KR102409180B1 - Light emitting device package and lighiting device - Google Patents

Light emitting device package and lighiting device Download PDF

Info

Publication number
KR102409180B1
KR102409180B1 KR1020150100432A KR20150100432A KR102409180B1 KR 102409180 B1 KR102409180 B1 KR 102409180B1 KR 1020150100432 A KR1020150100432 A KR 1020150100432A KR 20150100432 A KR20150100432 A KR 20150100432A KR 102409180 B1 KR102409180 B1 KR 102409180B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
cavity
device package
layer
Prior art date
Application number
KR1020150100432A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170009055A (en
Inventor
이선균
Original Assignee
쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 filed Critical 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
Priority to KR1020150100432A priority Critical patent/KR102409180B1/en
Publication of KR20170009055A publication Critical patent/KR20170009055A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102409180B1 publication Critical patent/KR102409180B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

실시 예는 발광 소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.
실시 예의 발광 소자 패키지는 상부가 개방된 캐비티를 갖는 몸체와, 캐비티 내부 바닥면에 실장되는 발광 소자와, 몸체 상에 위치하는상부커버, 및 몸체 내부에 위치하여 발광 소자를 감싸는 보호부재를 포함하고, 보호부재는 반사물질을 포함할 수 있다.The embodiment relates to a light emitting device package and a lighting device.
The light emitting device package of the embodiment includes a body having a cavity with an open top, a light emitting device mounted on a bottom surface inside the cavity, an upper cover positioned on the body, and a protective member positioned inside the body to surround the light emitting device, and , the protective member may include a reflective material.

Description

발광 소자 패키지 및 조명 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHITING DEVICE}Light emitting device package and lighting device

실시 예는 발광 소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package and a lighting device.

발광 소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device (Light Emitting Device) is a p-n junction diode with a characteristic in which electric energy is converted into light energy. It is possible.

GaN 계열의 발광 소자(LED)는 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다. 최근, 고효율 백색 LED의 발광 효율(luminous efficiency)은 통상의 형광램프의 효율보다 우수하여 일반 조명 분야에서도 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있다.GaN-based light emitting devices (LEDs) are being used in various applications such as natural color LED displays, LED traffic signals, and white LEDs. Recently, since the luminous efficiency of a high-efficiency white LED is superior to that of a conventional fluorescent lamp, it is expected to replace the fluorescent lamp in the general lighting field.

일반적인 자외선 파장을 갖는 발광 소자는 몸체의 캐비티 내에 자외선 발광 소자가 실장되고, 발광 소자를 보호하고 자외선 파장을 투과하는 쿼츠(Quartz) 또는 사파이어 또는 글라스 등의 상부커버로 덮는다. 여기서, 상기 상부커버는 접착물질을 이용하여 몸체와 결합된다.In a light emitting device having a general ultraviolet wavelength, the ultraviolet light emitting device is mounted in a cavity of a body, and covered with an upper cover such as quartz, sapphire, or glass that protects the light emitting device and transmits the ultraviolet wavelength. Here, the upper cover is coupled to the body using an adhesive material.

그러나, 일반적인 자외선 파장을 갖는 발광 소자는 몸체와 상부커버의 결합공정에서 발생하는 가스를 포함하는 이물이 발광 소자의 표면에 흡착되어 발광 효율 저하 및 신뢰도 저하 등의 문제가 있었다.However, a light emitting device having a general ultraviolet wavelength has problems such as a decrease in luminous efficiency and a decrease in reliability because foreign substances including gas generated in the bonding process of the body and the upper cover are adsorbed on the surface of the light emitting device.

실시 예는 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting device capable of improving luminous efficiency.

실시 예는 신뢰도를 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting device capable of improving reliability.

실시 예에 의한 발광 소재 패키지는 상부가 개방된 캐비티를 갖는 몸체(230); 상기 캐비티 내부 바닥면에 실장되는 발광 소자(100); 상기 몸체(230) 상에 위치하는 상부커버(210); 및 상기 몸체(230) 내부에 위치하여 상기 발광 소자(100)를 감싸는 보호부재(220)를 포함하고, 상기 보호부재(220)는 반사물질을 포함할 수 있다.The light emitting material package according to the embodiment includes a body 230 having a cavity with an open top; a light emitting device 100 mounted on the inner bottom surface of the cavity; an upper cover 210 positioned on the body 230; and a protective member 220 positioned inside the body 230 to surround the light emitting device 100 , wherein the protective member 220 may include a reflective material.

실시 예에 따른 조명 장치는 상기 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device according to the embodiment may include the light emitting device package.

실시 예의 발광 소자 패키지는 몸체의 캐비티 내에 발광 소자를 감싸는 보호부재가 구비되어 이물로부터 발광 소자를 보호할 수 있다. 즉, 실시 예는 이물에 의한 발광 효율 저하 및 신뢰도 저하를 개선할 수 있다.In the light emitting device package of the embodiment, a protective member surrounding the light emitting device is provided in the cavity of the body to protect the light emitting device from foreign substances. That is, the embodiment can improve the reduction in luminous efficiency and reliability due to foreign matter.

또한, 실시 예는 보호부재 또는 보호부재의 내측면에 반사물질을 포함하여 발광 소자로부터 발광된 광을 반사시켜 몸체의 캐비티 내부에서 손실되는 광을 줄일 수 있다. 즉, 실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the embodiment includes a reflective material on the inner surface of the protective member or the protective member to reflect the light emitted from the light emitting device to reduce the light lost inside the cavity of the body. That is, the embodiment may improve light extraction efficiency.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 보호부재를 도시한 사시도이다.
도 4는 실시 예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device package of FIG. 1 .
FIG. 3 is a perspective view illustrating the protection member of FIG. 1 .
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment.
5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another exemplary embodiment.
6 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 대해서 상세하게 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, a light emitting device and a light emitting device package according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structures are formed “on” or “under” each layer (film), region, pad or pattern of the substrate, When described as being, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. In addition, the reference for the upper / upper or lower of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이고, 도 3은 도 1의 보호부재를 도시한 사시도이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device package of FIG. 1 , and FIG. 3 is a perspective view illustrating the protection member of FIG. 1 .

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 몸체(230), 발광 소자(100) 및 상부커버(210)를 포함할 수 있다.1 to 3 , the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a body 230 , a light emitting device 100 , and an upper cover 210 .

상기 발광 소자(100)는 UV-C 파장 즉, 100nm-280nm 범위의 자외선 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 파장은 이에 한정하지 않으며, 가시광선, 적외선 파장 중 적어도 하나의 파장을 발광할 수도 있다.The light emitting device 100 may emit a UV-C wavelength, that is, an ultraviolet wavelength in the range of 100 nm to 280 nm. The wavelength of the light emitting device 100 is not limited thereto, and at least one wavelength of visible light and infrared light may be emitted.

상기 발광 소자(100)는 서브 프레임(110) 상에 실장되고, 상기 서브 프레임(110)은 상기 몸체(230)와 직접 접촉될 수 있다. 상기 서브 프레임(110)은 방열 기능을 포함할 수 있고, 발광 소자(100)의 전극과 접속되어 패드 기능을 포함할 수 있다.The light emitting device 100 is mounted on the sub-frame 110 , and the sub-frame 110 may be in direct contact with the body 230 . The sub-frame 110 may include a heat dissipation function, and may include a pad function by being connected to an electrode of the light emitting device 100 .

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 발광 소자(100)는 종류에 따라 적어도 하나 이상의 와이어를 통해서 상기 몸체(230)와 전기적으로 접속될 수 있다.Although not shown in the drawings, the light emitting device 100 may be electrically connected to the body 230 through at least one or more wires depending on the type.

상기 몸체(230)는 상부가 개방된 캐비티를 포함하고, 상기 캐비티의 바닥면에 상기 발광 소자(100)가 실장될 수 있다. 즉, 상기 몸체(230)의 캐비티 바닥면에는 상기 발광 소자(100)가 실장된 서브 프레임(110)이 직접 접할 수 있다.The body 230 includes a cavity with an open top, and the light emitting device 100 may be mounted on a bottom surface of the cavity. That is, the sub-frame 110 on which the light emitting device 100 is mounted may be in direct contact with the bottom surface of the cavity of the body 230 .

상기 몸체(230)는 복수의 절연층의 적층 구조로 형성될 수 있다.The body 230 may be formed in a stacked structure of a plurality of insulating layers.

상기 몸체(230)의 재질은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, 또는 AlN일 수 있고, 복수의 세라믹층의 적층 구조를 포함할 수 있다.The material of the body 230 may be SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , or AlN, and a laminate structure of a plurality of ceramic layers may include

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 몸체(230)가 전기 전도성 재질로 형성된 경우, 상기 몸체(230)는 표면에 절연층을 포함할 수 있다. 상기 절연층은 발광 소자(100)의 전극들의 쇼트(Short)를 방지할 수 있다. Although not shown in the drawings, when the body 230 is formed of an electrically conductive material, the body 230 may include an insulating layer on its surface. The insulating layer may prevent short circuiting of the electrodes of the light emitting device 100 .

상기 몸체(230)는 복수의 리드 전극(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 리드 전극은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au) 등을 적어도 하나 포함하는 금속으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 복수의 리드 전극은 도금 방식, 증착 방식, 포토리소그래피 등을 이용하여 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 230 may include a plurality of lead electrodes (not shown). The lead electrode may be formed of a metal including at least one of titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), or the like. In addition, the plurality of lead electrodes may be selectively formed using a plating method, a deposition method, photolithography, or the like, but is not limited thereto.

실시 예의 발광 소자 패키지(200)는 보호부재(220)를 포함할 수 있다. 상기 보호부재(220)는 상기 발광 소자(100)를 감싸는 구조일 수 있다. 상기 보호부재(220)는 외부의 이물로부터 상기 발광 소자(100)를 보호하는 기능을 포함할 수 있다. 상기 보호부재(220)는 상기 발광 소자(100)로부터 발광된 광을 상기 상부커버(210) 방향으로 반사시켜 발광 효율을 향상시키는 기능을 포함할 수 있다.The light emitting device package 200 of the embodiment may include a protection member 220 . The protection member 220 may have a structure surrounding the light emitting device 100 . The protection member 220 may include a function of protecting the light emitting device 100 from external foreign matter. The protection member 220 may include a function of improving luminous efficiency by reflecting the light emitted from the light emitting device 100 in the direction of the upper cover 210 .

상기 보호부재(220)는 상부 및 하부가 개방될 수 있고, 복수의 측면(223)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 보호부재(220)는 상부 및 하부가 개방된 원통 구조일 수 있고, 적어도 3 이상의 측면을 갖는 삼각 기둥 또는 다각 기둥 구조일 수 있다.The protective member 220 may have upper and lower portions open, and may include a plurality of side surfaces 223 , but is not limited thereto. That is, the protective member 220 may have a cylindrical structure with open upper and lower portions, and may have a triangular or polygonal columnar structure having at least three or more side surfaces.

상기 복수의 측면(223)은 상기 캐비티의 바닥면으로부터 경사진 구조일 수 있다. 상기 복수의 측면(223)의 폭은 상부방향으로 갈수록 커질 수 있다. 즉, 상기 복수의 측면(223)은 상기 발광 소자(100)로부터 발광된 광을 상기 상부커버(210) 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 복수의 측면(223)은 상기 상부커버(210)와 직접 접하는 상단부(222)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 측면(223)은 상기 서브 프레임(240)과 직접 접하는 하단부(224)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 서브 프레임(240)은 상기 하단부(224)를 수용하는 정렬 홈(241)을 포함한다. 상기 정렬 홈(241)은 상기 보호부재(220)를 몸체(230)의 캐비티 내에서 정렬시킬 수 있다. 상기 정렬 홈(241)은 상기 서브 프레임(240)의 상부면 가장자리를 따라 상기 하단부(224) 전체가 수용되도록 끊어짐 없이 형성될 수 있다.The plurality of side surfaces 223 may have a structure inclined from the bottom surface of the cavity. The width of the plurality of side surfaces 223 may increase in an upward direction. That is, the plurality of side surfaces 223 may reflect the light emitted from the light emitting device 100 in the direction of the upper cover 210 . The plurality of side surfaces 223 may include an upper end 222 in direct contact with the upper cover 210 . The plurality of side surfaces 223 may include a lower end 224 in direct contact with the sub-frame 240 . Here, the sub-frame 240 includes an alignment groove 241 for accommodating the lower end 224 . The alignment groove 241 may align the protection member 220 in the cavity of the body 230 . The alignment groove 241 may be formed along the edge of the upper surface of the sub-frame 240 without being interrupted so that the entire lower end 224 is accommodated.

상기 보호부재(220)는 단층 또는 다층 구조일 수 있고, 반사물질을 포함할 수 있다. 상기 반사물질은 상기 보호부재(220)의 내측면에 배치될 수 있다. 예컨대 상기 반사물질은 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The protective member 220 may have a single-layer or multi-layer structure, and may include a reflective material. The reflective material may be disposed on the inner surface of the protective member 220 . For example, the reflective material may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, and Ta and an optional alloy.

상기 상부커버(210)는 쿼츠(SiO2), 사파이어(Al2O3), 글라스(Glass) 등을 포함할 수 있다. 상기 상부커버(210)는 상기 몸체(230)의 상부면과 직접접할 수 있다. 상기 상부커버(210)의 하부면에는 보상필름(211)이 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 상부커버(210)는 상기 보호부재(220)의 상단부(222)와 직접 접할 수 있다.The upper cover 210 may include quartz (SiO 2 ), sapphire (Al 2 O 3 ), glass, or the like. The upper cover 210 may be in direct contact with the upper surface of the body 230 . A compensation film 211 may be positioned on the lower surface of the upper cover 210, but is not limited thereto. That is, the upper cover 210 may be in direct contact with the upper end 222 of the protective member 220 .

상기 보상필름(211)은 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 광을 손실없이 상부커버(210)로 전달하는 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 보상필름(211)은 MgF를 포함할 수 있다.The compensation film 211 may include a function of transmitting the ultraviolet light from the light emitting device 100 to the upper cover 210 without loss. For example, the compensation film 211 may include MgF.

도면에는 도시되지 않았지만, 실시 예의 발광 소자 패키지(200)는 상기 상부커버(210)와 상기 몸체(230)가 접하는 영역에 상기 상부커버(210)와 상기 몸체(230)를 결합하는 접착제(미도시)를 포함할 수 있다.Although not shown in the drawings, the light emitting device package 200 of the embodiment is an adhesive (not shown) for bonding the upper cover 210 and the body 230 to the area in which the upper cover 210 and the body 230 contact each other. ) may be included.

실시 예의 발광 소자 패키지(200)는 몸체(230)의 캐비티 내에 발광 소자(100)를 감싸는 보호부재(220)가 구비되어 이물로부터 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 즉, 실시 예는 이물에 의한 발광 효율 저하 및 신뢰도 저하를 개선할 수 있다.In the light emitting device package 200 of the embodiment, a protective member 220 surrounding the light emitting device 100 is provided in the cavity of the body 230 to protect the light emitting device 100 from foreign matter. That is, the embodiment can improve the reduction in luminous efficiency and reliability due to foreign matter.

또한, 실시 예는 상기 보호부재(220) 또는 상기 보호부재(220)의 내측면에 반사물질을 포함하여 상기 발광 소자(100)로부터 발광된 광을 반사시켜 몸체(230)의 캐비티 내부에서 손실되는 광을 줄일 수 있다. 즉, 실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, the protective member 220 or the inner surface of the protective member 220 includes a reflective material to reflect the light emitted from the light emitting device 100 to be lost inside the cavity of the body 230 . light can be reduced. That is, the embodiment may improve light extraction efficiency.

실시 예의 발광 소자(100)는 플립칩 타입, 수직 타입 등일 수 있다. 실시 예의 발광소자(100)는 도 4 및 도 5를 참조하여 설명하도록 한다.The light emitting device 100 of the embodiment may be a flip chip type, a vertical type, or the like. The light emitting device 100 of the embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5 .

도 4는 실시 예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment.

도 4를 참조하면, 실시 예의 발광 소자(100)는 플립칩 타입일 수 있다.Referring to FIG. 4 , the light emitting device 100 according to the embodiment may be a flip chip type.

상기 발광 소자(100)는 발광구조물(110)을 포함할 수 있다. 상기 발광구조물(110)은 제1 도전형 반도체층(112), 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 위치한 활성층(114) 및 상기 활성층(114) 아래에 위치한 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다.The light emitting device 100 may include a light emitting structure 110 . The light emitting structure 110 includes a first conductivity type semiconductor layer 112 , an active layer 114 located on the first conductivity type semiconductor layer 112 , and a second conductivity type semiconductor layer ( 116) may be included.

상기 제1 도전형 반도체층(112)은 반도체 화합물, 예컨대 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first conductivity-type semiconductor layer 112 may be implemented with a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group III-5 or Group II-6, and may be doped with a first conductivity-type dopant. When the first conductivity-type semiconductor layer 112 is an n-type semiconductor layer, the n-type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te, but is not limited thereto.

상기 활성층(114)은 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 형성될 수 있다. 상기 활성층(114)은 상기 활성층(114)은 양자우물(미도시)과 양자벽(미도시)을 포함할 수 있다.The active layer 114 may be formed on the first conductivity-type semiconductor layer 112 . The active layer 114 may include a quantum well (not shown) and a quantum wall (not shown).

상기 제2 도전형 반도체층(116)은 상기 활성층(114)상에 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 반도체 화합물, 예컨대 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second conductivity type semiconductor layer 116 may be formed on the active layer 114 . The second conductivity-type semiconductor layer 116 may be implemented with a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group III-5, Group II-6, and may be doped with a second conductivity-type dopant. When the second conductivity-type semiconductor layer 116 is a p-type semiconductor layer, the p-type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like, but is not limited thereto.

상기 발광구조물(110)은 기판(105) 상에 형성될 수 있다. 상기 기판(105)은 상기 기판(105)은 열전도성이 뛰어난 물질일 수 있다. 상기 기판(105)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 기판(105)은 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 상기 기판(105)은 요철구조(106)를 포함할 수 있다. The light emitting structure 110 may be formed on the substrate 105 . The substrate 105 may be formed of a material having excellent thermal conductivity. The substrate 105 may be formed in a single layer or in multiple layers. The substrate 105 may be a conductive substrate or an insulating substrate. The substrate 105 may include an uneven structure 106 .

상기 발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(112) 상에 위치한 제1 전극(132) 및 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 위치한 제2 전극(133)을 포함할 수 있다. The light emitting device 100 may include a first electrode 132 positioned on the first conductivity-type semiconductor layer 112 and a second electrode 133 positioned on the second conductivity-type semiconductor layer 116 . .

상기 제1 전극(132)은 상기 활성층(114) 및 상기 제2 도전형 반도체층(116)의 일부가 제거되어 노출된 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(132)은 상기 제1 도전형 반도체층(112)과 직접 접촉할 수 있다. The first electrode 132 may be formed on the first conductivity-type semiconductor layer 112 exposed by removing portions of the active layer 114 and the second conductivity-type semiconductor layer 116 . The first electrode 132 may directly contact the first conductivity-type semiconductor layer 112 .

상기 제2 전극(133)은 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 형성될 수 있다.The second electrode 133 may be formed on the second conductivity-type semiconductor layer 116 .

상기 제1 및 제2 전극(132, 133)은 반사층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극(132, 133)은 반사성이 우수하고, 전기적인 접촉이 우수한 물질로 형성될 수 있다. The first and second electrodes 132 and 133 may include a reflective layer. The first and second electrodes 132 and 133 may be formed of a material having excellent reflectivity and excellent electrical contact.

상기 발광소자(100)는 제2 도전형 반도체층(116) 상에 오믹층(131)을 포함할 수 있다. 상기 오믹층(131)은 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 오믹층(131)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 상기 제2 전극(133) 사이에 위치할 수 있다. 상기 오믹층(131)은 효율적인 캐리어 주입을 위해 단일 금속, 금속 합금, 금속 산화물 등일 수 있고, 적어도 하나 이상의 복수의 층이 적층될 수 있다. The light emitting device 100 may include an ohmic layer 131 on the second conductivity type semiconductor layer 116 . The ohmic layer 131 may directly contact the upper surface of the second conductivity-type semiconductor layer 116 . The ohmic layer 131 may be positioned between the second conductivity-type semiconductor layer 116 and the second electrode 133 . The ohmic layer 131 may be a single metal, a metal alloy, a metal oxide, etc. for efficient carrier injection, and at least one or more layers may be stacked.

상기 발광소자(100)는 상기 발광구조물(110)을 감싸는 제1 절연층(141) 및 제2 절연층(143)을 포함한다. 상기 제1 및 2 절연층(141, 143)은 산화물, 질화물, 불화물, 황화물 등 절연물질 또는 절연성 수지를 포함할 수 있다.The light emitting device 100 includes a first insulating layer 141 and a second insulating layer 143 surrounding the light emitting structure 110 . The first and second insulating layers 141 and 143 may include an insulating material such as oxide, nitride, fluoride, or sulfide, or an insulating resin.

상기 발광소자(100)는 상기 제2 절연층(143) 상에 제1 및 제2 전극패드(151, 153)를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극패드(151)는 상기 제2 절연층(143) 상에 형성될 수 있고, 상기 제1 전극(132)이 노출된 영역에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극패드(151)는 상기 제2 절연층(143)으로부터 노출된 상기 제1 전극(132)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 전극패드(153)는 상기 제2 절연층(143) 상에 형성될 수 있고, 상기 제2 전극(133)이 노출된 영역에 형성될 수 있다. 상기 제2 전극패드(153)는 상기 제2 절연층(133)으로부터 노출된 상기 제2 전극(133)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극패드(151, 153)는 일정 간격 이격될 수 있다.The light emitting device 100 may include first and second electrode pads 151 and 153 on the second insulating layer 143 . The first electrode pad 151 may be formed on the second insulating layer 143 , and may be formed in a region where the first electrode 132 is exposed. The first electrode pad 151 may be electrically connected to the first electrode 132 exposed from the second insulating layer 143 . The second electrode pad 153 may be formed on the second insulating layer 143 , and may be formed in a region where the second electrode 133 is exposed. The second electrode pad 153 may be electrically connected to the second electrode 133 exposed from the second insulating layer 133 . The first and second electrode pads 151 and 153 may be spaced apart from each other by a predetermined interval.

도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another exemplary embodiment.

도 5를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 발광 소자(101)는 수직 타입일 수 있다Referring to FIG. 5 , the light emitting device 101 according to another embodiment may be of a vertical type.

다른 실시 예에 따른 발광소자(101)는 발광구조물(110)을 포함할 수 있다.The light emitting device 101 according to another embodiment may include the light emitting structure 110 .

상기 발광구조물(110)은 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 110 may include a first conductivity type semiconductor layer 112 , an active layer 114 , and a second conductivity type semiconductor layer 116 .

상기 제1 도전형 반도체층(112)는 상기 활성층(114) 상부에 위치하고, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 상기 활성층(114) 하부에 위치할 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 112 may be located on the active layer 114 , and the second conductivity type semiconductor layer 116 may be located below the active layer 114 .

실시 예의 자외선 발광소자(114)는 상기 제1 도전형 반도체층(114) 상부에 위치한 제1 전극(150)을 포함할 수 있다.The ultraviolet light emitting device 114 of the embodiment may include a first electrode 150 positioned on the first conductivity-type semiconductor layer 114 .

실시 예의 자외선 발광소자(100)는 발광구조물(110) 아래에 전류 블록킹층(161), 채널층(163) 및 제2 전극(170)을 포함할 수 있다.The ultraviolet light emitting device 100 of the embodiment may include a current blocking layer 161 , a channel layer 163 , and a second electrode 170 under the light emitting structure 110 .

상기 제2 전극(170)은 컨택층(165), 반사층(167), 및 본딩층(169)을 포함할 수 있다.The second electrode 170 may include a contact layer 165 , a reflective layer 167 , and a bonding layer 169 .

도 6은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 도시한 사시도이다.6 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the lighting device according to the embodiment may include a cover 2100 , a light source module 2200 , a heat sink 2400 , a power supply unit 2600 , an inner case 2700 , and a socket 2800 . can In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500 . The light source module 2200 may include a light emitting device package according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape with a hollow inside and an open part. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200 . For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite the light provided from the light source module 2200 . The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat sink 2400 . The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the heat sink 2400 .

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 2100 . The milky white paint may include a diffusing material for diffusing light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100 . This is so that light from the light source module 2200 is sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent or opaque so that the light source module 2200 can be seen from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the heat sink 2400 . Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400 . The light source module 2200 may include a light source unit 2210 , a connection plate 2230 , and a connector 2250 .

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat sink 2400 , and has guide grooves 2310 into which a plurality of light source units 2210 and a connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the board and connector 2250 of the light source unit 2210 .

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light reflected on the inner surface of the cover 2100 and returned to the light source module 2200 in the direction of the cover 2100 again. Accordingly, the light efficiency of the lighting device according to the embodiment may be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of, for example, an insulating material. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the heat sink 2400 and the connection plate 2230 . The member 2300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the heat sink 2400 . The heat sink 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 and radiates heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다. The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating part 2710 of the inner case 2700 . Accordingly, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510 . The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module 2200 . The power supply unit 2600 is accommodated in the receiving groove 2719 of the inner case 2700 , and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500 . The power supply unit 2600 may include a protrusion part 2610 , a guide part 2630 , a base 2650 , and an extension part 2670 .

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650 . The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500 . A plurality of components may be disposed on one surface of the base 2650 . A plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source module 2200 , and ESD for protecting the light source module 2200 . (ElectroStatic discharge) may include a protection device, but is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650 . The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension portion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700 . Each end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the extension part 2670 , and the other end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the socket 2800 . .

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the embodiment, and those of ordinary skill in the art to which the embodiment belongs are provided with several examples not illustrated above in the range that does not deviate from the essential characteristics of the embodiment. It can be seen that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

210: 상부커버 220: 보호부재
230: 몸체 210: upper cover 220: protection member
230: body

Claims (8)

상부가 개방된 캐비티를 갖는 몸체;
상기 캐비티 내부 바닥면에 배치된 서브 프레임;
상기 서브 프레임에 실장된 발광 소자;
상기 몸체 상에 위치하는 상부커버; 및
상기 몸체 내부에 위치하여 상기 발광 소자를 감싸며 반사 물질을 포함하는 보호부재를 포함하고,
상기 보호부재는 상부 및 하부가 개방되고, 상기 캐비티 내부 바닥면으로부터 경사진 측면을 포함하고,
상기 보호부재의 측면 사이의 폭은 상기 캐비티 내부 바닥면에서 상부 방향으로 갈수록 커지고,
상기 서브 프레임의 상부면은 상기 보호부재를 정렬하는 정렬 홈을 포함하는 발광 소자 패키지.a body having a cavity with an open top;
a sub frame disposed on a bottom surface of the cavity;
a light emitting device mounted on the sub-frame;
an upper cover positioned on the body; and
and a protective member positioned inside the body to surround the light emitting element and including a reflective material,
The protection member has upper and lower open sides, and includes a side inclined from the inner bottom surface of the cavity,
The width between the side surfaces of the protective member increases from the inner bottom surface of the cavity to the upper direction,
The upper surface of the sub-frame includes an alignment groove for aligning the protection member. 제1 항에 있어서,
상기 상부커버의 하부면 상에 배치되는 보상필름을 포함하는 발광 소자 패키지.According to claim 1,
A light emitting device package including a compensation film disposed on a lower surface of the upper cover. 제1 항에 있어서,
상기 보호부재는 상부 및 하부가 개방된 원통 구조이거나,
상기 캐비티 내부 바닥면으로부터 경사진 적어도 3개의 측면들을 포함하는 다각 기둥 구조인 발광 소자 패키지.According to claim 1,
The protection member has a cylindrical structure with an open top and a bottom,
A light emitting device package having a polygonal pillar structure including at least three side surfaces inclined from a bottom surface of the cavity. 제1 항에 있어서,
상기 보호부재는 상기 상부커버의 하부면과 직접 접촉하는 상단부를 포함하는 발광 소자 패키지.According to claim 1,
The protection member is a light emitting device package including an upper end in direct contact with the lower surface of the upper cover. 삭제delete 제1 내지 제4 항 중 어느 하나의 발광 소자 패키지를 포함하는 조명장치.A lighting device comprising the light emitting device package of any one of claims 1 to 4. 삭제delete 삭제delete
KR1020150100432A 2015-07-15 2015-07-15 Light emitting device package and lighiting device KR102409180B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150100432A KR102409180B1 (en) 2015-07-15 2015-07-15 Light emitting device package and lighiting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150100432A KR102409180B1 (en) 2015-07-15 2015-07-15 Light emitting device package and lighiting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170009055A KR20170009055A (en) 2017-01-25
KR102409180B1 true KR102409180B1 (en) 2022-06-15

Family

ID=57990994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150100432A KR102409180B1 (en) 2015-07-15 2015-07-15 Light emitting device package and lighiting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102409180B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101058556B1 (en) * 2009-05-08 2011-08-23 주식회사 미광전자 Light Emitting Diode Package
JP2013093583A (en) * 2011-10-26 2013-05-16 Lg Innotek Co Ltd Light source module and lighting apparatus having the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101058556B1 (en) * 2009-05-08 2011-08-23 주식회사 미광전자 Light Emitting Diode Package
JP2013093583A (en) * 2011-10-26 2013-05-16 Lg Innotek Co Ltd Light source module and lighting apparatus having the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170009055A (en) 2017-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101997243B1 (en) Light emtting device and lighting system
US10217918B2 (en) Light-emitting element package
US20130299854A1 (en) Light emitting device, method of fabricating the same and lighting system
KR102080778B1 (en) Light emitting device package
KR102558280B1 (en) Light source unit and light unit having thereof
KR20140091857A (en) Light emitting device and light apparatus having thereof
KR20190025457A (en) Light emitting device package and light source unit
KR20190001188A (en) Light emitting device package and light unit
KR20180131336A (en) Light emitting device package and light unit
US10693049B2 (en) Light emitting device package and lighting system comprising same
KR20150041344A (en) Light emitting Device, and package including the deivce
US11335843B2 (en) Semiconductor device package
KR20140062945A (en) Light emitting device
KR102075749B1 (en) Light emitting device package
KR102131345B1 (en) Light emitting device
KR102140273B1 (en) Light emitting device and light emitting device package including the same
KR101926531B1 (en) Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting system
KR102409180B1 (en) Light emitting device package and lighiting device
KR101976547B1 (en) Light emitting device and lighting system
KR101926536B1 (en) Light emitting device
KR20200134465A (en) Light emitting device package, lighting device and method of manufacturing the same
KR102119817B1 (en) Light emitting device
KR20150054357A (en) Light emitting device and package including the device
KR102142718B1 (en) Light emitting device and light apparatus having thereof
KR20190034043A (en) Light emitting device package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right