KR102168052B1 - 1k uv 및 열 경화성 고온 탈결합가능한 접착제 - Google Patents
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Abstract
고온 적용에 사용하기 위한 1-성분 UV 및 열 경화성 임시 접착제가 제공된다. 상기 접착제는 (i) 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 상의 비닐 기와, 말단 Si-H 수소를 갖는 실란 또는 실록산 상의 말단 Si-H 수소 사이의 반응의 부분적인 히드로실릴화 반응 생성물, 및 (ii) 광 및/또는 열 라디칼 경화 개시제를 포함한다. 또한 이러한 접착제를 포함하는 어셈블리 및 상기 접착제를 사용하는 방법이 포함된다.
Description
본 발명은 고온 적용에 사용하기 위한 1-성분 UV 및 열 경화성 임시 접착제, 및 특히 하나의 기판을 또다른 기판에 임시 부착하기 위한 접착제에 관한 것이다.
다수의 산업분야에서, 예를 들어 스테인리스 스틸, 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 폴리이미드 및 폴리에스테르 필름과 같은 유연하고/거나 매우 얇은 기판의 사용에 대한 관심이 증가하고 있다. 유연하고 매우 얇은 기판은 다운스트림 제조 조건에서 독립적으로 취급하기에는 너무 취약하고, 살아남기 위해서는 적합한 운반체 상에 지지되어야만 한다. 제조 공정이 완료된 후, 기판은 손상되지 않은 운반체로부터, 바람직하게는 주위 온도에서, 제거가능해야만 한다.
전자 산업에서, 하나의 예로서, 이미지 디스플레이, 센서, 광전지 및 RFID 에서, 핸드폰, 개인용 디지털 보조기기 (assistant), iPad, 또는 TV 용 디스플레이 적용을 위해 얇고/거나 유연한 기판을 점점더 필요로 한다. 예시적 기판은 기능성 (functionalities) 이 패킹된 매우 얇은 (100μm) 유리이다. 상기 유리는 박막 트랜지스터 (TFT) 를 증착하기 위해 300 내지 500℃ 에서 또는 투명 도체로서 인듐 주석 옥시드 (ITO) 를 증착하기 위해 150-400℃ 에서 프로세싱된다. 유리의 취약성 및 혹독한 프로세스 조건으로 인해, 유리는 제작 동안 좀더 안정한 기판에 대한 결합에 의해 보강되거나 보호되어야만 한다. 또한 터치 센서 제조에 대한 피스-유형 (piece-type) 접근법에서, 터치 센서 유리는 상기 기재된 바와 같은 증착 프로세스 전에 미리 절단되어 운반체에 결합된다. 실리콘 (silicon) 웨이퍼 제작과 같은 다른 산업에서는 또한 백그라인딩 (backgrinding) 프로세스 동안 점점더 얇은 실리콘 웨이퍼를 보호하기 위해 운반체 기판에 대한 결합, 이후 후속 클린 릴리즈 (clean release) 를 필요로 한다.
상기 기재된 바와 같은 용도는 용이하고 깨끗하게 탈결합가능 (debondable) 하고, 높은 프로세스 온도에서 일시적인 결합을 허용하며, 기판의 취급 또는 성능에 타협하지 않는 고온 안정한 접착제를 필요로 한다. 이것은 특히 전자 산업에서의 과제이다. 이러한 접착제의 개발은 예컨대 반도체, 액티브 (active) 매트릭스 박막 트랜지스터, 터치 멤브레인, 또는 광전지에 대한 현존 제작 방법이, 제조 도구 및 기계의 현재 설치되어 있는 기반을 사용할 수 있게 할 것이다. 그러나, 대부분의 현재 이용가능한 일시적인 접착제는 400℃ 정도로 높을 수 있는, 제조 단계의 최대 프로세스에서 열적으로 안정하지 않다.
고온의 임시 접착 적용에 적합한 접착제 (이것은 이후 표적 성분에 손상을 주지 않으면서 실온에서 제거될 수 있음) 는 따라서 다양한 산업에 걸쳐 더 얇거나 또는 좀더 유연한 기판의 사용에 다가갈 수 있을 것이다.
일반적으로, 통상의 탈결합가능한 접착제는 2-성분 시스템으로 이루어진다. 더욱 정확하게는, 상기 2-성분 시스템은 적용 전 또는 적용 프로세스 중에 적합한 작업 생성물을 제조하기 위해 추가의 첨가제와 혼합될 필요가 있다. 이러한 이유로, 상기 종류의 현행의 조성물은 짧은 작업 시간, 긴 경화 시간, 및, 특히 용기 포장을 개봉한 후, 짧은 보관 수명 시간으로 인한 이들의 적용성 및 관리성이 발휘되지 않는다.
본 발명은 300℃ 내지 450℃ 까지의 범위에 이르는 제작 온도에서 운반체에 대한 기판의 적절한 일시적 접착을 제공하고 기판을 손상시키지 않으면서 주위 온도에서 기판 및 운반체의 계면에서 접착제 파손으로 탈결합 (debond) 하는 1-성분 UV 및 열 경화성, 고온 안정한, 탈결합가능한 접착제를 제공함으로써, 상기-표현된 목적을 충족하고 현존하는 단점을 극복한다.
첫번째 양상에서, 본 발명은 따라서 하기를 포함하는, 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물에 관한 것이다:
(i) 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 상의 비닐 기와, 말단 Si-H 수소를 갖는 실란 또는 실록산 상의 말단 Si-H 수소 사이의 반응의 부분적인 히드로실릴화 반응 생성물, 및
(ii) 광 및/또는 열 라디칼 경화 개시제.
또다른 양상에서, 본 발명은 또한 기판과 운반체 사이에 배치된 상기 기재된 바와 같은, 바람직하게는 경화된, 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물을 포함하는 기판 및 운반체의 어셈블리에 관한 것이다.
또다른 양상에서, 본 발명은 또한 하기 단계를 포함하는, 운반체에 기판을 결합시키는 방법에 관한 것이다:
(a) 기판 및 운반체를 제공하는 단계,
(b) 기판 및/또는 운반체 상에 본 발명에 따른 1-성분 탈결합가능한 접착제를 배치하는 단계,
(c) 기판 및 운반체를 접촉시켜, 탈결합가능한 접착제를 운반체와 기판 사이에 배치하여, 어셈블리를 형성하는 단계,
(d) 하기에 의해 탈결합가능한 접착제를 라디칼로 경화하는 단계:
(i) 어셈블리를 가열함, 또는
(ii) 어셈블리를 방사선에 노출시킴, 또는
(iii) 어셈블리를 방사선에 노출시킨 후 가열함.
또다른 양상에서, 본 발명은 하기 단계를 포함하는, 운반체로부터 기판을 탈결합시키는 방법을 특징으로 한다:
(a) 기판 및 운반체를 제공하는 단계;
(b) 기판 및/또는 운반체 상에 본원에 기재된 1-성분 탈결합가능한 접착제를 배치하는 단계;
(c) 기판 및 운반체를 접촉시켜, 탈결합가능한 접착제를 사이에 배치하여, 어셈블리를 형성하는 단계;
(d) 하기에 의해 탈결합가능한 접착제를 라디칼로 경화하는 단계:
(i) 어셈블리를 가열함, 또는
(ii) 어셈블리를 방사선에 노출시킴, 또는
(iii) 어셈블리를 방사선에 노출시킨 후 가열함; 및
(e) 임의로 어셈블리를 주위 온도로 만드는 단계 및/또는 기판을 프로세싱하는 하나 이상의 단계 후, 기판 및 운반체를 기계적으로 분리하는 단계.
또다른 추가의 양상에서, 본 발명은 또한, 바람직하게는 기판 및 운반체를 결합시키기 위한, 접착제로서의 본원에 기재된 조성물의 용도를 포함한다.
본원에 사용되는 바와 같은 "2 개 이상" 은 적어도 2 개에 관한 것이며, 참조된 종류의 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 개 이상을 포함한다.
본 명세서 및 청구항 내에서 사용되는 바와 같은, "기판" 은 제작 프로세스에 대한 표적 성분을 말하고, "운반체" 는 "기판" 에 대한 지지 구조를 말한다.
본 발명은 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 상의 비닐 기와 말단 Si-H 수소를 갖는 실란 또는 실록산 상의 말단 Si-H 수소 사이의 반응의 히드로실릴화 반응 생성물, 및 방사선 활성화된 광 개시제 및/또는 열적으로 활성화된 라디칼 개시제를 포함하는 1-성분 접착 조성물에 관한 것이다.
1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸-시클로테트라실록산 및 말단 Si-H 수소를 갖는 실란 또는 실록산 사이의 반응의 부분적인 히드로실릴화 반응 생성물은 본원에서 비닐카르보실록산 또는 VCS 수지 또는 VCSR 로 언급될 것이다. 일반적으로, 본원에 사용되는 바와 같은 용어 "부분적인 히드로실릴화 반응 생성물" 은 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산과 말단 Si-H 수소를 갖는 실란 또는 실록산 상의 말단 Si-H 수소 사이의 히드로실릴화 반응의 생성물을 말하는데, 이때 반응 생성물은 적어도 하나의 미반응된 비닐 기를 보유한다. 적어도 하나의 미반응된 비닐 기는 후속 경화 반응 (라디칼 중합에 의한) 에서 가교-연결 모이어티로서 담당한다. 다양한 구현예에서, VCSR 은 200000 g/mol 이하, 바람직하게는 1000 내지 150000 g/mol 의 분자량 Mw 를 갖는다. 분자량 Mw 는 용리액으로서 THF 를 사용하는 DIN 55672-1:2007-08 에 따른 겔 투과 크로마토그래피 (GPC) 에 의해 측정될 수 있다.
본 발명의 접착 조성물은 300℃ 이상, 450℃ 이하의 온도에서 이의 접착을 유지하며, 실온에서 약 0.1 내지 5N/25mm 의 힘으로, 바람직하게는 0.2 내지 1.5N/25mm 의 힘으로 기계적으로 탈결합가능하다. TGA 중량 손실은 적용 온도에서 바람직하게는 5% 미만이다.
기판을 운반체로부터 결합 또는 탈결합시키는 기재된 방법의 다양한 구현예에서, 어셈블리의 가열에 의한 경화는 100℃ 내지 175℃ 의 온도 또는 온도 범위를 1 내지 30 분 동안 적용하는 것을 포함할 것이다. UV 방사선에 의한 경화는 어셈블리를 UV/Vis 램프, 예를 들어 500 W UV/Vis 램프에 의해 발생된 방사선에, 약 1 초 내지 4 분 동안 노출시킴으로써 수행될 수 있고; 방사선의 다른 공급원이 또한 당업자의 재량 내에서 사용될 수 있다. 다양한 구현예에서, 가열 및 조사 (irradiation) 는, 임의로 상기 기재된 가열/조사 조건을 적용함으로써 조합될 수 있다. 일반적으로, 당업자는 일반적인 기술적 지식 또는 정규적인 실험에 의지함으로써 적합한 경화 조건을 쉽게 결정할 수 있다. 상기 가열 및/또는 조사는 라디칼 개시제 (촉매) 를 활성화함으로써 VCSR 의 라디칼 경화를 개시하는 것을 담당한다. 경화 조건은 사용되는 촉매에 따라 다르고, 예시적인 경화 조건은 또한 하기에 좀더 상세히 기재되어 있다.
본원에 기재된 접착제에서 사용되는 VCS 수지는 하기 구조를 갖는, 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로 테트라실록산의:
하기 구조를 갖는 것들을 포함하는, 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산과의 반응을 위해 적어도 2 개의 말단 Si-H 수소를 갖는, 적합한 실란 또는 실록산과의 부분적인 히드로실릴화 반응에 의해 형성된다:
(식 중, R 은 C1 내지 C10 알킬 기, 아릴 기, 예를 들어 C6 내지 C10 아릴 기, 산소, -(O-SiMe2)n-O- , -(O-SiAr2)n-O- , -(O-SiMeAr)n-O- , 및 이들 기 중 임의의 것의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 이 때 n 은 1 이상의 정수이고, Me 는 메틸 기이고, Ar 은 아릴 기, 예를 들어 C6 내지 C10 아릴 기이고; R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 각각은, 독립적으로 C1 내지 C10 알킬 기 또는 아릴 기, 예를 들어 C6 내지 C10 아릴 기임). R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 에 대해 바람직한 것은 C1 내지 C10 알킬 기, 특히 C1 내지 C4 알킬 기, 예컨대 메틸 또는 에틸, 또는 페닐이다.
예시적인 실란 또는 실록산은 규소 원자 상의 알킬 기가 C1 내지 C10 알킬 기인, 폴리알킬실란 및 폴리알킬-실록산을 포함한다. 다양한 구현예에서, 실란 및 실록산은 폴리디알킬실록산, 예컨대 폴리디메틸실록산, 폴리알킬아릴 실록산, 예컨대 폴리메틸페닐 실록산, 테트라알킬디실록산, 예컨대 테트라메틸실록산, 및 폴리디아릴실록산을 포함한다. 상기 화합물들은 Gelest 에서 시판된다.
바람직한 VCSR 반응 생성물은 하기 이상적인 구조를 갖는 것들이고, 이때 분자량은 중량 평균 분자량이다. 다양한 구현예에서, VCSR 반응 생성물의 규소 원자 상의 알킬 기는 C1 내지 C10 알킬 기를 포함한다. 하기 이상적인 구조에서, 메틸 기는 실란/실록산 모이어티 내에 묘사되나, 다른 C1 내지 C10 알킬 기가 치환될 수 있는 것으로 이해되어야만 한다.
VCSR 외에, 접착 조성물은 비닐 기의 라디칼 중합/가교-연결에 의한 VCSR 의 경화를 위한 촉매로서 광 개시제 및/또는 열적으로 활성화된 라디칼 개시제를 포함한다.
광 개시제는 방사선 활성화된 라디칼 개시제이고 열 경화 라디칼 개시제는 열적으로 활성화된 라디칼 개시제여서, 경화는 열 또는 광 경화이다. 적합한 라디칼 개시제는 당업자에게 잘 알려져 있다. 예를 들어, 광 개시제 및/또는 열적으로 활성화된 라디칼 개시제는 α-히드록시 케톤, 벤조페논, 및 페닐 글리옥실산으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 또한 적합한 것은 당업계에 일반적으로 공지된 모든 유형의 아실-포스핀 옥시드 및 비스-아실-포스핀 옥시드, 및 제한 없이 추가의 디큐멘 퍼옥시드, 큐멘 히드로퍼옥시드, 및 2-히드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온이다. 바람직한 라디칼 개시제는 디큐멘 퍼옥시드이다. 바람직한 광개시제는 상표명 Darocure® 1173 및 Irgacure® 184 (1-히드록시-시클로헥실-α-히드록시케톤) 또는 2100 (모노아실포스핀 옥시드 (MAPO) 및 비스아실포스핀 옥시드 (BAPO) 의 블렌드) 으로 판매되는 것들을 포함한다.
많은 반응에서, 촉매의 수준은 여전히 활성이지만, 충분히 낮아서 이것을 반응 생성물로부터 분리할 필요가 없다.
다양한 구현예에서, 조성물은 조성물의 총 중량에 대해, 40 내지 95 wt%, 바람직하게는 60 내지 85 wt% 의 VCSR 및/또는 0.1 내지 10 wt%, 바람직하게는 0.1 내지 2 wt% 의 방사선 활성화된 광 개시제 및/또는 열적으로 활성화된 라디칼 개시제를 포함한다.
전형적인 경화 조건은 UV/Vis 방사선에 대한 노출 및/또는 200℃ 미만의 온도로의 가열을 포함한다. 에너지 투입량은 바람직하게는 2000 - 20.000 mJ/cm², 바람직하게는 7000 - 12.000 mJ/cm²의 범위이다.
조성물은 경화 속도 보조제, 예컨대 메타크릴화된 또는 아크릴화된 실록산을 추가로 포함할 수 있다. 이러한 첨가제의 양은 통상 조성물의 총 중량에 대해 약 0 내지 50 wt%, 바람직하게는 5 내지 15 wt% 의 범위이다.
또한 포함되는 것은 실리카를 포함하나 이에 제한되지 않는 다양한 충전제 재료일 수 있다. 존재하는 경우, 이러한 충전제는 조성물의 총 중량에 대해 0 내지 40 wt%, 바람직하게는 5 내지 25 wt% 의 양으로 존재할 수 있다.
본 발명의 조성물은 부가적인 가교연결제, 특히 히드로실란 및/또는 히드로실록산 가교연결제의 첨가를 필요로 하지 않는다. 따라서, 바람직한 구현예에서, 본 발명의 조성물에는 이러한 부가적인 가교연결제, 특히, 히드로실란 및 히드로실록산 가교연결제가 없다. 본 문맥에서 사용되는 바와 같은 "~ 가 없는" 은 조성물 중의 참조된 종류의 양이 조성물의 총 중량에 대해 1 wt% 미만, 바람직하게는 0.1 wt% 미만인 것을 의미한다.
본원에 기재된 바와 같이, 운반체, 기판 및 운반체를 기판에 결합시키는 경화된 접착제로 이루어지는 결합된 어셈블리는 기판의 추가의 프로세싱 단계에 적용될 수 있다. 프로세싱 단계는 예를 들어, 박막 트랜지스터 (TFT) 를 증착하기 위해 300 내지 500℃ 또는 인듐 주석 옥시드 (ITO) 를 투명 도체로서 증착하기 위해 150 내지 400℃ 의 온도에 대한 노출을 수반할 수 있다. 다양한 구현예에서, 기판은 유리 기판 또는 실리콘 웨이퍼, 예를 들어 0.5 mm 미만, 바람직하게는 100 μm 이하의 두께를 갖는 초박형 유리 또는 웨이퍼이다. 상기 프로세싱 단계 동안의 기판의 운반체에 대한 결합은 기판을 강화하고 보호한다. 운반체는 금속, 유리, 플라스틱 및 세라믹을 포함하는 임의의 적합한 물질로 제조될 수 있다. 또다른 구현예에서, 운반체는 또한 예를 들어 상기 기재된 바와 같은 기판일 수 있다.
상기 프로세싱 단계가 완료된 후, 어셈블리는 냉각될 수 있고, 운반체 및 기판은 서로 기계적으로 분리될 수 있다. 또한 본원에서 "탈결합 (debonding)" 으로 언급되는 상기 기계적인 분리 단계에서, 분리는 기판을 손상시키지 않으면서 주위 온도에서 기판과 운반체의 계면에서의 접착 파괴로 발생한다.
본 발명은 추가로, 특히 기판 및 운반체를 서로 가역적으로 결합시키기 위한, 탈결합가능한 접착제로서 본원에 기재된 조성물의 용도를 포함한다. 용도는 상기 기재되었던 방법과 유사한 단계를 포함할 수 있다.
일반적으로, 본 발명의 조성물과 관련하여 본원에 기재된 모든 구현예는 기재된 방법 및 용도에 대해 동일하게 적용가능하며 그 역도 성립하는 것으로 이해되어야만 한다.
실시예
비교예 1: 현행의 2k 제형
제형
72.5 % VCSR2 (Pt 촉매 함유), 6.5 % 발연 실리카, 5 % PDV-0535, 및 1 % Darocure 1173 을 함유하는 부분 A, SIB 6826.0 히드로실록산 (Gelest 사제) 이 있는 부분 B 를 가진 2 부분 제형. 부분 A 를 부분 B 와 85:15 중량비로 혼합하였다. 혼합된 샘플의 일부를 유리 바이알 내에 넣었다. 유리 바이알을 UVLOC 1000 내에 두고, UV 노출에 80 초 (약 8000 - 12000 mJ/cm2) 동안 적용한 다음, UV 전-경화된 샘플을 150 ℃ 오븐 내에 두어 15 분 동안 후 열 경화를 수행하였다. 마지막으로, 경화된 샘플은 투명한 고체였다. 상기 샘플의 TGA (열중량 분석) 는 350 ℃ 에서 30 분 후 (실온으로부터 20 ℃/분의 램프 속도) 질량의 97.5 % 가 남아있다는 것을 보여주었다.
탈결합 박리력
상기 제형을 교차 위치 (결합된 영역 25x24 mm) 에 대해, 표준 유리 슬라이드 (75x25x1 mm) 및 커버 슬라이드 (50x24x0.1 mm) 상에 코팅하였다. 이후 어셈블리를 UV-열 경화 후 간단한 박리력 시험에 적용한 다음, 250 ℃ 에서 1 시간 동안, 350 ℃ 에서 10 분 동안 열 숙성한 이후, 실온으로 냉각하였다. 힘 측정기를 얇은 유리 슬라이드에 부착시키고, 결합을 대략 90 도 박리력에 적용하였다. 얇은 유리 슬라이드는 온전한 1 - 3 Newton 의 힘에도, 결합은 쉽게 부러졌다.
숙성 후 균열생성 (Cracking)
상기 제형의 샘플 (0.1 ml 대략) 을 50x80x1 mm 유리 슬라이드에 위치시켰다. 150 마이크론 스페이서 (spacer) 를 슬라이드의 양 말단에 두고, 동일한 유리 슬라이드를 스페이서에 의해 지지되는 샘플 위에 올려두어, 150 마이크론의 대략적인 결합 간격을 제공하였다. 샘플을 UVLOC 1000 에서 80 초 동안 그리고 150 ℃ 의 오븐에서 10 분 동안 경화한 다음, 실온으로 내보냈다. 열 숙성 후, 실온 접착제 샘플은 투명하였고 균열이 없었다.
점도 안정성 / 포트 수명
Brookfield 점도계 (역학적) (RVT DV-II CP#5 2.5 rpm, 25 ℃) 를 사용하여, 시간에 따른 점도 모니터링을 상기 제형에 수행하였다. 부분 A 를 부분 B 와 스피드 믹서 (speed mixer) 로 혼합한 다음, 점도를 0 h, 0.5 h, 1.5 h, 및 2 h 후에 시험하였다. 결과 (표 1) 는 2-성분 제형이 매우 짧은 포트 수명을 가졌고, 따라서 제조에 적용하기가 어렵다는 것을 보여주었다.
표 1: 시간에 따른 2k-제형의 점도
실시예 2: 본 발명의 1k 제형
2-부분 시스템의 짧은 포트-수명이라는 단점을 극복하고, 게다가 제조시 적용 프로세스의 혜택을 위해, 신규한 1-부분 제형을 개발하였다. 기판에 접착제를 적용하기 전에 상이한 성분을 혼합할 필요가 없다. 게다가, 포장도 간단하다.
제형
12.5 % PDV-0535, 5.5 % 발연 실리카, 0.2 % 디쿠밀 퍼옥시드, 및 1 % Darocure 1173 을 함유하는 VCSR2 를 가진 신규한 제형을 유리 바이알에 넣었다. 유리 바이알을 2000 rpm 에서 1 분 동안 스피드 믹서에 두었다. 이후, 유리 바이알을 UVALOC 1000 에 넣고 80 초 (약 8000 - 12000 mJ/cm2) 동안의 500W UV 노출에 둔 다음, UV 전-경화된 샘플을 150 ℃ 에서 15 분 동안 완전히 경화하였다. 경화된 샘플은 투명한 고체였다. 상기 샘플의 TGA 는 350 ℃ 에서 30 분 후 (실온으로부터 20 ℃/분의 램프 속도) 질량의 96.8 % 가 남아있다는 것을 보여주었다. 이것은 실시예 1 과 비교하여 대략적으로 동등한 탈가스 (outgassing) 성능이다.
탈결합 박리력
상기 제형의 샘플 (0.1 ml 대략) 을 50x80x1 mm 유리 슬라이드 상에 두었다. 150 마이크론 스페이서를 슬라이드의 양 말단에 두고, 동일한 유리 슬라이드를 스페이서에 의해 지지되는 샘플 위에 올려두어, 150 마이크론의 대략적인 결합 간격을 제공하였다. 샘플을 UCLOC 1000 으로 80 초 동안, 그리고 150 ℃ 의 오븐에서 경화하였다. 산출되는 투명한 결합된 유리 샘플을 250 ℃ 에서 1 시간 및 350 ℃ 에서 10 분 동안 오븐에 둔 다음, 실온으로 내보냈다. 열 숙성 후, 실온 접착 샘플은 투명하였고 균열이 없었다.
점도 안정성 / 포트 수명
Brookfield 점도계 (역학적) (RVT DV-II CP#5 2.5 rpm, 25 ℃) 를 사용하여, 점도를 수 주에 걸쳐 추적하였고, 초기 신규한 샘플의 점도는 7966 cps 였고, 12 일 후 점도는 7542 cps 로 여전히 안정하였다. 실시예 1 에서 명백하던 포트 수명 논란은 완전히 극복된다.
Claims (10)
- 하기를 포함하는, 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물:
(i) 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 상의 비닐 기와, 말단 Si-H 수소를 갖는 실란 또는 실록산 상의 말단 Si-H 수소 사이의 반응의 부분적인 히드로실릴화 반응 생성물, 및
(ii) 광 및/또는 열 라디칼 경화 개시제. - 제 1 항에 있어서, 말단 Si-H 수소를 갖는 실란 또는 실록산이 하기 구조를 갖는, 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물:
또는
(식 중, R 은 C1 내지 C10 알킬 기, 아릴 기, 산소, -(O-SiMe2)n-O- , -(O-SiAr2)n-O- , -(O-SiMeAr)n-O- , 및 이들 기 중 임의의 것의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 이 때 n 은 1 이상의 정수이고, Me 는 메틸 기이고, Ar 은 아릴 기이고; R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 각각은, 독립적으로 C1 내지 C10 알킬 기 또는 아릴 기임). - 제 2 항에 있어서, 말단 Si-H 수소를 갖는 실란 또는 실록산이 폴리디알킬실록산, 폴리알킬아릴 실록산, 테트라알킬디실록산, 및 폴리디아릴 실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 라디칼 경화 개시제가 α-히드록시 케톤, 벤조페논, 페닐 글리옥실산, 아실-포스핀 옥시드, 비스-아실-포스핀 옥시드, 디큐멘 퍼옥시드, 큐멘 히드로퍼옥시드, 및 2-히드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 아크릴화 및/또는 메타크릴화 실록산으로부터 선택되는 경화 속도 보조제를 추가로 포함하는 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 충전제 재료를 추가로 포함하는 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 조성물에 부가적인 가교연결제가 없는, 또는 히드로실란 및 히드로실록산 가교연결제가 없는 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물.
- 운반체와 기판 사이에 배치된 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물을 포함하는, 기판 및 운반체의 어셈블리.
- 하기 단계를 포함하는, 운반체에 기판을 결합시키는 방법:
(a) 기판 및 운반체를 제공하는 단계,
(b) 기판 및/또는 운반체 상에 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물을 배치하는 단계,
(c) 기판 및 운반체를 접촉시켜, 탈결합가능한 접착 조성물을 운반체와 기판 사이에 배치하여, 어셈블리를 형성하는 단계,
(d) 하기에 의해 탈결합가능한 접착제를 라디칼로 경화하는 단계:
(i) 어셈블리를 가열함, 또는
(ii) 어셈블리를 방사선에 노출시킴, 또는
(iii) 어셈블리를 방사선에 노출시킨 후 가열함. - 하기 단계를 포함하는, 운반체로부터 기판을 탈결합시키는 방법:
(a) 기판 및 운반체를 제공하는 단계;
(b) 기판 및/또는 운반체 상에 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 1-성분 탈결합가능한, 고온 안정한 접착 조성물을 배치하는 단계;
(c) 기판 및 운반체를 접촉시켜, 탈결합가능한 접착 조성물을 운반체와 기판 사이에 배치하여, 어셈블리를 형성하는 단계;
(d) 하기에 의해 탈결합가능한 접착제를 라디칼로 경화하는 단계:
(i) 어셈블리를 가열함, 또는
(ii) 어셈블리를 방사선에 노출시킴, 또는
(iii) 어셈블리를 방사선에 노출시킨 후 가열함; 및
(e) 임의로 어셈블리를 주위 온도로 만드는 단계 및/또는 기판을 프로세싱하는 하나 이상의 단계 후, 기판 및 운반체를 기계적으로 분리하는 단계.
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