KR102122448B1 - Organic light emitting display device and method for driving thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 보상할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극인 제 1 노드에 데이터 전압을 공급하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 및 레퍼런스 라인에 공급되는 전압을 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이인 제 2 노드에 공급하는 제 2 스위칭 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소를 가지는 표시 패널; 및 상기 복수의 화소를 센싱 모드 또는 표시 모드로 구동하는 패널 구동부를 포함하며, 상기 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 1 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 고정하고, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 프레임 단위로 가변하면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an organic light emitting display device capable of compensating for a threshold voltage of a switching transistor included in a pixel and a driving method thereof, wherein the organic light emitting display device according to the present invention includes an organic light emitting device and a current flowing through the organic light emitting device Supplying a data voltage to a driving transistor for controlling the driving transistor, a first node serving as a gate electrode of the driving transistor, and a voltage supplied to a reference line to a second node between the organic light emitting device and the driving transistor A display panel having a plurality of pixels including a second switching transistor; And a panel driver driving the plurality of pixels in a sensing mode or a display mode. In the sensing mode, the panel driver fixes a voltage level of a first gate high voltage supplied to a gate electrode of the second switching transistor. In addition, while changing the voltage level of the second gate high voltage supplied to the gate electrode of the first switching transistor in units of frames, the threshold voltage of the first switching transistor included in the corresponding pixel is sensed through the reference line of each pixel. It is characterized by.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a driving method thereof.
최근, 평판 표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치가 상용화되고 있다. 이러한, 평판 표시 장치 중에서 유기 발광 표시 장치는 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Recently, the importance of a flat panel display device has increased with the development of multimedia. In response to this, flat panel display devices such as liquid crystal display devices, plasma display devices, and organic light emitting display devices have been commercialized. Among these flat panel display devices, the organic light emitting display device has attracted attention as a next-generation flat panel display device because it has a high-speed response speed, low power consumption, and has no problem in viewing angle because of its own light emission.
도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a pixel structure of a general organic light emitting display device.
도 1을 참조하면, 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소(P)는 스위칭 트랜지스터(Tsw), 구동 트랜지스터(Tdr), 커패시터(Cst), 및 유기 발광 소자(OLED)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a pixel P of a typical organic light emitting diode display includes a switching transistor Tsw, a driving transistor Tdr, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED.
상기 스위칭 트랜지스터(Tsw)는 스캔 라인(SL)에 공급되는 스캔 펄스(SP)에 따라 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(Tdr)에 공급한다. 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 스위칭 트랜지스터(Tsw)로부터 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 따라 스위칭되어 구동 전원 라인으로부터 공급되는 구동 전원(EVdd)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 데이터 전류(Ioled)를 제어한다. 상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자와 소스 단자 사이에 접속되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 트랜지스터(Tdr)의 턴-온시킨다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자와 캐소드 라인(EVss) 사이에 전기적으로 접속되어 구동 트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 데이터 전류(Ioled)에 의해 발광한다. 이러한 일반적인 유기 발광 표시 장치의 각 화소(P)는 데이터 전압(Vdata)에 따른 구동 트랜지스터(Tdr)의 스위칭을 이용하여 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 데이터 전류(Ioled)의 크기를 제어하여 유기 발광 소자(OLED)를 발광시킴으로써 소정의 영상을 표시하게 된다.The switching transistor Tsw is switched according to the scan pulse SP supplied to the scan line SL to supply the data voltage Vdata supplied to the data line DL to the driving transistor Tdr. The driving transistor Tdr is switched according to the data voltage Vdata supplied from the switching transistor Tsw, and receives the data current Ioled flowing from the driving power EVdd supplied from the driving power line to the organic light emitting diode OLED. Control. The capacitor Cst is connected between the gate terminal and the source terminal of the driving transistor Tdr to store a voltage corresponding to the data voltage Vdata supplied to the gate terminal of the driving transistor Tdr, and the driving transistor is stored at the stored voltage. Turn on (Tdr). The organic light emitting diode OLED is electrically connected between the source terminal of the driving transistor Tdr and the cathode line EVss to emit light by the data current Ioled supplied from the driving transistor Tdr. Each pixel P of the general organic light emitting display device controls the size of the data current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED by switching the driving transistor Tdr according to the data voltage Vdata, and thus emits organic light. By emitting the device OLED, a predetermined image is displayed.
이와 같은, 일반적인 유기 발광 표시 장치에서는 박막 트랜지스터의 제조 공정의 불균일성에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)/이동도(Mobility) 특성이 유기 발광 표시 패널의 위치에 따라 다르게 나타나는 문제점이 있다. 이에 따라, 일반적인 유기 발광 표시 장치에서는 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)에 동일한 데이터 전압(Vdata)을 인가하더라도 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류의 편차로 인해 균일한 화질을 구현할 수 없다는 문제점이 있다.In such a general organic light emitting display device, a threshold voltage (Vth)/mobility characteristic of the driving transistor Tdr is different according to the position of the organic light emitting display panel according to the non-uniformity of the manufacturing process of the thin film transistor. . Accordingly, even if the same data voltage Vdata is applied to the driving transistor Tdr of each pixel P in a general organic light emitting diode display, uniform image quality cannot be achieved due to variations in current flowing through the organic light emitting diode OLED. There is a problem.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0076215호(이하, "선행기술문헌"이라 함)의 유기전계발광표시장치는 각 화소에 센서 트랜지스터를 추가하고, 스위칭 트랜지스터와 센서 트랜지스터의 스위칭을 이용해 센서 트랜지스터에 연결된 레퍼런스 라인을 통해 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 외부 보상 기술이 개시되어 있다.In order to solve this problem, the organic light emitting display device of Korean Patent Publication No. 10-2012-0076215 (hereinafter referred to as "prior art document") adds a sensor transistor to each pixel, and a switching transistor and a sensor transistor Disclosed is an external compensation technique for compensating the threshold voltage of the driving transistor by sensing the threshold voltage of the driving transistor through a reference line connected to the sensor transistor using switching of.
그러나, 상기 선행기술문헌의 유기 발광 표시 장치에서는 외부 보상 기술을 통해 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 보상할 수 있지만, 고온 장시간 구동에 따른 전압 스트레스(voltage stress)로 인하여 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)/이동도(Mobility) 특성이 변화함에 따라 휘도 저하가 발생되고 이로 인하여 수명이 감소한다는 문제점이 있다. 즉, 상기 선행기술문헌의 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터는 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 역할을 하는 것으로, 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압이 변화될 경우, 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화량에 따라 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압이 변화되므로 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 원하는 데이터 전압을 공급할 수 없게 된다.However, although the threshold voltage of the driving transistor Tdr can be compensated through an external compensation technique in the organic light emitting diode display of the prior art document, the threshold voltage of the switching transistor due to voltage stress due to driving at a high temperature for a long time ( Vth) / mobility (Mobility) as the characteristics change, there is a problem that the luminance decreases, thereby reducing the life. That is, the switching transistor included in the pixel of the prior art document serves to supply the data voltage to the gate electrode of the driving transistor. When the threshold voltage of the switching transistor is changed, the driving transistor according to the change amount of the threshold voltage of the switching transistor Since the gate-source voltage of is changed, the desired data voltage cannot be supplied to the gate electrode of the driving transistor.
따라서, 각 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)/이동도(Mobility) 특성을 센싱하고, 보상할 수 있는 방안이 필요하다.Accordingly, there is a need for a method capable of sensing and compensating for a threshold voltage (Vth)/mobility characteristic of a switching transistor included in each pixel.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 보상할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention has been devised to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a driving method thereof to compensate for a threshold voltage of a switching transistor included in a pixel.
또한, 본 발명은 화소에 포함된 구동 트랜지스터와 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 동시에 보상할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.In addition, another technical problem of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a driving method thereof that can simultaneously compensate for threshold voltages of a driving transistor and a switching transistor included in a pixel.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the technical problems of the present invention mentioned above, other features and advantages of the present invention are described below, or it will be clearly understood by those skilled in the art from the description and description.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극인 제 1 노드에 데이터 전압을 공급하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 및 레퍼런스 라인에 공급되는 전압을 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이인 제 2 노드에 공급하는 제 2 스위칭 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소를 가지는 표시 패널; 및 상기 복수의 화소를 센싱 모드 또는 표시 모드로 구동하는 패널 구동부를 포함하며, 상기 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 1 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 고정하고, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 프레임 단위로 가변하면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting display device according to the present invention for achieving the above-described technical problem is to supply a data voltage to the organic light emitting element, a driving transistor for controlling the current flowing through the organic light emitting element, a first node that is the gate electrode of the driving transistor A display panel having a plurality of pixels including a first switching transistor and a second switching transistor supplying a voltage supplied to a reference line to a second node between the organic light emitting element and the driving transistor; And a panel driver driving the plurality of pixels in a sensing mode or a display mode. In the sensing mode, the panel driver fixes a voltage level of a first gate high voltage supplied to a gate electrode of the second switching transistor. In addition, while changing the voltage level of the second gate high voltage supplied to the gate electrode of the first switching transistor in units of frames, the threshold voltage of the first switching transistor included in the corresponding pixel is sensed through the reference line of each pixel. It is characterized by.
상기 패널 구동부는 상기 프레임 단위마다 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 설정된 전압 레벨만큼 단계적으로 높이는 것을 특징으로 한다.The panel driver is characterized in that the voltage level of the second gate high voltage is incrementally increased by a predetermined voltage level for each frame unit.
상기 패널 구동부는 상기 프레임 단위마다 상기 레퍼런스 라인의 전압을 센싱하여 각 프레임의 센싱 데이터를 생성하고, 각 프레임의 센싱 데이터에 기초하여 상기 각 화소에 포함된 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 산출하는 것을 특징으로 한다.The panel driver senses the voltage of the reference line for each frame unit to generate sensing data of each frame, and calculates a threshold voltage of the first switching transistor included in each pixel based on the sensing data of each frame. It is characterized by.
상기 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 스위칭을 통해 상기 구동 트랜지스터를 포화(saturation) 구동 모드로 동작시키면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 메모리부에 저장하는 것을 특징으로 한다.In the sensing mode, the panel driving unit includes the driving transistor included in the corresponding pixel through the reference line of each pixel while operating the driving transistor in a saturation driving mode through switching of the first and second switching transistors. It is characterized in that the threshold voltage is sensed and stored in the memory unit.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법은 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극인 제 1 노드에 데이터 전압을 공급하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 및 레퍼런스 라인에 공급되는 전압을 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이인 제 2 노드에 공급하는 제 2 스위칭 트랜지스터를 가지는 복수의 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 복수의 화소 각각을 센싱 모드로 구동하는 단계(A); 및 상기 복수의 화소 각각을 표시 모드로 구동하는 단계(B)를 포함하며, 상기 단계(A)는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 1 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 고정하고, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 프레임 단위로 가변하면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.The driving method of the organic light emitting diode display according to the present invention for achieving the above-described technical problem is an organic light emitting element, a driving transistor for controlling a current flowing through the organic light emitting element, and a data voltage at a first node as a gate electrode of the driving transistor Driving of the organic light emitting display device including a plurality of pixels having a first switching transistor supplying a voltage and a second switching transistor supplying a voltage supplied to a reference line to a second node between the organic light emitting element and the driving transistor. A method comprising: (A) driving each of the plurality of pixels in a sensing mode; And driving (B) each of the plurality of pixels in a display mode, wherein (A) fixes the voltage level of the first gate high voltage supplied to the gate electrode of the second switching transistor, and the Sensing the threshold voltage of the first switching transistor included in the pixel through the reference line of each pixel while varying the voltage level of the second gate high voltage supplied to the gate electrode of the first switching transistor in frame units. It can be made including.
상기 단계(A)에서, 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨은 설정된 전압 레벨만큼 상기 프레임 단위마다 단계적으로 높아질 수 있다.In the step (A), the voltage level of the second gate high voltage may be increased step by step for each frame unit by a set voltage level.
상기 단계(A)는 상기 프레임 단위마다 상기 레퍼런스 라인의 전압을 센싱하여 각 프레임의 센싱 데이터를 생성하는 단계(A1); 및 각 프레임의 센싱 데이터에 기초하여 상기 각 화소에 포함된 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 산출하는 단계(A2)를 포함할 수 있다.The step (A) comprises the step of generating the sensing data of each frame by sensing the voltage of the reference line for each frame unit (A1); And calculating a threshold voltage of the first switching transistor included in each pixel based on the sensing data of each frame (A2).
상기 단계(A)는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 스위칭을 통해 상기 구동 트랜지스터를 포화(saturation) 구동 모드로 동작시키면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 메모리부에 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step (A) is a threshold voltage of a driving transistor included in a corresponding pixel through the reference line of each pixel while operating the driving transistor in a saturation driving mode through switching of the first and second switching transistors It may further include the step of sensing and storing in the memory unit.
상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.According to the solution means of the said subject, this invention has the following effects.
첫째, 데이터 전압을 구동 트랜지스터에 전달하는 역할을 하는 스위칭 트랜지스터를 스위칭시키는 스캔 펄스의 게이트 하이 전압을 가변함으로써 스위칭 트랜지스터의 전압 전달율 변화를 이용해 스위칭 트랜지스터의 특성 변화를 센싱할 수 있다.First, by changing the gate high voltage of the scan pulse that switches the switching transistor, which serves to transfer the data voltage to the driving transistor, the change in the characteristics of the switching transistor can be sensed by using the change in the voltage transfer rate of the switching transistor.
둘째, 센싱 모드에 의해 센싱된 스위칭 트랜지스터의 특성 변화에 기초하여 스캔 펄스의 게이트 하이 전압을 최적화함으로써 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화에 따른 전압 전달율의 저하를 방지하고, 이를 통해 유기 발광 표시 장치의 고온 장시간 구동에 따른 신뢰성 및 수명을 확보할 수 있다.Second, by optimizing the gate high voltage of the scan pulse based on the change in the characteristics of the switching transistor sensed by the sensing mode, a decrease in the voltage transfer rate due to the change in the threshold voltage of the switching transistor is prevented, thereby enabling the high temperature long time of the organic light emitting display device. Reliability and lifespan according to driving can be secured.
셋째, 각 화소에 포함된 구동 트랜지스터와 스위칭 트랜지스터의 특성 변화를 각각 센싱하고 이를 기반으로 데이터 보정과 스캔 펄스의 게이트 하이 전압을 최적함으로써 구동 트랜지스터와 스위칭 트랜지스터의 특성 변화를 동시에 보상할 수 있다.Third, it is possible to compensate for changes in characteristics of the driving transistor and the switching transistor at the same time by sensing the characteristic changes of the driving transistor and the switching transistor included in each pixel and optimizing the gate high voltage of the data and scan pulse based on this.
도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 각 화소의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 컬럼(column) 구동부를 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 1 센싱 모드의 화소 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 1 센싱 모드의 구동 파형도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 2 센싱 모드의 화소 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 2 센싱 모드의 구동 파형도이다.
도 9는 본 발명에 있어서, 제 2 게이트 하이 전압의 가변에 따른 센싱 전압을 측정한 시뮬레이션 파형도이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 표시 모드시 구동 파형도이다.1 is a circuit diagram illustrating a pixel structure of a general organic light emitting display device.
2 is a view for explaining an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a diagram schematically showing a structure of each pixel illustrated in FIG. 2.
FIG. 4 is a block diagram illustrating a column driver illustrated in FIG. 2.
5 is a diagram for describing a pixel operation in a first sensing mode in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a driving waveform diagram of a first sensing mode in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a diagram for describing a pixel operation in a second sensing mode in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
8 is a driving waveform diagram of a second sensing mode in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
9 is a simulation waveform diagram in which the sensing voltage according to the variation of the second gate high voltage is measured in the present invention.
10 is a driving waveform diagram in a display mode in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. The meaning of the terms described in this specification should be understood as follows.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.It should be understood that a singular expression includes a plurality of expressions unless the context clearly defines otherwise, and the terms "first", "second", etc. are intended to distinguish one component from another component, The scope of rights should not be limited by these terms.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that terms such as “include” or “have” do not preclude the existence or addition possibility of one or more other features or numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof.
이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the organic light emitting display device and the driving method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 각 화소의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.2 is a diagram for describing an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram schematically showing the structure of each pixel illustrated in FIG. 2.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널(100), 및 패널 구동부(200)를 포함하여 구성된다.2 and 3, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
상기 표시 패널(100)은 제 1 내지 제 m(단, m은 자연수) 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm), 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm), 제 1 내지 제 n(단, n은 m보다 큰 자연수) 데이터 라인(DL1 내지 DLn), 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn), 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn), 캐소드 전극(미도시), 및 복수의 화소(P)를 포함한다.The
상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각은 상기 표시 패널(100)의 제 1 방향, 즉 가로 방향을 따라 일정한 간격을 가지도록 나란하게 형성된다.Each of the first to mth scan control lines SL1 to SLm is formed side by side to have a constant interval along a first direction, that is, a horizontal direction, of the
상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm) 각각은 상기 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성된다.Each of the first to mth sensing control lines SSL1 to SSLm is formed at regular intervals to be parallel to each of the scan control lines SL1 to SLm.
상기 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)은 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 및 센싱 제어 라인들(SSL1 내지 SSLm) 각각과 교차하도록 상기 표시 패널(100)의 제 2 방향, 즉 세로 방향을 따라 일정한 간격을 가지도록 나란하게 형성된다.The first to nth data lines DL1 to DLn cross the scan control lines SL1 to SLm and the sensing control lines SSL1 to SSLm, respectively, in the second direction of the
상기 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각은 상기 데이터 라인(DL1 내지 DLn) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성된다.Each of the first to n-th reference lines RL1 to RLn is formed at regular intervals to be parallel to each of the data lines DL1 to DLn.
상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성된다. 여기서, 상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성될 수도 있다. 이러한 상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 표시 패널(100)의 상측 및/또는 하측에 형성된 구동 전원 공통 라인(CPL)에 공통적으로 연결될 수 있다.Each of the first to nth driving power lines PL1 to PLn is formed at regular intervals to be parallel to each of the data lines DL1 to DLn. Here, each of the first to nth driving power lines PL1 to PLn may be formed at regular intervals to be parallel to each of the scan control lines SL1 to SLm. Each of the first to nth driving power lines PL1 to PLn may be commonly connected to a driving power common line CPL formed on an upper side and/or a lower side of the
상기 캐소드 전극은 상기 표시 패널(100)의 전면(全面)에 통자로 형성되거나 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 또는 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성될 수도 있다.The cathode electrode may be formed as a passage on the entire surface of the
상기 복수의 화소(P) 각각은 서로 교차하는 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각과 상기 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn) 각각에 의해 정의되는 화소 영역마다 형성된다. 여기서, 복수의 화소(P) 각각은 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소 중 어느 하나일 수 있다. 하나의 영상을 표시하는 하나의 단위 화소는 인접한 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소를 포함하거나, 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있다.Each of the plurality of pixels P is formed for each pixel area defined by each of the first to mth scan control lines SL1 to SLm and each of the first to nth data lines DL1 to DLn that cross each other. do. Here, each of the plurality of pixels P may be any one of a red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel. One unit pixel displaying one image may include adjacent red pixels, green pixels, blue pixels, and white pixels, or may include red pixels, green pixels, and blue pixels.
상기 복수의 화소(P) 각각은 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1), 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2), 구동 트랜지스터(Tdr), 커패시터(Cst), 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 여기서, 트랜지스터(Tsw1, Tsw2, Tdr)는 박막 트랜지스터(TFT)로서 a-Si TFT, poly-Si TFT, Oxide TFT, Organic TFT 등이 될 수 있다.Each of the plurality of pixels P may include a first switching transistor Tsw1, a second switching transistor Tsw2, a driving transistor Tdr, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. Here, the transistors Tsw1, Tsw2, and Tdr may be a-Si TFT, poly-Si TFT, oxide TFT, or organic TFT as a thin film transistor (TFT).
상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 출력한다. 이를 위해, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)은 인접한 스캔 제어 라인(SCL)에 연결된 게이트 전극, 인접한 데이터 라인(DL)에 연결된 소스 전극, 및 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극인 제 1 노드(n1)에 연결된 드레인 전극을 포함한다.The first switching transistor Tsw1 is switched by the first scan pulse SP1 to output a data voltage Vdata supplied to the data line DL. To this end, the first switching transistor Tsw1 includes a gate electrode connected to an adjacent scan control line SCL, a source electrode connected to an adjacent data line DL, and a first node that is a gate electrode of the driving transistor Tdr ( n1).
상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)는 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 스위칭되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 전압(Vref or Vpre)을 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제 2 노드(n2)에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)는 인접한 센싱 제어 라인(SSCL)에 연결된 게이트 전극, 인접한 레퍼런스 라인(RL)에 연결된 소스 전극, 및 제 2 노드(n2)에 연결된 드레인 전극을 포함한다.The second switching transistor Tsw2 is switched by the second scan pulse SP2 to supply a voltage Vref or Vpre supplied to the reference line RL as a second node n2 that is a source electrode of the driving transistor Tdr. To supply. To this end, the second switching transistor Tsw2 includes a gate electrode connected to the adjacent sensing control line SSCL, a source electrode connected to the adjacent reference line RL, and a drain electrode connected to the second node n2.
상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 소스 전극, 즉 제 1 및 제 2 노드(n1, n2) 간에 접속되는 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 상기 커패시터(Cst)의 제 1 전극은 상기 제 1 노드(n1)에 연결되고, 상기 커패시터(Cst)의 제 2 전극은 상기 제 2 노드(n2)에 연결된다. 이러한 상기 커패시터(Cst)는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 스위칭에 따라 제 1 및 제 2 노드(n1, n2) 각각에 공급되는 전압의 차 전압을 충전한 후, 충전된 전압에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)를 스위칭시킨다.The capacitor Cst includes a gate electrode and a source electrode of the driving transistor Tdr, that is, first and second electrodes connected between the first and second nodes n1 and n2. The first electrode of the capacitor Cst is connected to the first node n1, and the second electrode of the capacitor Cst is connected to the second node n2. The capacitor Cst charges after charging the difference voltage of the voltage supplied to each of the first and second nodes n1 and n2 according to the switching of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2, respectively. The driving transistor Tdr is switched according to the voltage applied.
상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 커패시터(Cst)의 전압에 의해 턴-온됨으로써 구동 전원 라인(PL)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 전류 량을 제어한다. 이를 위해, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 제 1 노드(n1)에 연결된 게이트 전극, 상기 제 2 노드(n2)에 연결된 소스 전극, 및 구동 전원 라인(PL)에 연결된 드레인 전극을 포함한다.The driving transistor Tdr is turned on by the voltage of the capacitor Cst to control the amount of current flowing from the driving power supply line PL to the organic light emitting diode OLED. To this end, the driving transistor Tdr includes a gate electrode connected to the first node n1, a source electrode connected to the second node n2, and a drain electrode connected to the driving power line PL.
상기 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 데이터 전류(Ioled)에 의해 발광하여 데이터 전류(Ioled)에 대응되는 휘도를 가지는 단색 광을 방출한다. 이를 위해, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 제 2 노드(n2)에 연결된 제 1 전극(예를 들어, 애노드 전극), 제 1 전극 상에 형성된 유기층(미도시), 및 유기층에 연결된 제 2 전극(예를 들어, 캐소드 전극)을 포함한다. 이때, 유기층은 정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층의 구조 또는 정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가지도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 유기층은 유기 발광층의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 기능층을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제 2 전극은 복수의 화소(P) 각각에 개별적으로 연결되거나, 복수의 화소(P)에 공통적으로 연결될 수 있으며, 이러한 상기 제 2 전극에는 저전위 전원(EVss)이 공급된다.The organic light emitting diode OLED emits light by the data current Ioled supplied from the driving transistor Tdr to emit monochromatic light having luminance corresponding to the data current Ioled. To this end, the organic light emitting device (OLED) is a first electrode (for example, an anode electrode) connected to the second node (n2), an organic layer (not shown) formed on the first electrode, and a second connected to the organic layer Electrodes (eg, cathode electrodes). At this time, the organic layer may be formed to have a structure of a hole transport layer/organic light emitting layer/electron transport layer or a structure of a hole injection layer/hole transport layer/organic light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer. Furthermore, the organic layer may further include a functional layer for improving light emission efficiency and/or lifespan of the organic light emitting layer. In addition, the second electrode may be individually connected to each of the plurality of pixels P, or may be commonly connected to the plurality of pixels P, and low-potential power sources EVss are supplied to the second electrode.
상기 패널 구동부(200)는 상기 표시 패널(100)을 제 1 센싱 모드, 제 2 센싱 모드, 또는 표시 모드로 구동한다.The
상기 제 1 센싱 모드는 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 상기 표시 패널(100)의 구동으로 정의될 수 있고, 상기 제 2 센싱 모드는 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 상기 표시 패널(100)의 구동으로 정의될 수 있다. 여기서, 상기 제 1 및 제 2 센싱 모드는 유기 발광 표시 장치의 제품 출하 전 검사 공정, 설정된 주기, 유기 발광 표시 장치의 전원 온/오프 시점, 또는 사용자 설정마다 수행될 수 있다.The first sensing mode may be defined as driving of the
상기 표시 모드는 상기 센싱 모드에 의해 센싱된 상기 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압이 보상된 화소 데이터(DATA)와 상기 각 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초한 전압 레벨을 가지는 제 1 스캔 펄스(SP1)를 이용하여 각 화소(P)에 영상을 표시하기 위한 상기 표시 패널(100)의 구동으로 정의될 수 있다.The display mode includes the pixel data DATA whose threshold voltage of the driving transistor Tdr of each pixel P sensed by the sensing mode is compensated, and the first switching transistor Tsw1 of each pixel P. It may be defined as driving of the
상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부(200)는 각 화소(P)에 포함된 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 게이트 전압을 고정하여 상기 구동 트랜지스터(Tdr)를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시키면서 상기 레퍼런스 라인(RL)을 통해 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압을 센싱하여 제 1 센싱 데이터(Sdata_Tdr)를 생성하고, 상기 제 1 센싱 데이터(Sdata_Tdr)에 기초하여 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)에 대한 문턱 전압을 산출하여 메모리(미도시)에 저장한다. 그리고, 상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부(200)는 메모리에 저장된 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)에 대한 문턱 전압에 대응되는 보상 값을 산출하고, 산출된 보상 값과 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)에 대한 초기(또는 이전) 보상 값의 보상 편차 값을 산출한 다음, 산출된 보상 편차 값을 초기(또는 이전) 보상 값에 가산하거나 감산하여 각 화소(P)의 보상 데이터를 생성해 메모리부(212)에 저장한다.In the first sensing mode, the
상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부(200)는 각 화소(P)에 포함된 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 게이트 전압을 고정함과 아울러 프레임 단위로 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트 전압을 단계적으로 가변하여 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시키면서 상기 레퍼런스 라인(RL)을 통해 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압을 센싱하여 각 프레임의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw1)를 생성하고, 각 프레임의 상기 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw1)과 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)에 대한 문턱 전압에 기초하여 각 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)에 대한 문턱 전압을 산출하여 메모리(미도시)에 저장한다.In the second sensing mode, the
상기 표시 모드에서, 상기 패널 구동부(200)는 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)의 보상 데이터에 기초하여 각 화소(P)의 입력 데이터를 보정하여 보정된 데이터에 대응되는 데이터 전압을 해당 화소(P)에 공급하고, 이와 동기되도록 메모리부(212)에 저장되어 있는 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 따라 설정된 전압 레벨을 가지는 제 1 스캔 펄스(SP1)를 상기 스캔 제어 라인(SL)에 공급한다. 상기 패널 구동부(200)는 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)와 동시에 기준 전압 레벨을 가지는 제 2 스캔 펄스(SP2)를 상기 센싱 제어 라인(SSL)에 공급할 수도 있다.In the display mode, the
상기 패널 구동부(200)는 타이밍 제어부(210), 전압 공급부(220), 로우(row) 구동부(230), 및 컬럼(column) 구동부(240)를 포함한다.The
상기 타이밍 제어부(210)는 사용자의 설정 또는 설정된 주기마다 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr) 및 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(또는 이동도)을 센싱하기 위한 제 1 및 제 2 센싱 모드 중 어느 하나의 센싱 모드에 따라 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 동작시킨다. 또한, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 표시 패널(100)에 영상을 표시하기 위한 표시 모드에 따라 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 동작시킨다.The
상기 제 1 또는 제 2 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 해당 트랜지스터(Tdr, Tsw1)를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시켜 해당 트랜지스터(Tdr, Tsw1)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 센싱용 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2) 및 스캔 펄스 레벨 데이터(L1/L2/L3)를 생성한다. 예를 들어, 제 1 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 표시 패널(100)의 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 센싱용 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2)를 생성함과 아울러 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)의 전압 레벨을 기준 고전압 레벨로 설정하기 위한 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(L1)를 생성한다. 그리고, 제 2 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 표시 패널(100)의 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 센싱용 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2)를 생성함과 아울러 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)의 전압 레벨을 프레임 단위로 상기 기준 고전압 레벨보다 낮은 범위 내에서 단계적으로 가변하기 위한 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(L2)를 생성한다.In the first or second sensing mode, the
상기 표시 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 외부의 구동 시스템(또는 그래픽 카드)으로부터 입력되는 각 화소(P)의 영상 데이터(Idata)를 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 해당 화소(P)의 보상 데이터에 따라 보정하여 각 화소(P)의 화소 데이터(DATA)를 생성하고, 생성된 화소 데이터(DATA)를 상기 컬럼(column) 구동부(240)에 제공하며, 외부의 구동 시스템(또는 그래픽 카드)으로부터 입력되는 타이밍 동기 신호(TSS)에 기초하여 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)와 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성한다.In the display mode, the
또한, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초하여 제 1 스캔 펄스(SP1)의 전압 레벨을 설정하기 위한 제 3 스캔 펄스 레벨 데이터(L3)를 생성한다. 예를 들어, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 모든 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)들의 문턱 전압을 분석하여 최대 값, 최소 값, 평균 값, 상위 값들의 평균 값, 하위 값들의 평균 값, 최빈값 중 어느 하나를 보상 기준값으로 산출하고, 산출된 보상 기준값에 기초하여 제 3 스캔 펄스 레벨 데이터(L3)를 생성하여 전술한 전압 공급부(220)에 제공할 수 있다.In addition, the
상기 전압 공급부(220)는 상기 제 1 및 제 2 센싱 모드와 상기 표시 모드시, 외부로부터 입력되는 입력 전원(Vin)을 이용하여 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)을 생성하고, 생성된 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 상기 게이트 로우 전압(VGL)을 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다.In the first and second sensing modes and the display mode, the
상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(L1)를 디지털-아날로그 변환하여 기준 고전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다.In the first sensing mode, the
상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(L2)를 디지털-아날로그 변환하여 기준 고전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지되, 프레임 단위로 단계적으로 가변되는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다. 예를 들어, 상기 전압 공급부(220)는 프레임 단위로 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(L2)에 따라 0.5V 또는 1V 등의 설정 전압만큼 단계적으로 상승되는 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성하여 출력할 수 있다.In the second sensing mode, the
상기 표시 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 3 스캔 펄스 레벨 데이터(L3)를 디지털-아날로그 변환하여 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초한 전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다. 이러한 상기 전압 공급부(220)는 프로그래머블(programmable) 전압 생성기(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 프로그래머블 전압 생성기를 통해 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성할 수 있다.In the display mode, the
상기 로우(row) 구동부(230)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 제 1 로우 제어 신호(RCS1)와 상기 전압 공급부(220)로부터 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)과 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 이용해 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급되는 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성한다. 또한, 상기 로우(row) 구동부(230)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 제 2 로우 제어 신호(RCS2)와 상기 전압 공급부(220)로부터 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)과 제 1 게이트 하이 전압(VGH)을 이용해 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm)에 순차적으로 공급되는 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성한다. 이를 위해, 일 예에 따른 로우(row) 구동부(230)는 스캔 라인 구동부(232) 및 센싱 라인 구동부(234)를 포함하여 구성된다.The
상기 스캔 라인 구동부(232)는 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각의 일측 및/또는 타측 각각 연결된다. 이러한 상기 스캔 라인 구동부(232)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 1 스캔 신호를 생성하고, 상기 게이트 로우 전압(VGL)과 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 이용하여 상기 제 1 스캔 신호를 제 1 스캔 펄스(SP1)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급한다. 예를 들어, 상기 스캔 라인 구동부(232)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 1 스캔 신호를 생성하는 제 1 쉬프트 레지스터부(미도시), 및 상기 게이트 로우 전압(VGL)과 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 이용하여 상기 제 1 쉬프트 레지스터부로부터 순차적으로 공급되는 상기 제 1 스캔 신호를 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 공급하는 제 1 레벨 쉬프팅부(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다.The
상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 스캔 라인 구동부(232)는 기준 고전압 레벨을 가지는 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급하게 된다. 또한, 상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 스캔 라인 구동부(232)는 기준 고전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지되, 프레임 단위로 단계적으로 가변되는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급하게 된다. 그리고, 상기 표시 모드에서, 상기 스캔 라인 구동부(232)는 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초하여 생성된 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급하게 된다.In the first sensing mode, the
상기 센싱 라인 구동부(234)는 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm) 각각의 일측 및/또는 타측 각각 연결된다. 이러한 상기 센싱 라인 구동부(234)는 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 2 스캔 신호를 생성하고, 상기 게이트 로우 전압(VGL)과 상기 제 1 게이트 하이 전압(VGH)을 이용하여 상기 제 2 스캔 신호를 상기 제 2 스캔 펄스(SP2)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm)에 순차적으로 공급한다. 예를 들어, 상기 센싱 라인 구동부(234)는 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 2 스캔 신호를 생성하는 제 2 쉬프트 레지스터부(미도시), 및 상기 게이트 로우 전압(VGL)과 상기 제 1 게이트 하이 전압(VGH)을 이용하여 상기 제 2 쉬프트 레지스터부로부터 순차적으로 공급되는 상기 제 2 스캔 신호를 상기 제 2 스캔 펄스(SP2)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm)에 공급하는 제 2 레벨 쉬프팅부(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다.The sensing line driver 234 is connected to one side and/or the other side of each of the first to mth sensing control lines SSL1 to SSLm, respectively. The sensing line driver 234 generates a second scan signal that is sequentially shifted based on the second row control signal RCS2, and the gate low voltage VGL and the first gate high voltage VGH. The second scan signal is level shifted with the second scan pulse SP2 to sequentially supply to the first to mth sensing control lines SSL1 to SSLm. For example, the sensing line driver 234 may include a second shift register unit (not shown) that generates a second scan signal that is sequentially shifted based on the second row control signal RCS2, and the gate row voltage. Levels of the second scan signal sequentially supplied from the second shift register unit by using the (VGL) and the first gate high voltage (VGH) are applied to the second scan pulse SP2 to perform the first to the first to m may include a second level shifting unit (not shown) that supplies the sensing control lines SSL1 to SSLm.
상기 컬럼(column) 구동부(240)는 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)과 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되어 타이밍 제어부(210)의 모드 제어에 따라 제 1 센싱 모드, 제 2 센싱 모드 또는 표시 모드로 동작한다.The
상기 제 1 또는 제 2 센싱 모드에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 1 또는 제 2 센싱 모드의 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)을 통해 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압을 센싱하여 제 1 또는 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tdr/Sdata_Tsw1)를 생성하고, 생성된 제 1 또는 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tdr/Sdata_Tsw1)를 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 그리고, 상기 표시 모드에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 표시 모드의 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 수평 라인 단위로 데이터 전압(Vdata)을 해당 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 공급함과 동시에 레퍼런스 전압(Vref)을 해당 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각 공급한다. 이를 위해, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 데이터 구동부(242), 스위칭부(244), 및 센싱부(246)를 포함하여 구성된다.In the first or second sensing mode, the
상기 데이터 구동부(242)는 상기 표시 모드 또는 상기 센싱 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 화소 데이터(DATA)를 데이터 전압으로 변환하여 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 각각 공급한다.The
상기 스위칭부(244)는 상기 표시 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 외부로부터 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)을 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각 공급한다. 그리고, 상기 스위칭부(244)는 상기 센싱 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 외부로부터 공급되는 프리차징 전압(Vpre)을 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각 공급하여 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각을 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화한 후, 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각을 센싱부(246)에 연결시킨다. 이를 위해, 일 예에 따른 스위칭부(244)는 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각과 센싱부(246)에 연결되는 제 1 내지 제 n 선택기(244a 내지 244n)를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 선택기(244a 내지 244n)는 멀티플렉서로 이루어질 수 있다.The
상기 센싱부(246)는 상기 센싱 모드시 상기 스위칭부(244)를 통해 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되어 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응되는 제 1 또는 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tdr/Sdata_Tsw1)를 생성하여 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 이를 위해, 상기 센싱부(246)는 상기 스위칭부(244)를 통해 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되는 제 1 내지 제 n 아날로그-디지털 변환기(246a 내지 246n)를 포함하여 구성될 수 있다.The
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 1 센싱 모드의 화소 동작을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 1 센싱 모드의 구동 파형도이다.5 is a diagram for describing a pixel operation in a first sensing mode in an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a first in the organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention It is a driving waveform diagram of sensing mode.
우선, 도 2, 도 5, 및 도 6을 참조하면, 상기 제 1 센싱 모드에서, 각 화소(P)는 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 동작하게 된다.First, referring to FIGS. 2, 5, and 6, in the first sensing mode, each pixel P operates in the first to third periods t1, t2, and t3.
상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(120)는 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 센싱용 데이터(DATA)를 생성하여 상기 컬럼(column) 구동부(240)에 제공하며, 입력되는 타이밍 동기 신호(TSS)에 기초하여 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 제 1 센싱 모드로 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)와 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성한다. 또한, 상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 제 1 스캔 펄스(SP1)의 게이트 하이 전압을 기준 고전압 레벨을 설정하기 위한 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(L1)를 생성하여 전압 공급부(220)에 제공한다.In the first sensing mode, the timing controller 120 generates sensing data DATA for sensing the threshold voltage of the driving transistor Tdr of each pixel P, and the
상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(L1)에 대응되는 기준 고전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성함과 동시에 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다.In the first sensing mode, the
상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 로우(row) 구동부(230)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)와 상기 전압 공급부(220)로부터 공급되는 기준 고전압 레벨의 제 2 게이트 하이 전압(VGH')과 기준 저전압 레벨의 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)와 상기 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 상기 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성하여 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.In the first sensing mode, the
상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는 상기 센싱용 화소 데이터(DATA)와 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 데이터 구동부(243)의 구동에 따라 센싱용 데이터 전압(Vdata)을 해당 데이터 라인(DL)에 공급하고, 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 스위칭부(244)와 센싱부(246)의 구동에 따라 레퍼런스 라인(RL)을 통해 수평 기간 단위로 상기 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 순차적으로 센싱한다.In the first sensing mode, the
이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제 1 센싱 모드를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a first sensing mode of the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6.
상기 제 1 기간(t1)에서는, 기준 고전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 센싱용 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 프리차징 전압(Vpre)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이때, 상기 센싱용 데이터 전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위해 설정된 타겟 전압의 레벨을 갖는다. 이에 따라, 상기 제 1 기간(t1) 동안, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압과 상기 레퍼런스 라인(RL)은 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화된다.In the first period t1, the first switching transistor Tsw1 is turned on by the first scan pulse SP1 of the second gate high voltage VGH' having the reference high voltage level to turn on the data line DL. The second scan pulse of the first gate high voltage VGH having the reference high voltage level, the sensing data voltage Vdata supplied to the first node n1 is supplied to the gate electrode of the driving transistor Tdr. The second switching transistor Tsw2 is turned on by SP2, and the pre-charging voltage Vpre supplied to the reference line RL is supplied to the second node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr. . At this time, the sensing data voltage Vdata has a target voltage level set to sense the threshold voltage of the driving transistor Tdr. Accordingly, during the first period t1, the source voltage of the driving transistor Tdr and the reference line RL are initialized to the pre-charging voltage Vpre.
그런 다음, 상기 제 2 기간(t2)에서는, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각이 상기 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 선형(linear) 구동 모드로 동작하는 상태에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)의 스위칭부(244)에 의해 상기 레퍼런스 라인(RL)이 플로팅 상태로 전환된다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)가 게이트 전극에 공급되는 바이어스 전압인 센싱용 데이터 전압(Vdata)에 의해 포화(saturation) 구동 모드로 동작하게 되고, 이로 인하여 플로팅 상태의 레퍼런스 라인(RL)에는 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 차 전압(Vdata-Vth)이 충전되게 된다.Then, in the second period t2, each of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 is in a linear driving mode by the first gate high voltage VGH having the reference high voltage level. In the operating state, the reference line RL is switched to the floating state by the
그런 다음, 상기 제 3 기간(t3)에서는, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 턴-온 상태가 유지된 상태에서 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-오프되고, 이와 동시에 상기 레퍼런스 라인(RL)이 상기 컬럼(column) 구동부(240)의 스위칭부(244)에 의해 상기 센싱부(246)에 연결된다. 이에 따라, 상기 센싱부(246)는 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되어 있는 전압(Vsense)을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense)을 아날로그-디지털 변환하여 제 1 센싱 데이터(Sdata_Tdr)를 생성해 타이밍 제어부(210)에 제공한다.Then, in the third period t3, the second scan pulse SP2 of the gate low voltage VGL having a reference low voltage level while the turn-on state of the first switching transistor Tsw1 is maintained. Accordingly, the second switching transistor Tsw2 is turned off, and at the same time, the reference line RL is connected to the
따라서, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 센싱부(246)로부터 제공되는 제 1 센싱 데이터(Sdata_Tdr)에 기초하여 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth_Tdr)을 산출하고, 산출된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth_Tdr)을 메모리부(212)에 저장한다. 이때, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth_Tdr)은 상기 데이터 전압(Vdata)에서 상기 센싱부(246)의 센싱 전압(Vsense)을 뺀 전압(Vdata-Vsense)이 될 수 있다.Accordingly, the
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 2 센싱 모드의 화소 동작을 설명하기 위한 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 2 센싱 모드의 구동 파형도이다.7 is a diagram for explaining a pixel operation in a second sensing mode in an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a second light in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention It is a driving waveform diagram of sensing mode.
우선, 도 2, 도 7, 및 도 8을 참조하면, 상기 제 2 센싱 모드에서, 각 화소(P)는 제 1 내지 제 i 프레임(Frame[1] 내지 Frame[i])마다 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 동작하게 된다.First, referring to FIGS. 2, 7, and 8, in the second sensing mode, each pixel P is first to first for each of the first to i-th frames (Frame[1] to Frame[i]). It operates in three periods (t1, t2, t3).
상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(120)는 각 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 센싱용 데이터(DATA)를 생성하여 상기 컬럼(column) 구동부(240)에 제공하며, 입력되는 타이밍 동기 신호(TSS)에 기초하여 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 제 1 센싱 모드로 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)와 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성한다. 또한, 상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 제 1 스캔 펄스(SP1)의 게이트 하이 전압을 프레임 단위로 가변하기 위한 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(L2)를 생성하여 전압 공급부(220)에 제공한다.In the second sensing mode, the timing controller 120 generates sensing data DATA for sensing the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 of each pixel P to generate the column driver ( Data control signal for controlling each of the
상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(L1)에 대응되는 전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 프레임 단위로 생성함과 동시에 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다.In the second sensing mode, the
상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 로우(row) 구동부(230)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)와 상기 전압 공급부(220)로부터 프레임 단위로 공급되는 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')과 기준 저전압 레벨의 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)과 상기 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 상기 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성하여 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.In the second sensing mode, the
상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는 상기 센싱용 화소 데이터(DATA)와 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 데이터 구동부(243)의 구동에 따라 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 해당 데이터 라인(DL)에 공급하고, 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 스위칭부(244)와 센싱부(246)의 구동에 따라 레퍼런스 라인(RL)을 통해 수평 기간 단위로 상기 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압을 순차적으로 센싱한다.In the second sensing mode, the
이하에서는 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제 3 센싱 모드를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a third sensing mode of the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8.
먼저, 제 2 센싱 모드의 제 1 프레임(Frame[1])에 있어서, 상기 제 1 기간(t1)에서는, 상기 기준 고전압 레벨보다 낮은 제 1 전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 센싱용 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 프리차징 전압(Vpre)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이때, 상기 센싱용 데이터 전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위해 설정된 타겟 전압의 레벨을 갖는다. 이에 따라, 상기 제 1 기간(t1) 동안, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압과 상기 레퍼런스 라인(RL)은 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화된다.First, in the first frame (Frame[1]) of the second sensing mode, in the first period t1, the second gate high voltage VGH' having a first voltage level lower than the reference high voltage level The first switching transistor Tsw1 is turned on by the first scan pulse SP1 and the sensing data voltage Vdata supplied to the data line DL is the first node n1, that is, the driving transistor Tdr. The second switching transistor Tsw2 is turned on by the second scan pulse SP2 of the first gate high voltage VGH having the reference high voltage level and is supplied to the reference line RL. The pre-charging voltage Vpre is supplied to the second node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr. At this time, the sensing data voltage Vdata has a target voltage level set to sense the threshold voltage of the driving transistor Tdr. Accordingly, during the first period t1, the source voltage of the driving transistor Tdr and the reference line RL are initialized to the pre-charging voltage Vpre.
그런 다음, 상기 제 2 기간(t2)에서는, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 턴-온 상태가 유지됨과 아울러 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트 전압이 바이어스 전압인 제 1 전압 레벨의 제 2 게이트 하이 전압(VGH')으로 고정됨에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)가 센싱용 데이터 전압(Vdata)에 의해 턴-온된다. 이와 동시에, 상기 컬럼(column) 구동부(240)의 스위칭부(244)에 의해 상기 레퍼런스 라인(RL)이 플로팅 상태로 전환된다. 이에 따라, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 게이트 전극에 공급되는 제 1 전압 레벨의 제 2 게이트 하이 전압(VGH')에 의해 포화 구동 모드로 동작하게 되고, 이로 인하여 플로팅 상태의 상기 레퍼런스 라인(RL)에는 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 차 전압(Vdata-Vth)이 충전되게 된다.Then, in the second period t2, the turn-on state of the second switching transistor Tsw2 is maintained, and the gate voltage of the first switching transistor Tsw1 is the first voltage level of the bias voltage. As the two gate high voltages VGH' are fixed, the driving transistor Tdr is turned on by the sensing data voltage Vdata. At the same time, the reference line RL is switched to the floating state by the
그런 다음, 상기 제 3 기간(T3)에서는, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 턴-온 상태가 유지된 상태에서 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-오프되고, 이와 동시에 상기 레퍼런스 라인(RL)이 상기 컬럼(column) 구동부(240)의 스위칭부(244)에 의해 상기 센싱부(246)에 연결된다. 이에 따라, 상기 센싱부(246)는 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되어 있는 전압(Vsense)을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense)을 아날로그-디지털 변환하여 제 1 프레임(Frame[1])의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 생성해 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 센싱부(246)로부터 제공되는 제 1 프레임(Frame[1])의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 메모리부(212) 또는 내부 레지스터에 저장한다.Then, in the third period T3, the second scan pulse SP2 of the gate low voltage VGL having the reference low voltage level while the turn-on state of the first switching transistor Tsw1 is maintained. Accordingly, the second switching transistor Tsw2 is turned off, and at the same time, the reference line RL is connected to the
상기 제 2 센싱 모드의 제 2 프레임(Frame[2])에서는, 상기 기준 고전압 레벨보다 낮으면서 상기 제 1 전압 레벨보다 높은 제 2 전압 레벨을 가지는 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)를 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트 전극에 공급하는 것을 제외하고는 전술한 제 2 센싱 모드의 제 2 프레임(Frame[2])의 제 1 내지 제 3 구간(t1, t2, t3)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.In the second frame (Frame[2]) of the second sensing mode, the second gate high voltage VGH' having a second voltage level lower than the reference high voltage level and higher than the first voltage level is obtained. Except for supplying the 1 scan pulse SP1 to the gate electrode of the first switching transistor Tsw1, the first to third sections t1 of the second frame (Frame[2]) of the second sensing mode described above are Since it is the same as t2, t3), a duplicate description thereof will be omitted.
이러한 제 2 센싱 모드의 제 2 프레임(Frame[2])에서는, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 게이트 전극에 공급되는 제 2 전압 레벨의 제 2 게이트 하이 전압(VGH')에 의해 포화 구동 모드로 동작함으로써 플로팅 상태의 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되는 전압(Vdata-Vth)이 상기 제 2 프레임(Frame[2])에서 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되는 전압(Vdata-Vth)보다 높아지게 된다. 즉, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트 전압이 높아질 경우 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 전달되는 센싱용 데이터 전압(Vdata_sen)의 전달율이 증가하게 되고, 이로 인하여 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압이 상승함에 따라 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되는 전압(Vdata-Vth)도 높아지게 된다. 상기 제 2 센싱 모드의 제 2 프레임(Frame[2])에서 상기 센싱부(246)는 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되어 있는 전압(Vsense)을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense)을 아날로그-디지털 변환하여 제 2 프레임(Frame[1])의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 생성해 타이밍 제어부(210)에 제공하게 되고, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 센싱부(246)로부터 제공되는 제 2 프레임(Frame[2])의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 메모리부(212) 또는 내부 레지스터에 저장한다.In the second frame (Frame[2]) of the second sensing mode, the saturation driving mode is performed by the second gate high voltage VGH' of the second voltage level at which the first switching transistor Tsw1 is supplied to the gate electrode. By operating as, the voltage Vdata-Vth charged in the floating reference line RL is higher than the voltage Vdata-Vth charged in the reference line RL in the second frame Frame[2]. do. That is, when the gate voltage of the first switching transistor Tsw1 increases, the transmission rate of the sensing data voltage Vdata_sen transferred to the gate electrode of the driving transistor Tdr increases, thereby causing the source of the driving transistor Tdr. As the voltage increases, the voltage Vdata-Vth charged in the reference line RL also increases. In the second frame (Frame[2]) of the second sensing mode, the
상기 제 2 센싱 모드의 제 3 내지 제 i 프레임 각각에서도, 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)의 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 단계적으로 높아지도록 가변하여 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 포화 구동 모드로 동작시키면서 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되는 전압(Vdata-Vth)을 센싱하여 각 프레임의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 생성하게 된다. 그리고, 상기 타이밍 제어부(210)는 각 프레임의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 메모리부(212) 또는 내부 레지스터에 저장한다.In each of the third to i-th frames of the second sensing mode, the first switching transistor Tsw1 is changed by varying the second gate high voltage VGH' of the first scan pulse SP1 to be increased stepwise. The second sensing data Sdata_Tsw2 of each frame is generated by sensing the voltage Vdata-Vth charged in the reference line RL while operating in the saturation driving mode. In addition, the
한편, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 제 2 센싱 모드의 각 프레임마다 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 전압 레벨이 가변되도록 제어하면서, 상기 센싱부(246)로부터 수신되는 현재 프레임들에 대한 상기 각 화소(P)의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)와 메모리부(212) 또는 내부 레지스터에 저장되어 있는 이전 프레임에 대한 상기 각 화소(P)의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 비교 분석하여 동일한 값을 가지는 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)에 대응되는 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 검출한다. 그런 다음, 상기 타이밍 제어부(210)는 검출된 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')에서 메모리부(212)에 저장되어 있는 해당 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth_Tdr)을 감산(-) 연산하고, 연산 결과(Vth_Tsw1-Vth_Tdr)를 해당 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth_Tsw1)으로 산출하여 메모리부(212)에 저장한다.Meanwhile, the
이와 같은, 제 2 센싱 모드에 있어서, 본 발명은 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 포화 구동 모드로 동작시키되, 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 단계적으로 가변하면서 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되는 전압(Vdata-Vth)을 센싱하는 과정을 제 1 내지 제 i 프레임(Frame[1] 내지 Frame[i])에 걸쳐 반복하고, 도 9에 도시된 바와 같이, 각 프레임에서의 센싱 전압(Vsense)들이 포화되는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 전압 레벨에 기초하여 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth_Tsw1)을 검출하게 된다. 여기서, 도 9는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 가변에 따른 센싱 전압(Vsense)을 측정한 시뮬레이션 파형도이다. 결과적으로, 본 발명은 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 가변에 따른 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 전압 전달율 차이로 인한 센싱 전압(Vsense)의 변화에 기초하여 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth_Tsw1)을 검출하게 된다.In this second sensing mode, the present invention operates the first switching transistor Tsw1 in a saturation driving mode, while the second gate high voltage VGH' is changed stepwise to the reference line RL. The process of sensing the charged voltage (Vdata-Vth) is repeated over the first to i-th frames (Frame[1] to Frame[i]), and as illustrated in FIG. 9, the sensing voltage at each frame ( The threshold voltage Vth_Tsw1 of the first switching transistor Tsw1 is detected based on the voltage level of the second gate high voltage VGH' in which Vsenses are saturated. Here, FIG. 9 is a simulation waveform diagram measuring the sensing voltage Vsense according to the variation of the second gate high voltage VGH'. As a result, the present invention is based on the change in the sensing voltage Vsense due to the voltage transfer rate difference of the first switching transistor Tsw1 according to the variation of the second gate high voltage VGH', the first switching transistor Tsw1. The threshold voltage Vth_Tsw1 of is detected.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 표시 모드시 구동 파형도이다.10 is a driving waveform diagram in a display mode in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
우선, 도 2, 도 4, 및 도 10을 참조하면, 상기 표시 모드에서, 각 화소(P)는 어드레싱 기간(DM_t1) 및 발광 기간(DM_t2)으로 동작하게 된다.First, referring to FIGS. 2, 4, and 10, in the display mode, each pixel P operates in an addressing period DM_t1 and a light emitting period DM_t2.
상기 표시 모드에서, 상기 타이밍 제어부(120)는 입력되는 각 화소(P)의 영상 데이터(Idata)를 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)의 보상 데이터에 따라 보정하여 각 화소(P)의 화소 데이터(DATA)를 생성하고, 생성된 화소 데이터(DATA)를 상기 컬럼(column) 구동부(240)에 제공하며, 입력되는 타이밍 동기 신호(TSS)에 기초하여 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 표시 모드로 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)와 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성한다. 또한, 상기 표시 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초하여 제 1 스캔 펄스(SP1)의 전압 레벨을 설정하기 위한 제 3 스캔 펄스 레벨 데이터(L3)를 생성하여 전압 공급부(220)에 제공한다.In the display mode, the timing control unit 120 compensates data of the driving transistor Tdr of each pixel P that stores the input image data Idata of each pixel P in the
상기 표시 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 3 스캔 펄스 레벨 데이터(L3)에 대응되는 전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성함과 동시에 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다.In the display mode, the
상기 표시 모드에서, 상기 로우(row) 구동부(230)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)와 상기 전압 공급부(220)로부터 공급되는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')과 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)과 상기 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 상기 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성하여 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.In the display mode, the
상기 표시 모드에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는 상기 화소 데이터(DATA)와 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 데이터 구동부(243)의 구동에 따라 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 해당 데이터 라인(DL)에 공급하고, 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 스위칭부(244)의 구동에 따라 레퍼런스 라인(RL)에 레퍼런스 전압(Vref)을 공급한다.In the display mode, the
이하에서는 도 3 및 도 10을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 모드를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a display mode of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 10.
먼저, 상기 어드레싱 기간(DM_t1)에서, 해당 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초하여 설정된 전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이에 따라, 제 1 노드(n1)와 제 2 노드(n2)에 접속된 커패시터(Cst)는 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 레퍼런스 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)으로 충전된다. 여기서, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 자신의 문턱 전압 변화량이 반영된 제 2 게이트 하이 전압(VGH')에 의해 턴-온되기 때문에 상기 데이터 전압(Vdata)은 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압 변화에 영향을 받지 않고 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 전달되게 된다. 또한, 상기 커패시터(Cst)에 충전되는 데이터 전압(Vdata)은 해당 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압이 포함되어 있다.First, in the addressing period DM_t1, the first scan pulse SP1 of the second gate high voltage VGH' having a voltage level set based on the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 of the corresponding pixel P ), the first switching transistor Tsw1 is turned on, and the data voltage Vdata supplied to the data line DL is supplied to the first node n1, that is, the gate electrode of the driving transistor Tdr, and is referenced. The second switching transistor Tsw2 is turned on by the second scan pulse SP2 of the first gate high voltage VGH having the high voltage level, so that the reference voltage Vref supplied to the reference line RL is second. It is supplied to the node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr. Accordingly, the capacitor Cst connected to the first node n1 and the second node n2 is charged with the difference voltage Vdata-Vref between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref. Here, since the first switching transistor Tsw1 is turned on by the second gate high voltage VGH' reflecting the amount of change in its threshold voltage, the data voltage Vdata of the first switching transistor Tsw1 is It is transmitted to the gate electrode of the driving transistor Tdr without being affected by the threshold voltage change. In addition, the data voltage Vdata charged in the capacitor Cst includes a compensation voltage for compensating the threshold voltage of the corresponding driving transistor Tdr.
그런 다음, 상기 발광 기간(DM_t2)에서는, 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)의 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2) 각각에 의해 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)가 각각 턴-오프된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(Tdr)가 상기 커패시터(Cst)에 저장된 전압(Vdata-Vref)에 의해 턴-온된다. 이에 따라, 상기 턴-온된 구동 트랜지스터(Tdr)에 의해 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 기준 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)에 의해 결정되는 데이터 전류(Ioled)가 유기 발광 소자(OLED)에 흐름으로써 유기 발광 소자(OLED)가 구동 전원 라인(PL)으로부터 제 2 전극(또는 캐소드 전극)으로 흐르는 데이터 전류(Ioled)에 비례하여 발광하게 된다. 즉, 상기 발광 기간(DM_t2)에서, 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)가 턴-오프되면, 구동 트랜지스터(Tdr)에 전류가 흐르고, 이 전류에 비례하여 유기 발광 소자(OLED)가 발광을 시작하면서 제 2 노드(n2)의 전압 상승하게 되며, 상기 커패시터(Cst)에 의해 제 2 노드(n2)의 전압 상승만큼 제 1 노드(n1)의 전압이 상승함으로써 상기 커패시터(Cst)의 전압에 의해 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트-소스 전압(Vgs)이 지속적으로 유지되어 유기 발광 소자(OLED)가 다음 프레임의 어드레싱 기간(DM_t1)까지 발광을 지속하게 된다. 여기서, 상기 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)는 상기 보상 전압이 포함된 데이터 전압(Vdata)에 의해 해당 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 변화를 영향을 받지 않게 된다.Then, in the light emission period DM_t2, the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 by the first and second scan pulses SP1 and SP2 of the gate low voltage VGL having the reference low voltage level, respectively. Are each turned off. Accordingly, the driving transistor Tdr is turned on by the voltage Vdata-Vref stored in the capacitor Cst. Accordingly, the data current Ioled determined by the difference voltage Vdata-Vref between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref by the turned-on driving transistor Tdr is an organic light emitting diode OLED. ), the organic light emitting diode (OLED) emits light in proportion to the data current (Ioled) flowing from the driving power supply line (PL) to the second electrode (or cathode electrode). That is, in the light emission period DM_t2, when the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 are turned off, a current flows through the driving transistor Tdr, and the organic light emitting diode OLED is proportional to the current. The voltage of the second node n2 rises while starting light emission, and the voltage of the first node n1 increases by the voltage of the second node n2 by the capacitor Cst, thereby increasing the voltage of the capacitor Cst. The gate-source voltage Vgs of the driving transistor Tdr is continuously maintained by the voltage so that the organic light emitting diode OLED continues to emit light until the addressing period DM_t1 of the next frame. Here, the current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED is not affected by a change in the threshold voltage of the corresponding driving transistor Tdr by the data voltage Vdata including the compensation voltage.
이상과 같은, 본 발명은 제 1 스캔 펄스(SP1)의 게이트 하이 전압을 가변하여 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 전압 전달율 변화를 센싱함으로써 구동 트랜지스터(Tdr)의 특성 변화에 상관없이 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱할 수 있다.As described above, the present invention is a characteristic of the driving transistor Tdr by sensing the change in the voltage transfer rate of the first switching transistor Tsw1 included in each pixel P by varying the gate high voltage of the first scan pulse SP1. The threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 included in each pixel P may be sensed regardless of the change.
또한, 본 발명은 센싱 모드에 의해 센싱된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초하여 제 1 스캔 펄스(SP1)의 게이트 하이 전압을 최적화함으로써 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압 변화에 따른 전압 전달율의 저하를 방지하고, 이를 통해 유기 발광 표시 장치의 고온 장시간 구동에 따른 신뢰성 및 수명을 확보할 수 있다.In addition, the present invention is based on the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 sensed by the sensing mode to optimize the gate high voltage of the first scan pulse SP1 to change the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in the voltage transmission rate, thereby securing reliability and lifespan due to high-temperature long-time driving of the organic light emitting display device.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which the present invention pertains that various substitutions, modifications and changes are possible without departing from the technical details of the present invention. It will be clear to those who have the knowledge of Therefore, the scope of the present invention is indicated by the following claims, and all modifications or variations derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be interpreted to be included in the scope of the present invention.
100: 표시 패널 210: 타이밍 제어부
220: 전원 공급부 230: 로우(row) 구동부
232: 스캔 라인 구동부 234: 센싱 라인 구동부
240: 로우(row) 구동부 242: 데이터 구동부
244: 스위칭부 246: 센싱부100: display panel 210: timing control
220: power supply 230: row (row) drive
232: scan line driver 234: sensing line driver
240: row driving unit 242: data driving unit
244: switching unit 246: sensing unit
Claims (14)
상기 복수의 화소를 센싱 모드 또는 표시 모드로 구동하는 패널 구동부를 포함하며,
상기 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 1 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 고정하고, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 프레임 단위로 가변하면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.An organic light emitting device, a driving transistor controlling a current flowing through the organic light emitting device, a first switching transistor supplying a data voltage to a first node as a gate electrode of the driving transistor, and a voltage supplied to a reference line are applied to the organic light emitting device And a second switching transistor that supplies a second node between the driving transistor and the second node. And
And a panel driver driving the plurality of pixels in a sensing mode or a display mode,
In the sensing mode, the panel driver fixes the voltage level of the first gate high voltage supplied to the gate electrode of the second switching transistor, and the voltage of the second gate high voltage supplied to the gate electrode of the first switching transistor. The organic light emitting display device of claim 1, wherein the threshold voltage of the first switching transistor included in the corresponding pixel is sensed through the reference line of each pixel while varying the level in units of frames.
상기 패널 구동부는 상기 프레임 단위마다 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 설정된 전압 레벨만큼 단계적으로 높이는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The panel driving unit increases the voltage level of the second gate high voltage for each frame unit step by step by a set voltage level.
상기 패널 구동부는 상기 프레임 단위마다 상기 레퍼런스 라인의 전압을 센싱하여 각 프레임의 센싱 데이터를 생성하고, 각 프레임의 센싱 데이터에 기초하여 상기 각 화소에 포함된 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 산출하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.According to claim 2,
The panel driver generates sensing data of each frame by sensing the voltage of the reference line for each frame unit, and calculates a threshold voltage of the first switching transistor included in each pixel based on the sensing data of each frame. An organic light emitting display device, characterized in that.
상기 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 스위칭을 통해 상기 구동 트랜지스터를 포화(saturation) 구동 모드로 동작시키면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 메모리부에 저장하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 3,
In the sensing mode, the panel driver operates the driving transistor in a saturation driving mode through switching of the first and second switching transistors, and includes driving transistors included in the corresponding pixel through the reference line of each pixel. An organic light emitting display device, characterized in that sensing the threshold voltage and storing it in the memory unit.
상기 패널 구동부는,
상기 각 화소 단위로 각 프레임의 센싱 데이터를 분석하여 동일한 값을 가지는 센싱 데이터에 대응되는 상기 제 2 게이트 하이 전압을 검출하고,
상기 검출된 상기 각 화소의 제 2 게이트 하이 전압과 상기 메모리부에 저장되어 있는 해당 화소의 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 따라 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 검출하여 상기 메모리부에 저장하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 4,
The panel driving unit,
The second gate high voltage corresponding to the sensing data having the same value is detected by analyzing the sensing data of each frame in each pixel unit,
The threshold voltage of the first switching transistor is detected and stored in the memory unit according to the detected second gate high voltage of each pixel and the threshold voltage of the driving transistor of the corresponding pixel stored in the memory unit. Organic light emitting display device.
상기 표시 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에 저장되어 있는 각 화소의 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 각 화소의 공급될 데이터를 보정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 4,
In the display mode, the panel driving unit corrects data to be supplied to each pixel based on a threshold voltage of a driving transistor of each pixel stored in the memory unit.
상기 표시 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에 저장되어 있는 각 화소의 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 설정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 5 or 6,
In the display mode, the panel driving unit sets the voltage level of the second gate high voltage based on the threshold voltage of the first switching transistor of each pixel stored in the memory unit.
상기 복수의 화소 각각을 센싱 모드로 구동하는 단계(A); 및
상기 복수의 화소 각각을 표시 모드로 구동하는 단계(B)를 포함하며,
상기 단계(A)는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 1 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 고정하고, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 프레임 단위로 가변하면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.An organic light emitting device, a driving transistor controlling a current flowing through the organic light emitting device, a first switching transistor supplying a data voltage to a first node as a gate electrode of the driving transistor, and a voltage supplied to a reference line are applied to the organic light emitting device In the driving method of the organic light emitting display device comprising a plurality of pixels having a second switching transistor to supply a second node between the and the driving transistor,
Driving each of the plurality of pixels in a sensing mode (A); And
And driving each of the plurality of pixels in a display mode (B),
The step (A) fixes the voltage level of the first gate high voltage supplied to the gate electrode of the second switching transistor, and frames the voltage level of the second gate high voltage supplied to the gate electrode of the first switching transistor. And sensing a threshold voltage of the first switching transistor included in the corresponding pixel through the reference line of each pixel while varying in units.
상기 단계(A)에서, 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨은 설정된 전압 레벨만큼 상기 프레임 단위마다 단계적으로 높아지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.The method of claim 8,
In the step (A), the voltage level of the second gate high voltage is increased step by step in units of the frame by a set voltage level.
상기 단계(A)는,
상기 프레임 단위마다 상기 레퍼런스 라인의 전압을 센싱하여 각 프레임의 센싱 데이터를 생성하는 단계(A1); 및
각 프레임의 센싱 데이터에 기초하여 상기 각 화소에 포함된 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 산출하는 단계(A2)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.The method of claim 9,
The step (A),
Sensing the voltage of the reference line for each frame unit to generate sensing data of each frame (A1); And
And calculating a threshold voltage of the first switching transistor included in each pixel based on the sensing data of each frame (A2).
상기 단계(A)는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 스위칭을 통해 상기 구동 트랜지스터를 포화(saturation) 구동 모드로 동작시키면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 메모리부에 저장하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.The method of claim 10,
The step (A) is a threshold voltage of a driving transistor included in a corresponding pixel through the reference line of each pixel while operating the driving transistor in a saturation driving mode through switching of the first and second switching transistors And sensing and storing in the memory unit.
상기 단계(A2)는,
상기 각 화소 단위로 각 프레임의 센싱 데이터를 분석하여 동일한 값을 가지는 센싱 데이터에 대응되는 상기 제 2 게이트 하이 전압을 검출하는 단계; 및
상기 검출된 상기 각 화소의 제 2 게이트 하이 전압과 상기 메모리부에 저장되어 있는 해당 화소의 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 따라 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 검출하여 상기 메모리부에 저장하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.The method of claim 11,
The step (A2),
Analyzing the sensing data of each frame in each pixel unit and detecting the second gate high voltage corresponding to the sensing data having the same value; And
And detecting the threshold voltage of the first switching transistor according to the detected second gate high voltage of each pixel and the threshold voltage of the driving transistor of the corresponding pixel stored in the memory unit and storing the threshold voltage of the first switching transistor. Method of driving an organic light emitting display device, characterized in that made by.
상기 단계(B)는 상기 메모리부에 저장되어 있는 각 화소의 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 각 화소의 공급될 데이터를 보정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.The method of claim 12,
The step (B) comprises a step of correcting data to be supplied to each pixel based on a threshold voltage of a driving transistor of each pixel stored in the memory unit.
상기 단계(B)는 상기 메모리부에 저장되어 있는 각 화소의 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 설정하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.The method of claim 12 or 13,
The step (B) further comprises setting the voltage level of the second gate high voltage based on the threshold voltage of the first switching transistor of each pixel stored in the memory unit. Method of driving the display device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130156614A KR102122448B1 (en) | 2013-12-16 | 2013-12-16 | Organic light emitting display device and method for driving thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130156614A KR102122448B1 (en) | 2013-12-16 | 2013-12-16 | Organic light emitting display device and method for driving thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150070497A KR20150070497A (en) | 2015-06-25 |
KR102122448B1 true KR102122448B1 (en) | 2020-06-15 |
Family
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---|---|---|---|
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Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102122448B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102450549B1 (en) * | 2015-10-30 | 2022-10-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display panel, organic light emitting display device, and the method for driving the organic light emitting display device |
KR102457405B1 (en) * | 2015-12-30 | 2022-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display panel and organic light emitting display device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030210212A1 (en) | 2002-05-07 | 2003-11-13 | Chun-Huai Li | [method of driving display device] |
KR101658037B1 (en) | 2010-11-09 | 2016-09-21 | 삼성전자주식회사 | Method of driving active display device |
-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101658037B1 (en) | 2010-11-09 | 2016-09-21 | 삼성전자주식회사 | Method of driving active display device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150070497A (en) | 2015-06-25 |
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