JP2019003004A - 液晶表示装置 - Google Patents

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【課題】 液晶表示装置において、製造コストの増加を抑えながら、カラーフィルタ基板上のブラックマトリクス表面の反射を減らし、ＴＦＴへ光が入射されることを抑える。【解決手段】 この発明の液晶表示装置１０は、表示領域１００内に設けられるゲート配線１１７、ソース配線１１８、薄膜トランジスタ１１４、並びに画素電極１１３がそれぞれ複数配列して設けられるアレイ基板１１０と、ブラックマトリクス１２５および３色の色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂを備えたカラーフィルタ基板１２０とを備え、３色の色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂのうちの特定色の色材パターン色材パターン１２Ｂが、ブラックマトリクス１２５のゲート配線１１７形成領域に重なる領域１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる色材パターン１２４Ｂｇを備える。【選択図】 図３

Description

本発明は、液晶表示装置にかかり、特に、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の設けられるＴＦＴアレイ基板と、遮光膜およびカラーフィルタの設けられるカラーフィルタ基板とが対向配置されてなる液晶表示装置に関する。
液晶表示装置は、アレイ状に配列するＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と画素電極を備えるＴＦＴアレイ基板（以下、アレイ基板）とカラーフィルタなどを備える対向基板（カラーフィルタ基板:以下、ＣＦ基板）との一対の基板間に挟持された液晶材料を備えた液晶パネルにより構成されている。また、アレイ基板上に設けられるスイッチング素子であるＴＦＴは、能動層となる半導体層に光が入射されるとリーク電流が発生し、ＴＦＴの保持特性が悪化し、結果として表示品位が低下することから、通常、このＴＦＴの半導体層には、光が入射しないように、バックライト側には、ＴＦＴを構成するゲート電極が遮光層により設けられ、外光の入射される可能がある表示面側には、ＴＦＴと対向する位置のＣＦ基板表面に格子状の遮光層であるブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ：ＢＭ）が、それぞれ設けられ、上記のリーク電流などの発生を防いでいる。
一方、近年、液晶表示装置においては、用途が多岐にわたっており、特に屋外用途など外光の入る箇所で使用するものに関しては、反射画素電極を備えた半透過タイプの液晶表示装置を用いることで視認性を確保する場合や、透過タイプの液晶表示装置にて、バックライトの光量を上げて高輝度化し、視認性を確保する場合も多くなってきている。また、高画質化の要求から、明表示の輝度を高くしコントラストの高い画像を表示するためにも、バックライトの光量が増大して来ている。また、車載用途では、フロントガラスに液晶パネルを介した映像を投影するヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置も汎用されるようになり、このヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置においても、高い輝度のバックライト（投影光）が液晶パネルに照射されることになる。特に、バックライトの光量が大きくなると、上記説明のとおり、本来はアレイ基板側のゲート電極やＢＭで遮光されて半導体層に入射されないか、或いは、殆ど無視できる程度であった光が、例えば、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面で反射される反射光など、半導体層に間接的に入射される光が、表示品位に影響を与えるレベルのリーク電流を生ずる強度になる場合がある。
また、近年の液晶表示装置の高精細化と同時に高開口率化（遮光部の比率を低くする）の流れから、ゲート配線から別途ゲート電極を設けることなく、ゲート配線の一部をゲート電極に兼ねることで、ゲート配線に重なって半導体層およびＴＦＴが配置される構成が採用される場合が多くなっている。このような構成では、遮光領域となるゲート電極およびゲート配線の形成領域の面積を減らし、画素内において、表示に寄与する透過領域（開口領域）の占める割合を増やすことに対応する高開口率化が可能である。一方、そのような配置の場合、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面以外に、隣接する画素のＴＦＴ間に位置するゲート配線と対向する位置のＢＭ表面で反射される反射光もＴＦＴの半導体層に入射し易い構造となる。つまり、上記説明の半導体層に間接的に入射される光によるリーク電流が大きくなり易く、表示品位の低下を招き易い。
このような状況において、液晶表示装置においてバックライトを高輝度化することに伴って生ずる問題である特にＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面で反射される反射光を防止する方法としては、特許文献１において、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面に赤色や緑色より相対的に輝度が低い青色を含む色材層（青色単層の色材層あるいは青色の色材層を含む複数色の色材層の積層膜）を設けることで、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面の反射光を防ぐことについて開示されている。また、特許文献２において、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面に複数色の色材層の積層膜）を設けることで、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面の反射光を防ぐことについて開示されている。また、特許文献２では、当該ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面に設ける色材層の積層膜について、特許文献１と同様の観点で相対的に輝度が低い青色を含んだ積層膜を望ましいとしたうえで、色材層の積層膜を設けるＢＭに対して、単純に左右に隣接する色材層を積層した構成へ変更することについても開示されている。
特開２００９−１９２７９５号公報 特開２００５−９９３９３号公報
しかしながら、特許文献１や特許文献２においては、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面からの反射光を防ぐ方法については開示されているものの、ＴＦＴと対向する位置以外のＢＭからの反射光（具体的には、例えば、ゲート配線と対向する位置のＢＭ）については、対応がされていない。特に、特許文献２においては、ゲート配線と対向する位置へのＢＭの配置自体が省略されている。更に、上記説明したようにゲート配線と対向する位置のＢＭ表面からの反射光によって表示品位の低下を招き易い構成となるゲート配線に重なって半導体層およびＴＦＴが配置される構成に関する記載が無いことから、当該ゲート配線に重なって半導体層およびＴＦＴが配置される構成において顕著となる表示品位の低下については、そもそも課題として認識されておらず、上記のとおり、全く解決策が開示されていない。
また、特許文献１や特許文献２にも記載されるとおり、３色のカラーフィルタは、一般的には、３行を繰り返し周期として、順番に異なる色のカラーフィルタの色材パターンの列が並んで配置されることとなるが、特定の１色のカラーフィルタを必ずＴＦＴの形成領域に設ける場合、当該特定の１色のカラーフィルタの列から離れた位置のＴＦＴに対しては、当該特定の１色のカラーフィルタの色材パターンをＴＦＴの形成領域に対応した比較的小さい面積の孤立パターンで配置する必要がある。また、特定の２色のカラーフィルタをＴＦＴの形成領域に積層して設ける場合にも、同様に、ＴＦＴの形成領域に対応した比較的小さい面積の孤立パターンで配置する必要が出てくる。実際、特許文献１と特許文献２の双方ともに、ＴＦＴの形成領域に対応した比較的小さい面積の孤立パターンの色材パターンが設けられている。
このような比較的小さい面積の孤立パターンの色材パターンは、各カラーフィルタの色材パターンを形成するプロセスにおいて、色材パターンそのもののハガレやマスクパターンとなるレジスト膜のハガレなどにより、形成不良を生じ易い。つまり、製造歩留りが悪くなり、製造コストの増加を招くことになる。一方、特許文献２で変形例として例示されるように、必ず配置する特定色を設けずに左右に隣接する色材層を積層した構成とする場合には、上記の比較的小さい面積の孤立パターンの色材パターンを設けないようにすることも可能であるが、任意の２色を積層した場合には、反射光に対する充分な防止作用が得られないことが懸念される。
本発明は、上記説明の様な課題を解決するためになされたものであり、その目的は、製造コストの増加を抑えながら、バックライトの高輝度化や、画素の高開口率化に好適であって、ＴＦＴへ光が入射されることに伴う、表示品位の低下を改善することが可能な液晶表示装置を提供するものである。
本発明の液晶表示装置においては、表示領域内において互いに交差して設けられるゲート配線およびソース配線、当該ゲート配線上に配置される薄膜トランジスタ、並びに薄膜トランジスタに接続される画素電極がそれぞれ複数配列して設けられるアレイ基板と、このアレイ基板と液晶層を介して対向配置され、ブラックマトリクスおよび３色の色材パターンを備えたカラーフィルタ基板とを備え、前記の３色の色材パターンのうちの１色よりなる特定色の色材パターンが、前記のブラックマトリクスのゲート配線の形成領域に重なる領域の表面を覆って延在して設けられる連続パターンを備えるものである。
液晶表示装置において、製造コストの増加を抑えながら、カラーフィルタ基板上のブラックマトリクス表面の反射を減らし、ＴＦＴへ光が入射されることを抑える。
本発明の実施の形態１の液晶表示装置における液晶パネルの断面図である。 本発明の実施の形態１の液晶表示装置における液晶パネルの平面図である。 本発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部平面図である。 本発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部断面図である。 本発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板およびアレイ基板の要部斜視図である。 本発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるアレイ基板の要部平面図である。 本発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部平面図である。 本発明の実施の形態１の液晶パネルの製造工程におけるパネル組み立て工程を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態１の変形例の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部断面図である。 本発明の実施の形態１の変形例の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部平面図である。 本発明の実施の形態２の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部平面図および断面図である。 本発明の実施の形態３の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部平面図および断面図である。
実施の形態１．
本実施形態１の液晶表示装置に用いられる液晶パネル１０の構成について図１〜図６を用いて説明する。図１および図２は、液晶パネル全体の構成の断面図と平面図をそれぞれ示しており、図１は、図２におけるＡ−Ｂ断面線における断面図に対応する。また、図３および図４は、発明の主要部となるカラーフィルタ基板上に設けられるブラックマトリクスの遮光パターンと色材パターンを示す詳細説明図であり、図３（ａ）および図３（ｂ）は、ブラックマトリクスの遮光パターンと色材パターンのそれぞれの平面配置を示す平面図、図４（ａ）および図４（ｂ）は、図３（ｂ）におけるＸ１−Ｘ２断面線、Ｘ３−Ｘ４断面線のそれぞれにおける断面図に対応する。また、図５（ａ）および図５（ｂ）は、カラーフィルタ基板側のブラックマトリクスとアレイ基板側の各パターンの位置関係を示すための斜視図である。更に、図６および図７は、アレイ基板側の具体的な各パターンの平面配置と、これらアレイ基板側の各パターンとカラーフィルタ基板上に設けられるブラックマトリクスの遮光パターンと色材パターンの平面配置の位置関係を示す平面図を示している。
なお、図は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。特に、ＣＦ基板とアレイ基板間に配置される構成については、説明の便宜上、双方の基板の厚みに比べて、基板間の距離や基板面に垂直方向の長さなどを誇張して図示している。また、図面が煩雑とならないよう、発明の主要部以外の省略や構成の一部簡略化などを適宜行っている。以下の図においても同様とする。更に、以下の図においては、図中、既出の図において説明したものと同一の構成要素には同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
ここでは、一例として、液晶の動作モードがＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードで、スイッチング素子に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた液晶パネルに本発明を適用した場合について説明する。
また、この液晶パネル１０は、ＴＦＴなどのスイッチング素子と画素電極がアレイ状に配列するアレイ基板であるＴＦＴアレイ基板（以下、アレイ基板）１１０と、このアレイ基板１１０と対向配置される対向基板であるカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）１２０と、表示領域１００に対応する領域を囲うように配置され、ＣＦ基板１２０とアレイ基板１１０との間の間隙を密封するシールパターン１３３を備えている。また、このシールパターン１３３により密封され、ＣＦ基板１２０とアレイ基板１１０との間の間隙の少なくとも表示領域１００に対応する領域に液晶層１３０が挟持されている。よって、シールパターン１３３は、表示領域１００に対応する領域の外側を額縁状に囲うように配置される額縁領域１０１に形成されることになる。
また、アレイ基板１１０およびＣＦ基板１２０の外形は何れも矩形となっており、アレイ基板１１０の外形の方が、ＣＦ基板１２０の外形よりも大きく、ＣＦ基板１２０の外形端面より一部突出する突出部を有して重ね合わせ配置されている。
なお、図２の平面図では、ＣＦ基板１２０の下に配置されるアレイ基板１１０の構成を図示するために、図中左上の一部のみＣＦ基板１２０を図示し、それ以外の領域では、ＣＦ基板１２０の図示を省略してアレイ基板１１０の構成を図示している。実際の構成としては、ＣＦ基板１２０は、シールパターン１３３により囲まれる領域の外側の図中破線で示される領域まで設けられている。
また、図中では、表示領域１００となる矩形領域を点線で囲み、額縁領域１０１との境界としている。なお、ここで使用した額縁領域１０１については、液晶パネル１０のアレイ基板１１０上、ＣＦ基板１２０上、或いは両基板間に挟まれる領域において、表示領域１００外側に位置する表示領域１００を取り囲む額縁状の領域、即ち表示領域１００を除く全ての領域のことを意味し、表示領域１００についても、液晶パネル１０のアレイ基板１１０上、ＣＦ基板１２０上、或いは両基板間に挟まれる領域の全てにおいて使用することとし、本明細書中においては全て同様の意味にて使用する。
更にアレイ基板１１０とＣＦ基板１２０間には、基板間に所定の一定距離の間隙を形成し保持する柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓが表示領域１００内に多数配置される。このシールパターン１３３により密封され、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓにより保持されたＣＦ基板１２０とアレイ基板１１０との間の間隙の少なくとも表示領域１００に対応する領域に液晶層１４０が挟持されている。なお、基板間に所定の一定距離の間隙を形成し保持する柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについては、本発明の特徴的な構成であることから、別途詳細に説明を行う。
上述のアレイ基板１１０は、透明基板であるガラス基板１１１の一方の面に液晶を配向させる配向膜１１２、配向膜１１２の下部に設けられ液晶を駆動する電圧を印加する画素電極１１３、画素電極１１３に電圧を供給するスイッチング素子であるＴＦＴ１１４、ＴＦＴ１１４を覆う絶縁膜１１５、ＴＦＴ１１４に信号を供給する配線である複数のゲート配線１１７およびソース配線１１８、ゲート配線１１７と並行して配置され共通電位が印加される共通配線１１９、ＴＦＴ１１４に供給される信号を外部から受け入れる端子１１６、端子１１６から入力された信号をＣＦ基板１２０側へ伝達するためのトランスファ電極（図示省略）、端子１１６から入力された信号をゲート配線１１７およびソース配線１１８やトランスファ電極へ伝達する周辺配線（図示省略）などを有している。
また、ＴＦＴ１１４については、アレイ基板１１０上の表示領域１００において、それぞれ縦横に複数本配列して設けられるゲート配線１１７とソース配線１１８の各交差部近傍に設けられる。画素電極１１３については、ゲート配線１１７とソース配線１１８により囲まれる各画素領域内にマトリクス状に配列して形成される。また、端子１１６、トランスファ電極、周辺配線については、額縁領域１０１に形成される。また、ガラス基板１１１の他方の面には偏光板１３１を有している。
更に、ＴＦＴ１１４の詳細な構成としては、図５（ｂ）に示されるとおり、ゲート配線１１７上に、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１１５を介して形成され、チャネルとして機能する半導体層１１４ｃと、その上に配置され、半導体層１１４ｃに接続されるソース電極１１４ｓおよびドレイン電極１１４ｄより構成されている。つまり、ボトムゲート型のＴＦＴである。なお、ＴＦＴ１１４を構成するゲート電極１１４ｇは、ゲート配線１１７が兼ねていることになり、ＴＦＴ１１４の形成領域内にゲート電極１１４ｇを図示しているとおり、ゲート電極１１４ｇは、実質的には、ゲート配線１１７のうち、半導体層１１４ｃと重なる一部のみがゲート電極１１４ｇとして機能することになる。
また、チャネルとして機能する半導体層１１４ｃは、ここでは、非単結晶シリコン膜のうち、アモルファスシリコン膜を半導体材料として選択している。また、半導体層１１４ｃは、ゲート電極を兼ねるゲート配線１１７の形成領域内に平面的に重なって配置されていることとなり、ゲート配線１１７が遮光性の金属層で設けられることによって、ガラス基板１１１側からの直接光に対して、遮光されることになる。なお、ＴＦＴ１１４のドレイン電極１１４ｄには画素電極１１３が接続される。
一方、上述のＣＦ基板１２０は、透明基板である厚み０．７ｍｍ程度の一般的なガラスよりなるガラス基板１２１の一方の面に液晶を配向させる配向膜１２２、配向膜１２２の下部に配置され、ＴＦＴ基板１１０上の画素電極１１３との間に電界を生じ液晶を駆動する共通電極１２３、共通電極１２３下部に設けられるカラーフィルタとして機能する色材パターン（ここでは、三原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）として、それぞれ、１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂを付している）および色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂ間を遮光するため、或いは表示領域１００に対応する領域外側に配置される額縁領域１０１を遮光するために設けられる遮光層であるブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ：ＢＭ）１２５などを有しており、ＣＦ基板１２０のガラス基板１２１の他方の面、すなわち、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂ、ＢＭ１２５などの設けられる面と反対側の面には偏光板１３２を有している。
色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂとしては、樹脂中に顔料などを分散させた色材層が選択でき、赤、緑、青などの特定の波長範囲の光を選択的に透過するフィルタとして機能し、例えば、図２の平面図に示す様に、これら異なる色の色材層が規則的に配列して構成される（図中では、赤（Ｒ）の色材パターン１２４Ｒ、緑（Ｇ）の色材パターン１２４Ｇ、青（Ｂ）の色材パターン１２４Ｂに対応して、引き出し線で符号を付したもの以外も含め、それぞれ、Ｒ、Ｇ、Ｂの記号を付している。）。また、ＢＭ１２５については、樹脂中に黒色顔料などを分散させてなる、いわゆる樹脂ＢＭを用いても良いし、ある程度の反射防止機能を有した酸化Ｃｒ膜が表面に設けられた金属Ｃｒよりなる、いわゆるＣｒ−ＢＭを用いても良いが、本実施の形態１では、樹脂ＢＭからなるＢＭ１２５を選択した。なお、ＢＭ１２５の平面的な配置や、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの平面的な配置が、本発明の特徴的な構成であることから、以下で別途詳細説明を行なうとして、ここでは詳細説明を省略することとする。
また、図中においては、ＣＦ基板１２０表面に形成される配向膜１２２について、主に表示領域１００内の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの形成部分以外の領域に形成された状態で図示されているが、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの形成後に配向膜１２２とする配向膜材料は塗布されることから、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの表面にも配向膜材料は塗布されていることになる。然しながら、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの表面に形成される配向膜材料自体は比較的薄く形成されることや、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの表面では配向処理された配向膜としての実質的な機能を有さないことから、配向膜１２２としての図示を省略している。
更に、この液晶パネル１０は、後述する製造フロー（製造方法）に関する説明部分において別途詳細に説明を行うが、この一対の基板であるアレイ基板１１０およびＣＦ基板１２０の何れか一方の基板表面に液晶が複数の液滴として配置された後に両方の基板間に挟まれることによりシールパターン１３３により囲まれる領域内に封止されて形成される滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌｉｎｇ）方式により製造される。
従って、シールパターン１３３は、閉ループ形状であり真空注入方式で製造される液晶パネルのように液晶を注入するための開口部である注入口は形成されておらず、別途注入口を封止するための封止材も設けられていないといった構造的な特徴を備えている。また、シールパターン１３３の材質は、導電性粒子を混在させた光硬化型シール剤（光硬化型樹脂）によりなる。
更にトランスファ電極と共通電極１２３は、シールパターン１３３中に混在される導電性粒子により電気的に接続されており、端子１１６から入力された信号が共通電極１２３に伝達される。導電性粒子としては、弾性変形可能なものが導通の安定の点で好ましく、例えば、表面に金メッキがされた球形の樹脂を用いると良い。この他に、液晶パネル１０は、駆動信号を発生する制御基板１３５、制御基板１３５を端子１１６に電気的に接続するＦＦＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｆｌａｔ Ｃａｂｌｅ）１３６などを備えている。
更に、液晶パネル１０の表示面の反対側には、光源となるバックライトユニット（図示せず）がアレイ基板１１０に対向して配置されており、更に、液晶パネル１０とバックライトユニット間には光の偏光状態や指向性などを制御する光学シートが配置されている。なお、本実施の形態１では、バックライトユニットとして、本発明の効果がより発揮されるように、光源として、少なくともＬＥＤを用い、より望ましくは高輝度タイプのＬＥＤを用いた高輝度タイプのバックライトユニットを用いることとした。高輝度タイプのバックライトユニットの具体的な輝度については、最大輝度として、２００００ｃｄ／ｍ２以上の範囲を有することが望ましい。液晶パネル１０は、これら部材と共に表示面となる表示領域１００におけるＣＦ基板１２０の外側の部分が開放された筐体（図示せず）の中に収納され、本実施の形態１の液晶表示装置は構成される。
続いて、本発明での特徴的な構成の１つであるＣＦ基板１２０上に設けられるＢＭ１２５の遮光パターンと色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの詳細な平面配置について図３の平面図を用い、適宜、図４の断面図或いは図５の斜視図を参照しながら説明を行う。なお、先に説明したとおり、図５（ａ）および図５（ｂ）は、ＣＦ基板１２０側のＢＭの遮光パターンとアレイ基板１１０側の各パターンの位置関係を示すための斜視図であるが、対向配置されるアレイ基板１１０とＣＦ基板１２０において、図５（ａ）に図示されるＣＦ基板１２０は、裏面側（アレイ基板１１０との反対向面側）から見た斜視図であり、図５（ｂ）に図示されるアレイ基板１１０は、表面側（ＣＦ基板１２０との対向面側）から見た斜視図である。よって、基本的には、それぞれ図示される位置関係のまま、互いに対向配置されるものであり、図５（ａ）に図示される柱状スペーサ１３４ｍと図５（ｂ）に図示される柱状スペーサ１３４ｍは同じ位置を示していることになる。
先ず、図３（ａ）を用いて、ＣＦ基板１２０上に設けられるＢＭ１２５の遮光パターンの平面配置について説明を行なう。なお、図３（ａ）は、ＣＦ基板１２０上に設けられるＢＭ１２５の遮光パターンの平面配置を示した平面図であるが、ＣＦ基板１２０と対向配置、つまり、平面的に重なって配置されるアレイ基板１１０上に設けられるＴＦＴ１１４の位置、特に半導体層１１４ｃの位置を点線で示している。
本実施の形態１のＢＭ１２５は、図３（ａ）において示されるとおり、各画素の画素電極１１３に対応して配置される開口部が設けられ、格子状の遮光パターンよりなる。また、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すとおり、格子状の遮光パターンよりなるＢＭ１２５は、アレイ基板１１０上に設けられるゲート配線１１７の延在方向に沿って設けられる部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴとソース配線１１８の延在方向に沿って設けられる部分となるソース側遮光パターンが互いに交差して格子状の遮光パターンが構成される。より詳細には、ＢＭ１２５は、ゲート配線１１７の形成領域に重なって配置されるゲート側遮光パターン１２５ＧＴを格子状のパターンの一部において含むこと、つまり、ＢＭ１２５は、その一部においてゲート側遮光パターン１２５ＧＴを備えている。更に、ＢＭ１２５は、ソース配線１１８の形成領域に重なって配置されるソース側遮光パターンも備えることにより格子状の遮光パターンを構成することになる。なお、ソース側遮光パターンについては、アレイ基板１１０側にソース配線１１８の形成領域に沿って遮光層を配置することで代用することも可能であり、適宜、省略することも可能であり、その場合には、ＢＭ１２５は格子状の遮光パターンではなく、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴのみによるストライプ状の遮光パターンとなる。
また、図３（ａ）にＴＦＴ１１４の半導体層１１４ｃの形成領域が点線で示されているが、ＢＭ１２５を構成するゲート側遮光パターン１２５ＧＴがゲート配線１１７の形成領域に重なって配置されること、ＴＦＴ１１４の半導体層１１４ｃがゲート配線１１７の形成領域内に配置されることから明らかなとおり、ＴＦＴ１１４の半導体層１１４ｃは、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの形成領域内に重なって配置されることになる。
続いて、図３（ｂ）を用いて、ＣＦ基板１２０上に設けられる色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの平面配置について説明する。なお、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂについては、先に平面配置について説明を行なったＢＭ１２５上に設けられるが、ＢＭ１２５の遮光パターンの平面配置と色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの平面配置の位置関係については、図３（ｂ）において、ＢＭ１２５のパターン外形に対応する開口部の外形位置を点線で示していることから確認可能であり、逆に図３（ａ）においても、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの外形位置を点線で示しており、そちらからも確認可能である。
本実施の形態１の色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂについては、図３（ｂ）において示されるとおり、先ず、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについては、一般的なストライプ状の色材パターンと同様にソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるストライプ状に連続する色材パターンとしている。なお、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇは、画素電極１１３に対応して配置されるＢＭ１２５に設けられた開口部を少なくとも覆う領域に設けられることになる。一方、色材パターン１２４Ｂについては、一般的なストライプ状の色材パターンよりなる色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇと異なる格子状の連続パターン形状を有している。
具体的には、色材パターン１２４Ｂは、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇと同様のソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるストライプ状に連続する青色の色材パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｂｓをベースとして有するとともに、本発明の特徴的な構成として、先に説明したＢＭ１２５におけるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる青色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを有している。なお、ソース延在色材パターン１２４Ｂｓは、画素電極１１３に対応して配置されるＢＭ１２５に設けられた開口部を少なくとも覆う領域に設けられることになる。また、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇは、ゲート配線１１７の延在方向に沿って延在して配置されることから、このソース延在色材パターン１２４Ｂｓとゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとは、互いに交差して設けられ、ソース延在色材パターン１２４Ｂｓとゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが一体化されてなる格子状の連続パターンを構成している。つまり、色材パターン１２４Ｂは、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを備えるとともに、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｂｓを備え、当該ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとソース延在色材パターン１２４Ｂｓとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなることになる。
なお、色材パターン１２４Ｂにおけるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇは、ストライプ状に設けられる色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇと、交差するとともに重なって設けられ、それぞれの交差部においては、図３（ｂ）の平面図および図４（ａ）の断面図にて図示されるとおり、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇ上を覆うように、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇが重なって配置されている。つまり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面において、色材パターン１２４Ｒの配置される赤色の画素列では、青色の色材パターン１２４Ｂ（１２４Ｂｇ）と色材パターン１２４Ｒとが積層された積層膜により、色材パターン１２４Ｇの配置される緑色の画素列では、青色の色材パターン１２４Ｂ（１２４Ｂｇ）と緑色の色材パターン１２４Ｇとが積層された積層膜により、それぞれＢＭ１２５（ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ）表面が覆われることになる。一方、色材パターン１２４Ｂの配置される青色の画素列では、青色の色材パターン１２４Ｂの単層膜により、ＢＭ１２５（ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ）表面が覆われることになる。
続いて、本発明での特徴的な構成の１つである柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて図１或いは図４の断面図を用いて説明を行う。なお、ＣＦ基板１２０およびアレイ基板１１０の表面には実際には配向膜１２２および配向膜１１２が形成されており、更に、ＣＦ基板１２０の表面には共通電極１２３も設けられるが、ここでは、特に柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓと各色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂ或いはＢＭ１２５の遮光パターンとの配置関係、平面的な配置関係を説明するだけであることから、図４（ａ）および図４（ｂ）においては、説明の便宜上により図示を省略している。
まず、本実施の形態１の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについては、高温時の下膨れ不良、低温時の発泡不良の２つの不良を防止することと、表示面に対する外的衝撃に対する耐性を確保することを両立するために、相対的に高さの高いスペーサと相対的に高さの低いスペーサの異なる２種類の柱状スペーサ形態を混在して備えるデュアルスペーサ構造を用いている。なお、ここで言う高さとは、ＣＦ基板１２０の表面からの突起として設けられる柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの突起先端部のガラス基板１２１の表面からの高さとして、以下説明を行うこととする。従って、図１或いは図４の断面図に示されるとおり、ＣＦ基板１２０表面において、柱状スペーサ１３４ｍが相対的に高さの高いスペーサとなるデュアルスペーサ構造のメインスペーサとなり、柱状スペーサ１３４ｓが相対的に高さの低いスペーサとなるサブスペーサとなる。
具体的には、図１或いは図４の断面図においては、液晶パネル１０のアレイ基板１１０とＣＦ基板１２０の表面に、特に外圧などが印加されない状態、つまり、基板間隔が所定値（セルギャップ値）の状態を示しているものとするが、メインスペーサ部を示す図１或いは図４（ａ）中の柱状スペーサ１３４ｍについては、アレイ基板１１０とＣＦ基板１２０に当接した状態であり、更に、図示は省略するが、アレイ基板１１０とＣＦ基板１２０の表面に外圧などが印加されることによって、基板間隔が上記の所定値（セルギャップ値）より狭くなった場合にも、柱状スペーサ１３４ｍは、アレイ基板１１０とＣＦ基板１２０に当接されることとなる。つまり、柱状スペーサ１３４ｍは、常時、アレイ基板１１０とＣＦ基板１２０に当接して、基板間隔をセルギャップ値に保持することとなる。つまり、デュアルスペーサ構造におけるメインスペーサとして機能する。
一方、特に外圧などが印加されない状態であるサブスペーサ部を示す図１或いは図４（ｂ）中の柱状スペーサ１３４ｓについては、アレイ基板１１０には当接されていないが、アレイ基板１１０とＣＦ基板１２０の表面に外圧などが印加されることによって、基板間隔が上記のセルギャップ値より狭くなった場合には、アレイ基板１１０に当接して、ある程度の範囲に基板間隔を保持する。つまり、デュアルスペーサ構造におけるサブスペーサとして機能する。
また、本実施の形態１のメインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍについては、図３（ａ）の平面図に示されるとおり、ストライプ状の赤色の色材パターン１２４Ｒと、格子状の連続パターンよりなる青色の色材パターン１２４Ｂ（特にゲート延在色材パターン１２４Ｂｇの部分）の交差部分に配置している。一方、サブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓについては、格子状の連続パターンよりなる青色の色材パターン１２４Ｂにおける格子点部分、つまり、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとソース延在色材パターン１２４Ｂｓとの交差部分に配置している。その結果、図４（ａ）の断面図にも示されるとおり、柱状スペーサ１３４ｍは、ＣＦ基板１２０のゲート側遮光パターン１２５ＧＴの設けられる表面において赤色の色材パターン１２４Ｒと青色の色材パターン１２４Ｂ（１２４Ｂｇ）とが積層された積層膜を介して配置される。一方、柱状スペーサ１３４ｓは、ＣＦ基板１２０のゲート側遮光パターン１２５ＧＴの設けられる表面において青色の色材パターン１２４Ｂ（１２４Ｂｇ）の単層膜を介して配置される。
従って、柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓのそれぞれが設けられるＣＦ基板１２０上におけるガラス基板１２１の基板面からの高さは異なっており、柱状スペーサ１３４ｍのほうが、赤色の色材パターン１２４Ｒの厚み分、柱状スペーサ１３４ｓと比べて、高い位置に設けられることになる。以上のことから、本実施の形態１では、柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓを構成する柱状樹脂層に厚みの差を特に設けなくとも、柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓについて、相対的に高さの高いスペーサと相対的に高さの低いスペーサの異なる２種類の柱状スペーサとし、デュアルスペーサ構造を設けることができる。そこで、本実施の形態１の柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓについて同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成している。なお、ここで言う同じ厚みという意味は、実際には樹脂層を塗布形成した際には、レベリング（表面平坦化）作用が生じ、柱状スペーサ１３４ｍを構成する柱状樹脂層が柱状スペーサ１３４ｓを構成する柱状樹脂層よりも多少薄く形成され、正確には同じ厚みとならない場合が多いが、その程度の差は無視したうえで、同じ厚みと解釈するものとする。
また、メインスペーサである柱状スペーサ１３４ｍと、サブスペーサである柱状スペーサ１３４ｓの配置密度、更に両者の比率としては、柱状スペーサ１３４ｍの比率を柱状スペーサ１３４ｓの比率に比べて少ない割合に配置することが望ましい。従って、本実施の形態１では、一例として、図１或いは図３の平面図に示すとおり、柱状スペーサ１３４ｓについては、格子状の連続パターンよりなる青色の色材パターン１２４Ｂにおける全ての格子点部分に配置していることから、３画素あたり１ヶ所の画素の割合で配置されることとなる。一方、柱状スペーサ１３４ｍについては、ストライプ状の赤色の色材パターン１２４Ｒと、格子状の連続パターンよりなる青色の色材パターン１２４Ｂ（特にゲート延在色材パターン１２４Ｂｇの部分）の交差部分のうち、２行おきに配置したことから、６画素あたり１ヶ所の画素の割合で配置されている。
なお、ここでは、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍをストライプ状の赤色の色材パターン１２４Ｒと青色の色材パターン１２４Ｂの交差部分に設ける例について説明を行ったが、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍをストライプ状の緑色の色材パターン１２４Ｇと青色の色材パターン１２４Ｂの交差部分に設けるように変更しても良い。つまり、ストライプ状の緑色の色材パターン１２４Ｇと青色の色材パターン１２４Ｂの交差部分についても、柱状スペーサ１３４ｓの設けられる青色の色材パターン１２４Ｂにおける格子点部分と比べて、高い位置に設けられることになるので、柱状スペーサ１３４ｍをストライプ状の緑色の色材パターン１２４Ｇと青色の色材パターン１２４Ｂの交差部分に設けることで、実施の形態１の場合と同様に、柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓを構成する柱状樹脂層に厚みの差を特に設けなくとも、柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓについて、相対的に高さの高いスペーサと相対的に高さの低いスペーサの異なる２種類の柱状スペーサとし、デュアルスペーサ構造を設けることができる。
続いて、図６および図７を用いて、アレイ基板１１０側の具体的な各パターンの平面配置とＣＦ基板１２０上に設けられるＢＭ１２５の遮光パターンと色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの平面配置の位置関係について説明を行う。なお、全体的な位置関係については、図３から図５を用いて説明したとおりであるが、ここでは、アレイ基板１１０側における詳細なパターン配置まで説明を加える。
例えば、図３および図４を用いた説明においては、主要な構成として、ゲート配線１１７と、ゲート配線１１７に交差して配置されるソース配線に対応して、ＢＭ１２５が格子状の遮光パターンとして配置されることを説明したが、より詳細なアレイ基板１１０側の各パターンとしては、本実施の形態１のアレイ基板１１０においては、図１、図５、および図６に示すとおり、ゲート配線１１７と並行して、遮光パターンよりなる共通配線１１９が設けられる。
共通配線１１９は、共通電位が印加され、画素電極１１３と重なり部を有して容量を形成することで、当該容量に画素電極に所定の電位を保持することに寄与する。通常、ゲート配線１１７と共通配線１１９は同層で同一材料により共通のパターニング工程で設けられることと、ゲート配線１１７とは異なる電位が印加されることから、ショートを起さないように、ゲート配線１１７と共通配線１１９は図６に示されるとおり隙間を空けて配置される。また、図１および図５においては図示省略していたが、共通配線１１９は、図６に示すとおり、その一部に画素電極１１３の外周に沿って画素電極１１３と重なる方向に分岐して延在する共通配線枝部１１９ｂが設けられることで、上記説明の容量を形成する面積を確保している。また、何れも遮光パターンからなる共通配線１１９と、この共通配線枝部１１９ｂと、更に、画素電極１１３の外周に沿って延在して画素電極１１３と重なって設けられるドレイン電極１１４ｄとにより、画素電極１１３の外周を囲うことで、アレイ基板１１０側の開口領域（透過領域）を設定している。
このように遮光パターンからなる共通配線１１９が設けられる構成の場合において、本実施の形態１のＢＭ１２５の格子状の遮光パターンの詳細な配置としては、図７（ａ）にＢＭ１２５の遮光パターンの配置を示しているとおり、ゲート配線１１７の形成領域に重なって配置されるゲート側遮光パターン１２５ＧＴについて、ゲート配線１１７の形成領域に加えて、共通配線１１９の形成領域、および、ゲート配線１１７と共通配線１１９間に設けられる隙間部も含めた領域に重なって設けている。つまり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴは、ゲート配線１１７の形成領域から共通配線１１９の形成領域に跨って配置されている。更に、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴは、画素電極１１３と重なって設けられて開口領域（透過領域）を設定する遮光パターンとなるドレイン電極１１４ｄの形成領域まで跨って配置される。また、ソース配線１１８に沿った方向に設けられるＢＭ１２５のソース側遮光パターンは、ソース配線１１８の形成領域と、ソース配線１１８と共通配線１１９から延在する共通配線枝部１１９ｂの間の隙間部と、上記共通配線枝部１１９ｂの一部に重なって設けられる。
一方、本実施の形態１の色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの詳細な配置としては、図７（ｂ）に色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの配置を示しているとおり、先ず、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについては、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるストライプ状に連続する色材パターンとなっており、色材パターン１２４Ｂについては、格子状の連続パターン形状を有している。この点は、図３（ｂ）を用いて説明したとおりである。特に、図７（ｂ）に示した色材パターン１２４Ｂでは、図７（ｂ）において説明したとおり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴが、ゲート配線１１７の形成領域から共通配線１１９の形成領域およびドレイン電極１１４ｄの形成領域に跨って配置されているのに対応して、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇについても、同様に、ゲート配線１１７の形成領域のみならず、ゲート配線１１７の形成領域から共通配線１１９の形成領域およびドレイン電極１１４ｄの形成領域に跨って配置されることになる。
なお、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇの形成領域としては、本実施の形態１では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ表面からの反射光を全面的に遮断するためにゲート側遮光パターン１２５ＧＴの形成領域、つまり、ゲート配線１１７の形成領域のみならず共通配線１１９の形成領域およびドレイン電極１１４ｄの形成領域までの殆ど全体に渡って配置した例について説明したが、少なくともＴＦＴ１１４の形成領域および各ＴＦＴ１１４間の領域に対応するゲート配線１１７の形成領域の全体に重なる領域を、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが形成される領域、つまり、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇがゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆う領域とすることで、本発明の基本的な効果については充分に得ることができる。
また、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが、少なくともＴＦＴ１１４の形成領域におけるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い形成されることに加えて、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンよりなることで、ＴＦＴ１１４と対向する領域におけるゲート側遮光パターン１２５ＧＴ表面からの反射光を抑えることに加えて、各ＴＦＴ１１４間の領域におけるゲート側遮光パターン１２５ＧＴ表面からの反射光についても抑えることができる点で、本発明の最低限の効果が得ることができることになる。
＜液晶表示装置の製造フロー＞
本発明に係る実施の形態１の液晶表示装置の製造方法として、上記のような構成の液晶パネルを有する液晶表示装置の製造フローを、図８に示すフローチャートを用いて説明する。通常、液晶パネルは最終形状よりも大きなマザー基板から、液晶パネルを１枚或いは複数枚切り出して（多面取りとも呼ばれる）製造される。図８におけるステップＳ１〜Ｓ８（Ｓ９途中まで）のプロセスは、マザー基板の状態でのプロセスである。
まず、基板準備工程においてマザーアレイ基板およびマザーＣＦ基板に対して配線などの形成が行われる。すなわち、マザーアレイ基板においては、図２から図４に示したゲート配線１１７、ソース配線１１８、ＴＦＴ１１４および画素電極１１３などを作り込む工程を行うが、これらの作り込みは一般的な液晶パネルにおけるアレイ基板の製造方法と同様であるので、製造方法に関する詳細な説明は省略する。
一方、マザーＣＦ基板においては、図１、図３、或いは図４に示したＢＭ１２５、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂ、デュアルスペーサ構造の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓなどを作り込む工程を行うが、これらの作り込みは一般的な液晶パネルにおけるＣＦ基板の製造方法と同様であるので、製造方法に関する詳細な説明は省略する。例えば、ＢＭ１２５は、先に説明のとおり、樹脂ＢＭを選択したことから、一般的な樹脂中に黒色顔料などを分散させた樹脂ＢＭをパターニングして形成するプロセスを選択すれば良く、金属ＣｒをベースとしたＣｒ−ＢＭからなるＢＭ１２５を用いる場合にも、表層に酸化Ｃｒ膜を有した金属Ｃｒ膜との積層膜をパターニングして形成する一般的なプロセスを選択すれば良い。また、特に本発明の特徴的な構成となるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇ或いは格子状の連続パターン形状を有した色材パターン１２４Ｂについても、パターン設計（マスク設計）を変更するのみで、一般的な色材パターンのパターニングプロセスを用いて製造することができる。但し、特に、本実施の形態１の色材パターン１２４Ｂは、格子状の連続パターン形状を有していることで、このパターニングプロセス時において、通常のストライプ状の色材パターンを形成するのに比べて、製造歩留りを低下することなく、逆に、より高い製造歩留りで製造することができる。
また、異なる高さに設けられる柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの形成プロセスとしては、本実施の形態１の場合においては、公知の異なる高さのデュアルスペーサ構造の形成方法であるハーフトーンマスク（或いはグレートーンマスク、その他、中間調露光マスクなどと言われる）技術を利用する必要がなく、ＢＭ１２５、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂを形成したマザーＣＦ基板上に単純に樹脂層を塗布形成した後に、先に説明した柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの形成位置に当該樹脂層が残るようにパターニングすれば良いことになる。
なお、以降で説明する本発明の変形例などでは、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて、異なる厚みの柱状樹脂層により構成する例もあるが、その場合には、公知の異なる高さのデュアルスペーサ構造の形成方法であるハーフトーンマスク（或いはグレートーンマスク、その他、中間調露光マスクなどと言われる）技術を利用して形成することができる。
以上のとおり、マザーアレイ基板およびマザーＣＦ基板を準備した後、まず、ステップＳ１の基板洗浄工程において、以上のように準備されたマザーアレイ基板およびマザーＣＦ基板に対して、基板を洗浄する基板洗浄工程を行う。次に、ステップＳ１の配向膜材料塗布工程において、マザーアレイ基板およびマザーＣＦ基板の片側表面に、配向膜材料の塗布形成を行う。この工程ではマザーアレイ基板およびマザーＣＦ基板の互いに向かい合う主面に、例えば、フレキソ印刷法により有機材で構成される配向膜材料を転写塗布し、ホットプレートなどにより焼成処理し乾燥させる工程を含んでいる。
次に、ステップＳ３の配向処理工程において、配向膜材料に対して、例えばラビング処理を行い、配向膜材料表面を配向処理して配向膜１１２および配向膜１２２を形成する。なお、マザーＣＦ基板上に形成された柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓ上は配向膜１２２により覆われる。なお、先にも説明のとおり、柱状スペーサ１３４ｍの表面に塗布形成される配向膜１２２は、その他、平坦部に形成される配向膜１２２の厚みに比べて薄いことから、柱状スペーサ１３４ｍあるいは柱状スペーサ１３４ｓの表面に塗布された配向膜１２２は図示などを省略している。
次に、ステップＳ４のシール剤塗布工程において、シールディスペンサ装置を用いて、マザーアレイ基板或いはマザーＣＦ基板の主面に、シール剤をペーストとしてディスペンサノズルより吐出して塗布する。シール剤は、液晶パネルの表示領域を囲うように塗布され、シールパターン１３３を形成する。次に、ステップＳ５の液晶滴下工程において、シールパターン１３３が形成された方の基板のシールパターン１３３で囲まれた領域内に液晶材料を滴下する。
次に、ステップＳ６の真空貼り合わせ工程において、マザーアレイ基板とマザーＣＦ基板とを真空状態で貼り合わせてマザーセル基板を形成する。次に、ステップＳ７のＵＶ（紫外線）照射工程でマザーセル基板に紫外線を照射し、シール剤を仮硬化させる。その後、ステップＳ８において加熱によりアフターキュアを行い、シール剤を完全に硬化させて、硬化したシールパターン１３３を得る。
次に、ステップＳ９のセル分断工程において、マザーセル基板をスクライブラインに沿って切断し、個々の液晶セルに分断する。以上のように分断された個々の液晶セルに対して、ステップＳ１０の偏光板貼り付け工程、ステップＳ１１の制御基板実装工程などを実行し、一連の製造工程が完了し、図１および図２のとおり、液晶パネル１０が完成する。
更に、液晶パネル１０の反視認側となるアレイ基板１１０の裏面側に位相差板などの光学フィルムを介して、バックライトユニットを配設し、樹脂や金属などよりなるフレーム（筐体）内に、液晶パネル１０およびこれら周辺部材を適宜収納し、最終的な本発明を適用した液晶表示装置が完成する。なお、本実施の形態１では、先に説明のとおり、バックライトユニットとして、少なくともＬＥＤを用い、より望ましくは高輝度タイプのＬＥＤを用いた高輝度タイプのバックライトユニットを組み合わせる。
以上のように製造された液晶表示装置は次のように動作する。例えば、外部回路である制御基板１３５から画像信号や制御信号などの電気信号が入力されると、画素電極１１３および共通電極１２３に駆動電圧が加わり、駆動電圧に合わせて液晶の分子の方向が変わる。その結果、各画素の光透過率が制御される。そして、バックライトユニットの発する光がアレイ基板１１０、液晶層１３０およびＣＦ基板１２０を介することで、外部へ各画素の光透過率に応じて透過或いは遮断されることにより、液晶パネル１０の表示領域１００にカラー画像などが表示される。
続いて、本実施の形態１の液晶表示装置における作用および効果について説明を行う。先ず、本実施の形態１の液晶表示装置においては、前提技術として、ゲート配線１１７に重なってＴＦＴ１１４および半導体層１１４ｃが配置され、ゲート配線１１７の一部をＴＦＴ１１４のゲート電極１１４ｇが兼ねる構成を備えていることから、遮光領域となるゲート電極１１４ｇおよびゲート配線１１７の形成領域の面積を減らし、画素内なおいて、表示に寄与する透過領域（開口領域）の占める割合を増やすことに対応する高開口率化が可能である。
一方、この構成は、半導体層１１４ｃおよびＴＦＴ１１４の両側に隣接してゲート配線１１７の形成領域と、それに対向配置されるＢＭ１２５が配置される構造となり、本来は、ＴＦＴ１１４と対向する位置のＢＭ１２５表面以外に、互いに隣接する画素のＴＦＴ１１４間（つまり、互いに隣接するＴＦＴ１１４間）に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面で反射される反射光もＴＦＴ１１４の半導体層１１４ｃに入射し易い構造となる。特にゲート配線１１７に重なってＴＦＴ１１４を配置する構成の場合、本実施の形態１のとおり、ゲート配線１１７の延在方向とＴＦＴ１１４のチャネル幅方向が基本的には一致して設けられることから、図５（ｂ）や図６に示されるとおり、半導体層１１４ｃの上部に互いに対向配置される一対の遮光パターンよりなるソース電極１１４ｓとドレイン電極１１４ｄ間に設けられる隙間の延在方向とゲート配線１１７の延在方向ＧＤ（図６中に方向を矢印で示している）が一致する関係となり、上記説明の互いに隣接して配置されるＴＦＴ１１４間に重なるＢＭ１２５表面からの反射光が半導体層１１４ｃに入り込み易い構造になる。
しかしながら、本実施の形態１の構成では、この互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について有効に遮断され、半導体層１１４ｃへの入射光が防がれていることになる。なお、上記説明した際におけるゲート配線１１７の延在方向ＧＤについては、ゲート配線１１７が完全な直線形状でない場合も有り得ることから、１本のゲート配線１１７に沿って配列する各画素の配列方向をゲート配線１１７の延在方向ＧＤと読み替えても良い。
また、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとして、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂのうちで、最も透過率の低い青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが選択されていることで、より効果的に半導体層１１４ｃへの入射光を遮断することができる。つまり、本実施の形態１におけるＴＦＴ１１４の半導体層１１４ｃの材料として用いているアモルファスシリコン膜は、光が入射されることにより生ずるリーク電流について、当該入射光の波長に対する依存性が比較的少ないことから、上記のとおり、透過率の大小がリーク電流の大きさに影響し、上記のとおり、青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを選択することが有効となる。なお、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられる色材パターンについて、特定色として、青色の色材パターン１２４Ｂを選択することが有効となる同等の作用については、半導体層１１４ｃの材料が、アモルファスシリコン膜以外に、例えば、多結晶シリコンや微結晶シリコンなどの非単結晶シリコンを用いた場合に共通して得られることになる。
また、本実施の形態１の液晶表示装置では、各色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂを構成する色材パターンについて、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇも含めて、ストライプ状の連続パターンおよび格子状の連続パターンの何れかの形状により設けられることから、先に説明を行なった各色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂを形成する際のパターニングプロセス時において、ＴＦＴ１１４の形成領域などの画素領域の一部程度の比較的狭い領域（比較的小さい面積）の孤立パターンを含む色材パターンを形成するのに比べて、製造歩留りを低下することなく、高い製造歩留りで製造することができる。つまり、製造コストの増加を抑えることができる。
また、本実施の形態１の液晶表示装置では、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの配置について、本発明における色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの特徴的な平面配置を利用し、特に、ＣＦ基板１２０上におけるガラス基板１２１の基板面からの高さの異なる位置に、それぞれを配置することにより、ハーフトーンプロセスなどの特殊な製造方法を用いることなく、比較的容易に低コストにて、広い温度範囲で使用しても高い信頼性が得られるデュアルスペーサ構造を有した液晶表示装置を得ることができる。
続いて、実施の形態１の液晶表示装置における色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂについて、特に本発明の特徴的な構成となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターン或いは格子状の連続パターン形状を有した色材パターンについて、青色の色材パターン１２４Ｂに加えて、他の色となる緑色の色材パターン１２４Ｇや赤色の色材パターン１２４Ｒについても同様のゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられる色材パターンとした変形例２例について、図９を用いて説明を行う。なお、説明は実施の形態１との変更部分についてのみ行なうこととする。そこで、図９は、実施の形態１との主な変更部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられる色材パターンと柱状スペーサの配置について説明する断面図であって、実施の形態１の図３（ｂ）に示されるＸ１−Ｘ２断面線における断面図となる図４（ａ）に対応し、図９（ａ）は１例目の変形例、図９（ｂ）は２例目の変形例、それぞれにおける断面図である。
先ず、１例目の変形例について、図９（ａ）を用いて説明する。図９（ａ）に示す変形例においては、実施の形態１の液晶表示装置における色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂについて、図示されるとおり、色材パターン１２４Ｂがゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる青色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを備える点は実施の形態１と同じであるが、色材パターン１２４Ｇについてもゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる緑色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇを備えるよう変更されている。つまり、本変形例では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの形成領域の全体に渡る表面を覆って、色材パターン１２４Ｂと色材パターン１２４Ｇの２色の色材パターンによる２層の色材パターンからなる積層膜が設けられることになる。
なお、図示は省略しているが、色材パターン１２４Ｂは、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｂｓを備え、当該ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとソース延在色材パターン１２４Ｂｓとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなる点は実施の形態１と同じであり、本変形例では、色材パターン１２４Ｇについても色材パターン１２４Ｂと同様に格子状の連続パターンよりなる。また、色材パターン１２４Ｒについては、実施の形態１と変更なく、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるストライプ状に連続する色材パターンとしており、図示されるとおり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、色材パターン１２４Ｂ（ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇ）および色材パターン１２４Ｇ（ゲート延在色材パターン１２４Ｇｇ）と交差し、これらの上に重なって設けられる。
また、図示されるとおり、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの配置としては、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍをストライプ状の赤色の色材パターン１２４Ｒと色材パターン１２４Ｂ（ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇ）および色材パターン１２４Ｇ（ゲート延在色材パターン１２４Ｇｇ）との交差部分（具体的には赤色の画素列）に配置し、サブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓを赤色の色材パターン１２４Ｒが設けられず、色材パターン１２４Ｂ（ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇ）および色材パターン１２４Ｇ（ゲート延在色材パターン１２４Ｇｇ）の積層膜が設けられる他の色（赤色以外の色）の画素列（具体的には、例えば、青の画素列）に配置している。また、実施の形態１と同様に、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成している。
上記説明の変形例の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられること、また、最も透過率の低い青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられるといった特徴は有していることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について有効に遮断され、半導体層１１４ｃへの入射光について、より効果的に遮断することができるといった実施の形態１の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
また、本変形例では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面は、青色の色材パターン１２４Ｂに覆われるとともに、緑色の色材パターン１２４Ｇにも覆われる。緑色の色材パターン１２４Ｇは、青色の色材パターン１２４Ｂを透過する青色の波長帯域の光について、殆ど透過しない透過特性を有すること、逆に言えば、青色の色材パターン１２４Ｂは、緑色の色材パターン１２４Ｇを透過する緑色の波長帯域の光について、殆ど透過しない透過特性を有することから、緑色の色材パターン１２４Ｇと青色の色材パターン１２４Ｂの積層膜に覆われたゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面での反射光は殆ど生じない。つまり、実施の形態１と比べて、より反射率が抑制されることになる。
また、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて、同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成し、デュアルスペーサ構造を構成しており、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの特徴的な平面配置を利用し、特に、ＣＦ基板１２０上におけるガラス基板１２１の基板面からの高さの異なる位置に、それぞれを配置することにより、ハーフトーンプロセスなどの特殊な製造方法を用いることなく、比較的容易に低コストにて、広い温度範囲で使用しても高い信頼性が得られるデュアルスペーサ構造を有した液晶表示装置を得ることができるといった実施の形態１の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
なお、図９（ａ）に示す変形例においては、青色の色材パターン１２４Ｂと緑色の色材パターン１２４Ｇの２色の色材パターンにより、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる色材パターンを配置した例について説明したが、青色の色材パターン１２４Ｂと赤色の色材パターン１２４Ｒの２色の色材パターンにより、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる色材パターンを配置しても良く、上記変形例と同様の効果を得ることができる。特に、赤色の色材パターン１２４Ｒは、青色の色材パターン１２４Ｂを透過する青色の波長帯域の光について、より以上に殆ど透過しない透過特性を有すること、逆に言えば、青色の色材パターン１２４Ｂは、赤色の色材パターン１２４Ｒを透過する赤色の波長帯域の光について、より以上に殆ど透過しない透過特性を有することから、上記変形例と比べて、より反射率が抑制されることになる。
続いて、２例目の変形例について、図９（ｂ）を用いて説明する。図９（ｂ）に示す変形例においては、実施の形態１の液晶表示装置における色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂについて、図示されるとおり、色材パターン１２４Ｂがゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる青色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを備える点は実施の形態１或いは先に説明を行なった１例目の変形例と同じであるが、色材パターン１２４Ｇおよび色材パターン１２４Ｒについても、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる緑色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇおよびゲート延在色材パターン１２４Ｒｇを備えるよう変更されている。つまり、本変形例では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの形成領域の全体に渡る表面を覆って、色材パターン１２４Ｂと色材パターン１２４Ｇと色材パターン１２４Ｒの３色全ての色材パターンによる３層の色材パターンからなる積層膜が設けられることになる。
なお、図示は省略しているが、色材パターン１２４Ｂは、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｂｓを備え、当該ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとソース延在色材パターン１２４Ｂｓとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなる点は実施の形態１と同じであり、本変形例では、色材パターン１２４Ｇおよび色材パターンＲについても色材パターン１２４Ｂと同様に格子状の連続パターンよりなる。つまり、青色、緑色、赤色の３色の色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂが、全て、格子状の連続パターンよりなることになる。
また、図示されるとおり、柱状スペーサの配置としては、実施の形態１や上記説明した１例目の変形例と同様に、それぞれ、赤色の画素列と、青色の画素列に配置しているものの、本変形例の場合、特に、ＣＦ基板１２０上において、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍおよびサブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓｓを配置することとなるゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、全体的に３色の色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂからなる積層膜が設けられ、ガラス基板１２１の基板面からの高さに差が無いことから、実施の形態１や上記説明した１例目の変形例のように、ガラス基板１２１の基板面からの高さの差を利用して、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの高さの差を形成することができない。
従って、本変形例では、図示されるとおり、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓについて、単純に互いに異なる厚みの柱状樹脂層を用いて、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの高さの差を形成し、デュアルスペーサ構造としている。なお、本変形例の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの形成方法については、先にも例示したとおり、公知の異なる高さのデュアルスペーサ構造の形成方法であるハーフトーンマスク（或いはグレートーンマスク、その他、中間調露光マスクなどと言われる）技術を利用して形成すれば良い。
上記説明の２例目の変形例の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられること、また、最も透過率の低い青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられるといった特徴は有していることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について有効に遮断され、半導体層１１４ｃへの入射光について、より効果的に遮断することができるといった実施の形態１の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
また、本変形例では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面は、青色の色材パターン１２４Ｂに覆われるとともに、緑色の色材パターン１２４Ｇおよび赤色の色材パターン１２４Ｒにも覆われる。これら青色の色材パターン１２４Ｂ、緑色の色材パターン１２４Ｇ、および赤色の色材パターン１２４Ｒは、透過光について、互いに異なる波長特性を有することから、これら３色の色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂからなる積層膜を介すると、殆ど全ての波長帯域の光について透過することができないことになる。従って、３色の色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂからなる積層膜に覆われたゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面での反射光は殆ど生じない。つまり、実施の形態１や上記説明した各変形例と比べて、より反射率が抑制されることになる。
また、青色、緑色、赤色の３色の色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂが、全て、格子状の連続パターンよりなることから、全ての色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂにおいて、それらのパターニングプロセス時において、通常のストライプ状の色材パターンを形成するのに比べて、製造歩留りを低下することなく、逆に、より高い製造歩留りで製造することができる。
続いて、実施の形態１の液晶表示装置におけるＴＦＴ１１４のチャネルとして機能する半導体層１１４ｃについて、半導体材料として、酸化物半導体を用いた酸化物半導体層１１４ｃｏｘをチャネルとして備えたＴＦＴ（酸化物半導体ＴＦＴ）１１４ｏｘに変更するとともに、特に本発明の特徴的な構成となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターン或いは格子状の連続パターン形状を有した特定色の色材パターンについて、青色の色材パターン１２４Ｂではなく、他の色となる緑色の色材パターン１２４Ｇや赤色の色材パターン１２４Ｒを、当該ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられる特定色の色材パターンとした３例目の実施の形態１の変形例について、図１０を用いて説明を行う。
図１０に示す３例目の変形例においては、液晶表示装置における能動素子が酸化物半導体を用いた酸化物半導体層１１４ｃｏｘをチャネルとして備えた酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘに変更されていることに加えて、実施の形態１の液晶表示装置における色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂについて、図示されるとおり、ある特定色となる１色の色材パターンについて、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇを備える点は実施の形態１と同じであるが、そのゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる色材パターンが、実施の形態１のように青色の色材パターン１２４Ｂではなく、緑色の色材パターン１２４Ｇよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇであることが変更されている。また、逆に、色材パターン１２４Ｂについては、色材パターン１２４Ｒとともに、一般的なストライプ状の色材パターンと同様にソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるストライプ状に連続する色材パターンとしている。
なお、図示されるとおり、色材パターン１２４Ｇは、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｇｓを備え、当該ゲート延在色材パターン１２４Ｇｇとソース延在色材パターン１２４Ｇｓとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなる。また、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの配置としては、柱状スペーサ１３４ｍをストライプ状の青色の色材パターン１２４Ｂと、格子状の連続パターンよりなる緑色の色材パターン１２４Ｇ（特にゲート延在色材パターン１２４Ｇｇの部分）の交差部分に配置している。一方、サブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓについては格子状の連続パターンよりなる緑色の色材パターン１２４Ｇにおける格子点部分に配置している。また、実施の形態１と同様に、これら柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて、同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成し、デュアルスペーサ構造を構成している。
なお、以上のゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられる特定色の色材パターンにおける特定色として選択する色の変更は、酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘが酸化物半導体を用いた酸化物半導体層１１４ｃｏｘをチャネルとして備えていることに伴う変更点となる。つまり、酸化物半導体層１１４ｃｏｘの材料として用いている酸化物半導体材料は、光が入射されることにより生ずるＴＦＴのリーク電流について、当該入射光の波長に対する依存性がある。具体的には、特に青色の波長帯域の光が入射された場合にリーク電流が大きくなる傾向を有している。よって、酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘを用いる場合においては、実施の形態１のようにゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとして、青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを選択することは、リーク電流を低減する点において望ましい構成ではない。つまり、青色の色材パターン１２４Ｂは、青色の光を透過するフィルタ特性を有していることから、酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘにおいてリーク電流を増大する青色の波長帯域の光を遮光するのに適さないことになる。
以上のことから、本変形例においては、酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘを用いる場合において、酸化物半導体層１１４ｃｏｘに入射された場合に顕著なリーク電流を生ずることが懸念される青色の波長帯域の光を効果的に遮光するのに好適な緑色の色材パターンを特定色の色材パターンとして選択し、緑色の色材パターン１２４Ｇの一部によりゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇを構成している。
上記説明の３例目の変形例の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇが設けられること、また、酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘを用いる場合において、より好適となる緑色の色材パターン１２４Ｇの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇが設けられるといった特徴を有していることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について、特に酸化物半導体層１１４ｃｏｘに入射された場合に顕著なリーク電流を生ずることから有害となる青色の波長帯域の光をより効果的に遮断することができるといった効果を得ることができる。
また、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて、同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成し、デュアルスペーサ構造を構成しており、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの特徴的な平面配置を利用し、特に、ＣＦ基板１２０上におけるガラス基板１２１の基板面からの高さの異なる位置に、それぞれを配置することにより、ハーフトーンプロセスなどの特殊な製造方法を用いることなく、比較的容易に低コストにて、広い温度範囲で使用しても高い信頼性が得られるデュアルスペーサ構造を有した液晶表示装置を得ることができるといった実施の形態１の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
なお、上記説明の３例目の変形例においては、特に酸化物半導体層１１４ｃｏｘに入射された場合に有害となる青色の波長帯域の光を効果的に遮光するのに好適な緑色の色材パターンを選択し、緑色の色材パターン１２４Ｇの一部によりゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇを構成した例について説明を行ったが、同様に青色の波長帯域の光を効果的に遮光するのに好適な赤色の色材パターンを選択し、赤色の色材パターン１２４Ｒの一部によりゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆うように変更しても良く、上記３例目の変形例と同様の効果を得ることができる。
実施の形態２．
続いて、先に説明を行った実施の形態１の液晶表示装置より、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂのうち、特に色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇの平面パターン配置についての変更と、それに伴う柱状スペーサの構成についての変更とを行った実施の形態２の液晶表示装置について、図１１を用いて説明を行う。以下、実施の形態１との変更部を重点的に説明することとする。
ここで、図１１(ａ)は、実施の形態１との主な変更部分となる色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇの平面パターン配置について説明する平面図である。図１１（ｂ）は、実施の形態１との別の主な変更部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられる色材パターンと柱状スペーサの配置について説明する断面図であって、図１１(ａ)に示されるＸ１−Ｘ２断面線における断面図である。また、それぞれ、実施の形態１の図３（ｂ）の平面図と、図３（ｂ）に示されるＸ１−Ｘ２断面線における断面図となる図４（ａ）に対応する。
本実施の形態２においては、図１１(ａ)に示されるとおり、ＣＦ基板１２０上において、格子状の遮光パターンよりなるＢＭ１２５が設けられ、特に、色材パターン１２４Ｂが、アレイ基板１１０上に設けられるゲート配線１１７の延在方向に沿って設けられるＢＭ１２５の部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる青色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを備えるとともに、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｂｓを備え、当該ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとソース延在色材パターン１２４Ｂｓとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなる点は、実施の形態１と同じである。
一方、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについては、図１１(ａ)に示されるとおり、実施の形態１のようにストライプ状に設けられるのではなく、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられ、互いに分離して設けられる複数の孤立パターンにより設けられている。また、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇの各孤立パターンは、各画素における画素電極１１３に対応して配置されるＢＭ１２５に設けられた開口部とその周辺部までを覆う領域に設けられることになり、更に、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において互いに分離し、色材パターン１２４Ｂと重なることなく、特にゲート延在色材パターン１２４Ｂｇと重なることなく設けられる。
また、柱状スペーサの配置としては、図１１(ａ)に示されるとおり、実施の形態１や上記説明した１例目の変形例と同様に、それぞれ、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍを赤色の画素列に配置し、サブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓｓを青色の画素列に配置している。一方、本実施の形態２の場合、図１１(ａ)および図１１(ｂ)の両者より明らかなとおり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇのみが設けられ、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについてはゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上に設けられてない。特に、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓを配置することとなるＣＦ基板１２０上において、具体的には、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、色材パターン１２４Ｂの単層膜の色材パターンが設けられ、ガラス基板１２１の基板面からの高さに差が無いことから、実施の形態１や上記説明した１例目の変形例のように、ガラス基板１２１の基板面からの高さの差を利用して、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの高さの差を形成することができない。
従って、本実施の形態２では、図１１(ｂ)の断面図に示されるとおり、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓについて、実施の形態１の２例目の変形例の図９（ｂ）の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓと同様に単純に互いに異なる厚みの柱状樹脂層を用いて、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの高さの差を形成し、デュアルスペーサ構造としている。なお、本実施の形態２の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの形成方法については、実施の形態１の２例目の変形例を説明する際に例示したとおり、公知の異なる高さのデュアルスペーサ構造の形成方法であるハーフトーンマスク（或いはグレートーンマスク、その他、中間調露光マスクなどと言われる）技術を利用して形成すれば良い。
上記説明の実施の形態２の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられること、また、最も透過率の低い青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられるといった特徴は有していることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について有効に遮断され、半導体層１１４ｃへの入射光について、より効果的に遮断することができること、或いは、各色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂを形成する際のパターニングプロセス時において高い製造歩留りで製造することができ、製造コストの増加を抑えることができるといった実施の形態１の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態２の液晶表示装置では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇも含めて、各色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂを構成する色材パターンについて互いに重なることなく設けられることから、ＣＦ基板１２０の表面において、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの部分的な重なりや積層などによって生ずる比較的大きい段差が形成されることがなく、平坦性が高くなる。その結果、製造時におけるＣＦ基板１２０側の配向膜１２２を形成する際に行われるラビング処理などの配向処理が、段差を起因とする引き摺りムラなどを生ずることなく比較的均一に行えることから、当該配向ムラを起因とする表示ムラを抑制することができる。
実施の形態３．
続いて、先に説明を行った実施の形態２の液晶表示装置より、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂのうち、特に色材パターン１２４Ｂの平面パターン配置についての変更を行った実施の形態３の液晶表示装置について、図１２を用いて説明を行う。以下、実施の形態２との変更部或いは実施の形態１との変更部を重点的に説明することとする。
ここで、図１２(ａ)は、実施の形態２との主な変更部分となる色材パターン１２４Ｂの平面パターン配置、或いは、実施の形態１との主な変更部分となる色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇの平面パターン配置について説明する平面図である。図１２（ｂ）は、実施の形態２に対しては共通部分、一方、実施の形態１に対しては変更部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられる色材パターンと柱状スペーサの配置について説明する断面図であって、図１２(ａ)に示されるＸ１−Ｘ２断面線における断面図である。また、それぞれ、実施の形態２の図１１（ａ）の平面図と、図１１（ａ）に示されるＸ１−Ｘ２断面線における断面図となる図１１（ｂ）に、或いは、実施の形態１の図３（ｂ）の平面図と、図３（ｂ）に示されるＸ１−Ｘ２断面線における断面図となる図４（ａ）に対応する。
本実施の形態３においては、図１２(ａ)に示されるとおり、ＣＦ基板１２０上において、格子状の遮光パターンよりなるＢＭ１２５が設けられ、特に、色材パターン１２４Ｂが、アレイ基板１１０上に設けられるゲート配線１１７の延在方向に沿って設けられるＢＭ１２５の部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる青色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを備える点、更に、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるソース延在色材パターン１２４Ｂｓを備える点については、実施の形態１と同じである。
但し、本実施の形態３の色材パターン１２４Ｂについては、特にソース配線１１８の延在方向に沿って設けられるソース延在色材パターン１２４Ｂｓについて、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられ、互いに分離して設けられる複数の孤立パターンにより設けられる点が異なっている。また、ソース延在色材パターン１２４Ｂｓを構成する各孤立パターンは、各画素における画素電極１１３に対応して配置されるＢＭ１２５に設けられた開口部とその周辺部までを覆う領域に設けられることになり、更に、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において互いに分離し、色材パターン１２４Ｂの他の一部となるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇと重なることなく設けられる。
一方、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについては、図１２(ａ)に示されるとおり、実施の形態２における色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇと同様に、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられ、互いに分離して設けられる複数の孤立パターンにより設けられる。更に、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において互いに分離し、色材パターン１２４Ｂと重なることなく、特にゲート延在色材パターン１２４Ｂｇと重なることなく設けられる点においては、実施の形態２における色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇと同様であり、本実施の形態３における色材パターン１２４Ｂのソース延在色材パターン１２４Ｂｓを構成する各孤立パターンと同様である。
本実施の形態３の色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂは、以上のとおりの平面配置を有することから、図１２(ａ)の平面図からも明らかなとおり、色材パターン１２４Ｂのゲート延在色材パターン１２４Ｂｇに対して、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇを構成するソース配線１１８の延在方向に沿って配列される各孤立パターンと、色材パターン１２４Ｂのソース延在色材パターン１２４Ｂｓを構成するソース配線１１８の延在方向に沿って配列される各孤立パターンとが互いに重なることなく配置され、更に、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂが備える各孤立パターン間についても互いに重なることなく配置される。つまり、全ての色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂを構成する色材パターンが互いに重なることなく配置される。
また、柱状スペーサの配置としては、図１２(ａ)に示されるとおり、上記説明した実施の形態１や実施の形態２と同様に、それぞれ、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍを赤色の画素列に配置し、サブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓｓを青色の画素列に配置している。また、図１２(ａ)および図１２(ｂ)の両者より明らかなとおり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇのみが設けられ、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについてはゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上に設けられてない。特に、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓを配置することとなるＣＦ基板１２０上において、具体的には、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、色材パターン１２４Ｂの単層膜の色材パターンが設けられ、ガラス基板１２１の基板面からの高さに差が無い点は、実施の形態２と同様である。
従って、本実施の形態３においても、図１２(ｂ)の断面図に示されるとおり、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓについて、実施の形態２と同様に単純に互いに異なる厚みの柱状樹脂層を用いて、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの高さの差を形成し、デュアルスペーサ構造としている。なお、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの形成方法についても、実施の形態２と同様で良いことから説明を省略する。
上記説明の実施の形態３の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられること、また、最も透過率の低い青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられるといった特徴は有していることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について有効に遮断され、半導体層１１４ｃへの入射光について、より効果的に遮断することができること、或いは、各色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂを形成する際のパターニングプロセス時において高い製造歩留りで製造することができ、製造コストの増加を抑えることができるといった実施の形態１或いは実施の形態２の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態３の液晶表示装置では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇも含めて、各色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂを構成する色材パターンについて互いに重なることなく設けられることから、ＣＦ基板１２０の表面において、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂの部分的な重なりや積層などによって生ずる比較的大きい段差が形成されることがなく、平坦性が高くなる点においては、実施の形態２の液晶表示装置と同様である。その結果、実施の形態２と同様に、製造時におけるＣＦ基板１２０側の配向膜１２２を形成する際に行われるラビング処理などの配向処理が、段差を起因とする引き摺りムラなどを生ずることなく比較的均一に行えることから、当該配向ムラを起因とする表示ムラを抑制することができる。
更に、本実施の形態３の液晶表示装置では、色材パターン１２４Ｂを構成し、ソース配線１１８の延在方向に沿って設けられるソース延在色材パターン１２４Ｂｓが、孤立パターンよりなることから、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇを構成するソース配線１１８の延在方向に沿って配列される各孤立パターンと、色材パターン１２４Ｂのソース延在色材パターン１２４Ｂｓを構成するソース配線１１８の延在方向に沿って配列される各孤立パターンとが同様の平面配置を有していることになる。つまり、ＣＦ基板１２０の表示領域１００の全域において、色材パターン１２４Ｒ〜１２４Ｂでの各色材パターン間で色の違い（透過色の違い）があるものの、表面凹凸形状が決まるパターン配置に関しては、３画素単位での繰り返しパターン配置ではなく、１画素単位（或いは、３色が繰り返す色列単位）での繰り返しパターン配置となる。従って、ＣＦ基板１２０の表示領域１００の全域に渡って、色列ごとでの配向処理に違いが生じず、配向処理を均一化することができ、より高いレベルで配向ムラを起因とする表示ムラを抑制することができる。その結果、表示領域１００内における表示に統一感が得られることになる。
以上説明を行なった実施の形態１〜実施の形態３およびその変形例或いは変形を示唆した構成を有した液晶表示装置は、特に、自動車などの乗り物のフロントガラスに液晶パネルを介した映像を投影するヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置に組み合わせることが望ましい。つまり、当該ヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置では、高輝度タイプのバックライトユニットが用いられることから、本願発明のＴＦＴへ光が入射されることを効果的に抑えた構成が好適に機能し、ヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置において、より顕著となるＴＦＴへ光が入射されることに伴う、表示品位の低下を改善することが可能となる。
なお、本発明は上記説明を行った実施の形態１〜実施の形態３およびその変形例或いは変形を示唆した構成に限られたものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、一部構成について適宜公知の構成に変更することが可能である。また、上記説明を行った実施の形態１〜実施の形態３およびその変形例或いは変形を示唆したそれぞれの構成は、矛盾を生じない範囲で互いに組み合わせて適用することができ、それぞれの構成により生ずるそれぞれの効果や複合効果を得ることができる。
１０ 液晶パネル、１００ 表示領域、１０１ 額縁領域、
１１０ アレイ基板、１２０ ＣＦ基板、
１１１，１２１ ガラス基板、１１２，１２２ 配向膜、
１１３ 画素電極、１１４ ＴＦＴ、１１４ｃ 半導体層、
１１４ｏｘ ＴＦＴ(酸化物半導体ＴＦＴ)、１１４ｃｏｘ 酸化物半導体層、
１１４ｓ ソース電極、１１４ｄ ドレイン電極、１１４ｇ ゲート電極、
１１５ 絶縁膜、１１６ 端子、１１７ ゲート配線、１１８ ソース配線、
１１９ 共通配線、１１９ｂ 共通配線枝部、１２３ 共通電極、
１２４Ｒ, １２４Ｇ, １２４Ｂ 色材パターン、
１２４Ｂｇ，１２４Ｇｇ，１２４Ｒｇ ゲート延在色材パターン、
１２４Ｂｓ，１２４Ｇｓ ソース延在色材パターン、
１２５ ブラックマトリクス（ＢＭ）、１２５ＧＴ ゲート側遮光パターン、
１３０ 液晶層、１３１、１３２ 偏光板、１３３ シールパターン、
１３４ｍ，１３４ｓ，１３４ｓｓ 柱状スペーサ、
１３５ 制御基板、１３６ ＦＦＣ。

Claims (13)

  1. 画像を表示する表示領域を備え、前記表示領域内において互いに交差して設けられるゲート配線およびソース配線、当該ゲート配線上に重なって配置される半導体層を能動層とする薄膜トランジスタ、並びに前記薄膜トランジスタに接続される画素電極がそれぞれ複数配列して設けられるアレイ基板と、前記アレイ基板と液晶層を介して対向配置され、前記複数配列して設けられる画素電極間の領域に重なる遮光パターンよりなるブラックマトリクスおよび３色の色材パターンからなるカラーフィルタを備えたカラーフィルタ基板とを備え、
    前記ブラックマトリクスは、前記ゲート配線の形成領域に重なるゲート側遮光パターンを備え、前記３色の色材パターンは、当該３色のうち１色よりなる特定色の色材パターンにおいて、前記ゲート側遮光パターンの表面を覆って延在して設けられる連続パターンよりなるゲート延在色材パターンを備えることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記半導体層は、非単結晶シリコン膜よりなり、前記特定色が青色であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 前記半導体層は、酸化物半導体膜よりなり、前記特定色が緑色および赤色の何れか一方であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  4. 前記特定色の色材パターンが、前記ゲート延在色材パターンと前記ソース配線の延在方向に沿って少なくとも前記画素電極と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターンとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の液晶表示装置。
  5. 前記３色のうち、前記特定色以外の１色の色材パターンについても、前記格子状の連続パターンよりなり、
    前記ゲート側遮光パターンの表面を覆って、前記特定色の色材パターンと当該特定色以外の１色の色材パターンとからなる積層膜が設けられることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
  6. 前記３色全ての色材パターンは、前記格子状の連続パターンよりなり、
    前記ゲート側遮光パターンの表面を覆って、前記３色のそれぞれの色材パターンよりなる併せて３層の積層膜が設けられることを特徴とする請求項４或いは請求項５に記載の液晶表示装置。
  7. 前記３色の色材パターンのうち、前記特定色以外の１色の色材パターンにおいて前記格子状の連続パターンを備えておらず、当該格子状の連続パターンを備えていない前記色材パターンは、前記ソース配線の延在方向に沿って少なくとも前記画素電極と重なって設けられるストライプ状のソース延在色材パターンよりなり、前記格子状の連続パターンよりなる色材パターンと交差して設けられ、その交差部分において、前記ゲート側遮光パターンの表面を覆って、前記ストライプ状の色材パターンと前記格子状の連続パターンよりなる色材パターンの積層膜が設けられることを特徴とする請求項４或いは請求項５に記載の液晶表示装置。
  8. アレイ基板とカラーフィルタ基板間に設けられ基板間距離を所定範囲に保持する柱状スペーサを備え、
    前記柱状スペーサは、前記ストライプ状の色材パターンと前記格子状の連続パターンよりなる色材パターンの交差部分に設けられる第１の柱状スペーサと、前記格子状の連続パターンよりなる色材パターンにおける格子点部分に設けられる第２の柱状スペーサと、を備え、
    前記第１の柱状スペーサと前記第２の柱状スペーサとは、同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成され、第１の柱状スペーサの高さが第２の柱状スペーサの高さと比べて高く設けられることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
  9. 前記３色の色材パターンのうち、前記特定色の色材パターンのみが、前記ゲート延在色材パターンを備え、
    前記特定色以外の２色の前記色材パターンは、それぞれ、少なくとも前記画素電極と重なって設けられるとともに、前記ゲート延在色材パターンと重なることなく、前記ゲート側遮光パターン上において互いに分離し、更に、前記ソース配線の延在方向に沿って配列して設けられる複数の孤立パターンよりなるソース延在色材パターンを備え、
    前記特定色の色材パターンは、前記ゲート延在色材パターンに加えて、少なくとも前記画素電極と重なって設けられるとともに、前記２色の色材パターンと重なることなく、前記ソース配線の延在方向に沿って設けられるソース延在色材パターンを備えることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の液晶表示装置。
  10. 前記特定色の色材パターンにおける前記ソース延在色材パターンは、前記ゲート延在色材パターンと重なることなく、前記ゲート側遮光パターン上において互いに分離し、更に、前記ソース配線の延在方向に沿って配列して設けられる複数の孤立パターンよりなることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
  11. 前記特定色の色材パターンにおける前記ソース延在色材パターンは、前記ソース配線の延在方向に沿って少なくとも前記画素電極と重なって設けられる連続パターンよりなり、
    前記特定色の色材パターンは、前記ゲート延在色材パターンと前記ソース延在色材パターンとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
  12. 前記薄膜トランジスタは、前記半導体層の上部に互いに対向配置される１対の遮光パターンからなるソース電極およびドレイン電極を備え、前記ソース電極および前記ドレイン電極間に設けられる隙間の延在方向と前記ゲート配線の延在方向が一致することを特徴とする請求項１から請求項１１の何れか１項に記載の液晶表示装置。
  13. ２００００ｃｄ／ｍ２以上の最大輝度を有する高輝度タイプのバックライトユニットを備え、前記アレイ基板と、前記液晶層と、前記カラーフィルタ基板を備えた液晶パネルを介して、乗り物のフロントガラスに映像を投影するヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置であることを特徴とする請求項１から請求項１２の何れか１項に記載の液晶表示装置。
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