KR102161273B1 - Light emitting device package - Google Patents

Light emitting device package Download PDF

Info

Publication number
KR102161273B1
KR102161273B1 KR1020140034576A KR20140034576A KR102161273B1 KR 102161273 B1 KR102161273 B1 KR 102161273B1 KR 1020140034576 A KR1020140034576 A KR 1020140034576A KR 20140034576 A KR20140034576 A KR 20140034576A KR 102161273 B1 KR102161273 B1 KR 102161273B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
lead frame
frame
light
Prior art date
Application number
KR1020140034576A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150111105A (en
Inventor
유이치로 탄다
사토시 오제키
히로시 코다이라
김백준
김병목
김하나
이정우
황상웅
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140034576A priority Critical patent/KR102161273B1/en
Publication of KR20150111105A publication Critical patent/KR20150111105A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102161273B1 publication Critical patent/KR102161273B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Abstract

실시 형태는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 발광칩 및 발광칩이 탑재되는 서브 마운트(sub mount)를 포함하는 발광 소자, 상기 발광 소자가 실장되는 리드 프레임(lead frame), 상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛을 반사하는 리플렉터(reflector)층, 상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층의 외측을 둘러싸는 수지 패키지 및 상기 리드 프레임을 탈부착 가능하게 고정하는 리드 프레임 원형(原型)을 포함하고, 상기 리드 프레임 원형은 상기 수지 패키지의 외측과 접하는 외곽 프레임을 포함하고, 상기 수지 패키지의 외측에는 하단에서 상측으로 소정 높이만큼 오목하게 형성된 적어도 하나의 제1 굴곡부가 형성되고, 상기 외곽 프레임의 내측에는 볼록하게 형성되어 상기 제1 굴곡부에 대응하는 적어도 하나의 제2 굴곡부가 형성되고, 상기 제1 굴곡부의 상부가 상기 제2 굴곡부에 걸림되어, 상기 리드 프레임 원형으로부터 상기 수지 패키지의 하향 이동이 제한될 수 있다.
이러한 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 리드 프레임 원형에 발광 소자 패키지가 안정적으로 결합되어 보관 또는 운반될 수 있고 쉽게 분리가 가능하다.The embodiment relates to a light emitting device package.
The light emitting device package according to the embodiment of the present invention includes a light emitting device including a light emitting chip and a sub mount on which the light emitting chip is mounted, a lead frame on which the light emitting device is mounted, and on the lead frame. A reflector layer that reflects light emitted from the light emitting device, a resin package surrounding the outside of the lead frame and the reflector layer, and a lead frame prototype that detachably fixes the lead frame Including, the lead frame circle includes an outer frame in contact with the outer side of the resin package, at least one first bent portion is formed concave to a predetermined height from the bottom to the upper side of the resin package, the outer frame At least one second bent portion is formed to be convex on the inside of the first bent portion, and the upper portion of the first bent portion is engaged with the second bent portion, and the resin package moves downward from the lead frame circle This can be limited.
In the light-emitting device package according to this embodiment, the light-emitting device package is stably coupled to the lead frame prototype to be stored or transported, and can be easily separated.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시 형태는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 고효율 및 친환경적인 광원으로서, 다양한 분야에서 각광을 받고 있다. 발광 다이오드(LED)는 예를 들어 디스플레이(표시 장치), 광 통신, 자동차 및 일반 조명에 이르기까지 여러 분야에서 사용되고 있다. 특히, 백색광을 구현하는 백색 발광 다이오드는 그 수요가 점점 증가하고 있다. Light Emitting Diode (LED) is a highly efficient and eco-friendly light source, and has been in the spotlight in various fields. Light-emitting diodes (LEDs) are used in various fields, for example, to displays (display devices), optical communications, automobiles, and general lighting. In particular, white light emitting diodes that implement white light are increasingly in demand.

일반적으로, 이와 같은 발광 소자는 개개의 소자가 제조된 후에 패키징되어 사용된다. 발광 소자 패키지는 방열체를 포함하는 수지부 바디에 발광칩이 실장된다. 발광칩은 와이어를 통하여 리드와 전기적으로 연결되고, 발광칩 상측에는 수지와 실리콘과 같은 봉지재가 채워지고, 그 상측에 렌즈가 구비된다. 이러한 구조의 발광 소자 패키지는 발광 소자 구동 시 발생하게 되는 열의 전달이 느려 방열 효과가 낮다. 따라서, 발광 소자의 광특성이 저하될 수 있으며, 수지부 바디 사이에 방열체를 삽입하는 패키지 공정은 빠른 공정 속도를 기대하기 어렵다.In general, such light emitting devices are packaged and used after individual devices are manufactured. In the light emitting device package, a light emitting chip is mounted on a resin body including a radiator. The light emitting chip is electrically connected to the lead through a wire, an encapsulant such as resin and silicone is filled on the upper side of the light emitting chip, and a lens is provided on the upper side thereof. The light emitting device package having such a structure has a low heat dissipation effect due to slow transfer of heat generated when the light emitting device is driven. Accordingly, the optical characteristics of the light emitting device may be deteriorated, and it is difficult to expect a fast process speed in the package process of inserting the heat sink between the resin body.

방열체 없이 발광 소자를 리드 프레임에 실장하는 경우, 리드 프레임을 통해 열이 방출되기 때문에 방열성능이 낮아 고출력용 발광 소자에는 적용하기 어려운 문제가 있었다. 또한, 발광 소자용 리드 프레임에 사용되는 수지부는 장시간 광에 노출되면 변색되거나 변질되어 광특성을 저하시키는 문제가 있었다.When a light emitting device is mounted on a lead frame without a radiator, since heat is radiated through the lead frame, heat dissipation performance is low, and thus it is difficult to apply to a high-power light emitting device. In addition, when exposed to light for a long period of time, the resin part used in the lead frame for a light emitting element is discolored or deteriorated, thereby reducing optical characteristics.

실시 형태는 리드 프레임과 수지부 사이의 밀착성을 높일 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving adhesion between a lead frame and a resin portion.

실시 형태는 하부로부터 수분이나 이물질의 침투를 방지할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다The embodiment provides a light emitting device package capable of preventing penetration of moisture or foreign matter from the bottom.

실시 형태는 발광 소자의 실장시에 발생하는 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of preventing penetration of foreign substances generated during mounting of the light emitting device.

실시 형태는 리플렉터를 리드 프레임 상에 안정적으로 고정시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of stably fixing a reflector on a lead frame.

실시 형태는 리플렉터 상에 렌즈 또는 플레이트를 선택적으로 장착할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of selectively mounting a lens or plate on a reflector.

실시 형태는 리드 프레임 원형과 안정적으로 결합되고, 분리가 용이한 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package that is stably combined with a lead frame prototype and is easily separated.

실시 형태는 리드 프레임 원형과의 마찰력을 증대시켜 접착재 없이 안정적으로 결합되는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package that is stably coupled without an adhesive material by increasing friction with the original lead frame.

본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 발광칩 및 발광칩이 탑재되는 서브 마운트(sub mount)를 포함하는 발광 소자, 상기 발광 소자가 실장되는 리드 프레임(lead frame), 상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛을 반사하는 리플렉터(reflector)층, 상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층의 외측을 둘러싸는 수지 패키지 및 상기 리드 프레임을 탈부착 가능하게 고정하는 리드 프레임 원형(原型)을 포함하고, 상기 리드 프레임 원형은 상기 수지 패키지의 외측과 접하는 외곽 프레임을 포함하고, 상기 수지 패키지의 외측에는 하단에서 상측으로 소정 높이만큼 오목하게 형성된 적어도 하나의 제1 굴곡부가 형성되고, 상기 외곽 프레임의 내측에는 볼록하게 형성되어 상기 제1 굴곡부에 대응하는 적어도 하나의 제2 굴곡부가 형성되고, 상기 제1 굴곡부의 상부가 상기 제2 굴곡부에 걸림되어, 상기 리드 프레임 원형으로부터 상기 수지 패키지의 하향 이동이 제한될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment of the present invention includes a light emitting device including a light emitting chip and a sub mount on which the light emitting chip is mounted, a lead frame on which the light emitting device is mounted, and on the lead frame. A reflector layer that reflects light emitted from the light emitting device, a resin package surrounding the outside of the lead frame and the reflector layer, and a lead frame prototype that detachably fixes the lead frame Including, the lead frame circle includes an outer frame in contact with the outer side of the resin package, at least one first bent portion is formed concave to a predetermined height from the bottom to the upper side of the resin package, the outer frame At least one second bent portion is formed to be convex on the inside of the first bent portion, and the upper portion of the first bent portion is engaged with the second bent portion, and the resin package moves downward from the lead frame circle This can be limited.

이러한 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 리드 프레임 원형에 발광 소자 패키지가 안정적으로 결합되어 보관 또는 운반될 수 있고 쉽게 분리가 가능하다.In the light-emitting device package according to this embodiment, the light-emitting device package is stably coupled to the lead frame prototype to be stored or transported, and can be easily separated.

여기서, 상기 리드 프레임은, 상기 발광 소자가 실장되는 제1 프레임, 상기 제1 프레임의 양측에 형성되는 제2 프레임, 및 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 형성되는 개구부를 포함하고, 상기 개구부에는 상기 수지 패키지의 적어도 일부가 삽입될 수 있다.Here, the lead frame includes a first frame on which the light emitting device is mounted, a second frame formed on both sides of the first frame, and an opening formed between the first frame and the second frame, and the At least a part of the resin package may be inserted into the opening.

삭제delete

삭제delete

여기서, 상기 제1 프레임은 상기 제2 프레임을 향하여 오목진 오목부를 포함하고, 상기 제2 프레임은 상기 제1 프레임의 오목부에 대응되고, 상기 제1 프레임을 향하여 볼록한 볼록부를 포함할 수 있다.Here, the first frame may include a concave portion facing the second frame, and the second frame may correspond to a concave portion of the first frame and include a convex portion that is convex toward the first frame.

여기서, 상기 리드 프레임은, 상기 개구부의 형상이 단차를 갖도록 형성될 수 있다.Here, the lead frame may be formed such that the shape of the opening has a step.

여기서, 상기 리플렉터층은 중앙에 개구부가 형성되고, 상기 발광 소자는, 상기 개구부에 대응되는 상기 리드 프레임에 실장될 수 있다.Here, the reflector layer may have an opening formed at a center thereof, and the light emitting device may be mounted on the lead frame corresponding to the opening.

여기서, 상기 리플렉터층은, 순 알루미늄으로 이루어질 수 있다.Here, the reflector layer may be made of pure aluminum.

여기서, 상기 리플렉터층의 개구부에는 밀봉 수지재가 충진될 수 있다.Here, a sealing resin material may be filled in the opening of the reflector layer.

여기서, 상기 서브 마운트는, 질화 알루미늄(AlN) 또는 실리콘카바이드(SiC)를 포함할 수 있다.Here, the sub-mount may include aluminum nitride (AlN) or silicon carbide (SiC).

여기서, 상기 리드 프레임은 구리 합금을 포함할 수 있다.Here, the lead frame may include a copper alloy.

여기서, 상기 리드 프레임의 두께는 0.5 mm 내지 1.5 mm일 수 있다.Here, the thickness of the lead frame may be 0.5 mm to 1.5 mm.

여기서, 상기 리드 프레임의 열전도율은, 상기 서브 마운트의 열전도율의 2~3배일 수 있다.Here, the thermal conductivity of the lead frame may be 2 to 3 times the thermal conductivity of the sub-mount.

여기서, 상기 발광칩은 190~400 nm의 파장을 발광하는 발광칩일 수 있다.Here, the light emitting chip may be a light emitting chip emitting a wavelength of 190 to 400 nm.

여기서, 상기 발광칩은 250~280 nm의 파장을 발광하는 발광칩일 수 있다.Here, the light emitting chip may be a light emitting chip emitting a wavelength of 250 to 280 nm.

여기서, 상기 제2 프레임은 상기 발광 소자와 와이어를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.Here, the second frame may be electrically connected to the light emitting device through a wire.

여기서, 상기 수지 패키지는, 검은색의 수지를 포함할 수 있다.Here, the resin package may include a black resin.

여기서, 상기 검은색의 수지는 방향족 나이론일 수 있다.Here, the black resin may be an aromatic nylon.

여기서, 상기 리플렉터층의 상부에는 렌즈가 배치될 수 있는 렌즈 가이드부가 형성되고, 상기 수지 패키지의 상부에는 플레이트가 배치될 수 있는 플레이트 가이드부가 형성될 수 있다.Here, a lens guide portion on which a lens may be disposed may be formed on the reflector layer, and a plate guide portion on which a plate may be disposed may be formed on the resin package.

실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 프레임과 수지부 사이의 접착면을 증가시켜 프레임과 수지부 사이의 밀착성을 높일 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may increase the adhesion between the frame and the resin portion by increasing the adhesive surface between the frame and the resin portion.

실시 형태는 프레임과 패키지 사이의 접착면을 증가시켜 하부로부터 수분이나 이물질의 침투를 방지할 수 있다In the embodiment, the adhesion surface between the frame and the package can be increased to prevent penetration of moisture or foreign matter from the lower portion.

실시 형태는 수지부가 리드 프레임의 일부를 매몰시켜 발광 소자의 실장시에 발생하는 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다.The embodiment can prevent the penetration of foreign substances generated when the light emitting element is mounted by embedding a part of the lead frame by the resin part.

실시 형태는 리플렉터를 리드 프레임 상에 안정적으로 고정시킬 수 있다.The embodiment can stably fix the reflector on the lead frame.

실시 형태는 리플렉터 상에 렌즈 또는 플레이트를 선택적으로 장착할 수 있다.Embodiments may selectively mount a lens or plate on the reflector.

실시 형태는 리드 프레임 원형과 안정적으로 결합되고, 분리가 용이하다.The embodiment is stably combined with the original lead frame and is easy to separate.

실시 형태는 리드 프레임 원형과의 마찰력을 증대시켜 접착재 없이 안정적으로 결합된다.The embodiment is stably coupled without an adhesive material by increasing the frictional force with the original lead frame.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면사시도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 4는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 5는 리드 프레임의 사시도이다.
도 6는 실시예에 따른 발광 소자 패키지(1)의 저면 사시도이다.
도 7은 실시예에 따른 리드 프레임이 제거된 리드 프레임 원형의 사시도이다.
도 8은 리드 프레임 원형에 발광 소자가 실장되지 않은 발광 소자 패키지가 결합된 상태를 보여주는 사시도이다.
도 9는 양산이 가능한 발광 소자 패키지의 구조를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a cross-sectional perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
4 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment.
5 is a perspective view of a lead frame.
6 is a bottom perspective view of the light emitting device package 1 according to the embodiment.
7 is a perspective view of a lead frame prototype from which the lead frame according to the embodiment is removed.
8 is a perspective view showing a state in which a light emitting device package in which a light emitting device is not mounted is coupled to a circular lead frame.
9 is a perspective view showing the structure of a light emitting device package capable of mass production.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size.

본 발명에 따른 실시 형태의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where one element is described as being formed "on or under" of another element, the upper (upper) or lower (Bottom) (on or under) includes both elements in direct contact with each other or in which one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed as “on or under”, it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one element.

먼저, 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지에 대하여 설명하도록 한다.First, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.

도 1을 참고하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(1)는, 발광칩(110)과 발광칩(110)이 탑재되는 서브 마운트(sub mount, 120)를 포함하는 발광 소자(100)와, 발광 소자(100)가 실장되는 리드 프레임(lead frame, 200), 발광 소자(100)와 리드 프레임(200)을 전기적으로 연결하는 와이어(130), 발광 소자(100) 주위를 둘러싸고 발광소자(100)로부터 방출된 빛을 반사하는 리플렉터(reflector)층 (140), 및 발광 소자 패키지(1)의 본체를 형성하는 수지부(300)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a light emitting device package 1 according to an embodiment includes a light emitting device 100 including a light emitting chip 110 and a sub mount 120 on which the light emitting chip 110 is mounted, A lead frame 200 on which the light-emitting element 100 is mounted, a wire 130 electrically connecting the light-emitting element 100 and the lead frame 200, and the light-emitting element 100 surrounding the light-emitting element 100 ) And a reflector layer 140 that reflects light emitted from), and a resin part 300 forming a main body of the light emitting device package 1.

발광 소자(100)는 발광 다이오드(LED)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 다이오드는 심자외선(Deep Ultra Violet, DUV)을 방출하는 DUV LED 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 각각 발광하는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 발광 다이오드일 수 있다. 발광 다이오드는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그 곳에서 재결합되어 빛이 발생되며, 활성층에서 발생된 빛은 모든 방향 또는 특정 방향으로 방출되어 노출 표면을 통해 발광 다이오드 밖으로 방출되게 된다.The light-emitting device 100 may be a light-emitting diode (LED), but is not limited thereto. The light emitting diode may be a DUV LED that emits deep ultraviolet (DUV), but is not limited thereto, and a red, green, blue, or white light emitting diode that emits red, green, blue, or white light, respectively. Can be A light-emitting diode is a type of solid-state device that converts electrical energy into light, and generally includes an active layer of semiconductor material interposed between two opposing doping layers. When a bias is applied to both ends of the two doping layers, holes and electrons are injected into the active layer and then recombined there to generate light, and the light generated from the active layer is emitted in all directions or in a specific direction, and the light-emitting diode through the exposed surface Will be released outside.

발광칩(110)은 플립칩(Flip Chip)일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 수직형(vertical) 칩이나, 수평형(lateral) 칩일 수 있다. 도면에서는 편의상 수평형 칩으로 설명한다. 발광칩(110)의 크기는 가로 600um, 세로 700um으로 형성될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 발광칩(110)은 190~400 nm의 파장의 심자외선을 발광할 수 있다. 보다 구체적으로, 발광칩(110)은 250~280 nm의 파장의 심자외선을 발광할 수 있으며, 이 때, 발광칩(110)에서 방출되는 심자외선이 살균력이 가장 우수하다. 도 1에 도시되어 있지는 않지만, 발광칩(110)은 기판과, 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 배치된 발광 구조물을 포함할 수 있다. 발광칩(110)의 기판은 빛이 투과할 수 있는 광 투과 특성을 가질 수 있다. 기판은 사파이어(Al2O3), 스핀넬(MgAl2O4)과 같은 절연성 기판, SiC, Si, GaAs, GaN, InP, Ge 등의 반도체 기판들 중 적어도 어느 하나일 수 있다. The light emitting chip 110 may be a flip chip, but is not limited thereto, and may be a vertical chip or a lateral chip. In the drawings, it will be described as a horizontal chip for convenience. The size of the light emitting chip 110 may be formed to be 600 μm in width and 700 μm in height, but is not limited thereto. The light emitting chip 110 may emit deep ultraviolet rays having a wavelength of 190 to 400 nm. More specifically, the light emitting chip 110 may emit deep ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 280 nm, and at this time, deep ultraviolet rays emitted from the light emitting chip 110 have the best sterilizing power. Although not shown in FIG. 1, the light emitting chip 110 may include a substrate and a light emitting structure in which a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer are sequentially disposed on the substrate. The substrate of the light emitting chip 110 may have a light transmission characteristic through which light can be transmitted. The substrate may be at least one of an insulating substrate such as sapphire (Al2O3) and spinel (MgAl2O4), and semiconductor substrates such as SiC, Si, GaAs, GaN, InP, and Ge.

서브 마운트(120)에는 발광칩(110)이 탑재된다. 서브 마운트(120)는 발광칩(110)에서 발생하는 열을 방출하여 하부의 리드 프레임(200)으로 전달한다. 또한, 발광 소자(100)와 리드 프레임(200)을 전기적으로 연결하는 와이어(130)의 일단은 서브 마운트(120)에 연결된다. 서브 마운트(120)는 열전도율이 높은 질화 알루미늄(AlN)이나 실리콘카바이드(SiC) 등으로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 발광칩(110)과 서브 마운트(120)는 솔더범퍼(solder bumper)에 의해 결합될 수 있다.The light emitting chip 110 is mounted on the sub-mount 120. The sub-mount 120 emits heat generated from the light emitting chip 110 and transfers it to the lower lead frame 200. In addition, one end of the wire 130 electrically connecting the light emitting device 100 and the lead frame 200 is connected to the sub mount 120. The sub-mount 120 may be made of aluminum nitride (AlN) or silicon carbide (SiC) having high thermal conductivity, but is not limited thereto. The light emitting chip 110 and the sub-mount 120 may be coupled by a solder bumper.

도 2는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면사시도이고, 도 3은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.2 is a cross-sectional perspective view of a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment.

도 2 및 도 3을 참고하면, 실시예에 따른 발광 소자(1)의 리플렉터층(140)은 발광 소자(100)로부터의 방출된 광을 반사한다. 리플렉터층(140)은 발광 소자(100)의 주위를 둘러싸고, 리드 프레임(200)의 상부에 배치된다. 리플렉터층(140)은 금속으로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리플렉터층(140)은 순 알루미늄으로 이루어 질 수 있다. 따라서, 광의 반사율이 높고, 열확산성이 좋으며, 산소 및 황화수소 가스에 대한 내부식성을 가질 수 있다. 리플렉터층(140)은 내측이 오목한 원형으로 형성될 수 있으나, 리플렉터층(140)의 형상이 반드시 원형으로 한정되는 것은 아니다.2 and 3, the reflector layer 140 of the light emitting device 1 according to the embodiment reflects light emitted from the light emitting device 100. The reflector layer 140 surrounds the light emitting element 100 and is disposed on the lead frame 200. The reflector layer 140 may be made of metal. Specifically, the reflector layer 140 of the light emitting device package 1 according to the embodiment may be made of pure aluminum. Therefore, the reflectance of light is high, the thermal diffusion property is good, and it can have corrosion resistance to oxygen and hydrogen sulfide gas. The reflector layer 140 may be formed in a circular shape with a concave inside, but the shape of the reflector layer 140 is not necessarily limited to a circular shape.

리플렉터층(140)의 상부에는 광학 렌즈가 배치될 수 있는 렌즈 가이드부(150)가 형성될 수 있다. 또한, 리플렉터층의 상부에는 플레이트가 배치될 수 있는 플레이트 가이드부(160)가 형성될 수 있다. 렌즈 가이드부(150)는 리플렉터층의 상면과, 후술할 제2 수지부(320)의 일단에 의하여 형성된 벽부(321)에 의하여 형성될 수 있다. 또한, 플레이트 가이드부(160)도 제2 수지재(320)의 상면에 형성된 평면부와, 상측으로 돌출된 벽부의 일측면에 의하여 형성될 수 있다. 이에 대해서는 후술하도록 한다. 렌즈 또는 플레이트와 리플렉터층(140) 사이에는 밀봉 수지재가 충전될 수 있다. 밀봉 수지로는 실리콘 수지가 이용될 수 있다. 한편, 실시예에 따른 렌즈 또는 플레이트는 형광체를 함유하는 유리 렌즈 또는 유리 플레이트일 수 있다. 따라서, 렌즈 또는 플레이트 내에 형광체가 분산되거나 형광체를 포함하는 봉지재를 이용하지 않고 렌즈 또는 플레이트가 형광체를 함유하므로 광속유지율이 향상될 수 있다. 즉, 발광 소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.A lens guide unit 150 on which an optical lens may be disposed may be formed on the reflector layer 140. In addition, a plate guide unit 160 on which a plate may be disposed may be formed on the reflector layer. The lens guide part 150 may be formed by a wall part 321 formed by an upper surface of the reflector layer and one end of the second resin part 320 to be described later. In addition, the plate guide unit 160 may also be formed by a flat portion formed on the upper surface of the second resin material 320 and one side surface of the wall portion protruding upward. This will be described later. A sealing resin material may be filled between the lens or plate and the reflector layer 140. Silicone resin may be used as the sealing resin. Meanwhile, the lens or plate according to the embodiment may be a glass lens or glass plate containing a phosphor. Therefore, since the phosphor is dispersed in the lens or plate or the lens or plate contains the phosphor without using an encapsulant including the phosphor, the luminous flux maintenance rate can be improved. That is, the reliability of the light emitting device package can be improved.

리드 프레임(200)은 발광 소자(100)에 하부에 위치하고, 리드 프레임(200)에는 발광 소자(100)가 실장된다. 리드 프레임(200)은 발광 소자(100)가 직접 실장되는 제1 프레임(210)과, 발광 소자(100)와 와이어(130)를 통해 전기적으로 연결되는 제2 프레임(220)을 포함할 수 있다. 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에는 후술할 수지부(300)의 제1 수지부(310)가 삽입되기 위한 개구부가 형성될 수 있다. 한편, 리드 프레임(200)은 구리(Cu)성분을 포함하는 구리 합금으로 이루어질 수 있다. 따라서, 서브 마운트(120)의 질화 알루미늄(AlN)보다 2~3배의 열전도율을 가질 수 있으며, 두께를 두껍게 하여, 방열체의 역할을 할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(1)는 별도의 방열체가 필요없고 구리를 이용하므로 비용면에서 유리하다. The lead frame 200 is positioned below the light emitting element 100, and the light emitting element 100 is mounted on the lead frame 200. The lead frame 200 may include a first frame 210 on which the light emitting device 100 is directly mounted, and a second frame 220 that is electrically connected to the light emitting device 100 through a wire 130. . An opening for inserting the first resin portion 310 of the resin portion 300 to be described later may be formed between the first frame 210 and the second frame 220. Meanwhile, the lead frame 200 may be made of a copper alloy containing a copper (Cu) component. Therefore, it may have a thermal conductivity of 2 to 3 times that of the aluminum nitride (AlN) of the sub-mount 120, and may serve as a heat dissipating body by increasing the thickness. Therefore, the light emitting device package 1 according to the embodiment does not require a separate heat sink and is advantageous in terms of cost because copper is used.

리드 프레임(200)의 두께를 두껍게 하면, 리드 프레임(200)이 대용량의 방열체의 역할을 할 수 있다. 리드 프레임(200)의 두께가 증가하면, 리드 프레임(200)의 비용은 증가할 수 있으나, 별도의 방열체를 추가하는 것보다 비용을 줄일 수 있다. 또한, 구리로 이루어진 리드 프레임(200)이 두꺼울수록 열확산이 좋고 열팽창의 영향을 적게 받는다. 리드 프레임(200)의 두께가 두꺼워지면, 수지부(300)와의 마찰력도 커지고, 하부로부터 발광 소자 패키지(1) 내부로 이물질이나 수분의 침투도 어려워진다. 또한, 두께가 두꺼워지면, 외부 응력에 대한 변형에 대한 저항성도 커진다.When the thickness of the lead frame 200 is increased, the lead frame 200 may serve as a large-capacity radiator. If the thickness of the lead frame 200 increases, the cost of the lead frame 200 may increase, but the cost may be reduced compared to adding a separate radiator. In addition, the thicker the lead frame 200 made of copper, the better the heat diffusion and the less affected by the thermal expansion. When the thickness of the lead frame 200 increases, the frictional force with the resin part 300 increases, and penetration of foreign matter or moisture into the light emitting device package 1 from the lower portion thereof becomes difficult. In addition, as the thickness increases, resistance to deformation to external stress also increases.

구체적으로, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께는 0.5 mm 내지 1.5 mm 일 수 있다. 리드 프레임(200)의 두께가 0.5 mm 보다 작으면 열확산 및 열방출 성능이 좋지 않으며, 1.5 mm보다 크면 열확산 및 열방출 성능의 증가에 비하여, 리드 프레임의 두께 증가에 따른 제조비용의 증가가 문제가 될 수 있다. 또한, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께가 0.5 mm 보다 작으면, 외부 응력에 대한 발광 소자 패키지의 변형에 대한 저항성이 허용치보다 낮게 되며, 1.5 mm 보다 크면 제조비용의 증가가 문제가 될 수 있다.Specifically, the thickness of the copper-based lead frame 200 may be 0.5 mm to 1.5 mm. If the thickness of the lead frame 200 is less than 0.5 mm, the heat diffusion and heat dissipation performance is not good, and if the thickness of the lead frame 200 is greater than 1.5 mm, compared to the increase in heat diffusion and heat dissipation performance, an increase in manufacturing cost due to the increase in the thickness of the lead frame is a problem. Can be. In addition, if the thickness of the copper-based lead frame 200 is less than 0.5 mm, the resistance to deformation of the light emitting device package against external stress is lower than the allowable value, and if it is greater than 1.5 mm, an increase in manufacturing cost may be a problem. have.

정리하면, 구리성분의 리드 프레임(200)의 두께를 0.5 mm 보다 작게 하면, 열확산, 열방출, 변형에 대한 저항성, 수분 침투 방지의 성능 중 어느 하나가 허용치보다 낮게 되며, 두께가 두꺼워질수록 이러한 특성들은 개선이 된다. 그러나, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께가 1.5 mm 이상이 되면, 발광 소자 패키지의 제조에 있어서, 전술한 특징들의 개선에 비하여 제조비용의 증가가 더 큰 문제가 될 수 있다.In summary, if the thickness of the copper-based lead frame 200 is less than 0.5 mm, any one of heat diffusion, heat dissipation, resistance to deformation, and moisture intrusion prevention performance becomes lower than the allowable value. Characteristics are improved. However, when the thickness of the copper-based lead frame 200 is 1.5 mm or more, an increase in manufacturing cost may be a bigger problem in manufacturing a light emitting device package compared to the improvement of the above-described features.

제1 프레임(210)에는 발광 소자(100)가 직접 실장될 수 있다. 도면에는 도시되어 있지 않으나, 제1 프레임(210)의 상면에는 발광 소자(100)가 본딩될 수 있는 다이 본딩 플레이트가 형성될 수 있다. 발광 소자(100)는 다이 본딩 페이스트를 이용하여 제1 프레임(210) 상에 실장될 수 있다. 다이 본딩 페이스트는 내광성이 있는 에폭시 수지나 실리콘 수지를 포함할 수 있다. 제2 프레임(220)은 와이어(130)를 통해 발광 소자(100)와 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 100 may be directly mounted on the first frame 210. Although not shown in the drawings, a die bonding plate to which the light emitting device 100 can be bonded may be formed on the upper surface of the first frame 210. The light emitting device 100 may be mounted on the first frame 210 using a die bonding paste. The die bonding paste may include an epoxy resin or a silicone resin having light resistance. The second frame 220 may be electrically connected to the light emitting device 100 through a wire 130.

실시예에 따른 발광 소자 패키지(1)의 수지부(300)는 리드 프레임(200)의 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)에 삽입되는 제1 수지부(310)와, 발광 소자(100)를 둘러싸고, 중앙부에 오목부를 갖는 제2 수지부(320)를 포함할 수 있다.The resin part 300 of the light emitting device package 1 according to the embodiment includes a first resin part 310 inserted into the first frame 210 and the second frame 220 of the lead frame 200, and a light emitting device. It may include a second resin portion 320 surrounding the 100 and having a concave portion in the central portion.

제1 수지부(310)는 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에 채워질 수 있다. 제2 수지부(320)는 리드 프레임(200)의 외측과, 리플렉터층(140)의 외측 및 상측 일부를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제1 수지부(310) 및 제2 수지부(320)는 리드 프레임(200) 상에 열가소성 수지 또는 열경화성 수지를 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형함으로써 형성될 수 있다. 제1 수지부(310) 및 제2 수지부(320)의 형상은, 금형의 설계에 의해 다양하게 형성될 수 있다. The first resin part 310 may be filled between the first frame 210 and the second frame 220. The second resin part 320 may be formed to surround the outside of the lead frame 200 and a portion of the outside and upper sides of the reflector layer 140. The first resin portion 310 and the second resin portion 320 may be formed by injection molding or transfer molding a thermoplastic resin or a thermosetting resin on the lead frame 200. The shapes of the first resin portion 310 and the second resin portion 320 may be variously formed by design of a mold.

제1 수지부(310) 및 제2 수지부(320)에 사용되는 열가소성 수지 또는 열경화성 수지는, 내후성이 강한 검은색의 수지가 이용될 수 있다. 예를 들면, 검은색의 방향족 나이론이 이용될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 수지는 발광 소자(100)로부터 장시간 동안 열과 빛에 노출되므로, 변색이나 열화가 발생할 수 있다. 실시예에 따른 발광 소자 패키지(1)는 내후성이 좋은 검은 색의 수지를 이용하므로, 단파장 자외선의 열화를 방지할 수 있고, 발광 소자 패키지의 변색을 방지할 수 있다. 따라서, 발광 소자가 백색 발광 다이오드인 경우에는, 검은색의 수지를 이용할 필요가 없으며, 흰색의 수지를 이용할 수도 있다. 흰색의 수지는 검은색 수지보다 광투과율이 높으므로 광효율면에서 유리하다.The thermoplastic resin or thermosetting resin used in the first resin portion 310 and the second resin portion 320 may be a black resin having strong weather resistance. For example, black aromatic nylon can be used. However, it is not necessarily limited thereto. Since the resin is exposed to heat and light from the light emitting device 100 for a long time, discoloration or deterioration may occur. Since the light emitting device package 1 according to the embodiment uses a black resin having good weather resistance, it is possible to prevent deterioration of short-wavelength ultraviolet rays and prevent discoloration of the light emitting device package. Therefore, when the light emitting element is a white light emitting diode, it is not necessary to use a black resin, and a white resin may be used. White resin is advantageous in terms of light efficiency because it has a higher light transmittance than black resin.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 수지부(320)는 리플렉터층(140)의 일부가 끼워져 고정될 수 있는 홈부(320a)와 후술할 리드 프레임 원형(原型) (400)의 외곽 프레임(410)과 결합될 수 있는 오목부(320b)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 3, the second resin part 320 includes a groove part 320a in which a part of the reflector layer 140 may be inserted and fixed, and the outer edge of a lead frame prototype 400 to be described later. It may include a concave portion (320b) that can be coupled to the frame 410.

구체적으로, 제2 수지부(320)는 리드 프레임(200) 및 리플렉터층(140)의 외측에 수직으로 형성되는 벽부(321)를 포함할 수 있다. 벽부(321)로부터 발광 소자(100)를 향하여 수평으로 돌출되는 돌출부(322)가 형성될 수 있으며, 이 돌출부(322)는 리플렉터층(140)의 상면의 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 홈부(320a)는 제2 수지부(320)의 벽부(321), 돌출부(322) 및 리드 프레임(200)의 상면에 의해 둘러싸이도록 형성될 수 있다. 한편, 리플렉터층(140)과 리드 프레임(200) 사이에는 제2 수지부(320)의 일부가 삽입될 수 있다. 구체적으로 리플렉터층(140)의 하면과 리드 프레임(200)의 상면 사이에는 제2 수지부(320)의 삽입부(323)가 배치될 수 있으며, 이 삽입부(323)의 두께는 리플렉터층(140)과 리드 프레임(320)의 두께에 비하여 상대적으로 얇게 형성될 수 있다.Specifically, the second resin part 320 may include a wall part 321 formed vertically outside the lead frame 200 and the reflector layer 140. A protrusion 322 protruding horizontally from the wall portion 321 toward the light emitting device 100 may be formed, and the protrusion 322 may be formed to cover at least a portion of the upper surface of the reflector layer 140. The groove part 320a may be formed to be surrounded by the wall part 321, the protrusion part 322, and the upper surface of the lead frame 200 of the second resin part 320. Meanwhile, a part of the second resin part 320 may be inserted between the reflector layer 140 and the lead frame 200. Specifically, the insertion portion 323 of the second resin portion 320 may be disposed between the lower surface of the reflector layer 140 and the upper surface of the lead frame 200, and the thickness of the insertion portion 323 is the reflector layer ( 140) and the lead frame 320 may be formed relatively thinner than the thickness.

리플렉터층(140)은 리드 프레임(200) 상부에 배치되는데, 종래에는 접착재를 이용하여 리드 프레임(200) 상부에 리플렉터층(140)을 접착시켰다. 접착재를 이용하면, 접착재 찌꺼기 등이 전극이나 와이어 등을 오염시킬 수 있다. 그러나, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(1)는 제2 수지부(320)에 홈부(320a)가 형성되고, 리플렉터층(140)의 일부, 예를 들면 최외곽부는 제2 수지부(320)의 홈부(320a)에 끼워져 고정된다. 따라서, 접착재없이 리플렉터층(140)가 리드 프레임(200)의 상부에 고정되므로 접착재의 사용으로 인한 오염을 방지하고, 비용을 절감할 수 있다.The reflector layer 140 is disposed on the lead frame 200, and conventionally, the reflector layer 140 is adhered to the lead frame 200 by using an adhesive material. If an adhesive is used, the adhesive residue or the like may contaminate the electrode or wire. However, in the light emitting device package 1 according to the embodiment, a groove 320a is formed in the second resin part 320, and a part of the reflector layer 140, for example, the outermost part, is the second resin part 320. It is fitted and fixed to the groove portion (320a) of. Therefore, since the reflector layer 140 is fixed to the upper portion of the lead frame 200 without an adhesive material, contamination due to the use of the adhesive material can be prevented and cost can be reduced.

또한, 리플렉터층(140)은 렌즈 가이드부(150)와 플레이트 가이드부(160)를 포함할 수 있다.In addition, the reflector layer 140 may include a lens guide unit 150 and a plate guide unit 160.

리플렉터층(140)의 상면에는, 벽부로부터 돌출된 돌출부에 의해 덮히지 않고 상부를 향해 개방된 부분이 있다. 이 개방된 부분과 돌출부의 끝단에 의하여 렌즈가 장착가능한 렌즈 가이드부(150)가 형성될 수 있다. 또한, 리플렉터층의 상부에는 벽부의 상면과 돌출부의 상면이 단차를 가지게 형성될 수 있으며, 이 단차에 의하여 플레이트가 장착될 수 있는 플레이트 가이드부(160)가 형성될 수 있다.On the upper surface of the reflector layer 140, there is a portion that is open toward the top without being covered by a protrusion protruding from the wall portion. The lens guide unit 150 to which the lens can be mounted may be formed by the open portion and the end of the protrusion. In addition, on the reflector layer, the upper surface of the wall portion and the upper surface of the protruding portion may be formed to have a step, and a plate guide portion 160 to which a plate can be mounted may be formed by the step.

한편, 리플렉터층(140)의 고강도의 금속으로 이루어질 수 있다. 따라서, 변형이 어려우므로 리드 프레임(200) 상에 안정적으로 고정되면 정밀도가 높은 반사가 가능하다. 오목부(320b)에 대한 설명은 후술하도록 한다.Meanwhile, the reflector layer 140 may be made of a high-strength metal. Therefore, since it is difficult to deform, reflection with high precision is possible if it is stably fixed on the lead frame 200. A description of the concave portion 320b will be described later.

도 4는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 평면도이고, 도 5는 리드 프레임의 사시도이다. 4 is a plan view of a light emitting device package according to an exemplary embodiment, and FIG. 5 is a perspective view of a lead frame.

도 1 내지 5를 참조하면, 리플렉터층(140)은 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220)에 상에 형성되고, 내측에 개구부가 형성될 수 있다. 리플렉터층(140)의 개구부에는 발광 소자(100)가 배치되고, 수지로 채워질 수 있다.1 to 5, the reflector layer 140 may be formed on the first frame 210 and the second frame 220, and an opening may be formed inside. The light emitting device 100 is disposed in the opening of the reflector layer 140 and may be filled with resin.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)의 일부는 굴곡이 형성되어 있다. 구체적으로, 제1 프레임(210)은, 제2 프레임(220)을 향하여 오목진 오목부(210a)를 가지고, 제2 프레임(220)는 제1 프레임(210)의 오목부(210a)에 대응되게 제1 프레임(210)을 향하여 볼록한 볼록부(220a)를 가질 수 있다. 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)이 굴곡된 형상을 가지면, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에 배치되는 제1 수지부(310)와의 접촉면이 증가된다. 따라서, 리드 프레임(200)과 제1 수지부(310)의 접촉면이 증가하므로, 리드 프레임(200)과 수지부와의 밀착성이 증가하는 효과가 있다.As shown in FIGS. 4 and 5, a part of the first frame 210 and the second frame 220 is curved. Specifically, the first frame 210 has a concave portion 210a that is concave toward the second frame 220, and the second frame 220 corresponds to the concave portion 210a of the first frame 210 Thus, it may have a convex portion 220a that is convex toward the first frame 210. When the first frame 210 and the second frame 220 have a curved shape, a contact surface with the first resin portion 310 disposed between the first frame 210 and the second frame 220 is increased. Accordingly, since the contact surface between the lead frame 200 and the first resin portion 310 increases, there is an effect of increasing the adhesion between the lead frame 200 and the resin portion.

또한, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(1)의 리드 프레임(200)은 두꺼운 구리 프레임이므로 형상의 자유도가 높다. 따라서, 리드 프레임(200)에 단차를 형성할 수 있으며, 개구부도 단차를 갖게 된다. 따라서, 제1 수지부(310)는 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220) 사이의 개구부의 형상에 따라 채워지므로, 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220)와 제1 수지부(310)와의 접촉면적이 증가한다. 따라서, 리드 프레임(200)과 제1 수지부(310)와의 밀착성을 증가시킬 수 있다. 또한, 리드 프레임(200)과 제1 수지부(310)가 단차를 가진 형태로 결합하므로, 리드 프레임(200)의 하부로부터 수분이나 이물질 등의 침투를 방지하는 성능이 증가한다.In addition, as shown in FIGS. 2 and 3, since the lead frame 200 of the light emitting device package 1 is a thick copper frame, the degree of freedom in shape is high. Accordingly, a step can be formed in the lead frame 200, and the opening has a step. Therefore, since the first resin part 310 is filled according to the shape of the opening between the first frame 210 and the second frame 220, the first frame 210 and the second frame 220 and the first number The contact area with the branch 310 is increased. Accordingly, it is possible to increase the adhesion between the lead frame 200 and the first resin part 310. In addition, since the lead frame 200 and the first resin portion 310 are coupled to each other in a form having a step, the performance of preventing penetration of moisture or foreign matter from the lower portion of the lead frame 200 is increased.

도 6는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 저면 사시도이다.6 is a bottom perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.

도 1 내지 도 6을 참고하면, 리드 프레임(200)의 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220) 사이에는 제1 수지부(310)가 배치된다. 제1 수지부(310)의 길이방향 양단부(310a)는 제1 프레임(210)을 향하여 폭방향으로 연장되게 형성되어, 제1 프레임(210)의 길이 방향 양단부의 일부가 제1 수지부(310)에 의해 매몰될 수 있다. 따라서, 제1 프레임(210)의 외부로 돌출된 단자와 제1 수지부(310) 사이의 틈이 제거되어, 제1 프레임(210)에 발광 소자(100)를 실장할 때 발생할 수 있는 이물질 등이 발광 소자 패키지(1) 내부로 침투하여 와이어 또는 전극 등을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.1 to 6, a first resin part 310 is disposed between the first frame 210 and the second frame 220 of the lead frame 200. Both ends 310a in the longitudinal direction of the first resin part 310 are formed to extend in the width direction toward the first frame 210, so that a part of both ends in the length direction of the first frame 210 is formed of the first resin part 310 ) Can be buried. Therefore, the gap between the terminal protruding to the outside of the first frame 210 and the first resin part 310 is removed, such as foreign matter that may occur when the light emitting device 100 is mounted on the first frame 210 It is possible to prevent contamination of wires or electrodes by penetrating into the light emitting device package 1.

한편, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 중 발광 소자 패키지(1)의 외부로 노출된 부분은 발광 소자 패키지(1)의 단자로 기능할 수 있다. 또한, 이 부분은 TC(Thermal Calculator)로 기능할 수도 있다. Meanwhile, a portion of the first frame 210 and the second frame 220 exposed to the outside of the light emitting device package 1 may function as a terminal of the light emitting device package 1. In addition, this part can also function as a TC (Thermal Calculator).

도 7은 실시예에 따른 리드 프레임이 제거된 리드 프레임 원형의 사시도이다. 7 is a perspective view of a lead frame prototype from which the lead frame according to the embodiment is removed.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 리드 프레임 원형(400)은 제1 프레임(210), 제2 프레임(220)을 포함하고, 외곽 프레임(410)를 포함할 수 있다. 제1 프레임(210), 제2 프레임(220) 및 외곽 프레임(410) 사이에는 각각 개구부가 형성될 수 있고, 각각의 개구부에는 수지가 채워질 수 있다.5 to 7, the lead frame prototype 400 may include a first frame 210 and a second frame 220, and may include an outer frame 410. An opening may be formed between the first frame 210, the second frame 220, and the outer frame 410, respectively, and each opening may be filled with resin.

도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 수지부(320)의 외측의 상부에는 오목부(320b)가 형성될 수 있다. 리드 프레임 원형(400)은 외곽 프레임(410)에 오목부(320b)에 대응되게 형성된 볼록부(410a)를 포함할 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)가 리드 프레임 원형(400)에 결합되어 있을 때, 볼록부(410a)는 오목부(320b)에 끼워지고, 오목부(320b)의 상부의 걸림턱에 걸림된다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)으로부터 아래쪽으로는 움직임 구속된다. 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)의 윗쪽으로만 분리가 가능하다. 따라서, 발과 소자 패키지(1) 보관 및 운반이 용이하다. As shown in FIGS. 1 to 7, a concave portion 320b may be formed on an outer upper portion of the second resin portion 320. The lead frame prototype 400 may include a convex portion 410a formed in the outer frame 410 to correspond to the concave portion 320b. Accordingly, when the light emitting device package 1 is coupled to the lead frame prototype 400, the convex portion 410a is fitted into the concave portion 320b, and is caught by the locking protrusion on the upper portion of the concave portion 320b. Accordingly, the light emitting device package 1 is motion-constrained downward from the lead frame prototype 400. The light emitting device package 1 can be separated only above the lead frame prototype 400. Therefore, it is easy to store and transport the foot and device package 1.

또한, 리드 프레임 원형(400)은 두껍기 때문에 발광 소자 패키지(1) 외측의 제2 수지부(320)와의 마찰력이 크다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)과 접착재를 사용하지 않고 고정될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 발광 소자 패캐지(1)는 접착재를 사용하지 않고 리드 프레임 원형(400)에 고정되므로, 이물질이 발생되지 않는다.In addition, since the lead frame prototype 400 is thick, the frictional force with the second resin part 320 outside the light emitting device package 1 is high. Accordingly, the light emitting device package 1 can be fixed to the lead frame prototype 400 without using an adhesive. Therefore, since the light emitting device package 1 according to the embodiment is fixed to the lead frame prototype 400 without using an adhesive material, foreign matter is not generated.

도 8은 리드 프레임 원형에 발광 소자가 실장되지 않은 발광 소자 패키지가 결합된 상태를 보여주는 사시도이다.8 is a perspective view showing a state in which a light emitting device package in which a light emitting device is not mounted is coupled to a circular lead frame.

도 1 및 도 8을 참조하면, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)의 리드 프레임(200) 상에 배치된다. 수지가 리드 프레임(200) 상에 몰딩되어 수지부(300)가 형성되면, 리드 프레임(200)상에 발광 소자(1)를 실장한다.1 and 8, the light emitting device package 1 is disposed on the lead frame 200 of the lead frame prototype 400. When the resin is molded on the lead frame 200 to form the resin part 300, the light emitting element 1 is mounted on the lead frame 200.

이 때, 리드 프레임 원형(400)은 두 개의 발광 소자 패키지(1)가 장착되도록 2개의 리드 프레임(200)를 포함할 수 있다.In this case, the lead frame prototype 400 may include two lead frames 200 so that the two light emitting device packages 1 are mounted.

도 9는 양산이 가능한 발광 소자 패키지의 구조를 나타내는 사시도이다.9 is a perspective view showing the structure of a light emitting device package capable of mass production.

도 9를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(1)는 2열로 연장되는 형태로 금형에 의하여 양산될 수 있다. 따라서, 발광 소자 소자 패키지(1)를 금형을 통해 양산가능하므로, 비용을 절감시킬 수 있다.Referring to FIG. 9, the light emitting device package 1 according to the embodiment may be mass-produced by a mold in a form extending in two rows. Therefore, since the light emitting device package 1 can be mass-produced through a mold, cost can be reduced.

본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 발광칩이 가시광선을 방출하는 LED인 경우에는, 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 실내외의 각종 액정표시장치, 전광판, 가로등, 등의 조명 장치에 이용될 수 있다. 한편, 발광 소자 패키지의 발광칩이 심자외선을 방출하는 DUV LED인 경우에는, 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 살균이나 정화를 위한 가습기나 정수기에 이용될 수 있다.In the case where the light emitting device package according to the embodiment of the present invention is an LED emitting visible light, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention includes lighting such as indoor and outdoor various liquid crystal displays, electric signboards, street lights, etc. Can be used in devices. Meanwhile, when the light emitting chip of the light emitting device package is a DUV LED emitting deep ultraviolet rays, the light emitting device package according to an embodiment of the present invention may be used in a humidifier or water purifier for sterilization or purification.

이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention pertains will not be exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each constituent element specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

1: 발광 소자 패키지
100: 발광 소자
110: 발광칩
120: 서브 마운트
130: 와이어
140: 리플렉터
150: 렌즈 가이드부
160: 플레이트 가이드부
200: 리드 프레임
210: 제1 프레임
210a: 오목부
220: 제2 프레임
220a: 볼록부
300: 수지부
310: 제1 수지부
310a: 양단부
320: 제2 수지부
320a: 홈부
320b: 오목부
321: 벽부
322: 돌출부
323: 삽입부
400: 리드 프레임 원형
410: 외곽 프레임
410a: 볼록부
420: 개구부1: light emitting device package
100: light emitting element
110: light-emitting chip
120: sub mount
130: wire
140: reflector
150: lens guide part
160: plate guide part
200: lead frame
210: first frame
210a: recess
220: second frame
220a: convex portion
300: resin part
310: first resin part
310a: both ends
320: second resin portion
320a: groove
320b: recess
321: wall part
322: protrusion
323: insert
400: lead frame prototype
410: outer frame
410a: convex portion
420: opening

Claims (19)

발광칩 및 발광칩이 탑재되는 서브 마운트(sub mount)를 포함하는 발광 소자;
상기 발광 소자가 실장되는 리드 프레임(lead frame);
상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛을 반사하는 리플렉터(reflector)층;
상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층의 외측을 둘러싸는 수지 패키지; 및
상기 리드 프레임을 탈부착 가능하게 고정하는 리드 프레임 원형(原型);을 포함하고,
상기 리드 프레임 원형은 상기 수지 패키지의 외측과 접하는 외곽 프레임을 포함하고,
상기 수지 패키지의 외측에는 하단에서 상측으로 소정 높이만큼 오목하게 형성된 적어도 하나의 제1 굴곡부가 형성되고,
상기 외곽 프레임의 내측에는 볼록하게 형성되어 상기 제1 굴곡부에 대응하는 적어도 하나의 제2 굴곡부가 형성되고,
상기 제1 굴곡부의 상부가 상기 제2 굴곡부에 걸림되어, 상기 리드 프레임 원형으로부터 상기 수지 패키지의 하향 이동이 제한되는,
발광 소자 패키지.A light emitting device including a light emitting chip and a sub mount on which the light emitting chip is mounted;
A lead frame on which the light emitting device is mounted;
A reflector layer disposed on the lead frame and reflecting light emitted from the light emitting device;
A resin package surrounding an outer side of the lead frame and the reflector layer; And
Including; a lead frame prototype for detachably fixing the lead frame,
The lead frame prototype includes an outer frame in contact with the outside of the resin package,
At least one first bent portion formed to be concave by a predetermined height from the bottom to the top is formed on the outside of the resin package,
At least one second bent portion is formed convexly on the inside of the outer frame and corresponds to the first bent portion,
An upper portion of the first bent portion is engaged with the second bent portion, so that downward movement of the resin package from the lead frame circle is restricted,
Light-emitting device package. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 리드 프레임은, 상기 발광 소자가 실장되는 제1 프레임, 상기 제1 프레임의 양측에 형성되는 제2 프레임, 및 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 형성되는 개구부를 포함하고,
상기 개구부에는 상기 수지 패키지의 적어도 일부가 삽입되고,
상기 제1 프레임은 상기 제2 프레임을 향하여 오목진 오목부를 포함하고,
상기 제2 프레임은 상기 제1 프레임의 오목부에 대응되고, 상기 제1 프레임을 향하여 볼록한 볼록부를 포함하고,
상기 리드 프레임은, 상기 개구부의 형상이 단차를 갖도록 형성되는,
발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The lead frame includes a first frame on which the light emitting device is mounted, a second frame formed on both sides of the first frame, and an opening formed between the first frame and the second frame,
At least a part of the resin package is inserted into the opening,
The first frame includes a concave concave portion toward the second frame,
The second frame corresponds to a concave portion of the first frame and includes a convex portion that is convex toward the first frame,
The lead frame is formed such that the shape of the opening has a step,
Light-emitting device package. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 리플렉터층은 중앙에 개구부가 형성되고,
상기 발광 소자는, 상기 개구부에 대응되는 상기 리드 프레임에 실장되는, 발광 소자 패키지. The method of claim 1,
The reflector layer has an opening formed in the center,
The light-emitting device is mounted on the lead frame corresponding to the opening. 제1항에 있어서,
상기 리플렉터층은, 순 알루미늄으로 이루어지고,
상기 서브 마운트는, 질화 알루미늄(AlN) 또는 실리콘카바이드(SiC)를 포함하고,
상기 리드 프레임은 구리 합금을 포함하고,
상기 리드 프레임의 두께는 0.5 mm 내지 1.5 mm인,
발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The reflector layer is made of pure aluminum,
The sub-mount includes aluminum nitride (AlN) or silicon carbide (SiC),
The lead frame includes a copper alloy,
The thickness of the lead frame is 0.5 mm to 1.5 mm,
Light-emitting device package. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 리플렉터층의 상부에는 렌즈가 배치될 수 있는 렌즈 가이드부가 형성되고,
상기 수지 패키지의 상부에는 플레이트가 배치될 수 있는 플레이트 가이드부가 형성되는,
발광 소자 패키지.

The method of claim 1,
A lens guide portion on which a lens can be disposed is formed on the reflector layer,
A plate guide portion on which a plate may be disposed is formed on the resin package,
Light-emitting device package.
KR1020140034576A 2014-03-25 2014-03-25 Light emitting device package KR102161273B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140034576A KR102161273B1 (en) 2014-03-25 2014-03-25 Light emitting device package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140034576A KR102161273B1 (en) 2014-03-25 2014-03-25 Light emitting device package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150111105A KR20150111105A (en) 2015-10-05
KR102161273B1 true KR102161273B1 (en) 2020-09-29

Family

ID=54344399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140034576A KR102161273B1 (en) 2014-03-25 2014-03-25 Light emitting device package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102161273B1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006201226A (en) * 2005-01-18 2006-08-03 Sharp Corp Optical coupler
JP4008943B2 (en) * 2003-03-10 2007-11-14 豊田合成株式会社 Method for manufacturing solid element device
JP2007300018A (en) 2006-05-02 2007-11-15 Enomoto Co Ltd Led device
JP2008193125A (en) 2008-05-09 2008-08-21 Toyoda Gosei Co Ltd Method of manufacturing light emitting device
JP2013251384A (en) * 2012-05-31 2013-12-12 Seika Sangyo Kk Light emitting device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100575216B1 (en) * 2004-03-05 2006-04-28 럭스피아 주식회사 Package base of led
JP2006049657A (en) * 2004-08-06 2006-02-16 Citizen Electronics Co Ltd Led lamp
TWI471995B (en) * 2008-11-07 2015-02-01 Toppan Printing Co Ltd Lead frame, method for manufacturing the same and light-emitting semiconductor device using the same
TWM400099U (en) * 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof
KR101725221B1 (en) * 2011-01-20 2017-04-11 삼성전자 주식회사 mold structure for light emitting diode pakage

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4008943B2 (en) * 2003-03-10 2007-11-14 豊田合成株式会社 Method for manufacturing solid element device
JP2006201226A (en) * 2005-01-18 2006-08-03 Sharp Corp Optical coupler
JP2007300018A (en) 2006-05-02 2007-11-15 Enomoto Co Ltd Led device
JP2008193125A (en) 2008-05-09 2008-08-21 Toyoda Gosei Co Ltd Method of manufacturing light emitting device
JP2013251384A (en) * 2012-05-31 2013-12-12 Seika Sangyo Kk Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150111105A (en) 2015-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102252156B1 (en) Light emitting device package
CN105655464B (en) Light emitting device package
US9508906B2 (en) Light emitting device package
KR102161272B1 (en) Light emitting device package
KR101916148B1 (en) Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting system
JP6058939B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD
KR20120001189A (en) Light emitting diode package
KR102252114B1 (en) Light emitting device package
KR102161273B1 (en) Light emitting device package
KR102157065B1 (en) Light emitting device package
KR102279211B1 (en) Light emitting device package
KR101976547B1 (en) Light emitting device and lighting system
KR102201199B1 (en) Light emitting device package
KR102205471B1 (en) Light emitting device package
KR20160032429A (en) Light emitting device package
KR102142718B1 (en) Light emitting device and light apparatus having thereof
KR102409180B1 (en) Light emitting device package and lighiting device
KR101896691B1 (en) Light emitting device and lighting system
KR102119746B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR101959756B1 (en) Light emitting device and lightihng device having the same
KR20150140039A (en) Light emitting device
KR20160044186A (en) Light emitting device, light emitting device package having the same, and light system having the same
KR20100028887A (en) Light-emitting diode package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant