KR20190029896A - 온도 센싱 회로 - Google Patents

온도 센싱 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR20190029896A
KR20190029896A KR1020170116946A KR20170116946A KR20190029896A KR 20190029896 A KR20190029896 A KR 20190029896A KR 1020170116946 A KR1020170116946 A KR 1020170116946A KR 20170116946 A KR20170116946 A KR 20170116946A KR 20190029896 A KR20190029896 A KR 20190029896A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
node
temperature
voltages
circuit
Prior art date
Application number
KR1020170116946A
Other languages
English (en)
Inventor
최석환
정찬희
육영섭
Original Assignee
에스케이하이닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이하이닉스 주식회사 filed Critical 에스케이하이닉스 주식회사
Priority to KR1020170116946A priority Critical patent/KR20190029896A/ko
Priority to US15/962,526 priority patent/US20190078940A1/en
Priority to CN201810479702.0A priority patent/CN109489844A/zh
Publication of KR20190029896A publication Critical patent/KR20190029896A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
    • G01K1/028—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers arrangements for numerical indication
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K15/00—Testing or calibrating of thermometers
    • G01K15/005—Calibration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
    • G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/04—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K2219/00—Thermometers with dedicated analog to digital converters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

본 기술은 온도에 무관한 제1 내지 제3 기준 전압들을 생성하는 밴드갭 전압 생성 회로; 상기 제1 기준 전압에 따라 상기 온도에 반비례하는 보상 전압을 출력하는 온도 보상 회로; 상기 제2 및 제3 기준 전압들에 따라 상기 온도에 무관한 고정 전압들을 생성하는 고정 전압 생성 회로; 및 상기 보상 전압 및 상기 고정 전압들에 응답하여 온도 코드를 출력하는 컨버터를 포함하는 온도 센싱 회로를 포함한다.

Description

온도 센싱 회로{Temperature sensing circuit}
본 발명은 온도 센싱 회로에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 온도에 따라 온도 코드(temperature code)를 출력할 수 있는 온도 센싱 회로에 관한 것이다.
메모리 시스템은 데이터가 저장되는 메모리 장치와 메모리 장치와 호스트(host) 간의 통신을 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 메모리 시스템은 호스트로부터 수신된 커맨드(command)에 응답하여 프로그램, 리드 또는 소거 등의 동작을 수행할 수 있다. 커맨드에 따라 메모리 시스템이 특정 동작을 수행하기 위해서는 메모리 시스템이 동작하는 환경에 따라 전압들이 미리 설정될 수 있다.
메모리 시스템은 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있는데, 온도의 영향을 많이 받을 수 있다. 예를 들면, 온도에 따라 트랜지스터들의 전기적 특성이 달라질 수 있다. 이에 따라, 메모리 시스템에는 온도를 온도 코드(temperature code)로 변환하여 출력하는 온도 센싱 회로가 구비될 수 있다.
하지만, 온도 센싱 회로는 전원 전압을 공급받아 동작할 수 있는데, 전원 전압이 불안정한 경우, 온도 센싱 회로에서 출력되는 온도 코드의 신뢰도가 감소할 수 있다.
본 발명의 실시예는 전원 전압이 불안정하더라도 온도 코드를 안정적으로 출력할 수 있는 온도 센싱 회로를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 온도 센싱 회로는, 온도에 무관한 제1 내지 제3 기준 전압들을 생성하는 밴드갭 전압 생성 회로; 상기 제1 기준 전압에 따라 상기 온도에 반비례하는 보상 전압을 출력하는 온도 보상 회로; 상기 제2 및 제3 기준 전압들에 따라 상기 온도에 무관한 고정 전압들을 생성하는 고정 전압 생성 회로; 및 상기 보상 전압 및 상기 고정 전압들에 응답하여 온도 코드를 출력하는 컨버터를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 온도 센싱 회로는, 전원 전압을 공급받으며, 온도 변화에 무관한 제1 기준 전압에 응답하여 내부적으로 피드백 전압을 생성하고, 상기 온도에 반비례하는 보상 전압을 생성하고, 상기 온도 변화에 무관한 제2 및 제3 기준 전압에 응답하여, 일정한 고정 전압들을 생성하고, 상기 보상 전압과 상기 고정 전압들을 온도 코드로 변환하여 출력하며, 상기 전원 전압에 노이즈가 발생하면 상기 피드백 전압에 따라 상기 보상 전압의 노이즈를 제거한다.
본 기술은 전원 전압이 불안정하더라도 온도 센싱 회로가 온도 코드를 안정적으로 출력할 수 있다.
또한, 온도 센싱 회로가 온도 코드를 안정적으로 생성할 수 있으므로, 온도 코드가 생성되는 동안 메모리 시스템은 동작 전압을 생성하기 위한 펌핑(pumping) 동작을 동시에 수행할 수 있으므로, 메모리 시스템의 동작 시간이 단축될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 온도 센싱 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 온도 보상 회로를 구체적으로 설명하기 위한 회로도이다.
도 3은 도 1의 고정 전압 생성 회로를 구체적으로 설명하기 위한 회로도이다.
도 4는 도 3의 RC 필터에 의한 노이즈 제거 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 메모리 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 메모리 시스템의 동작 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 메모리 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 8 내지 도 11은 메모리 시스템의 다양한 실시 예를 설명하기 위한 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 통해 설명될 것이다. 그러나 본 발명은 여기에서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 본 실시 예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 온도 센싱 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 온도 센싱 회로(temperature sensing circuit; 1000)는 온도를 온도 코드(Tcode)로 변환하여 출력할 수 있다. 이를 위해, 온도 센싱 회로(1000)는 밴드갭(band gap) 전압 생성 회로(1100), 온도 보상 회로(1200), 고정 전압 생성 회로(1300) 및 컨버터(1400)를 포함할 수 있다.
밴드갭 전압 생성 회로(1100)는 온도 변화에 관계없이 일정한 전압을 생성할 수 있다. 예를 들면, 밴드갭 전압 생성 회로(110)는 인에이블 신호(EN)가 활성화되면 온도 센싱 동작을 수행할 수 있다. 온도 변화에 관계 없이 일정한 레벨로 유지되는 제1 내지 제3 기준 전압들(Vref, Vtop 및 Vbot)을 출력할 수 있다. 제1 내지 제3 기준 전압들(Vref, Vtop 및 Vbot)은 서로 다른 레벨로 출력될 수 있다. 예를 들면 밴드갭 전압 생성 회로(1100)는 온도 변화에 관계 없이 일정한 전압을 생성하기 위하여 온도에 비례하는 전압을 생성하는 회로와, 온도에 반비례하는 전압을 생성하는 회로를 포함할 수 있다. 이러한 회로들로부터 출력되는 전압들을 합하면, 밴드갭 전압 생성 회로(1100)는 온도 변화에 관계없이 일정한 레벨로 유지되는 제1 내지 제3 기준 전압들(Vref, Vtop 및 Vbot)을 생성할 수 있다. 예를 들면, 밴드갭 전압 생성 회로(1100)는 제1 기준 전압(Vref)을 생성한 후, 제1 기준 전압(Vref)을 분배하여 제2 및 제3 기준 전압들(Vtop 및 Vbot)을 생성할 수 있다. 예를 들면, 제1 내지 제3 기준 전압들(Vref, Vtop 및 Vbot)은 모두 양전압일 수 있으며, 제2 기준 전압(Vtop)은 제1 기준 전압(Vref)보다 낮고, 제3 기준 전압(Vbot)은 제2 기준 전압(Vtop)보다 낮을 수 있다. 이처럼, 온도에 비례하거나 반비례하는 전압들을 생성하는 회로들은 다양하게 구성될 수 있으며 다수의 회로들이 공개되어 있으므로, 본 기술의 실시예에서는 구체적인 설명을 생략하도록 한다.
온도 보상 회로(1200)는 외부 장치로부터 전원 전압을 공급받고, 제1 기준 전압(Vref)에 따라 동작하며, 온도 변화에 반비례하는 보상 전압(Vctat)을 출력할 수 있다. 예를 들면, 온도 보상 회로(1200)는 온도가 높아질수록 레벨이 낮아지고 온도가 낮아질수록 레벨이 높아지는 보상 전압(Vctat)을 출력할 수 있다.
고정 전압 생성 회로(1300)는 제2 및 제2 기준 전압들(Vtop 및 Vbot)에 따라 동작하며, 온도 변화에 관계없이 일정한 고정 전압들(Vfix<N>)을 출력할 수 있다.
컨버터(1400)는 온도 변화에 관계없이 일정한 고정 전압들(Vfix<N>)과 온도 변화에 반비례하는 보상 전압(Vctat)에 응답하여 온도 코드(Tcode)를 출력할 수 있다. 컨버터(1400)는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그 투 디지털(analog to digital; ADC) 변환기로 구성될 수 있다. ADC 변환기도 공개된 회로가 많으므로 본 기술의 실시예에서는 구체적인 설명을 생략하도록 한다.
상술한 밴드갭 전압 생성 회로(1100), 온도 보상 회로(1200), 고정 전압 생성 회로(1300) 및 컨버터(1400) 중에서 온도 보상 회로(1200)는 도 2에서 구체적으로 설명하고, 고정 전압 생성 회로(1300)는 도 3에서 구체적으로 설명하도록 한다.
도 2는 도 1의 온도 보상 회로를 구체적으로 설명하기 위한 회로도이다.
도 2를 참조하면, 온도 보상 회로(1200)는 제1 증폭기(first amplifier; 210), 제1 전류 패스 회로(first current path circuit; 220), 미러 회로(mirror circuit; 230) 및 제2 전류 패스 회로(second current path circuit; 240)를 포함할 수 있다.
제1 증폭기(210)는 제1 기준 전압(Vref)과 피드백 전압(Vfeed)을 비교하여 비교 전압(Vcom)을 출력할 수 있다. 예를 들면, 제1 기준 전압(Vref)은 제1 증폭기(210)의 플러스 단자(+)에 인가되고 피드백 전압(Vfeed)은 제1 증폭기(210)의 마이너스 단자(-)에 인가될 수 있다. 예를 들면, 제1 증폭기(210)의 마이너스 단자(-)는 제1 노드(N1)에 연결될 수 있고, 피드백 전압(Vfeed)은 제1 노드(N1)를 통해 제1 증폭기(210)의 마이너스 단자(-)로 인가될 수 있다.
제1 증폭기(210)는 제1 기준 전압(Vref)보다 피드백 전압(Vfeed)이 높으면 양의 레벨(positive level)을 가지는 보상 전압(Vcom)을 출력하고, 제1 기준 전압(Vref)보다 피드백 전압(Vfeed)이 낮으면 음의 레벨(negative level)을 가지는 보상 전압(Vcom)을 출력할 수 있다. 여기서 피드백 전압(Vfeed)은 온도 보상 회로(1200) 내부에서 피드백(feed-back)된 전압이며, 이에 대해서는 후술하도록 한다.
제1 전류 패스 회로(220)는 제1 트랜지스터(S1)로 이루어질 수 있다. 제1 트랜지스터(S1)는 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있으며, 제1 트랜지스터(S1)의 게이트(gate)는 제1 증폭기(210)의 출력 단자에 연결되고, 드레인(drain)은 제2 노드(N2)에, 소스(source)는 접지 단자에 각각 연결될 수 있다. 따라서, 제1 트랜지스터(S1)는 게이트에 인가되는 비교 전압(Vcom)에 상응하는 전류를 흘릴 수 있다. 예를 들면, 비교 전압(Vcom)의 레벨이 높아질수록 제1 트랜지스터(S1)는 많은 량의 전류를 흘릴 수 있다.또한, 비교 전압(Vcom)의 레벨이 낮아질수록 제1 트랜지스터(S1)는 적은 량의 전류를 흘릴 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면, 제1 전류 패스 회로(220)의 전류 량은 비교 전압(Vcom)에 따라 가변될 수 있다. 즉, 비교 전압(Vcom)의 레벨이 높아질수록 제1 트랜지스터(S1)를 흐르는 전류량은 증가할 수 있고, 비교 전압(Vcom)의 레벨이 낮아질수록 제1 트랜지스터(S1)를 흐르는 전류량은 감소할 수 있다.
미러 회로(230)는 미러(mirror) 구조로 연결된 제2 및 제2 트랜지스터들(S2 및 S3)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 및 제3 트랜지스터들(S2 및 S3) 각각은 PMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다. 제2 트랜지스터(S2)의 게이트(gate)와 소스(source)는 제2 노드(N2)에 공통으로 연결되고, 소스(source)는 제3 노드(N3)에 연결될 수 있다. 제3 노드(N3)에는 전원 전압(VCC)이 인가될 수 있다. 예를 들면, 제1 전류 패스 회로(220)에 의해 제2 노드(N2)의 전압은 높아지거나 낮아질 수 있다. 제2 노드(N2)의 전압이 높아질수록 제2 및 제3 트랜지스터들(S2 및 S3)의 턴온 레벨은 낮아질 수 있고, 제2 노드(N2)의 전압이 낮아질수록 제2 및 제3 트랜지스터들(S2 및 S3)의 턴온 레벨은 높아질 수 있다. 따라서, 제1 트랜지스터(S1)가 턴온되면 제1 및 제2 트랜지스터들(S1 및 S2)을 통하는 전류 패스가 형성될 수 있고, 이로 인해 제2 노드(N2)의 전압은 아날로그(analog)적으로 가변될 수 있다.
제3 트랜지스터(S3)의 게이트(gate)는 제2 노드(N2)에 연결될 수 있고, 소스는 제3 노드(N3)에, 드레인은 제4 노드(N4)에 각각 연결될 수 있다. 따라서, 제2 노드(N2)의 전압에 따라 제2 및 제3 트랜지스터들(S2 및 S3)의 턴온 레벨은 서로 동일하게 가변될 수 있고, 이로 인해 제2 및 제4 노드들(N2 및 N4)의 전류량이 미러링되어 서로 동일해질 수 있다. 즉, 제2 노드(N2)의 전압이 제4 노드(N4)에 반영될 수 있다.
제2 전류 패스 회로(240)는 양극성 접합 트랜지스터(bipolar junction transistor; BJT) 및 제1 저항(resistance; R1)을 포함할 수 있다. 양극성 접합 트랜지스터(BJT)와 제1 저항(R1)은 제4 노드(N4)와 접지 단자 사이에서 서로 직렬로 연결되어 전류 패스를 형성할 수 있다. 예를 들면, 양극성 접합 트랜지스터(BJT)는 제4 노드(N4)와 제1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있고, 제1 저항(R1)은 제1 노드(N1)와 접지 단자 사이에 연결될 수 있다.
양극성 접합 트랜지스터(BJT)는 npn 타입(npn type)의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 예를 들면, 양극성 접합 트랜지스터(BJT)의 베이스(base)와 컬렉터(collector)는 제4 노드(N4)에 공통으로 연결될 수 있고, 이미터(emitter)는 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 제2 전류 패스 회로(240) 내에 전류 패스가 형성되면, 양극성 접합 트랜지스터(BJT)의 콜렉터(collector)와 이미터(emitter) 양단에 온도에 반비례하는 전압이 형성되므로, 제4 노드(N4)의 전압은 온도에 반비례하는 보상 전압(Vctat)으로써 출력될 수 있다.
제1 저항(R1)은 제1 노드(N1)에 인가되는 전압을 안정적으로 유지시키는데 사용될 수 있다. 즉, 양극성 접합 트랜지스터(BJT)에서 생성되는 전류에 감응하여 제1 노드(N1)에 인가되는 피드백 전압(Vfeed)은 일정하게 유지될 수 있다.
제1 노드(N1)에 인가되는 전압은 피드백 전압(Vfeed)이 되며, 피드백 전압(Vfeed)은 제1 증폭기(210)의 마이너스 단자(-)로 다시 인가될 수 있다. 즉, 제1 증폭기(210), 제1 전류 패스 회로(220), 미러 회로(230) 및 제2 전류 패스 회로(240)를 통해 피드백 루프(feed-back loop)가 형성될 수 있고, 피드백 루프 에 의해 피드백 전압(Vfeed)이 지속적으로 재 생성될 수 있다. 피드백 전압(Vfeed)이 기준 전압(Vref)보다 높아지면, 제1 증폭기(210)에서 출력되는 비교 전압(Vcom)이 낮아질 수 있다. 비교 전압(Vcom)이 낮아지면, 제1 트랜지스터(S1)의 턴온 레벨이 낮아지고, 이로 인해 제1 및 제4 노드들(N1 및 N4)에 흐르는 전류가 낮아지면서 피드백 전압(Vfeed)이 다시 기준 전압(Vref)에 가까이 낮아질 수 있다. 따라서, 제4 노드(N4)는 기준 전압(Vref)과 동일한 레벨로 항상 유지될 수 있다. 이에 따라, 전원 전압(VCC)에 노이즈(noise)가 발생하면, 노이즈가 발생한 초기에는 제2 및 제4 노드들(N2 및 N4)의 전압이 노이즈의 영향을 일시적으로 받을 수 있으나, 피드백 루프(FB)로 인한 피드백 전압(Vfeed)에 의하여 온도 보상 회로(1200)는 보상 전압(Vctat)을 안정적으로 빠르게 복구할 수 있다.
도 3은 도 1의 고정 전압 생성 회로를 구체적으로 설명하기 위한 회로도이다.
도 3을 참조하면, 고정 전압 생성 회로(1300)는 제2 증폭기(310), 제3 증폭기(320), 전압 분배 회로(33) 및 필터(340)를 포함할 수 있다.
제2 증폭기(310)는 제2 기준 전압(Vtop)과 제1 입력 전압(Vtf)을 비교하여 제5 노드(N5)를 통해 제1 입력 전압(Vtf)을 출력할 수 있다. 즉, 제2 증폭기(310)의 출력 단자는 제5 노드(N5)에 연결되며, 제5 노드(N5)는 제2 증폭기(310의 마이너스 단자(-)에 연결될 수 있다. 따라서, 제1 입력 전압(Vtf)은 제2 증폭기(310)로부터 출력됨과 동시에 제2 증폭기(310)의 마이너스 단자(-)로 피드백될 수 있다. 제2 기준 전압(Vtop)은 제2 증폭기(310)의 플러스 단자(+)에 인가될 수 있다. 따라서, 제1 입력 전압(Vtf)이 제2 기준 전압(Vtop)보다 낮으면 제1 입력 전압(Vtf)의 레벨은 높아질 수 있고, 제1 입력 전압(Vtf)이 제2 기준 전압(Vtop)보다 높으면 제1 입력 전압(Vtf)의 레벨은 낮아질 수 있다.
제3 증폭기(320)는 제3 기준 전압(Vbot)과 제2 입력 전압(Vbf)을 비교하여 제6 노드(N6)를 통해 제2 입력 전압(Vbf)을 출력할 수 있다. 즉, 제3 증폭기(320)의 출력 단자는 제6 노드(N6)에 연결되며, 제6 노드(N6)는 제3 증폭기(320의 마이너스 단자(-)에 연결될 수 있다. 따라서, 제2 입력 전압(Vbf)은 제3 증폭기(320)로부터 출력됨과 동시에 제3 증폭기(320)의 마이너스 단자(-)로 피드백될 수 있다. 제3 기준 전압(Vbot)은 제3 증폭기(320)의 플러스 단자(+)에 인가될 수 있다. 따라서, 제2 입력 전압(Vbf)이 제3 기준 전압(Vbot)보다 낮으면 제2 입력 전압(Vbf)의 레벨은 높아질 수 있고, 제2 입력 전압(Vbf)이 제3 기준 전압(Vbot)보다 높으면 제2 입력 전압(Vbf)의 레벨은 낮아질 수 있다.
제2 및 제3 기준 전압(Vtop 및 Vbot)은 밴드갭 전압 생성 회로(도 1의 1100)에서 분배된 양전압들로써, 온도 변화에 관계없이 일정한 레벨로 유지될 수 있다. 예를 들면, 제2 기준 전압(Vtop)은 제3 기준 전압(Vbot)보다 높은 전압일 수 있다. 예를 들면, 제2 기준 전압(Vtop)이 1.15V인 경우, 제3 기준 전압(Vbot)은 0.4V일 수 있다.
전압 분배 회로(330)는 제5 노드(N5)와 제6 노드(N6) 사이에서 서로 직렬로 연결된 제1 내지 제k 분배 저항들(DR1~DRk)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제k 분배 저항들(DR1~DRk)은 서로 동일한 저항 값을 가지거나 서로 다른 저항 값을 가질 수 있다. 제5 노드(N5)에 제1 입력 전압(Vtf)이 인가되고 제6 노드(N6)에 제2 입력 전압(Vbf)이 인가되면, 제1 내지 제k 분배 저항들(DR1~DRk)에 의해 전압이 분배되어 제1 내지 제k 분배 저항들(DR1~DRk) 사이의 노드들에 서로 다른 분배 전압들이 인가될 수 있다.
필터(340)는 전압 분배 회로(330)에서 분배된 전압들의 노이즈(noise)를 제거하여 제1 내지 제N+1 고정 전압들(Vfix<0> ~ Vfix<N>)을 출력할 수 있다. 예를 들면, 필터(340)는 RC(resistor-capacitor) 필터로 구현될 수 있다. RC 필터는 제1 내지 제k-1 필터 저항들(FR1 ~ FRk-1) 및 제1 내지 제k-1 캐패시터들(C1 ~ Ck-1)을 포함할 수 있다. 구체적으로 설명하면, 제1 내지 제k 분배 저항들(DR1~DRk) 사이의 노드들과 접지 단자들 사이에 제1 내지 제k-1 필터 저항들(FR1 ~ FRk-1) 및 제1 내지 제k-1 캐패시터들(C1 ~ Ck-1)이 서로 직렬로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1 분배 저항(DR1)과 제2 분배 저항(DR2) 사이의 노드에 제1 필터 저항(FR1)이 연결될 수 있고, 제1 필터 저항(FR1)과 접지 단자 사이에 제1 캐패시터(C1)가 연결될 수 있다. 제N+1 고정 전압(Vfix<N>)은 제1 필터 저항(FR1)과 제1 캐패시터(C1) 사이를 연결하는 노드의 전압일 수 있다. 제k-1 분배 저항(DRk-1)과 제k 분배 저항(DRk) 사이의 노드에 제k-1 필터 저항(FRk-1)이 연결될 수 있고, 제k-1 필터 저항(FRk-1)과 접지 단자 사이에 제k-1 캐패시터(Ck-1)가 연결될 수 있다. 제1 고정 전압(Vfix<0>)은 제k-1 필터 저항(FRk-1)과 제k-1 캐패시터(Ck-1) 사이를 연결하는 노드의 전압일 수 있다. 이러한 방식으로, 제1 내지 제k-1 필터 저항들(FR1 ~ FRk-1) 및 제1 내지 제k-1 캐패시터들(C1 ~ Ck-1)은 제1 내지 제k 분배 저항들(DR1~DRk) 사이에 연결될 수 있고, 제1 내지 제k-1 필터 저항들(FR1~FRk-1) 및 제1 내지 제k-1 캐패시터들(C1 ~ Ck-1) 사이를 연결하는 노드들로부터 제1 내지 제N+1 고정 전압들(Vfix<0> ~ Vfix<N>)이 출력될 수 있다.
즉, 제1 내지 제N+1 고정 전압들(Vfix<0> ~ Vfix<N>)은 제1 내지 제k 분배 저항들(DR1~DRk) 사이에서 분배된 전압들에서 노이즈가 제거된 전압들일 수 있다. 노이즈가 제거되는 방법은 도 4를 참조하여 설명하도록 한다.
도 4는 도 3의 RC 필터에 의한 노이즈 제거 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, RC 필터는 제1 내지 제k-1 필터 저항들(FR1 ~ FRk-1) 및 제1 내지 제k-1 캐패시터들(C1 ~ Ck-1)에 의해 노이즈의 고주파수(high frequency)를 주로 제거할 수 있다. 따라서, 임계 주파수(fc)를 기준으로 하여, RC 필터에 입력되는 전압 중 임계 주파수(fc)보다 낮은 저주파수 대역의 출력은 유지하되, 임계 주파수(fc)보다 높은 고주파수 대역의 출력을 낮춤으로써 출력 전압에서 고주파수 대역의 노이즈를 제거할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 메모리 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 상술한 온도 센싱 회로(1000)는 데이터가 저장되는 메모리 장치(2200) 내에 포함될 수 있다. 예를 들면, 메모리 장치(2200)는 메모리 컨트롤러(2100)의 제어에 따라 프로그램, 리드 또는 소거 등의 동작을 수행할 수 있고, 리드된 데이터를 메모리 컨트롤러(2100)로 전송할 수 있다.
메모리 컨트롤러(2100)로부터 선택된 동작에 대한 커맨드가 메모리 장치(2200)에 수신되면, 메모리 장치(2200)에 포함된 온도 센싱 회로(1000)는 온도에 따른 온도 코드(도 1의 Tcode)를 출력할 수 있다. 메모리 장치(2200)는 온도 코드(Tcode)가 생성되는 동안, 선택된 동작에 필요한 전압을 생성하기 위한 펌핑(pumping) 동작을 동시에 수행할 수 있다. 이로써, 동작 전압을 생성하기 위한 시간이 단축될 수 있다. 메모리 시스템(2000)의 동작의 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 메모리 시스템의 동작 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 메모리 장치(도 5의 2200)가 메모리 컨트롤러(도 5의 2100)로부터 커맨드를 수신하면, 온도 센싱 회로(1000)는 온도 보상 구간 동안 온도 코드(Tcode)를 생성할 수 있다. 이때, 메모리 장치(2200)도 온도 보상 구간이 시작되면 선택된 동작을 시작하기 위하여 레디비지 신호(RB)를 로우(low)로 출력하고, 동작 전압을 생성하기 위한 펌핑 동작(PUMP)을 시작할 수 있다. 즉, 온도 코드(Tcode)를 생성하기 위한 온도 보상 동작과, 동작 전압을 생성하기 위함 펌핑 동작(PUMP)이 동시에 수행될 수 있다. 펌핑 동작이 시작할 때 전원 전압(VCC)에 노이즈가 발생할 수 있는데, 전원 전압(VCC)의 초기 노이즈에 의해 온도 센싱 회로(1000)가 일시적으로 영향을 받을 수 있다. 예를 들면, 고정 전압(Vfix<N>) 및 보상 전압(Vctat)이 급격히 상승할 수 있으며, 이때 온도 센싱 회로(1000)에서 출력되는 온도 코드(Tcode)는 무효 코드(Inval_CODE)로 처리될 수 하지만, 온도 센싱 회로(1000)는 전원 전압(VCC)에 노이즈가 유지되더라도 고정 전압(Vfix<N>) 및 보상 전압(Vctat)를 다시 안정적으로 출력할 수 있으며, 이때 출력되는 온도 코드(Tcode)는 유효 코드(Val_CODE)로 처리되어 메모리 장치 내에서 사용될 수 있다. 유효 코드(Val_CODE)가 생성되고 펌핑 동작이 종료되면, 온도 센싱 회로(1000)에 인가되던 인에이블 신호(EN)가 비활성화되고 고정 전압(Vfix<N>) 및 보상 전압(Vctat)도 모두 출력되지 않는다. 따라서, 동작 구간이 시작되면 온도 코드(Tcode)는 모두 무효 코드(Inval_CODE)로 처리되고, 메모리 장치(2200)의 실질적인 동작 구간이 시작될 수 있다. 예를 들면, 메모리 장치(2200)는 프로그램, 리드 또는 소거 동작을 수행할 수 있다.
종래에는, 온도 보상 구간 동안 전원 전압(VCC)에 노이즈가 발생하면 온도 코드(Tcode)가 영향을 받아 무효 코드(Inval_CODE)로 처리되므로, 메모리 장치(2200)의 펌핑 동작은 유효 코드(Val_CODE)가 모두 출력된 이후에 시작되었다. 하지만, 본 실시예에 따른 온도 센싱 회로(1000)는 전원 전압(VCC)에 노이즈가 있음에도 불구하고 유효 코드(Val_CODE)를 빠르게 출력할 수 있으므로, 메모리 장치(2200)의 펌핑 동작을 온도 보상 구간 동안 동시에 수행할 수 있으므로, 메모리 장치(2200)의 동작 시간을 단축할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 메모리 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하면, 메모리 시스템(3000)은 메모리 컨트롤러(3100)와 메모리 장치(3200)를 포함할 수 있다. 도 7에 도시된 실시예에서는 도 5에 도시된 메모리 시스템(2000)과 다르게 온도 센싱 회로(1000)가 메모리 컨트롤러(3100) 내에 포함될 수 있다. 온도 센싱 회로(1000)는 도 1에서 설명되었으므로, 구체적인 설명은 생략하도록 한다. 예를 들면, 메모리 컨트롤러(3100) 내에서 온도 코드(Tcode)를 생성하는 경우, 메모리 컨트롤러(3100)는 일반 동작을 수행하는 동안에도 유효한 온도 코드를 생성할 수 있으며, 이로 인해 메모리 컨트롤러(3100)의 동작 시간이 단축될 수 있다.
이 외에도, 온도 센싱 회로(1000)는 메모리 컨트롤러(3100)와 메모리 장치(3200) 각각에 포함될 수도 있으며, 메모리 시스템 이외의 다양한 전자 장치들에서도 사용될 수 있다.
도 8 내지 도 11은 메모리 시스템의 다양한 실시 예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 8을 참조하면, 메모리 시스템(Memory System; 30000)은 이동 전화기(cellular phone), 스마트폰(smart phone), 태블릿(tablet) PC, PDA(personal digital assistant) 또는 무선 통신 장치로 구현될 수 있다. 메모리 시스템(30000)은 메모리 장치(3600)와 상기 메모리 장치(3600)의 동작을 제어할 수 있는 메모리 컨트롤러(3500)를 포함할 수 있다. 여기서, 메모리 컨트롤러(3500) 및 메모리 장치(3600)는 도 5 또는 도 7에서 설명된 메모리 컨트롤러(2100 또는 3100) 또는 메모리 장치(2200 또는 3200)로 구현될 수 있다.
메모리 컨트롤러(3500)는 프로세서(Processor; 3100)의 제어에 따라 메모리 장치(3600)의 데이터 액세스 동작, 예컨대 프로그램(program) 동작, 소거(erase) 동작 또는 리드(read) 동작 등을 제어할 수 있다.
메모리 장치(3600)에 프로그램된 데이터는 메모리 컨트롤러(3500)의 제어에 따라 디스플레이(Display; 3200)를 통하여 출력될 수 있다.
무선 송수신기(RADIO TRANSCEIVER; 3300)는 안테나(ANT)를 통하여 무선 신호를 주고받을 수 있다. 예컨대, 무선 송수신기(3300)는 안테나(ANT)를 통하여 수신된 무선 신호를 프로세서(3100)에서 처리(process)될 수 있는 신호로 변경할 수 있다. 따라서, 프로세서(3100)는 무선 송수신기(3300)로부터 출력된 신호를 처리(process)하고 처리(process)된 신호를 메모리 컨트롤러(3500) 또는 디스플레이(3200)로 전송할 수 있다. 메모리 컨트롤러(3500)는 프로세서(3100)에 의하여 처리(process)된 신호를 메모리 장치(3600)에 전송할 수 있다. 또한, 무선 송수신기(3300)는 프로세서(3100)로부터 출력된 신호를 무선 신호로 변경하고 변경된 무선 신호를 안테나(ANT)를 통하여 외부 장치로 출력할 수 있다. 입력 장치(Input Device; 3400)는 프로세서(3100)의 동작을 제어하기 위한 제어 신호 또는 프로세서(3100)에 의하여 처리(process)될 데이터를 입력할 수 있는 장치로서, 터치 패드(touch pad)와 컴퓨터 마우스(computer mouse)와 같은 포인팅 장치(pointing device), 키패드(keypad) 또는 키보드로 구현될 수 있다. 프로세서(3100)는 메모리 컨트롤러(3600)로부터 출력된 데이터, 무선 송수신기(3300)로부터 출력된 데이터, 또는 입력 장치(3400)로부터 출력된 데이터가 디스플레이(3200)를 통하여 출력될 수 있도록 디스플레이(3200)의 동작을 제어할 수 있다.
실시 예에 따라, 메모리 장치(3600)의 동작을 제어할 수 있는 메모리 컨트롤러(1200)는 프로세서(3100)의 일부로서 구현될 수 있고 또한 프로세서(3100)와 별도의 칩으로 구현될 수 있다.
도 9를 참조하면, 메모리 시스템(Memory System; 40000)은 PC(personal computer), 태블릿(tablet) PC, 넷-북(net-book), e-리더(e-reader), PDA(personal digital assistant), PMP(portable multimedia player), MP3 플레이어, 또는 MP4 플레이어로 구현될 수 있다.
메모리 시스템(40000)은 메모리 장치(4500)와 상기 메모리 장치(4500)의 데이터 처리 동작을 제어할 수 있는 메모리 컨트롤러(4400)를 포함할 수 있다. 여기서, 메모리 컨트롤러(4400) 및 메모리 장치(4500)는 도 5 또는 도 7에서 설명된 메모리 컨트롤러(2100 또는 3100) 또는 메모리 장치(2200 또는 3200)로 구현될 수 있다.
프로세서(Processor; 4100)는 입력 장치(Input Device; 4200)를 통하여 입력된 데이터에 따라 메모리 장치(4500)에 저장된 데이터를 디스플레이(Display; 4300)를 통하여 출력할 수 있다. 예컨대, 입력 장치(4200)는 터치 패드 또는 컴퓨터 마우스와 같은 포인팅 장치, 키패드, 또는 키보드로 구현될 수 있다.
프로세서(4100)는 메모리 시스템(40000)의 전반적인 동작을 제어할 수 있고 메모리 컨트롤러(4400)의 동작을 제어할 수 있다. 실시 예에 따라 메모리 장치(4500)의 동작을 제어할 수 있는 메모리 컨트롤러(4500)는 프로세서(4100)의 일부로서 구현되거나, 프로세서(4100)와 별도의 칩으로 구현될 수 있다.
도 10을 참조하면, 메모리 시스템(50000)은 이미지 처리 장치, 예컨대 디지털 카메라, 디지털 카메라가 부착된 이동 전화기, 디지털 카메라가 부착된 스마트 폰, 또는 디지털 카메라가 부착된 태블릿 PC로 구현될 수 있다.
메모리 시스템(50000)은 메모리 장치(5500)와 상기 메모리 장치(5500)의 데이터 처리 동작, 예컨대 프로그램 동작, 소거 동작 또는 리드 동작을 제어할 수 있는 메모리 컨트롤러(5400)를 포함한다. 또한, 메모리 컨트롤러(5400) 및 메모리 장치(5500)는 도 5 또는 도 7에서 설명된 메모리 컨트롤러(2100 또는 3100) 또는 메모리 장치(2200 또는 3200)로 구현될 수 있다.
메모리 시스템(50000)의 이미지 센서(Image Sensor; 5200)는 광학 이미지를 디지털 신호들로 변환할 수 있고, 변환된 디지털 신호들은 프로세서(Processor; 5100) 또는 메모리 컨트롤러(5400)로 전송될 수 있다. 프로세서(5100)의 제어에 따라, 상기 변환된 디지털 신호들은 디스플레이(Display; 5300)를 통하여 출력되거나 메모리 컨트롤러(5400)를 통하여 메모리 장치(5500)에 저장될 수 있다. 또한, 메모리 장치(5500)에 저장된 데이터는 프로세서(5100) 또는 메모리 컨트롤러(5400)의 제어에 따라 디스플레이(5300)를 통하여 출력될 수 있다.
실시 예에 따라 메모리 장치(5500)의 동작을 제어할 수 있는 메모리 컨트롤러(5400)는 프로세서(5100)의 일부로서 구현되거나 프로세서(5100)와 별개의 칩으로 구현될 수 있다.
도 11을 참조하면, 메모리 시스템(Memory System; 70000)은 메모리 카드(memory card) 또는 스마트 카드(smart card)로 구현될 수 있다. 메모리 시스템(70000)은 메모리 장치(7300), 메모리 컨트롤러(7200) 및 카드 인터페이스(Card Interface; 7100)를 포함할 수 있다. 메모리 컨트롤러(7200) 및 메모리 장치(7300)는 도 5 또는 도 7에서 설명된 메모리 컨트롤러(2100 또는 3100) 또는 메모리 장치(2200 또는 3200)로 구현될 수 있다.
메모리 컨트롤러(7200)는 메모리 장치(7300)와 카드 인터페이스(7100) 사이에서 데이터의 교환을 제어할 수 있다. 실시 예에 따라, 카드 인터페이스(7100)는 SD(secure digital) 카드 인터페이스 또는 MMC(multi-media card) 인터페이스일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
카드 인터페이스(7100)는 호스트(HOST; 60000)의 프로토콜에 따라 호스트(60000)와 메모리 컨트롤러(7200) 사이에서 데이터 교환을 인터페이스할 수 있다. 실시 예에 따라 카드 인터페이스(7100)는 USB(Universal Serial Bus) 프로토콜, IC(InterChip)-USB 프로토콜을 지원할 수 있다. 여기서, 카드 인터페이스(7100)는 호스트(60000)가 사용하는 프로토콜을 지원할 수 있는 하드웨어, 상기 하드웨어에 탑재된 소프트웨어 또는 신호 전송 방식을 의미할 수 있다.
메모리 시스템(70000)이 PC, 태블릿 PC, 디지털 카메라, 디지털 오디오 플레이어, 이동 전화기, 콘솔 비디오 게임 하드웨어, 또는 디지털 셋-탑 박스와 같은 호스트(60000)의 호스트 인터페이스(6200)와 접속될 때, 호스트 인터페이스(6200)는 마이크로프로세서(Microprocessor; μP; 6100)의 제어에 따라 카드 인터페이스(7100)와 메모리 컨트롤러(7200)를 통하여 메모리 장치(7300)와 데이터 통신을 수행할 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위와 기술적 사상에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변경이 가능하다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
1000: 온도 센싱 회로 1100: 밴드갭 전압 생성 회로
1200: 온도 보상 회로 1300: 고정 전압 생성 회로
1400: 컨버터 210: 제1 증폭기
220: 제1 전류 패스 회로 230: 미러 회로
240: 제2 전류 패스 회로 310: 제2 증폭기
320: 제3 증폭기 330: 전압 분배 회로
340: 필터

Claims (20)

  1. 온도에 무관한 제1 내지 제3 기준 전압들을 생성하는 밴드갭 전압 생성 회로;
    상기 제1 기준 전압에 따라 상기 온도에 반비례하는 보상 전압을 출력하는 온도 보상 회로;
    상기 제2 및 제3 기준 전압들에 따라 상기 온도에 무관한 고정 전압들을 생성하는 고정 전압 생성 회로; 및
    상기 보상 전압 및 상기 고정 전압들에 응답하여 온도 코드를 출력하는 컨버터를 포함하는 온도 센싱 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 밴드갭 전압 생성 회로는,
    상기 제1 기준 전압을 생성하고,
    상기 제1 기준 전압을 분배하여 상기 제2 및 제3 기준 전압들을 생성하는 온도 센싱 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 기준 전압들은 양전압으로 생성되고,
    상기 제2 기준 전압은 상기 제1 기준 전압보다 낮고,
    상기 제3 기준 전압은 상기 제2 기준 전압보다 낮게 생성되는 온도 센싱 회로.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 온도 보상 회로는,
    전원 전압을 공급받고, 상기 제1 기준 전압에 응답하여 상기 보상 전압을 출력하는 온도 센싱 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 온도 보상 회로는,
    상기 제1 기준 전압과 제1 노드에 인가된 피드백 전압을 비교하여 비교 전압을 출력하는 제1 증폭기;
    상기 전원 전압이 공급되는 제3 노드에 연결되고, 상기 비교 전압에 따라 조절되는 제2 노드의 전류량을 제4 노드에 동일하게 반영하는 미러 회로; 및
    상기 제4 노드의 전압을 상기 보상 전압을 출력하고, 상기 제1 노드로 상기 피드백 전압을 출력하는 제2 전류 패스 회로를 포함하는 온도 센싱 회로.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 증폭기의 플러스 단자(+)에는 상기 제1 기준 전압이 인가되고,
    상기 제1 증폭기의 마이너스 단자(-)에는 상기 피드백 전압이 인가되는 온도 센싱 회로.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전류 패스 회로는,
    상기 비교 전압에 응답하여 상기 제2 노드와 접지 단자 사이에 전류 패스를 형성하는 제1 트랜지스터를 포함하는 온도 센싱 회로.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 미러 회로는,
    상기 제3 노드에 서로 병렬로 연결된 제2 및 제3 트랜지스터들을 포함하며,
    상기 제2 트랜지스터는 상기 제3 노드와 상기 제2 노드 사이에 연결되고 상기 제2 노드의 전압에 응답하여 동작하고,
    상기 제3 트랜지스터는 상기 제3 노드와 상기 제4 노드 사이에 연결되고 상기 제2 노드의 전압에 응답하여 동작하는 온도 센싱 회로.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제2 전류 패스 회로는,
    상기 제3 트랜지스터에서 생성되는 전류에 감응하여 온도에 따라 반비례하는 전압을 상기 제4 노드에 생성하는 양극성 접합 트랜지스터; 및
    상기 제3 트랜지스터에서 생성되는 전류에 감응하여 상기 피드백 전압을 유지시키는 제1 저항을 포함하는 온도 센싱 회로.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 고정 전압 생성 회로는,
    상기 제2 기준 전압과 제1 입력 전압을 비교하여 제5 노드에 상기 제1 입력 전압을 출력하는 제2 증폭기;
    상기 제3 기준 전압과 제2 입력 전압을 비교하여 제6 노드에 상기 제2 입력 전압을 출력하는 제3 증폭기;
    상기 제5 및 제6 노드들 사이에 인가되는 전압을 분배하는 전압 분배 회로;
    상기 전압 분배 회로에서 분배된 전압들의 노이즈를 제거하여 고정 전압들을 출력하는 필터를 포함하는 온도 센싱 회로.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 증폭기의 플러스 단자(+)에는 상기 제2 기준 전압이 인가되고,
    상기 제2 증폭기의 마이너스 단자(-)에는 상기 제1 입력 전압이 인가되는 온도 센싱 회로.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제3 증폭기의 플러스 단자(+)에는 상기 제3 기준 전압이 인가되고,
    상기 제3 증폭기의 마이너스 단자(-)에는 상기 제2 입력 전압이 인가되는 온도 센싱 회로.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 전압 분배 회로는,
    상기 제5 및 제6 노드들 사이에서 서로 직렬로 연결된 다수의 분배 저항들을 포함하는 온도 센싱 회로.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 필터는 상기 전압 분배 회로에서 분배된 전압들의 노이즈를 제거하도록 RC(resistor-capacitor) 필터로 구현되는 온도 센싱 회로.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 RC 필터는 상기 전압 분배 회로에서 분배된 전압들의 노이즈를 제거하기 위한 필터 저항들 및 캐패시터들을 포함하는 온도 센싱 회로.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 변환기는 아날로그 신호를 디지털 신호인 상기 온도 코드로 변환하는 아날로그 투 디지털(analog to digital; ADC) 변환기로 구성되는 온도 센싱 회로.
  17. 전원 전압을 공급받으며, 온도 변화에 무관한 제1 기준 전압에 응답하여 내부적으로 피드백 전압을 생성하고, 상기 온도에 반비례하는 보상 전압을 생성하고,
    상기 온도 변화에 무관한 제2 및 제3 기준 전압에 응답하여, 일정한 고정 전압들을 생성하고,
    상기 보상 전압과 상기 고정 전압들을 온도 코드로 변환하여 출력하며,
    상기 전원 전압에 노이즈가 발생하면 상기 피드백 전압에 따라 상기 보상 전압의 노이즈를 제거하는 온도 센싱 회로.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 전원 전압을 공급받고, 상기 제1 기준 전압에 응답하여 상기 보상 전압을 생성하는 온도 보상 회로를 포함하는 온도 센싱 회로.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제2 및 제3 기준 전압에 응답하여 분배 전압들을 생성하고,
    상기 분배 전압들의 노이즈를 제거하여 상기 고정 전압들을 생성하는 고정 전압 생성 회로를 포함하는 온도 센싱 회로.
  20. 제17항에 있어서,
    아날로그 신호인 상기 보상 전압과 상기 고정 전압들에 응답하여,
    디지털 신호인 상기 온도 코드를 출력하는 변환기를 포함하는 온도 센싱 회로.
KR1020170116946A 2017-09-13 2017-09-13 온도 센싱 회로 KR20190029896A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170116946A KR20190029896A (ko) 2017-09-13 2017-09-13 온도 센싱 회로
US15/962,526 US20190078940A1 (en) 2017-09-13 2018-04-25 Temperature sensing circuit
CN201810479702.0A CN109489844A (zh) 2017-09-13 2018-05-18 温度感测电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170116946A KR20190029896A (ko) 2017-09-13 2017-09-13 온도 센싱 회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190029896A true KR20190029896A (ko) 2019-03-21

Family

ID=65630924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170116946A KR20190029896A (ko) 2017-09-13 2017-09-13 온도 센싱 회로

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20190078940A1 (ko)
KR (1) KR20190029896A (ko)
CN (1) CN109489844A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019132067A1 (de) 2019-01-25 2020-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Strombegrenzer für speichervorrichtung
US10991426B2 (en) * 2019-01-25 2021-04-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory device current limiter
TWI736350B (zh) * 2020-07-07 2021-08-11 瑞昱半導體股份有限公司 用於能隙參考電壓電路的降壓電路

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001006369A (ja) * 1999-06-21 2001-01-12 Nec Corp 半導体インターフェースシステム及び半導体メモリ回路
US6583667B1 (en) * 2001-12-20 2003-06-24 Institute Of Microelectronics High frequency CMOS differential amplifiers with fully compensated linear-in-dB variable gain characteristic
US7524108B2 (en) * 2003-05-20 2009-04-28 Toshiba American Electronic Components, Inc. Thermal sensing circuits using bandgap voltage reference generators without trimming circuitry
KR100666928B1 (ko) * 2004-02-19 2007-01-10 주식회사 하이닉스반도체 온도변화에 따라 최적의 리프레쉬 주기를 가지는 반도체메모리 장치
TWI451697B (zh) * 2006-05-03 2014-09-01 Synopsys Inc 極低功率類比補償電路
KR100795013B1 (ko) * 2006-09-13 2008-01-16 주식회사 하이닉스반도체 밴드 갭 레퍼런스 회로와 이를 이용한 온도 정보 출력장치
US20080238530A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Renesas Technology Corp. Semiconductor Device Generating Voltage for Temperature Compensation
KR101036925B1 (ko) * 2008-12-26 2011-05-25 주식회사 하이닉스반도체 밴드갭 회로 및 이를 포함하는 온도 감지회로
GB2506538B (en) * 2009-07-28 2014-07-02 Skyworks Solutions Inc Process, voltage and temperature sensor
CN202486648U (zh) * 2012-03-16 2012-10-10 北京经纬恒润科技有限公司 基准电压源启动电路
US8941369B2 (en) * 2012-03-19 2015-01-27 Sandisk Technologies Inc. Curvature compensated band-gap design trimmable at a single temperature
US9739669B2 (en) * 2012-12-10 2017-08-22 Microchip Technology Incorporated Temperature sensor peripheral having independent temperature coefficient and offset adjustment programmability
US9470585B2 (en) * 2013-05-29 2016-10-18 Intel IP Corporation Calibrated temperature measurement system
WO2015012798A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-29 Intel Corporation Current-mode digital temperature sensor apparatus
US9541456B2 (en) * 2014-02-07 2017-01-10 Sandisk Technologies Llc Reference voltage generator for temperature sensor with trimming capability at two temperatures
KR20160062491A (ko) * 2014-11-25 2016-06-02 에스케이하이닉스 주식회사 온도 센서
JP6434344B2 (ja) * 2015-03-17 2018-12-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6638340B2 (ja) * 2015-11-12 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 回路装置、発振器、電子機器及び移動体

Also Published As

Publication number Publication date
CN109489844A (zh) 2019-03-19
US20190078940A1 (en) 2019-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7118989B2 (ja) プログラマブル・サプライ・ジェネレータ
US9323263B2 (en) Low dropout regulator with hysteretic control
US7949886B2 (en) Power supply system for motherboard
KR20120042649A (ko) 소프트 스타팅 기능을 갖는 전압 레귤레이터 및 전압 레귤레이터의 제어 방법
KR102467461B1 (ko) 내부 전압 생성 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20190029896A (ko) 온도 센싱 회로
JP2001526420A (ja) 内部ｃｍｏｓ基準発生器および電圧調整器
US20120021696A1 (en) Data card with usb function
KR102501696B1 (ko) 전압 클램핑 회로, 이를 포함하는 반도체 장치 및 반도체 시스템
US10209730B2 (en) Serial bus apparatus with controller circuit and related uses
JP2010514350A (ja) 供給独立バイアスのための起動回路
JP7059255B2 (ja) 適応終端インピーダンスを有する高速ドライバ
KR20190137459A (ko) 데이터 출력 회로
CN101228693B (zh) 用于i2c总线应用的信号缘变化率控制电路及其装置
CN113839844A (zh) 本地互连网络（lin）驱动器电路
CN217469914U (zh) 上电复位电路
JP6690110B2 (ja) 線形性を改善するためのバイアス回路及び電力増幅装置
CN109696250B (zh) 温度感测电路和具有该温度感测电路的半导体设备
US9595823B2 (en) Low power circuit for transistor electrical overstress protection in high voltage applications
CN118484049A (zh) 稳压电路、芯片系统和电子设备
CN112740559A (zh) 具有反馈控制的发送器
US10712772B2 (en) Data processing circuits
CN110912383A (zh) 基于多个输入电压来输出电压的电子电路
CN221240240U (zh) 一种电源切换电路、电源、电子设备及车辆
US20170133930A1 (en) Anti-deadlock circuit for voltage regulator and associated power system