KR102075749B1 - Light emitting device package - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 InGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
실시예는 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상면에 형성된 홈; 및 본딩패드를 구비하며 상기 패키지 몸체 상에 배치되는 발광소자;를 포함하고, 상기 발광소자의 본딩패드의 적어도 일부는 상기 홈 내부에 위치할 수 있다.Embodiments relate to a light emitting device package and an illumination system.
The light emitting device package according to the embodiment includes a package body; A groove formed on an upper surface of the package body; And a light emitting device having a bonding pad and disposed on the package body, wherein at least a portion of the bonding pad of the light emitting device may be located inside the groove.
Description
실시예는 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package and an illumination system.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.Light Emitting Device is a pn junction diode that converts electrical energy into light energy, and can be made of compound semiconductors such as group III and group V on the periodic table. It is possible.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 밴드갭 에너지에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다.When the forward voltage is applied, the n-layer electrons and the p-layer holes combine to emit energy corresponding to the bandgap energy of the conduction band and the valence band. Is mainly emitted in the form of heat or light, and emits light in the form of light emitting elements.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, blue light emitting devices, green light emitting devices, and ultraviolet light emitting devices using nitride semiconductors are commercially used and widely used.
종래기술에 의한 발광소자 패키지 기술 중에 플립칩(flip chip)의 패키지 구조가 있다.There is a package structure of a flip chip in the light emitting device package technology according to the prior art.
그런데, 종래기술의 플립칩 패키지 구조는 본딩 패드(Boding Pad)의 단면적 부분만이 패키지 서브마운트(Sub-mount)와 접촉되어 열 방출이 용이하지 않은 단점이 있다.However, the flip chip package structure of the related art has a disadvantage in that heat dissipation is not easy because only the cross-sectional area of the bonding pad is in contact with the package sub-mount.
또한, 종래기술에 의하면 플립칩 패키지 구조의 서브마운트와의 접촉력이 낮아 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.In addition, according to the prior art, there is a problem in that the contact force with the submount of the flip chip package structure is low, thereby lowering reliability.
실시예는 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 넓힘으로써 열 방출 효율을 극대화시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device package and a lighting system capable of maximizing heat dissipation efficiency by widening an area where a bonding pad and a package body contact each other.
또한, 실시예는 발광소자의 접촉력을 향상시켜 신뢰성이 증대될 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a light emitting device package and lighting system that can be improved by improving the contact force of the light emitting device.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상면에 형성된 홈; 및 본딩패드를 구비하며 상기 패키지 몸체 상에 배치되는 발광소자;를 포함하고, 상기 발광소자의 본딩패드의 적어도 일부는 상기 홈 내부에 위치할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment includes a package body; A groove formed on an upper surface of the package body; And a light emitting device having a bonding pad and disposed on the package body, wherein at least a portion of the bonding pad of the light emitting device may be located inside the groove.
또한, 실시예에 따른 조명시스템은 상기 발광소자 패키지를 구비하는 발광유닛을 포함할 수 있다.In addition, the lighting system according to the embodiment may include a light emitting unit having the light emitting device package.
실시예는 발광소자의 본딩패드에 대응되는 영역의 패키지 몸체에 홈을 구비하여 본딩패드를 패키지 몸체 홈 내부에 본딩함으로써 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 현저히 넓힘으로써 열 방출 효율을 극대화시킬 수 있다.The embodiment has a groove in the package body of a region corresponding to the bonding pad of the light emitting device to bond the bonding pad to the inside of the package body groove, thereby significantly increasing the area where the bonding pad and the package body come into contact with each other to maximize heat dissipation efficiency. have.
또한, 실시예에 의하면 본딩패드를 패키지 몸체 홈 내부에 본딩함으로써 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 넓히고, 홈 내벽이 본딩패드를 지지함으로써 발광소자의 접촉력이 크게 향상되어 신뢰성이 증대될 수 있다.In addition, according to the embodiment, by bonding the bonding pad to the inside of the package body groove, the bonding pad and the package body may be contacted with each other, and the groove inner wall may support the bonding pad, thereby greatly improving the contact force of the light emitting device, thereby increasing reliability. .
또한, 실시예에 의하면 발광소자의 본딩패드가 전해도금법을 이용한 100㎛의 두꺼운 두께의 경우 종래구조보다 높은 방열효율과 높은 접착성의 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, when the bonding pad of the light emitting device has a thick thickness of 100 μm using the electroplating method, there is a higher heat dissipation efficiency and higher adhesiveness than the conventional structure.
도 1a는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 1b는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예시 단면도.
도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법 공정 단면도.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 6은 실시예에 따른 조명장치의 분해 사시도.1A is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a first embodiment.
1B is another exemplary cross-sectional view of the light emitting device package according to the first embodiment.
2 to 4 are cross-sectional views of a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.
5 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the second embodiment.
6 is an exploded perspective view of the lighting apparatus according to the embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of an embodiment, each layer (film), region, pattern, or structure is “on / over” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad, or pattern. In the case where it is described as being formed at, "on / over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. do. In addition, the criteria for the above / above or below each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
(실시예)(Example)
도 1a는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 단면도이다.1A is a cross-sectional view of a light
실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 캐비티(C)를 구비하는 패키지 몸체(205)와, 상기 캐비티(C) 바닥면에 형성된 홈(H) 및 본딩패드(120)를 구비하며 상기 캐비티(C) 상에 배치되는 발광소자(100)를 포함할 수 있다.The light
실시예는 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 현저히 넓힘으로써 열 방출 효율을 극대화시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device package and an illumination system capable of maximizing heat dissipation efficiency by significantly widening the contact area between a bonding pad and a package body.
또한, 실시예는 발광소자의 접촉력을 향상시켜 신뢰성이 증대될 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a light emitting device package and lighting system that can be improved by improving the contact force of the light emitting device.
이를 위해 실시예에서 상기 발광소자의 본딩패드(120)는 상기 홈(H) 내부에 배치될 수 있다. 상기 본딩패드(120)는 제1 본딩패드(121)과 제2 본딩패드(122)를 포함할 수 있다.For this purpose, the
또한, 상기 본딩패드(120)의 저면은 상기 캐버티(C) 바닥면보다 낮게 형성될 수 있으며, 상기 홈(H)에 의해 상기 패키지 몸체(205) 저면에 배치되는 전극(210)이 노출될 수 있다.In addition, the bottom surface of the
상기 본딩패드(120)는 상기 홈(H) 내부의 상기 전극(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극(210)은 제1 전극(211)과 제2 전극(212)을 포함할 수 있다.The
이에 다라 상기 제1 전극(211)과 상기 제2 전극(212)은 상기 제1 본딩패드(121)와 상기 제2 본딩패드(122)와 각각 전기적으로 연결될 수 있다.Accordingly, the
또한, 실시예에서 상기 전극(210)은 상기 패키지 몸체(205) 바닥면에서 상측으로 방향으로 돌출된 확장부(211b, 212a)를 구비할 수 있다. 상기 확장부는 돌출부로 칭할수도 있다. 실시예에서 제1 전극(211)과 제2 전극(212)의 측면 확장부를 포함할 수 있다.In addition, in the embodiment, the
한편, 실시예에 의하면 도 1a와 같이, 상기 확장부(211b, 212a)는 전극(210)의 단부를 벤딩하여 형성할 수 있으며, 상측 확장부는 구비하되, 측면 확장부를 구비하지 않을 수 있다.Meanwhile, according to an embodiment, as shown in FIG. 1A, the
상기 전극(210)의 확장부(211b, 212a)는 상기 본딩패드(120)와 상하 간에 오버랩될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극의 확장부(211b)와 상기 제2 전극의 확장부(212a)는 상기 제1 본딩패드(121)와 상기 제2 본딩패드(122)와 각각 상하간에 오버랩될 수 있다.The
실시예에서 상기 전극(210)의 확장부(211b, 212a)의 상면은 상기 캐버티(C) 바닥면보다 낮게 배치되어 상기 본딩패드(120)가 홈(H) 내에 견고하게 고정될 수 있다.In an embodiment, upper surfaces of the
실시예에 의하면 발광소자의 본딩패드에 대응되는 영역의 패키지 몸체에 홈을 구비하여 본딩패드를 패키지 몸체 홈 내부에 본딩함으로써 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 현저히 넓힘으로써 열 방출 효율을 극대화시킬 수 있다.According to the embodiment, a groove is provided in the package body in a region corresponding to the bonding pad of the light emitting device to bond the bonding pad to the inside of the package body groove, thereby significantly increasing the contact area between the bonding pad and the package body to maximize heat dissipation efficiency. Can be.
또한, 실시예에 의하면 본딩패드를 패키지 몸체 홈 내부에 본딩함으로써 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 넓히고, 홈 내벽이 본딩패드를 지지함으로써 발광소자의 접촉력이 크게 향상되어 신뢰성이 증대될 수 있다.In addition, according to the embodiment, by bonding the bonding pad to the inside of the package body groove, the bonding pad and the package body may be contacted with each other, and the groove inner wall may support the bonding pad, thereby greatly improving the contact force of the light emitting device, thereby increasing reliability. .
실시예에서 상기 본딩패드(120)는 상기 홈(H) 내부 측면과 접할 수 있다. 이에 따라 본딩패드(120)의 저면뿐 아니라 측면도 패키지 몸체(205)와 접함으로써 패키지 몸체의 홈 측벽이 본딩패드를 지지함으로써 발광소자의 접촉력이 크게 향상되어 신뢰성이 증대될 수 있다. 아울러, 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 현저히 넓힘으로써 열 방출 효율을 극대화시킬 수 있다.In an embodiment, the
실시예에서 상기 본딩패드(120)는 높이(A)가 100㎛ 이상일 수 있다. 예를 들어, 제1 본딩패드(121)의 높이가 100㎛ 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the
이에 따라 실시예에 의하면 발광소자의 본딩패드가 전해도금법을 이용한 100㎛의 두꺼운 두께의 경우에도 종래구조보다 높은 방열효율과 높은 접착성의 효과가 있다.Accordingly, according to the embodiment, even when the bonding pad of the light emitting device has a thick thickness of 100 μm using the electroplating method, there is a higher heat dissipation efficiency and higher adhesiveness than the conventional structure.
실시예에서 상기 홈(H) 내부에 도전성의 접착물질이 위치할 수 있으며, 도전성 접착물질은 페이스트(미도시) 상태에서 열을 가하여 고화됨과 동시에 발광소자와 전극을 물리적, 전기적으로 결합시키고, 이에 따라서 도전성 및 방열효율을 증대시킬 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, a conductive adhesive material may be located inside the groove H. The conductive adhesive material is solidified by applying heat in a paste (not shown) and simultaneously physically and electrically couples the light emitting device and the electrode. Therefore, the conductivity and heat dissipation efficiency can be increased, but is not limited thereto.
예를 들어, 상기 페이스트(미도시)는 Al, Ti, Cr, Ni, Pt, Au, W, Cu 및 Mo으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금일 수 있으나 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, the paste (not shown) may be one or two or more alloys selected from the group consisting of Al, Ti, Cr, Ni, Pt, Au, W, Cu, and Mo, but is not limited thereto.
실시예는 발광소자의 본딩패드에 대응되는 영역의 패키지 몸체에 홈을 구비하여 본딩패드를 패키지 몸체 홈 내부에 본딩 함으로써 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 현저히 넓혀 열 방출 효율을 극대화시킬 수 있다.According to the embodiment, a groove is provided in the package body in a region corresponding to the bonding pad of the light emitting device, thereby bonding the bonding pad to the inside of the package body groove, thereby significantly widening the contact area between the bonding pad and the package body, thereby maximizing heat dissipation efficiency. .
또한, 실시예에 의하면 본딩패드를 패키지 몸체 홈 내부에 본딩함으로써 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 넓히고, 홈 내벽이 본딩패드를 지지함으로써 발광소자의 접촉력이 크게 향상되어 신뢰성이 증대될 수 있다.In addition, according to the embodiment, by bonding the bonding pad to the inside of the package body groove, the bonding pad and the package body may be contacted with each other, and the groove inner wall may support the bonding pad, thereby greatly improving the contact force of the light emitting device, thereby increasing reliability. .
또한, 실시예에 의하면 발광소자의 본딩패드는 전해도급법을 이용하여 종래구조보다 두꺼운 100㎛의 두께로 형성 함으로써 종래구조보다 높은 방열효율과 높은 접착성을 가지게 된다.In addition, according to the embodiment, the bonding pad of the light emitting device has a thickness of 100 μm thicker than that of the conventional structure by using an electrolytic coating method, and thus has higher heat dissipation efficiency and higher adhesiveness than the conventional structure.
이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 4.
우선, 도 2와 같이 발광소자(100)를 형성한다. 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 발광소자(100)는 수평형 발광소자로서 플립칩형(flip-chip type) 발광 소자일 수 있으나 이에 대해서는 한정하지 않는다.First, the
상기 발광소자(100)는 성장 기판(105), 발광 구조물(110) 및 본딩패드(120)를 포함할 수 있다.The
상기 성장 기판(105)은 상기 발광 구조물(110)을 성장시키는 한편 상기 발광 구조물(110)을 지지하는 역할을 하며, 발광 구조물(110)의 성장에 적합한 물질로 형성될 수 있다. 상기 성장 기판(105)은 상기 발광 구조물(110)의 격자 상수와 유사하고 열적 안정성을 갖는 재질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판, 화합물 반도체 기판 및 절연성 기판 중 하나일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
예를 들어, 상기 성장 기판(105)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP 및 Ge로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다.For example, the
상기 발광소자(100)는 도시되지 않았지만, 상기 성장 기판(105)과 상기 발광 구조물(110) 사이에 형성된 버퍼층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 성장 기판(105)과 상기 발광 구조물(110) 사이의 격자 상수 차이를 완화하여 줄 수 있다. Although not shown, the
상기 발광 구조물(110)은 다수의 화합물 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(110)은 적어도 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 버퍼층, 상기 제1 도전형 반도체층(112), 상기 활성층(114) 및 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질, 즉 AlxInyGa(1-x-y)N(0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1)로 형성될 수 있다. The buffer layer, the first conductivity
예컨대, 상기 버퍼층, 상기 제1 도전형 반도체층(112), 상기 활성층(114) 및 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the buffer layer, the first conductivity
상기 제1 도전형 반도체층(112)은 n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체층일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first
상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se 및 Te 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr 및 Ba 중 적어도 하나를 포함하지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The n-type dopant includes at least one of Si, Ge, Sn, Se, and Te, and the p-type dopant includes, but is not limited to, at least one of Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.
상기 활성층(114)은 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(112, 116) 사이에 형성되어, 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 전자와 상기 제2 도전형 반도체층(116)의 정공의 재결합에 의해 상기 활성층(114)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드갭(Energy Band Gap)에 상응하는 파장을 갖는 빛을 방출할 수 있다. The
상기 활성층(114)은 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(114)은 우물층과 배리어층을 한 주기로 하여 우물층과 배리어층이 반복적으로 형성될 수 있다. 상기 우물층과 배리어층의 반복주기는 발광소자(100)의 특성에 따라 변형 가능하므로, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
상기 활성층(114)은 예를 들면, InGaN/GaN의 주기, InGaN/AlGaN의 주기, InGaN/InGaN의 주기 등으로 형성될 수 있다. 상기 배리어층의 밴드갭은 상기 우물층의 밴드갭보다 크게 형성될 수 있다.The
상기 제1 본딩패드(121)은 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 일부 영역 상에 형성되고, 상기 제2 본딩패드(122)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역 상에 형성될 수 있다.The
상기 제1 및 제2 본딩패드(121, 122) 각각은 예컨대 Al, Ti, Cr, Ni, Pt, Au, W, Cu 및 Mo으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 다층 구조를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Each of the first and
상기 발광구조물(110) 상의 상기 본딩패드(120) 사이에 산화물, 질화물 등의 절연물질로 패시베이션(130)이 형성될 수 있다.The
실시예에서 상기 본딩패드(120)는 높이(A)가 100㎛ 이상일 수 있다. 이에 따라 실시예에 의하면 발광소자의 본딩패드가 전해도금법을 이용한 100㎛의 두꺼운 두께의 경우 종래구조보다 높은 방열효율과 높은 접착성의 효과가 있다.In an embodiment, the
다음으로, 도 3과 같이 캐비티(C)를 구비하는 패키지 몸체(205)를 준비한다.Next, a
상기 패키지 몸체(205)는 상기 발광 소자(100)를 지지하는 역할을 하고 상기 발광 소자(100)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이를 위해, 상기 패키지 몸체(205)에는 상기 제1 및 제2 전극(211, 212)이 형성될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(205)는 지지 강도가 우수하고 방열 성능이 우수한 재질로 형성될 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 상기 패키지 몸체(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 세라믹 재질 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(205)의 상부 영역에는 경사면을 갖고 하부 방향으로 움푹 들어간 캐비티(C)가 형성될 수 있으나, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 즉, 상기 캐비티(C)는 경사진 경사면과 평평한 바닥면을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.A cavity C having an inclined surface and recessed in a lower direction may be formed in an upper region of the
실시예는 상기 캐비티(C) 바닥면에 홈(H)을 형성할 수 있다. 상기 홈(H)은 복수로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 홈(H)은 제1 홈(H1) 및 제2 홈(H2)을 구비할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, a groove H may be formed in the bottom surface of the cavity C. The groove H may be formed in plural. For example, the groove H may include the first groove H1 and the second groove H2, but is not limited thereto.
상기 홈(H)에 의해 상면이 노출되는 전극(210)을 형성할 수 있다. 상기 전극(210)은 제1 전극(211), 제2 전극(212)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.An
또한, 실시예에서 상기 전극(210)은 상기 패키지 몸체(205) 바닥면에서 상측으로 방향으로 확장부(211b, 212a)를 구비할 수 있다.In addition, in an embodiment, the
상기 전극(210)의 확장부(211b, 212a)는 상기 본딩패드(120)와 상하 간에 오버랩될 수 있다. The
실시예에서 상기 전극(210)의 확장부(211b, 212a)의 상면은 상기 캐버티(C) 바닥면보다 낮게 배치되어 상기 본딩패드(120)가 홈(H) 내에 견고하게 고정될 수 있다.In an embodiment, upper surfaces of the
상기 제1 전극(211)및 제2 전극(212)은 서로 전기적으로 분리되며 서로 공간적으로 이격될 수 있다. The
상기 제1 전극(211)및 제2 전극(212)은 상기 패키지 몸체(205)를 관통하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(211) 및 제2 전극(212)은 상기 패키지 몸체(205)의 배면에 형성되는 한편 상기 패키지 몸체(205)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(211) 및 제2 전극(212)은 상기 패키지 몸체(205)를 수직 또는 경사를 가지고 관통하여 형성될 수 있다.The
상기 제1 전극(211) 및 제2 전극(212)은 전기 전도도가 우수하며 내 부식성이 강한 금속 재질, 예컨대 Cu, Al, Cr, Pt, Ni, Ti, Au, W로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 제1 전극(211) 및 제2 전극(212)이 위치된 상태에서 몰딩 주입 공정을 이용하여 패키지 몸체(205)를 형성하는 재질을 주입하여 경화시켜 패키지 몸체(205)를 형성함으로써, 상기 제1 전극(211) 및 제2 전극층(212)이 상기 패키지 몸체(205)에 고정될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.In the state in which the
상기 제1 전극(211) 및 제2 전극층(212)은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
실시예에서 상기 홈(H) 내부에 전도성의 페이스트(미도시)를 이용하여 소성공정을 거쳐 전극(210)과 발광소자를 물리적, 전기적으로 접착함으로써 접촉력, 도전성 및 방열효율을 증대시킬 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the embodiment, by using a conductive paste (not shown) inside the groove H, the
예를 들어, 상기 페이스트(미도시)는 Al, Ti, Cr, Ni, Pt, Au, W, Cu 및 Mo으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금일 수 있으나 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, the paste (not shown) may be one or two or more alloys selected from the group consisting of Al, Ti, Cr, Ni, Pt, Au, W, Cu, and Mo, but is not limited thereto.
다음으로, 도 4와 같이 발광소자(100)를 패키지 몸체(205)에 실장한다. Next, as shown in FIG. 4, the
이때, 실시예에서 상기 발광소자의 본딩패드(120)는 상기 홈(H) 내부에 배치될 수 있다.In this case, the
또한, 상기 본딩패드(120)의 저면은 상기 캐버티(C) 바닥면보다 낮게 위치할 수 있으며, 상기 홈(H)에 의해 상기 패키지 몸체(205) 저면에 배치되는 전극(210)이 노출될 수 있다.In addition, the bottom surface of the
상기 본딩패드(120)는 상기 홈(H) 내부의 상기 전극(210)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
이를 통해, 실시예는 발광소자의 본딩패드에 대응되는 영역의 패키지 몸체에 홈을 구비하여 본딩패드를 패키지 몸체 홈 내부에 본딩함으로써 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 현저히 넓힘으로써 방열 효율을 극대화시킬 수 있다.Accordingly, the embodiment is provided with a groove in the package body of the area corresponding to the bonding pad of the light emitting device to bond the bonding pad to the inside of the package body groove to significantly widen the contact area between the bonding pad and the package body to maximize the heat dissipation efficiency You can.
또한, 실시예에 의하면 본딩패드를 패키지 몸체 홈 내부에 본딩함으로써 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 넓히고, 홈 내벽이 본딩패드를 지지함으로써 발광소자의 접촉력이 크게 향상되어 신뢰성이 증대될 수 있다.In addition, according to the embodiment, by bonding the bonding pad to the inside of the package body groove, the bonding pad and the package body may be contacted with each other, and the groove inner wall may support the bonding pad, thereby greatly improving the contact force of the light emitting device, thereby increasing reliability. .
실시예에서 상기 본딩패드(120)는 상기 홈(H) 내부 측면과 접할 수 있다. 이에 따라 본딩패드(120)의 저면뿐만아니라 측면도 패키지 몸체(205)와 접함으로써 패키지 몸체의 홈 측벽이 본딩패드를 지지함으로써 발광소자의 접촉력이 크게 향상되어 신뢰성이 증대될 수 있다. 아울러, 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 현저히 넓힘으로써 열 방출 효율을 극대화시킬 수 있다.In an embodiment, the
도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지(202)의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of the light emitting
제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.The second embodiment can employ the technical features of the first embodiment.
상기 제2 실시예에서 전극(230)은 상기 패키지 몸체(205)의 측면을 관통할 수 있다.In the second embodiment, the
예를 들어, 상기 전극(230)은 제3 전극(231), 제4 전극(232)을 포함할 수 있고, 제3 전극(231), 제4 전극(232)이 상기 패키지 몸체(205)의 측면을 관통하고 상기 패키지 몸체(205)의 저면을 둘러싸는 형태일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the
제2 실시예에서 본딩패드(120)는 제3 전극(231), 제4 전극(232)과 접할 수 있으며, 본딩패드(120)의 저면보다 제3 전극(231), 제4 전극(232)의 상면이 더 넓어서 본딩패드(120)와의 결합력이 더 견고해질 수 있다.In the second embodiment, the
실시예는 발광소자의 본딩패드에 대응되는 영역의 패키지 몸체에 홈을 구비하여 본딩패드를 패키지 몸체 홈 내부에 본딩함으로써 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 현저히 넓힘으로써 열 방출 효율을 극대화시킬 수 있다.The embodiment has a groove in the package body of a region corresponding to the bonding pad of the light emitting device to bond the bonding pad to the inside of the package body groove, thereby significantly increasing the area where the bonding pad and the package body come into contact with each other to maximize heat dissipation efficiency. have.
또한, 실시예에 의하면 본딩패드를 패키지 몸체 홈 내부에 본딩함으로써 본딩패드와 패키지 몸체가 접촉하는 면적을 넓히고, 홈 내벽이 본딩패드를 지지함으로써 발광소자의 접촉력이 크게 향상되어 신뢰성이 증대될 수 있다.In addition, according to the embodiment, by bonding the bonding pad to the inside of the package body groove, the bonding pad and the package body may be contacted with each other, and the groove inner wall may support the bonding pad, thereby greatly improving the contact force of the light emitting device, thereby increasing reliability. .
또한, 실시예에 의하면 발광소자의 본딩패드가 전해도금법을 이용한 100㎛의 두꺼운 두께의 경우 종래구조보다 높은 방열효율과 높은 접착성의 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, when the bonding pad of the light emitting device has a thick thickness of 100 μm using the electroplating method, there is a higher heat dissipation efficiency and higher adhesiveness than the conventional structure.
도 6은 실시예에 따른 조명시스템의 분해사시도 이다.6 is an exploded perspective view of the lighting system according to the embodiment.
도 6과 같이, 실시예에 따른 조명시스템은 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 본 발명에 따른 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 6, the lighting system according to the embodiment may include a
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.An inner surface of the
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.The
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, but are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be interpreted that the contents related to such a combination and modification are included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although described above with reference to the embodiment, this is merely an example, not to limit the embodiment, those skilled in the art to which the embodiment belongs to various not illustrated above in the range without departing from the essential characteristics of the embodiment It will be appreciated that modifications and applications of the branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to these modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.
캐비티(C), 패키지 몸체(205), 홈(H), 본딩패드(120), 발광소자(100)Cavity C,
Claims (11)
상기 패키지 몸체 상면에 형성된 홈; 및
본딩패드를 구비하며 상기 패키지 몸체 상에 배치되는 발광소자;를 포함하고,
상기 발광소자의 본딩패드의 적어도 일부는 상기 홈 내부에 위치하는 발광소자 패키지.Package body;
A groove formed on an upper surface of the package body; And
And a light emitting device having a bonding pad and disposed on the package body.
At least a portion of the bonding pad of the light emitting device is located inside the groove.
상기 패키지 몸체는 소정의 캐비티를 구비하며,
상기 본딩패드의 저면은 상기 캐비티 바닥면보다 낮게 배치되는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The package body has a predetermined cavity,
The bottom surface of the bonding pad is disposed lower than the cavity bottom surface.
상기 홈에 의해 상기 패키지 몸체 저면에 배치되는 전극이 노출되는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The light emitting device package to expose the electrode disposed on the bottom of the package body by the groove.
상기 본딩패드는
상기 홈 내부의 상기 전극과 전기적으로 연결되는 발광소자 패키지.The method of claim 3, wherein
The bonding pad
A light emitting device package electrically connected to the electrode in the groove.
상기 본딩패드는
상기 홈 내부 측면과 접하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The bonding pad
A light emitting device package in contact with the inner side of the groove.
상기 본딩패드는
높이가 100㎛ 이상인 발광소자 패키지.According to claim 1,
The bonding pad
A light emitting device package having a height of 100 μm or more.
상기 전극은
상기 패키지 몸체 바닥면에서 상측 방향으로 확장부를 구비하는 발광소자 패키지.The method of claim 3, wherein
The electrode
Light emitting device package having an extension in an upward direction from the bottom of the package body.
상기 전극의 확장부는 상기 본딩패드와 상하 간에 오버랩되는 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein
The expansion portion of the electrode overlaps the bonding pad and the upper and lower light emitting device package.
상기 전극의 확장부의 상면은
상기 패키지 몸체 상면보다 낮게 배치되는 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein
The upper surface of the extension of the electrode
The light emitting device package is disposed lower than the upper surface of the package body.
상기 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 전극은 상기 패키지 몸체의 측면을 관통하고 상기 패키지 몸체의 저면을 둘러싸는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The electrode electrically connected to the bonding pad penetrates the side surface of the package body and surrounds the bottom surface of the package body.
상기 패키지 몸체는
상기 패키지 몸체의 가장자리를 둘러싸는 벽부 및 상기 벽부와 상기 패키지 몸체의 저면에 의해서 형성되는 캐비티를 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The package body is
And a cavity formed by a wall portion surrounding an edge of the package body and a bottom surface of the wall portion and the package body.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130094153A KR102075749B1 (en) | 2013-08-08 | 2013-08-08 | Light emitting device package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130094153A KR102075749B1 (en) | 2013-08-08 | 2013-08-08 | Light emitting device package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150017920A KR20150017920A (en) | 2015-02-23 |
KR102075749B1 true KR102075749B1 (en) | 2020-03-02 |
Family
ID=53046532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130094153A KR102075749B1 (en) | 2013-08-08 | 2013-08-08 | Light emitting device package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102075749B1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102473424B1 (en) | 2018-01-03 | 2022-12-02 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light emitting device package |
KR102453886B1 (en) * | 2018-01-12 | 2022-10-11 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light emitting device package and light source unit |
KR102644793B1 (en) * | 2018-04-06 | 2024-03-08 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light emitting device package |
KR102501895B1 (en) * | 2018-05-30 | 2023-02-21 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light emitting device package and light module |
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Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2013
- 2013-08-08 KR KR1020130094153A patent/KR102075749B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150017920A (en) | 2015-02-23 |
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