KR102127808B1 - 응답속도가 개선된 파워 증폭 장치 - Google Patents

응답속도가 개선된 파워 증폭 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 파워 증폭 장치는, 동작 개시시점부터 상기 정상 구동시점 직전까지의 기동시간 동안에 내부 전압 및 스타트업 전압에 기초하여 스타트업 전류를 생성하고, 상기 기동시간 이후의 정상 구동시점부터 상기 내부 전압에 기초하여 바이어스 전류를 생성하는 바이어스 회로; 및 상기 기동시간 동안에 상기 바이어스 회로에 상기 스타트업 전압을 공급하는 스타트업 회로; 를 포함한다.

Description

응답속도가 개선된 파워 증폭 장치{POWER AMPLIFIER DEVICE WITH IMPROVED RESPONSE SPEED}
본 발명은 응답속도가 개선된 파워 증폭 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 무선 통신 방식으로는 시간분할 방식(TDD time division duplexing)과 주파수 분할 방식(FDD frequency division duplexing)이 있다. 두 가지 방식 모두 한정된 자원 안에서 보다 많은 사용자와 통신을 하기 위한 방법으로, 시간 분할 방식은 동일 주파수에서 통신을 하는 시간을 일정 간격으로 나누어 여러 사용자와 통신을 하는 방법이며, 주파수 분할 방식은 사용자 별로 주파수를 다르게 할당하여 통신을 하는 방법이다.
통상 시간 분할 방식은 동일 주파수에서 통신을 하는 시간을 일정 간격으로 나누어 여러 사용자와 통신을 하는 방법으로, 하나의 주파수를 이용하는 장점이 있으나, 통신을 하는 시간을 구분하여 통신을 하게 되므로 통신하는 과정에서 송신과 수신이 반복적으로 전환되는 동작을 하게 된다.
이에 따라, 송신기와 수신기의 빠른 응답 속도가 시간 분할 방식의 통신에서 중요한 성능 요인이 되며, 송신기 및 수신기에 포함되는 증폭 회로도 빠른 응답 속도가 요구된다.
그런데, 기존의 송신기의 응답속도를 개선하기 위해서는, 송신기의 파워 증폭기(Power amplifier)의 응답속도를 보다 개선할 필요성이 있다. 특히 파워 증폭기가, 기동시부터 정상 상태에 짧은 시간에 신속하게 도달하기는 것이 필요하다.
(선행기술문헌)
(특허문헌 1) US 2013/0034144
본 발명의 일 실시 예는, 정상 상태에서 공급되는 바이어스 전류(Ibias)보다 큰 스타트업 전류(Ist)를 기동 초기에 짧은 시간동안에 공급하여 응답속도가 개선된 파워 증폭 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의해, 동작 개시시점부터 상기 정상 구동시점 직전까지의 기동시간 동안에 내부 전압 및 스타트업 전압에 기초하여 스타트업 전류를 생성하고, 상기 기동시간 이후의 정상 구동시점부터 상기 내부 전압에 기초하여 바이어스 전류를 생성하는 바이어스 회로; 및 상기 기동시간 동안에 상기 바이어스 회로에 상기 스타트업 전압을 공급하는 스타트업 회로; 를 포함하는 파워 증폭 장치가 제안된다.
상기 스타트업 전류는, 상기 바이어스 전류보다 크도록 설정될 수 있다.
상기 바이어스 회로는, 상기 내부 전압 및 상기 스타트업 전압을 입력받는 베이스를 갖는 제1 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터의 컬렉터와 제1 전압 단자에 사이에 접속된 제1 저항; 및 상기 제1 트랜지스터의 에미터와 파워 증폭 회로의 바이어스 접속노드 사이에 접속된 제2 저항; 를 포함할 수 있다.
상기 스타트업 회로는, 상기 제1 전압에 기초해 상기 스타트업 전압을 공급하도록 이루어질 수 있다.
상기 스타트업 회로는, 상기 제1 전압 단자와 상기 제1 트랜지스터의 베이스 접속노드 사이에 접속되고, 상기 기동시간 동안에 온 레벨을 갖는 제어전압에 응답하여 동작하는 스위치 트랜지스터; 및 상기 스위치 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제1 전압 단자 사이 또는 상기 스위치 트랜지스터의 에미터와 상기 베이스 접속노드 사이에 접속된 바이어스 저항; 를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 저항은, 상기 제1 저항의 저항값보다 큰 저항값을 갖도록 이루어질 수 있다.
상기 바이어스 회로는, 상기 내부 전압을 출력하는 전압원 회로를 더 포함할 수 있다.
상기 전압원 회로는, 기준전압 단자에 접속된 일단을 갖는 제3 저항; 및 상기 제3 저항의 타단과 접지 사이에 직렬로 접속된 제1 및 제2 다이오드 접속된 트랜지스터; 를 포함하고, 상기 제1 다이오드 접속된 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 접속된 베이스 및 컬렉터를 포함하여, 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 상기 내부 전압을 공급하도록 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시 예에 의해, 동작 개시시점부터 상기 정상 구동시점 직전까지의 기동시간 동안에 스타트업 전류를 생성하고, 상기 정상 구동시점부터 바이어스 전류를 생성하는 바이어스 회로; 상기 기동시간 동안에 상기 스타트업 전류의 생성을 위해 상기 바이어스 회로에 스타트업 전압을 공급하는 스타트업 회로; 및 상기 스타트업 전류에 따라 기동하여, 상기 바이어스 전류에 따라 입력되는 신호를 증폭하는 파워 증폭 회로; 를 포함하는 파워 증폭 장치가 제안된다.
상기 스타트업 전류는, 상기 바이어스 전류보다 크도록 이루어질 수 있다.
상기 바이어스 회로는, 내부 전압 및 상기 스타트업 전압을 입력받는 베이스를 갖는 제1 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터의 컬렉터와 제1 전압 단자에 사이에 접속된 제1 저항; 및 상기 제1 트랜지스터의 에미터와 상기 파워 증폭 회로의 바이어스 접속노드 사이에 접속된 제2 저항; 를 포함할 수 있다.
상기 스타트업 회로는, 상기 제1 전압에 기초해 상기 스타트업 전압을 공급하도록 이루어질 수 있다.
상기 스타트업 회로는, 상기 제1 전압 단자와 상기 제1 트랜지스터의 베이스 접속노드 사이에 접속되고, 상기 기동시간 동안에 온 레벨을 갖는 제어전압에 응답하여 동작하는 스위치 트랜지스터; 및 상기 스위치 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제1 전압 단자 사이 또는 상기 스위치 트랜지스터의 에미터와 상기 베이스 접속노드 사이에 접속된 바이어스 저항; 를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 저항은, 상기 제1 저항의 저항값보다 큰 저항값을 갖도록 이루어질 수 있다.
상기 바이어스 회로는, 상기 내부 전압을 출력하는 전압원 회로를 더 포함하고, 상기 전압원 회로는, 기준전압 단자에 접속된 일단을 갖는 제3 저항; 및 상기 제3 저항의 타단과 접지 사이에 직렬로 접속된 제1 및 제2 다이오드 접속된 트랜지스터; 를 포함하고, 상기 제1 다이오드 접속된 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 접속된 베이스 및 컬렉터를 포함하여, 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 상기 내부 전압을 공급하도록 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 정상 상태에서 공급되는 바이어스 전류(Ibias)보다 큰 스타트업 전류(Ist)를 기동 초기에 짧은 시간동안에 공급함으로써, 파워 증폭 장치의 응답속도를 개선할 수 있다.
이에 따른 응답속도 개선을 통해서, 동적-EVM(Dynamic Error Vector Magnitude corrections) 특성을 만족할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 파워 증폭 장치의 일 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 파워 증폭 장치의 일 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 바이어스 회로의 일 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 주요 전압 및 전류의 파형 및 타이밍 도이다.
이하에서는, 본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
또한, 본 발명의 각 실시 예에 있어서, 하나의 예로써 설명되는 구조, 형상 및 수치는 본 발명의 기술적 사항의 이해를 돕기 위한 예에 불과하므로, 이에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 본 발명의 실시 예들은 서로 조합되어 여러 가지 새로운 실시 예가 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명에 참조된 도면에서 본 발명의 전반적인 내용에 비추어 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위해서, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 파워 증폭 장치의 일 예시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 파워 증폭 장치의 일 예시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 파워 증폭 장치는, 바이어스 회로(100), 스타트업 회로(300) 및 파워 증폭 회로(500)를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로(100)는, 동작 개시시점(T1)부터 상기 정상 구동시점(T2) 직전까지의 기동시간(△T) 동안에 스타트업 전류(Ist)를 생성하고, 상기 기동시간(△T) 이후의 정상 구동시점(T2)부터 바이어스 전류(Ibias)를 생성할 수 있다.
일 예로, 상기 바이어스 회로(100)는, 상기 스타트업 전류(Ist) 또는 바이어스 전류(Ibias)를 생성하기 위한 제1 트랜지스터(Q1)를 포함할 수 있다.
상기 스타트업 회로(300)는, 동작 개시시점부터 상기 정상 구동시점 직전까지의 기동시간(△T) 동안에 상기 스타트업 전류(Ist)의 생성을 위해, 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스 접속노드(Nbase)에 제어전압(Vc)에 응답하여 생성된 스타트업 전압(Vst)을 공급할 수 있고, 상기 기동시간(△T) 이후에는 오프상태가 될 수 있다.
일 예로, 상기 스타트업 회로(300)는, 상기 제1 전압(V1)에 기초해 상기 스타트업 전압(Vst)을 공급할 수 있으며, 상기 스타트업 전류(Ist)는, 파워 증폭 회로(500)가 신속한 정상 상태에 도달할 수 있도록, 상기 바이어스 전류(Ibias)보다 큰 전류가 될 수 있다. 여기서 상기 제1 전압(V1)은 배터리 전압이 될 수 있다. 이후 상기 스타트업 회로(300)에 대해서는 도 3을 참조하여 설명된다.
예를 들어, 상기 바이어스 회로(100)는, 상기 기동시간(△T) 동안에 상기 내부 전압(Vint) 및 상기 스타트업 전압(Vst)에 기초하여 스타트업 전류(Ist)를 생성하여 파워 증폭 회로(500)에 출력할 수 있다. 또한, 상기 바이어스 회로(100)는, 상기 기동시간(△T) 이후에 상기 내부 전압(Vint)에 기초하여 바이어스 전류(Ibias)를 생성하여 파워 증폭 회로(500)에 출력할 수 있다. 이후 상기 바이어스 회로(100)에 대해서는 도 3을 참조하여 설명한다.
상기 파워 증폭 회로(500)는, 상기 스타트업 전류(Ist)에 따라 기동하여 신속하게 정상 상태에 도달하고, 정상 상태에서 상기 바이어스 전류(Ibias)에 따라 동작할 수 있다.
예를 들어, 상기 파워 증폭 회로(500)는, 증폭 트랜지스터(Q5)를 포함할 수 있다. 상기 증폭 트랜지스터(Q5)는 동작 전압(Vcc) 단자에 코일(L1)을 통해 접속된 컬렉터와, 접지에 접속된 에미터와, 제1 커패시터(CB1)를 통해 입력단(IN)에 접속되는 베이스를 포함하고, 상기 증폭 트랜지스터(Q5)의 컬렉터는 제2 커패시터(CB2)를 통해 출력단(OUT)에 접속될 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 파워 증폭 장치는, 제어 회로(700)를 더 포함할 수 있다.
상기 제어 회로(700)는 시스템 인에이블 신호(Sen)에 응답하여 상기 스타트업 회로(300)에 제어전압(Vc)을 제공할 수 있다. 일 예로, 상기 제어 회로(700)는 시스템 인에이블 신호(Sen)가 로우레벨일 경우에 오프(OFF) 레벨을 갖는 제어전압(Vc)을 제공하고, 시스템 인에이블 신호(Sen)가 로우레벨에서 하이레벨로 천이되면 상기 기동시간(△T) 동안에 온(ON) 레벨을 갖는 제어전압(Vc)을 제공할 수 있다.
본 발명의 각 도면에 대해, 동일한 부호 및 동일한 기능의 구성요소에 대해서는 가능한 불필요한 중복 설명은 생략될 수 있고, 각 도면에 대해 가능한 차이점에 대한 사항이 설명될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 바이어스 회로의 일 예시도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 바이어스 회로(100)는, 출력 회로(110) 및 전압원 회로(120)를 포함할 수 있다.
상기 출력 회로(110)는, 상기 제1 트랜지스터(Q1), 제1 저항(R11) 및 제2 저항(R12)을 포함할 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(Q1)는, 상기 제1 저항(R11)을 통해 제1 전압(V1) 단자에 접속된 컬렉터와, 상기 제2 저항(R12)을 통해 상기 파워 증폭 회로(500)의 바이어스 접속노드(Nbias)에 접속된 에미터와, 상기 내부 전압(Vint) 및 상기 스타트업 전압(Vst)을 입력받는 베이스를 포함할 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(Q1)는 상기 기동시간(△T) 동안에 상기 내부 전압(Vint) 및 상기 스타트업 전압(Vst)에 기초하여 스타트업 전류(Ist)를 생성하고, 상기 기동시간(△T) 이후의 정상 구동시점(T2)부터 내부 전압(Vint)에 기초하여 바이어스 전류(Ibias)를 생성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 트랜지스터(Q1)는 상기 기동시간(△T) 동안에 상기 내부 전압(Vint) 및 상기 스타트업 전압(Vst)에 기초한 베이스 전압(Vbase)에 따라 스타트업 전류(Ist)를 생성할 수 있다. 상기 제1 트랜지스터(Q1)는 상기 기동시간(△T) 이후의 정상 구동시점(T2)부터 내부 전압(Vint)에 기초한 베이스 전압(Vbase)에 따라 바이어스 전류(Ibias)를 생성할 수 있다.
또한, 상기 전압원 회로(120)는, 상기 내부 전압(Vint)을 출력할 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 스타트업 회로(300)는, 일 예로, 적어도 하나의 스위치 트랜지스터(Q3) 및 바이어스 저항(R3)을 포함할 수 있다. 이는 하나의 예로서, 이에 한정되지 않는다.
상기 스위치 트랜지스터(Q3)는, 상기 제1 전압(V1) 단자와 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스 접속노드(Nbase) 사이에 접속되고, 상기 기동시간(△T) 동안에 온(ON) 레벨을 갖는 제어전압(Vc)에 응답하여 동작할 수 있다.
상기 바이어스 저항(R3)은, 상기 스위치 트랜지스터(Q3)의 컬렉터와 상기 제1 전압(V1) 단자 사이 또는 상기 스위치 트랜지스터(Q3)의 에미터와 상기 베이스 접속노드(Nbase) 사이에 접속될 수 있다. 일 예로, 상기 바이어스 저항(R3)은 상기 제1 저항(R11)의 저항값보다 큰 저항값을 갖는다.
예를 들어, 상기 스위치 트랜지스터(Q3)는, 상기 기동시간(△T) 동안에 온(ON) 레벨을 갖는 제어전압(Vc)에 응답하여 온상태로 될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 전압(V1) 단자와 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스 접속노드(Nbase)를 상기 바이어스 저항(R3)을 통해 연결하여, 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스 접속노드(Nbase)에 상기 스타트업 전압(Vst)을 공급할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 트랜지스터(Q1)는 상기 기동시간(△T) 동안에 상기 내부 전압(Vint) 및 상기 스타트업 전압(Vst)에 기초하여 스타트업 전류(Ist)를 생성할 수 있다.
또한, 상기 스위치 트랜지스터(Q3)는, 상기 기동시간(△T) 이후의 정상 구동시점(T2)부터는 오프(ON) 레벨을 갖는 제어전압(Vc)에 응답하여 오프상태로 될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 트랜지스터(Q1)는, 상기 기동시간(△T) 이후의 정상 구동시점(T2)부터 내부 전압(Vint)에 기초하여 바이어스 전류(Ibias)를 생성할 수 있다.
또한, 상기 전압원 회로(120)는, 상기 내부 전압(Vint)을 출력하기 위해, 기준전압(Vref) 단자와 접지 사이에 접속된 제3 저항(R21), 제1 및 제2 다이오드 접속된 트랜지스터(DT1,DT2)를 포함할 수 있다.
상기 제3 저항(R21)의 일단이 기준전압(Vref) 단자에 접속되고, 그 타단이 상기 제1 다이오드 접속된 트랜지스터(DT1)의 컬렉터에 접속된다. 상기 제2 다이오드 접속된 트랜지스터(DT2)의 컬렉터는 상기 제1 다이오드 접속된 트랜지스터(DT1)의 에미터에 접속되고, 그 에미터는 접지에 접속되며, 그 베이스는 컬렉터에 접속된다.
그리고, 상기 제1 다이오드 접속된 트랜지스터(DT1)는 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스에 접속된 베이스 및 컬렉터를 포함하여, 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스에 상기 내부 전압(Vint)을 공급할 수 있다.
이에 따라, 상기 전압원 회로(120)는, 상기 제1 및 제2 다이오드 접속된 트랜지스터(DT1,DT2)에 의해 2배의 베이스-에미터 전압 (2Vbe)을 상기 내부 전압(Vint)으로 출력할 수 있다.
도 3에서, 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스와 접지 사이에는, 일 예로, 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스 전압 안정화를 위해 커패시터(Cb)가 접속될 수 있다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 전압원 회로(120)는, 2개의 제1 및 제2 다이오드 접속된 트랜지스터(DT1,DT2)를 포함하고 있는데, 이는 출력 회로(110)에 포함된 제1 트랜지스터(Q1) 및 파워 증폭 회로(500)의 증폭 트랜지스터(Q5)의 온도 변화에 따른 특성 변화에 대응하기 위한 것으로, 제1 트랜지스터(Q1) 및 증폭 트랜지스터(Q5)에 대한 온도 변화에 따른 특성 변화를 보상할 수 있다.
일 예로, 상기 제1 및 제2 다이오드 접속된 트랜지스터(DT1,DT2)가 상기 제1 트랜지스터(Q1) 및 증폭 트랜지스터(Q5)와 동일한 온도 특성을 갖는 소자가 될 수 있고, 이 경우에는 온도 보상의 정확성이 최대가 될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 주요 전압 및 전류의 파형 및 타이밍 도이다.
도 4에서, Sen은 상기 제어 회로(700)에 입력되는 시스템 인에이블 신호이고, 이는 본 발명의 적용된 송신 시스템이 디스에이블 상태에서는 로우레벨을 포함하고, 상기 송신 시스템이 인에이블 상태에서는 하이레벨을 포함할 수 있다.
Vc는 상기 제어 회로(700)에서 출력되는 제어전압이고, 이는 시스템 인에이블 신호(Sen)의 라이징에 동기되어 온(ON) 레벨로 될 수 있고, 상기 기동시간(△T) 동안에 온(ON) 레벨로 유지되고, 상기 기동시간(△T) 이후에는 오프(ON) 레벨로 될 수 있다.
V1은 제1 전압이고, 일 예로, 상기 제1 전압(V1)은 배터리 전압이 될 수 있으며, 상기 시스템 인에이블 신호(Sen)의 라이징에 동기되어 공급된다.
Vbase은 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스 전압이고, 상기 베이스 전압(Vbase)은 상기 기동시간(△T) 동안에 상기 내부 전압(Vint) 및 상기 스타트업 전압(Vst)에 기초한 전압이고, 상기 기동시간(△T) 이후의 정상 구동시점(T2)부터 내부 전압(Vint)에 기초한 전압이다.
Ibias는 상기 바이어스 전류이고, 상기 바이어 전류(Ibias)는 상기 기동시간(△T) 동안에 상기 내부 전압(Vint) 및 상기 스타트업 전압(Vst)에 기초한 베이스 전압(Vbase)에 따라 생성되고, 상기 기동시간(△T) 이후의 정상 구동시점(T2)부터 내부 전압(Vint)에 기초한 베이스 전압(Vbase)에 따라 생성된다.
전술한 바와 같은 본 발명의 일 실시 예에 따른 파워 증폭 장치는, 송신기를 포함하는 시스템이나, 파워 증폭이 요구되는 통신 모듈 또는 통신 설비에 적용될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 파워 증폭 장치의 제어 회로는, 프로세서(예: 중앙처리장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU), 마이크로프로세서, 주문형 반도체(Application Specific Integrated Circuit, ASIC), Field Programmable Gate Arrays(FPGA) 등), 메모리(예: 휘발성 메모리(예를 들어, RAM 등), 비휘발성 메모리(예를 들어, ROM, 플래시 메모리 등), 입력 디바이스(예: 키보드, 마우스, 펜, 음성 입력 디바이스, 터치 입력 디바이스, 적외선 카메라, 비디오 입력 디바이스 등), 출력 디바이스(예: 디스플레이, 스피커, 프린터 등) 및 통신접속장치(예: 모뎀, 네트워크 인터페이스 카드(NIC), 통합 네트워크 인터페이스, 무선 주파수 송신기/수신기, 적외선 포트, USB 접속장치 등)가 서로 상호접속(예: 주변 구성요소 상호접속(PCI), USB, 펌웨어(IEEE 1394), 광학적 버스 구조, 네트워크 등)된 컴퓨팅 환경으로 구현될 수 있다.
상기 컴퓨팅 환경은 개인 컴퓨터, 서버 컴퓨터, 핸드헬드 또는 랩탑 디바이스, 모바일 디바이스(모바일폰, PDA, 미디어 플레이어 등), 멀티프로세서 시스템, 소비자 전자기기, 미니 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터, 임의의 전술된 시스템 또는 디바이스를 포함하는 분산 컴퓨팅 환경 등으로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
100: 바이어스 회로
120: 전압원 회로
200: 스타트업 회로
500: 파워 증폭 회로
Q1: 제1 트랜지스터
R11: 제1 저항
R12: 제2 저항
Q3: 스위치 트랜지스터
R3: 바이어스 저항

Claims (14)

  1. 제1 트랜지스터를 포함하여, 동작 개시시점부터 정상 구동시점 직전까지의 기동시간 동안에, 상기 제1 트랜지스터는 내부 전압 및 스타트업 전압을 베이스를 통해 입력받아 스타트업 전류를 생성하고, 상기 기동시간 이후의 정상 구동시점부터 상기 제1 트랜지스터는 상기 내부 전압을 상기 베이스를 통해 입력받아 바이어스 전류를 생성하는 바이어스 회로; 및
    상기 기동시간 동안에 상기 바이어스 회로에 상기 스타트업 전압을 공급하는 스타트업 회로; 를 포함하고,
    상기 바이어스 회로는, 상기 제1 트랜지스터의 컬렉터와 제1 전압 단자에 사이에 접속된 제1 저항; 및
    상기 제1 트랜지스터의 에미터와 파워 증폭 회로의 바이어스 접속노드 사이에 접속된 제2 저항; 를 더 포함하고,
    상기 스타트업 회로는, 상기 제1 전압 단자와 상기 제1 트랜지스터의 베이스 접속노드 사이에 접속되고, 상기 기동시간 동안에 온 레벨을 갖는 제어전압에 응답하여 동작하여, 상기 제1 전압 단자를 통한 제1 전압에 기초해 상기 스타트업 전압을 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 공급하는 스위치 트랜지스터; 및
    상기 스위치 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제1 전압 단자 사이 또는 상기 스위치 트랜지스터의 에미터와 상기 베이스 접속노드 사이에 접속된 바이어스 저항; 를 포함하며,
    상기 스타트업 전류는, 상기 바이어스 전류보다 큰
    파워 증폭 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 저항은
    상기 제1 저항의 저항값보다 큰 저항값을 갖는
    파워 증폭 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 회로는
    상기 내부 전압을 출력하는 전압원 회로를 더 포함하고,
    상기 전압원 회로는,
    기준전압 단자에 접속된 일단을 갖는 제3 저항; 및
    상기 제3 저항의 타단과 접지 사이에 직렬로 접속된 제1 및 제2 다이오드 접속된 트랜지스터; 를 포함하고,
    상기 제1 다이오드 접속된 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 접속된 베이스 및 컬렉터를 포함하여, 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 상기 내부 전압을 공급하는
    파워 증폭 장치.
  8. 제1 트랜지스터를 포함하여 동작 개시시점부터 정상 구동시점 직전까지의 기동시간 동안에 상기 제1 트랜지스터는 내부 전압 및 스타트업 전압을 베이스를 통해 입력받아 스타트업 전류를 생성하고, 상기 정상 구동시점부터 상기 제1 트랜지스터는 내부 전압을 상기 베이스를 통해 입력받아 바이어스 전류를 생성하는 바이어스 회로;
    상기 기동시간 동안에 상기 스타트업 전류의 생성을 위해 상기 바이어스 회로에 스타트업 전압을 공급하는 스타트업 회로; 및
    상기 스타트업 전류에 따라 기동하여, 상기 바이어스 전류에 따라 입력되는 신호를 증폭하는 파워 증폭 회로; 를 포함하고,
    상기 바이어스 회로는, 상기 제1 트랜지스터의 컬렉터와 제1 전압 단자에 사이에 접속된 제1 저항; 및
    상기 제1 트랜지스터의 에미터와 상기 파워 증폭 회로의 바이어스 접속노드 사이에 접속된 제2 저항; 를 더 포함하고,
    상기 스타트업 회로는, 상기 제1 전압 단자와 상기 제1 트랜지스터의 베이스 접속노드 사이에 접속되고, 상기 기동시간 동안에 온 레벨을 갖는 제어전압에 응답하여 동작하여, 상기 제1 전압 단자를 통한 제1 전압에 기초해 상기 스타트업 전압을 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 공급하는 스위치 트랜지스터; 및
    상기 스위치 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제1 전압 단자 사이 또는 상기 스위치 트랜지스터의 에미터와 상기 베이스 접속노드 사이에 접속된 바이어스 저항; 를 포함하며,
    상기 스타트업 전류는, 상기 바이어스 전류보다 큰
    파워 증폭 장치.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제8항에 있어서, 상기 바이어스 저항은
    상기 제1 저항의 저항값보다 큰 저항값을 갖는
    파워 증폭 장치.
  14. 제8항에 있어서, 상기 바이어스 회로는
    상기 내부 전압을 출력하는 전압원 회로를 더 포함하고,
    상기 전압원 회로는,
    기준전압 단자에 접속된 일단을 갖는 제3 저항; 및
    상기 제3 저항의 타단과 접지 사이에 직렬로 접속된 제1 및 제2 다이오드 접속된 트랜지스터; 를 포함하고,
    상기 제1 다이오드 접속된 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 접속된 베이스 및 컬렉터를 포함하여, 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 상기 내부 전압을 공급하는
    파워 증폭 장치.
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