KR102134283B1 - 방향족 폴리머를 처리하기 위한 용제 및 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

방향족 폴리머를 처리하기 위한 용제 및 반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 방향족 폴리머 처리 용제는 1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소를 포함함으로써 효과적으로 방향족 폴리머를 처리할 수 있으며, 특히 반도체 기판의 외곽 및 이면에 코팅된 방향족 폴리머를 효과적으로 처리할 수 있다.

Description

방향족 폴리머를 처리하기 위한 용제 및 반도체 소자의 제조방법{SOLVENT FOR TREATING AROMATIC POLYMER AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 방향족 폴리머를 처리하기 위한 용제 및 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
미세전자공학(microelectronics) 분야와 함께 마이크로머신(micromachine), 자기저항헤드(magnetoresistive head) 등과 같은 미시적(microscopic) 구조물의 제조 분야에서 패턴의 크기를 감소시켜 주어진 칩 크기에 보다 많은 양의 회로를 제공하려는 시도가 이루어지고 있다.
이와 같이 패턴의 크기를 감소시키는데는 효과적인 리쏘그래피(lithography) 기법이 필수적이다. 리쏘그래피는 소정의 기판 상에 패턴을 직접적으로 이미지화시킨다는 측면에서 뿐만 아니라 그러한 이미지화에 전형적으로 사용된 마스크를 제조한다는 측면에서 미시적 구조물의 제조에 영향을 미친다.
일반적인 리쏘그래피 공정은 이미지화 방사선(imaging radiation)에 방사선-민감성 레지스트(radiation-sensitive resist)를 패턴 방식으로 노출시킴으로써 패턴화된 레지스트 층을 형성하는 단계를 포함한다. 이후 방사선에 노출된 레지스트 층을 현상액으로 현상하고, 현상된 레지스트 층을 통해 에칭함으로써 이면 기판 층에 패턴을 전사시킨다. 전사가 완료되면, 잔류하는 레지스트 층은 제거된다.
그러나, 일부 리쏘그래피 이미지화 공정에서 사용되는 레지스트는 에칭 단계에 필요한 충분한 내성을 갖지 못하여, 이면 기판 층으로 패턴을 효과적으로 전사시키지 못하는 문제가 있다. 예컨대, 초박막의 레지스트 층이 필요하거나, 에칭 처리되는 이면 기판 층이 두껍거나, 상당한 깊이의 두께의 에칭이 필요하거나, 또는 이면 기판 층에 특정 에칭액(etchant)을 사용하는 것이 필요한 경우가 있는데, 이와 같은 경우에 패턴을 효과적으로 전사시키기 위해 레지스트 층과 이면 기판 층 사이에 중간층으로서 하드마스크 층을 사용하고 있다.
이와 같은 하드마스크 층은, 패턴화된 레지스트 층으로부터 패턴을 전사받고 이면 기판 층으로 패턴을 전사시키는 에칭 공정을 견뎌낼 수 있어야 한다.
또한, 하드마스크 층은 에칭 선택성이 높고 다중 에칭에 대한 내성을 구비하며 레지스트 층과 이면 기판 층 간의 반사를 최소화할 수 있는 하드마스크 조성물로 이루어지는 것이 좋다. 이러한 하드마스크 조성물을 사용하여 리쏘그래피 공정을 거친 패턴은 광학적 특성이 개선될 수 있다.
이러한 하드 마스크 조성물은 듀얼 다마신(dual damascene) 공정에 사용될 수 있다. 듀얼 다마신 공정은 패터닝 방법에 따라 TFDD(trench-first dual damascene), VFDD(via-first dual damascene) 및 HMDD(hardmask dual damascene)로 크게 나눌 수 있다. 이 중 VFDD 공정은 상술한 내에칭성 및 광학적 특성 외에 틈새충전(gap-filling) 특성 및 평탄화 특성이 또한 요구된다.
현재 하드마스크 층의 제조 공정과 같은 다양한 반도체 공정에 방향족 폴리머가 사용되고 있으며(대한민국 공개특허공보 제 2013-0026912 호 참조), 이에 따라 상기 방향족 폴리머를 처리하기 위한 용제가 다양하게 연구 중이다.
대한민국 공개특허공보 제 2013-0026912 호 (제일모직주식회사) 2013.03.14.
본 발명은 효과적으로 방향족 폴리머를 처리할 수 있는 용제를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 방향족 폴리머 처리 용제는 1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소를 총 30중량% 이상으로 함유하는 용제로서, 상기 용제 1mL 속에 포함된 입경 0.5㎛ 이상의 미립자가 50개 이하이다.
일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 기판 상에 방향족 폴리머를 코팅하는 단계; 및 상기 기판의 외곽 및 이면에 용제를 분사하는 단계를 포함하되, 상기 용제가 1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소를 총 30중량% 이상으로 함유한다.
실시예에 따른 방향족 폴리머 처리 용제는 1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소를 포함함으로써 효과적으로 방향족 폴리머를 처리할 수 있다. 특히, 실시예에 따른 방향족 폴리머 처리 용제는 C8-C11 방향족 탄화수소 외에도, C6-C7 방향족 탄화수소, 지방족 탄화수소, 지환족 탄화수소, 및 디부틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 더 포함함으로써 방향족 폴리머를 더욱 효과적으로 처리할 수 있다.
이에 따라서, 실시예에 따른 방향족 폴리머 처리 용제는 반도체 공정에서, 방향족 폴리머를 효과적으로 처리할 수 있다. 특히, 실시예에 따른 방향족 처리 용제는, 상기 반도체 기판의 외곽(edge) 및 이면에 코팅된 방향족 폴리머를 효과적으로 처리할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 보다 상세히 설명한다. 단 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 따른 처리 용제는 방향족 폴리머를 세정, 용해, 정제 또는 박리하는데 사용될 수 있다. 특히, 실시예에 따른 처리 용제는 반도체 기판 상에 코팅된 방향족 폴리머의 일부를 세정 또는 박리할 수 있다. 특히, 실시예에 따른 처리 용제는 반도체 기판의 외곽(edge) 또는 이면에 코팅된 방향족 폴리머를 세정 또는 박리할 수 있다.
방향족 폴리머
상기 방향족 폴리머는 아릴기를 포함할 수 있다. 상기 방향족 폴리머는 주쇄 또는 측쇄에 아릴기를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 방향족 폴리머는 주쇄에 아릴기를 포함할 수 있다.
상기 방향족 폴리머의 분자량은 1,000 내지 30,000일 수 있다. 더 자세하게, 상기 방향족 폴리머의 분자량은 1,000 내지 20,000일 수 있다.
일례로서, 상기 방향족 폴리머는 하기의 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112014002129755-pat00001
상기 식에서,
Ar은 C6-C60의 치환 또는 비치환된 아릴기이고;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, C1-C10의 치환 또는 비치환된 알콕시기, C1-C10의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6-C60의 치환 또는 비치환된 아릴기, C5-C60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 또는 니트로기이고;
n은 1 내지 3,000의 정수이다.
바람직하게는, 상기 화학식 1에서, Ar은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센일기, 또는 치환 또는 비치환된 비안트라센일기이다.
다른 예로서, 상기 방향족 폴리머는 하기의 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112014002129755-pat00002
상기 식에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 C6-C60의 치환 또는 비치환된 아릴기이고;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, C1-C10의 치환 또는 비치환된 알콕시기, C1-C10의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6-C60의 치환 또는 비치환된 아릴기, C5-C60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 또는 니트로기이고;
n은 1 내지 3,000의 정수이다.
바람직하게는, 상기 화학식 2에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센일기, 또는 치환 또는 비치환된 비안트라센일기이다.
또 다른 예로서, 상기 방향족 폴리머는 하기의 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112014002129755-pat00003
상기 식에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 C6-C60의 치환 또는 비치환된 아릴기이고;
R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, C1-C10의 치환 또는 비치환된 알콕시기, C1-C10의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6-C60의 치환 또는 비치환된 아릴기, C5-C60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 또는 니트로기이고;
n은 1 내지 3,000의 정수이다.
바람직하게는, 상기 화학식 3에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센일기, 또는 치환 또는 비치환된 비안트라센일기이다.
방향족 탄화수소를 포함하는 용제
실시예에 따른 처리 용제는 C8-C11의 방향족 탄화수소를 포함한다.
예를 들어, 실시예에 따른 처리 용제는, 용제의 총 중량을 기준으로, 상기 C8-C11의 방향족 탄화수소 혼합물을 약 30중량% 이상 포함할 수 있고, 바람직하게는 약 40중량% 이상 포함할 수 있고, 더 바람직하게는 약 50중량% 이상 포함할 수 있고, 더 바람직하게는 약 60중량% 이상 포함할 수 있고, 더 바람직하게는 약 70중량% 이상 포함할 수 있다.
본 명세서에서, "C8-C11의 방향족 탄화수소"라 함은, 방향족 고리가 탄소 및 수소로 이루어진 화합물로서, 치환 또는 비치환된 것일 수 있으며, 화합물에 포함되는 탄소의 총 갯수가 8 내지 11개인 것을 의미한다.
상기 C8-C11의 방향족 탄화수소의 구체적인 예로서는, 1,2,4-트리메틸벤젠, 큐멘, 자일렌, 1,2,3-트리메틸벤젠, 1-에틸-2-메틸벤젠, 프로필벤젠, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 나프탈렌 등을 들 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
예를 들어, 상기 C8-C11의 방향족 탄화수소 중, 상기 1,2,4-트리메틸벤젠의 양은 약 20중량% 이상일 수 있다. 더 자세하게, 상기 C8-C11의 방향족 탄화수소 혼합물 중, 상기 1,2,4-트리메틸벤젠의 양은 약 30중량% 내지 45중량%일 수 있다.
상기 C8-C11의 방향족 탄화수소로서 시판하는 제품의 예로는 SK에너지사의 코코졸(KOCOSOLTM) 100 및 코코졸 150을 들 수 있다.
실시예에 따른 처리 용제는 상기 C8-C11의 방향족 탄화수소 혼합물 이외에, C6-C7 방향족 탄화수소, 지방족 탄화수소, 지환족 탄화수소, 및 디부틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 따른 처리 용제는 상기 C8-C11의 방향족 탄화수소 혼합물 이외에, 아니솔, 데칼린, 사이클로헥산, 사이클로헥센, 메틸사이클로헥산, 에틸사이클로헥산, 리모넨, 헥산, 옥탄, 노난, 데칸, C8-C11 알칸 혼합물, 지방족/지환족 탄화수소 혼합물(C8 이상의 방향족 탄화수소를 5~25중량% 함유) 및 디부틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 더 포함할 수 있다.
또는, 실시예에 따른 처리 용제는 1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소, 및 지방족 또는 지환족 탄화수소의 혼합물을 총 50중량% 이상 함유하는 혼합 용제일 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 처리 용제에는 C8-C11 방향족 탄화수 외에도, 아니솔, 데칼린, 사이클로헥산, 사이클로헥센, 메틸사이클로헥산, 에틸사이클로헥산, 리모넨, 헥산, 옥탄, 노난, 데칸, C8-C11 알칸 혼합물, C8 이상의 방향족 탄화수소를 5~25중량% 함유하는 지방족/지환족 탄화수소 혼합물 및 디부틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상이 더 혼합될 수 있다.
상기 용제 1mL 속에 포함된 입경 0.5㎛ 이상의 미립자는 50개 이하일 것이 요구되며, 보다 바람직하게는 10개 이하인 것이 좋으며, 예를 들어 1개 내지 10개 일 수 있다.
용제 1mL 속에 포함된 입경 0.5㎛ 이상의 미립자의 수가 50개를 초과하는 경우, 처리된 방향족 폴리머 막중에 미립자가 잔류함으로써, 방향족 폴리머막을 소성하여 탄소질의 막을 형성했을 때 절연성, 유전성 등의 저하가 나타나는 경우가 있으며, 방향족 폴리머가 도포된 반도체 기판 등에 미립자가 부착되어 반도체 특성, 단락이나 도전성 불량 등에 의한 디바이스 수율의 저하 등이 발생할 수 있다.
따라서, 여과, 증류 등 적절한 수단에 의해 용제 중의 미립자를 제거함으로써 미립자의 갯수를 조절하는 것이 좋다. 특히 미립자가 금속인 경우에 절연성, 유전성, 반도체 특성, 단락 등의 문제가 많이 발생하기 때문에, 용제 중에 금속 미립자가 가급적 존재하지 않도록 조절하는 것이 바람직하다.
또한, 입경 0.2㎛ 이상의 미립자도 용제 1mL 당 400개 이하인 것이 보다 바람직하다.
바람직하게는, 상기 용제 속에 포함되는 미립자는 입경이 100㎛ 이하, 또는 10㎛ 이하이거나, 또는 1㎛ 이하일 수 있다.
상기 용제 속에 포함되는 미립자는 예를 들어 무기 입자, 유기 입자, 또는 유무기 복합 입자일 수 있다.
상기 처리 용제는 방향족 폴리머에 대한 높은 용해성을 가진다.
또한, 상기 용제는 C8-C11 방향족 탄화수소 외에도, 지방족 탄화수소, 지환족 탄화수소 또는 디부틸에테르가 더 혼합된 용제일 수 있다. 즉, 용제로서 방향족 탄화수소 용제인 1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소(예를 들면, SK에너지사의 코코졸 100 또는 150) 외에도 지방족 탄화수소(예: 노난 등), 지환족 탄화수소(예: 사이클로헥산 등) 등과 혼합된 용제를 사용할 수 있다.
방향족 폴리머에 대한 용해성의 관점에서 보면, 방향족 용제의 함유량이 많은 것이 바람직하며, 특히, 1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소(예: SK에너지사의 코코졸 100 또는 150) 및 지방족/지환족 탄화수소의 혼합물을 총 50중량% 이상 함유하는 처리 용제는, 상기의 화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3의 방향족 폴리머 중 어떠한 것에 대해서도 용해성이 양호하고, 엣지 절단성도 우수하다. 또한, 염가인 점에서 방향족 폴리머의 처리 용제로서 특히 바람직하다.
또한, 본 발명에서 사용되는 용제는, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서, 희석 용제로서 미네랄스피릿(mineral spirit)을 사용하여 희석될 수 있다. 또한, 이때 사용되는 미네랄스피릿 1mL 속에 포함된 0.5㎛ 이상의 미립자의 수도 50개 이하인 것이 필요하다. 또한, 메틸사이클로헥산, 에틸사이클로헥산 등은 냄새가 적기 때문에, 무취성이 요구되는 경우에는 이러한 냄새가 적은 용제를 선택하는 것이 좋다.
참고예 1: 방향족 폴리머의 제조
기계 교반기, 냉각관, 300mL 적가 깔대기 및 질소가스 도입관을 구비한 1L의 4구 플라스크에, 질소가스를 유입하면서 1,4-비스(메톡시메틸)벤젠 8.31g(0.05몰), 디에틸설페이트 0.154g(0.001몰), 및 γ-부티로락톤 200g을 첨가하고 교반하였다. 10분 후에 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디페놀 28.02g(0.08몰)을 γ-부티로락톤 200g에 녹인 용액을 30분간 천천히 적가한 다음, 12시간 동안 반응을 실시하였다. 반응 종료 후 물을 사용하여 산을 제거한 후에 증발기로 농축하였다. 이어서 MAK와 메탄올을 사용하여 희석하고 15중량% 농도의 MAK/메탄올=4/1(중량비)의 용액으로 조정하였다. 이 용액을 3L 분액 깔대기에 넣고, n-헵탄을 첨가하여 모노머를 함유하는 저분자량체를 제거하였다. 그 결과 하기 폴리머 1의 페놀수지(Mw=12,000, polydispersity=2.0, n=23)를 얻었다.
[폴리머 1]
Figure 112014002129755-pat00004
참고예 2: 방향족 폴리머의 제조
기계 교반기, 냉각관, 300mL 적가 깔대기 및 질소가스 도입관을 구비한 1L의 4구 플라스크에, 질소가스를 유입하면서 상기 화학식 4의 화합물 75g 및 미쓰비시케미칼(Mitsubishi Chemical)사의 MS51 25g을 프로필렌글리콜모노에틸아세테이트(PGMEA) 600g에 녹였다. 이후 파라톨루엔설폰산(PTSA) 일수화물 2g을 첨가하고 온도를 120℃로 올렸다. 30분간 교반한 다음, 온도를 150℃로 다시 올리고 2시간 동안 교반한 다음 상온으로 식혔다. 여기에 PGMEA를 1300g을 첨가하여 30분간 교반하고 여과하였다. 그 결과 하기와 같이 R이 치환된 폴리머 2를 얻었다.
[폴리머 2]
Figure 112014002129755-pat00005
참고예 3: 방향족 폴리머의 제조
500mL 3구 둥근 플라스크에 온도계, 콘덴서 및 적가 깔대기를 구비한 후 120℃의 오일 항온조에 담그었다. 이 항온조를 핫플레이트 위에 올리고, 교반 자석을 사용하여 교반을 실시하였다. 이때 콘덴서의 냉각수 온도는 10℃로 고정하였다. 상기 3구 플라스크에 1,1'-비-2-나프톨 63.0g(0.22mol) 및 1,3,5-트리옥산 25.8g(0.286mol)을 시클로헥사논 212g에 녹였다. 여기에 파라톨루엔술폰산(PTSA) 일수화물 2.1g(11mmol)을 첨가하고 12시간 동안 교반하여 반응을 진행하였다. 이때, 반응기의 온도는 120℃로 유지되었다. 반응 완료 시점에서 반응물을 상온에서 서서히 냉각하여 반응을 종료시켰다. 수득한 반응물을 n-헥산/에탄올(80:20, w/w) 혼합 용액 600g에 적가하면서 교반하였다. 이후 상등액을 제거하여 플라스크 바닥면에 응집된 폴리머를 분리해내었다. 이를 진공 오븐에서 80℃에서 24시간 동안 건조시켜 잔류 용매와 불순물을 제거하였다. 그 결과 하기 폴리머 3을 수득하였으며, GPC로 측정한 중량평균분자량은 3,500이었고 분산도는 1.9이었다.
[폴리머 3]
Figure 112014002129755-pat00006
실시예 1 내지 15 및 비교예 1 내지 3: 용제를 이용한 방향족 폴리머의 처리
상기 참고예 1 내지 3에서 수득된 방향족 폴리머 1 내지 3을 디-n-부틸에테르에 20중량% 농도로 첨가시켜 용액을 제조한 후, 도쿄일렉트론사의 클린트랙 Mark-8을 사용하여 상기 용액을 회전수 1,000rpm으로 10초 동안 스핀 코팅하였다.
시험할 용제(세정액)를 코팅면 및 이면에 회전수 2,000rpm으로 5초 동안 분사하여 웨이퍼의 세정을 실시하고, 방향족 폴리머의 박리성(외곽 절단성)을 배율 100배의 광학 현미경으로 관찰하였다. 용제의 코팅면 및 이면에 대한 용제의 분사는, 모두 웨이퍼 외주면으로부터 3mm 이내로 실시했다.
참고예 1 내지 3에서 수득된 방향족 폴리머 1 내지 3에 대하여, 하기의 표 1에서와 같이, 각각의 용제를 사용하였다.
시험 후에 코팅면에 대한 세정(탑 린스)와 이면에 대한 세정(백 린스)의 결과를 하기 표 2에 정리하였다.
구분 용제(세정액) 입경 0.5 이상 미립자 (개/mL) 수분 함유량
(중량%)
실시예 1 코코졸 100 35 0.002
실시예 2 코코졸 150 12 0.003
실시예 3 1,2,3-트리메틸벤젠 52 0.002
실시예 4 데칼린 85 0.005
실시예 5 사이클로헥산 33 0.002
실시예 6 사이클로헥센 43 0.002
실시예 7 메틸사이클로헥산 43 0.002
실시예 8 에틸사이클로헥산 48 0.002
실시예 9 리모넨 22 0.01
실시예 10 코코졸 100/사이클로헥산(1:1) 88 0.002
실시예 11 1,2,3,5-테트라메틸벤젠 22 0.002
실시예 12 크실렌 51 0.001
실시예 13 크실렌/n-노난(1:1) 42 0.002
실시예 14 디부틸에테르
(탈수처리후, 수분량 20ppm)		 43 0.005
실시예 15 아니솔 35 0.05
비교예 1 디부틸에테르
(탈수없음, 수분량 300ppm)		 43 0.3
비교예 2 프로필렌글리콜모노메틸에테르 25 0.02
비교예 3 PGMEA 21 0.01
구분 폴리머 1 폴리머 2 폴리머 3
탑 린스 백 린스 탑 린스 백 린스 탑 린스 백 린스
실시예 1 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 2 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 3 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 4 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 5 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 6 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 7 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 8 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 9 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 10 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 11 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 12 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 13 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 14 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 15 양호 양호 양호 양호 양호 양호
비교예 1 불량 불량 불량 불량 불량 불량
비교예 2 불량 불량 불량 불량 불량 불량
비교예 3 불량 불량 불량 불량 불량 불량
이상, 본 발명을 상기 실시예를 중심으로 하여 설명하였으나 이는 예시에 지나지 아니하며, 본 발명은 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 다양한 변형 및 균등한 기타의 실시예를 이하에 첨부한 청구범위 내에서 수행할 수 있다는 사실을 이해하여야 한다.

Claims (8)

1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소를 총 30중량% 이상으로 함유하는 용제로서, 상기 용제 1mL 속에 포함된 입경 0.5㎛ 이상의 미립자가 50개 이하인 것을 특징으로 하는,
하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 그룹 중에서 선택되는 어느 하나로 표시되는 방향족 폴리머를 처리하기 위한 용제:.
[화학식 1]
Figure 112020017735043-pat00007

[화학식 2]
Figure 112020017735043-pat00008

[화학식 3]
Figure 112020017735043-pat00009

상기 식에서,
Ar, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 C6-C60의 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, C1-C10의 치환 또는 비치환된 알콕시기, C1-C10의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6-C60의 치환 또는 비치환된 아릴기, C5-C60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 또는 니트로기이고,
n은 1 내지 3,000의 정수이다.
제 1 항에 있어서,
상기 방향족 폴리머가 주쇄에 아릴기를 포함하고 1,000 내지 20,000의 분자량을 갖는, 용제.
제 2 항에 있어서,
상기 용제가, C6-C7 방향족 탄화수소, 지방족 탄화수소, 지환족 탄화수소, 및 디부틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상 더 포함하는, 용제.
제 2 항에 있어서,
상기 C8-C11 방향족 탄화수소가 상기 용제의 총 중량을 기준으로 50중량% 이상으로 함유되는, 용제.
제 3 항에 있어서,
상기 용제가, 상기 1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소, 및 지방족 또는 지환족 탄화수소의 혼합물을 총 50중량% 이상으로 함유하는, 용제.
기판 상에 방향족 폴리머를 코팅하는 단계; 및
상기 기판의 외곽 및 이면에 용제를 분사하는 단계를 포함하되,
상기 용제가 1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소를 총 30중량% 이상으로 함유하는 용제로서, 상기 용제 1mL 속에 포함된 입경 0.5㎛ 이상의 미립자가 50개 이하인 것을 특징으로 하고,
상기 용제가 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 그룹 중에서 선택되는 어느 하나로 표시되는 방향족 폴리머를 처리하기 위한 것인, 반도체 소자의 제조방법.:
[화학식 1]
Figure 112020017735043-pat00010

[화학식 2]
Figure 112020017735043-pat00011

[화학식 3]
Figure 112020017735043-pat00012

상기 식에서,
Ar, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 C6-C60의 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, C1-C10의 치환 또는 비치환된 알콕시기, C1-C10의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6-C60의 치환 또는 비치환된 아릴기, C5-C60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 또는 니트로기이고,
n은 1 내지 3,000의 정수이다.
제 6 항에 있어서,
상기 방향족 폴리머가 주쇄에 아릴기를 포함하고 1,000 내지 20,000의 분자량을 갖는, 반도체 소자의 제조방법.
제 7 항에 있어서,
상기 용제가,
C6-C7 방향족 탄화수소, 지방족 탄화수소, 지환족 탄화수소 및 디부틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 더 포함하고,
1종 이상의 C8-C11 방향족 탄화수소, 및 지방족 또는 지환족 탄화수소의 혼합물을 총 50중량% 이상으로 함유하는, 반도체 소자의 제조방법.
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