KR102132929B1 - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 표시영역과 비표시영역이 구비된 전면 및 패드부가 구비된 후면을 포함하는 박막트랜지스터 어레이 기판, 상기 후면의 패드부에 형성된 얼라인 키, 및 상기 전면의 비표시영역에 형성되고, 상기 얼라인 키를 노출하는 개구부를 포함하는 차광층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 베젤을 줄이고 외부광의 반사광을 방지하며 기판이나 칩들을 얼라인하기 용이한 표시장치에 관한 것이다.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
이 중 액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하여 구동된다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD 이하, 액정표시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다. 상기 액정표시장치는 공통 전극이 형성된 컬러필터 기판과 화소 전극이 형성된 어레이 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통 전극과 화소 전극이 상하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.
도 1은 종래 액정표시장치를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 종래 액정표시장치(5)는 박막트랜지스터 어레이 기판(20)과 컬러필터 기판(10) 사이에 액정층(미도시)이 개재된 액정패널(25)을 포함한다. 광을 제공하는 백라이트 유닛(40)이 구비되어, 백라이트 유닛(40)에서 제공되는 광의 투과를 액정패널(25)에서 제어하여 컬러필터 기판(10)을 통해 영상을 구현한다. 박막트랜지스터 어레이 기판(20)에 광의 투과를 제어하기 위한 구동 신호를 인가하도록 일측에 인쇄회로기판(Printed Cercuit Board, PCB)(30)이 부착된다. 그리고, 전술한 박막트랜지스터 어레이 기판(20), 컬러필터 기판(10), 백라이트 유닛(40) 등은 케이스(50)에 의해 수납되어 액정표시장치(5)를 구성한다.
그러나, 종래 액정표시장치(5)는 박막트랜지스터 어레이 기판(20)의 측부에 인쇄회로기판(30)이나 패드부의 존재로 인해 영상이 표시되지 않는 비표시영역이 존재한다. 이러한 비표시영역은 케이스(50)에 의해 덮여 베젤(bezzel)로 작용하고, 넓은 베젤의 존재는 제품성을 저하시키는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 베젤을 줄이고 외부광의 반사광을 방지하며 기판이나 칩들을 얼라인하기 용이한 표시장치를 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 표시영역과 비표시영역이 구비된 전면 및 패드부가 구비된 후면을 포함하는 박막트랜지스터 어레이 기판, 상기 후면의 패드부에 형성된 얼라인 키, 및 상기 전면의 비표시영역에 형성되고, 상기 얼라인 키를 노출하는 개구부를 포함하는 차광층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 얼라인 키는 상기 개구부 내에 위치하며, 상기 차광층과 중첩되지 않는 것을 특징으로 한다.
상기 개구부는 상기 얼라인 키로부터 5㎛ 내지 100㎛ 내로 이격된 크기로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 개구부는 150㎛ × 150㎛ 내지 300㎛ × 300㎛ 내의 크기로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 표시장치는 상기 박막트랜지스터 어레이 기판과 대향하는 컬러필터 기판을 더 포함하는 액정표시장치인 것을 특징으로 한다.
상기 표시장치는 상기 박막트랜지스터 어레이 기판 상에 형성된 유기전계발광소자를 더 포함하는 유기전계발광표시장치인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시장치는 광이 출사되는 박막트랜지스터 어레이 기판의 후면에 패드부가 구비됨으로써, 표시장치의 베젤을 줄일 수 있는 이점이 있다.
또한, 박막트랜지스터 어레이 기판의 전면의 비표시영역에 차광층을 형성함으로써, 외부광의 반사에 의한 반사광을 억제할 수 있는 이점이 있다.
또한, 차광층에 얼라인 키를 노출하는 개구부를 형성함으로써, 비전카메라를 통해 얼라인 키를 촬영하여 기판, 구동부 또는 연성회로기판을 부착할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 종래 액정표시장치를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 전면과 후면을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 단면을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 단면을 나타낸 도면.
도 5는 도 4의 A영역을 확대하여 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 박막트랜지스터 어레이 기판의 패드부를 나타낸 평면도.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 얼라인 키와 차광층의 개구부를 나타낸 도면.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 단면도.
도 12는 표시패널에 구동칩을 얼라인하는 공정을 나타낸 도면.
도 13은 본 발명의 실험예 1에 따라 표시패널의 얼라인 키와 구동칩의 얼라인 키를 얼라인하여 비전카메라로 촬영한 이미지.
도 14는 본 발명의 실험예 1에 따라 일반 카메라로 표시패널의 차광층의 개구부를 촬영한 이미지.
도 15는 본 발명의 실험예 2에 따라 제작된 표시패널에 구동칩을 각각 부착한 후, 일반 카메라로 표시패널의 차광층의 개구부들을 촬영한 이미지.
도 16은 본 발명의 실험예 3에 따라 각 표시패널의 얼라인 키와 구동칩의 얼라인 키를 비전카메라로 촬영한 이미지와, 얼라인 키로부터 10㎛ 및 300㎛ 이격된 차광층의 개구부를 형성한 표시패널의 구동칩의 압흔을 촬영한 이미지.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 전면과 후면을 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 단면을 나타낸 도면이며, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 단면을 나타낸 도면이고, 도 5는 도 4의 A영역을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(210)이 합착된 표시패널(DP)을 구비한다. 표시패널(DP) 중 박막트랜지스터 어레이 기판(110)은 영상이 표시되는 표시영역(DA)과 영상이 표시되지 않는 비표시영역(NDA)을 포함한다. 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 전면(FS)에는 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 비표시영역(NDA)에 해당하는 영역에 빛을 차단하는 차광층(LS)이 위치한다. 또한, 차광층(LS)은 블랙(black)으로 표시되어 표시장치(100)가 구동되지 않을 때 표시영역처럼 보이게 된다. 그리고, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 후면(BS)의 하단에 구동부(DIC)가 위치하고, 구동 신호, 전원 등의 각종 신호를 전달하는 연성회로기판(FPCB)가 위치한다.
보다 자세하게, 도 3을 참조하여, 도 2에 도시된 표시장치(100)의 구조를 상세히 살펴보기로 한다. 본 실시예에서는 표시장치를 설명하기 위해 컬러필터 기판과 박막트랜지스터 어레이 기판을 구비한 액정표시장치를 일예로 설명한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 박막트랜지스터 어레이 및 구동 전극들이 형성된 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과, 컬러필터 어레이가 형성된 컬러필터 기판(210)이 합착된 표시패널(DP)을 포함한다. 표시패널(DP)에 광을 제공하기 위해 표시패널(DP)의 하부 즉 컬러필터 기판(210)의 배면과 마주보도록 백라이트 유닛(BLU)이 위치한다.
보다 자세하게, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)은 박막트랜지스터 어레이가 형성된다. 박막트랜지스터 어레이는 R, G 및 B 데이터전압이 공급되는 다수의 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되어 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)가 공급되는 다수의 게이트 라인들(또는 스캔 라인들), 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부들에 형성되는 다수의 박막트랜지스터들(Thin Film Transistor), 액정셀들에 데이터 전압을 충전시키기 위한 다수의 화소 전극, 및 화소 전극에 접속되어 액정셀의 전압을 유지시키기 위한 스토리지 커패시터(Storage Capacitor) 등을 포함한다. 화소 전극과 대향하여 전계를 형성하는 공통 전극은 TN(Twisted Nematic) 모드와 VA(Vertical Alignment) 모드와 같은 수직 또는 수평전계 구동방식에서 컬러필터 기판(130)에 형성되며, IPS(In Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같은 수평전계 구동방식에서 화소 전극과 함께 박막트랜지스터 어레이 기판(110)에 형성된다.
컬러필터 기판(210)에는 R, G 및 B 컬러필터와 이들 사이에 복수의 블랙 매트릭스가 형성된다. 컬러필터는 백라이트 유닛(BLU)에서 출사된 광을 적색, 녹색 및 청색으로 변환하는 역할을 한다. 그리고, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(210)에는 액정층(LC)과 접하는 내면에 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막(미도시)이 형성되고, 액정셀의 셀갭(Cell gap)을 유지하기 위한 컬럼 스페이서(미도시)가 형성된다. 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(210)의 외면에 각각 편광판이 구비된다. 즉, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 외면에는 상부 편광판(UP)이 구비되고 컬러필터 기판(210)의 외면에는 하부 편광판(LP)이 구비된다. 따라서, 백라이트(LP)로부터 표시패널(DP)에 입사되는 광을 편광시키고 액정을 통해 투과를 조절하여 화상이 구현된다.
상기 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 테두리에 해당하는 비표시영역(NDA)에는 표시영역(DA)에 신호를 인가하는 복수의 신호선들과, 인쇄회로기판으로부터 외부의 신호를 표시영역(DA)에 인가하기 위해 연성회로기판(FPCB)이 연결되는 패드부(Pad)가 구비된다. 연성회로기판(FPCB)은 플렉서블(flexible)한 재질로 이루어져 백라이트 유닛(BLU)의 배면으로 구부러져 구비된다. 도시하지 않았지만 연성회로기판(FPCB)은 백라이트 유닛(BLU)의 배면에 실장되는 메인보드에 연결된다. 또한 패드부(Pad)에는 표시영역(DA)에 구동 신호를 인가하는 구동부(DIC)가 구비된다.
이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 구조를 살펴보면 다음과 같다. 도 4를 참조하면, 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 상에 게이트 전극(115)이 위치하고, 게이트 전극(115)과 연결되어 일 방향으로 연장된 게이트 배선(미도시)이 위치한다. 상기 게이트 전극(115)을 덮으며 이를 절연하는 게이트 절연막(120)이 위치한다. 상기 게이트 절연막(120)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 이들의 다층 구조로 이루어진다. 상기 게이트 절연막(120) 상에는 상기 게이트 전극(115)과 대응되는 영역에 반도체층(125)이 위치한다. 상기 반도체층(125)의 양측에 각각 소스 전극(130a) 및 드레인 전극(130b)이 위치하여 상기 반도체층(125)의 양측에 각각 접속된다. 따라서, 게이트 전극(115), 반도체층(125), 소스 전극(130a) 및 드레인 전극(130b)을 포함하는 박막 트랜지스터가 구성된다. 본 발명에서는 반도체층 하부에 게이트 전극이 위치하는 바텀 게이트형(bottom gate type) 박막트랜지스터를 예로 설명하였지만, 반도체층 상에 게이트 전극이 위치하는 탑 게이트형(top gate type) 박막트랜지스터도 적용할 수 있으며, 이들 이외에 다양한 형상의 박막트랜지스터가 구비될 수도 있다.
한편, 상기 박막트랜지스터가 구비된 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 상에 제1 보호막(145)이 위치한다. 제1 보호막(145)은 전술한 게이트 절연막(120)과 동일한 물질로 이루어진다. 상기 제1 보호막(145) 상에는 유기절연물질 예를 들면 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐 등으로 이루어진 제2 보호막(150)이 위치한다. 제2 보호막(150)은 절연막의 역할을 함과 아울러 하부의 단차를 평탄화시키는 역할을 한다. 따라서, 추후 형성되는 전극이 제2 보호막(150) 상에 평평하게 형성된다. 상기 제2 보호막(150) 상에 투명도전물질 예를 들어 ITO, IZO, ITZO 등으로 이루어진 공통 전극(160)이 위치한다. 공통 전극(160)은 각 화소 별로 판 형상으로 패터닝되고 공통 배선(미도시)으로부터 공통 전압을 인가받게 된다.
상기 공통 전극(160) 상에 제3 보호막(165)이 위치하여 상기 공통 전극(160)을 절연시킨다. 상기 제3 보호막(165)과 제2 보호막(150)은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(130b)을 노출시키는 비어홀(155)이 구비된다. 상기 제3 보호막(165) 상에 상기 드레인 전극(130b)과 접속되는 화소 전극(170)이 위치한다. 화소 전극(170)은 핑거(finger) 형상으로 이루어지거나 다수의 슬릿(slit)의 개구부를 구비하여, 드레인 전극(130b)으로부터 구동전압 인가 시 상기 공통 전극(160)과 더불어 프린지 필드를 발생시키게 된다. 상기 화소 전극(170) 상에 액정을 배향시키기 위한 하부 배향막(175)이 위치한다. 따라서, 박막트랜지스터, 화소 전극 및 공통 전극이 구비된 박막트랜지스터 어레이 기판(110)이 구성된다.
한편, 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 상에 컬러필터 기판(210)이 위치한다. 컬러필터 어레이 기판(210)의 내측면에는 각 화소의 경계와 박막트랜지스터에 대응하여 블랙 매트릭스(190)(black matrix)가 구비되고, 상기 블랙 매트릭스(190)에 의해 구획된 영역에는 각 화소에 대응하는 적, 녹, 청색의 컬러필터(195)가 위치한다. 블랙 매트릭스(190)와 컬러필터(195) 상에 오버코트층(200)이 위치하고, 오버코트층(200) 상에 액정을 배향시키기 위한 상부 배향막(177)이 위치한다. 이와 같이 구성된 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(210) 사이에 액정층(180)이 개재되어, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)를 구성한다.
한편, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 비표시영역(NDA)에 구비된 복수의 신호선들과 패드부(Pad)에는 다수의 금속 배선들이 위치하기 때문에 외부광이 금속 배선들에 의해 반사하는 반사광이 발생하여 표시품질을 떨어뜨린다. 또한, 백라이트 유닛(BLU)으로부터 출사되는 광이 비표시영역(NDA)의 금속 배선들 사이로 새어 빛샘이 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 전면(FS)의 비표시영역(NDA)에 차광층(LS)을 구비한다.
차광층(LS)은 전술한 도 2에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 전면(FS)의 비표시영역(NDA)에 형성되되 표시영역(DA)을 둘러싸도록 위치한다. 차광층(LS)은 외부광 또는 하부광을 완전히 차단할 수 있도록 1 내지 100㎛의 두께로 이루어진다. 여기서 차광층(LS)의 두께가 1㎛ 이상이면 외부광과 하부광을 차단하여 표시품질을 향상시키고, 차광층(LS)의 두께가 100㎛ 이하이면 차광층(LS) 상에 부착되는 편광판의 단차를 줄이고 차광층(LS)의 제조 시간을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 차광층(LS)은 비표시영역(NDA)을 완전히 커버할 수 있도록 0.1 내지 15mm의 폭을 가진다. 차광층(LS)의 폭은 표시장치(100)의 사이즈에 따라 달라질 수 있으며, 최소한 표시장치(100)의 전면(front surface)에서의 비표시영역(NDA)을 완전히 커버할 수 있어야 한다.
차광층(LS)은 광을 차단하기 위한 재료로 이루어지며, 광학 밀도가 낮은 유기 또는 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 차광층(LS)은 블랙 매트릭스나 흑색안료를 포함하는 레진(resin)으로 이루어질 수 있다. 여기서, 차광층(LS)이 흑색안료를 포함하는 레진의 경우를 설명하면, 차광층(LS)은 흑색안료, 바인더 수지, 용매 및 분산제 등을 포함하는 잉크로 형성될 수 있다. 흑색안료로는 카본 블랙을 사용할 수 있으며, 차광성이 있는 안료이면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 흑색안료들의 예로는 채널 블랙(channel black), 퍼니스 블랙(furnace black), 서멀 블랙(thermal black), 램프 블랙(lamp black) 등을 사용할 수 있다. 흑색안료는 전체 차광패턴 잉크에 대해 6 내지 11 vol%로 포함될 수 있다. 차광패턴 잉크에 대해 흑색안료가 6 vol% 이상이면 차광성이 향상되고 11 vol% 이하이면 잉크젯 인쇄가 용이한 이점이 있다.
상기 바인더 수지는 경화 방법에 따라 달라질 수 있는데 UV 경화의 경우 아크릴레이트계 모노머일 수 있다. 예를 들어, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디아크릴레이트, 트리메틸롤트리아크릴레이트, 트리메틸롤 프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 솔비톨테트라크릴레이트, 비닐아세테이트, 트리알릴시아누레이트 등을 사용할 수 있다. 바인더 수지가 UV 경화되는 경우 광개시제를 더 포함할 수 있다. 광개시제는 광에 의해 라디칼을 발생시켜 중합을 촉발시키는 재료로서, 아세토페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물 및 옥심계 화합물 중 선택된 하나 이상을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 옥심계 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 바인더 수지가 열 경화되는 경우 폴리에스테르계, 폴리우레탄계, 에폭시계 수지 등을 사용할 수 있다.
상기 용매는 에틸아세테이트, n-부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 n-부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸 에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜 n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 n-프로필에테르, 트리프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 시클로헥사논, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 및 3-에톡시프로피온산에틸 등을 사용할 수 있다.
상기 분산제는 안료 성분이 용출되는 것을 방지하기 위한 것으로, 계면 활성제를 사용할 수 있다. 분산제는 예를 들어, 실리콘계, 불소계, 에스테르계, 양이온계, 음이온계, 비이온계, 양성 등의 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 추가적으로, 필요에 따라 첨가될 수 있는 것으로, 충진제, 경화제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등을 사용할 수 있다. 전술한 차광층(LS)은 잉크젯법 등의 통상적인 레진의 도포 방법으로 기판 상에 인쇄될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 광이 출사되는 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 배면 즉, 광이 출사되는 반대면에 패드부(Pad)가 구비됨으로써, 베젤을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 표시장치의 비표시영역에 차광층을 형성함으로써, 외부광의 반사에 의한 반사광을 억제하고 내부에서 출사되는 빛이 새어나오는 빛샘을 방지할 수 있는 이점이 있다.
한편, 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 후면(BS)의 패드부(Pad)에는 구동부(DIC), 연성회로기판(FPCB) 등을 부착시키기 위한 얼라인 키(AK)가 위치한다. 상기 얼라인 키(AK)를 통해 외부에서 비전카메라(CA)를 통해 얼라인 키(AK)와 부착하고자 하는 구동부(DIC) 등을 얼라인하여 부착한다. 이때, 비전카메라(CA)는 차광층(LS)이 형성된 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 상부에서 얼라인 키(AK)를 촬영하기 때문에, 도 4 및 도 5의 (a)에 도시된 것처럼 차광층(LS)에 광이 투과할 수 있는 개구부(OP)가 형성된다. 만약, 차광층(LS)에 개구부(OP)가 형성되지 않으면, 도 5의 (b)에 도시된 것처럼 비전카메라(CA)의 광이 차광층(LS)에 흡수되어 얼라인 키(AK)를 촬영할 수 없다.
이하, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 얼라인 키와 차광층에 대해 자세히 설명하면 다음과 같다. 도 6은 본 발명의 박막트랜지스터 어레이 기판의 패드부를 나타낸 평면도이고, 도 7 내지 도 9는 본 발명의 얼라인 키와 차광층의 개구부를 나타낸 도면이다.
본 실시예에서는 COG(chip on glass)로 부착되는 구동부 영역을 예로 도시하고 설명한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 얼라인 키를 이용한 FOG(film on glass) 또는 TAB 공정에 의해 부착되는 영역에도 적용될 수 있다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 패드부(Pad)에는 복수의 신호선(SL)과 복수의 범프 패드(BP)들이 위치하고 패드부(Pad)의 일측에 얼라인 키(AK)가 위치한다. 상기 복수의 신호선(SL)들은 구동부(미도시)로부터 구동 신호를 인가받아 표시영역(DA)으로 신호를 전달하는 것이고, 복수의 범프 패드(BP)들은 연성회로기판(미도시)으로부터 표시영역(DA) 또는 구동부(미도시)로 구동 신호를 전달하는 역할을 한다. 본 발명의 얼라인 키(AK)는 구동부 또는 연성회로기판에 형성된 얼라인 키와 정렬되어, 구동부 또는 연성회로기판을 원하는 정확한 위치에 부착되는데 이용된다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 얼라인 키(AK)는 가운데가 비어있는 오픈부(AKO)가 형성된 액자틀 형상으로 이루어진다. 오픈부(AKO)는 얼라인 키(AK)와 얼라인 되는 구동부 또는 연성회로기판의 얼라인 키가 정렬되는 영역으로 오픈부(AKO)의 형상은 구동부 또는 연성회로기판의 얼라인 키의 형상과 대응되도록 이루어지는 것으로 특별히 한정되지 않는다. 얼라인 키(AK)는 전술한 박막트랜지스터 어레이 기판의 게이트 전극, 소스 전극 또는 드레인 전극을 형성할 때 동시에 형성될 수 있으며, 이들과 동일한 재료로 이루어진다. 얼라인 키(AK)는 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 삼각형, 사각형 등의 다각형 또는 원형의 다양한 형상으로 이루어질 수 있으며, 얼라인에 영향을 미치지 않는 한 어떠한 형상으로도 이루어질 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 본 발명의 차광층(LS)은 비전카메라(CA)로 얼라인 키(AK)를 촬영하기 위한 개구부(OP)를 구비한다. 도 7 내지 도 9에 도시된 도면은 비전카메라로 차광층(LS)의 개구부(OP)를 통해 얼라인 키(AK)를 촬영한 것을 모식화하여 나타낸 것이다. 차광층(LS)의 개구부(OP)는 비전카메라로 얼라인 키(AK)를 촬영하기 위해, 얼라인 키(AK)를 노출하고 있다. 구체적으로, 얼라인 키(AK)는 개구부(OP) 내에 위치하게 되고 차광층(LS)과 중첩되지 않게 위치한다. 따라서, 차광층(LS)의 개구부(OP)를 통해 얼라인 키(AK)를 비전카메라로 촬영할 수 있게 된다.
상기 개구부(OP)는 얼라인 키(AK)로부터 일정 거리(D1, D2)만큼 이격된 크기로 이루어진다. 보다 자세하게, 얼라인 키(AK)의 일측으로부터 차광층(LS)의 개구부(OP)는 제1 거리(D1)만큼 이격되고, 얼라인 키(AK)의 타측으로부터 차광층(LS)의 개구부(OP)는 제2 거리(D2)만큼 이격된다. 이때, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)는 서로 같거나 다를 수 있으며 바람직하게는 같을 수 있다. 그리고, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)가 같을 경우, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)는 5 내지 100㎛일 수 있다. 여기서, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)가 5㎛ 이상이면, 차광층(LS)의 개구부(OP)를 통해 비전카메라가 얼라인 키(AK)를 촬영하기 용이하고, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)가 100㎛ 이하이면 차광층(LS)의 개구부(OP)가 너무 커져 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. 반면, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)가 서로 다를 경우, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2) 중 상대적으로 작은 거리가 5 내지 100㎛일 수 있다.
다시 말해서, 개구부(OP)의 크기는 얼라인 키(AK)로부터 5 내지 100㎛ 내로 이격된 크기로 이루어진다. 여기서, 얼라인 키(AK)의 크기가 더 커질 경우, 개구부(OP)의 크기는 얼라인 키(AK)로부터 100㎛ 보다 작은 간격으로 이격되야 한다. 왜냐하면, 차광층(LS)의 개구부(OP)의 크기가 일정 크기 이상으로 커지면 사용자에게 시인되어 제품성을 저하시킬 수 있기 때문이다. 따라서, 개구부(OP)의 크기는 150㎛ × 150㎛ 내지 300㎛ × 300㎛ 내로 이루어질 수 있다. 개구부(OP)의 크기에 대한 실험은 실험예 2에서 후술하고 있으므로 자세한 설명을 생략한다.
한편, 본 발명의 차광층(LS)의 개구부(OP)와 얼라인 키(AK)는 서로 유사하거나 다른 형상으로 이루어질 수 있다. 도 7 및 8에 도시된 것처럼, 얼라인 키(AK)의 형상이 사각형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상도 사각형으로 이루어질 수 있다. 또한, 얼라인 키(AK)의 형상이 원형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상도 원형으로 이루어질 수 있고, 얼라인 키(AK)의 형상이 삼각형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상도 삼각형으로 이루어질 수 있다. 반면, 도 9에 도시된 것처럼, 얼라인 키(AK)의 형상이 사각형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상은 원형으로 서로 다르게 이루어질 수 있다. 또한, 얼라인 키(AK)의 형상이 원형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상은 사각형으로 이루어질 수 있고, 얼라인 키(AK)의 형상이 삼각형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상은 원형으로 이루어질 수 있다. 전술한 차광층(LS)의 개구부(OP)와 얼라인 키(AK)의 형상은 비전카메라에 의해 얼라인 키(AK)를 촬영하기에 용이한 형상이면 어떠한 형상으로도 이루어질 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.
상기와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 광이 출사되는 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 배면 즉, 광이 출사되는 반대면에 패드부(Pad)가 구비됨으로써, 베젤을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 표시장치의 비표시영역에 차광층을 형성함으로써, 외부광의 반사에 의한 반사광을 억제하고 내부에서 출사되는 빛이 새어나오는 빛샘을 방지할 수 있는 이점이 있다. 더욱이 차광층에 개구부를 형성함으로써, 비전카메라를 통해 얼라인 키를 촬영하여 구동부나 연성회로기판을 부착할 수 있는 이점이 있다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 단면도이다. 본 발명의 제2 실시예에서는 표시장치를 설명하기 위해 유기전계발광소자를 포함하는 유기전계발광표시장치를 일예로 설명한다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치(300)는 박막트랜지스터 어레이가 형성된 박막트랜지스터 어레이 기판(310)과, 박막트랜지스터 어레이 기판(310) 상에 형성된 유기전계발광소자(EL), 및 유기전계발광소자(EL)를 밀봉하는 밀봉부재(410)로 구성된 표시패널(DP)을 포함한다.
보다 자세하게, 박막트랜지스터 어레이 기판(310)은 박막트랜지스터 어레이가 형성된다. 박막트랜지스터 어레이는 R, G 및 B 데이터전압이 공급되는 다수의 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되어 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)가 공급되는 다수의 게이트 라인들(또는 스캔 라인들), 데이터 라인들과 나란하게 배열되어 공통전압을 공급하는 공통라인들, 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부들에 형성되는 다수의 스위칭 박막트랜지스터들(Switching Thin Film Transistor), 스위칭 박막트랜지스터들과 공통라인들 사이에 형성되는 다수의 구동 박막트랜지스터들(Driving Thin Film Transistor), 및 구동 전압을 유지시키 위한 스토리지 커패시터(Storage Capacitor) 등을 포함한다.
유기전계발광소자(EL)는 박막트랜지스터 어레이 기판(310)의 구동 박막트랜지스터들로부터 구동전류를 인가받는 화소 전극, 화소 전극과 대향하는 대향 전극, 및 화소 전극과 대향 전극 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함한다. 따라서, 화소 전극으로부터 공급받는 정공과 대향 전극으로부터 공급받은 전자가 유기 발광층 내에서 결합하여 정공-전자 쌍인 여기자(exciton)를 형성하고 다시 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 자발광하게 된다.
박막트랜지스터 어레이 기판(310)의 외면에는 편광판(FP)이 구비되어 외부광에 의해 시인성이 저하되는 것을 방지한다. 그리고, 박막트랜지스터 어레이 기판(310)은 전술한 제1 실시예의 액정표시장치와 마찬가지로 테두리에 해당하는 비표시영역(NDA)에 표시영역(DA)에 신호를 인가하는 복수의 신호선들과, 인쇄회로기판(FPCB)으로부터 외부의 신호를 표시영역(DA)에 인가하는 패드부(Pad)가 구비된다. 인쇄회로기판(FPCB)은 플렉서블(flexible)한 특성을 가져 밀봉부재(410)의 배면으로 구부러져 구비된다. 도시하지 않았지만 인쇄회로기판(FPCB)은 밀봉부재(410)의 배면에 실장되는 메인보드에 연결된다.
보다 자세하게, 도 11을 참조하면, 박막트랜지스터 어레이 기판(310) 상에 게이트 전극(315)이 위치하고, 게이트 전극(315)과 연결되어 일 방향으로 연장된 게이트 배선(미도시)이 위치한다. 상기 게이트 전극(315)을 덮으며 이를 절연하는 게이트 절연막(320)이 위치한다. 상기 게이트 절연막(320)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 이들의 다층 구조로 이루어진다. 상기 게이트 절연막(320) 상에는 상기 게이트 전극(315)과 대응되는 영역에 반도체층(325)이 위치한다. 상기 반도체층(325)의 양측에 각각 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 위치하여 상기 반도체층(325)의 양측에 각각 접속된다. 따라서, 게이트 전극(315), 반도체층(325), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)을 포함하는 박막 트랜지스터가 구성된다. 본 발명에서는 반도체층 하부에 게이트 전극이 위치하는 바텀 게이트형(bottom gate type) 박막트랜지스터를 예로 설명하였지만, 반도체층 상에 게이트 전극이 위치하는 탑 게이트형(top gate type) 박막트랜지스터도 적용할 수 있으며, 이들 이외에 다양한 형상의 박막트랜지스터가 구비될 수도 있다.
한편, 상기 박막트랜지스터가 구비된 박막트랜지스터 어레이 기판(310) 상에 보호막(345)이 위치한다. 보호막(345)은 전술한 게이트 절연막(320)과 동일한 물질로 이루어지거나 유기절연물질 예를 들면 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐 등으로 이루어질 수 있다. 또한 보호막(345)은 절연막의 역할을 함과 아울러 하부의 단차를 평탄화시키는 역할을 할 수 있다. 상기 보호막(345) 상에 투명도전물질 예를 들어 ITO, IZO, ITZO 등으로 이루어진 화소 전극(360)이 위치한다. 화소 전극(360)은 각 화소 별로 판 형상으로 패터닝되어 형성되고, 보호막(345)에 형성된 비어홀(350)을 통해 드레인 전극(330b)과 연결되어 구동전류를 인가받게 된다.
상기 화소 전극(360) 상에 뱅크층(365)이 위치하고 뱅크층(365)의 개구영역(370)을 통해 화소 전극(360)의 일부를 노출시킨다. 상기 화소 전극(360) 상에 유기 발광층(370)이 위치하고, 유기 발광층(370) 상에 대향 전극(380)이 위치한다. 따라서, 화소 전극(360), 유기 발광층(370) 및 대향 전극(380)을 포함하는 유기전계발광소자(EL)가 구성되고, 박막트랜지스터와 유기전계발광소자(EL)가 구비된 박막트랜지스터 어레이 기판(310)이 구성된다. 박막트랜지스터 어레이 기판(310) 상에 유기전계발광소자(EL)를 밀봉하는 밀봉부재(410)가 위치하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치(300)를 구성한다.
한편, 박막트랜지스터 어레이 기판(310)의 비표시영역(NDA)에 구비된 복수의 신호선들과 패드부(Pad)에는 다수의 금속 배선들이 위치하기 때문에 외부광이 금속 배선들에 의해 반사하는 반사광이 발생하여 표시품질을 떨어뜨린다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예에서는 전술한 제1 실시예와 동일하게 박막트랜지스터 어레이 기판(310)의 비표시영역(NDA)에 차광층(LS)을 구비한다. 또한, 표시장치(300)의 박막트랜지스터 어레이 기판(310)의 패드부(Pad)에 구동부(DIC), 연성회로기판(FPCB) 등을 부착시키기 위한 얼라인 키(AK)가 위치한다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치(300)는 전술한 제1 실시예와 마찬가지로 개구부(OP)를 구비한 차광층(LS)과 얼라인 키(AK)를 구비한다. 차광층(LS)과 얼라인 키(AK)에 대한 자세한 설명은 전술하였으므로 그 설명을 생략한다.
상기와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치는 광이 출사되는 박막트랜지스터 어레이 기판의 배면 즉, 광이 출사되는 반대면에 패드부가 구비됨으로써, 베젤을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 표시장치의 비표시영역에 차광층을 형성함으로써, 외부광의 반사에 의한 반사광을 억제할 수 있는 이점이 있다. 더욱이 차광층에 개구부를 형성함으로써, 비전카메라를 통해 얼라인 키를 촬영하여 구동부나 연성회로기판을 부착할 수 있는 이점이 있다.
이하, 전술한 차광층 및 얼라인 키를 구비한 표시패널에 구동칩을 얼라인 하는 공정에 대해 설명한다. 하기에서는 구동칩을 예로 설명하지만 연성회로기판 등 표시패널에 얼라인할 수 있는 어떠한 구성요소에도 적용할 수 있다.
도 12는 표시패널에 구동칩을 얼라인하는 공정을 나타낸 도면이다. 도 12를 참조하면, 표시패널(DP)에 구동칩(DIC)을 얼라인하는데 이용되는 얼라인 장치(AD)는 프리본딩툴(PBT), 스테이지(ST) 및 비전카메라(CA)로 구성된다. 프리본딩툴(PBT)은 구동칩(DIC)이 장착되어 스테이지(ST) 상에 구동칩(DIC)을 로딩하는 기능을 하고, 스테이지(ST)는 표시패널(DP)을 로딩하는 기능을 한다. 그리고, 비전카메라(CA)는 프리본딩툴(PBT)에 의해 로딩된 구동칩(DIC)과 스테이지(ST)에 로딩된 표시패널(DP)의 각 얼라인 키들을 촬영하여 얼라인 시키는 기능을 한다.
이와 같이 구성된 얼라인 장치(AD)를 이용하여 표시패널(DP)에 구동칩(DIC)을 얼라인하는 공정을 설명한다. 표시패널(DP)에 부착하고자 하는 구동칩(DIC)을 로딩하기 위해 프리본딩툴(PBT)을 작동하여 구동칩(DIC)을 로딩한다. 구동칩(DIC)이 얼라인되는 표시패널(DP)을 준비하여 스테이지(ST) 상에 로딩한다. 스테이지(ST)의 하부에 위치한 비전카메라(CA)로 스테이지(ST)에 로딩된 표시패널(DP)의 얼라인 키와 프리본딩툴(PBT)에 로딩된 구동칩(DIC)의 얼라인 키를 촬영한다. 비전카메라(CA)에 의해 촬영된 각 얼라인 키들의 이미지들을 실시간으로 확인하여 구동칩(DIC)과 표시패널(DP)을 얼라인한다. 마지막으로 구동칩(DIC)과 표시패널(DP)의 얼라인이 완료된 후 스테이지(ST)의 표시패널(DP)에 프리본딩툴(PBT)의 구동칩(DIC)을 가압하여 부착을 완료한다.
이하, 전술한 구동칩과 표시패널의 얼라인 공정을 이용하여 차광층의 개구부의 시인 여부 및 구동칩의 압흔을 관찰하여 얼라인 신뢰성에 대해 살펴보기로 한다.
<실험예 1>
기판 상에 가운데가 비어있는 130㎛ × 130㎛의 얼라인 키를 형성하였고, 얼라인 키로부터 10㎛ 이격된 크기를 가지는 차광층의 개구부를 형성하여 표시패널을 제작하였다. 제작된 표시패널을 스테이지에 로딩하고 프리본딩툴에 구동칩을 로딩한 후, 비전카메라로 표시패널의 얼라인 키와 구동칩의 얼라인 키를 얼라인하였다. 이때, 표시패널의 얼라인 키와 구동칩의 얼라인 키를 얼라인하여 비전카메라로 촬영한 이미지를 도 13에 나타내었고, 일반 카메라로 표시패널의 차광층의 개구부를 촬영한 이미지를 도 14에 나타내었다.
도 13을 참조하면, 가운데 노란색을 띄는 사각형이 구동칩의 얼라인 키가 반사되어 나타나고, 구동칩의 얼라인 키를 둘러싸는 검정색이 표시패널의 얼라인 키이며, 표시패널의 얼라인 키로부터 10㎛ 이격된 부분이 차광층의 개구부이다. 도면에 나타난 바와 같이, 구동칩의 얼라인 키와 표시패널의 얼라인 키가 정확하게 얼라인되었고, 차광층의 개구부를 통해 표시패널의 얼라인 키가 잘 보이는 것을 확인하였다. 또한, 도 14를 참조하면, 표시패널의 얼라인 키가 형성된 차광층의 개구부를 약 30cm 떨어져서 일반카메라로 촬영해본 바, 차광층의 개구부가 시인되지 않은 것을 확인하였다.
<실험예 2>
하나의 기판 상에 가운데가 비어있는 130㎛ × 130㎛의 얼라인 키를 5개의 영역 별로 하나씩 형성하였다. 그리고, 제1 영역에 얼라인 키로부터 10㎛ 이격되도록 150㎛ × 150㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성하였고, 제2 영역에 얼라인 키로부터 50㎛ 이격되도록 230㎛ × 230㎛ 크기의차광층의 개구부를 형성하였고, 제3 영역에 얼라인 키로부터 100㎛ 이격되도록 330㎛ × 330㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성하였고, 제4 영역에 얼라인 키로부터 200㎛ 이격되도록 530㎛ × 530㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성하였고, 제5 영역에 얼라인 키로부터 300㎛ 이격되도록 730㎛ × 730㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성하여 표시패널을 제작하였다. 제작된 표시패널에 구동칩을 각각 부착한 후, 일반 카메라로 표시패널의 차광층의 개구부들을 촬영한 이미지를 도 15에 나타내었다.
도 15를 참조하면, 150㎛ × 150㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성한 제1 영역과, 230㎛ × 230㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성한 제2 영역에서는 차광층의 개구부가 시인되지 않았다. 그리고, 얼라인 키로부터 100㎛ 이격되도록 330㎛ × 330㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성한 제3 영역에서는 차광층의 개구부가 약간 시인되었다. 반면, 530㎛ × 530㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성한 제4 영역 및 730㎛ × 730㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성한 제5 영역에서는 차광층의 개구부가 시인되었다. 따라서, 본 발명에서는 차광층의 개구부가 시인되지 않도록 하기 위해, 얼라인 키로부터 100㎛ 내로 이격되도록 차광층을 형성하고, 300㎛ × 300㎛ 내의 크기를 가지는 차광층의 개구부를 형성할 수 있다.
<실험예 3>
각 기판 상에 가운데가 비어있는 130㎛ × 130㎛의 얼라인 키를 형성하고, 얼라인 키로부터 각각 10㎛, 50㎛, 100㎛, 200㎛, 300㎛ 이격된 크기를 가지는 차광층의 개구부를 형성하여 표시패널들을 제작하였다. 제작된 표시패널들에 각각 구동칩을 얼라인하여 장착하였다. 각 표시패널의 얼라인 키와 구동칩의 얼라인 키를 비전카메라로 촬영한 이미지와, 얼라인 키로부터 10㎛ 및 300㎛ 이격된 크기를 가지는 차광층의 개구부를 형성한 표시패널의 구동칩의 압흔을 촬영한 이미지를 도 16에 나타내었다.
도 16을 참조하면, 얼라인 키로부터 각각 10㎛, 50㎛, 100㎛, 200㎛, 300㎛ 이격된 크기를 가지는 차광층의 개구부는 얼라인 키를 명확하게 노출하였다. 그리고, 구동칩의 부착을 검사하는 압흔을 관찰해 본 바, 차광층이 있어도 구동칩의 압흔이 명확하게 나타나는 것을 확인하였다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시장치는 광이 출사되는 박막트랜지스터 어레이 기판의 후면에 패드부가 구비됨으로써, 표시장치의 베젤을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 박막트랜지스터 어레이 기판의 전면의 비표시영역에 차광층을 형성함으로써, 외부광의 반사에 의한 반사광을 억제할 수 있는 이점이 있다. 또한, 차광층에 얼라인 키를 노출하는 개구부를 형성함으로써, 비전카메라를 통해 얼라인 키를 촬영하여 기판, 구동부 또는 연성회로기판을 부착할 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 표시장치 110 : 박막트랜지스터 어레이 기판
115 : 게이트 전극 120 : 게이트 절연막
125 : 반도체층 130a, 130b : 소스/드레이 전극
145 : 제1 보호막 150 : 제2 보호막
160 : 공통 전극 165 : 제3 보호막
170 : 화소 전극 175 : 하부 배향막
177 : 상부 배향막 180 : 액정층
190 : 블랙 매트릭스 195 : 컬러필터
200 : 오버코트층 210 : 컬러필터 기판
DA : 표시영역 NDA : 비표시영역
AK : 얼라인 키 Pad : 패드부
LS : 차광층 UP : 상부 편광판
LP : 하부 편광판 OP : 개구부

Claims (8)

  1. 영상이 표시되는 표시영역과 영상이 표시되지 않는 비표시영역이 구비되고 광이 출사되는 전면 및 패드부가 구비된 후면을 포함하는 박막트랜지스터 어레이 기판;
    상기 박막트랜지스터 어레이 기판의 상기 후면과 대향하는 컬러필터 기판;
    상기 후면의 패드부에 형성된 복수의 신호 배선;
    상기 후면의 패드부에 형성되며, 상기 복수의 신호 배선 일측에 위치하는 얼라인 키; 및
    상기 박막트랜지스터 어레이 기판의 전면에서 상기 비표시영역에 형성되며, 상기 표시영역을 둘러싸도록 위치하여 상기 비표시영역에 형성된 상기 복수의 신호 배선에 의해 반사되는 반사광을 차단하는 차광층을 포함하고,
    상기 차광층은 상기 얼라인 키를 노출하도록 형성된 개구부를 포함하고,
    상기 얼라인 키는 상기 복수의 신호 배선과 중첩하지 않도록 위치하며, 상기 차광층과 중첩되지 않도록 상기 차광층의 개구부 내에 위치하고,
    상기 차광층의 일부는 상기 컬러필터 기판에 배치되는 블랙 매트릭스와 상기 비표시영역 상에서 중첩되게 배치되고,
    상기 차광층은 유기 또는 무기물로 이루어지고,
    상기 차광층은 상기 반사광을 차단할 수 있도록 1㎛ 내지 100㎛의 두께로 형성되는 표시장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 개구부는 상기 얼라인 키로부터 5㎛ 내지 100㎛ 내로 이격된 크기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 개구부는 150㎛ × 150㎛ 내지 300㎛ × 300㎛ 내의 크기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  5. 삭제
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 표시장치는 상기 박막트랜지스터 어레이 기판 상에 형성된 유기전계발광소자를 더 포함하는 유기전계발광표시장치인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 차광층은 상기 비표시영역을 커버할 수 있도록 0.1 mm 내지 15mm의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 얼라인 키의 형상과 상기 개구부의 형상은 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시장치.
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