KR102141938B1 - 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치 - Google Patents

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Abstract

개시된 내용은 반도체 제조공정의 공정챔버에서 배출되는 배기가스로부터 파우더를 제거하는 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치에 관한 것이다.
일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치는, 반도체 제조공정의 공정챔버와연결된 진공펌프의 전단 또는 후단에 설치되어 상기 공정챔버에서 배출되는 배기가스로부터 파우더(Powder)를 제거하는 파우더 트랩장치로서, 중공의 원통형상으로 이루어지되 측면 하부에 유입구가 형성되고 상면에 유출구가 형성되는 하우징과; 유입된 배기가스로부터 파우더의 큰 입자들이 제거되도록, 상기 하우징 내부에 상기 유입구의 방향과 대향 설치되는 다수의 수직플레이트로 구성된 제 1 플렉션부와; 상기 제 1 플렉션부 상측에 위치되며, 상기 제 1 플렉션부를 거친 배기가스가 회전하면서 지그재그로 이동되도록 하여 파우더의 작은 입자들이 제거되도록 하는 제 2 플렉션부와; 상기 제 1 및 제 2 플렉션부로부터 1 차적으로 정화된 배기가스로부터 잔여 파우더를 포집하는 필터링부;를 포함할 수 있다.

Description

반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치{POWDER TRAP APPARATUS IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR}
개시된 내용은 반도체 제조공정의 공정챔버에서 배출되는 배기가스로부터 파우더를 제거하는 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정은 웨이퍼를 산화시켜 웨이퍼 표면에 산화막을 만드는 산화공정, 웨이퍼 표면에 원하는 패턴을 형성하는 포토공정, 감광막 패턴이 형성된 웨치퍼 표면을 선택적으로 제거하는 식각공정, 웨이퍼 상에 분자나 원자 단위 물질을 증착하여 전기적 특성을 갖게 하는 증착공정 등 다양한 공정을 거치게 된다.
그런데, 이러한 공정들은 여러 유해가스를 사용하여 고온에서 수행되므로 공정챔버 내부에는 각종발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 발생하고 공정챔버에서 배출된 이 유해가스들은 온도가 낮아지면 고체상태인 파우더(Power)로 변화되어 배관이나 진공펌프 등에 영향을 미치게 된다. 따라서, 이러한 문제를 해결하기 위해 일반적으로 공정챔버와 진공펌프 사이에는 파우더 제거용 트랩장치가, 진공펌프의 후단에는 스크러버(Scrubber)가 설치된다.
이와 관련된 종래기술은 대한민국 등록실용신안 제 20-03975247 호에 개시된 반도체 부산물 트랩장치가 있다.
상기 종래기술에 따른 반도체 부산물 트랩장치는 프로세스챔버(공정챔버)와 연결을 위한 제 1 연결구(14)와, 진공펌프와의 연결을 위한 제 2 연결구(16)와, 내벽면을 따라 쿨링라인이 설치된 중공의 쿨링챔버(10)와, 상기 쿨링챔버(10)의 중공부에 상기 쿨링챔버(10)의 내벽면과 이격되어 설치되고 상기 프로세스 챔버로부터 반응부산물이 유입되는 히팅챔버(20)를 포함하고, 쿨링챔버에는 복수의 타공(12)이 형성된 제 1 플레이트(18)가 층을 이루며 상하 나란하게 배열되는 것을 특징으로 한다.
KR 20-0397524 Y1
개시된 내용의 목적은 진공챔버의 전단 또는 후단에 설치되어 공정챔버에서 배출되는 배기가스로부터 파우더를 제거함에 있어, 제작비용과 유지비용이 저렴하고 배기가스로부터 파우더를 획기적으로 제거할 수 있는 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치를 제공함에 있다.
본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제들에 한정되지 않으며 언급되지 않은 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치는, 반도체 제조공정의 공정챔버와연결된 진공펌프의 전단 또는 후단에 설치되어 상기 공정챔버에서 배출되는 배기가스로부터 파우더(Powder)를 제거하는 파우더 트랩장치로서, 중공의 원통형상으로 이루어지되 측면 하부에 유입구가 형성되고 상면에 유출구가 형성되는 하우징과; 유입된 배기가스로부터 파우더의 큰 입자들이 제거되도록, 상기 하우징 내부에 상기 유입구의 방향과 대향 설치되는 다수의 수직플레이트로 구성된 제 1 플렉션부와; 상기 제 1 플렉션부 상측에 위치되며, 상기 제 1 플렉션부를 거친 배기가스가 회전하면서 지그재그로 이동되도록 하여 파우더의 작은 입자들이 제거되도록 하는 제 2 플렉션부와; 상기 제 1 및 제 2 플렉션부로부터 1 차적으로 정화된 배기가스로부터 잔여 파우더를 포집하는 필터링부;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제 1 플렉션부의 다수의 수직플렉이트는, 사각 평판으로 이루어지되 하단은 하우징의하면과 접하고 상단은 상기 제 2 플렉션부 하단에 접하도록 이루어지며, 상기 유입구로부터 거리 d1 인 지점에 위치하되 양단과 상기 하우징과의 사이에 제 1 슬릿이 형성되는 제 1 수직플레이트와, 상기 d1 보다 원거리 지점인 상기 유입구로부터 거리 d2 지점에 위치하되 중심부에 제 2 슬릿이 형성되도록 서로 이격 설치되는 한 쌍의 제 2 수직플레이트와, 상기 d2 보다 원거리 지점인 상기 유입구로부터 거리 d3 지점에 위치하되 상기 하우징과의 사이에 제 3 슬릿이 형성되는 제 3 수직플레이트를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2 플렉션부는, 원판체로 이루어져 상하 나란하게 이격 배치되는 제 1 및 제 2 수평판과, 상기 제 1 수평판과 제 2 수평판 사이에 중심축을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽을 포함하되, 상기 제 1 수평판에는 상기 제 1 플렉션부로부터 배기가스가 유입되도록 제 1 통공이 형성되고, 상기 격벽은 상기 제 1 통공의 양측에 형성되는 한 쌍의 제 1 격벽과, 상기 한 쌍의 제 1 격벽과 반대편에 형성되는 한 쌍의 제 2 격벽과, 다수개로 이루어져 상기 제 1 격벽과 제 2 격벽 사이에 형성되는 제 3 격벽으로 구성될 수 있다.
여기서, 제 1 격벽의 내측 끝단은 상기 중심축과 접하고 외측 끝단은 상기 하우징의 내주연과 이격되며, 상기 제 2 격벽의 내측 끝단은 상기 중심축과 이격되고 외측 끝단은 상기 하우징의 내주연과 접하며, 상기 다수의 제 3 격벽은 내측 끝단이 상기 중심축과 접하고 외측 끝단이 상기 하우징과 이격되는 격벽과, 내측 끝단이 상기 중심축과 이격되고 외측 끝단이 상기 하우징과 접하는 격벽이 차례대로 배열되어 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 2 플렉션부는, 제 2 수평판의 상부에 나란하게 이격 배치되는 제 3 수평판과, 상기제 2 수평판 및 상기 제 3 수평판 사이에 상기 중심축을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제 2 수평판에는, 상기 제 1 및 제 2 수평판 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가제 2 및 제 3 수평판 사이로 이동되도록 제 2 통공이 형성되고, 상기 제 3 수평판에는, 상기 제 2 및 제 3 수평판 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가 상기 필터링부로 이동될 수 있도록 제 3 통공이 형성되는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 필터링부는, 상기 플렉션부의 상측에 위치하고 상기 유출구와 연통되며 하면이 개방된필터 케이싱과, 하면이 폐쇄된 중공의 원통 형상으로 이루어져 상기 필터 케이싱 내부에 수직방향으로 설치되는 포집필터를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 포집필터는,폴리아미드계 합성섬유가 열융착방식에 의해 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
개시된 내용에 따르면, 배기가스로부터 파우더를 효과적으로 제거할 수 있으며 내부 구성을 단순화함으로써 제작비용 및 유지비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
본 실시예들의 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1 은 종래기술에 따른 반도체 부산물 트랩장치.
도 2 는 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
도 3 은 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치의 설치상태를 나타내는 예시도.
도 4 는 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치의 종단면도.
도 5 는 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치의 구성 중 제 1 및 제 2 플렉션부의 사시도.
도 6 은 도 5 에 도시된 제 1 및 제 2 플렉션부의 타측방향 사시도.
도 7 은 도 4 및 도 5 에 도시된 제 1 플렉션부의 횡단면도.
도 8 은 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치의 구성 중 제 1 플렉션부에서의 배기가스 흐름을 보이기 위한 예시도.
도 9 는 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치의 구성 중 제 2 플렉션부에서의 구성 및 배기가스 흐름을 보이기 위한 예시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 따른 "반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치"(이하 "파우더 트랩장치"라 약칭함)에 대하여 구체적으로 설명한다. 참고로 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지의 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2 는 일 실시예에 따른 파우더 트랩장치이고, 도 3 은 일 실시예에 따른 파우더 트랩장치의 설치상태를 나타내는 예시도이며, 도 4 는 일 실시예에 따른 파우더 트랩장치의 종단면도이고, 도 5 및 도 6 은 일 실시예에 따른 파우더 트랩장치의 구성 중 제 1 및 제 2 플렉션부의 일측 및 타측 사시도이며, 도 7 은 도 4 및 도 5 에 도시된 제 1 플렉션부의 횡단면도이고, 도 8 은 제 1 플렉션부에서의 배기가스 흐름을 보이기 위한 예시도이며, 도 9 는 제 2 플렉션부에서의 구성 및 배기가스 흐름을 보이기 위한 예시도이다.
일 실시예에 따른 파우더 트랩장치(100)는, 도 3 의 (a)에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10)와 공정챔버(10)를 진공상태로 만들어주는 진공펌프(30) 사이의 배관(20), 즉 공정챔버(10)의 전단에 설치되거나 (b)와 같이 공정챔버(10)와 공정챔버(10)로부터 배출된 배기가스를 정화하는 스크러버(50) 사이의 배관, 즉 공정챔버(10)의 후단에 설치될 수 있다.
도 2 및 도 4 를 참조하면, 일 실시예에 따른 파우더 트랩장치(100)는 중공의 원통형상으로 이루어지되 측면 하부에 유입구(121)가 형성되고 상면에 유출구(123)가 형성되는 하우징(120)과, 하우징(120) 내부에 유입구(121)의 방향과 대향 설치되는 다수의 수직플레이트로 구성된 제 1 플렉션부와, 제 1 플렉션부 상측에 위치되며 제 1 플렉션부를 거친 배기가스가 회전하면서 지그재그로 이동되도록 하여 파우더의 작은 입자들이 제거되도록 하는 제 2 플렉션부와, 제 1 및 제 2 플렉션부로부터 1 차적으로 정화된 배기가스로부터 잔여 파우더를 포집하는 필터링부를 포함할 수 있다.
하우징(120)은 다양한 형상으로 이루어질 수 있으나 바람직하게는 원통형상으로 구성될 수 있으며 상면은 측면과 일체로 제작되거나 상단캡(122)으로 이루어져 측면과 결합되도록 구성될 수 있으며, 측면 하부에는 유입구(121)가 상단캡(122)에는 유출구(123)가 형성될 수 있다. 이때 유입구(121)에는 공정챔버(10)로부터 배출된 배기가스가 펌프압에 의해 고압으로 유입되게 되는데 유입된 배기가스는 후술할 플렉션부(130, 140)와 필터링부(160)를 거친 다음 유출구(123)를 통해 유출된다.
하우징(120)의 하단에는 이동이 용이하도록 다수의 횔(126)이 구비되며 각각의 휠(126)의 일측에는 하우징 고정부재(128)가 구비될 수 있다.
하우징(120)의 내부에는 배기가스로부터 파우더를 제거하기 위하여 제 1 플렉션부(130), 제 2 플렉션부(140) 및 필터링부(160) 위치하게 되는데 바람직하게는 하에서 상으로 제 1 플렉션부(130), 제 2 플렉션부(140) 및 필터링부(160)가 차례대로 위치될 수 있다.
제 1 플렉션부(130)는 유입구(121)의 방향(배기가스의 유입방향)과 대향 설치되는 다수의 수직플레이트(132, 134, 136)로 구성될 수 있다. 이때 각각의 수직플레이트들(132, 134, 136)은 사각 평판으로 이루어지되 하단은 하우징(120)의 하면과 접하고 상단은 제 2 플렉션부(140) 하단, 구체적으로는 후술할 제 2 플렉션부(140)의 제 1 수평판(142)에 접하도록 이루어질 수 있다.
바람직한 실시예로, 다수의 수직플레이트(132, 134, 136)는, 도 7 에 도시된 바와 같이, 유입구(121)로부터 거리 d1 인 지점에 위치하되 양단과 하우징(120)과의 사이에 제 1 슬릿(s1)이 형성되는 제 1 수직플레이트(132)와, 상기 d1 보다 원거리 지점인 유입구로부터 거리 d2 지점에 위치하되 중심부에 제 2 슬릿(s2)이 형성되도록 서로 이격 설치되는 한 쌍의 제 2 수직플레이트(134)와, d2 보다 원거리 지점인 유입구로부터 거리 d3 지점에 위치하되 상기 하우징(120)과의 사이에 제 3 슬릿(s3)이 형성되는 제 3 수직플레이트(136)를 포함할 수 있다.
도 8 를 참조하여 제 1 플렉션부(130)에서의 배기가스 흐름을 살펴보면, 먼저, 유입구(121)를 통해 유입된 배기가스는 유입구(121)와 대향 위치되는 제 1 수직플레이트(132)와 정면으로 충돌하여 양측으로 분기된다. 양측으로 분기된 배기가스는 각각 제 1 수직플레이트(132)를 따라 이동된 후 제 1 수직플레이트(132)의 양측에 위치한 제 1 슬릿(s1)에서 꺽인 후 한 쌍의 제 2 수직 플레이트(134)와 충돌한 다음 중앙부에서 수렴한 뒤 제 2 슬릿(s2)을 통과한다. 제 2 슬릿(s2)을 통과한 배기가스는 다시 한번 제 3 수직플레이트(s3)와 정면으로 충돌하여 양측으로 분기되며 양측으로 분기된 배기가스는 제 3 수직플레이트(s3)를 따라 이동하다 제 3 슬릿(s3)에서 꺽인 뒤 하우징(120)과 제 3 수직플레이트(136) 사이의 최종수렴공간(137)에 수렴하게 된다.
본 실시예의 구성에 따르면, 유입구(121)를 통해 유입된 배기가스는 제 1 내지 3 수직플레이트(132, 134, 136)와 수회 정면으로 충돌함과 동시에 충돌 후 수직플레이트(132, 134, 136)를 따라 이동되도록 함으로써 파우더의 큰 입자들이 수직플레이트(132, 134, 136)에 부착 제거될 수 있다.
또한 다수의 수직플레이트(132, 134, 136)를 거친 배기가스는 유입구(121)와 반대측에 위치한 최종수렴공간(137)에 수렴한 다음 후술한 제 2 플렉션부(140)의 제 1 수평판(142)에 형성된 제 1 통공(142a)을 따라 자연스럽게 제 1 플렉션부(130) 상측에 위치한 제 2 플렉션부(140)로 이동할 수 있다. 이때 제 1 플렉션부(130)에서의 파우더 제거율을 높이기 위해 제 1 및 제 2 수직플레이트(132, 134)는 유입구와 대향하는 하우징(120)의 횡단면 원의 직경(d)을 기준으로 내측에 위치될 수 있다.
도 4 내지 6 및 도 9 를 참조하면, 제 2 플렉션부(140)는 원판체로 이루어져 상하 나란하게 이격 배치되는 제 1 및 제 2 수평판(142, 143)과, 제 1 및 제 2 수평판(142, 143) 사이에 중심축(141)을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽(145; 145-1, 145-2, 145-3)을 포함할 수 있다. 여기서 중심축(141)은 제 1 및 제 2 수평판(142, 143)에 형성된 관통공(미도시)에 삽입 결합되는 원통형 부재로 구성될 수 있다.
여기서, 제 1 수평판(142)에는 제 1 플렉션부(130)로부터 배기가스가 유입되도록 제 1 통공(142a)이 형성될 수 있다. 이때 제 1 통공(142a)은 다양한 형상으로 이루어질 수 있지만 바람직하게는 격벽(145)의 배열과 대응되도록 부채꼴 형상으로 이루어질 수 있다.
제 1 및 제 2 수평판(142, 143) 사이에 위치하는 격벽(145)은 제 1 통공(142a)의 양측에 형성되는 한 쌍의 제 1 격벽(145-1)과, 한 쌍의 제 1 격벽(145-1)과 반대편에 형성되는 제 2 격벽(145-2)과, 다수개로 이루어져 제 1 격벽(145-1)과 제 2 격벽(145-2) 사이 양측에 형성되는 제 3 격벽(145-3)으로 구성될 수 있다.
이러한 구성에 의해, 제 1 통공(142a)을 통해 유입된 배기가스는 한 쌍의 제 1 격벽(145-1)을 타고
좌측과 우측으로 나뉘어져 이동하게 된다. 이때 좌측과 우측으로 이동된 배기가스는 각각 제 1 격벽(145-1)의 좌측과 우측에 위치한 다수의 제 2 격벽(145-2)에 의해 지그재그로 이동한 다음 한 쌍의 제 2 격벽(145-2) 사이로 수렴하게 된다. 여기서, 수렴된 배기가스는 제 2 수평판(143)에 위치한 제 2 통공(143a)을 통해 상측으로 이동하게 된다.
제 2 플렉션부(140)의 구체적인 실시예로서, 제 1 격벽(145)의 내측 끝단은 중심축(141)과 접하고 외측 끝단은 상기 하우징(120)의 내주연과 이격되며, 제 2 격벽(145-2)의 내측 끝단은 중심축과 이격되고 외측 끝단은 상기 하우징(120)의 내주연과 접하도록 구성될 수 있다.
또한 다수의 제 3 격벽(145-3)은 내측 끝단이 중심축과 접하고 외측 끝단이 상기 하우징(120)과 이격된 격벽(145-3)과, 내측 끝단이 중심축과 이격되고 외측 끝단이 상기 하우징(120)의 내주연과 접하는 격벽(145-3)이 차례대로 배열되도록 구성될 수 있다.
한편, 제 2 플렉션부(140)는, 상술한 제 1 수평판(142) 및 제 2 수평판(143)에 의한 단일의 층으로 구성될 수 있지만 바람직하게는 별도의 수평판과 격벽을 추가하여 복층으로도 구성될 수 있다.
이를 위해, 제 2 플렉션부(140)는, 제 2 수평판(143)의 상부에 나란하게 이격 배치되는 제 3 수평판(144)과, 제 2 수평판(143) 및 제 3 수평판(144) 사이에 중심축을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽(146)을 포함할 수 있다.
또한, 제 2 수평판(143)에는 제 1 및 제 2 수평판(142, 143) 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가 제 2 및 제 3 수평판(142, 143) 사이로 이동되도록 제 2 통공(143a)이 형성되고, 제 3 수평판(144)에는 상기 제 2 및 제 3 수평판(143, 144) 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가 필터링부(160)로 이동될 수 있도록 제 3 통공(144a)이 형성될 수 있다. 이때, 제 2 통공(143a)은 제 1 통공(142a)과 반대측에 위치되고 제 3 통공(144a)은 제 2 통공(143a)과 반대측에 위치될 수 있다. 참고로, 제 2 수평판(143)과 제 3 수평판(144) 사이에 위치되는 격벽(146)의 구성은 제 1 수평판(143)과 제 2 수평판(143) 사이에 위치되는 격벽(145)과 180 도 대칭 배열된 점을 제외하고 동일한 바 구체적 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예의 구성에 의하면, 제 1 플렉션부(130)으로부터 이동된 배기가스를 단일 또는 복층으로 구성된 제 2 플렉션부(140)에서 시계 또는 반시계 방향으로 회전하도록 하되, 다수의 격벽(145, 146)에 의해 지그재그로 이동하면서 다수의 격벽(145, 146)과의 접촉되도록 함으로써 제 1 플렉션부(130)에서 미쳐 제거 되지 못한 작은 입자의 파우더가 다수의 격벽(145, 146)에 부착 제거될 수 있다.
한편, 도 4 를 참조하면, 필터링부(160)는 필터 케이싱(162)과, 포집필터(164)를 포함할 수 있다. 필터 케이싱(162)은 플렉션부(140)의 상측에 위치하게 되는데 바람직하게는 중공의 원통형상으로 이루어지며 플렉션부(140)로부터 배기가스가 유입되도록 하면이 개방되도록 구성된다.
또한 필터 케이싱(162)은 유출구가 형성된 하우징(120)의 상단캡(122)에 그 상단이 밀착 결합될 수 있는데, 바람직하게는 나사결합방식이나 끼움 결합방식에 의해 결합될 수 있다.
포집필터(164)는 하면이 폐쇄된 중공의 원통 형상으로 이루어지고 필터 케이싱(162) 내부에 수직방향으로 설치될 수 있다. 그리고, 포집필터(164)와 필터 케이싱(162) 사이에 포집필터(164) 외측둘레를 따라 균일한 이격공간이 형성될 수 있도록, 그 중심축(161)은 필터 케이싱(162)의 중심축(161)과 일치하도록 설치되고 직경은 필터 케이싱(162)의 직경보다 작게 이루어질 수 있다.
포집필터(164)는 다양한 방식으로 제작할 수 있으나 바람직하게는 올레핀계 복합수지 또는 폴리아미드계 합성섬유를 적층시키거나 이들을 혼합 적층시켜 제작할 수 있다. 이때 성형방식으로는 바람직하게는 영융착 방식이 이용될 수 있다.
종래 트랩장치에 사용되는 일반적인 필터들은 아크릴섬유를 바인더로 성형 제작하였으나 이 경우 제작공정이 길어지고 비용이 상당한 문제점이 있었다. 본 실시예는 이러한 단점을 보완하기 위해 필터의 성분을 비교적 저렴한 폴리아미드계 복합수지 또는 폴리아미드계 합성섬유로 하고 이들을 열융착에 의해 적층 성형 제작하므로 제작비용이 저렴한 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다
100: 파우더 트랩장치
120: 하우징
121: 유입구 122: 상단캡
123: 유출구
126: 휠
130: 제 1 플렉션부
132, 134, 136: 수직플레이트
140: 제 2 플렉션부
142, 143, 144: 제 1 내지 제 3 수평판
142a, 143a, 144a: 제 1 내지 제 3 통공
145, 146: 격벽
160: 필터링부
162: 필터 케이싱
164: 포집필터
s1~s3: 제 1 내지 제 3 슬릿

Claims (8)

  1. 반도체 제조공정의 공정챔버와 연결된 진공펌프의 전단 또는 후단에 설치되어 상기 공정챔버에서 배출되는 배기가스로부터 파우더(Powder)를 제거하는 파우더 트랩장치로서,
    중공의 원통형상으로 이루어지되 측면 하부에 유입구가 형성되고 상면에 유출구가 형성되는 하우징;
    유입된 배기가스로부터 파우더의 큰 입자들이 제거되도록, 상기 하우징 내부에 상기 유입구의 방향과 대향 설치되는 다수의 수직플레이트로 구성된 제 1 플렉션부;
    상기 제 1 플렉션부 상측에 위치되며, 상기 제 1 플렉션부를 거친 배기가스가 회전하면서 지그재그로 이동되도록 하여 파우더의 작은 입자들이 제거되도록 하는 제 2 플렉션부;
    상기 제 1 및 제 2 플렉션부로부터 1 차적으로 정화된 배기가스로부터 잔여 파우더를 포집하는 필터링부;를 포함하고,
    상기 제 2 플렉션부는,
    원판체로 이루어져 상하 나란하게 이격 배치되는 제 1 및 제 2 수평판과, 상기 제 1 수평판과 제 2 수평판 사이에 중심축을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽을 포함하되,
    상기 제 1 수평판에는 상기 제 1 플렉션부로부터 배기가스가 유입되도록 제 1 통공이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 플렉션부의 다수의 수직플렉이트는,
    사각 평판으로 이루어지되 하단은 하우징의 하면과 접하고 상단은 상기 제 2 플렉션부 하단에 접하도록 이루어지며,
    상기 유입구로부터 거리 d1 인 지점에 위치하되 양단과 상기 하우징과의 사이에 제 1 슬릿이 형성되는 제 1 수직플레이트와, 상기 d1 보다 원거리 지점인 상기 유입구로부터 거리 d2 지점에 위치하되 중심부에 제 2 슬릿이 형성되도록 서로 이격 설치되는 한 쌍의 제 2 수직플레이트와, 상기 d2 보다 원거리 지점인 상기 유입구로부터 거리 d3 지점에 위치하되 상기 하우징과의 사이에 제 3 슬릿이 형성되는 제 3 수직플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 격벽은, 상기 제 1 통공의 양측에 형성되는 한 쌍의 제 1 격벽과, 상기 한 쌍의 제 1 격벽과 반대편에 형성되는 한 쌍의 제 2 격벽과, 다수개로 이루어져 상기 제 1 격벽과 제 2 격벽 사이에 형성되는 제 3 격벽으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    제 1 격벽의 내측 끝단은 상기 중심축과 접하고 외측 끝단은 상기 하우징의 내주연과 이격되며, 상기 제 2 격벽의 내측 끝단은 상기 중심축과 이격되고 외측 끝단은 상기 하우징의 내주연과 접하며,
    상기 다수의 제 3 격벽은 내측 끝단이 상기 중심축과 접하고 외측 끝단이 상기 하우징과 이격되는 격벽과, 내측 끝단이 상기 중심축과 이격되고 외측 끝단이 상기 하우징과 접하는 격벽이 차례대로 배열되어 구성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 플렉션부는,
    제 2 수평판의 상부에 나란하게 이격 배치되는 제 3 수평판과, 상기 제 2 수평판 및 상기 제 3 수평판 사이에 상기 중심축을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 수평판에는,
    상기 제 1 및 제 2 수평판 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가 제 2 및 제 3 수평판 사이로 이동되도록 제 2 통공이 형성되고,
    상기 제 3 수평판에는, 상기 제 2 및 제 3 수평판 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가 상기 필터링부로 이동될 수 있도록 제 3 통공이 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 필터링부는,
    상기 플렉션부의 상측에 위치하고 상기 유출구와 연통되며 하면이 개방된 필터 케이싱과, 하면이 폐쇄된 중공의 원통 형상으로 이루어져 상기 필터 케이싱 내부에 수직방향으로 설치되는 포집필터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 포집필터는,
    폴리아미드계 합성섬유가 열융착방식에 의해 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
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