KR102128155B1 - Radiation sensitive composition and pattern forming method - Google Patents

Radiation sensitive composition and pattern forming method Download PDF

Info

Publication number
KR102128155B1
KR102128155B1 KR1020177034642A KR20177034642A KR102128155B1 KR 102128155 B1 KR102128155 B1 KR 102128155B1 KR 1020177034642 A KR1020177034642 A KR 1020177034642A KR 20177034642 A KR20177034642 A KR 20177034642A KR 102128155 B1 KR102128155 B1 KR 102128155B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituent
formula
sensitive composition
carbon atoms
Prior art date
Application number
KR1020177034642A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170136653A (en
Inventor
마사루 시다
데루히로 우에마츠
Original Assignee
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Publication of KR20170136653A publication Critical patent/KR20170136653A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102128155B1 publication Critical patent/KR102128155B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0048Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

감도, 보존 안정성, 도포성, 현상성, 및 안전성이 우수하고, 노광 및 현상에 의해, 이물의 발생이 억제된 패턴을 형성할 수 있는 감방사선성 조성물 및 그것을 사용한 패턴 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 관련된 감방사선성 조성물은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유한다. 식 중, R1 은, 수소 원자 또는 하이드록실기를 나타내고, R2 및 R3 은, 독립적으로 수소 원자 또는 C1 ∼ C3 의 알킬기를 나타내고, R4 및 R5 는, 독립적으로 C1 ∼ C3 의 알킬기를 나타낸다.

Figure 112017119436310-pat00082
Provided is a radiation-sensitive composition capable of forming a pattern in which sensitivity, storage stability, applicability, developability, and safety are excellent, and the generation of foreign matter is suppressed by exposure and development, and a method for manufacturing a pattern using the same.
The radiation-sensitive composition according to the present invention contains a compound represented by the following general formula (1). In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a hydroxyl group, R 2 and R 3 independently represent a hydrogen atom or a C 1 to C 3 alkyl group, and R 4 and R 5 independently represent C 1 to C 3 represents an alkyl group.
Figure 112017119436310-pat00082

Description

감방사선성 조성물 및 패턴 제조 방법{RADIATION SENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD}Radiation-sensitive composition and pattern manufacturing method {RADIATION SENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD}

본 발명은, 감방사선성 조성물 및 그것을 사용한 패턴 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation-sensitive composition and a method for producing a pattern using the same.

집적 회로, 컬러 필터, 액정 소자 등의 제조에 있어서는 미세 가공이 요구되지만, 이 요구를 만족시키기 위해서 종래부터 감방사선성 조성물이 이용되고 있다. 일반적으로 감방사선성 조성물에는 포지티브형과 네거티브형이 있고, 통상 어느 것도 용제에 용해되어 용액 상태로 사용된다.Microfabrication is required in the manufacture of integrated circuits, color filters, liquid crystal elements, and the like, but conventional radiation-sensitive compositions have been used to satisfy this demand. Generally, the radiation-sensitive composition has a positive type and a negative type, and usually either is dissolved in a solvent and used in solution.

감방사선성 조성물은, 실리콘 기판, 유리 기판 등의 기판 상에 스핀 코트, 롤러 코트, 슬릿 코트, 잉크젯 등의 공지된 도포법에 의해 도포된 후, 프리베이크되어 감방사선성 조성물막이 형성되고, 그 후 감방사선성 조성물의 감광 파장역에 따라, 자외선, 원자외선, X 선, 전자선 등의 입자선 등에 의해 노광되고, 현상된 후, 필요에 따라 드라이 에칭이 실시되어, 원하는 패턴이 형성된다.The radiation-sensitive composition is coated on a substrate such as a silicon substrate or a glass substrate by a known coating method such as spin coating, roller coating, slit coating, ink jet, and then prebaked to form a radiation-sensitive composition film. After the exposure to the photosensitive wavelength range of the radiation-sensitive composition, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, electron beams, etc. are exposed to particle beams, etc., and after development, dry etching is performed as necessary to form a desired pattern.

감방사선성 조성물에 사용되는 용매로는, 종래부터 여러 가지 것이 이용되고 있고, 용해성, 도포성, 감도, 현상성, 형성되는 패턴 특성 등을 고려해 선택, 사용되고 있다. 예를 들어, 용해성, 도포성, 감방사선성 조성물막 형성 특성 등의 제 특성이 우수한 용제로서 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트가 알려져 있지만, 최근 인체에 대한 안전성의 문제가 지적되고 있어, 안전성이 높고 또한 수지 용해성, 개시제 용해성이 우수하고, 감방사선성 조성물막 형성 특성 등의 성능이 개선된 용매가 요구되고 있다.As a solvent used for the radiation-sensitive composition, various materials have been conventionally used, and are selected and used in consideration of solubility, coatability, sensitivity, developability, and pattern characteristics to be formed. For example, ethylene glycol monoethyl ether acetate is known as a solvent having excellent properties such as solubility, coating properties, and radiation-sensitive composition film-forming properties, but safety issues with respect to the human body have recently been pointed out, and safety is high. There is a demand for a solvent having excellent resin solubility and initiator solubility, and improved performance such as radiation-sensitive composition film-forming properties.

이들의 해결책으로서, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 대신에 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등이 제안되어 있다 (예를 들어 특허문헌 1).As a solution to these, propylene glycol monomethyl ether acetate or the like has been proposed as a solvent instead of ethylene glycol monoethyl ether acetate (for example, Patent Document 1).

일본 특허공보 평3-1659호Japanese Patent Publication No. Hei 3-1659

그러나, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트에 비해 안전성이 높다고 여겨지고 있는 이들 용제를 사용한 종래의 감방사선성 조성물에는, 감도, 보존 안정성, 도포성, 혹은 현상성이 충분하지 않거나, 또는 이와 같은 감방사선성 조성물을 노광 및 현상해 얻어지는 패턴에는 이물이 발생하기 쉽다는 문제가 있다.However, conventional radiation-sensitive compositions using these solvents, which are considered to have higher safety than ethylene glycol monoethyl ether acetate, have insufficient sensitivity, storage stability, applicability, or developability, or such radiation-sensitive compositions. There is a problem that foreign matter is easily generated in the pattern obtained by exposing and developing.

본 발명은, 이상과 같은 상황을 감안하여 이루어진 것이고, 감도, 보존 안정성, 도포성, 현상성, 및 안전성이 우수하고, 노광 및 현상에 의해, 이물의 발생이 억제된 패턴을 형성할 수 있는 감방사선성 조성물 및 그것을 사용한 패턴 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and has excellent sensitivity, storage stability, applicability, developability, and safety, and is capable of forming a pattern in which the occurrence of foreign matter is suppressed by exposure and development. It is an object to provide a radioactive composition and a method for producing a pattern using the same.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 특정 유기 용제를 사용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 본 발명은 이하의 것을 제공한다.As a result of repeated studies of the inventors to solve the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by using a specific organic solvent and have completed the present invention. Specifically, the present invention provides the following.

본 발명의 제 1 양태는, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 감방사선성 조성물이다.The 1st aspect of this invention is a radiation sensitive composition containing the compound represented by the following general formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017119436310-pat00001
Figure 112017119436310-pat00001

(식 중, R1 은, 수소 원자 또는 하이드록실기를 나타내고, R2 및 R3 은, 독립적으로 수소 원자 또는 C1 ∼ C3 의 알킬기를 나타내고, R4 및 R5 는, 독립적으로 C1 ∼ C3 의 알킬기를 나타낸다.)(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a hydroxyl group, R 2 and R 3 independently represent a hydrogen atom or a C 1 to C 3 alkyl group, and R 4 and R 5 independently represent C 1 -Represents a C 3 alkyl group.)

본 발명의 제 2 양태는, 상기 감방사선성 조성물로 이루어지는 감방사선성 조성물막을 기판 상에 형성하는 감방사선성 조성물막 형성 공정과, 상기 감방사선성 조성물막을 위치 선택적으로 노광하는 노광 공정과, 노광된 상기 감방사선성 조성물막을 현상하는 현상 공정을 포함하는 패턴 제조 방법이다.In a second aspect of the present invention, a radiation-sensitive composition film forming step of forming a radiation-sensitive composition film made of the radiation-sensitive composition on a substrate, an exposure process of positionally exposing the radiation-sensitive composition film, and exposure It is a pattern production method comprising a developing step of developing the radiation-sensitive composition film.

본 발명에 의하면, 감도, 보존 안정성, 도포성, 현상성, 및 안전성이 우수하고, 노광 및 현상에 의해, 이물의 발생이 억제된 패턴을 형성할 수 있는 감방사선성 조성물 및 그것을 사용한 패턴 제조 방법을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is excellent in sensitivity, storage stability, coatability, developability, and safety, and the radiation-sensitive composition which can form the pattern by which the generation|occurrence|production of the foreign material was suppressed by exposure and development, and the pattern manufacturing method using the same Can provide

≪감방사선성 조성물≫≪Sensitive radiation composition≫

본 발명에 관련된 감방사선성 조성물은, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 적어도 함유한다. 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 본 발명에 관련된 감방사선성 조성물에 있어서, 용제로서 사용된다. 본 발명에 관련된 감방사선성 조성물은, 용제로서 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물만을 함유해도 되고, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물 이외의 유기 용제 (이하, 「기타 유기 용제」라고도 한다.) 를 추가로 함유해도 된다. 즉, 본 발명에 관련된 감방사선성 조성물은, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 용제의 적어도 1 종으로서 함유한다. 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 본 발명에 관련된 감방사선성 조성물에 있어서, 단독으로 또는 기타 유기 용제와의 혼합 용제의 형태로, 용제 이외의 성분 (이하, 「기재 성분」이라고 한다.) 을 용해 및/또는 분산시키는 용제로서 사용된다. 본 발명에 관련된 감방사선성 조성물은, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하므로, 감도, 보존 안정성, 도포성, 현상성, 및 안전성이 우수하고, 노광 및 현상에 의해 이물의 발생이 억제된 패턴을 형성할 수 있다. 본 발명에 관련된 감방사선성 조성물은, 예를 들어 블랙 매트릭스, 컬러 필터, 블랙 포토 스페이서, 집적 회로, 액정 소자 등의 제조에 바람직하게 사용할 수 있다.The radiation-sensitive composition according to the present invention contains at least a compound represented by the general formula (1). The compound represented by the general formula (1) is used as a solvent in the radiation-sensitive composition according to the present invention. The radiation-sensitive composition according to the present invention may contain only the compound represented by the above general formula (1) as a solvent, and is also referred to as an organic solvent other than the compound represented by the above general formula (1) (hereinafter referred to as "other organic solvent"). ) May be further included. That is, the radiation-sensitive composition according to the present invention contains the compound represented by the general formula (1) as at least one solvent. The compound represented by the general formula (1), in the radiation-sensitive composition according to the present invention, alone or in the form of a mixed solvent with other organic solvents, components other than the solvent (hereinafter referred to as "base component"). ) As a solvent to dissolve and/or disperse. Since the radiation-sensitive composition according to the present invention contains the compound represented by the general formula (1), sensitivity, storage stability, coatability, developability, and safety are excellent, and generation of foreign matter is suppressed by exposure and development. Pattern can be formed. The radiation-sensitive composition according to the present invention can be suitably used, for example, in the production of black matrices, color filters, black photo spacers, integrated circuits, liquid crystal devices, and the like.

[일반식 (1) 로 나타내는 화합물][Compound represented by general formula (1)]

상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 감방사선성 조성물에 포함되는 기재 성분을 양호하게 용해 및/또는 분산시킬 수 있는 용제이고, 널리 감방사선성 조성물 일반에 있어서 사용할 수 있다. 그 중에서도, 감방사선성 조성물이 옥심계 광 중합 개시제를 포함하는 경우, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 옥심계 광 중합 개시제의 용해성이 양호하다. 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The compound represented by the above general formula (1) is a solvent capable of satisfactorily dissolving and/or dispersing the base component contained in the radiation-sensitive composition, and can be widely used in general radiation-sensitive compositions. Especially, when a radiation sensitive composition contains an oxime type photoinitiator, the compound represented by said general formula (1) has favorable solubility of an oxime type photoinitiator. The compounds represented by the general formula (1) can be used alone or in combination of two or more.

상기 일반식 (1) 에 있어서, R2 또는 R3 에 의해 나타내는 C1 ∼ C3 의 알킬기, 및 R4 또는 R5 에 의해 나타내는 C1 ∼ C3 의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기를 들 수 있다.In the in the general formula (1), the alkyl group of R 2 or R 3 C alkyl group of 1 ~ C 3 shown by a, and R 4, or C 1 ~ C 3 represented by R 5 is a methyl group, an ethyl group, a propyl group And isopropyl groups.

R2, R3, R4, 및 R5 는, 독립적으로 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.It is preferable that R 2 , R 3 , R 4 , and R 5 are independently a methyl group or an ethyl group.

상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, 하기 각 식으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a specific example of the compound represented by the said general formula (1), the compound represented by each following formula is mentioned.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017119436310-pat00002
Figure 112017119436310-pat00002

상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물 중, 바람직한 구체예로는, 실시예로 사용되는 화합물 1 ∼ 4 를 들 수 있고, 화합물 1, 즉 하기 식 (E1) 로 나타내는 화합물이 특히 바람직하다. 하기 식 (E1) 로 나타내는 화합물은, 고염려 물질 (SVHC) 로 지정되어 있지 않고, 독성이 낮은 화합물이기 때문에, 안전성이 특히 높다.Among the compounds represented by the general formula (1), preferred examples include compounds 1 to 4 used in the examples, and compounds 1, that is, compounds represented by the following formula (E1) are particularly preferred. Since the compound represented by the following formula (E1) is not designated as a high concern substance (SVHC) and is a low toxicity compound, safety is particularly high.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112017119436310-pat00003
Figure 112017119436310-pat00003

본 발명에 관련된 감방사선성 조성물에 있어서, 용제의 함유량은, 상기 감방사선성 조성물의 고형분 농도가 1 ∼ 50 질량% 가 되는 양이 바람직하고, 5 ∼ 30 질량% 가 되는 양이 보다 바람직하다. 또, 본 발명에 관련된 감방사선성 조성물에 포함되는 용제에 있어서, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 기타 유기 용제의 질량비는, 5 : 95 ∼ 100 : 0 인 것이 바람직하고, 20 : 80 ∼ 100 : 0 인 것이 보다 바람직하다. 용제의 함유량 및 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 기타 유기 용제의 질량비를 상기 범위로 함으로써, 얻어지는 감방사선성 조성물은, 감도, 보존 안정성, 도포성, 현상성, 및 안전성이 우수한 것이 되기 쉽고, 이 감방사선성 조성물을 노광 및 현상함으로써 형성되는 패턴은, 이물의 발생이 억제된 것이 되기 쉽다. 또한, 기타 유기 용제에 대해서는 후술한다.In the radiation-sensitive composition according to the present invention, the amount of the solvent is preferably an amount such that the solid content concentration of the radiation-sensitive composition is 1 to 50% by mass, and more preferably 5 to 30% by mass. Moreover, in the solvent contained in the radiation sensitive composition which concerns on this invention, it is preferable that the mass ratio of the compound represented by said general formula (1) and other organic solvents is 5:95-100:0, and it is 20:80- It is more preferable that it is 100:0. When the content of the solvent and the mass ratio of the compound represented by the general formula (1) and other organic solvents are within the above range, the resulting radiation-sensitive composition tends to be excellent in sensitivity, storage stability, coatability, developability, and safety. , The pattern formed by exposing and developing the radiation-sensitive composition is likely to be suppressed from the occurrence of foreign matter. Note that other organic solvents will be described later.

<감방사선성 조성물의 예><Example of radiation-sensitive composition>

본 발명에 관련된 감방사선성 조성물은, 네거티브형 및 포지티브형의 어느 것이어도 된다. 네거티브형 감방사선성 조성물로는, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 알칼리 가용성 수지를 함유하는 네거티브형 감방사선성 조성물 ; 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 폴리아믹산과, 광염기 발생제, 광산 발생제 등의 감광성 성분을 함유하는 감방사선성 폴리이미드 전구체 조성물 ; 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 폴리벤조옥사졸 전구체와, 광염기 발생제, 광산 발생제 등의 감광성 성분을 함유하는 감방사선성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물 ; 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 감방사선성 SOG (스핀 온 글래스) 조성물 등을 들 수 있다. 포지티브형 감방사선성 조성물로는, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 알칼리 가용성 수지와, 퀴논디아지드기 함유 화합물을 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물 ; 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 폴리이미드 수지와, 광염기 발생제, 광산 발생제 등의 감광성 성분을 함유하는 감방사선성 폴리이미드 조성물 ; 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지와, 광산 발생제를 함유하는 화학 증폭형 포지티브형 감방사선성 조성물 등을 들 수 있다. 이하, 이들 감방사선성 조성물 중, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 알칼리 가용성 수지를 함유하는 네거티브형 감방사선성 조성물 (이하, 「네거티브형 감방사선성 조성물 1」이라고 한다.), 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 폴리아믹산과, 광염기 발생제, 광산 발생제 등의 감광성 성분을 함유하는 감방사선성 폴리이미드 전구체 조성물 (이하, 「네거티브형 감방사선성 조성물 2」라고 한다.), 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 폴리벤조옥사졸 전구체와, 광염기 발생제, 광산 발생제 등의 감광성 성분을 함유하는 감방사선성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물 (이하, 「네거티브형 감방사선성 조성물 3」이라고 한다.), 및 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 알칼리 가용성 수지와, 퀴논디아지드기 함유 화합물을 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물 (이하, 「포지티브형 감방사선성 조성물 1」이라고 한다.) 에 대해 상세하게 설명한다.The radiation-sensitive composition according to the present invention may be either a negative type or a positive type. As a negative radiation sensitive composition, the negative radiation sensitive composition containing the compound represented by said general formula (1) and alkali-soluble resin; A radiation-sensitive polyimide precursor composition containing a compound represented by the general formula (1), a polyamic acid, and photosensitive components such as a photobase generator and a photoacid generator; Radiation-sensitive polybenzoxazole precursor composition containing the compound represented by the said general formula (1), a polybenzoxazole precursor, and photosensitive components, such as a photobase generator and a photoacid generator; And a radiation-sensitive SOG (spin-on-glass) composition containing the compound represented by the general formula (1). As a positive radiation sensitive composition, the positive radiation sensitive composition containing the compound represented by said general formula (1), alkali-soluble resin, and a quinonediazide group containing compound; Radiation-sensitive polyimide composition containing the compound represented by said general formula (1), a polyimide resin, and photosensitive components, such as a photobase generator and a photoacid generator; And a chemically amplified positive radiation-sensitive composition containing a compound represented by the general formula (1), a resin whose solubility in alkali increases by the action of an acid, and a photoacid generator. Hereinafter, among these radiation-sensitive compositions, the negative radiation-sensitive composition containing the compound represented by the general formula (1) and an alkali-soluble resin (hereinafter referred to as "negative radiation-sensitive composition 1"), the A radiation-sensitive polyimide precursor composition (hereinafter referred to as "negative radiation-sensitive composition 2") containing a compound represented by the general formula (1), a polyamic acid, and photosensitive components such as a photobase generator and a photoacid generator. .), a radiation-sensitive polybenzoxazole precursor composition containing a compound represented by the general formula (1), a polybenzoxazole precursor, and photosensitive components such as a photobase generator and a photoacid generator (hereinafter referred to as "negative". Type radiation-sensitive composition 3”), and a positive-type radiation-sensitive composition containing a compound represented by the general formula (1), an alkali-soluble resin, and a quinonediazide group-containing compound (hereinafter referred to as “positive type”). Radiation-sensitive composition 1”) will be described in detail.

<네거티브형 감방사선성 조성물 1><Negative radiation sensitive composition 1>

네거티브형 감방사선성 조성물 1 은, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 알칼리 가용성 수지를 함유하는 것이고, 보다 구체적으로는, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 알칼리 가용성 수지와, 광 중합성 모노머와, 광 중합 개시제를 함유하는 것이다.The negative radiation sensitive composition 1 contains the compound represented by the general formula (1) and an alkali-soluble resin, and more specifically, the compound represented by the general formula (1), the alkali-soluble resin, and light. It contains a polymerizable monomer and a photopolymerization initiator.

[일반식 (1) 로 나타내는 화합물][Compound represented by general formula (1)]

일반식 (1) 로 나타내는 화합물로는, 감방사선성 조성물의 일반적인 설명에 있어서 예시한 것을 사용할 수 있다. 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.As the compound represented by the general formula (1), those exemplified in the general description of the radiation-sensitive composition can be used. The compounds represented by the general formula (1) can be used alone or in combination of two or more.

[알칼리 가용성 수지][Alkali-soluble resin]

알칼리 가용성 수지란, 수지 농도 20 질량% 의 수지 용액 (용매 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) 에 의해, 막두께 1 ㎛ 의 수지막을 기판 상에 형성하고, 농도 0.05 질량% 의 KOH 수용액에 1 분간 침지했을 때에, 막두께 0.01 ㎛ 이상 용해하는 것을 말한다.The alkali-soluble resin is a resin solution having a resin concentration of 20 mass% (solvent: propylene glycol monomethyl ether acetate), and a resin film having a film thickness of 1 µm is formed on a substrate, and immersed in a KOH aqueous solution having a concentration of 0.05 mass% for 1 minute. When it does, it means that it melt|dissolves more than 0.01 micrometer in film thickness.

알칼리 가용성 수지로는, 상기 서술한 알칼리 가용성을 나타내는 수지이면 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 알칼리 가용성 수지를 사용할 수 있다. 알칼리 가용성 수지는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The alkali-soluble resin is not particularly limited as long as it is a resin exhibiting the alkali-soluble properties described above, and conventionally known alkali-soluble resins can be used. Alkali-soluble resin can be used individually or in combination of 2 or more types.

바람직한 알칼리 가용성 수지의 일례로는, (A1) 카르도 구조를 갖는 수지를 들 수 있다. (A1) 카르도 구조를 갖는 수지로는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 종래 공지된 수지를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 하기 식 (a-1) 로 나타내는 수지가 바람직하다.As an example of a preferable alkali-soluble resin, (A1) resin which has a cardo structure is mentioned. (A1) The resin having a cardo structure is not particularly limited, and a conventionally known resin can be used. Especially, resin represented by following formula (a-1) is preferable.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112017119436310-pat00004
Figure 112017119436310-pat00004

상기 식 (a-1) 중, Xa 는, 하기 식 (a-2) 로 나타내는 기를 나타낸다.In the formula (a-1), X a represents a group represented by the following formula (a-2).

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112017119436310-pat00005
Figure 112017119436310-pat00005

상기 식 (a-2) 중, Ra1 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 탄화수소기, 또는 할로겐 원자를 나타내고, Ra2 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Wa 는, 단결합 또는 하기 식 (a-3) 으로 나타내는 기를 나타낸다.In the formula (a-2), R a1 each independently represents a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, or a halogen atom, R a2 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and W a , Represents a single bond or a group represented by the following formula (a-3).

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112017119436310-pat00006
Figure 112017119436310-pat00006

또, 상기 식 (a-1) 중, Ya 는, 디카르복실산 무수물로부터 산 무수물기 (-CO-O-CO-) 를 제거한 잔기를 나타낸다. 디카르복실산 무수물의 예로는, 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 무수 테트라하이드로프탈산, 무수 헥사하이드로프탈산, 무수 메틸엔도메틸렌테트라하이드로프탈산, 무수 클로렌드산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 무수 글루타르산 등을 들 수 있다.Moreover, in said Formula (a-1), Y a represents the residue which removed the acid anhydride group (-CO-O-CO-) from dicarboxylic anhydride. Examples of dicarboxylic acid anhydrides are maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylendomethylene anhydride tetrahydrophthalic anhydride, chlorendic anhydride, methyltetrahydro anhydride Phthalic acid, glutaric anhydride, and the like.

또, 상기 식 (a-1) 중, Za 는, 테트라카르복실산 2 무수물로부터 2 개의 산 무수물기를 제거한 잔기를 나타낸다. 테트라카르복실산 2 무수물의 예로는, 피로멜리트산 2 무수물, 벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 비페닐에테르테트라카르복실산 2 무수물 등을 들 수 있다.In addition, in the formula (a-1), Z a represents a residue obtained by removing two acid anhydride groups from tetracarboxylic dianhydride. Examples of the tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, biphenylethertetracarboxylic dianhydride, and the like.

또, 상기 식 (a-1) 중, m 은, 0 ∼ 20 의 정수를 나타낸다.Moreover, in said Formula (a-1), m represents the integer of 0-20.

(A1) 카르도 구조를 갖는 수지의 질량 평균 분자량은, 1000 ∼ 40000 인 것이 바람직하고, 2000 ∼ 30000 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 양호한 현상성을 얻으면서, 충분한 내열성, 막강도를 얻을 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 질량 평균 분자량이란, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해 측정된 폴리스티렌 환산에 의한 값을 말한다.(A1) The mass average molecular weight of the resin having a cardo structure is preferably 1000 to 40000, and more preferably 2000 to 30000. By setting it as the said range, sufficient heat resistance and film strength can be obtained while obtaining favorable developability. In addition, in this specification, a mass average molecular weight means the value by polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography (GPC).

또, 바람직한 알칼리 가용성 수지의 다른 예로는, (A2) 에폭시 수지를 들 수 있다. (A2) 에폭시 수지로는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 종래 공지된 에폭시 수지를 사용할 수 있고, 에틸렌성 불포화기를 갖지 않는 것이어도 되고, 에틸렌성 불포화기를 갖는 것이어도 된다.Moreover, (A2) epoxy resin is mentioned as another example of a preferable alkali-soluble resin. (A2) It does not specifically limit as an epoxy resin, A conventionally well-known epoxy resin can be used, and it does not have an ethylenically unsaturated group, and may have an ethylenically unsaturated group.

에틸렌성 불포화기를 갖지 않는 에폭시 수지로는, 예를 들어 불포화 카르복실산과 에폭시기 함유 불포화 화합물을 적어도 공중합시켜 얻어지는 수지 (A2-1) 을 사용할 수 있다.As an epoxy resin which does not have an ethylenically unsaturated group, for example, a resin (A2-1) obtained by at least copolymerizing an unsaturated carboxylic acid and an epoxy group-containing unsaturated compound can be used.

불포화 카르복실산으로는, (메트)아크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복실산 ; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산 ; 이들 디카르복실산의 무수물 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 공중합 반응성, 얻어지는 수지의 알칼리 용해성, 입수의 용이성 등의 점에서, (메트)아크릴산 및 무수 말레산이 바람직하다. 이들 불포화 카르복실산은, 단독 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acid include monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, and itaconic acid; Anhydrides of these dicarboxylic acids; And the like. Among these, (meth)acrylic acid and maleic anhydride are preferred from the viewpoint of copolymerization reactivity, alkali solubility of the resulting resin, and availability. These unsaturated carboxylic acids can be used alone or in combination of two or more.

또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴산」은, 아크릴산과 메타크릴산의 양방을 의미한다.In addition, in this specification, "(meth)acrylic acid" means both acrylic acid and methacrylic acid.

상기 수지 (A2-1) 에서 차지하는 불포화 카르복실산 유래의 구성 단위 (카르복실기를 갖는 구성 단위) 의 비율은, 5 ∼ 29 질량% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 25 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 현상성을 적당한 것으로 할 수 있다.The proportion of the structural unit (structural unit having a carboxyl group) derived from unsaturated carboxylic acid in the resin (A2-1) is preferably 5 to 29 mass%, more preferably 10 to 25 mass%. By setting it as the said range, the developability of the negative radiation sensitive composition 1 can be made suitable.

에폭시기 함유 불포화 화합물은, 지환식 에폭시기를 갖지 않는 것이어도 되고, 지환식 에폭시기를 갖는 것이어도 되지만, 지환식 에폭시기를 갖는 것이 보다 바람직하다.The epoxy group-containing unsaturated compound may or may not have an alicyclic epoxy group, or may have an alicyclic epoxy group, but more preferably has an alicyclic epoxy group.

지환식 에폭시기를 갖지 않는 에폭시기 함유 불포화 화합물로는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 2-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸(메트)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산에폭시알킬에스테르류 ; α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산6,7-에폭시헵틸 등의 α-알킬아크릴산에폭시알킬에스테르류 ; o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 글리시딜에테르류 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 공중합 반응성, 경화 후의 수지의 강도 등의 점에서, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 2-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메트)아크릴레이트, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, 및 p-비닐벤질글리시딜에테르가 바람직하다.As an epoxy group-containing unsaturated compound which does not have an alicyclic epoxy group, glycidyl (meth)acrylate, 2-methylglycidyl (meth)acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth)acrylate, 6,7- (Meth)acrylic acid epoxyalkyl esters such as epoxy heptyl (meth)acrylate and 3,4-epoxycyclohexyl (meth)acrylate; α-alkyl acrylic acid epoxyalkyl esters such as α-ethyl acrylate glycidyl, α-n-propyl acrylate glycidyl, α-n-butyl acrylate glycidyl, and α-ethyl acrylic acid 6,7-epoxyheptyl; glycidyl ethers such as o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, and p-vinyl benzyl glycidyl ether; And the like. Among these, glycidyl (meth)acrylate, 2-methylglycidyl (meth)acrylate, 6,7-epoxyheptyl (meth)acrylate, o in terms of copolymerization reactivity, strength of the resin after curing, etc., o -Vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, and p-vinyl benzyl glycidyl ether are preferred.

지환식 에폭시기를 갖는 에폭시기 함유 불포화 화합물의 지환식기는, 단고리여도 되고 다고리여도 된다. 단고리의 지환식기로는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 또, 다고리의 지환식기로는, 노르보르닐기, 이소보르닐기, 트리시클로노닐기, 트리시클로데실기, 테트라시클로도데실기 등을 들 수 있다.The alicyclic group of the epoxy group-containing unsaturated compound having an alicyclic epoxy group may be monocyclic or polycyclic. A cyclopentyl group, a cyclohexyl group, etc. are mentioned as a monocyclic alicyclic group. Moreover, as a polycyclic alicyclic group, a norbornyl group, isobornyl group, tricyclononyl group, tricyclodecyl group, tetracyclododecyl group, etc. are mentioned.

구체적으로, 지환식 에폭시기를 갖는 에폭시기 함유 불포화 화합물로는, 예를 들어 하기 식 (a4-1) ∼ (a4-16) 으로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 현상성을 적당한 것으로 하기 위해서는, 하기 식 (a4-1) ∼ (a4-6) 으로 나타내는 화합물이 바람직하고, 하기 식 (a4-1) ∼ (a4-4) 로 나타내는 화합물이 보다 바람직하다.Specifically, examples of the epoxy group-containing unsaturated compound having an alicyclic epoxy group include compounds represented by the following formulas (a4-1) to (a4-16). Among these, the compounds represented by the following formulas (a4-1) to (a4-6) are preferred, and the following formulas (a4-1) to (a4-) in order to make the developability of the negative radiation sensitive composition 1 suitable. The compound represented by 4) is more preferable.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112017119436310-pat00007
Figure 112017119436310-pat00007

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112017119436310-pat00008
Figure 112017119436310-pat00008

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112017119436310-pat00009
Figure 112017119436310-pat00009

상기 식 중, Ra3 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Ra4 는 탄소수 1 ∼ 6 의 2 가의 지방족 포화 탄화수소기를 나타내고, Ra5 는 탄소수 1 ∼ 10 의 2 가의 탄화수소기를 나타내고, n 은 0 ∼ 10 의 정수를 나타낸다. Ra4 로는, 직사슬형 또는 분지사슬형의 알킬렌기, 예를 들어 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 에틸에틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기가 바람직하다. Ra5 로는, 예를 들어 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 에틸에틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 페닐렌기, 시클로헥실렌기, -CH2-Ph-CH2- (Ph 는 페닐렌기를 나타낸다) 가 바람직하다.In the above formula, R a3 represents a hydrogen atom or a methyl group, R a4 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, R a5 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, n is 0 to 10 Represents an integer. As R a4 , a linear or branched alkylene group is preferable, for example, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a tetramethylene group, an ethylethylene group, a pentamethylene group, or a hexamethylene group. As R a5 , for example, methylene group, ethylene group, propylene group, tetramethylene group, ethylethylene group, pentamethylene group, hexamethylene group, phenylene group, cyclohexylene group, -CH 2 -Ph-CH 2- ( Ph represents a phenylene group) is preferred.

이들 에폭시기 함유 불포화 화합물은, 단독 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.These epoxy group-containing unsaturated compounds can be used alone or in combination of two or more.

상기 수지 (A2-1) 에서 차지하는 에폭시기 함유 불포화 화합물 유래의 구성 단위 (에폭시기를 갖는 구성 단위) 의 비율은, 5 ∼ 90 질량% 인 것이 바람직하고, 15 ∼ 75 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 양호한 형상의 패턴을 형성하기 쉬워진다.The proportion of the structural unit (a structural unit having an epoxy group) derived from the epoxy group-containing unsaturated compound in the resin (A2-1) is preferably 5 to 90 mass%, more preferably 15 to 75 mass%. By setting it as the said range, it becomes easy to form a pattern of favorable shape.

상기 수지 (A2-1) 은, 지환식기 함유 불포화 화합물을 추가로 공중합시킨 것이 바람직하다.It is preferable that the said resin (A2-1) copolymerized the alicyclic group containing unsaturated compound further.

지환식기 함유 불포화 화합물의 지환식기는, 단고리여도 되고 다고리여도 된다. 단고리의 지환식기로는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 또, 다고리의 지환식기로는, 아다만틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기, 트리시클로노닐기, 트리시클로데실기, 테트라시클로도데실기 등을 들 수 있다.The alicyclic group of the alicyclic group-containing unsaturated compound may be monocyclic or polycyclic. A cyclopentyl group, a cyclohexyl group, etc. are mentioned as a monocyclic alicyclic group. Further, examples of the polycyclic alicyclic group include an adamantyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, a tricyclononyl group, a tricyclodecyl group, and a tetracyclododecyl group.

구체적으로, 지환식기 함유 불포화 화합물로는, 예를 들어 하기 식 (a5-1) ∼ (a5-8) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 현상성을 적당한 것으로 하기 위해서는, 하기 식 (a5-3) ∼ (a5-8) 로 나타내는 화합물이 바람직하고, 하기 식 (a5-3), (a5-4) 로 나타내는 화합물이 보다 바람직하다.Specifically, examples of the alicyclic group-containing unsaturated compound include compounds represented by the following formulas (a5-1) to (a5-8). Among these, in order to make the developability of the negative radiation sensitive composition 1 suitable, compounds represented by the following formulas (a5-3) to (a5-8) are preferred, and the following formulas (a5-3) and (a5- The compound represented by 4) is more preferable.

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112017119436310-pat00010
Figure 112017119436310-pat00010

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112017119436310-pat00011
Figure 112017119436310-pat00011

상기 식 중, Ra6 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Ra7 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 2 가의 지방족 포화 탄화수소기를 나타내고, Ra8 은 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다. Ra7 로는, 단결합, 직사슬형 또는 분지사슬형의 알킬렌기, 예를 들어 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 에틸에틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기가 바람직하다. Ra8 로는, 예를 들어 메틸기, 에틸기가 바람직하다.In the above formula, R a6 represents a hydrogen atom or a methyl group, R a7 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R a8 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. As R a7 , a single bond, linear or branched alkylene group is preferable, for example, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a tetramethylene group, an ethylethylene group, a pentamethylene group, or a hexamethylene group. As R a8 , for example, a methyl group and an ethyl group are preferable.

상기 수지 (A2-1) 에서 차지하는 지환식기 함유 불포화 화합물 유래의 구성 단위의 비율은, 1 ∼ 40 질량% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 30 질량% 인 것이 보다 바람직하다.The proportion of the structural unit derived from the alicyclic group-containing unsaturated compound in the resin (A2-1) is preferably 1 to 40% by mass, more preferably 5 to 30% by mass.

또, 상기 수지 (A2-1) 은, 상기 이외의 다른 화합물을 추가로 공중합시킨 것이어도 된다. 이와 같은 다른 화합물로는, (메트)아크릴산에스테르류, (메트)아크릴아미드류, 알릴 화합물, 비닐에테르류, 비닐에스테르류, 스티렌류 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.Moreover, the said resin (A2-1) may further copolymerize other compounds than the above. Examples of such other compounds include (meth)acrylic acid esters, (meth)acrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, and styrenes. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

(메트)아크릴산에스테르류로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, t-옥틸(메트)아크릴레이트 등의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬(메트)아크릴레이트 ; 클로로에틸(메트)아크릴레이트, 2,2-디메틸하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판모노(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 푸르푸릴(메트)아크릴레이트 ; 등을 들 수 있다.Examples of the (meth)acrylic acid esters include straight chain types such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, amyl (meth)acrylate, and t-octyl (meth)acrylate. Or branched chain alkyl (meth)acrylate; Chloroethyl (meth)acrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, trimethylolpropane mono (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, Furfuryl (meth)acrylate; And the like.

(메트)아크릴아미드류로는, (메트)아크릴아미드, N-알킬(메트)아크릴아미드, N-아릴(메트)아크릴아미드, N,N-디알킬(메트)아크릴아미드, N,N-아릴(메트)아크릴아미드, N-메틸-N-페닐(메트)아크릴아미드, N-하이드록시에틸-N-메틸(메트)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of (meth)acrylamides include (meth)acrylamide, N-alkyl(meth)acrylamide, N-aryl(meth)acrylamide, N,N-dialkyl(meth)acrylamide, and N,N-aryl (Meth)acrylamide, N-methyl-N-phenyl (meth)acrylamide, N-hydroxyethyl-N-methyl (meth)acrylamide, and the like.

알릴 화합물로는, 아세트산알릴, 카프로산알릴, 카프릴산알릴, 라우르산알릴, 팔미트산알릴, 스테아르산알릴, 벤조산알릴, 아세토아세트산알릴, 락트산알릴 등의 알릴에스테르류 ; 알릴옥시에탄올 ; 등을 들 수 있다.Examples of the allyl compound include allyl esters such as allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, and allyl lactate; Allyloxyethanol; And the like.

비닐에테르류로는, 헥실비닐에테르, 옥틸비닐에테르, 데실비닐에테르, 에틸헥실비닐에테르, 메톡시에틸비닐에테르, 에톡시에틸비닐에테르, 클로르에틸비닐에테르, 1-메틸-2,2-디메틸프로필비닐에테르, 2-에틸부틸비닐에테르, 하이드록시에틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜비닐에테르, 디메틸아미노에틸비닐에테르, 디에틸아미노에틸비닐에테르, 부틸아미노에틸비닐에테르, 벤질비닐에테르, 테트라하이드로푸르푸릴비닐에테르 등의 알킬비닐에테르 ; 비닐페닐에테르, 비닐톨릴에테르, 비닐클로르페닐에테르, 비닐-2,4-디클로르페닐에테르, 비닐나프틸에테르, 비닐안트라닐에테르 등의 비닐아릴에테르 ; 등을 들 수 있다.As vinyl ethers, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethyl hexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chlorethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl Vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl Alkyl vinyl ethers such as ether; Vinyl aryl ethers such as vinyl phenyl ether, vinyl tolyl ether, vinyl chlorphenyl ether, vinyl-2,4-dichlorphenyl ether, vinyl naphthyl ether, and vinyl anthranyl ether; And the like.

비닐에스테르류로는, 비닐부틸레이트, 비닐이소부틸레이트, 비닐트리메틸아세테이트, 비닐디에틸아세테이트, 비닐발레레이트, 비닐카프로에이트, 비닐클로르아세테이트, 비닐디클로르아세테이트, 비닐메톡시아세테이트, 비닐부톡시아세테이트, 비닐페닐아세테이트, 비닐아세토아세테이트, 비닐락테이트, 비닐-β-페닐부틸레이트, 벤조산비닐, 살리실산비닐, 클로르벤조산비닐, 테트라클로르벤조산비닐, 나프토산비닐 등을 들 수 있다.Examples of vinyl esters include vinyl butylate, vinyl isobutylate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valerate, vinyl caproate, vinyl chlorate, vinyl dichlor acetate, vinyl methoxy acetate, and vinyl butoxy acetate. , Vinylphenyl acetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-phenylbutylate, vinyl benzoate, vinyl salicylate, vinyl chlorbenzoate, vinyl tetrachlorbenzoate, vinyl naphthoate, and the like.

스티렌류로는, 스티렌 ; 메틸스티렌, 디메틸스티렌, 트리메틸스티렌, 에틸스티렌, 디에틸스티렌, 이소프로필스티렌, 부틸스티렌, 헥실스티렌, 시클로헥실스티렌, 데실스티렌, 벤질스티렌, 클로르메틸스티렌, 트리플루오로메틸스티렌, 에톡시메틸스티렌, 아세톡시메틸스티렌 등의 알킬스티렌 ; 메톡시스티렌, 4-메톡시-3-메틸스티렌, 디메톡시스티렌 등의 알콕시스티렌 ; 클로로스티렌, 디클로로스티렌, 트리클로로스티렌, 테트라클로로스티렌, 펜타클로로스티렌, 브로모스티렌, 디브로모스티렌, 요오드스티렌, 플루오로스티렌, 트리플루오로스티렌, 2-브로모-4-트리플루오로메틸스티렌, 4-플루오로-3-트리플루오로메틸스티렌 등의 할로스티렌 ; 등을 들 수 있다.As styrenes, Styrene; Methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, diethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, hexylstyrene, cyclohexylstyrene, decylstyrene, benzylstyrene, chlormethylstyrene, trifluoromethylstyrene, ethoxymethylstyrene , Alkyl styrenes such as acetoxy methyl styrene; Alkoxystyrenes such as methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene and dimethoxystyrene; Chlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodinestyrene, fluorostyrene, trifluorostyrene, 2-bromo-4-trifluoromethyl Halostyrenes such as styrene and 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene; And the like.

수지 (A2-1) 의 질량 평균 분자량은, 2000 ∼ 50000 인 것이 바람직하고, 5000 ∼ 30000 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 막 형성능, 현상성의 밸런스를 잡기 쉬운 경향이 있다.The mass average molecular weight of the resin (A2-1) is preferably 2000 to 50,000, more preferably 5000 to 30,000. By setting it as the said range, there exists a tendency which is easy to balance the film-forming ability and developability of the negative radiation sensitive composition 1.

한편, 에틸렌성 불포화기를 갖는 에폭시 수지로는, 예를 들어 불포화 카르복실산과 에폭시기 함유 불포화 화합물을 적어도 중합시켜 얻어지는 수지의 카르복실기와, 에폭시기 함유 불포화 화합물의 에폭시기를 반응시켜 얻어지는 수지 (A2-2), 혹은 불포화 카르복실산과 에폭시기 함유 불포화 화합물을 적어도 중합시켜 얻어지는 수지의 에폭시기와, 불포화 카르복실산의 카르복실기를 반응시켜 얻어지는 수지 (A2-3) 을 사용할 수 있다.On the other hand, as an epoxy resin having an ethylenically unsaturated group, for example, a resin obtained by reacting an carboxyl group of a resin obtained by at least polymerizing an unsaturated carboxylic acid and an epoxy group-containing unsaturated compound, and an epoxy group of an epoxy group-containing unsaturated compound (A2-2), Alternatively, a resin (A2-3) obtained by reacting an epoxy group of a resin obtained by at least polymerizing an unsaturated carboxylic acid and an epoxy group-containing unsaturated compound and a carboxyl group of an unsaturated carboxylic acid can be used.

불포화 카르복실산, 에폭시기 함유 불포화 화합물로는, 상기 수지 (A2-1) 로 예시한 화합물을 들 수 있다. 따라서, 불포화 카르복실산과 에폭시기 함유 불포화 화합물을 적어도 중합시켜 얻어지는 수지로는, 상기 수지 (A2-1) 이 예시된다.As an unsaturated carboxylic acid and an epoxy group-containing unsaturated compound, the compound illustrated by the said resin (A2-1) is mentioned. Therefore, the resin (A2-1) is exemplified as a resin obtained by at least polymerizing an unsaturated carboxylic acid and an epoxy group-containing unsaturated compound.

상기 수지 (A2-2), (A2-3) 에서 차지하는 불포화 카르복실산 유래의 구성 단위 (카르복실기를 갖는 구성 단위) 의 비율은, 5 ∼ 60 질량% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 40 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 현상성을 적당한 것으로 할 수 있다.The proportion of the structural unit (structural unit having a carboxyl group) derived from the unsaturated carboxylic acid occupied by the resins (A2-2) and (A2-3) is preferably 5 to 60 mass%, and 10 to 40 mass% It is more preferable. By setting it as the said range, the developability of the negative radiation sensitive composition 1 can be made suitable.

또, 상기 수지 (A2-2), (A2-3) 에서 차지하는 에폭시기 함유 불포화 화합물 유래의 구성 단위 (에폭시기를 갖는 구성 단위) 의 비율은, 5 ∼ 90 질량% 인 것이 바람직하고, 15 ∼ 75 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 양호한 형상의 패턴을 형성하기 쉬워진다.Moreover, it is preferable that the ratio of the structural unit (constitutional unit which has an epoxy group) derived from the epoxy group-containing unsaturated compound which occupies the said resin (A2-2) and (A2-3) is 5 to 90 mass %, and it is 15 to 75 mass % Is more preferable. By setting it as the said range, it becomes easy to form a pattern of favorable shape.

수지 (A2-2), (A2-3) 의 질량 평균 분자량은, 2000 ∼ 50000 인 것이 바람직하고, 5000 ∼ 30000 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 막 형성능, 현상성의 밸런스를 잡기 쉬운 경향이 있다.The mass average molecular weights of the resins (A2-2) and (A2-3) are preferably from 2000 to 50000, more preferably from 5000 to 30000. By setting it as the said range, there exists a tendency which is easy to balance the film-forming ability and developability of the negative radiation sensitive composition 1.

상기 외, (A2) 에폭시 수지로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 페놀 또는 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 레졸형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 폴리카르복실산폴리글리시딜에스테르, 폴리올폴리글리시딜에스테르, 아민에폭시 수지, 디하이드록시벤젠형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지의 에폭시기와, (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 에폭시(메트)아크릴레이트 수지 등을 사용할 수도 있다.In addition to the above, (A2) epoxy resins, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol or cresol novolak type epoxy resin, resol type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, Epoxy (meth)acrylate obtained by reacting an epoxy group of an epoxy resin such as polycarboxylic acid polyglycidyl ester, polyol polyglycidyl ester, amine epoxy resin, dihydroxybenzene type epoxy resin, and (meth) acrylic acid Resin etc. can also be used.

알칼리 가용성 수지의 함유량은, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 고형분에 대해 5 ∼ 90 질량% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 85 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 막 형성능, 현상성의 밸런스를 잡기 쉬운 경향이 있다.It is preferable that content of alkali-soluble resin is 5 to 90 mass% with respect to the solid content of negative radiation sensitive composition 1, and it is more preferable that it is 10 to 85 mass %. By setting it as the said range, there exists a tendency which is easy to balance the film-forming ability and developability of the negative radiation sensitive composition 1.

[광 중합성 모노머][Photopolymerizable monomer]

광 중합성 모노머로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 단관능 모노머, 다관능 모노머를 사용할 수 있다. 광 중합성 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The photopolymerizable monomer is not particularly limited, and conventionally known monofunctional monomers and polyfunctional monomers can be used. Photopolymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more.

단관능 모노머로는, (메트)아크릴아미드, 메틸올(메트)아크릴아미드, 메톡시메틸(메트)아크릴아미드, 에톡시메틸(메트)아크릴아미드, 프로폭시메틸(메트)아크릴아미드, 부톡시메톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-하이드록시메틸(메트)아크릴아미드, (메트)아크릴산, 푸마르산, 말레산, 무수 말레산, 이타콘산, 무수 이타콘산, 시트라콘산, 무수 시트라콘산, 크로톤산, 2-아크릴 아미드-2-메틸프로판술폰산, tert-부틸아크릴아미드술폰산, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 2-페녹시-2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시-2-하이드록시프로필프탈레이트, 글리세린모노(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 2,2,2-트리플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메트)아크릴레이트, 프탈산 유도체의 하프(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 단관능 모노머는, 단독 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.As a monofunctional monomer, (meth)acrylamide, methylol (meth)acrylamide, methoxymethyl (meth)acrylamide, ethoxymethyl (meth)acrylamide, propoxymethyl (meth)acrylamide, butoxymethoxy Methoxymethyl (meth)acrylamide, N-methylol (meth)acrylamide, N-hydroxymethyl (meth)acrylamide, (meth)acrylic acid, fumaric acid, maleic acid, maleic anhydride, itaconic acid, itaconic anhydride, Citraconic acid, citraconic anhydride, crotonic acid, 2-acryl amide-2-methylpropanesulfonic acid, tert-butylacrylamidesulfonic acid, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate , 2-ethylhexyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylic Rate, 2-phenoxy-2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-(meth)acryloyloxy-2-hydroxypropylphthalate, glycerin mono(meth)acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) Acrylate, dimethylamino (meth)acrylate, glycidyl (meth)acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl (meth)acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) ) Acrylates, and half (meth)acrylates of phthalic acid derivatives. These monofunctional monomers can be used alone or in combination of two or more.

한편, 다관능 모노머로는, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 글리세린디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 2,2-비스(4-(메트)아크릴록시디에톡시페닐)프로판, 2,2-비스(4-(메트)아크릴록시폴리에톡시페닐)프로판, 2-하이드록시-3-(메트)아크릴로일옥시프로필(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르디(메트)아크릴레이트, 프탈산디글리시딜에스테르디(메트)아크릴레이트, 글리세린트리아크릴레이트, 글리세린폴리글리시딜에테르폴리(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 (즉, 톨릴렌디이소시아네이트), 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트와 헥사메틸렌디이소시아네이트와 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응물, 메틸렌비스(메트)아크릴아미드, (메트)아크릴아미드메틸렌에테르, 다가 알코올과 N-메틸올(메트)아크릴아미드의 축합물 등의 다관능 모노머나, 트리아크릴포르말 등을 들 수 있다. 이들 다관능 모노머는, 단독 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.On the other hand, as a polyfunctional monomer, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth)acrylate, butylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexane glycol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, glycerin Di(meth)acrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, pentaerythritol Tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 2,2-bis(4-(meth) Acryloxydiethoxyphenyl)propane, 2,2-bis(4-(meth)acryloxypolyethoxyphenyl)propane, 2-hydroxy-3-(meth)acryloyloxypropyl (meth)acrylate, ethylene Glycol diglycidyl ether di(meth)acrylate, diethylene glycol diglycidyl ether di(meth)acrylate, phthalic acid diglycidyl ester di(meth)acrylate, glycerin triacrylate, glycerin polyglycylate Dietherether (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate (i.e., tolylene diisocyanate), reactant of trimethylhexamethylene diisocyanate with hexamethylene diisocyanate and 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, methylenebis ( And polyfunctional monomers such as a meth)acrylamide, a (meth)acrylamide methylene ether, a condensate of a polyhydric alcohol and N-methylol (meth)acrylamide, and triacrylic formal. These polyfunctional monomers can be used alone or in combination of two or more.

광 중합성 모노머의 함유량은, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 고형분에 대해 1 ∼ 45 질량% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 40 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 감도, 현상성, 해상성의 밸런스를 잡기 쉬운 경향이 있다.The content of the photopolymerizable monomer is preferably 1 to 45% by mass, and more preferably 5 to 40% by mass with respect to the solid content of the negative radiation sensitive composition 1. By setting it as the said range, there exists a tendency which is easy to balance the sensitivity, developability, and resolution.

[광 중합 개시제][Photopolymerization initiator]

광 중합 개시제로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 광 중합 개시제를 사용할 수 있다. 광 중합 개시제는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.It does not specifically limit as a photoinitiator, A conventionally well-known photoinitiator can be used. The photoinitiators can be used alone or in combination of two or more.

광 중합 개시제로서 구체적으로는, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 비스(4-디메틸아미노페닐)케톤, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 4-벤조일-4'-메틸디메틸술파이드, 4-디메틸아미노벤조산, 4-디메틸아미노벤조산메틸, 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산부틸, 4-디메틸아미노-2-에틸헥실벤조산, 4-디메틸아미노-2-이소아밀벤조산, 벤질-β-메톡시에틸아세탈, 벤질디메틸케탈, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, o-벤조일벤조산메틸, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤, 티오크산텐, 2-클로로티오크산텐, 2,4-디에틸티오크산텐, 2-메틸티오크산텐, 2-이소프로필티오크산텐, 2-에틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥사이드, 쿠멘퍼옥사이드, 2-메르캅토벤조이미달, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 2 량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체, 벤조페논, 2-클로로벤조페논, 4,4'-비스디메틸아미노벤조페논 (즉, 미힐러케톤), 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논 (즉, 에틸미힐러케톤), 4,4'-디클로로벤조페논, 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논, 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인부틸에테르, 아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, p-디메틸아미노프로피오페논, 디클로로아세토페논, 트리클로로아세토페논, p-tert-부틸아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, p-tert-부틸트리클로로아세토페논, p-tert-부틸디클로로아세토페논, α,α-디클로로-4-페녹시아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디벤조스베론, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 9-페닐아크리딘, 1,7-비스-(9-아크리디닐)헵탄, 1,5-비스-(9-아크리디닐)펜탄, 1,3-비스-(9-아크리디닐)프로판, p-메톡시트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진, 「IRGACURE OXE02」, 「IRGACURE OXE01」, 「IRGACURE 369」, 「IRGACURE 651」, 「IRGACURE 907」 (상품명, BASF 제조), 「NCI-831」 (상품명, ADEKA 제조) 등을 들 수 있다. 이들 광 중합 개시제는, 단독 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.Specifically as a photoinitiator, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1-(4-dodecylphenyl )-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, bis(4-dimethylaminophenyl)ketone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 4-benzoyl-4'-methyldimethylsulf Fide, 4-dimethylaminobenzoic acid, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, butyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylamino-2-ethylhexylbenzoic acid, 4-dimethylamino-2-isoamylbenzoic acid , Benzyl-β-methoxyethyl acetal, benzyldimethyl ketal, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, methyl o-benzoylbenzoate, 2,4-diethyl tea Oxyxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, thioxanthene, 2-chlorothioxanthene, 2,4-diethylthiochine Xanthene, 2-methylthioxanthene, 2-isopropylthioxanthene, 2-ethylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, azobisisobutyro Nitrile, benzoyl peroxide, cumene peroxide, 2-mercaptobenzoimidal, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2-(o-chlorophenyl)-4,5-diphenylimida Sol dimer, 2-(o-chlorophenyl)-4,5-di(methoxyphenyl)imidazole dimer, 2-(o-fluorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-methoxyphenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(p-methoxyphenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4,5- Triarylimidazole dimer, benzophenone, 2-chlorobenzophenone, 4,4'-bisdimethylaminobenzophenone (i.e., mihila ketone), 4,4'-bisdiethylaminobenzophenone (i.e. ethyl Mihila ketone), 4,4'-dichlorobenzophenone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzyl, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin -n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, Benzoinbutyl ether, acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, p-dimethylacetophenone, p-dimethylaminopropiophenone, dichloroacetophenone, trichloroacetophenone, p-tert-butylacetophenone, p- Dimethylaminoacetophenone, p-tert-butyltrichloroacetophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, α,α-dichloro-4-phenoxyacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2- Isopropylthioxanthone, dibenzosveron, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, 9-phenylacridine, 1,7-bis-(9-acridinyl)heptane, 1,5-bis-(9 -Acridinyl)pentane, 1,3-bis-(9-acridinyl)propane, p-methoxytriazine, 2,4,6-tris(trichloromethyl)-s-triazine, 2-methyl -4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[2-(5-methylfuran-2-yl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-tri Azine, 2-[2-(furan-2-yl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[2-(4-diethylamino-2-methylphenyl) Ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[2-(3,4-dimethoxyphenyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s -Triazine, 2-(4-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4-ethoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl )-s-triazine, 2-(4-n-butoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6-(3- Bromo-4-methoxy)phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6-(2-bromo-4-methoxy)phenyl-s-triazine, 2,4-bis -Trichloromethyl-6-(3-bromo-4-methoxy)styrylphenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6-(2-bromo-4-methoxy) Styrylphenyl-s-triazine, "IRGACURE OXE02", "IRGACURE OXE01", "IRGACURE 369", "IRGACURE 651", "IRGACURE 907" (trade name, manufactured by BASF), "NCI-831" (trade name, manufactured by ADEKA ) And the like. These photoinitiators can be used individually or in combination of 2 or more types.

이들 중에서도, 옥심계 광 중합 개시제를 사용하는 것이 감도의 면에서 특히 바람직하다.Among these, it is particularly preferable from the viewpoint of sensitivity to use an oxime-based photopolymerization initiator.

옥심계 광 중합 개시제의 바람직한 예로는, 하기 식 (c-1) 로 나타내는 광 중합 개시제를 들 수 있다.As a preferable example of an oxime type photoinitiator, the photoinitiator represented by following formula (c-1) is mentioned.

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112017119436310-pat00012
Figure 112017119436310-pat00012

상기 식 (c-1) 중, Rc1 은, 치환기를 가지고 있어도 되는, 복소 고리기, 축합 고리형 방향족기, 또는 방향족기를 나타낸다. Rc2 ∼ Rc4 는 각각 독립적으로 1 가의 유기기를 나타낸다.In the formula (c-1), R c1 represents a heterocyclic group, a fused cyclic aromatic group, or an aromatic group which may have a substituent. R c2 to R c4 each independently represent a monovalent organic group.

Rc1 에 있어서의 복소 고리기로는, 질소 원자, 황 원자, 및 산소 원자 중 적어도 1 개의 원자를 포함하는 5 원자 고리 이상, 바람직하게는 5 원자 고리 또는 6 원자 고리의 복소 고리기를 들 수 있다. 복소 고리기의 예로는, 피롤릴기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기 등의 함질소 5 원자 고리기 ; 피리딜기, 피라지닐기, 피리미딜기, 피리다지닐기 등의 함질소 6 원자 고리기 ; 티아졸릴기, 이소티아졸릴기 등의 함질소 함황기 ; 옥사졸릴기, 이소옥사졸릴기 등의 함질소 함산소기 ; 티에닐기, 티오피라닐기 등의 함황기 ; 푸릴기, 피라닐기 등의 함산소기 ; 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 질소 원자 또는 황 원자를 1 개 포함하는 것이 바람직하다. 이 복소 고리에는 축합 고리가 포함되어 있어도 된다. 축합 고리가 포함되는 복소 고리기의 예로는 벤조티에닐기 등을 들 수 있다. Examples of the heterocyclic group for R c1 include a 5-membered ring or more, preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring heterocyclic group containing at least one atom of a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom. Examples of the heterocyclic group include a nitrogen-containing 5-membered ring group such as a pyrrolyl group, an imidazolyl group, and a pyrazolyl group; A nitrogen-containing 6-membered ring group such as a pyridyl group, pyrazinyl group, pyrimidyl group, and pyridazinyl group; Nitrogen-containing sulfur groups such as thiazolyl group and isothiazolyl group; Nitrogen-containing oxygen groups such as oxazolyl group and isooxazolyl group; Sulphate groups such as thienyl groups and thiopyranyl groups; Oxygen-containing groups such as furyl group and pyranyl group; And the like. Among these, it is preferable to contain one nitrogen atom or a sulfur atom. The heterocyclic ring may contain a condensed ring. Examples of the heterocyclic group containing a condensed ring include a benzothienyl group and the like.

Rc1 에 있어서의 축합 고리형 방향족기로는, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있다. 또, Rc1 에 있어서의 방향족기로는, 페닐기를 들 수 있다. Examples of the condensed cyclic aromatic group in R c1 include naphthyl group, anthryl group, and phenanthryl group. Moreover, a phenyl group is mentioned as an aromatic group in R c1 .

복소 고리기, 축합 고리형 방향족기, 또는 방향족기는, 치환기를 가지고 있어도 된다. 특히 Rc1 이 방향족기인 경우에는, 치환기를 가지고 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 치환기로는, -NO2, -CN, -SO2Rc5, -CORc5, -NRc6Rc7, -Rc8, -ORc8, -O-Rc9-O-Rc10 등을 들 수 있다.The heterocyclic group, fused cyclic aromatic group, or aromatic group may have a substituent. In particular, when R c1 is an aromatic group, it is preferable to have a substituent. Examples of such substituents include -NO 2 , -CN, -SO 2 R c5 , -COR c5 , -NR c6 R c7 , -R c8 , -OR c8 , -OR c9 -OR c10 and the like.

Rc5 는, 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, 이들은 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되고, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합에 의해 중단되어 있어도 된다. Rc5 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기 등을 들 수 있다.R c5 each independently represents an alkyl group, and these may be substituted with a halogen atom, or interrupted by an ether bond, a thioether bond, or an ester bond. The alkyl group in R c5 preferably has 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, and an isobutyl group.

Rc6 및 Rc7 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 또는 알콕시기를 나타내고, 이들은 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되고, 이들 중 알킬기 및 알콕시기의 알킬렌 부분은, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 또는 에스테르 결합에 의해 중단되어 있어도 된다. 또, Rc6 과 Rc7 이 결합해 고리 구조를 형성하고 있어도 된다. Rc6 및 Rc7 에 있어서의 알킬기 또는 알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기 등을 들 수 있다.R c6 and R c7 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an alkoxy group, which may be substituted with a halogen atom, and among these, the alkylene portion of the alkyl group and the alkoxy group is an ether bond, a thioether bond, or an ester bond May be interrupted. Moreover, R c6 and R c7 may combine to form a ring structure. The alkyl group or alkoxy group in R c6 and R c7 preferably has 1 to 5 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, methoxy group, ethoxy group, and pro And aeration time.

Rc6 과 Rc7 이 결합해 형성할 수 있는 고리 구조로는, 복소 고리를 들 수 있다. 이 복소 고리로는, 적어도 질소 원자를 포함하는 5 원자 고리 이상, 바람직하게는 5 ∼ 7 원자 고리의 복소 고리를 들 수 있다. 이 복소 고리에는 축합 고리가 포함되어 있어도 된다. 복소 고리의 예로는, 피페리딘 고리, 모르폴린 고리, 티오모르폴린 고리 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 모르폴린 고리가 바람직하다.A heterocyclic ring is mentioned as a ring structure which R c6 and R c7 can combine and form. Examples of the heterocycle include a 5-membered ring containing at least a nitrogen atom, preferably a 5- to 7-membered heterocycle. The heterocyclic ring may contain a condensed ring. Examples of the heterocyclic ring include a piperidine ring, a morpholine ring, and a thiomorpholine ring. Among these, morpholine rings are preferable.

Rc8 은, 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기를 나타낸다. Rc8 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 6 인 것이 바람직하고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기 등을 들 수 있다.R c8 represents an alkyl group in which some or all of the hydrogen atoms may be substituted with halogen atoms. The alkyl group in R c8 preferably has 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, and isobutyl group.

Rc9 및 Rc10 은, 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, 이들은 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되고, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합에 의해 중단되어 있어도 된다. 바람직한 탄소수나 그 구체예는, 상기 Rc1 의 설명과 동일하다.R c9 and R c10 each independently represent an alkyl group, and these may be substituted with a halogen atom, and may be interrupted by an ether bond, a thioether bond, or an ester bond. Preferred carbon numbers and specific examples thereof are the same as described for R c1 above.

이들 중에서도, Rc1 로는, 피롤릴기, 피리딜기, 티에닐기, 티오피라릴기, 벤조티에닐기, 나프틸기, 치환기를 갖는 페닐기를 바람직한 예로서 들 수 있다.Among these, examples of R c1 include a pyrrolyl group, a pyridyl group, a thienyl group, a thiopyrylyl group, a benzothienyl group, a naphthyl group, and a phenyl group having a substituent as a preferable example.

상기 식 (c-1) 중, Rc2 는, 1 가의 유기기를 나타낸다. 이 유기기로는, -Rc11, -ORc11, -CORc11, -SRc11, -NRc11Rc12 로 나타내는 기가 바람직하다. Rc11 및 Rc12 는, 각각 독립적으로 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기, 또는 복소 고리기를 나타내고, 이들은 할로겐 원자, 알킬기, 또는 복소 고리기로 치환되어 있어도 되고, 이들 중 알킬기 및 아르알킬기의 알킬렌 부분은, 불포화 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합에 의해 중단되어 있어도 된다. 또, Rc11 과 Rc12 가 결합해 질소 원자와 함께 고리 구조를 형성하고 있어도 된다.In the formula (c-1), R c2 represents a monovalent organic group. As this organic group, groups represented by -R c11 , -OR c11 , -COR c11 , -SR c11 , and -NR c11 R c12 are preferable. R c11 and R c12 each independently represent an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group, or a heterocyclic group, which may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, or a heterocyclic group, and alkyl of the alkyl group and aralkyl group among them The ren moiety may be interrupted by an unsaturated bond, ether bond, thioether bond or ester bond. Moreover, R c11 and R c12 may combine and form a ring structure together with a nitrogen atom.

Rc11 및 Rc12 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 보다 바람직하다. 알킬기의 예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, n-데실기, 이소데실기 등의 직사슬형 또는 분지사슬형의 기를 들 수 있다. 또, 이 알킬기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기를 갖는 것의 예로는, 메톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기, 프로필옥시에톡시에틸기, 메톡시프로필기 등을 들 수 있다.The alkyl group for R c11 and R c12 is preferably 1 to 20 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms. Examples of the alkyl group are methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, sec-pentyl group , tert-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, isooctyl group, sec-octyl group, tert-octyl group, n-nonyl group, isononyl group, n-decyl group, isode And straight-chain or branched-chain groups such as real machines. Moreover, this alkyl group may have a substituent. Examples of the one having a substituent include methoxyethoxyethyl group, ethoxyethoxyethyl group, propyloxyethoxyethyl group, and methoxypropyl group.

Rc11 및 Rc12 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 보다 바람직하다. 알케닐기의 예로는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 에테닐기, 프로피닐기 등의 직사슬형 또는 분지사슬형의 기를 들 수 있다. 또, 이 알케닐기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기를 갖는 것의 예로는, 2-(벤조옥사졸-2-일)에테닐기 등을 들 수 있다.The alkenyl group in R c11 and R c12 is preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms. Examples of the alkenyl group include a straight chain or branched chain group such as vinyl group, allyl group, butenyl group, ethenyl group, and propynyl group. Moreover, this alkenyl group may have a substituent. As an example of what has a substituent, 2-(benzooxazol-2-yl)ethenyl group etc. are mentioned.

Rc11 및 Rc12 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다. 아릴기의 예로는, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 에틸페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있다.The aryl group for R c11 and R c12 is preferably 6 to 20 carbon atoms, and more preferably 6 to 10 carbon atoms. Examples of the aryl group include a phenyl group, tolyl group, xylyl group, ethylphenyl group, naphthyl group, anthryl group, and phenanthryl group.

Rc11 및 Rc12 에 있어서의 아르알킬기로는, 탄소수 7 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 7 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다. 아르알킬기의 예로는, 벤질기, α-메틸벤질기, α,α-디메틸벤질기, 페닐에틸기, 페닐에테닐기 등을 들 수 있다.The aralkyl group for R c11 and R c12 is preferably 7 to 20 carbon atoms, and more preferably 7 to 12 carbon atoms. Examples of the aralkyl group include benzyl group, α-methylbenzyl group, α,α-dimethylbenzyl group, phenylethyl group, and phenylethenyl group.

Rc11 및 Rc12 에 있어서의 복소 고리기로는, 질소 원자, 황 원자, 및 산소 원자 중 적어도 1 개의 원자를 포함하는 5 원자 고리 이상, 바람직하게는 5 ∼ 7 원자 고리의 복소 고리기를 들 수 있다. 이 복소 고리기에는 축합 고리가 포함되어 있어도 된다. 복소 고리기의 예로는, 피롤릴기, 피리딜기, 피리미딜기, 푸릴기, 티에닐기 등을 들 수 있다. Examples of the heterocyclic group in R c11 and R c12 include a 5-membered ring or more, preferably a 5-7-membered heterocyclic group containing at least one atom of a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom. . The heterocyclic group may contain a condensed ring. Examples of the heterocyclic group include pyrrolyl group, pyridyl group, pyrimidyl group, furyl group, thienyl group, and the like.

이들 Rc11 및 Rc12 중, 알킬기 및 아르알킬기의 알킬렌 부분은, 불포화 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합에 의해 중단되어 있어도 된다.Of these R c11 and R c12 , the alkylene portion of the alkyl group and the aralkyl group may be interrupted by an unsaturated bond, an ether bond, a thioether bond, or an ester bond.

또, Rc11 과 Rc12 가 결합해 형성할 수 있는 고리 구조로는, 복소 고리를 들 수 있다. 이 복소 고리로는, 적어도 질소 원자를 포함하는 5 원자 고리 이상, 바람직하게는 5 ∼ 7 원자 고리의 복소 고리를 들 수 있다. 이 복소 고리에는 축합 고리가 포함되어 있어도 된다. 복소 고리의 예로는, 피페리딘 고리, 모르폴린 고리, 티오모르폴린 고리 등을 들 수 있다.Moreover, a heterocyclic ring is mentioned as a ring structure which R c11 and R c12 can combine and form. Examples of the heterocycle include a 5-membered ring containing at least a nitrogen atom, preferably a 5- to 7-membered heterocycle. The heterocyclic ring may contain a condensed ring. Examples of the heterocyclic ring include a piperidine ring, a morpholine ring, and a thiomorpholine ring.

이들 중에서도, Rc2 로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기인 것이 가장 바람직하다.Among these, R c2 is most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a phenyl group.

상기 식 (c-1) 중, Rc3 은, 1 가의 유기기를 나타낸다. 이 유기기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기, 하기 식 (c-2) 로 나타내는 기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 복소 고리기가 바람직하다. 치환기로는, 상기 Rc1 의 경우와 동일한 기를 들 수 있다. 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기로는, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있다.In the formula (c-1), R c3 represents a monovalent organic group. The organic group is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms which may have a substituent, a group represented by the following formula (c-2), or a heterocyclic group that may have a substituent. Examples of the substituent include the same group as in the case of R c1 above. Examples of the aryl group having 6 to 12 carbon atoms include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, and phenanthryl group.

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112017119436310-pat00013
Figure 112017119436310-pat00013

상기 식 (c-2) 중, Rc13 은, 산소 원자로 중단되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기를 나타낸다. 이와 같은 알킬렌기로는, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, n-펜틸렌기, 이소펜틸렌기, sec-펜틸렌기 등의 직사슬형 또는 분지사슬형의 기를 들 수 있다. 이들 중에서도, Rc13 은 이소프로필렌기인 것이 가장 바람직하다.In the formula (c-2), R c13 represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom. As such an alkylene group, methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, n-pentylene group, isopentylene group, sec-pentylene group, etc. And straight-chain or branched-chain groups. Among these, R c13 is most preferably an isopropylene group.

상기 식 (c-2) 중, Rc14 는, -NRc15Rc16 으로 나타내는 1 가의 유기기를 나타낸다 (Rc15 및 Rc16 은, 각각 독립적으로 1 가의 유기기를 나타낸다). 그러한 유기기 중에서도, Rc14 의 구조가 하기 식 (c-3) 으로 나타내는 것이면, 광 중합 개시제의 용해성을 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다.The formula (c-2) of, R c14 represents a monovalent organic group represented by -NR c15 R c16 (R c15 and R c16 are each independently a monovalent organic group). Among such organic groups, if the structure of R c14 is represented by the following formula (c-3), it is preferable from the viewpoint of improving the solubility of the photopolymerization initiator.

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112017119436310-pat00014
Figure 112017119436310-pat00014

상기 식 (c-3) 중, Rc17 및 Rc18 은, 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다. 이와 같은 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, Rc17 및 Rc18 은 메틸기인 것이 가장 바람직하다.In the formula (c-3), R c17 and R c18 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. As such an alkyl group, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, sec-pen And til groups and tert-pentyl groups. Among these, R c17 and R c18 are most preferably methyl groups.

Rc3 에 있어서의 복소 고리기로는, 질소 원자, 황 원자, 및 산소 원자 중 적어도 1 개의 원자를 포함하는 5 원자 고리 이상, 바람직하게는 5 원자 고리 또는 6 원자 고리의 복소 고리기를 들 수 있다. 복소 고리기의 예로는, 피롤릴기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기 등의 함질소 5 원자 고리기 ; 피리딜기, 피라지닐기, 피리미딜기, 피리다지닐기 등의 함질소 6 원자 고리기 ; 티아졸릴기, 이소티아졸릴기 등의 함질소 함황기 ; 옥사졸릴기, 이소옥사졸릴기 등의 함질소 함산소기 ; 티에닐기, 티오피라닐기 등의 함황기 ; 푸릴기, 피라닐기 등의 함산소기 ; 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 질소 원자 또는 황 원자를 1 개 포함하는 것이 바람직하다. 이 복소 고리에는 축합 고리가 포함되어 있어도 된다. 축합 고리가 포함되는 복소 고리기의 예로는 벤조티에닐기 등을 들 수 있다.The heterocyclic group in R c3 includes a 5-membered ring or more, preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring heterocyclic group containing at least one atom of a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom. Examples of the heterocyclic group include a nitrogen-containing 5-membered ring group such as a pyrrolyl group, an imidazolyl group, and a pyrazolyl group; A nitrogen-containing 6-membered ring group such as a pyridyl group, pyrazinyl group, pyrimidyl group, and pyridazinyl group; Nitrogen-containing sulfur groups such as thiazolyl group and isothiazolyl group; Nitrogen-containing oxygen groups such as oxazolyl group and isooxazolyl group; Sulphate groups such as thienyl groups and thiopyranyl groups; Oxygen-containing groups such as furyl group and pyranyl group; And the like. Among these, it is preferable to contain one nitrogen atom or a sulfur atom. The heterocyclic ring may contain a condensed ring. Examples of the heterocyclic group containing a condensed ring include a benzothienyl group and the like.

또, 복소 고리기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기로는, 상기 Rc1 의 경우와 동일한 기를 들 수 있다.Moreover, the heterocyclic group may have a substituent. Examples of the substituent include the same group as in the case of R c1 above.

상기 식 (c-1) 중, Rc4 는, 1 가의 유기기를 나타낸다. 이 중에서도, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기인 것이 바람직하다. 이와 같은 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, Rc4 는 메틸기인 것이 가장 바람직하다.In the formula (c-1), R c4 represents a monovalent organic group. Especially, it is preferable that it is a C1-C5 alkyl group. As such an alkyl group, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, sec-pen And til groups and tert-pentyl groups. Among these, R c4 is most preferably a methyl group.

또, 옥심계 광 중합 개시제의 바람직한 다른 예로는, 일본 공개특허공보 2010-15025호에 제안되어 있는 하기 식 (c-4) 로 나타내는 광 중합 개시제를 들 수 있다.Moreover, as another preferable example of an oxime type photoinitiator, the photoinitiator represented by following formula (c-4) proposed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-15025 is mentioned.

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112017119436310-pat00015
Figure 112017119436310-pat00015

상기 식 (c-4) 중, Rc21 및 Rc22 는, 각각 독립적으로, Rc31, ORc31, CORc31, SRc31, CONRc32Rc33, 또는 CN 을 나타낸다. In the formula (c-4), R c21 and R c22 each independently represent R c31 , OR c31 , COR c31 , SR c31 , CONR c32 R c33 , or CN.

Rc31, Rc32, 및 Rc33 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 또는 탄소수 2 ∼ 20 의 복소 고리기를 나타낸다. 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기, 및 복소 고리기의 수소 원자는, 추가로 ORc41, CORc41, SRc41, NRc42Rc43, CONRc42Rc43, -NRc42-ORc43, -NCORc42-OCORc43, -C(=N-ORc41)-Rc42, -C(=N-OCORc41)-Rc42, CN, 할로겐 원자, -CRc41=CRc42Rc43, -CO-CRc41=CRc42Rc43, 카르복실기, 또는 에폭시기로 치환되어 있어도 된다. Rc41, Rc42, 및 Rc43 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 또는 탄소수 2 ∼ 20 의 복소 고리기를 나타낸다.R c31 , R c32 , and R c33 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms. . The hydrogen atom of the alkyl group, aryl group, arylalkyl group, and heterocyclic group further includes OR c41 , COR c41 , SR c41 , NR c42 R c43 , CONR c42 R c43 , -NR c42 -OR c43 , -NCOR c42 -OCOR c43 , -C(=N-OR c41 )-R c42 , -C(=N-OCOR c41 )-R c42 , CN, halogen atom, -CR c41 =CR c42 R c43 , -CO-CR c41 =CR c42 R c43 , a carboxyl group, or an epoxy group may be substituted. R c41 , R c42 , and R c43 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms. .

상기 Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42, 및 Rc43 에 있어서의 치환기의 알킬렌 부분의 메틸렌기는, 불포화 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합, 티오에스테르 결합, 아미드 결합, 또는 우레탄 결합에 의해 1 ∼ 5 회 중단되어 있어도 되고, 상기 치환기의 알킬 부분은 분기사슬이 있어도 되고, 고리형 알킬이어도 되고, 상기 치환기의 알킬 말단은 불포화 결합이어도 되고, 또 Rc32 와 Rc33, 및 Rc42 와 Rc43 은 각각 결합해 고리 구조를 형성하고 있어도 된다.The methylene group of the alkylene portion of the substituent in R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 , and R c43 is an unsaturated bond, an ether bond, a thioether bond, an ester bond, a thioester bond, an amide bond Or, it may be interrupted 1 to 5 times by a urethane bond, the alkyl portion of the substituent may have a branch chain, cyclic alkyl, the alkyl terminal of the substituent may be an unsaturated bond, and R c32 and R c33 , And R c42 and R c43 may be bonded to each other to form a ring structure.

상기 식 (c-4) 중, Rc23 및 Rc24 는, 각각 독립적으로, Rc31, ORc31, CORc31, SRc31, CONRc32Rc33, NRc31CORc32, OCORc31, COORc31, SCORc31, OCSRc31, COSRc31, CSORc31, CN, 할로겐 원자, 또는 수산기를 나타낸다. a 및 b 는, 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.In the formula (c-4), R c23 and R c24 are each independently R c31 , OR c31 , COR c31 , SR c31 , CONR c32 R c33 , NR c31 COR c32 , OCOR c31 , COOR c31 , SCOR c31 , OCSR c31 , COSR c31 , CSOR c31 , CN, halogen atom, or hydroxyl group. a and b respectively independently represent the integer of 0-4.

Rc23 은, -Xc2- 를 개재하여 인접하는 벤젠 고리의 탄소 원자의 1 개와 결합해 고리 구조를 형성하고 있어도 되고, Rc23 과 Rc24 가 결합해 고리 구조를 형성하고 있어도 된다.R c23 may combine with one of the carbon atoms of the adjacent benzene ring via -X c2 -to form a ring structure, or R c23 and R c24 may combine to form a ring structure.

상기 식 (c-4) 중, Xc1 은, 단결합 또는 CO 를 나타낸다.In the formula (c-4), X c1 represents a single bond or CO.

상기 식 (c-4) 중, Xc2 는, 산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, CRc51Rc52, CO, NRc53, 또는 PRc54 를 나타낸다. Rc51, Rc52, Rc53, 및 Rc54 는, 각각 독립적으로, Rc31, ORc31, CORc31, SRc31, CONRc32Rc33, 또는 CN 을 나타낸다. Rc51, Rc53, 및 Rc54 는, 각각 독립적으로, 인접하는 어느 쪽의 벤젠 고리와 함께 고리 구조를 형성하고 있어도 된다.In the formula (c-4), X c2 represents an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, CR c51 R c52 , CO, NR c53 , or PR c54 . R c51 , R c52 , R c53 , and R c54 each independently represent R c31 , OR c31 , COR c31 , SR c31 , CONR c32 R c33 , or CN. R c51 , R c53 , and R c54 may each independently form a ring structure together with either adjacent benzene ring.

상기 식 (c-4) 중, Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42, 및 Rc43 에 있어서의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기 등을 들 수 있다. In the formula (c-4), as the alkyl group for R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 , and R c43 , methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl Group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, sec-pentyl group, tert-pentyl group and the like.

상기 식 (c-4) 중, Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42, 및 Rc43 에 있어서의 아릴기로는, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트레닐기 등을 들 수 있다.In the formula (c-4), the aryl groups for R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 , and R c43 include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, an ethylphenyl group, a chlorophenyl group, and a naphthyl group. , Anthryl groups, phenanthrenyl groups, and the like.

상기 식 (c-4) 중, Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42, 및 Rc43 에 있어서의 아릴알킬기로는, 벤질기, 클로로벤질기, α-메틸벤질기, α,α-디메틸벤질기, 페닐에틸기, 페닐에테닐기 등을 들 수 있다.In the formula (c-4), the arylalkyl groups for R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 , and R c43 are benzyl group, chlorobenzyl group, α-methylbenzyl group, α, and alpha-dimethylbenzyl groups, phenylethyl groups, and phenylethenyl groups.

상기 식 (c-4) 중, Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42, 및 Rc43 에 있어서의 복소 고리기로는, 피리딜기, 피리미딜기, 푸릴기, 티에닐기, 테트라하이드로푸릴기, 디옥소라닐기, 벤조옥사졸-2-일기, 테트라하이드로피라닐기, 피롤리딜기, 이미다졸리딜기, 피라졸리딜기, 티아졸리딜기, 이소티아졸리딜기, 옥사졸리딜기, 이소옥사졸리딜기, 피페리딜기, 피페라질기, 모르폴리닐기 등의 5 ∼ 7 원자 고리를 바람직하게 들 수 있다.
In the formula (c-4), as the heterocyclic groups for R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 , and R c43 , a pyridyl group, pyrimidyl group, furyl group, thienyl group, tetrahydro Furyl group, dioxolanyl group, benzooxazol-2-yl group, tetrahydropyranyl group, pyrrolidyl group, imidazolidil group, pyrazolidil group, thiazolidil group, isothiazolidil group, oxazolidil group, isooxazolidil group , 5 to 7 membered rings such as piperidyl group, piperazyl group, and morpholinyl group.

상기 식 (c-4) 중, Rc32 와 Rc33 이 결합해 형성할 수 있는 고리, Rc42 와 Rc43 이 결합해 형성할 수 있는 고리, 및 Rc23 이 인접하는 벤젠 고리와 함께 형성할 수 있는 고리로는, 시클로펜탄 고리, 시클로헥산 고리, 시클로펜텐 고리, 벤젠 고리, 피페리딘 고리, 모르폴린 고리, 락톤 고리, 락탐 고리 등의 5 ∼ 7 원자 고리를 들 수 있다.In the formula (c-4), R c32 and R c33 may be formed by a bond, R c42 and R c43 may be formed by a bond, and R c23 may be formed together with an adjacent benzene ring. Examples of the ring include 5- to 7-membered rings such as cyclopentane ring, cyclohexane ring, cyclopentene ring, benzene ring, piperidine ring, morpholine ring, lactone ring, and lactam ring.

또한, Xc2 가 NRc53 이고, Rc23 이 인접하는 벤젠 고리의 탄소 원자의 1 개와 결합해, Xc2 와 함께 5 원자 고리 구조를 형성하는 경우, 광 중합 개시제는 카르바졸 골격을 갖게 된다.In addition, when X c2 is NR c53 and R c23 is combined with one of the carbon atoms of an adjacent benzene ring to form a 5-membered ring structure with X c2 , the photopolymerization initiator has a carbazole skeleton.

상기 식 (c-4) 중, Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42, 및 Rc43 을 치환해도 되는 할로겐 원자, 및 Rc24, Rc25 에 있어서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.In the formula (c-4), halogen atoms which may substitute for R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 , and R c43 , and halogen atoms in R c24 and R c25 include a fluorine atom, Chlorine atom, bromine atom, and iodine atom.

상기 치환기의 알킬렌 부분의 메틸렌기는, 불포화 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합, 티오에스테르 결합, 아미드 결합, 또는 우레탄 결합에 의해 1 ∼ 5 회 중단되어 있어도 된다. 이 경우, 중단되는 결합기는 1 종 또는 2 종 이상의 기여도 되고, 연속적으로 중단될 수 있는 기인 경우에는 2 개 이상 연속적으로 중단되어도 된다. 또, 상기 치환기의 알킬 부분은 분기사슬이 있어도 되고, 고리형 알킬이어도 되고, 상기 치환기의 알킬 말단은 불포화 결합이어도 된다.The methylene group of the alkylene portion of the substituent may be interrupted 1 to 5 times by an unsaturated bond, ether bond, thioether bond, ester bond, thioester bond, amide bond or urethane bond. In this case, one or two or more types of linking groups to be interrupted may be contributed, or two or more consecutively interrupted groups to be interrupted continuously. Moreover, the alkyl part of the said substituent may have a branch chain, cyclic alkyl may be sufficient, and the alkyl terminal of the said substituent may be an unsaturated bond.

옥심계 광 중합 개시제의 바람직한 또 다른 예로는, 하기 식 (2) 로 나타내는 옥심에스테르 화합물을 들 수 있다.Another preferable example of an oxime-based photopolymerization initiator includes an oxime ester compound represented by the following formula (2).

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112017119436310-pat00016
Figure 112017119436310-pat00016

(식 중, Rd1 은, 1 가의 유기기, 아미노기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 기이고, i 는 0 ∼ 4 의 정수이고, j 는 0 또는 1 이고, Rd2 는, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 또는 치환기를 가져도 되는 카르바졸릴기이고, Rd3 은, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기이다.)( Wherein , R d1 is a group selected from the group consisting of monovalent organic groups, amino groups, halogen atoms, nitro groups, and cyano groups, i is an integer from 0 to 4, j is 0 or 1, R d2 is a phenyl group which may have a substituent, or a carbazolyl group which may have a substituent, and R d3 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.)

상기 식 (2) 중, Rd1 이 1 가의 유기기인 경우, Rd1 은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, 여러 가지 유기기로부터 적절히 선택된다. Rd1 이 유기기인 경우의 바람직한 예로는, 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기, 및 피페라진-1-일기 등을 들 수 있다. i 가 2 ∼ 4 의 정수인 경우, Rd1 은 동일해도 되고 상이해도 된다. 또, 치환기의 탄소수에는, 치환기가 추가로 갖는 치환기의 탄소수는 포함하지 않는다.In the formula (2), when R d1 is a monovalent organic group, R d1 is not particularly limited within a range that does not impair the object of the present invention, and is appropriately selected from various organic groups. Preferred examples when R d1 is an organic group include an alkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkoxy group, a saturated aliphatic acyl group, an alkoxycarbonyl group, a saturated aliphatic acyloxy group, a phenyl group which may have a substituent, and a phenoxy which may have a substituent. Timing, benzoyl group which may have a substituent, phenoxycarbonyl group which may have a substituent, benzoyloxy group which may have a substituent, phenylalkyl group which may have a substituent, naphthyl group which may have a substituent, naph which may have a substituent Thoxy group, naphthoyl group which may have a substituent, naphthoxycarbonyl group which may have a substituent, naphthyloxy group which may have a substituent, naphthylalkyl group which may have a substituent, heterocyclyl group which may have a substituent, 1 Or an amino group substituted with the organic group of 2, morpholine-1-yl group, piperazin-1-yl group, etc. are mentioned. When i is an integer of 2-4, R d1 may be same or different. Moreover, the carbon number of the substituent which the substituent further has is not included in the carbon number of a substituent.

Rd1 이 알킬기인 경우, 그 탄소수는 1 ∼ 20 이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하다. 또, Rd1 이 알킬기인 경우, 직사슬이어도 되고, 분기사슬이어도 된다. Rd1 이 알킬기인 경우의 구체예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, n-데실기, 및 이소데실기 등을 들 수 있다. 또, Rd1 이 알킬기인 경우, 알킬기는 탄소 사슬 중에 에테르 결합 (-O-) 을 포함하고 있어도 된다. 탄소 사슬 중에 에테르 결합을 갖는 알킬기의 예로는, 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 메톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기, 프로필옥시에톡시에틸기, 및 메톡시프로필기 등을 들 수 있다.When R d1 is an alkyl group, 1 to 20 carbon atoms are preferable, and 1 to 6 carbon atoms are more preferable. Moreover, when R d1 is an alkyl group, a straight chain or a branch chain may be sufficient. Specific examples when R d1 is an alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, and iso Pentyl group, sec-pentyl group, tert-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, isooctyl group, sec-octyl group, tert-octyl group, n-nonyl group, isononyl group, n-decyl group, isodecyl group, and the like. Moreover, when R d1 is an alkyl group, the alkyl group may contain the ether bond (-O-) in a carbon chain. Examples of the alkyl group having an ether bond in the carbon chain include methoxyethyl group, ethoxyethyl group, methoxyethoxyethyl group, ethoxyethoxyethyl group, propyloxyethoxyethyl group, and methoxypropyl group.

Rd1 이 알콕시기인 경우, 그 탄소수는 1 ∼ 20 이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하다. 또, Rd1 이 알콕시기인 경우, 직사슬이어도 되고, 분기사슬이어도 된다. Rd1 이 알콕시기인 경우의 구체예로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로필옥시기, 이소프로필옥시기, n-부틸옥시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, tert-부틸옥시기, n-펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, sec-펜틸옥시기, tert-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-헵틸옥시기, n-옥틸옥시기, 이소옥틸옥시기, sec-옥틸옥실기, tert-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, 이소노닐옥시기, n-데실옥시기, 및 이소데실옥시기 등을 들 수 있다. 또, Rd1 이 알콕시기인 경우, 알콕시기는 탄소 사슬 중에 에테르 결합 (-O-) 을 포함하고 있어도 된다. 탄소 사슬 중에 에테르 결합을 갖는 알콕시기의 예로는, 메톡시에톡시기, 에톡시에톡시기, 메톡시에톡시에톡시기, 에톡시에톡시에톡시기, 프로필옥시에톡시에톡시기, 및 메톡시프로필옥시기 등을 들 수 있다.When R d1 is an alkoxy group, 1 to 20 carbon atoms are preferable, and 1 to 6 carbon atoms are more preferable. Moreover, when R d1 is an alkoxy group, a straight chain or a branch chain may be sufficient. As a specific example when R d1 is an alkoxy group, methoxy group, ethoxy group, n-propyloxy group, isopropyloxy group, n-butyloxy group, isobutyloxy group, sec-butyloxy group, tert-butyloxy Period, n-pentyloxy group, isopentyloxy group, sec-pentyloxy group, tert-pentyloxy group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, isooctyloxy group, sec-oc And a thyloxyl group, tert-octyloxy group, n-nonyloxy group, isononyloxy group, n-decyloxy group, and isodecyloxy group. Moreover, when R d1 is an alkoxy group, the alkoxy group may contain the ether bond (-O-) in a carbon chain. Examples of the alkoxy group having an ether bond in the carbon chain include methoxyethoxy group, ethoxyethoxy group, methoxyethoxyethoxy group, ethoxyethoxyethoxy group, propyloxyethoxyethoxy group, and And methoxypropyloxy groups.

Rd1 이 시클로알킬기 또는 시클로알콕시기인 경우, 그 탄소수는 3 ∼ 10 이 바람직하고, 3 ∼ 6 이 보다 바람직하다. Rd1 이 시클로알킬기인 경우의 구체예로는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 및 시클로옥틸기 등을 들 수 있다. Rd1 이 시클로알콕시기인 경우의 구체예로는, 시클로프로필옥시기, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 시클로헵틸옥시기, 및 시클로옥틸옥시기 등을 들 수 있다.When R d1 is a cycloalkyl group or a cycloalkoxy group, 3 to 10 carbon atoms are preferable and 3 to 6 carbon atoms are more preferable. Specific examples when R d1 is a cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Specific examples when R d1 is a cycloalkoxy group include a cyclopropyloxy group, a cyclobutyloxy group, a cyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, a cycloheptyloxy group, and a cyclooctyloxy group.

Rd1 이 포화 지방족 아실기 또는 포화 지방족 아실옥시기인 경우, 그 탄소수는 2 ∼ 20 이 바람직하고, 2 ∼ 7 이 보다 바람직하다. Rd1 이 포화 지방족 아실기인 경우의 구체예로는, 아세틸기, 프로파노일기, n-부타노일기, 2-메틸프로파노일기, n-펜타노일기, 2,2-디메틸프로파노일기, n-헥사노일기, n-헵타노일기, n-옥타노일기, n-노나노일기, n-데카노일기, n-운데카노일기, n-도데카노일기, n-트리데카노일기, n-테트라데카노일기, n-펜타데카노일기, 및 n-헥사데카노일기 등을 들 수 있다. Rd1 이 포화 지방족 아실옥시기인 경우의 구체예로는, 아세틸옥시기, 프로파노일옥시기, n-부타노일옥시기, 2-메틸프로파노일옥시기, n-펜타노일옥시기, 2,2-디메틸프로파노일옥시기, n-헥사노일옥시기, n-헵타노일옥시기, n-옥타노일옥시기, n-노나노일옥시기, n-데카노일옥시기, n-운데카노일옥시기, n-도데카노일옥시기, n-트리데카노일옥시기, n-테트라데카노일옥시기, n-펜타데카노일옥시기, 및 n-헥사데카노일옥시기 등을 들 수 있다.When R d1 is a saturated aliphatic acyl group or a saturated aliphatic acyloxy group, the carbon number is preferably 2 to 20, and more preferably 2 to 7. Specific examples when R d1 is a saturated aliphatic acyl group include an acetyl group, propanoyl group, n-butanoyl group, 2-methylpropanoyl group, n-pentanoyl group, 2,2-dimethylpropanoyl group, and n-hexa Noyl group, n-heptanoyl group, n-octanoyl group, n-nonanoyl group, n-decanoyl group, n-undecanoyl group, n-dodecanoyl group, n-tridecanoyl group, n-tetradecanoyl group, and n-pentadecanoyl groups, and n-hexadecanoyl groups. Specific examples when R d1 is a saturated aliphatic acyloxy group include acetyloxy group, propanoyloxy group, n-butanoyloxy group, 2-methylpropanoyloxy group, n-pentanoyloxy group, and 2,2-dimethylpro Panoyloxy group, n-hexanoyloxy group, n-heptanoyloxy group, n-octanoyloxy group, n-nonanoyloxy group, n-decanoyloxy group, n-undecanoyloxy group, n-dodecanoyloxy group , n-tridecanoyloxy group, n-tetradecanoyloxy group, n-pentadecanoyloxy group, and n-hexadecanoyloxy group.

Rd1 이 알콕시카르보닐기인 경우, 그 탄소수는 2 ∼ 20 이 바람직하고, 2 ∼ 7 이 보다 바람직하다. Rd1 이 알콕시카르보닐기인 경우의 구체예로는, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, n-프로필옥시카르보닐기, 이소프로필옥시카르보닐기, n-부틸옥시카르보닐기, 이소부틸옥시카르보닐기, sec-부틸옥시카르보닐기, tert-부틸옥시카르보닐기, n-펜틸옥시카르보닐기, 이소펜틸옥시카르보닐기, sec-펜틸옥시카르보닐기, tert-펜틸옥시카르보닐기, n-헥실옥시카르보닐기, n-헵틸옥시카르보닐기, n-옥틸옥시카르보닐기, 이소옥틸옥시카르보닐기, sec-옥틸옥실카르보닐기, tert-옥틸옥시카르보닐기, n-노닐옥시카르보닐기, 이소노닐옥시카르보닐기, n-데실옥시카르보닐기, 및 이소데실옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.When R d1 is an alkoxycarbonyl group, 2 to 20 carbon atoms are preferable, and 2 to 7 carbon atoms are more preferable. Specific examples when R d1 is an alkoxycarbonyl group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propyloxycarbonyl group, isopropyloxycarbonyl group, n-butyloxycarbonyl group, isobutyloxycarbonyl group, sec-butyloxycarbonyl group, tert -Butyloxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, isopentyloxycarbonyl group, sec-pentyloxycarbonyl group, tert-pentyloxycarbonyl group, n-hexyloxycarbonyl group, n-heptyloxycarbonyl group, n-octyloxycarbonyl group, isooctyloxycarbonyl group , sec-octyloxylcarbonyl group, tert-octyloxycarbonyl group, n-nonyloxycarbonyl group, isononyloxycarbonyl group, n-decyloxycarbonyl group, and isodecyloxycarbonyl group.

Rd1 이 페닐알킬기인 경우, 그 탄소수는 7 ∼ 20 이 바람직하고, 7 ∼ 10 이 보다 바람직하다. 또 Rd1 이 나프틸알킬기인 경우, 그 탄소수는 11 ∼ 20 이 바람직하고, 11 ∼ 14 가 보다 바람직하다. Rd1 이 페닐알킬기인 경우의 구체예로는, 벤질기, 2-페닐에틸기, 3-페닐프로필기, 및 4-페닐부틸기를 들 수 있다. Rd1 이 나프틸알킬기인 경우의 구체예로는, α-나프틸메틸기, β-나프틸메틸기, 2-(α-나프틸)에틸기, 및 2-(β-나프틸)에틸기를 들 수 있다. Rd1 이, 페닐알킬기 또는 나프틸알킬기인 경우, Rd1 은, 페닐기 또는 나프틸기 상에 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다.When R d1 is a phenylalkyl group, the number of carbon atoms is preferably 7 to 20, and more preferably 7 to 10. Moreover, when R d1 is a naphthyl alkyl group, 11-20 are preferable and its carbon number is more preferably 11-14. As a specific example when R d1 is a phenylalkyl group, a benzyl group, 2-phenylethyl group, 3-phenylpropyl group, and 4-phenylbutyl group are mentioned. Specific examples when R d1 is a naphthylalkyl group include α-naphthylmethyl group, β-naphthylmethyl group, 2-(α-naphthyl)ethyl group, and 2-(β-naphthyl)ethyl group. . When R d1 is a phenylalkyl group or a naphthylalkyl group, R d1 may further have a substituent on the phenyl group or the naphthyl group.

Rd1 이 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는, N, S, 및 O 의 합계 개수가 1 개 이상인 5 원자 또는 6 원자의 단고리이거나, 이러한 단고리끼리, 또는 이러한 단고리와 벤젠 고리가 축합한 헤테로시클릴기이다. 헤테로시클릴기가 축합 고리인 경우는, 고리수 3 까지의 것으로 한다. 이러한 헤테로시클릴기를 구성하는 복소 고리로는, 푸란, 티오펜, 피롤, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 티아디아졸, 이소티아졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 벤조푸란, 벤조티오펜, 인돌, 이소인돌, 인돌리진, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 카르바졸, 푸린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 프탈라진, 신놀린, 및 퀴녹살린 등을 들 수 있다. Rd1 이 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다.When R d1 is a heterocyclyl group, the heterocyclyl group is a 5-membered or 6-membered monocycle in which the total number of N, S, and O is 1 or more, or such monocycles, or a heterocycle in which these monocycles and benzene rings are condensed. It is a cyclyl group. When the heterocyclyl group is a condensed ring, it is assumed to be up to 3 rings. Examples of the heterocycle constituting the heterocyclyl group include furan, thiophene, pyrrole, oxazole, isoxazole, thiazole, thiadiazole, isothiazole, imidazole, pyrazole, triazole, pyridine, pyrazine, Pyrimidine, pyridazine, benzofuran, benzothiophene, indole, isoindole, indolizine, benzoimidazole, benzotriazole, benzoxazole, benzothiazole, carbazole, purine, quinoline, isoquinoline, quinazoline, Phthalazine, synnoline, and quinoxaline. When R d1 is a heterocyclyl group, the heterocyclyl group may further have a substituent.

Rd1 이 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기인 경우, 유기기의 바람직한 예는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알킬기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 11 ∼ 20 의 나프틸알킬기, 및 헤테로시클릴기 등을 들 수 있다. 이들 바람직한 유기기의 구체예는, Rd1 과 동일하다. 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기의 구체예로는, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 디에틸아미노기, n-프로필아미노기, 디-n-프로필아미노기, 이소프로필아미노기, n-부틸아미노기, 디-n-부틸아미노기, n-펜틸아미노기, n-헥실아미노기, n-헵틸아미노기, n-옥틸아미노기, n-노닐아미노기, n-데실아미노기, 페닐아미노기, 나프틸아미노기, 아세틸아미노기, 프로파노일아미노기, n-부타노일아미노기, n-펜타노일아미노기, n-헥사노일아미노기, n-헵타노일아미노기, n-옥타노일아미노기, n-데카노일아미노기, 벤조일아미노기, α-나프토일아미노기, 및 β-나프토일아미노기 등을 들 수 있다.When R d1 is an amino group substituted with 1 or 2 organic groups, preferred examples of the organic group include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, a saturated aliphatic acyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a substituent group. A phenyl group which may be substituted, a benzoyl group which may have a substituent, a phenylalkyl group having 7 to 20 carbons which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, a naphthoyl group which may have a substituent, and 11 to 10 carbon atoms which may have a substituent. And a naphthyl alkyl group of 20 and a heterocyclyl group. Specific examples of these preferred organic groups are the same as R d1 . As a specific example of the amino group substituted by the organic group of 1 or 2, methylamino group, ethylamino group, diethylamino group, n-propylamino group, di-n-propylamino group, isopropylamino group, n-butylamino group, di-n- Butylamino group, n-pentylamino group, n-hexylamino group, n-heptylamino group, n-octylamino group, n-nonylamino group, n-decylamino group, phenylamino group, naphthylamino group, acetylamino group, propanoylamino group, n- Butanoylamino group, n-pentanoylamino group, n-hexanoylamino group, n-heptanoylamino group, n-octanoylamino group, n-decanoylamino group, benzoylamino group, α-naphthoylamino group, β-naphthoylamino group, etc. Can be mentioned.

Rd1 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우의 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 7 의 알콕시카르보닐기, 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실옥시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 모노알킬아미노기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기 등을 들 수 있다. Rd1 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우, 그 치환기의 수는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1 ∼ 4 가 바람직하다. Rd1 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가, 복수의 치환기를 갖는 경우, 복수의 치환기는, 동일해도 되고 상이해도 된다.As a substituent in the case where a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group included in R d1 further has a substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a saturated aliphatic group having 2 to 7 carbon atoms Actual group, alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms, saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms, monoalkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, dialkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, morpholine-1- And diary, piperazin-1-yl group, halogen atom, nitro group, and cyano group. When a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group included in R d1 further has a substituent, the number of the substituents is not limited within a range not impairing the object of the present invention, but 1 to 4 is preferable. When a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group contained in R d1 have a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different.

Rd1 중에서는, 화학적으로 안정적인 점이나, 입체적인 장애가 적어, 옥심에스테르 화합물의 합성이 용이한 점이나, 용매에 대한 용해성이 높은 점 등에서, 니트로기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 및 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기로 이루어지는 군에서 선택되는 기가 바람직하고, 니트로기 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬이 보다 바람직하며, 니트로기 또는 메틸기가 특히 바람직하다.Among R d1 , a nitro group, a C1-C6 alkyl group, or a C1-C6 carbon atom, from the viewpoint of chemical stability, low steric hindrance, easy synthesis of an oxime ester compound, and high solubility in a solvent, etc. A group selected from the group consisting of an alkoxy group and a saturated aliphatic acyl group having 2 to 7 carbon atoms is preferable, a nitro group or alkyl having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and a nitro group or a methyl group is particularly preferable.

Rd1 이 페닐기에 결합하는 위치는, Rd1 이 결합하는 페닐기에 대해, 페닐기와 옥심에스테르 화합물의 주골격의 결합손의 위치를 1 위치로 하고, 메틸기의 위치를 2 위치로 하는 경우에, 4 위치 또는 5 위치가 바람직하고, 5 위치가 보다 바람직하다. 또, i 는, 0 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 0 ∼ 2 의 정수가 보다 바람직하며, 0 또는 1 이 특히 바람직하다.The R d1 is a position coupled to a phenyl group, R d1 is the bonding position of the phenyl group and the oxime ester compound week combination the position of the hand in the first position, and a methyl group of a skeleton of for the phenyl group in the case of a two-position, the 4 Position or 5 position is preferable, and 5 position is more preferable. Moreover, as for i, the integer of 0-3 is preferable, the integer of 0-2 is more preferable, and 0 or 1 is especially preferable.

Rd2 는, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 또는 치환기를 가져도 되는 카르바졸릴기이다. 또, Rd2 가 치환기를 가져도 되는 카르바졸릴기인 경우, 카르바졸릴기 상의 질소 원자는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기로 치환되어 있어도 된다.R d2 is a phenyl group which may have a substituent or a carbazolyl group which may have a substituent. Moreover, when R d2 is a carbazolyl group which may have a substituent, the nitrogen atom on the carbazolyl group may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

Rd2 에 있어서, 페닐기 또는 카르바졸릴기가 갖는 치환기는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 페닐기 또는 카르바졸릴기가, 탄소 원자 상에 가져도 되는 바람직한 치환기의 예로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20 의 알콕시기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알킬기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알콕시기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 20 의 알콕시카르보닐기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 페닐티오기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 11 ∼ 20 의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기, 아미노기, 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기, 및 피페라진-1-일기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기 등을 들 수 있다.In R d2 , the substituent group of the phenyl group or carbazolyl group is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. Examples of preferred substituents that the phenyl group or carbazolyl group may have on the carbon atom include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, and a cycloalkoxy having 3 to 10 carbon atoms. Group, a saturated aliphatic acyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, a saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 20 carbon atoms, a phenyl group which may have a substituent, a phenoxy group which may have a substituent, or a substituent A phenylthio group, a benzoyl group which may have a substituent, a phenoxycarbonyl group which may have a substituent, a benzoyloxy group which may have a substituent, a phenylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a naph which may have a substituent A naphthoxy group which may have a butyl group, a naphthoxy group which may have a substituent, a naphthoyl group which may have a substituent, a naphthoxycarbonyl group which may have a substituent, a naphthyloxy group which may have a substituent, or a substituent having 11 to 20 carbon atoms. Tylalkyl group, heterocyclyl group which may have a substituent, heterocyclylcarbonyl group which may have a substituent, amino group, amino group substituted with 1 or 2 organic groups, morpholine-1-yl group, and piperazin-1-yl group, halogen And an atom, a nitro group, and a cyano group.

Rd2 가 카르바졸릴기인 경우, 카르바졸릴기가 질소 원자 상에 가져도 되는 바람직한 치환기의 예로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로 알킬기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 20 의 알콕시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 11 ∼ 20 의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 및 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기 등을 들 수 있다. 이들 치환기 중에서는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 보다 바람직하며, 에틸기가 특히 바람직하다.When R d2 is a carbazolyl group, examples of preferred substituents that the carbazolyl group may have on the nitrogen atom include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, and a saturated aliphatic acyl group having 2 to 20 carbon atoms. , Alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, phenyl group which may have substituent, benzoyl group which may have substituent, phenoxycarbonyl group which may have substituent, phenylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have substituent, and substituent A naphthyl group, a naphthyl group which may have a substituent, a naphthoxycarbonyl group which may have a substituent, a naphthyl alkyl group having 11 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a heterocyclyl group which may have a substituent, and a substituent The heterocyclylcarbonyl group etc. which are mentioned are mentioned. Among these substituents, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and an ethyl group is particularly preferable.

페닐기 또는 카르바졸릴기가 가져도 되는 치환기의 구체예에 대해, 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 및 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기에 관해서는, Rd1 과 동일하다.For a specific example of the substituent which the phenyl group or carbazolyl group may have, an alkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkoxy group, a saturated aliphatic acyl group, an alkoxycarbonyl group, a saturated aliphatic acyloxy group, a phenylalkyl group which may have a substituent, The naphthylalkyl group which may have a substituent, the heterocyclyl group which may have a substituent, and the amino group substituted with the organic group of 1 or 2 are the same as R d1 .

Rd2 에 있어서, 페닐기 또는 카르바졸릴기가 갖는 치환기에 포함되는 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우의 치환기의 예로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 알콕시카르보닐기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실옥시기 ; 페닐기 ; 나프틸기 ; 벤조일기 ; 나프토일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 모노알킬아미노기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기 ; 모르폴린-1-일기 ; 피페라진-1-일기 ; 할로겐 원자 ; 니트로기 ; 시아노기를 들 수 있다. 페닐기 또는 카르바졸릴기가 갖는 치환기에 포함되는 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우, 그 치환기의 수는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1 ∼ 4 가 바람직하다. 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가, 복수의 치환기를 갖는 경우, 복수의 치환기는, 동일해도 되고 상이해도 된다.In R d2 , examples of the substituent when the phenyl group, the naphthyl group, and the heterocyclyl group included in the substituent group of the phenyl group or carbazolyl group further have a substituent include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; A saturated aliphatic acyl group having 2 to 7 carbon atoms; An alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms; A saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms; Phenyl group; Naphthyl group; Benzoyl group; Naphthoyl group; A benzoyl group substituted by a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a morpholine-1-yl group, a piperazin-1-yl group, and a phenyl group; Monoalkylamino groups having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; A dialkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; Morpholine-1-yl group; Piperazine-1-diary; Halogen atom; Nitro group; And cyano groups. When the phenyl group, the naphthyl group, and the heterocyclyl group included in the substituent having the phenyl group or carbazolyl group further have a substituent, the number of the substituents is not limited within a range that does not impair the object of the present invention, but is 1 to 4 is preferred. When a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group have a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different.

Rd2 중에서는, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 이 감도가 우수한 점에서, 하기 식 (3) 또는 (4) 로 나타내는 기가 바람직하고, 하기 식 (3) 으로 나타내는 기가 보다 바람직하며, 하기 식 (3) 으로 나타내는 기이고, A 가 S 인 기가 특히 바람직하다.In R d2 , since the negative radiation sensitive composition 1 is excellent in sensitivity, a group represented by the following formula (3) or (4) is preferable, a group represented by the following formula (3) is more preferable, and the following formula (3) ) And a group in which A is S is particularly preferred.

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112017119436310-pat00017
Figure 112017119436310-pat00017

(Rd4 는, 1 가의 유기기, 아미노기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 기이고, A 는 S 또는 O 이고, k 는, 0 ∼ 4 의 정수이다.)(R d4 is a group selected from the group consisting of monovalent organic groups, amino groups, halogen atoms, nitro groups, and cyano groups, A is S or O, and k is an integer from 0 to 4.)

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112017119436310-pat00018
Figure 112017119436310-pat00018

(Rd5 및 Rd6 은, 1 가의 유기기이고, 동일해도 되고 상이해도 된다.)(R d5 and R d6 are monovalent organic groups, and may be the same or different.)

식 (3) 에 있어서의 Rd4 가 유기기인 경우, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 여러 가지 유기기에서 선택할 수 있다. 식 (3) 에 있어서 Rd4 가 유기기인 경우의 바람직한 예로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 알콕시카르보닐기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실옥시기 ; 페닐기 ; 나프틸기 ; 벤조일기 ; 나프토일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 모노알킬아미노기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기 ; 모르폴린-1-일기 ; 피페라진-1-일기 ; 할로겐 원자 ; 니트로기 ; 시아노기를 들 수 있다.When R d4 in Formula (3) is an organic group, it can be selected from various organic groups within a range that does not impair the object of the present invention. In Formula (3), a preferable example when R d4 is an organic group includes an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; A saturated aliphatic acyl group having 2 to 7 carbon atoms; An alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms; A saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms; Phenyl group; Naphthyl group; Benzoyl group; Naphthoyl group; A benzoyl group substituted by a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a morpholine-1-yl group, a piperazin-1-yl group, and a phenyl group; Monoalkylamino groups having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; A dialkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; Morpholine-1-yl group; Piperazine-1-diary; Halogen atom; Nitro group; And cyano groups.

Rd4 중에서는, 벤조일기 ; 나프토일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기 ; 니트로기가 바람직하고, 벤조일기 ; 나프토일기 ; 2-메틸페닐카르보닐기 ; 4-(피페라진-1-일)페닐카르보닐기 ; 4-(페닐)페닐카르보닐기가 보다 바람직하다.In R d4 , a benzoyl group; Naphthoyl group; A benzoyl group substituted by a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a morpholine-1-yl group, a piperazin-1-yl group, and a phenyl group; Nitro group is preferable, Benzoyl group; Naphthoyl group; 2-methylphenylcarbonyl group; 4-(piperazin-1-yl)phenylcarbonyl group; 4-(phenyl)phenylcarbonyl group is more preferable.

또, 식 (3) 에 있어서, k 는, 0 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 0 ∼ 2 의 정수가 보다 바람직하며, 0 또는 1 인 것이 특히 바람직하다. k 가 1 인 경우, Rd4 의 결합하는 위치는, Rd4 가 결합하는 페닐기가 원자 A 와 결합하는 결합손에 대해, 파라 위치인 것이 바람직하다.Moreover, in Formula (3), k is preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, and particularly preferably 0 or 1. when k is 1, the binding position of R d4 are, for binding hand is a phenyl group which is bonded to R d4 combined with the atoms A, preferably in the para position.

식 (4) 에 있어서의 Rd5 는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 여러 가지 유기기에서 선택할 수 있다. Rd5 의 바람직한 예로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알킬기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 20 의 알콕시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 11 ∼ 20 의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 및 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기 등을 들 수 있다.R d5 in Formula (4) can be selected from various organic groups within a range that does not impair the object of the present invention. Preferred examples of R d5 include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, a saturated aliphatic acyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, a phenyl group which may have a substituent, and a substituent. A benzoyl group, a phenoxycarbonyl group which may have a substituent, a phenylalkyl group having 7 to 20 carbons which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, a naphthoyl group which may have a substituent, and a naph which may have a substituent And a alkoxycarbonyl group, a naphthylalkyl group having 11 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a heterocyclyl group which may have a substituent, and a heterocyclylcarbonyl group which may have a substituent.

Rd5 중에서는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 보다 바람직하며, 에틸기가 특히 바람직하다.In R d5 , an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and an ethyl group is particularly preferable.

식 (4) 에 있어서의 Rd6 은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, 여러 가지 유기기에서 선택할 수 있다. Rd6 으로서 바람직한 기의 구체예로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 및 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기를 들 수 있다. Rd6 으로서, 이들 기 중에서는 치환기를 가져도 되는 페닐기가 보다 바람직하고, 2-메틸페닐기가 특히 바람직하다.R d6 in Formula (4) is not particularly limited within a range that does not impair the object of the present invention, and can be selected from various organic groups. Specific examples of the group preferable as R d6 include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, and a heterocyclyl group which may have a substituent. As R d6 , among these groups, a phenyl group which may have a substituent is more preferable, and a 2-methylphenyl group is particularly preferable.

Rd4, Rd5, 또는 Rd6 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우의 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 7 의 알콕시카르보닐기, 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실옥시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 모노알킬아미노기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기 등을 들 수 있다. Rd4, Rd5, 또는 Rd6 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우, 그 치환기의 수는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1 ∼ 4 가 바람직하다. Rd4, Rd5, 또는 Rd6 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가, 복수의 치환기를 갖는 경우, 복수의 치환기는, 동일해도 되고 상이해도 된다.As a substituent in the case where the phenyl group, naphthyl group, and heterocyclyl group included in R d4 , R d5 , or R d6 further has a substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or carbon number 2 to 7 saturated aliphatic acyl groups, 2 to 7 alkoxycarbonyl groups, 2 to 7 saturated aliphatic acyloxy groups, a monoalkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a dialkyl having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms And amino groups, morpholine-1-yl groups, piperazin-1-yl groups, halogen atoms, nitro groups, and cyano groups. When a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group included in R d4 , R d5 , or R d6 further has a substituent, the number of the substituents is not limited to the extent that does not impair the object of the present invention, 1-4 are preferable. When a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group contained in R d4 , R d5 , or R d6 have a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different.

식 (2) 에 있어서의 Rd3 은, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기이다. Rd3 으로는, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다. Rd3 이 메틸기인 경우, 식 (2) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 광 중합 개시제는, 특히 감도가 우수하다.R d3 in Formula (2) is a hydrogen atom or a C1-C6 alkyl group. As R d3 , a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is more preferable. When R d3 is a methyl group, the photopolymerization initiator composed of the compound represented by formula (2) is particularly excellent in sensitivity.

식 (2) 로 나타내는 옥심에스테르 화합물은, j 가 0 인 경우, 예를 들어 하기 스킴 1 에 따라 합성할 수 있다. 구체적으로는, 하기 식 (d1-1) 로 나타내는 방향족 화합물을, 하기 식 (d1-2) 로 나타내는 할로카르보닐 화합물을 사용하여, 프리델 크래프츠 반응에 의해 아실화해, 하기 식 (d1-3) 으로 나타내는 케톤 화합물을 얻고, 얻어진 케톤 화합물 (d1-3) 을, 하이드록실아민에 의해 옥심화해 하기 식 (d1-4) 로 나타내는 옥심 화합물을 얻고, 이어서 식 (d1-4) 의 옥심 화합물과, 하기 식 (d1-5) 로 나타내는 산 무수물 ((Rd3CO)2O), 또는 하기 식 (d1-6) 으로 나타내는 산 할라이드 (Rd3COHal, Hal 은 할로겐 원자.) 를 반응시켜, 하기 식 (d1-7) 로 나타내는 옥심에스테르 화합물을 얻을 수 있다. 또한, 하기 식 (d1-2) 에 있어서, Hal 은 할로겐 원자이고, 하기 식 (d1-1), (d1-2), (d1-3), (d1-4), 및 (d1-7) 에 있어서, Rd1, Rd2, Rd3, 및 i 는, 식 (2) 와 동일하다.When the j is 0, the oxime ester compound represented by the formula (2) can be synthesized according to the following scheme 1, for example. Specifically, the aromatic compound represented by the following formula (d1-1) is acylated by a Friedel Crafts reaction using the halocarbonyl compound represented by the following formula (d1-2), and the following formula (d1-3) The ketone compound represented by is obtained, and the obtained ketone compound (d1-3) is oxidized with hydroxylamine to obtain an oxime compound represented by the following formula (d1-4), followed by an oxime compound of formula (d1-4), The acid anhydride represented by the following formula (d1-5) ((R d3 CO) 2 O) or the acid halide represented by the following formula (d1-6) (R d3 COHal, Hal is a halogen atom.) The oxime ester compound represented by (d1-7) can be obtained. In addition, in the following formula (d1-2), Hal is a halogen atom, and the following formulas (d1-1), (d1-2), (d1-3), (d1-4), and (d1-7) In, R d1 , R d2 , R d3 , and i are the same as formula (2).

<스킴 1><Scheme 1>

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112017119436310-pat00019
Figure 112017119436310-pat00019

식 (2) 로 나타내는 옥심에스테르 화합물은, j 가 1 인 경우, 예를 들어 하기 스킴 2 에 따라 합성할 수 있다. 구체적으로는, 하기 식 (d2-1) 로 나타내는 케톤 화합물에, 염산의 존재하에 하기 식 (d2-2) 로 나타내는 아질산에스테르 (RONO, R 은 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기.) 를 반응시켜, 하기 식 (d2-3) 으로 나타내는 케톡심 화합물을 얻고, 이어서 하기 식 (d2-3) 으로 나타내는 케톡심 화합물과, 하기 식 (d2-4) 로 나타내는 산 무수물 ((Rd3CO)2O), 또는 하기 식 (d2-5) 로 나타내는 산 할라이드 (Rd3COHal, Hal 은 할로겐 원자.) 를 반응시켜, 하기 식 (d2-6) 으로 나타내는 옥심에스테르 화합물을 얻을 수 있다. 또한, 하기 식 (d2-1), (d2-3), (d2-4), (d2-5), 및 (d2-6) 에 있어서, Rd1, Rd2, Rd3, 및 i 는, 식 (2) 와 동일하다.When j is 1, the oxime ester compound represented by Formula (2) can be synthesized according to the following scheme 2, for example. Specifically, the ketone compound represented by the following formula (d2-1) is reacted with a nitrite ester represented by the following formula (d2-2) in the presence of hydrochloric acid (RONO, R is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.) A ketoxime compound represented by the formula (d2-3) is obtained, followed by a ketoxime compound represented by the following formula (d2-3) and an acid anhydride represented by the following formula (d2-4) ((R d3 CO) 2 O), Alternatively, an acid halide represented by the following formula (d2-5) (R d3 COHal, Hal is a halogen atom.) can be reacted to obtain an oxime ester compound represented by the following formula (d2-6). In addition, in the following formulas (d2-1), (d2-3), (d2-4), (d2-5), and (d2-6), R d1 , R d2 , R d3 , and i are It is the same as Formula (2).

<스킴 2><Scheme 2>

[화학식 20]
[Formula 20]

Figure 112017119436310-pat00020
Figure 112017119436310-pat00020

또, 식 (2) 로 나타내는 옥심에스테르 화합물은, j 가 1 이고, Rd1 이 메틸기이고, Rd1 이 결합하는 벤젠 고리에 결합하는 메틸기에 대해, Rd1 이 파라 위치에 결합하는 경우, 예를 들어 하기 식 (d2-7) 로 나타내는 화합물을, 스킴 1 과 동일한 방법으로, 옥심화 및 아실화함으로써 합성할 수도 있다. 또한, 하기 식 (d2-7) 에 있어서, Rd2 는, 식 (2) 와 동일하다.Moreover, in the oxime ester compound represented by Formula (2), when j is 1, R d1 is a methyl group, and R d1 is bonded to the para position with respect to a methyl group bound to the benzene ring to which R d1 is bound, for example For example, the compound represented by the following formula (d2-7) can also be synthesized by the same method as Scheme 1 by oximeization and acylation. In addition, in following formula (d2-7), R d2 is the same as Formula (2).

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112017119436310-pat00021
Figure 112017119436310-pat00021

식 (2) 로 나타내는 옥심에스테르 화합물 중에서도 특히 바람직한 화합물로는, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.Among the oxime ester compounds represented by the formula (2), compounds of the following formulas are particularly preferred.

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112017119436310-pat00022
Figure 112017119436310-pat00022

옥심계 광 중합 개시제의 바람직한 또 다른 예로는, 「IRGACURE OXE01」(상품명, BASF 제조) 을 들 수 있다.Another preferable example of the oxime-based photopolymerization initiator is "IRGACURE OXE01" (trade name, manufactured by BASF).

광 중합 개시제의 함유량은, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 고형분에 대해 0.3 ∼ 20 질량% 인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 15 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 충분한 내열성, 내약품성을 얻을 수 있고, 또 도막 형성능을 향상시켜, 경화 불량을 억제할 수 있다.It is preferable that content of a photoinitiator is 0.3-20 mass% with respect to the solid content of negative radiation sensitive composition 1, and it is more preferable that it is 0.5-15 mass %. By setting it as the said range, sufficient heat resistance and chemical-resistance can be obtained and the coating film forming ability can be improved and hardening defect can be suppressed.

[착색제][coloring agent]

네거티브형 감방사선성 조성물 1 은, 착색제를 함유해도 된다. 네거티브형 감방사선성 조성물 1 은, 착색제를 함유함으로써, 예를 들어 액정 표시 디스플레이의 컬러 필터 형성용으로 바람직하게 사용된다. 또, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 은, 착색제로서 차광제를 포함함으로써, 예를 들어 컬러 필터에 있어서의 블랙 매트릭스 형성용이나, 블랙 포토 스페이서 형성용으로 바람직하게 사용된다. 착색제는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The negative radiation sensitive composition 1 may contain a colorant. By containing a coloring agent, the negative radiation sensitive composition 1 is preferably used, for example, for forming a color filter of a liquid crystal display. Moreover, the negative radiation sensitive composition 1 is preferably used for forming a black matrix in a color filter or forming a black photo spacer, for example, by including a light blocking agent as a colorant. Coloring agents can be used alone or in combination of two or more.

착색제로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 컬러 인덱스 (C. I. ; The Society of Dyers and Colourists 사 발행) 에 있어서 피그먼트 (Pigment) 로 분류되어 있는 화합물, 구체적으로는 하기와 같은 컬러 인덱스 (C. I.) 번호가 붙어 있는 것을 사용하는 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a coloring agent, For example, the compound classified as a pigment in a color index (CI; issued by The Society of Dyers and Colourists), specifically the following color index (CI) It is desirable to use numbered ones.

C. I. 피그먼트 옐로우 1 (이하, 「C. I. 피그먼트 옐로우」는 동일하고, 번호만을 기재한다.), 3, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 20, 24, 31, 53, 55, 60, 61, 65, 71, 73, 74, 81, 83, 86, 93, 95, 97, 98, 99, 100, 101, 104, 106, 108, 109, 110, 113, 114, 116, 117, 119, 120, 125, 126, 127, 128, 129, 137, 138, 139, 147, 148, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 166, 167, 168, 175, 180, 185 ;CI Pigment Yellow 1 (hereinafter, "CI Pigment Yellow" is the same and only the number is described.), 3, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 20, 24, 31, 53, 55 , 60, 61, 65, 71, 73, 74, 81, 83, 86, 93, 95, 97, 98, 99, 100, 101, 104, 106, 108, 109, 110, 113, 114, 116, 117 , 119, 120, 125, 126, 127, 128, 129, 137, 138, 139, 147, 148, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 166, 167, 168, 175, 180, 185 ;

C. I. 피그먼트 오렌지 1 (이하, 「C. I. 피그먼트 오렌지」는 동일하고, 번호만을 기재한다.), 5, 13, 14, 16, 17, 24, 34, 36, 38, 40, 43, 46, 49, 51, 55, 59, 61, 63, 64, 71, 73 ;CI Pigment Orange 1 (hereinafter, "CI Pigment Orange" is the same and only the number is described.), 5, 13, 14, 16, 17, 24, 34, 36, 38, 40, 43, 46, 49 , 51, 55, 59, 61, 63, 64, 71, 73;

C. I. 피그먼트 바이올렛 1 (이하, 「C. I. 피그먼트 바이올렛」은 동일하고, 번호만을 기재한다.), 19, 23, 29, 30, 32, 36, 37, 38, 39, 40, 50 ;C. I. Pigment Violet 1 (hereinafter, "C. I. Pigment Violet is the same and only the number is described."), 19, 23, 29, 30, 32, 36, 37, 38, 39, 40, 50;

C. I. 피그먼트 레드 1 (이하, 「C. I. 피그먼트 레드」는 동일하고, 번호만을 기재한다.), 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 21, 22, 23, 30, 31, 32, 37, 38, 40, 41, 42, 48 : 1, 48 : 2, 48 : 3, 48 : 4, 49 : 1, 49 : 2, 50 : 1, 52 : 1, 53 : 1, 57, 57 : 1, 57 : 2, 58 : 2, 58 : 4, 60 : 1, 63 : 1, 63 : 2, 64 : 1, 81 : 1, 83, 88, 90 : 1, 97, 101, 102, 104, 105, 106, 108, 112, 113, 114, 122, 123, 144, 146, 149, 150, 151, 155, 166, 168, 170, 171, 172, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 185, 187, 188, 190, 192, 193, 194, 202, 206, 207, 208, 209, 215, 216, 217, 220, 223, 224, 226, 227, 228, 240, 242, 243, 245, 254, 255, 264, 265 ;CI Pigment Red 1 (hereinafter, "CI Pigment Red" is the same and only the number is described.), 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 14, 15 , 16, 17, 18, 19, 21, 22, 23, 30, 31, 32, 37, 38, 40, 41, 42, 48: 1, 48: 2, 48: 3, 48: 4, 49: 1 , 49: 2, 50: 1, 52: 1, 53: 1, 57, 57: 1, 57: 2, 58: 2, 58: 4, 60: 1, 63: 1, 63: 2, 64: 1 , 81: 1, 83, 88, 90: 1, 97, 101, 102, 104, 105, 106, 108, 112, 113, 114, 122, 123, 144, 146, 149, 150, 151, 155, 166 , 168, 170, 171, 172, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 185, 187, 188, 190, 192, 193, 194, 202, 206, 207, 208, 209, 215, 216 , 217, 220, 223, 224, 226, 227, 228, 240, 242, 243, 245, 254, 255, 264, 265;

C. I. 피그먼트 블루 1 (이하, 「C. I. 피그먼트 블루」는 동일하고, 번호만을 기재한다.), 2, 15, 15 : 3, 15 : 4, 15 : 6, 16, 22, 60, 64, 66 ;CI Pigment Blue 1 (Hereinafter, "CI Pigment Blue" is the same and only the number is described.), 2, 15, 15: 3, 15: 4, 15: 6, 16, 22, 60, 64, 66 ;

C. I. 피그먼트 그린 7, C. I. 피그먼트 그린 36, C. I. 피그먼트 그린 37 ;C. I. Pigment Green 7, C. I. Pigment Green 36, C. I. Pigment Green 37;

C. I. 피그먼트 브라운 23, C. I. 피그먼트 브라운 25, C. I. 피그먼트 브라운 26, C. I. 피그먼트 브라운 28 ;C. I. Pigment Brown 23, C. I. Pigment Brown 25, C. I. Pigment Brown 26, C. I. Pigment Brown 28;

C. I. 피그먼트 블랙 1, C. I. 피그먼트 블랙 7.C. I. Pigment Black 1, C. I. Pigment Black 7.

또, 착색제를 차광제로 하는 경우, 차광제로는 흑색 안료를 사용하는 것이 바람직하다. 흑색 안료로는, 카본 블랙, 티탄 블랙, 구리, 철, 망간, 코발트, 크롬, 니켈, 아연, 칼슘, 은 등의 금속 산화물, 복합 산화물, 금속 황화물, 금속 황산염, 금속 탄산염 등, 유기물, 무기물을 불문하고 각종 안료를 들 수 있다. 이들 중에서도, 높은 차광성을 갖는 카본 블랙을 사용하는 것이 바람직하다.Moreover, when using a coloring agent as a light-shielding agent, it is preferable to use a black pigment as a light-shielding agent. Examples of the black pigment include organic oxides, inorganic substances such as metal oxides, complex oxides, metal sulfides, metal sulfates, and metal carbonates such as carbon black, titanium black, copper, iron, manganese, cobalt, chromium, nickel, zinc, calcium, and silver. Various pigments can be mentioned. Among these, it is preferable to use carbon black having high light-shielding properties.

카본 블랙으로는, 채널 블랙, 퍼니스 블랙, 서멀 블랙, 램프 블랙 등의 공지된 카본 블랙을 사용할 수 있지만, 차광성이 우수한 채널 블랙을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 수지 피복 카본 블랙을 사용해도 된다.As the carbon black, known carbon blacks such as channel black, furnace black, thermal black, and lamp black can be used, but it is preferable to use channel black having excellent light shielding properties. Moreover, you may use resin-coated carbon black.

수지 피복 카본 블랙은, 수지 피복이 없는 카본 블랙에 비해 도전성이 낮으므로, 액정 표시 디스플레이의 블랙 매트릭스로서 사용한 경우에 전류의 리크가 적고, 신뢰성이 높은 저소비 전력의 디스플레이를 제조할 수 있다.Since the resin-coated carbon black has a lower conductivity than the carbon black without the resin coating, when used as a black matrix for a liquid crystal display display, it is possible to manufacture a low power consumption display with low current leakage and high reliability.

또, 카본 블랙의 색조를 조정하기 위해서, 보조 안료로서 상기 유기 안료를 적절히 첨가해도 된다.Moreover, in order to adjust the color tone of carbon black, you may add the said organic pigment suitably as an auxiliary pigment.

또, 착색제로서 안료를 사용하는 경우, 안료와 염료를 병용해도 된다. 안료와 병용 가능한 염료로는, 크산텐계 염료, 시아닌계 염료, 아조계 염료, 안트라퀴논계 염료, 디옥사진계 염료, 트리페닐메탄계 염료 등을 들 수 있다.Moreover, when using a pigment as a coloring agent, you may use a pigment and dye together. Examples of dyes that can be used in combination with the pigment include xanthene dyes, cyanine dyes, azo dyes, anthraquinone dyes, dioxazine dyes, and triphenylmethane dyes.

또, 착색제를 감방사선성 수지 조성물에 있어서 균일하게 분산시키기 위해서, 추가로 분산제를 사용해도 된다. 이와 같은 분산제로는, 폴리에틸렌이민계, 우레탄 수지계, 아크릴 수지계의 고분자 분산제를 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 착색제로서 카본 블랙을 사용하는 경우에는, 분산제로서 아크릴 수지계의 분산제를 사용하는 것이 바람직하다.Moreover, in order to disperse|distribute a coloring agent uniformly in a radiation sensitive resin composition, you may use a dispersing agent further. As such a dispersant, it is preferable to use a polyethyleneimine-based, urethane resin-based, or acrylic resin-based polymer dispersant. In particular, when carbon black is used as the colorant, it is preferable to use an acrylic resin-based dispersant as the dispersant.

또, 무기 안료 및 유기 안료는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 병용해도 되지만, 병용하는 경우에는, 무기 안료와 유기 안료의 총량 100 질량부에 대해, 유기 안료를 10 ∼ 80 질량부의 범위에서 사용하는 것이 바람직하고, 20 ∼ 40 질량부의 범위에서 사용하는 것이 보다 바람직하다.In addition, the inorganic pigments and the organic pigments may be used alone or in combination, but when used in combination, the organic pigment is used in a range of 10 to 80 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total amount of the inorganic pigment and the organic pigment. It is preferable, and it is more preferable to use it in the range of 20-40 mass parts.

착색제의 함유량은, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 고형분에 대해, 5 ∼ 90 질량% 가 바람직하고, 10 ∼ 80 질량% 가 보다 바람직하다.The content of the colorant is preferably 5 to 90% by mass, more preferably 10 to 80% by mass, with respect to the solid content of the negative radiation sensitive composition 1.

[기타 유기 용제 (일반식 (1) 로 나타내는 화합물 이외의 유기 용제)][Other organic solvents (organic solvents other than the compound represented by the general formula (1))]

네거티브형 감방사선성 조성물 1 은, 기타 유기 용제를 함유해도 된다. 기타 유기 용제는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 기타 유기 용제로는, 예를 들어 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류 ; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류 ; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라하이드로푸란 등의 다른 에테르류 ; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논 등의 케톤류 ; 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸 등의 락트산알킬에스테르류 ; 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산이소부틸, 포름산 n-펜틸, 아세트산이소펜틸, 프로피온산 n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산 n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산 n-부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산 n-프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-옥소부탄산에틸 등의 다른 에스테르류 ; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류 등을 들 수 있다.The negative radiation sensitive composition 1 may contain other organic solvents. Other organic solvents may be used alone or in combination of two or more. As other organic solvents, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl Ether, diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol Mono-n-propyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, (Poly)alkylene glycol monoalkyl ethers such as tripropylene glycol monomethyl ether and tripropylene glycol monoethyl ether; (Poly)alkylene such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, etc. Glycol monoalkyl ether acetates; Other ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and tetrahydrofuran; Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone and 3-heptanone; Alkyl lactates such as methyl 2-hydroxypropionate and ethyl 2-hydroxypropionate; 2-hydroxy-2-methylpropionate ethyl, 3-methoxypropionate methyl, 3-methoxypropionate ethyl, 3-ethoxypropionate methyl, 3-ethoxypropionate ethyl, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, 2 -Hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-acetic acid Butyl, isobutyl acetate, n-pentyl formate, isopentyl acetate, n-butyl propionate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, n-propyl pyruvate, acetoacetic acid Other esters such as methyl, ethyl acetoacetate, and ethyl 2-oxobutanoate; And aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene.

네거티브형 감방사선성 조성물 1 에 있어서, 용제의 함유량은, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 의 고형분 농도가 1 ∼ 50 질량% 가 되는 양이 바람직하고, 5 ∼ 30 질량% 가 되는 양이 보다 바람직하다. 또, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 에 포함되는 용제에 있어서, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 기타 유기 용제의 질량비는, 5 : 95 ∼ 100 : 0 인 것이 바람직하고, 20 : 80 ∼ 100 : 0 인 것이 보다 바람직하다. 용제의 함유량 및 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 기타 유기 용제의 질량비를 상기 범위로 함으로써, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 은, 감도, 보존 안정성, 도포성, 현상성, 및 안전성이 우수한 것이 되기 쉽고, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 을 노광 및 현상함으로써 형성되는 패턴은, 이물의 발생이 억제된 것이 되기 쉽다.In the negative radiation-sensitive composition 1, the amount of the solvent is preferably an amount such that the solid content concentration of the negative radiation-sensitive composition 1 is 1 to 50% by mass, and more preferably 5 to 30% by mass. . Moreover, in the solvent contained in the negative radiation sensitive composition 1, it is preferable that the mass ratio of the compound represented by the said general formula (1) and other organic solvents is 5:95-100:0, and 20:80-100 : 0 is more preferable. By setting the content of the solvent and the mass ratio of the compound represented by the general formula (1) to other organic solvents in the above range, the negative radiation sensitive composition 1 is excellent in sensitivity, storage stability, coatability, developability, and safety. It is easy to become, and the pattern formed by exposing and developing the negative radiation sensitive composition 1 is likely to be suppressed from the occurrence of foreign matter.

[기타 성분][Other ingredients]

네거티브형 감방사선성 조성물 1 은, 필요에 따라, 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 첨가제로는, 증감제, 경화 촉진제, 충전제, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 응집 방지제, 열중합 금지제, 소포제, 계면활성제 등을 들 수 있다.The negative radiation sensitive composition 1 may contain various additives as needed. Examples of the additives include sensitizers, curing accelerators, fillers, adhesion promoters, antioxidants, agglomeration inhibitors, thermal polymerization inhibitors, antifoaming agents, surfactants, and the like.

<네거티브형 감방사선성 조성물 2><Negative radiation-sensitive composition 2>

네거티브형 감방사선성 조성물 2 는, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 폴리아믹산과, 감광성 성분을 함유하는 감방사선성 폴리이미드 전구체 조성물이다.The negative-type radiation-sensitive composition 2 is a radiation-sensitive polyimide precursor composition containing the compound represented by the general formula (1), a polyamic acid, and a photosensitive component.

[일반식 (1) 로 나타내는 화합물][Compound represented by general formula (1)]

일반식 (1) 로 나타내는 화합물로는, 감방사선성 조성물의 일반적인 설명에 있어서 예시한 것을 사용할 수 있다. 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.As the compound represented by the general formula (1), those exemplified in the general description of the radiation-sensitive composition can be used. The compounds represented by the general formula (1) can be used alone or in combination of two or more.

[폴리아믹산][Polyamic acid]

본 발명에 있어서, 폴리아믹산은, 테트라카르복실산 2 무수물 및 디아민을 반응시켜 얻어지는 것이면, 특별히 한정되지 않고, 종래부터 폴리이미드 수지의 전구체로서 알려져 있는 폴리아믹산으로부터 적절히 선택된다. 폴리아믹산은 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합해 사용할 수 있다.
In the present invention, the polyamic acid is not particularly limited as long as it is obtained by reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine, and is appropriately selected from polyamic acids conventionally known as precursors for polyimide resins. The polyamic acid may be used alone or in combination of two or more.

바람직한 폴리아믹산으로는, 예를 들어 하기 식 (11) 로 나타내는 폴리아믹산을 들 수 있다.As a preferable polyamic acid, the polyamic acid represented by following formula (11) is mentioned, for example.

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112017119436310-pat00023
Figure 112017119436310-pat00023

(식 중, R1A 는 4 가의 유기기이고, R2A 는 2 가의 유기기이며, n 은 괄호 내에 나타내는 구성 단위의 반복수이다.)(In the formula, R 1A is a tetravalent organic group, R 2A is a divalent organic group, and n is a repeating number of structural units shown in parentheses.)

식 (11) 중, R1A 는 4 가의 유기기이고, R2A 는 2 가의 유기기이며, 이들 유기기의 탄소수는 2 ∼ 50 이 바람직하고, 2 ∼ 30 이 보다 바람직하다. R1A 및 R2A 는, 각각 지방족기여도 되고, 방향족기여도 되고, 이들 구조를 조합한 기여도 된다. R1A 및 R2A 는, 탄소 원자, 및 수소 원자 외에, 할로겐 원자, 산소 원자, 및 황 원자를 포함하고 있어도 된다. R1A 및 R2A 가 산소 원자, 질소 원자, 또는 황 원자를 포함하는 경우, 산소 원자, 질소 원자, 또는 황 원자는, 함질소 복소 고리기, -CONH-, -NH-, -N=N-, -CH=N-, -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S- 에서 선택되는 기로서, R1A 및 R2A 에 포함되어도 되고, -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S- 에서 선택되는 기로서, R1A 및 R2A 에 포함되는 것이 보다 바람직하다.In Formula (11), R 1A is a tetravalent organic group, R 2A is a divalent organic group, and the carbon number of these organic groups is preferably 2 to 50, and more preferably 2 to 30. R 1A and R 2A may each be an aliphatic group, an aromatic group, or a combination of these structures. R 1A and R 2A may contain a halogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom in addition to the carbon atom and the hydrogen atom. When R 1A and R 2A contain an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom, the oxygen atom, nitrogen atom, or sulfur atom is a nitrogen-containing heterocyclic group, -CONH-, -NH-, -N=N- , -CH=N-, -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO 2 -, a group selected from -S-, and -SS-, even if included in R 1A and R 2A And, as a group selected from -O-, -CO-, -SO-, -SO 2 -, -S-, and -SS-, more preferably included in R 1A and R 2A .

상기 식 (11) 로 나타내는 폴리아믹산을 가열이나 촉매에 의해 폐환시킴으로써, 하기 식 (12) 로 나타내는 폴리이미드 수지가 얻어진다.The polyimide resin represented by the following formula (12) is obtained by closing the polyamic acid represented by the above formula (11) by heating or a catalyst.

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112017119436310-pat00024
Figure 112017119436310-pat00024

(식 중, R1A 및 R2A 는 식 (11) 과 동의이고, n 은 괄호 내에 나타내는 구성 단위의 반복수이다.)(In the formula, R 1A and R 2A are synonymous with formula (11), and n is the number of repetitions of the structural units shown in parentheses.)

상기 식 (11) 로 나타내는 폴리아믹산은, 용제 중에서, 테트라카르복실산 2 무수물과, 디아민을 반응시킴으로써 얻어진다. 폴리아믹산의 합성 원료가 되는 테트라카르복실산 2 무수물, 및 디아민은, 산 무수물기와 아미노기의 반응에 의해 폴리아믹산을 형성 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다.The polyamic acid represented by the formula (11) is obtained by reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine in a solvent. The tetracarboxylic dianhydride and the diamine, which are synthetic raw materials for the polyamic acid, are not particularly limited as long as they can form a polyamic acid by reaction of an acid anhydride group with an amino group.

폴리아믹산을 합성할 때의, 테트라카르복실산 2 무수물 및 디아민의 사용량은 특별히 한정되지 않지만, 테트라카르복실산 2 무수물 1 몰에 대해, 디아민을 0.50 ∼ 1.50 몰 사용하는 것이 바람직하고, 0.60 ∼ 1.30 몰 사용하는 것이 보다 바람직하며, 0.70 ∼ 1.20 몰 사용하는 것이 특히 바람직하다.The amount of tetracarboxylic dianhydride and diamine used in synthesizing the polyamic acid is not particularly limited, but it is preferable to use 0.50 to 1.50 moles of diamine per 1 mole of tetracarboxylic dianhydride, and 0.60 to 1.30 It is more preferable to use moles, and it is particularly preferable to use 0.70 to 1.20 moles.

테트라카르복실산 2 무수물은, 종래부터 폴리아믹산의 합성 원료로서 사용되고 있는 테트라카르복실산 2 무수물로부터 적절히 선택할 수 있다. 테트라카르복실산 2 무수물은, 방향족 테트라카르복실산 2 무수물이어도 되고, 지방족 테트라카르복실산 2 무수물이어도 되지만, 얻어지는 폴리이미드 수지의 내열성의 점에서, 방향족 테트라카르복실산 2 무수물이 바람직하다. 테트라카르복실산 2 무수물은, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The tetracarboxylic dianhydride can be appropriately selected from tetracarboxylic dianhydride conventionally used as a synthetic raw material for polyamic acid. The tetracarboxylic dianhydride may be an aromatic tetracarboxylic dianhydride or an aliphatic tetracarboxylic dianhydride, but from the viewpoint of heat resistance of the resulting polyimide resin, an aromatic tetracarboxylic dianhydride is preferred. You may use tetracarboxylic dianhydride in combination of 2 or more type.

방향족 테트라카르복실산 2 무수물의 바람직한 구체예로는, 피로멜리트산 2 무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 4,4'-옥시디프탈산 2 무수물, 및 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2 무수물 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 가격, 입수 용이성 등으로부터, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 및 피로멜리트산 2 무수물이 바람직하다.As a preferable specific example of aromatic tetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3',4'-ratio Phenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic acid 2 anhydride, and 3,3',4,4'-di And phenyl sulfone tetracarboxylic acid anhydride. Among these, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and pyromellitic dianhydride are preferable from the price, availability, and the like.

또한, 폴리아믹산을 합성할 때에, 테트라카르복실산 2 무수물과 디카르복실산 무수물을 병용해도 된다. 이들 카르복실산 무수물을 병용하면, 얻어지는 폴리이미드 수지의 특성이 더 양호해지는 경우가 있다. 디카르복실산 무수물로는, 예를 들어 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 무수 테트라하이드로프탈산, 무수 헥사하이드로프탈산, 무수 메틸엔도메틸렌테트라하이드로프탈산, 무수 클로렌드산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 무수 글루타르산, cis-4-시클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물 등을 들 수 있다.Moreover, when synthesize|combining a polyamic acid, you may use together tetracarboxylic dianhydride and dicarboxylic anhydride. When these carboxylic anhydrides are used in combination, the properties of the resulting polyimide resin may be better. Examples of the dicarboxylic acid anhydride include maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylendomethylene anhydride tetrahydrophthalic anhydride, chlorendic anhydride, methyltetra Hydrophthalic anhydride, glutaric anhydride, cis-4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, and the like.

디아민은, 종래부터 폴리아믹산의 합성 원료로서 사용되고 있는 디아민으로부터 적절히 선택할 수 있다. 디아민은, 방향족 디아민이어도 되고, 지방족 디아민이어도 되지만, 얻어지는 폴리이미드 수지의 내열성의 점에서, 방향족 디아민이 바람직하다. 디아민은, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The diamine can be appropriately selected from diamines conventionally used as a synthetic raw material for polyamic acids. The diamine may be an aromatic diamine or an aliphatic diamine, but from the viewpoint of heat resistance of the resulting polyimide resin, an aromatic diamine is preferred. Diamine may be used in combination of 2 or more type.

방향족 디아민의 바람직한 구체예로는, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, 4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1, 3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌, 및 4,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸에탄-1,1-디일)]디아닐린 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 가격, 입수 용이성 등으로부터, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, 및 4,4'-디아미노디페닐에테르가 바람직하다.Preferred specific examples of the aromatic diamine include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diamino-2,2 '-Bis(trifluoromethyl)biphenyl, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4' -Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 1,4-bis(4-aminophenoxy City)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[ 4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2 -Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-amino-3-methylphenyl)fluorene, And 4,4'-[1,4-phenylenebis(1-methylethane-1,1-diyl)]dianiline. Among these, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, and 4,4'-diaminodiphenyl ether are preferable from the price, ease of availability, and the like.

테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 반응은, 통상, 유기 용제 중에서 실시된다. 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 반응에 사용되는 유기 용제는, 테트라카르복실산 및 디아민을 용해시킬 수 있고, 테트라카르복실산 2 무수물 및 디아민과 반응하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 유기 용제는 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합해 사용할 수 있다.The reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine is usually carried out in an organic solvent. The organic solvent used for the reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine is not particularly limited as long as it can dissolve tetracarboxylic acid and diamine and does not react with tetracarboxylic dianhydride and diamine. Organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 반응에 사용하는 유기 용제의 예로는, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제 ; β-프로피오락톤, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, 및 ε-카프로락톤 등의 락톤계 극성 용제 ; 디메틸술폭사이드 ; 아세토니트릴 ; 락트산에틸, 및 락트산부틸 등의 지방산 에스테르류 ; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디옥산, 테트라하이드로푸란, 메틸셀로솔브아세테이트, 및 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에테르류를 들 수 있다.Examples of the organic solvent used for the reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine include N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide and N,N- Nitrogen-containing polar solvents such as dimethylformamide, N,N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, and N,N,N',N'-tetramethylurea; lactone-based polar solvents such as β-propiolactone, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, and ε-caprolactone; Dimethyl sulfoxide; Acetonitrile; Fatty acid esters such as ethyl lactate and butyl lactate; And ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dioxane, tetrahydrofuran, methyl cellosolve acetate, and ethyl cellosolve acetate.

이들 유기 용제 중에서는, 생성되는 폴리아믹산이나 폴리이미드 수지의 용해성으로부터, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제가 바람직하다.
Among these organic solvents, from the solubility of the resulting polyamic acid or polyimide resin, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethyl Preference is given to nitrogen-containing polar solvents such as formamide, N,N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, and N,N,N',N'-tetramethylurea.

[감광성 성분][Photosensitive component]

감광성 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 광염기 발생제, 광산 발생제 등의, 광의 작용에 의해 분해되어 염기 및 산 중 적어도 일방을 발생하는 화합물 (A) 를 들 수 있다. 감광성 성분은 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합해 사용할 수 있다.The photosensitive component is not particularly limited, and examples thereof include compounds (A) that decompose under the action of light, such as photobase generators and photoacid generators, to generate at least one of a base and an acid. The photosensitive components may be used alone or in combination of two or more.

화합물 (A) 를 함유하는 네거티브형 감방사선성 조성물 2 를 노광함으로써, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 중의 화합물 (A) 는 분해되고, 염기 및 산 중 적어도 일방을 발생한다. 이와 같이 하여 발생한 염기 또는 산은, 이미드화 촉매로서 작용해, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 중의 폴리아믹산의 폐환을 촉진한다.By exposing the negative-type radiation-sensitive composition 2 containing the compound (A), the compound (A) in the negative-type radiation-sensitive composition 2 decomposes and generates at least one of a base and an acid. The base or acid generated in this way acts as an imidization catalyst, and promotes ring closure of the polyamic acid in the negative radiation sensitive composition 2.

화합물 (A) 를 함유하는 네거티브형 감방사선성 조성물 2 를 노광하면, 노광부에 있어서 화합물 (A) 가 분해되어 염기 및 산 중 적어도 일방을 발생한다. 이와 같이 하여 발생한 염기 또는 산에 의해, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 중의 폴리아믹산의 폐환이 촉진되고, 노광부는 현상액에 대해 불용이 된다. 한편, 미노광부는, 현상액에 대해 가용이기 때문에, 현상액에 용해시켜 제거할 수 있다. 따라서, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 를 선택적으로 노광함으로써, 원하는 패턴을 형성할 수 있다.When the negative radiation sensitive composition 2 containing the compound (A) is exposed, the compound (A) decomposes in the exposed portion to generate at least one of a base and an acid. The base or acid generated in this way promotes ring closure of the polyamic acid in the negative radiation sensitive composition 2, and the exposed portion becomes insoluble in the developer. On the other hand, since the unexposed portion is soluble in the developer, it can be dissolved and removed in the developer. Therefore, a desired pattern can be formed by selectively exposing the negative radiation sensitive composition 2.

화합물 (A) 로는, 예를 들어 광의 작용에 의해 분해되어 이미다졸 화합물을 발생하는 화합물 (A-1) 이나, 옥심 화합물 (A-2) 를 들 수 있다. 이하, 화합물 (A-1) 및 (A-2) 에 대해 설명한다.Examples of the compound (A) include a compound (A-1) that is decomposed by the action of light to generate an imidazole compound, and an oxime compound (A-2). Hereinafter, compounds (A-1) and (A-2) will be described.

(광의 작용에 의해 분해되어 이미다졸 화합물을 발생하는 화합물 (A-1))(Compound (A-1) that is decomposed by the action of light to generate an imidazole compound)

화합물 (A-1) 이 발생하는 이미다졸 화합물은, 염기성의 이미드화 촉매로서, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 중의 폴리아믹산의 폐환을 촉진한다. 화합물 (A-1) 이 발생하는 이미다졸 화합물은, 이미다졸이어도 되고, 이미다졸 중의 탄소 원자에 결합한 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 화합물이어도 되고, 하기 식 (3) 으로 나타내는 이미다졸 화합물인 것이 바람직하다.The imidazole compound in which the compound (A-1) is generated is a basic imidization catalyst, and promotes ring closure of the polyamic acid in the negative radiation sensitive composition 2. The imidazole compound in which the compound (A-1) occurs may be an imidazole, or a compound in which part or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms in the imidazole are substituted with substituents, and imidazole represented by the following formula (3) It is preferred to be a compound.

[화학식 25][Formula 25]

Figure 112017119436310-pat00025
Figure 112017119436310-pat00025

(식 중, R1, R2, 및 R3 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술파이드기, 실릴기, 실란올기, 니트로기, 니트로소기, 술포나토기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포나토기, 또는 유기기를 나타낸다.)(In the formula, R 1 , R 2 , and R 3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, a sulfonato group, It represents a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphonato group, or an organic group.)

R1, R2, 또는 R3 에 의해 나타내는 유기기로는, 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 아르알킬기 등을 들 수 있다. 이 유기기는, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이라도 된다. 이 유기기는, 통상은 1 가이지만, 고리형 구조를 형성하는 경우 등에는, 2 가 이상이 될 수 있다.Examples of the organic group represented by R 1 , R 2 , or R 3 include an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group, and an aralkyl group. This organic group may contain a hetero atom. Moreover, this organic group may be either linear, branched, or cyclic. The organic group is usually monovalent, but may be bivalent or higher in the case of forming a cyclic structure.

R1 및 R2 는, 그것들이 결합해 고리형 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. 고리형 구조로는, 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있고, 축합 고리여도 된다.R 1 and R 2 may be bonded to form a cyclic structure, or may contain a bond of a hetero atom. A heterocycloalkyl group, heteroaryl group, etc. are mentioned as a cyclic structure, and a condensed ring may be sufficient.

R1, R2, 또는 R3 에 의해 나타내는 유기기가 헤테로 원자를 포함하는 경우, 그 헤테로 원자로는, 예를 들어 산소 원자, 질소 원자, 규소 원자를 들 수 있다. 헤테로 원자를 포함하는 결합의 구체예로는, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합 (-N=C(-R)- 또는 -C(=NR)- (단, R 은 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다). 이하, 동일하다), 카보네이트 결합, 술포닐 결합, 술피닐 결합, 아조 결합 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이미다졸 화합물의 내열성의 관점에서, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합, 카보네이트 결합, 술포닐 결합, 술피닐 결합이 바람직하다.When the organic group represented by R 1 , R 2 , or R 3 contains a hetero atom, examples of the hetero atom include an oxygen atom, a nitrogen atom, and a silicon atom. As a specific example of the bond containing a hetero atom, ether bond, thioether bond, carbonyl bond, thiocarbonyl bond, ester bond, amide bond, urethane bond, imino bond (-N=C(-R)- Or -C(=NR)- (wherein R represents a hydrogen atom or an organic group). Hereinafter, it is the same), a carbonate bond, a sulfonyl bond, a sulfinyl bond, an azo bond, and the like. Among them, from the viewpoint of heat resistance of the imidazole compound, ether bond, thioether bond, carbonyl bond, thiocarbonyl bond, ester bond, amide bond, urethane bond, imino bond, carbonate bond, sulfonyl bond, sulfinyl Bonding is preferred.

R1, R2, 또는 R3 에 의해 나타내는, 유기기 이외의 기에 포함되는 수소 원자는, 탄화수소기에 의해 치환되어 있어도 된다. 이 탄화수소기는, 직사슬형, 분기사슬형, 및 고리형 중 어느 것이라도 된다.The hydrogen atom contained in groups other than the organic group represented by R 1 , R 2 , or R 3 may be substituted with a hydrocarbon group. The hydrocarbon group may be any of a straight chain, branched chain, and cyclic.

R1, R2, 및 R3 으로는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 12 의 아릴기, 탄소수 1 ∼ 12 의 알콕시기, 및 할로겐 원자가 바람직하고, 수소 원자가 보다 바람직하다. R1, R2, 및 R3 이 모두 수소 원자인 이미다졸은, 입체적인 장애가 적은 단순한 구조이기 때문에, 이미드화 촉매로서 폴리아믹산에 용이하게 작용할 수 있다.As R 1 , R 2 , and R 3 , each independently, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and a halogen atom are preferable, and the hydrogen atom is more preferable. desirable. Since imidazole, wherein R 1 , R 2 , and R 3 are all hydrogen atoms, has a simple structure with little steric hindrance, it can easily act on the polyamic acid as an imidization catalyst.

화합물 (A-1) 은, 광의 작용에 의해 분해되어 이미다졸 화합물, 바람직하게는 상기 식 (3) 으로 나타내는 이미다졸 화합물을 발생시킬 수 있는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 종래부터 감광성 조성물에 배합되고 있는, 광의 작용에 의해 아민을 발생하는 화합물에 대해, 노광 시에 발생하는 아민에서 유래하는 골격을, 이미다졸 화합물, 바람직하게는 상기 식 (3) 으로 나타내는 이미다졸 화합물에서 유래하는 골격으로 치환함으로써, 화합물 (A-1) 로서 사용되는 화합물이 얻어진다.The compound (A-1) is not particularly limited as long as it is a compound capable of decomposing by the action of light to generate an imidazole compound, preferably an imidazole compound represented by the formula (3). For a compound that has been conventionally blended with a photosensitive composition and generates amine by the action of light, a skeleton derived from an amine generated during exposure is an imidazole compound, preferably an imidazole compound represented by the formula (3) above The compound used as compound (A-1) is obtained by substituting with a skeleton derived from.

바람직한 화합물 (A-1) 로는, 하기 식 (4) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a preferable compound (A-1), the compound represented by following formula (4) is mentioned.

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112017119436310-pat00026
Figure 112017119436310-pat00026

(식 중, R1, R2, 및 R3 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술파이드기, 실릴기, 실란올기, 니트로기, 니트로소기, 포스피노기, 술포나토기, 포스피닐기, 포스포나토기, 또는 유기기를 나타낸다. R4 및 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술파이드기, 실릴기, 실란올기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포나토기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기, 또는 유기기를 나타낸다. R6, R7, R8, R9, 및 R10 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술파이드기, 실릴기, 실란올기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포나토기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기, 아미노기, 암모니오기, 또는 유기기를 나타낸다. R6, R7, R8, R9, 및 R10 은, 그들의 2 개 이상이 결합해 고리형 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다.)(In the formula, R 1 , R 2 , and R 3 are each independently hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, phosphino group, Represents a sulfonato group, a phosphinyl group, a phosphonato group, or an organic group R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, and a nitro Represents a group, a nitroso group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonato group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, or an organic group R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , and R 10 is independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonato group, a phosphino group, It represents a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, an amino group, an ammonio group, or an organic group.R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , and R 10 combine two or more of them to form a cyclic structure. It may be formed, or may contain a bond of a hetero atom.)

식 (4) 에 있어서, R1, R2, 및 R3 은, 식 (3) 에 대해 설명한 것과 동일하다.In Formula (4), R 1 , R 2 , and R 3 are the same as those described for Formula (3).

식 (4) 에 있어서, R4 또는 R5 에 의해 나타내는 유기기로는, R1, R2, 및 R3 에 대해 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는, R1, R2, 및 R3 의 경우와 마찬가지로, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이라도 된다.In Formula (4), what was illustrated about R 1 , R 2 , and R 3 is mentioned as an organic group represented by R 4 or R 5 . The organic group may contain a hetero atom, as in the case of R 1 , R 2 , and R 3 . Moreover, this organic group may be either linear, branched, or cyclic.

R4 및 R5 로는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, 탄소수 4 ∼ 13 의 시클로알킬기, 탄소수 4 ∼ 13 의 시클로알케닐기, 탄소수 7 ∼ 16 의 아릴옥시알킬기, 탄소수 7 ∼ 20 의 아르알킬기, 시아노기를 갖는 탄소수 2 ∼ 11 의 알킬기, 수산기를 갖는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 10 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 11 의 아미드기, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬티오기, 탄소수 1 ∼ 10 의 아실기, 탄소수 2 ∼ 11 의 에스테르기 (-COOR 또는 -OCOR (단, R 은 탄화수소기를 나타낸다.)), 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기, 전자 공여성 기 및/또는 전자 흡인성 기가 치환된 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기, 전자 공여성 기 및/또는 전자 흡인성 기가 치환된 벤질기, 시아노기, 메틸티오기인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, R4 및 R5 양방이 수소 원자이거나, 또는 R4 가 메틸기이고, R5 가 수소 원자이다.R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms, a cycloalkenyl group having 4 to 13 carbon atoms, an aryloxyalkyl group having 7 to 16 carbon atoms, or 7 to 20 carbon atoms. Aralkyl group, a C2-C11 alkyl group having a cyano group, a C1-C10 alkyl group having a hydroxyl group, a C1-C10 alkoxy group, a C2-C11 amide group, a C1-C10 alkylthio group, An acyl group having 1 to 10 carbon atoms, an ester group having 2 to 11 carbon atoms (-COOR or -OCOR (where R represents a hydrocarbon group)), an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an electron donating group and/or electron withdrawing It is preferable that the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with an adult group, a benzyl group substituted with an electron donating group and/or an electron withdrawing group, a cyano group, or a methylthio group. More preferably, both R 4 and R 5 are hydrogen atoms, or R 4 is a methyl group and R 5 is a hydrogen atom.

식 (4) 에 있어서, R6, R7, R8, R9, 또는 R10 에 의해 나타내는 유기기로는, R1, R2, 및 R3 에 있어서 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는, R1 및 R2 의 경우와 마찬가지로, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이라도 된다.In Formula (4), examples of R 1 , R 2 , and R 3 include organic groups represented by R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , or R 10 . This organic group may contain a hetero atom as in the case of R 1 and R 2 . Moreover, this organic group may be either linear, branched, or cyclic.

R6, R7, R8, R9, 및 R10 은, 그들의 2 개 이상이 결합해 고리형 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. 고리형 구조로는, 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있고, 축합 고리여도 된다. 예를 들어, R6, R7, R8, R9, 및 R10 은, 그들의 2 개 이상이 결합해, R6, R7, R8, R9, 및 R10 이 결합하고 있는 벤젠 고리의 원자를 공유해 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합 고리를 형성해도 된다.In R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , and R 10 , two or more of them may combine to form a cyclic structure, or may contain a bond of a hetero atom. A heterocycloalkyl group, heteroaryl group, etc. are mentioned as a cyclic structure, and a condensed ring may be sufficient. For example, R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , and R 10 are two or more of them, and a benzene ring to which R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , and R 10 is bonded You may share the atom of and form a condensed ring, such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, and indene.

R6, R7, R8, R9, 및 R10 으로는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, 탄소수 4 ∼ 13 의 시클로알킬기, 탄소수 4 ∼ 13 의 시클로알케닐기, 탄소수 7 ∼ 16 의 아릴옥시알킬기, 탄소수 7 ∼ 20 의 아르알킬기, 시아노기를 갖는 탄소수 2 ∼ 11 의 알킬기, 수산기를 갖는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 10 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 11 의 아미드기, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬티오기, 탄소수 1 ∼ 10 의 아실기, 탄소수 2 ∼ 11 의 에스테르기, 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기, 전자 공여성 기 및/또는 전자 흡인성 기가 치환된 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기, 전자 공여성 기 및/또는 전자 흡인성 기가 치환된 벤질기, 시아노기, 메틸티오기, 니트로기인 것이 바람직하다.R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , and R 10 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms, a cycloalkenyl group having 4 to 13 carbon atoms, or 7 carbon atoms. Aryloxyalkyl group having 16 to 16, aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, alkyl group having 2 to 11 carbon atoms having cyano group, alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having hydroxyl group, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, amide having 2 to 11 carbon atoms Group, an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, an ester group having 2 to 11 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, 6 carbon atoms substituted with electron donating groups and/or electron withdrawing groups It is preferable that it is a benzyl group, a cyano group, a methylthio group, a nitro group substituted with the aryl group of 20-20, an electron donating group, and/or an electron withdrawing group.

또, R6, R7, R8, R9, 및 R10 으로는, 그들의 2 개 이상이 결합해, R6, R7, R8, R9, 및 R10 이 결합하고 있는 벤젠 고리의 원자를 공유해 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합 고리를 형성하고 있는 경우도, 흡수 파장이 장파장화하는 점에서 바람직하다.Moreover, as R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , and R 10 , two or more of them are bonded, and R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , and R 10 of the benzene ring When an atom is shared to form a condensed ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, and indene, it is preferable from the viewpoint of long wavelength absorption.

상기 식 (4) 로 나타내는 화합물 중에서는, 하기 식 (5) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.Among the compounds represented by the formula (4), compounds represented by the following formula (5) are preferred.

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112017119436310-pat00027
Figure 112017119436310-pat00027

(식 중, R1, R2, 및 R3 은, 식 (3) 및 (4) 와 동의이다. R4 ∼ R9 는 식 (4) 와 동의이다. R11 은, 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. R6 및 R7 이 수산기가 되는 경우는 없다. R6, R7, R8, 및 R9 는, 그들의 2 개 이상이 결합해 고리형 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다.)(In the formula, R 1 , R 2 , and R 3 are synonymous with formulas (3) and (4). R 4 to R 9 are synonymous with formula (4). R 11 is a hydrogen atom or an organic group.) There is no case where R 6 and R 7 are hydroxyl groups R 6 , R 7 , R 8 , and R 9 may have two or more of them bonded to form a cyclic structure, or to form a hetero atom bond. You may include it.)

식 (5) 로 나타내는 화합물은, 치환기 -O-R11 을 가지므로, 유기 용제에 대한 용해성이 우수하다.Since the compound represented by formula (5) has a substituent -OR 11 , it is excellent in solubility in an organic solvent.

식 (5) 에 있어서, R11 이 유기기인 경우, 그 유기기로는, R1, R2, 및 R3 에 있어서 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이라도 된다. R11 로는, 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다.In Formula (5), when R 11 is an organic group, those exemplified for R 1 , R 2 , and R 3 are mentioned as the organic group. This organic group may contain a hetero atom. Moreover, this organic group may be either linear, branched, or cyclic. As R 11 , a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is preferable, and a methyl group is more preferable.

바람직한 화합물 (A-1) 로는, 하기 식 (6) 으로 나타내는 화합물도 들 수 있다.As a preferable compound (A-1), the compound represented by following formula (6) is also mentioned.

[화학식 28][Formula 28]

Figure 112017119436310-pat00028
Figure 112017119436310-pat00028

(식 중, R1, R2, 및 R3 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술파이드기, 실릴기, 실란올기, 니트로기, 니트로소기, 포스피노기, 술포나토기, 포스피닐기, 포스포나토기, 또는 유기기를 나타낸다. R12 는, 치환되어 있어도 되는 탄화수소기를 나타낸다.)(In the formula, R 1 , R 2 , and R 3 are each independently hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, phosphino group, It represents a sulfonato group, a phosphinyl group, a phosphonato group, or an organic group. R 12 represents a hydrocarbon group which may be substituted.)

식 (6) 에 있어서, R1, R2, 및 R3 은, 식 (3) 에 대해 설명한 것과 동일하다.In Formula (6), R 1 , R 2 , and R 3 are the same as those described for Formula (3).

식 (6) 에 있어서, R12 로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 20 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 20 의 알키닐기, 치환되어 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기, 치환되어 있어도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 아르알킬기를 들 수 있고, 치환되어 있어도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 아르알킬기가 바람직하다. 상기 아릴기 또는 아르알킬기가 치환되어 있는 경우, 치환기로는, 할로겐 원자, 니트로기, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기를 들 수 있다.
In Formula (6), as R 12 , an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted, which may be substituted An aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms is mentioned, and an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may be substituted is preferable. When the said aryl group or aralkyl group is substituted, a halogen atom, a nitro group, a C1-C4 alkyl group, or a C1-C4 alkoxy group is mentioned as a substituent.

식 (6) 으로 나타내는 화합물은, 식 (3) 으로 나타내는 이미다졸 화합물과 하기 식 (7) 로 나타내는 클로로포름산에스테르의 반응, 식 (3) 으로 나타내는 이미다졸 화합물과 하기 식 (8) 로 나타내는 디카보네이트의 반응, 또는 하기 식 (9) 로 나타내는 카르보닐디이미다졸 화합물과 하기 식 (10) 으로 나타내는 알코올의 반응에 의해 합성할 수 있다.The compound represented by the formula (6) is a reaction of the imidazole compound represented by the formula (3) and the chloroformate ester represented by the following formula (7), the imidazole compound represented by the formula (3) and the di represented by the following formula (8) It can be synthesized by a reaction of a carbonate or a reaction of a carbonyldiimidazole compound represented by the following formula (9) and an alcohol represented by the following formula (10).

[화학식 29][Formula 29]

Figure 112017119436310-pat00029
Figure 112017119436310-pat00029

(식 (7) ∼ (10) 중, R1, R2, 및 R3 은, 식 (3) 과 동의이다. R12 는 식 (6) 과 동의이다.)(In formulas (7) to (10), R 1 , R 2 , and R 3 are synonymous with formula (3). R 12 is synonymous with formula (6).)

화합물 (A-1) 로서 특히 바람직한 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다. Specific examples of the compound particularly preferable as the compound (A-1) are shown below.

[화학식 30][Formula 30]

Figure 112017119436310-pat00030
Figure 112017119436310-pat00030

(옥심 화합물 (A-2))(Oxime Compound (A-2))

옥심 화합물 (A-2) 는, 광의 작용에 의해 분해되어 염기 및 산 중 적어도 일방을 발생한다. 화합물 (A-2) 가 분해되어 발생한 염기 또는 산에 의해, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 중의 폴리아믹산의 폐환이 촉진된다.The oxime compound (A-2) is decomposed by the action of light to generate at least one of a base and an acid. Closing of the polyamic acid in the negative-type radiation-sensitive composition 2 is promoted by the base or acid generated by the decomposition of the compound (A-2).

바람직한 화합물 (A-2) 로는, 하기 식 (D1) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a preferable compound (A-2), the compound represented by following formula (D1) is mentioned.

[화학식 31][Formula 31]

Figure 112017119436310-pat00031
Figure 112017119436310-pat00031

(식 중, Rd1 은, 치환기를 가져도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 지방족 탄화수소기, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 또는 치환기를 가져도 되는 카르바졸릴기이고, Rd2 는, 탄소수 1 ∼ 10 의 지방족 탄화수소기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기이고, Rd3 은 수소 원자, 또는 -CO-Rd5 로 나타내는 기이고, Rd5 는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기이고, p 는 0 또는 1 이다.)(In the formula, R d1 is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, or a carbazolyl group which may have a substituent, and R d2 is 1 to 10 carbon atoms. Is an aliphatic hydrocarbon group or an aryl group which may have a substituent, R d3 is a hydrogen atom or a group represented by -CO-R d5 , and R d5 has a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituent It may be an aryl group, and p is 0 or 1.)

상기 식 (D1) 중의 Rd1 이 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기인 경우, 치환기를 가져도 되는 아릴기의 예로는, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 안트릴기, 및 치환기를 가져도 되는 페난트레닐기를 들 수 있다. 이들 기 중에서는, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 또는 치환기를 가져도 되는 나프틸기가 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 페닐기가 보다 바람직하다.In the case where R d1 in the formula (D1) is an aryl group which may have a substituent, examples of the aryl group which may have a substituent include a phenyl group which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, or an unsubstituted group. And a phenanthrenyl group which may have a trill group and a substituent. Among these groups, a phenyl group which may have a substituent or a naphthyl group which may have a substituent is preferable, and a phenyl group which may have a substituent is more preferable.

아릴기가 치환기를 갖는 경우, 아릴기에 결합하는 치환기의 수는 특별히 한정되지 않는다. 아릴기가 복수의 치환기를 갖는 경우, 당해 복수의 치환기는, 동일해도 되고 상이해도 된다. 아릴기가 가져도 되는 치환기의 종류는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 치환기의 바람직한 예로는, 유기기, 아미노기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기를 들 수 있다.When the aryl group has a substituent, the number of substituents that are attached to the aryl group is not particularly limited. When the aryl group has a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different. The kind of the substituent which an aryl group may have is not specifically limited in the range which does not inhibit the objective of this invention. Preferred examples of the substituent include an organic group, an amino group, a halogen atom, a nitro group, and a cyano group.

치환기가 유기기인 경우, 당해 유기기의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, 여러 가지 유기기로부터 적절히 선택된다. 유기기의 바람직한 예로는, 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 1, 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기, 및 피페라진-1-일기 등을 들 수 있다. 치환기의 탄소수에는, 치환기가 추가로 갖는 치환기의 탄소수는 포함하지 않는다.When the substituent is an organic group, the type of the organic group is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention and is appropriately selected from various organic groups. Preferred examples of the organic group include alkyl group, alkoxy group, cycloalkyl group, cycloalkoxy group, saturated aliphatic acyl group, alkoxycarbonyl group, saturated aliphatic acyloxy group, phenyl group which may have a substituent, phenoxy group which may have a substituent, and substituent A benzoyl group which may have, a phenoxycarbonyl group which may have a substituent, a benzoyloxy group which may have a substituent, a phenylalkyl group which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, a naphthoxy group which may have a substituent, and a substituent A naphthoyl group which may have, a naphthoxycarbonyl group which may have a substituent, a naphthoyloxy group which may have a substituent, a naphthylalkyl group which may have a substituent, a heterocyclyl group which may have a substituent, 1 or 2 of And an amino group substituted with an organic group, a morpholine-1-yl group, and a piperazin-1-yl group. The carbon number of the substituent which the substituent further has is not included in the carbon number of a substituent.

유기기가 알킬기인 경우, 그 탄소수는 1 ∼ 20 이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하다. 또, 유기기가 알킬기인 경우, 직사슬형이어도 되고, 분기사슬형이어도 된다. 유기기가 알킬기인 경우의 구체예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, n-데실기, 및 이소데실기 등을 들 수 있다. 또, 유기기가 알킬기인 경우, 알킬기는 탄소 사슬 중에 에테르 결합 (-O-) 을 포함하고 있어도 된다. 탄소 사슬 중에 에테르 결합을 갖는 알킬기의 예로는, 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 메톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기, 프로필옥시에톡시에틸기, 및 메톡시프로필기 등을 들 수 있다.When the organic group is an alkyl group, 1 to 20 carbon atoms are preferable, and 1 to 6 carbon atoms are more preferable. Moreover, when an organic group is an alkyl group, it may be linear or branched. Specific examples when the organic group is an alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, and isophene Tyl group, sec-pentyl group, tert-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, isooctyl group, sec-octyl group, tert-octyl group, n-nonyl group, isononyl group, n -Decyl group, and isodecyl group. Moreover, when an organic group is an alkyl group, the alkyl group may contain the ether bond (-O-) in a carbon chain. Examples of the alkyl group having an ether bond in the carbon chain include methoxyethyl group, ethoxyethyl group, methoxyethoxyethyl group, ethoxyethoxyethyl group, propyloxyethoxyethyl group, and methoxypropyl group.

유기기가 알콕시기인 경우, 그 탄소수는 1 ∼ 20 이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하다. 또, 유기기가 알콕시기인 경우, 직사슬형이어도 되고, 분기사슬형이어도 된다. 유기기가 알콕시기인 경우의 구체예로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로필옥시기, 이소프로필옥시기, n-부틸옥시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, tert-부틸옥시기, n-펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, sec-펜틸옥시기, tert-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-헵틸옥시기, n-옥틸옥시기, 이소옥틸옥시기, sec-옥틸옥시기, tert-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, 이소노닐옥시기, n-데실옥시기, 및 이소데실옥시기 등을 들 수 있다. 또, 유기기가 알콕시기인 경우, 알콕시기는 탄소 사슬 중에 에테르 결합 (-O-) 을 포함하고 있어도 된다. 탄소 사슬 중에 에테르 결합을 갖는 알콕시기의 예로는, 메톡시에톡시기, 에톡시에톡시기, 메톡시에톡시에톡시기, 에톡시에톡시에톡시기, 프로필옥시에톡시에톡시기, 및 메톡시프로필옥시기 등을 들 수 있다.When the organic group is an alkoxy group, 1 to 20 carbon atoms are preferable, and 1 to 6 carbon atoms are more preferable. Moreover, when an organic group is an alkoxy group, it may be linear or branched. As a specific example when the organic group is an alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, n-propyloxy group, isopropyloxy group, n-butyloxy group, isobutyloxy group, sec-butyloxy group, tert-butyloxy group , n-pentyloxy group, isopentyloxy group, sec-pentyloxy group, tert-pentyloxy group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, isooctyloxy group, sec-octyloxy Group, tert-octyloxy group, n-nonyloxy group, isononyloxy group, n-decyloxy group, and isodecyloxy group. Moreover, when an organic group is an alkoxy group, the alkoxy group may contain the ether bond (-O-) in a carbon chain. Examples of the alkoxy group having an ether bond in the carbon chain include methoxyethoxy group, ethoxyethoxy group, methoxyethoxyethoxy group, ethoxyethoxyethoxy group, propyloxyethoxyethoxy group, and And methoxypropyloxy groups.

유기기가 시클로알킬기, 또는 시클로알콕시기인 경우, 그 탄소수는 3 ∼ 10 이 바람직하고, 3 ∼ 6 이 보다 바람직하다. 유기기가 시클로알킬기인 경우의 구체예로는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 및 시클로옥틸기 등을 들 수 있다. 유기기가 시클로알콕시기인 경우의 구체예로는, 시클로프로필옥시기, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 시클로헵틸옥시기, 및 시클로옥틸옥시기 등을 들 수 있다.When the organic group is a cycloalkyl group or a cycloalkoxy group, 3 to 10 carbon atoms are preferable, and 3 to 6 carbon atoms are more preferable. Specific examples of the case where the organic group is a cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Specific examples of the case where the organic group is a cycloalkoxy group include a cyclopropyloxy group, a cyclobutyloxy group, a cyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, a cycloheptyloxy group, and a cyclooctyloxy group.

유기기가 포화 지방족 아실기, 또는 포화 지방족 아실옥시기인 경우, 그 탄소수는 2 ∼ 20 이 바람직하고, 2 ∼ 7 이 보다 바람직하다. 유기기가 포화 지방족 아실기인 경우의 구체예로는, 아세틸기, 프로파노일기, n-부타노일기, 2-메틸프로파노일기, n-펜타노일기, 2,2-디메틸프로파노일기, n-헥사노일기, n-헵타노일기, n-옥타노일기, n-노나노일기, n-데카노일기, n-운데카노일기, n-도데카노일기, n-트리데카노일기, n-테트라데카노일기, n-펜타데카노일기, 및 n-헥사데카노일기 등을 들 수 있다. 유기기가 포화 지방족 아실옥시기인 경우의 구체예로는, 아세틸옥시기, 프로파노일옥시기, n-부타노일옥시기, 2-메틸프로파노일옥시기, n-펜타노일옥시기, 2,2-디메틸프로파노일옥시기, n-헥사노일옥시기, n-헵타노일옥시기, n-옥타노일옥시기, n-노나노일옥시기, n-데카노일옥시기, n-운데카노일옥시기, n-도데카노일옥시기, n-트리데카노일옥시기, n-테트라데카노일옥시기, n-펜타데카노일옥시기, 및 n-헥사데카노일옥시기 등을 들 수 있다.When the organic group is a saturated aliphatic acyl group or a saturated aliphatic acyloxy group, the carbon number is preferably 2 to 20, and more preferably 2 to 7. Specific examples of the case where the organic group is a saturated aliphatic acyl group include an acetyl group, propanoyl group, n-butanoyl group, 2-methylpropanoyl group, n-pentanoyl group, 2,2-dimethylpropanoyl group, and n-hexanoyl group , n-heptanoyl group, n-octanoyl group, n-nonanoyl group, n-decanoyl group, n-undecanoyl group, n-dodecanoyl group, n-tridecanoyl group, n-tetradecanoyl group, n -Pentadecanoyl group, n-hexadecanoyl group, etc. are mentioned. Specific examples of the case where the organic group is a saturated aliphatic acyloxy group include acetyloxy group, propanoyloxy group, n-butanoyloxy group, 2-methylpropanoyloxy group, n-pentanoyloxy group, 2,2-dimethylpropano Iloxy group, n-hexanoyloxy group, n-heptanoyloxy group, n-octanoyloxy group, n-nonanoyloxy group, n-decanoyloxy group, n-undecanoyloxy group, n-dodecanoyloxy group, and n-tridecanoyloxy groups, n-tetradecanoyloxy groups, n-pentadecanoyloxy groups, and n-hexadecanoyloxy groups.

유기기가 알콕시카르보닐기인 경우, 그 탄소수는 2 ∼ 20 이 바람직하고, 2 ∼ 7 이 보다 바람직하다. 유기기가 알콕시카르보닐기인 경우의 구체예로는, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, n-프로필옥시카르보닐기, 이소프로필옥시카르보닐기, n-부틸옥시카르보닐기, 이소부틸옥시카르보닐기, sec-부틸옥시카르보닐기, tert-부틸옥시카르보닐기, n-펜틸옥시카르보닐기, 이소펜틸옥시카르보닐기, sec-펜틸옥시카르보닐기, tert-펜틸옥시카르보닐기, n-헥실옥시카르보닐기, n-헵틸옥시카르보닐기, n-옥틸옥시카르보닐기, 이소옥틸옥시카르보닐기, sec-옥틸옥시카르보닐기, tert-옥틸옥시카르보닐기, n-노닐옥시카르보닐기, 이소노닐옥시카르보닐기, n-데실옥시카르보닐기, 및 이소데실옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.When the organic group is an alkoxycarbonyl group, 2 to 20 carbon atoms are preferable, and 2 to 7 carbon atoms are more preferable. Specific examples when the organic group is an alkoxycarbonyl group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propyloxycarbonyl group, isopropyloxycarbonyl group, n-butyloxycarbonyl group, isobutyloxycarbonyl group, sec-butyloxycarbonyl group, tert- Butyloxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, isopentyloxycarbonyl group, sec-pentyloxycarbonyl group, tert-pentyloxycarbonyl group, n-hexyloxycarbonyl group, n-heptyloxycarbonyl group, n-octyloxycarbonyl group, isooctyloxycarbonyl group, and sec-octyloxycarbonyl groups, tert-octyloxycarbonyl groups, n-nonyloxycarbonyl groups, isononyloxycarbonyl groups, n-decyloxycarbonyl groups, and isodecyloxycarbonyl groups.

유기기가 페닐알킬기인 경우, 그 탄소수는 7 ∼ 20 이 바람직하고, 7 ∼ 10 이 보다 바람직하다. 또 유기기가 나프틸알킬기인 경우, 그 탄소수는 11 ∼ 20 이 바람직하고, 11 ∼ 14 가 보다 바람직하다. 유기기가 페닐알킬기인 경우의 구체예로는, 벤질기, 2-페닐에틸기, 3-페닐프로필기, 및 4-페닐부틸기를 들 수 있다. 유기기가 나프틸알킬기인 경우의 구체예로는, α-나프틸메틸기, β-나프틸메틸기, 2-(α-나프틸)에틸기, 및 2-(β-나프틸)에틸기를 들 수 있다. 유기기가 페닐알킬기, 또는 나프틸알킬기인 경우, 유기기는 페닐기, 또는 나프틸기 상에 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.When the organic group is a phenylalkyl group, the carbon number is preferably 7 to 20, and more preferably 7 to 10. Moreover, when an organic group is a naphthyl alkyl group, 11-20 are preferable and its carbon number is more preferable 11-14. Specific examples of the case where the organic group is a phenylalkyl group include a benzyl group, a 2-phenylethyl group, a 3-phenylpropyl group, and a 4-phenylbutyl group. Specific examples of the case where the organic group is a naphthyl alkyl group include α-naphthylmethyl group, β-naphthylmethyl group, 2-(α-naphthyl)ethyl group, and 2-(β-naphthyl)ethyl group. When the organic group is a phenylalkyl group or a naphthylalkyl group, the organic group may further have a substituent on the phenyl group or the naphthyl group.

유기기가 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는, 1 이상의 N, S, O 를 포함하는 5 원자 또는 6 원자의 단고리이거나, 이러한 단고리끼리, 또는 이러한 단고리와 벤젠 고리가 축합한 헤테로시클릴기이다. 헤테로시클릴기가 축합 고리인 경우는, 고리수 3 까지의 것으로 한다. 이러한 헤테로시클릴기를 구성하는 복소 고리로는, 푸란, 티오펜, 피롤, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 티아디아졸, 이소티아졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 벤조푸란, 벤조티오펜, 인돌, 이소인돌, 인돌리진, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 카르바졸, 푸린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 프탈라진, 신놀린, 및 퀴녹살린 등을 들 수 있다. 유기기가 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다.When the organic group is a heterocyclyl group, the heterocyclyl group is a 5-membered or 6-membered monocyclic ring containing one or more N, S, O, or a heterocyclyl group condensed between these monocyclic groups or such a monocyclic ring and a benzene ring. When the heterocyclyl group is a condensed ring, it is assumed to be up to 3 rings. Examples of the heterocycle constituting the heterocyclyl group include furan, thiophene, pyrrole, oxazole, isoxazole, thiazole, thiadiazole, isothiazole, imidazole, pyrazole, triazole, pyridine, pyrazine, Pyrimidine, pyridazine, benzofuran, benzothiophene, indole, isoindole, indolizine, benzoimidazole, benzotriazole, benzoxazole, benzothiazole, carbazole, purine, quinoline, isoquinoline, quinazoline, Phthalazine, synnoline, and quinoxaline. When the organic group is a heterocyclyl group, the heterocyclyl group may further have a substituent.

유기기가, 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기인 경우, 질소 원자에 결합하는 유기기의 바람직한 예는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알킬기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 11 ∼ 20 의 나프틸알킬기, 및 헤테로시클릴기 등을 들 수 있다. 이들 바람직한 유기기의 구체예는, Rd1 이 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우에, 당해 아릴기가 치환기로서 가져도 되는 유기기의 구체예와 동일하다. 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기의 구체예로는, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 에틸아미노기, 디에틸아미노기, n-프로필아미노기, 디-n-프로필아미노기, 이소프로필아미노기, n-부틸아미노기, 디-n-부틸아미노기, n-펜틸아미노기, n-헥실아미노기, n-헵틸아미노기, n-옥틸아미노기, n-노닐아미노기, n-데실아미노기, 페닐아미노기, 나프틸아미노기, 아세틸아미노기, 프로파노일아미노기, n-부타노일아미노기, n-펜타노일아미노기, n-헥사노일아미노기, n-헵타노일아미노기, n-옥타노일아미노기, n-데카노일아미노기, 벤조일아미노기, α-나프토일아미노기, 및 β-나프토일아미노기 등을 들 수 있다.When the organic group is an amino group substituted with an organic group of 1 or 2, preferred examples of the organic group bonded to the nitrogen atom include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, and a saturated aliphatic group having 2 to 20 carbon atoms. Actual group, a phenyl group which may have a substituent, a benzoyl group which may have a substituent, a phenylalkyl group having 7 to 20 carbons which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, a naphthoyl group which may have a substituent, and a substituent And a naphthyl alkyl group having 11 to 20 carbon atoms, a heterocyclyl group, and the like. Specific examples of these preferred organic groups are the same as the specific examples of the organic group in which the aryl group may have a substituent when R d1 is an aryl group which may have a substituent. As a specific example of the amino group substituted with the organic group of 1 or 2, methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, n-propylamino group, di-n-propylamino group, isopropylamino group, n-butylamino group, di -n-butylamino group, n-pentylamino group, n-hexylamino group, n-heptylamino group, n-octylamino group, n-nonylamino group, n-decylamino group, phenylamino group, naphthylamino group, acetylamino group, propanoylamino group , n-butanoylamino group, n-pentanoylamino group, n-hexanoylamino group, n-heptanoylamino group, n-octanoylamino group, n-decanoylamino group, benzoylamino group, α-naphthoylamino group, and β-naph And a soil amino group.

Rd1 이 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우에, 아릴기에 치환기로서 결합하는 유기기에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우의 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 7 의 알콕시카르보닐기, 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실옥시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 모노알킬아미노기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기 등을 들 수 있다.When R d1 is an aryl group which may have a substituent, the phenyl group, the naphthyl group, and the heterocyclyl group included in the organic group bonded as a substituent to the aryl group further include a substituent having 1 to 6 carbon atoms. Monoalkylamino group having an alkyl group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a saturated aliphatic acyl group having 2 to 7 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms, a saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms, or a monoalkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms , Dialkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, morpholine-1-yl group, piperazin-1-yl group, halogen atom, nitro group, and cyano group.

Rd1 이 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우에, 아릴기에 치환기로서 결합하는 유기기에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우, 그 치환기의 수는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1 ∼ 4 가 바람직하다. Rd1 이 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우에, 아릴기에 치환기로서 결합하는 유기기에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가, 복수의 치환기를 갖는 경우, 복수의 치환기는, 동일해도 되고 상이해도 된다.When R d1 is an aryl group which may have a substituent, when the phenyl group, naphthyl group, and heterocyclyl group included in the organic group bonded as a substituent to the aryl group further has a substituent, the number of the substituents of the present invention Although it is not limited in the range which does not impair a purpose, 1-4 are preferable. When R d1 is an aryl group which may have a substituent, when the phenyl group, naphthyl group, and heterocyclyl group included in the organic group bonded as a substituent to the aryl group has a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same It may be different.

Rd1 이 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우에, 아릴기가 갖는 치환기로는, 당해 치환기가 화학적으로 안정적인 점이나, 입체적인 장애가 적어, 식 (D1) 로 나타내는 화합물의 합성이 용이한 점이나, 식 (D1) 로 나타내는 화합물의 용매에 대한 용해성이 높은 점 등으로부터, 니트로기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 및 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기로 이루어지는 군에서 선택되는 기가 바람직하고, 니트로기, 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬이 보다 바람직하며, 니트로기, 또는 메틸기가 특히 바람직하다.In the case where R d1 is an aryl group which may have a substituent, as the substituent possessed by the aryl group, the point in which the substituent is chemically stable, there are few steric hindrances, and the synthesis of the compound represented by formula (D1) is easy. A group selected from the group consisting of a nitro group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and a saturated aliphatic acyl group having 2 to 7 carbon atoms from the viewpoint of high solubility in the solvent of the compound represented by D1) The nitro group or alkyl having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and a nitro group or a methyl group is particularly preferable.

Rd1 이 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우, Rd1 은, 하기 식 (D1-1) 인 것이 바람직하다.When R d1 is an aryl group which may have a substituent, R d1 is preferably the following formula (D1-1).

[화학식 32][Formula 32]

Figure 112017119436310-pat00032
Figure 112017119436310-pat00032

(식 (D1-1) 중, Rd4 는, 유기기, 아미노기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 기이고, q 는 0 ∼ 4 의 정수이다.)(In formula (D1-1), R d4 is a group selected from the group consisting of an organic group, an amino group, a halogen atom, a nitro group, and a cyano group, and q is an integer from 0 to 4.)

Rd4 가 유기기인 경우, 당해 유기기의 바람직한 예는, Rd1 이 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우에, 당해 아릴기가 치환기로서 가져도 되는 유기기의 예와 동일하다.When R d4 is an organic group, a preferable example of the organic group is the same as the example of the organic group that the aryl group may have as a substituent when R d1 is an aryl group which may have a substituent.

Rd4 가 페닐기에 결합하는 위치는, Rd4 가 결합하는 페닐기에 대해, 페닐기와 옥심 화합물의 주골격의 결합손의 위치를 1 위치로 하고, 메틸기의 위치를 2 위치로 하는 경우에, 4 위치, 또는 5 위치가 바람직하고, 5 위치가 보다 바람직하다. 또, q 는, 0 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 0 ∼ 2 의 정수가 보다 바람직하며, 0 또는 1 이 특히 바람직하다.R d4 is a position, R d4 and the binding position of, the position of the coupling hand of the main skeleton of the phenyl group and the oxime compound is the 1-position, and a methyl group on the phenyl group bonded to the phenyl group in the case of a two-position, the 4-position , Or 5 position is preferable, and 5 position is more preferable. Moreover, as for q, the integer of 0-3 is preferable, the integer of 0-2 is more preferable, and 0 or 1 is especially preferable.

상기 식 (D1) 중, Rd1 이 치환기를 가져도 되는 지방족 탄화수소기인 경우, 그 탄소수는 1 ∼ 10 이다. 이 탄소수에는, 치환기의 탄소수는 포함되지 않는다. 당해 지방족 탄화수소기의 탄소수는, 1 ∼ 9 가 바람직하고, 1 ∼ 8 이 보다 바람직하다. 당해 지방족 탄화수소기는, 포화 지방족 탄화수소기여도 되고, 불포화 결합을 갖는 탄화수소기여도 된다. 당해 지방족 탄화수소기의 구조는, 직사슬형이어도 되고, 분기사슬형이어도 되고, 고리형이어도 되고, 이들 구조를 조합한 구조여도 되고, 직사슬형인 것이 바람직하다.In Formula (D1), when R d1 is an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, the number of carbon atoms is 1 to 10. The carbon number of the substituent is not included in this carbon number. 1-9 are preferable and, as for carbon number of the said aliphatic hydrocarbon group, 1-8 are more preferable. The aliphatic hydrocarbon group may be a saturated aliphatic hydrocarbon group or a hydrocarbon group having an unsaturated bond. The structure of the aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched, cyclic, or a combination of these structures, and is preferably linear.

상기 식 (D1) 중, Rd1 이 직사슬형의 지방족 탄화수소기인 경우의 바람직한 예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, 및 n-데실기를 들 수 있다.In the formula (D1), preferred examples when R d1 is a straight-chain aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, and n-hept A til group, an n-octyl group, an n-nonyl group, and an n-decyl group.

Rd1 이 고리형의 지방족 탄화수소기인 경우의 바람직한 예로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기를 들 수 있다.Preferred examples when R d1 is a cyclic aliphatic hydrocarbon group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

Rd1 이 직사슬형의 지방족 탄화수소기와 고리형의 지방족 탄화수소기를 조합한 구조인 경우의 바람직한 예로는, 시클로헥실메틸기, 시클로펜틸메틸기, 2-시클로헥실에틸기, 2-시클로펜틸에틸기, 3-시클로헥실-n-프로필기, 및 3-시클로펜틸-n-프로필기를 들 수 있고, 이들 기 중에서는 2-시클로헥실에틸기, 및 2-시클로펜틸에틸기가 바람직하다.Preferred examples in the case where R d1 is a structure of a combination of a linear aliphatic hydrocarbon group and a cyclic aliphatic hydrocarbon group are cyclohexylmethyl group, cyclopentylmethyl group, 2-cyclohexylethyl group, 2-cyclopentylethyl group, 3-cyclohexyl -n-propyl group and 3-cyclopentyl-n-propyl group are mentioned, and among these groups, 2-cyclohexylethyl group and 2-cyclopentylethyl group are preferable.

Rd1 이 지방족 탄화수소기인 경우에, 당해 지방족 탄화수소기가 가지고 있어도 되는 치환기로는, 수산기, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1 ∼ 10 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬티오기, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 아릴옥시기, 치환기를 가져도 되는 아릴티오기, 탄소수 2 ∼ 10 의 포화 지방족 아실기, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴카르보닐기, 아미노기, 1 또는 2 의 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬로 치환된 아미노기, 및 1 또는 2 의 치환기를 가져도 되는 아릴기로 치환된 아미노기를 들 수 있다. 또한, 이들 치환기의 탄소수는, 지방족 탄화수소기의 탄소수에는 포함되지 않는다.When R d1 is an aliphatic hydrocarbon group, the substituents that the aliphatic hydrocarbon group may have include a hydroxyl group, a halogen atom, a cyano group, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, and a substituent group. An aryl group, an aryloxy group which may have a substituent, an arylthio group which may have a substituent, a saturated aliphatic acyl group having 2 to 10 carbon atoms, an arylcarbonyl group which may have a substituent, an amino group, or 1 to 2 carbon atoms of 1 to 6 carbon atoms. And amino groups substituted with alkyl and aryl groups which may have 1 or 2 substituents. In addition, the carbon number of these substituents is not included in the carbon number of the aliphatic hydrocarbon group.

지방족 탄화수소기가 갖는 치환기가, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 아릴옥시기, 치환기를 가져도 되는 아릴티오기, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴카르보닐기, 및 1 또는 2 의 치환기를 가져도 되는 아릴기로 치환된 아미노기인 경우, 이들 기에 포함되는 아릴기로는, 페닐기, 나프틸기, 안트릴 기, 및 페난트릴기를 들 수 있고, 페닐기, 및 나프틸기가 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다.The substituent having the aliphatic hydrocarbon group may have an aryl group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an arylthio group which may have a substituent, an arylcarbonyl group which may have a substituent, and a substituent of 1 or 2 In the case of an amino group substituted with an aryl group to be used, examples of the aryl group included in these groups include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, and phenanthryl group, preferably phenyl group and naphthyl group, and more preferably phenyl group.

지방족 탄화수소기가 갖는 치환기가, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 아릴옥시기, 치환기를 가져도 되는 아릴티오기, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴카르보닐기, 및 1 또는 2 의 치환기를 가져도 되는 아릴기로 치환된 아미노기인 경우, 이들 기에 포함되는 아릴기가 가져도 되는 치환기로는, 수산기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 및 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기 등을 들 수 있다.The substituent having the aliphatic hydrocarbon group may have an aryl group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an arylthio group which may have a substituent, an arylcarbonyl group which may have a substituent, and a substituent of 1 or 2 In the case of an amino group substituted with an aryl group, as the substituent which the aryl group contained in these groups may have, a hydroxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and carbon number And 2 to 7 saturated aliphatic acyl groups.

Rd1 이 지방족 탄화수소기인 경우에 당해 지방족 탄화수소기가 가지고 있어도 되는 치환기로서 설명한 이상의 치환기의 구체예는, 이상 설명한 탄소수의 범위 내에 있어서, Rd1 이 아릴기인 경우에 당해 아릴기가 가져도 되는 치환기와 동일하다.When R d1 is an aliphatic hydrocarbon group, specific examples of the above-described substituents described as substituents that the aliphatic hydrocarbon group may have are within the range of the carbon number described above, and are the same as the substituents that the aryl group may have when R d1 is an aryl group. .

Rd1 이 치환기를 가져도 되는 카르바졸릴기인 경우, 치환기의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 카르바졸릴기가 탄소 원자 상에 가져도 되는 바람직한 치환기의 예로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20 의 알콕시기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알킬기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알콕시기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 20 의 알콕시카르보닐기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 페닐티오기, 치환기를 가져도 되는 페닐카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프틸카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 11 ∼ 20 의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기, 아미노기, 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기, 및 피페라진-1-일기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기 등을 들 수 있다.When R d1 is a carbazolyl group which may have a substituent, the type of the substituent is not particularly limited within a range that does not impair the object of the present invention. Examples of preferred substituents that the carbazolyl group may have on the carbon atom include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, a cycloalkoxy group having 3 to 10 carbon atoms, and a carbon number. Saturated aliphatic acyl group having 2 to 20, alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 20 carbon atoms, phenyl group which may have a substituent, phenoxy group which may have a substituent, and phenyl thi which may have a substituent Ogi, a phenylcarbonyl group which may have a substituent, a benzoyl group which may have a substituent, a phenoxycarbonyl group which may have a substituent, a benzoyloxy group which may have a substituent, a phenylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a substituent A naphthyl group which may have, a naphthoxy group which may have a substituent, a naphthylcarbonyl group which may have a substituent, a naphthoyl group which may have a substituent, a naphthoxycarbonyl group which may have a substituent, and a naphtho which may have a substituent Iloxy group, a naphthyl alkyl group having 11 to 20 carbon atoms which may have a substituent, heterocyclyl group which may have a substituent, heterocyclylcarbonyl group which may have a substituent, amino group, amino group substituted with an organic group of 1 or 2, morpholine And a -1-yl group, and a piperazin-1-yl group, a halogen atom, a nitro group, and a cyano group.

Rd1 이 치환기를 가져도 되는 카르바졸릴기인 경우, 카르바졸릴기가 질소 원자 상에 가져도 되는 바람직한 치환기의 예로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알킬기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 20 의 알콕시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 11 ∼ 20 의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 및 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기 등을 들 수 있다. 이들 치환기 중에서는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 보다 바람직하며, 에틸기가 특히 바람직하다.When R d1 is a carbazolyl group which may have a substituent, examples of preferred substituents that the carbazolyl group may have on a nitrogen atom include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, and 2 to 20 carbon atoms. Saturated aliphatic acyl group, a C2-20 alkoxycarbonyl group, a phenyl group which may have a substituent, a benzoyl group which may have a substituent, a phenoxycarbonyl group which may have a substituent, or a phenylalkyl group of 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent. , A naphthyl group which may have a substituent, a naphthoyl group which may have a substituent, a naphthoxycarbonyl group which may have a substituent, a naphthylalkyl group having 11 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a heterocyclyl group which may have a substituent, And a heterocyclylcarbonyl group which may have a substituent. Among these substituents, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and an ethyl group is particularly preferable.

카르바졸릴기가 가져도 되는 치환기의 구체예에 대해, 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 및 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기에 관해서는, Rd1 이 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우의, 아릴기가 갖는 치환기의 예와 동일하다.About specific examples of the substituent which the carbazolyl group may have, an alkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkoxy group, a saturated aliphatic acyl group, an alkoxycarbonyl group, a saturated aliphatic acyloxy group, a phenylalkyl group which may have a substituent, and a substituent Regarding the naphthyl alkyl group which may have, the heterocyclyl group which may have a substituent, and the amino group substituted with the organic group of 1 or 2, with the example of the substituent which an aryl group has when R d1 is an aryl group which may have a substituent, same.

Rd1 에 있어서, 카르바졸릴기가 갖는 치환기에 포함되는 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우의 치환기의 예로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 알콕시카르보닐기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실옥시기 ; 페닐기 ; 나프틸기 ; 벤조일기 ; 나프토일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 모노알킬아미노기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기 ; 모르폴린-1-일기 ; 피페라진-1-일기 ; 할로겐 ; 니트로기 ; 시아노기를 들 수 있다. 카르바졸릴기가 갖는 치환기에 포함되는 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우, 그 치환기의 수는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1 ∼ 4 가 바람직하다. 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가, 복수의 치환기를 갖는 경우, 복수의 치환기는, 동일해도 되고 상이해도 된다.In R d1 , examples of the substituent when the phenyl group, naphthyl group, and heterocyclyl group included in the substituent group of the carbazolyl group further have a substituent include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; A saturated aliphatic acyl group having 2 to 7 carbon atoms; An alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms; A saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms; Phenyl group; Naphthyl group; Benzoyl group; Naphthoyl group; A benzoyl group substituted by a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a morpholine-1-yl group, a piperazin-1-yl group, and a phenyl group; Monoalkylamino groups having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; A dialkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; Morpholine-1-yl group; Piperazine-1-diary; Halogen; Nitro group; And cyano groups. When the phenyl group, the naphthyl group, and the heterocyclyl group included in the substituent having the carbazolyl group further have a substituent, the number of the substituents is not limited within a range that does not impair the object of the present invention, but is 1 to 4 desirable. When a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group have a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different.

Rd2 는, 탄소수 1 ∼ 10 의 지방족 탄화수소기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기이다.R d2 is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aryl group which may have a substituent.

Rd2 가 지방족 탄화수소기인 경우, 당해 지방족 탄화수소기의 탄소수는, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 이 보다 바람직하다. 당해 지방족 탄화수소기는, 포화 지방족 탄화수소기여도 되고, 불포화 결합을 갖는 탄화수소기여도 된다. 당해 지방족 탄화수소기의 구조는, 직사슬형이어도 되고, 분기사슬형이어도 되고, 고리형이어도 되고, 이들 구조를 조합한 구조여도 되고, 직사슬형인 것이 바람직하다.When R d2 is an aliphatic hydrocarbon group, 1 to 6 carbon atoms are preferable and 1 is more preferable as the carbon number of the aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be a saturated aliphatic hydrocarbon group or a hydrocarbon group having an unsaturated bond. The structure of the aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched, cyclic, or a combination of these structures, and is preferably linear.

Rd2 가 직사슬형의 지방족 탄화수소기인 경우의 바람직한 예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, 및 n-데실기를 들 수 있다. 이들 중에서는, 메틸기가 특히 바람직하다. Preferred examples when R d2 is a straight-chain aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, and n-nonyl groups and n-decyl groups. Among these, a methyl group is particularly preferable.

Rd2 가 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우의 예로는, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 안트릴기, 및 치환기를 가져도 되는 페난트레닐기를 들 수 있다. 이들 기 중에서는, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 또는 치환기를 가져도 되는 나프틸기가 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 페닐기가 보다 바람직하다.Examples when R d2 is an aryl group which may have a substituent include a phenyl group which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, an anthryl group which may have a substituent, and a phenanthrenyl group which may have a substituent. Can. Among these groups, a phenyl group which may have a substituent or a naphthyl group which may have a substituent is preferable, and a phenyl group which may have a substituent is more preferable.

Rd2 에 있어서, 아릴기가 갖는 치환기는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 아릴기가, 탄소 원자 상에 가져도 되는 바람직한 치환기의 예로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20 의 알콕시기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알킬기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알콕시기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 20 의 알콕시카르보닐기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 페닐티오기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 11 ∼ 20 의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기, 아미노기, 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기, 및 피페라진-1-일기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기 등을 들 수 있다.In R d2 , the substituent group of the aryl group is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. Examples of the preferable substituent which the aryl group may have on a carbon atom include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, a cycloalkoxy group having 3 to 10 carbon atoms, and 2 carbon atoms. Saturated aliphatic acyl group having 20 to 20, alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 20 carbon atoms, phenyl group which may have a substituent, phenoxy group which may have a substituent, phenylthio group which may have a substituent , A benzoyl group which may have a substituent, a phenoxycarbonyl group which may have a substituent, a benzoyloxy group which may have a substituent, a phenylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, and a substituent A naphthoxy group which may have, a naphthoyl group which may have a substituent, a naphthoxycarbonyl group which may have a substituent, a naphthyloxy group which may have a substituent, a naphthylalkyl group having 11 to 20 carbon atoms which may have a substituent, and a substituent A heterocyclyl group which may have, a heterocyclylcarbonyl group which may have a substituent, an amino group, an amino group substituted with an organic group of 1 or 2, a morpholine-1-yl group, and a piperazin-1-yl group, a halogen atom, a nitro group And cyano groups.

아릴기가 가져도 되는 치환기의 구체예에 대해, 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 및 1 또는 2 의 유기기로 치환된 아미노기에 관해서는, Rd1 이 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우에, 아릴기가 가져도 되는 치환기에 대한 예시와 마찬가지이다.
About the specific example of the substituent which an aryl group may have, even if it has an alkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkoxy group, a saturated aliphatic acyl group, an alkoxycarbonyl group, a saturated aliphatic acyloxy group, and a phenyl alkyl group which may have a substituent, a substituent Regarding the naphthyl alkyl group, the heterocyclyl group which may have a substituent, and the amino group substituted with the organic group of 1 or 2, when R d1 is an aryl group which may have a substituent, examples of the substituent which the aryl group may have Same as

Rd2 에 있어서, 아릴기가 갖는 치환기에 포함되는 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우의 치환기의 예로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 알콕시카르보닐기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실옥시기 ; 페닐기 ; 나프틸기 ; 벤조일기 ; 나프토일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 모노알킬아미노기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기 ; 모르폴린-1-일기 ; 피페라진-1-일기 ; 할로겐 원자 ; 니트로기 ; 시아노기를 들 수 있다. 아릴기가 갖는 치환기에 포함되는 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우, 그 치환기의 수는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1 ∼ 4 가 바람직하다. 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가, 복수의 치환기를 갖는 경우, 복수의 치환기는, 동일해도 되고 상이해도 된다.In R d2 , examples of the substituent when the phenyl group, the naphthyl group, and the heterocyclyl group included in the substituent having the aryl group further have a substituent include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; A saturated aliphatic acyl group having 2 to 7 carbon atoms; An alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms; A saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms; Phenyl group; Naphthyl group; Benzoyl group; Naphthoyl group; A benzoyl group substituted by a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a morpholine-1-yl group, a piperazin-1-yl group, and a phenyl group; Monoalkylamino groups having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; A dialkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; Morpholine-1-yl group; Piperazine-1-diary; Halogen atom; Nitro group; And cyano groups. When the phenyl group, the naphthyl group, and the heterocyclyl group included in the substituent having the aryl group further have a substituent, the number of the substituents is not limited within the range not impairing the object of the present invention, but 1 to 4 is preferred. . When a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group have a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different.

식 (D1) 에 있어서의 Rd3 은, 수소 원자, 또는 -CO-Rd5 로 나타내는 기이다. -CO-Rd5 로 나타내는 기에 있어서, Rd5 는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기이다. Rd5 가 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우, 아릴기가 가져도 되는 치환기는, 전술한 Rd1 이 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우에, 당해 아릴기가 가져도 되는 치환기와 동일하다. Rd5 가 치환기를 가져도 되는 아릴기인 경우, 아릴기는 2 이상의 치환기를 가지고 있어도 된다. 이 경우, 아릴기가 갖는 치환기는 동일해도 되고 상이해도 된다. Rd5 로는, 수소 원자, 아세틸기, 프로피오닐기, 및 벤조일기가 바람직하고, 수소 원자, 아세틸기, 및 벤조일기가 보다 바람직하다.R d3 in Formula (D1) is a hydrogen atom or a group represented by -CO-R d5 . In the group represented by -CO-R d5 , R d5 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group which may have a substituent. When R d5 is an aryl group which may have a substituent, the substituent which the aryl group may have is the same as the substituent which the aryl group may have when the aforementioned R d1 is an aryl group which may have a substituent. When R d5 is an aryl group which may have a substituent, the aryl group may have two or more substituents. In this case, the substituents of the aryl group may be the same or different. As R d5 , a hydrogen atom, an acetyl group, a propionyl group, and a benzoyl group are preferable, and a hydrogen atom, an acetyl group, and a benzoyl group are more preferable.

식 (D1) 로 나타내는 화합물로는, 이 화합물의 염기 발생 효율 또는 산 발생 효율의 점에서, 식 (D1) 에 있어서, Rd1 이 치환기를 가져도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 지방족 탄화수소기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기이고, Rd2 가 하기 식 (D1-2) 로 나타내는 기인 화합물, 또는 식 (D1) 에 있어서, Rd1 이 하기 식 (D1-3) 으로 나타내는 기인 화합물이 바람직하고, 착색이 억제되어 투명성이 높은 수지가 얻어지는 점에서, 식 (D1) 에 있어서, Rd1 이 치환기를 가져도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 지방족 탄화수소기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기이고, Rd2 가 하기 식 (D1-2) 로 나타내는 기인 화합물이 보다 바람직하다.As a compound represented by Formula (D1), in terms of the base generating efficiency or acid generating efficiency of this compound, in Formula (D1), an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which R d1 may have a substituent or a substituent It is an aryl group which may have, and a compound in which R d2 is a group represented by the following formula (D1-2) or a compound in which R d1 is a group represented by the following formula (D1-3) in the formula (D1) is preferred, and is colored In view of this suppression and obtaining a highly transparent resin, in formula (D1), R d1 is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent or an aryl group which may have a substituent, and R d2 is The compound represented by the formula (D1-2) is more preferable.

[화학식 33][Formula 33]

Figure 112017119436310-pat00033
Figure 112017119436310-pat00033

(식 (D1-2) 중, Rd6 은, 1 가의 유기기, 아미노기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 기이고, A 는 S 또는 O 이고, r 은, 0 ∼ 4 의 정수이다.)(In formula (D1-2), R d6 is a group selected from the group consisting of monovalent organic groups, amino groups, halogen atoms, nitro groups, and cyano groups, A is S or O, and r is 0 to It is an integer of 4.)

식 (D1-2) 에 있어서의 Rd6 이 유기기인 경우, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 여러 가지 유기기로부터 선택할 수 있다. 식 (D1-2) 에 있어서 Rd6 이 유기기인 경우의 바람직한 예로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 알콕시카르보닐기 ; 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실옥시기 ; 페닐기 ; 나프틸기 ; 벤조일기 ; 나프토일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 모노알킬아미노기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기 ; 모르폴린-1-일기 ; 피페라진-1-일기 ; 할로겐 원자 ; 니트로기 ; 시아노기를 들 수 있다.When R d6 in Formula (D1-2) is an organic group, it can be selected from various organic groups within a range that does not impair the object of the present invention. Preferred examples when R d6 is an organic group in the formula (D1-2) include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; A saturated aliphatic acyl group having 2 to 7 carbon atoms; An alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms; A saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms; Phenyl group; Naphthyl group; Benzoyl group; Naphthoyl group; A benzoyl group substituted by a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a morpholine-1-yl group, a piperazin-1-yl group, and a phenyl group; Monoalkylamino groups having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; A dialkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; Morpholine-1-yl group; Piperazine-1-diary; Halogen atom; Nitro group; And cyano groups.

Rd6 중에서는, 벤조일기 ; 나프토일기 ; 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기 ; 니트로기가 바람직하고, 벤조일기 ; 나프토일기 ; 2-메틸페닐카르보닐기 ; 4-(피페라진-1-일)페닐카르보닐기 ; 4-(페닐)페닐카르보닐기가 보다 바람직하다.In R d6 , a benzoyl group; Naphthoyl group; A benzoyl group substituted by a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a morpholine-1-yl group, a piperazin-1-yl group, and a phenyl group; Nitro group is preferable, Benzoyl group; Naphthoyl group; 2-methylphenylcarbonyl group; 4-(piperazin-1-yl)phenylcarbonyl group; 4-(phenyl)phenylcarbonyl group is more preferable.

또, 식 (D1-2) 에 있어서, r 은, 0 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 0 ∼ 2 의 정수가 보다 바람직하며, 0 또는 1 인 것이 특히 바람직하다. r 이 1 인 경우, Rd6 이 결합하는 위치는, Rd6 이 결합하는 페닐기가 산소 원자 또는 황 원자와 결합하는 결합손에 대해, 파라 위치인 것이 바람직하다.Moreover, in Formula (D1-2), r is preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, and particularly preferably 0 or 1. When r is 1, the binding position R d6 is a phenyl group which is bonded R d6 is preferably a para position relative to the bonding hands binding to the oxygen atom or a sulfur atom.

식 (D1-2) 에 있어서, A 는 S 인 것이 바람직하다.In formula (D1-2), it is preferable that A is S.

Rd6 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우의 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 7 의 알콕시카르보닐기, 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실옥시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 모노알킬아미노기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 할로겐 원자, 니트로기, 및 시아노기 등을 들 수 있다. Rd6 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우, 그 치환기의 수는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1 ∼ 4 가 바람직하다. Rd6 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가, 복수의 치환기를 갖는 경우, 복수의 치환기는, 동일해도 되고 상이해도 된다.As a substituent in the case where the phenyl group, naphthyl group, and heterocyclyl group included in R d6 further has a substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a saturated aliphatic group having 2 to 7 carbon atoms. Actual group, alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms, saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms, monoalkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, dialkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, morpholine-1- And diary, piperazin-1-yl group, halogen atom, nitro group, and cyano group. When a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group included in R d6 further has a substituent, the number of the substituents is not limited within a range that does not impair the object of the present invention, but 1 to 4 is preferred. When phenyl group, naphthyl group, and heterocyclyl group contained in R d6 have a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different.

[화학식 34][Formula 34]

Figure 112017119436310-pat00034
Figure 112017119436310-pat00034

(식 (D1-3) 중, Rd7 및 Rd8 은, 각각 1 가의 유기기이고, s 는 0 또는 1 이다.)(In formula (D1-3), R d7 and R d8 are each a monovalent organic group, and s is 0 or 1.)

식 (12) 에 있어서의 Rd7 은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 여러 가지 유기기에서 선택할 수 있다. Rd7 의 바람직한 예로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알킬기, 탄소수 2 ∼ 20 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 20 의 알콕시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 7 ∼ 20 의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 11 ∼ 20 의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 및 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기 등을 들 수 있다.R d7 in Formula (12) can be selected from various organic groups within a range that does not impair the object of the present invention. Preferred examples of R d7 include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, a saturated aliphatic acyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, a phenyl group which may have a substituent, and a substituent. A benzoyl group, a phenoxycarbonyl group which may have a substituent, a phenylalkyl group having 7 to 20 carbons which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, a naphthoyl group which may have a substituent, and a naph which may have a substituent And a alkoxycarbonyl group, a naphthylalkyl group having 11 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a heterocyclyl group which may have a substituent, and a heterocyclylcarbonyl group which may have a substituent.

Rd7 중에서는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 보다 바람직하며, 에틸기가 특히 바람직하다.In R d7 , an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and an ethyl group is particularly preferable.

식 (12) 에 있어서의 Rd8 은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, 여러 가지 유기기에서 선택할 수 있다. Rd8 로서 바람직한 기의 구체예로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 및 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기를 들 수 있다. Rd8 로서, 이들 기 중에서는 치환기를 가져도 되는 페닐기, 및 치환기를 가져도 되는 나프틸기가 보다 바람직하고, 2-메틸페닐기 및 나프틸기가 특히 바람직하다.R d8 in Formula (12) is not particularly limited within a range that does not impair the object of the present invention, and can be selected from various organic groups. Specific examples of the group preferable as R d8 include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, and a heterocyclyl group which may have a substituent. As R d8 , among these groups, a phenyl group which may have a substituent and a naphthyl group which may have a substituent are more preferable, and a 2-methylphenyl group and a naphthyl group are particularly preferable.

Rd7 또는 Rd8 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우의 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실기, 탄소수 2 ∼ 7 의 알콕시카르보닐 기, 탄소수 2 ∼ 7 의 포화 지방족 아실옥시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 모노알킬아미노기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 디알킬아미노기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 할로겐, 니트로기, 및 시아노기 등을 들 수 있다. Rd7 또는 Rd8 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 갖는 경우, 그 치환기의 수는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1 ∼ 4 가 바람직하다. Rd7 또는 Rd8 에 포함되는, 페닐기, 나프틸기, 및 헤테로시클릴기가, 복수의 치환기를 갖는 경우, 복수의 치환기는, 동일해도 되고 상이해도 된다.As a substituent in the case where the phenyl group, naphthyl group, and heterocyclyl group contained in R d7 or R d8 further has a substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or 2 to 7 carbon atoms A saturated aliphatic acyl group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms, a saturated aliphatic acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms, a monoalkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a dialkylamino group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, Morpholine-1-yl group, piperazin-1-yl group, halogen, nitro group, and cyano group. When a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group included in R d7 or R d8 further has a substituent, the number of the substituents is not limited within a range that does not impair the object of the present invention, but is 1 to 4 desirable. When a phenyl group, a naphthyl group, and a heterocyclyl group contained in R d7 or R d8 have a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different.

식 (D1) 로 나타내는 화합물은, p 가 0 이고, Rd2 가 치환기를 가져도 되는 아릴기이며, Rd3 이 수소 원자인 경우, 예를 들어 하기 스킴 1 에 따라 합성할 수 있다. 구체적으로는, 하기 식 (1-1) 로 나타내는 방향족 화합물을, 하기 식 (1-2) 로 나타내는 할로카르보닐 화합물을 사용하고, 프리델 크래프츠 반응에 의해 아실화해, 하기 식 (1-3) 으로 나타내는 케톤 화합물을 얻고, 얻어진 케톤 화합물 (1-3) 을, 하이드록실아민에 의해 옥심화해 하기 식 (1-4) 로 나타내는 옥심 화합물이 얻어진다. 또한, 하기 식 (1-2) 에 있어서, Hal 은 할로겐 원자이고, 하기 식 (1-1), (1-2), (1-3), 및 (1-4) 에 있어서, Rd1, 및 Rd2 는, 식 (D1) 과 동일하다.The compound represented by formula (D1) can be synthesized according to scheme 1 below, for example, when p is 0, R d2 is an aryl group which may have a substituent, and R d3 is a hydrogen atom. Specifically, the aromatic compound represented by the following formula (1-1) is acylated by a Friedel Crafts reaction using the halocarbonyl compound represented by the following formula (1-2), and the following formula (1-3) The ketone compound represented by is obtained, and the obtained ketone compound (1-3) is oxidized with hydroxylamine to obtain an oxime compound represented by the following formula (1-4). Further, in the following formula (1-2), Hal is a halogen atom, and in the following formulas (1-1), (1-2), (1-3), and (1-4), R d1 , And R d2 is the same as formula (D1).

<스킴 1><Scheme 1>

[화학식 35][Formula 35]

Figure 112017119436310-pat00035
Figure 112017119436310-pat00035

식 (D1) 로 나타내는 화합물은, p 가 0 이고, Rd2 가 치환기를 가져도 되는 아릴기이며, Rd3 이 -CO-Rd5 로 나타내는 기인 경우, 하기 스킴 2 에 따라 합성할 수 있다. 구체적으로는, 상기 스킴 1 에 기재된 방법으로 얻어지는 식 (1-4) 의 옥심 화합물과, 하기 식 (1-5) 로 나타내는 산 무수물 ((Rd5CO)2O), 또는 하기 식 (1-6) 으로 나타내는 산 할라이드 (Rd5COHal, Hal 은 할로겐 원자.) 를 반응시켜, 하기 식 (1-7) 로 나타내는 옥심에스테르 화합물을 얻을 수 있다. 또한, 하기 식 (1-4), (1-5), (1-6), 및 (1-7) 에 있어서, Rd1, Rd2, 및 Rd5 는 식 (1) 과 동일하다.The compound represented by formula (D1) can be synthesized according to the following scheme 2 when p is 0, R d2 is an aryl group which may have a substituent, and R d3 is a group represented by -CO-R d5 . Specifically, the oxime compound of formula (1-4) obtained by the method described in Scheme 1 above, and an acid anhydride represented by the following formula (1-5) ((R d5 CO) 2 O), or the following formula (1- The oxime ester compound represented by the following formula (1-7) can be obtained by reacting the acid halide represented by 6) (R d5 COHal, Hal is a halogen atom.). In addition, in following formula (1-4), (1-5), (1-6), and (1-7), R d1 , R d2 , and R d5 are the same as Formula (1).

<스킴 2><Scheme 2>

[화학식 36][Formula 36]

Figure 112017119436310-pat00036
Figure 112017119436310-pat00036

식 (D1) 로 나타내는 화합물은, p 가 0 이고, Rd2 가 탄소수 1 ∼ 10 의 지방족 탄화수소기이며, Rd3 이 수소 원자인 경우, Rd2-CO-Rd1 로 나타내는 케톤 화합물을, 스킴 1 에 기재된 방법에 따라, 하이드록실아민에 의해 옥심화해, Rd2-C(=N-OH)-Rd1 로 나타내는 화합물로서 얻을 수 있다.The compound represented by the formula (D1) is a ketone compound represented by R d2 -CO-R d1 when p is 0, R d2 is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and R d3 is a hydrogen atom. According to the method described above, it can be oxime-oxidized with hydroxylamine to obtain a compound represented by R d2 -C(=N-OH)-R d1 .

또, 식 (D1) 로 나타내는 화합물은, p 가 0 이고, Rd2 가 탄소수 1 ∼ 10 의 지방족 탄화수소기이며, Rd3 이 -CO-Rd5 로 나타내는 기인 경우, Rd2-C(=N-OH)-Rd1 로 나타내는 옥심 화합물을, 스킴 2 에 기재된 방법에 따라 아실화함으로써, Rd2-C(=N-O-CO-Rd5)-Rd1 로 나타내는 화합물로서 얻을 수 있다.Moreover, when the compound represented by Formula (D1) is p is 0, R d2 is a C1-C10 aliphatic hydrocarbon group, and R d3 is a group represented by -CO-R d5 , R d2 -C(=N- The oxime compound represented by OH)-R d1 can be obtained as a compound represented by R d2 -C(=NO-CO-R d5 )-R d1 by acylating according to the method described in Scheme 2.

식 (D1) 로 나타내는 화합물은, p 가 1 이고, Rd3 이 수소 원자인 경우, 예를 들어 하기 스킴 3 에 따라 합성할 수 있다. 구체적으로는, 하기 식 (2-1) 로 나타내는 케톤 화합물에, 염산의 존재하에 하기 식 (2-2) 로 나타내는 아질산에스테르 (RONO, R 은 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기.) 를 반응시켜, 하기 식 (2-3) 으로 나타내는 케톡심 화합물을 얻고, 이어서 하기 식 (2-3) 으로 나타내는 케톡심 화합물이 얻어진다. 또한, 하기 식 (2-1), 및 (2-3) 에 있어서, Rd1, 및 Rd2 는, 식 (D1) 과 동일하다.When p is 1 and R d3 is a hydrogen atom, the compound represented by formula (D1) can be synthesized according to the following scheme 3, for example. Specifically, the ketone compound represented by the following formula (2-1) is reacted with a nitrite ester represented by the following formula (2-2) in the presence of hydrochloric acid (RONO, R is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.) A ketoxime compound represented by formula (2-3) is obtained, and then a ketoxime compound represented by the following formula (2-3) is obtained. In addition, in following formula (2-1) and (2-3), R d1 and R d2 are the same as Formula (D1).

<스킴 3><Scheme 3>

[화학식 37][Formula 37]

Figure 112017119436310-pat00037
Figure 112017119436310-pat00037

식 (D1) 로 나타내는 화합물은, p 가 1 이고, Rd3 이 -CO-Rd5 로 나타내는 기 인 경우, 하기 스킴 4 에 따라 합성할 수 있다. 구체적으로는, 상기 스킴 3 에 기재된 방법으로 얻어지는 식 (2-3) 의 옥심 화합물과, 하기 식 (2-4) 로 나타내는 산 무수물 ((Rd5CO)2O), 또는 하기 식 (2-5) 로 나타내는 산 할라이드 (Rd5COHal, Hal 은 할로겐 원자.) 를 반응시켜, 하기 식 (2-6) 으로 나타내는 옥심에스테르 화합물을 얻을 수 있다. 또한, 하기 식 (2-3), (2-4), (2-5), 및 (2-6) 에 있어서, Rd1, Rd2, 및 Rd5 는, 식 (D1) 과 동일하다.The compound represented by formula (D1) can be synthesized according to the following scheme 4 when p is 1 and R d3 is a group represented by -CO-R d5 . Specifically, the oxime compound of formula (2-3) obtained by the method described in Scheme 3 above, and an acid anhydride represented by the following formula (2-4) ((R d5 CO) 2 O), or the following formula (2- The acid halide represented by 5) (R d5 COHal, Hal is a halogen atom.) can be reacted to obtain an oxime ester compound represented by the following formula (2-6). In addition, in following formula (2-3), (2-4), (2-5), and (2-6), R d1 , R d2 , and R d5 are the same as Formula (D1).

<스킴 4><Scheme 4>

[화학식 38][Formula 38]

Figure 112017119436310-pat00038
Figure 112017119436310-pat00038

식 (D1) 로 나타내는 옥심 화합물 중에서도 특히 바람직한 화합물로는, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.Among the oxime compounds represented by formula (D1), compounds of the following formula are mentioned as particularly preferable compounds.

[화학식 39][Formula 39]

Figure 112017119436310-pat00039
Figure 112017119436310-pat00039

[화학식 40][Formula 40]

Figure 112017119436310-pat00040
Figure 112017119436310-pat00040

[화학식 41][Formula 41]

Figure 112017119436310-pat00041
Figure 112017119436310-pat00041

[화학식 42] [Formula 42]

Figure 112017119436310-pat00042
Figure 112017119436310-pat00042

[화학식 43][Formula 43]

Figure 112017119436310-pat00043
Figure 112017119436310-pat00043

[화학식 44][Formula 44]

Figure 112017119436310-pat00044
Figure 112017119436310-pat00044

[화학식 45][Formula 45]

Figure 112017119436310-pat00045
Figure 112017119436310-pat00045

[화학식 46][Formula 46]

Figure 112017119436310-pat00046
Figure 112017119436310-pat00046

[화학식 47][Formula 47]

Figure 112017119436310-pat00047
Figure 112017119436310-pat00047

[화학식 48][Formula 48]

Figure 112017119436310-pat00048
Figure 112017119436310-pat00048

옥심 화합물 (A-2) 로는, 상기 식 (D1) 로 나타내는 옥심 화합물 이외의 기타 옥심 화합물을 사용할 수도 있다. 기타 옥심 화합물로는, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 에 있어서 기재한 옥심계 광 중합 개시제를 사용할 수 있다.As the oxime compound (A-2), other oxime compounds other than the oxime compound represented by the formula (D1) may be used. As the other oxime compound, the oxime-based photopolymerization initiator described in the negative radiation sensitive composition 1 can be used.

네거티브형 감방사선성 조성물 2 에 있어서의 감광성 성분의 함유량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 네거티브형 감방사선성 조성물 2 에 있어서의 감광성 성분의 함유량은, 폴리아믹산 100 질량에 대해 1 ∼ 50 질량부가 바람직하고, 1 ∼ 30 질량부가 보다 바람직하다.The content of the photosensitive component in the negative-type radiation-sensitive composition 2 is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. The content of the photosensitive component in the negative-type radiation-sensitive composition 2 is preferably 1 to 50 parts by mass, more preferably 1 to 30 parts by mass with respect to 100 mass of polyamic acid.

[기타 유기 용제 (일반식 (1) 로 나타내는 화합물 이외의 유기 용제)][Other organic solvents (organic solvents other than the compound represented by the general formula (1))]

네거티브형 감방사선성 조성물 2 는, 기타 유기 용제를 함유해도 된다. 기타 유기 용제는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 기타 유기 용제로는, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 에 있어서 예시한 것을 사용할 수 있다.The negative radiation sensitive composition 2 may contain other organic solvents. Other organic solvents may be used alone or in combination of two or more. As other organic solvents, those exemplified in the negative radiation sensitive composition 1 can be used.

네거티브형 감방사선성 조성물 2 에 있어서, 용제의 함유량은, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 의 고형분 농도가 1 ∼ 50 질량% 가 되는 양이 바람직하고, 5 ∼ 40 질량% 가 되는 양이 보다 바람직하다. 또, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 에 포함되는 용제에 있어서, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 기타 유기 용제의 질량비는, 5 : 95 ∼ 100 : 0 인 것이 바람직하고, 20 : 80 ∼ 100 : 0 인 것이 보다 바람직하다. 용제의 함유량 및 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 기타 유기 용제의 질량비를 상기 범위로 함으로써, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 는, 감도, 보존 안정성, 도포성, 현상성, 및 안전성이 우수한 것이 되기 쉽고, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 를 노광 및 현상함으로써 형성되는 패턴은, 이물의 발생이 억제된 것이 되기 쉽다.In the negative radiation-sensitive composition 2, the amount of the solvent is preferably an amount such that the solid content concentration of the negative radiation-sensitive composition 2 is 1 to 50% by mass, and more preferably 5 to 40% by mass. . Moreover, in the solvent contained in the negative radiation sensitive composition 2, the mass ratio of the compound represented by the general formula (1) and other organic solvents is preferably 5:95 to 100:0, and 20:80 to 100 : 0 is more preferable. By setting the content of the solvent and the mass ratio of the compound represented by the general formula (1) and other organic solvents in the above range, the negative radiation sensitive composition 2 is excellent in sensitivity, storage stability, coatability, developability, and safety. It is easy to become, and the pattern formed by exposing and developing the negative radiation sensitive composition 2 is likely to be suppressed from the occurrence of foreign matter.

[기타 성분][Other ingredients]

네거티브형 감방사선성 조성물 2 는, 필요에 따라, 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 첨가제로는, 증감제, 경화 촉진제, 충전제, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 응집 방지제, 열중합 금지제, 소포제, 계면활성제 등을 들 수 있다.
The negative radiation sensitive composition 2 may contain various additives as needed. Examples of the additives include sensitizers, curing accelerators, fillers, adhesion promoters, antioxidants, agglomeration inhibitors, thermal polymerization inhibitors, antifoaming agents, surfactants, and the like.

<네거티브형 감방사선성 조성물 3><Negative radiation sensitive composition 3>

네거티브형 감방사선성 조성물 3 은, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 폴리벤조옥사졸 전구체와, 감광성 성분을 함유하는 감방사선성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물이다.The negative radiation-sensitive composition 3 is a radiation-sensitive polybenzoxazole precursor composition containing the compound represented by the general formula (1), a polybenzoxazole precursor, and a photosensitive component.

[일반식 (1) 로 나타내는 화합물][Compound represented by general formula (1)]

일반식 (1) 로 나타내는 화합물로는, 감방사선성 조성물의 일반적인 설명에 있어서 예시한 것을 사용할 수 있다. 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.As the compound represented by the general formula (1), those exemplified in the general description of the radiation-sensitive composition can be used. The compounds represented by the general formula (1) can be used alone or in combination of two or more.

[폴리벤조옥사졸 전구체][Polybenzoxazole precursor]

폴리벤조옥사졸 전구체는, 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합해 사용할 수 있다. 폴리벤조옥사졸 전구체의 합성 원료로는, 방향족 디아민디올과, 특정 구조의 디카르보닐 화합물을 사용한다. 이하, 방향족 디아민디올과, 디카르보닐 화합물에 대해 설명한다.The polybenzoxazole precursor can be used alone or in combination of two or more. As a synthetic raw material for the polybenzoxazole precursor, an aromatic diamine diol and a dicarbonyl compound having a specific structure are used. Hereinafter, an aromatic diamine diol and a dicarbonyl compound are demonstrated.

(방향족 디아민디올)(Aromatic diaminediol)

본 발명에서는, 방향족 디아민디올로서 하기 식 (21) 로 나타내는 화합물을 사용한다. 방향족 디아민디올은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합해 사용해도 된다.In this invention, the compound represented by following formula (21) is used as aromatic diamine diol. Aromatic diamine diol may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

[화학식 49][Formula 49]

Figure 112017119436310-pat00049
Figure 112017119436310-pat00049

(식 중, Ra1 은 1 이상의 방향 고리를 포함하는 4 가의 유기기이고, 식 (21) 로 나타내는 방향족 디아민디올에 포함되는 2 조의 아미노기와 수산기의 조합에 관해서, 각각의 조합에서는, 아미노기와 수산기는, Ra1 에 포함되는 방향 고리 상의 인접하는 2 개의 탄소 원자에 결합하고 있다.)(In the formula, R a1 is a tetravalent organic group containing one or more aromatic rings, and the combination of the two groups of amino groups and hydroxyl groups contained in the aromatic diamine diol represented by formula (21) is, in each combination, an amino group and a hydroxyl group Is bound to two adjacent carbon atoms on the aromatic ring contained in R a1 .)

식 (21) 중, Ra1 은, 1 이상의 방향 고리를 포함하는 4 가의 유기기이고, 그 탄소수는 6 ∼ 50 이 바람직하고, 6 ∼ 30 이 보다 바람직하다. Ra1 은, 방향족기여도 되고, 2 이상의 방향족기가, 지방족 탄화수소기 및 할로겐화 지방족 탄화수소기나, 산소 원자, 황 원자, 및 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합을 개재하여 결합된 기여도 된다. Ra1 에 포함되는, 산소 원자, 황 원자, 및 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합으로는, -CONH-, -NH-, -N=N-, -CH=N-, -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S- 등을 들 수 있고, -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S- 가 바람직하다.In formula (21), R a1 is a tetravalent organic group containing one or more aromatic rings, and the carbon number is preferably 6-50, more preferably 6-30. R a1 may be an aromatic group, or two or more aromatic groups may be a contributing bond via an aliphatic hydrocarbon group and a halogenated aliphatic hydrocarbon group, or a bond including a hetero atom such as an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. As a bond containing hetero atoms such as oxygen atom, sulfur atom, and nitrogen atom contained in R a1 , -CONH-, -NH-, -N=N-, -CH=N-, -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO 2 -, -S-, and -SS-, and the like, and -O-, -CO-, -SO-, -SO 2 -, -S -, and -SS- are preferred.

Ra1 에 포함되는 방향 고리는, 방향족 복소 고리여도 된다. Ra1 중의 아미노기 및 수산기와 결합하는 방향 고리는 벤젠 고리인 것이 바람직하다. Ra1 중의 아미노기 및 수산기와 결합하는 고리가 2 이상의 고리를 포함하는 축합 고리인 경우, 당해 축합 고리 중의 아미노기 및 수산기와 결합하는 고리는 벤젠 고리인 것이 바람직하다.The aromatic ring contained in R a1 may be an aromatic heterocycle. It is preferable that the aromatic ring bonded to the amino group and hydroxyl group in R a1 is a benzene ring. When the ring bonding to the amino group and hydroxyl group in R a1 is a condensed ring containing two or more rings, it is preferable that the ring bonding to the amino group and hydroxyl group in the condensed ring is a benzene ring.

Ra1 의 바람직한 예로는, 하기 식 (1-1) ∼ (1-9) 중 어느 것으로 나타내는 기를 들 수 있다.Preferable examples of R a1 include groups represented by any one of the following formulas (1-1) to (1-9).

[화학식 50][Formula 50]

Figure 112017119436310-pat00050
Figure 112017119436310-pat00050

(식 (1-1) 중, X1 은, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기, 탄소수 1 ∼ 10 의 불소화알킬렌기, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -CO-, -COO-, -CONH-, 및 단결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이다. 식 (1-2) ∼ (1-5) 중, Y1 은, 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, -CH2-, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -CO-, 및 단결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이다.)(In Formula (1-1), X 1 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a fluorinated alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, -O-, -S-, -SO-, -SO 2 -, -CO- , -COO-, -CONH-, and a single bond. Y 1 in Formulas (1-2) to (1-5) may be the same or different, and -CH. 2 -, -O-, -S-, -SO-, -SO 2 -, -CO-, and a single bond selected from the group consisting of single bonds.)

상기 식 (1-1) ∼ (1-9) 중 어느 것으로 나타내는 기는, 방향 고리 상에 1 또는 복수의 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 바람직한 예로는, 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 불소화알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 불소화알콕시기가 바람직하다. 치환기가 불소화알킬기 또는 불소화알콕시기인 경우, 퍼플루오로알킬기 또는 퍼플루오로알콕시기인 것이 바람직하다. The group represented by any of the formulas (1-1) to (1-9) may have one or more substituents on the aromatic ring. As a preferable example of a substituent, a fluorine atom, a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, a C1-C6 fluorinated alkyl group, and a C1-C6 fluorinated alkoxy group are preferable. When the substituent is a fluorinated alkyl group or a fluorinated alkoxy group, it is preferable that it is a perfluoroalkyl group or a perfluoroalkoxy group.

상기 식 (21) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, 2,4-디아미노-1,5-벤젠디올, 2,5-디아미노-1,4-벤젠디올, 2,5-디아미노-3-플루오로-1,4-벤젠디올, 2,5-디아미노-3,6-디플루오로-1,4-벤젠디올, 2,6-디아미노-1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,5-디아미노-2,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디아미노-3,7-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디아미노-2,5-디하이드록시나프탈렌, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시비페닐, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시비페닐, 2,3'-디아미노-3,2'-디하이드록시비페닐, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시-6,6'-디트리플루오로메틸비페닐, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시-6,6'-디트리플루오로메틸비페닐, 2,3'-디아미노-3,2'-디하이드록시-6,6'-디트리플루오로메틸비페닐, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시-6,6'-디트리플루오로메틸비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시-5,5'-디트리플루오로메틸비페닐, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시-5,5'-디트리플루오로메틸비페닐, 2,3'-디아미노-3,2'-디하이드록시-5,5'-디트리플루오로메틸비페닐, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시-5,5'-디트리플루오로메틸비페닐, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)메탄, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)메탄, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시디페닐메탄, 비스(4-아미노-3-하이드록시-6-트리플루오로메틸)메탄, 비스(3-아미노-4-하이드록시-6-트리플루오로메틸)메탄, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시-6,6'-디트리플루오로메틸디페닐메탄, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)디플루오로메탄, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)디플루오로메탄, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시디페닐디플루오로메탄, 비스(4-아미노-3-하이드록시-6-트리플루오로메틸페닐)디플루오로메탄, 비스(3-아미노-4-하이드록시-6-트리플루오로메틸페닐)디플루오로메탄, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시-6,6'-디트리플루오로메틸디페닐디플루오로메탄, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)에테르, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)에테르, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시디페닐에테르, 비스(4-아미노-3-하이드록시-6-트리플루오로메틸페닐)에테르, 비스(3-아미노-4-하이드록시-6-트리플루오로메틸페닐)에테르, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시-6,6'-디트리플루오로메틸디페닐에테르, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)케톤, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)케톤, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시디페닐케톤, 비스(4-아미노-3-하이드록시-6-트리플루오로메틸)케톤, 비스(3-아미노-4-하이드록시-6-트리플루오로메틸)케톤, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시-6,6'-디트리플루오로메틸디페닐케톤, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 2-(3-아미노-4-하이드록시페닐)-2-(4'-아미노-3'-하이드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시-6-트리플루오로메틸페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시-6-트리플루오로메틸페닐)프로판, 2-(3-아미노-4-하이드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(4'-아미노-3'-하이드록시-6'-트리플루오로메틸페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시-5-트리플루오로메틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-하이드록시페닐)-2-(4'-아미노-3'-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-하이드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(4'-아미노-3'-하이드록시-6'-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)술폰, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)술폰, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시디페닐술폰, 비스(4-아미노-3-하이드록시-6-트리플루오로메틸)술폰, 비스(3-아미노-4-하이드록시-6-트리플루오로메틸)술폰, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시-6,6'-디트리플루오로메틸디페닐술폰, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)술파이드, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)술파이드, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시디페닐술파이드, 비스(4-아미노-3-하이드록시-6-트리플루오로메틸)술파이드, 비스(3-아미노-4-하이드록시-6-트리플루오로메틸)술파이드, 3,4'-디아미노-4,3'-디하이드록시-6,6'-디트리플루오로메틸디페닐술파이드, (4-아미노-3-하이드록시페닐)4-아미노-3-하이드록시페닐벤조에이트, (3-아미노-4-하이드록시페닐)3-아미노4-하이드록시페닐벤조에이트, (3-아미노-4-하이드록시페닐)4-아미노-3-하이드록시페닐벤조에이트, (4-아미노-3-하이드록시페닐)3-아미노-4-하이드록시페닐벤조에이트, N-(4-아미노-3-하이드록시페닐)4-아미노-3-하이드록시벤즈아미드, N-(3-아미노-4-하이드록시페닐)3-아미노4-하이드록시페닐벤즈아미드, N-(3-아미노-4-하이드록시페닐)4-아미노-3-하이드록시페닐벤즈아미드, N-(4-아미노-3-하이드록시페닐)3-아미노-4-하이드록시페닐벤즈아미드, 2,4'-비스(4-아미노-3-하이드록시페녹시)비페닐, 2,4'-비스(3-아미노-4-하이드록시페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노-3-하이드록시페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노-4-하이드록시페녹시)비페닐, 디[4-(4-아미노-3-하이드록시페녹시)페닐]에테르, 디[4-(3-아미노-4-하이드록시페녹시)페닐]에테르, 2,4'-비스(4-아미노-3-하이드록시페녹시)벤조페논, 2,4'-비스(3-아미노-4-하이드록시페녹시)벤조페논, 4,4'-비스(4-아미노-3-하이드록시페녹시)벤조페논, 4,4'-비스(3-아미노-4-하이드록시페녹시)벤조페논, 2,4'-비스(4-아미노-3-하이드록시페녹시)옥타플루오로비페닐, 2,4'-비스(3-아미노-4-하이드록시페녹시)옥타플루오로비페닐, 4,4'-비스(4-아미노-3-하이드록시페녹시)옥타플루오로비페닐, 4,4'-비스(3-아미노-4-하이드록시페녹시)옥타플루오로비페닐, 2,4'-비스(4-아미노-3-하이드록시페녹시)옥타플루오로벤조페논, 2,4'-비스(3-아미노-4-하이드록시페녹시)옥타플루오로벤조페논, 4,4'-비스(4-아미노-3-하이드록시페녹시)옥타플루오로벤조페논, 4,4'-비스(3-아미노-4-하이드록시페녹시)옥타플루오로벤조페논, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-하이드록시페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노-4-하이드록시페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-하이드록시페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노-4-하이드록시페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,8-디아미노-3,7-디하이드록시디벤조푸란, 2,8-디아미노-3,7-디하이드록시플루오렌, 2,6-디아미노-3,7-디하이드록시크산텐, 9,9-비스-(4-아미노-3-하이드록시페닐)플루오렌, 및 9,9-비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)플루오렌을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the formula (21) include 2,4-diamino-1,5-benzenediol, 2,5-diamino-1,4-benzenediol, and 2,5-diamino-3 -Fluoro-1,4-benzenediol, 2,5-diamino-3,6-difluoro-1,4-benzenediol, 2,6-diamino-1,5-dihydroxynaphthalene, 1 ,5-diamino-2,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-diamino-3,7-dihydroxynaphthalene, 1,6-diamino-2,5-dihydroxynaphthalene, 4,4 '-Diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 2,3'-diamino-3,2'-dihydride Hydroxybiphenyl, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxy-6,6'-ditrifluoromethyl Biphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxy-6,6'-ditrifluoromethylbiphenyl, 2,3'-diamino-3,2'-dihydroxy- 6,6'-ditrifluoromethylbiphenyl, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxy-6,6'-ditrifluoromethylbiphenyl, 4,4'-diamino -3,3'-dihydroxy-5,5'-ditrifluoromethylbiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxy-5,5'-ditrifluoromethyl Biphenyl, 2,3'-diamino-3,2'-dihydroxy-5,5'-ditrifluoromethylbiphenyl, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxy- 5,5'-ditrifluoromethylbiphenyl, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)methane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)methane, 3,4'-diamino-4 ,3'-dihydroxydiphenylmethane, bis(4-amino-3-hydroxy-6-trifluoromethyl)methane, bis(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethyl)methane , 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxy-6,6'-ditrifluoromethyldiphenylmethane, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)difluoromethane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl)difluoromethane, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxydiphenyldifluoromethane, bis(4-amino-3-hydroxy- 6-trifluoromethylphenyl)difluoromethane, bis(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)difluoromethane , 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxy-6,6'-ditrifluoromethyldiphenyldifluoromethane, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)ether, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) ether, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxydiphenyl ether, bis(4-amino-3-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl )Ether, bis(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) ether, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxy-6,6'-ditrifluoromethyl Diphenyl ether, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl) ketone, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) ketone, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxydiphenyl Ketone, bis(4-amino-3-hydroxy-6-trifluoromethyl) ketone, bis(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethyl) ketone, 3,4'-diamino- 4,3'-dihydroxy-6,6'-ditrifluoromethyldiphenylketone, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis(3-amino -4-hydroxyphenyl)propane, 2-(3-amino-4-hydroxyphenyl)-2-(4'-amino-3'-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis(4-amino- 3-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)propane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)propane, 2-(3-amino-4-hydroxy- 6-trifluoromethylphenyl)-2-(4'-amino-3'-hydroxy-6'-trifluoromethylphenyl)propane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-5-tri Fluoromethylphenyl)propane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxyphenyl)-2-(4'-amino-3'-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxy-6-tri Fluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-6- Trifluoromethylphenyl)-2-(4'-amino-3'-hydroxy-6'-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-ratio S(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfone, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone , 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxydiphenylsulfone, bis(4-amino-3-hydroxy-6-trifluoromethyl)sulfone, bis(3-amino-4-hydroxy Hydroxy-6-trifluoromethyl)sulfone, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxy-6,6'-ditrifluoromethyldiphenylsulfone, bis(4-amino-3- Hydroxyphenyl)sulfide, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfide, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxydiphenylsulfide, bis(4-amino-3 -Hydroxy-6-trifluoromethyl)sulfide, bis(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethyl)sulfide, 3,4'-diamino-4,3'-dihydride Hydroxy-6,6'-ditrifluoromethyldiphenylsulfide, (4-amino-3-hydroxyphenyl)4-amino-3-hydroxyphenylbenzoate, (3-amino-4-hydroxyphenyl )3-amino4-hydroxyphenylbenzoate, (3-amino-4-hydroxyphenyl)4-amino-3-hydroxyphenylbenzoate, (4-amino-3-hydroxyphenyl)3-amino- 4-hydroxyphenylbenzoate, N-(4-amino-3-hydroxyphenyl)4-amino-3-hydroxybenzamide, N-(3-amino-4-hydroxyphenyl)3-amino4- Hydroxyphenylbenzamide, N-(3-amino-4-hydroxyphenyl)4-amino-3-hydroxyphenylbenzamide, N-(4-amino-3-hydroxyphenyl)3-amino-4- Hydroxyphenylbenzamide, 2,4'-bis(4-amino-3-hydroxyphenoxy)biphenyl, 2,4'-bis(3-amino-4-hydroxyphenoxy)biphenyl, 4, 4'-bis(4-amino-3-hydroxyphenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(3-amino-4-hydroxyphenoxy)biphenyl, di[4-(4-amino-3 -Hydroxyphenoxy)phenyl]ether, di[4-(3-amino-4-hydroxyphenoxy)phenyl]ether, 2,4'-bis(4-amino-3-hydroxyphenoxy)benzophenone , 2,4'-bis(3-amino-4-hydroxyphenoxy)benzophenone, 4,4'-bis(4-amino-3-hydroxyphenoxy)benzophene Paddy, 4,4'-bis(3-amino-4-hydroxyphenoxy)benzophenone, 2,4'-bis(4-amino-3-hydroxyphenoxy)octafluorobiphenyl, 2,4' -Bis(3-amino-4-hydroxyphenoxy)octafluorobiphenyl, 4,4'-bis(4-amino-3-hydroxyphenoxy)octafluorobiphenyl, 4,4'-bis(3 -Amino-4-hydroxyphenoxy)octafluorobiphenyl, 2,4'-bis(4-amino-3-hydroxyphenoxy)octafluorobenzophenone, 2,4'-bis(3-amino- 4-hydroxyphenoxy)octafluorobenzophenone, 4,4'-bis(4-amino-3-hydroxyphenoxy)octafluorobenzophenone, 4,4'-bis(3-amino-4- Hydroxyphenoxy)octafluorobenzophenone, 2,2-bis[4-(4-amino-3-hydroxyphenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(3-amino-4- Hydroxyphenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-amino-3-hydroxyphenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(3-amino-4 -Hydroxyphenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 2,8-diamino-3,7-dihydroxydibenzofuran, 2,8-diamino-3,7-dihydroxyfluorene, 2, 6-diamino-3,7-dihydroxyxanthene, 9,9-bis-(4-amino-3-hydroxyphenyl)fluorene, and 9,9-bis-(3-amino-4-hydride And oxyphenyl)fluorene.

이들 중에서는, 투명성이 우수한 폴리벤조옥사졸 수지를 형성할 수 있는 점에서, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판이 바람직하다.Among these, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane is preferable from the viewpoint of being able to form a polybenzoxazole resin excellent in transparency.

(디카르보닐 화합물)(Dicarbonyl compound)

폴리벤조옥사졸 전구체의 합성 원료로는, 이상 설명한 방향족 디아민디올과 함께, 하기 식 (22) 로 나타내는 디카르보닐 화합물을 사용한다. 전술한 방향족 디아민디올과, 하기 식 (22) 로 나타내는 디카르보닐 화합물을 축합시킴으로써, 폴리벤조옥사졸 전구체가 얻어진다.As the synthetic raw material for the polybenzoxazole precursor, a dicarbonyl compound represented by the following formula (22) is used together with the aromatic diaminediol described above. A polybenzoxazole precursor is obtained by condensing the above-mentioned aromatic diamine diol and the dicarbonyl compound represented by the following formula (22).

[화학식 51][Formula 51]

Figure 112017119436310-pat00051
Figure 112017119436310-pat00051

(식 중, Ra2 는 2 가의 유기기이고, A 는 수소 원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다.)(In the formula, R a2 is a divalent organic group, and A represents a hydrogen atom or a halogen atom.)

식 (22) 중의 Ra2 는, 방향족기여도 되고, 지방족기여도 되며, 방향족기와 지방족기를 조합한 기여도 된다. 얻어지는 폴리벤조옥사졸 수지의 내열성, 기계적 특성, 내약품성 등이 양호한 점에서, Ra2 는, 방향족기 및/또는 지환식기를 포함하는 기인 것이 바람직하다. Ra2 에 포함되는 방향족기는, 방향족 탄화수소기여도 되고, 방향족 복소 고리기여도 된다.R a2 in Formula (22) may be an aromatic group, an aliphatic group, or a combination of aromatic groups and aliphatic groups. It is preferable that R a2 is a group containing an aromatic group and/or an alicyclic group from the viewpoint of good heat resistance, mechanical properties, chemical resistance, and the like of the resulting polybenzoxazole resin. The aromatic group contained in R a2 may be an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.

Ra2 는, 탄소 원자, 및 수소 원자 외에, 할로겐 원자, 산소 원자, 및 황 원자를 포함하고 있어도 된다. Ra2 가 산소 원자, 질소 원자, 또는 황 원자를 포함하는 경우, 산소 원자, 질소 원자, 또는 황 원자는, 2 가의 함질소 복소 고리기, -CONH-, -NH-, -N=N-, -CH=N-, -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S- 에서 선택되는 기로서, Ra2 에 포함되어도 되고, -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S- 에서 선택되는 기로서, Ra2 에 포함되는 것이 보다 바람직하다.R a2 may contain a halogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom in addition to the carbon atom and the hydrogen atom. When R a2 contains an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom, the oxygen atom, nitrogen atom, or sulfur atom is a divalent nitrogen-containing heterocyclic group, -CONH-, -NH-, -N=N-, A group selected from -CH=N-, -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO 2 -, -S-, and -SS-, which may be included in R a2 or -O As a group selected from -, -CO-, -SO-, -SO 2 -, -S-, and -SS-, it is more preferably contained in R a2 .

식 (22) 중, 2 개의 A 의 일방이 수소 원자이고, 타방이 할로겐 원자여도 되지만, 2 개의 A 가 모두 수소 원자이거나, 2 개의 A 가 모두 할로겐 원자인 것이 바람직하다. A 가 할로겐 원자인 경우, A 로서 염소 원자, 브롬 원자, 및 요오드 원자가 바람직하고, 염소 원자가 보다 바람직하다.In Formula (22), one of the two A's may be a hydrogen atom, and the other may be a halogen atom, but it is preferable that both A's are hydrogen atoms, or that both A's are halogen atoms. When A is a halogen atom, as A, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are preferable, and a chlorine atom is more preferable.

식 (22) 로 나타내는 디카르보닐 화합물로서, 2 개의 A 가 모두 수소 원자인 디알데하이드 화합물을 사용하는 경우, 하기 식 (10) 으로 나타내는 폴리벤조옥사졸 중간체가 제조된다.As a dicarbonyl compound represented by Formula (22), when a dialdehyde compound in which both A are hydrogen atoms is used, a polybenzoxazole intermediate represented by Formula (10) below is prepared.

[화학식 52][Formula 52]

Figure 112017119436310-pat00052
Figure 112017119436310-pat00052

(식 중, Ra1 및 Ra2 는, 식 (21) 및 식 (22) 와 동일하고, n 은 식 (10) 으로 나타내는 단위의 반복수이다.)(In the formula, R a1 and R a2 are the same as in the formulas (21) and (22), and n is the repeating number of units represented by the formula (10).)

식 (22) 로 나타내는 디카르보닐 화합물로서, 2 개의 A 가 모두 할로겐 원자인 디카르복실산디할라이드를 사용하는 경우, 하기 식 (20) 으로 나타내는 폴리벤조옥사졸 중간체가 제조된다.As a dicarbonyl compound represented by Formula (22), when both of A are dicarboxylic acid dihalides having halogen atoms, a polybenzoxazole intermediate represented by Formula (20) below is prepared.

[화학식 53][Formula 53]

Figure 112017119436310-pat00053
Figure 112017119436310-pat00053

(식 중, Ra1 및 Ra2 는, 식 (21) 및 식 (22) 와 동일하고, n 은 식 (20) 으로 나타내는 단위의 반복수이다.)(In the formula, R a1 and R a2 are the same as in the formulas (21) and (22), and n is the number of repetitions of the unit represented by the formula (20).)

이하, 디카르보닐 화합물로서 바람직한 화합물인, 디알데하이드 화합물과, 디카르복실산디할라이드에 대해 설명한다.Hereinafter, the dialdehyde compound which is a preferable compound as a dicarbonyl compound, and dicarboxylic acid dihalide are demonstrated.

· 디알데하이드 화합물· Dialdehyde compounds

폴리벤조옥사졸 전구체의 원료로서 사용하는 디알데하이드 화합물은, 하기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물이다. 디알데하이드 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The dialdehyde compound used as a raw material for a polybenzoxazole precursor is a compound represented by the following formula (2-1). As the dialdehyde compound, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

[화학식 54][Formula 54]

Figure 112017119436310-pat00054
Figure 112017119436310-pat00054

(식 중, Ra2 는, 식 (22) 와 동일하다.)(In formula, R a2 is the same as formula (22).)

식 (2-1) 중의 Ra2 로서 바람직한 방향족기 또는 방향 고리 함유기로는, 이하의 기를 들 수 있다.The following groups are mentioned as a preferable aromatic group or aromatic ring-containing group as R a2 in Formula (2-1).

[화학식 55][Formula 55]

Figure 112017119436310-pat00055
Figure 112017119436310-pat00055

(상기 식 중, X2 는, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기, 탄소수 1 ∼ 10 의 불소화알킬렌기, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -CO-, -COO-, -CONH-, 및 단결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이다. X2 가 복수인 경우, 복수의 X2 는 동일해도 되고 상이해도 된다. Y2 는, 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, -CH2-, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -CO-, 및 단결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이다. p 및 q 는, 각각 0 ∼ 3 의 정수이다.)(In the formula, X 2 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a fluorinated alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, -O-, -S-, -SO-, -SO 2 -, -CO-, -COO- , -CONH-, and a single bond selected from the group consisting of single bonds, when X 2 is plural, plural X 2 may be the same or different, Y 2 may be the same or different, respectively,- CH 2 -, -O-, -S-, -SO-, -SO 2 -, -CO-, and a single bond selected from the group consisting of single bonds p and q are each an integer of 0 to 3 .)

식 (2-1) 중의 Ra2 로서 바람직한 지환식기 또는 지환 함유기로는, 이하의 기를 들 수 있다.The following groups are mentioned as an alicyclic group or alicyclic containing group preferable as R a2 in Formula (2-1).

[화학식 56][Formula 56]

Figure 112017119436310-pat00056
Figure 112017119436310-pat00056

(상기 식 중, X2 는, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기, 탄소수 1 ∼ 10 의 불소화알킬렌기, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -CO-, -COO-, -CONH-, 및 단결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이다. X2 가 복수인 경우, 복수의 X2 는 동일해도 되고 상이해도 된다. Y2 는, 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고, -CH2-, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -CO-, 및 단결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이다. Z 는, -CH2-, -CH2CH2-, 및 -CH=CH- 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이다. p 는, 각각 0 ∼ 3 의 정수이다.)(In the formula, X 2 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a fluorinated alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, -O-, -S-, -SO-, -SO 2 -, -CO-, -COO- , -CONH-, and one bond selected from the group consisting of single bonds, when X 2 is plural, plural X 2 may be the same or different, and Y 2 may be the same or different, respectively. -CH 2 -, -O-, -S-, -SO-, -SO 2 -, -CO-, and a single bond selected from the group consisting of single bonds Z is -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, and -CH=CH- are 1 species selected from the group consisting of p, each being an integer of 0 to 3.)

상기 Ra2 로서 바람직한 기에 포함되는 방향 고리 또는 지환은, 그 고리 상에 1 또는 복수의 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 바람직한 예로는, 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 6 의 불소화알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 불소화알콕시기가 바람직하다. 치환기가 불소화알킬기 또는 불소화알콕시기인 경우, 퍼플루오로알킬기 또는 퍼플루오로알콕시기인 것이 바람직하다.The aromatic ring or alicyclic group included in the group preferable as R a2 may have one or more substituents on the ring. As a preferable example of a substituent, a fluorine atom, a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, a C1-C6 fluorinated alkyl group, and a C1-C6 fluorinated alkoxy group are preferable. When the substituent is a fluorinated alkyl group or a fluorinated alkoxy group, it is preferable that it is a perfluoroalkyl group or a perfluoroalkoxy group.

식 (2-1) 로 나타내는 디알데하이드 화합물이 방향족 디알데하이드인 경우, 그 바람직한 예로는, 벤젠디알데하이드류, 피리딘디알데하이드류, 피라진디알데하이드류, 피리미딘디알데하이드류, 나프탈렌디알데하이드류, 비페닐디알데하이드류, 디페닐에테르디알데하이드류, 디페닐술폰디알데하이드류, 디페닐술파이드디알데하이드류, 비스(포르밀페녹시)벤젠류, [1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스벤즈알데하이드류, 2,2-비스[4-(포르밀페녹시)페닐]프로판류, 비스[4-(포르밀페녹시)페닐]술파이드류, 비스[4-(포르밀페녹시)페닐]술폰류, 및 함플루오렌디알데하이드를 들 수 있다.When the dialdehyde compound represented by the formula (2-1) is an aromatic dialdehyde, preferred examples thereof include benzenedialdehydes, pyridinedialdehydes, pyrazinedialdehydes, pyrimidinedialdehydes, naphthalenedialdehydes, and bis Phenyldialdehydes, diphenyletherdialdehydes, diphenylsulfonedialdehydes, diphenylsulfidedialdehydes, bis(formylphenoxy)benzenes, [1,4-phenylenebis(1-methyle Thiliden)]bisbenzaldehydes, 2,2-bis[4-(formylphenoxy)phenyl]propanes, bis[4-(formylphenoxy)phenyl]sulfide, bis[4-(former) Milphenoxy)phenyl]sulfones, and fluorenedialdehydes.

벤젠디알데하이드류의 구체예로는, 프탈알데하이드, 이소프탈알데하이드, 테레프탈알데하이드, 3-플루오로프탈알데하이드, 4-플루오로프탈알데하이드, 2-플루오로이소프탈알데하이드, 4-플루오로이소프탈알데하이드, 5-플루오로이소프탈알데하이드, 2-플루오로테레프탈알데하이드, 3-트리플루오로메틸프탈알데하이드, 4-트리플루오로메틸프탈알데하이드, 2-트리플루오로메틸이소프탈알데하이드, 4-트리플루오로메틸이소프탈알데하이드, 5-트리플루오로메틸이소프탈알데하이드, 2-트리플루오로메틸테레프탈알데하이드, 3,4,5,6-테트라플루오로프탈알데하이드, 2,4,5,6-테트라플루오로이소프탈알데하이드, 및 2,3,5,6-테트라플루오로테레프탈알데하이드 등을 들 수 있다.Specific examples of the benzenedialdehydes include phthalaldehyde, isophthalaldehyde, terephthalaldehyde, 3-fluorophthalaldehyde, 4-fluorophthalaldehyde, 2-fluoroisophthalaldehyde, 4-fluoroisophthalaldehyde, 5-fluoroisophthalaldehyde, 2-fluoroterephthalaldehyde, 3-trifluoromethylphthalaldehyde, 4-trifluoromethylphthalaldehyde, 2-trifluoromethylisophthalaldehyde, 4-trifluoromethyl Isophthalaldehyde, 5-trifluoromethylisophthalaldehyde, 2-trifluoromethylterephthalaldehyde, 3,4,5,6-tetrafluorophthalaldehyde, 2,4,5,6-tetrafluoro Sophthalaldehyde, and 2,3,5,6-tetrafluoro terephthalaldehyde, etc. are mentioned.

피리딘디알데하이드류의 구체예로는, 피리딘-2,3-디알데하이드, 피리딘-3,4-디알데하이드, 및 피리딘-3,5-디알데하이드 등을 들 수 있다.Examples of pyridine dialdehydes include pyridine-2,3-dialdehyde, pyridine-3,4-dialdehyde, and pyridine-3,5-dialdehyde.

피라진디알데하이드류의 구체예로는, 피라진-2,3-디알데하이드, 피라진-2,5-디알데하이드, 및 피라진-2,6-디알데하이드 등을 들 수 있다.Specific examples of the pyrazinedialdehydes include pyrazine-2,3-dialdehyde, pyrazine-2,5-dialdehyde, and pyrazine-2,6-dialdehyde.

피리미딘디알데하이드류의 구체예로는, 피리미딘-2,4-디알데하이드, 피리미딘-4,5-디알데하이드, 및 피리미딘-4,6-디알데하이드 등을 들 수 있다.Specific examples of the pyrimidine dialdehydes include pyrimidine-2,4-dialdehyde, pyrimidine-4,5-dialdehyde, and pyrimidine-4,6-dialdehyde.

나프탈렌디알데하이드류의 구체예로는, 나프탈렌-1,5-디알데하이드, 나프탈렌-1,6-디알데하이드, 나프탈렌-2,6-디알데하이드, 나프탈렌-3,7-디알데하이드, 2,3,4,6,7,8-헥사플루오로나프탈렌-1,5-디알데하이드, 2,3,4,5,6,8-헥사플루오로나프탈렌-1,6-디알데하이드, 1,3,4,5,7,8-헥사플루오로나프탈렌-2,6-디알데하이드, 1-트리플루오로메틸나프탈렌-2,6-디알데하이드, 1,5-비스(트리플루오로메틸)나프탈렌-2,6-디알데하이드, 1-트리플루오로메틸나프탈렌-3,7-디알데하이드, 1,5-비스(트리플루오로메틸)나프탈렌-3,7-디알데하이드, 1-트리플루오로메틸-2,4,5,6,8-펜타플루오로나프탈렌-3,7-디알데하이드, 1-비스(트리플루오로메틸)메톡시-2,4,5,6,8-펜타플루오로나프탈렌-3,7-디알데하이드, 1,5-비스(트리플루오로메틸)-2,4,6,8-테트라플루오로나프탈렌-3,7-디알데하이드, 및 1,5-비스[비스(트리플루오로메틸)메톡시]-2,4,6,8-테트라플루오로나프탈렌-3,7-디알데하이드 등을 들 수 있다.Specific examples of naphthalenedialdehydes include naphthalene-1,5-dialdehyde, naphthalene-1,6-dialdehyde, naphthalene-2,6-dialdehyde, naphthalene-3,7-dialdehyde, 2,3, 4,6,7,8-hexafluoronaphthalene-1,5-dialdehyde, 2,3,4,5,6,8-hexafluoronaphthalene-1,6-dialdehyde, 1,3,4, 5,7,8-hexafluoronaphthalene-2,6-dialdehyde, 1-trifluoromethylnaphthalene-2,6-dialdehyde, 1,5-bis(trifluoromethyl)naphthalene-2,6- Dialdehyde, 1-trifluoromethylnaphthalene-3,7-dialdehyde, 1,5-bis(trifluoromethyl)naphthalene-3,7-dialdehyde, 1-trifluoromethyl-2,4,5 ,6,8-pentafluoronaphthalene-3,7-dialdehyde, 1-bis(trifluoromethyl)methoxy-2,4,5,6,8-pentafluoronaphthalene-3,7-dialdehyde , 1,5-bis(trifluoromethyl)-2,4,6,8-tetrafluoronaphthalene-3,7-dialdehyde, and 1,5-bis[bis(trifluoromethyl)methoxy] And -2,4,6,8-tetrafluoronaphthalene-3,7-dialdehyde.

비페닐디알데하이드류의 구체예로는, 비페닐-2,2'-디알데하이드, 비페닐-2,4'-디알데하이드, 비페닐-3,3'-디알데하이드, 비페닐-4,4'-디알데하이드, 6,6'-디플루오로비페닐-3,4'-디알데하이드, 6,6'-디플루오로비페닐-2,4'-디알데하이드, 6,6'-디플루오로비페닐-3,3'-디알데하이드, 6,6'-디플루오로비페닐-3,4'-디알데하이드, 6,6'-디플루오로비페닐-4,4'-디알데하이드, 6,6'-디트리플루오로메틸비페닐-2,2'-디알데하이드, 6,6'-디트리플루오로메틸비페닐-2,4'-디알데하이드, 6,6'-디트리플루오로메틸비페닐-3,3'-디알데하이드, 6,6'-디트리플루오로메틸비페닐-3,4'-디알데하이드, 및 6,6'-디트리플루오로메틸비페닐-4,4'-디알데하이드 등을 들 수 있다.As specific examples of biphenyldialdehydes, biphenyl-2,2'-dialdehyde, biphenyl-2,4'-dialdehyde, biphenyl-3,3'-dialdehyde, biphenyl-4,4 '-Dialdehyde, 6,6'-difluorobiphenyl-3,4'-dialdehyde, 6,6'-difluorobiphenyl-2,4'-dialdehyde, 6,6'-difluorobiphenyl -3,3'-dialdehyde, 6,6'-difluorobiphenyl-3,4'-dialdehyde, 6,6'-difluorobiphenyl-4,4'-dialdehyde, 6,6'- Ditrifluoromethylbiphenyl-2,2'-dialdehyde, 6,6'-ditrifluoromethylbiphenyl-2,4'-dialdehyde, 6,6'-ditrifluoromethylbiphenyl- 3,3'-dialdehyde, 6,6'-ditrifluoromethylbiphenyl-3,4'-dialdehyde, and 6,6'-ditrifluoromethylbiphenyl-4,4'-dialdehyde And the like.

디페닐에테르디알데하이드류의 구체예로는, 디페닐에테르-2,4'-디알데하이드, 디페닐에테르-3,3'-디알데하이드, 디페닐에테르-3,4'-디알데하이드, 및 디페닐에테르-4,4'-디알데하이드 등을 들 수 있다.Specific examples of the diphenyl ether dialdehydes include diphenyl ether-2,4'-dialdehyde, diphenyl ether-3,3'-dialdehyde, diphenyl ether-3,4'-dialdehyde, and di And phenyl ether-4,4'-dialdehyde.

디페닐술폰디알데하이드류의 구체예로는, 디페닐술폰-3,3'-디알데하이드, 디페닐술폰-3,4'-디알데하이드, 및 디페닐술폰-4,4'-디알데하이드 등을 들 수 있다.Specific examples of diphenylsulfone dialdehydes include diphenylsulfone-3,3'-dialdehyde, diphenylsulfone-3,4'-dialdehyde, and diphenylsulfone-4,4'-dialdehyde, and the like. Can be lifted.

디페닐술파이드디알데하이드류의 구체예로는, 디페닐술파이드-3,3'-디알데하이드, 디페닐술파이드-3,4'-디알데하이드, 및 디페닐술파이드-4,4'-디알데하이드 등을 들 수 있다.Specific examples of diphenyl sulfide dialdehydes include diphenyl sulfide-3, 3'-dialdehyde, diphenyl sulfide-3,4'-dialdehyde, and diphenyl sulfide-4,4'-. And dialdehydes.

디페닐케톤디알데하이드류의 구체예로는, 디페닐케톤-3,3'-디알데하이드, 디페닐케톤-3,4'-디알데하이드, 및 디페닐케톤-4,4'-디알데하이드 등을 들 수 있다.Specific examples of diphenyl ketone dialdehydes include diphenyl ketone-3,3'-dialdehyde, diphenylketone-3,4'-dialdehyde, and diphenylketone-4,4'-dialdehyde. Can be lifted.

비스(포르밀페녹시)벤젠류의 구체예로는, 벤젠1,3-비스(3-포르밀페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-포르밀페녹시)벤젠, 및 1,4-비스(4-포르밀페녹시)벤젠 등을 들 수 있다.Specific examples of bis(formylphenoxy)benzenes include benzene1,3-bis(3-formylphenoxy)benzene, 1,4-bis(3-formylphenoxy)benzene, and 1,4 -Bis(4-formylphenoxy)benzene, etc. are mentioned.

[1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스벤즈알데하이드류의 구체예로는, 3,3'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스벤즈알데하이드, 3,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스벤즈알데하이드, 및 4,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스벤즈알데하이드 등을 들 수 있다.[1,4-Phenylenebis(1-methylethylidene)] As specific examples of the bisbenzaldehyde, 3,3'-[1,4-phenylenebis(1-methylethylidene)]bis Benzaldehyde, 3,4'-[1,4-phenylenebis(1-methylethylidene)]bisbenzaldehyde, and 4,4'-[1,4-phenylenebis(1-methylethylidene) )]Bisbenzaldehyde and the like.

2,2-비스[4-(포르밀페녹시)페닐]프로판류의 구체예로는, 2,2-비스[4-(2-포르밀페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-포르밀페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-포르밀페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-포르밀페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 및 2,2-비스[4-(4-포르밀페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다.
As specific examples of 2,2-bis[4-(formylphenoxy)phenyl]propanes, 2,2-bis[4-(2-formylphenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[ 4-(3-formylphenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-formylphenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(3-formylphenoxy) And phenyl]hexafluoropropane and 2,2-bis[4-(4-formylphenoxy)phenyl]hexafluoropropane.

비스[4-(포르밀페녹시)페닐]술파이드류의 구체예로는, 비스[4-(3-포르밀페녹시)페닐]술파이드, 및 비스[4-(4-포르밀페녹시)페닐]술파이드 등을 들 수 있다.As specific examples of bis[4-(formylphenoxy)phenyl]sulfides, bis[4-(3-formylphenoxy)phenyl]sulfide, and bis[4-(4-formylphenoxy) )Phenyl]sulfide.

비스[4-(포르밀페녹시)페닐]술폰류의 구체예로는, 비스[4-(3-포르밀페녹시)페닐]술폰, 및 비스[4-(4-포르밀페녹시)페닐]술폰 등을 들 수 있다.Specific examples of bis[4-(formylphenoxy)phenyl]sulfones include bis[4-(3-formylphenoxy)phenyl]sulfone, and bis[4-(4-formylphenoxy)phenyl ]Sulfone and the like.

함플루오렌디알데하이드의 구체예로는, 플루오렌-2,6-디알데하이드, 플루오렌-2,7-디알데하이드, 디벤조푸란-3,7-디알데하이드, 9,9-비스(4-포르밀페닐)플루오렌, 9,9-비스(3-포르밀페닐)플루오렌, 및 9-(3-포르밀페닐)-9-(4'-포르밀페닐)플루오렌 등을 들 수 있다.Specific examples of the fluorene dialdehyde include fluorene-2,6-dialdehyde, fluorene-2,7-dialdehyde, dibenzofuran-3,7-dialdehyde, and 9,9-bis(4- Formylphenyl)fluorene, 9,9-bis(3-formylphenyl)fluorene, 9-(3-formylphenyl)-9-(4'-formylphenyl)fluorene, and the like. .

또, 하기 식으로 나타내는, 디페닐알칸디알데하이드 또는 디페닐플루오로알칸디알데하이드도, 방향족 디알데하이드 화합물로서 바람직하게 사용할 수 있다.Moreover, diphenyl alkane dialdehyde represented by the following formula or diphenyl fluoro alkane dialdehyde can also be preferably used as an aromatic dialdehyde compound.

[화학식 57][Formula 57]

Figure 112017119436310-pat00057
Figure 112017119436310-pat00057

또한, 하기 식으로 나타내는 이미드 결합을 갖는 화합물도, 방향족 디알데하이드 화합물로서 바람직하게 사용할 수 있다.Moreover, a compound having an imide bond represented by the following formula can also be preferably used as an aromatic dialdehyde compound.

[화학식 58][Formula 58]

Figure 112017119436310-pat00058
Figure 112017119436310-pat00058

식 (2-1) 로 나타내는 디카르보닐 화합물이 지환식기를 포함하는 지환식 디 알데하이드인 경우, 그 바람직한 예로는, 시클로헥산-1,4-디알데하이드, 시클로헥산-1,3-디알데하이드, 비시클로[2.2.1]헵탄-2,5-디알데하이드, 비시클로[2.2.2]옥탄-2,5-디알데하이드, 비시클로[2.2.2]옥타-7-엔-2,5-디알데하이드, 비시클로[2.2.1]헵탄-2,3-디알데하이드, 비시클로[2.2.1]헵타-5-엔-2,3-디알데하이드, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-3,4-디알데하이드, 트리시클로[5.2.1.02,6]데카-4-엔-8,9-디알데하이드, 퍼하이드로나프탈렌-2,3-디알데하이드, 퍼하이드로나프탈렌-1,4-디알데하이드, 퍼하이드로나프탈렌-1,6-디알데하이드, 퍼하이드로-1,4-메타노나프탈렌-2,3-디알데하이드, 퍼하이드로-1,4-메타노나프탈렌-2,7-디알데하이드, 퍼하이드로-1,4-메타노나프탈렌-7,8-디알데하이드, 퍼하이드로-1,4:5,8-디메타노나프탈렌-2,3-디알데하이드, 퍼하이드로-1,4:5,8-디메타노나프탈렌-2,7-디알데하이드, 퍼하이드로-1,4:5,8:9,10-트리메타노안트라센-2,3-디알데하이드, 비시클로헥실-4,4'-디알데하이드, 디시클로헥실에테르-3,4'-디알데하이드, 디시클로헥실메탄-3,3'-디알데하이드, 디시클로헥실메탄-3,4'-디알데하이드, 디시클로헥실메탄-4,4'-디알데하이드, 디시클로헥실디플루오로메탄-3,3'-디알데하이드, 디시클로헥실디플루오로메탄-3,4'-디알데하이드, 디시클로헥실디플루오로메탄-4,4'-디알데하이드, 디시클로헥실술폰-3,3'-디알데하이드, 디시클로헥실술폰-3,4'-디알데하이드, 디시클로헥실술폰-4,4'-디알데하이드, 디시클로헥실술파이드-3,3'-디알데하이드, 디시클로헥실술파이드-3,4'-디알데하이드, 디시클로헥실술파이드-4,4'-디알데하이드, 디시클로헥실케톤-3,3'-디알데하이드, 디시클로헥실케톤-3,4'-디알데하이드, 디시클로헥실케톤-4,4'-디알데하이드, 2,2-비스(3-포르밀시클로헥실)프로판, 2,2-비스(4-포르밀시클로헥실)프로판, 2,2-비스(3-포르밀시클로헥실)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-포르밀시클로헥실)헥사플루오로프로판, 1,3-비스(3-포르밀시클로헥실)벤젠, 1,4-비스(3-포르밀시클로헥실)벤젠, 1,4-비스(4-포르밀시클로헥실)벤젠, 3,3'-[1,4-시클로헥실렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스시클로헥산카르발데히드, 3,4'-[1,4-시클로헥실렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스시클로헥산카르발데히드, 4,4'-[1,4-시클로헥실렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스시클로헥산카르발데히드, 2,2-비스[4-(3-포르밀시클로헥실)시클로헥실]프로판, 2,2-비스[4-(4-포르밀시클로헥실)시클로헥실]프로판, 2,2-비스[4-(3-포르밀시클로헥실)시클로헥실]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-포르밀페녹시)시클로헥실]헥사플루오로프로판, 비스[4-(3-포르밀시클로헥실옥시)시클로헥실]술파이드, 비스[4-(4-포르밀시클로헥실옥시)시클로헥실]술파이드, 비스[4-(3-포르밀시클로헥실옥시)시클로헥실]술폰, 비스[4-(4-포르밀시클로헥실옥시)시클로헥실]술폰, 2,2'-비시클로[2.2.1]헵탄-5,6'-디알데하이드, 2,2'-비시클로[2.2.1]헵탄-6,6'-디알데하이드, 및 1,3-디포르밀아다만탄 등을 들 수 있다. When the dicarbonyl compound represented by Formula (2-1) is an alicyclic dialdehyde containing an alicyclic group, preferred examples thereof include cyclohexane-1,4-dialdehyde, cyclohexane-1,3-dialdehyde, Bicyclo[2.2.1]heptan-2,5-dialdehyde, bicyclo[2.2.2]octane-2,5-dialdehyde, bicyclo[2.2.2]octa-7-ene-2,5-di Aldehyde, bicyclo[2.2.1]heptan-2,3-dialdehyde, bicyclo[2.2.1]hepta-5-ene-2,3-dialdehyde, tricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decane- 3,4-dialdehyde, tricyclo[5.2.1.0 2,6 ]deca-4-en-8,9-dialdehyde, perhydronaphthalene-2,3-dialdehyde, perhydronaphthalene-1,4-di Aldehyde, perhydronaphthalene-1,6-dialdehyde, perhydro-1,4-methanonaphthalene-2,3-dialdehyde, perhydro-1,4-methanonaphthalene-2,7-dialdehyde, per Hydro-1,4-methanonaphthalene-7,8-dialdehyde, perhydro-1,4:5,8-dimethanonaphthalene-2,3-dialdehyde, perhydro-1,4:5,8 -Dimethanonaphthalene-2,7-dialdehyde, perhydro-1,4:5,8:9,10-trimethanoanthracene-2,3-dialdehyde, bicyclohexyl-4,4'-di Aldehyde, dicyclohexyl ether-3,4'-dialdehyde, dicyclohexylmethane-3,3'-dialdehyde, dicyclohexylmethane-3,4'-dialdehyde, dicyclohexylmethane-4,4' -Dialdehyde, dicyclohexyldifluoromethane-3,3'-dialdehyde, dicyclohexyldifluoromethane-3,4'-dialdehyde, dicyclohexyldifluoromethane-4,4'-di Aldehyde, dicyclohexylsulfone-3,3'-dialdehyde, dicyclohexylsulfone-3,4'-dialdehyde, dicyclohexylsulfone-4,4'-dialdehyde, dicyclohexylsulfide-3,3 '-Dialdehyde, dicyclohexyl sulfide-3,4'-dialdehyde, dicyclohexyl sulfide-4,4'-dialdehyde, dicyclohexylketone-3,3'-dialdehyde, dicyclohexylketone -3,4'-dialdehyde, dicyclohexylketone-4,4'-dialdehyde, 2,2-bis(3-formylcyclohexyl)propane, 2,2- Bis(4-formylcyclohexyl)propane, 2,2-bis(3-formylcyclohexyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(4-formylcyclohexyl)hexafluoropropane, 1,3 -Bis(3-formylcyclohexyl)benzene, 1,4-bis(3-formylcyclohexyl)benzene, 1,4-bis(4-formylcyclohexyl)benzene, 3,3'-[1, 4-cyclohexylenebis(1-methylethylidene)]biscyclohexanecarbaldehyde, 3,4'-[1,4-cyclohexylenebis(1-methylethylidene)]biscyclohexanecarval Dehydr, 4,4'-[1,4-cyclohexylenebis(1-methylethylidene)]biscyclohexanecarbaldehyde, 2,2-bis[4-(3-formylcyclohexyl)cyclohexyl ]Propane, 2,2-bis[4-(4-formylcyclohexyl)cyclohexyl]propane, 2,2-bis[4-(3-formylcyclohexyl)cyclohexyl]hexafluoropropane, 2, 2-bis[4-(4-formylphenoxy)cyclohexyl]hexafluoropropane, bis[4-(3-formylcyclohexyloxy)cyclohexyl]sulfide, bis[4-(4-formal Milcyclohexyloxy)cyclohexyl]sulfide, bis[4-(3-formylcyclohexyloxy)cyclohexyl]sulfone, bis[4-(4-formylcyclohexyloxy)cyclohexyl]sulfone, 2,2'-bicyclo[2.2.1]heptan-5,6'-dialdehyde, 2,2'-bicyclo[2.2.1]heptan-6,6'-dialdehyde, and 1,3-di Formyl adamantane and the like.

이상 설명한 디알데하이드 화합물 중에서는, 합성이나 입수가 용이한 점이나, 내열성 및 기계적 성질이 우수한 폴리벤조옥사졸 수지를 얻기 쉬운 점에서, 이소프탈알데하이드가 바람직하다.Among the dialdehyde compounds described above, isophthalaldehyde is preferable from the viewpoint of easy synthesis and availability, and easy to obtain a polybenzoxazole resin excellent in heat resistance and mechanical properties.

·디카르복실산디할라이드Dicarboxylic acid dihalide

폴리벤조옥사졸 전구체의 원료로서 사용하는 디카르복실산디할라이드는, 하기 식 (2-2) 로 나타내는 화합물이다. 디카르복실산디할라이드는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The dicarboxylic acid dihalide used as a raw material for the polybenzoxazole precursor is a compound represented by the following formula (2-2). Dicarboxylic acid dihalide may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

[화학식 59][Formula 59]

Figure 112017119436310-pat00059
Figure 112017119436310-pat00059

(식 중, Ra2 는, 식 (22) 와 동일하고, Hal 은 할로겐 원자이다.)(In the formula, R a2 is the same as Formula (22), and Hal is a halogen atom.)

식 (2-2) 중, Hal 로는, 염소 원자, 브롬 원자, 및 요오드 원자가 바람직하고, 염소 원자가 보다 바람직하다.In Formula (2-2), as Hal, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are preferable, and a chlorine atom is more preferable.

식 (2-2) 로 나타내는 화합물로서 바람직한 화합물로는, 디알데하이드 화합물의 바람직한 예로서 전술한 화합물이 갖는 2 개의 알데하이드기를, 할로카르보닐기, 바람직하게는 클로로카르보닐기로 치환한 화합물을 들 수 있다.As a preferable compound as a compound represented by Formula (2-2), a preferable example of a dialdehyde compound includes a compound in which two aldehyde groups of the above-mentioned compounds are substituted with halocarbonyl groups, preferably chlorocarbonyl groups.

이상 설명한 디카르복실산디할라이드 중에서는, 합성이나 입수가 용이한 점이나, 내열성 및 기계적 성질이 우수한 폴리벤조옥사졸 수지를 얻기 쉬운 점에서, 테레프탈산 2 클로라이드가 바람직하다.Among the dicarboxylic acid dihalides described above, terephthalic acid dichloride is preferred from the viewpoint of easy synthesis and availability, and easy to obtain a polybenzoxazole resin excellent in heat resistance and mechanical properties.

(폴리벤조옥사졸 전구체의 제조 방법)(Method for producing polybenzoxazole precursor)

본 발명에 있어서, 폴리벤조옥사졸 전구체는, 전술한 방향족 디아민디올과, 디카르보닐 화합물을, 용제 중에서, 주지의 방법에 따라 반응시킴으로써 제조된다. 이하, 폴리벤조옥사졸 전구체의 제조 방법의 대표적인 예로서, 디카르보닐 화합물이 디알데하이드 화합물인 경우의 제조 방법과, 디카르보닐 화합물이 디카르복실산 할라이드인 경우의 제조 방법에 대해 설명한다.In the present invention, the polybenzoxazole precursor is produced by reacting the above-described aromatic diaminediol and dicarbonyl compound in a solvent according to a known method. Hereinafter, as a representative example of a method for producing a polybenzoxazole precursor, a method for producing when the dicarbonyl compound is a dialdehyde compound and a method for producing when the dicarbonyl compound is a dicarboxylic acid halide will be described.

· 방향족 디아민디올과 디알데하이드 화합물의 반응· Reaction of aromatic diaminediol and dialdehyde compound

방향족 디아민디올과 디알데하이드 화합물의 반응은, 용제 중에서 실시된다. 방향족 디아민디올과 디알데하이드 화합물의 반응은 시프 염기의 형성 반응이고, 주지의 방법에 따라 실시할 수 있다. 반응 온도는 특별히 한정되지 않지만, 통상 20 ∼ 200 ℃ 가 바람직하고, 20 ∼ 160 ℃ 가 보다 바람직하며, 100 ∼ 160 ℃ 가 특히 바람직하다.The reaction of the aromatic diamine diol and the dialdehyde compound is carried out in a solvent. The reaction of the aromatic diamine diol and the dialdehyde compound is a reaction of forming a CiF base, and can be carried out according to a known method. Although the reaction temperature is not particularly limited, usually 20 to 200°C is preferable, 20 to 160°C is more preferable, and 100 to 160°C is particularly preferable.

방향족 디아민디올과 디알데하이드 화합물의 반응은, 용제에 엔트레이너를 첨가하고, 환류 탈수하면서 실시되어도 된다. 엔트레이너로는, 특별히 한정되지 않고, 물과 공비 혼합물을 형성하고, 실온에서 물과 2 상계를 형성하는 유기 용제로부터 적절히 선택된다. 엔트레이너의 바람직한 예로는, 아세트산이소부틸, 아세트산알릴, 프로피온산-n-프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산-n-부틸, 및 프로피온산이소부틸 등의 에스테르 ; 디클로로메틸에테르, 및 에틸이소아밀에테르 등의 에테르류 ; 에틸프로필케톤 등의 케톤류 ; 톨루엔 등의 방향족 탄화수소를 들 수 있다.The reaction of the aromatic diamine diol and the dialdehyde compound may be performed while adding an entrainer to the solvent and dehydrating at reflux. The entrainer is not particularly limited, and is suitably selected from organic solvents that form an azeotropic mixture with water and form a two-phase system with water at room temperature. Preferred examples of the entrainer include esters such as isobutyl acetate, allyl acetate, n-propyl propionic acid, isopropyl propionate, n-butyl propionic acid, and isobutyl propionate; Ethers such as dichloromethyl ether and ethyl isoamyl ether; Ketones such as ethyl propyl ketone; And aromatic hydrocarbons such as toluene.

방향족 디아민디올과 디알데하이드 화합물의 반응 시간은 특별히 한정되지 않지만, 전형적으로는 2 ∼ 72 시간 정도가 바람직하다.The reaction time between the aromatic diamine diol and the dialdehyde compound is not particularly limited, but is typically about 2 to 72 hours.

폴리벤조옥사졸 전구체를 제조할 때의 디알데하이드 화합물의 사용량은, 방향족 디아민디올 1 몰에 대해, 0.5 ∼ 1.5 몰인 것이 바람직하고, 0.7 ∼ 1.3 몰인 것이 보다 바람직하다.The amount of the dialdehyde compound used in preparing the polybenzoxazole precursor is preferably 0.5 to 1.5 moles, more preferably 0.7 to 1.3 moles, per 1 mole of aromatic diaminediol.

용제의 사용량은, 방향족 디아민디올과 디알데하이드 화합물의 반응이 양호하게 진행되는 한 특별히 한정되지 않는다. 전형적으로는, 방향족 디아민디올의 질량과, 디알데하이드 화합물의 질량의 합계에 대해, 1 ∼ 40 배, 바람직하게는 1.5 ∼ 20 배의 질량의 용제가 사용된다.The amount of the solvent used is not particularly limited as long as the reaction between the aromatic diamine diol and the dialdehyde compound proceeds satisfactorily. Typically, a solvent having a mass of 1 to 40 times, preferably 1.5 to 20 times, is used with respect to the sum of the mass of the aromatic diaminediol and the mass of the dialdehyde compound.

방향족 디아민디올과 디알데하이드 화합물의 반응은, 생성되는 폴리벤조옥사졸 전구체의 수평균 분자량이, 1000 ∼ 20000, 바람직하게는 1200 ∼ 5000 이 될 때까지 실시되는 것이 바람직하다.It is preferable that the reaction of the aromatic diamine diol and the dialdehyde compound is performed until the number average molecular weight of the resulting polybenzoxazole precursor is 1000 to 20000, preferably 1200 to 5000.

· 방향족 디아민디올과 디카르복실산디할라이드의 반응· Reaction of aromatic diaminediol and dicarboxylic acid dihalide

방향족 디아민디올과 디카르복실산디할라이드의 반응은, 용제 중에서 실시된다. 반응 온도는 특별히 한정되지 않지만, 통상 -20 ∼ 150 ℃ 가 바람직하고, -10 ∼ 150 ℃ 가 보다 바람직하며, -5 ∼ 70 ℃ 가 특히 바람직하다. 방향족 디아민디올과 디카르복실산디할라이드의 반응에서는 할로겐화수소가 부생한다. 이러한 할로겐화수소를 중화시키기 위해서, 트리에틸아민, 피리딘, 및 N,N-디메틸-4-아미노피리딘 등의 유기 염기나, 수산화나트륨 및 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물을, 반응액 중에 소량 첨가해도 된다.The reaction of the aromatic diamine diol and dicarboxylic acid dihalide is carried out in a solvent. Although reaction temperature is not specifically limited, Usually, -20-150 degreeC is preferable, -10-150 degreeC is more preferable, -5-70 degreeC is especially preferable. Hydrogen halide is by-product in the reaction of an aromatic diamine diol and a dicarboxylic acid dihalide. In order to neutralize such hydrogen halide, an organic base such as triethylamine, pyridine and N,N-dimethyl-4-aminopyridine, or an alkali metal hydroxide such as sodium hydroxide and potassium hydroxide may be added in a small amount in the reaction solution. .

방향족 디아민디올과 디카르복실산디할라이드의 반응 시간은 특별히 한정되지 않지만, 전형적으로는 2 ∼ 72 시간 정도가 바람직하다.Although the reaction time of aromatic diamine diol and dicarboxylic acid dihalide is not specifically limited, Typically, about 2 to 72 hours is preferable.

폴리벤조옥사졸 전구체를 제조할 때의 디카르복실산디할라이드의 사용량은, 방향족 디아민디올 1 몰에 대해, 0.5 ∼ 1.5 몰인 것이 바람직하고, 0.7 ∼ 1.3 몰인 것이 보다 바람직하다.The amount of dicarboxylic acid dihalide used in preparing the polybenzoxazole precursor is preferably 0.5 to 1.5 mol, more preferably 0.7 to 1.3 mol, per 1 mol of aromatic diaminediol.

용제의 사용량은, 방향족 디아민디올과 디카르복실산디할라이드의 반응이 양호하게 진행되는 한 특별히 한정되지 않는다. 전형적으로는, 방향족 디아민디올의 질량과, 디카르복실산디할라이드의 질량의 합계에 대해, 1 ∼ 40 배, 바람직하게는 1.5 ∼ 20 배의 질량의 용제가 사용된다.The amount of the solvent used is not particularly limited as long as the reaction between the aromatic diamine diol and the dicarboxylic acid dihalide proceeds satisfactorily. Typically, a solvent having a mass of 1 to 40 times, preferably 1.5 to 20 times, is used with respect to the sum of the mass of the aromatic diamine diol and the mass of the dicarboxylic acid dihalide.

방향족 디아민디올과 디카르복실산디할라이드의 반응은, 생성되는 폴리벤조옥사졸 전구체의 수평균 분자량이, 1000 ∼ 20000, 바람직하게는 1200 ∼ 5000 이 될 때까지 실시되는 것이 바람직하다.The reaction of the aromatic diamine diol and dicarboxylic acid dihalide is preferably carried out until the number average molecular weight of the resulting polybenzoxazole precursor is 1000 to 20000, preferably 1200 to 5000.

이상 설명한 방법에 의해, 폴리벤조옥사졸 전구체의 용액이 얻어진다. 네거티브형 감방사선성 조성물 3 을 조제하는 경우에는, 폴리벤조옥사졸 전구체의 용액을 그대로 사용할 수 있다. 또, 감압하에, 폴리벤조옥사졸 전구체로부터 폴리벤조옥사졸 수지로의 변환이 발생하지 않을 정도의 저온에서, 폴리벤조옥사졸 전구체의 용액으로부터 용제의 적어도 일부를 제거해 얻어지는, 폴리벤조옥사졸 전구체의 페이스트 또는 고체를 사용할 수도 있다. 또, 상기 반응에 의해 얻어지는 폴리벤조옥사졸 전구체의 용액에 대해, 용제 등을 적당량 첨가하여, 고형분 농도가 조정된 폴리벤조옥사졸 전구체의 용액을 네거티브형 감방사선성 조성물 3 의 조제에 사용할 수도 있다.By the method described above, a solution of the polybenzoxazole precursor is obtained. When the negative radiation sensitive composition 3 is prepared, a solution of a polybenzoxazole precursor can be used as it is. In addition, the polybenzoxazole precursor obtained by removing at least a portion of the solvent from the solution of the polybenzoxazole precursor at a low temperature such that conversion of the polybenzoxazole precursor to the polybenzoxazole resin under reduced pressure does not occur. You can also use pastes or solids. Further, an appropriate amount of a solvent or the like is added to the solution of the polybenzoxazole precursor obtained by the above reaction, and the solution of the polybenzoxazole precursor whose solid content concentration is adjusted can also be used for the preparation of the negative radiation sensitive composition 3. .

방향족 디아민디올과 디카르보닐 화합물의 반응에 사용하는 유기 용제의 예로는, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, N-메틸카프로락탐, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제 ; β-프로피오락톤, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, 및 ε-카프로락톤 등의 락톤계 극성 용제 ; 디메틸술폭사이드 ; 아세토니트릴 ; 락트산에틸, 및 락트산부틸 등의 지방산 에스테르류 ; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디옥산, 테트라하이드로푸란, 메틸셀로솔브아세테이트, 및 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에테르류를 들 수 있다.Examples of the organic solvent used for the reaction of the aromatic diaminediol and the dicarbonyl compound include N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide and N,N- Nitrogen-containing polar solvents such as dimethylformamide, N,N-diethylformamide, N,N,2-trimethylpropionamide, N-methylcaprolactam, and N,N,N',N'-tetramethylurea; lactone-based polar solvents such as β-propiolactone, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, and ε-caprolactone; Dimethyl sulfoxide; Acetonitrile; Fatty acid esters such as ethyl lactate and butyl lactate; And ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dioxane, tetrahydrofuran, methyl cellosolve acetate, and ethyl cellosolve acetate.

이들 유기 용제 중에서는, 생성되는 폴리벤조옥사졸 전구체나 폴리벤조옥사졸 수지의 용해성으로부터, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, N-메틸카프로락탐, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제가 바람직하다.Among these organic solvents, from the solubility of the resulting polybenzoxazole precursor or polybenzoxazole resin, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N,N-diethylformamide, N,N,2-trimethylpropionamide, N-methylcaprolactam, and N,N,N',N'-tetramethylurea Nitrogen polar solvents are preferred.

[감광성 성분][Photosensitive component]

감광성 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 의 경우와 마찬가지로, 예를 들어 광염기 발생제, 광산 발생제 등의, 광의 작용에 의해 분해되어 염기 및 산 중 적어도 일방을 발생하는 화합물 (A) 를 들 수 있다. 감광성 성분은 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합해 사용할 수 있다.The photosensitive component is not particularly limited, and as in the case of the negative radiation sensitive composition 2, it is decomposed by the action of light, such as a photobase generator or a photoacid generator, to generate at least one of a base and an acid. The compound (A) to be mentioned is mentioned. The photosensitive components may be used alone or in combination of two or more.

화합물 (A) 를 함유하는 네거티브형 감방사선성 조성물 3 을 노광함으로써, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 중의 화합물 (A) 는 분해되어, 염기 및 산 중 적어도 일방을 발생한다. 이와 같이 하여 발생한 염기 또는 산은, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 중의 폴리벤조옥사졸 전구체에 작용해, 폴리벤조옥사졸 수지로의 변환을 촉진한다.By exposing the negative radiation sensitive composition 3 containing the compound (A), the compound (A) in the negative radiation sensitive composition 3 decomposes to generate at least one of a base and an acid. The base or acid generated in this way acts on the polybenzoxazole precursor in the negative-type radiation-sensitive composition 3 to promote conversion to polybenzoxazole resin.

화합물 (A) 를 함유하는 네거티브형 감방사선성 조성물 3 을 노광하면, 노광부에 있어서 화합물 (A) 가 분해되어 염기 및 산 중 적어도 일방을 발생한다. 이와 같이 하여 발생한 염기 또는 산에 의해, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 중의 폴리벤조옥사졸 전구체로부터 폴리벤조옥사졸 수지로의 변환이 촉진되고, 노광부는 현상액에 대해 불용이 된다. 한편, 미노광부는, 현상액에 대해 가용이기 때문에, 현상액에 용해시켜 제거할 수 있다. 따라서, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 을 선택적으로 노광함으로써, 원하는 패턴을 형성할 수 있다.When the negative radiation sensitive composition 3 containing the compound (A) is exposed, the compound (A) decomposes in the exposed portion to generate at least one of a base and an acid. Conversion of the polybenzoxazole precursor in the negative-type radiation-sensitive composition 3 to the polybenzoxazole resin is promoted by the base or acid thus generated, and the exposed portion becomes insoluble in the developer. On the other hand, since the unexposed portion is soluble in the developer, it can be dissolved and removed in the developer. Therefore, a desired pattern can be formed by selectively exposing the negative radiation sensitive composition 3.

화합물 (A) 로는, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 의 경우와 마찬가지로, 예를 들어 광의 작용에 의해 분해되어 이미다졸 화합물을 발생하는 화합물 (A-1) 이나, 옥심 화합물 (A-2) 를 들 수 있다. 화합물 (A-1) 이 발생하는 이미다졸 화합물은, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 중의 폴리벤조옥사졸 전구체로부터 폴리벤조옥사졸 수지로의 변환을 촉진한다. 또, 화합물 (A-2) 가 분해되어 발생한 염기 또는 산에 의해, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 중의 폴리벤조옥사졸 전구체로부터 폴리벤조옥사졸 수지로의 변환이 촉진된다. 화합물 (A-1) 및 화합물 (A-2) 의 자세한 것은, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 에 대해 설명한 것과 동일하다.As the compound (A), as in the case of the negative radiation-sensitive composition 2, for example, a compound (A-1) or an oxime compound (A-2) which is decomposed by the action of light to generate an imidazole compound is mentioned. Can. The imidazole compound in which compound (A-1) occurs promotes the conversion of the polybenzoxazole precursor in the negative radiation sensitive composition 3 to polybenzoxazole resin. In addition, conversion of the polybenzoxazole precursor in the negative radiation sensitive composition 3 to the polybenzoxazole resin is promoted by the base or acid generated by the decomposition of the compound (A-2). The details of the compound (A-1) and the compound (A-2) are the same as those described for the negative radiation sensitive composition 2.

네거티브형 감방사선성 조성물 3 에 있어서의 감광성 성분의 함유량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 네거티브형 감방사선성 조성물 3 에 있어서의 감광성 성분의 함유량은, 폴리벤조옥사졸 전구체 100 질량에 대해 1 ∼ 50 질량부가 바람직하고, 1 ∼ 30 질량부가 보다 바람직하다.The content of the photosensitive component in the negative-type radiation-sensitive composition 3 is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. The content of the photosensitive component in the negative-type radiation-sensitive composition 3 is preferably 1 to 50 parts by mass, more preferably 1 to 30 parts by mass with respect to 100 mass of the polybenzoxazole precursor.

[기타 유기 용제 (일반식 (1) 로 나타내는 화합물 이외의 유기 용제)][Other organic solvents (organic solvents other than the compound represented by the general formula (1))]

네거티브형 감방사선성 조성물 3 은, 기타 유기 용제를 함유해도 된다. 기타 유기 용제는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 기타 유기 용제로는, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 에 있어서 예시한 것을 사용할 수 있다.The negative radiation sensitive composition 3 may contain other organic solvents. Other organic solvents may be used alone or in combination of two or more. As other organic solvents, those exemplified in the negative radiation sensitive composition 1 can be used.

네거티브형 감방사선성 조성물 3 에 있어서, 용제의 함유량은, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 의 고형분 농도가 1 ∼ 50 질량% 가 되는 양이 바람직하고, 5 ∼ 40 질량% 가 되는 양이 보다 바람직하다. 또, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 에 포함되는 용제에 있어서, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 기타 유기 용제의 질량비는, 5 : 95 ∼ 100 : 0 인 것이 바람직하고, 20 : 80 ∼ 100 : 0 인 것이 보다 바람직하다. 용제의 함유량 및 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 기타 유기 용제의 질량비를 상기 범위로 함으로써, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 은, 감도, 보존 안정성, 도포성, 현상성, 및 안전성이 우수한 것이 되기 쉽고, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 을 노광 및 현상함으로써 형성되는 패턴은, 이물의 발생이 억제된 것이 되기 쉽다.In the negative radiation sensitive composition 3, the content of the solvent is preferably an amount such that the solid content concentration of the negative radiation sensitive composition 3 is 1 to 50 mass%, and more preferably 5 to 40 mass%. . Moreover, in the solvent contained in the negative radiation sensitive composition 3, the mass ratio of the compound represented by the general formula (1) and other organic solvents is preferably 5:95 to 100:0, and 20:80 to 100 : 0 is more preferable. By setting the content of the solvent and the mass ratio of the compound represented by the general formula (1) and other organic solvents in the above range, the negative radiation sensitive composition 3 is excellent in sensitivity, storage stability, coatability, developability, and safety. It is easy to become, and the pattern formed by exposing and developing the negative radiation sensitive composition 3 is likely to be suppressed from the occurrence of foreign matter.

[기타 성분][Other ingredients]

네거티브형 감방사선성 조성물 3 은, 필요에 따라, 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 첨가제로는, 증감제, 경화 촉진제, 충전제, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 응집 방지제, 열중합 금지제, 소포제, 계면활성제 등을 들 수 있다.The negative radiation sensitive composition 3 may contain various additives as needed. Examples of the additives include sensitizers, curing accelerators, fillers, adhesion promoters, antioxidants, agglomeration inhibitors, thermal polymerization inhibitors, antifoaming agents, surfactants, and the like.

<포지티브형 감방사선성 조성물 1><Positive radiation-sensitive composition 1>

포지티브형 감방사선성 조성물 1 은, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과, 알칼리 가용성 수지와, 퀴논디아지드기 함유 화합물을 함유하는 것이다.The positive radiation sensitive composition 1 contains the compound represented by the general formula (1), an alkali-soluble resin, and a quinonediazide group-containing compound.

[일반식 (1) 로 나타내는 화합물][Compound represented by general formula (1)]

일반식 (1) 로 나타내는 화합물로는, 감방사선성 조성물의 일반적인 설명에 있어서 예시한 것을 사용할 수 있다. 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.As the compound represented by the general formula (1), those exemplified in the general description of the radiation-sensitive composition can be used. The compounds represented by the general formula (1) can be used alone or in combination of two or more.

[알칼리 가용성 수지][Alkali-soluble resin]

알칼리 가용성 수지로는, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 에 있어서 예시한 것을 사용할 수 있다.As an alkali-soluble resin, what was illustrated by the negative radiation sensitive composition 1 can be used.

알칼리 가용성 수지의 함유량은, 포지티브형 감방사선성 조성물 1 의 고형분에 대해 5 ∼ 90 질량% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 85 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 포지티브형 감방사선성 조성물 1 의 막 형성능, 현상성의 밸런스를 잡기 쉬운 경향이 있다.It is preferable that content of alkali-soluble resin is 5 to 90 mass% with respect to the solid content of positive radiation sensitive composition 1, and it is more preferable that it is 10 to 85 mass %. By setting it as the said range, there exists a tendency which is easy to balance the film-forming ability and developability of the positive radiation sensitive composition 1.

[퀴논디아지드기 함유 화합물][Compound containing quinonediazide group]

퀴논디아지드기 함유 화합물로는, 특별히 한정되지 않지만, 페놀성 수산기를 1 개 이상 갖는 화합물과, 퀴논디아지드기 함유 술폰산의 완전 에스테르화물이나 부분 에스테르화물이 바람직하다. 이와 같은 퀴논디아지드기 함유 화합물은, 페놀성 수산기를 1 개 이상 갖는 화합물과 퀴논디아지드기 함유 술폰산을, 디옥산 등의 적당한 용제 중에 있어서, 트리에탄올아민, 탄산알칼리, 탄산수소알칼리 등의 알칼리의 존재하에서 축합시켜, 완전 에스테르화 또는 부분 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. 퀴논디아지드기 함유 화합물은, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The quinonediazide group-containing compound is not particularly limited, but a complete ester or partial esterified product of a compound having at least one phenolic hydroxyl group and a quinonediazide group-containing sulfonic acid is preferable. Such a quinonediazide group-containing compound contains a compound having one or more phenolic hydroxyl groups and a quinonediazide group-containing sulfonic acid in a suitable solvent such as dioxane, and alkalis such as triethanolamine, alkali carbonate, and alkali hydrogen carbonate. It can be obtained by condensation in the presence and complete esterification or partial esterification. The quinonediazide group-containing compound can be used alone or in combination of two or more.

상기 페놀성 수산기를 1 개 이상 갖는 화합물로는, 예를 들어 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 등의 폴리하이드록시벤조페논류 ;Examples of the compound having one or more phenolic hydroxyl groups include polyhydroxybenzophenones such as 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone. ;

트리스(4-하이드록시페닐)메탄, 비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,3,5-트리메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)-4-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)-3-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-4-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-3-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)-3,4-디하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-3,4-디하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-2,4-디하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시페닐)-3-메톡시-4-하이드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-하이드록시-2-메틸페닐)-4-하이드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-하이드록시-2-메틸페닐)-3-하이드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-하이드록시-2-메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-하이드록시-2-메틸페닐)-3,4-디하이드록시페닐메탄 등의 트리스페놀형 화합물 ;Tris(4-hydroxyphenyl)methane, bis(4-hydroxy-3-methylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,3,5-trimethylphenyl)-2-hydroxy Phenylmethane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-4-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-3-hydroxyphenylmethane, bis(4 -Hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-4-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2, 5-dimethylphenyl)-3-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)- 3,4-dihydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-3,4-dihydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)- 2,4-dihydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxyphenyl)-3-methoxy-4-hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-4- Hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-3-hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-2-hydroxy Trisphenol type compounds such as phenylmethane and bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-3,4-dihydroxyphenylmethane;

2,4-비스(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)-5-하이드록시페놀, 2,6-비스(2,5-디메틸-4-하이드록시벤질)-4-메틸페놀 등의 리니어형 3 핵체 페놀 화합물 ;2,4-bis(3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl)-5-hydroxyphenol, 2,6-bis(2,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl)-4-methylphenol, etc. Linear trinuclear phenol compounds;

1,1-비스[3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-4-하이드록시-5-시클로헥실페닐]이소 프로판, 비스[2,5-디메틸-3-(4-하이드록시-5-메틸벤질)-4-하이드록시페닐]메탄, 비스[2,5-디메틸-3-(4-하이드록시벤질)-4-하이드록시페닐]메탄, 비스[3-(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)-4-하이드록시-5-메틸페닐]메탄, 비스[3-(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)-4-하이드록시-5-에틸페닐]메탄, 비스[3-(3,5-디에틸-4-하이드록시벤질)-4-하이드록시-5-메틸페닐]메탄, 비스[3-(3,5-디에틸-4-하이드록시벤질)-4-하이드록시-5-에틸페닐]메탄, 비스[2-하이드록시-3-(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)-5-메틸페닐]메탄, 비스[2-하이드록시-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-5-메틸페닐]메탄, 비스[4-하이드록시-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-5-메틸페닐]메탄, 비스[2,5-디메틸-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-4-하이드록시페닐]메탄 등의 리니어형 4 핵체 페놀 화합물 ; 1,1-bis[3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-hydroxy-5-cyclohexylphenyl]isopropane, bis[2,5-dimethyl-3-(4-hydroxy- 5-methylbenzyl)-4-hydroxyphenyl]methane, bis[2,5-dimethyl-3-(4-hydroxybenzyl)-4-hydroxyphenyl]methane, bis[3-(3,5-dimethyl -4-hydroxybenzyl)-4-hydroxy-5-methylphenyl]methane, bis[3-(3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl)-4-hydroxy-5-ethylphenyl]methane, bis [3-(3,5-diethyl-4-hydroxybenzyl)-4-hydroxy-5-methylphenyl]methane, bis[3-(3,5-diethyl-4-hydroxybenzyl)-4- Hydroxy-5-ethylphenyl]methane, bis[2-hydroxy-3-(3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl)-5-methylphenyl]methane, bis[2-hydroxy-3-(2 -Hydroxy-5-methylbenzyl)-5-methylphenyl]methane, bis[4-hydroxy-3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-5-methylphenyl]methane, bis[2,5-dimethyl Linear type 4 nucleus phenol compounds such as -3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-hydroxyphenyl]methane;

2,4-비스[2-하이드록시-3-(4-하이드록시벤질)-5-메틸벤질]-6-시클로헥실페놀, 2,4-비스[4-하이드록시-3-(4-하이드록시벤질)-5-메틸벤질]-6-시클로헥실페놀, 2,6-비스[2,5-디메틸-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-4-하이드록시벤질]-4-메틸페놀 등의 리니어형 5 핵체 페놀 화합물 ;2,4-bis[2-hydroxy-3-(4-hydroxybenzyl)-5-methylbenzyl]-6-cyclohexylphenol, 2,4-bis[4-hydroxy-3-(4-hydroxy Hydroxybenzyl)-5-methylbenzyl]-6-cyclohexylphenol, 2,6-bis[2,5-dimethyl-3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-hydroxybenzyl]-4 -Linear 5 nucleus phenol compounds, such as methylphenol;

비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 비스(2,4-디하이드록시페닐)메탄, 2,3,4-트리하이드록시페닐-4'-하이드록시페닐메탄, 2-(2,3,4-트리하이드록시페닐)-2-(2',3',4'-트리하이드록시페닐)프로판, 2-(2,4-디하이드록시페닐)-2-(2',4'-디하이드록시페닐)프로판, 2-(4-하이드록시페닐)-2-(4'-하이드록시페닐)프로판, 2-(3-플루오로-4-하이드록시페닐)-2-(3'-플루오로-4'-하이드록시페닐)프로판, 2-(2,4-디하이드록시페닐)-2-(4'-하이드록시페닐)프로판, 2-(2,3,4-트리하이드록시페닐)-2-(4'-하이드록시페닐)프로판, 2-(2,3,4-트리하이드록시페닐)-2-(4'-하이드록시-3',5'-디메틸페닐)프로판, 4,4'-[1-[4-[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 등의 비스페놀형 화합물 ;Bis(2,3,4-trihydroxyphenyl)methane, bis(2,4-dihydroxyphenyl)methane, 2,3,4-trihydroxyphenyl-4'-hydroxyphenylmethane, 2-( 2,3,4-trihydroxyphenyl)-2-(2',3',4'-trihydroxyphenyl)propane, 2-(2,4-dihydroxyphenyl)-2-(2', 4'-dihydroxyphenyl)propane, 2-(4-hydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxyphenyl)propane, 2-(3-fluoro-4-hydroxyphenyl)-2-( 3'-fluoro-4'-hydroxyphenyl)propane, 2-(2,4-dihydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxyphenyl)propane, 2-(2,3,4-tri Hydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxyphenyl)propane, 2-(2,3,4-trihydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxy-3',5'-dimethylphenyl) Bisphenol-type compounds such as propane and 4,4'-[1-[4-[1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol;

1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠, 1-[1-(3-메틸-4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(3-메틸-4-하이드록시페닐)에틸]벤젠 등의 다핵 분지형 화합물 ;1-[1-(4-hydroxyphenyl)isopropyl]-4-[1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]benzene, 1-[1-(3-methyl-4-hydroxyphenyl )Isopropyl]-4-[1,1-bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)ethyl]benzene and other polynuclear branched compounds;

1,1-비스(4-하이드록시페닐)시클로헥산 등의 축합형 페놀 화합물 ; 등을 들 수 있다.Condensed phenol compounds such as 1,1-bis(4-hydroxyphenyl)cyclohexane; And the like.

상기 퀴논디아지드기 함유 술폰산으로는, 나프토퀴논-1,2-디아지드-5-술폰산, 나프토퀴논-1,2-디아지드-4-술폰산, 오르토안트라퀴논디아지드술폰산 등을 들 수 있다.Examples of the quinonediazide group-containing sulfonic acid include naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonic acid, naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonic acid, orthoanthraquinonediazide sulfonic acid, and the like. have.

퀴논디아지드기 함유 화합물의 함유량은, 포지티브형 감방사선성 조성물 1 의 고형분에 대해, 10 ∼ 95 질량% 인 것이 바람직하고, 15 ∼ 90 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 포지티브형 감방사선성 조성물 1 의 감도를 양호한 것으로 할 수 있다. The content of the quinonediazide group-containing compound is preferably 10 to 95% by mass, more preferably 15 to 90% by mass, with respect to the solid content of the positive radiation sensitive composition 1. By setting it as the said range, the sensitivity of positive radiation sensitive composition 1 can be made favorable.

[기타 유기 용제 (일반식 (1) 로 나타내는 화합물 이외의 유기 용제)][Other organic solvents (organic solvents other than the compound represented by the general formula (1))]

포지티브형 감방사선성 조성물 1 은, 기타 유기 용제를 함유해도 된다. 기타 유기 용제는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 기타 유기 용제로는, 네거티브형 감방사선성 조성물 1 에 있어서 예시한 것을 사용할 수 있다.The positive radiation sensitive composition 1 may contain other organic solvents. Other organic solvents may be used alone or in combination of two or more. As other organic solvents, those exemplified in the negative radiation sensitive composition 1 can be used.

포지티브형 감방사선성 조성물 1 에 있어서, 용제의 함유량은, 포지티브형 감방사선성 조성물 1 의 고형분 농도가 1 ∼ 50 질량% 가 되는 양이 바람직하고, 5 ∼ 30 질량% 가 되는 양이 보다 바람직하다. 또, 포지티브형 감방사선성 조성물 1 에 포함되는 용제에 있어서, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 기타 유기 용제의 질량비는, 5 : 95 ∼ 100 : 0 인 것이 바람직하고, 20 : 80 ∼ 100 : 0 인 것이 보다 바람직하다. 용제의 함유량 및 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 기타 유기 용제의 질량비를 상기 범위로 함으로써, 포지티브형 감방사선성 조성물 1 은, 감도, 보존 안정성, 도포성, 현상성, 및 안전성이 우수한 것이 되기 쉽고, 포지티브형 감방사선성 조성물 1 을 노광 및 현상함으로써 형성되는 패턴은, 이물의 발생이 억제된 것이 되기 쉽다.In the positive radiation-sensitive composition 1, the amount of the solvent is preferably an amount such that the solid content concentration of the positive radiation-sensitive composition 1 is 1 to 50% by mass, and more preferably 5 to 30% by mass. . Moreover, in the solvent contained in the positive radiation sensitive composition 1, the mass ratio of the compound represented by the general formula (1) and other organic solvents is preferably 5:95 to 100:0, and 20:80 to 100 : 0 is more preferable. By setting the content of the solvent and the mass ratio of the compound represented by the general formula (1) and other organic solvents in the above range, the positive radiation sensitive composition 1 is excellent in sensitivity, storage stability, coatability, developability, and safety. It is easy to become, and the pattern formed by exposing and developing the positive radiation sensitive composition 1 is likely to be suppressed from the occurrence of foreign matter.

[기타 폴리머][Other polymers]

포지티브형 감방사선성 조성물 1 은, 기타 폴리머를 함유해도 된다. 기타 폴리머는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 기타 폴리머로는, 네거티브형 감방사선성 조성물 2 에 있어서 설명한 폴리아믹산이나, 네거티브형 감방사선성 조성물 3 에 있어서 설명한 폴리벤조옥사졸 전구체나, 하기 일반식 (31) 로 나타내는 구조를 주성분으로 하는 폴리머를 들 수 있다.The positive radiation sensitive composition 1 may contain other polymers. Other polymers may be used alone or in combination of two or more. Examples of the other polymers include the polyamic acid described in the negative radiation-sensitive composition 2, the polybenzoxazole precursor described in the negative radiation-sensitive composition 3, or the polymer represented by the following general formula (31). Can be mentioned.

일반식 (31) 로 나타내는 구조를 주성분으로 하는 폴리머는, 가열 또는 적당한 촉매에 의해, 이미드 고리, 옥사졸 고리, 그 밖의 고리형 구조를 갖는 폴리머가 될 수 있는 것이다. 바람직하게는 폴리이미드 전구체의 폴리아믹산 또는 폴리아믹산에스테르, 폴리벤조옥사졸 전구체의 폴리하이드록시아미드이다. 여기서, 주성분이란, 일반식 (31) 로 나타내는 구성 단위를, 폴리머의 전체 구성 단위의 50 몰% 이상 갖는 것을 의미한다. 70 몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 90 몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하다.The polymer having a structure represented by the general formula (31) as a main component can be a polymer having an imide ring, an oxazole ring, or other cyclic structure by heating or a suitable catalyst. Preferably, it is a polyamic acid or polyamic acid ester of a polyimide precursor, and a polyhydroxyamide of a polybenzoxazole precursor. Here, the main component means that the structural unit represented by the general formula (31) has 50 mol% or more of the total structural units of the polymer. It is preferable to contain 70 mol% or more, and it is more preferable to contain 90 mol% or more.

[화학식 60][Formula 60]

Figure 112017119436310-pat00060
Figure 112017119436310-pat00060

일반식 (31) 중, R1, R2 는 각각 동일해도 되고 상이해도 되고 탄소수 2 이상의 2 가 ∼ 8 가의 유기기를 나타낸다. R3, R4 는 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 수소 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. l, m 은 0 ∼ 2 의 정수, p, q 는 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. 단 p + q > 0 이다.In General Formula (31), R 1 and R 2 may be the same or different, respectively, and represent a divalent to octavalent organic group having 2 or more carbon atoms. R 3 and R 4 may be the same or different, respectively, and represent hydrogen or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. l and m represent the integer of 0-2, p and q represent the integer of 0-4. However, it is p + q> 0.

상기 일반식 (31) 중, R1 은 탄소수 2 이상의 2 가 ∼ 8 가의 유기기를 나타내고, 산의 구조 성분을 나타내고 있다. R1 이 2 가가 되는 산으로는, 테레프탈산, 이소프탈산, 디페닐에테르디카르복실산, 나프탈렌디카르복실산, 비스(카르복시페닐)프로판 등의 방향족 디카르복실산, 시클로헥산디카르복실산, 아디프산 등의 지방족 디카르복실산 등을 들 수 있다. R1 이 3 가가 되는 산으로는, 트리멜리트산, 트리메스산 등의 트리카르복실산 등을 들 수 있다. R1 이 4 가가 되는 산으로는 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산, 비페닐테트라카르복실산, 디페닐에테르테트라카르복실산, 디페닐술폰테트라카르복실산 등의 방향족 테트라카르복실산이나, 부탄테트라카르복실산, 시클로펜탄테트라카르복실산 등의 지방족 테트라카르복실산, 이들의 카르복실기 2 개의 수소 원자를 메틸기나 에틸기로 한 디에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 또, 하이드록시프탈산, 하이드록시트리멜리트산 등의 수산기를 갖는 산도 들 수 있다. 이들 산 성분을 2 종 이상 사용해도 상관없지만, 테트라카르복실산의 잔기를 1 ∼ 40 몰% 포함하는 것이 바람직하다. 또, 알칼리 현상액에 대한 용해성이나 감광성의 점에서, 수산기를 갖는 산의 잔기를 50 몰% 이상 포함하는 것이 바람직하다.In General Formula (31), R 1 represents a divalent to octavalent organic group having 2 or more carbon atoms, and represents a structural component of an acid. Examples of the acid in which R 1 is divalent include aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, diphenyl ether dicarboxylic acid, naphthalenedicarboxylic acid, and bis(carboxyphenyl)propane, cyclohexanedicarboxylic acid, And aliphatic dicarboxylic acids such as adipic acid. Tricarboxylic acids, such as trimellitic acid and trimesic acid, are mentioned as an acid in which R<1> is trivalent. Examples of the acid in which R 1 is tetravalent include aromatic tetracarboxylic acids such as pyromellitic acid, benzophenone tetracarboxylic acid, biphenyltetracarboxylic acid, diphenyl ether tetracarboxylic acid, and diphenylsulfonetetracarboxylic acid. , Aliphatic tetracarboxylic acids such as butanetetracarboxylic acid and cyclopentanetetracarboxylic acid, and diester compounds in which two hydrogen atoms of these carboxyl groups are methyl groups or ethyl groups. Moreover, the acid which has hydroxyl groups, such as hydroxyphthalic acid and hydroxy trimellitic acid, is also mentioned. You may use 2 or more types of these acid components, but it is preferable to contain 1 to 40 mol% of the residue of tetracarboxylic acid. Moreover, it is preferable to contain 50 mol% or more of the residue of the acid which has a hydroxyl group from a point of solubility or photosensitive property to an alkali developing solution.

R1 은, 내열성의 점에서 방향족 고리를 갖는 것이 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 30 의 3 가 또는 4 가의 유기기가 더 바람직하다.R 1 preferably has an aromatic ring from the viewpoint of heat resistance, and a trivalent or tetravalent organic group having 6 to 30 carbon atoms is more preferable.

일반식 (31) 중, R2 는 탄소수 2 개 이상의 2 가 ∼ 8 가의 유기기를 나타내고, 디아민의 구조 성분을 나타내고 있다. R2 는, 내열성의 점에서 방향족 고리를 갖는 것이 바람직하다. 디아민의 구체적인 예로는, 페닐렌디아민, 디아미노디페닐에테르, 아미노페녹시벤젠, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰, 비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 비스(아미노페녹시페닐)프로판, 비스(아미노페녹시페닐)술폰, 비스(아미노-하이드록시-페닐)헥사플루오로프로판, 디아미노디하이드록시피리미딘, 디아미노디하이드록시피리딘, 하이드록시-디아미노-피리미딘, 디아미노페놀, 디하이드록시벤지딘, 디아미노벤조산, 디아미노테레프탈산, 이들 방향족 고리의 수소의 적어도 일부를 알킬기나 할로겐 원자로 치환한 화합물이나, 지방족의 시클로헥실디아민, 메틸렌비스시클로헥실아민, 헥사메틸렌디아민을 들 수 있다. 이들 디아민 성분을 2 종 이상 사용해도 상관없지만, 알칼리 현상액에 대한 용해성의 점에서, 수산기를 갖는 디아민의 잔기를 60 몰% 이상 포함하는 것이 바람직하다.In General Formula (31), R 2 represents a divalent to octavalent organic group having 2 or more carbon atoms, and represents the structural component of diamine. R 2 preferably has an aromatic ring from the viewpoint of heat resistance. Specific examples of diamines include phenylenediamine, diaminodiphenyl ether, aminophenoxybenzene, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, bis(trifluoromethyl)benzidine, bis(aminophenoxyphenyl)propane , Bis(aminophenoxyphenyl)sulfone, bis(amino-hydroxy-phenyl)hexafluoropropane, diaminodihydroxypyrimidine, diaminodihydroxypyridine, hydroxy-diamino-pyrimidine, diamino Phenol, dihydroxybenzidine, diaminobenzoic acid, diaminoterephthalic acid, compounds in which at least a part of hydrogen in these aromatic rings is substituted with an alkyl group or a halogen atom, and aliphatic cyclohexyldiamine, methylenebiscyclohexylamine, and hexamethylenediamine Can. Two or more of these diamine components may be used, but from the viewpoint of solubility in an alkali developer, it is preferable to contain 60 mol% or more of the residue of the diamine having a hydroxyl group.

일반식 (31) 의 R3 및 R4 는 각각 독립적으로, 수소 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. 알칼리 현상액에 대한 용해성과, 포지티브형 감방사선성 조성물 1 의 용액 안정성의 점에서, R3 및 R4 의 각각 10 몰% ∼ 90 몰% 가 수소인 것이 바람직하다. 또한, R3 및 R4 가 각각 탄소수 1 ∼ 16 의 1 가의 탄화수소기를 적어도 1 개 이상 함유하고, 그 외는 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.R 3 and R 4 in the general formula (31) each independently represent hydrogen or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. From the viewpoint of solubility in an alkali developer and solution stability of the positive radiation sensitive composition 1, it is preferable that 10 mol% to 90 mol% of R 3 and R 4 are each hydrogen. Moreover, it is more preferable that R 3 and R 4 each contain at least one or more monovalent hydrocarbon groups having 1 to 16 carbon atoms, and the others are more preferably hydrogen atoms.

또, 일반식 (31) 의 l 및 m 은 카르복실기 또는 에스테르기의 수를 나타내고, 각각 독립적으로 0 ∼ 2 의 정수를 나타낸다. 바람직하게는 1 또는 2 이다. 일반식 (31) 의 p 및 q 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타내고, p + q > 0 이다.Moreover, l and m of general formula (31) represent the number of a carboxyl group or an ester group, and respectively independently represent the integer of 0-2. It is preferably 1 or 2. P and q of general formula (31) each independently represent the integer of 0-4, and p+q>0.

일반식 (31) 로 나타내는 구조를 주성분으로 하는 폴리머에 있어서의, 일반식 (31) 로 나타내는 구성 단위의 수는, 10 ∼ 100,000 의 범위인 것이 바람직하고, 15 ∼ 1,000 의 범위인 것이 보다 바람직하며, 20 ∼ 100 의 범위인 것이 더 바람직하다. The number of structural units represented by the general formula (31) in the polymer having the structure represented by the general formula (31) as a main component is preferably in the range of 10 to 100,000, more preferably in the range of 15 to 1,000, , It is more preferably in the range of 20 to 100.

일반식 (31) 로 나타내는 구성 단위의 수는, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 나 광 산란법, X 선 소각 산란법 등으로 질량 평균 분자량을 측정함으로써 용이하게 산출할 수 있다. 반복 단위의 분자량을 M, 폴리머의 질량 평균 분자량을 Mm 으로 하면, 일반식 (31) 로 나타내는 구성 단위의 수 = Mm/M 이다. 일반식 (31) 로 나타내는 구성 단위의 수는, 가장 간편한 폴리스티렌 환산에 의한 GPC 측정을 사용하여 산출하는 값을 말한다.The number of structural units represented by the general formula (31) can be easily calculated by measuring the mass average molecular weight by gel permeation chromatography (GPC), light scattering, X-ray incineration scattering, or the like. When the molecular weight of the repeating unit is M and the mass average molecular weight of the polymer is Mm, the number of structural units represented by the general formula (31) = Mm/M. The number of structural units represented by the general formula (31) refers to a value calculated using the GPC measurement by the simplest polystyrene conversion.

또한, 예를 들어 기판과의 접착성을 향상시키기 위해서, 내열성을 저하시키지 않는 범위에서 실록산 구조를 갖는 지방족의 기를 공중합시켜도 된다. 구체적으로는, 디아민 성분으로서 비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 비스(p-아미노-페닐)옥타메틸펜타실록산 등을 1 ∼ 10 몰% 공중합한 것 등을 들 수 있다.Moreover, in order to improve adhesiveness with a board|substrate, for example, you may copolymerize the aliphatic group which has a siloxane structure in the range which does not lower heat resistance. Specifically, examples of the diamine component include a copolymer of 1 to 10 mol% of bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, bis(p-amino-phenyl)octamethylpentasiloxane, and the like.

포지티브형 감방사선성 조성물 1 에 있어서의 기타 폴리머의 함유량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 포지티브형 감방사선성 조성물 1 에 있어서의 기타 폴리머의 함유량은, 알칼리 가용성 수지 100 질량에 대해 1 ∼ 300 질량부가 바람직하고, 1 ∼ 200 질량부가 보다 바람직하다.The content of other polymers in the positive radiation-sensitive composition 1 is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. The content of other polymers in the positive radiation-sensitive composition 1 is preferably 1 to 300 parts by mass, more preferably 1 to 200 parts by mass with respect to 100 masses of the alkali-soluble resin.

[기타 성분][Other ingredients]

포지티브형 감방사선성 조성물 1 은, 필요에 따라, 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 첨가제로는, 증감제, 경화 촉진제, 충전제, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 응집 방지제, 열중합 금지제, 소포제, 계면활성제 등을 들 수 있다.The positive radiation sensitive composition 1 may contain various additives as needed. Examples of the additives include sensitizers, curing accelerators, fillers, adhesion promoters, antioxidants, agglomeration inhibitors, thermal polymerization inhibitors, antifoaming agents, surfactants, and the like.

<감방사선성 조성물의 조제 방법><Method for preparing radiation-sensitive composition>

본 발명에 관련된 감방사선성 조성물은, 상기 각 성분을 교반기로 혼합함으로써 조제된다. 또한, 조제된 감방사선성 조성물이 균일한 것이 되도록, 멤브레인 필터 등을 사용하여 여과해도 된다.The radiation-sensitive composition according to the present invention is prepared by mixing each component with a stirrer. Moreover, you may filter using a membrane filter etc. so that the prepared radiation-sensitive composition becomes uniform.

≪패턴 제조 방법≫≪Pattern manufacturing method≫

본 발명에 관련된 레지스트 패턴의 제조 방법은, 본 발명에 관련된 감방사선성 조성물로 이루어지는 감방사선성 조성물막을 기판 상에 형성하는 감방사선성 조성물막 형성 공정과, 상기 감방사선성 조성물막을 위치 선택적으로 노광하는 노광 공정과, 노광된 상기 감방사선성 조성물막을 현상하는 현상 공정을 포함하는 것이다. The method for producing a resist pattern according to the present invention includes a step of forming a radiation-sensitive composition film comprising a radiation-sensitive composition film comprising the radiation-sensitive composition according to the present invention on a substrate, and selectively exposing the radiation-sensitive composition film It includes an exposure process to be performed, and a developing process for developing the exposed radiation-sensitive composition film.

먼저, 감방사선성 조성물막 형성 공정에서는, 예를 들어 기판 상에, 롤 코터, 리버스 코터, 바 코터 등의 접촉 전사형 도포 장치나 스피너 (회전식 도포 장치), 커튼 플로우 코터 등의 비접촉형 도포 장치를 사용하여 본 발명에 관련된 감방사선성 조성물을 도포하고, 필요에 따라 건조에 의해 용매를 제거해, 감방사선성 조성물막을 형성한다.First, in the radiation-sensitive composition film forming step, for example, on a substrate, a contact transfer type coating device such as a roll coater, a reverse coater, a bar coater, or a non-contact type coating device such as a spinner (rotary coating device) or curtain flow coater may be used. Using, the radiation-sensitive composition according to the present invention is applied, and, if necessary, the solvent is removed by drying to form a radiation-sensitive composition film.

또, 감방사선성 조성물막 형성 공정에서는, 지지 필름 상에 형성된 상기 감방사선성 조성물로 이루어지는 감방사선성 조성물막 (드라이 필름) 을 기판에 첩부 (貼付) 함으로써, 상기 기판 상에 감방사선성 조성물막을 형성할 수도 있다. 드라이 필름은, 통상적인 방법에 의해, 상기 감방사선성 조성물을 지지 필름 상에 도포한 후, 건조시킴으로써 형성할 수 있다.In the radiation-sensitive composition film forming step, the radiation-sensitive composition film is formed on the substrate by attaching a radiation-sensitive composition film (dry film) made of the radiation-sensitive composition formed on the support film to the substrate. It can also form. A dry film can be formed by apply|coating the said radiation sensitive composition on a support film by a conventional method, and drying it.

이어서, 노광 공정에서는, 소정 패턴의 마스크를 개재하여, 감방사선성 조성물막에 자외선, 엑시머 레이저광 등의 방사선을 조사하고, 감방사선성 조성물막을 위치 선택적으로 노광한다. 노광에는, 예를 들어 고압 수은등, 초고압 수은등, 크세논 램프, 카본 아크등 등의 자외선을 발하는 광원을 사용할 수 있다. 노광량은 감방사선성 조성물의 조성에 따라서도 상이하지만, 예를 들어 10 ∼ 600 mJ/㎠ 정도가 바람직하다.Subsequently, in the exposure step, the radiation-sensitive composition film is irradiated with radiation such as ultraviolet light or excimer laser light through a mask of a predetermined pattern, and the radiation-sensitive composition film is selectively exposed. For exposure, for example, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a xenon lamp, a carbon arc lamp, or the like, an ultraviolet light source can be used. The exposure amount varies depending on the composition of the radiation-sensitive composition, but, for example, about 10 to 600 mJ/cm 2 is preferable.

이어서, 현상 공정에서는, 노광 후의 감방사선성 조성물막을 현상액으로 현상함으로써, 소정 패턴을 형성한다. 현상 방법은 특별히 한정되지 않고, 침지 법, 스프레이법 등을 사용할 수 있다. 현상액의 구체예로는, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 유기계의 것이나, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 암모니아, 4 급 암모늄염 등의 수용액을 들 수 있다.Subsequently, in the developing step, a predetermined pattern is formed by developing the radiation-sensitive composition film after exposure with a developer. The developing method is not particularly limited, and an immersion method, a spray method, or the like can be used. Specific examples of the developing solution include organic ones such as monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine, and aqueous solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, ammonia, and quaternary ammonium salts.

실시예Example

이하, 실시예를 나타내 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는, 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the scope of the present invention is not limited to these Examples.

<재료><material>

실시예 및 비교예에서 사용한 각 성분의 자세한 것은 하기와 같다.Details of each component used in Examples and Comparative Examples are as follows.

· 알칼리 가용성 수지Alkali-soluble resin

카르도 수지 1 : 고형분 55 질량% (용제 : 3-메톡시부틸아세테이트, 질량 평균 분자량 : 4,000) Cardo resin 1: 55% by mass of solid content (solvent: 3-methoxybutyl acetate, mass average molecular weight: 4,000)

아크릴 수지 1 : 메타크릴산 (MAA) 과 메타크릴산트리시클로데카닐 (TCDMA) 과 메타크릴산2,3-에폭시시클로헥실메틸 (ECHM) 과 메타크릴산글리시딜 (GMA) 을 MAA/TCDMA/ECHM/GMA = 15/20/40/25 (질량비) 로 혼합하고, 통상적인 방법에 의해 부가 중합해 얻은, 하기 식으로 나타내는 구성 단위를 갖는 아크릴 수지 (질량 평균 분자량 10,000)Acrylic resin 1: Methacrylic acid (MAA), methacrylic acid tricyclodecanyl (TCDMA), methacrylic acid 2,3-epoxycyclohexylmethyl (ECHM) and glycidyl methacrylate (GMA) are MAA/TCDMA /ECHM/GMA = 15/20/40/25 (mass ratio), an acrylic resin having a structural unit represented by the following formula, obtained by addition polymerization by a conventional method (mass average molecular weight 10,000)

[화학식 61][Formula 61]

Figure 112017119436310-pat00061
Figure 112017119436310-pat00061

아크릴 수지 2 : 메타크릴산벤질 (BzMA) 과 메타크릴산 (MAA) 을 BzMA/MAA = 80/20 (질량비) 으로 혼합하고, 통상적인 방법에 의해 부가 중합해 얻은 아크릴 수지 (질량 평균 분자량 15,000)Acrylic resin 2: Acrylic resin obtained by mixing benzyl methacrylate (BzMA) and methacrylic acid (MAA) at BzMA/MAA = 80/20 (mass ratio) and adding polymerization by a conventional method (mass average molecular weight 15,000)

· 광 중합성 모노머 · Photopolymerizable monomer

광 중합성 모노머 1 : 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (DPHA)Photopolymerizable monomer 1: dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA)

· 광 중합 개시제
· Photopolymerization initiator

광 중합 개시제 1 : 「NCI-831」(상품명, ADEKA 제조) Photopolymerization initiator 1: "NCI-831" (trade name, manufactured by ADEKA)

광 중합 개시제 2 : 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체 Photopolymerization initiator 2: 2-(o-chlorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer

광 중합 개시제 3 : 「IRGACURE OXE01」(상품명, BASF 제조) Photopolymerization initiator 3: "IRGACURE OXE01" (trade name, manufactured by BASF)

광 중합 개시제 4 : 「IRGACURE OXE02」(상품명, BASF 제조) Photopolymerization initiator 4: "IRGACURE OXE02" (trade name, manufactured by BASF)

착색제 1 : 카본 분산액 「CF 블랙」(상품명, 미쿠니 색소사 제조, 고형분 25 %, 용제 : 3-메톡시부틸아세테이트) Coloring agent 1: Carbon dispersion liquid "CF Black" (trade name, Mikuni pigment company, solid content 25%, solvent: 3-methoxybutyl acetate)

착색제 2 : 흑색 안료 Experimental Black 582 (상품명, BASF 제조) 를, 분산제를 사용하고, 정법에 의해 비즈밀로 분산시켜, 안료의 평균 입자경이 90 ∼ 190 ㎚ 가 되도록 제조한 안료 분산액 (고형분 15 질량%, 용제 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) Coloring agent 2: Black pigment Experimental Black 582 (trade name, manufactured by BASF) using a dispersing agent and dispersing with a bead mill by a conventional method to prepare a pigment dispersion liquid having an average particle diameter of 90 to 190 nm (solid content 15% by mass, Solvent: Propylene glycol monomethyl ether acetate)

착색제 3 : R254 (C. I. 피그먼트 레드 254)/Y139 (C. I. 피그먼트 옐로우) (혼합 질량비 : 85/15) 를, 분산제와 아크릴 수지 2 (안료에 대한 고형분 비율 : 10 질량%) 를 병용하고, 정법에 의해 비즈밀로 분산시켜, 안료의 평균 입자경이 90 ∼ 190 ㎚ 가 되도록 제조한 안료 분산액 (고형분 18 질량%, 용제 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) Coloring agent 3: R254 (CI pigment red 254)/Y139 (CI pigment yellow) (mixed mass ratio: 85/15), dispersant and acrylic resin 2 (solid content ratio to pigment: 10 mass%) are used in combination, Dispersed with a bead mill by, to prepare a pigment dispersion liquid having an average particle diameter of 90 to 190 nm (solid content 18 mass%, solvent: propylene glycol monomethyl ether acetate)

착색제 4 : G36 (C. I. 피그먼트 그린 36)/Y150 (C. I. 피그먼트 옐로우 150) (혼합 질량비 : 70/30) 으로부터, 착색제 3 과 마찬가지로 해, 안료의 평균 입자경이 90 ∼ 190 ㎚ 가 되도록 제조한 안료 분산액 (고형분 18 질량%, 용제 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) Colorant 4: Pigment prepared from G36 (CI Pigment Green 36)/Y150 (CI Pigment Yellow 150) (mixed mass ratio: 70/30) in the same manner as Colorant 3, so that the average particle diameter of the pigment is 90 to 190 nm Dispersion (18% by mass of solid content, solvent: propylene glycol monomethyl ether acetate)

착색제 5 : B156 (C. I. 피그먼트 블루 156)/V23 (C. I. 피그먼트 바이올렛 23) (혼합 질량비 : 90/10) 으로부터, 착색제 3 과 마찬가지로 해, 안료의 평균 입자경이 90 ∼ 190 ㎚ 가 되도록 제조한 안료 분산액 (고형분 15 질량%, 용제 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)Colorant 5: Pigment prepared from B156 (CI Pigment Blue 156)/V23 (CI Pigment Violet 23) (mixed mass ratio: 90/10) in the same manner as Colorant 3, so that the average particle diameter of the pigment is 90 to 190 nm Dispersion (15% by mass solid content, solvent: propylene glycol monomethyl ether acetate)

· 계면활성제· Surfactants

계면활성제 1 : 「그라놀 440」(상품명, 쿄에이샤 화학 주식회사)Surfactant 1: ``Granol 440'' (trade name, Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)

· 화합물 1 ∼ 4 : 각각 하기 식 (E1) ∼ (E4) 로 나타내는 화합물Compounds 1-4: compounds represented by the following formulas (E1) to (E4), respectively

[화학식 62][Formula 62]

Figure 112017119436310-pat00062
Figure 112017119436310-pat00062

· 기타 유기 용제· Other organic solvents

MBA : 3-메톡시부틸아세테이트 MBA: 3-methoxybutyl acetate

PGMEA : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate

EEP : 3-에톡시프로피온산에틸EEP: 3-ethoxypropionate ethyl

EL : 락트산에틸 EL: ethyl lactate

NMP : N-메틸-2-피롤리돈 NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

GBL : γ-부티로락톤GBL: γ-butyrolactone

카르도 수지 1 은, 이하의 처방에 따라 합성한 것이다.The cardo resin 1 was synthesized according to the following prescription.

먼저, 500 ㎖ 4 구 플라스크 중에, 비스페놀플루오렌형 에폭시 수지 (에폭시 당량 235) 235 g, 테트라메틸암모늄클로라이드 110 ㎎, 2,6-디-tert-부틸-4-메틸페놀 100 ㎎, 및 아크릴산 72.0 g 을 주입하고, 이것에 25 ㎖/분의 속도로 공기를 불어넣으면서 90 ∼ 100 ℃ 에서 가열 용해하였다. 다음으로, 용액이 백탁한 상태 그대로 서서히 승온시키고, 120 ℃ 로 가열해 완전 용해시켰다. 이때, 용액은 점차 투명 점조가 되었지만, 그대로 교반을 계속하였다. 이 사이, 산가를 측정하고, 1.0 ㎎KOH/g 미만이 될 때까지 가열 교반을 계속하였다. 산가가 목표값에 도달할 때까지 12 시간을 필요로 하였다. 그리고 실온까지 냉각시켜, 무색 투명하고 고체상인 하기 구조식 (a-4) 로 나타내는 비스페놀플루오렌형 에폭시아크릴레이트를 얻었다.First, in a 500 mL four-neck flask, 235 g of bisphenolfluorene-type epoxy resin (epoxy equivalent 235), 110 mg of tetramethylammonium chloride, 100 mg of 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, and 72.0 of acrylic acid g was injected, and it was heated and dissolved at 90 to 100°C while blowing air at a rate of 25 ml/min. Next, the solution was gradually heated as it was cloudy, and heated to 120°C to completely dissolve. At this time, the solution gradually became a transparent consistency, but stirring was continued as it was. In the meantime, the acid value was measured and heating and stirring continued until it became less than 1.0 mgKOH/g. It took 12 hours until the acid value reached the target value. Then, the mixture was cooled to room temperature to obtain a bisphenol fluorene-type epoxy acrylate represented by the following structural formula (a-4), which is a colorless, transparent and solid phase.

[화학식 63][Formula 63]

Figure 112017119436310-pat00063
Figure 112017119436310-pat00063

이어서, 이와 같이 하여 얻어진 상기 비스페놀플루오렌형 에폭시아크릴레이트 307.0 g 에 3-메톡시부틸아세테이트 600 g 을 첨가하고 용해한 후, 벤조페논테트라카르복실산 2 무수물 80.5 g 및 브롬화테트라에틸암모늄 1 g 을 혼합하고, 서서히 승온시켜 110 ∼ 115 ℃ 에서 4 시간 반응시켰다. 산 무수물기의 소실을 확인한 후, 1,2,3,6-테트라하이드로 무수 프탈산 38.0 g 을 혼합하고, 90 ℃ 에서 6 시간 반응시켜, 카르도 수지 1 을 얻었다. 산 무수물기의 소실은 IR 스펙트럼에 의해 확인하였다. 이 카르도 수지 1 은, 전술한 일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물에 상당한다.Subsequently, after adding and dissolving 600 g of 3-methoxybutyl acetate to 307.0 g of the bisphenol fluorene-type epoxy acrylate thus obtained, 80.5 g of benzophenone tetracarboxylic acid anhydride and 1 g of tetraethylammonium bromide are mixed. Then, the temperature was gradually increased and reacted at 110 to 115°C for 4 hours. After confirming the disappearance of the acid anhydride group, 38.0 g of 1,2,3,6-tetrahydro phthalic anhydride were mixed and reacted at 90°C for 6 hours to obtain cardo resin 1. The disappearance of the acid anhydride group was confirmed by IR spectrum. This cardo resin 1 corresponds to the compound represented by the general formula (a-1) described above.

<투명 레지스트의 제작><Production of transparent resists>

표 1 에 기재된 조성 및 배합량 (단위 : 질량부) 에 따라, 알칼리 가용성 수지, 광 중합성 모노머, 광 중합 개시제, 및 계면활성제를, 표 2 에 나타내는 조성의 용제와 혼합해, 고형분 농도 20 질량% 의 네거티브형 감방사선성 조성물을 조제하였다.Alkali-soluble resin, photopolymerizable monomer, photopolymerization initiator, and surfactant are mixed with a solvent having the composition shown in Table 2 according to the composition and compounding amount (unit: parts by mass) shown in Table 1, and the solid content concentration is 20 mass%. A negative radiation-sensitive composition was prepared.

[이물][bow]

680 ㎜ × 880 ㎜ × 0.7 ㎜ 두께의 유리 기재에 네거티브형 감방사선성 조성물을 스핀 도포하고, 도막을 100 ℃ 에서 120 초간 건조시켜, 두께 1.2 ㎛ 의 감광성 수지층을 형성하였다. 이어서, 노광량 100 mJ/㎠ 로 감광성 수지층을 노광하였다. 이어서, KOH 0.04 질량% 와 계면활성제 에멀겐 A60 (카오 제조) 0.1 질량% 를 포함하는 수용액을 현상액으로서 사용하고, 23 ℃ 에서 60 초간 샤워 현상을 실시하고, 얻어진 패턴 중의 이물을 자동 광학 검사 장치 (타카노 제조) 로 카운트하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다. A negative-type radiation-sensitive composition was spin-coated on a glass substrate having a thickness of 680 mm × 880 mm × 0.7 mm, and the coating film was dried at 100°C for 120 seconds to form a photosensitive resin layer having a thickness of 1.2 µm. Next, the photosensitive resin layer was exposed with an exposure amount of 100 mJ/cm 2. Subsequently, an aqueous solution containing 0.04% by mass of KOH and 0.1% by mass of surfactant Emulgen A60 (manufactured by Kao) was used as a developer, and shower development was performed at 23°C for 60 seconds, and the foreign matter in the obtained pattern was subjected to an automatic optical inspection device ( (Made by Takano). Table 2 shows the results.

[감도][Sensitivity]

680 ㎜ × 880 ㎜ × 0.7 ㎜ 두께의 유리 기재에 네거티브형 감방사선성 조성물을 스핀 도포하고, 도막을 100 ℃ 에서 120 초간 건조시켜, 두께 1.2 ㎛ 의 감광성 수지층을 형성하였다. 이어서, 라인 앤드 스페이스 패턴의 마스크를 사용하여, 여러 가지 노광량으로, 감광성 수지층을 노광하였다. 이어서, KOH 0.04 질량% 와 계면활성제 에멀겐 A60 (카오 제조) 0.1 질량% 를 현상액으로서 사용하고, 23 ℃ 에서 60 초간 샤워 현상을 실시하였다. 얻어진 라인 패턴의 CD (Critical Dimension) 가 마스크의 CD + 1 ㎛ 가 되는 노광량을 구하고, 이하의 기준으로 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.A negative-type radiation-sensitive composition was spin-coated on a glass substrate having a thickness of 680 mm × 880 mm × 0.7 mm, and the coating film was dried at 100°C for 120 seconds to form a photosensitive resin layer having a thickness of 1.2 µm. Subsequently, a photosensitive resin layer was exposed at various exposure amounts using a mask of a line and space pattern. Subsequently, 0.04 mass% of KOH and 0.1 mass% of surfactant emulsion A60 (manufactured by Kao) were used as a developer, and shower development was performed at 23°C for 60 seconds. The exposure amount in which the CD (Critical Dimension) of the obtained line pattern became CD+1 µm of the mask was determined, and evaluated based on the following criteria. Table 2 shows the results.

○ : 100 mJ/㎠ 미만, △ : 100 ∼ 140 mJ/㎠, × : 140 mJ/㎠ 초과○: less than 100 mJ/cm 2, △: 100 to 140 mJ/cm 2, ×: more than 140 mJ/cm 2

[석출물][Precipitation]

-5 ℃ 에서 2 주간, 네거티브형 감방사선성 조성물을 에이징 처리한 후, 가로세로 10 ㎝ 의 유리 기재에 스핀 도포하고, 석출된 이물의 개수를 카운트해, 이하의 기준으로 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.After the aging treatment of the negative radiation sensitive composition at -5°C for 2 weeks, spin coating was applied to a glass substrate having a width of 10 cm and the number of precipitated foreign substances was counted and evaluated according to the following criteria. Table 2 shows the results.

○ : 0 ∼ 2 개, △ : 3 ∼ 10 개,× : 11 개 이상○: 0 to 2, △: 3 to 10, ×: 11 or more

[점도 변화][Viscosity change]

40 ℃ 에서 2 주간, 에이징 처리한 네거티브형 감방사선성 조성물의 점도를 측정하고, 초기 점도 5 mPa·s 로부터의 변화량을 구하고, 이하의 기준으로 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.The viscosity of the negative radiation-sensitive composition subjected to aging treatment at 40°C for 2 weeks was measured, the amount of change from the initial viscosity of 5 mPa·s was determined, and evaluated based on the following criteria. Table 2 shows the results.

○ : 변화량이 0.5 mPa·s 미만, △ : 변화량이 0.5 ∼ 2 mPa·s, × : 변화량이 2 mPa·s 초과○: Change amount less than 0.5 mPa·s, △: Change amount 0.5 to 2 mPa·s, ×: Change amount exceeds 2 mPa·s

[도포 불균일][Coating unevenness]

680 ㎜ × 880 ㎜ × 0.7 ㎜ 두께의 유리 기재에 네거티브형 감방사선성 조성물을 스핀 도포하고, 도막을 100 ℃ 에서 120 초간 건조시켰을 때에, 핀 불균일이나 방사 불균일 등의 도포 불균일이 발생했는지의 여부를 육안으로 확인하고, 이하의 기준으로 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.Whether or not coating unevenness such as pin unevenness or radiation unevenness occurred when spin-coating a negative radiation-sensitive composition on a glass substrate having a thickness of 680 mm × 880 mm × 0.7 mm and drying the coating film at 100° C. for 120 seconds. It was confirmed visually and evaluated based on the following criteria. Table 2 shows the results.

○ : 도포 불균일은 발생하지 않았다, △ : 국소적으로 도포 불균일이 발생하였다, × : 전체면에서 도포 불균일이 발생하였다(Circle): Coating unevenness did not arise, (triangle|delta): Coating unevenness occurred locally, x: Coating unevenness occurred in the whole surface.

Figure 112017119436310-pat00064
Figure 112017119436310-pat00064

Figure 112017119436310-pat00065
Figure 112017119436310-pat00065

표 2 로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 실시예의 네거티브형 감방사선성 조성물은, 감도, 보존 안정성, 및 도포성이 우수하고, 노광 및 현상에 의해, 이물의 발생이 억제된 패턴을 형성할 수 있었다.As can be seen from Table 2, the negative radiation-sensitive composition of the example containing the compound represented by the general formula (1) is excellent in sensitivity, storage stability, and coatability, and by exposure and development, foreign matter It was possible to form a pattern in which the occurrence of is suppressed.

이것에 대해, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하지 않는 비교예의 네거티브형 감방사선성 조성물은, 감도 및 보존 안정성이 열등하고, 사용하는 용제에 따라서는, 더 도포성이 열등하고, 및/또는 노광 및 현상에 의해 형성된 패턴 중에서 보다 많은 이물이 발생하였다.On the other hand, the negative radiation sensitive composition of the comparative example that does not contain the compound represented by the general formula (1) has inferior sensitivity and storage stability, and, according to the solvent used, further inferior in applicability, and / Or more foreign matter has occurred in the pattern formed by exposure and development.

<블랙 매트릭스용 레지스트, 컬러 필터용 레지스트, 및 블랙 포토 스페이서용 레지스트의 제작><Production of black matrix resist, color filter resist, and black photo spacer resist>

표 3 에 기재된 조성 및 배합량 (단위 : 질량부) 에 따라, 알칼리 가용성 수지, 광 중합성 모노머, 광 중합 개시제, 착색제, 및 계면활성제를, 표 4 ∼ 8 에 나타내는 조성의 용제와 혼합해 (착색제의 배합량은 고형분 환산), 고형분 농도 18 질량% 의 네거티브형 감방사선성 조성물을 조제하였다.Alkali-soluble resins, photopolymerizable monomers, photopolymerization initiators, colorants, and surfactants are mixed with solvents having the compositions shown in Tables 4 to 8 according to the composition and compounding amount (unit: parts by mass) shown in Table 3 (colorants) The compounding quantity of the solid content conversion), and the negative radiation sensitive composition of solid content concentration 18 mass% was prepared.

얻어진 네거티브형 감방사선성 조성물에 대해, 상기 「투명 레지스트의 제작」과 동일하게 하여, 이물, 감도, 점도 변화, 및 도포 불균일의 평가를 실시하였다. 결과를 표 4 ∼ 8 에 나타낸다.The obtained negative radiation sensitive composition was evaluated in the same manner as in the above "Production of Transparent Resist", foreign matter, sensitivity, viscosity change, and coating unevenness. The results are shown in Tables 4-8.

[응집물][Agglomeration]

40 ℃ 에서 2 주간, 네거티브형 감방사선성 조성물을 에이징 처리한 후, 가로세로 10 ㎝ 의 유리 기재에 스핀 도포하고, 응집한 이물의 개수를 카운트하여, 이하의 기준으로 평가하였다. 결과를 표 4 ∼ 8 에 나타낸다.After aging the negative radiation sensitive composition at 40°C for 2 weeks, spin coating was applied to a 10 cm wide glass substrate, and the number of aggregated foreign matter was counted and evaluated according to the following criteria. The results are shown in Tables 4-8.

○ : 0 ∼ 2 개, △ : 3 ∼ 10 개, × : 11 개 이상○: 0 to 2, △: 3 to 10, ×: 11 or more

Figure 112017119436310-pat00066
Figure 112017119436310-pat00066

또한, 표 3 의 최상단에 있어서, BM 은, 실시예 2-1 ∼ 2-11 및 비교예 2-1 ∼ 2-4 를 나타내고, R 은, 실시예 3-1 ∼ 3-7 및 비교예 3-1 ∼ 3-4 를 나타내고, G 는, 실시예 4-1 ∼ 4-7 및 비교예 4-1 ∼ 4-4 를 나타내고, B 는, 실시예 5-1 ∼ 5-7 및 비교예 5-1 ∼ 5-4 를 나타내고, BPS 는, 실시예 6-1 ∼ 6-7 및 비교예 6-1 ∼ 6-4 를 나타낸다.In addition, in the uppermost part of Table 3, BM represents Examples 2-1 to 2-11 and Comparative Examples 2-1 to 2-4, and R represents Examples 3-1 to 3-7 and Comparative Example 3 -1 to 3-4, G represents Examples 4-1 to 4-7 and Comparative Examples 4-1 to 4-4, and B represents Examples 5-1 to 5-7 and Comparative Examples 5 -1 to 5-4, and BPS shows Examples 6-1 to 6-7 and Comparative Examples 6-1 to 6-4.

Figure 112017119436310-pat00067
Figure 112017119436310-pat00067

Figure 112017119436310-pat00068
Figure 112017119436310-pat00068

Figure 112017119436310-pat00069
Figure 112017119436310-pat00069

Figure 112017119436310-pat00070
Figure 112017119436310-pat00070

Figure 112017119436310-pat00071
Figure 112017119436310-pat00071

표 4 ∼ 8 로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 실시예의 네거티브형 감방사선성 조성물은, 감도, 보존 안정성, 및 도포성이 우수하고, 노광 및 현상에 의해, 이물의 발생이 억제된 패턴을 형성할 수 있었다.As can be seen from Tables 4 to 8, the negative radiation-sensitive composition of the example containing the compound represented by the general formula (1) is excellent in sensitivity, storage stability, and coatability, and is exposed and developed. , It was possible to form a pattern in which the occurrence of foreign matter was suppressed.

이것에 대해, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하지 않는 비교예의 네거티브형 감방사선성 조성물은, 보존 안정성이 열등하고, 노광 및 현상에 의해 형성된 패턴 중에서 보다 많은 이물이 발생하고, 사용하는 용제에 따라서는, 더 도포성이 열등하였다. 또, 착색제로서 차광제를 함유하는 비교예의 네거티브형 감방사선성 조성물은, 감도가 열등하였다.On the other hand, in the negative radiation sensitive composition of the comparative example that does not contain the compound represented by the general formula (1), storage stability is inferior, and more foreign matter is generated among patterns formed by exposure and development, and used. Depending on the solvent, the coatability was further inferior. Moreover, the sensitivity of the negative radiation sensitive composition of the comparative example containing a light-shielding agent as a coloring agent was inferior.

<포지티브형 감방사선성 조성물의 조제><Preparation of positive radiation sensitive composition>

2,4,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 1 몰과 나프토퀴논-1,2-디아지드-5-술포닐클로라이드 3 몰의 에스테르화 반응 생성물 2 g 과 크레졸노볼락 수지 8 g 을, 표 1 에 나타내는 조성의 용제 40 g 에 용해해, 포지티브형 감방사선성 조성물을 조제하였다. 이와 같이 하여 얻은 포지티브형 감방사선성 조성물에 대해, 이하의 평가 시험을 실시하였다.2 g of the esterification reaction product of 1 mol of 2,4,4,4'-tetrahydroxybenzophenone and 3 mol of naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonylchloride and 8 g of cresol novolak resin , Dissolved in 40 g of the solvent of the composition shown in Table 1 to prepare a positive radiation sensitive composition. The following evaluation test was performed about the positive radiation sensitive composition obtained in this way.

[석출물의 유무][Presence or absence of precipitate]

조제한 포지티브형 감방사선성 조성물을 0.2 ㎛ 멤브레인 필터로 여과한 것을 40 ℃ 에서 정치하고, 2 개월 경과 시점에서의 포지티브형 감방사선성 조성물 중의 석출물의 유무에 대해 조사하였다. 결과를 표 9 에 나타낸다.The prepared positive-type radiation-sensitive composition was filtered through a 0.2 μm membrane filter at 40° C., and the presence or absence of precipitates in the positive-type radiation-sensitive composition at a time point of 2 months was examined. Table 9 shows the results.

[감도 변화][Sensitivity change]

3 개월 후의 포지티브형 감방사선성 조성물의 감도 변화의 유무에 대해 조사하였다. 즉, 조제 직후의 포지티브형 감방사선성 조성물을 기재에 도포해 건조시킨 경우와, 조제하고 3 개월 경과한 포지티브형 감방사선성 조성물을 기재에 도포해 건조시킨 경우의 최소 노광량 (감도) 을 비교하고, 전혀 변화가 없는 경우를 「○」, 감도가 저하한 경우를 「×」로 하였다. 결과를 표 9 에 나타낸다.The presence or absence of a change in sensitivity of the positive radiation-sensitive composition after 3 months was investigated. That is, the minimum exposure amount (sensitivity) of the case where the positive radiation-sensitive composition immediately after preparation is applied to the substrate and dried is compared with the case where the positive radiation-sensitive composition 3 months elapsed after preparation is applied to the substrate and dried. , When there was no change at all, "○", and when the sensitivity was lowered, "X". Table 9 shows the results.

[단면 형상][Sectional shape]

조제한 포지티브형 감방사선성 조성물을 유리 기판 상에 슬릿 코트하고, 핫 플레이트로 90 ℃, 90 초간 건조시켜 막두께 1.3 ㎛ 의 레지스트막을 형성하고, 이 막에 스테퍼를 사용하여, 소정 마스크를 개재하여 노광한 후, 핫 플레이트 상에서 110 ℃, 90 초간 가열하고, 이어서 2.38 질량% 의 수산화테트라메틸암모늄 수용액 (TMAH) 으로 현상하고, 30 초간 수세·건조시켜 얻어진 레지스트 패턴의 단면 형상을 관찰하고, 이하의 기준으로 평가하였다. 결과를 표 9 에 나타낸다. 또한, 언더컷이란, 레지스트 패턴의 단면에 있어서, 유리 기판과 접촉하는 레지스트 패턴 최하부의 폭이 레지스트 패턴 최상부의 폭보다 좁아져 있는 것을 말한다.The prepared positive radiation-sensitive composition was slit-coated on a glass substrate, and dried with a hot plate at 90° C. for 90 seconds to form a resist film having a film thickness of 1.3 μm, and a stepper was used to expose the film through a predetermined mask. Then, it was heated on a hot plate at 110° C. for 90 seconds, then developed with a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), and the cross-sectional shape of the resist pattern obtained by washing and drying for 30 seconds was observed, and the following criteria It was evaluated as. Table 9 shows the results. In addition, undercut means that the width of the lowermost portion of the resist pattern in contact with the glass substrate is narrower than the width of the uppermost portion of the resist pattern in the cross section of the resist pattern.

○ : 유리 기판과 레지스트 패턴의 접촉 부분에 언더컷이 생겨 있지 않다.(Circle): Undercut is not formed in the contact part of a glass substrate and a resist pattern.

× : 유리 기판과 레지스트 패턴의 접촉 부분에 언더컷이 생겨 있다.X: An undercut is formed in the contact portion between the glass substrate and the resist pattern.

[도포 상태][Application status]

조제한 포지티브형 감방사선성 조성물을 유리 기판 상에 슬릿 코트하고, 핫 플레이트로 90 ℃, 90 초간 건조시킨 것의 막두께를 측정하고, 면내에서 균일하게 도포되어 있는 경우를 「양호」, 면내에서 균일하게 도포되어 있지 않은 것을 「불량」으로 하였다. 결과를 표 9 에 나타낸다.When the prepared positive-type radiation-sensitive composition is slit-coated on a glass substrate, the film thickness of the product dried at 90° C. for 90 seconds with a hot plate is measured, and the case where the coating is uniformly applied in-plane is “good”, uniformly in-plane What was not applied was set as "poor". Table 9 shows the results.

Figure 112017119436310-pat00072
Figure 112017119436310-pat00072

표 9 로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 실시예의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 보존 안정성, 현상성, 및 도포성이 우수하였다.As can be seen from Table 9, the positive radiation sensitive composition of the example containing the compound represented by the general formula (1) was excellent in storage stability, developability, and coatability.

이것에 대해, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하지 않는 비교예의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 보존 안정성, 현상성, 및 도포성이 열등하였다.On the other hand, the positive-type radiation-sensitive composition of the comparative example not containing the compound represented by the general formula (1) was inferior in storage stability, developability, and coatability.

<폴리아믹산 함유 네거티브형 감방사선성 수지 조성물의 조제><Preparation of negative radiation-sensitive resin composition containing polyamic acid>

교반기, 교반 날개, 환류 냉각기, 질소 가스 도입관을 구비한 용량 5 ℓ의 세퍼러블 플라스크에, 테트라카르복실산 2 무수물인 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 654.4 g 과, 디아민인 4,4'-디아미노디페닐에테르 (ODA) 672.8 g 과, 표 10 에 나타내는 조성의 용제를 투입하였다. 질소 가스 도입관으로부터 플라스크 내로 질소를 도입해, 플라스크 내를 질소 분위기로 하였다. 이어서, 플라스크의 내용물을 교반하면서, 50 ℃ 에서 20 시간, 상기 테트라카르복실산 2 무수물과 상기 디아민을 반응시켜, 폴리아믹산 용액을 얻었다. 얻어진 폴리아믹산 용액에, 감광성 성분인 「IRGACURE OXE02」(상품명, BASF 제조, 옥심에스테르 화합물) 278 g 을 첨가해 교반하여, 고형분 농도 30 질량% 의 네거티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.In a separable flask having a capacity of 5 L equipped with a stirrer, stirring blade, reflux cooler, and nitrogen gas introduction pipe, 654.4 g of pyromellitic acid anhydride (PMDA), tetracarboxylic dianhydride, and 4,4'-diamine 672.8 g of diaminodiphenyl ether (ODA) and a solvent having a composition shown in Table 10 were added. Nitrogen was introduced into the flask from the nitrogen gas introduction pipe, and the flask was brought into a nitrogen atmosphere. Subsequently, while stirring the contents of the flask, the tetracarboxylic dianhydride and the diamine were reacted at 50° C. for 20 hours to obtain a polyamic acid solution. To the obtained polyamic acid solution, 278 g of "IRGACURE OXE02" (trade name, manufactured by BASF, oxime ester compound) as a photosensitive component was added and stirred to prepare a negative radiation sensitive resin composition having a solid content concentration of 30 mass%.

얻어진 네거티브형 감방사선성 수지 조성물에 대해, 「투명 레지스트의 제작」과 동일하게 하여, 이물, 점도 변화, 및 도포 불균일의 평가를 실시하였다. 결과를 표 10 에 나타낸다.The obtained negative-type radiation-sensitive resin composition was evaluated in the same manner as in "Production of a transparent resist" to evaluate foreign matter, viscosity change, and coating unevenness. Table 10 shows the results.

Figure 112017119436310-pat00073
Figure 112017119436310-pat00073

표 10 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 실시예의 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 보존 안정성 및 도포성이 우수하고, 노광 및 현상에 의해, 이물의 발생이 억제된 패턴을 형성할 수 있었다.As can be seen from Table 10, the negative-type radiation-sensitive resin composition of the example containing the compound represented by the general formula (1) is excellent in storage stability and coatability, and by exposure and development, foreign matter is generated. This suppressed pattern could be formed.

이것에 대해, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하지 않는 비교예의 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 보존 안정성 및 도포성이 열등하고, 노광 및 현상에 의해 형성된 패턴 중에서 보다 많은 이물이 발생하였다.On the other hand, the negative radiation sensitive resin composition of the comparative example that does not contain the compound represented by the general formula (1) is inferior in storage stability and coatability, and more foreign matter is generated in the pattern formed by exposure and development. Did.

<폴리벤조옥사졸 전구체 함유 네거티브형 감방사선성 수지 조성물의 조제><Preparation of negative radiation sensitive resin composition containing polybenzoxazole precursor>

회전자를 넣은 삼각 플라스크에, 방향족 디아민디올인 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 2 m㏖ 과, 표 11 에 나타내는 조성의 용제 1 ㎖ 를 첨가한 후, 마그네틱 스터러를 사용하여 플라스크의 내용물 5 분간 교반하였다. 그 후, 디카르보닐 화합물인 이소프탈알데하이드 2 m㏖ 을 플라스크 내에 넣고, 질소 분위기하에서 플라스크의 내용물을 3 시간 환류시켜 반응을 실시하였다. 이어서, 감압 증류로 반응액을 탈수하여, 폴리벤조옥사졸 전구체 용액을 얻었다.To an Erlenmeyer flask containing a rotor, 2 mmol of 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, which is an aromatic diaminediol, and 1 ml of a solvent having the composition shown in Table 11 were added. Then, the contents of the flask were stirred for 5 minutes using a magnetic stirrer. Thereafter, 2 mmol of the dicarbonyl compound, isophthalaldehyde, was placed in the flask, and the contents of the flask were refluxed for 3 hours under a nitrogen atmosphere to react. Subsequently, the reaction solution was dehydrated by distillation under reduced pressure to obtain a polybenzoxazole precursor solution.

얻어진 폴리벤조옥사졸 전구체 용액에, 감광성 성분인 「IRGACURE OXE02」(상품명, BASF 제조, 옥심에스테르 화합물) 0.5 m㏖ 을 첨가하고 교반하여, 고형분 농도 30 질량% 의 네거티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.To the obtained polybenzoxazole precursor solution, 0.5 mmol of "IRGACURE OXE02" (trade name, manufactured by BASF, oxime ester compound) as a photosensitive component was added and stirred to prepare a negative radiation sensitive resin composition having a solid content concentration of 30% by mass. Did.

얻어진 네거티브형 감방사선성 수지 조성물에 대해, 「투명 레지스트의 제작」과 동일하게 하여, 이물, 점도 변화, 및 도포 불균일의 평가를 실시하였다. 결과를 표 11 에 나타낸다.The obtained negative-type radiation-sensitive resin composition was evaluated in the same manner as in "Production of a transparent resist" to evaluate foreign matter, viscosity change, and coating unevenness. Table 11 shows the results.

Figure 112017119436310-pat00074
Figure 112017119436310-pat00074

표 11 로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 실시예의 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 보존 안정성 및 도포성 이 우수하고, 노광 및 현상에 의해, 이물의 발생이 억제된 패턴을 형성할 수 있었다.As can be seen from Table 11, the negative radiation-sensitive resin composition of the example containing the compound represented by the general formula (1) is excellent in storage stability and coatability, and by exposure and development, foreign matter is generated. This suppressed pattern could be formed.

이것에 대해, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하지 않는 비교예의 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 보존 안정성 및 도포성이 열등하고, 노광 및 현상에 의해 형성된 패턴 중에서 보다 많은 이물이 발생하였다.On the other hand, the negative radiation sensitive resin composition of the comparative example that does not contain the compound represented by the general formula (1) is inferior in storage stability and coatability, and more foreign matter is generated in the pattern formed by exposure and development. Did.

<폴리아믹산 함유 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 조제 1><Preparation 1 of positive-type radiation-sensitive resin composition containing polyamic acid>

[하이드록실기 함유 산 무수물 (a) 의 합성][Synthesis of hydroxyl group-containing acid anhydride (a)]

질소 기류하, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 (BAHF) 18.3 g (0.05 ㏖) 과 알릴글리시딜에테르 34.2 g (0.3 ㏖) 을 GBL 100 g 에 용해시키고, -10 ℃ 로 냉각하였다. 여기에 GBL 50 g 에 용해시킨 무수 트리멜리트산클로라이드 22.1 g (0.11 ㏖) 을 적하하였다. 이때 반응액의 온도가 0 ℃ 를 초과하지 않도록 적하 속도를 조정하였다. 적하 종료 후, 0 ℃ 에서 5 시간 교반하였다. 이 용액을 로터리 이배퍼레이터로 농축하고, 톨루엔 1 ℓ 에 투입해, 하기 식으로 나타내는 하이드록실기 함유 산 무수물 (a) 를 얻었다. Under nitrogen stream, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane (BAHF) 18.3 g (0.05 mol) and allyl glycidyl ether 34.2 g (0.3 mol) were added to 100 g of GBL. Dissolve and cool to -10 °C. 22.1 g (0.11 mol) of trimellitic anhydride dissolved in 50 g of GBL was added dropwise thereto. At this time, the dropping speed was adjusted so that the temperature of the reaction solution did not exceed 0°C. After completion of dropping, the mixture was stirred at 0°C for 5 hours. The solution was concentrated with a rotary evaporator and charged into 1 L of toluene to obtain a hydroxyl group-containing acid anhydride (a) represented by the following formula.

[화학식 64][Formula 64]

Figure 112017119436310-pat00075
Figure 112017119436310-pat00075

[폴리머 A 의 합성][Synthesis of Polymer A]

질소 기류하, 4,4'-디아미노페닐에테르 4.40 g (0.022 ㏖), 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.24 g (0.005 ㏖) 을 NMP 50 g 에 용해시켰다. 여기에 합성예 1 에서 얻어진 하이드록실기 함유 산 무수물 (a) 21.4 g (0.030 몰) 을 첨가하고, 20 ℃ 에서 1 시간 반응시키고, 이어서 40 ℃ 에서 2 시간 반응시켰다. 그 후, 4-아미노페놀 0.65 g (0.006 ㏖) 을 첨가하고, 추가로 40 ℃ 에서 45 분간 반응시켰다. 그 후, N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈 7.14 g (0.06 ㏖) 을 NMP 5 g 으로 희석한 용액을 10 분에 걸쳐 적하하였다. 적하 후, 40 ℃ 에서 3 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 용액을 물 2 ℓ 에 투입해, 폴리머 고체의 침전을 여과로 모았다. 폴리머 고체를 45 ℃ 의 진공 건조기로 80 시간 건조시켜, 폴리이미드 전구체인 폴리머 A 를 얻었다. GPC 에 의해, 폴리머 A 의 질량 평균 분자량을 측정하고, 상기 일반식 (31) 로 나타내는 구성 단위의 수가 10 ∼ 500 의 범위 내인 것을 확인하였다.Under nitrogen stream, 4.40 g (0.022 mol) of 4,4'-diaminophenyl ether and 1.24 g (0.005 mol) of 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane were dissolved in 50 g of NMP. To this, 21.4 g (0.030 mol) of the hydroxyl group-containing acid anhydride (a) obtained in Synthesis Example 1 was added, reacted at 20°C for 1 hour, and then reacted at 40°C for 2 hours. Then, 0.65 g (0.006 mol) of 4-aminophenol was added, and further reacted at 40°C for 45 minutes. Then, a solution of 7.14 g (0.06 mol) of N,N-dimethylformamide dimethylacetal diluted with 5 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After dripping, it stirred at 40 degreeC for 3 hours. After completion of the reaction, the solution was poured into 2 L of water, and precipitation of the polymer solid was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 45°C for 80 hours to obtain polymer A as a polyimide precursor. The mass average molecular weight of polymer A was measured by GPC, and it was confirmed that the number of structural units represented by the general formula (31) was within the range of 10 to 500.

[노볼락 수지 A 의 합성][Synthesis of Novolac Resin A]

질소 기류하, m-크레졸 70.2 g (0.65 ㏖), p-크레졸 37.8 g (0.35 ㏖), 37 중량% 포름알데하이드 수용액 75.5 g (포름알데하이드 0.93 ㏖), 옥살산 2 수화물 0.63 g (0.005 ㏖), 메틸이소부틸케톤 264 g 을 주입한 후, 유욕 중에 침지시키고, 반응액을 환류시키면서, 4 시간 중축합 반응을 실시하였다. 그 후, 유욕의 온도를 3 시간에 걸쳐 승온시키고, 그 후 플라스크 내를 감압하고, 휘발분을 제거하고, 용해되어 있는 수지를 실온까지 냉각해, 노볼락 수지 A 의 폴리머 고체를 얻었다. GPC 에 의하면, 노볼락 수지 A 의 질량 평균 분자량은 4,000 이었다.Under nitrogen stream, m-cresol 70.2 g (0.65 mol), p-cresol 37.8 g (0.35 mol), 37% by weight aqueous formaldehyde solution 75.5 g (formaldehyde 0.93 mol), oxalic acid dihydrate 0.63 g (0.005 mol), methyl After injection of 264 g of isobutyl ketone, the mixture was immersed in an oil bath, and a polycondensation reaction was performed for 4 hours while refluxing the reaction solution. Thereafter, the temperature of the oil bath was raised over 3 hours, after which the pressure in the flask was reduced, volatiles were removed, and the dissolved resin was cooled to room temperature to obtain a polymer solid of novolac resin A. According to GPC, the mass average molecular weight of the novolac resin A was 4,000.

[조성물의 조제][Preparation of composition]

폴리머 A 의 고체 6 g, 노볼락 수지 A 4 g, 하기 식으로 나타내는 퀴논디아지드 화합물 A 2 g, HMOM-TPHAP (상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조) 6.0 g, BIR-PC (상품명, 아사히 유기재 공업 (주) 제조) 1 g, 비닐트리메톡시실란 0.3 g 을 칭량해 취하고, 그것들을 표 12 에 나타내는 조성의 용제에 용해시켜, 고형분 농도 30 질량% 의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 얻었다.6 g of solid of polymer A, 4 g of novolac resin A, 2 g of quinonediazide compound A represented by the following formula, HMOM-TPHAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) 6.0 g, BIR-PC (trade name, Asahi 1 g of Organic Materials Industries Co., Ltd. and 0.3 g of vinyl trimethoxysilane were weighed and dissolved in a solvent having a composition shown in Table 12 to obtain a positive radiation sensitive resin composition having a solid content concentration of 30 mass%. .

얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 대해, 「투명 레지스트의 제작」과 동일하게 하여, 이물, 점도 변화, 및 도포 불균일의 평가를 실시하였다. 결과를 표 12 에 나타낸다.About the obtained positive radiation sensitive resin composition, it carried out similarly to "the manufacture of a transparent resist," and evaluated the foreign material, a viscosity change, and coating unevenness. Table 12 shows the results.

[화학식 65][Formula 65]

Figure 112017119436310-pat00076
Figure 112017119436310-pat00076

[상기 식 중, D 는 H 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐기이고, D 의 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐기에 의한 평균 에스테르화율은 59.9 % 이다. 또한, 분자에 따라 D 의 치환수나 치환 위치에 편차가 있기 때문에, 상기와 같이, D 가 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐기인 평균 비율 (평균 에스테르화율 (%)) 을 나타낸다. 이하, 동일하다.][In the above formula, D is H or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group, and the average esterification rate of D by 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group is 59.9%. . In addition, since there is a variation in the number of substitutions and substitution positions of D depending on the molecule, as described above, D represents an average ratio (average esterification ratio (%)) of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl groups. . Hereinafter, it is the same.]

Figure 112017119436310-pat00077
Figure 112017119436310-pat00077

표 12 로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 실시예의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 보존 안정성 및 도포성이 우수하고, 노광 및 현상에 의해, 이물의 발생이 억제된 패턴을 형성할 수 있었다.As can be seen from Table 12, the positive-type radiation-sensitive resin composition of the example containing the compound represented by the general formula (1) is excellent in storage stability and coatability, and by exposure and development, foreign matter is generated. This suppressed pattern could be formed.

이것에 대해, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하지 않는 비교예의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 보존 안정성 및 도포성이 열등하고, 노광 및 현상에 의해 형성된 패턴 중에서 보다 많은 이물이 발생하였다.On the other hand, the positive-type radiation-sensitive resin composition of the comparative example that does not contain the compound represented by the general formula (1) is inferior in storage stability and coatability, and more foreign matter is generated among patterns formed by exposure and development. Did.

<폴리아믹산 함유 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 조제 2><Preparation 2 of positive-type radiation-sensitive resin composition containing polyamic acid>

폴리머 A 의 고체 6 g, 노볼락 수지 A 4 g, 하기 식으로 나타내는 퀴논디아지드 화합물 B 2 g, HMOM-TPHAP (상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조) 6.0 g, BIR-PC (상품명, 아사히 유기재 공업 (주) 제조) 1 g, 비닐트리메톡시실란 0.3 g 을 칭량해 취하고, 그것들을 표 13 에 나타내는 조성의 용제에 용해시켜, 고형분 농도 30 질량% 의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 얻었다. 또한, 폴리머 A 및 노볼락 수지 A 는, 「폴리아믹산 함유 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 조제 1」에서 얻은 것이다.6 g of solid of polymer A, 4 g of novolac resin A, 2 g of quinonediazide compound B represented by the following formula, HMOM-TPHAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) 6.0 g, BIR-PC (trade name, Asahi 1 g of Organic Materials Industry Co., Ltd. and 0.3 g of vinyl trimethoxysilane were weighed and dissolved in a solvent having a composition shown in Table 13 to obtain a positive radiation sensitive resin composition having a solid content concentration of 30 mass%. . In addition, the polymer A and the novolac resin A were obtained in "Preparation 1 of a polyamic acid-containing positive radiation sensitive resin composition."

얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 대해, 「투명 레지스트의 제작」과 동일하게 하여, 이물, 점도 변화, 및 도포 불균일의 평가를 실시하였다. 결과를 표 13 에 나타낸다.About the obtained positive radiation sensitive resin composition, it carried out similarly to "the manufacture of a transparent resist," and evaluated the foreign material, a viscosity change, and coating unevenness. Table 13 shows the results.

[화학식 66][Formula 66]

Figure 112017119436310-pat00078
Figure 112017119436310-pat00078

[상기 식 중, D 는 H 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐기이고, D 의 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐기에 의한 평균 에스테르화율은 54.7 % 이다.][In the formula, D is H or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group, and the average esterification rate of D by 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group is 54.7%. .]

Figure 112017119436310-pat00079
Figure 112017119436310-pat00079

표 13 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 실시예의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 보존 안정성 및 도포성이 우수하고, 노광 및 현상에 의해, 이물의 발생이 억제된 패턴을 형성할 수 있었다. As can be seen from Table 13, the positive-type radiation-sensitive resin composition of the example containing the compound represented by the general formula (1) is excellent in storage stability and coatability, and by exposure and development, foreign matter is generated. This suppressed pattern could be formed.

이것에 대해, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하지 않는 비교예의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 보존 안정성 및 도포성이 열등하고, 노광 및 현상에 의해 형성된 패턴 중에서 보다 많은 이물이 발생하였다.On the other hand, the positive-type radiation-sensitive resin composition of the comparative example that does not contain the compound represented by the general formula (1) is inferior in storage stability and coatability, and more foreign matter is generated among patterns formed by exposure and development. Did.

Claims (8)

하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하고, 단, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 N,N-디메틸아세트아미드의 조합, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 N,N-디에틸아세트아미드의 조합, 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 N,N-디메틸프로피온아미드의 조합 중 어느 것도 함유하지 않는 감방사선성 조성물.
[화학식 1]
Figure 112019112924643-pat00080

(식 중, R1 은, 수소 원자 또는 하이드록실기를 나타내고, R2 및 R3 은, 독립적으로 수소 원자 또는 C1 ∼ C3 의 알킬기를 나타내고, R4 및 R5 는, 독립적으로 C1 ∼ C3 의 알킬기를 나타낸다.)
It contains the compound represented by the following general formula (1), provided that the combination of propylene glycol monomethyl ether acetate and N,N-dimethylacetamide, the combination of propylene glycol monomethyl ether acetate and N,N-diethylacetamide, And a combination of propylene glycol monomethyl ether acetate and N,N-dimethylpropionamide.
[Formula 1]
Figure 112019112924643-pat00080

(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a hydroxyl group, R 2 and R 3 independently represent a hydrogen atom or a C 1 to C 3 alkyl group, and R 4 and R 5 independently represent C 1 -Represents a C 3 alkyl group.)
제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물이, 하기 식 (E1) ∼ (E4) 의 각 식으로 나타내는 화합물의 적어도 1 종인 감방사선성 조성물.
[화학식 2]
Figure 112017119436310-pat00081
According to claim 1,
The radiation-sensitive composition in which the compound represented by the general formula (1) is at least one of the compounds represented by the formulas (E1) to (E4).
[Formula 2]
Figure 112017119436310-pat00081
제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 용제의 적어도 1 종으로서 함유하는 감방사선성 조성물.
According to claim 1,
Radiation-sensitive composition containing the compound represented by the general formula (1) as at least one kind of solvent.
하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 감방사선성 조성물로서,
Figure 112019112924643-pat00083

(식 중, R1 은, 수소 원자 또는 하이드록실기를 나타내고, R2 및 R3 은, 독립적으로 수소 원자 또는 C1 ∼ C3 의 알킬기를 나타내고, R4 및 R5 는, 독립적으로 C1 ∼ C3 의 알킬기를 나타낸다.)
상기 감방사선성 조성물은, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 용제의 적어도 1 종으로서 함유하고,
상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 하기의 각 식으로 나타내는 화합물의 적어도 1 종이며,
상기 감방사선성 조성물은, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물 이외의 유기 용제를 추가로 함유하거나 또는 함유하지 않고,
상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 상기 유기 용제의 질량비는, 5 : 95 ∼ 100 : 0 이며,
상기 감방사선성 조성물은, 착색제를 함유하지 않는, 감방사선성 조성물.
Figure 112019112924643-pat00084
As a radiation-sensitive composition containing a compound represented by the following general formula (1),
Figure 112019112924643-pat00083

(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a hydroxyl group, R 2 and R 3 independently represent a hydrogen atom or a C 1 to C 3 alkyl group, and R 4 and R 5 independently represent C 1 -Represents a C 3 alkyl group.)
The said radiation sensitive composition contains the compound represented by said general formula (1) as at least 1 type of solvent,
The compound represented by the general formula (1) is at least one of the compounds represented by the following formulas,
The radiation-sensitive composition further contains or does not contain organic solvents other than the compound represented by the general formula (1),
The mass ratio of the compound represented by the general formula (1) and the organic solvent is 5:95 to 100:0,
The said radiation sensitive composition does not contain a coloring agent, The radiation sensitive composition.
Figure 112019112924643-pat00084
제 4 항에 있어서,
상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물이, 하기 식 (E1) 및 (E3) 의 각 식으로 나타내는 화합물의 적어도 1 종인 감방사선성 조성물.
Figure 112019112924643-pat00085
The method of claim 4,
The radiation-sensitive composition in which the compound represented by the general formula (1) is at least one of the compounds represented by the following formulas (E1) and (E3).
Figure 112019112924643-pat00085
하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물과 착색제를 함유하는 감방사선성 조성물로서,
Figure 112019112924643-pat00086

(식 중, R1 은, 수소 원자 또는 하이드록실기를 나타내고, R2 및 R3 은, 독립적으로 수소 원자 또는 C1 ∼ C3 의 알킬기를 나타내고, R4 및 R5 는, 독립적으로 C1 ∼ C3 의 알킬기를 나타낸다.)
상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 하기의 각 식으로 나타내는 화합물의 적어도 1 종인, 감방사선성 조성물.
Figure 112019112924643-pat00087
As a radiation-sensitive composition containing a compound represented by the following general formula (1) and a colorant,
Figure 112019112924643-pat00086

(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a hydroxyl group, R 2 and R 3 independently represent a hydrogen atom or a C 1 to C 3 alkyl group, and R 4 and R 5 independently represent C 1 -Represents a C 3 alkyl group.)
The compound represented by the general formula (1) is at least one of the compounds represented by the following formulas, and the radiation-sensitive composition.
Figure 112019112924643-pat00087
제 6 항에 있어서,
상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물이, 하기 식 (E1) 및 (E3) 의 각 식으로 나타내는 화합물의 적어도 1 종인 감방사선성 조성물.
Figure 112019112924643-pat00088
The method of claim 6,
The radiation-sensitive composition in which the compound represented by the general formula (1) is at least one of the compounds represented by the following formulas (E1) and (E3).
Figure 112019112924643-pat00088
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 조성물로 이루어지는 감방사선성 조성물막을 기판 상에 형성하는 감방사선성 조성물막 형성 공정과,
상기 감방사선성 조성물막을 위치 선택적으로 노광하는 노광 공정과,
노광된 상기 감방사선성 조성물막을 현상하는 현상 공정을 포함하는 패턴 제조 방법.
A radiation-sensitive composition film forming step of forming a radiation-sensitive composition film comprising the radiation-sensitive composition according to any one of claims 1 to 7 on a substrate,
An exposure step of selectively exposing the radiation-sensitive composition film;
A pattern production method comprising a developing process for developing the exposed radiation-sensitive composition film.
KR1020177034642A 2013-09-25 2014-09-25 Radiation sensitive composition and pattern forming method KR102128155B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-198912 2013-09-25
JP2013198912 2013-09-25
PCT/JP2014/075431 WO2015046332A1 (en) 2013-09-25 2014-09-25 Radiation sensitive composition and pattern forming method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167007028A Division KR20160045094A (en) 2013-09-25 2014-09-25 Radiation sensitive composition and pattern forming method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170136653A KR20170136653A (en) 2017-12-11
KR102128155B1 true KR102128155B1 (en) 2020-06-29

Family

ID=52743466

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167007028A KR20160045094A (en) 2013-09-25 2014-09-25 Radiation sensitive composition and pattern forming method
KR1020177034642A KR102128155B1 (en) 2013-09-25 2014-09-25 Radiation sensitive composition and pattern forming method

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167007028A KR20160045094A (en) 2013-09-25 2014-09-25 Radiation sensitive composition and pattern forming method

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6195623B2 (en)
KR (2) KR20160045094A (en)
CN (1) CN105579907B (en)
TW (1) TWI637936B (en)
WO (1) WO2015046332A1 (en)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6228796B2 (en) * 2013-09-26 2017-11-08 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method
JP6292976B2 (en) 2014-05-21 2018-03-14 東京応化工業株式会社 Method for producing polybenzoxazole resin
KR102232969B1 (en) 2015-04-01 2021-03-29 도레이 카부시키가이샤 Photosensitive colored resin composition
SG11201802076PA (en) 2015-09-30 2018-04-27 Toray Industries Negative photosensitive resin composition, cured film, element and display device each provided with cured film, and method for manufacturing display device
JP6661358B2 (en) * 2015-12-08 2020-03-11 東京応化工業株式会社 Black photosensitive composition
KR102463845B1 (en) * 2015-12-24 2022-11-04 주식회사 두산 Polyamic acid composition having improved adherent property and trasparent polyimide film using the same
JP2017151209A (en) * 2016-02-23 2017-08-31 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ Positive photosensitive siloxane composition
CN109563342B (en) 2016-10-05 2021-06-22 东丽株式会社 Resin composition, cured film, semiconductor device, and method for producing same
JP6785122B2 (en) * 2016-10-24 2020-11-18 東京応化工業株式会社 Method for forming a photosensitive composition and a cured film
WO2018131562A1 (en) * 2017-01-13 2018-07-19 日産化学工業株式会社 Amide solvent-containing resist underlayer film-forming composition
JP7011644B2 (en) * 2017-02-28 2022-01-26 株式会社Dnpファインケミカル Color material dispersion for color filters, dispersants, photosensitive coloring resin compositions for color filters, color filters, display devices
US11561470B2 (en) 2017-03-29 2023-01-24 Toray Industries, Inc. Negative photosensitive resin composition, cured film, element provided with cured film, organic EL display provided with cured film, and method for producing same
JP7313136B2 (en) * 2018-11-29 2023-07-24 東京応化工業株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, and patterned cured film
JP7375773B2 (en) * 2018-12-18 2023-11-08 三菱ケミカル株式会社 Photosensitive colored composition, cured product, colored spacer, and image display device
JP7247676B2 (en) * 2019-03-15 2023-03-29 三菱ケミカル株式会社 Photosensitive colored resin composition, cured product, and image display device
JP7329344B2 (en) * 2019-03-22 2023-08-18 太陽ホールディングス株式会社 Photosensitive resin composition, dry film, cured product, and electronic component
JP7404686B2 (en) * 2019-07-18 2023-12-26 東洋インキScホールディングス株式会社 Photosensitive coloring compositions, color filters and liquid crystal display devices
CN112198760B (en) * 2020-09-23 2021-07-02 上海玟昕科技有限公司 Positive low-temperature curing type photosensitive resin composition
US20240045331A1 (en) * 2020-09-28 2024-02-08 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition, board with conductive pattern, antenna element, production method for image display device, and production method for touch panel

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009237150A (en) 2008-03-26 2009-10-15 Toppan Printing Co Ltd Color resist composition and color filter using same composition
JP2011209535A (en) 2010-03-30 2011-10-20 Asahi Kasei E-Materials Corp Photosensitive resin composition

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69612182T3 (en) * 1996-02-09 2005-08-04 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Polymer and resist material
JP2008122501A (en) * 2006-11-09 2008-05-29 Sumitomo Chemical Co Ltd Positive type radiation-sensitive resin composition
JP2009014938A (en) * 2007-07-03 2009-01-22 Toagosei Co Ltd Resist release agent composition
JP5819693B2 (en) * 2011-09-26 2015-11-24 東京応化工業株式会社 Colored photosensitive resin composition, color filter and display device
JP2013076845A (en) * 2011-09-30 2013-04-25 Nippon Zeon Co Ltd Photosensitive resin composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009237150A (en) 2008-03-26 2009-10-15 Toppan Printing Co Ltd Color resist composition and color filter using same composition
JP2011209535A (en) 2010-03-30 2011-10-20 Asahi Kasei E-Materials Corp Photosensitive resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160045094A (en) 2016-04-26
TW201524943A (en) 2015-07-01
CN105579907B (en) 2019-12-17
JPWO2015046332A1 (en) 2017-03-09
KR20170136653A (en) 2017-12-11
TWI637936B (en) 2018-10-11
JP6195623B2 (en) 2017-09-13
CN105579907A (en) 2016-05-11
WO2015046332A1 (en) 2015-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102128155B1 (en) Radiation sensitive composition and pattern forming method
TWI548941B (en) A negative photosensitive resin composition, a pattern forming method, a hardened film, an insulating film, a color filter, and a display device
TWI679231B (en) Photosensitive resin composition, pattern forming method, cured film, insulating film, color filter, and display device
CN106019841B (en) Photosensitive resin composition, pattern forming method, cured film, insulating film, color filter, and display device
TW202305039A (en) Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern and semiconductor device
KR102429751B1 (en) Photosensitive resin composition, cured film, color filter and manufacturing method of cured film
KR102374894B1 (en) Photosensitive resin composition
JP6373571B2 (en) Photosensitive resin composition for forming black column spacer
KR102633985B1 (en) Photosensitive composition, method for forming cured product, cured product, panel for display device, and display device
KR102278788B1 (en) Photosensitive resin composition for black column spacer
TWI738910B (en) Resin composition, black matrix, display device, and manufacturing method of black matrix
JP2018061034A (en) Hydrogen barrier agent, composition for hydrogen barrier film formation, hydrogen barrier film, method for manufacturing hydrogen barrier film, and electronic element
KR102537532B1 (en) Resin Composition, Cured Film, Color Filter, and Preparing Method of Cured Film
JP6022847B2 (en) Insulating film forming photosensitive resin composition, insulating film, and insulating film forming method
JP2018185512A (en) Photosensitive resin composition for forming black column spacer, black column spacer, display device and method for forming black column spacer
KR102644539B1 (en) Compositions Containing Carboxylic esters
JP2017187717A (en) Photosensitive resin composition
KR20200035870A (en) Photosensitive resin composition, method for forming patterned cured film, and cured film
JP2018060136A (en) Photosensitive resin composition, cured film, color filter, and method for producing cured film
JP5890375B2 (en) Line pattern forming method
KR102568122B1 (en) Photosensitive composition, method of forming pattern, cured product, and display device
KR102579983B1 (en) Photosensitive composition, cured film, display device, and method for forming patterned cured film
JP2019120768A (en) Photosensitive composition, cured article, cured article formation method, color filter, and image display device

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant