KR102244932B1 - Organic light emitting display device and method for driving thereof - Google Patents

Organic light emitting display device and method for driving thereof Download PDF

Info

Publication number
KR102244932B1
KR102244932B1 KR1020140182985A KR20140182985A KR102244932B1 KR 102244932 B1 KR102244932 B1 KR 102244932B1 KR 1020140182985 A KR1020140182985 A KR 1020140182985A KR 20140182985 A KR20140182985 A KR 20140182985A KR 102244932 B1 KR102244932 B1 KR 102244932B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
driving transistor
organic light
sensing
driving
Prior art date
Application number
KR1020140182985A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160074772A (en
Inventor
이선미
심종식
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140182985A priority Critical patent/KR102244932B1/en
Publication of KR20160074772A publication Critical patent/KR20160074772A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102244932B1 publication Critical patent/KR102244932B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/84Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

본 발명에 따른 실시예는 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 편차에 무관하게 유기 발광 소자의 애노드 전극 상의 전압을 일정하게 유지함으로써 유기 발광 소자의 애노드 전극 상의 전압이 동작점까지 상승함에 따른 부스팅 로스가 균일하게 하여 휘도 편차를 보상할 수 있다.In the embodiment according to the present invention, the voltage on the anode electrode of the organic light-emitting device is kept constant regardless of the deviation of the threshold voltage of the driving transistor, so that the boosting loss is uniformly increased as the voltage on the anode electrode of the organic light-emitting device rises to the operating point. Thus, the luminance deviation can be compensated.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THEREOF}An organic light emitting display device and its driving method TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to an organic light emitting display device including a thin film transistor.

최근, 정보화 사회로 시대가 발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치의 중요성이 증대되고 있다. 평판 표시장치 중 박막 트랜지스터를 포함하는 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치는 해상도, 컬러 표시, 화질 등에서 우수하여 텔레비전, 노트북, 테블릿 컴퓨터, 또는 데스크 탑 컴퓨터의 표시 장치로 널리 상용화되고 있다. 특히, 유기 발광 표시 장치는 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.In recent years, as the era develops into an information society, the importance of a flat panel display device having excellent characteristics such as reduction in thickness, weight, and low power consumption is increasing. Among flat panel displays, liquid crystal displays including thin film transistors and organic light-emitting displays are excellent in resolution, color display, and image quality, and are widely commercialized as display devices for televisions, notebook computers, tablet computers, or desktop computers. In particular, the organic light emitting display device has a high response speed, low power consumption, and is self-luminous, so it is drawing attention as a next-generation flat panel display device because there is no problem in viewing angle.

도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도1 is a circuit diagram illustrating a pixel structure of a general organic light emitting display device

이다. 도 1을 참조하면, 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소(P)는 스위칭 트랜지스터(Tsw), 구동 트랜지스터(Tdr), 커패시터(Cst) 및 유기 발광 소자(OLED)를 구비한다.to be. Referring to FIG. 1, a pixel P of a general organic light emitting display device includes a switching transistor Tsw, a driving transistor Tdr, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED.

상기 스위칭 트랜지스터(Tsw)는 스캔 라인(SL)에 공급되는 스캔 펄스(SP)에 따라 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(Tdr)에 공급한다.The switching transistor Tsw is switched according to the scan pulse SP supplied to the scan line SL to supply the data voltage Vdata supplied to the data line DL to the driving transistor Tdr.

상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 스위칭 트랜지스터(Tsw)로부터 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 따라 스위칭되어 구동 전원 라인으로부터 공급되는 구동 전원(EVdd)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 데이터 전류(Ioled)를 제어한다.The driving transistor Tdr is switched according to the data voltage Vdata supplied from the switching transistor Tsw, so that the data current Ioled flows from the driving power EVdd supplied from the driving power line to the organic light emitting diode OLED. Control.

상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자와 소스 단자 사이에 접속되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 트랜지스터(Tdr)의 턴-온시킨다.The capacitor Cst is connected between the gate terminal and the source terminal of the driving transistor Tdr to store a voltage corresponding to the data voltage Vdata supplied to the gate terminal of the driving transistor Tdr, and the stored voltage is used for the driving transistor. Turn on (Tdr).

상기 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자와 캐소드라인(EVss) 사이에 전기적으로 접속되어 구동 트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 데이터 전류(Ioled)에 의해 발광한다.The organic light emitting diode OLED is electrically connected between the source terminal of the driving transistor Tdr and the cathode line EVss to emit light by the data current Ioled supplied from the driving transistor Tdr.

이러한 일반적인 유기 발광 표시 장치의 각 화소(P)는 데이터 전압(Vdata)에 따른 구동 트랜지스터(Tdr)의 스위칭을 이용하여 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 데이터 전류(Ioled)의 크기를 제어하여 유기 발광 소자(OLED)를 발광시킴으로써 소정의 영상을 표시하게 된다. 그러나, 일반적인 유기 발광 표시 장치에서는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)의 제조 공정의 불균일성에 따라 트랜지스터(Tdr, Tsw), 특히 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)이 화소별로 다르게 나타나는 문제점이 있다. 따라서, 일반적인 유기 발광 표시 장치에서는 각 화소에 포함된 박막 트랜지스터의 문턱 전압의 초기 산포 또는 경시적인 문턱 전압의 변화(shift)로 인하여 박막 트랜지스터 및 표시 패널의 신뢰성이 저하된다는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하고자 박막 트랜지스터의 문턱전압를 반영한 데이터 전압을 인가함으로써 박막 트랜지스터의 문턱전압의 편차를 보상하는 기술이 많이 소개되고 있다. 그러나 일반적인 문턱전압의 보상 방식에 있어서 문턱전압을 보상하고 이를 기초하여 화상을 표시하는 발광 기간에 구동 트랜지스터의 문턱전압에 따라서 구동 트랜지스터의 소스 노드 상의 전압, 즉 구동 트랜지스터의 소스 노드에 연결된 유기 발광 소자의 애노드 전극의 전압이 달라진다. 이처럼 유기 발광 소자의 애노드 전극의 전압이 달라짐에 따라 애노드 전극 상의 전압이 유기 발광 소자의 동작점까지 상승할 때 발생하는 부스팅 로스(boosting loss) 정도는 동작점까지 상승 전 애노드 전극 상의 전압에 따라 달라져 휘도 편차가 발생하는 문제가 있다.Each pixel P of such a general organic light-emitting display device controls the amount of data current Ioled flowing through the organic light-emitting device OLED by using switching of the driving transistor Tdr according to the data voltage Vdata. By emitting the device OLED, a predetermined image is displayed. However, in a general organic light-emitting display device, there is a problem in that the threshold voltage Vth of the transistors Tdr and Tsw, particularly the driving transistor Tdr, differs for each pixel according to the non-uniformity of the manufacturing process of the thin film transistor. Accordingly, in a typical organic light emitting diode display, there is a problem in that reliability of the thin film transistor and the display panel is deteriorated due to an initial dispersion of the threshold voltage of the thin film transistor included in each pixel or a shift of the threshold voltage over time. In order to solve this problem, a lot of techniques have been introduced to compensate for the deviation of the threshold voltage of the thin film transistor by applying a data voltage reflecting the threshold voltage of the thin film transistor. However, in the general threshold voltage compensation method, the voltage on the source node of the driving transistor, that is, the organic light-emitting device connected to the source node of the driving transistor, according to the threshold voltage of the driving transistor during the emission period in which the threshold voltage is compensated and an image is displayed based on it. The voltage of the anode electrode is different. As the voltage of the anode electrode of the organic light-emitting device varies, the amount of boosting loss that occurs when the voltage on the anode increases to the operating point of the organic light-emitting device varies depending on the voltage on the anode electrode before rising to the operating point. There is a problem that luminance deviation occurs.

본 발명에 따른 실시예는 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 구동 트랜지스터의 구동 특성 변화를 보상할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The embodiments of the present invention have been devised to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a driving method thereof capable of compensating for a change in driving characteristics of a driving transistor.

또한, 본 발명에 따른 실시예는 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하면서 구동 트랜지스터의 보상을 위한 스위칭 트랜지스터의 신뢰성 및 수명을 연장시킬 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다. In addition, an embodiment according to the present invention is to provide an organic light emitting display device and a driving method thereof, which is capable of extending the reliability and life of a switching transistor for compensation of the driving transistor while compensating for the threshold voltage of the driving transistor. It should be.

또한, 본 발명에 따른 실시예는 화소들 간의 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 정확하게 보상하여 화질을 개선할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다. In addition, another object of the present invention is to provide an organic light-emitting display device and a driving method thereof in which image quality can be improved by accurately compensating for a threshold voltage of a driving transistor between pixels.

또한, 본 발명에 따른 실시예는 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 편차에 무관하게 유기 발광 소자의 애노드 전극 상의 전압을 일정하게 유지함으로써 유기 발광 소자의 애노드 전극 상의 전압이 동작점까지 상승함에 따른 부스팅 로스가 균일하게 하여 휘도 편차를 보상할 수 있다.In addition, in the embodiment according to the present invention, the voltage on the anode electrode of the organic light emitting device is kept constant regardless of the deviation of the threshold voltage of the driving transistor, thereby reducing the boosting loss as the voltage on the anode electrode of the organic light emitting device rises to the operating point. By making it uniform, it is possible to compensate for the luminance deviation.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the technical problems of the present invention mentioned above, other features and advantages of the present invention will be described below or will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from such technology and description.

본 발명에 따른 실시예는 데이터 라인과 게이트 라인 그룹 및 레퍼런스 라인에 접속된 화소를 포함하며, 상기 화소는, 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하며, 반도체층을 사이에 두고 서로 중첩되는 제 1 및 제 2 게이트 전극을 포함하는 구동 트랜지스터, 상기 데이터 라인에 공급되는 데이터 전압을 상기 제 1 게이트 전극에 연결된 제 1 노드에 선택적으로 공급하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 제 1 또는 제 2 센싱용 전압을 상기 제 2 게이트 전극에 선택적으로 공급하는 제 2 스위칭 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 연결된 제 2 노드를 상기 제 1 노드에 선택적으로 접속시키는 제 3 스위칭 트랜지스터, 상기 레퍼런스 라인을 상기 제 2 노드에 선택적으로 접속시키는 제 4 스위칭 트랜지스터, 상기 제 2 게이트 전극과 상기 제 2 노드 간에 접속되어 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 제 1 커패시터 및 상기 제 1 및 제 2 노드 간에 접속되어 상기 제 1 및 제 2 노드의 차전압을 저장하는 제 2 커패시터를 포함하고, 상기 제 2 센싱용 전압은 상기 제 1 센싱용 전압과 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 합 전압인 것을 특징으로 하여, 제2 센싱용 전압에 따라 상기 구동 트랜지스터가 소스 팔로워 모드로 동작 시 상기 구동 트랜지스터의 소스 단자, 즉 유기발광소자의 애노드 단자의 전압이 상기 제1 센싱용 전압이 되도록 하고, 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 쉬프트에 무관하게 발광 구동 시 상기 제1 센싱용 전압으로부터 동작점까지 부스팅 정도를 동일하게 함으로써 화질을 균일하게 할 수 있다.An embodiment of the present invention includes a data line, a gate line group, and a pixel connected to a reference line, wherein the pixels control an organic light-emitting device, a current flowing through the organic light-emitting device, and have a semiconductor layer interposed therebetween. A driving transistor including overlapping first and second gate electrodes, a first switching transistor selectively supplying a data voltage supplied to the data line to a first node connected to the first gate electrode, and a first or second sensing A second switching transistor selectively supplying a voltage for the second gate electrode to the second gate electrode, a third switching transistor selectively connecting a second node connected to the source electrode of the driving transistor to the first node, and the reference line A fourth switching transistor selectively connected to a second node, a first capacitor connected between the second gate electrode and the second node to store a threshold voltage of the driving transistor, and a first capacitor connected between the first and second nodes to be connected to the second node. And a second capacitor storing a difference voltage between the first and second nodes, wherein the second sensing voltage is a sum voltage of the first sensing voltage and a threshold voltage of the driving transistor, and the second sensing When the driving transistor is operated in the source follower mode according to the voltage, the voltage of the source terminal of the driving transistor, that is, the anode terminal of the organic light emitting device, becomes the first sensing voltage, and the threshold voltage of the driving transistor is shifted. Regardless of the light emission driving, the image quality may be uniform by making the boosting degree equal to the operating point from the first sensing voltage.

본 발명의 실시예에 따르면, 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 외부에서 센싱하고 데이터 보정을 통해 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 외부 보상 방식으로 보상할 수 있으며, 이를 통해 화소들 간의 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 정확하게 보상하여 화질을 개선할 수 있다는 효과가 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the threshold voltage of the driving transistor can be externally sensed and the threshold voltage of the driving transistor can be compensated by an external compensation method through data correction, thereby accurately correcting the threshold voltage deviation of the driving transistor between pixels. There is an effect that the image quality can be improved by compensating.

또한, 본 발명에 따른 실시예는 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 편차에 무관하게 유기 발광 소자의 애노드 전극 상의 전압을 일정하게 유지함으로써 유기 발광 소자의 애노드 전극 상의 전압이 동작점까지 상승함에 따른 부스팅 로스가 균일하게 하여 휘도 편차를 보상할 수 있는 효과가 있다.In addition, in the embodiment according to the present invention, the voltage on the anode electrode of the organic light emitting device is kept constant regardless of the deviation of the threshold voltage of the driving transistor, thereby reducing the boosting loss as the voltage on the anode electrode of the organic light emitting device increases to the operating point. By making it uniform, there is an effect of compensating for luminance deviation.

도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 본 발명의 실시 예에 따른 화소의 구조를 나타내는 도면.
도 3은 도 2에 도시된 구동 트랜지스터의 구조를 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 게이트 라인 그룹의 스캔 제어 라인, 센싱 제어 라인 및 리셋 제어 라인 상의 신호 파형도.
도 5는 도 4의 파형도에 따른 2 게이트 전극 및 제2노드 상의 전압 파형도.
도 6 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 동작을 나타낸 도면.
도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화소의 구조를 나타내는 도면.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 화소의 구조를 나타내는 도면.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동을 개념적으로 설명하기 위한 도면.
도 16은 도 14에 도시된 컬럼 구동부를 설명하기 위한 도면.
1 is a circuit diagram illustrating a pixel structure of a general organic light emitting diode display.
2 is a diagram illustrating a structure of a pixel according to an embodiment of the present invention in an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining the structure of the driving transistor shown in FIG. 2.
4 is a signal waveform diagram on a scan control line, a sensing control line, and a reset control line of a gate line group according to an embodiment of the present invention.
5 is a voltage waveform diagram on two gate electrodes and a second node according to the waveform diagram of FIG. 4.
6 to 11 are views illustrating an operation of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
12 is a diagram illustrating a structure of a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention.
13 is a diagram illustrating a structure of a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention.
14 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
15 is a diagram conceptually illustrating driving of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
16 is a view for explaining the column driver shown in FIG. 14;

이하, 본 발명의 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention and a driving method thereof will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided as examples in order to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In addition, in the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. The same reference numerals represent the same elements throughout the specification.

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정 되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시 될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다."상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.The meaning of the terms described in this specification should be understood as follows. Singular expressions should be understood as including plural expressions unless clearly defined differently in context, and terms such as “first” and “second” are used to distinguish one element from other elements, The scope of rights should not be limited by these terms. It is to be understood that terms such as "comprises" or "have" do not preclude the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof. The term “at least one” is to be understood as including all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of “at least one of the first item, the second item, and the third item” means that each of the first item, the second item, or the third item, as well as the first item, the second item, and the third item, It means a combination of all items that can be presented from more than one. The term "on" means not only when a certain component is formed directly on the top of another component, but also when a third component is interposed between these components. Means to include.

이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of an organic light emitting diode display and a driving method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 화소의 구조를 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 도면이다. 그리고 도 4는 도 2에 도시된 구동 트랜지스터의 구조를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating a structure of a pixel according to a first exemplary embodiment of the present invention in an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram illustrating the structure of the organic light emitting element illustrated in FIG. 2. to be. And FIG. 4 is a diagram for explaining the structure of the driving transistor shown in FIG. 2.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 화소(P)는 데이터 라인(DL), 게이트 라인 그룹(GLG), 레퍼런스 라인(RL), 제 1 구동 전원 라인(PL1) 및 제 2 구동 전원 라인(PL2)에 접속된다.Referring to FIG. 2, the pixel P according to the first embodiment of the present invention includes a data line DL, a gate line group GLG, a reference line RL, a first driving power line PL1, and a second power supply line. It is connected to the driving power supply line PL2.

상기 데이터 라인(DL)은 표시 패널(미도시)의 제 1 방향, 예컨대 세로 방향을 따라 형성된다. 이러한 상기 데이터 라인(DL)에는 데이터 구동부(미도시)로부터 데이터 전압(Vdata)이 공급된다.The data line DL is formed along a first direction, for example, a vertical direction of a display panel (not shown). A data voltage Vdata is supplied to the data line DL from a data driver (not shown).

상기 게이트 라인 그룹(GLG)은 상기 데이터 라인(DL)과 교차하도록 표시 패널의 제 2 방향, 예컨대 가로 방향을 따라 형성된다. 상기 게이트 라인 그룹(GLG)은 스캔 제어 라인(Lscan), 센싱 제어 라인(Lsense) 및 리셋 제어 라인(Lreset)을 포함하여 이루어진다.The gate line group GLG is formed along a second direction of the display panel, for example, a horizontal direction to cross the data line DL. The gate line group GLG includes a scan control line Lscan, a sensing control line License, and a reset control line Lreset.

상기 레퍼런스 라인(RL)은 상기 데이터 라인(DL)과 나란하도록 형성된다. 이러한 레퍼런스 라인(RL)은 일정한 직류 레벨의 레퍼런스 전압(Vref)이 공급되는 레퍼런스 전원 라인에 선택적으로 연결되어 있거나, 후술되는 센싱부에 연결되거나 플로팅 상태가 될 수 있다.The reference line RL is formed to be parallel to the data line DL. The reference line RL may be selectively connected to a reference power line to which a reference voltage Vref of a constant DC level is supplied, may be connected to a sensing unit to be described later, or may be in a floating state.

상기 제 1 구동 전원 라인(PL1)은 상기 데이터 라인(DL)과 나란하도록 형성되고, 외부로부터 고전위 전압(EVdd)이 공급된다.The first driving power line PL1 is formed to be parallel to the data line DL, and a high potential voltage EVdd is supplied from the outside.

상기 제 2 구동 전원 라인(PL2)은 상기 유기 발광 소자에 접속되도록 통자 또는 라인 형태로 형성되고, 외부로부터 저전위 전압(EVss)이 공급된다.The second driving power line PL2 is formed in a cylindrical shape or a line shape to be connected to the organic light emitting device, and a low potential voltage EVss is supplied from the outside.

상기 화소(P)는 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 또는 백색 화소 등이 될 수 있다. 이러한 상기 화소(P)는 유기 발광 소자(OLED), 구동 트랜지스터(Tdr), 제 1 내지 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2, Tsw3, Tsw4), 제 1 및 제 2 커패시터(C1, C2)를 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 트랜지스터(Tsw1, Tsw2, Tsw3, Tsw4, Tdr) 각각은 N형 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)로서, a-Si TFT, poly-Si TFT, Oxide TFT, 또는 Organic TFT 등이 될 수 있다.The pixel P may be a red pixel, a green pixel, a blue pixel, or a white pixel. The pixel P includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor (Tdr), first to fourth switching transistors (Tsw1, Tsw2, Tsw3, Tsw4), and first and second capacitors (C1, C2). It is composed of. Here, each of the transistors (Tsw1, Tsw2, Tsw3, Tsw4, Tdr) is an N-type thin film transistor (TFT), and may be an a-Si TFT, a poly-Si TFT, an oxide TFT, or an organic TFT. have.

상기 유기 발광 소자(OLED)는 고전위 전압(EVdd)이 공급되는 제 1 구동 전원 라인(PL1)과 저전위 전압(EVss)이 공급되는 제 2 구동 전원 라인(PL2) 사이에 접속된다. 도 3을 참조하면, 이러한 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제 2 노드(n2)에 연결된 애노드 전극, 애노드 전극 상에 형성된 유기층(미도시) 및 유기층에 연결된 캐소드 전극을 포함한다. 이때, 유기층은 정공 수송층/ 유기 발광층/전자 수송층의 구조 또는 정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가지도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 유기층은 유기 발광층의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 기능층을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 캐소드 전극은 게이트 라인 그룹(GLG) 또는 데이터 라인(DL)의 길이 방향을 따라 화소행 또는 화소열별로 형성되거나 모든 화소(P)에 공통적으로 연결되도록 형성된 제 2 구동 전원 라인(PL2)에 연결된다. 이와 같은, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 구동에 따라 제 1 구동 전원 라인(PL1)으로부터 제 2 구동 전원 라인(PL2)으로 흐르는 전류에 의해 발광한다.The organic light emitting diode OLED is connected between a first driving power line PL1 supplied with a high potential voltage EVdd and a second driving power line PL2 supplied with a low potential voltage EVss. Referring to FIG. 3, the organic light emitting diode OLED includes an anode electrode connected to a second node n2, which is a source electrode of the driving transistor Tdr, an organic layer (not shown) formed on the anode, and an organic layer. It includes a cathode electrode. In this case, the organic layer may be formed to have a structure of a hole transport layer/organic emission layer/electron transport layer or a structure of a hole injection layer/hole transport layer/organic emission layer/electron transport layer/electron injection layer. Furthermore, the organic layer may further include a functional layer for improving the luminous efficiency and/or lifespan of the organic emission layer. In addition, the cathode electrode is formed for each pixel row or column along the length direction of the gate line group GLG or the data line DL, or a second driving power line PL2 formed to be commonly connected to all pixels P. Is connected to As such, the organic light-emitting device OLED emits light by a current flowing from the first driving power line PL1 to the second driving power line PL2 according to the driving of the driving transistor Tdr.

상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 제 1 구동 전원 라인(PL1)과 상기 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속되어 게이트-소스 간의 전압에 따라 상기 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 전류 량을 제어한다. 이를 위해, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 게이트 전극(g1_Tdr), 게이트 절연층(12), 반도체층(14), 소스 전극(s_Tdr), 드레인 전극(d_Tdr), 보호층(16) 및 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)을 포함하여 이루어진다.The driving transistor Tdr is connected between the first driving power line PL1 and the anode electrode of the organic light-emitting device OLED to measure the amount of current flowing to the organic light-emitting device OLED according to a gate-source voltage. Control. To this end, the driving transistor Tdr is, as shown in FIG. 4, a first gate electrode g1_Tdr, a gate insulating layer 12, a semiconductor layer 14, a source electrode s_Tdr, and a drain electrode d_Tdr. ), a protective layer 16 and a second gate electrode g2_Tdr.

상기 제 1 게이트 전극(g1_Tdr)은 표시 패널의 트랜지스터 어레이 기판(10)에 형성된다.The first gate electrode g1_Tdr is formed on the transistor array substrate 10 of the display panel.

상기 게이트 절연층(12)은 상기 제 1 게이트 전극(g1_Tdr)을 덮도록 트랜지스터 어레이 기판(10) 상에 형성된다. 상기 반도체층(14)은 상기 제 1 게이트 전극(g1_Tdr)에 중첩되도록 상기 게이트 절연층(12) 상에 형성된다. 이러한 상기 반도체층(14)은 비정질 실리콘(a-Si), 다결정 실리콘(poly-Si), 산화물(Oxide), 또는 유기물(Organic)로 이루어질 수 있다. 여기서, 산화물 반도체층은 Zinc Oxide, Tin Oxide, Ga-In-Zn Oxide, In-Zn Oxide, 또는 In-Sn Oxide 등의 산화물로 이루어지거나, 상기 산화물에 Al, Ni, Cu, Ta, Mo, Zr, V, Hf 또는 Ti 물질의 이온이 도핑된 산화물로 이루어질 수 있다.The gate insulating layer 12 is formed on the transistor array substrate 10 to cover the first gate electrode g1_Tdr. The semiconductor layer 14 is formed on the gate insulating layer 12 to overlap the first gate electrode g1_Tdr. The semiconductor layer 14 may be made of amorphous silicon (a-Si), polycrystalline silicon (poly-Si), oxide, or organic material. Here, the oxide semiconductor layer is made of an oxide such as Zinc Oxide, Tin Oxide, Ga-In-Zn Oxide, In-Zn Oxide, or In-Sn Oxide, or Al, Ni, Cu, Ta, Mo, Zr , V, Hf, or Ti may be formed of an oxide doped with ions.

상기 소스 전극(s_Tdr)은 상기 제 2 게이트 전극(g1_Tdr)에 중첩되는 반도체층(14)의 일측 영역에 형성된다. 상기 드레인 전극(d_Tdr)은 상기 소스 전극(s_Tdr)과 이격되면서 상기 제 1 게이트 전극(g1_Tdr)에 중첩되는 반도체층(12)의 타측 영역에 형성된다.The source electrode s_Tdr is formed in a region of one side of the semiconductor layer 14 overlapping the second gate electrode g1_Tdr. The drain electrode d_Tdr is formed in a region on the other side of the semiconductor layer 12 overlapping the first gate electrode g1_Tdr while being spaced apart from the source electrode s_Tdr.

상기 보호층(16)은 상기 반도체층(14)과 상기 소스 및 드레인 전극(s_Tdr, d_Tdr)을 덮도록 트랜지스터 어레이 기판(110) 상에 형성된다.The protective layer 16 is formed on the transistor array substrate 110 to cover the semiconductor layer 14 and the source and drain electrodes s_Tdr and d_Tdr.

상기 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)은 상기 반도체층(14)을 사이에 두고 상기 제2 게이트 전극(g1_Tdr)과 일부 또는 전부 중첩되도록 보호층(16)에 형성된다.The second gate electrode g2_Tdr is formed on the protective layer 16 so as to partially or entirely overlap the second gate electrode g1_Tdr with the semiconductor layer 14 interposed therebetween.

이와 같은, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압은 반도체층(14)을 사이에 두고 서로 중첩되는 제 1 게이트 전극(g1_Tdr)과 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에 인가되는 전압에 따라 변화(shift)되게 된다. 구체적으로, 상기 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)을 포함하는 구동 트랜지스터(Tdr)는 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에 높은 전압이 인가될수록 게이트-소스 전압(Vgs)이 낮아지는 특성이 있으며, 상기 구동트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)은 상기 제 2 게이트 전압이 높은 전압 레벨을 가질수록 낮아지는 특성이 있다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)은 상기 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에 공급되는 전압에 음(negative)의 상관 관계를 가지도록 변화되게 된다.As described above, the threshold voltage of the driving transistor Tdr is changed according to the voltage applied to the first gate electrode g1_Tdr and the second gate electrode g2_Tdr overlapping each other with the semiconductor layer 14 interposed therebetween. It will be. Specifically, the driving transistor Tdr including the second gate electrode g2_Tdr has a characteristic that the gate-source voltage Vgs decreases as a high voltage is applied to the second gate electrode g2_Tdr, and the driving transistor The threshold voltage Vth of (Tdr) has a characteristic that decreases as the second gate voltage has a higher voltage level. Accordingly, the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr is changed to have a negative correlation with the voltage supplied to the second gate electrode g2_Tdr.

다시 도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 상기 스캔 제어 라인(Lscan)에 공급되는 스캔 제어 신호(CS1)에 의해 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 1 게이트 전극(g1_Tdr)에 연결되어 있는 제 1 노드(n1)에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 스캔 제어 라인(Lscan)에 연결된 게이트 전극, 데이터 라인(DL)에 연결된 제 1 전극 및 상기 제 1 노드(n1)에 연결된 제 2 전극을 포함한다. 여기서, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 제 1 및 제 2 전극은 전류의 방향에 따라 소스 전극 또는 드레인 전극이 될 수 있다.Referring back to FIGS. 2 and 4, the first switching transistor Tsw1 is turned on by the scan control signal CS1 supplied to the scan control line Lscan, and the data supplied to the data line DL. The voltage Vdata is supplied to the first node n1 connected to the first gate electrode g1_Tdr of the driving transistor Tdr. To this end, the first switching transistor Tsw1 includes a gate electrode connected to the scan control line Lscan, a first electrode connected to the data line DL, and a second electrode connected to the first node n1. Here, the first and second electrodes of the first switching transistor Tsw1 may be a source electrode or a drain electrode according to a current direction.

상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 상기 센싱 제어 라인(Lsense)에 공급되는 센싱 제어 신호(CS2)에 의해 턴-온되어 상기 데이터 라인(DL)에 공급되는 센싱용 전압(Vdata_sen)을 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)는 상기 센싱 제어 라인(Lsense)에 연결된 게이트 전극, 상기 데이터 라인(DL)에 연결된 제 1 전극 및 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에 연결된 제 2 전극을 포함한다. 여기서, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 제 1 및 제 2 전극은 전류의 방향에 따라 소스 전극 또는 드레인 전극이 될 수 있다.The second switching transistor Tsw1 is turned on by a sensing control signal CS2 supplied to the sensing control line Lsense to apply a sensing voltage Vdata_sen supplied to the data line DL to the driving transistor. It is supplied to the second gate electrode g2_Tdr of (Tdr). To this end, the second switching transistor Tsw2 includes a gate electrode connected to the sensing control line Lsense, a first electrode connected to the data line DL, and a second gate electrode g2_Tdr of the driving transistor Tdr. And a second electrode connected to. Here, the first and second electrodes of the second switching transistor Tsw2 may be a source electrode or a drain electrode according to a current direction.

상기 제 3 스위칭 트랜지스터(Tsw3)는 상기 센싱 제어 라인(Lsense)에 공급되는 센싱 제어 신호(CS2)에 의해 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극(s_Tdr)에 연결되어 있는 제 2 노드(n2)를 상기 제 1 노드(n1)에 접속(short)시킨다. 즉, 상기 제 3 스위칭 트랜지스터(Tsw3)는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제1 게이트 전극(g1_Tdr)과 소스 전극(s_Tdr)을 선택적으로 접속(short)시킨다. 이를 위해, 상기 제 3 스위칭 트랜지스터(Tsw3)는 상기 센싱 제어 라인(Lsense)에 연결된 게이트 전극, 상기 제 1 노드(n1)에 연결된 제 1 전극 및 상기 제 2 노드(n2)에 연결된 제 2 전극을 포함한다. 여기서, 상기 제 3 스위칭 트랜지스터(Tsw3)의 제 1 및 제 2 전극은 전류의 방향에 따라 소스 전극 또는 드레인 전극이 될 수 있다. 상기 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)는 상기 리셋 제어 라인(Lreset)에 공급되는 리셋 제어 신호(CS3)에 의해 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)을 상기 제 2 노드(n2)에 접속시킨다. 이를 위해, 상기 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)는 상기 리셋 제어 라인(Lreset)에 연결된 게이트 전극, 상기 레퍼런스 라인(RL)에 연결된 제1 전극 및 상기 제 2 노드(n2)에 연결된 제 2 전극을 포함한다. 여기서, 상기 제4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)의 제 1 및 제 2 전극은 전류의 방향에 따라 소스 전극 또는 드레인 전극이 될 수 있다.The third switching transistor Tsw3 is turned on by a sensing control signal CS2 supplied to the sensing control line Lsense and is connected to the source electrode s_Tdr of the driving transistor Tdr. (n2) is connected to the first node n1. That is, the third switching transistor Tsw3 selectively shorts the first gate electrode g1_Tdr and the source electrode s_Tdr of the driving transistor Tdr. To this end, the third switching transistor Tsw3 includes a gate electrode connected to the sensing control line Lsense, a first electrode connected to the first node n1, and a second electrode connected to the second node n2. Includes. Here, the first and second electrodes of the third switching transistor Tsw3 may be a source electrode or a drain electrode according to a current direction. The fourth switching transistor Tsw4 is turned on by a reset control signal CS3 supplied to the reset control line Lreset to connect the reference line RL to the second node n2. To this end, the fourth switching transistor Tsw4 includes a gate electrode connected to the reset control line Lreset, a first electrode connected to the reference line RL, and a second electrode connected to the second node n2. do. Here, the first and second electrodes of the fourth switching transistor Tsw4 may be a source electrode or a drain electrode according to a current direction.

상기 제 1 커패시터(C1)는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)과 상기 제 2 노드(n2) 간에 접속되어 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 스위칭에 따라 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트-소스 전압, 즉 문턱 전압(Vth)을 저장한다. 이를 위해, 상기 제 1 커패시터(C1)의 제 1 전극은 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에 연결되고, 상기 제 1 커패시터(C1)의 제 2 전극은 상기 제 2 노드(n2)에 연결된다.The first capacitor C1 is connected between the second gate electrode g2_Tdr of the driving transistor Tdr and the second node n2, and the driving transistor Tdr is switched according to the switching of the second switching transistor Tsw2. It stores the gate-source voltage, that is, the threshold voltage (Vth). To this end, the first electrode of the first capacitor C1 is connected to the second gate electrode g2_Tdr of the driving transistor Tdr, and the second electrode of the first capacitor C1 is the second node ( connected to n2).

상기 제 2 커패시터(C2)는 상기 제 1 노드(n1)와 상기 제 2 노드(n2) 간에 접속되어 상기 제 1 내지 제 3 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2, Tsw3)의 스위칭에 따라 상기 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 트랜지스터(Tdr)를 구동시킨다. 이를 위해, 상기 제 2 커패시터(C2)의 제 1 전극은 상기 제 1 노드(n1)에 연결되고, 상기 제 2 커패시터(C2)의 제 2 전극은 상기 제 2 노드(n2)에 연결된다.The second capacitor C2 is connected between the first node n1 and the second node n2, and is connected to the data line DL according to the switching of the first to third switching transistors Tsw1, Tsw2, and Tsw3. The data voltage Vdata supplied to) is stored, and the driving transistor Tdr is driven with the stored voltage. To this end, the first electrode of the second capacitor C2 is connected to the first node n1, and the second electrode of the second capacitor C2 is connected to the second node n2.

한편 센싱용 전압(Vsen)을 제공하기 위한 별도의 센싱용전압 라인을 구비하지 않고 데이터 라인(DL)을 이용함으로써 개구율이 향상되는 효과가 있다. Meanwhile, by using the data line DL without providing a separate sensing voltage line for providing the sensing voltage Vsen, there is an effect of improving the aperture ratio.

전술한 상기 제 1 내지 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw2, Tsw2, Tsw3, Tsw4)는 상기 표시용 데이터 전압(Vdata)과 제1 센싱용 전압(Vsen1)의 차전압(Vdata-Vsen1)에 의해 결정되는 전류로 유기 발광 소자(OLED)를 발광시키는 스위칭부를 구성한다. 즉, 상기 스위칭부는 게이트 라인 그룹(GLG)에 공급되는 제어 신호(CS1, CS2, CS3)에 따라 스위칭되어 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 상기 제 1 커패시터(C1)에 저장하고, 표시용 데이터 전압(Vdata)과 제1 센싱용 전압(Vsen1)의 차전압(Vdata-Vsen1)을 저장한 후, 상기 제 1 및 제 2 커패시터(C1, C2) 각각에 저장된 전압을 이용하여 표시용 데이터 전압(Vdata)과 제1 센싱용 전압(Vsen1)의 차전압(Vdata-Vsen1)에 의해 결정되는 전류로 유기 발광 소자(OLED)를 발광시킨다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 화소(P)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 변화를 자동으로 보상할 수 있다.The above-described first to fourth switching transistors Tsw2, Tsw2, Tsw3, and Tsw4 are current determined by a difference voltage Vdata-Vsen1 between the display data voltage Vdata and the first sensing voltage Vsen1. The organic light-emitting device (OLED) is configured to emit light. That is, the switching unit is switched according to the control signals CS1, CS2, CS3 supplied to the gate line group GLG, stores the threshold voltage of the driving transistor Tdr in the first capacitor C1, and is used for display. After storing the difference voltage (Vdata-Vsen1) between the data voltage Vdata and the first sensing voltage Vsen1, the display data voltage using the voltages stored in each of the first and second capacitors C1 and C2 The organic light emitting diode OLED emits light with a current determined by a difference voltage Vdata-Vsen1 between (Vdata) and the first sensing voltage Vsen1. Accordingly, the pixel P according to the exemplary embodiment of the present invention may automatically compensate for a change in the threshold voltage of the driving transistor Tdr.

한편 문턱 전압 센싱 구동은 수직 블랭크 구간마다 적어도 하나의 수평 라인에 대해 수행될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 여기서, 상기 수직 블랭크 구간은 수직 동기 신호의 블랭크 구간, 또는 이전 프레임의 마지막 데이터 인에이블 신호와 현재 프레임의 첫번째 데이터 인에이블 신호 사이의 구간에서 상기 수직 동기 신호의 블랭크 구간에 중첩되도록 설정될 있다. 또한 사용자의 설정, 설정된 주기(또는 시간)마다, 수직 블랭크 구간마다 적어도 한 수평 라인씩 센싱하는 방식으로 복수의 프레임에 동안 수행되거나, 유기 발광 표시 장치의 전원 온 구간, 유기 발광 표시 장치의 전원 오프 구간, 설정된 구동 시간 이후 전원 온 구간, 또는 설정된 구동 시간 이후 전원 오프 구간마다 적어도 한 프레임 내에서 모든 수평 라인에 대해 순차적으로 수행될 수 있다.Meanwhile, the threshold voltage sensing driving may be performed on at least one horizontal line for each vertical blank period, but is not limited thereto. Here, the vertical blank period may be set to overlap the blank period of the vertical synchronization signal in a blank period of the vertical synchronization signal or a period between the last data enable signal of the previous frame and the first data enable signal of the current frame. In addition, it is performed for a plurality of frames by sensing at least one horizontal line in each vertical blank period, at a user setting, a set period (or time), or a power-on period of the organic light-emitting display device, or a power-off of the organic light-emitting display device. It may be sequentially performed for all horizontal lines within at least one frame for each period, a power-on period after a set driving time, or a power-off period after a set driving time.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 게이트 라인 그룹의 스캔 제어 라인, 센싱 제어 라인 및 리셋 제어 라인 상의 신호 파형도이고, 도 5는 도 4의 파형도에 따른 2 게이트 전극 및 제2노드 상의 전압 파형도이다. 그리고 도 6 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 동작을 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a signal waveform diagram on a scan control line, a sensing control line, and a reset control line of a gate line group according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a voltage on two gate electrodes and a second node according to the waveform diagram of FIG. 4. It is a waveform diagram. 6 to 11 are diagrams illustrating an operation of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

<제1 초기화 및 문턱전압 센싱 기간: t1~t2><First initialization and threshold voltage sensing period: t1~t2>

도 6 및 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 모드에 있어서, 화소의 문턱 전압 센싱 구동을 설명하기 도면들이다.6 and 7 are diagrams illustrating a threshold voltage sensing driving of a pixel in a driving mode of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

<제1 초기화 기간(t1)><First initialization period (t1)>

먼저, 도 4, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 초기화 기간(t1)에서는, 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 게이트 오프 전압(Voff)의 스캔 제어 신호(CS1)에 의해 턴-오프되고, 제 2 및 제 3 스위칭 트랜지스터(Tsw2, Tsw3)가 게이트 온 전압(Von)의 센싱 제어 신호(CS2)에 의해 턴-온되며, 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)가 게이트 온 전압(Von)의 리셋 제어 신호(CS3)에 의해 턴-온된다. 이때, 상기 데이터 라인(DL)에는 제1 센싱용 전압(Vsen1)이 공급되고, 상기 레퍼런스 라인(RL)에는 레퍼런스 전압(Vref)이 공급된다. 여기서, 제1 센싱용 전압(Vsen1)은 상기 구동 트랜지스터(Tdr)를 소스 팔로워 모드로 구동시키기 위한 바이어스 전압 레벨을 가지며, 상기 레퍼런스 전압(Vref)은 0V ~ 1V 범위의 전압 레벨을 가질 수 있다. 그리고, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에는 제1 센싱용 전압(Vsen1)이 공급되므로, 상기 제 1 커패시터(C1)는 상기 제1 센싱용 전압(Vsen1)과 레퍼런스 전압(Vref)의 차전압(Vsen1-Vref)으로 초기화된다. 이때, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)를 통해 제 2 노드(n2)에 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)에 의해 발광하지 않는다. 전술한 바와 같이 제1 및 제2 노드(n1, n2)과 제2 게이트 전극(g2_Tdr)의 전압을 초기화 하여 후술할 문턱 전압 검출의 정확도를 향상시킬 수 있다.First, as shown in FIGS. 4, 5, and 6, in the first initialization period t1, the first switching transistor Tsw1 is turned by the scan control signal CS1 of the gate-off voltage Voff. -Is turned off, the second and third switching transistors Tsw2 and Tsw3 are turned on by the sensing control signal CS2 of the gate-on voltage Von, and the fourth switching transistor Tsw4 is turned on at the gate-on voltage Von. ) Is turned on by the reset control signal CS3. In this case, a first sensing voltage Vsen1 is supplied to the data line DL, and a reference voltage Vref is supplied to the reference line RL. Here, the first sensing voltage Vsen1 may have a bias voltage level for driving the driving transistor Tdr in a source follower mode, and the reference voltage Vref may have a voltage level in the range of 0V to 1V. In addition, since the first sensing voltage Vsen1 is supplied to the second gate electrode g2_Tdr of the driving transistor Tdr, the first capacitor C1 has the first sensing voltage Vsen1 and the reference voltage ( It is initialized to the difference voltage (Vsen1-Vref) of Vref). In this case, the organic light-emitting device OLED does not emit light due to the reference voltage Vref supplied to the second node n2 through the fourth switching transistor Tsw4. As described above, by initializing the voltages of the first and second nodes n1 and n2 and the second gate electrode g2_Tdr, the accuracy of detection of a threshold voltage, which will be described later, may be improved.

<문턱 전압 센싱 기간(t2)><Threshold voltage sensing period (t2)>

도 4, 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 문턱 전압 센싱 기간(t2)에서는, 제 1 내지 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw1 내지 Tsw4) 각각이 상기 초기화 기간(T1)의 스위칭 상태를 유지하고, 제1 센싱용 전압(Vsen1)이 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에 계속 공급되고 있는 상태에서, 상기 레퍼런스 라인(RL)이 외부의 센싱부(236)에 접속된다. 여기서, 상기 레퍼런스 라인(RL)은 일정 시간 동안 플로팅 상태를 유지한 후, 상기 센싱부(236)에 접속될 수도 있다. 이에 따라, 상기 문턱 전압 센싱 기간(t2)에서, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)가 제2 게이트 전극(g2_Tdr)에 공급되는 제1 센싱용 전압(Vsen1)에 의해 소스 팔로워 모드로 동작함에 따라 상기 구동 트랜지스터(Tdr)에 흐르는 전류에 대응되는 전압이 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전된다. 그리고 상기 구동 트랜지스터(Tdr)에 흐르는 전류는 제1 센싱용 전압(Vsen1)과 제2 노드(N2)의 전압의 차이가 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)이 될 때까지 흐른다. 그 후 상기 센싱부(236)가 상기 레퍼런스 라인(RL)의 전압을 센싱(또는 샘플링)하고, 이를 상기 제1 센싱용 전압(Vsen1)과 비교함으로써 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 검출하고 아날로그-디지털 변환을 통해 제2 센싱용 데이터 전압(Vsen2)을 생성하게 된다. 전술한 바와 같이 문턱 전압을 검출 시 외부 보상 방식을 이용함으로써 문턱 전압 정보를 외부에서 정보처리할 수 있고, 구체적으로 후술할 부스팅 로스 보상을 위해 필요한 제2 센싱용 전압(Vsen2)을 생성하기 위한 정보 처리가 이루어질 수 있다.4, 5, and 7, in the threshold voltage sensing period t2, each of the first to fourth switching transistors Tsw1 to Tsw4 maintains the switching state of the initialization period T1. , While the first sensing voltage Vsen1 is continuously supplied to the second gate electrode g2_Tdr of the driving transistor Tdr, the reference line RL is connected to the external sensing unit 236. Here, the reference line RL may be connected to the sensing unit 236 after maintaining the floating state for a predetermined time. Accordingly, in the threshold voltage sensing period t2, as the driving transistor Tdr operates in a source follower mode by the first sensing voltage Vsen1 supplied to the second gate electrode g2_Tdr, the driving transistor A voltage corresponding to the current flowing through Tdr is charged in the reference line RL. Further, the current flowing through the driving transistor Tdr flows until the difference between the voltage between the first sensing voltage Vsen1 and the second node N2 becomes the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr. Thereafter, the sensing unit 236 senses (or samples) the voltage of the reference line RL, and compares the voltage with the first sensing voltage Vsen1 to detect the threshold voltage of the driving transistor Tdr. -The second sensing data voltage Vsen2 is generated through digital conversion. As described above, by using an external compensation method when detecting the threshold voltage, the threshold voltage information can be processed externally, and information for generating the second sensing voltage Vsen2 necessary for compensation of a boosting loss, which will be described later. Treatment can take place.

<제2 초기화 및 부스팅 로스 보상 기간: t3~t4><2nd initialization and boosting loss compensation period: t3~t4>

도 8 내지 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 모드에 있어서, 부스팅 로스 보상 구동을 설명하기 도면들이다.8 to 11 are diagrams illustrating boosting loss compensation driving in a driving mode of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

<제2 초기화 기간(t2)><2nd initialization period (t2)>

도 4, 도 5 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 초기화 기간(t2)에서는 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 게이트 오프 전압(Voff)의 스캔 제어 신호(CS1)에 의해 턴-오프되고 있고, 제 2 및 제 3 스위칭 트랜지스터(Tsw2, Tsw3)가 게이트 온 전압(Von)의 센싱 제어 신호(CS2)에 의해 턴-온되며, 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)가 게이트 온 전압(Von)의 리셋 제어 신호(CS3)에 의해 턴-온된다. 이때, 상기 데이터 라인(DL)에는 제2 센싱용 전압(Vsen2)이 공급되고, 상기 레퍼런스 라인(RL)에는 레퍼런스 전압(Vref)이 공급된다. 여기서, 상기 제2 센싱용 전압(Vsen2)은 제1 센싱용 전압(Vsen1)과 검출된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 합 전압으로 정의할 수 있다. 즉, Vsen2=Vsen1+Vth로 정의할 수 있다. 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에는 제2 센싱용 전압(Vsen2)이 공급되므로, 상기 제 1 커패시터(C1)는 제2 센싱용 전압(Vsen2)과 레퍼런스 전압(Vref)의 차전압(Vsen2-Vref)으로 초기화된다. 이때, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)를 통해 제 2 노드(n2)에 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)에 의해 발광하지 않는다.4, 5, and 8, in the second initialization period t2, the first switching transistor Tsw1 is turned off by the scan control signal CS1 of the gate-off voltage Voff. , The second and third switching transistors Tsw2 and Tsw3 are turned on by the sensing control signal CS2 of the gate-on voltage Von, and the fourth switching transistor Tsw4 is reset of the gate-on voltage Von. It is turned on by the control signal CS3. In this case, a second sensing voltage Vsen2 is supplied to the data line DL, and a reference voltage Vref is supplied to the reference line RL. Here, the second sensing voltage Vsen2 may be defined as a sum voltage of the first sensing voltage Vsen1 and the detected threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr. That is, it can be defined as Vsen2=Vsen1+Vth. Since the second sensing voltage Vsen2 is supplied to the second gate electrode g2_Tdr of the driving transistor Tdr, the first capacitor C1 is equal to the second sensing voltage Vsen2 and the reference voltage Vref. It is initialized to the difference voltage (Vsen2-Vref). In this case, the organic light-emitting device OLED does not emit light due to the reference voltage Vref supplied to the second node n2 through the fourth switching transistor Tsw4.

전술한 바와 같이 제1 및 제2 노드(n1, n2)과 제2 게이트 전극(g2_Tdr)의 전압을 재 초기화 하여 후술할 부스팅 로스 보상 기간에서 유기발광소자(OLED)의 애노드 전극 상의 전압을 제1 센싱용 전압(Vsen1)으로 정확히 매칭시킬 수 있다. As described above, the voltages of the first and second nodes n1 and n2 and the second gate electrode g2_Tdr are re-initialized, so that the voltage on the anode electrode of the organic light-emitting device OLED is first adjusted in the boosting loss compensation period to be described later. It can be accurately matched with the sensing voltage (Vsen1).

<부스팅 로스 보상 기간(t4)><Boosting loss compensation period (t4)>

도 4, 도 5 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-오프 상태를 유지하고, 제 2 및 제 3 스위칭 트랜지스터(Tsw2, Tsw3)가 턴-온 상태를 유지하며, 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)가 게이트 오프 전압(Voff)의 리셋 제어 신호(CS3)에 의해 턴-오프된다. 이때, 상기 데이터 라인(DL)에는 제2 센싱용 전압(Vsen2)이 지속적으로 공급된다. 이에 따라, 상기 부스팅 로스 보상 기간(t4)에서, 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)가 턴-오프됨에 따라, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에 공급되는 제2 센싱용 전압(Vsen2)에 의해 소스 팔로워 모드로 구동되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)에 대응되는 전압이 제 1 커패시터(C1)에 저장되게 된다. 즉, 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)가 턴-오프되면, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)에 전류가 흐르고, 이 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압(Vs_Tdr)인 제 2 노드(n2)의 전압이 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2_Tdr)에 공급되는 제2 센싱용 전압(Vsen2)의 전압 레벨을 향해 상승하게 되고, 제 2 노드(n2)의 전압은 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)만큼의 전하가 상기 제 1 커패시터(C1)에 충전될 때까지 상승하게 된다. 상기 제 1 커패시터(C1)에 저장된 상기 구동트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)은 다음 발광 기간(t5) 동안 유지되게 된다. 4, 5, and 9, the first switching transistor Tsw1 maintains a turn-off state, and the second and third switching transistors Tsw2 and Tsw3 maintain a turn-on state. , The fourth switching transistor Tsw4 is turned off by the reset control signal CS3 of the gate-off voltage Voff. At this time, the second sensing voltage Vsen2 is continuously supplied to the data line DL. Accordingly, in the boosting loss compensation period t4, as the fourth switching transistor Tsw4 is turned off, the driving transistor Tdr is, as shown in FIG. 5, the second gate electrode g2_Tdr A voltage corresponding to the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr is stored in the first capacitor C1 by being driven in the source follower mode by the second sensing voltage Vsen2 supplied to ). That is, when the fourth switching transistor Tsw4 is turned off, a current flows through the driving transistor Tdr, and by this current, the second node n2, which is the source voltage Vs_Tdr, of the driving transistor Tdr. The voltage increases toward the voltage level of the second sensing voltage Vsen2 supplied to the second gate electrode g2_Tdr of the driving transistor Tdr, and the voltage of the second node n2 is the driving transistor Tdr The charge equal to the threshold voltage Vth of) rises until the first capacitor C1 is charged. The threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr stored in the first capacitor C1 is maintained during the next light emission period t5.

<데이터 기입 기간 및 발광 기간(t5, t6)><Data writing period and light emission period (t5, t6)>

도 4, 도 5, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 기입 기간(t5)에서는, 제 2 및 제 3 스위칭 트랜지스터(Tsw2, Tsw3)가 게이트 오프 전압(Voff)의 센싱 제어 신호(CS2)에 의해 턴-오프되고, 제 4 스위칭 트랜지스터(Tsw4)가 게이트 오프 전압(Voff)의 리셋 제어 신호(CS3)에 의해 턴-오프를 유지하고, 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 게이트 온 전압(Von)의 스캔 제어 신호(CS1)에 의해 턴-온된다. 그리고, 상기 데이터 라인(DL)에는 표시용 데이터 전압(Vdata)이 공급된다. 이 경우 제1 노드(n1)에는 상기 표시용 데이터 전압(Vdata)이 충전되고, 제1 및 제2 노드(n1, n2) 상의 전위차에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)에 전류가 흐르면서 상기 제2 노드(n2)의 전압은 상승한다. 그리고 제1 커패시터(C1)의 커플링 현상에 따라 상기 제2 노드(n2)의 전압 상승량만큼 제2 게이트 전극(g2)의 전압도 상승하여 상기 제1 커패시터(C1)의 충전 전압은 문턱 전압(Vth)을 유지하게 된다. 그리고 도 4, 도 5, 도 11에 도시된 바와 같이, 발광 기간(t6)에서 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-오프되고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 전류에 의해 제2 노드(n2) 상의 전압이 상승하고 제2 커패시터(C2)의 커플링 현상에 따라 플로팅된 제1 노드(n1) 상의 전압도 상승한다. 그리고 제2 노드(n2) 상의 전압이 유기 발광 소자(OLED)의 동작점이 되면, 상기 유기 발광 소자(OLED)가 턴온하면서 제1 구동 전원 라인(PL1)으로부터 제 2 구동 전원 라인(PL2)으로 전류가 흐르고, 이 전류에 비례하여 유기 발광 소자(OLED)가 발광하게 된다. 그리고, 상기 제1 커패시터(C1)의 전압이 지속적으로 유지되어 다음 프레임까지 유기 발광 소자(OLED)가 지속적으로 발광하게 된다. 이와 같은, 상기 발광 기간(t6)에서는, 제 1 및 제 2 커패시터(C1, C2)에 저장된 전압(Vdata-Vsen1, Vth)에 의해 상기 구동 트랜지스터(Tdr)가 구동됨으로써 유기 발광 소자(OLED)는, 하기의 수학식 1과 같이, 데이터 전압(Vdata)과 제1 센싱용 전압(Vsen1)의 차전압(Vdata-Vsen1)에 의해 결정되는 구동 트랜지스터(Tdr)의 전류(Ids_Tdr)에 의해 발광하게 된다.4, 5, and 10, in the data writing period t5, the second and third switching transistors Tsw2 and Tsw3 are applied to the sensing control signal CS2 of the gate-off voltage Voff. And the fourth switching transistor Tsw4 is turned off by the reset control signal CS3 of the gate-off voltage Voff, and the first switching transistor Tsw1 is turned off at the gate-on voltage Von. It is turned on by the scan control signal CS1 of. In addition, a display data voltage Vdata is supplied to the data line DL. In this case, the first node n1 is charged with the display data voltage Vdata, and a current flows through the driving transistor Tdr according to a potential difference between the first and second nodes n1 and n2, and the second node ( The voltage at n2) rises. In addition, the voltage of the second gate electrode g2 increases as much as the voltage of the second node n2 increases according to the coupling phenomenon of the first capacitor C1, so that the charging voltage of the first capacitor C1 is the threshold voltage ( Vth). And, as shown in FIGS. 4, 5, and 11, the first switching transistor Tsw1 is turned off in the light emission period t6, and the second node n2 is turned off by the current of the driving transistor Tdr. The voltage increases and the voltage on the floating first node n1 also increases according to the coupling phenomenon of the second capacitor C2. And when the voltage on the second node n2 is the operating point of the organic light-emitting device OLED, the organic light-emitting device OLED is turned on and a current from the first driving power line PL1 to the second driving power line PL2 is turned on. Flows, and the organic light-emitting device (OLED) emits light in proportion to this current. Further, the voltage of the first capacitor C1 is continuously maintained so that the organic light-emitting device OLED continuously emits light until the next frame. In this way, in the light-emitting period t6, the driving transistor Tdr is driven by the voltages Vdata-Vsen1 and Vth stored in the first and second capacitors C1 and C2, so that the organic light-emitting device OLED is , As shown in Equation 1 below, light is emitted by the current Ids_Tdr of the driving transistor Tdr determined by the difference voltage Vdata-Vsen1 between the data voltage Vdata and the first sensing voltage Vsen1. .

수학식 1Equation 1

Figure 112014123097382-pat00001
Figure 112014123097382-pat00001

상기 수학식 1에서, "K"는 정공 또는 전자의 이동도(mobility)이다.In Equation 1, "K" is the mobility of holes or electrons.

한편 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예는 부스팅 로스 보상 기간(t4)에서 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극 상의 전압은 제1 센싱용 전압(Vsen1)에 이르게 된다. 이는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 변화에 무관하다. 그리하여 유기 발광 소자(OLED)의 동작점까지의 전압 변화량(delta V)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 변화에 무관하게 일정하게 된다. 이와 같이 전압 변화량(delata V)이 일정하므로 애노드 전극 상의 전압이 동작점에 이를 때까지 상승할 때 발생하는 부스팅 로스는 문턱 전압(Vth)의 변화와 무관하게 일정하게 되므로, 전체적으로 부스팅 로스가 일정해져 화질의 균일도가 상승하는 효과를 가진다.Meanwhile, referring to FIG. 5, in an exemplary embodiment of the present invention, in the boosting loss compensation period t4, the voltage on the anode electrode of the organic light emitting diode OLED reaches the first sensing voltage Vsen1. This is irrelevant to the change in the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr. Thus, the voltage change amount delta V up to the operating point of the organic light-emitting device OLED is constant regardless of the change in the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr. In this way, since the voltage change amount (delata V) is constant, the boosting loss generated when the voltage on the anode electrode rises until it reaches the operating point becomes constant regardless of the change in the threshold voltage (Vth), so that the overall boosting loss becomes constant. It has the effect of increasing the uniformity of image quality.

도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화소의 구조를 나타내는 도면이다.12 is a diagram illustrating a structure of a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화소의 구조를 나타내는 도면으로서, 이는 제 2 스위칭 트랜지스터에 센싱용 전압을 공급하기 위한 센싱용 전압 라인을 추가로 구성한 것이다. 12 is a diagram illustrating a structure of a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention, which further includes a sensing voltage line for supplying a sensing voltage to a second switching transistor.

먼저, 전술한 본 발명의 실시 예의 화소(P)에서는, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 제 1 전극은 데이터 라인(DL)에 연결되어 상기 센싱 제어 신호(CS2)에 따라 데이터 라인(DL)에 공급되는 센싱용 전압(Vsen)을 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2)에 공급한다. 반면에, 도 12에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화소(P)에서는, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 제 1 전극에 연결되는 센싱용 전압 라인(SVL)이 추가로 형성되어 있다. 상기 센싱용 전압 라인(SVL)에는 외부로부터 센싱용 전압(Vsen)이 독립적으로 공급되게 된다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화소(P)는 본 발명의 실시 예의 화소(P)와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 다만, 본 발명의 실시 예의 화소(P)와 대비하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화소(P)의 경우, 상기 센싱용전압 라인(SVL)이 차지하는 영역만큼 개구율이 감소하지만, 데이터 라인(DL)에 데이터 전압(Vdata)과 센싱용 전압(Vsen)을 공급하는 컬럼(column) 구동부(미도시)의 전압 트랜지션을 줄여 소비 전력 감소 등의 효과를 가질 수 있다.First, in the pixel P of the exemplary embodiment described above, the first electrode of the second switching transistor Tsw2 is connected to the data line DL, and the data line DL is connected to the data line DL according to the sensing control signal CS2. The sensing voltage Vsen supplied to is supplied to the second gate electrode g2 of the driving transistor Tdr. On the other hand, as can be seen from FIG. 12, in the pixel P according to another embodiment of the present invention, a sensing voltage line SVL connected to the first electrode of the second switching transistor Tsw2 is additionally formed. Has been. The sensing voltage Vsen is independently supplied from the outside to the sensing voltage line SVL. Accordingly, the pixel P according to another exemplary embodiment of the present invention may provide the same effect as the pixel P according to the exemplary embodiment of the present invention. However, compared to the pixel P according to the exemplary embodiment of the present invention, in the case of the pixel P according to another exemplary embodiment of the present invention, the aperture ratio decreases as much as the area occupied by the sensing voltage line SVL, but the data line ( By reducing a voltage transition of a column driver (not shown) that supplies the data voltage Vdata and the sensing voltage Vsen to the DL), power consumption may be reduced.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 화소의 구조를 나타내는 도면으로서, 이는 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 1 및 제 2 게이트 전극의 연결 구조를 변경하여 구성한 것이다. 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다. 먼저, 전술한 본 발명의 실시 예의 화소(P)에서, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 1 게이트 전극(g1)은 제 1 노드(n1)를 통해 제 1 및 제 3 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw3) 및 제 2 커패시터(C2)에 연결되고, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2)은 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2) 및 제 1 커패시터(C1)에 연결된다. 반면에, 도 13에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 화소(P)의 구조에서는, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 1 및 제 2 게이트 전극(g1, g2)의 위치가 서로 바뀌어 형성된다. 즉, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 1 게이트 전극(g1)은 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2) 및 제 1 커패시터(C1)에 연결되고, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 2 게이트 전극(g2)은 제 1 노드(n1)를 통해 제 1 및 제3 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw3) 및 제 2 커패시터(C2)에 연결된다. 즉, 상기 제1 게이트 전극(g1)은 상기 반도체층 상에 형성되고, 상기 제 2 게이트 전극(g2)은 상기 제 1 게이트 전극(g1)과 중첩되도록 상기 반도체층 아래에 형성된다. 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 1 및 제 2 게이트 전극(g1, g2)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체층을 사이에 두고 서로 중첩되도록 형성되기 때문에 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 1 및 제 2 게이트 전극(g1, g2)의 연결 구조가 서로 바뀌더라도 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 화소(P)는 본 발명의 실시 예의 화소(P)와 동일하게 구동되게 된다. 추가적으로, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 화소(P)는 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 센싱용 전압 라인(SVL)을 더 포함하여 구성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 화소(P)는 본 발명의 앞서 설명한 실시 예의 화소(P)와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동을 개념적으로 설명하기 위한 도면이며, 도 16은 도 14에 도시된 컬럼(column) 구동부를 설명하기 위한 도면이다.13 is a diagram illustrating a structure of a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention, which is configured by changing a connection structure between first and second gate electrodes of a driving transistor Tdr. Hereinafter, only different configurations will be described. First, in the pixel P according to the exemplary embodiment described above, the first gate electrode g1 of the driving transistor Tdr is the first and third switching transistors Tsw1 and Tsw3 through the first node n1. And a second capacitor C2, and a second gate electrode g2 of the driving transistor Tdr is connected to a second switching transistor Tsw2 and a first capacitor C1. On the other hand, as can be seen from FIG. 13, in the structure of the pixel P according to another embodiment of the present invention, the positions of the first and second gate electrodes g1 and g2 of the driving transistor Tdr are It is formed by changing. That is, the first gate electrode g1 of the driving transistor Tdr is connected to the second switching transistor Tsw2 and the first capacitor C1, and the second gate electrode g2 of the driving transistor Tdr is It is connected to the first and third switching transistors Tsw1 and Tsw3 and the second capacitor C2 through the first node n1. That is, the first gate electrode g1 is formed on the semiconductor layer, and the second gate electrode g2 is formed under the semiconductor layer so as to overlap with the first gate electrode g1. Since the first and second gate electrodes g1 and g2 of the driving transistor Tdr are formed to overlap each other with a semiconductor layer therebetween, as shown in FIG. 3, the first and second gate electrodes g1 and g2 of the driving transistor Tdr are formed so as to overlap each other. And even if the connection structures of the second gate electrodes g1 and g2 are changed, the pixel P according to the third exemplary embodiment of the present invention is driven in the same manner as the pixel P according to the exemplary embodiment of the present invention. Additionally, as shown in FIG. 12, the pixel P according to another embodiment of the present invention may further include the sensing voltage line SVL. Accordingly, the pixel P according to another embodiment of the present invention may provide the same effect as the pixel P of the above-described embodiment of the present invention. 14 is a diagram for explaining an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 15 is a diagram for conceptually explaining driving of an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 16 is A diagram for explaining the column driver shown in FIG. 14.

도 14 내지 도 16을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널(100) 및 패널 구동부(200)를 포함할 수 있다. 표시 패널(100)은 복수의 데이터 라인(DL1 내지 DLn), 복수의 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn), 복수의 게이트 라인 그룹(GLG1 내지 GLGm) 및 복수의 화소(P)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 데이터 라인(DL1 내지 DLn) 각각은 상기 표시 패널(100)의 제 1방향, 즉 세로 방향을 따라 일정한 간격을 가지도록 나란하게 형성될 수 있다. 상기 복수의 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각은 상기 복수의 데이터 라인(DL1 내지 DLn) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성되고, 일정한 직류 레벨을 가지는 레퍼런스 전압(Vref)을 외부로부터 공급받을 수 있다. 복수의 게이트 라인 그룹(GLG1 내지 GLGm) 각각은 상기 데이터 라인(DL)과 교차하도록 표시 패널의 제 2 방향, 예컨대 가로 방향을 따라 형성될 수 있다. 상기 복수의 데이터 라인(DL1 내지 DLn) 각각은 스캔 제어 라인(Lscan), 센싱 제어 라인(Lsense) 및 리셋 제어 라인(Lreset)을 포함하여 이루어질 수 있다. 추가적으로, 상기 표시 패널(100)은 각 화소(P)에 접속되는 제 1 구동 전원라인(PL1) 및 제 2 구동 전원 라인(PL2)을 더 포함하여 구성될 수 있으며, 경우에 따라 전술한 센싱용 전압 라인(SVL)을 더 포함하여 구성될 수도 있다.14 to 16, the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention may include a display panel 100 and a panel driver 200. The display panel 100 may include a plurality of data lines DL1 to DLn, a plurality of reference lines RL1 to RLn, a plurality of gate line groups GLG1 to GLGm, and a plurality of pixels P. Each of the plurality of data lines DL1 to DLn may be formed in parallel to have a predetermined interval along a first direction, that is, a vertical direction of the display panel 100. Each of the plurality of reference lines RL1 to RLn is formed at regular intervals so as to be parallel to each of the plurality of data lines DL1 to DLn, and a reference voltage Vref having a constant DC level may be supplied from the outside. Each of the plurality of gate line groups GLG1 to GLGm may be formed along a second direction of the display panel, for example, a horizontal direction to cross the data line DL. Each of the plurality of data lines DL1 to DLn may include a scan control line Lscan, a sensing control line License, and a reset control line Lreset. Additionally, the display panel 100 may further include a first driving power line PL1 and a second driving power line PL2 connected to each pixel P, and in some cases, the above-described sensing It may be configured to further include a voltage line SVL.

상기 제 1 구동 전원 라인(PL1)은 상기 데이터 라인(DL)과 나란하도록 형성되어 화소열에 형성된 화소(P)에 연결되고, 외부로부터 고전위 전압(EVdd)이 공급될 수 있다. 상기 제 2 구동 전원 라인(PL2)은 상기 유기 발광 소자에 접속되도록 통자 또는 라인 형태로 형성되고, 외부로부터 저전위 전압(EVss)이 공급될 수 있다.The first driving power line PL1 is formed parallel to the data line DL, is connected to the pixel P formed in the pixel column, and a high potential voltage EVdd may be supplied from the outside. The second driving power line PL2 may be formed in a cylindrical shape or a line shape to be connected to the organic light emitting device, and a low potential voltage EVss may be supplied from the outside.

복수의 화소(P) 각각은 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소 및 백색 화소 중 어느 하나일 수 있다. 하나의 영상을 표시하는 하나의 단위 화소는 인접한 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소 및 백색 화소를 포함하거나, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소를 포함할 수 있다. 이러한 복수의 화소(P) 각각은 전술한 실시예에 따른 화소 구조를 가지므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다. Each of the plurality of pixels P may be any one of a red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel. One unit pixel displaying one image may include adjacent red pixels, green pixels, blue pixels, and white pixels, or may include red pixels, green pixels, and blue pixels. Since each of the plurality of pixels P has a pixel structure according to the above-described embodiment, a redundant description thereof will be omitted.

상기 패널 구동부(200)는 전술한 바와 같이, 상기 표시 패널(100)에 형성된 각 화소(P)를 보상 모드로 동작시킨다. 상기 보상 모드는 각 프레임의 표시 구간(DP)에 수평 라인마다 순차적으로 수행될 수 있다. 상기 보상 모드의 문턱 전압 센싱 구동은 프레임 사이의 수직 블랭크 구간(BP)마다 적어도 하나의 수평 라인의 화소들(P)에 대해 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 패널(100)에 1080개의 수평 라인이 존재할 경우, 보상 구동은 수직 블랭크 구간(BP)마다 한 수평 라인씩 순차적으로 수행되어 총 1080 프레임에 거쳐 수행될 수 있다. 이 경우, 수직 블랭크 구간마다 적어도 한 수평 라인씩 수행함으로써 보상 모드를 위한 프레임당 스위칭 트랜지스터들(Tsw1 내지 Tsw4)의 스위칭 듀티를 매우 작게 감소시킴으로써 스위칭 트랜지스터들(Tsw1 내지 Tsw4)의 신뢰성을 향상시킨다. 추가적으로, 유기 발광 표시 장치의 전원 온 구간, 유기 발광 표시 장치의 전원 오프 구간, 설정된 구동 시간 이후 전원 온 구간, 또는 설정된 구동 시간 이후 전원 오프 구간에서는 적어도 한 프레임의 표시 구간(DP) 또는 표시 구간(DP)과 수직 블랭크 구간(BP)을 통해 모든 수평 라인에 대해 순차적으로 수행될 수 있다. 상기 패널 구동부(200)는, 문턱 전압 검출 시, 상기 복수의 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각을 통해 상기 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하여 제2 센싱용 전압(Vsen2)를 생성할 수 있다. 상기 패널 구동부(200)는 타이밍 제어부(210), 게이트 구동 회로부(220) 및 컬럼(column) 구동부(230)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 타이밍 제어부(210)는 외부로부터 입력되는 타이밍 동기 신호(TSS)에 기초하여 상기 게이트 구동 회로부(220) 및 컬럼(column) 구동부(230)를 보상 모드로 제어하기 위한 게이트 제어 신호(GCS)와 데이터 제어 신호(DCS)를 각각 생성한다. 상기 보상 모드의 문턱 전압 센싱 구동 도는 부스팅 로스 보상 구동에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 센싱용 전압(Vsen)을 생성해 컬럼(column) 구동부(230)에 제공할 수 있다. As described above, the panel driver 200 operates each pixel P formed on the display panel 100 in a compensation mode. The compensation mode may be sequentially performed for each horizontal line in the display section DP of each frame. The threshold voltage sensing driving in the compensation mode may be performed on at least one horizontal line of pixels P for each vertical blank period BP between frames. For example, when 1080 horizontal lines exist in the display panel 100, compensation driving may be sequentially performed by one horizontal line for each vertical blank section BP, and may be performed through a total of 1080 frames. In this case, by performing at least one horizontal line for each vertical blank period, the switching duty of the switching transistors Tsw1 to Tsw4 per frame for the compensation mode is very small, thereby improving the reliability of the switching transistors Tsw1 to Tsw4. In addition, in the power-on period of the organic light-emitting display device, the power-off period of the organic light-emitting display device, the power-on period after the set driving time, or the power-off period after the set driving time, the display period DP or the display period ( DP) and the vertical blank section (BP) may be sequentially performed for all horizontal lines. When detecting the threshold voltage, the panel driver 200 senses the threshold voltage of the driving transistor Tdr for each pixel through each of the plurality of reference lines RL1 to RLn to generate a second sensing voltage Vsen2. can do. The panel driving unit 200 may include a timing control unit 210, a gate driving circuit unit 220, and a column driving unit 230. The timing controller 210 includes a gate control signal GCS for controlling the gate driving circuit unit 220 and the column driving unit 230 in a compensation mode based on a timing synchronization signal TSS input from the outside. Each data control signal (DCS) is generated. In the threshold voltage sensing driving or boosting loss compensation driving in the compensation mode, the timing controller 210 may generate a sensing voltage Vsen and provide it to the column driver 230.

상기 게이트 구동 회로부(220)는 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 게이트 제어 신호(GCS)에 응답하여, 제어 신호(CS1, CS2, CS3)를 생성하여 표시 패널(100)에 형성된 제어 라인들(Lscan, Lsense, Lreset)에 공급한다. 일 예에 따른 게이트 구동 회로부(220)는 스캔 라인 구동부(221), 센싱 라인 구동부(223) 및 리셋 라인 구동부(225)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 스캔 라인 구동부(221)는 각 게이트 라인 그룹(GLG1 내지 GLGm)의 스캔 제어 라인(Lscan)에 연결된다. 이러한 상기 스캔 라인 구동부(221)는 상기 게이트 제어 신호(GCS)에 응답하여, 스캔 제어 신호(CS1)를 생성하여 각 게이트 라인 그룹(GLG1 내지 GLGm)의 스캔 제어 라인(Lscan)에 순차적으로 공급한다. 상기 센싱 라인 구동부(223)는 각 게이트 라인 그룹(GLG1 내지 GLGm)의 제 1 센싱 제어 라인(Lsense)에 연결된다. 이러한 상기 제 1 센싱 라인 구동부(223)는 상기 게이트 제어 신호(GCS)에 응답하여, 센싱 제어 신호(CS2)를 생성하여 각 게이트 라인 그룹(GLG1 내지 GLGm)의 센싱 제어 라인(Lsense)에 순차적으로 공급한다. 상기 리셋 라인 구동부(225)는 각 게이트 라인 그룹(GLG1 내지 GLGm)의 리셋 제어 라인(Lreset)에 연결된다. 이러한 상기 리셋 라인 구동부(225)는 상기 게이트 제어 신호(GCS)에 응답하여, 리셋 제어 신호(CS3)를 생성하여 각 게이트 라인 그룹(GLG1 내지 GLGm)의 리셋 제어 라인(Lreset)에 순차적으로 공급한다. 이와 같은, 상기 게이트 구동 회로부(220)는 각 화소(P)의 박막 트랜지스터 형성 공정과 함께 상기 표시 패널(100) 상에 직접 형성되거나 집적 회로(IC) 형태로 형성되어 상기 제어 라인들(Lscan, Lsense, Lreset)의 일측에 연결될 수 있다.The gate driving circuit unit 220 generates control signals CS1, CS2, CS3 in response to the gate control signal GCS supplied from the timing controller 210 according to the mode, and controls the display panel 100. It supplies to the lines (Lscan, Lsense, Lreset). The gate driving circuit unit 220 according to an example may include a scan line driver 221, a sensing line driver 223, and a reset line driver 225. The scan line driver 221 is connected to the scan control line Lscan of each gate line group GLG1 to GLGm. The scan line driver 221 generates a scan control signal CS1 in response to the gate control signal GCS and sequentially supplies it to the scan control line Lscan of each gate line group GLG1 to GLGm. . The sensing line driver 223 is connected to the first sensing control line Licenses of each of the gate line groups GLG1 to GLGm. The first sensing line driver 223 generates a sensing control signal CS2 in response to the gate control signal GCS and sequentially connects to the sensing control line Lsense of each gate line group GLG1 to GLGm. Supply. The reset line driver 225 is connected to a reset control line Lreset of each gate line group GLG1 to GLGm. The reset line driver 225 generates a reset control signal CS3 in response to the gate control signal GCS and sequentially supplies it to the reset control line Lreset of each gate line group GLG1 to GLGm. . As described above, the gate driving circuit unit 220 is directly formed on the display panel 100 together with the thin film transistor forming process of each pixel P or formed in the form of an integrated circuit (IC), so that the control lines Lscan, Lsense, Lreset) can be connected to one side.

상기 컬럼(column) 구동부(230)는 상기 복수의 데이터 라인(DL1 내지 DLn)과 상기 복수의 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각에 연결되고, 필요한 데이터 전압(Vdata)(또는 센싱용 전압(Vsen)을 해당 데이터 라인(DL)에 공급할 수 있다. 상기 컬럼(column) 구동부(230)는, 데이터 구동부(232), 스위칭부(234), 및 센싱부(236)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 데이터 구동부(232)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 표시용 화소 데이터(또는 센싱용 데이터)(DATA)를 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 해당하는 데이터 라인(DL1 내지DLn)에 공급한다. 이러한 상기 데이터 구동부(232)는 쉬프트 레지스터부, 래치부, 계조 전압 생성부, 및 제 1 내지 제 n 디지털-아날로그 컨버터를 포함하여 구성될 수 있다.The column driver 230 is connected to each of the plurality of data lines DL1 to DLn and the plurality of reference lines RL1 to RLn, and a required data voltage Vdata (or a sensing voltage Vsen) The column driver 230 may include a data driver 232, a switching unit 234, and a sensing unit 236. The column driver 230 may include a data driver 232, a switching unit 234, and a sensing unit 236. In response to the data control signal DCS supplied from the timing controller 210, the data driver 232 converts the display pixel data (or sensing data) DATA supplied from the timing controller 210 into a data voltage. Converted into (Vdata) and supplied to the corresponding data lines DL1 to DLn The data driver 232 includes a shift register unit, a latch unit, a gradation voltage generator, and a first to nth digital-to-analog converter. It can be configured to include.

상기 스위칭부(234)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 스위칭 제어 신호(미도시)에 응답하여, 상기 레퍼런스 라인(RL)에 레퍼런스 전압(Vref)을 공급 하거나 상기 레퍼런스 라인(RL)을 상기 센싱부(236)에 접속시키거나, 상기 레퍼런스 라인(RL)을 일정 시간 동안 플로팅시킨 후 상기 센싱부(236)에 접속시킬 수 있다. 즉, 상기 스위칭부(234)는 제1 및 제2 초기화 기간(T1)에서 상기 레퍼런스 전압(Vref)을 레퍼런스 라인(RL)에 공급한다. 또한, 상기 스위칭부(234)는 문턱 전압 검출 기간(t2)에 상기 레퍼런스 라인(RL)을 센싱부(236)에 접속시키거나, 상기 레퍼런스 라인(RL)을 일정 시간 동안 플로팅 시킨 후 상기 센싱부(236)에 접속시킬 수 있다. 이를 위해, 일 예에 따른 스위칭부(234)는 복수의 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각과 센싱부(236)에 연결되는 복수의 선택기(234a 내지 234n)를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 선택기(234a내지 234n)는 멀티플렉서로 이루어질 수 있다. 상기 센싱부(236)는 상기 스위칭부(234)를 통해 복수의 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되어 복수의 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각의 전압을 센싱하고, 센싱 전압에 대응되는 제2 센싱용 전압(Vsen2)을 생성하여 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 이를 위해, 상기 센싱부(236)는 상기 스위칭부(234)를 통해 복수의 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되어 센싱 전압을 아날로그-디지털 변환하여 상기 제2 센싱용 전압(Vsen2)을 생성하는 복수의 아날로그-디지털 변환기(236a 내지 236n)를 포함하여 구성될수 있다.The switching unit 234 supplies a reference voltage Vref to the reference line RL or supplies the reference line RL in response to a switching control signal (not shown) supplied from the timing controller 210. It may be connected to the sensing unit 236 or may be connected to the sensing unit 236 after floating the reference line RL for a predetermined time. That is, the switching unit 234 supplies the reference voltage Vref to the reference line RL in the first and second initialization periods T1. In addition, the switching unit 234 connects the reference line RL to the sensing unit 236 during a threshold voltage detection period t2, or floats the reference line RL for a predetermined time, and then the sensing unit You can connect to (236). To this end, the switching unit 234 according to an example may be configured to include a plurality of selectors 234a to 234n connected to each of the plurality of reference lines RL1 to RLn and the sensing unit 236, the The selectors 234a to 234n may be formed of a multiplexer. The sensing unit 236 is connected to the plurality of reference lines RL1 to RLn through the switching unit 234 to sense voltages of each of the plurality of reference lines RL1 to RLn, and a second The sensing voltage Vsen2 is generated and provided to the timing controller 210. To this end, the sensing unit 236 is connected to a plurality of reference lines RL1 to RLn through the switching unit 234 to analog-digital convert a sensing voltage to generate the second sensing voltage Vsen2. It may be configured to include a plurality of analog-to-digital converters (236a to 236n).

이상과 같은, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 4개의 스위칭 트랜지스터(Tsw1 내지 Tsw4)의 스위칭 변경을 통해 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 보상하여 구동할 수 있다. 즉, 본 발명은 4개의 스위칭 트랜지스터(Tsw1 내지 Tsw4)의 스위칭에 따라 외부 보상을 통해 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하고 이를 바탕으로 제2 센싱용 전압(Vsen2)을 생성하고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 제 1 커패시터(C1)에 저장함으로써 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 내부 보상 방식으로 보상할 수 있으며, 이 경우, 제 1 커패시터(C1)에 저장된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 지속적으로 유지시키면서 유기 발광 소자(OLED)를 발광시킴으로써 구동 트랜지스터(Tdr)의 보상을 위한 스위칭 트랜지스터(Tsw1 내지 Tsw4)의 열화를 줄여 신뢰성 및 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 4개의 스위칭 트랜지스터(Tsw1 내지 Tsw4)의 스위칭에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압 편차를 정확하게 보상하여 화질을 개선할 수 있다. 또한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 기간 전 문턱 전압의 변화에도 불구하고 유기 발광 소자의 애노드 전극상의 전압이 항상 제1 센싱용 전압(Vsen1)과 동일한 전압이 되도록 함으로써, 유기 발광 소자의 동작점까지 상승하는데 발생하는 부스팅 로스를 균일하게 하여 화질의 균일도를 높일 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display according to the present invention may be driven by compensating for the threshold voltage of the driving transistor Tdr through switching changes of the four switching transistors Tsw1 to Tsw4. That is, the present invention senses the threshold voltage of the driving transistor Tdr through external compensation according to the switching of the four switching transistors Tsw1 to Tsw4, and generates a second sensing voltage Vsen2 based on this, and the driving transistor By storing the threshold voltage of Tdr in the first capacitor C1, the threshold voltage of the driving transistor Tdr can be compensated by an internal compensation method. In this case, the driving transistor Tdr stored in the first capacitor C1 By continuously maintaining the threshold voltage of, the organic light emitting diode OLED emits light, thereby reducing deterioration of the switching transistors Tsw1 to Tsw4 for compensation of the driving transistor Tdr, thereby extending reliability and lifespan. In addition, according to the present invention, the difference in threshold voltage of the driving transistor Tdr is accurately compensated according to the switching of the four switching transistors Tsw1 to Tsw4, thereby improving image quality. In addition, in the organic light emitting diode display according to the present invention, the voltage on the anode electrode of the organic light emitting element is always the same voltage as the first sensing voltage Vsen1 despite the change in the threshold voltage before the light emission period, so that the operation of the organic light emitting element It is possible to increase the uniformity of image quality by making the boosting loss that occurs when rising to the point uniform.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which the present invention pertains that various substitutions, modifications and changes are possible within the scope of the technical matters of the present invention. It will be obvious to those who have the knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is indicated by the claims to be described later, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 표시 패널
200: 패널 구동부
210: 타이밍 제어부
220: 게이트 구동 회로부
221: 스캔 라인 구동부
223: 센싱 라인 구동부
225: 리셋 라인 구동부
230: 컬럼(column) 구동부
232: 데이터 구동부
234: 스위칭부
236: 센싱부
100: display panel
200: panel driving unit
210: timing control unit
220: gate driving circuit unit
221: scan line driver
223: sensing line driver
225: reset line driver
230: column driver
232: data driver
234: switching unit
236: sensing unit

Claims (10)

데이터 라인과 게이트 라인 그룹 및 레퍼런스 라인에 접속된 화소를 포함하며, 상기 화소는,
유기 발광 소자;
상기 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하며, 반도체층을 사이에 두고 서로 중첩되는 제 1 및 제 2 게이트 전극을 포함하는 구동 트랜지스터;
상기 데이터 라인에 공급되는 데이터 전압을 상기 제 1 게이트 전극에 연결된 제 1 노드에 선택적으로 공급하는 제 1 스위칭 트랜지스터;
제 1 또는 제 2 센싱용 전압을 상기 제 2 게이트 전극에 선택적으로 공급하는 제 2 스위칭 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 연결된 제 2 노드를 상기 제 1 노드에 선택적으로 접속시키는 제 3 스위칭 트랜지스터;
상기 레퍼런스 라인을 상기 제 2 노드에 선택적으로 접속시키는 제 4 스위칭 트랜지스터;
상기 제 2 게이트 전극과 상기 제 2 노드 간에 접속되어 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 제 1 커패시터; 및
상기 제 1 및 제 2 노드 간에 접속되어 상기 제 1 및 제 2 노드의 차전압을 저장하는 제 2 커패시터를 포함하고,
상기 제 2 센싱용 전압은 상기 제 1 센싱용 전압과 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 합 전압인 유기 발광 표시장치.
A data line, a gate line group, and a pixel connected to a reference line, wherein the pixel,
Organic light emitting device;
A driving transistor that controls a current flowing through the organic light-emitting device and includes first and second gate electrodes overlapping each other with a semiconductor layer therebetween;
A first switching transistor selectively supplying a data voltage supplied to the data line to a first node connected to the first gate electrode;
A second switching transistor selectively supplying a first or second sensing voltage to the second gate electrode;
A third switching transistor selectively connecting a second node connected to the source electrode of the driving transistor to the first node;
A fourth switching transistor selectively connecting the reference line to the second node;
A first capacitor connected between the second gate electrode and the second node to store a threshold voltage of the driving transistor; And
A second capacitor connected between the first and second nodes to store a difference voltage between the first and second nodes,
The second sensing voltage is a sum voltage of the first sensing voltage and a threshold voltage of the driving transistor.
제 1 항에 있어서,
상기 화소는 제1 초기화 기간에
상기 제 2 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 4 스위칭 트랜지스터를 턴 온시켜 상기 제 2 게이트 전극 상에 상기 제 1 센싱용 전압 및 상기 제 2 노드 상에 레퍼런스 전압을 인가하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
The pixel is in the first initialization period
An organic light emitting diode display device configured to apply the first sensing voltage to the second gate electrode and a reference voltage to the second node by turning on the second and fourth switching transistors.
제 2 항에 있어서,
상기 화소는 문턱 전압 검출 기간에
상기 제 1 센싱용 전압에 따라 상기 구동 트랜지스터의 소스 팔로워 모드로 구동 시켜 상기 제 2 노드 전압을 상승시키고 상기 제 1 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하며,
상기 제 2 노드 상의 전압을 검출하여 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 검출하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 2,
The pixel is in the threshold voltage detection period
The second node voltage is increased by driving in a source follower mode of the driving transistor according to the first sensing voltage, and a threshold voltage of the driving transistor is stored in the first capacitor,
An organic light emitting diode display device configured to detect a voltage on the second node to detect a threshold voltage of the driving transistor.
제 2 항에 있어서,
상기 화소는 제 2 초기화 기간에
상기 제 2 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 4 스위칭 트랜지스터를 턴 온시켜 상기 제 2 게이트 전극 상에 상기 제 2 센싱용 전압을 공급하고 상기 제 2 노드 상에 레퍼런스 전압을 인가하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 2,
The pixel is in the second initialization period
An organic light emitting diode display device configured to supply the second sensing voltage to the second gate electrode by turning on the second and fourth switching transistors and to apply a reference voltage to the second node.
제 4 항에 있어서,
상기 화소는 부스팅 로스 보상 기간에
상기 제 4 스위칭 트랜지스터를 턴 오프 시켜 상기 제 2 센싱용 전압에 따라 상기 구동 트랜지스터의 소스 팔로워 모드로 구동 시켜 상기 제 2 노드 상의 전압을 상기 제 1 센싱용 전압으로 상승시켜 상기 제 1 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 4,
The pixel is in the boosting loss compensation period.
Turning off the fourth switching transistor to drive the driving transistor in a source follower mode according to the second sensing voltage to increase the voltage on the second node to the first sensing voltage to drive the first capacitor An organic light emitting diode display that stores a threshold voltage of a transistor.
제 5 항에 있어서,
상기 제 2 내지 제 4 스위칭 트랜지스터를 턴 오프시키고,
상기 제 1 스위칭 트랜지스터를 턴 온 시켜 상기 제 1 노드에 데이터 전압을 기입하여 상기 유기 발광 소자를 발광시키는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 5,
Turning off the second to fourth switching transistors,
An organic light emitting diode display device configured to emit light by turning on the first switching transistor to write a data voltage to the first node to emit light.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 센싱용 전압은 상기 데이터 라인을 통해 상기 제 2 게이트 전극에 공급되는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
The first and second sensing voltages are supplied to the second gate electrode through the data line.
제 1 항에 있어서,
상기 화소는 센싱용 전압 라인을 더 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 센싱용 전압은 상기 센싱용 전압 라인을 통해 상기 제2 게이트 전극에 공급되는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
The pixel further includes a sensing voltage line,
The first and second sensing voltages are supplied to the second gate electrode through the sensing voltage line.
유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하며 반도체층을
사이에 두고 서로 중첩되는 제 1 및 제 2 게이트 전극을 포함하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 제 2 게이트 전극과 소스 전극 간에 접속된 제 1 커패시터, 및 상기 제 1 게이트 전극과 소스 전극 간에 접속된 제 2 커패시터를 포함하는 화소를 가지는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법으로서,
제 1 센싱용 전압을 상기 제 2 게이트 전극에 공급하고 레퍼런스 전압을 상기 소스 전극에 공급하는 제 1 초기화 단계;
상기 구동 트랜지스터를 소스 팔로워 모드로 구동 시켜 상기 제 1 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 단계;
상기 문턱 전압을 검출하는 단계;
제 2 센싱용 전압을 상기 제 2 게이트 전극에 공급하고 상기 레퍼런스 전압을 상기 소스 전극에 공급하는 제 2 초기화 단계;
상기 구동 트랜지스터를 소스 팔로워 모드로 구동 시켜 상기 소스 전극의 전압을 상기 제 1 센싱용 전압으로 상승시키는 단계;를 포함하고
상기 제 2 센싱용 전압은 상기 제 1 센싱용 전압과 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 합 전압인 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
An organic light-emitting device, controlling a current flowing through the organic light-emitting device, and forming a semiconductor layer
A driving transistor including first and second gate electrodes overlapping with each other, a first capacitor connected between the second gate electrode and the source electrode of the driving transistor, and a first capacitor connected between the first gate electrode and the source electrode. 2. A method of driving an organic light emitting display device having a pixel including a capacitor,
A first initialization step of supplying a first sensing voltage to the second gate electrode and a reference voltage to the source electrode;
Driving the driving transistor in a source follower mode to store a threshold voltage of the driving transistor in the first capacitor;
Detecting the threshold voltage;
A second initialization step of supplying a second sensing voltage to the second gate electrode and supplying the reference voltage to the source electrode;
Including; driving the driving transistor in a source follower mode to increase the voltage of the source electrode to the first sensing voltage; and
The second sensing voltage is a sum voltage of the first sensing voltage and a threshold voltage of the driving transistor.
제9 항에 있어서,
상기 제1 게이트 전극에 데이터 전압을 인가하는 단계;
상기 제1 게이트 전극의 전압과 상기 소스 전극의 전압의 차 전압을 상기 제2 커패시터에 저장하는 단계; 및
상기 제 1 및 제 2 커패시터의 전압으로 상기 구동 트랜지스터를 구동시켜 상기 유기 발광 소자를 발광시키는 단계;를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
The method of claim 9,
Applying a data voltage to the first gate electrode;
Storing a voltage difference between the voltage of the first gate electrode and the voltage of the source electrode in the second capacitor; And
Driving the driving transistor with voltages of the first and second capacitors to emit light of the organic light-emitting device.
KR1020140182985A 2014-12-18 2014-12-18 Organic light emitting display device and method for driving thereof KR102244932B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140182985A KR102244932B1 (en) 2014-12-18 2014-12-18 Organic light emitting display device and method for driving thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140182985A KR102244932B1 (en) 2014-12-18 2014-12-18 Organic light emitting display device and method for driving thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160074772A KR20160074772A (en) 2016-06-29
KR102244932B1 true KR102244932B1 (en) 2021-04-27

Family

ID=56365387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140182985A KR102244932B1 (en) 2014-12-18 2014-12-18 Organic light emitting display device and method for driving thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102244932B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210132789A (en) 2020-04-27 2021-11-05 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus
CN115762398A (en) 2021-09-03 2023-03-07 乐金显示有限公司 Pixel circuit and display device including the same
CN115909970A (en) * 2021-09-30 2023-04-04 昆山国显光电有限公司 Pixel circuit, driving method thereof and display panel
KR20230161590A (en) 2022-05-18 2023-11-28 삼성디스플레이 주식회사 Light emitting display device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003224437A (en) 2002-01-30 2003-08-08 Sanyo Electric Co Ltd Current drive circuit and display device equipped with the current drive circuit
JP2011112722A (en) 2009-11-24 2011-06-09 Sony Corp Display device, method of driving the same and electronic equipment

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101950844B1 (en) * 2012-12-14 2019-02-22 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device and driving method the same
KR102122517B1 (en) * 2012-12-17 2020-06-12 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003224437A (en) 2002-01-30 2003-08-08 Sanyo Electric Co Ltd Current drive circuit and display device equipped with the current drive circuit
JP2011112722A (en) 2009-11-24 2011-06-09 Sony Corp Display device, method of driving the same and electronic equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160074772A (en) 2016-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6453926B2 (en) Organic light emitting display device and driving method thereof
US9390652B2 (en) Organic light emitting display device and driving method thereof
KR102074718B1 (en) Orglanic light emitting display device
US10354592B2 (en) AMOLED pixel driver circuit
WO2016155053A1 (en) Amoled pixel driving circuit and pixel driving method
WO2016119304A1 (en) Amoled pixel drive circuit and pixel drive method
US20200090583A1 (en) Pixel driving circuit for oled display device and oled display device
WO2016070570A1 (en) Pixel circuit, display substrate and display panel
WO2019037300A1 (en) Amoled pixel drive circuit
KR102104254B1 (en) Organic light emitting display device and method of driving the same
KR20150129931A (en) Organic light emitting diode display and drving method thereof
JP2008176287A (en) Light-emitting display device
KR102090610B1 (en) Organic light emitting display device and method for driving thereof
KR20140080728A (en) Organic light emitting diode display device and driving method the same
KR20160007786A (en) Display device
WO2016119305A1 (en) Amoled pixel drive circuit and pixel drive method
CN110570819B (en) Pixel driving circuit and driving method thereof, array substrate and display device
US10276101B2 (en) Organic light emitting display panel and organic light emitting display device including the same
KR102118926B1 (en) Organic light emitting display device
KR102244932B1 (en) Organic light emitting display device and method for driving thereof
WO2019047385A1 (en) Oled pixel driver circuit and oled display device
JP2020519918A (en) Compensation method, compensation device, and display device for organic electroluminescence display
JP2010066331A (en) Display apparatus
KR20160018946A (en) Organic light emitting diode display and drving method thereof
KR102282934B1 (en) Organic light emitting display device and methdo of driving the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant