KR102165671B1 - 인화인듐결정 제조방법 - Google Patents

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Abstract

저가의 원료를 사용하여 간단하고 용이한 공정으로 고품질 인화인듐결정 제조가 가능한 인화인듐결정 제조방법이 제안된다. 본 인화인듐결정 제조방법은 반응용매 내에서, 인듐전구체 및 아민화합물을 반응시켜 인듐-리간드 복합체를 형성하는 제1단계; 및 인듐-리간드 복합체와 포스파이트 화합물을 반응시켜 인화인듐결정을 제조하는 제2단계;를 포함한다.

Description

인화인듐결정 제조방법{Manufacturing method of indium phosphorous crystal}
본 발명은 인화인듐결정 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저가의 원료를 사용하여 간단하고 용이한 공정으로 고품질 인화인듐결정 제조가 가능한 인화인듐결정 제조방법에 관한 것이다.
'양자점'(Quantun dot)은 빛 등의 에너지로 자극하면 빛을 발하는 나노 크기의 반도체적 구조물 입자로써, 입자의 크기에 따라 방출하는 빛의 색상이 달라진다. 10 ㎚ 이하의 반도체 나노입자들은 그 입자의 크기가 감소함에 따라 상대적으로 반도체입자의 띠간격에너지(band gap energy)가 증가하게 되므로 입자의 크기만 제어되면 수십가지 색을 나타내게 할 수 있다. 따라서, 이러한 양자점은 디스플레이, 기록소자, 센서 및 나노컴퓨터 등의 차세대 전자제품에 직접 응용되고 있다.
양자점은 레이저 등의 광원을 이용하는 리소그라피(lithography)에 의한 방법 또는 화학합성법 등에 의해 제조될 수 있다. 이 중, 화학합성법에 의한 양자점의 합성은 리소그라피(lithography)에 의한 방법보다 비교적 단순한 장치로 양자점을 생산해낼 수 있는 장점이 있어 그 기술개발이 다양하게 시도되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 저가의 원료를 사용하여 간단하고 용이한 공정으로 고품질 인화인듐결정 제조가 가능한 인화인듐결정 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 인화인듐결정 제조방법은 반응용매 내에서, 인듐전구체 및 아민화합물을 반응시켜 인듐-리간드 복합체를 형성하는 제1단계; 및 인듐-리간드 복합체와 포스파이트 화합물을 반응시켜 인화인듐결정을 제조하는 제2단계;를 포함한다.
반응용매는 아민계 용매일 수 있다.
반응용매는 트리옥틸아민일 수 있다.
인듐전구체는 염화인듐(InCl3)일 수 있다.
아민화합물은 올레일아민일 수 있다.
포스파이트화합물은 트리페닐 포스파이트(P(OPh)3)일 수 있다.
제1단계는 200℃ 내지 300℃에서 수행될 수 있다.
인화인듐결정은 크기가 1nm 내지 10nm일 수 있다.
인화인듐결정은 구형일 수 있다.
제1단계에서는 아연전구체가 첨가될 수 있다.
인화인듐결정은 InZnP일 수 있다.
아연전구체를 추가하지 않은 InP의 크기는 아연전구체를 추가한 InZnP보다 클 수 있다.
인화인듐결정의 크기는 첨가되는 아연전구체의 농도에 의존하는 것일 수 있다.
인화인듐결정의 크기는 3nm 내지 5nm일 수 있다.
아연전구체는 ZnCl2일 수 있다.
본 발명에 따른 인화인듐결정 제조방법은 인화인듐결정 외부에 황화아연(ZnS) 쉘을 형성하는 제3단계;를 더 포함할 수 있다.
제3단계는 아연소스 및 황소스를 추가하여 인화인듐결정과 반응시켜 수행되는 것일 수 있다.
아연소스는 스테아르산 아연 및 아세트산 아연 중 적어도 하나일 수 있다.
황소스는 옥타데신-S(octadecene-sulfur, ODE-S), 트리옥틸포스핀-S(trioctylphosphine-sulfur, TOP-S), 1-도데칸티올(1-dodecanthiol, DDT) 및 원소 황(elemental sulfur) 중 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 저가의 원료를 사용하여 간단하고 쉬운 공정을 통해 고품질의 인화인듐결정을 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 인화인듐결정 제조시에 아연전구체를 추가하여 인화인듐결정 내에 아연을 포함시키게 되면 제조단계에서 결정의 크기를 제어할 수 있어 원하는 크기의 인화인듐결정을 제조할 수 있으므로 10nm이하의 양자점 제조가 가능한 효과가 있다.
아울러, 인화인듐결정 표면에 황화아연 쉘을 형성하면 인 공격자점 발생으로 인한 발광특성 저하가 방지되고 양자효율이 향상되어 신뢰성높고 우수한 품질의 양자점으로 사용될 수 있는 인화인듐결정 제조가 가능한 효과가 있다.
도 1은 본 발명에서 사용될 수 있는 포스파이트 화합물을 나타낸 표이다.
도 2는 본 발명에 따른 인화인듐결정 제조방법의 모식도이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 각각 220℃, 250℃ 및 275℃에서 인듐전구체 및 아연전구체의 비율이 상이한 InZnP결정의 흡광스펙트럼 상의 1s-피크의 위치를 나타낸 그래프이다.
도 5a는 실시예 1에 따라 제조된 InP결정의 X선 회절 분석결과를 나타내는 그래프이고, 도 5b는 실시예 2에 따라 제조된 InZnP결정의 X선 회절 분석결과를 나타내는 그래프이다.
도 6은 인듐전구체와 아연전구체의 중량비율을 달리하여 얻은 InZnP결정들의 ICP-MS 분석결과를 나타내는 도표이다.
도 7a 및 도 7b는 실시예 3에 따라 제조된 InZnP/ZnS 코어-쉘 나노입자의 흡광 및 발광스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 인화인듐결정 제조방법은 반응용매 내에서, 인듐전구체 및 아민화합물을 반응시켜 인듐-리간드 복합체를 형성하는 제1단계; 및 인듐-리간드 복합체와 포스파이트 화합물을 반응시켜 인화인듐결정(InP)을 제조하는 제2단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 인화인듐결정 제조방법에서 인화인듐결정은 습식 화학합성법에 의해 제조된다. 제1단계는, 인듐전구체와 포스파이트 화합물을 반응시키기 전에 인듐전구체를 인듐-리간드 복합체로 변형하여 포스파이트 화합물과 반응시 결정생성을 촉진시킬 수 있다.
인듐-리간드 복합체는 인듐전구체 및 아민화합물을 반응시켜 수행된다. 본 발명에서 사용될 수 있는 인듐전구체는 인듐을 포함하는 화합물로서, 예를 들어, 염화인듐, 산화인듐, 질산인듐, 황산인듐, 아세트산인듐 및 인듐아세틸아세토네이트 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 바람직하게는, 인듐전구체는 염화인듐(InCl3)일 수 있다.
아민화합물은 인듐전구체와 반응하여 인듐-리간드 복합체를 형성한다. 본 발명에서 사용될 수 있는 아민화합물은 인듐-리간드 복합체를 형성할 수 있는 아민이면 사용될 수 있는데, 예를 들어 옥틸아민, 헥실아민, 올레일아민 등의 탄소수 6이상의 지방족 아민이 사용될 수 있다. 바람직하게는 올레일아민(oleylamine)이 사용될 수 있다.
인듐전구체 및 아민화합물은 반응용매내에서 반응하여 인듐-리간드 복합체를 형성하는데, 반응용매는 에테르계 용매, 케톤계 용매, 에스테르계 용매, 알코올계 용매 및 아민계 용매 중 적어도 어느 하나가 사용될 수 있다. 특히, 반응용매는 아민계용매일 수 있고, 바람직하게, 반응용매는 트리옥틸아민(trioctylamine)일 수 있다.
아민화합물로서, 올레일아민을 사용하고, 아민계용매로서 트리옥틸아민을 사용하는 경우, 나노결정의 생성이 촉진된다. 제1단계에서 올레일아민 및 트리옥틸아민을 동시에 사용하면 약한 배위용매(coordinating solvent)인 올레일아민과 비배위용매(non-coordinating solvent)인 트리옥틸아민이 서로 상호작용하여 인듐 이온이 인전구체와 결합을 이루는 것을 보조하여 인화인듐결정 생성이 촉진되며, 올레일아민만 사용되거나 트리옥틸아민만 사용되는 경우 인화인듐결정 생성이 어려워지거나 결정자체가 생성되지 않을 수 있다.
제2단계에서는 인듐-리간드 복합체와 포스파이트 화합물이 반응하여 인화인듐결정이 생성된다. 본 발명에서 사용되는 인전구체는 포스파이트 화합물(P(OR3), R은 1내지 20의 탄소수의 탄소화합물)이고, 바람직하게는 트리페닐 포스파이트(P(OPh)3)일 수 있다.
도 1은 본 발명에서 사용될 수 있는 포스파이트 화합물을 나타낸 표이다. 도 1을 참조하면, 기존에 인화인듐결정 제조에 사용되어온 (TMS)3P의 경우에는 굉장히 값비싼 물질이며 (g당 20만원 이상), 공기 중에서 자연적으로 발화하는 자연 인화성 물질로, 반응기 제작 및 관리에 큰 잠재위험성을 내포하고 있기 때문에 대량생산을 저해하는 여러문제점을 가지고 있다.
이에 반해, 포스파이트 화합물, 예를 들어, 트리에틸 포스파이트(P(OEt)3)나 트리페닐 포스파이트(P(OPh)3)는 다른 인전구체에 비하여 매우 낮은 단가로 적용할 수 있고, 자연상태에서 안정적이므로 대량생산에 유용한 화합물이다. 즉, 포스파이트 기반의 인 전구체는 기존에 가장 많이 사용되는 (TMS)3P와 비교하였을 때 1/1000이하의 가격을 가지고 있으며, 이를 성공적으로 소자에 적용할 경우, 양자점 디스플레이 소자에 들어가는 비용을 96%이상 절감할 수 있다.
포스파이트 화합물 중, 특히 트리페닐 포스파이트를 사용하는 것이 바람직하다. 트리페닐 포스파이트는 인듐전구체와 반응할 때, 페닐관능기로 인하여 중심 인원자가 인듐원자와 결합할때 더욱 안정화될 수 있어 결정생성이 용이하다. 이에 반해 트리에틸 포스파이트는 중심의 인원자의 부분전하를 에틸관능기가 안정화시킬 수 없어 결정화가 어려운 점이 있다.
인화인듐결정은 크기가 1nm 내지 10nm일 수 있다. 인화인듐결정의 크기가 너무 크게 되면 양자점 디스플레이에 사용될 수 없으므로 인화인듐결정의 크기를 적절히 제어하는 것이 바람직하다. 또한, 생성된 인화인듐결정은 구형일 수 있다.
인화인듐결정의 크기는 반응 시간, 반응 온도, 반응 물질, 반응 용매 및 리간드간의 비율을 조정함으로서 제어될 수 있다. 전술한 대로 인화인듐결정의 크기가 10nm 이상이면 근적외선 영역에서만 흡수가 일어나게 되어 양자점으로 사용될 수 없다. 인화인듐결정의 크기를 10nm이하로 제어하기 위해서는 반응 시간, 반응 온도, 반응 물질, 반응 용매 및 리간드간의 비율을 조정하여 수행할 수도 있으나 다른 금속전구체를 추가하여 결정크기를 제어할 수 있다.
인듐-리간드 복합체를 제조하는 제1단계에서 아연전구체가 첨가될 수 있다. 제1단계에서 아연전구체를 첨가하면, 생성되는 인화인듐결정은 아연을 포함한 InZnP이다. 아연전구체에 의해 반응속도가 제어되어 최종 형성되는 인화인듐결정의 크기가 제어될 수 있다. 특히, 아연전구체를 추가한 InZnP는 아연전구체를 추가하지 않은 InP의 크기보다 작게 제어될 수 있다. 아연전구체를 추가하면 인화인듐결정 생성시 성장속도가 줄어들게 되어 크기가 제어되는 것으로 해석될 수 있다.
따라서, 아연전구체를 이용한 인화인듐결정의 크기는 첨가되는 아연전구체의 농도에 의존한다. 즉, 아연전구체의 농도가 높아지면 인화인듐결정의 크기가 작아지고, 아연전구체의 농도가 낮아지면 인화인듐결정의 크기가 커지게 된다. 아연전구체를 이용하여 제조된 인화인듐결정의 크기는 3nm 내지 5nm일 수 있다.
아연전구체는 염화아연(ZnCl2)일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 인화인듐결정 제조방법의 모식도이다. 인듐전구체로서 염화인듐, 아연전구체로서 염화아연, 아민화합물로서 올레일아민 및 반응용매로서 트리옥틸아민을 혼합하고, 인전구체로서 포스파이트 화합물을 빠르게 주입하여 인화인듐결정을 성장시킬 수 있다. 제1단계는 200℃ 내지 300℃에서 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 인화인듐결정 제조방법에서, 인화인듐결정 외부에 황화아연(ZnS) 쉘을 형성하는 제3단계가 더 수행될 수 있다. 제3단계가 수행되면, 인화인듐결정 외부에 황화아연 쉘이 형성된 InP/ZnS 또는 InZnP/ZnS를 얻을 수 있다.
InP/ZnS 또는 InZnP/ZnS는 전체적으로 음이온에 비해 양이온의 비율이 높으므로, 인 공격자점(vacancy)이 발생하여 인화인듐결정을 양자점을 사용하는 경우 발광특성에 불리한 영향을 미친다. 그러나, 인화인듐결정 외부에 황화아연 쉘이 형성되면, 인 공격자점 발생으로 인한 발광특성 저하를 막고 향상된 양자효율을 얻을 수 있다.
인화인듐결정 외부에 황화아연 쉘을 형성하는 제3단계는, 제2단계 수행 후에, 아연소스 및 황소스를 추가하여 인화인듐결정과 반응시켜 수행된다. 본 발명에서 사용될 수 있는 아연소스는 스테아르산 아연 및 아세트산 아연 중 적어도 하나일 수 있고, 황소스는 옥타데신-S(octadecene-sulfur, ODE-S), 트리옥틸포스핀-S(trioctylphosphine-sulfur, TOP-S), 1-도데칸티올(1-dodecanthiol, DDT) 및 원소 황(elemental sulfur) 중 적어도 하나일 수 있다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다.
<실시예>
[실시예 1_InP 제조]
반응용매로 트리옥틸아민(4.7ml)을, 인듐전구체로서, InCl3(0.0444g)을, 아민화합물로서, 올레일아민(1ml)을 진공상태에서 끓여 인듐-리간드 복합체를 형성한다. 이후, 공기와 수분이 전부 제거된 상태에서, 트리페닐 포스파이트(0.21ml~1.05ml, 4배수~20배수)를 빠르게 주입하여 InP 나노입자를 성장시킨다.
[실시예 2_InZnP 제조]
반응용매로 트리옥틸아민(4.7ml)을, 인듐전구체로서, InCl3(0.0444g)을, 아연전구체로서, ZnCl2(0.0273g~0.5452g, 1배수~20배수)을, 아민화합물로서, 올레일아민(1ml)을 진공상태에서 끓여 인듐-리간드 복합체를 형성한다. 이후, 공기와 수분이 전부 제거된 상태에서, 트리페닐 포스파이트(0.21ml~1.05ml)를 빠르게 주입하여 InZnP 나노입자를 성장시킨다.
[실시예 3_InZnP/ZnS 제조]
반응용매로 트리옥틸아민(4.7ml)을, 인듐전구체로서, InCl3(0.0444g)을, 아연전구체로서, ZnCl2(0.0273g~0.5452g)을, 아민화합물로서, 올레일아민(1ml)을 진공상태에서 끓여 인듐-리간드 복합체를 형성한다. 이후, 공기와 수분이 전부 제거된 상태에서, 트리페닐 포스파이트(0.21ml~1.05ml)를 빠르게 주입하여 InZnP 나노입자를 성장시킨다.
이후, 아연소스로서, 스테아르산 아연(0.2M-트리옥틸아민 용액 0.3ml)을, 황소스로는 원소 황(0.4M-트리옥틸아민 용액 0.15ml)를 첨가하여 InZnP입자 외부에 황화아연 쉘을 형성하여 코어-쉘 구조의 나노입자(InZnP/ZnS)를 얻었다.
[실험평가]
실시예 2와 같은 방식으로 투입되는 InCl3 및 ZnCl2의 몰비율을 달리하여 각각 InZnP결정을 제조한 후, 반응시간에 따른 흡광스펙트럼을 측정하였다. 도 3a, 도 3b 및 도 3c는 각각 220℃, 250℃ 및 275℃에서 인듐전구체 및 아연전구체의 비율이 상이한 InZnP결정의 흡광스펙트럼 상의 1s-피크의 위치를 나타낸 그래프이다.
흡광스펙트럼 상의 1s-피크는 입자의 크기에 따라 달라지는데, InCl3에 대한 ZnCl2의 비율과 온도를 조절함에 따라, 1s-피크의 위치를 조절할 수 있었다. 특히, 흡광스펙트럼 상 1s-피크의 위치를 가시광선 영역 내에서 제어할 수 있으며, 이는 디스플레이 소자에 응용될 수 있는 가능성을 나타낸다.
도 4a 및 도 4b는 InCl3 및 ZnCl2의 몰비율이 1:3이고, 반응온도가 250℃일 때, 각각 반응시간을 1분 및 2분으로 설정하여 얻은 InZnP결정의 전자현미경 이미지 및 직경분포를 도시한 도면들이다. 합성된 InZnP결정은 전자현미경 이미지를 참조하면, 각각 구형인 것을 확인할 수 있으며, 반응시간이 1분인 경우 및 2분인 경우 모두 직경이 4nm인 입자분포도가 가장 높았다. 얻은 InZnP결정의 크기는 약 3내지 5nm였다.
도 5a는 실시예 1에 따라 제조된 InP결정의 X선 회절 분석결과를 나타내는 그래프이고, 도 5b는 실시예 2에 따라 제조된 InZnP결정의 X선 회절 분석결과를 나타내는 그래프이다. 도 5a 및 도 5b로부터 InP결정 및 InZnP결정 모두 입방체의 나노결정상을 나타내므로 결정이 합성되었음을 확인할 수 있다. 도 5b의 경우 Zn이 추가된 결정인데 도 5a에 비해 X선 회절 피크가 더 넓게 퍼져있으며, 전체적으로 오른쪽으로 약간 이동된 모습을 보인다. 나노결정의 X선 회절의 경우에는 입자가 더 작을수록 피크의 너비가 넓어지므로, 아연전구체 ZnCl2의 추가주입을 통해 나노입자의 크기가 더 작아지도록 제어되었음을 확인할 수 있다. 전체적으로 오른쪽으로 이동된 모습은, Zn의 주입으로 인해 InZnP가 형성되어 ZnP의 결정성이 섞여서 나타나는 현상이다.
도 6은 인듐전구체와 아연전구체의 중량비율을 달리하여 얻은 InZnP결정들의 ICP-MS 분석결과를 나타내는 도표이다. 아연전구체인 ZnCl2를 추가하여 결정을 합성한 경우, Zn이 소정 비율로 나타나 InP가 아닌 InZnP가 실제로 합성되었음을 확인할 수 있다. 전체적으로 음이온에 비해 양이온의 비율이 높은 것을 알 수 있는데, 이로부터 인 공격자점(vacancy)이 발생할 가능성이 있는 것을 알 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 실시예 3에 따라 제조된 InZnP/ZnS 코어-쉘 나노입자의 흡광 및 발광스펙트럼을 나타낸 그래프이다. 도 6에서 확인한 바와 같이 인듐나노결정 내에는 음이온에 비해 양이온의 비율이 높아 인 공격자점 발생현상이 발생될 수 있는데, 인 공격자점 발생현상은 결정의 발광특성을 저하시킬 수 있다. 따라서, InZnP입자의 외부에 ZnS 쉘 구조를 도입하면, 인 공격자점 발생현상으로 인한 발광특성 저하를 막고 향상된 양자효율을 야기할 수 있다.
도 7a에는 InZnP/ZnS 코어-쉘 나노입자 샘플 2개의 흡광 및 발광스펙트럼이 각각 도시되어 있고, 도 7b에는 InZnP/ZnS 코어-쉘 나노입자 샘플 3개의 흡광 및 발광스펙트럼이 각각 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 600nm 부근에서의 피크가 나노입자가 보여야 할 발광영역이고, 약 750nm이후의 영역에서 발생하는 근-적외선 영역의 빛이 트랩발광이다. 즉, 750nm이후 영역에서의 신호가 약하면 약할수록, 트랩발광이 억제된 것으로 판단할 수 있다. 도 7a 및 도 7b의 샘플 모두 750nm에서의신호가 약하므로 트랩발광이 억제된 것을 확인할 수 있다.
도 7a 및 도 7b의 그래프를 분석하여 InZnP/ZnS 코어-쉘 나노입자의 발과효율을 산출한 결과 최대 발광효율 23%를 달성하여 ZnS 쉘 구조를 적용하여 높은 발광효율을 얻었음을 확인할 수 있다.
이상과 같이 설명한 본 발명은 기존 합성기술의 잠재위험성을 없애기 위해 더 값싸고 안전한 포스파이트 기반의 인화인듐결정 합성 기술을 제안하고 있다. 또한, 인화인듐결정 제조시에 아연전구체를 추가하여 아연으로 인한 결정성장속도 제어를 통해 원하는 크기의 인화인듐결정을 얻을 수 있어 양자점이 응용되는 다양한 분야에 유용한 10nm 이하 크기의 결정을 얻을 수 있다. 아울러, 인화인듐결정의 발광효율을 향상시키기 위하여, 결정 외부에 ZnS쉘을 추가로 도입하여 일반적인 InP양자점 대비 향상된 발광특성을 갖는 양자점을 얻을 수 있었다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.

Claims (19)

  1. 반응용매 내에서, 인듐전구체 및 아민화합물을 반응시켜 인듐-리간드 복합체를 형성하는 제1단계; 및
    인듐-리간드 복합체와 포스파이트 화합물을 반응시켜 인화인듐결정을 제조하는 제2단계;를 포함하는 인화인듐결정 제조방법으로서,
    포스파이트화합물은 트리페닐 포스파이트(P(OPh)3)인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    반응용매는 아민계 용매인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    반응용매는 트리옥틸아민인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    인듐전구체는 염화인듐(InCl3)인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    아민화합물은 올레일아민인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서,
    제1단계는 200℃ 내지 300℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    인화인듐결정은 크기가 1nm 내지 10nm인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    인화인듐결정은 구형인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    제1단계에서 아연전구체가 첨가되는 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    인화인듐결정은 InZnP인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  12. 청구항 10에 있어서,
    아연전구체를 추가하지 않은 InP의 크기는 아연전구체를 추가한 InZnP보다 큰 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  13. 청구항 10에 있어서,
    인화인듐결정의 크기는 첨가되는 아연전구체의 농도에 의존하는 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  14. 청구항 10에 있어서,
    인화인듐결정의 크기는 3nm 내지 5nm인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  15. 청구항 10에 있어서,
    아연전구체는 ZnCl2인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  16. 청구항 1에 있어서,
    인화인듐결정 외부에 황화아연(ZnS) 쉘을 형성하는 제3단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    제3단계는 아연소스 및 황소스를 추가하여 인화인듐결정과 반응시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  18. 청구항 17에 있어서,
    아연소스는 스테아르산 아연 및 아세트산 아연 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
  19. 청구항 17에 있어서,
    황소스는 옥타데신-S(octadecene-sulfur, ODE-S), 트리옥틸포스핀-S(trioctylphosphine-sulfur, TOP-S), 1-도데칸티올(1-dodecanthiol, DDT) 및 원소 황(elemental sulfur) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법.
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