KR102120124B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것으로, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 제 1 스위칭 트랜지스터, 제 2 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 및 유기 발광 소자를 가지는 복수의 화소를 포함하는 표시 패널; 레퍼런스 라인을 통해 각 화소에 포함된 구동 트랜지스터와 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 중 어느 한 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성하는 컬럼(column) 구동부; 및 상기 센싱 데이터에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 각각의 하이 전압과 로우 전압 중 적어도 하나를 가변하는 타이밍 제어부를 포함하여 구성될 수 있다.The present invention provides an organic light emitting display device capable of sensing a threshold voltage of a switching transistor included in a pixel. The organic light emitting display device according to the present invention includes a first switching transistor, a second switching transistor, a driving transistor, and A display panel including a plurality of pixels having an organic light emitting element; A column driver configured to sense the threshold voltage of one of the driving transistors and the first and second switching transistors included in each pixel through the reference line to generate sensing data; And a timing control unit that changes at least one of a high voltage and a low voltage of each of the first and second scan pulses based on the sensing data.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 화소에 포함된 트랜지스터의 문턱 전압을 보상할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of compensating for a threshold voltage of a transistor included in a pixel.

최근, 평판 표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치가 상용화되고 있다. 이러한, 평판 표시 장치 중에서 유기 발광 표시 장치는 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Recently, the importance of a flat panel display device has increased with the development of multimedia. In response to this, flat panel display devices such as liquid crystal display devices, plasma display devices, and organic light emitting display devices have been commercialized. Among these flat panel display devices, the organic light emitting display device has attracted attention as a next-generation flat panel display device because it has a high-speed response speed, low power consumption, and has no problem in viewing angle because of its own light emission.

도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a pixel structure of a general organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소(P)는 스위칭 트랜지스터(Tsw), 구동 트랜지스터(Tdr), 커패시터(Cst), 및 유기 발광 소자(OLED)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a pixel P of a typical organic light emitting diode display includes a switching transistor Tsw, a driving transistor Tdr, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED.

상기 스위칭 트랜지스터(Tsw)는 스캔 라인(SL)에 공급되는 스캔 펄스(SP)에 따라 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(Tdr)에 공급한다. 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 스위칭 트랜지스터(Tsw)로부터 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 따라 스위칭되어 구동 전원 라인으로부터 공급되는 구동 전원(EVdd)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 데이터 전류(Ioled)를 제어한다. 상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자와 소스 단자 사이에 접속되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 트랜지스터(Tdr)의 턴-온시킨다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자와 캐소드 라인(EVss) 사이에 전기적으로 접속되어 구동 트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 데이터 전류(Ioled)에 의해 발광한다. 이러한 일반적인 유기 발광 표시 장치의 각 화소(P)는 데이터 전압(Vdata)에 따른 구동 트랜지스터(Tdr)의 스위칭을 이용하여 구동 전원(EVdd)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 데이터 전류(Ioled)의 크기를 제어하여 유기 발광 소자(OLED)를 발광시킴으로써 소정의 영상을 표시하게 된다.The switching transistor Tsw is switched according to the scan pulse SP supplied to the scan line SL to supply the data voltage Vdata supplied to the data line DL to the driving transistor Tdr. The driving transistor Tdr is switched according to the data voltage Vdata supplied from the switching transistor Tsw, and receives the data current Ioled flowing from the driving power EVdd supplied from the driving power line to the organic light emitting diode OLED. Control. The capacitor Cst is connected between the gate terminal and the source terminal of the driving transistor Tdr to store a voltage corresponding to the data voltage Vdata supplied to the gate terminal of the driving transistor Tdr, and the driving transistor is stored at the stored voltage. Turn on (Tdr). The organic light emitting diode OLED is electrically connected between the source terminal of the driving transistor Tdr and the cathode line EVss to emit light by the data current Ioled supplied from the driving transistor Tdr. Each pixel P of the general organic light emitting display device uses a switching of the driving transistor Tdr according to the data voltage Vdata, and the data current Ioled flowing from the driving power supply EVdd to the organic light emitting diode OLED is used. By controlling the size, the organic light emitting device (OLED) emits light to display a predetermined image.

이와 같은, 일반적인 유기 발광 표시 장치에서는 박막 트랜지스터의 제조 공정의 불균일성에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)/이동도(Mobility) 특성이 유기 발광 표시 패널의 위치에 따라 다르게 나타나는 문제점이 있다. 이에 따라, 일반적인 유기 발광 표시 장치에서는 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)에 동일한 데이터 전압(Vdata)을 인가하더라도 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류의 편차로 인해 균일한 화질을 구현할 수 없다는 문제점이 있다.In such a general organic light emitting display device, a threshold voltage (Vth)/mobility characteristic of the driving transistor Tdr is different according to the position of the organic light emitting display panel according to the non-uniformity of the manufacturing process of the thin film transistor. . Accordingly, even in the case of a general organic light emitting display device, even when the same data voltage Vdata is applied to the driving transistor Tdr for each pixel P, it is impossible to implement a uniform image quality due to variations in current flowing through the organic light emitting diode OLED. There is this.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0076215호(이하, "선행기술문헌"이라 함)의 유기전계발광표시장치는 각 화소에 센서 트랜지스터를 추가하고, 스위칭 트랜지스터와 센서 트랜지스터의 스위칭을 이용해 센서 트랜지스터에 연결된 레퍼런스 라인을 통해 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 외부 보상 기술이 개시되어 있다.In order to solve this problem, the organic light emitting display device of Korean Patent Publication No. 10-2012-0076215 (hereinafter referred to as "prior art document") adds a sensor transistor to each pixel, and a switching transistor and a sensor transistor Disclosed is an external compensation technique for compensating the threshold voltage of the driving transistor by sensing the threshold voltage of the driving transistor through a reference line connected to the sensor transistor using switching of.

그러나, 상기 선행기술문헌의 유기 발광 표시 장치에서는 외부 보상 기술을 통해 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 보상할 수 있지만, 장시간 구동에 따른 전압 스트레스(voltage stress)로 인하여 스위칭 트랜지스터와 센서 트랜지스터 각각의 문턱 전압(Vth)/이동도(Mobility) 특성이 변화함에 따라 휘도 저하가 발생되고 이로 인하여 수명이 감소한다는 문제점이 있다. 즉, 상기 선행기술문헌의 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터는 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 역할을 하기 때문에 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압이 변화될 경우 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 원하는 데이터 전압을 공급할 수 없게 된다. 또한, 상기 선행기술문헌의 각 화소에 포함된 센서 트랜지스터는 구동 트랜지스터의 소스 전극의 전압을 초기화시키는 역할을 하기 때문에 센서 트랜지스터의 문턱 전압이 변화될 경우 구동 트랜지스터의 소스 전압을 원하는 레벨로 초기화시킬 수 없게 된다.However, although the threshold voltage of the driving transistor Tdr can be compensated through an external compensation technique in the organic light emitting diode display of the prior art document, the switching transistor and the sensor transistor are each due to voltage stress due to long driving. As the threshold voltage (Vth) / mobility (Mobility) characteristics change, there is a problem that the luminance decreases, thereby reducing the life. That is, since the switching transistor included in the pixel of the prior art document serves to supply the data voltage to the gate electrode of the driving transistor, when the threshold voltage of the switching transistor is changed, the desired data voltage can be supplied to the gate electrode of the driving transistor. There will be no. In addition, since the sensor transistor included in each pixel of the prior art document serves to initialize the voltage of the source electrode of the driving transistor, when the threshold voltage of the sensor transistor is changed, the source voltage of the driving transistor can be initialized to a desired level. There will be no.

도 2a는 선행기술문헌에 있어서, 센서 트랜지스터의 문턱 전압 변화량에 따른 데이터 전압에 대한 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 나타내는 그래프이고, 도 2b는 센서 트랜지스터의 문턱 전압 변화량에 따른 데이터 전압의 편차를 나타내는 그래프이다.2A is a graph showing a current flowing through an organic light emitting device with respect to a data voltage according to a change in threshold voltage of a sensor transistor, and FIG. 2B is a graph showing a deviation of a data voltage according to a change in threshold voltage of a sensor transistor to be.

도 2a 및 도 2b에서 알 수 있듯이, 센서 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)이 정방향으로 변화(positive shift)될 수록 데이터 전압(Vdata1 내지 Vdata9) 각각에 대한 유기 발광 소자에 흐르는 전류가 감소하는 것을 알 수 있다. 또한, 센서 트랜지스터의 문턱 전압(Vth) 변화에 따라 데이터 전압(Vdata1 내지 Vdata9)의 전압 레벨이 높을 수록 데이터 전압의 편차(ㅿVdata)가 높아지는 것을 알 수 있다.2A and 2B, it can be seen that as the threshold voltage Vth of the sensor transistor is positively shifted, the current flowing through the organic light emitting device for each of the data voltages Vdata1 to Vdata9 decreases. have. In addition, it can be seen that the higher the voltage level of the data voltages Vdata1 to Vdata9 is, the higher the deviation (ㅿVdata) of the data voltage is due to the change in the threshold voltage Vth of the sensor transistor.

결과적으로, 선행기술문헌에서는 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth) 편차뿐만 아니라 화소별 센서 트랜지스터의 문턱 전압(Vth) 편차로 의해 화소별 휘도 편차가 발생되고, 이로 인하여 화질이 저하되는 문제점이 있다.As a result, in the prior art literature, a luminance variation for each pixel is generated due to a variation in the threshold voltage (Vth) of the sensor transistor for each pixel as well as a variation in the threshold voltage (Vth) of the driving transistor for each pixel, and thus there is a problem that image quality deteriorates. .

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is a technical problem to provide an organic light emitting display device capable of sensing a threshold voltage of a switching transistor included in a pixel.

또한, 본 발명은 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 보상할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of compensating for a threshold voltage of a switching transistor included in a pixel.

그리고, 본 발명은 화소에 포함된 구동 트랜지스터와 스위칭 트랜지스터 각각의 문턱 전압 편차로 인한 화질 저하를 개선할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.Further, another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of improving image quality degradation due to a threshold voltage variation of each of the driving transistor and the switching transistor included in the pixel.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the technical problems of the present invention mentioned above, other features and advantages of the present invention are described below, or it will be clearly understood by those skilled in the art from the description and description.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 스캔 제어 라인에 공급되는 제 1 스캔 펄스에 따라 데이터 라인에 공급되는 데이터 전압을 출력하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 센싱 제어 라인에 공급되는 제 2 스캔 펄스에 따라 레퍼런스 라인에 공급되는 레퍼런스 전압을 출력하는 제 2 스위칭 트랜지스터, 상기 데이터 전압과 상기 레퍼런스 전압의 차전압에 대응되는 데이터 전류를 출력하는 구동 트랜지스터, 및 상기 데이터 전류에 의해 발광하는 유기 발광 소자를 가지는 복수의 화소를 포함하는 표시 패널; 센싱 모드시, 상기 데이터 전압을 상기 데이터 라인에 공급하고, 상기 레퍼런스 라인을 통해 상기 각 화소에 포함된 상기 구동 트랜지스터와 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 중 어느 한 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성하는 컬럼(column) 구동부; 표시 모드시, 영상 데이터에 대응하는 화소 데이터를 상기 컬럼(column) 구동부에 공급함과 동시에 상기 센싱 데이터에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 각각의 하이 전압과 로우 전압 중 적어도 하나를 가변하기 위한 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성하는 타이밍 제어부; 상기 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터에 기초하여 상기 제 1 스캔 펄스의 제 1 하이 전압과 제 1 로우 전압을 생성함과 동시에 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터에 기초하여 상기 제 2 스캔 펄스의 제 2 하이 전압과 제 2 로우 전압을 생성하는 전압 공급부; 및 상기 제 1 하이 전압과 제 1 로우 전압을 이용하여 상기 제 1 스캔 펄스를 생성해 상기 스캔 제어 라인에 공급함과 동시에 상기 제 2 하이 전압과 제 2 로우 전압을 이용하여 상기 제 2 스캔 펄스를 생성해 상기 센싱 제어 라인에 공급하는 로우(row) 구동부를 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display according to the present invention for achieving the above technical problem is supplied to a first switching transistor and a sensing control line that output a data voltage supplied to a data line according to a first scan pulse supplied to a scan control line A second switching transistor outputting a reference voltage supplied to a reference line according to a second scan pulse, a driving transistor outputting a data current corresponding to a difference voltage between the data voltage and the reference voltage, and emitting light by the data current A display panel including a plurality of pixels having an organic light emitting element; In the sensing mode, the sensing voltage is sensed by supplying the data voltage to the data line and sensing threshold voltages of any one of the driving transistor and the first and second switching transistors included in each pixel through the reference line. Column driving unit for generating a; In the display mode, the pixel data corresponding to the image data is supplied to the column driver, and at least one of the high voltage and the low voltage of each of the first and second scan pulses is variable based on the sensing data. A timing control unit generating first and second scan pulse level data; The first high voltage and the first low voltage of the first scan pulse are generated based on the first scan pulse level data, and the second high voltage of the second scan pulse is based on the second scan pulse level data. And a voltage supply unit generating a second low voltage; And generating the first scan pulse using the first high voltage and the first low voltage and supplying the first scan pulse to the scan control line, and generating the second scan pulse using the second high voltage and the second low voltage. In addition, a row driver may be supplied to the sensing control line.

상기 타이밍 제어부는 상기 센싱 모드시, 상기 구동 트랜지스터와 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 중 어느 한 트랜지스터를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시키기 위한 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성할 수 있다.In the sensing mode, the timing controller generates the first and second scan pulse level data for operating one of the driving transistor and the first and second switching transistors in a source follower mode. Can be.

상기 타이밍 제어부는 상기 표시 패널에 형성된 모든 화소의 센싱 데이터를 기반으로 보상 기준값을 산출하고, 산출된 보상 기준값에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성할 수 있다.The timing control unit may calculate a compensation reference value based on sensing data of all pixels formed on the display panel, and generate the first and second scan pulse level data based on the calculated compensation reference value.

상기 타이밍 제어부는 스캔 펄스 레벨 데이터 생성부를 포함하고, 상기 스캔 펄스 레벨 데이터 생성부는 상기 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 구동 시간을 산출하는 구동 시간 산출부; 및 상기 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 센싱 데이터를 기반으로, 상기 산출된 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 구동 시간에 대응되는 문턱 전압 변화량을 산출하고, 상기 산출된 문턱 전압 변화량에 따라 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성하는 스캔 펄스 레벨 설정부를 포함할 수 있다.The timing control unit includes a scan pulse level data generation unit, and the scan pulse level data generation unit is a driving time calculation unit for calculating a driving time of the first or second switching transistor; And a threshold voltage change amount corresponding to the calculated driving time of the first or second switching transistor based on the sensing data of the first or second switching transistor, and the first threshold voltage change amount. And a scan pulse level setting unit generating second scan pulse level data.

상기 스캔 펄스 레벨 설정부는 상기 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 구동 시간에 대한 상기 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화량을 도출하는 관계식을 이용하거나, 상기 구동 시간에 대한 상기 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화량이 맵핑되어 있는 룩 업 테이블을 이용하여 상기 문턱 전압 변화량을 산출할 수 있다.The scan pulse level setting unit uses a relational expression for deriving a change in threshold voltage of the first or second switching transistor with respect to the driving time of the first or second switching transistor, or the first or second with respect to the driving time The threshold voltage variation may be calculated using a look-up table in which the threshold voltage variation of the switching transistor is mapped.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 스캔 제어 라인에 공급되는 제 1 스캔 펄스에 따라 데이터 라인에 공급되는 데이터 전압을 출력하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 센싱 제어 라인에 공급되는 제 2 스캔 펄스에 따라 레퍼런스 라인에 공급되는 레퍼런스 전압을 출력하는 제 2 스위칭 트랜지스터, 상기 데이터 전압과 상기 레퍼런스 전압의 차전압에 대응되는 데이터 전류를 출력하는 구동 트랜지스터, 및 상기 데이터 전류에 의해 발광하는 유기 발광 소자를 가지는 복수의 화소를 포함하는 표시 패널; 상기 복수의 화소를 센싱 모드 또는 표시 모드로 제어하는 타이밍 제어부; 상기 센싱 모드에 따른 상기 타이밍 제어부의 제어에 응답하여, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터를 선형 구동 모드로 구동시키기 위한 상기 제 1 스캔 펄스를 생성하여 상기 스캔 제어 라인에 공급함과 동시에 상기 제 2 스위칭 트랜지스터를 포화 구동 모드로 구동시키기 위한 상기 제 2 스캔 펄스를 생성하여 상기 센싱 제어 라인에 공급하는 로우(row) 구동부; 및 상기 센싱 모드에 따른 상기 타이밍 제어부의 제어에 응답하여, 센싱용 데이터 전압을 상기 데이터 라인에 공급하고, 상기 레퍼런스 라인을 통해 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성해 상기 타이밍 제어부에 제공하는 컬럼(column) 구동부를 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display according to the present invention for achieving the above technical problem is supplied to a first switching transistor and a sensing control line that output a data voltage supplied to a data line according to a first scan pulse supplied to a scan control line A second switching transistor outputting a reference voltage supplied to a reference line according to a second scan pulse, a driving transistor outputting a data current corresponding to a difference voltage between the data voltage and the reference voltage, and emitting light by the data current A display panel including a plurality of pixels having an organic light emitting element; A timing control unit controlling the plurality of pixels in a sensing mode or a display mode; In response to control of the timing controller according to the sensing mode, the first scan pulse for driving the first switching transistor to be driven in a linear driving mode is generated and supplied to the scan control line, and at the same time, the second switching transistor is saturated. A row driver generating the second scan pulse for driving in a driving mode and supplying the second scan pulse to the sensing control line; And in response to control of the timing controller according to the sensing mode, supply a sensing data voltage to the data line, and sense the threshold voltage of the second switching transistor through the reference line to generate sensing data. It may include a column driver provided to the control unit.

상기 타이밍 제어부는 상기 제 2 스캔 펄스의 하이 전압에서 상기 센싱 데이터에 대응되는 전압을 감산 연산하여 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 산출하고, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 상기 제 2 스캔 펄스의 전압 레벨을 가변할 수 있다.The timing controller calculates a threshold voltage of the second switching transistor by subtracting and calculating a voltage corresponding to the sensing data from a high voltage of the second scan pulse, and based on the threshold voltage of the second switching transistor. The voltage level of the scan pulse can be varied.

상기 컬럼(column) 구동부는 상기 센싱 모드에 따른 상기 타이밍 제어부의 제어에 응답하여, 센싱용 데이터 전압을 상기 데이터 라인에 공급하고, 상기 레퍼런스 라인을 통해 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성해 상기 타이밍 제어부에 추가로 제공할 수 있다.The column driver responds to the control of the timing controller according to the sensing mode, supplies a sensing data voltage to the data line, and senses threshold data by sensing a threshold voltage of the driving transistor through the reference line. It can be generated and additionally provided to the timing controller.

상기 타이밍 제어부는, 표시 모드시, 상기 센싱 모드에 의해 센싱된 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압과 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 기반으로 입력 데이터를 보정하여 화소 데이터를 생성하고, 상기 컬럼(column) 구동부는 상기 표시 모드에 따른 상기 타이밍 제어부의 제어에 응답하여 상기 화소 데이터를 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인에 공급할 수 있다.In the display mode, the timing control unit corrects input data based on a threshold voltage of the driving transistor sensed by the sensing mode and a threshold voltage of the second switching transistor to generate pixel data, and generates the column data. The driver may convert the pixel data into a data voltage in response to control of the timing controller according to the display mode and supply the data to the data line.

상기 타이밍 제어부는 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 기반으로 영상 데이터를 1차 보정하여 보정 데이터를 생성하고, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압과 상기 보정 데이터를 기반으로 상기 보정 데이터를 2차 보정하여 상기 화소 데이터를 생성할 수 있다.The timing control unit firstly corrects image data based on a threshold voltage of the driving transistor to generate correction data, and secondly corrects the correction data based on the threshold voltage of the second switching transistor and the correction data to perform the correction. Pixel data can be generated.

상기 타이밍 제어부는 룩 업 테이블에서 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압과 상기 보정 데이터에 해당되는 2차 방정식의 계수를 추출하고, 추출된 2차 방정식의 계수와 상기 보정 데이터를 이용한 2차 방정식의 연산을 통해 상기 보정 데이터를 2차 보정해 상기 화소 데이터를 생성하고, 상기 룩 업 테이블에는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압마다 상기 보정 데이터 별로 미리 설정된 상기 2차 방정식의 2차 변수의 계수, 1차 변수의 계수, 0차 변수의 계수가 맵핑될 수 있다.The timing controller extracts a threshold voltage of the second switching transistor and a coefficient of a quadratic equation corresponding to the correction data from a look-up table, and calculates a quadratic equation using the extracted coefficient of the quadratic equation and the correction data The correction data is second-corrected to generate the pixel data, and the look-up table includes a first order coefficient and a second coefficient of the second variable of the second equation set for each correction data for each threshold voltage of the second switching transistor. The coefficient of the variable and the coefficient of the 0th order variable may be mapped.

상기 타이밍 제어부는 룩 업 테이블에서 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압과 상기 보정 데이터에 해당되는 특성 보상값을 추출하고, 추출된 특성 보상값을 이용하여 상기 보정 데이터를 2차 보정해 상기 화소 데이터를 생성하고, 상기 룩 업 테이블에는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압마다 상기 보정 데이터 별로 미리 설정된 상기 특성 보상값이 맵핑될 수 있다.The timing control unit extracts a threshold voltage of the second switching transistor and a characteristic compensation value corresponding to the correction data from a look-up table, and performs the second correction on the correction data using the extracted characteristic compensation value to obtain the pixel data. The characteristic compensation value preset for each correction data may be mapped to each threshold voltage of the second switching transistor in the look-up table.

상기 스캔 제어 라인과 상기 센싱 제어 라인은 전기적으로 서로 연결되고, 서로 연결된 상기 스캔 제어 라인과 상기 센싱 제어 라인에는 상기 제 1 스캔 펄스 또는 상기 제 2 스캔 펄스가 공급될 수 있다.The scan control line and the sensing control line are electrically connected to each other, and the first scan pulse or the second scan pulse may be supplied to the scan control line and the sensing control line connected to each other.

상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.According to the solution means of the said subject, this invention has the following effects.

첫째, 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터에 서로 다른 스캔 펄스를 공급함으로써 각 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱할 수 있다.First, the threshold voltage of the switching transistor included in each pixel may be sensed by supplying different scan pulses to the switching transistor included in the pixel.

둘째, 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하고, 센싱된 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 각 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터에 공급되는 스캔 펄스의 전압 레벨을 가변함으로써 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하고, 이를 통해 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화로 인한 휘도 저하를 방지하고, 수명을 연장시킬 수 있다.Second, the threshold voltage of the driving transistor for each pixel is sensed, and the threshold voltage of the switching transistor is compensated by varying the voltage level of the scan pulse supplied to the switching transistor included in each pixel based on the sensed threshold voltage of the driving transistor, Through this, it is possible to prevent a decrease in luminance due to a change in the threshold voltage of the switching transistor and to extend the life.

셋째, 화소별 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하고, 센싱된 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압에 기초한 스위칭 트랜지스터의 구동 시간에 따른 문턱 전압 변화량에 따라 스위칭 트랜지스터에 공급되는 스캔 펄스의 전압 레벨을 가변함으로써 스위칭 트랜지스터의 전압 스트레스를 줄여 수명을 연장시킬 수 있다.Third, the threshold voltage of the switching transistor for each pixel is sensed, and the voltage level of the scan pulse supplied to the switching transistor is varied according to the threshold voltage variation according to the driving time of the switching transistor based on the sensed threshold voltage of the switching transistor. The voltage stress can be reduced to extend the life.

넷째, 화소별 구동 트랜지스터와 제 2 스위칭 트랜지스터 각각의 문턱 전압을 센싱하고, 센싱된 구동 트랜지스터와 제 2 스위칭 트랜지스터 각각의 문턱 전압에 기초하여 데이터 전압을 보정함으로써 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차뿐만 아니라 화소별 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 편차로 의해 화소별 휘도 편차를 최소화할 수 있고, 이를 통해 화질을 향상시킬 수 있다.Fourth, the threshold voltages of the driving transistors and the second switching transistors for each pixel are sensed, and the data voltages are corrected based on the threshold voltages of the sensed driving transistors and the second switching transistors. Due to the threshold voltage variation of the second switching transistor for each pixel, luminance variation for each pixel may be minimized, thereby improving image quality.

도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.
도 2a는 선행기술문헌에 있어서, 센서 트랜지스터의 문턱 전압 변화량에 따른 데이터 전압에 대한 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 나타내는 그래프이다.
도 2b는 선행기술문헌에 있어서, 센서 트랜지스터의 문턱 전압 변화량에 따른 데이터 전압의 편차를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 각 화소의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 도 2에 도시된 컬럼(column) 구동부를 설명하기 위한 블록도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 센싱 모드시 구동 파형도이다.
도 8은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 표시 모드시 구동 파형도이다.
도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 스캔 펄스의 하이 전압과 로우 전압의 가변을 설명하기 위한 그래프들이다.
도 10은 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 센싱 모드시 구동 파형도이다.
도 12는 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 센싱 모드시 구동 파형도이다.
도 14는 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 변형 예에 있어서, 센싱 모드시 구동 파형도이다.
도 15는 본 발명의 제 2 또는 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서, 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성하기 위한 타이밍 제어부의 일 예를 설명하기 위한 블록도이다.
도 16은 본 발명의 제 2 또는 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서, 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성하기 위한 타이밍 제어부의 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다.
도 17은 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 타이밍 제어부를 설명하기 위한 블록도이다.
도 18은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 19는 본 발명의 제 2 또는 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 20은 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 21a는 본 발명에 따른 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 맵(map) 및 문턱 전압 크기의 히스토그램을 나타내는 도면이다.
도 21b는 본 발명에 따른 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 맵(map) 및 문턱 전압 크기의 히스토그램을 나타내는 도면이다.
도 22는 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화량에 따른 데이터 전압의 편차를 나타내는 그래프이다.
1 is a circuit diagram illustrating a pixel structure of a general organic light emitting display device.
2A is a graph showing a current flowing through an organic light emitting device with respect to a data voltage according to a threshold voltage change amount of a sensor transistor in a prior art document.
2B is a graph showing variations in data voltage according to a threshold voltage change amount of a sensor transistor in a prior art document.
3 is a view for explaining an organic light emitting display device according to a first example of the present invention.
4 is a diagram schematically showing the structure of each pixel illustrated in FIG. 3.
FIG. 5 is a block diagram illustrating a column driver shown in FIG. 2.
6 is a diagram schematically showing an organic light emitting display device according to a first example of the present invention.
7 is a driving waveform diagram in a sensing mode in the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention.
8 is a driving waveform diagram in a display mode in an organic light emitting diode display according to a first example of the present invention.
9A to 9D are graphs for explaining a variation of a high voltage and a low voltage of a scan pulse in the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention.
10 is a diagram schematically showing an organic light emitting display device according to a second example of the present invention.
11 is a driving waveform diagram in a sensing mode in the organic light emitting diode display according to the second example of the present invention.
12 is a diagram schematically showing an organic light emitting display device according to a third example of the present invention.
13 is a driving waveform diagram in a sensing mode in an organic light emitting diode display according to a third example of the present invention.
14 is a driving waveform diagram in a sensing mode in a modified example of the organic light emitting diode display according to the third example of the present invention.
15 is a block diagram illustrating an example of a timing controller for generating scan pulse level data in the organic light emitting diode display according to the second or third example of the present invention.
16 is a block diagram illustrating another example of a timing control unit for generating scan pulse level data in the organic light emitting diode display according to the second or third example of the present invention.
17 is a block diagram illustrating a timing control unit of an organic light emitting diode display according to a fourth example of the present invention.
18 is a flowchart illustrating a method of driving an organic light emitting diode display according to a first example of the present invention.
19 is a flowchart illustrating a method of driving an organic light emitting display device according to a second or third example of the present invention.
20 is a flowchart illustrating a method of driving an organic light emitting display device according to a fourth example of the present invention.
21A is a diagram illustrating a histogram of a threshold voltage map and a threshold voltage level of a driving transistor for each pixel sensed by a sensing mode according to the present invention.
21B is a diagram illustrating a histogram of a threshold voltage map and a threshold voltage level of the second switching transistor for each pixel sensed by the sensing mode according to the present invention.
22 is a graph showing variations in data voltage according to a threshold voltage change amount of the second switching transistor in the organic light emitting diode display according to the fourth example of the present invention.

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. The meaning of the terms described in this specification should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that a singular expression includes a plurality of expressions unless the context clearly defines otherwise, and the terms "first", "second", etc. are intended to distinguish one component from another component, The scope of rights should not be limited by these terms. It should be understood that terms such as “include” or “have” do not preclude the existence or addition possibility of one or more other features or numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof. It should be understood that the term “at least one” includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item, and the third item" means 2 of the first item, second item, or third item, as well as the first item, second item, and third item, respectively Any combination of items that can be presented from more than one dog.

이하, 첨부되는 도면을 참고하여 본 발명의 실시 예들에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display device and a driving method thereof according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 각 화소의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.3 is a diagram for describing an organic light emitting diode display according to a first example of the present invention, and FIG. 4 is a diagram schematically showing a structure of each pixel illustrated in FIG. 3.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널(110), 타이밍 제어부(120), 전압 공급부(130), 로우(row) 구동부(140), 및 컬럼(column) 구동부(150)를 포함하여 구성된다.3 and 4, an organic light emitting display device according to a first example of the present invention includes a display panel 110, a timing control unit 120, a voltage supply unit 130, a row driver 140, and It includes a column (column) driving unit 150.

상기 표시 패널(110)은 제 1 내지 제 m(단, m은 자연수) 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm), 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm), 제 1 내지 제 n(단, n은 m보다 큰 자연수) 데이터 라인(DL1 내지 DLn), 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn), 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn), 캐소드 전극(미도시), 및 복수의 화소(P)를 포함한다.The display panel 110 includes first to m (but m is a natural number) scan control lines SL1 to SLm, first to m sensing control lines SSL1 to SSLm, and first to nth (however, n is a natural number greater than m) data lines DL1 to DLn, first to nth reference lines RL1 to RLn, first to nth driving power supply lines PL1 to PLn, cathode electrodes (not shown), and It includes a plurality of pixels (P).

상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각은 상기 표시 패널(110)의 제 1 방향, 즉 가로 방향을 따라 일정한 간격으로 나란하게 형성된다.Each of the first to mth scan control lines SL1 to SLm is formed side by side at regular intervals along a first direction of the display panel 110, that is, a horizontal direction.

상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm) 각각은 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하게 일정한 간격으로 형성된다.Each of the first to mth sensing control lines SSL1 to SSLm is formed at regular intervals in parallel with each of the scan control lines SL1 to SLm.

상기 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)은 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 및 센싱 제어 라인들(SSL1 내지 SSLm) 각각과 교차하도록 상기 표시 패널(110)의 제 2 방향, 즉 세로 방향을 따라 일정한 간격으로 나란하게 형성된다.The first to nth data lines DL1 to DLn cross the scan control lines SL1 to SLm and the sensing control lines SSL1 to SSLm, respectively, in the second direction of the display panel 110, that is, It is formed side by side at regular intervals along the longitudinal direction.

상기 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각은 상기 데이터 라인들L1 내지 DLn) 각각과 나란하게 일정한 간격으로 형성된다.Each of the first to n-th reference lines RL1 to RLn is formed at regular intervals in parallel with each of the data lines L1 to DLn.

상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 각각과 나란하게 일정한 간격으로 형성된다. 이러한 상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 표시 패널(110)의 상측 및/또는 하측 비표시 영역에 형성된 구동 전원 공통 라인(CPL)에 공통적으로 연결될 수 있다. 선택적으로, 상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하게 일정한 간격으로 형성될 수도 있으며, 이 경우, 상기 구동 전원 공통 라인(CPL)은 상기 표시 패널(110)의 좌측 및/또는 우측 비표시 영역에 형성될 수 있다.Each of the first to nth driving power lines PL1 to PLn is formed at regular intervals in parallel with each of the data lines DL1 to DLn. Each of the first to nth driving power lines PL1 to PLn may be commonly connected to a driving power common line CPL formed in upper and/or lower non-display areas of the display panel 110. Optionally, each of the first to nth driving power lines PL1 to PLn may be formed at regular intervals parallel to each of the scan control lines SL1 to SLm, in which case the driving power common line ( CPL) may be formed on the left and/or right non-display areas of the display panel 110.

상기 캐소드 전극은 상기 표시 패널(110)의 전면(全面)에 통자로 형성되거나 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 또는 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하게 라인 형태로 형성될 수도 있다.The cathode electrode may be formed in a passage on the entire surface of the display panel 110 or may be formed in a line shape parallel to each of the data lines DL1 to DLn or the scan control lines SL1 to SLm. have.

상기 복수의 서브 화소(P) 각각은 서로 교차하는 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각과 상기 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn) 각각에 의해 정의되는 화소 영역마다 형성된다. 여기서, 복수의 서브 화소(P) 각각은 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소, 및 백색 서브 화소 중 어느 하나일 수 있다. 하나의 영상을 표시하는 하나의 단위 화소는 인접한 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소, 및 백색 서브 화소를 포함하거나, 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있다.Each of the plurality of sub-pixels P for each pixel area defined by each of the first to mth scan control lines SL1 to SLm and each of the first to nth data lines DL1 to DLn intersecting each other. Is formed. Here, each of the plurality of sub-pixels P may be any one of a red sub-pixel, a green sub-pixel, a blue sub-pixel, and a white sub-pixel. One unit pixel displaying one image may include adjacent red sub-pixels, green sub-pixels, blue sub-pixels, and white sub-pixels, or may include red, green, and blue pixels.

상기 복수의 화소(P) 각각은 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1), 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2), 구동 트랜지스터(Tdr), 커패시터(Cst), 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 여기서, 트랜지스터(Tsw1, Tsw2, Tdr)는 박막 트랜지스터(TFT)로서 a-Si TFT, poly-Si TFT, Oxide TFT, 또는 Organic TFT 등이 될 수 있다.Each of the plurality of pixels P may include a first switching transistor Tsw1, a second switching transistor Tsw2, a driving transistor Tdr, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. Here, the transistors Tsw1, Tsw2, and Tdr may be a-Si TFT, poly-Si TFT, oxide TFT, or organic TFT as a thin film transistor (TFT).

상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 출력한다. 이를 위해, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 인접한 스캔 제어 라인(SCL)에 연결된 게이트 전극, 인접한 데이터 라인(DL)에 연결된 제 1 전극, 및 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극인 제 1 노드(n1)에 연결된 제 2 전극을 포함한다. 여기서, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 제 1 및 제 2 전극은 전류의 방향에 따라 소스 전극 또는 드레인 전극이 될 수 있다.The first switching transistor Tsw1 is switched by the first scan pulse SP1 to output a data voltage Vdata supplied to the data line DL. To this end, the first switching transistor Tsw1 is a gate electrode connected to an adjacent scan control line SCL, a first electrode connected to an adjacent data line DL, and a first node that is a gate electrode of the driving transistor Tdr. and a second electrode connected to (n1). Here, the first and second electrodes of the first switching transistor Tsw1 may be a source electrode or a drain electrode according to the direction of the current.

상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)는 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 스위칭되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 전압(Vref or Vpre)을 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제 2 노드(n2)에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)는 인접한 센싱 제어 라인(SSL)에 연결된 게이트 전극, 인접한 레퍼런스 라인(RL)에 연결된 제 1 전극, 및 제 2 노드(n2)에 연결된 제 2 전극을 포함한다. 여기서, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 제 1 및 제 2 전극은 전류의 방향에 따라 소스 전극 또는 드레인 전극이 될 수 있다.The second switching transistor Tsw2 is switched by the second scan pulse SP2 to supply a voltage Vref or Vpre supplied to the reference line RL as a second node n2 that is a source electrode of the driving transistor Tdr. To supply. To this end, the second switching transistor Tsw2 includes a gate electrode connected to an adjacent sensing control line SSL, a first electrode connected to an adjacent reference line RL, and a second electrode connected to a second node n2. do. Here, the first and second electrodes of the second switching transistor Tsw2 may be a source electrode or a drain electrode according to the direction of the current.

상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이, 즉 제 1 및 제 2 노드(n1, n2) 사이에 접속되는 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 상기 커패시터(Cst)의 제 1 전극은 상기 제 1 노드(n1)에 연결되고, 상기 커패시터(Cst)의 제 2 전극은 상기 제 2 노드(n2)에 연결된다. 이러한 상기 커패시터(Cst)는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 스위칭에 따라 제 1 및 제 2 노드(n1, n2) 각각에 공급되는 전압의 차 전압을 충전한 후, 충전된 전압에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)를 스위칭시킨다.The capacitor Cst includes first and second electrodes connected between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor Tdr, that is, between the first and second nodes n1 and n2. The first electrode of the capacitor Cst is connected to the first node n1, and the second electrode of the capacitor Cst is connected to the second node n2. The capacitor Cst charges after charging the difference voltage of the voltage supplied to each of the first and second nodes n1 and n2 according to the switching of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2, respectively. The driving transistor Tdr is switched according to the voltage applied.

상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 커패시터(Cst)의 전압에 의해 턴-온됨으로써 구동 전압 라인(PL)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 전류 량을 제어한다. 이를 위해, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 제 1 노드(n1)에 연결된 게이트 전극, 상기 제 2 노드(n2)에 연결된 소스 전극, 및 구동 전압 라인(PL)에 연결된 드레인 전극을 포함한다.The driving transistor Tdr is turned on by the voltage of the capacitor Cst to control the amount of current flowing from the driving voltage line PL to the organic light emitting diode OLED. To this end, the driving transistor Tdr includes a gate electrode connected to the first node n1, a source electrode connected to the second node n2, and a drain electrode connected to the driving voltage line PL.

상기 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 데이터 전류(Ioled)에 의해 발광하여 데이터 전류(Ioled)에 대응되는 휘도를 갖는 단색 광을 방출한다. 이를 위해, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 제 2 노드(n2)에 연결된 제 1 전극(예를 들어, 애노드 전극), 제 1 전극 상에 형성된 유기층(미도시), 및 유기층에 연결된 제 2 전극(예를 들어, 캐소드 전극)을 포함한다. 이때, 유기층은 정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층의 구조 또는 정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가지도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 유기층은 유기 발광층의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 기능층을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제 2 전극은 복수의 화소(P) 각각에 개별적으로 연결되거나, 복수의 화소(P)에 공통적으로 연결될 수 있으며, 이러한 상기 제 2 전극에는 저전위 전원(EVss)이 공급된다.The organic light emitting diode OLED emits light by the data current Ioled supplied from the driving transistor Tdr to emit monochromatic light having luminance corresponding to the data current Ioled. To this end, the organic light emitting device (OLED) is a first electrode (for example, an anode electrode) connected to the second node (n2), an organic layer (not shown) formed on the first electrode, and a second connected to the organic layer Electrodes (eg, cathode electrodes). At this time, the organic layer may be formed to have a structure of a hole transport layer/organic light emitting layer/electron transport layer or a structure of a hole injection layer/hole transport layer/organic light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer. Furthermore, the organic layer may further include a functional layer for improving light emission efficiency and/or lifespan of the organic light emitting layer. In addition, the second electrode may be individually connected to each of the plurality of pixels P, or may be commonly connected to the plurality of pixels P, and low-potential power sources EVss are supplied to the second electrode.

상기 타이밍 제어부(120)는 사용자의 설정 또는 설정된 주기마다 화소(P)별 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)와 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2) 및 구동 트랜지스터(Tdr) 중 어느 하나의 문턱 전압(또는 이동도)을 센싱하기 위한 센싱 모드에 따라 상기 로우(row) 구동부(140)와 상기 컬럼(column) 구동부(150)를 센싱 모드로 동작시킨다. 또한, 상기 타이밍 제어부(120)는 상기 표시 패널(110)에 영상을 표시하기 위한 표시 구간에서는 상기 로우(row) 구동부(140)와 상기 컬럼(column) 구동부(150)를 표시 모드로 동작시킨다. 그리고, 상기 타이밍 제어부(120)는 상기 표시 모드 또는 상기 센싱 모드에 따라 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이(high) 전압(VGH1, VGH2)과 로우(low) 전압(VGL1, VGL2) 각각의 전압 레벨을 설정하기 위한 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성한다.The timing control unit 120 may have a threshold voltage (or mobility) of one of the first switching transistor Tsw1, the second switching transistor Tsw2, and the driving transistor Tdr for each pixel P at a user's setting or set period. ), the row driver 140 and the column driver 150 are operated in a sensing mode according to a sensing mode for sensing. In addition, the timing control unit 120 operates the row driving unit 140 and the column driving unit 150 in a display mode in a display section for displaying an image on the display panel 110. In addition, the timing control unit 120 has high voltages VGH1 and VGH2 and low voltages VGL1 of the first and second scan pulses SP1 and SP2 according to the display mode or the sensing mode. , VGL2) generate first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 for setting each voltage level.

상기 센싱 모드에 있어서, 상기 타이밍 제어부(120)는 센싱 모드에 따라 해당 트랜지스터를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 해당 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2)를 생성함과 아울러 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 각각의 전압 레벨을 설정하는 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성한다. 예를 들어, 제 1 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 센싱 모드에 기초하여 표시 패널(110)의 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2)를 생성함과 아울러 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성한다. 제 2 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 센싱 모드에 기초하여 표시 패널(110)의 화소(P)별 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2)를 생성함과 아울러 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성한다. 제 3 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 센싱 모드에 기초하여 표시 패널(110)의 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2)를 생성함과 아울러 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성한다. 제 4 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 센싱 모드에 기초하여 표시 패널(110)의 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)와 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2) 각각의 문턱 전압을 순차적으로 센싱하기 위한 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2)를 생성함과 아울러 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성한다.In the sensing mode, the timing control unit 120 operates the corresponding transistor in a source follower mode according to the sensing mode, thereby controlling pixel data DATA and a control signal for sensing a threshold voltage of the corresponding transistor Tdr. A first for generating (DCS, RCS1, RCS2) and setting the voltage levels of the high voltages (VGH1, VGH2) and low voltages (VGL1, VGL2) of the first and second scan pulses (SP1, SP2). And second scan pulse level data SPLD1, SPLD2. For example, the timing controller 120 according to the first example controls and controls pixel data DATA for sensing the threshold voltage of the driving transistor Tdr for each pixel P of the display panel 110 based on the sensing mode. In addition to generating the signals DCS, RCS1 and RCS2, first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 are generated. The timing controller 120 according to the second example may include pixel data DATA and control signals for sensing the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 for each pixel P of the display panel 110 based on the sensing mode. DCS, RCS1, RCS2) are generated, and first and second scan pulse level data SPLD1, SPLD2 are generated. The timing controller 120 according to the third example may include pixel data DATA and control signals for sensing the threshold voltage of the second switching transistor Tsw2 for each pixel P of the display panel 110 based on the sensing mode. DCS, RCS1, RCS2) are generated, and first and second scan pulse level data SPLD1, SPLD2 are generated. The timing controller 120 according to the fourth example is configured to sequentially sense threshold voltages of the driving transistors Tdr and the second switching transistors Tsw2 for each pixel P of the display panel 110 based on the sensing mode. The pixel data DATA and the control signals DCS, RCS1 and RCS2 are generated, and the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 are generated.

상기 표시 모드에 있어서, 제 1 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 외부의 구동 시스템(또는 그래픽 카드)으로부터 입력되는 영상 데이터(Idata)를 상기 표시 패널(110)의 구동에 알맞도록 정렬하여 화소 데이터(DATA)를 생성하고, 생성된 화소 데이터(DATA)를 상기 컬럼(column) 구동부(150)에 제공하며, 외부의 구동 시스템(또는 그래픽 카드)으로부터 입력되는 타이밍 동기 신호(TSS)에 기초하여 상기 로우(row) 구동부(140)와 상기 컬럼(column) 구동부(150) 각각을 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)와 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성한다. 이와 동시에, 제 1 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 표시 패널(110)의 적어도 하나의 수평 라인을 포함하는 수평 라인 그룹에 포함된 화소(P)의 센싱 데이터들(Sdata) 또는 표시 패널(110)에 형성된 모든 화소(P)의 센싱 데이터들(Sdata)을 기반으로 최대 값, 최소 값, 평균 값, 상위 값들의 평균 값, 하위 값들의 평균 값 중 어느 하나를 보상 기준값으로 산출하고, 산출된 보상 기준값에 기초하여, 한 프레임마다 또는 적어도 한 수평 라인마다, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 중 적어도 하나의 전압 레벨을 가변하기 위한 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성할 수 있다.In the display mode, the timing control unit 120 according to the first example arranges image data Idata input from an external driving system (or graphics card) to match the driving of the display panel 110, thereby pixel data. (DATA) is generated, the generated pixel data (DATA) is provided to the column driver 150, and based on a timing synchronization signal (TSS) input from an external drive system (or graphics card). Data control signals DCS and first and second row control signals RCS1 and RCS2 are generated to control each of the row driver 140 and the column driver 150. At the same time, the timing controller 120 according to the first example may sense data Sdata or display panel 110 of a pixel P included in a horizontal line group including at least one horizontal line of the display panel 110. Based on the sensing data Sdata of all the pixels P formed in ), one of the maximum value, the minimum value, the average value, the average value of the upper values, and the average value of the lower values is calculated as a compensation reference value, and calculated. Based on the compensation reference value, at least one of the high voltages VGH1 and VGH2 and the low voltages VGL1 and VGL2 of the first and second scan pulses SP1 and SP2 every frame or at least one horizontal line. First and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 for varying levels may be generated.

상기 표시 모드에 있어서, 제 2 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 상기 센싱 모드에 의해 센싱된 화소(P)별 센싱 데이터(Sdata)에 기초하여 화소(P)별 보상 데이터를 생성하고, 상기 보상 데이터에 따라 상기 화소 데이터(DATA)를 보정하여 상기 컬럼(column) 구동부(150)에 제공하며, 상기 데이터 제어 신호(DCS)와 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성함과 동시에 상기 보상 기준값에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 중 적어도 하나의 전압 레벨을 가변하기 위한 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성할 수 있다.In the display mode, the timing controller 120 according to the second example generates compensation data for each pixel P based on sensing data Sdata for each pixel P sensed by the sensing mode, and compensates the compensation. The pixel data DATA is corrected according to data and provided to the column driver 150, and the data control signal DCS and the first and second row control signals RCS1 and RCS2 are generated. At the same time, based on the compensation reference value, the first and the first and second voltage levels for varying at least one of the high voltages VGH1 and VGH2 and the low voltages VGL1 and VGL2 of the first and second scan pulses SP1 and SP2. 2 scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 may be generated.

상기 표시 모드에 있어서, 제 3 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 상기 보상 데이터가 반영되거나 반영되지 않은 상기 화소 데이터(DATA)를 상기 컬럼(column) 구동부(150)에 제공하며, 상기 보상 기준값에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 중 적어도 하나의 전압 레벨을 가변하기 위한 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성할 수 있다.In the display mode, the timing controller 120 according to the third example provides the pixel data DATA to which the compensation data is reflected or not, to the column driver 150, and to the compensation reference value. First and second scan pulse level data for varying the voltage level of at least one of the high voltages VGH1 and VGH2 and the low voltages VGL1 and VGL2 of the first and second scan pulses SP1 and SP2 based on the (SPLD1, SPLD2) can be generated.

상기 표시 모드에 있어서, 제 4 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 상기 센싱 모드에 의해 센싱된 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 센싱 데이터(Sdata)를 기반으로 마련되어 있는 구동 시간에 대한 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 계산하는 관계식 또는 구동 시간에 대한 특성 보상값가 맵핑된 룩 업 테이블을 이용하여 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간에 따라 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 중 적어도 하나의 전압 레벨을 가변하기 위한 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성할 수 있다.In the display mode, the timing control unit 120 according to the fourth example is driven based on sensing data Sdata of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 sensed by the sensing mode. According to the driving time of the first and/or second switching transistors Tsw1, Tsw2 using a relational expression for calculating a change in the threshold voltage of the switching transistor over time or a look-up table to which a characteristic compensation value for the driving time is mapped First and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 for varying the voltage level of at least one of the high voltages VGH1 and VGH2 of the first and second scan pulses SP1 and SP2 and the low voltages VGL1 and VGL2. ).

상기 표시 모드에 있어서, 제 5 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 상기 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 센싱 데이터(Sdata)를 기반으로 화소별 특성 보상값을 산출하고, 산출된 화소별 특성 보상값을 화소별 영상 데이터(Idata)에 반영하여 화소별 보정 데이터(DATA)를 생성해 상기 컬럼(column) 구동부(150)에 제공하며, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 각각을 기준 전압 레벨로 설정하기 위한 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성할 수 있다.In the display mode, the timing controller 120 according to the fifth example calculates and calculates a characteristic compensation value for each pixel based on the sensing data Sdata of the driving transistor Tdr for each pixel sensed by the sensing mode. The pixel-specific characteristic compensation value is reflected in the pixel-specific image data (Idata) to generate pixel-specific correction data (DATA) and provides it to the column driver 150, and the first and second scan pulses SP1 , First and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 for setting the high voltages VGH1 and VGH2 of SP2 and the low voltages VGL1 and VGL2 as reference voltage levels, respectively.

상기 전압 공급부(130)는 상기 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1)에 기초하여 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)의 제 1 하이 전압(VGH1) 및 제 1 로우 전압(VGL1) 각각을 개별적으로 생성함과 동시에 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD2)에 기초하여 상기 제 2 스캔 펄스(SP2)의 제 2 하이 전압(VGH2) 및 제 2 로우 전압(VGL2) 각각을 개별적으로 생성한다. 일 예에 따른 전압 공급부(130)는 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각을 디지털-아날로그 변환하여 상기 제 1 하이 전압(VGH1), 상기 제 1 로우 전압(VGL1), 상기 제 2 하이 전압(VGH2), 및 상기 제 2 로우 전압(VGL2) 각각을 개별적으로 생성하는 4개의 프로그래머블(programmable) 전압 생성기(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다. 다른 예에 따른 전압 공급부(130)는 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각에 기초하여 펄스 폭 변조 신호를 생성하는 펄스 폭 변조부(미도시), 및 펄스 폭 변조 신호에 따라 입력 전원(Vin)으로부터 상기 제 1 하이 전압(VGH1), 상기 제 1 로우 전압(VGL1), 상기 제 2 하이 전압(VGH2), 및 상기 제 2 로우 전압(VGL2) 각각을 개별적으로 생성하는 4개의 직류-직류 변환부(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다.The voltage supply unit 130 separately generates each of the first high voltage VGH1 and the first low voltage VGL1 of the first scan pulse SP1 based on the first scan pulse level data SPLD1. At the same time, each of the second high voltage VGH2 and the second low voltage VGL2 of the second scan pulse SP2 is individually generated based on the second scan pulse level data SPLD2. The voltage supply unit 130 according to an example converts each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 into digital-analog and converts the first high voltage VGH1 and the first low voltage VGL1, The second high voltage VGH2 and the fourth low voltage VGL2 may include four programmable voltage generators (not shown) that individually generate each. The voltage supply unit 130 according to another example includes a pulse width modulator (not shown) that generates a pulse width modulated signal based on each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2, and a pulse width modulated signal The first high voltage VGH1, the first low voltage VGL1, the second high voltage VGH2, and the second low voltage VGL2, respectively, are individually generated from the input power source Vin. It may include four DC-DC converters (not shown).

상기 표시 모드에 있어서, 제 1 예에 따른 전압 공급부(130)는 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 상기 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1)에 기초하여 기준 하이 전압 레벨의 제 1 하이 전압(VGH1)과 기준 로우 전압 레벨의 제 1 로우 전압(VGL1)을 각각 생성함과 동시에 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD2)에 기초하여 기준 하이 전압 레벨의 제 2 하이 전압(VGH2)과 기준 로우 전압 레벨의 제 2 로우 전압(VGL2)을 각각 생성하여 상기 로우(row) 구동부(140)에 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 타이밍 제어부(120)는 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성하지 않을 수 있으며, 이에 따라, 상기 전압 공급부(130)는 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 없이 상기 설정된 기준 하이 전압 레벨의 제 1 및 제 2 하이 전압(VGH1, VGH2)과 기준 로우 전압 레벨의 제 1 및 제 2 로우 전압(VGL1, VGL2)을 각각 생성하여 상기 로우(row) 구동부(140)에 제공할 수 있다.In the display mode, the voltage supply unit 130 according to the first example is the first high voltage VGH1 of the reference high voltage level based on the first scan pulse level data SPLD1 supplied from the timing control unit 120. ) And the first low voltage VGL1 of the reference low voltage level, respectively, and the second high voltage VGH2 and the reference low voltage level of the reference high voltage level based on the second scan pulse level data SPLD2. Each of the second row voltages VGL2 may be generated and provided to the row driver 140. In this case, the timing control unit 120 may not generate the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2, and accordingly, the voltage supply unit 130 may first and second scan pulse levels The first and second high voltages VGH1 and VGH2 of the set reference high voltage level and the first and second low voltages VGL1 and VGL2 of the reference low voltage level are generated, respectively, without data SPLD1 and SPLD2 to generate the low. (row) can be provided to the driving unit 140.

상기 표시 모드에 있어서, 제 2 예에 따른 전압 공급부(130)는 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 상기 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1)에 기초하여 상기 기준 하이 전압 레벨의 제 1 하이 전압(VGH1)과 기준 로우 전압 레벨의 제 1 로우 전압(VGL1) 중 적어도 하나의 전압 레벨을 가변하여 상기 로우(row) 구동부(140)에 제공함과 동시에 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD2)에 기초하여 상기 기준 하이 전압 레벨의 제 2 하이 전압(VGH2)과 기준 로우 전압 레벨의 제 2 로우 전압(VGL2) 중 적어도 하나의 전압 레벨을 가변하여 상기 로우(row) 구동부(140)에 제공할 수 있다.In the display mode, the voltage supply unit 130 according to the second example is the first high voltage of the reference high voltage level based on the first scan pulse level data SPLD1 supplied from the timing control unit 120 ( VGH1) and the second scan supplied from the timing controller 120 at the same time while varying the voltage level of at least one of the first row voltage VGL1 of the reference low voltage level and providing it to the row driver 140. The row driver is configured to vary at least one voltage level of the second high voltage VGH2 of the reference high voltage level and the second low voltage VGL2 of the reference low voltage level based on pulse level data SPLD2. (140).

상기 로우(row) 구동부(140)는 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 제 1 로우 제어 신호(RCS1)와 상기 전압 공급부(130)로부터 공급되는 제 1 하이 전압(VGH1)과 제 1 로우 전압(VGL1)에 기초하여 제 1 스캔 펄스(SP1)를 순차적으로 생성하여 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급한다. 또한, 상기 로우(row) 구동부(140)는 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 제 2 로우 제어 신호(RCS2)와 상기 전압 공급부(130)로부터 공급되는 제 2 하이 전압(VGH2)과 제 2 로우 전압(VGL2)에 기초하여 제 2 스캔 펄스(SP2)를 순차적으로 생성하여 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm)에 순차적으로 공급한다. 여기서, 상기 로우 제어 신호들(RCS1, RCS2) 각각은 스타트 신호 및 복수의 클럭 신호 등을 포함하여 이루어질 수 있다.The row driving unit 140 includes a first row control signal RCS1 supplied from the timing controller 120 and a first high voltage VGH1 and a first row voltage supplied from the voltage supply unit 130 ( VGL1) sequentially generates first scan pulses SP1 and sequentially supplies the first to mth scan control lines SL1 to SLm. In addition, the row driving unit 140 includes a second row control signal RCS2 supplied from the timing control unit 120 and a second high voltage VGH2 and a second row supplied from the voltage supply unit 130. The second scan pulse SP2 is sequentially generated based on the voltage VGL2 and sequentially supplied to the first to mth sensing control lines SSL1 to SSLm. Here, each of the row control signals RCS1 and RCS2 may include a start signal and a plurality of clock signals.

일 예에 따른 로우(row) 구동부(140)는 스캔 라인 구동부(142) 및 센싱 라인 구동부(144)를 포함하여 구성된다.The row driver 140 according to an example includes a scan line driver 142 and a sensing line driver 144.

상기 스캔 라인 구동부(142)는 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각의 일측 및/또는 타측 각각 연결된다. 이러한 상기 스캔 라인 구동부(142)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 1 스캔 신호를 생성하고, 상기 제 1 하이 전압(VGH1)과 제 1 로우 전압(VGL1)을 이용하여 상기 제 1 스캔 신호를 제 1 스캔 펄스(SP1)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급한다. 예를 들어, 상기 스캔 라인 구동부(142)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 1 스캔 신호를 생성하는 제 1 쉬프트 레지스터부(미도시), 및 상기 제 1 하이 전압(VGH1)과 제 1 로우 전압(VGL1)을 이용하여 상기 제 1 쉬프트 레지스터부로부터 순차적으로 공급되는 상기 제 1 스캔 신호를 상기 제 1 스캔 펄스로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 공급하는 제 1 레벨 쉬프팅부(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다.The scan line driver 142 is connected to one side and/or the other side of each of the first to mth scan control lines SL1 to SLm. The scan line driver 142 generates a first scan signal that is sequentially shifted based on the first row control signal RCS1, and generates the first high voltage VGH1 and the first low voltage VGL1. The first scan signal is level shifted with a first scan pulse SP1 to sequentially supply to the first to mth scan control lines SL1 to SLm. For example, the scan line driver 142 may include a first shift register unit (not shown) that generates a first scan signal that is sequentially shifted based on the first row control signal RCS1, and the first high The first to mth scan control lines by level shifting the first scan signal sequentially supplied from the first shift register unit using the voltage VGH1 and the first low voltage VGL1 to the first scan pulse It may be made to include a first level shifting unit (not shown) to supply to (SL1 to SLm).

상기 센싱 라인 구동부(144)는 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm) 각각의 일측 및/또는 타측 각각 연결된다. 이러한 상기 센싱 라인 구동부(144)는 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 2 스캔 신호를 생성하고, 상기 제 2 하이 전압(VGH2)과 제 2 로우 전압(VGL2)을 이용하여 상기 제 2 스캔 신호를 상기 제 2 스캔 펄스(SP2)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급한다. 예를 들어, 상기 센싱 라인 구동부(144)는 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 2 스캔 신호를 생성하는 제 2 쉬프트 레지스터부(미도시), 및 상기 제 2 하이 전압(VGH2)과 제 2 로우 전압(VGL2)을 이용하여 상기 제 2 쉬프트 레지스터부로부터 순차적으로 공급되는 상기 제 2 스캔 신호를 상기 제 2 스캔 펄스(SP2)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm)에 공급하는 제 2 레벨 쉬프팅부(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다.The sensing line driver 144 is connected to one side and/or the other side of each of the first to mth sensing control lines SSL1 to SSLm. The sensing line driver 144 generates a second scan signal that is sequentially shifted based on the second row control signal RCS2, and generates the second high voltage VGH2 and the second low voltage VGL2. The second scan signal is level shifted with the second scan pulse SP2 to sequentially supply to the first to mth scan control lines SL1 to SLm. For example, the sensing line driver 144 may include a second shift register unit (not shown) that generates a second scan signal that is sequentially shifted based on the second row control signal RCS2, and the second high. Levels of the second scan signal supplied sequentially from the second shift register unit using the voltage VGH2 and the second low voltage VGL2 are shifted to the second scan pulse SP2 to perform the first to mth operations. It may include a second level shifting unit (not shown) to supply to the sensing control line (SSL1 to SSLm).

상기 컬럼(column) 구동부(150)는 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 연결되어 타이밍 제어부(120)의 모드 제어에 따라 표시 모드와 센싱 모드로 동작한다.The column driver 150 is connected to the first to nth data lines DL1 to DLn and operates in a display mode and a sensing mode according to mode control of the timing controller 120.

상기 표시 모드시, 상기 컬럼(column) 구동부(150)는 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 화소 데이터(DATA)와 데이터 제어 신호(DCS)에 기초하여, 수평 라인 단위로 데이터 전압(Vdata)을 해당 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 공급함과 동시에 레퍼런스 전압(Vref)을 해당 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 공급한다. 상기 센싱 모드시, 상기 컬럼(column) 구동부(150)는 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 화소별 센싱용 데이터(DATA)와 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여 화소(P)별 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)와 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2) 및 구동 트랜지스터(Tdr) 중 어느 하나의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성하고, 생성된 센싱 데이터(Sdata)를 타이밍 제어부(120)에 제공한다. 이를 위해, 상기 컬럼(column) 구동부(150)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 데이터 구동부(152), 스위칭부(154), 및 센싱부(156)를 포함하여 구성된다.In the display mode, the column driver 150 generates a data voltage Vdata in units of horizontal lines based on the pixel data DATA and the data control signal DCS supplied from the timing controller 120. While supplying to the corresponding data lines DL1 to DLn, the reference voltage Vref is supplied to the corresponding reference lines RL1 to RLn. In the sensing mode, the column driver 150 switches first for each pixel P in response to sensing data DATA and a data control signal DCS for each pixel supplied from the timing controller 120. The sensing voltage Sdata is generated by sensing a threshold voltage of one of the transistor Tsw1, the second switching transistor Tsw2, and the driving transistor Tdr, and the generated sensing data Sdata is transmitted to the timing controller 120. to provide. To this end, the column (column) driving unit 150, as shown in Figure 5, is configured to include a data driving unit 152, a switching unit 154, and a sensing unit 156.

상기 데이터 구동부(152)는 상기 표시 모드 또는 상기 센싱 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 화소 데이터(DATA)를 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 각각 공급한다.The data driver 152 receives the pixel data DATA supplied from the timing controller 120 in response to the data control signal DCS supplied from the timing controller 120 according to the display mode or the sensing mode. It is converted to the data voltage Vdata and supplied to the first to nth data lines DL1 to DLn, respectively.

상기 스위칭부(154)는 상기 표시 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 외부로부터 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)을 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각 공급한다. 그리고, 상기 스위칭부(154)는 상기 센싱 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 프리차징 스위치 신호에 응답하여 외부로부터 공급되는 프리차징 전압(Vpre)을 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각 공급해 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각을 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화한 후, 샘플링 스위치 신호에 응답하여 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각을 센싱부(156)에 연결시킨다. 이를 위해, 일 예에 따른 스위칭부(154)는 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각과 센싱부(156)에 연결되는 제 1 내지 제 n 선택기(154a 내지 154n)를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 선택기(154a 내지 154n)는 멀티플렉서로 이루어질 수 있다.The switching unit 154 responds to the data control signal DCS supplied from the timing control unit 120 according to the display mode, and sets the reference voltage Vref supplied from the outside to the first to nth reference lines RL1. To RLn), respectively. In addition, the switching unit 154 may generate a pre-charging voltage Vpre supplied from the outside in response to the pre-charging switch signal supplied from the timing controller 120 according to the sensing mode. To RLn) to initialize each of the first to n-th reference lines RL1 to RLn to a pre-charging voltage Vpre, respectively, in response to the sampling switch signal, respectively to the first to n-th reference lines RL1 to RLn Is connected to the sensing unit 156. To this end, the switching unit 154 according to an example includes first to nth reference lines RL1 to RLn and first to nth selectors 154a to 154n connected to the sensing units 156, respectively. The selectors 154a to 154n may be made of a multiplexer.

상기 센싱부(156)는 상기 센싱 모드시 상기 스위칭부(154)를 통해 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되어 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응되는 센싱 데이터(Sdata)를 생성하여 타이밍 제어부(120)에 제공한다. 이를 위해, 상기 센싱부(156)는 상기 스위칭부(154)를 통해 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되는 제 1 내지 제 n 아날로그-디지털 변환기(156a 내지 156n)를 포함하여 구성될 수 있다.The sensing unit 156 is connected to the first to n-th reference lines RL1 to RLn through the switching unit 154 in the sensing mode, so that the voltages of the first to n-th reference lines RL1 to RLn are respectively applied. It senses and generates sensing data Sdata corresponding to the sensed voltage and provides it to the timing controller 120. To this end, the sensing unit 156 includes first to nth analog-to-digital converters 156a to 156n connected to the first to nth reference lines RL1 to RLn through the switching unit 154. Can be configured.

이와 같은, 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소(P)별구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성하고, 화소(P)별 센싱 데이터(Sdata)에 기초해 각 화소(P)에 공급되는 스캔 펄스(SP1, SP2)의 전압 레벨을 가변하여 화소(P)별 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)와 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2) 중 적어도 하나의 문턱 전압을 보상할 수 있다.The organic light emitting display device according to the first example of the present invention senses the threshold voltage of the driving transistor Tdr for each pixel P to generate sensing data Sdata, and senses data for each pixel P data Based on ), the voltage level of the scan pulses SP1 and SP2 supplied to each pixel P is varied to at least one threshold of the first switching transistor Tsw1 and the second switching transistor Tsw2 for each pixel P. Voltage can be compensated.

또한, 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 각각을 생성함으로써 화소(P)별 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압을 센싱할 수 있다.In addition, the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention has a high voltage VGH1 of the first and second scan pulses SP1 and SP2 based on the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2. , VGH2) and the low voltages VGL1 and VGL2, respectively, to sense the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 or the second switching transistor Tsw2 for each pixel P.

그리고, 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소(P)별 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성하고, 화소(P)별 센싱 데이터(Sdata)에 기초하여 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압을 보상할 수 있다.The organic light emitting diode display according to the first example of the present invention senses the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 or the second switching transistor Tsw2 for each pixel P to generate sensing data Sdata. The threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 and/or the second switching transistor Tsw2 may be compensated based on the sensing data Sdata for each pixel P.

이하, 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기로 한다.Hereinafter, an organic light emitting display device according to a first example of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

도 6은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 7은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 센싱 모드시 구동 파형도이다.6 is a diagram schematically showing an organic light emitting display device according to a first example of the present invention, and FIG. 7 is a driving waveform diagram in a sensing mode in the organic light emitting display device according to a first example of the present invention.

도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 센싱 모드를 설명하면 다음과 같다.The sensing mode of the organic light emitting display device according to the first example of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7 as follows.

우선, 센싱 모드에 있어서, 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱한다. 이를 위해, 전술한 타이밍 제어부(120)는 화소(P)를 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 구동하기 위한 데이터 제어 신호(DCS), 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성하여 전술한 로우(row) 구동부(140)와 컬럼(column) 구동부(150)에 공급함과 동시에 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되는 바이어스 전압인 센싱용 화소 데이터(DATA)를 생성하여 컬럼(column) 구동부(150)에 공급한다.First, in the sensing mode, the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention operates the driving transistor Tdr included in the pixel P in a source follower mode to threshold the driving transistor Tdr. The voltage is sensed. To this end, the above-described timing control unit 120 is a data control signal (DCS) for driving the pixel (P) in the first to third periods (t1, t2, t3), the first and second row control signal (RCS1) , RCS2) is generated and supplied to the above-described row driver 140 and column driver 150, and at the same time, the sensing pixel data DATA which is a bias voltage supplied to the gate electrode of the driving transistor Tdr. To generate and supply it to the column driver 150.

상기 로우(row) 구동부(140)는 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)에 응답하여 센싱 모드 동안 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각을 선형(linear) 구동 모드로 동작시키기 위해 서로 동일한 전압 레벨을 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)과 센싱 제어 라인(SSL) 각각에 공급한다. 즉, 상기 로우(row) 구동부(140)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 응답하여 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 동안 제 1 하이 전압(VGH1)을 가지는 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 응답하여 제 1 및 제 2 기간(t1, t2) 동안 상기 제 1 하이 전압(VGH1)과 동일한 전압 레벨의 제 2 하이 전압(VGH2)을 가지며, 제 3 기간(t3) 동안 제 2 로우 전압(VGL2)을 가지는 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성하여 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.The row driver 140 converts each of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 into a linear driving mode during the sensing mode in response to the first and second row control signals RCS1 and RCS2. To operate, the same voltage levels are generated to supply the first and second scan pulses SP1 and SP2 to the scan control line SL and the sensing control line SSL, respectively. That is, the row driver 140 first scans having the first high voltage VGH1 during the first to third periods t1, t2, and t3 in response to the first row control signal RCS1. The first high voltage VGH1 is generated during the first and second periods t1 and t2 in response to the second low control signal RCS2 while generating the pulse SP1 and supplying it to the scan control line SL. The second scan pulse SP2 having the second high voltage VGH2 having the same voltage level and the second low voltage VGL2 during the third period t3 is generated and supplied to the sensing control line SSL.

상기 컬럼(column) 구동부(150)의 데이터 구동부(152)는 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여 상기 화소 데이터(DATA)를 센싱용 바이어스 전압(Vdata)으로 변환하여 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 동안 데이터 라인(DL)에 공급한다. 이와 동시에, 상기 컬럼(column) 구동부(150)의 스위칭부(154)는 프리차징 스위치 신호에 응답하여 상기 제 1 기간(t1) 동안 레퍼런스 라인(RL)에 프리차징 전압(Vpre)을 공급한 후, 상기 제 2 기간(t2) 동안 상기 레퍼런스 라인(RL)을 플로팅(floating)시킨 다음, 샘플링 스위치 신호에 응답하여 상기 제 3 기간(t3) 동안 상기 레퍼런스 라인(RL)을 상기 센싱부(156)에 연결시킨다. 이에 따라, 상기 센싱부(156)는 상기 제 3 기간(t3) 동안에 상기 레퍼런스 라인(RL)의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 아날로그-디지털 변환하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성해 상기 타이밍 제어부(120)에 제공한다.The data driver 152 of the column driver 150 converts the pixel data DATA into a sensing bias voltage Vdata in response to the data control signal DCS, such that the first to third periods ( Data lines DL are supplied during t1, t2, and t3). At the same time, the switching unit 154 of the column driving unit 150 supplies the pre-charging voltage Vpre to the reference line RL during the first period t1 in response to the pre-charging switch signal. , Floating the reference line RL during the second period t2, and then sensing the reference line RL during the third period t3 in response to the sampling switch signal 156. Connect to. Accordingly, the sensing unit 156 senses the voltage of the reference line RL during the third period t3, and converts the sensed voltage to analog-digital conversion to generate sensing data Sdata to generate the timing control unit. (120).

이와 같은 센싱 모드시 상기 로우(row) 구동부(140)와 상기 컬럼(column) 구동부(150) 각각의 구동에 따른 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 각각의 화소(P) 동작을 설명하면 다음과 같다.In this sensing mode, the operation of each pixel P of the first to third periods t1, t2, and t3 according to the driving of each of the row driver 140 and the column driver 150 is performed. The explanation is as follows.

먼저, 상기 제 1 기간(t1)에서는, 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 제 2 하이 전압(VGH2)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 프리차징 전압(Vpre)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이때, 상기 데이터 전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위해 설정된 타겟 전압의 레벨을 갖는다. 이에 따라, 상기 제 1 기간(t1) 동안, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극과 상기 레퍼런스 라인(RL)은 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화된다.First, in the first period t1, the first switching transistor Tsw1 is turned on by the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1 to supply the data voltage to the data line DL. (Vdata) is supplied to the gate electrode of the first node n1, that is, the driving transistor Tdr, and the second switching transistor Tsw2 is turned by the second scan pulse SP2 of the second high voltage VGH2. The pre-charge voltage Vpre that is turned on and supplied to the reference line RL is supplied to the second node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr. At this time, the data voltage Vdata has a target voltage level set to sense the threshold voltage of the driving transistor Tdr. Accordingly, during the first period t1, the source electrode of the driving transistor Tdr and the reference line RL are initialized to a pre-charging voltage Vpre.

그런 다음, 상기 제 2 기간(t2)에서는, 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 턴-온 상태가 유지되므로 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전압은 데이터 전압(Vdata)으로 고정된다. 이때, 상기 레퍼런스 라인(RL)은 상기 컬럼(column) 구동부(150)의 스위칭부(154)에 의해 플로팅 상태가 된다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 게이트 전극에 공급되는 바이어스 전압인 데이터 전압(Vdata)에 의해 포화(saturation) 구동 모드로 동작하게 되고, 이로 인하여 플로팅 상태의 레퍼런스 라인(RL)에는 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 차 전압(Vdata-Vth)이 충전되게 된다.Then, in the second period t2, the turn-on state of the first switching transistor Tsw1 is maintained by the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1, so that the driving transistor Tdr is The gate voltage is fixed to the data voltage Vdata. At this time, the reference line RL is floated by the switching unit 154 of the column driver 150. Accordingly, the driving transistor Tdr operates in a saturation driving mode by a data voltage Vdata, which is a bias voltage supplied to the gate electrode, thereby causing the data voltage ( The difference voltage Vdata-Vth between Vdata) and the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr is charged.

그런 다음, 상기 제 3 기간(T3)에서는, 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온 상태로 유지된 상태에서, 제 2 로우 전압(VGL2)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-오프되고, 이와 동시에 상기 레퍼런스 라인(RL)이 상기 컬럼(column) 구동부(150)의 스위칭부(154)에 의해 상기 센싱부(156)에 연결된다. 이에 따라, 상기 센싱부(156)는 상기 레퍼런스 라인(RL)의 전압(Vsense(RL))을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense(RL))을 아날로그-디지털 변환하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성해 타이밍 제어부(120)에 제공한다. 따라서, 상기 타이밍 제어부(120)는 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 센싱부(156)로부터 제공되는 센싱 데이터(Sdata)에 기초하여 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)을 산출하고, 산출된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)에 대응되는 문턱 전압 데이터를 메모리(122)에 저장한다. 이때, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)은 상기 데이터 전압(Vdata)에서 상기 센싱부(156)의 센싱 전압(Vsense(RL))을 뺀 전압이 될 수 있다.Then, in the third period T3, while the first switching transistor Tsw1 is maintained in the turn-on state by the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1, the second low The second switching transistor Tsw2 is turned off by the second scan pulse SP2 of the voltage VGL2, and at the same time, the reference line RL is the switching unit 154 of the column driver 150 ) Is connected to the sensing unit 156. Accordingly, the sensing unit 156 senses the voltage Vsense(RL) of the reference line RL, and converts the sensed voltage Vsense(RL) to analog-digital conversion to generate sensing data Sdata. Solution timing controller 120. Accordingly, the timing control unit 120 calculates and calculates a threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr based on the data voltage Vdata and the sensing data Sdata provided from the sensing unit 156. Threshold voltage data corresponding to the threshold voltage Vth of the driven driving transistor Tdr is stored in the memory 122. In this case, the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr may be a voltage obtained by subtracting the sensing voltage Vsense(RL) of the sensing unit 156 from the data voltage Vdata.

도 8은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 표시 모드시 구동 파형도이다.8 is a driving waveform diagram in a display mode in an organic light emitting diode display according to a first example of the present invention.

도 6 및 도 8을 참조하여 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 모드를 설명하면 다음과 같다.The display mode of the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 8.

우선, 표시 모드에 있어서, 상기 타이밍 제어부(120)는 전술한 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장되어 있는 화소(P)별구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 데이터에 기초하여 화소(P)별 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)를 스위칭시키는 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2) 각각의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2)의 전압 레벨을 각각 설정하기 위한 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 각각 생성한다. 그리고, 상기 전압 공급부(130)는, 전술한 바와 같이, 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)에 기초하여 제 1 하이 전압(VGH1), 제 1 로우 전압(VGL1), 제 2 하이 전압(VGH2), 및 제 2 로우 전압(VGL2) 각각을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(140)에 제공한다.First, in the display mode, the timing controller 120 is based on the threshold voltage data of the driving transistor Tdr for each pixel P sensed by the sensing mode described above and stored in the memory 122. Voltage levels of the high voltages VGH1 and VGH2 and the low voltages VGL1 and VGL2 of the first and second scan pulses SP1 and SP2 switching the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 for each First and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 for setting respectively are generated. Then, the voltage supply unit 130, as described above, based on the first and second scan pulse level data (SPLD1, SPLD2) supplied from the timing control unit 120, the first high voltage (VGH1), the first Each of the first low voltage VGL1, the second high voltage VGH2, and the second low voltage VGL2 is generated and provided to the row driver 140.

그런 다음, 표시 모드에 있어서, 상기 타이밍 제어부(120)는 화소(P)를 어드레싱 기간(DM_t1) 및 발광 기간(DM_t2)으로 구동하기 위한 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성하여 전술한 로우(row) 구동부(140)에 공급함과 동시에 화소 데이터(DATA)와 데이터 제어 신호(DCS)를 생성하여 컬럼(column) 구동부(150)에 공급한다.Then, in the display mode, the timing controller 120 generates first and second row control signals RCS1 and RCS2 for driving the pixel P to the addressing period DM_t1 and the light emission period DM_t2. By supplying to the above-mentioned row driver 140, the pixel data DATA and the data control signal DCS are generated and supplied to the column driver 150.

상기 로우(row) 구동부(140)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 응답하여 상기 어드레싱 기간(DM_t1) 동안 상기 전압 공급부(130)로부터 공급되는 제 1 하이 전압(VGH1)의 전압 레벨을 가지며 상기 발광 기간(DM_t2) 동안 상기 전압 공급부(130)로부터 공급되는 제 1 로우 전압(VGL1)의 전압 레벨을 가지는 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 응답하여 상기 어드레싱 기간(DM_t1) 동안 상기 전압 공급부(130)로부터 공급되는 제 2 하이 전압(VGH2)의 전압 레벨을 가지며 상기 발광 기간(DM_t2) 동안 상기 전압 공급부(130)로부터 공급되는 제 2 로우 전압(VGL2)의 전압 레벨을 가지는 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성하여 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.The row driver 140 has a voltage level of a first high voltage VGH1 supplied from the voltage supply unit 130 during the addressing period DM_t1 in response to the first row control signal RCS1. During the light emission period DM_t2, the first scan pulse SP1 having the voltage level of the first low voltage VGL1 supplied from the voltage supply unit 130 is generated and supplied to the scan control line SL, and at the same time 2 has a voltage level of the second high voltage VGH2 supplied from the voltage supply unit 130 during the addressing period DM_t1 in response to the low control signal RCS2, and the voltage supply unit 130 during the light emission period DM_t2 ) Generates a second scan pulse SP2 having a voltage level of the second low voltage VGL2 and supplies it to the sensing control line SSL.

상기 컬럼(column) 구동부(150)는 상기 화소 데이터(DATA)와 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 전술한 데이터 구동부(152)의 구동에 따라 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 상기 어드레싱 기간(DM_t1) 동안 데이터 라인(DL)에 공급한다. 이와 동시에, 상기 컬럼(column) 구동부(150)는 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 전술한 스위칭부(154)의 구동에 따라 상기 어드레싱 기간(DM_t1) 동안 레퍼런스 라인(RL)에 레퍼런스 전압(Vref)을 공급한다.The column driver 150 converts the data voltage Vdata to the addressing period DM_t1 according to the driving of the data driver 152 based on the pixel data DATA and the data control signal DCS. ) To the data line DL. At the same time, the column driver 150 is a reference voltage Vref to the reference line RL during the addressing period DM_t1 according to the driving of the above-described switching unit 154 based on the data control signal DCS. ).

이와 같은 표시 모드시 상기 로우(row) 구동부(140)와 상기 컬럼(column) 구동부(150) 각각의 구동에 따른 어드레싱 기간(DM_t1) 및 발광 기간(DM_t2) 각각의 화소(P) 동작을 설명하면 다음과 같다.In the display mode, the operation of the pixel P of each of the addressing period DM_t1 and the light emission period DM_t2 according to the driving of each of the row driving unit 140 and the column driving unit 150 will be described. As follows.

먼저, 상기 어드레싱 기간(DM_t1)에서는, 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 제 2 하이 전압(VGH2)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이에 따라, 제 1 노드(n1)와 제 2 노드(n2)에 접속된 커패시터(Cst)는 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 레퍼런스 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)으로 충전된다. 이러한 상기 어드레싱 기간(DM_t1)에서, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각은 센싱된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압에 기초하여 설정된 하이 전압(VGH1, VGH2)의 스캔 펄스(SP1, SP2)에 의해 턴-온되고, 이로 인해 상기 데이터 전압(Vdata)의 상기 레퍼런스 전압(Vref) 각각은 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 문턱 전압에 영향을 받지 않고 해당 노드(n1, n2)에 공급되게 된다.First, in the addressing period DM_t1, the first switching transistor Tsw1 is turned on by the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1 to supply the data voltage DL to the data line DL. Vdata) is supplied to the first node n1, that is, the gate electrode of the driving transistor Tdr, and the second switching transistor Tsw2 is turned on by the second scan pulse SP2 of the second high voltage VGH2. The reference voltage Vref that is turned on and supplied to the reference line RL is supplied to the second node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr. Accordingly, the capacitor Cst connected to the first node n1 and the second node n2 is charged with the difference voltage Vdata-Vref between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref. In the addressing period DM_t1, each of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 is a scan pulse SP1 of the high voltages VGH1 and VGH2 set based on the threshold voltage of the sensed driving transistor Tdr. , SP2), whereby each of the reference voltages Vref of the data voltages Vdata is affected by threshold voltages of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2, respectively. It is supplied to the nodes (n1, n2).

그런 다음, 상기 발광 기간(DM_t2)에서는, 제 1 로우 전압(VGL1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-오프되고, 제 2 로우 전압(VGL2)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-오프됨으로써 구동 트랜지스터(Tdr)가 상기 커패시터(Cst)에 저장된 전압(Vdata-Vref)에 의해 턴-온된다. 따라서, 상기 턴-온된 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 레퍼런스 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)에 의해 결정되는 데이터 전류(Ioled)를 발광 소자(OLED)에 공급함으로써 발광 소자(OLED)가 구동 전원 라인(PL)으로부터 제 2 전극(또는 캐소드 전극)으로 흐르는 데이터 전류(Ioled)에 비례하여 발광되도록 한다. 즉, 상기 발광 기간(DM_t2)에서, 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)가 턴-오프되면, 구동 트랜지스터(Tdr)에 전류가 흐르고, 이 전류에 비례하여 발광 소자(OLED)가 발광을 시작하면서 제 2 노드(n2)의 전압 상승하게 되며, 커패시터(Cst)에 의해 제 2 노드(n2)의 전압 상승만큼 제 1 노드(n1)의 전압이 상승함으로써 커패시터(Cst)의 전압에 의해 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트-소스 전압(Vgs)이 지속적으로 유지되어 발광 소자(OLED)가 다음 프레임의 어드레싱 기간(DM_t1)까지 발광을 지속하게 된다.Then, in the light emission period DM_t2, the first switching transistor Tsw1 is turned off by the first scan pulse SP1 of the first low voltage VGL1, and the second low voltage VGL2 is turned off. The second switching transistor Tsw2 is turned off by the second scan pulse SP2 so that the driving transistor Tdr is turned on by the voltage Vdata-Vref stored in the capacitor Cst. Accordingly, the turned-on driving transistor Tdr supplies the data current Ioled determined by the difference voltage Vdata-Vref between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref to the light emitting device OLED. By doing so, the light emitting element OLED emits light in proportion to the data current Ioled flowing from the driving power supply line PL to the second electrode (or cathode electrode). That is, in the light emission period DM_t2, when the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 are turned off, a current flows through the driving transistor Tdr, and the light emitting element OLED emits light in proportion to the current. The voltage of the second node n2 rises while starting, and the voltage of the first node n1 increases by the voltage of the capacitor Cst by the voltage rise of the second node n2 by the capacitor Cst. The gate-source voltage Vgs of the driving transistor Tdr is continuously maintained so that the light emitting device OLED continues to emit light until the addressing period DM_t1 of the next frame.

도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 스캔 제어 라인과 센싱 제어 라인 각각에 공급되는 스캔 펄스의 하이 전압과 로우 전압의 가변을 설명하기 위한 도면이다.9A to 9D are diagrams for explaining a variation of a high voltage and a low voltage of a scan pulse supplied to each of the scan control line and the sensing control line in the organic light emitting display device according to the first example of the present invention.

우선, 후술되는 바와 같이, 표시 패널(110)에 형성된 화소(P)별구동 트랜지스터(Tdr)와 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 문턱 전압의 변화는 서로 유사하기 때문에 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 센싱 모드를 통해 센싱된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 데이터에 기초하여 각 화소(P)에 공급되는 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 각각의 전압 레벨을 가변하여 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 문턱 전압을 보상한다. 이를 위해, 상기 타이밍 제어부(120)는 메모리(122)에 저장되어 있는 화소(P)별 문턱 전압 데이터를 기반으로 최대 값, 최소 값, 평균 값, 상위 값들의 평균 값, 하위 값들의 평균 값 중 어느 하나를 보상 기준값으로 산출하고, 산출된 보상 기준값에 기초하여 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 각각 생성하여 전술한 전압 공급부(130)에 제공하거나, 메모리(122)에 저장되어 있는 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)에 대한 기준 문턱 전압 데이터와 센싱된 화소(P)별 문턱 전압 데이터를 비교하여 문턱 전압의 변화 방향을 검출하고, 검출된 문턱 전압의 변화 방향과 상기 보상 기준값에 기초하여 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 각각 생성하여 전술한 전압 공급부(130)에 제공한다.First, as will be described later, since the change in threshold voltages of the driving transistors Tdr for each pixel P formed in the display panel 110 and the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 are similar, the present invention The organic light emitting display according to the first example of the first and second scan pulses SP1 and SP2 supplied to each pixel P based on the threshold voltage data of the driving transistor Tdr sensed through the sensing mode. The threshold voltages of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 are compensated by varying the voltage levels of the high voltages VGH1 and VGH2 and the low voltages VGL1 and VGL2, respectively. To this end, the timing controller 120 is based on threshold voltage data for each pixel P stored in the memory 122, among the maximum value, the minimum value, the average value, the average value of the upper values, and the average value of the lower values. Any one is calculated as a compensation reference value, and based on the calculated compensation reference value, first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 are respectively generated and provided to the above-described voltage supply unit 130, or in the memory 122. By comparing the reference threshold voltage data for the driving transistor Tdr for each pixel P and the threshold voltage data for each sensed pixel P, the direction of change of the threshold voltage is detected, and the direction of change of the detected threshold voltage First and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 are respectively generated based on the compensation reference value, and are provided to the above-described voltage supply unit 130.

구체적으로, 상기 타이밍 제어부(120)는 상기 보상 기준값에 대한 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 각각의 전압 레벨에 대응되는 스캔 펄스 레벨 데이터가 맵핑되어 있는 룩-업 테이블을 이용하여 상기 보상 기준값에 대응되는 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각을 생성할 수 있다.Specifically, the timing control unit 120 includes scan pulse level data corresponding to voltage levels of the high voltages VGH1 and VGH2 and the low voltages VGL1 and VGL2 of the scan pulses SP1 and SP2 for the compensation reference value. Each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 corresponding to the compensation reference value may be generated using the mapped look-up table.

일 예로서, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각은, 도 9a에 도시된 바와 같이, 상기 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압과 로우 전압 각각의 전압 레벨이 상기 보상 기준값(Ref_Vth)에 따라 상향되도록 설정될 수 있다.As an example, each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 has a voltage level of each of a high voltage and a low voltage of the scan pulses SP1 and SP2, as shown in FIG. 9A. It may be set to be upward according to the compensation reference value Ref_Vth.

다른 예로서, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각은, 도 9b에 도시된 바와 같이, 상기 스캔 펄스(SP1, SP2)의 로우 전압(VGL1, VGL2)이 기준 로우 전압 레벨로 고정되도록 설정되고, 상기 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2) 각각의 전압 레벨이 상기 보상 기준값(Ref_Vth)에 따라 상향되도록 설정될 수 있다.As another example, each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 has a reference voltage of the low voltages VGL1 and VGL2 of the scan pulses SP1 and SP2, respectively, as illustrated in FIG. 9B. It is set to be fixed at a level, and the voltage levels of each of the high voltages VGH1 and VGH2 of the scan pulses SP1 and SP2 may be set to be increased according to the compensation reference value Ref_Vth.

또 다른 예로서, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각은, 도 9c에 도시된 바와 같이, 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)이 기준 하이 전압 레벨로 고정되고, 상기 스캔 펄스(SP1, SP2)의 로우 전압(VGL1, VGL2) 각각의 전압 레벨이 상기 보상 기준값(Ref_Vth)에 따라 상향되도록 설정될 수 있다.As another example, each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 has a reference voltage of high voltages VGH1 and VGH2 of scan pulses SP1 and SP2, as shown in FIG. 9C. It is fixed to a level, and the voltage levels of each of the low voltages VGL1 and VGL2 of the scan pulses SP1 and SP2 may be set to be increased according to the compensation reference value Ref_Vth.

또 다른 예로서, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 특성 변화 방향이 정방향 변화(positive shift)일 경우, 도 9d에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각은 상기 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2) 및 로우 전압(VGL1, VGL2) 각각의 전압 레벨이 상기 보상 기준값(Ref_Vth)에 따라 하향되도록 설정될 수 있다. 여기서, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각은 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)이 상기 보상 기준값(Ref_Vth)에 상관없이 기준 하이 전압 레벨로 고정되도록 설정될 수도 있다.As another example, when the characteristic change direction of the driving transistor Tdr is a positive shift, as illustrated in FIG. 9D, each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 is The voltage levels of the high voltages VGH1 and VGH2 and the low voltages VGL1 and VGL2 of the scan pulses SP1 and SP2 may be set to be downward according to the compensation reference value Ref_Vth. Here, each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 has the high voltages VGH1 and VGH2 of the scan pulses SP1 and SP2 fixed to a reference high voltage level regardless of the compensation reference value Ref_Vth. It can be set as possible.

상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 특성 변화 방향이 역방향 변화(negative shift)일 경우, 도 9d에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각은 상기 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2) 및 로우 전압(VGL1, VGL2) 각각의 전압 레벨이 상기 보상 기준값(Ref_Vth)에 따라 상향되도록 설정될 수 있다. 여기서, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각은 스캔 펄스(SP1, SP2)의 로우 전압(VGL1, VGL2)이 상기 보상 기준값(Ref_Vth)에 상관없이 기준 로우 전압 레벨로 고정되도록 설정될 수도 있다.When the characteristic change direction of the driving transistor Tdr is a negative shift, as shown in FIG. 9D, each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 is the scan pulse SP1. , The voltage levels of the high voltages VGH1 and VGH2 of SP2 and the low voltages VGL1 and VGL2 may be set to be increased according to the compensation reference value Ref_Vth. Here, each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 has the low voltages VGL1 and VGL2 of the scan pulses SP1 and SP2 fixed to a reference low voltage level regardless of the compensation reference value Ref_Vth. It can be set as possible.

도 10은 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 11은 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 센싱 모드시 구동 파형도이다.10 is a diagram schematically showing an organic light emitting display device according to a second example of the present invention, and FIG. 11 is a driving waveform diagram in a sensing mode in the organic light emitting display device according to a second example of the present invention.

도 10 및 도 11을 참조하여 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 센싱 모드를 설명하면 다음과 같다.The sensing mode of the organic light emitting diode display according to the second example of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11 as follows.

우선, 센싱 모드에 있어서, 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱한다. 이를 위해, 전술한 타이밍 제어부(120)는 화소(P)를 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 구동하기 위한 데이터 제어 신호(DCS), 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성하여 전술한 로우(row) 구동부(140)와 컬럼(column) 구동부(150)에 공급함과 동시에 구동 트랜지스터(Tdr)를 포화(saturation) 구동 모드로 동작시키기 위한 센싱용 화소 데이터(DATA)(예를 들어, 최대 계조 값)를 생성하여 컬럼(column) 구동부(150)에 공급한다. 또한, 상기 타이밍 제어부(120)는 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트 전극에 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1)와 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)를 선형(linear) 구동 모드로 동작시키기 위한 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD2)를 각각 생성하여 전압 공급부(130)에 공급한다.First, in the sensing mode, the organic light emitting diode display according to the second example of the present invention operates the first switching transistor Tsw1 included in the pixel P in a source follower mode to operate the first switching transistor ( The threshold voltage of Tsw1) is sensed. To this end, the above-described timing control unit 120 is a data control signal (DCS) for driving the pixel (P) in the first to third periods (t1, t2, t3), the first and second row control signal (RCS1) , RCS2) is generated and supplied to the above-mentioned row driver 140 and column driver 150, and at the same time, the sensing pixel data for operating the driving transistor Tdr in a saturation driving mode ( DATA) (for example, the maximum grayscale value) is generated and supplied to the column driver 150. In addition, the timing controller 120 linearly converts the first scan pulse level data SPLD1 and the second switching transistor Tsw2 for applying a bias voltage to the gate electrode of the first switching transistor Tsw1. Each of the second scan pulse level data SPLD2 for operating in the driving mode is generated and supplied to the voltage supply unit 130.

상기 전압 공급부(130)는 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1)에 기초하여 제 1 하이 전압(VGH1)과 제 1 로우 전압(VGL1)을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(140)에 공급함과 동시에 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD2)에 기초하여 상기 제 1 하이 전압(VGH1)보다 높은 제 2 하이 전압(VGH2)과 상기 제 1 로우 전압(VGL1)보다 낮은 제 2 로우 전압(VGL2)을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(140)에 공급한다. 예를 들어, 상기 제 1 하이 전압(VGH1)은 3~6V, 상기 제 1 로우 전압(VGL1)은 -6V, 상기 제 2 하이 전압(VGH2)은 23V, 상기 제 2 로우 전압(VGL2)은 -7V일 수 있다.The voltage supply unit 130 generates the first high voltage VGH1 and the first low voltage VGL1 based on the first scan pulse level data SPLD1 and supplies them to the row driver 140 at the same time. A second high voltage VGH2 higher than the first high voltage VGH1 and a second low voltage VGL2 lower than the first low voltage VGL1 are generated based on the second scan pulse level data SPLD2. It supplies to the row driving unit 140. For example, the first high voltage VGH1 is 3 to 6V, the first low voltage VGL1 is -6V, the second high voltage VGH2 is 23V, and the second low voltage VGL2 is- It can be 7V.

상기 로우(row) 구동부(140)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 응답하여 전술한 센싱 모드의 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 동안 제 1 하이 전압(VGH1)을 가지는 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 응답하여 제 1 및 제 2 기간(t1, t2) 동안 상기 제 2 하이 전압(VGH1)을 가지며, 제 3 기간(t3) 동안 제 2 로우 전압(VGL2)을 가지는 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성하여 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.The row driver 140 has a first high voltage VGH1 during the first to third periods t1, t2, and t3 of the sensing mode described above in response to the first row control signal RCS1. While generating the first scan pulse SP1 and supplying it to the scan control line SL, in response to the second low control signal RCS2, the second high voltage during the first and second periods t1 and t2 ( VGH1), and generates a second scan pulse SP2 having a second low voltage VGL2 during the third period t3 and supplies it to the sensing control line SSL.

상기 컬럼(column) 구동부(150)는 상기 화소 데이터(DATA)와 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 전술한 데이터 구동부(152)의 구동에 따라 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 동안 데이터 라인(DL)에 공급한다. 이와 동시에, 상기 컬럼(column) 구동부(150)는 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 전술한 스위칭부(154)의 구동에 따라 상기 제 1 기간(t1) 동안 레퍼런스 라인(RL)에 프리차징 전압(Vpre)을 공급한 후, 상기 제 2 기간(t2) 동안 상기 레퍼런스 라인(RL)을 플로팅(floating)시킨 다음, 상기 제 3 기간(t3) 동안 상기 레퍼런스 라인(RL)을 전술한 센싱부(156)에 연결시킨다. 이에 따라, 상기 센싱부(156)는 상기 제 3 기간(t3) 동안에 상기 레퍼런스 라인(RL)의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 아날로그-디지털 변환하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성해 상기 타이밍 제어부(120)에 제공한다.The column driver 150 converts the data voltage Vdata according to the driving of the data driver 152 based on the pixel data DATA and the data control signal DCS to the first to third. The data lines DL are supplied during the periods t1, t2, and t3. At the same time, the column driver 150 precharges the reference line RL during the first period t1 according to the driving of the switching unit 154 based on the data control signal DCS. After supplying (Vpre), the reference line RL is floated for the second period t2, and then the reference line RL is sensed for the third period t3. 156). Accordingly, the sensing unit 156 senses the voltage of the reference line RL during the third period t3, and converts the sensed voltage to analog-digital conversion to generate sensing data Sdata to generate the timing control unit. (120).

이와 같은 센싱 모드시 상기 로우(row) 구동부(140)와 상기 컬럼(column) 구동부(150) 각각의 구동에 따른 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 각각의 화소(P) 동작을 설명하면 다음과 같다.In this sensing mode, the operation of each pixel P of the first to third periods t1, t2, and t3 according to the driving of each of the row driver 140 and the column driver 150 is performed. The explanation is as follows.

먼저, 상기 제 1 기간(t1)에서는, 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 제 2 하이 전압(VGH2)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 프리차징 전압(Vpre)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 기간(t1) 동안, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극과 상기 레퍼런스 라인(RL)은 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화된다.First, in the first period t1, the first switching transistor Tsw1 is turned on by the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1 to supply the data voltage to the data line DL. (Vdata) is supplied to the gate electrode of the first node n1, that is, the driving transistor Tdr, and the second switching transistor Tsw2 is turned by the second scan pulse SP2 of the second high voltage VGH2. The pre-charge voltage Vpre that is turned on and supplied to the reference line RL is supplied to the second node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr. Accordingly, during the first period t1, the source electrode of the driving transistor Tdr and the reference line RL are initialized to a pre-charging voltage Vpre.

그런 다음, 상기 제 2 기간(t2)에서는, 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 턴-온 상태가 유지되므로 구동 트랜지스터(Tdr)가 데이터 전압(Vdata)에 의해 턴-온 상태를 유지한 상태에서 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트 전압이 바이어스 전압인 제 1 하이 전압(VGH1)으로 고정된다. 이와 동시에, 상기 레퍼런스 라인(RL)은 상기 컬럼(column) 구동부(150)의 스위칭부(154)에 의해 플로팅 상태가 된다. 이에 따라, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 게이트 전극에 공급되는 바이어스 전압인 제 1 하이 전압(VGH1)에 의해 포화(saturation) 구동 모드로 동작하게 되고, 이로 인하여 플로팅 상태의 상기 레퍼런스 라인(RL)에는 제 1 하이 전압(VGH1)에서 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth_Tsw1)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth_Tdr)의 뺀 전압(VGH1 - Vth_Tsw1 - Vth_Tdr)이 충전되게 된다.Then, in the second period t2, since the turn-on state of the first switching transistor Tsw1 is maintained by the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1, the driving transistor Tdr is In the state where the turn-on state is maintained by the data voltage Vdata, the gate voltage of the first switching transistor Tsw1 is fixed to the first high voltage VGH1 that is the bias voltage. At the same time, the reference line RL is floated by the switching unit 154 of the column driving unit 150. Accordingly, the first switching transistor Tsw1 operates in a saturation driving mode by the first high voltage VGH1, which is a bias voltage supplied to the gate electrode, and thereby the reference line RL in the floating state. ) Is charged by subtracting the voltages VGH1-Vth_Tsw1-Vth_Tdr of the first high voltage VGH1 from the threshold voltage Vth_Tsw1 of the first switching transistor Tsw1 and the threshold voltage Vth_Tdr of the driving transistor Tdr. .

그런 다음, 상기 제 3 기간(T3)에서는, 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온 상태로 유지된 상태에서, 제 2 로우 전압(VGL2)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-오프되고, 이와 동시에 상기 레퍼런스 라인(RL)이 상기 컬럼(column) 구동부(150)의 스위칭부(154)에 의해 상기 센싱부(156)에 연결된다. 이에 따라, 상기 센싱부(156)는 상기 레퍼런스 라인(RL)의 전압(Vsense(RL))을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense(RL))을 아날로그-디지털 변환하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성해 타이밍 제어부(120)에 제공한다. 따라서, 상기 타이밍 제어부(120)는 메모리(122)에 저장되어 있는 해당 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth), 상기 제 1 하이 전압(VGH1) 및 상기 센싱부(156)로부터 제공되는 센싱 데이터(Sdata)에 기초하여 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth)을 산출하고, 산출된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth)에 대응되는 문턱 전압 데이터를 메모리(122)에 저장한다. 결과적으로, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth)은 상기 제 1 하이 전압(VGH1)에서 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth_Tdr)과 상기 센싱부(156)의 센싱 전압(Vsense(RL))을 뺀 전압이 될 수 있다.Then, in the third period T3, while the first switching transistor Tsw1 is maintained in the turn-on state by the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1, the second low The second switching transistor Tsw2 is turned off by the second scan pulse SP2 of the voltage VGL2, and at the same time, the reference line RL is the switching unit 154 of the column driver 150 ) Is connected to the sensing unit 156. Accordingly, the sensing unit 156 senses the voltage Vsense(RL) of the reference line RL, and converts the sensed voltage Vsense(RL) to analog-digital conversion to generate sensing data Sdata. Solution timing controller 120. Accordingly, the timing control unit 120 may include a threshold voltage Vth, the first high voltage VGH1, and the sensing unit 156 of the driving transistor Tdr of the corresponding pixel P stored in the memory 122. The threshold voltage Vth of the first switching transistor Tsw1 is calculated based on the sensing data Sdata provided from the threshold voltage data corresponding to the calculated threshold voltage Vth of the first switching transistor Tsw1. Is stored in the memory 122. As a result, the threshold voltage Vth of the first switching transistor Tsw1 is the threshold voltage Vth_Tdr of the driving transistor Tdr and the sensing voltage of the sensing unit 156 at the first high voltage VGH1. It can be the voltage minus Vsense(RL)).

이와 같은, 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 모드에서는, 상기 센싱된 화소(P)별 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth)을 기반으로 전술한 보상 기준값을 산출하고, 도 9a 내지 도 9d 중 어느 하나에 도시된 바와 같이 산출된 보상 기준값에 기초하여, 제 1 스캔 펄스(SP1)의 제 1 하이 전압(VGH1)과 제 1 로우 전압(VGL1)을 가변하는 것을 제외하고는 도 6 및 도 8을 결부하여 전술한 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 모드와 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다. 나아가, 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 모드에서 제 2 스캔 펄스(SP2)의 제 2 하이 전압(VGH2)과 제 2 로우 전압(VGL2) 각각은 상기 보상 기준값에 따라 가변될 수도 있다.In the display mode of the organic light emitting diode display according to the second example of the present invention, the above-described compensation reference value is calculated based on the threshold voltage Vth of the first switching transistor Tsw1 for each sensed pixel P And changing the first high voltage VGH1 and the first low voltage VGL1 of the first scan pulse SP1 based on the compensation reference value calculated as shown in any one of FIGS. 9A to 9D. 6 and 8 are the same as the display mode of the organic light emitting display device according to the first example of the present invention described above, so a duplicate description thereof will be omitted. Furthermore, each of the second high voltage VGH2 and the second low voltage VGL2 of the second scan pulse SP2 in the display mode of the organic light emitting diode display according to the second example of the present invention is variable according to the compensation reference value. It might be.

도 12는 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 13은 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 센싱 모드시 구동 파형도이다.12 is a diagram schematically showing an organic light emitting display device according to a third example of the present invention, and FIG. 13 is a driving waveform diagram in a sensing mode in the organic light emitting display device according to a third example of the present invention.

도 12 및 도 13을 참조하여 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 센싱 모드를 설명하면 다음과 같다.A sensing mode of the organic light emitting diode display according to the third example of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 and 13 as follows.

우선, 센싱 모드에 있어서, 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소(P)에 포함된 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압을 센싱한다. 이를 위해, 전술한 타이밍 제어부(120)는 화소(P)를 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 구동하기 위한 데이터 제어 신호(DCS), 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성하여 전술한 로우(row) 구동부(140)와 컬럼(column) 구동부(150)에 공급함과 동시에 구동 트랜지스터(Tdr)를 선형(linear) 구동 모드로 동작시키기 위한 센싱용 화소 데이터(DATA)(예를 들어, 최대 계조 값)를 생성하여 컬럼(column) 구동부(150)에 공급한다. 또한, 상기 타이밍 제어부(120)는 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 선형(linear) 구동 모드로 동작시키기 위한 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1)와 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 게이트 전극에 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD2)를 각각 생성하여 전압 공급부(130)에 공급한다.First, in the sensing mode, the organic light emitting display device according to the third example of the present invention operates the second switching transistor Tsw2 included in the pixel P in a source follower mode to operate the second switching transistor ( The threshold voltage of Tsw2) is sensed. To this end, the above-described timing control unit 120 is a data control signal (DCS) for driving the pixel (P) in the first to third periods (t1, t2, t3), the first and second row control signal (RCS1) , RCS2) and supplying the above-described row driver 140 and column driver 150 while simultaneously sensing pixel data for sensing to operate the driving transistor Tdr in a linear driving mode ( DATA) (for example, the maximum grayscale value) is generated and supplied to the column driver 150. In addition, the timing control unit 120 may be applied to the first scan pulse level data SPLD1 and the gate electrode of the second switching transistor Tsw2 for operating the first switching transistor Tsw1 in a linear driving mode. Each of the second scan pulse level data SPLD2 for applying a bias voltage is generated and supplied to the voltage supply unit 130.

상기 전압 공급부(130)는 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1)에 기초하여 제 1 하이 전압(VGH1)과 제 1 로우 전압(VGL1)을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(140)에 공급함과 동시에 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD2)에 기초하여 상기 제 1 하이 전압(VGH1)보다 낮은 제 2 하이 전압(VGH2)과 상기 제 1 로우 전압(VGL1)보다 높은 제 2 로우 전압(VGL2)을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(140)에 공급한다. 예를 들어, 상기 제 1 하이 전압(VGH1)은 23V, 상기 제 1 로우 전압(VGL1)은 -7V, 상기 제 2 하이 전압(VGH2)은 3~6V, 상기 제 2 로우 전압(VGL2)은 -6V일 수 있다.The voltage supply unit 130 generates the first high voltage VGH1 and the first low voltage VGL1 based on the first scan pulse level data SPLD1 and supplies them to the row driver 140 at the same time. A second high voltage VGH2 lower than the first high voltage VGH1 and a second low voltage VGL2 higher than the first low voltage VGL1 are generated based on the second scan pulse level data SPLD2. It supplies to the row driving unit 140. For example, the first high voltage VGH1 is 23V, the first low voltage VGL1 is -7V, the second high voltage VGH2 is 3-6V, and the second low voltage VGL2 is- It can be 6V.

상기 로우(row) 구동부(140)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 응답하여 전술한 센싱 모드의 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 동안 제 1 하이 전압(VGH1)을 가지는 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 응답하여 제 1 및 제 2 기간(t1, t2) 동안 상기 제 2 하이 전압(VGH1)을 가지며, 제 3 기간(t3) 동안 제 2 로우 전압(VGL2)을 가지는 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성하여 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.The row driver 140 has a first high voltage VGH1 during the first to third periods t1, t2, and t3 of the sensing mode described above in response to the first row control signal RCS1. While generating the first scan pulse SP1 and supplying it to the scan control line SL, in response to the second low control signal RCS2, the second high voltage during the first and second periods t1 and t2 ( VGH1), and generates a second scan pulse SP2 having a second low voltage VGL2 during the third period t3 and supplies it to the sensing control line SSL.

상기 컬럼(column) 구동부(150)는 상기 화소 데이터(DATA)와 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 전술한 데이터 구동부(152)의 구동에 따라 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 동안 데이터 라인(DL)에 공급한다. 이와 동시에, 상기 컬럼(column) 구동부(150)는 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 전술한 스위칭부(154)의 구동에 따라 상기 제 1 기간(t1) 동안 레퍼런스 라인(RL)에 프리차징 전압(Vpre)을 공급한 후, 상기 제 2 기간(t2) 동안 상기 레퍼런스 라인(RL)을 플로팅(floating)시킨 다음, 상기 제 3 기간(t3) 동안 상기 레퍼런스 라인(RL)을 전술한 센싱부(156)에 연결시킨다. 이에 따라, 상기 센싱부(156)는 상기 제 3 기간(t3) 동안에 상기 레퍼런스 라인(RL)의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 아날로그-디지털 변환하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성해 상기 타이밍 제어부(120)에 제공한다.The column driver 150 converts the data voltage Vdata according to the driving of the data driver 152 based on the pixel data DATA and the data control signal DCS to the first to third. The data lines DL are supplied during the periods t1, t2, and t3. At the same time, the column driver 150 precharges the reference line RL during the first period t1 according to the driving of the switching unit 154 based on the data control signal DCS. After supplying (Vpre), the reference line RL is floated for the second period t2, and then the reference line RL is sensed for the third period t3. 156). Accordingly, the sensing unit 156 senses the voltage of the reference line RL during the third period t3, and converts the sensed voltage to analog-digital conversion to generate sensing data Sdata to generate the timing control unit. (120).

이와 같은 센싱 모드시 상기 로우(row) 구동부(140)와 상기 컬럼(column) 구동부(150) 각각의 구동에 따른 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 각각의 화소(P) 동작을 설명하면 다음과 같다.In this sensing mode, the operation of each pixel P of the first to third periods t1, t2, and t3 according to the driving of each of the row driver 140 and the column driver 150 is performed. The explanation is as follows.

먼저, 상기 제 1 기간(t1)에서는, 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 제 2 하이 전압(VGH2)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 프리차징 전압(Vpre)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 기간(t1) 동안, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극은 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화된다.First, in the first period t1, the first switching transistor Tsw1 is turned on by the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1 to supply the data voltage to the data line DL. (Vdata) is supplied to the gate electrode of the first node n1, that is, the driving transistor Tdr, and the second switching transistor Tsw2 is turned by the second scan pulse SP2 of the second high voltage VGH2. The pre-charge voltage Vpre that is turned on and supplied to the reference line RL is supplied to the second node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr. Accordingly, during the first period t1, the source electrode of the driving transistor Tdr is initialized to the pre-charging voltage Vpre.

그런 다음, 상기 제 2 기간(t2)에서는, 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 턴-온 상태가 유지되므로 구동 트랜지스터(Tdr)가 데이터 전압(Vdata)에 의해 턴-온되어 구동 전원 라인(PL)에 공급되는 구동 전원(EVdd)이 제 2 노드(n2), 즉 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 드레인 전극에 공급된다. 그리고, 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 게이트 전압은 바이어스 전압인 제 2 하이 전압(VGH2)으로 고정된다. 이와 동시에, 상기 레퍼런스 라인(RL)은 상기 컬럼(column) 구동부(150)의 스위칭부(154)에 의해 플로팅 상태가 된다. 이에 따라, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)는 게이트 전극에 공급되는 바이어스 전압인 제 2 하이 전압(VGH2)에 의해 포화(saturation) 구동 모드로 동작하게 되고, 이로 인하여 플로팅 상태의 상기 레퍼런스 라인(RL)에는 제 2 하이 전압(VGH2)과 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압(Vth)의 차 전압(VGH2-Vth)이 충전되게 된다.Then, in the second period t2, since the turn-on state of the first switching transistor Tsw1 is maintained by the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1, the driving transistor Tdr is The driving power EVdd that is turned on by the data voltage Vdata and supplied to the driving power line PL is supplied to the second node n2, that is, the drain electrode of the second switching transistor Tsw2. Further, the gate voltage of the second switching transistor Tsw2 is fixed to the second high voltage VGH2 which is a bias voltage. At the same time, the reference line RL is floated by the switching unit 154 of the column driving unit 150. Accordingly, the second switching transistor Tsw2 operates in a saturation driving mode by the second high voltage VGH2, which is a bias voltage supplied to the gate electrode, thereby causing the reference line RL in the floating state. ) Is charged with the difference voltage VGH2-Vth of the second high voltage VGH2 and the threshold voltage Vth of the second switching transistor Tsw2.

그런 다음, 상기 제 3 기간(T3)에서는, 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온 상태로 유지된 상태에서, 제 2 로우 전압(VGL2)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-오프되고, 이와 동시에 상기 레퍼런스 라인(RL)이 상기 컬럼(column) 구동부(150)의 스위칭부(154)에 의해 상기 센싱부(156)에 연결된다. 이에 따라, 상기 센싱부(156)는 상기 레퍼런스 라인(RL)의 전압(Vsense(RL))을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense(RL))을 아날로그-디지털 변환하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성해 타이밍 제어부(120)에 제공한다. 따라서, 상기 타이밍 제어부(120)는 상기 제 2 하이 전압(VGH2)과 상기 센싱부(156)로부터 제공되는 센싱 데이터(Sdata)에 기초하여 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압(Vth)을 산출하고, 산출된 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압(Vth)에 대응되는 문턱 전압 데이터를 메모리(122)에 저장한다. 결과적으로, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압(Vth)은 상기 제 2 하이 전압(VGH2)에서 상기 센싱부(156)의 센싱 전압(Vsense(RL))을 뺀 전압이 될 수 있다.Then, in the third period T3, while the first switching transistor Tsw1 is maintained in the turn-on state by the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1, the second low The second switching transistor Tsw2 is turned off by the second scan pulse SP2 of the voltage VGL2, and at the same time, the reference line RL is the switching unit 154 of the column driver 150 ) Is connected to the sensing unit 156. Accordingly, the sensing unit 156 senses the voltage Vsense(RL) of the reference line RL, and converts the sensed voltage Vsense(RL) to analog-digital conversion to generate sensing data Sdata. Solution timing controller 120. Accordingly, the timing control unit 120 sets the threshold voltage Vth of the second switching transistor Tsw2 based on the second high voltage VGH2 and the sensing data Sdata provided from the sensing unit 156. The threshold voltage data corresponding to the calculated threshold voltage Vth of the second switching transistor Tsw2 is stored in the memory 122. As a result, the threshold voltage Vth of the second switching transistor Tsw2 may be a voltage obtained by subtracting the sensing voltage Vsense(RL) of the sensing unit 156 from the second high voltage VGH2.

이와 같은, 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 모드에서는, 상기 센싱된 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압(Vth)을 기반으로 전술한 보상 기준값을 산출하고, 도 9a 내지 도 9d 중 어느 하나에 도시된 바와 같이 산출된 보상 기준값에 기초하여, 제 2 스캔 펄스(SP2)의 제 2 하이 전압(VGH2)과 제 2 로우 전압(VGL2)을 가변하는 것을 제외하고는 도 6 및 도 8을 결부하여 전술한 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 모드와 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다. 나아가, 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 모드에서 제 1 스캔 펄스(SP1)의 제 1 하이 전압(VGH1)과 제 1 로우 전압(VGL1) 각각은 상기 보상 기준값에 따라 가변될 수도 있다.In the display mode of the OLED display according to the third example of the present invention, the above-described compensation reference value is calculated based on the threshold voltage Vth of the second switching transistor Tsw2 for each sensed pixel P And changing the second high voltage VGH2 and the second low voltage VGL2 of the second scan pulse SP2 based on the compensation reference value calculated as shown in any one of FIGS. 9A to 9D. 6 and 8 are the same as the display mode of the organic light emitting display device according to the first example of the present invention described above, so a duplicate description thereof will be omitted. Furthermore, each of the first high voltage VGH1 and the first low voltage VGL1 of the first scan pulse SP1 in the display mode of the organic light emitting diode display according to the third example of the present invention is variable according to the compensation reference value. It might be.

한편, 전술한 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는, 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 스캔 제어 라인(SL)에 공급되는 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 스위칭되고, 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 센싱 제어 라인(SSL)에 공급되는 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 스위칭되는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 변형 예에서는 스캔 제어 라인(SL)과 센싱 제어 라인(SSL) 중 어느 하나가 생략될 수 있으며, 이하의 설명에서는 센싱 제어 라인(SSL)이 생략되거나 스캔 제어 라인(SL)에 전기적으로 연결된 것으로 가정하기로 한다.Meanwhile, in the organic light emitting display device according to the third example of the present invention, the first switching transistor Tsw1 is switched by the first scan pulse SP1 supplied to the scan control line SL, and the second switching Although the transistor Tsw2 is described as being switched by the second scan pulse SP2 supplied to the sensing control line SSL, the present invention is not limited thereto, and in the modified example of the organic light emitting display device according to the third example of the present invention Either one of the scan control line SL and the sensing control line SSL may be omitted, and in the following description, it is assumed that the sensing control line SSL is omitted or is electrically connected to the scan control line SL. .

상기 변형 예에서, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)는, 도 14에 도시된 바와 같이, 스캔 제어 라인(SL)에 공급되는 스캔 펄스(SP)에 의해 동시에 스위칭될 수 있다. 여기서, 상기 센싱 모드시 상기 스캔 펄스(SP)는, 전술한 제 2 스캔 펄스(SP2)와 동일한 하이 전압(VGH2)과 로우 전압(VGL2)으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 표시 모드시 상기 스캔 펄스(SP)의 하이 전압과 로우 전압 각각은 상기 보상 기준값에 따라 가변될 수도 있다.In the modified example, the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 may be simultaneously switched by the scan pulse SP supplied to the scan control line SL, as shown in FIG. 14. Here, in the sensing mode, the scan pulse SP may be formed of the same high voltage VGH2 and low voltage VGL2 as the second scan pulse SP2. Also, in the display mode, each of the high voltage and the low voltage of the scan pulse SP may be varied according to the compensation reference value.

이러한 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 변형 예에 있어서, 센싱 모드 또는 표시 모드에서는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)가 상기 하나의 스캔 펄스(SP)에 의해 동시에 스위칭되는 것을 제외하고는, 도 12 및 도 13을 참조하여 전술한 센싱 모드 또는 표시 모드와 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.In the modified example of the organic light emitting display device according to the third example of the present invention, in the sensing mode or the display mode, the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 are simultaneously driven by the one scan pulse SP. Except for being switched, since it is the same as the sensing mode or the display mode described above with reference to FIGS. 12 and 13, redundant description thereof will be omitted.

이와 같은, 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 변형 예는 전술한 로우(row) 구동부(140)의 센싱 라인 구동부(144)를 생략할 수 있어 회로 비용을 저감할 수 있으며, 상기 표시 패널(110)에 형성되는 복수의 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm)을 생략할 수 있어 화소(P)별 개구율을 증가시킬 수 있다.In this modification of the organic light emitting display device according to the third example of the present invention, the sensing line driver 144 of the row driver 140 described above can be omitted, thereby reducing circuit cost, The plurality of sensing control lines SSL1 to SSLm formed on the display panel 110 may be omitted, thereby increasing the aperture ratio of each pixel P.

한편, 도시하지 않았지만, 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전술한 제 1 유기 발광 표시 장치의 센싱 모드를 통해 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압에 대응되는 화소(P)별 제 1 문턱 전압 데이터를 메모리(122)에 저장한 후, 전술한 제 3 유기 발광 표시 장치의 센싱 모드를 통해 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압에 대응되는 화소(P)별 제 2 문턱 전압 데이터를 메모리(122)에 저장한다. 그런 다음, 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 모드시, 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 제 1 문턱 전압 데이터를 기반으로 화소(P)별 제 1 특성 보상값을 산출함과 동시에 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 제 2 문턱 전압 데이터를 기반으로 화소(P)별 제 2 특성 보상값을 산출한 다음, 상기 화소(P)별 제 1 및 제 2 특성 보상값을 해당 화소(P)의 영상 데이터(Idata)에 반영하여 보정 데이터(DATA)를 생성해 각 화소(P)에 표시한다. 이에 따라, 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 편차에 따른 휘도 편차뿐만 아니라 화소별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압 편차에 따른 휘도 편차를 동시에 보상할 수 있다.On the other hand, although not shown, the organic light emitting display device according to the fourth example of the present invention corresponds to the threshold voltage of the driving transistor Tdr for each pixel P through the sensing mode of the first organic light emitting display device ( After storing the first threshold voltage data for each P) in the memory 122, the pixels corresponding to the threshold voltage of the second switching transistor Tsw2 for each pixel P through the sensing mode of the third organic light emitting display device described above. The second threshold voltage data for each (P) is stored in the memory 122. Then, in the organic light emitting display device according to the fourth example of the present invention, in the display mode, the first characteristic compensation value for each pixel P is calculated based on the first threshold voltage data for each pixel P stored in the memory 122. At the same time, the second characteristic compensation value for each pixel P is calculated based on the second threshold voltage data for each pixel P stored in the memory 122, and then the first and second characteristics for each pixel P are calculated. Compensation data DATA is generated and displayed on each pixel P by reflecting the compensation value to the image data Idata of the corresponding pixel P. Accordingly, the organic light emitting diode display according to the fourth example of the present invention is not only the luminance deviation according to the threshold voltage deviation of the driving transistor Tdr for each pixel, but also the luminance deviation according to the threshold voltage deviation of the second switching transistor Tsw2 for each pixel. Can compensate at the same time.

도 15는 본 발명의 제 2 또는 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서, 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성하기 위한 타이밍 제어부의 일 예를 설명하기 위한 블록도이다.15 is a block diagram illustrating an example of a timing controller for generating scan pulse level data in the organic light emitting diode display according to the second or third example of the present invention.

우선, 화소(P)별 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각은 구동에 따른 전압 스트레스(voltage stress)로 인하여 문턱 전압(Vth)/이동도(Mobility) 특성이 정방향 또는 역방향으로 변화될 수 있다. 이러한 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 특성 변화는 구동 시간에 따른 관계식을 통해 도출되거나, 구동 시간에 따른 특성 변화량이 맵핑되어 있는 룩 업 테이블을 통해 도출될 수 있다. 이에 따라, 상기 타이밍 제어부(120)는, 상기 표시 모드시, 전술한 상기 센싱 모드에 의해 센싱된 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 센싱 데이터(Sdata)를 기반으로 구동 시간에 대한 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 문턱 전압 변화를 계산하는 관계식 또는 구동 시간에 대한 문턱 전압 변화량이 맵핑되어 있는 룩 업 테이블을 이용하여 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 각각의 전압 레벨을 가변하기 위한 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성한다.First, each of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 for each pixel P has a threshold voltage (Vth)/mobility characteristic changed in a forward or reverse direction due to a voltage stress due to driving. Can be. The change in characteristics of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 may be derived through a relational expression according to the driving time or may be derived through a look-up table to which a characteristic change amount according to the driving time is mapped. Accordingly, the timing control unit 120, in the display mode, the driving time based on the sensing data Sdata of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 sensed by the sensing mode described above. High of the first and second scan pulses SP1 and SP2 using a relational expression for calculating the threshold voltage change of the switching transistors Tsw1 and Tsw2 or a lookup table in which the threshold voltage change amount for the driving time is mapped. First and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 for varying voltage levels of the voltages VGH1 and VGH2 and the low voltages VGL1 and VGL2 are generated.

도 15를 참조하면, 본 발명의 제 2 또는 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서, 일 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간에 대한 문턱 전압 변화량을 계산하는 관계식을 이용하여 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성하는 스캔 펄스 레벨 데이터 생성부(125)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 15, in the organic light emitting display device according to the second or third example of the present invention, the timing control unit 120 according to an example is driven time of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 It may be configured to include a scan pulse level data generation unit 125 for generating the first and second scan pulse level data (SPLD1, SPLD2) by using a relational expression for calculating the threshold voltage change for.

상기 스캔 펄스 레벨 데이터 생성부(125)는 구동 시간 산출부(125a) 및 스캔 펄스 레벨 설정부(125b)를 포함하여 구성될 수 있다.The scan pulse level data generation unit 125 may include a driving time calculation unit 125a and a scan pulse level setting unit 125b.

상기 구동 시간 산출부(125a)는 타이밍 동기 신호(TSS), 즉 수직 동기 신호 또는 수평 동기 신호를 카운팅하여 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간(DT)을 산출한다.The driving time calculation unit 125a calculates a driving time DT of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 by counting a timing synchronization signal TSS, that is, a vertical synchronization signal or a horizontal synchronization signal. .

상기 스캔 펄스 레벨 설정부(125b)는 상기 구동 시간 산출부(125a)로부터 공급되는 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간(DT)을 변수로 하는 관계식의 연산을 통해 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 문턱 전압 변화량을 산출하고, 산출된 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 문턱 전압 변화량에 기초하여 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성한다. 여기서, 상기 관계식은 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각에 대해 개별적으로 설정될 수 있다. 이러한 상기 관계식은 유기 발광 표시 장치의 제품 출하 전, 검사 공정에서 수행되는 전술한 센싱 모드에 의해 수집되는 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 구동 시간별 문턱 전압 데이터의 분석을 통해 도출될 수 있다.The scan pulse level setting unit 125b through calculation of a relational expression in which the driving time DT of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 supplied from the driving time calculator 125a is a variable The first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 calculate threshold voltage changes, and the calculated first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 based on the threshold voltage variation. Scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 are generated. Here, the relational expression may be individually set for each of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2. This relational expression analyzes threshold voltage data for each driving time of each of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 collected by the above-described sensing mode performed in the inspection process before shipment of the product of the organic light emitting diode display. Can be derived through

이와 같은, 본 발명의 제 2 또는 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간(DT)에 따라 스캔 펄스(SP1, SP2)의 전압 레벨을 가변함으로써 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 초기 구동시 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 전압 스트레스를 저감하고, 장시간 구동에 따른 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 문턱 전압 변화를 보상할 수 있다.The organic light emitting display device according to the second or third example of the present invention has the voltage of the scan pulses SP1 and SP2 according to the driving time DT of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2. By changing the level, the voltage stress of the first and/or second switching transistors Tsw1, Tsw2 during initial driving of the first and/or second switching transistors Tsw1, Tsw2 is reduced, and the first and And/or the threshold voltage change of the second switching transistors Tsw1 and Tsw2 may be compensated.

도 16은 본 발명의 제 2 또는 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서, 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성하기 위한 타이밍 제어부의 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다.16 is a block diagram illustrating another example of a timing control unit for generating scan pulse level data in the organic light emitting diode display according to the second or third example of the present invention.

도 16을 참조하면, 본 발명의 제 2 또는 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서, 다른 예에 따른 타이밍 제어부(120)는 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간에 대응되는 문턱 전압 변화량(TVV)이 맵핑되어 있는 룩 업 테이블을 이용하여 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성하는 스캔 펄스 레벨 데이터 생성부(125)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 16, in the organic light emitting diode display device according to the second or third example of the present invention, the timing control unit 120 according to another example is a driving time of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 And a scan pulse level data generation unit 125 generating first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 using a look-up table to which a threshold voltage variation (TVV) corresponding to is mapped. Can be.

상기 스캔 펄스 레벨 데이터 생성부(125)는 구동 시간 산출부(125a), 스캔 펄스 레벨 설정부(125b), 및 룩 업 테이블(LUT)을 포함하여 구성될 수 있다.The scan pulse level data generation unit 125 may include a driving time calculation unit 125a, a scan pulse level setting unit 125b, and a look-up table (LUT).

상기 구동 시간 산출부(125a)는 타이밍 동기 신호(TSS), 즉 수직 동기 신호 또는 수평 동기 신호를 카운팅하여 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간(DT)을 산출한다.The driving time calculation unit 125a calculates a driving time DT of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 by counting a timing synchronization signal TSS, that is, a vertical synchronization signal or a horizontal synchronization signal. .

상기 룩 업 테이블(LUT)에는 사전 실험을 통해, 센싱 모드에 의해 센싱되는 화소별 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 문턱 전압 데이터를 구동 시간 단위로 변화량 및 변화 방향을 분석하여 도출된 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간에 대응되는 문턱 전압 변화량(TVV)이 맵핑되어 있다.The look-up table (LUT) analyzes a change amount and a change direction of threshold voltage data of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 for each pixel sensed by the sensing mode through a preliminary experiment in units of driving time. The threshold voltage change amount TVV corresponding to the driving time of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 derived by is mapped.

상기 스캔 펄스 레벨 설정부(125b)는 상기 룩 업 테이블(LUT)에서 상기 구동 시간 산출부(125a)로부터 공급되는 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간(DT)에 대응되는 문턱 전압 변화량(TVV)을 추출하고, 추출된 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 문턱 전압 변화량(TVV)에 기초하여 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2)를 생성한다. 여기서, 상기 룩 업 테이블(LUT)은 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각에 대해 개별적으로 마련될 수 있다. 이러한 상기 룩 업 테이블(LUT)은 유기 발광 표시 장치의 제품 출하 전, 검사 공정에서 수행되는 전술한 센싱 모드에 의해 수집되는 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 구동 시간별 문턱 전압 데이터의 분석을 통해 도출될 수 있다.The scan pulse level setting unit 125b corresponds to the driving time DT of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 supplied from the driving time calculator 125a in the look-up table LUT. The corresponding threshold voltage change amount TVV is extracted, and the first and second scan pulse level data SPLD1, based on the threshold voltage change amount TVV of the extracted first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2, SPLD2). Here, the look-up table LUT may be provided separately for each of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2. The look-up table (LUT) is a threshold for each driving time of each of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 collected by the above-described sensing mode performed in an inspection process before product shipment of the organic light emitting display device. It can be derived through analysis of voltage data.

이와 같은, 본 발명의 제 2 또는 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 초기 구동시 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 전압 스트레스를 저감하고, 장시간 구동에 따른 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 문턱 전압 변화를 보상할 수 있다.The organic light emitting display device according to the second or third example of the present invention reduces voltage stress of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 during initial driving, and the first and And/or the threshold voltage change of the second switching transistors Tsw1 and Tsw2 may be compensated.

도 17은 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 타이밍 제어부를 설명하기 위한 블록도이다.17 is a block diagram illustrating a timing control unit of an organic light emitting diode display according to a fourth example of the present invention.

도 17을 참조하면, 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 타이밍 제어부(120)는 전술한 컬럼(column) 구동부(150)와 로우(row) 구동부(140)를 센싱 모드로 동작시키고, 센싱 모드에 의해 컬럼(column) 구동부(150)로부터 제공되는 센싱 데이터(Sdata)를 메모리(122)에 저장한다.Referring to FIG. 17, the timing controller 120 of the organic light emitting diode display according to the fourth example of the present invention operates the above-described column driver 150 and row driver 140 in a sensing mode. , The sensing data Sdata provided from the column driver 150 by the sensing mode is stored in the memory 122.

표시 모드에 있어서, 상기 타이밍 제어부(120)는 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 1 문턱 전압 데이터(Vth_Tdr)와 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 제 2 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2)를 기반으로 입력되는 화소(P)별 영상 데이터(Idata)를 보정하여 화소별 화소 데이터(DATA)를 생성해 전술한 컬럼(column) 구동부(150)에 공급한다. 이를 위해, 타이밍 제어부(120)는 데이터 처리부(127)를 포함한다.In the display mode, the timing controller 120 includes first threshold voltage data Vth_Tdr of the driving transistor Tdr for each pixel P stored in the memory 122 and a second threshold voltage of the second switching transistor Tsw2. Based on the data Vth_Tsw2, image data Idata for each pixel P is corrected to generate pixel data DATA for each pixel and supplied to the column driver 150 described above. To this end, the timing control unit 120 includes a data processing unit 127.

일 예에 따른 데이터 처리부(127)는 데이터 정렬부(127a), 룩 업 테이블(127b), 및 데이터 보정부(127c)를 포함하여 구성될 수 있다.The data processing unit 127 according to an example may include a data alignment unit 127a, a look-up table 127b, and a data correction unit 127c.

상기 데이터 정렬부(127a)는 외부의 구동 시스템(또는 그래픽 카드)으로부터 입력되는 영상 데이터(Idata)를 상기 표시 패널(110)의 구동에 알맞도록 정렬하여 화소별 입력 데이터(Idata')를 생성한다.The data alignment unit 127a arranges image data Idata input from an external driving system (or graphics card) to match the driving of the display panel 110 to generate pixel-specific input data Idata'. .

상기 룩 업 테이블(127b)는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2) 마다 보정 데이터 별로 설정된 상기 제 2 특성 보상값(θ)을 저장한다. 여기서, 상기 제 2 특성 보상값(θ)은 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2) 변화에 대한 데이터 전압의 편차를 보상하는 사전 시뮬레이션 과정을 통해 설정되는 것으로, 상기 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2)마다 보정 데이터 별로 설정되게 된다.The look-up table 127b stores the second characteristic compensation value θ set for each correction data for each threshold voltage data Vth_Tsw2 of the second switching transistor Tsw2. Here, the second characteristic compensation value θ is set through a pre-simulation process that compensates for a variation in data voltage with respect to a change in the threshold voltage data Vth_Tsw2 of the second switching transistor Tsw2, and the threshold voltage data ( Vth_Tsw2) is set for each correction data.

상기 데이터 보정부(127c)는 직전의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 1 문턱 전압 데이터(Vth_Tdr)와 최초의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 최초 문턱 전압 데이터 간의 편차에 기초하여 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 화소(P)별 제 1 특성 보상값을 산출한 다음, 산출된 화소(P)별 제 1 특성 보상값을 이용해 해당 화소(P)의 입력 데이터(Idata')를 1차 보정하여 화소별 보정 데이터를 생성한다. 그런 다음, 상기 데이터 보정부(127c)는 직전의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 제 2 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2)와 해당 보정 데이터에 해당되는 화소(P)별 제 2 특성 보상값(θ)을 룩 업 테이블(127b)에서 추출하고, 추출된 화소(P)별 제 2 특성 보상값(θ)을 이용해 해당 화소(P)의 보정 데이터를 2차 보정하여 화소별 화소 데이터(DATA)를 생성한 다음, 생성된 화소별 화소 데이터(DATA)를 전술한 컬럼(column) 구동부(150)에 공급한다.The data correction unit 127c is sensed by the first threshold voltage data Vth_Tdr of the driving transistor Tdr for each pixel P stored in the memory 122 and sensed by the previous sensing mode, and sensed by the first sensing mode. Based on the deviation between the initial threshold voltage data of the driving transistor Tdr for each pixel P stored in the memory 122, a pixel-by-pixel compensation for compensating for a change in the threshold voltage of the driving transistor Tdr for each pixel P After calculating the one characteristic compensation value, the input data Idata' of the corresponding pixel P is first-corrected using the calculated first characteristic compensation value for each pixel P to generate pixel-specific correction data. Then, the data correction unit 127c is the second threshold voltage data Vth_Tsw2 of the second switching transistor Tsw2 for each pixel P sensed by the previous sensing mode and stored in the memory 122, and corresponding correction data. The second characteristic compensation value (θ) for each pixel (P) corresponding to is extracted from the look-up table (127b), and the second characteristic compensation value (θ) for each pixel (P) is used for the corresponding pixel (P). The correction data is secondly corrected to generate pixel data DATA for each pixel, and then the generated pixel data DATA for each pixel is supplied to the column driver 150 described above.

다른 예에 따른 데이터 처리부(127)는 데이터 정렬부(127a), 룩 업 테이블(127b), 및 데이터 보정부(127c)를 포함하여 구성될 수 있다.The data processing unit 127 according to another example may include a data alignment unit 127a, a look-up table 127b, and a data correction unit 127c.

상기 데이터 정렬부(127a)는 외부의 구동 시스템(또는 그래픽 카드)으로부터 입력되는 영상 데이터(Idata)를 상기 표시 패널(110)의 구동에 알맞도록 정렬하여 화소별 입력 데이터(Idata')를 생성한다.The data alignment unit 127a arranges image data Idata input from an external driving system (or graphics card) to match the driving of the display panel 110 to generate pixel-specific input data Idata'. .

상기 룩 업 테이블(127b)는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2) 마다 보정 데이터 별로 설정된 2차 방정식(y=ax2+bx+c)의 계수(a, b, c), 즉 2차 변수의 계수(a), 1차 변수의 계수(b), 0차 변수의 계수(또는 상수)(b)를 저장하고 있다. 여기서, 상기 2차 방정식의 계수(a, b, c)는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2) 변화에 대한 데이터 전압의 편차를 보상하기 위한 사전 시뮬레이션 과정을 통해 설정되는 것으로, 상기 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2)마다 보정 데이터 별로 설정되게 된다.The look-up table 127b includes coefficients (a, b, c) of a quadratic equation (y=ax 2 +bx+c) set for each correction data for each threshold voltage data Vth_Tsw2 of the second switching transistor Tsw2, That is, the coefficient (a) of the secondary variable, the coefficient (b) of the primary variable, and the coefficient (or constant) (b) of the 0th variable are stored. Here, the coefficients (a, b, c) of the quadratic equation are set through a pre-simulation process for compensating the deviation of the data voltage with respect to the change in the threshold voltage data (Vth_Tsw2) of the second switching transistor Tsw2, The threshold voltage data Vth_Tsw2 is set for each correction data.

상기 데이터 보정부(127c)는 직전의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 제 1 문턱 전압 데이터(Vth_Tdr)와 최초의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 최초 문턱 전압 데이터 간의 편차에 기초하여 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 화소(P)별 제 1 특성 보상값을 산출한 다음, 산출된 화소(P)별 제 1 특성 보상값을 이용해 해당 화소(P)의 입력 데이터(Idata')를 1차 보정하여 화소별 보정 데이터를 생성한다. 그런 다음, 상기 데이터 보정부(127c)는 직전의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 제 2 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2)와 해당 보정 데이터에 해당되는 화소(P)별 상기 2차 방정식의 계수(a, b, c)를 룩 업 테이블(127b)에서 추출하고, 추출된 상기 화소(P)별 2차 방정식의 계수(a, b, c)와 해당 화소(P)의 보정 데이터를 이용한 2차 방정식의 연산을 통해 화소별 화소 데이터(DATA)를 생성한 다음, 생성된 화소별 화소 데이터(DATA)를 전술한 컬럼(column) 구동부(150)에 공급한다.The data correction unit 127c is sensed by the first threshold voltage data Vth_Tdr of the driving transistor Tdr for each pixel P stored in the memory 122 and sensed by the previous sensing mode, and sensed by the first sensing mode. Based on the deviation between the initial threshold voltage data of the driving transistor Tdr for each pixel P stored in the memory 122, a pixel-by-pixel compensation for compensating for a change in the threshold voltage of the driving transistor Tdr for each pixel P After calculating the one characteristic compensation value, the input data Idata' of the corresponding pixel P is firstly corrected using the calculated first characteristic compensation value for each pixel P to generate pixel-specific correction data. Then, the data correction unit 127c is the second threshold voltage data Vth_Tsw2 of the second switching transistor Tsw2 for each pixel P sensed by the previous sensing mode and stored in the memory 122 and corresponding correction data. The coefficients (a, b, c) of the quadratic equation for each pixel (P) corresponding to are extracted from a look-up table (127b), and the coefficients (a, b,) of the quadratic equation for each pixel (P) extracted c) and generating pixel data DATA for each pixel through calculation of a quadratic equation using the correction data of the corresponding pixel P, and then generating the generated pixel data DATA for each pixel by using the above-described column driver ( 150).

도 18은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 순서도로서, 이는 전술한 본 발명의 제 1 내지 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 관한 것이다.18 is a flowchart illustrating a method of driving an organic light emitting display device according to a first example of the present invention, which relates to a method of driving an organic light emitting display device according to examples 1 to 3 of the present invention described above.

도 18을 도 6와 결부하여 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 설명하면 다음과 같다.The driving method of the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention will be described with reference to FIG. 18 in connection with FIG. 6.

먼저, 센싱 모드에 따른 전술한 타이밍 제어부(120)의 제어에 따라 표시 패널(110)의 각 화소(P)를 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 구동하여 화소(P)별구동 트랜지스터(Tdr)를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 레퍼런스 라인(RL)을 통해 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성하고, 센싱 데이터(Sdata)를 메모리(122)에 저장한다(S210).First, each pixel P of the display panel 110 is driven in the first to third periods t1, t2, and t3 under the control of the above-described timing control unit 120 according to the sensing mode, so that each pixel P is The driving transistor Tdr is operated in a source follower mode to sense a threshold voltage of the driving transistor Tdr for each pixel P through the reference line RL to generate sensing data Sdata. (Sdata) is stored in the memory 122 (S210).

그런 다음, 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장되어 있는 화소(P)별구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 데이터에 기초하여 표시 패널(110)에 대한 전술한 보상 기준값을 산출한다(S220).Then, the above-described compensation reference value for the display panel 110 is calculated based on the threshold voltage data of the driving transistor Tdr for each pixel P sensed by the sensing mode and stored in the memory 122 (S220). ).

그런 다음, 상기 보상 기준값에 대한 스캔 펄스(SP1, SP2)의 하이 전압(VGH1, VGH2)과 로우 전압(VGL1, VGL2) 각각의 전압 레벨에 대응되는 스캔 펄스 레벨 데이터가 맵핑되어 있는 룩-업 테이블을 이용하여 상기 보상 기준값에 대응되는 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각을 생성한다(S230).Then, a look-up table in which scan pulse level data corresponding to voltage levels of the high voltages VGH1 and VGH2 and the low voltages VGL1 and VGL2 of the scan pulses SP1 and SP2 for the compensation reference values are mapped is mapped. Each of the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 corresponding to the compensation reference value is generated using (S230).

그런 다음, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각에 기초하여, 도 9a 내지 도 9d 중 어느 하나에 도시된 바와 같이 제 1 스캔 펄스(SP1)의 제 1 하이 전압(VGH1)과 제 1 로우 전압(VGL1)을 생성함과 동시에 제 2 스캔 펄스(SP2)의 제 2 하이 전압(VGH2)과 제 2 로우 전압(VGL2)을 생성한다(S240).Then, based on the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2, respectively, the first high voltage VGH1 of the first scan pulse SP1 as shown in any one of FIGS. 9A to 9D. ) And the first low voltage VGL1 and the second high voltage VGH2 and the second low voltage VGL2 of the second scan pulse SP2 (S240 ).

그런 다음, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)를 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 하이 전압(VGH2)의 제 2 스캔 펄스(SP2)를 센싱 제어 라인(SSL)에 공급하고, 이와 동기되도록 영상 데이터에 대응되는 데이터 전압(Vdata)을 표시 패널(110)의 데이터 라인(DL)에 공급함으로써 각 화소(P)에 영상을 표시한다(S250).Then, as shown in FIG. 8, while supplying the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1 to the scan control line SL, the second scan of the second high voltage VGH2 The pulse SP2 is supplied to the sensing control line SSL, and the data voltage Vdata corresponding to the image data is supplied to the data line DL of the display panel 110 so as to synchronize with the image to each pixel P. Is displayed (S250).

한편, 도 18을 도 10과 결부하면, 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법은, 전술한 S210 단계에서, 화소(P)별 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 레퍼런스 라인(RL)을 통해 화소(P)별 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성해 메모리(122)에 저장하고, 전술한 S220 단계에서, 메모리(122)에 저장되어 있는 화소(P)별 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압 데이터에 기초하여 표시 패널(110)에 대한 보상 기준값을 산출하는 것을 제외하고는 모두 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, when FIG. 18 is combined with FIG. 10, in the driving method of the organic light emitting diode display according to the second example of the present invention, in step S210 described above, the first switching transistor Tsw1 for each pixel P is a source follower ( source follower) mode to sense the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 for each pixel P through the reference line RL to generate sensing data Sdata and store it in the memory 122, as described above. In step S220, all are the same except that the compensation reference value for the display panel 110 is calculated based on the threshold voltage data of the first switching transistor Tsw1 for each pixel P stored in the memory 122. Redundant description of this will be omitted.

한편, 도 18을 도 12와 결부하면, 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법은, 전술한 S210 단계에서, 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 레퍼런스 라인(RL)을 통해 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성해 메모리(122)에 저장하고, 전술한 S220 단계에서, 메모리(122)에 저장되어 있는 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압 데이터에 기초하여 표시 패널(110)에 대한 보상 기준값을 산출하는 것을 제외하고는 모두 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, when FIG. 18 is combined with FIG. 12, in the driving method of the organic light emitting diode display according to the third example of the present invention, in step S210 described above, the second switching transistor Tsw2 for each pixel P is a source follower ( source follower) mode to sense the threshold voltage of the second switching transistor Tsw2 for each pixel P through the reference line RL to generate sensing data Sdata and store it in the memory 122, as described above. In step S220, all are the same except that the compensation reference value for the display panel 110 is calculated based on the threshold voltage data of the second switching transistor Tsw2 for each pixel P stored in the memory 122. Redundant description of this will be omitted.

한편, 도 18을 도 14와 결부하면, 본 발명의 제 3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법은, 전술한 S210 단계에서, 화소(P)별 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)를 하나의 스캔 펄스(SP)를 동시에 스위칭시킬 수도 있다.Meanwhile, when FIG. 18 is combined with FIG. 14, the driving method of the organic light emitting diode display according to the third example of the present invention includes the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 for each pixel P in step S210 described above. ) May switch one scan pulse SP at the same time.

도 19는 본 발명의 제 2 또는 제 3 예의 변형 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 순서도로서, 이는 도 15에 도시된 본 발명의 제 2 또는 제 3 예의 변형 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법 또는 도 16에 도시된 본 발명의 제 2 또는 제 3 예의 다른 변형 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 관한 것이다.19 is a flowchart illustrating a method of driving an organic light emitting display device according to a modification of the second or third example of the present invention, which is an organic example according to a modification of the second or third example of the present invention illustrated in FIG. 15. A method of driving a light emitting display device or a method of driving an organic light emitting display device according to another modification of the second or third example of the present invention illustrated in FIG. 16.

도 19를 도 15 또는 도 16과 결부하여 본 발명의 제 2 또는 제 3 예의 변형 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 설명하면 다음과 같다.The driving method of the organic light emitting display device according to the modification of the second or third example of the present invention will be described with reference to FIG. 19 in connection with FIG. 15 or 16.

먼저, 센싱 모드에 따른 전술한 타이밍 제어부(120)의 제어에 따라 표시 패널(110)의 각 화소(P)를 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 구동하여 화소(P)별 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 레퍼런스 라인(RL)을 통해 화소(P)별 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성하고, 센싱 데이터(Sdata)를 메모리(122)에 저장한다(S310).First, each pixel P of the display panel 110 is driven in the first to third periods t1, t2, and t3 under the control of the above-described timing control unit 120 according to the sensing mode, so that each pixel P is Threshold voltages of the first or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 for each pixel P through the reference line RL by operating the first or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 in a source follower mode Sensing to generate the sensing data (Sdata), and stores the sensing data (Sdata) in the memory (122) (S310).

그런 다음, 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장되어 있는 화소(P)별 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 문턱 전압 데이터를 기반으로 구동 시간에 대한 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화량을 계산하는 관계식 또는 구동 시간에 대한 문턱 전압 변화량이 맵핑되는 룩 업 테이블(LUT)을 마련한다(S320).Then, the threshold voltage of the switching transistor with respect to the driving time based on the threshold voltage data of the first or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 for each pixel P sensed by the sensing mode and stored in the memory 122. A lookup table (LUT) in which a threshold voltage variation is mapped to a relational expression or a driving time for calculating the variation is prepared (S320).

그런 다음, 타이밍 동기 신호(TSS), 즉 수직 동기 신호 또는 수평 동기 신호를 카운팅하여 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간(DT)을 산출한다(S330).Then, the timing synchronization signal TSS, that is, the vertical synchronization signal or the horizontal synchronization signal is counted to calculate the driving time DT of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 (S330).

그런 다음, 관계식 또는 룩 업 테이블(LUT)을 이용하여 상기 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 구동 시간(DT)에 대응되는 제 1 및/또는 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)의 문턱 전압 변화량을 산출하고, 산출된 문턱 전압 변화량에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각을 생성할 수 있다(S340).Then, the first and/or second switching transistor Tsw1 corresponding to the driving time DT of the first and/or second switching transistors Tsw1 and Tsw2 using a relational expression or a look-up table LUT The threshold voltage change amount of Tsw2) may be calculated, and the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2 may be generated based on the calculated threshold voltage change amount (S340).

그런 다음, 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(SPLD1, SPLD2) 각각에 기초하여, 도 9a 내지 도 9d 중 어느 하나에 도시된 바와 같이 제 1 스캔 펄스(SP1)의 제 1 하이 전압(VGH1)과 제 1 로우 전압(VGL1)을 생성함과 동시에 제 2 스캔 펄스(SP2)의 제 2 하이 전압(VGH2)과 제 2 로우 전압(VGL2)을 생성한다(S350).Then, based on the first and second scan pulse level data SPLD1 and SPLD2, respectively, the first high voltage VGH1 of the first scan pulse SP1 as shown in any one of FIGS. 9A to 9D. ) And the first low voltage VGL1 and the second high voltage VGH2 and the second low voltage VGL2 of the second scan pulse SP2 (S350 ).

그런 다음, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 하이 전압(VGH1)의 제 1 스캔 펄스(SP1)를 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 하이 전압(VGH2)의 제 2 스캔 펄스(SP2)를 센싱 제어 라인(SSL)에 공급하고, 이와 동기되도록 영상 데이터에 대응되는 데이터 전압(Vdata)을 표시 패널(110)의 데이터 라인(DL)에 공급함으로써 각 화소(P)에 영상을 표시한다(S360).Then, as shown in FIG. 8, while supplying the first scan pulse SP1 of the first high voltage VGH1 to the scan control line SL, the second scan of the second high voltage VGH2 The pulse SP2 is supplied to the sensing control line SSL, and the data voltage Vdata corresponding to the image data is supplied to the data line DL of the display panel 110 so as to synchronize with the image to each pixel P. Is displayed (S360).

도 20은 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 순서도로서, 이는 도 17에 도시된 타이밍 제어부를 포함하는 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 관한 것이다.20 is a flowchart for explaining a method of driving an organic light emitting display device according to a fourth example of the present invention, which is a driving of the organic light emitting display device according to a fourth example of the present invention including the timing controller shown in FIG. 17. It's about how.

도 20을 도 17과 결부하여 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 20 in connection with FIG. 17, a method of driving an organic light emitting display device according to a fourth example of the present invention will be described.

먼저, 센싱 모드에 따른 전술한 타이밍 제어부(120)의 제어에 따라 표시 패널(110)의 각 화소(P)를 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 구동하여 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 레퍼런스 라인(RL)을 통해 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성하고(S410), 센싱된 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 센싱 데이터(Sdata)에 대응되는 화소(P)별 제 1 문턱 전압 데이터(Vth_Tdr)를 메모리(122)에 저장한다(S420).First, each pixel P of the display panel 110 is driven in the first to third periods t1, t2, and t3 under the control of the above-described timing control unit 120 according to the sensing mode, so that each pixel P is The driving transistor Tdr is operated in a source follower mode to sense the threshold voltage of the driving transistor Tdr for each pixel P through the reference line RL to generate sensing data Sdata (S410). The first threshold voltage data Vth_Tdr for each pixel P corresponding to the sensing data Sdata of the driving transistor Tdr for each sensed pixel P is stored in the memory 122 (S420).

그런 다음, 센싱 모드에 따른 전술한 타이밍 제어부(120)의 제어에 따라 표시 패널(110)의 각 화소(P)를 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 구동하여 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 레퍼런스 라인(RL)을 통해 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터(Sdata)를 생성하고(S430), 센싱된 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 센싱 데이터(Sdata)에 대응되는 화소(P)별 제 2 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2)를 메모리(122)에 저장한다(S440).Then, each pixel P of the display panel 110 is driven in the first to third periods t1, t2, and t3 under the control of the above-described timing controller 120 according to the sensing mode, and the pixel P By operating the second second switching transistor Tsw2 in a source follower mode, the threshold voltage of the second switching transistor Tsw2 for each pixel P is sensed through the reference line RL to sense data Sdata. Create (S430), and stores the second threshold voltage data (Vth_Tsw2) for each pixel (P) corresponding to the sensing data (Sdata) of the second switching transistor (Tsw2) for each sensed pixel (P) in the memory 122. (S440).

그런 다음, 표시 모드에 따라 입력되는 영상 데이터(Idata)를 상기 표시 패널(110)의 구동에 알맞도록 정렬하여 화소별 입력 데이터(Idata')를 생성하고, 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 데이터(Vth_Tdr)와 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2)를 기반으로 화소별 입력 데이터(Idata')를 보정하여 화소별 화소 데이터(DATA)를 생성한다(S450).Then, input image data Idata' for each pixel is generated by aligning input image data Idata according to a display mode to match the driving of the display panel 110, and pixels P stored in the memory 122 Based on the threshold voltage data Vth_Tdr of the star driving transistor Tdr and the threshold voltage data Vth_Tsw2 of the second switching transistor Tsw2, the input data Idata' for each pixel is corrected to obtain the pixel data DATA for each pixel. It is created (S450).

일 예에 따른 단계 S450는 직전의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 제 1 문턱 전압 데이터(Vth_Tdr)와 최초의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 최초 문턱 전압 데이터 간의 편차에 기초하여 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 화소(P)별 제 1 특성 보상값을 산출한 다음, 산출된 화소(P)별 제 1 특성 보상값을 이용해 해당 화소(P)의 영상 데이터(Idata)를 1차 보정하여 화소별 보정 데이터를 생성한다. 이어서, 직전의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 제 2 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2)와 해당 보정 데이터에 해당되는 화소(P)별 제 2 특성 보상값(θ)을 룩 업 테이블(127b)에서 추출하고, 추출된 화소(P)별 제 2 특성 보상값(θ)을 이용해 해당 화소(P)의 보정 데이터를 2차 보정하여 화소별 화소 데이터(DATA)를 생성한다.In step S450 according to an example, the first threshold voltage data Vth_Tdr for each pixel P sensed by the previous sensing mode and stored in the memory 122 and the pixel sensed by the first sensing mode and stored in the memory 122 The first characteristic compensation value for each pixel P for compensating for the change in the threshold voltage of the driving transistor Tdr for each pixel P is calculated based on the deviation between the initial threshold voltage data of the driving transistor Tdr for each P Next, the image data Idata of the corresponding pixel P is firstly corrected using the calculated first characteristic compensation value for each pixel P to generate correction data for each pixel. Subsequently, the second threshold voltage data Vth_Tsw2 of the second switching transistor Tsw2 for each pixel P sensed by the immediately preceding sensing mode and stored in the memory 122 and the first pixel for each pixel P corresponding to the correction data 2 The characteristic compensation value θ is extracted from the look-up table 127b, and the correction data of the corresponding pixel P is second-compensated by using the extracted second characteristic compensation value θ for each pixel P, for each pixel Pixel data DATA is generated.

다른 예에 따른 단계 S450는 직전의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 제 1 문턱 전압 데이터(Vth_Tdr)와 최초의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 최초 문턱 전압 데이터 간의 편차에 기초하여 화소(P)별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 화소(P)별 제 1 특성 보상값을 산출한 다음, 산출된 화소(P)별 제 1 특성 보상값을 이용해 해당 화소(P)의 영상 데이터(Idata)를 1차 보정하여 화소별 보정 데이터를 생성한다. 이어서, 직전의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리(122)에 저장된 화소(P)별 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 제 2 문턱 전압 데이터(Vth_Tsw2)와 해당 보정 데이터에 해당되는 화소(P)별 상기 2차 방정식의 계수(a, b, c)를 룩 업 테이블(127b)에서 추출하고, 추출된 상기 화소(P)별 2차 방정식의 계수(a, b, c)와 해당 화소(P)의 보정 데이터를 이용한 2차 방정식의 연산 결과에 따라 화소별 화소 데이터(DATA)를 생성한다.In step S450 according to another example, the first threshold voltage data Vth_Tdr for each pixel P sensed by the previous sensing mode and stored in the memory 122 and the pixel sensed by the first sensing mode and stored in the memory 122 The first characteristic compensation value for each pixel P for compensating for the change in the threshold voltage of the driving transistor Tdr for each pixel P is calculated based on the deviation between the initial threshold voltage data of the driving transistor Tdr for each P Next, the image data Idata of the corresponding pixel P is firstly corrected using the calculated first characteristic compensation value for each pixel P to generate correction data for each pixel. Subsequently, the second threshold voltage data Vth_Tsw2 of the second switching transistor Tsw2 for each pixel P sensed by the previous sensing mode and stored in the memory 122 and the pixels P corresponding to the correction data The coefficients (a, b, c) of the quadratic equation are extracted from a look-up table (127b), and the coefficients (a, b, c) of the quadratic equation for each pixel (P) extracted and the corresponding pixel (P) Pixel data DATA for each pixel is generated according to the calculation result of the quadratic equation using the correction data.

그런 다음, 기준 하이 전압 레벨과 기준 로우 전압 레벨로 설정된 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)를 해당 스캔 제어 라인(SL)과 센싱 제어 라인(SSL)에 공급하고, 이와 동기되도록 화소별 화소 데이터(DATA)에 대응되는 데이터 전압(Vdata)을 표시 패널(110)의 데이터 라인(DL)에 공급함으로써 각 화소(P)에 영상을 표시한다(S460). 여기서, 상기 스캔 제어 라인(SL)과 센싱 제어 라인(SSL)에는 기준 하이 전압 레벨과 기준 로우 전압 레벨로 설정된 하나의 스캔 펄스(SP)가 동시에 공급될 수도 있다.Then, the first and second scan pulses SP1 and SP2 set to the reference high voltage level and the reference low voltage level are supplied to the corresponding scan control line SL and the sensing control line SSL, and each pixel is synchronized with it. An image is displayed on each pixel P by supplying a data voltage Vdata corresponding to the pixel data DATA to the data line DL of the display panel 110 (S460). Here, one scan pulse SP set to a reference high voltage level and a reference low voltage level may be simultaneously supplied to the scan control line SL and the sensing control line SSL.

도 21a는 본 발명에 따른 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 맵(map) 및 문턱 전압 크기의 히스토그램을 나타내는 도면이고, 도 21b는 본 발명에 따른 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 맵(map) 및 문턱 전압 크기의 히스토그램을 나타내는 도면이다.21A is a diagram showing a histogram of a threshold voltage map and a threshold voltage level of a driving transistor for each pixel sensed by the sensing mode according to the present invention, and FIG. 21B is for each pixel sensed by the sensing mode according to the present invention This is a diagram showing a histogram of a threshold voltage map and a threshold voltage level of the second switching transistor.

도 21a 및 도 21b에서 알 수 있듯이, 화소별 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압(Vth_Tsw2) 맵 특성 및 히스토그램은 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth_Tdr) 맵 특성 및 히스토그램과 유사한 것을 볼 수 있다.21A and 21B, it can be seen that the threshold voltage (Vth_Tsw2) map characteristic and histogram of the second switching transistor for each pixel are similar to the threshold voltage (Vth_Tdr) map characteristic and histogram of the driving transistor.

따라서, 각 화소에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth_Tdr) 변화와 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압(Vth_Tsw2) 변화가 서로 유사하기 때문에 센싱 모드를 통해 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth_Tdr)을 센싱하고, 센싱된 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth_Tdr)에 기초하여 각 화소의 제 2 스위칭 트랜지스터에 공급되는 제 2 스캔 펄스(SP2)의 제 2 하이 전압(VGH2)을 가변함으로써 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압(Vth_Tsw2)을 보상할 수 있다.Accordingly, since the change in the threshold voltage (Vth_Tdr) of the driving transistor included in each pixel and the change in the threshold voltage (Vth_Tsw2) of the second switching transistor are similar to each other, the threshold voltage (Vth_Tdr) of the driving transistor for each pixel is sensed through the sensing mode. , Threshold voltage of the second switching transistor by varying the second high voltage VGH2 of the second scan pulse SP2 supplied to the second switching transistor of each pixel based on the threshold voltage Vth_Tdr of the sensed driving transistor Vth_Tsw2) can be compensated.

도 22는 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화량에 따른 데이터 전압의 편차를 나타내는 그래프이다.22 is a graph showing variations in data voltage according to a threshold voltage change amount of the second switching transistor in the organic light emitting diode display according to the fourth example of the present invention.

도 22에서 알 수 있듯이, 데이터 전압(Vdata1 내지 Vdata9)별로 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압(Vth_Tsw2)에 따른 데이터 전압의 편차(ㅿVdata)가 최소화되는 것을 알 수 있다.As can be seen from FIG. 22, it can be seen that the variation (ㅿVdata) of the data voltage according to the threshold voltage (Vth_Tsw2) of the second switching transistor is minimized for each data voltage (Vdata1 to Vdata9).

따라서, 본 발명의 제 4 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 트랜지스터와 제 2 스위칭 트랜지스터 각각의 문턱 전압(Vth_tdr, Vth_Tsw2) 변화량에 따라 데이터 전압을 보정함으로써 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차뿐만 아니라 화소별 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 편차로 의해 화소별 휘도 편차가 최소화되고, 이로 인해 화질이 향상될 수 있다.Accordingly, the organic light emitting display device according to the fourth example of the present invention corrects the data voltage according to the change amount of the threshold voltages Vth_tdr and Vth_Tsw2 of each of the driving transistor and the second switching transistor, thereby not only the deviation of the threshold voltage of the driving transistor for each pixel but also the pixel The luminance variation of each pixel is minimized due to the threshold voltage variation of the second second switching transistor, thereby improving image quality.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which the present invention pertains that various substitutions, modifications and changes are possible without departing from the technical details of the present invention It will be clear to those who have the knowledge of Therefore, the scope of the present invention is indicated by the following claims, and all modifications or variations derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be interpreted to be included in the scope of the present invention.

110: 표시 패널 120: 타이밍 제어부
122: 메모리 125: 스캔 펄스 레벨 데이터 생성부
127: 데이터 처리부 127a: 데이터 정렬부
127b: 룩 업 테이블 127c: 데이터 보정부
130: 전원 공급부 140: 로우(row) 구동부
142: 스캔 라인 구동부 144: 센싱 라인 구동부
150: 로우(row) 구동부 152: 데이터 구동부
154: 스위칭부 156: 센싱부
110: display panel 120: timing control
122: memory 125: scan pulse level data generation unit
127: data processing unit 127a: data alignment unit
127b: look-up table 127c: data correction unit
130: power supply 140: row (row) drive unit
142: scan line driver 144: sensing line driver
150: row driving unit 152: data driving unit
154: switching unit 156: sensing unit

Claims (14)

스캔 제어 라인에 공급되는 제 1 스캔 펄스에 따라 데이터 라인에 공급되는 데이터 전압을 출력하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 센싱 제어 라인에 공급되는 제 2 스캔 펄스에 따라 레퍼런스 라인에 공급되는 레퍼런스 전압을 출력하는 제 2 스위칭 트랜지스터, 상기 데이터 전압과 상기 레퍼런스 전압의 차전압에 대응되는 데이터 전류를 출력하는 구동 트랜지스터, 및 상기 데이터 전류에 의해 발광하는 유기 발광 소자를 가지는 복수의 화소를 포함하는 표시 패널;
센싱 모드시, 상기 데이터 전압을 상기 데이터 라인에 공급하고, 상기 레퍼런스 라인을 통해 상기 각 화소에 포함된 상기 구동 트랜지스터와 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 중 어느 한 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성하는 컬럼(column) 구동부;
표시 모드시, 영상 데이터에 대응하는 화소 데이터를 상기 컬럼(column) 구동부에 공급함과 동시에 상기 센싱 데이터에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 각각의 하이 전압과 로우 전압 중 적어도 하나를 가변하기 위한 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성하는 타이밍 제어부;
상기 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터에 기초하여 상기 제 1 스캔 펄스의 제 1 하이 전압과 제 1 로우 전압을 생성함과 동시에 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터에 기초하여 상기 제 2 스캔 펄스의 제 2 하이 전압과 제 2 로우 전압을 생성하는 전압 공급부; 및
상기 제 1 하이 전압과 제 1 로우 전압을 이용하여 상기 제 1 스캔 펄스를 생성해 상기 스캔 제어 라인에 공급함과 동시에 상기 제 2 하이 전압과 제 2 로우 전압을 이용하여 상기 제 2 스캔 펄스를 생성해 상기 센싱 제어 라인에 공급하는 로우(row) 구동부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
A first switching transistor that outputs a data voltage supplied to the data line according to the first scan pulse supplied to the scan control line, and a second voltage output to the reference line according to the second scan pulse supplied to the sensing control line. A display panel including a plurality of pixels having two switching transistors, a driving transistor outputting a data current corresponding to a difference voltage between the data voltage and the reference voltage, and an organic light emitting element emitting light by the data current;
In the sensing mode, the sensing voltage is sensed by supplying the data voltage to the data line and sensing threshold voltages of any one of the driving transistor and the first and second switching transistors included in each pixel through the reference line. Column driving unit for generating a;
In the display mode, the pixel data corresponding to the image data is supplied to the column driver, and at least one of the high voltage and the low voltage of each of the first and second scan pulses is variable based on the sensing data. A timing control unit generating first and second scan pulse level data;
The first high voltage and the first low voltage of the first scan pulse are generated based on the first scan pulse level data, and the second high voltage of the second scan pulse is based on the second scan pulse level data. And a voltage supply unit generating a second low voltage; And
The first scan pulse is generated and supplied to the scan control line using the first high voltage and the first low voltage, and the second scan pulse is generated using the second high voltage and the second low voltage. An organic light emitting display device including a row driver supplying the sensing control line.
제 1 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 센싱 모드시, 상기 구동 트랜지스터와 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 중 어느 한 트랜지스터를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시키기 위한 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성하는 유기 발광 표시 장치.
According to claim 1,
The timing controller generates the first and second scan pulse level data for operating one of the driving transistor and the first and second switching transistors in a source follower mode in the sensing mode. Organic light emitting display device.
제 2 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 표시 패널에 형성된 모든 화소의 센싱 데이터를 기반으로 보상 기준값을 산출하고, 산출된 보상 기준값에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성하는 유기 발광 표시 장치.
According to claim 2,
The timing control unit calculates a compensation reference value based on sensing data of all pixels formed on the display panel, and generates the first and second scan pulse level data based on the calculated compensation reference value.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 스캔 펄스 레벨 데이터 생성부를 포함하고,
상기 스캔 펄스 레벨 데이터 생성부는,
상기 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 구동 시간을 산출하는 구동 시간 산출부; 및
상기 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 센싱 데이터를 기반으로, 상기 산출된 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 구동 시간에 대응되는 문턱 전압 변화량을 산출하고, 상기 산출된 문턱 전압 변화량에 따라 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터를 생성하는 스캔 펄스 레벨 설정부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The timing controller includes a scan pulse level data generator,
The scan pulse level data generation unit,
A driving time calculating unit calculating a driving time of the first or second switching transistor; And
Based on the sensing data of the first or second switching transistor, a threshold voltage change amount corresponding to the calculated driving time of the first or second switching transistor is calculated, and the first and second switching voltages are calculated according to the calculated threshold voltage change amount. And a scan pulse level setting unit generating second scan pulse level data.
제 4 항에 있어서,
상기 스캔 펄스 레벨 설정부는 상기 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 구동 시간에 대한 상기 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화량을 도출하는 관계식을 이용하거나, 상기 구동 시간에 대한 상기 제 1 또는 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화량이 맵핑되어 있는 룩 업 테이블을 이용하여 상기 문턱 전압 변화량을 산출하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 4,
The scan pulse level setting unit uses a relational expression for deriving a change in threshold voltage of the first or second switching transistor with respect to the driving time of the first or second switching transistor, or the first or second with respect to the driving time An organic light emitting display device for calculating the amount of change in the threshold voltage using a look-up table to which the amount of change in the threshold voltage of the switching transistor is mapped.
스캔 제어 라인에 공급되는 제 1 스캔 펄스에 따라 데이터 라인에 공급되는 데이터 전압을 출력하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 센싱 제어 라인에 공급되는 제 2 스캔 펄스에 따라 레퍼런스 라인에 공급되는 레퍼런스 전압을 출력하는 제 2 스위칭 트랜지스터, 상기 데이터 전압과 상기 레퍼런스 전압의 차전압에 대응되는 데이터 전류를 출력하는 구동 트랜지스터, 및 상기 데이터 전류에 의해 발광하는 유기 발광 소자를 가지는 복수의 화소를 포함하는 표시 패널;
상기 복수의 화소를 센싱 모드 또는 표시 모드로 제어하는 타이밍 제어부;
상기 센싱 모드에 따른 상기 타이밍 제어부의 제어에 응답하여, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터를 선형 구동 모드로 구동시키기 위한 상기 제 1 스캔 펄스를 생성하여 상기 스캔 제어 라인에 공급함과 동시에 상기 제 2 스위칭 트랜지스터를 포화 구동 모드로 구동시키기 위한 상기 제 2 스캔 펄스를 생성하여 상기 센싱 제어 라인에 공급하는 로우(row) 구동부; 및
상기 센싱 모드에 따른 상기 타이밍 제어부의 제어에 응답하여, 센싱용 데이터 전압을 상기 데이터 라인에 공급하고, 상기 레퍼런스 라인을 통해 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성해 상기 타이밍 제어부에 제공하는 컬럼(column) 구동부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
A first switching transistor that outputs a data voltage supplied to the data line according to the first scan pulse supplied to the scan control line, and a second voltage output to the reference line according to the second scan pulse supplied to the sensing control line. A display panel including a plurality of pixels having two switching transistors, a driving transistor outputting a data current corresponding to a difference voltage between the data voltage and the reference voltage, and an organic light emitting element emitting light by the data current;
A timing control unit controlling the plurality of pixels in a sensing mode or a display mode;
In response to control of the timing controller according to the sensing mode, the first scan pulse for driving the first switching transistor to be driven in a linear driving mode is generated and supplied to the scan control line, and at the same time, the second switching transistor is saturated. A row driver generating the second scan pulse for driving in a driving mode and supplying the second scan pulse to the sensing control line; And
In response to control of the timing controller according to the sensing mode, a sensing voltage is supplied to the data line, and a sensing voltage is generated by sensing a threshold voltage of the second switching transistor through the reference line to generate the sensing data. An organic light emitting display device including a column driver provided in the display.
제 6 항에 있어서,
상기 제 2 스캔 펄스의 하이 전압은 상기 제 1 스캔 펄스의 하이 전압보다 낮은 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 6,
The high emission voltage of the second scan pulse is lower than the high voltage of the first scan pulse.
제 6 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 제 2 스캔 펄스의 하이 전압에서 상기 센싱 데이터에 대응되는 전압을 감산 연산하여 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 산출하고, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 상기 제 2 스캔 펄스의 전압 레벨을 가변하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 6,
The timing controller calculates a threshold voltage of the second switching transistor by subtracting and calculating a voltage corresponding to the sensing data from a high voltage of the second scan pulse, and based on the threshold voltage of the second switching transistor. An organic light emitting display device that varies a voltage level of a scan pulse.
제 6 항에 있어서,
상기 컬럼(column) 구동부는 상기 센싱 모드에 따른 상기 타이밍 제어부의 제어에 응답하여, 센싱용 데이터 전압을 상기 데이터 라인에 공급하고, 상기 레퍼런스 라인을 통해 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성해 상기 타이밍 제어부에 추가로 제공하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 6,
The column driver responds to the control of the timing controller according to the sensing mode, supplies a sensing data voltage to the data line, and senses threshold data by sensing a threshold voltage of the driving transistor through the reference line. An organic light emitting display device generated and additionally provided to the timing controller.
제 9 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는, 표시 모드시, 상기 센싱 모드에 의해 센싱된 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압과 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 기반으로 입력 데이터를 보정하여 화소 데이터를 생성하고,
상기 컬럼(column) 구동부는 상기 표시 모드에 따른 상기 타이밍 제어부의 제어에 응답하여 상기 화소 데이터를 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인에 공급하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 9,
In the display mode, the timing controller generates pixel data by correcting input data based on a threshold voltage of the driving transistor sensed by the sensing mode and a threshold voltage of the second switching transistor,
The column driving unit converts the pixel data into a data voltage in response to control of the timing controller according to the display mode and supplies the data to the data line.
제 10 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는,
상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 기반으로 입력 데이터를 1차 보정하여 보정 데이터를 생성하고,
상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압과 상기 보정 데이터를 기반으로 상기 보정 데이터를 2차 보정하여 상기 화소 데이터를 생성하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 10,
The timing control unit,
Compensation data is generated by firstly correcting input data based on a threshold voltage of the driving transistor,
An organic light emitting display device that generates the pixel data by performing secondary correction on the correction data based on a threshold voltage of the second switching transistor and the correction data.
제 11 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 룩 업 테이블에서 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압과 상기 보정 데이터에 해당되는 2차 방정식의 계수를 추출하고, 추출된 2차 방정식의 계수와 상기 보정 데이터를 이용한 2차 방정식의 연산을 통해 상기 보정 데이터를 2차 보정해 상기 화소 데이터를 생성하고,
상기 룩 업 테이블에는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압마다 상기 보정 데이터 별로 미리 설정된 상기 2차 방정식의 2차 변수의 계수, 1차 변수의 계수, 0차 변수의 계수가 맵핑되어 있는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 11,
The timing controller extracts a threshold voltage of the second switching transistor and a coefficient of a quadratic equation corresponding to the correction data from a look-up table, and calculates a quadratic equation using the extracted coefficient of the quadratic equation and the correction data To perform the second correction of the correction data to generate the pixel data,
The look-up table is an organic light emitting display device in which coefficients of a secondary variable, a coefficient of a primary variable, and a coefficient of a zero-order variable are mapped in advance for each correction data for each threshold voltage of the second switching transistor. .
제 11 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 룩 업 테이블에서 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압과 상기 보정 데이터에 해당되는 특성 보상값을 추출하고, 추출된 특성 보상값을 이용하여 상기 보정 데이터를 2차 보정해 상기 화소 데이터를 생성하고,
상기 룩 업 테이블에는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압마다 상기 보정 데이터 별로 미리 설정된 상기 특성 보상값이 맵핑되어 있는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 11,
The timing control unit extracts a threshold voltage of the second switching transistor and a characteristic compensation value corresponding to the correction data from a look-up table, and performs the second correction on the correction data using the extracted characteristic compensation value to obtain the pixel data. Create,
The look-up table is an organic light emitting display device in which the characteristic compensation value preset for each correction data is mapped to each threshold voltage of the second switching transistor.
제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 스캔 제어 라인과 상기 센싱 제어 라인은 전기적으로 서로 연결되고,
서로 연결된 상기 스캔 제어 라인과 상기 센싱 제어 라인에는 상기 제 1 스캔 펄스 또는 상기 제 2 스캔 펄스가 공급되는 유기 발광 표시 장치.
The method according to any one of claims 9 to 13,
The scan control line and the sensing control line are electrically connected to each other,
The first scan pulse or the second scan pulse is supplied to the scan control line and the sensing control line connected to each other.
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