을 회피할 수 없었던 것이 기재되어 있다. 이것은, 니켈 (Ni) 의 농도가 높아지면, 표층에 있어서의 구리 (Cu) 매트릭스 중에서 고용된 니켈 (Ni) 이 대기 중의 산소와 결부되어 산화 니켈 입자를 형성했기 때문이라고 생각된다. 따라서, 이 비교예 2 의 소재를 반도체 장치용 본딩 와이어에 적용한 경우, 구리 합금 극세선으로서 고온하에서 사용할 수 없는 것을 나타내고 있다.However, in Comparative Example 2 in Table 2 of the same publication, it is described that the material in which Si:89 ppm and Ni:660 ppm were added to high-purity oxygen-free copper had higher ball hardness, and that damage to the film and micro-cracks could not be avoided. Has been. This is considered to be because when the concentration of nickel (Ni) increases, nickel (Ni) dissolved in the copper (Cu) matrix in the surface layer is associated with oxygen in the atmosphere to form nickel oxide particles. Therefore, when the material of Comparative Example 2 is applied to a bonding wire for a semiconductor device, it is shown that it cannot be used under high temperature as a copper alloy ultrafine wire.

이와 같은 상황하에서 본 출원인은, 일본 공개특허공보 2014-165272호 (d3) 에 관련된 발명 「단면 감소율 99 ％ 이상으로 연속 신선 (伸線) 되고, 표층과 내부 산화층 및 구리 희박 니켈 합금층으로 구성되는 반도체 장치 접합용 구리 니켈 희박 합금 와이어에 있어서, 상기 표층은 산화물의 성장층으로 이루어지고, 상기 내부 산화층은 금속 부족형 산화 구리 매트릭스에 산화 니켈 입자가 미세하게 분산된 층으로 이루어지고, 상기 구리 희박 니켈 합금층은 순도 99.995 질량％ 이상의 구리 (Cu) 매트릭스에 0.1 ∼ 1.5 질량％ 의 니켈 (Ni) 이 균일 고용된 합금층으로서, 상기 표면층의 두께에 대한 상기 내부 산화층의 두께가 60 배 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 접합용 구리 희박 니켈 합금 와이어의 구조」를 개시하였다. 이것은, 구리 (Cu) 매트릭스 중의 산소를 고용한 니켈 (Ni) 이 고정되는 것 및 구리 희박 니켈 합금의 표면층에 순구리층이 형성되기 쉬워지는 것을 이용하고자 한 것이다.Under such circumstances, the applicant of the present invention relates to the invention related to Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-165272 (d3) ``continuously drawn with a cross-sectional reduction rate of 99% or more, and composed of a surface layer, an internal oxide layer, and a copper-lean nickel alloy layer. In the copper nickel lean alloy wire for bonding semiconductor devices, the surface layer is made of a growth layer of oxide, the inner oxide layer is made of a layer in which nickel oxide particles are finely dispersed in a metal-deficient copper oxide matrix, and the copper lean The nickel alloy layer is an alloy layer in which 0.1 to 1.5% by mass of nickel (Ni) is uniformly dissolved in a copper (Cu) matrix having a purity of 99.995% by mass or more, wherein the thickness of the internal oxide layer is 60 times or more with respect to the thickness of the surface layer. The structure of a copper lean nickel alloy wire for bonding semiconductor devices to be described. This is intended to use the fact that nickel (Ni) in which oxygen is dissolved in a copper (Cu) matrix is fixed, and that a pure copper layer is easily formed on the surface layer of a copper-lean nickel alloy.

그 결과, 이 본딩 와이어는, 표층의 Cu2O 막이 주위 온도에서 성장하는 것보다 훨씬 빠르고, 금속 부족형 구리 산화물 (Cu2-xO) 매트릭스 중의 프리의 산소가 Cu2-xO 매트릭스 중을 빠르게 이동할 수 있다. 따라서, 금속 부족형 구리 산화물 (Cu2-xO) 매트릭스가 쿠션층으로서 작용하고, 표층의 반구상의 산화막 모양의 형성이 없어지고, 표층의 Cu2O 막이 안정된다. 이 때문에, 이 본딩 와이어는, 균일한 재결정 조직이 얻어지고, 와이어가 사행되거나, 리닝하거나 하는 경우는 없다. 즉, 지금까지 용융 볼이 불규칙하게 퍼지는 것은, 리닝이라고 칭해지는 본딩 와이어의 굴곡이나 절곡 등이 해소되었다. 또, 제 2 본드에 있어서의 본딩 와이어의 스티치 접합성도 향상되는 것 등의 효과가 얻어진다.As a result, this bonding wire is much faster than that the Cu 2 O film of the surface layer grows at ambient temperature, and the free oxygen in the metal-deficient copper oxide (Cu 2-x O) matrix enters the Cu 2-x O matrix. You can move quickly. Therefore, the metal-deficient copper oxide (Cu 2- xO) matrix acts as a cushioning layer, the formation of a hemispherical oxide film shape on the surface layer is eliminated, and the Cu 2 O film on the surface layer is stabilized. For this reason, in this bonding wire, a uniform recrystallized structure is obtained, and the wire does not meander or line. That is, until now, the irregular spread of the molten balls has eliminated the bending and bending of the bonding wire referred to as lining. In addition, effects such as improving the stitch bonding property of the bonding wire in the second bonding can be obtained.

그러나, 예시한 구리 니켈 희박 합금의 본딩 와이어에는, 모두 와이어 표면 상에 불안정한 산화막이 형성되기 쉽다는 치명적인 결함이 있다. 이 때문에 지금까지의 구리 니켈 희박 합금 와이어를 장기간 방치하면, 와이어 표면의 산소 농도가 증가하여 와이어에 불안정한 산화물이 증식된다. 이와 같은 본딩 와이어에 프리 에어 볼 (FAB) 방식으로 용융 볼을 형성하고, 알루미늄 패드에 연직 방향으로부터 용융 볼을 가압해도 압착 볼이 원반상으로 퍼지지 않고, 압착 볼의 외연부가 일그러진 꽃잎상의 형상으로 응고되는 경향이 있었다.However, all of the illustrated bonding wires of copper nickel lean alloys have a fatal defect in that an unstable oxide film is easily formed on the wire surface. For this reason, when the conventional copper nickel lean alloy wire is left for a long period of time, the oxygen concentration on the surface of the wire increases, and unstable oxides grow in the wire. Even if a melting ball is formed on such a bonding wire with a free air ball (FAB) method and the melting ball is pressed from a vertical direction on an aluminum pad, the compressed ball does not spread in a disc shape, and the outer edge of the compressed ball solidifies into a distorted petal shape. Tended to be.

여기서, 알루미늄 패드란, 순알루미늄 (Al) 또는 알루미늄 (Al) 이 주성분인 합금으로 이루어지는 패드 전극을 말한다. 또, 꽃잎상이라는 표현은, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 압착 볼의 중심과 와이어의 축 중심이 일치하고 있지만, 압착 볼의 외연부의 형상이 원형이 아닌 상태를 말한다. 즉, 압착 볼이 꽃잎상이 되는 현상은, 용융 볼이 제작된 단계에서는 발생하지 않고, 용융 볼을 알루미늄 패드에 대해 연직 방향으로부터 가압하는 단계에서 압착 볼에 나타나는 비정상적인 형상이다. 꽃잎상의 계측 수단은 후술한다.Here, the aluminum pad refers to a pad electrode made of pure aluminum (Al) or an alloy containing aluminum (Al) as a main component. In addition, as shown in FIG. 5, the expression "petal shape" refers to a state where the center of the crimping ball and the axial center of the wire coincide, but the shape of the outer edge of the crimping ball is not circular. That is, the phenomenon in which the crimped ball becomes petal shape does not occur at the stage in which the molten ball is manufactured, but is an abnormal shape that appears on the crimped ball in the step of pressing the molten ball against the aluminum pad from the vertical direction. The measuring means on the petal will be described later.

이 꽃잎상이라는 현상은, 지금까지의 리닝 등에 의한 오목부의 꽃잎상 결함 (일본 공개특허공보 2007-284787호의 도 1 참조), 혹은 일그러진 원형의 압착 볼 (일본 공개특허공보 2007-266339호의 도 2 참조) 과 같은 상태를 말하는 것은 아니다. 꽃잎상 결함은, 피복층과 심재의 계면 구조에서 기인되어 볼 접합부의 최외주 근방이 꽃잎상으로 요철 변형을 일으키고, 진원성으로부터 어긋나는 것이다. 이 꽃잎상 결함은 피복층을 갖는 본딩 와이어에 보이는 현상이며, 알루미늄 패드 상의 용융 볼의 젖음성에서 기인되는 현상이다. 또, 일그러진 원형의 압착 볼은, 와이어 선단에 형성한 볼부가 와이어축에 대해 비대칭으로 형성되는 현상이며, 용융 볼이 형성된 단계에서 이미 편심되어 있다. 또한, 리닝은, 본딩된 와이어의 제 1 본드 부근에 있어서, 연직 방향으로부터 관찰하여 재결정 영역 (HAZ) 으로 불리는 지점에서 가로 방향으로 넘어지듯이 구부러지는 현상이다. 이와 같은 편심 볼이 형성된 본딩 와이어를 알루미늄 패드에 대해 연직 방향으로부터 가압하면, 후술하는 바와 같이, 일그러진 원형의 압착 볼을 일반적인 현미경하에서 관찰할 수 있다. 이것들 편심 볼의 일례를 도 7 에 나타낸다.This phenomenon of petal shape is a petal shape defect in a concave portion due to conventional lining or the like (see Fig. 1 in Japanese Patent Laid-Open No. 2007-284787), or a distorted circular compression ball (see Fig. 2 in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2007-266339). ) Does not mean the same state. The petal-shaped defect is caused by the interface structure between the coating layer and the core material, and the vicinity of the outermost circumference of the ball joint portion causes uneven deformation in the shape of a petal, and deviates from the roundness. This petal-like defect is a phenomenon seen in the bonding wire having a coating layer, and is a phenomenon caused by the wettability of the molten ball on the aluminum pad. Further, in the twisted circular crimp ball, a ball portion formed at the tip of the wire is formed asymmetrically with respect to the wire axis, and is already eccentric at the stage in which the molten ball is formed. In addition, lining is a phenomenon in which, in the vicinity of the first bond of the bonded wire, it is observed from the vertical direction and is bent so as to fall in the horizontal direction at a point called the recrystallization region HAZ. When the bonding wire on which such an eccentric ball is formed is pressed against an aluminum pad from a vertical direction, a distorted circular crimp ball can be observed under a general microscope, as described later. An example of these eccentric balls is shown in FIG.

편심 볼에서도 일그러진 압착 볼이 발생하면, 그것을 고려하여 알루미늄 패드의 압착 면적이 커지지 않을 수 없다. 이 때문에, 지금까지는 알루미늄 패드의 단위 면적당의 본딩 와이어의 밀집도를 높게 할 수 없다는 결점이 있었다. 또, 편심에 의해 압착 볼이 알루미늄 패드로부터 비어져 나오는지의 여부에 관계 없이, 최근의 실장 공정에서는 본딩 와이어의 집적 밀도가 점점 높아졌다. 그 때문에 본딩 와이어의 밀집도를 높이고자 하면, 제 1 본드 공정에 있어서 압착 볼이, 도 5 에 나타내는 바와 같이 꽃잎상으로 변형된다는 현상 그 자체가 허용되지 않게 되었다.If a distorted crimp ball occurs even in an eccentric ball, the crimp area of the aluminum pad must be increased in consideration of this. For this reason, so far, there has been a drawback that the density of bonding wires per unit area of the aluminum pad cannot be increased. Moreover, irrespective of whether or not the crimping ball protrudes from the aluminum pad due to eccentricity, the integration density of the bonding wires has gradually increased in the recent mounting process. Therefore, in order to increase the density of the bonding wire, a phenomenon in which the crimp ball is deformed into a petal shape in the first bonding step as shown in Fig. 5 itself is not allowed.

이 꽃잎상이라는 현상은, 무구한 본딩 와이어에 있어서 지금까지 전혀 고려되어 오지 않았던 과제이다. 「꽃잎상」이라는 현상은 구리 합금의 결정 구조에서 기인된다. 즉, 꽃잎상 현상은, 용융 볼이 응고될 때, 응고 조직의 불균일함에서 기인되어 압착 볼이 등방적으로 응고되지 않는 문제이다. 그 때문에, 「꽃잎상」현상에는, 후술하는 실시예 및 비교예에 나타내는 바와 같이 여러 가지의 것이 있고, 용융 볼이 캐피럴리에 의해 압착되고, 응고될 때에 이 「꽃잎상」현상이 보인다. 이 원인은 확실하지 않지만, 응고 조직의 불균일함이 관여하고 있고, 그 결과, 알루미늄 패드와 압착 볼의 계면 상태가 불균질이 되는 것이다. 「꽃잎상」현상이 보이면, 실장 공정이 안정되지 않기 때문에, 실장 공정에서 허용되지 않게 된다.This phenomenon of petal shape is a problem that has not been considered at all until now in an indefinite bonding wire. The phenomenon of "petal phase" originates from the crystal structure of the copper alloy. That is, the petal-like phenomenon is a problem in which the crushed balls are not isotropically solidified due to unevenness of the solidified structure when the molten balls are solidified. Therefore, there are various kinds of "petal appearance" phenomenon as shown in Examples and Comparative Examples described later, and this "petal appearance" phenomenon is observed when the molten ball is pressed by capillary and solidified. Although the cause of this is not certain, non-uniformity of the solidified structure is involved, and as a result, the interface state between the aluminum pad and the compression ball becomes non-uniform. If a "petal image" phenomenon is seen, the mounting process is not stable, and thus it is not allowed in the mounting process.

한편, 본 발명의 구리 합금선의 본딩 와이어를 제조하려면 지금까지의 몇 개의 제조 방법을 적절히 이용할 수 있다.On the other hand, in order to manufacture the bonding wire of the copper alloy wire of this invention, several manufacturing methods so far can be used suitably.

예를 들어, 일본 공개특허공보 소59-155161호의 실시예에는, 「먼저 무산소동을 사용하여 직경 0.13 ㎜ 의 소재 와이어를 제조한다. … (중략) … 이와 같이 하여 얻어진 금 도금 와이어를, 인발 가공에 의해 직경 0.025 ㎜ 로 마무리한다. 필요에 따라 약 350 ℃ 에서 어닐링을 실시하는」것이 개시되어 있다.For example, in the example of JP-A-59-155161, "First, a raw wire having a diameter of 0.13 mm is manufactured using oxygen-free copper. … (Omitted)… The gold-plated wire thus obtained is finished to a diameter of 0.025 mm by drawing. Annealing at about 350[deg.] C. as necessary” is disclosed.

동일하게, 일본 공개특허공보 평03-135041호의 특허 청구의 범위 제 1 항에는, 「도체의 표면에, 합금 원소 혹은 고농도 합금을 증착, 도금에 의해 피복한 후, 확산 열처리를 실시함으로써 합금화를 실시하고, 그 후 신선하는 것을 특징으로 하는 반도체용 본딩 세선의 제조 방법」의 발명이 개시되어 있다.Similarly, in claim 1 of JP-A-03-135041, ``The surface of the conductor is coated with an alloying element or a high-concentration alloy by vapor deposition and plating, followed by diffusion heat treatment to perform alloying. Then, the invention of "a method for producing a bonding fine wire for a semiconductor, characterized in that the wire is drawn," is disclosed.

또, 일본 공개특허공보 소64-003903호의 특허 청구의 범위 제 (3) 항에는, 소정의 Cu 합금의 주괴에, 「열간 압연을 실시하고, 그 후 신선 가공과 적어도 1 회 이상 중간 어닐링을 반복하여 소정의 선경 (線徑) 으로 마무리하고, 그러한 후 비산화성 또는 환원성 분위기하에서 어닐링함으로써, 원하는 기계적 특성으로 하는 것을 특징으로 하는 전자 기기용 구리 세선의 제조법」의 발명이 개시되어 있다.In addition, in the claim (3) of JP-A-64-003903, the ingot of a given Cu alloy is ``hot-rolled, then wire drawing and intermediate annealing at least once or more are repeated. Thus, the invention of a method for producing a fine copper wire for an electronic device, characterized by obtaining desired mechanical properties by finishing with a predetermined wire diameter and then annealing in a non-oxidizing or reducing atmosphere has been disclosed.

동일하게, 일본 공개특허공보 평11-293431호의 청구항 1 에는, 「정출물 등의 이상 (異相) 을 포함하는 구리 합금 연질 소재를 냉간 가공하고, 필요에 따라 중간 어닐링을 실시하는, 선경 50 ㎛ 이하의 구리 합금 극세선의 제조 방법으로서, 상기 구리 합금 연질 소재로부터의 냉간 가공률을 99.999 ％ 이하로 하고, 중간 어닐링을 실시하는 경우에는, 중간 어닐링과 중간 어닐링 사이의 냉간 가공률은 99.999 ％ 이하로 하고, 최종 중간 어닐링 후의 냉간 가공률은 80 ∼ 99 ％ 로 하는 것을 특징으로 하는 구리 합금 구리 세선의 제조 방법」의 발명이 개시되어 있다.Similarly, in claim 1 of JP-A-11-293431, ``a copper alloy soft material containing abnormalities such as crystals is cold-worked, and intermediate annealing is performed as necessary, with a wire diameter of 50 µm or less. As a method for producing a copper alloy ultrafine wire of, the cold working rate from the copper alloy soft material is 99.999% or less, and when intermediate annealing is performed, the cold working rate between the intermediate annealing and the intermediate annealing is 99.999% or less. , The invention of a method for producing a thin copper alloy copper wire characterized in that the cold working rate after the final intermediate annealing is 80 to 99% is disclosed.

일본 공개특허공보 평01-291435호Japanese Laid-Open Patent Publication No. Hei 01-291435 일본 공개특허공보 평01-290231호Japanese Laid-Open Patent Publication No. Hei 01-290231 일본 공개특허공보 2014-165272호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-165272

본 발명자들은, 구리 합금선 본딩 와이어의 꽃잎상 현상을 주의 깊게 관찰하고, 이와 같은 꽃잎상으로 퍼지는 현상은, 제조 직후의 본딩 와이어에서 관찰되지 않고, 수개월 방치한 본딩 와이어에서 보인 것을 알게 되었다. 한편, 무구한 순구리선의 경우에는, 제조 직후라도 동일하게 본딩 와이어의 압착 볼이 꽃잎상으로 퍼지는 경우가 있었다. 그래서, 본 발명자들은, 압착 볼이 꽃잎상으로 퍼지지 않는 합금 조성을 여러 가지 탐색하고, 더욱 연구를 진행시켜 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.The present inventors carefully observed the phenomenon of petal shape of the copper alloy wire bonding wire, and found that such a phenomenon of spreading to the petal shape was not observed in the bonding wire immediately after manufacture, but was seen in the bonding wire left for several months. On the other hand, in the case of an innocent pure copper wire, there was a case where the crimped balls of the bonding wire spread like petals even immediately after manufacture. Thus, the inventors of the present invention have searched for various alloy compositions in which the crimped balls do not spread in the shape of petals, and further researched to complete the present invention.

본 발명의 목적은, 본딩 와이어를 가늘게 하여 용융 볼을 작게 해도, 압착 볼이 꽃잎상으로 퍼지지 않고, 안정적으로 균일한 압착 형상을 확보할 수 있는 볼 본딩용 구리 합금선을 제공하는 것에 있다.It is an object of the present invention to provide a copper alloy wire for ball bonding capable of securing a stable and uniform crimping shape without spreading the crimped balls into petals even if the bonding wire is made thinner to reduce the molten balls.

본 발명의 볼 본딩용 구리 합금선의 하나는, 볼 본딩용 구리 희박 합금에 있어서, 0.1 ∼ 1.5 질량％ 의 니켈 (Ni), 0.01 ∼ 1.5 질량％ 의 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 중 어느 1 종 이상을 합계로 0.01 ∼ 1.5 질량％, 추가로 0.1 ∼ 20 질량ppm 의 황 (S), 10 ∼ 80 질량ppm 의 산소 (O) 및 잔부 구리 (Cu) 로 이루어지는 것을 특징으로 한다.One of the copper alloy wires for ball bonding of the present invention is any one of 0.1 to 1.5% by mass of nickel (Ni), 0.01 to 1.5% by mass of platinum (Pt) or palladium (Pd) in the copper lean alloy for ball bonding. It is characterized by consisting of 0.01 to 1.5 mass% in total of more than one species, further 0.1 to 20 mass ppm of sulfur (S), 10 to 80 mass ppm of oxygen (O), and the balance copper (Cu).

또, 본 발명의 볼 본딩용 구리 합금선의 다른 하나는, 0.1 ∼ 1.5 질량％ 의 니켈 (Ni), 0.01 ∼ 1.5 질량％ 의 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 중 어느 1 종 이상을 합계로 0.01 ∼ 1.5 질량％, 추가로 10 ∼ 100 질량ppm 의 인 (P), 10 ∼ 80 질량ppm 의 산소 (O) 및 잔부 구리 (Cu) 로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the other one of the copper alloy wire for ball bonding of the present invention is 0.01 to 1.5% by mass of nickel (Ni), 0.01 to 1.5% by mass of platinum (Pt) or palladium (Pd) in total of 0.01 It is characterized by consisting of -1.5 mass%, further 10-100 mass ppm of phosphorus (P), 10-80 mass ppm of oxygen (O), and the balance copper (Cu).

또한, 본 발명의 볼 본딩용 구리 합금선의 다른 하나는, 0.1 ∼ 1.5 질량％ 의 니켈 (Ni), 0.01 ∼ 1.5 질량％ 의 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 중 어느 1 종 이상을 합계로 0.01 ∼ 1.5 질량％, 추가로 0.1 ∼ 20 질량ppm 의 황 (S), 10 ∼ 100 질량ppm 의 인 (P), 10 ∼ 80 질량ppm 의 산소 (O) 및 잔부 구리 (Cu) 로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the other one of the copper alloy wire for ball bonding of the present invention is 0.01 to 1.5% by mass of nickel (Ni), 0.01 to 1.5% by mass of platinum (Pt) or palladium (Pd) in total. It is characterized by consisting of -1.5 mass%, further 0.1 to 20 mass ppm of sulfur (S), 10 to 100 mass ppm of phosphorus (P), 10 to 80 mass ppm of oxygen (O) and the balance copper (Cu) do.

본 발명의 실시양태는 이하와 같다. 즉, 상기 니켈 (Ni) 의 함유량이 0.2 ∼ 1.2 질량％ 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 1.0 질량％ 의 범위이다. 또, 상기 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 의 함유량이 0.05 ∼ 0.8 질량％ 인 것이 바람직하다. 그리고, 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 보다 니켈 (Ni) 로 이루어지는 구리 희박 합금이 바람직하다. 특히 니켈 (Ni) 및 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 으로 이루어지는 구리 희박 합금이 보다 바람직하다. 또, 상기 황 (S) 의 함유량이 2 ∼ 10 질량ppm 인 것이 바람직하다.Embodiments of the present invention are as follows. That is, it is preferable that the content of nickel (Ni) is 0.2 to 1.2 mass%. More preferably, it is a range of 0.5 to 1.0 mass %. Moreover, it is preferable that the content of the platinum (Pt) or palladium (Pd) is 0.05 to 0.8 mass%. And a copper lean alloy made of nickel (Ni) is more preferable than platinum (Pt) or palladium (Pd). Particularly, a copper lean alloy composed of nickel (Ni) and platinum (Pt) or palladium (Pd) is more preferable. Moreover, it is preferable that the content of the sulfur (S) is 2 to 10 ppm by mass.

본 발명에 있어서, 구리 매트릭스에 0.1 ∼ 1.5 질량％ 의 니켈 (Ni), 0.01 ∼ 1.5 질량％ 의 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 중 어느 1 종 이상을 합계로 0.01 ∼ 1.5 질량％ 함유시키는 것은, 이것들 함유 합금 성분이 구리 매트릭스에 완전하게 균일 고용되기 때문이다. 또, 니켈 (Ni) 등의 함유 합금 성분은 구리 매트릭스 중에 존재하는 산소를 고정시키는 작용을 나타내기 때문이다. 또, 이 범위 내이면, 구리 합금선 와이어의 표면에 구리 (Cu) 의 함유량이 높은 표면 편석층이 발생하는 일은 없다.In the present invention, a total of 0.01 to 1.5% by mass of any one or more of 0.1 to 1.5% by mass of nickel (Ni), 0.01 to 1.5% by mass of platinum (Pt) or palladium (Pd) in the copper matrix This is because the alloy components containing these are completely and uniformly dissolved in the copper matrix. Moreover, it is because the containing alloy component such as nickel (Ni) exhibits an action of fixing oxygen present in the copper matrix. Moreover, within this range, a surface segregation layer having a high content of copper (Cu) does not occur on the surface of the copper alloy wire wire.

니켈 (Ni) 의 함유량의 하한값을 0.1 질량％ 로 하고, 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 의 하한값을 0.01 질량％ 로 한 것은, 이 하한값 미만에서는 결정립이 조대화되어 압착시에 국소적으로 변형되기 때문이다. 한편, 니켈 (Ni) 등 중 어느 1 종 이상의 상한값을 합계로 1.5 질량％ 로 한 것은, 이 상한값을 초과하면, 압착 볼이 지나치게 단단해져 칩 데미지를 일으키기 때문이다. 니켈 (Ni) 의 함유량이 0.2 ∼ 1.2 질량％ 이고, 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 의 함유량이 0.05 ∼ 0.8 질량％ 이면, 압착 볼의 결정립경이 어느 정도 균일한 크기가 되고, 안정적인 원반상의 압착 볼이 얻어진다. 구리 합금의 압착 볼 형상에 관해서는 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 보다 니켈 (Ni) 이 작용 효과가 크다. 니켈 (Ni) 의 함유량이 0.5 ∼ 1.0 질량％ 의 범위가 특히 바람직하다.When the lower limit of the nickel (Ni) content is 0.1% by mass and the lower limit of platinum (Pt) or palladium (Pd) is 0.01% by mass, the crystal grains become coarse when the lower limit is less than this lower limit, and local deformation during compression Because it becomes. On the other hand, the reason why the upper limit of any one or more of nickel (Ni) and the like is 1.5% by mass in total is because, when the upper limit is exceeded, the crimped ball becomes too hard and chip damage occurs. When the nickel (Ni) content is 0.2 to 1.2 mass%, and the platinum (Pt) or palladium (Pd) content is 0.05 to 0.8 mass%, the grain size of the crimping ball becomes somewhat uniform, and stable disk-like compression The ball is obtained. Regarding the shape of a pressed ball of a copper alloy, nickel (Ni) has a greater effect than platinum (Pt) or palladium (Pd). The nickel (Ni) content is particularly preferably in the range of 0.5 to 1.0% by mass.

본 발명의 구리 합금선 와이어에 0.1 ∼ 20 질량ppm 의 황 (S) 을 함유시키면, 의외로 산소의 침입을 멈추는 효과가 있는 것을 알았다. 지금까지 황 (S) 은 용융된 구리 볼을 단단하게 하므로, 첨가 원소로부터 배제되고 있던 원소이다. 0.1 ∼ 20 질량ppm 의 황 (S) 은 구리 합금선 와이어의 표면층을 지배하여 표면 희박층을 만드는 일도 없다.It has been found that when the copper alloy wire wire of the present invention contains 0.1 to 20 ppm by mass of sulfur (S), there is an effect of stopping the intrusion of oxygen unexpectedly. So far, sulfur (S) is an element that has been excluded from the additive element because it hardens the molten copper ball. Sulfur (S) of 0.1 to 20 ppm by mass does not dominate the surface layer of the copper alloy wire wire to form a surface lean layer.

황 (S) 이 0.1 질량ppm 이상 있으면 구리 합금선의 표면층을 지배하고, 산소의 침입을 멈출 수 있다. 한편, 황 (S) 이 20 질량ppm 을 초과하면, 압착 볼이 지나치게 단단해지고, 볼 본딩하면 알루미늄 스플래시를 일으킨다. 따라서, 황 (S) 의 함유량을 0.1 ∼ 20 질량ppm 으로 하였다. 황 (S) 은 구리 합금선 와이어에 미치는 영향력이 강하기 때문에, 황 (S) 의 함유량은 2 ∼ 10 질량ppm 인 것이 바람직하다.When sulfur (S) is 0.1 mass ppm or more, it dominates the surface layer of a copper alloy wire, and invasion of oxygen can be stopped. On the other hand, when the sulfur (S) exceeds 20 ppm by mass, the crimped ball becomes too hard, and when the ball is bonded, aluminum splash is caused. Therefore, the content of sulfur (S) was made into 0.1-20 mass ppm. Since sulfur (S) has a strong influence on the copper alloy wire wire, the content of sulfur (S) is preferably 2 to 10 ppm by mass.

본 발명의 구리 합금선 와이어가 대기 중에서 장기 보존에 견디기 위해서는, 와이어 중에 어느 정도의 산소량이 필요하다. 본 발명의 구리 합금선 와이어에 10 ∼ 80 질량ppm 의 산소 (O) 를 함유시켜 두면, 압착 볼 형상이 안정되는 효과가 있는 것을 알았다. 니켈 산화물 등이 구리 매트릭스 중에 고정되고, 이 산화물 입자의 플럭스 피닝 효과에 의해 압착 볼의 결정립경이 어느 정도의 균일한 크기로 유지되기 때문이다. 산소 (O) 가 하한값 미만이면 이와 같은 억제 효과는 없어진다. 또, 산소 (O) 가 상한값을 초과하면, 제 2 접합점 (본딩 와이어와 리드 프레임이나 기판 등과의 접합점) 에 있어서 접합성이 저하되기 때문에, 접합 불량이나 실장 공정에서의 수율 저하가 발생한다. 따라서, 본딩 와이어로서 사용할 때의 산소 (O) 의 함유량을 10 ∼ 80 질량ppm 으로 하였다.In order for the copper alloy wire wire of the present invention to withstand long-term storage in the air, a certain amount of oxygen is required in the wire. It was found that when the copper alloy wire wire of the present invention contains 10 to 80 ppm by mass of oxygen (O), there is an effect of stabilizing the shape of the compressed ball. This is because nickel oxide or the like is fixed in the copper matrix, and the crystal grain size of the compressed balls is maintained to a certain degree of uniform size due to the flux pinning effect of the oxide particles. When oxygen (O) is less than the lower limit, such an inhibitory effect disappears. In addition, when the oxygen (O) exceeds the upper limit, the bonding property decreases at the second bonding point (the bonding point between the bonding wire and the lead frame, the substrate, etc.), resulting in poor bonding and a decrease in yield in the mounting process. Therefore, the content of oxygen (O) when used as a bonding wire was set to 10 to 80 ppm by mass.

특히 니켈 (Ni) 은 산소 (O) 와 산화물을 형성하여 구리 (Cu) 매트릭스 중에 고정되므로, 플럭스 피닝 효과가 커진다. 단, 산소 (O) 는 구리 매트릭스를 투과하므로, 통상적인 구리 합금선에 있어서는, 니켈 (Ni) 등이 산화 니켈 등이 되는 분만큼 산소를 함유할 수 있다. 그러나, 산화 니켈 등의 산화물이 되면, 이 체적 팽창이 계기가 되어 대기 중으로부터 구리 매트릭스에 산소가 침입하기 쉬워진다. 그래서, 소정량의 황 (S) 또는 인 (P) 을 첨가함으로써 산소 (O) 의 침입을 억제하기로 하였다. 즉, 소정량의 황 (S) 또는 인 (P) 을 첨가함으로써 수개월 방치해도 본 발명의 구리 합금선 와이어에 포함되는 산소 (O) 의 함유량이 그다지 증가하지 않는 효과가 있다.In particular, since nickel (Ni) forms an oxide with oxygen (O) and is fixed in the copper (Cu) matrix, the flux pinning effect is increased. However, since oxygen (O) permeates the copper matrix, in a typical copper alloy wire, oxygen can be contained as much as nickel (Ni) or the like becomes nickel oxide or the like. However, when an oxide such as nickel oxide becomes an oxide, this volume expansion is triggered, and oxygen easily enters the copper matrix from the atmosphere. Therefore, it was decided to suppress the intrusion of oxygen (O) by adding a predetermined amount of sulfur (S) or phosphorus (P). That is, by adding a predetermined amount of sulfur (S) or phosphorus (P), there is an effect that the content of oxygen (O) contained in the copper alloy wire wire of the present invention does not increase so much even if left to stand for several months.

본 발명에 있어서 10 ∼ 100 질량ppm 의 인 (P) 은, 구리 합금선 와이어를 산화시키지 않는 효과 외에, 용융 볼을 형성했을 때에 플럭스 작용을 나타내어 와이어 표면의 산화막을 제거하는 효과가 있다. 인 (P) 이 하한값인 10 질량ppm 미만에서는 상기 효과가 없다. 또, 인 (P) 이 상한값인 100 질량ppm 을 초과하면, 알루미늄 패드 상에서 알루미늄 스플래시를 일으킨다. 따라서, 인 (P) 의 범위를 10 ∼ 100 질량ppm 으로 하였다.In the present invention, in addition to the effect of not oxidizing the copper alloy wire wire, the phosphorus (P) of 10 to 100 ppm by mass exhibits a flux action when forming a molten ball, thereby removing an oxide film on the surface of the wire. When phosphorus (P) is less than 10 mass ppm, which is the lower limit, the above effect is not obtained. Further, when phosphorus (P) exceeds the upper limit of 100 ppm by mass, aluminum splash is caused on the aluminum pad. Therefore, the range of phosphorus (P) was set to 10 to 100 ppm by mass.

본 발명의 구리 합금선 세선에 있어서, 소재가 되는 고순도 구리 (Cu) 의 순도는 99.99 질량％ 이상 있으면 된다. 인 탈산 구리나 무산소동을 사용할 수 있다. 나머지 0.01 질량％ 미만에는, 은 (Ag) 이나 철 (Fe) 이 대표적으로 포함된다. 그 외, 납 (Pb), 주석 (Sn), 안티몬 (Sb), 비소 (As), 비스무트 (Bi), 크롬 (Cr), 텔루르 (Te), 셀렌 (Se), 실리콘 (Si) 등이 포함된다.In the copper alloy wire fine wire of the present invention, the purity of the high-purity copper (Cu) used as the material should be 99.99% by mass or more. Phosphorus deoxidized copper or oxygen-free copper can be used. Silver (Ag) and iron (Fe) are typically contained in the remaining less than 0.01% by mass. Others include lead (Pb), tin (Sn), antimony (Sb), arsenic (As), bismuth (Bi), chromium (Cr), tellurium (Te), selenium (Se), silicon (Si), etc. do.

소재가 되는 고순도 구리 (Cu) 의 순도는 높을수록 불순물이 적어지므로 바람직하다. 고순도 구리 (Cu) 의 순도는 99.995 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 99.998 질량％ 이상, 가장 바람직하게는 99.9998 질량％ 이상이다. 그러나, 본 발명의 구리 합금선에 있어서는, 니켈 (Ni), 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 의 함유량이 ％ 오더이므로, 이것들 ppm 오더의 불순물의 영향은 무시할 수 있다.The higher the purity of high-purity copper (Cu) used as a material, the less impurities are, so it is preferable. The purity of high-purity copper (Cu) is 99.995 mass% or more, more preferably 99.998 mass% or more, and most preferably 99.9998 mass% or more. However, in the copper alloy wire of the present invention, since the content of nickel (Ni), platinum (Pt), or palladium (Pd) is on the order of %, the influence of impurities on the order of ppm can be neglected.

본 발명의 구리 합금선은, 소정량의 황 (S), 혹은 인 (P) 의 존재에 의해 대기 중의 산소에 의한 산화의 영향을 줄일 수 있다. 따라서, 불활성 분위기 중이면 최종 선경 전의 선경 50 ∼ 250 ㎛ 로 열처리를 실시해도, 극단적으로 산소량이 증가하는 일이 없는 것을 알았다. 이와 같은 열처리를 실시하는 경우에는, 비산화성 분위기에서 온도는 400 ℃ ∼ 700 ℃ 에서 실시하고, 열처리한 선경에서 상온에서의 신장률이 5 ∼ 25 ％ 가 되는 조건이면, 본 발명의 산소량을 소정의 범위에 한정시킬 수 있다.The copper alloy wire of the present invention can reduce the influence of oxidation by oxygen in the atmosphere by the presence of a predetermined amount of sulfur (S) or phosphorus (P). Therefore, it was found that in an inert atmosphere, even if heat treatment was performed with a wire diameter of 50 to 250 µm before the final wire diameter, the amount of oxygen did not increase extremely. In the case of performing such heat treatment, the oxygen content of the present invention is within a predetermined range provided that the temperature is performed at 400°C to 700°C in a non-oxidizing atmosphere, and the elongation at room temperature is 5 to 25% in the heat treated wire diameter. It can be limited to.

또, 본 발명의 볼 본딩용 구리 합금선에 있어서는, 귀금속 도금된 알루미늄 패드를 사용할 수 있다. 본딩 와이어로부터 알루미늄 패드 중에 산소가 침입하는 것을 방지하기 때문이다. 귀금속 도금은, 금 (Au) 도금, 은 (Ag) 도금, 팔라듐 (Pd) 도금의 연질 도금이 좋다. 또, 도금 경도는 볼 본딩용 구리 합금선의 정적 경도와 동일한 정도로 해 두면, 용융 볼의 조성 유동을 컨트롤할 수 있고, 칩 균열을 방지할 수 있다. 구체적으로는 도금 경도를 누프 경도로 측정하고, 본딩 와이어의 비커스 경도에 근사시킬 수 있다.In addition, in the copper alloy wire for ball bonding of the present invention, an aluminum pad plated with a noble metal can be used. This is because it prevents oxygen from entering the aluminum pad from the bonding wire. As for the noble metal plating, gold (Au) plating, silver (Ag) plating, and soft plating of palladium (Pd) plating are good. In addition, if the plating hardness is set to be about the same as the static hardness of the copper alloy wire for ball bonding, the flow of the composition of the molten ball can be controlled, and chip cracking can be prevented. Specifically, the plating hardness can be measured by Knoop hardness, and can be approximated to the Vickers hardness of the bonding wire.

또, 본 발명에 있어서는, 리드 프레임이 구리 (Cu) 합금 또는 철 (Fe) 소재에 구리 (Cu) 또는 구리 (Cu) 합금이 전기 도금 등에 의해 피복된 것을 사용할 수도 있다. 리드 프레임 이외에도, BGA (Ball Grid Array) 와 같은 수지 기판이나, QFN (Quad Flat Non-leaded package) 과 같은 리드가 없는 프레임 등, 본딩 와이어가 일반적인 전기 접합선 용도로서 사용되는 여러 가지 패키지에도 적용되는 것이 가능하다.In addition, in the present invention, it is also possible to use a lead frame in which a copper (Cu) alloy or iron (Fe) material is coated with a copper (Cu) or copper (Cu) alloy by electroplating or the like. In addition to lead frames, bonding wires are applied to various packages that are used as general electrical bonding wire applications, such as resin substrates such as BGA (Ball Grid Array) and leadless frames such as QFN (Quad Flat Non-leaded package). It is possible.

본 발명의 볼 본딩용 구리 합금선에 있어서는, 1 주간 정도 방치해도 구리 합금선 중에 포함되는 산소의 함유량은 거의 변화되지 않는다. 또한, 알루미늄 패드에 대해 연직 방향으로부터 용융 볼을 가압하여 생긴 압착 볼의 용착 면적이 넓어지지 않고, 꽃잎상으로 퍼지는 현상은 발생하지 않는다. 따라서, 제 1 본딩에 있어서 안정적으로 균일한 용착 면적을 확보할 수 있고, 고밀도 실장용 본딩 와이어로서 최적이 된다. 특히 직경을 18 ㎛ 이하로 해도, 용융 볼이 단단해지지 않고, 용착 면적이 거의 변화되지 않는다. 또, 생산성, 혹은 세컨드 접합성이나 루핑 특성 등 다른 본딩 특성은, 종전의 본딩 와이어와 동일하게 우수하다.In the copper alloy wire for ball bonding of the present invention, even if left to stand for about 1 week, the content of oxygen contained in the copper alloy wire hardly changes. In addition, the welding area of the compressed balls formed by pressing the molten balls against the aluminum pad from the vertical direction does not increase, and the phenomenon of spreading to the petals does not occur. Therefore, in the first bonding, a stable and uniform welding area can be secured, and it is optimal as a bonding wire for high-density mounting. In particular, even if the diameter is 18 µm or less, the molten ball does not become hard and the welding area hardly changes. Further, productivity, or other bonding properties such as second bonding properties and roofing properties are excellent as in the conventional bonding wire.

도 1 은, 실시예 1 의 용융 볼의 압착 상태를 나타내는 현미경 사진이다.
도 2 는, 실시예 2 의 용융 볼의 압착 상태를 나타내는 현미경 사진이다.
도 3 은, 실시예 3 의 용융 볼의 압착 상태를 나타내는 현미경 사진이다.
도 4 는, 실시예 4 의 용융 볼의 압착 상태를 나타내는 현미경 사진이다.
도 5 는, 비교예 1 의 용융 볼의 압착 상태를 나타내는 현미경 사진이다.
도 6 은, 꽃잎상의 형상의 계측 수단을 나타내는 현미경 사진이다.
도 7 은, 종래의 편심 볼의 압착 상태를 나타내는 현미경 사진이다.1 is a photomicrograph showing a state in which a molten ball of Example 1 is compressed.
Fig. 2 is a photomicrograph showing a state in which the molten balls of Example 2 are compressed.
3 is a photomicrograph showing a state in which the molten balls of Example 3 are compressed.
4 is a photomicrograph showing a state in which the molten balls of Example 4 are compressed.
5 is a photomicrograph showing a state in which the molten balls of Comparative Example 1 are compressed.
6 is a photomicrograph showing a measurement means of a petal shape.
7 is a photomicrograph showing a conventional eccentric ball in a compressed state.

[실시예 1][Example 1]

시판되는 순도 99.9999 질량％ 이상의 전해 구리 소재에, 순도 99.999 질량％ 이상의 니켈 (Ni) 을 0.25 질량％, 순도 99.999 질량％ 이상의 백금 (Pt) 을 0.5 질량％, 황 (S) 을 10 질량ppm, 및 인 (P) 을 15 질량ppm, 각각 배합하여 소정의 구리 합금선을 얻었다. 이 합금을 연속 주조 후, 다이아몬드 다이스를 사용하여, 연속 신선 가공하고, 직경 18 ㎛ 의 와이어를 얻었다. 그 후, 상온에서의 신장률이 10 ％ 가 되도록, 최종 연속 어닐링을 약 500 ℃ 에서 실시하였다. 이 와이어를 실온의 대기 중에 3 일간 방치한 후, 이 합금 와이어의 산소 농도를 측정한 결과, 25 질량ppm 이었다. 이 본딩 와이어를 실시예 1 로 하였다.In a commercially available electrolytic copper material having a purity of 99.9999% by mass or more, 0.25% by mass of nickel (Ni) having a purity of 99.999% by mass or more, 0.5% by mass of platinum (Pt) having a purity of 99.999% by mass or more, and 10% by mass of sulfur (S), and Phosphorus (P) was blended at 15 ppm by mass, respectively, to obtain a predetermined copper alloy wire. After continuous casting of this alloy, continuous drawing was performed using a diamond die to obtain a wire having a diameter of 18 µm. After that, final continuous annealing was performed at about 500°C so that the elongation at room temperature was 10%. After allowing this wire to stand in the air at room temperature for 3 days, the oxygen concentration of this alloy wire was measured and found to be 25 ppm by mass. This bonding wire was taken as Example 1.

(제 1 본드의 접합성 시험)(Adhesion test of the first bond)

이 실시예 1 의 본딩 와이어를 본딩 머신 (장치명 : 큐릭 앤드 소파사 제조 IConn 타입) 을 사용하여 0.8 ㎛ 두께의 Al-0.5 질량％ Cu 패드 상에 볼 본딩을 100 개 연속하여 실시하였다. 이 패드는 두께 0.20 ㎜ 의 칩 상에 있다. 프리 에어 볼 (FAB) 의 제작 조건은, FAB 직경이 선경의 1.5 배가 되도록 설정하고, 제 1 본드의 초음파 및 하중의 조건은 압착경 (壓着徑) 이 FAB 의 1.3 배가 되도록 설정하였다. 루프 길이는 2.5 ㎜, 루프 높이는 300 ㎛ 로 하였다.The bonding wire of Example 1 was subjected to 100 ball bonding successively on an Al-0.5% by mass Cu pad having a thickness of 0.8 µm using a bonding machine (device name: IConn type manufactured by Curic & Sofa). This pad is on a 0.20 mm thick chip. The manufacturing conditions of the free air ball (FAB) were set so that the FAB diameter was 1.5 times the wire diameter, and the conditions of the ultrasonic wave and the load of the first bond were set so that the compression diameter became 1.3 times the FAB. The loop length was 2.5 mm, and the loop height was 300 µm.

제 1 본드의 전체 수의 용착 상태를 일반적인 측정 현미경 (올림푸스사 제조의 STM6) 의 대물 렌즈 50 배로 관찰하여 육안으로 우수라고 판단하였다. 이 본딩 와이어의 압착 볼의 대표적인 5 개의 외관 (「실시예 1 형」이라고 한다) 을 도 1 에 나타낸다. 5 개의 압착 볼 직경의 평균값은 27 ㎛, 압착 볼 두께는 11 ㎛ 였다.The welding state of the total number of the first bonds was observed with an objective lens 50 times of a general measuring microscope (STM6 manufactured by Olympus), and was judged to be excellent visually. Fig. 1 shows five typical appearances (referred to as "Example 1 type") of the crimping ball of this bonding wire. The average value of the diameters of the five crimped balls was 27 µm, and the thickness of the crimped balls was 11 µm.

[실시예 2][Example 2]

시판되는 순도 99.99 질량％ 이상의 무산소동 소재에, 순도 99.99 질량％ 이상의 니켈 (Ni) 을 0.5 질량％, 순도 99.99 질량％ 이상의 팔라듐 (Pd) 을 0.25 질량％, 황 (S) 을 15 질량ppm, 및 인 (P) 을 80 질량ppm, 각각 배합하여 소정의 구리 합금선을 얻었다. 이 합금을 연속 주조 후, 다이아몬드 다이스를 사용하여, 연속 신선 가공하였다. 또한, 연속 신선 가공 도중의 직경 60 ㎛ 로 500 ℃ 의 열처리하고, 그 선경에서 상온의 신장률을 측정하면 15 ％ 이었다. 그 후에 다시 연속 신선 가공을 실시하고 최종 선경 18 ㎛ 의 와이어까지 가공하고, 상온에서의 신장률이 12 ％ 가 되도록, 최종 연속 어닐링을 약 550 ℃ 에서 실시하였다. 이 와이어를 실온의 대기 중에 3 일간 방치한 후, 이 합금 와이어의 산소 농도를 측정한 결과, 31 질량ppm 이었다. 이 본딩 와이어를 실시예 2 로 하였다.In a commercially available oxygen-free copper material having a purity of 99.99% by mass or more, 0.5% by mass of nickel (Ni) having a purity of 99.99% by mass or more, 0.25% by mass of palladium (Pd) having a purity of 99.99% by mass or more, and 15% by mass of sulfur (S), and 80 mass ppm of phosphorus (P) was blended, respectively, and the predetermined copper alloy wire was obtained. After continuous casting of this alloy, continuous drawing was performed using a diamond die. Moreover, it was 15% when heat-processing at 500 degreeC at 60 micrometers in diameter in the middle of continuous drawing was performed, and the elongation at room temperature was measured from the wire diameter. After that, continuous drawing was performed again, and it was processed to a wire having a final wire diameter of 18 µm, and final continuous annealing was performed at about 550°C so that the elongation at room temperature was 12%. After allowing this wire to stand in the air at room temperature for 3 days, the oxygen concentration of the alloy wire was measured and found to be 31 ppm by mass. This bonding wire was taken as Example 2.

(제 1 본드의 접합성 시험)(Adhesion test of the first bond)

이 실시예 2 의 본딩 와이어를 실시예 1 과 동일하게 하여 100 개 본딩을 실시하였다. 제 1 본드의 전체 수의 용착 상태를 일반적인 측정 현미경 (올림푸스사 제조 STM6) 의 대물 렌즈 50 배로 관찰하여 육안으로 양호하다고 판단하였다. 이 본딩 와이어의 압착 볼의 대표적인 5 개의 외관 (「실시예 2 형」이라고 한다) 을 도 2 에 나타낸다. 압착 볼 직경의 평균값은 27 ㎛, 압착 볼 두께는 11 ㎛ 였다.100 bonding wires were performed in the same manner as in Example 1 of the bonding wire of Example 2. The welding state of the total number of the first bonds was observed with 50 times the objective lens of a general measuring microscope (STM6 manufactured by Olympus), and it was judged to be good with the naked eye. Fig. 2 shows typical five appearances (referred to as "Example 2 type") of the crimping ball of this bonding wire. The average value of the crimp ball diameter was 27 µm, and the crimp ball thickness was 11 µm.

[실시예 3][Example 3]

시판되는 순도 99.99 질량％ 이상의 인 탈산 구리 소재에, 순도 99.99 질량％ 이상의 니켈 (Ni) 을 1.0 질량％, 순도 99.999 질량％ 이상의 백금 (Pt) 을 0.1 질량％, 순도 99.99 질량％ 이상의 팔라듐 (Pd) 을 0.05 질량％ 및 황 (S) 을 1 질량ppm, 각각 배합하여 소정의 구리 합금선을 얻었다. 이 합금을 연속 주조 후, 다이아몬드 다이스를 사용하여, 연속 신선 가공하고, 직경 18 ㎛ 의 와이어를 얻었다. 그 후, 상온에서의 신장률이 12 ％ 가 되도록, 최종 연속 어닐링을 약 550 ℃ 에서 실시하였다. 이 와이어를 실온의 대기 중에 3 일간 방치한 후, 이 합금 와이어의 산소 농도를 측정한 결과, 36 질량ppm 이었다. 이 본딩 와이어를 실시예 3 으로 하였다.In a commercially available phosphorus deoxidized copper material having a purity of 99.99% by mass or more, 1.0% by mass of nickel (Ni) having a purity of 99.99% by mass or more, and 0.1% by mass of platinum (Pt) having a purity of 99.999% by mass or more, and palladium (Pd) having a purity of 99.99% by mass or more 0.05 mass% and 1 mass ppm of sulfur (S) were blended, respectively, to obtain a predetermined copper alloy wire. After continuous casting of this alloy, continuous drawing was performed using a diamond die to obtain a wire having a diameter of 18 µm. Thereafter, final continuous annealing was performed at about 550°C so that the elongation at room temperature was 12%. After allowing this wire to stand in the air at room temperature for 3 days, the oxygen concentration of this alloy wire was measured and found to be 36 ppm by mass. This bonding wire was taken as Example 3.

(제 1 본드의 접합성 시험)(Adhesion test of the first bond)

이 실시예 3 의 본딩 와이어를 실시예 1 과 동일하게 하여 100 개 본딩을 실시하였다. 제 1 본드의 전체 수의 용착 상태를 일반적인 측정 현미경 (올림푸스사 제조 STM6) 의 대물 렌즈 50 배로 관찰하여 육안으로 가능하다고 판단하였다. 이 본딩 와이어의 압착 볼의 대표적인 5 개의 외관 (「실시예 3 형」이라고 한다) 을 도 3 에 나타낸다. 압착 볼 직경의 평균값은 27 ㎛, 압착 볼 두께는 11 ㎛ 였다.100 bonding wires were performed in the same manner as in Example 1 of the bonding wire of Example 3. The welding state of the total number of the first bonds was observed with an objective lens 50 times of a general measuring microscope (STM6 manufactured by Olympus), and it was judged that it was possible with the naked eye. Fig. 3 shows five typical appearances (referred to as "Example 3 type") of the crimping ball of this bonding wire. The average value of the crimp ball diameter was 27 µm, and the crimp ball thickness was 11 µm.

[실시예 4][Example 4]

시판되는 순도 99.9999 질량％ 이상의 전해 구리 소재에, 순도 99.99 질량％ 이상의 니켈 (Ni) 을 0.1 질량％, 순도 99.99 질량％ 이상의 백금 (Pt) 을 0.1 질량％, 황 (S) 을 10 질량ppm 및 인 (P) 을 10 질량ppm, 각각 배합하여 소정의 구리 합금선을 얻었다. 이 합금을 용해 주조 후에 직경 5 ㎜ 의 주조재를 제조하였다.In a commercially available electrolytic copper material with a purity of 99.9999% by mass or more, 0.1% by mass of nickel (Ni) with a purity of 99.99% by mass or more, 0.1% by mass of platinum (Pt) with a purity of 99.99% by mass or more, and 10 ppm by mass of sulfur (S) and phosphorus (P) was mixed with 10 mass ppm, respectively, and the predetermined copper alloy wire was obtained. After melt casting this alloy, a cast material having a diameter of 5 mm was produced.

얻어진 각각의 주조재에 대해 홈 롤, 다이아몬드 다이스를 사용하여, 연속 신선 가공하였다. 또한, 연속 신선 가공 도중의 직경 100 ㎛ 로 500 ℃ 의 열처리를 실시하고, 그 선경에서 상온의 신장률을 측정하면 18 ％ 이었다. 그 후에 다시 연속 신선 가공을 실시하고 최종 선경 18 ㎛ 의 와이어까지 가공하고, 상온에서의 신장률이 13 ％ 가 되도록, 최종 연속 어닐링을 약 550 ℃ 에서 실시하였다. 이 와이어를 실온의 대기 중에 3 일간 방치한 후, 이 합금 와이어의 산소 농도를 측정한 결과, 29 질량ppm 이었다. 이 본딩 와이어를 실시예 4 로 하였다.For each obtained cast material, a groove roll and a diamond die were used, and continuous drawing was performed. Moreover, it was 18% when heat-processing at 500 degreeC was performed at 100 micrometers in diameter in the middle of continuous wire drawing, and the elongation at room temperature was measured from the wire diameter. After that, continuous wire drawing was performed again, and it was processed to a wire having a final wire diameter of 18 µm, and final continuous annealing was performed at about 550°C so that the elongation at room temperature was 13%. After allowing this wire to stand in the air at room temperature for 3 days, the oxygen concentration of this alloy wire was measured, and it was 29 mass ppm. This bonding wire was taken as Example 4.

(제 1 본드의 접합성 시험)(Adhesion test of the first bond)

이 실시예 3 의 본딩 와이어를 실시예 1 과 동일하게 하여 100 개 본딩을 실시하였다. 제 1 본드의 전체 수의 용착 상태를 일반적인 측정 현미경 (올림푸스사 제조 STM6) 의 대물 렌즈 50 배로 관찰하여 육안으로 가능하다고 판단하였다. 이 본딩 와이어의 압착 볼의 대표적인 5 개의 외관 (「실시예 4 형」이라고 한다) 을 도 4 에 나타낸다. 압착 볼 직경의 평균값은 28 ㎛, 압착 볼 두께는 10 ㎛ 였다.100 bonding wires were performed in the same manner as in Example 1 of the bonding wire of Example 3. The welding state of the total number of the first bonds was observed with an objective lens 50 times of a general measuring microscope (STM6 manufactured by Olympus), and it was judged that it was possible with the naked eye. Fig. 4 shows typical five appearances (referred to as "Example 4 type") of the crimping ball of this bonding wire. The average value of the compressed ball diameter was 28 µm, and the compressed ball thickness was 10 µm.

[실시예 5 ∼ 24][Examples 5 to 24]

다음으로, 합금 성분의 조성을 바꾸어 여러 가지 볼 본딩용 구리 합금선 (실시예 5 ∼ 24) 을 제작하고, 제 1 본드의 접합성 시험을 실시하였다. 이것들의 결과를 실시예 1 ∼ 실시예 4 의 범주에 속하는 것으로 분류하고, 표 1 에 나타낸다.Next, by changing the composition of the alloy component, various copper alloy wires for ball bonding (Examples 5 to 24) were produced, and a bonding test of the first bond was performed. These results are classified as belonging to the category of Examples 1 to 4, and are shown in Table 1.

꽃잎 형상의 계측은, 기본적으로 도 6 의 도 6-1 ∼ 도 6-4 와 같이 하여 실시하였다. 압착 볼의 형상은, 도 6-1 과 같이 외주부와 내주부로 이루어진다. 이 압착 볼의 중심축을 통과하는 도 6-1 의 내주부의 중심점을 M 으로 하고, M 을 중심으로 하여 내주부를 둘러싸는 원을 도 6-2 와 같이 실선으로 그렸다. 다음으로, 도 6-3 과 같이, 압착 볼의 외주부를 실선 (R) 으로 덧그렸다. 그리고, M 을 중심으로 하여 외주부 (R) 까지의 반경 (L) 을 360 도 회전하면서 구한다. 그 후, 도 6-4 에 나타내는 바와 같이, L 의 최대값 (L(Max)) 을 거의 수평 방향에 표시하고, L 의 최소값 (L(Min)) 을 우측 비스듬하게 상방에 표시하였다.The measurement of the petal shape was performed basically as in FIGS. 6-1 to 6-4 in FIG. 6. The shape of the crimping ball is composed of an outer peripheral portion and an inner peripheral portion as shown in FIG. 6-1. The center point of the inner circumferential part of Fig. 6-1 passing through the central axis of this crimping ball is M, and a circle surrounding the inner circumferential part with M as the center is drawn as a solid line as in Fig. 6-2. Next, as shown in Fig. 6-3, the outer circumferential portion of the crimping ball was drawn with a solid line (R). And the radius L to the outer peripheral part R with M as the center is obtained while rotating 360 degrees. Thereafter, as shown in Fig. 6-4, the maximum value (L(Max)) of L was displayed in a substantially horizontal direction, and the minimum value (L(Min)) of L was displayed obliquely to the upper side.

꽃잎 형상은, 경험적으로 L(Min) 과 L(Max) 의 비율이 3 배를 초과한 압착 형상으로 하였다. 실시예 및 비교예에서는, 100 개의 압착경 중에서 발생수의 개수를 계측하였다. 또, 비교예 중에는 극히 소량이지만, 도 7 에 나타내는 바와 같은 편심된 압착 볼도 포함되었다. 그래서, 꽃잎 형상의 비교를 용이하게 하기 위해, L(Min) 이 0 으로 되어 있는 각도가 30 도 이상인 것이나, L(Min) 과 L(Max) 의 비율이 3 배를 초과한 상태가 각도 30 도 이상 연속되어 있는 것은, 실시예 및 비교예의 꽃잎 형상의 카운트수로부터 제외하였다. 실시예 및 비교예에서는, 꽃잎 형상의 발생수가 0 개인 것을 ◎, 발생수가 1 ∼ 3 인 것을 ○, 그리고 발생수가 4 개 이상인 것을 × 로 하였다. 이것들의 결과를 표 1 우란에 나타낸다.The petal shape was empirically made into a compression bonding shape in which the ratio of L(Min) and L(Max) exceeded 3 times. In Examples and Comparative Examples, the number of generations was measured among 100 crimping mirrors. In addition, in the comparative example, although it is very small, the eccentric crimping ball as shown in FIG. 7 was also included. Therefore, in order to facilitate the comparison of the petal shape, the angle at which L(Min) is 0 is 30 degrees or more, but the ratio of L(Min) and L(Max) exceeds 3 times the angle 30 degrees. What was continuous above was excluded from the number of petal-shaped counts of Examples and Comparative Examples. In Examples and Comparative Examples, the number of occurrences of the petal shape was set to ⊚, the number of occurrences of 1 to 3 was set to ○, and the number of occurrences of 4 or more was set to x. These results are shown in the right column of Table 1.

0.8 ㎛ 두께의 알루미늄 (Al-0.5 ％ Cu) 전극막의 데미지는, 볼 본딩 직후에 균열이 발생하고 있지 않은지를, 100 개의 전극막에서 확인하였다. 볼 본딩된 상태에서 알루미늄 (Al) 전극막을 상부로부터 관찰하고, 압착된 볼 주변의 전극막에 균열이나 부풀어 오름의 데미지가 들어가 있는 개수를 세어, 0 ∼ 5 개를 ○, 6 ∼ 10 개를 △, 11 개 이상을 × 로 하였다. 이것들의 결과를 표 1 우란에 나타낸다.The damage of the 0.8 µm-thick aluminum (Al-0.5% Cu) electrode film was confirmed with 100 electrode films to see if no cracks occurred immediately after ball bonding. In the ball-bonded state, observe the aluminum (Al) electrode film from the top, count the number of cracks or swelling damage in the electrode film around the compressed ball, and count 0 to 5 as ○, and 6 to 10 as △ , 11 or more were set to x. These results are shown in the right column of Table 1.

Figure 112017033288848-pat00001
Figure 112017033288848-pat00001

[비교예 1][Comparative Example 1]

시판되는 순도 99.9999 질량％ 이상의 전해 구리 소재에, 순도 99.999 질량％ 이상의 니켈 (Ni) 을 0.05 질량％, 순도 99.999 질량％ 이상의 백금 (Pt) 을 0.05 질량％ 및 인 (P) 을 120 질량ppm 배합하여 소정의 구리 합금선을 얻었다. 이 합금을 연속 주조 후, 다이아몬드 다이스를 사용하여, 연속 신선 가공하고, 직경 18 ㎛ 의 와이어를 얻었다. 그 후, 상온에서의 신장률이 11 ％ 가 되도록, 최종 연속 어닐링을 약 500 ℃ 에서 실시하였다.To a commercially available electrolytic copper material having a purity of 99.9999% by mass or more, 0.05% by mass of nickel (Ni) having a purity of 99.999% by mass or more, platinum (Pt) having a purity of 99.999% by mass or more, 0.05% by mass and 120% by mass of phosphorus (P) are blended. A predetermined copper alloy wire was obtained. After continuous casting of this alloy, continuous drawing was performed using a diamond die to obtain a wire having a diameter of 18 µm. After that, final continuous annealing was performed at about 500°C so that the elongation at room temperature was 11%.

이 와이어를 실온의 대기 중에 3 일간 방치한 후, 이 합금 와이어의 산소 농도를 측정한 결과, 30 질량ppm 이었다. 이 본딩 와이어를 비교예 1 로 하였다. 이 비교예 1 은 니켈 (Ni) 과 백금 (Pt) 의 함유량이 하한값을 밑돌고, 인 (P) 의 함유량이 상한값을 초과하고 있다.After allowing this wire to stand in the air at room temperature for 3 days, the oxygen concentration of the alloy wire was measured and found to be 30 ppm by mass. This bonding wire was taken as Comparative Example 1. In this comparative example 1, the content of nickel (Ni) and platinum (Pt) is less than the lower limit, and the content of phosphorus (P) exceeds the upper limit.

(제 1 본드의 접합성 시험)(Adhesion test of the first bond)

이 비교예 1 의 본딩 와이어를 실시예 1 과 동일하게 하여 100 개 본딩을 실시하였다. 제 1 본드의 전체 수의 용착 상태를 일반적인 측정 현미경 (올림푸스사 제조 STM6) 의 대물 렌즈 50 배로 관찰하여 육안으로 불가라고 판단하였다. 이 본딩 와이어의 압착 볼의 대표적인 5 개의 외관 (「비교예형」이라고 한다) 을 도 5 에 나타낸다.The bonding wires of Comparative Example 1 were subjected to 100 bonding in the same manner as in Example 1. The welding state of the total number of the first bonds was observed with 50 times the objective lens of a general measuring microscope (STM6 manufactured by Olympus), and it was judged to be impossible with the naked eye. Fig. 5 shows typical five appearances (referred to as "comparative example") of the crimp balls of this bonding wire.

[비교예 2 ∼ 5][Comparative Examples 2 to 5]

동일하게 하여 비교예 2 ∼ 4 의 볼 본딩용 구리 합금선을 제작하고, 제 1 본드의 접합성 시험을 실시하였다. 이것들의 조성과 결과를 표 1 에 나타낸다. 비교예 2 는, 백금 (Pt) 의 함유량이 상한값을 초과하고 있다. 또, 인 (P) 의 함유량이 하한값을 밑돌고 있다. 비교예 3 은, 산소 (O) 의 함유량이 상한값을 초과하고, 또한 황 (S) 의 함유량이 하한값을 밑돌고 있다. 비교예 4 는, 팔라듐 (Pd) 의 함유량이 하한값을 밑돌고, 또한 황 (S) 의 함유량이 상한값을 초과하고 있다.Similarly, a copper alloy wire for ball bonding of Comparative Examples 2 to 4 was produced, and a bonding test of the first bond was performed. Table 1 shows their composition and results. In Comparative Example 2, the content of platinum (Pt) exceeds the upper limit. Moreover, the content of phosphorus (P) is less than the lower limit. In Comparative Example 3, the content of oxygen (O) exceeds the upper limit, and the content of sulfur (S) is less than the lower limit. In Comparative Example 4, the content of palladium (Pd) is less than the lower limit, and the content of sulfur (S) exceeds the upper limit.

도 1 ∼ 도 5 및 표 1 의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 ∼ 24 의 볼 본딩용 구리 합금선에 있어서는, 구리 합금선을 가늘게 하여 용융 볼을 작게 해도, 압착 볼 형상이 안정되고, 압착 볼이 꽃잎상으로 퍼지지 않는 것을 알 수 있다. 도 1 ∼ 도 5 에서 나타내는 바와 같이, 압착 볼 형상이 좋았던 순서는, 실시예 1 형 ≒ 실시예 2 형 ≒ 실시예 3 형 ＞ 실시예 4 형 ＞ 비교예 1 형의 순서였다. 도 1 ∼ 도 5 에서는 판독하기 어렵지만, 특히 실시예 1 및 실시예 2 의 구리 합금선이 본딩 와이어로서 우수한 것을 알 수 있다. 이것은 도 1 ∼ 도 5 에 예시되어 있는 바와 같다.As is clear from the results of FIGS. 1 to 5 and Table 1, in the copper alloy wire for ball bonding of Examples 1 to 24 of the present invention, even if the copper alloy wire is made thin to reduce the molten ball, the shape of the crimped ball is stable. It can be seen that the compressed balls do not spread to the petals. As shown in Figs. 1 to 5, the order in which the crimping ball shape was good was the order of Example 1 type ≒ Example 2 type ≒ Example 3 type> Example 4 type> Comparative Example 1 type. Although it is difficult to read from Figs. 1 to 5, it can be seen that the copper alloy wires of Examples 1 and 2 are particularly excellent as bonding wires. This is as exemplified in FIGS. 1 to 5.

한편, 표 1 의 결과로부터 분명한 바와 같이, 비교예 1 ∼ 4 의 볼 본딩용 구리 합금선은, 압착 볼 형상이 안정되지 않고, 압착 볼이 꽃잎상으로 퍼져 있는 것을 알 수 있다. 이것은, 도 5 에도 예시되어 있는 바와 같이, 압착 볼 형상이 꽃잎상으로 관찰되는 것으로부터도 이해할 수 있다. 또, 비교예 2 는 알루미늄 전극막의 데미지 발생수가 실시예보다 현저하게 많은 것을 알 수 있다.On the other hand, as is clear from the results of Table 1, it can be seen that the ball-bonding copper alloy wires of Comparative Examples 1 to 4 do not have a stable crimped ball shape, and that the crimped balls are spread out in a petal shape. This can also be understood from the fact that the shape of a crimp ball is observed in the shape of a petal, as illustrated also in FIG. 5. In addition, it can be seen that in Comparative Example 2, the number of damage occurrences of the aluminum electrode film was significantly higher than that of the Example.

본 발명 볼 본딩용 구리 합금선은, 휴대전화 등의 휴대용 전자 기기, 자동차 등에 재치 (載置) 되는 전자 부품, 의료 기기, 산업용 로봇 등의 각종 전기·전자 기기에 장착되는 반도체 장치의 본딩 와이어뿐만 아니라, 이것들 전기·전자 기기의 전선, 대표적으로는 동축 케이블의 극세선에 바람직하게 이용할 수 있다.The copper alloy wire for ball bonding of the present invention is not only used for bonding wires of semiconductor devices to be mounted on various electric and electronic devices such as portable electronic devices such as mobile phones, electronic parts mounted on automobiles, etc., medical devices, and industrial robots. In addition, it can be suitably used for electric wires of these electric and electronic devices, typically micro-fine wires of coaxial cables.

Claims (6)

볼 본딩용 와이어에 있어서, 0.1 ∼ 1.5 질량％ 의 니켈 (Ni), 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 중 어느 1 종 이상을 합계로 0.01 ∼ 1.5 질량％, 추가로 0.1 ∼ 20 질량ppm 의 황 (S), 10 ∼ 80 질량ppm 의 산소 (O) 및 잔부 구리 (Cu) 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼 본딩용 구리 합금선.In the ball bonding wire, 0.1 to 1.5 mass% of nickel (Ni), platinum (Pt), or any one or more of palladium (Pd) is 0.01 to 1.5 mass% in total, and further 0.1 to 20 mass ppm of sulfur (S), 10 to 80 ppm by mass of oxygen (O) and balance copper (Cu), characterized in that the copper alloy wire for ball bonding. 볼 본딩용 와이어에 있어서, 0.1 ∼ 1.5 질량％ 의 니켈 (Ni), 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 중 어느 1 종 이상을 합계로 0.01 ∼ 1.5 질량％, 추가로 10 ∼ 100 질량ppm 의 인 (P), 10 ∼ 80 질량ppm 의 산소 (O) 및 잔부 구리 (Cu) 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼 본딩용 구리 합금선.In the ball bonding wire, 0.1 to 1.5 mass% of nickel (Ni), platinum (Pt), or any one or more of palladium (Pd) is 0.01 to 1.5 mass% in total, and further 10 to 100 mass ppm of phosphorus (P), a copper alloy wire for ball bonding, comprising 10 to 80 ppm by mass of oxygen (O) and residual copper (Cu). 볼 본딩용 와이어에 있어서, 0.1 ∼ 1.5 질량％ 의 니켈 (Ni), 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 중 어느 1 종 이상을 합계로 0.01 ∼ 1.5 질량％, 추가로 0.1 ∼ 20 질량ppm 의 황 (S), 10 ∼ 100 질량ppm 의 인 (P), 10 ∼ 80 질량ppm 의 산소 (O) 및 잔부 구리 (Cu) 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼 본딩용 구리 합금선.In the ball bonding wire, 0.1 to 1.5 mass% of nickel (Ni), platinum (Pt), or any one or more of palladium (Pd) is 0.01 to 1.5 mass% in total, and further 0.1 to 20 mass ppm of sulfur A copper alloy wire for ball bonding, comprising (S), 10 to 100 ppm by mass of phosphorus (P), 10 to 80 ppm by mass of oxygen (O) and residual copper (Cu). 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 니켈 (Ni) 의 함유량이 0.2 ∼ 1.2 질량％ 인 것을 특징으로 하는 볼 본딩용 구리 합금선.The method according to any one of claims 1 to 3,
The copper alloy wire for ball bonding, wherein the nickel (Ni) content is 0.2 to 1.2% by mass. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 백금 (Pt) 또는 팔라듐 (Pd) 의 함유량이 0.05 ∼ 0.8 질량％ 인 것을 특징으로 하는 볼 본딩용 구리 합금선.The method according to any one of claims 1 to 3,
The copper alloy wire for ball bonding, wherein the content of the platinum (Pt) or palladium (Pd) is 0.05 to 0.8% by mass. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 황 (S) 의 함유량이 2 ∼ 10 질량ppm 인 것을 특징으로 하는 볼 본딩용 구리 합금선.The method of claim 1 or 3,
The copper alloy wire for ball bonding, wherein the content of the sulfur (S) is 2 to 10 ppm by mass.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108962859A (en) * 2018-07-17 2018-12-07 四川威纳尔特种电子材料有限公司 A kind of silver-base alloy bonding wire of plating nickel on surface and preparation method thereof
CN108929968A (en) * 2018-07-18 2018-12-04 合肥择浚电气设备有限公司 A kind of production technology of high conductivity copper alloy wire
CN109449087A (en) * 2018-10-24 2019-03-08 深圳粤通应用材料有限公司 A kind of copper plating palladium nickel plating bonding wire and preparation method thereof again
JP6507329B1 (en) 2019-02-08 2019-04-24 田中電子工業株式会社 Palladium-coated copper bonding wire, wire bonding structure, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device
WO2020218968A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Heraeus Materials Singapore Pte. Ltd. Coated wire
CN111774752B (en) * 2020-07-15 2021-10-29 荆州市弘晟光电科技有限公司 Copper wire welding process

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010106851A1 (en) 2009-03-17 2010-09-23 新日鉄マテリアルズ株式会社 Bonding wire for semiconductor
JP2014075458A (en) 2012-10-03 2014-04-24 Tanaka Electronics Ind Co Ltd Copper rhodium alloy thin wire for connection of semiconductor device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6120693A (en) * 1984-07-06 1986-01-29 Toshiba Corp Bonding wire
JPH01291435A (en) 1988-05-18 1989-11-24 Mitsubishi Metal Corp Extrafine copper alloy wire for semiconductor device and semiconductor device
JPH01290231A (en) 1988-05-18 1989-11-22 Mitsubishi Metal Corp Semiconductor device and copper allow extremely fine wire therefor
JP4177266B2 (en) * 2002-03-12 2008-11-05 古河電気工業株式会社 High strength and high conductivity copper alloy wire with excellent stress relaxation resistance
JP4691533B2 (en) * 2006-08-31 2011-06-01 新日鉄マテリアルズ株式会社 Copper alloy bonding wire for semiconductor devices
JP4482605B1 (en) * 2009-01-23 2010-06-16 田中電子工業株式会社 High purity Cu bonding wire
SG190481A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-28 Heraeus Materials Tech Gmbh Alloyed 2n copper wire for bonding in microelectronics device
JP5219316B1 (en) * 2012-09-28 2013-06-26 田中電子工業株式会社 Copper platinum alloy wire for semiconductor device connection
JP5668087B2 (en) 2013-02-22 2015-02-12 田中電子工業株式会社 Structure of copper dilute nickel alloy wire for semiconductor device bonding

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010106851A1 (en) 2009-03-17 2010-09-23 新日鉄マテリアルズ株式会社 Bonding wire for semiconductor
JP2014075458A (en) 2012-10-03 2014-04-24 Tanaka Electronics Ind Co Ltd Copper rhodium alloy thin wire for connection of semiconductor device

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KR20180041553A (en) 2018-04-24
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