KR102304643B1 - Light emitting device, light emitting package having the same and light system having the same - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 발광소자는 제1도전형 반도체층과, 상기 제1도전형 반도체층 상에 복수의 관통홀을 구비하는 마스크층과, 상기 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체와, 상기 구조체의 표면을 둘러싸는 활성층과, 상기 활성층의 표면을 둘러싸는 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 포함하고, 상기 제2도전형 반도체층의 표면은 패턴을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a first conductive semiconductor layer, a mask layer having a plurality of through holes on the first conductive semiconductor layer, a rod-shaped structure vertically grown through the through holes, and the A light emitting structure including an active layer surrounding a surface of the structure and a second conductivity type semiconductor layer surrounding the surface of the active layer, wherein the surface of the second conductivity type semiconductor layer includes a pattern.

Description

발광소자, 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING PACKAGE HAVING THE SAME AND LIGHT SYSTEM HAVING THE SAME}A light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system including the same

실시예는 발광소자, 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system including the same.

발광소자(light emitting diode)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting diode is a pn junction diode that converts electric energy into light energy. It can be made of compound semiconductors such as Group III and Group V on the periodic table, and various colors can be realized by adjusting the composition ratio of the compound semiconductor. This is possible.

발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하여 전도대(conduction band)와 가전대(valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하고, 상기 에너지가 빛으로 발산되면 발광소자가 된다.When a forward voltage is applied, the electrons of the n-layer and the holes of the p-layer combine to emit energy corresponding to the energy gap between the conduction band and the valance band, and the energy is emitted as light. It becomes a light emitting device.

질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(blue) 발광소자, 녹색(green) 발광소자, 및 자외선(UV) 발광소자는 상용화되어 널리 사용되고 있다.Nitride semiconductors are receiving great attention in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, a blue light emitting device, a green light emitting device, and an ultraviolet (UV) light emitting device using a nitride semiconductor have been commercialized and widely used.

한편, 질화물 반도체의 결정 내에는 다수의 결정 결함이 존재할 수 있고, 이러한 결정 결함에 의한 발광효율 저하 문제를 해결하기 위해 로드(rod) 구조가 제안되고 있다. 로드 구조의 장점은 결정결함을 최소화하고, 활성층이 껍질층의 형태로 코어(core) 표면을 따라 형성되어 발광표면적이 증가하는 장점이 있다.On the other hand, a plurality of crystal defects may exist in the crystal of the nitride semiconductor, and a rod structure has been proposed in order to solve the problem of lowering luminous efficiency due to the crystal defects. The advantage of the rod structure is that crystal defects are minimized, and the active layer is formed along the surface of the core in the form of a shell layer, so that the light emitting surface area is increased.

실시예는 광추출 효과를 높이기 위한 새로운 구조의 로드 형상의 발광구조물을 포함하는 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.An embodiment is to provide a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system including a rod-shaped light emitting structure of a new structure for increasing the light extraction effect.

실시예에 따른 발광소자는 제1도전형 반도체층과, 상기 제1도전형 반도체층 상에 복수의 관통홀을 구비하는 마스크층과, 상기 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체와, 상기 구조체의 표면을 둘러싸는 활성층과, 상기 활성층의 표면을 둘러싸는 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 포함하고, 상기 제2도전형 반도체층의 표면은 패턴을 포함할 수 있다.A light emitting device according to an embodiment includes a first conductive semiconductor layer, a mask layer having a plurality of through holes on the first conductive semiconductor layer, a rod-shaped structure vertically grown through the through holes, and the A light emitting structure including an active layer surrounding the surface of the structure and a second conductivity type semiconductor layer surrounding the surface of the active layer, wherein the surface of the second conductivity type semiconductor layer may include a pattern.

실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 마스크층의 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체 표면을 둘러싸는 활성층상에 배치된 제2도전형 반도체층을 패턴을 갖도록 습식 식각하는 단계와, 상기 패턴된 제2도전형 반도체층을 라인 패턴을 갖도록 건식 식각하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment includes wet etching a second conductive semiconductor layer disposed on an active layer surrounding the surface of a rod-shaped structure grown vertically through a through hole of a mask layer to have a pattern; The method may include dry etching the patterned second conductive semiconductor layer to have a line pattern.

실시예는 로드 형상의 발광구조물의 제2도전형 반도체층의 표면 구조화를 통해 광 추출효과를 높일 수 있다.In the embodiment, the light extraction effect may be increased by structuring the surface of the second conductive semiconductor layer of the rod-shaped light emitting structure.

또한, 실시예는 빛의 표면 확산을 증가시키고 발광 시 광추출효율을 향상시키는 효과가 있다. In addition, the embodiment has the effect of increasing the surface diffusion of light and improving the light extraction efficiency when emitting light.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광구조물의 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광구조물의 사시도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 발광구조물의 단면도이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 발광구조물의 사시도이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광구조물의 단면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 발광구조물의 사시도이다.
도 10은 실시예에 따른 발광소자의 제조방법이다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 12와 도 13은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of a light emitting structure according to an embodiment.
3 is a perspective view of a light emitting structure according to an embodiment.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
5 is a cross-sectional view of a light emitting structure according to another embodiment.
6 is a perspective view of a light emitting structure according to another embodiment.
7 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
8 is a cross-sectional view of a light emitting structure according to another embodiment.
9 is a perspective view of a light emitting structure according to another embodiment.
10 is a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.
11 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
12 and 13 are exploded perspective views illustrating embodiments of a lighting system including a light emitting device according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of an embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is “on/over” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed on, “on/over” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed through another layer. do. In addition, the criteria for the upper / upper or lower of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not fully reflect the actual size.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 제1도전형 반도체층(120), 제1도전형 반도체층(120) 상에 복수의 관통홀(H)을 구비하는 마스크층(130), 마스크층(130) 상에 배치되는 발광구조물(140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the light emitting device 100 according to the embodiment includes a substrate 110 , a first conductive semiconductor layer 120 on the substrate 110 , and a plurality of first conductive semiconductor layers 120 on the first conductive semiconductor layer 120 . It may include a mask layer 130 having a through hole H, and a light emitting structure 140 disposed on the mask layer 130 .

발광구조물(140)은 상기 복수의 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체(141)와, 구조체(141)의 표면을 둘러싸는 활성층(143)과, 활성층(143)을 둘러싸는 제2도전형 반도체층(145)과, 제2도전형 반도체층(145)을 둘러싸는 도전층(147)과, 도전층(147)을 둘러싸는 절연층(150)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 140 includes a rod-shaped structure 141 vertically grown through the plurality of through-holes, an active layer 143 surrounding the surface of the structure 141 , and a second conductive layer surrounding the active layer 143 . It may include a type semiconductor layer 145 , a conductive layer 147 surrounding the second conductivity type semiconductor layer 145 , and an insulating layer 150 surrounding the conductive layer 147 .

제1전극(160)은 제1도전형 반도체층(120) 상에 배치될 수 있고, 제2전극(170)은 마스크층(130) 상에 배치되고, 도전층(147)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 160 may be disposed on the first conductive type semiconductor layer 120 , and the second electrode 170 may be disposed on the mask layer 130 , and may be electrically connected to the conductive layer 147 . have.

기판(110)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 기판(110) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있고, 상기 요철 구조의 단면은 원형, 타원형 또는 다각형일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 110 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 110 may include at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga 2 0 3 . A concave-convex structure may be formed on the substrate 110 , and the cross-section of the concave-convex structure may be circular, oval, or polygonal, but is not limited thereto.

이때, 기판(110) 위에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 이후 형성되는 발광구조물의 재료와 기판(110)의 격자 부정합을 완화시켜 줄 수 있으며, 버퍼층의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.In this case, a buffer layer (not shown) may be formed on the substrate 110 . The buffer layer can alleviate the lattice mismatch between the material of the light emitting structure and the substrate 110 to be formed later, and the material of the buffer layer is a group III-5 compound semiconductor, for example, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, It may be formed of at least one of AlInN.

제1도전형 반도체층(120)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 제1도전형 반도체층(120)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 제1도전형 반도체층(120)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 제1도전형 반도체층(120)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(120)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. 제1도전형 반도체층(120) 상에는 전극이 더 배치될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 120 may be disposed on the substrate 110 . The first conductivity type semiconductor layer 120 is implemented as a group III-V compound semiconductor doped with a first conductivity type dopant, and the first conductivity type semiconductor layer 120 includes In x Al y Ga 1-xy N (0). ≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). The first conductivity type semiconductor layer 120 has, for example, a stacked structure of layers including at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. may include The first conductivity-type semiconductor layer 120 is an n-type semiconductor layer, and the first conductivity-type dopant is an n-type dopant and includes Si, Ge, Sn, Se, and Te. An electrode may be further disposed on the first conductivity type semiconductor layer 120 .

마스크층(130)은 복수의 관통홀(H)을 가질 수 있고, 상기 복수의 관통홀(H)을 통해 로드 형상의 구조체(141)가 수직 성장할 수 있다. 마스크층(130)은 절연 재질로 형성될 수 있고, 예컨대 SiO2, TiO2, Si3N4, Al2O3, TiN, AlN, ZrO2, TiAlN, TiSiN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 복수의 관통홀(H)간의 간격은 일정할 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 상기 복수의 관통홀(H)의 탑뷰 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 어느하나 일 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다. The mask layer 130 may have a plurality of through holes H, and the rod-shaped structure 141 may grow vertically through the plurality of through holes H. The mask layer 130 may be formed of an insulating material, for example , at least one of SiO 2 , TiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiN, AlN, ZrO 2 , TiAlN, and TiSiN. The interval between the plurality of through-holes H may be constant, but is not limited thereto. The top view shape of the plurality of through-holes H may be any one of a circle, an ellipse, and a polygon, but is not limited thereto.

로드 형상의 구조체(141)는 제1도전형 반도체층(120)과 동일한 물질일 수 있고, 예컨대 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 구조체(141)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 구조체(141)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 구조체(141)는 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.The rod-shaped structure 141 may be made of the same material as the first conductivity type semiconductor layer 120 , for example, is implemented with a group III-V compound semiconductor doped with a first conductivity type dopant, and the structure 141 is made of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) includes a compositional formula. The structure 141 may include, for example, a stacked structure of layers including at least one of a compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. The structure 141 is an n-type semiconductor layer, and the first conductivity-type dopant is an n-type dopant and includes Si, Ge, Sn, Se, and Te.

즉, 구조체(141)는 마스크층(130)에 형성된 관통홀(H)을 통해 제1도전형 반도체층(120)으로부터 수직 성장한 형태를 가지며, 관통홀(H)의 단면 형상에 따라 원형, 타원형, 다각형 중 적어도 하나의 단면 형상을 가질 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.That is, the structure 141 has a shape vertically grown from the first conductivity type semiconductor layer 120 through the through hole H formed in the mask layer 130 , and has a circular shape or an oval shape depending on the cross-sectional shape of the through hole H. , may have a cross-sectional shape of at least one of polygons, but is not limited thereto.

활성층(143)은 구조체(141)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2도전형 반도체층(145)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 활성층(143)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 활성층(143)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 활성층(143)은 구조체(141)의 표면을 감싸고, 방사형으로 성장될 수 있다.In the active layer 143 , electrons (or holes) injected through the structure 141 and holes (or electrons) injected through the second conductivity type semiconductor layer 145 meet each other, so that It is a layer that emits light due to the difference in the band gap of the energy band. The active layer 143 may be formed of any one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure, but is not limited thereto. The active layer 143 surrounds the surface of the structure 141 and may be radially grown.

제2도전형 반도체층(145)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 제2도전형 반도체층(145)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제2도전형 반도체층(145)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 145 is a semiconductor doped with a second conductivity type dopant, for example, In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) ) including the composition formula. The second conductive semiconductor layer 145 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. The second conductivity-type semiconductor layer 145 is a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

제2도전형 반도체층(145)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 제2도전형 반도체층(145)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층을 보호할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 145 may include a superlattice structure, and the superlattice structure may include an InGaN/GaN superlattice structure or an AlGaN/GaN superlattice structure. The superlattice structure of the second conductive semiconductor layer 145 may protect the active layer by spreading the current included in the voltage abnormally.

도전층(147)은 제2도전형 반도체층(145)의 표면을 감싸고, 방사형으로 성장할 수 있다. 도전층(147)은 마스크층(130)의 상면에 배치될 수 있다. 이를 통해 도전층(147)은 복수의 발광구조물과 제2전극(170)을 전기적으로 연결할 수 있다. The conductive layer 147 may surround the surface of the second conductive type semiconductor layer 145 and grow radially. The conductive layer 147 may be disposed on the upper surface of the mask layer 130 . Through this, the conductive layer 147 may electrically connect the plurality of light emitting structures to the second electrode 170 .

제1전극(160)은 제1도전형 반도체층(120) 상에 배치될 수 있다. 제1전극(170)은 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo, Ti/Au/Ti/Pt/Au, Ni/Au/Ti/Pt/Au, Cr/Al/Ni/Cu/Ni/Au 등에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The first electrode 160 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 120 . The first electrode 170 is Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo, Ti/Au/Ti/Pt/Au, Ni/Au/Ti/Pt/Au, Cr/Al At least one selected from /Ni/Cu/Ni/Au may be included.

제2전극(170)은 마스크층(130) 상에 배치될 수 있고, 외부 전원에 연결되어 발광구조물(140)에 전원을 제공할 수 있다. 제2전극(170)은 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo, Ti/Au/Ti/Pt/Au, Ni/Au/Ti/Pt/Au, Cr/Al/Ni/Cu/Ni/Au 등에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The second electrode 170 may be disposed on the mask layer 130 , and may be connected to an external power source to provide power to the light emitting structure 140 . The second electrode 170 is Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo, Ti/Au/Ti/Pt/Au, Ni/Au/Ti/Pt/Au, Cr/Al At least one selected from /Ni/Cu/Ni/Au may be included.

절연층(150)은 복수의 발광구조물(140) 사이의 영역에 배치될 수 있다. 절연층(150)은 전극층(170) 상에 배치될 수 있고, 도전층(147)의 둘레에 배치될 수 있다. 절연층(150)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.The insulating layer 150 may be disposed in a region between the plurality of light emitting structures 140 . The insulating layer 150 may be disposed on the electrode layer 170 , and may be disposed around the conductive layer 147 . The insulating layer 150 may be formed by selecting at least one from the group consisting of SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, etc. can

도 2는 실시예에 따른 발광구조물의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a light emitting structure according to an embodiment.

도 1과 도 2를 참조하면, 발광구조물(140)은 복수의 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체(141)와, 구조체(141)의 표면을 둘러싸는 활성층(143)과, 활성층(143)을 둘러싸는 제2도전형 반도체층(145)과, 제2도전형 반도체층(145)을 포함하는 도전층(147)을 포함할 수 있다. 1 and 2, the light emitting structure 140 includes a rod-shaped structure 141 vertically grown through a plurality of through-holes, an active layer 143 surrounding the surface of the structure 141, and an active layer ( It may include a second conductivity type semiconductor layer 145 surrounding the 143 , and a conductive layer 147 including the second conductivity type semiconductor layer 145 .

실시예에 따른 발광구조물(140)는 수직방향으로 성장한 로드부와 일정한 기울기를 가지고 성장한 연장부를 포함할 수 있고, 상기 연장부의 상면은 평면일 수 있다. 즉, 상기 연장부는 꼭지점부분이 수평방향으로 잘린 육각뿔의 형태일 수 있다. The light emitting structure 140 according to the embodiment may include a rod portion grown in a vertical direction and an extension portion grown with a constant inclination, and an upper surface of the extension portion may be flat. That is, the extension portion may be in the form of a hexagonal pyramid in which vertices are cut in the horizontal direction.

도 3은 실시예에 따른 발광구조물의 사시도이다.3 is a perspective view of a light emitting structure according to an embodiment.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 발광구조물(140)은 제2도전형 반도체층(145)의 표면에 패턴이 형성될 수 있다. 상기 패턴의 단면의 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 하나일 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 1 to 3 , in the light emitting structure 140 according to the embodiment, a pattern may be formed on the surface of the second conductive semiconductor layer 145 . The shape of the cross-section of the pattern may be one of a circle, an ellipse, and a polygon, but is not limited thereto.

실시예에 따른 발광구조물(140)은 수직방향으로 성장한 로드부와 일정한 기울기를 가지고 성장한 연장부를 포함할 수 있고, 연장부의 상면은 평면일 수 있다. 즉, 상기 연장부는 꼭지점부분이 수평방향으로 잘린 육각뿔의 형태일 수 있다. The light emitting structure 140 according to the embodiment may include a rod portion grown in a vertical direction and an extension portion grown with a constant inclination, and an upper surface of the extension portion may be flat. That is, the extension portion may be in the form of a hexagonal pyramid in which vertices are cut in the horizontal direction.

실시예에서, 상기 패턴은 수직 성장 방향으로 라인 패턴일 수 있다. In an embodiment, the pattern may be a line pattern in a vertical growth direction.

실시예에서, 상기 패턴의 폭과 높이는 일정할 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 상기 패턴은 발광구조물(140)의 상기 로드부에만 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.In an embodiment, the width and height of the pattern may be constant, but the present invention is not limited thereto. The pattern may be formed only on the rod portion of the light emitting structure 140 , but is not limited thereto.

발광구조물(140)의 단면 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 하나일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다.The cross-sectional shape of the light emitting structure 140 may be one of a circle, an ellipse, and a polygon, but is not limited thereto.

발광구조물(140)의 상기 로드부의 단면 형상과 상기 연장부의 단면 형상은 동일할 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.The cross-sectional shape of the rod part of the light emitting structure 140 and the cross-sectional shape of the extension part may be the same, but the present invention is not limited thereto.

즉, 발광구조물(140)의 제2도전형 반도체층(145)의 표면 구조화를 통해 광 추출효과를 높일 수 있고, 빛의 표면 확산을 증가시키고 발광 시 광추출효율을 향상시키는 효과가 있다. That is, the light extraction effect can be increased by structuring the surface of the second conductive semiconductor layer 145 of the light emitting structure 140 , and there is an effect of increasing the surface diffusion of light and improving the light extraction efficiency during light emission.

도 4는 다른 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.

도 4를 참조하면, 다른 실시예에 따른 발광소자(100a)는 기판(110), 기판(110) 상에 제1도전형 반도체층(120), 제도전형 반도체층(120) 상에 복수의 관통홀(H)을 구비하는 마스크층(130), 마스크층(130) 상에 배치되는 발광구조물(140a)을 포함할 수 있고, 도 1과 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 4 , a light emitting device 100a according to another embodiment includes a substrate 110 , a first conductive semiconductor layer 120 on the substrate 110 , and a plurality of penetrations on the drafting semiconductor layer 120 . The mask layer 130 having the hole H and the light emitting structure 140a disposed on the mask layer 130 may be included, and a description of the configuration overlapping with that of FIG. 1 will be omitted.

발광구조물(140a)은 상기 복수의 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체(141a)와, 구조체(141a)의 표면을 둘러싸는 활성층(143a)과, 활성층(143a)을 둘러싸는 제2도전형 반도체층(145a)과, 제2도전형 반도체층(145a)을 둘러싸는 도전층(147a)과, 도전층(147a)을 둘러싸는 절연층(150)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 140a includes a rod-shaped structure 141a vertically grown through the plurality of through holes, an active layer 143a surrounding the surface of the structure 141a, and a second conductive layer surrounding the active layer 143a. It may include a type semiconductor layer 145a, a conductive layer 147a surrounding the second conductivity type semiconductor layer 145a, and an insulating layer 150 surrounding the conductive layer 147a.

실시예에 따른 발광구조물(140a)은 수직방향으로 성장한 로드부와, 일정한 기울기를 가지고 성장한 연장부를 포함할 수 있고, 연장부는 육각뿔의 형태일 수 있다. The light emitting structure 140a according to the embodiment may include a rod portion grown in a vertical direction and an extension portion grown with a constant inclination, and the extension portion may have a hexagonal pyramid shape.

도 5는 다른 실시예에 따른 발광구조물의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a light emitting structure according to another embodiment.

도 4와 도 5를 참조하면, 발광구조물(140a)은 복수의 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체(141a)와, 구조체(141a)의 표면을 둘러싸는 활성층(143a)과, 활성층(143a)을 둘러싸는 제2도전형 반도체층(145a)과, 제2도전형 반도체층(145a)을 포함하는 도전층(147a)을 포함할 수 있다. 4 and 5, the light emitting structure 140a includes a rod-shaped structure 141a vertically grown through a plurality of through-holes, an active layer 143a surrounding the surface of the structure 141a, and an active layer ( It may include a second conductivity type semiconductor layer 145a surrounding the 143a and a conductive layer 147a including the second conductivity type semiconductor layer 145a.

실시예에 따른 발광구조물(140a)은 수직방향으로 성장한 로드부와 일정한 기울기를 가지고 성장한 연장부를 포함할 수 있고, 연장부의 단면 형상은 삼각형 형상일 수 있다.The light emitting structure 140a according to the embodiment may include a rod portion grown in a vertical direction and an extension portion grown with a constant inclination, and the cross-sectional shape of the extension portion may be a triangular shape.

도 6은 다른 실시예에 따른 발광구조물의 사시도이다.6 is a perspective view of a light emitting structure according to another embodiment.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 발광구조물(140a)은 제2도전형 반도체층(145a)의 표면에 패턴이 형성될 수 있다. 상기 패턴의 단면의 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 하나일 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 4 to 6 , in the light emitting structure 140a according to the embodiment, a pattern may be formed on the surface of the second conductive semiconductor layer 145a. The shape of the cross-section of the pattern may be one of a circle, an ellipse, and a polygon, but is not limited thereto.

실시예에 따른 발광구조물(140a)은 수직방향으로 성장한 로드부와 일정한 기울기를 가지고 성장한 연장부를 포함할 수 있고, 연장부의 단면 형상은 삼각형 형상일 수 있다.The light emitting structure 140a according to the embodiment may include a rod portion grown in a vertical direction and an extension portion grown with a constant inclination, and the cross-sectional shape of the extension portion may be a triangular shape.

실시예에서, 상기 패턴은 수직 성장 방향으로 라인 패턴일 수 있다. In an embodiment, the pattern may be a line pattern in a vertical growth direction.

실시예에서, 상기 패턴의 폭과 높이는 일정할 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 상기 패턴은 발광구조물(140a)의 상기 로드부에만 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.In an embodiment, the width and height of the pattern may be constant, but the present invention is not limited thereto. The pattern may be formed only on the rod portion of the light emitting structure 140a, but is not limited thereto.

발광구조물(140a)의 단면 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 하나일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다.The cross-sectional shape of the light emitting structure 140a may be one of a circle, an ellipse, and a polygon, but is not limited thereto.

발광구조물(140a)의 상기 로드부의 단면 형상과 상기 연장부의 단면 형상은 동일할 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.The cross-sectional shape of the rod part of the light emitting structure 140a and the cross-sectional shape of the extension part may be the same, but the present invention is not limited thereto.

즉, 발광구조물(140a)의 제2도전형 반도체층(145a)의 표면 구조화를 통해 광 추출효과를 높일 수 있고, 빛의 표면 확산을 증가시키고 발광 시 광추출효율을 향상시키는 효과가 있다. That is, the light extraction effect can be increased by structuring the surface of the second conductive semiconductor layer 145a of the light emitting structure 140a, and there is an effect of increasing the surface diffusion of light and improving the light extraction efficiency during light emission.

도 7은 또 다른 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.

도 7을 참조하면, 다른 실시예에 따른 발광소자(100b)는 기판(110), 기판(110) 상에 제1도전형 반도체층(120), 제도전형 반도체층(120) 상에 복수의 관통홀(H)을 구비하는 마스크층(130), 마스크층(130) 상에 배치되는 발광구조물(140b)를 포함할 수 있고, 도 1과 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 7 , a light emitting device 100b according to another embodiment includes a substrate 110 , a first conductive semiconductor layer 120 on the substrate 110 , and a plurality of penetrations on the drafting semiconductor layer 120 . The mask layer 130 having the hole H and the light emitting structure 140b disposed on the mask layer 130 may be included, and a description of the configuration overlapping that of FIG. 1 will be omitted.

발광구조물(140b)은 상기 복수의 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체(141b)와, 구조체(141b)의 표면을 둘러싸는 활성층(143b)과, 활성층(143b)을 둘러싸는 제2도전형 반도체층(145b)과, 제2도전형 반도체층(145b)을 둘러싸는 도전층(147b)과, 도전층(147b)을 둘러싸는 절연층(150)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 140b includes a rod-shaped structure 141b vertically grown through the plurality of through-holes, an active layer 143b surrounding the surface of the structure 141b, and a second conductive layer surrounding the active layer 143b. It may include a type semiconductor layer 145b, a conductive layer 147b surrounding the second conductivity type semiconductor layer 145b, and an insulating layer 150 surrounding the conductive layer 147b.

실시예에 따른 발광구조물(140b)은 일정한 기울기를 가지고 성장한 로드부를 포함할 수 있고, 로드부는 육각뿔의 형태일 수 있다. The light emitting structure 140b according to the embodiment may include a rod portion grown with a certain inclination, and the rod portion may have a hexagonal pyramid shape.

도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광구조물의 단면도이다.8 is a cross-sectional view of a light emitting structure according to another embodiment.

도 7과 도 8을 참조하면, 발광구조물(140b)는 복수의 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체(141b)와, 구조체(141b)의 표면을 둘러싸는 활성층(143b)과, 활성층(143b)을 둘러싸는 제2도전형 반도체층(145b)과, 제2도전형 반도체층(145b)을 포함하는 도전층(147b)을 포함할 수 있다. 7 and 8, the light emitting structure 140b includes a rod-shaped structure 141b vertically grown through a plurality of through-holes, an active layer 143b surrounding the surface of the structure 141b, and an active layer ( It may include a second conductivity type semiconductor layer 145b surrounding the 143b and a conductive layer 147b including the second conductivity type semiconductor layer 145b.

실시예에 따른 발광구조물(140b)은 일정한 기울기를 가지고 성장한 로드부를 포함할 수 있고, 로드부의 단면 형상은 삼각형 형상일 수 있다.The light emitting structure 140b according to the embodiment may include a rod portion grown with a certain inclination, and a cross-sectional shape of the rod portion may be a triangular shape.

도 9는 또 다른 실시예에 따른 발광구조물의 사시도이다.9 is a perspective view of a light emitting structure according to another embodiment.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 실시예에 따른 발광구조물(140b)은 제2도전형 반도체층(145b)의 표면에 패턴이 형성될 수 있다. 상기 패턴의 단면의 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 하나일 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 7 to 9 , in the light emitting structure 140b according to the embodiment, a pattern may be formed on the surface of the second conductive semiconductor layer 145b. The shape of the cross-section of the pattern may be one of a circle, an ellipse, and a polygon, but is not limited thereto.

실시예에 따른 발광구조물(140b)은 일정한 기울기를 가지고 성장한 로드부를 포함할 수 있고, 로드부의 단면 형상은 삼각형 형상일 수 있다.The light emitting structure 140b according to the embodiment may include a rod portion grown with a certain inclination, and a cross-sectional shape of the rod portion may be a triangular shape.

실시예에서, 상기 패턴은 수직 성장 방향으로 라인 패턴일 수 있다. In an embodiment, the pattern may be a line pattern in a vertical growth direction.

실시예에서, 상기 패턴의 폭과 높이는 일정할 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다. In an embodiment, the width and height of the pattern may be constant, but the present invention is not limited thereto.

발광구조물(140b)의 단면 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 하나일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다.The cross-sectional shape of the light emitting structure 140b may be one of a circle, an ellipse, and a polygon, but is not limited thereto.

발광구조물(140b)의 상기 로드부의 단면 형상과 상기 연장부의 단면 형상은 동일할 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.The cross-sectional shape of the rod part of the light emitting structure 140b and the cross-sectional shape of the extension part may be the same, but the present invention is not limited thereto.

즉, 발광구조물(140b)의 제2도전형 반도체층(145b)의 표면 구조화를 통해 광 추출효과를 높일 수 있고, 빛의 표면 확산을 증가시키고 발광 시 광추출효율을 향상시키는 효과가 있다. That is, the light extraction effect can be increased by structuring the surface of the second conductive semiconductor layer 145b of the light emitting structure 140b, and there is an effect of increasing the surface diffusion of light and improving the light extraction efficiency during light emission.

도 10은 실시예에 따른 발광소자의 제조방법이다.10 is a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.

도 10(a)를 참조하면, 기판(110) 상에 제1도전형 반도체층(120), 제도전형 반도체층(120) 상에 복수의 관통홀(H)을 구비하는 마스크층(130), 마스크층(130) 상에 배치되는 발광구조물(140)을 성장한다. Referring to FIG. 10( a ), a first conductive semiconductor layer 120 on a substrate 110 , a mask layer 130 having a plurality of through holes H on the drafting semiconductor layer 120 , The light emitting structure 140 disposed on the mask layer 130 is grown.

발광구조물(140)은 상기 복수의 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체(141)와, 구조체(141)의 표면을 둘러싸는 활성층(143)과, 활성층(143)을 둘러싸는 제2도전형 반도체층(145)을 성장한다.The light emitting structure 140 includes a rod-shaped structure 141 vertically grown through the plurality of through-holes, an active layer 143 surrounding the surface of the structure 141 , and a second conductive layer surrounding the active layer 143 . A semiconductor layer 145 is grown.

도 10(b)를 참조하면, 제2도전형 반도체층(145)에 패턴을 갖도록 습식 식각을 한다. 예컨대, PEC(photoelectrochemecal) 식각을 이용하여 습식 식각을 할 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.Referring to FIG. 10B , wet etching is performed to have a pattern on the second conductivity type semiconductor layer 145 . For example, wet etching may be performed using photoelectrochemecal (PEC) etching, but the present invention is not limited thereto.

도 10(c)를 참조하면,습식 식각된 제2도전형 반도체층(145)은 수직방향의 라인형태의 패턴을 갖도록 건식 식각하는 단계를 포함한다. 예컨대, 아르곤(Ar)을 이용한 물리적 건식 식각과 염소(Cl)을 이용한 화학적 건식 식각을 이용하여 건식 식각할 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.Referring to FIG. 10C , the wet-etched second conductivity type semiconductor layer 145 includes a dry etching step to have a vertical line-shaped pattern. For example, dry etching may be performed using physical dry etching using argon (Ar) and chemical dry etching using chlorine (Cl), but the present disclosure is not limited thereto.

도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.11 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.

본 발명에 따른 발광 소자 패키지는 앞서 설명한 바와 같은 구조의 발광 소자가 장착될 수 있다.The light emitting device package according to the present invention may be equipped with a light emitting device having the structure as described above.

발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치되어 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(230)가 포함된다.The light emitting device package 200 includes a package body 205 , a third electrode layer 213 and a fourth electrode layer 214 disposed on the package body 205 , and on the package body 205 . The light emitting device 100 is disposed and electrically connected to the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 , and a molding member 230 surrounding the light emitting device 100 is included.

상기 패키지 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The package body 205 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100 .

상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 are electrically isolated from each other, and serve to provide power to the light emitting device 100 . In addition, the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 may serve to increase light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100 , and It can also serve to dissipate heat to the outside.

상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치되거나 상기 제3 전극층(213) 또는 제4 전극층(214) 상에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the package body 205 or on the third electrode layer 213 or the fourth electrode layer 214 .

상기 발광 소자(100)는 상기 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 각각 와이어를 통해 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device 100 may be electrically connected to the third electrode layer 213 and/or the fourth electrode layer 214 by any one of a wire method, a flip chip method, and a die bonding method. In the embodiment, it is illustrated that the light emitting device 100 is electrically connected to the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 through a wire, but is not limited thereto.

상기 몰딩부재(230)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(230)에는 형광체(232)가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 230 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100 . In addition, the molding member 230 may include a phosphor 232 to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100 .

도 12와 도 13은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.12 and 13 are exploded perspective views illustrating embodiments of a lighting system including a light emitting device according to an embodiment.

도 12에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 본 발명에 따른 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.12, the lighting device according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a heat sink 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. may include In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500 . The light source module 2200 may include the light emitting device 100 or the light emitting device package 200 according to the present invention.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape with a hollow inside and an open part. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200 . For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite the light provided from the light source module 2200 . The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat sink 2400 . The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the heat sink 2400 .

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 2100 . The milky white paint may include a diffusing material for diffusing light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100 . This is so that the light from the light source module 2200 is sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent or opaque so that the light source module 2200 can be seen from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the heat sink 2400 . Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400 . The light source module 2200 may include a light source unit 2210 , a connection plate 2230 , and a connector 2250 .

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat sink 2400 and includes a plurality of light source units 2210 and guide grooves 2310 into which the connector 2250 is inserted. The guide groove 2310 corresponds to the board and the connector 2250 of the light source unit 2210 .

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects the light reflected on the inner surface of the cover 2100 and returned to the light source module 2200 in the direction of the cover 2100 again. Accordingly, the light efficiency of the lighting device according to the embodiment may be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of, for example, an insulating material. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the heat sink 2400 and the connection plate 2230 . The member 2300 may be made of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the heat sink 2400 . The heat sink 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 and radiates heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating part 2710 of the inner case 2700 . Accordingly, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510 . The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module 2200 . The power supply unit 2600 is accommodated in the receiving groove 2719 of the inner case 2700 , and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500 .

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion part 2610 , a guide part 2630 , a base 2650 , and an extension part 2670 .

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650 . The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500 . A plurality of components may be disposed on one surface of the base 2650 . The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source module 2200 , and ESD for protecting the light source module 2200 . (ElectroStatic discharge) may include a protection device, but is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650 . The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension portion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700 . Each end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the extension part 2670 , and the other end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the socket 2800 . .

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is hardened, and allows the power supply unit 2600 to be fixed inside the inner case 2700 .

또한, 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 조명 장치는 커버(3100), 광원부(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 상기 광원부(3200)는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 13 , the lighting device according to the present invention includes a cover 3100 , a light source unit 3200 , a heat sink 3300 , a circuit unit 3400 , an inner case 3500 , and a socket 3600 . can do. The light source unit 3200 may include a light emitting device or a light emitting device package according to an embodiment.

상기 커버(3100)는 벌브(bulb) 형상을 가지며, 속이 비어 있다. 상기 커버(3100)는 개구(3110)를 갖는다. 상기 개구(3110)를 통해 상기 광원부(3200)와 부재(3350)가 삽입될 수 있다. The cover 3100 has a bulb shape and is hollow. The cover 3100 has an opening 3110 . The light source unit 3200 and the member 3350 may be inserted through the opening 3110 .

상기 커버(3100)는 상기 방열체(3300)와 결합하고, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)를 둘러쌀 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합에 의해, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)는 외부와 차단될 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합은 접착제를 통해 결합할 수도 있고, 회전 결합 방식 및 후크 결합 방식 등 다양한 방식으로 결합할 수 있다. 회전 결합 방식은 상기 방열체(3300)의 나사홈에 상기 커버(3100)의 나사선이 결합하는 방식으로서 상기 커버(3100)의 회전에 의해 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이고, 후크 결합 방식은 상기 커버(3100)의 턱이 상기 방열체(3300)의 홈에 끼워져 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이다.The cover 3100 may be coupled to the heat sink 3300 and surround the light source unit 3200 and the member 3350 . By coupling the cover 3100 and the heat sink 3300 , the light source unit 3200 and the member 3350 may be blocked from the outside. The cover 3100 and the heat sink 3300 may be coupled through an adhesive, or may be coupled in various ways such as a rotation coupling method and a hook coupling method. The rotation coupling method is a method in which the screw thread of the cover 3100 is coupled to the screw groove of the heat sink 3300, and the cover 3100 and the heat sink 3300 are coupled by the rotation of the cover 3100. In the hook coupling method, the chin of the cover 3100 is fitted into the groove of the heat sink 3300 so that the cover 3100 and the heat sink 3300 are coupled.

상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)와 광학적으로 결합한다. 구체적으로 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)의 발광 소자(3230)로부터의 광을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(3100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 여기서, 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 여기시키기 위해, 내/외면 또는 내부에 형광체를 가질 수 있다. The cover 3100 is optically coupled to the light source unit 3200 . Specifically, the cover 3100 may diffuse, scatter, or excite light from the light emitting device 3230 of the light source unit 3200 . The cover 3100 may be a kind of optical member. Here, the cover 3100 may have a phosphor inside/outside or inside in order to excite the light from the light source unit 3200 .

상기 커버(3100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 여기서, 유백색 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(3100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(3100)의 외면의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 충분히 산란 및 확산시키기 위함이다.A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 3100 . Here, the milky white paint may include a diffusion material for diffusing light. The surface roughness of the inner surface of the cover 3100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 3100 . This is to sufficiently scatter and diffuse the light from the light source unit 3200 .

상기 커버(3100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(3100)는 외부에서 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)가 보일 수 있는 투명한 재질일 수 있고, 보이지 않는 불투명한 재질일 수 있다. 상기 커버(3100)는 예컨대 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 3100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 3100 may be made of a transparent material through which the light source unit 3200 and the member 3350 can be seen from the outside, or may be made of an opaque material that is invisible. The cover 3100 may be formed, for example, by blow molding.

상기 광원부(3200)는 상기 방열체(3300)의 부재(3350)에 배치되고, 복수로 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 측면에서도 상단부에 배치될 수 있다.The light source unit 3200 may be disposed on the member 3350 of the heat sink 3300 and may be disposed in plurality. Specifically, the light source unit 3200 may be disposed on one or more of the plurality of side surfaces of the member 3350 . Also, the light source unit 3200 may be disposed at an upper end of the member 3350 .

상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 모든 측면들에 배치될 수 있다. 상기 광원부(3200)는 기판(3210)과 발광 소자(3230)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(3230)는 기판(3210)의 일 면 상에 배치될 수 있다. The light source unit 3200 may be disposed on three side surfaces of the six side surfaces of the member 3350 . However, the present invention is not limited thereto, and the light source unit 3200 may be disposed on all side surfaces of the member 3350 . The light source unit 3200 may include a substrate 3210 and a light emitting device 3230 . The light emitting device 3230 may be disposed on one surface of the substrate 3210 .

상기 기판(3210)은 사각형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(3210)은 원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 상기 기판(3210)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판 위에 패키지 하지 않은 LED 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chips On Board) 타입을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(3210)은 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다. 상기 기판(3210)은 상기 방열체(3300)에 수납되는 상기 회로부(3400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)는 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)를 관통하여 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)를 연결시킬 수 있다.The substrate 3210 has a rectangular plate shape, but is not limited thereto and may have various shapes. For example, the substrate 3210 may have a circular or polygonal plate shape. The substrate 3210 may be a circuit pattern printed on an insulator, for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, etc. may include. In addition, a COB (Chips On Board) type capable of directly bonding an unpackaged LED chip on a printed circuit board may be used. In addition, the substrate 3210 may be formed of a material that efficiently reflects light, or the surface of the substrate 3210 may be formed of a color that efficiently reflects light, for example, white or silver. The substrate 3210 may be electrically connected to the circuit unit 3400 accommodated in the heat sink 3300 . The substrate 3210 and the circuit unit 3400 may be connected through, for example, a wire. A wire may pass through the heat sink 3300 to connect the substrate 3210 and the circuit unit 3400 .

상기 발광 소자(3230)는 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩이거나 UV를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩은 수평형(Lateral Type) 또는 수직형(Vertical Type)일 수 있고, 발광 다이오드 칩은 청색(Blue), 적색(Red), 황색(Yellow), 또는 녹색(Green)을 발산할 수 있다.The light emitting device 3230 may be a light emitting diode chip emitting red, green, and blue light or a light emitting diode chip emitting UV. Here, the light emitting diode chip may be of a horizontal type or a vertical type, and the light emitting diode chip may emit blue, red, yellow, or green. can

상기 발광 소자(3230)는 형광체를 가질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 어느 하나 이상일 수 있다. 또는 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 어느 하나 이상일 수 있다.The light emitting device 3230 may have a phosphor. The phosphor may be any one or more of a garnet-based (YAG, TAG), a silicate, a nitride, and an oxynitride-based phosphor. Alternatively, the phosphor may be any one or more of a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor.

상기 방열체(3300)는 상기 커버(3100)와 결합하고, 상기 광원부(3200)로부터의 열을 방열할 수 있다. 상기 방열체(3300)는 소정의 체적을 가지며, 상면(3310), 측면(3330)을 포함한다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에는 부재(3350)가 배치될 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)와 결합할 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)의 개구(3110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.The heat sink 3300 may be coupled to the cover 3100 and radiate heat from the light source unit 3200 . The heat sink 3300 has a predetermined volume and includes an upper surface 3310 and a side surface 3330 . A member 3350 may be disposed on the upper surface 3310 of the heat sink 3300 . The upper surface 3310 of the heat sink 3300 may be coupled to the cover 3100 . The upper surface 3310 of the heat sink 3300 may have a shape corresponding to the opening 3110 of the cover 3100 .

상기 방열체(3300)의 측면(3330)에는 복수의 방열핀(3370)이 배치될 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 측면(3330)에서 외측으로 연장된 것이거나 측면(3330)에 연결된 것일 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 방열 면적을 넓혀 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 측면(3330)은 상기 방열핀(3370)을 포함하지 않을 수도 있다.A plurality of heat dissipation fins 3370 may be disposed on the side surface 3330 of the heat sink 3300 . The heat dissipation fin 3370 may extend outwardly from the side surface 3330 of the heat sink 3300 or may be connected to the side surface 3330 . The heat dissipation fin 3370 may increase the heat dissipation area of the heat dissipation body 3300 to improve heat dissipation efficiency. Here, the side surface 3330 may not include the heat dissipation fin 3370 .

상기 부재(3350)는 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에 배치될 수 있다. 상기 부재(3350)는 상면(3310)과 일체일 수도 있고, 상면(3310)에 결합된 것일 수 있다. 상기 부재(3350)는 다각 기둥일 수 있다. 구체적으로, 상기 부재(3350)는 육각 기둥일 수 있다. 육각 기둥의 부재(3350)는 윗면과 밑면 그리고 6 개의 측면들을 갖는다. 여기서, 상기 부재(3350)는 다각 기둥뿐만 아니라 원 기둥 또는 타원 기둥일 수 있다. 상기 부재(3350)가 원 기둥 또는 타원 기둥일 경우, 상기 광원부(3200)의 상기 기판(3210)은 연성 기판일 수 있다.The member 3350 may be disposed on the upper surface 3310 of the heat sink 3300 . The member 3350 may be integral with the upper surface 3310 or may be coupled to the upper surface 3310 . The member 3350 may be a polygonal pillar. Specifically, the member 3350 may be a hexagonal pole. The hexagonal column member 3350 has an upper surface, a lower surface, and six sides. Here, the member 3350 may be not only a polygonal pole, but also a circular pole or an elliptical pole. When the member 3350 is a circular column or an elliptical column, the substrate 3210 of the light source unit 3200 may be a flexible substrate.

상기 부재(3350)의 6 개의 측면에는 상기 광원부(3200)가 배치될 수 있다. 6 개의 측면 모두에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있고, 6 개의 측면들 중 몇 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있다. 도 11에서는 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치되어 있다. The light source unit 3200 may be disposed on six side surfaces of the member 3350 . The light source unit 3200 may be disposed on all six side surfaces, or the light source unit 3200 may be disposed on several side surfaces of the six side surfaces. In FIG. 11 , the light source unit 3200 is disposed on three of six side surfaces.

상기 부재(3350)의 측면에는 상기 기판(3210)이 배치된다. 상기 부재(3350)의 측면은 상기 방열체(3300)의 상면(3310)과 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 기판(3210)과 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. The substrate 3210 is disposed on a side surface of the member 3350 . A side surface of the member 3350 may be substantially perpendicular to the upper surface 3310 of the heat sink 3300 . Accordingly, the substrate 3210 and the upper surface 3310 of the heat sink 3300 may be substantially perpendicular to each other.

상기 부재(3350)의 재질은 열 전도성을 갖는 재질일 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터 발생되는 열을 빠르게 전달받기 위함이다. 상기 부재(3350)의 재질로서는 예를 들면, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 주석(Sn) 등과 상기 금속들의 합금일 수 있다. 또는 상기 부재(3350)는 열 전도성을 갖는 열 전도성 플라스틱으로 형성될 수 있다. 열 전도성 플라스틱은 금속보다 무게가 가볍고, 단방향성의 열 전도성을 갖는 이점이 있다.The material of the member 3350 may be a material having thermal conductivity. This is to quickly receive heat generated from the light source unit 3200 . The material of the member 3350 may be, for example, aluminum (Al), nickel (Ni), copper (Cu), magnesium (Mg), silver (Ag), tin (Sn), or an alloy of these metals. Alternatively, the member 3350 may be formed of a thermally conductive plastic having thermal conductivity. Thermally conductive plastics have advantages in that they are lighter in weight than metals and have unidirectional thermal conductivity.

상기 회로부(3400)는 외부로부터 전원을 제공받고, 제공받은 전원을 상기 광원부(3200)에 맞게 변환한다. 상기 회로부(3400)는 변환된 전원을 상기 광원부(3200)로 공급한다. 상기 회로부(3400)는 상기 방열체(3300)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 회로부(3400)는 상기 내부 케이스(3500)에 수납되고, 상기 내부 케이스(3500)와 함께 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 회로부(3400)는 회로 기판(3410)과 상기 회로 기판(3410) 상에 탑재되는 다수의 부품(3430)을 포함할 수 있다. The circuit unit 3400 receives power from the outside and converts the received power to match the light source unit 3200 . The circuit unit 3400 supplies the converted power to the light source unit 3200 . The circuit unit 3400 may be disposed on the heat sink 3300 . Specifically, the circuit unit 3400 may be accommodated in the inner case 3500 , and may be accommodated in the heat sink 3300 together with the inner case 3500 . The circuit unit 3400 may include a circuit board 3410 and a plurality of components 3430 mounted on the circuit board 3410 .

상기 회로 기판(3410)은 원형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 회로 기판(3410)은 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 이러한 회로 기판(3410)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있다. The circuit board 3410 has a circular plate shape, but is not limited thereto and may have various shapes. For example, the circuit board 3410 may have an elliptical or polygonal plate shape. The circuit board 3410 may have a circuit pattern printed on an insulator.

상기 회로 기판(3410)은 상기 광원부(3200)의 기판(3210)과 전기적으로 연결된다. 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)의 전기적 연결은 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)의 내부에 배치되어 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)을 연결할 수 있다. The circuit board 3410 is electrically connected to the board 3210 of the light source unit 3200 . The electrical connection between the circuit board 3410 and the board 3210 may be connected through, for example, a wire. A wire may be disposed inside the heat sink 3300 to connect the circuit board 3410 and the board 3210 .

다수의 부품(3430)은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원부(3200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원부(3200)를 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있다.The plurality of components 3430 include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source unit 3200 , and for protecting the light source unit 3200 . It may include an electrostatic discharge (ESD) protection device and the like.

상기 내부 케이스(3500)는 내부에 상기 회로부(3400)를 수납한다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 회로부(3400)를 수납하기 위해 수납부(3510)를 가질 수 있다. The inner case 3500 accommodates the circuit part 3400 therein. The inner case 3500 may have an accommodating part 3510 to accommodate the circuit part 3400 .

상기 수납부(3510)는 예로서 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)의 형상은 상기 방열체(3300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)의 수납부(3510)는 상기 방열체(3300)의 하면에 형성된 수납부에 수납될 수 있다. The accommodating part 3510 may have, for example, a cylindrical shape. The shape of the accommodating part 3510 may vary depending on the shape of the heat sink 3300 . The inner case 3500 may be accommodated in the heat sink 3300 . The accommodating part 3510 of the inner case 3500 may be accommodated in the accommodating part formed on the lower surface of the heat sink 3300 .

상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합하는 연결부(3530)를 가질 수 있다. 상기 연결부(3530)는 상기 소켓(3600)의 나사홈 구조와 대응되는 나사산 구조를 가질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 부도체이다. 따라서, 상기 회로부(3400)와 상기 방열체(3300) 사이의 전기적 단락을 막는다. 예로서 상기 내부 케이스(3500)는 플라스틱 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The inner case 3500 may be coupled to the socket 3600 . The inner case 3500 may have a connection part 3530 coupled to the socket 3600 . The connection part 3530 may have a screw thread structure corresponding to the screw groove structure of the socket 3600 . The inner case 3500 is an insulator. Accordingly, an electrical short circuit between the circuit unit 3400 and the heat sink 3300 is prevented. For example, the inner case 3500 may be formed of a plastic or resin material.

상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)와 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)의 연결부(3530)와 결합될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 종래 재래식 백열 전구와 같은 구조를 가질 수 있다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)은 전기적으로 연결된다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)의 전기적 연결은 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 따라서, 상기 소켓(3600)에 외부 전원이 인가되면, 외부 전원은 상기 회로부(3400)로 전달될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 상기 연결부(3550)의 나사선 구조과 대응되는 나사홈 구조를 가질 수 있다.The socket 3600 may be coupled to the inner case 3500 . Specifically, the socket 3600 may be coupled to the connection part 3530 of the inner case 3500 . The socket 3600 may have the same structure as a conventional incandescent light bulb. The circuit part 3400 and the socket 3600 are electrically connected. The electrical connection between the circuit part 3400 and the socket 3600 may be connected through a wire. Accordingly, when external power is applied to the socket 3600 , the external power may be transmitted to the circuit unit 3400 . The socket 3600 may have a screw groove structure corresponding to the screw thread structure of the connection part 3550 .

110; 기판
120; 제1도전형 반도체층
130; 마스크층
140; 발광구조물
141; 구조체
143; 활성층
145; 제2도전형 반도체층
147; 도전층
150; 절연층
160; 제1전극
170; 제2전극110; Board
120; first conductive semiconductor layer
130; mask layer
140; light emitting structure
141; structure
143; active layer
145; Second conductive semiconductor layer
147; conductive layer
150; insulating layer
160; first electrode
170; second electrode

Claims (10)

제1도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층 상에 복수의 관통홀을 구비하는 마스크층;
상기 관통홀을 통해 수직 성장된 로드 형상의 구조체와, 상기 구조체의 표면을 둘러싸는 활성층과, 상기 활성층의 표면을 둘러싸는 제2도전형 반도체층과, 상기 제2도전형 반도체층을 둘러싸는 도전층을 포함하는 복수의 발광구조물;
상기 마스크층이 배치되지 않은 상기 제1도전형 반도체층 상에 배치되며 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극;
상기 마스크층 상에 배치되며 상기 도전층과 접하고, 상기 도전층과 전기적으로 연결되는 제2전극; 및
상기 도전층 및 상기 복수의 발광구조물 사이 영역에 배치되는 절연층을 포함하고,
상기 로드 형상의 구조체는 상기 제1 도전형 반도체층과 동일한 물질을 포함하고,
상기 로드 형상의 구조체는, 상기 관통홀을 통해 수직 성장한 로드부 및 상기 로드부의 상면 상에서 기울기를 가지고 성장한 연장부를 포함하고,
상기 연장부의 상면은 평면이고,
상기 제2도전형 반도체층은 상기 로드부와 대응되는 영역에 배치되는 제1 영역 및 상기 연장부와 대응되는 영역에 배치되는 제2 영역을 포함하고,
상기 제2도전형 반도체층의 제1 및 제2 영역 각각의 표면에는 패턴이 형성되고,
상기 제2도전형 반도체층 및 상기 도전층의 최상면은 상기 절연층의 상면보다 상부에 배치되고,
상기 로드 형상의 구조체는 상기 관통홀의 수평폭보다 큰 최대 수평폭을 가지며, 상기 마스크층의 상면, 상기 관통홀에 의해 노출되는 상기 제1도전형 반도체층의 상면 및 상기 관통홀에 의해 노출되는 상기 마스크층의 측면과 직접 접촉하는 발광소자.a first conductive semiconductor layer;
a mask layer having a plurality of through holes on the first conductive semiconductor layer;
A rod-shaped structure vertically grown through the through-hole, an active layer surrounding a surface of the structure, a second conductivity type semiconductor layer surrounding the surface of the active layer, and a conductivity surrounding the second conductivity type semiconductor layer a plurality of light emitting structures including layers;
a first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer on which the mask layer is not disposed and electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
a second electrode disposed on the mask layer, in contact with the conductive layer, and electrically connected to the conductive layer; and
an insulating layer disposed in a region between the conductive layer and the plurality of light emitting structures,
The rod-shaped structure includes the same material as the first conductivity-type semiconductor layer,
The rod-shaped structure includes a rod portion vertically grown through the through hole and an extension portion grown with an inclination on the upper surface of the rod portion,
The upper surface of the extension is flat,
The second conductive semiconductor layer includes a first region disposed in a region corresponding to the rod portion and a second region disposed in a region corresponding to the extension portion,
A pattern is formed on the surface of each of the first and second regions of the second conductive semiconductor layer,
The second conductive semiconductor layer and the top surface of the conductive layer are disposed above the top surface of the insulating layer,
The rod-shaped structure has a maximum horizontal width greater than a horizontal width of the through hole, and the upper surface of the mask layer, the upper surface of the first conductive semiconductor layer exposed by the through hole, and the upper surface exposed by the through hole A light emitting device in direct contact with the side surface of the mask layer. 제1항에 있어서,
상기 패턴의 수평 단면의 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 하나인 발광소자.According to claim 1,
The shape of the horizontal cross section of the pattern is a light emitting device that is one of a circle, an ellipse, and a polygon. 제1항에 있어서,
상기 패턴은 수직 성장 방향으로 라인 패턴을 포함하는 발광소자.According to claim 1,
The pattern is a light emitting device including a line pattern in a vertical growth direction. 제1항에 있어서,
상기 발광구조물의 수직 단면 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 하나인 발광소자.According to claim 1,
A light emitting device in which the vertical cross-sectional shape of the light emitting structure is one of a circle, an ellipse, and a polygon. 제1항에 있어서,
상기 패턴의 폭과 높이는 일정한 발광소자.According to claim 1,
A light emitting device having a constant width and height of the pattern. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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