KR102171612B1 - Organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 구동 트랜지스터의 센싱 시간을 단축할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것으로, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 데이터 전압에 기초한 데이터 전류를 출력하여 유기 발광 소자를 발광시키는 구동 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소로 이루어지는 표시 패널; 및 상기 표시 패널을 센싱 모드 또는 표시 모드로 동작시키고, 상기 센싱 모드시 상기 각 화소의 구동 트랜지스터를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시키면서 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이의 센싱 노드에 연결되는 레퍼런스 라인을 통해 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 센싱하고, 상기 표시 모드시 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 기반으로 화소별 입력 데이터를 보정하여 각 화소를 구동하는 패널 구동부를 포함하며, 상기 센싱 모드시 상기 패널 구동부는 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류에 따른 센싱 전압이 포화되는 전압 포화 구간 이전에 설정된 단축 센싱 시점에서 상기 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 센싱할 수 있다.The present invention provides an organic light-emitting display device capable of shortening the sensing time of a driving transistor. The organic light-emitting display device according to the present invention includes a driving transistor for emitting an organic light-emitting element by outputting a data current based on a data voltage. A display panel including a plurality of pixels; And operating the display panel in a sensing mode or a display mode, and operating a driving transistor of each pixel in a source follow mode in the sensing mode while being connected to a sensing node between the organic light emitting element and the driving transistor. A panel driver for driving each pixel by sensing a driving characteristic value of the driving transistor for each pixel through a reference line, and correcting input data for each pixel based on a driving characteristic value of the driving transistor for each pixel in the display mode, the In the sensing mode, the panel driver may sense a driving characteristic value of the driving transistor at a short-circuit sensing time set before a voltage saturation period in which a sensing voltage according to a current flowing through the driving transistor is saturated.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 화소별 구동 트랜지스터의 특성 편차를 보상할 수 있는 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light-emitting display device, and more particularly, to an organic light-emitting display device capable of compensating for a characteristic variation of a driving transistor for each pixel.
최근, 평판 표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치가 상용화되고 있다. 이러한, 평판 표시 장치 중에서 유기 발광 표시 장치는 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Recently, the importance of flat panel display devices is increasing with the development of multimedia. In response to this, flat panel displays such as a liquid crystal display device, a plasma display device, and an organic light emitting display device are commercially available. Among the flat panel display devices, the organic light emitting display device has a high response speed, low power consumption, and is self-luminous, so it is drawing attention as a next-generation flat panel display device because there is no problem in a viewing angle.
도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a pixel structure of a general organic light emitting diode display.
도 1을 참조하면, 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소(P)는 스위칭 트랜지스터(Tsw), 구동 트랜지스터(Tdr), 커패시터(Cst), 및 유기 발광 소자(OLED)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a pixel P of a general organic light emitting display device includes a switching transistor Tsw, a driving transistor Tdr, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED.
상기 스위칭 트랜지스터(Tsw)는 스캔 라인(SL)에 공급되는 스캔 펄스(SP)에 따라 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(Tdr)에 공급한다. 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 스위칭 트랜지스터(Tsw)로부터 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 따라 스위칭되어 구동 전원 라인으로부터 공급되는 구동 전원(EVdd)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 데이터 전류(Ioled)를 제어한다. 상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자와 소스 단자 사이에 접속되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 트랜지스터(Tdr)의 턴-온시킨다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자와 캐소드 라인(EVss) 사이에 전기적으로 접속되어 구동 트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 데이터 전류(Ioled)에 의해 발광한다. 이러한 일반적인 유기 발광 표시 장치의 각 화소(P)는 데이터 전압(Vdata)에 따른 구동 트랜지스터(Tdr)의 스위칭을 이용하여 구동 전원(EVdd)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 데이터 전류(Ioled)의 크기를 제어하여 유기 발광 소자(OLED)를 발광시킴으로써 소정의 영상을 표시하게 된다.The switching transistor Tsw is switched according to the scan pulse SP supplied to the scan line SL to supply the data voltage Vdata supplied to the data line DL to the driving transistor Tdr. The driving transistor Tdr is switched according to the data voltage Vdata supplied from the switching transistor Tsw, so that the data current Ioled flows from the driving power EVdd supplied from the driving power line to the organic light emitting diode OLED. Control. The capacitor Cst is connected between the gate terminal and the source terminal of the driving transistor Tdr to store a voltage corresponding to the data voltage Vdata supplied to the gate terminal of the driving transistor Tdr, and the driving transistor with the stored voltage. Turn on (Tdr). The organic light emitting diode OLED is electrically connected between the source terminal of the driving transistor Tdr and the cathode line EVss to emit light by the data current Ioled supplied from the driving transistor Tdr. Each pixel P of such a general organic light emitting display device uses switching of the driving transistor Tdr according to the data voltage Vdata to reduce the amount of data current Ioled flowing from the driving power EVdd to the organic light emitting diode OLED. A predetermined image is displayed by controlling the size to emit light of the organic light emitting diode (OLED).
이와 같은, 일반적인 유기 발광 표시 장치에서는 박막 트랜지스터의 제조 공정의 불균일성에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)/이동도(Mobility) 특성이 유기 발광 표시 패널의 위치에 따라 다르게 나타나는 문제점이 있다. 이에 따라, 일반적인 유기 발광 표시 장치에서는 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)에 동일한 데이터 전압(Vdata)을 인가하더라도 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류의 편차로 인해 균일한 화질을 구현할 수 없다는 문제점이 있다.In such a general organic light emitting display device, there is a problem in that the threshold voltage (Vth)/mobility characteristics of the driving transistor Tdr are different depending on the position of the organic light emitting display panel according to the nonuniformity of the manufacturing process of the thin film transistor. . Accordingly, in a general organic light emitting display device, even if the same data voltage Vdata is applied to the driving transistor Tdr for each pixel, there is a problem in that uniform image quality cannot be realized due to a variation in current flowing through the organic light emitting element OLED.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0076215호(이하, "선행기술문헌"이라 함)의 유기전계발광표시장치는 각 화소에 센서 트랜지스터를 추가하고, 스위칭 트랜지스터와 센서 트랜지스터의 스위칭을 이용해 센서 트랜지스터에 연결된 레퍼런스 라인을 통해 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 외부 보상 기술이 개시되어 있다.In order to solve this problem, the organic light emitting display device of Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2012-0076215 (hereinafter referred to as "prior technical literature") adds a sensor transistor to each pixel, and a switching transistor and a sensor transistor An external compensation technology for compensating the threshold voltage of the driving transistor by sensing the threshold voltage of the driving transistor through a reference line connected to the sensor transistor using the switching of is disclosed.
상기 선행기술문헌의 유기 발광 표시 장치는 각 화소의 구동 트랜지스터를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시켜 센싱하는 방식으로 아날로그-디지털 변환기에 의해 센싱된 값을 기반으로 구동 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 파악하여 보상하게 된다.The organic light-emitting display device of the prior art document detects the change in the threshold voltage of the driving transistor based on the value sensed by the analog-to-digital converter by operating the driving transistor of each pixel in a source follower mode and sensing it. To compensate.
그러나, 선행기술문헌에 개시된 센싱 방법에서, 센싱 전압은 커패시턴스의 영향으로 인해 충분한 시간이 경과해야 포화(saturation)되고, 이로 인해 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 정확히 보상하기 위해서는 구동 트랜지스터가 턴-오프될 때까지 기다려야 하기 때문에 센싱 시간이 길어져 센싱 속도가 느리다는 문제점이 있다.However, in the sensing method disclosed in the prior art document, the sensing voltage is saturated only after a sufficient time has elapsed due to the influence of the capacitance, and thus, in order to accurately compensate the threshold voltage of the driving transistor, when the driving transistor is turned off There is a problem in that the sensing speed is slow because the sensing time is long because it has to wait until.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 구동 트랜지스터의 센싱 시간을 단축할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention has been conceived to solve the above-described problem, and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device capable of shortening the sensing time of a driving transistor.
또한, 본 발명은 센싱 시간의 단축시 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 편차에 따른 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 보상할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다.In addition, another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of compensating for a threshold voltage deviation of a driving transistor for each pixel according to a mobility deviation of the driving transistor for each pixel when a sensing time is shortened.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the technical problems of the present invention mentioned above, other features and advantages of the present invention will be described below or will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from such technology and description.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 데이터 전압에 기초한 데이터 전류를 출력하여 유기 발광 소자를 발광시키는 구동 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소로 이루어지는 표시 패널; 및 상기 표시 패널을 센싱 모드 또는 표시 모드로 동작시키고, 상기 센싱 모드시 상기 각 화소의 구동 트랜지스터를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시키면서 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이의 센싱 노드에 연결되는 레퍼런스 라인을 통해 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 센싱하고, 상기 표시 모드시 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 기반으로 화소별 입력 데이터를 보정하여 각 화소를 구동하는 패널 구동부를 포함하며, 상기 센싱 모드시 상기 패널 구동부는 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류에 따른 센싱 전압이 포화되는 전압 포화 구간 이전에 설정된 단축 센싱 시점에서 상기 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 센싱할 수 있다.An organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel including a plurality of pixels including a driving transistor configured to emit light of an organic light emitting element by outputting a data current based on a data voltage; And operating the display panel in a sensing mode or a display mode, and operating a driving transistor of each pixel in a source follow mode in the sensing mode while being connected to a sensing node between the organic light emitting element and the driving transistor. A panel driver for driving each pixel by sensing a driving characteristic value of the driving transistor for each pixel through a reference line, and correcting input data for each pixel based on a driving characteristic value of the driving transistor for each pixel in the display mode, the In the sensing mode, the panel driver may sense a driving characteristic value of the driving transistor at a short-circuit sensing time set before a voltage saturation period in which a sensing voltage according to a current flowing through the driving transistor is saturated.
상기 구동 트랜지스터의 구동 특성 값은 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값으로 이루어지고, 상기 표시 모드시, 상기 패널 구동부는 상기 단축 센싱 시점에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값을 기반으로, 상기 전압 포화 구간에 대응되는 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값을 산출하고, 산출된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값을 기반으로 화소별 입력 데이터를 보정하여 각 화소를 구동할 수 있다.The driving characteristic value of the driving transistor is composed of a threshold voltage sensing value and a mobility sensing value of the driving transistor, and in the display mode, the panel driver includes a threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel sensed at the short axis sensing time. Based on the mobility sensing value, a threshold voltage predicted value of the driving transistor for each pixel corresponding to the voltage saturation period is calculated, and input data for each pixel is corrected based on the calculated threshold voltage predicted value of the driving transistor for each pixel. You can drive the pixels.
상기 유기 발광 표시 장치는 상기 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값, 및 문턱 전압 예측 함수에 대한 이동도 센싱 값별 계수들이 저장되어 있는 메모리부를 더 포함하고, 상기 표시 모드시, 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에서 상기 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값에 대응되는 문턱 전압 예측 함수의 계수들을 추출하고, 추출된 화소별 계수들과 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값을 이용한 상기 문턱 전압 예측 함수의 연산을 통해 상기 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값을 산출할 수 있다.The organic light emitting diode display further includes a memory unit storing a threshold voltage sensing value and a mobility sensing value for a driving transistor for each pixel sensed by the sensing mode, and coefficients for each mobility sensing value for a threshold voltage prediction function. In the display mode, the panel driver extracts coefficients of a threshold voltage prediction function corresponding to a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel from the memory unit, and extracts coefficients for each pixel and a threshold of the driving transistor for each pixel. The threshold voltage predicted value of the driving transistor for each pixel may be calculated by calculating the threshold voltage predicting function using a voltage sensing value.
상기 문턱 전압 예측 함수는 상기 단축 센싱 시점에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 제 1 문턱 전압 센싱 값과 상기 전압 포화 구간에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 제 2 문턱 전압 센싱 값에 토대로, 상기 이동도 센싱 값별로 제 1 문턱 전압 센싱 값에 대한 제 2 문턱 전압 센싱 값으로 좌표화하고 선형 보간하여 산출된 이동도 센싱 값별 제 1 함수를 기반으로 설정된 1차 함수일 수 있다.The threshold voltage prediction function is based on a first threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel sensed at the short-circuit sensing time and a second threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel sensed in the voltage saturation period, and sensing the mobility. It may be a linear function set based on a first function for each mobility sensing value calculated by coordinated with a second threshold voltage sensing value with respect to the first threshold voltage sensing value for each value and linearly interpolated.
상기 문턱 전압 예측 함수의 1차항 계수는 상기 이동도 센싱 값별 제 1 함수들의 1차항 계수들을 이동도 센싱 값에 대해 좌표화하고 선형 보간하여 산출된 제 2 함수로 이루어지고, 상기 문턱 전압 예측 함수의 0차항 계수는 상기 이동도 센싱 값별 제 1 함수들의 0차항 계수들을 이동도 센싱 값에 대해 좌표화하고 선형 보간하여 산출된 제 3 함수로 이루어지며, 상기 메모리부에 저장되어 있는 상기 문턱 전압 예측 함수의 계수들은 상기 제 2 함수의 1차항 계수와 0차항 계수, 및 상기 제 3 함수의 1차항 계수와 0차항 계수일 수 있다.The linear coefficient of the threshold voltage prediction function is composed of a second function calculated by coordinating the first-order coefficients of the first functions for each mobility sensing value and linear interpolation, and the threshold voltage prediction function The zero-order coefficient is composed of a third function calculated by coordinating the zero-order coefficients of the first functions for each mobility sensing value and linear interpolation with respect to the mobility sensing value, and the threshold voltage prediction function stored in the memory unit The coefficients of may be linear and zero-order coefficients of the second function, and linear and zero-order coefficients of the third function.
상기 표시 모드에서 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에서 상기 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값에 대응되는 상기 제 2 함수의 1차항 계수와 0차항 계수, 및 상기 제 3 함수의 1차항 계수와 0차항 계수를 추출하고; 상기 추출된 제 2 함수의 1차항 계수와 0차항 계수, 상기 추출된 상기 제 3 함수의 1차항 계수와 0차항 계수 및 상기 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값을 이용한 상기 제 2 및 제 3 함수 각각의 연산을 통해 상기 문턱 전압 예측 함수의 1차항 계수와 0차항 계수를 산출하고; 상기 산출된 문턱 전압 예측 함수의 1차항 계수와 0차항 계수 및 상기 단축 센싱 시점에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값을 이용한 상기 문턱 전압 예측 함수의 연산을 통해 상기 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값을 산출할 수 있다.In the display mode, the panel driver includes a linear coefficient and a zero-order coefficient of the second function corresponding to a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel in the memory unit, and a linear coefficient and a zero-order coefficient of the third function. Extracting coefficients; The second and third functions using the extracted linear and zero-order coefficients of the second function, the extracted linear and zero-order coefficients of the third function, and a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel Calculating a first-order coefficient and a zero-order coefficient of the threshold voltage prediction function through each operation; The threshold of the driving transistor for each pixel through the calculation of the threshold voltage prediction function using the calculated first and zero order coefficients of the calculated threshold voltage prediction function and a threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel sensed at the short axis sensing time. The voltage predicted value can be calculated.
상기 표시 모드에서 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에 저장되어 있는 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값과 화소별 구동 트랜지스터의 최초 문턱 전압 예측 값 간의 편차에 기초하여 화소별 특성 보상값을 산출하고, 산출된 화소별 특성 보상값에 따라 해당 화소의 입력 데이터를 보정하여 각 화소를 구동할 수 있다.In the display mode, the panel driver calculates a characteristic compensation value for each pixel based on a deviation between the predicted threshold voltage of the driving transistor for each pixel and the initial threshold voltage predicted value of the driving transistor for each pixel stored in the memory unit, and calculates Each pixel may be driven by correcting input data of a corresponding pixel according to the determined characteristic compensation value for each pixel.
상기 구동 트랜지스터의 구동 특성 값은 구동 트랜지스터의 문턱 전압 값과 이동도 값으로 이루어지고, 상기 센싱 모드시, 상기 패널 구동부는 상기 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값과 센싱용 기준 데이터 전압별로 설정된 이동도 계수를 기반으로, 화소별 센싱용 데이터 전압을 생성하고, 상기 화소별 센싱용 데이터 전압에 이용하여 상기 각 화소의 구동 트랜지스터를 소스 팔로워 모드로 동작시켜 상기 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압과 이동도 각각을 센싱하여 상기 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값 각각을 생성할 수 있다.The driving characteristic value of the driving transistor is composed of a threshold voltage value and a mobility value of the driving transistor, and in the sensing mode, the panel driver moves a movement set for each pixel-specific driving transistor mobility sensing value and a sensing reference data voltage. Based on the degree coefficient, a sensing data voltage for each pixel is generated, and the driving transistor of each pixel is operated in a source follower mode by using the sensing data voltage for each pixel, so that the threshold voltage and mobility of the driving transistor for each pixel By sensing each, a threshold voltage sensing value and a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel may be generated.
상기 유기 발광 표시 장치는 상기 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값, 및 센싱용 기준 데이터 전압별 이동도 계수가 저장되어 있는 메모리부를 더 포함하고, 상기 센싱 모드에서 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에 저장되어 있는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값과 센싱용 기준 데이터 전압별 이동도 계수를 기반으로 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값에 따른 이동도 보상 게인 값을 산출하고, 센싱용 기준 화소 데이터와 상기 이동도 보상 게인 값을 이용하여 상기 화소별 센싱용 데이터 전압을 생성할 수 있다.The organic light emitting diode display further includes a memory unit storing a threshold voltage sensing value and a mobility sensing value for a driving transistor for each pixel sensed by the sensing mode, and a mobility coefficient for each sensing reference data voltage, wherein the In the sensing mode, the panel driver compensates the mobility according to the mobility sensing value of the driving transistor for each pixel based on the mobility sensing value of the driving transistor for each pixel stored in the memory unit and the mobility coefficient for each voltage of the sensing reference data. A gain value may be calculated, and the sensing data voltage for each pixel may be generated using the sensing reference pixel data and the mobility compensation gain value.
상기 센싱 모드에서 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에 저장되어 있는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값을 기반으로 평균 이동도 값을 산출하고, 상기 평균 이동도 값과 상기 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값을 이용하여 이동도 보상 값을 산출하고, 상기 이동도 보상 값과 상기 이동도 계수를 이용하여 이동도 보상 게인 값을 산출할 수 있다.In the sensing mode, the panel driver calculates an average mobility value based on a mobility sensing value of a driving transistor for each pixel stored in the memory unit, and calculates the average mobility value and a mobility sensing value of the driving transistor. A mobility compensation value may be calculated using the mobility compensation value and a mobility compensation gain value may be calculated using the mobility compensation value and the mobility coefficient.
상기 표시 모드에서 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에 저장되어 있는 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 화소별 구동 트랜지스터의 최초 문턱 전압 센싱 값 간의 편차에 기초하여 화소별 특성 보상값을 산출하고, 산출된 화소별 특성 보상값에 따라 해당 화소의 입력 데이터를 보정하여 각 화소를 구동할 수 있다.In the display mode, the panel driver calculates a characteristic compensation value for each pixel based on a deviation between a threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel stored in the memory unit and an initial threshold voltage sensing value for the driving transistor for each pixel, and calculates Each pixel may be driven by correcting input data of a corresponding pixel according to the determined characteristic compensation value for each pixel.
상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명은 센싱 전압의 전압 포화 구간 이전에 설정된 단축 센싱 시점에서 문턱 전압을 센싱함으로써 화소별 구동 트랜지스터의 센싱 시간을 단축시킬 수 있다.According to the means for solving the above problem, the present invention can shorten the sensing time of the driving transistor for each pixel by sensing the threshold voltage at the shortened sensing time set before the voltage saturation period of the sensing voltage.
또한, 본 발명은 단축 센싱 시점에서 센싱된 문턱 전압으로부터 전압 포화 구간의 문턱 전압을 예측하여 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상함으로써 센싱 시간의 단축으로 인한 발생되는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 편차를 보상하고, 이를 통해 표시 패널의 휘도 균일도를 개선할 수 있다.In addition, the present invention predicts the threshold voltage of the voltage saturation section from the threshold voltage sensed at the short-circuit sensing time and compensates for the threshold voltage of the driving transistor for each pixel, thereby reducing the mobility deviation of the driving transistor for each pixel caused by shortening the sensing time. Compensation, and through this, the luminance uniformity of the display panel can be improved.
또한, 본 발명은 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값에 기초한 화소별 센싱용 데이터 전압을 생성하여 단축 센싱 시점에서 문턱 전압을 센싱함으로써 화소별 구동 트랜지스터의 센싱 시간을 단축시키면서 센싱 시간의 단축으로 인한 발생되는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 편차를 보상하고, 이를 통해 표시 패널의 휘도 균일도를 개선할 수 있다.In addition, the present invention generates a sensing data voltage for each pixel based on a mobility sensing value of a driving transistor for each pixel and senses a threshold voltage at a shortened sensing time, thereby shortening the sensing time of the driving transistor for each pixel and shortening the sensing time. It is possible to compensate for the mobility deviation of the driving transistor for each pixel, and thereby improve the luminance uniformity of the display panel.
도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 센싱 모드에 있어서, 센싱 전압 파형과 단축 센싱 시점을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 센싱 모드에 있어서, 센싱 전압 파형과 단축 센싱 시점을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6는 도 5에 도시된 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.
도 7은 도 5에 도시된 컬럼(column) 구동부를 설명하기 위한 블록도이다.
도 8은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 센싱 모드시 구동 파형도이다.
도 9는 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 표시 모드시 구동 파형도이다.
도 10은 본 발명과 비교 예 1 및 2에 대한 표시 패널의 휘도 균일도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 11은 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명과 비교 예에 있어서, 데이터 전압에 대한 구동 트랜지스터에 흐르는 전류를 나타내는 그래프이다.1 is a circuit diagram illustrating a pixel structure of a general organic light emitting diode display.
2 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to the present invention.
3 is a diagram illustrating a sensing voltage waveform and a short-axis sensing time point in a sensing mode of the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention.
FIG. 4 is a diagram illustrating a sensing voltage waveform and a short-axis sensing time point in a sensing mode of an organic light emitting diode display according to a second example of the present invention.
5 is a diagram illustrating a configuration of an organic light emitting display device according to a first example of the present invention.
6 is a circuit diagram illustrating the pixel structure shown in FIG. 5.
7 is a block diagram illustrating a column driver shown in FIG. 5.
8 is a driving waveform diagram in a sensing mode in the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention.
9 is a driving waveform diagram in a display mode in the organic light emitting display device according to the first example of the present invention.
10 is a graph for explaining luminance uniformity of a display panel for the present invention and Comparative Examples 1 and 2;
11 is a diagram illustrating a configuration of an organic light emitting diode display according to a second example of the present invention.
12 is a graph showing a current flowing through a driving transistor versus a data voltage in the present invention and a comparative example.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. The meaning of the terms described in this specification should be understood as follows.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.Singular expressions should be understood as including plural expressions unless clearly defined differently in context, and terms such as "first" and "second" are used to distinguish one element from other elements, The scope of rights should not be limited by these terms. It is to be understood that terms such as "comprise" or "have" do not preclude the presence or addition of one or more other features or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof. The term “at least one” is to be understood as including all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of “at least one of the first item, the second item, and the third item” means 2 among the first item, the second item, and the third item as well as each of the first item, the second item, or the third item. It means a combination of all items that can be presented from more than one.
이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the organic light emitting display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to elements of each drawing, the same elements may have the same numerals as possible even if they are indicated on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof may be omitted.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.2 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널(100), 패널 구동부(200), 및 메모리부(300)를 포함한다.Referring to FIG. 2, an organic light-emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
상기 표시 패널(100)은 데이터 전압에 기초한 데이터 전류를 출력하여 유기 발광 소자를 발광시키는 구동 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소(P)로 이루어질 수 있다.The
상기 패널 구동부(200)는 표시 패널(100)을 표시 모드 또는 센싱 모드로 구동한다. 여기서, 상기 표시 모드란 입력 데이터에 따라 각 화소(P)에 포함된 유기 발광 소자를 발광시켜 소정의 영상을 표시하기 위한 표시 패널(100)의 구동을 의미하며, 상기 센싱 모드란 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및/또는 이동도를 센싱하기 위한 표시 패널(100)의 구동을 의미한다. 예를 들어, 상기 센싱 모드는 유기 발광 표시 장치의 제품 출하 전 사용자(또는 제품) 설정시 수행될 수 있고, 유기 발광 표시 장치의 제품 출하 이후 사용자의 설정 또는 설정된 주기마다 수행될 수 있다. 여기서, 상기 설정된 주기는 유기 발광 표시 장치의 전원 온 구간, 유기 발광 표시 장치의 전원 오프 구간, 설정된 구동 시간 이후 전원 온 구간, 또는 설정된 구동 시간 이후 전원 오프 구간일 수 있다.The
상기 센싱 모드시, 제 1 예에 따른 패널 구동부(200)는 상기 각 화소의 구동 트랜지스터를 소스 팔로워(source follower) 모드로 동작시키면서 유기 발광 소자와 구동 트랜지스터 사이의 센싱 노드에 연결되는 레퍼런스 라인을 통해 센싱 노드의 전압을 센싱하되, 센싱 노드의 전압이 포화되는 전압 포화 구간 이전으로 설정된 단축 센싱 시점(또는 센싱 노드의 전압이 상승하는 임의의 시점)에서 센싱 노드의 전압을 센싱하여 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 생성하고, 상기 표시 모드시 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 기반으로 화소별 입력 데이터를 보정하여 각 화소(P)를 구동한다. In the sensing mode, the
예를 들어, 상기 센싱 모드시, 제 1 예에 따른 패널 구동부(200)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 구동 트랜지스터의 소스 전극인 센싱 노드를 일정한 전압 레벨을 갖는 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화한 다음, 센싱용 데이터 전압(Vdata_sen)을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하면서, 소스 팔로워 모드로 동작하는 구동 트랜지스터에 흐르는 전류에 따른 센싱 전압이 포화되는 포화 시점(Tsat) 이전으로 설정된 단축 센싱 시점(Tsen)에 센싱 노드의 전압을 센싱한다. 즉, 상기 센싱 전압은 커패시턴스의 영향으로 초기화 이후에 충분한 시간이 경과한 후에 포화되기 때문에 구동 트랜지스터가 턴-오프될 때까지 기다려야 하므로 센싱 시간이 길어지게 되지만, 제 1 예에 따른 패널 구동부(200)는 상기 센싱 노드의 센싱 전압이 포화되는 전압 포화 구간(Tsat) 이전으로 설정된 단축 센싱 시점(Tsen)에서 센싱 전압을 센싱함으로써 센싱 모드의 센싱 시간을 단축한다.For example, in the sensing mode, the
상기 표시 모드시, 제 1 예에 따른 패널 구동부(200)는 단축 센싱 시점(Tsen)에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값, 즉 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값을 기반으로 전압 포화 구간(Tsat)의 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값을 산출하고, 산출된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값에 따라 화소별 입력 데이터를 보정하여 각 화소(P)를 구동한다.In the display mode, the
예를 들어, 제 1 예에 따른 패널 구동부(200)는 메모리부(300)에서 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값에 대응되는 문턱 전압 예측 함수의 계수들을 추출하고, 추출된 화소별 계수들과 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값을 이용한 문턱 전압 예측 함수의 연산을 통해 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값을 산출할 수 있다.For example, the
상기 메모리부(300)에는 제 1 예에 따른 패널 구동부(200)에서 문턱 전압 예측 함수의 연산을 위한 계수들이 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값별로 저장되어 있다. 상기 문턱 전압 예측 함수는, 아래의 수학식 1과 같이, 1차 함수로 이루어질 수 있다.In the
상기 문턱 전압 예측 함수의 연산(Vth'_sat)을 위한 계수들(A, B, C, D)은 다음과 같은 과정을 통해 산출되어 상기 메모리부(300)에 저장될 수 있는데, 이를 상기 수학식 1을 결부하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The coefficients (A, B, C, D) for the operation (Vth'_sat) of the threshold voltage prediction function may be calculated through the following process and stored in the
우선, 전술한 센싱 모드를 통해, 화소별 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱하여, 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값을 산출한다. 추가적으로, 상기 화소별 이동도 센싱 값을 기반으로 표시 패널(100)에 대한 이동도 맵을 생성할 수 있다.First, the mobility of the driving transistor for each pixel is sensed through the above-described sensing mode, and a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel is calculated. Additionally, a mobility map for the
그런 다음, 전술한 센싱 모드를 통해, 상기 단축 센싱 시점(Tsen)에서 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여, 화소별 구동 트랜지스터의 제 1 문턱 전압 센싱 값을 산출한다. 추가적으로, 상기 화소별 제 1 문턱 전압 센싱 값을 기반으로 표시 패널(100)에 대한 제 1 문턱 전압 맵을 생성할 수 있다.Then, through the above-described sensing mode, the threshold voltage of the driving transistor for each pixel is sensed at the short-circuit sensing time Tsen to calculate a first threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel. Additionally, a first threshold voltage map for the
그런 다음, 전술한 센싱 모드를 통해, 상기 전압 포화 구간(Tsat)에서 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여, 화소별 구동 트랜지스터의 제 2 문턱 전압 센싱 값을 산출한다. 추가적으로, 상기 화소별 제 2 문턱 전압 센싱 값을 기반으로 표시 패널(100)에 대한 제 2 문턱 전압 맵을 생성할 수 있다.Then, through the above-described sensing mode, the threshold voltage of the driving transistor for each pixel is sensed in the voltage saturation period Tsat, and a second threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel is calculated. Additionally, a second threshold voltage map for the
그런 다음, 산출된 화소별 이동도 센싱 값을 이용하여 표시 패널(100) 내에서 동일한 이동도 센싱 값을 갖는 화소(P)들을 추출한다.Then, pixels P having the same mobility sensing value in the
그런 다음, 이동도 센싱 값별로 추출된 화소(P)들의 제 1 문턱 전압 센싱 값들과 제 2 문턱 전압 센싱 값들을 상기 제 1 문턱 전압 센싱 값에 대한 제 2 문턱 전압 센싱 값으로 좌표화(plot)하고 선형 보간(linear interpolation)하여 이동도 센싱 값별 제 1 함수를 산출한다.Then, the first threshold voltage sensing values and the second threshold voltage sensing values of the pixels P extracted for each mobility sensing value are plotted as a second threshold voltage sensing value with respect to the first threshold voltage sensing value. Then, linear interpolation is performed to calculate a first function for each mobility sensing value.
그런 다음, 이동도 센싱 값별 제 1 함수에서 1차항 계수를 추출하고, 추출된 이동도 센싱 값별 1차항 계수들을 이동도 센싱 값(α_sen)에 대해 좌표화하고 선형 보간하여 제 2 함수(M)를 산출한다.Then, a linear term coefficient is extracted from the first function for each mobility sensing value, and the extracted linear term coefficients for each mobility sensing value are coordinated with respect to the mobility sensing value (α_sen), and a second function (M) is obtained by linear interpolation. Calculate.
그런 다음, 이동도 센싱 값별 제 1 함수 각각에서 0차항 계수(또는 상수)를 추출하고, 추출된 이동도 센싱 값별 0차항 계수들을 이동도 센싱 값(α_sen)에 대해 좌표화하고 선형 보간하여 제 3 함수(N)를 산출한다.Then, the zero-order coefficient (or constant) is extracted from each of the first functions for each mobility sensing value, and the extracted zero-order coefficients for each mobility sensing value are coordinated with respect to the mobility sensing value (α_sen), followed by linear interpolation. Calculate the function (N).
그런 다음, 상기 제 2 함수(M)에서 1차항 계수(A)와 0차항 계수(B), 및 상기 제 3 함수(N)에서 1차항 계수(C)와 0차항 계수(D) 각각을 추출하여 메모리부(300)에 저장한다.Then, the first-order coefficient (A) and the zero-order coefficient (B) from the second function (M), and the first-order coefficient (C) and the zero-order coefficient (D) from the third function (N) are extracted. And stored in the
이와 같은, 상기 문턱 전압 예측 함수의 연산(Vth'_sat)을 위한 계수들(A, B, C, D)은 이동도 센싱 값 별로 단축 센싱 시점(Tsen)에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 제 1 문턱 전압 센싱 값과 전압 포화 구간(Tsat)에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 제 2 문턱 전압 센싱 값을 기반으로 산출됨으로써 제 1 예에 따른 패널 구동부(200)는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값(α_sen)과 단축 센싱 시점(Tsen)의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen) 및 상기 계수들(A, B, C, D)을 이용한 상기 문턱 전압 예측 함수(Vth'_sat)의 연산을 통해 단축 센싱 시점(Tsen)의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)으로부터 보다 정확한 전압 포화 구간(Tsat)의 문턱 전압 예측 값(Vth'_sat)을 산출하게 된다.The coefficients A, B, C, and D for the operation (Vth'_sat) of the threshold voltage prediction function as described above are the first of the driving transistors for each pixel sensed at the shortened sensing time Tsen for each mobility sensing value. By calculating based on the threshold voltage sensing value and the second threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel sensed in the voltage saturation period Tsat, the
상기 표시 모드시, 제 1 예에 따른 패널 구동부(200)는 상기 수학식 1의 연산을 통해 산출된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값과 최초의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리부(300)에 저장된 화소별 구동 트랜지스터의 최초 문턱 전압 예측 값 간의 편차에 기초하여 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 화소별 특성 보상값을 산출한 다음, 산출된 화소별 특성 보상값에 따라 해당 화소(P)의 입력 데이터를 보정하여 화소별 보정 데이터를 생성해 각 화소(P)를 구동한다.In the display mode, the
이와 같은, 제 1 예에 따른 패널 구동부(200)는 단축 센싱 시점(Tsen)에서 센싱된 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 이동도 센싱 값(α_sen)으로부터 전압 포화 구간(Tsat)의 문턱 전압을 예측함으로써 화소별 구동 트랜지스터의 센싱 시간을 단축하면서 센싱 시간의 단축으로 인한 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 편차에 따른 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 보상한다.As described above, the
제 2 예에 따른 패널 구동부(200)는 센싱 모드시, 메모리부(300)에 저장되어 있는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값과 센싱용 기준 데이터 전압에 대응되는 이동도 계수를 기반으로 화소별 이동도 보상 게인 값을 산출해 화소별 센싱용 데이터 전압을 생성하고, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 화소별 센싱용 데이터 전압(Vdata'_sen)을 이용하여 각 화소의 구동 트랜지스터를 소스 팔로워 모드로 동작시키면서 상기 단축 센싱 시점(Tsen)에서 상기 레퍼런스 라인을 통해 센싱 노드의 전압을 센싱하여 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값, 즉 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값을 생성해 메모리부(300)에 저장한다. 즉, 센싱 모드시, 상기 패널 구동부(200)는, 하기의 수학식 2의 연산을 통해 상기 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)를 생성하고, 생성된 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)에 대응되는 화소별 센싱용 데이터 전압(Vdata'_sen)을 이용하여 각 화소(P)를 센싱 모드로 구동시킬 수 있다.The
이하, 제 2 예에 따른 패널 구동부(200)가 상기 수학식 2의 연산을 통해 상기 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)를 생성하는 과정을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a process in which the
우선, 상기 메모리부(300)에는 이전의 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값(αsen), 및 사전 실험에 의해 설정된 센싱용 기준 데이터 전압별 이동도 계수(αcoe)가 저장되어 있다.First, the
상기 제 2 예에 따른 패널 구동부(200)는 상기 메모리부(300)에서 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값(αsen)과 센싱용 기준 데이터 전압별 이동도 계수(αcoe)를 추출한다.The
그런 다음, 상기 제 2 예에 따른 패널 구동부(200)는 추출된 화소별 이동도 센싱 값(αsen)에 기초하여 표시 패널(100)의 모든 화소(P)의 이동도 센싱 값(αsen)에 대한 평균 이동도 값(αavg)을 산출하고, 평균 이동도 값(αavg)을 화소별 이동도 센싱 값(αsen)으로 제산 연산하고, 그 결과 값을 1/2 제곱 연산하여 이동도 보상 값(αcomp)을 산출한다.Thereafter, the
그런 다음, 상기 제 2 예에 따른 패널 구동부(200)는 이동도 보상 값(αcomp)에서 1을 감산하고, 그 결과 값에 상기 이동도 계수(αcoe)을 승산 연산하고, 그 결과 값에 1을 가산하여 이동도 보상 게인 값(αgain)을 화소별로 산출한다.Then, the
그런 다음, 상기 제 2 예에 따른 패널 구동부(200)는 화소별 이동도 보상 게인 값(αgain)과 설정된 센싱용 기준 데이터 전압에 대응되는 센싱용 기준 화소 데이터(DATA_ref)를 승산 연산하여 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)를 생성하고, 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)에 대응되는 화소별 센싱용 데이터 전압(Vdata'_sen)을 생성한다.Then, the
한편, 상기 메모리부(300)에 저장되는 센싱용 기준 데이터 전압별 이동도 계수(αcoe)를 산출하는 과정은 다음과 같다.Meanwhile, a process of calculating the mobility coefficient α coe for each voltage of the sensing reference data stored in the
우선, 0과 1 사이의 이동도 계수(αcoe)를 이용하여 상기 수학식 2의 연산에 따른 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)에 대응되는 화소별 센싱용 데이터 전압을 생성하고, 화소별 센신용 데이터 전압을 이용한 센싱 모드를 수행함으로써 센싱용 기준 데이터 전압별로 이동도 센싱 값(αsen)에 대한 센싱 전압의 기울기를 산출한다.First, a data voltage for sensing for each pixel corresponding to the sensing pixel data DATA for each pixel according to the operation of Equation 2 is generated using a mobility coefficient α coe between 0 and 1. By performing the sensing mode using the credit data voltage, the slope of the sensing voltage for the mobility sensing value α sen is calculated for each sensing reference data voltage.
그리고, 상기 센싱용 기준 데이터 전압별 이동도 센싱 값(αsen)에 대한 센싱 전압의 기울기에서 이동도 센싱 값(αsen)이 0(zero)에 해당되는 이동도 계수(αcoe)를 추출하여 메모리부(300)에 저장한다.In addition, a mobility coefficient α coe corresponding to a mobility sensing value αsen equal to 0 (zero) is extracted from the slope of the sensing voltage relative to the mobility sensing value α sen for each sensing reference data voltage, and the memory It is stored in the
따라서, 메모리부(300)에는 센싱용 기준 데이터 전압별로 각 화소의 이동도 계수(αcoe)가 개별적으로 저장되게 된다. 이와 같은, 화소별 이동도 계수(αcoe)는 센싱 시간 단축으로 인한 상기 센싱 모드의 단축 센싱 시점(Tsen)에서 발생되는 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도 편차(α_high, α_low)를 보상하기 위한 화소별 센싱용 데이터 전압(Vdata'_sen)을 생성하는데 사용된다.Accordingly, the mobility coefficient α coe of each pixel is individually stored in the
상기 표시 모드시, 제 2 예에 따른 패널 구동부(200)는 메모리부(300)에 저장된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 화소별 구동 트랜지스터의 최초 문턱 전압 센싱 값 간의 편차에 기초하여 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 화소별 특성 보상값을 산출한 다음, 산출된 화소별 특성 보상값에 따라 해당 화소(P)의 입력 데이터를 보정하여 화소별 보정 데이터를 생성해 각 화소(P)를 구동한다.In the display mode, the
이와 같은, 제 2 예에 따른 패널 구동부(200)는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값(αsen)에 기초한 화소별 센싱용 데이터 전압(Vdata'_sen)을 이용하여 전압 포화 구간(Tsat) 이전에 설정된 단축 센싱 시점(Tsen)에서 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압과 이동도를 센싱함으로써 화소별 구동 트랜지스터의 센싱 시간을 단축하면서 센싱 시간의 단축으로 인한 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 편차에 따른 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 보상한다.As described above, the
이하, 도 5 내지 도 9를 참조하여 전술한 본 발명의 제 1 예에 따른 패널 구동부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구성을 예를 들어 설명하기로 한다.Hereinafter, a configuration of an organic light emitting display device including a panel driver according to a first example of the present invention described above will be described with reference to FIGS. 5 to 9.
도 5는 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 도 6는 도 5에 도시된 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.5 is a diagram illustrating a configuration of an organic light emitting diode display according to a first example of the present invention, and FIG. 6 is a circuit diagram illustrating a pixel structure illustrated in FIG. 5.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전술한 바와 같이, 표시 패널(100), 패널 구동부(200), 및 메모리부(300)를 포함한다.Referring to FIGS. 5 and 6, the organic light emitting display device according to the first example of the present invention includes a
상기 표시 패널(100)은 제 1 내지 제 m(단, m은 자연수) 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm), 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm), 제 1 내지 제 n(단, n은 m보다 큰 자연수) 데이터 라인(DL1 내지 DLn), 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn), 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn), 캐소드 전극(미도시), 및 복수의 화소(P)를 포함한다.The
상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각은 상기 표시 패널(100)의 제 1 방향, 즉 가로 방향을 따라 일정한 간격으로 나란하게 형성된다.Each of the first to mth scan control lines SL1 to SLm is formed in parallel at regular intervals along a first direction, that is, a horizontal direction of the
상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm) 각각은 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하게 일정한 간격으로 형성된다.Each of the first to mth sensing control lines SSL1 to SSLm is formed at regular intervals in parallel with each of the scan control lines SL1 to SLm.
상기 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)은 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 및 센싱 제어 라인들(SSL1 내지 SSLm) 각각과 교차하도록 상기 표시 패널(100)의 제 2 방향, 즉 세로 방향을 따라 일정한 간격으로 나란하게 형성된다.The first to nth data lines DL1 to DLn are in a second direction of the
상기 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각은 상기 데이터 라인들L1 내지 DLn) 각각과 나란하게 일정한 간격으로 형성된다.Each of the first to nth reference lines RL1 to RLn is formed at regular intervals in parallel with each of the data lines L1 to DLn.
상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 각각과 나란하게 일정한 간격으로 형성된다. 이러한 상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 표시 패널(100)의 상측 및/또는 하측 비표시 영역에 형성된 구동 전원 공통 라인(CPL)에 공통적으로 연결될 수 있다. 선택적으로, 상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하게 일정한 간격으로 형성될 수도 있으며, 이 경우, 상기 구동 전원 공통 라인(CPL)은 상기 표시 패널(100)의 좌측 및/또는 우측 비표시 영역에 형성될 수 있다.Each of the first to nth driving power lines PL1 to PLn is formed at regular intervals in parallel with each of the data lines DL1 to DLn. Each of the first to nth driving power lines PL1 to PLn may be commonly connected to a driving power common line CPL formed in an upper and/or lower non-display area of the
상기 캐소드 전극은 상기 표시 패널(100)의 전면(全面)에 통자로 형성되거나 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 또는 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하게 라인 형태로 형성될 수도 있다.The cathode electrode may be formed in a cylindrical shape on the entire surface of the
상기 복수의 서브 화소(P) 각각은 서로 교차하는 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각과 상기 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn) 각각에 의해 정의되는 화소 영역마다 형성된다. 여기서, 복수의 서브 화소(P) 각각은 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소, 및 백색 서브 화소 중 어느 하나일 수 있다. 하나의 영상을 표시하는 하나의 단위 화소는 인접한 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소, 및 백색 서브 화소를 포함하거나, 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있다.Each of the plurality of sub-pixels P is defined by each of the first to m-th scan control lines SL1 to SLm and each of the first to n-th data lines DL1 to DLn intersecting each other. Is formed. Here, each of the plurality of sub-pixels P may be any one of a red sub-pixel, a green sub-pixel, a blue sub-pixel, and a white sub-pixel. One unit pixel displaying one image may include an adjacent red sub-pixel, a green sub-pixel, a blue sub-pixel, and a white sub-pixel, or may include a red pixel, a green pixel, and a blue pixel.
상기 복수의 화소(P) 각각은 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1), 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2), 구동 트랜지스터(Tdr), 커패시터(Cst), 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 여기서, 트랜지스터(Tsw1, Tsw2, Tdr)는 박막 트랜지스터(TFT)로서 a-Si TFT, poly-Si TFT, Oxide TFT, 또는 Organic TFT 등이 될 수 있다.Each of the plurality of pixels P may include a first switching transistor Tsw1, a second switching transistor Tsw2, a driving transistor Tdr, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. Here, the transistors Tsw1, Tsw2, and Tdr are thin film transistors TFT, and may be a-Si TFT, poly-Si TFT, oxide TFT, or organic TFT.
상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 출력한다. 이를 위해, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 인접한 스캔 제어 라인(SCL)에 연결된 게이트 전극, 인접한 데이터 라인(DL)에 연결된 제 1 전극, 및 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극인 제 1 노드(n1)에 연결된 제 2 전극을 포함한다. 여기서, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 제 1 및 제 2 전극은 전류의 방향에 따라 소스 전극 또는 드레인 전극이 될 수 있다.The first switching transistor Tsw1 is switched by a first scan pulse SP1 to output a data voltage Vdata supplied to the data line DL. To this end, the first switching transistor Tsw1 includes a gate electrode connected to an adjacent scan control line SCL, a first electrode connected to an adjacent data line DL, and a first node that is a gate electrode of the driving transistor Tdr. and a second electrode connected to (n1). Here, the first and second electrodes of the first switching transistor Tsw1 may be a source electrode or a drain electrode according to a current direction.
상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)는 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 스위칭되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 전압(Vref or Vpre)을 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제 2 노드(n2)(또는 센싱 노드)에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)는 인접한 센싱 제어 라인(SSL)에 연결된 게이트 전극, 인접한 레퍼런스 라인(RL)에 연결된 제 1 전극, 및 제 2 노드(n2)에 연결된 제 2 전극을 포함한다. 여기서, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 제 1 및 제 2 전극은 전류의 방향에 따라 소스 전극 또는 드레인 전극이 될 수 있다.The second switching transistor Tsw2 is switched by a second scan pulse SP2 to apply a voltage Vref or Vpre supplied to the reference line RL to a second node n2 that is a source electrode of the driving transistor Tdr. (Or the sensing node). To this end, the second switching transistor Tsw2 includes a gate electrode connected to an adjacent sensing control line SSL, a first electrode connected to an adjacent reference line RL, and a second electrode connected to a second node n2. do. Here, the first and second electrodes of the second switching transistor Tsw2 may be a source electrode or a drain electrode according to a current direction.
상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이, 즉 제 1 및 제 2 노드(n1, n2) 사이에 접속되는 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 상기 커패시터(Cst)의 제 1 전극은 상기 제 1 노드(n1)에 연결되고, 상기 커패시터(Cst)의 제 2 전극은 상기 제 2 노드(n2)에 연결된다. 이러한 상기 커패시터(Cst)는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 스위칭에 따라 제 1 및 제 2 노드(n1, n2) 각각에 공급되는 전압의 차 전압을 충전한 후, 충전된 전압에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)를 스위칭시킨다.The capacitor Cst includes first and second electrodes connected between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor Tdr, that is, between the first and second nodes n1 and n2. The first electrode of the capacitor Cst is connected to the first node n1, and the second electrode of the capacitor Cst is connected to the second node n2. The capacitor Cst charges a voltage difference between the voltages supplied to each of the first and second nodes n1 and n2 according to the switching of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2, and then The driving transistor Tdr is switched according to the set voltage.
상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 커패시터(Cst)의 전압에 의해 턴-온됨으로써 구동 전압 라인(PL)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 전류 량을 제어한다. 이를 위해, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 제 1 노드(n1)에 연결된 게이트 전극, 상기 제 2 노드(n2)에 연결된 소스 전극, 및 구동 전압 라인(PL)에 연결된 드레인 전극을 포함한다.The driving transistor Tdr is turned on by the voltage of the capacitor Cst to control the amount of current flowing from the driving voltage line PL to the organic light emitting diode OLED. To this end, the driving transistor Tdr includes a gate electrode connected to the first node n1, a source electrode connected to the second node n2, and a drain electrode connected to the driving voltage line PL.
상기 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 데이터 전류(Ioled)에 의해 발광하여 데이터 전류(Ioled)에 대응되는 휘도를 갖는 단색 광을 방출한다. 이를 위해, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 제 2 노드(n2)에 연결된 제 1 전극(예를 들어, 애노드 전극), 제 1 전극 상에 형성된 유기층(미도시), 및 유기층에 연결된 제 2 전극(예를 들어, 캐소드 전극)을 포함한다. 이때, 유기층은 정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층의 구조 또는 정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가지도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 유기층은 유기 발광층의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 기능층을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제 2 전극은 복수의 화소(P) 각각에 개별적으로 연결되거나, 복수의 화소(P)에 공통적으로 연결될 수 있으며, 이러한 상기 제 2 전극에는 저전위 전원(EVss)이 공급된다.The organic light emitting diode OLED emits light by the data current Ioled supplied from the driving transistor Tdr to emit monochromatic light having a luminance corresponding to the data current Ioled. To this end, the organic light-emitting device OLED includes a first electrode (eg, an anode electrode) connected to the second node n2, an organic layer (not shown) formed on the first electrode, and a second electrode connected to the organic layer. It includes an electrode (eg, a cathode electrode). In this case, the organic layer may be formed to have a structure of a hole transport layer/organic emission layer/electron transport layer or a hole injection layer/hole transport layer/organic emission layer/electron transport layer/electron injection layer. Furthermore, the organic layer may further include a functional layer for improving the luminous efficiency and/or lifespan of the organic emission layer. In addition, the second electrode may be individually connected to each of the plurality of pixels P or may be commonly connected to the plurality of pixels P, and low potential power EVss is supplied to the second electrode.
상기 패널 구동부(200)는 표시 패널(100)을 센싱 모드 또는 표시 모드로 구동한다. 상기 센싱 모드시, 상기 패널 구동부(200)는 상기 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)를 소스 팔로워 모드로 동작시키면서 상기 단축 센싱 시점에서 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)를 통해 센싱 노드(n2)에 연결되는 레퍼런스 라인(RL)을 통해 센싱 노드(n2)의 전압을 센싱하여 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 이동도 센싱 값(α_sen) 각각을 생성해 메모리부(300)에 저장한다. 그리고, 상기 표시 모드시, 상기 패널 구동부(200)는 메모리부(300)에 저장되어 있는 화소별 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 이동도 센싱 값(α_sen)과 상기 문턱 전압 예측 함수의 연산(Vth'_sat)을 위한 계수들(A, B, C, D)을 이용한 상기 수학식 1의 연산을 통해 상기 전압 포화 구간의 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 예측 값을 산출하고, 산출된 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 예측 값에 따라 화소별 입력 데이터(Idata)를 보정하여 각 화소(P)의 유기 발광 소자(OLED)를 발광시킨다. 이를 위해, 상기 패널 구동부(200)는 타이밍 제어부(210), 로우(row) 구동부(220), 및 컬럼(column) 구동부(230)를 포함하여 구성된다.The
상기 타이밍 제어부(210)는 사용자의 설정 또는 설정된 주기마다 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압과 이동도를 센싱하기 위한, 센싱 모드에 따라 상기 로우(row) 구동부(220)와 상기 컬럼(column) 구동부(230)를 센싱 모드로 동작시킨다. 예를 들어, 센싱 모드시, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)를 소스 팔로워 모드로 동작시키기 위한 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)와 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA) 및 데이터 제어 신호(DCS)를 생성할 수 있다. 그리고, 센싱 모드시, 상기 타이밍 제어부(210)는 화소별 센싱용 바이어스 전압(Vdata_Sen)과 상기 컬럼(column) 구동부(230)로부터 제공되는 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 값(V_Vth)과 이동도 값(V_α)에 기초하여 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 이동도 센싱 값(α_sen)을 생성해 메모리부(300)에 저장한다.The
상기 타이밍 제어부(210)는 상기 표시 패널(110)에 영상을 표시하기 위한 표시 모드에 따라 상기 로우(row) 구동부(220)와 상기 컬럼(column) 구동부(230)를 표시 모드로 동작시킨다. 예를 들어, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 메모리부(300)에서 화소별 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 이동도 센싱 값(α_sen)과 상기 문턱 전압 예측 함수의 연산(Vth'_sat)을 위한 계수들(A, B, C, D)을 추출하고, 상기 수학식 1의 연산을 통해, 상기 전압 포화 구간의 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 예측 값을 산출하고, 산출된 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 예측 값에 따라 화소별 입력 데이터(Idata)를 보정하여 화소별 보정 데이터(DATA)를 생성해 상기 컬럼(column) 구동부(230)에 제공한다. 그리고, 상기 타이밍 제어부(210)는 표시 모드에 따라 상기 각 화소(P)의 유기 발광 소자(OLED)를 발광시키기 위한 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)와 데이터 제어 신호(DCS)를 생성해 상기 로우(row) 구동부(220)와 상기 컬럼(column) 구동부(230)의 구동을 제어한다.The
상기 로우(row) 구동부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 기초하여 제 1 스캔 펄스(SP1)를 순차적으로 생성하여 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급한다. 또한, 상기 로우(row) 구동부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 기초하여 제 2 스캔 펄스(SP2)를 순차적으로 생성하여 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm)에 순차적으로 공급한다. 여기서, 상기 로우 제어 신호들(RCS1, RCS2) 각각은 스타트 신호 및 복수의 클럭 신호 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 일 예에 따른 로우(row) 구동부(220)는 스캔 라인 구동부(222) 및 센싱 라인 구동부(224)를 포함하여 구성된다.The
상기 스캔 라인 구동부(222)는 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각의 일측 및/또는 타측 각각 연결된다. 이러한 상기 스캔 라인 구동부(222)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 1 스캔 신호를 생성하고, 상기 하이 전압과 로우 전압을 이용하여 상기 제 1 스캔 신호를 제 1 스캔 펄스(SP1)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급한다.The
상기 센싱 라인 구동부(224)는 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm) 각각의 일측 및/또는 타측 각각 연결된다. 이러한 상기 센싱 라인 구동부(224)는 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 2 스캔 신호를 생성하고, 상기 하이 전압과 로우 전압을 이용하여 상기 제 2 스캔 신호를 상기 제 2 스캔 펄스(SP2)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급한다.The
상기 컬럼(column) 구동부(230)는 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 연결되어 타이밍 제어부(210)의 모드 제어에 따라 표시 모드와 센싱 모드로 동작한다.The
상기 표시 모드시, 상기 컬럼(column) 구동부(230)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 화소별 보정 데이터(DATA)와 데이터 제어 신호(DCS)에 기초하여 수평 라인 단위로 데이터 전압(Vdata)을 해당 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 공급함과 동시에 레퍼런스 전압(Vref)을 해당 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 공급한다. 상기 센싱 모드시, 상기 컬럼(column) 구동부(230)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)와 데이터 제어 신호(DCS)에 기초하여 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압과 이동도를 센싱하여 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 값(V_Vth)과 이동도 값(V_α)을 상기 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 이를 위해, 상기 컬럼(column) 구동부(150)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 데이터 구동부(232), 스위칭부(234), 및 센싱부(236)를 포함하여 구성된다.In the display mode, the
상기 데이터 구동부(232)는 상기 표시 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 화소별 보정 데이터(DATA)를 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 각각 공급한다. 그리고, 상기 데이터 구동부(232)는 상기 센싱 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)를 센싱용 바이어스 전압(Vdata_Sen)으로 변환하여 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 각각 공급한다.In response to the data control signal DCS supplied from the
상기 스위칭부(234)는 상기 표시 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 외부로부터 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)을 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각 공급한다. 그리고, 상기 스위칭부(234)는 상기 센싱 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 프리차징 스위치 신호에 응답하여 외부로부터 공급되는 프리차징 전압(Vpre)을 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각 공급해 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각을 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화한 후, 샘플링 스위치 신호에 응답하여 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각을 센싱부(236)에 연결시킨다. 이를 위해, 일 예에 따른 스위칭부(234)는 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각과 센싱부(236)에 연결되는 제 1 내지 제 n 선택기(234a 내지 234n)를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 선택기(234a 내지 234n)는 멀티플렉서로 이루어질 수 있다.In response to the data control signal DCS supplied from the
상기 센싱부(236)는 상기 센싱 모드시 상기 스위칭부(234)를 통해 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되어 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응되는 문턱 전압 값(V_Vth)과 이동도 값(V_α)을 생성하여 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 이를 위해, 상기 센싱부(236)는 상기 스위칭부(234)를 통해 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되는 제 1 내지 제 n 아날로그-디지털 변환기(236a 내지 236n)를 포함하여 구성될 수 있다.The
도 8은 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 센싱 모드시 구동 파형도이다.8 is a driving waveform diagram in a sensing mode in the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention.
도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 센싱 모드를 설명하면 다음과 같다.A sensing mode of an organic light emitting diode display according to a first example of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 8.
우선, 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)를 소스 팔로워 모드로 동작시켜 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱한다. 이를 위해, 상기 타이밍 제어부(210)는 화소(P)를 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 구동하기 위한 데이터 제어 신호(DCS), 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성하여 상기 로우(row) 구동부(220)와 컬럼(column) 구동부(230)에 공급함과 동시에 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되는 바이어스 전압인 센싱용 데이터(DATA)를 생성하여 컬럼(column) 구동부(230)에 공급한다.First, the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention senses a threshold voltage of the driving transistor Tdr by operating the driving transistor Tdr included in the pixel P in a source follower mode. To this end, the
또한, 상기 로우(row) 구동부(220)는 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)에 응답하여 센싱 모드 동안 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각을 선형(linear) 구동 모드로 동작시키기 위해 서로 동일한 전압 레벨을 상기 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)과 센싱 제어 라인(SSL) 각각에 공급한다.In addition, the
그리고, 상기 컬럼(column) 구동부(230)의 데이터 구동부(232)는 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여 상기 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)를 센싱용 바이어스 전압(Vdata_Sen)으로 변환하여 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 동안 데이터 라인(DL)에 공급한다. 이와 동시에, 상기 컬럼(column) 구동부(230)의 스위칭부(234)는 프리차징 스위치 신호(S_pre)에 응답하여 상기 제 1 기간(t1) 동안 레퍼런스 라인(RL)에 프리차징 전압(Vpre)을 공급한 후, 상기 제 2 기간(t2) 동안 상기 레퍼런스 라인(RL)을 플로팅(floating)시킨 다음, 샘플링 스위치 신호(S_sam)에 응답하여 상기 제 3 기간(t3) 동안 상기 레퍼런스 라인(RL)을 상기 센싱부(236)에 연결시킨다. 이에 따라, 상기 센싱부(236)는 상기 제 3 기간(t3)에 설정된 단축 센싱 시점(Tsen)에서 상기 레퍼런스 라인(RL)의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 아날로그-디지털 변환하여 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 값(V_Vth)을 생성해 상기 타이밍 제어부(210)에 제공한다.In addition, the
이와 같은 센싱 모드시 상기 로우(row) 구동부(220)와 상기 컬럼(column) 구동부(230) 각각의 구동에 따른 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3) 각각의 화소(P) 동작을 설명하면 다음과 같다.In such a sensing mode, the pixel P operation of each of the first to third periods t1, t2, and t3 according to the driving of the
먼저, 상기 제 1 기간(t1)에서는, 하이 전압의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 센싱용 바이어스 전압(Vdata)이 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 하이 전압의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 프리차징 전압(Vpre)이 상기 센싱 노드(n2)에 공급된다. 이때, 상기 센싱용 바이어스 전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위해 설정된 타겟 전압의 레벨을 갖는다. 이에 따라, 상기 제 1 기간(t1) 동안, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 센싱 노드(n2)와 상기 레퍼런스 라인(RL)은 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화된다.First, in the first period t1, the first switching transistor Tsw1 is turned on by the first scan pulse SP1 of a high voltage, and the sensing bias voltage Vdata is supplied to the data line DL. The second switching transistor Tsw2 is turned on by a second scan pulse SP2 of a high voltage, supplied to the gate electrode of the driving transistor Tdr, and the precharging voltage Vpre supplied to the reference line RL. ) Is supplied to the sensing node n2. In this case, the sensing bias voltage Vdata has a level of a target voltage set to sense the threshold voltage of the driving transistor Tdr. Accordingly, during the first period t1, the sensing node n2 that is the source electrode of the driving transistor Tdr and the reference line RL are initialized to the precharging voltage Vpre.
그런 다음, 상기 제 2 기간(t2)에서는, 하이 전압의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 턴-온 상태가 유지되므로 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전압은 센싱용 바이어스 전압(Vdata)으로 고정된다. 이때, 상기 레퍼런스 라인(RL)은 상기 컬럼(column) 구동부(230)의 스위칭부(234)에 의해 플로팅 상태가 된다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 게이트 전극에 공급되는 센싱용 바이어스 전압(Vdata)에 의해 포화(saturation) 구동 모드로 동작하게 되고, 이로 인하여 구동 트랜지스터(Tdr)에 흐르는 전류에 대응되는 전압은 커패시턴스의 영향으로 플로팅 상태의 레퍼런스 라인(RL)에 서서히 충전되게 된다.Then, in the second period t2, since the turn-on state of the first switching transistor Tsw1 is maintained by the first scan pulse SP1 of a high voltage, the gate voltage of the driving transistor Tdr is used for sensing. It is fixed to the bias voltage (Vdata). At this time, the reference line RL is in a floating state by the
그런 다음, 상기 제 3 기간(T3)에서는, 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각이 턴-온 상태로 유지되고, 상기 센싱 노드 상의 전압이 포화되는 전압 포화 구간(Tsat) 이전으로 설정된 단축 센시 시점(Tsat)에 발생되는 샘플링 스위치 신호(S_sam)에 의해 상기 레퍼런스 라인(RL)이 상기 컬럼(column) 구동부(230)의 스위칭부(234)를 통해 상기 센싱부(236)에 연결된다. 이에 따라, 상기 센싱부(236)는 상기 레퍼런스 라인(RL)의 전압(Vsense)을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense)을 아날로그-디지털 변환하여 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 값(V_Vth)을 생성해 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 따라서, 상기 타이밍 제어부(210)는 화소별 센싱용 바이어스 전압(Vdata)과 상기 센싱부(236)로부터 제공되는 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 값(V_Vth)에 기초하여 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)을 산출해 메모리부(300)에 저장한다. 이때, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)은 상기 센싱용 바이어스 전압(Vdata)에서 문턱 전압 값(V_Vth)을 뺀 전압(Vdata-V_Vth)이 될 수 있다.Then, in the third period T3, each of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 is maintained in a turned-on state, and the voltage on the sensing node is saturated before the voltage saturation period Tsat. The reference line RL is connected to the
한편, 타이밍 제어부(210)는 상기와 같은 센싱 모드를 통해 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)을 산출하여 메모리부(300)에 저장한 후, 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도를 센싱하기 위한 센싱 모드를 재수행한다. 이 경우, 타이밍 제어부(2108)는 전술한 센싱 모드를 동일하게 수행하되, 상기 각 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 상기 제 1 기간(t1) 동안에만 턴-온되고, 센싱용 바이어스 전압(Vdata_sen)이 상기 제 1 기간(t1) 동안에만 공급되도록 상기 로우(row) 구동부(220)와 상기 컬럼(column) 구동부(230) 각각의 구동을 제어한다. 이에 따라, 센싱 모드의 재수행시, 상기 제 2 기간(t2)에서는 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 턴-오프로 인해 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트-소스 전압이 모두 상승됨에 따라 커패시터(Cst)의 전압에 의해 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트-소스 전압이 유지되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 흐르는 전류에 대응되는 전압, 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도 값(V_α)에 대응되는 전압이 플로팅된 레퍼런스 라인(RL)에 충전된다. 그리고, 센싱 모드의 재수행시, 상기 컬럼(column) 구동부(230)의 센싱부(236)는 상기 레퍼런스 라인(RL)의 전압(Vsense)을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense)을 아날로그-디지털 변환하여 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도 값(V_Vth)을 생성해 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 따라서, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 센싱부(236)로부터 제공되는 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도 값(V_α)을 이동도 센싱 값(α_sen)으로 산출해 메모리부(300)에 저장한다.Meanwhile, the
도 9는 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 표시 모드시 구동 파형도이다.9 is a driving waveform diagram in a display mode in the organic light emitting display device according to the first example of the present invention.
도 5 내지 도 7 및 도 9를 참조하여 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 센싱 모드를 설명하면 다음과 같다.A sensing mode of an organic light emitting diode display according to a first example of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 7 and 9.
우선, 표시 모드에 있어서, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 메모리부(300)에서 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 이동도 센싱 값(α_sen)과 상기 문턱 전압 예측 함수의 연산(Vth'_sat)을 위한 계수들(A, B, C, D)를 추출하고, 추출된 상기 화소별 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 이동도 센싱 값(α_sen) 및 계수들(A, B, C, D)을 이용한 상기 수학식 1의 연산을 통해 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 예측 값을 산출한다. 그리고, 상기 타이밍 제어부(210)는 메모리부(300)에 저장된 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 예측 값과 화소별 구동 트랜지스터의 최초 문턱 전압 예측 값 간의 편차에 기초하여 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 화소별 특성 보상값을 산출한 다음, 산출된 화소별 특성 보상값에 따라 해당 화소(P)의 입력 데이터를 보정하여 화소별 보정 데이터(DATA)를 생성한다. 이와 동시에, 상기 타이밍 제어부(120)는 화소(P)를 어드레싱 기간(DM_t1) 및 발광 기간(DM_t2)으로 구동하기 위한 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성하여 전술한 로우(row) 구동부(220)에 공급함과 동시에 화소별 보정 데이터(DATA)와 데이터 제어 신호(DCS)를 생성하여 컬럼(column) 구동부(230)에 공급한다.First, in a display mode, the
상기 로우(row) 구동부(220)는 상기 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2) 각각에 응답하여 상기 어드레싱 기간(DM_t1) 동안 하이 전압의 전압 레벨을 가지며 상기 발광 기간(DM_t2) 동안 로우 전압의 전압 레벨을 가지는 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2)를 각각 생성하여 스캔 제어 라인(SL)과 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.The
상기 컬럼(column) 구동부(230)의 데이터 구동부(232)는 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여 상기 화소별 보정 데이터(DATA)를 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 상기 어드레싱 기간(DM_t1) 동안 데이터 라인(DL)에 공급한다. 이와 동시에, 상기 컬럼(column) 구동부(230)의 스위칭부(234)는 프리차징 스위치 신호에 응답하여 상기 어드레싱 기간(DM_t1) 동안 레퍼런스 라인(RL)에 레퍼런스 전압(Vref)을 공급한다.The
이와 같은 표시 모드시 상기 로우(row) 구동부(220)와 상기 컬럼(column) 구동부(230) 각각의 구동에 따른 어드레싱 기간(DM_t1) 및 발광 기간(DM_t2) 각각의 화소(P) 동작을 설명하면 다음과 같다.In such a display mode, the operation of the pixel P of each of the addressing period DM_t1 and the emission period DM_t2 according to driving of the
먼저, 상기 어드레싱 기간(DM_t1)에서는, 하이 전압의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 하이 전압의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이에 따라, 제 1 노드(n1)와 제 2 노드(n2)에 접속된 커패시터(Cst)는 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 레퍼런스 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)으로 충전된다.First, in the addressing period DM_t1, the first switching transistor Tsw1 is turned on by the first scan pulse SP1 of a high voltage, and the data voltage Vdata supplied to the data line DL is first The node n1 is supplied to the gate electrode of the driving transistor Tdr, and the second switching transistor Tsw2 is turned on by the second scan pulse SP2 of a high voltage to be supplied to the reference line RL. The reference voltage Vref is supplied to the second node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr. Accordingly, the capacitor Cst connected to the first node n1 and the second node n2 is charged with the difference voltage Vdata-Vref between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref.
그런 다음, 상기 발광 기간(DM_t2)에서는, 로우 전압의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-오프되고, 로우 전압의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-오프됨으로써 구동 트랜지스터(Tdr)가 상기 커패시터(Cst)에 저장된 전압(Vdata-Vref)에 의해 턴-온된다. 따라서, 상기 턴-온된 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 레퍼런스 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)에 의해 결정되는 데이터 전류(Ioled)를 발광 소자(OLED)에 공급함으로써 발광 소자(OLED)가 구동 전원 라인(PL)으로부터 제 2 전극(또는 캐소드 전극)으로 흐르는 데이터 전류(Ioled)에 비례하여 발광되도록 한다. 즉, 상기 발광 기간(DM_t2)에서, 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)가 턴-오프되면, 구동 트랜지스터(Tdr)에 전류가 흐르고, 이 전류에 비례하여 발광 소자(OLED)가 발광을 시작하면서 제 2 노드(n2)의 전압 상승하게 되며, 커패시터(Cst)에 의해 제 2 노드(n2)의 전압 상승만큼 제 1 노드(n1)의 전압이 상승함으로써 커패시터(Cst)의 전압에 의해 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트-소스 전압(Vgs)이 지속적으로 유지되어 발광 소자(OLED)가 다음 프레임의 어드레싱 기간(DM_t1)까지 발광을 지속하게 된다.Then, in the light emission period DM_t2, the first switching transistor Tsw1 is turned off by the first scan pulse SP1 of the low voltage, and the second scan pulse SP2 is turned off. As the switching transistor Tsw2 is turned off, the driving transistor Tdr is turned on by the voltage Vdata-Vref stored in the capacitor Cst. Accordingly, the turned-on driving transistor Tdr supplies a data current Ioled determined by a difference voltage Vdata-Vref between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref to the light emitting device OLED. As a result, the light emitting element OLED emits light in proportion to the data current Ioled flowing from the driving power line PL to the second electrode (or the cathode electrode). That is, in the light emission period DM_t2, when the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 are turned off, a current flows through the driving transistor Tdr, and the light emitting element OLED emits light in proportion to the current. As the voltage of the second node n2 increases, the voltage of the first node n1 increases as the voltage of the second node n2 increases by the capacitor Cst, and thus the voltage of the capacitor Cst increases. The gate-source voltage Vgs of the driving transistor Tdr is continuously maintained so that the light-emitting element OLED continues to emit light until the addressing period DM_t1 of the next frame.
도 10은 본 발명과 비교 예 1 및 2에 대한 표시 패널의 휘도 균일도를 설명하기 위한 그래프이다.10 is a graph for explaining luminance uniformity of a display panel for the present invention and Comparative Examples 1 and 2;
도 10에서, 본 발명의 그래프는 단축 센싱 방식과 데이터 보상을 모두 적용한 계조별 휘도 균일도를 나타내고, 비교 예 1은 단축 센싱 방식만을 적용한 계조별 휘도 균일도를 나타내며, 비교 예 2는 포화 센싱 방식을 적용한 계조별 휘도 균일도를 나타낸다.In FIG. 10, the graph of the present invention shows the luminance uniformity for each gray level to which both the short-axis sensing method and data compensation are applied, Comparative Example 1 shows the luminance uniformity for each gray level using only the short-axis sensing method, and Comparative Example 2 is Represents luminance uniformity for each gray level.
도 10에서 알 수 있듯이, 본 발명은 단축 센싱 방식의 비교 예 1 보다 휘도 균일도가 높아지는 것을 확인할 수 있으며, 포화 센싱 방식의 비교 예 2의 그래프와 유사한 형태를 가지는 것을 확인할 수 있다.As can be seen from FIG. 10, the present invention can confirm that the luminance uniformity is higher than that of Comparative Example 1 of the single-axis sensing method, and it can be confirmed that the saturation sensing method has a form similar to the graph of Comparative Example 2.
결과적으로, 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소별 구동 트랜지스터의 센싱 시간이 단축되고, 센싱 시간의 단축으로 인한 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 편차에 따른 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차가 보상됨으로써 표시 패널(100)의 휘도 균일도가 향상될 수 있다.As a result, in the organic light emitting diode display according to the first example of the present invention, the sensing time of the driving transistor for each pixel is shortened, and the threshold voltage of the driving transistor for each pixel according to the mobility deviation of the driving transistor for each pixel due to the shortening of the sensing time By compensating for the deviation, uniformity of luminance of the
이하, 도 11을 참조하여 전술한 본 발명의 제 2 예에 따른 패널 구동부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구성을 예를 들어 설명하기로 한다.Hereinafter, a configuration of an organic light emitting display device including the panel driver according to the second example of the present invention described above will be described with reference to FIG. 11.
도 11은 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이다.11 is a diagram illustrating a configuration of an organic light emitting diode display according to a second example of the present invention.
도 6, 도 7 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전술한 바와 같이, 표시 패널(100), 패널 구동부(200), 및 메모리부(300)를 포함하고, 상기 패널 구동부(200)는 타이밍 제어부(210), 로우(row) 구동부(220), 및 컬럼(column) 구동부(230)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성에 따른 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서, 상기 타이밍 제어부(210)와 메모리부(300)를 제외한 나머지 구성들은 전술한 본 발명의 제 1 예에 따른 유기 발광 표시 장치와 동일하므로 이하의 설명에서는 생략하기로 한다.6, 7 and 11, the organic light emitting display device according to the second example of the present invention includes a
우선, 메모리부(300)에는 이전의 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 이동도 센싱 값(αsen), 및 사전 실험에 의해 설정된 센싱용 기준 데이터 전압별 이동도 계수(αcoe)가 저장되어 있다.First, the
상기 센싱 모드시, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 메모리부(300)에서 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값(αsen)과 센싱용 기준 데이터 전압(Vdata_ref)별 이동도 계수(αcoe)를 추출한 다음, 추출된 화소별 이동도 센싱 값(αsen)과 이동도 계수(αcoe)를 이용한 상기 수학식 2의 연산을 통해 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)를 생성함으로써, 도 4에 도시된 바와 같이, 센싱 시간 단축으로 인한 상기 센싱 모드의 단축 센싱 시점(Tsen)에서 발생되는 화소별 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도 편차(α_high, α_low)를 보상한다.In the sensing mode, the
그런 다음, 상기 타이밍 제어부(210)는 생성된 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)를 컬럼(column) 구동부(230)에 제공함과 동기되도록 상기 로우(row) 구동부(220)와 컬럼(column) 구동부(230) 각각을 센싱 모드로 제어한다.Then, the
상기 센싱 모드시, 상기 컬럼(column) 구동부(230)는 화소별 센싱용 화소 데이터(DATA)를 화소별 센싱용 데이터 전압(Vdata'_sen)을 생성하여 해당 화소(P)에 공급하고, 상기 레퍼런스 라인(RL)을 통해 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 이동도 센싱 값(αsen) 각각을 센싱하여 상기 타이밍 제어부(210)에 제공한다.In the sensing mode, the
전술한 표시 모드시, 상기 타이밍 제어부(210)는 센싱 모드의 단축 센싱 시점에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 최초의 센싱 모드에 의해 센싱되어 메모리부(300)에 저장된 화소별 구동 트랜지스터의 최초 문턱 전압 센싱 값 간의 편차에 기초하여 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 화소별 특성 보상값을 산출한 다음, 산출된 화소별 특성 보상값에 따라 해당 화소(P)의 입력 데이터를 보정하여 화소별 보정 데이터를 생성해 각 화소(P)를 구동한다.In the above-described display mode, the
이와 같은, 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 도 8에 도시된 센싱 모드의 구동 파형에 따라 센싱 모드를 수행하여 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 이동도 센싱 값(αsen)을 생성한다. 이때, 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 각 화소(P)의 구동 트랜지스터를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시키기 위한 바이어스 전압으로서, 상기 수학식 2의 연산에 따라 생성된 화소별 센싱용 데이터 전압(Vdata'_sen)을 사용한다.The organic light emitting diode display according to the second example of the present invention performs a sensing mode according to the driving waveform of the sensing mode illustrated in FIG. 8 to sense the threshold voltage sensing value Vth_sen and mobility of the driving transistor for each pixel. Generate a value (α sen ). In this case, the organic light emitting diode display according to the second example of the present invention is a bias voltage for operating the driving transistor of each pixel P in a source follow mode, which is generated according to the operation of Equation 2 The sensing data voltage Vdata'_sen for each pixel is used.
그리고, 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 도 9에 도시된 표시 모드의 구동 파형에 따라 표시 모드를 수행하여 각 화소(P)를 구동한다. 이때, 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 메모리부(300)에 저장된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값(Vth_sen)과 화소별 구동 트랜지스터의 최초 문턱 전압 센싱 값 간의 편차에 기초하여 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 화소별 특성 보상값을 산출한 다음, 산출된 화소별 특성 보상값에 따라 해당 화소(P)의 입력 데이터를 보정하여 화소별 보정 데이터(DATA)를 생성해 각 화소(P)를 구동한다.In addition, the OLED display according to the second example of the present invention drives each pixel P by performing a display mode according to a driving waveform of the display mode illustrated in FIG. 9. In this case, the organic light emitting diode display according to the second example of the present invention is based on a deviation between the threshold voltage sensing value Vth_sen of the driving transistor for each pixel stored in the
도 12는 본 발명과 비교 예에 있어서, 데이터 전압에 대한 구동 트랜지스터에 흐르는 전류를 나타내는 그래프이다.12 is a graph showing a current flowing through a driving transistor versus a data voltage in the present invention and a comparative example.
도 12의 (a)는 단축 센싱 방식과 문턱 전압 보상을 적용하여 데이터 전압에 대한 구동 트랜지스터에 흐르는 전류를 측정한 비교 예의 그래프이고, 도 12의 (b)는 단축 센싱 방식과 이동도 보상 게인 값 및 문턱 전압 보상을 적용하여 데이터 전압에 대한 구동 트랜지스터에 흐르는 전류를 측정한 본 발명의 그래프이다.12(a) is a graph of a comparative example in which the short-circuit sensing method and the threshold voltage compensation are applied to measure the current flowing through the driving transistor for the data voltage. And a graph of the present invention in which a current flowing through a driving transistor with respect to a data voltage is measured by applying threshold voltage compensation.
도 12의 (a)에서 알 수 있듯이, 비교 예에서는 저계조 영역(LGA)에서 계조 반전이 발생되는 것을 확인할 수 있다. 즉, 비교 예에서는 단축 센싱 시점에서 발생되는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 편차(α_high, α_low)에 따라 문턱 전압 센싱 값의 편차가 발생되고, 이러한 문턱 전압 센싱 값의 편차를 기반으로 한 문턱 전압 보상으로 인하여 저계조 영역(LGA)에서 계조 반전이 발생하게 된다.As can be seen from (a) of FIG. 12, in the comparative example, it can be seen that grayscale inversion occurs in the low grayscale area (LGA). That is, in the comparative example, the deviation of the threshold voltage sensing value occurs according to the mobility deviation (α_high, α_low) of the driving transistor for each pixel occurring at the short-circuit sensing time, and the threshold voltage compensation based on the deviation of the threshold voltage sensing value. As a result, grayscale inversion occurs in the low grayscale area (LGA).
반면에, 도 12의 (a)에서 알 수 있듯이, 본 발명에서는 저계조 영역(LGA)에서 계조 반전이 발생되지 않는 것을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명은 단축 센싱 방식과 이동도 보상 게인 값을 기반으로, 단축 센싱 시점에서 발생되는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 편차(α_high, α_low)를 보상하기 위한, 화소별 센싱용 데이터 전압을 생성하여 문턱 전압을 센싱하고, 이를 기반으로 문턱 전압 보상을 수행하기 때문에 저계조 영역(LGA)에서 계조 반전이 발생되지 않게 된다.On the other hand, as can be seen from (a) of FIG. 12, in the present invention, it can be confirmed that grayscale inversion does not occur in the low grayscale area (LGA). That is, the present invention generates a data voltage for each pixel sensing to compensate for the mobility deviation (α_high, α_low) of the driving transistor for each pixel, which is generated at the time of the short axis sensing, based on the single axis sensing method and the mobility compensation gain value. Accordingly, since the threshold voltage is sensed and threshold voltage compensation is performed based on this, grayscale inversion does not occur in the low grayscale area (LGA).
결과적으로, 본 발명의 제 2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소별 구동 트랜지스터의 센싱 시간이 단축되고, 센싱 시간의 단축으로 인한 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 편차에 따른 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차가 보상됨으로써 표시 패널(100)의 휘도 균일도가 향상될 수 있다.As a result, in the organic light emitting diode display according to the second example of the present invention, the sensing time of the driving transistor for each pixel is shortened, and the threshold voltage of the driving transistor for each pixel according to the mobility deviation of the driving transistor for each pixel due to the shortening of the sensing time By compensating for the deviation, uniformity of luminance of the
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and that various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope of the technical matters of the present invention. It will be obvious to those who have the knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is indicated by the claims to be described later, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
100: 표시 패널 200: 패널 구동부
210: 타이밍 제어부 220: 로우(row) 구동부
230: 컬럼(column) 구동부 232: 데이터 구동부
234: 스위칭부 236: 센싱부
300: 메모리부100: display panel 200: panel driver
210: timing control unit 220: row driving unit
230: column driver 232: data driver
234: switching unit 236: sensing unit
300: memory unit
Claims (11)
상기 표시 패널을 센싱 모드 또는 표시 모드로 동작시키고, 상기 센싱 모드시 상기 각 화소의 구동 트랜지스터를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시키면서 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이의 센싱 노드에 연결되는 레퍼런스 라인을 통해 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값으로 이루어진 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 센싱하고, 상기 표시 모드시 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 기반으로 화소별 입력 데이터를 보정하여 각 화소를 구동하는 패널 구동부; 및
상기 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값, 및 문턱 전압 예측 함수에 대한 이동도 센싱 값별 계수들이 저장되어 있는 메모리부;를 포함하며,
상기 센싱 모드시, 상기 패널 구동부는 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류에 따른 센싱 전압이 포화되는 전압 포화 구간 이전에 설정된 단축 센싱 시점에서 상기 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 센싱하고,
상기 표시 모드시, 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에서 상기 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값에 대응되는 문턱 전압 예측 함수의 계수들을 추출하고, 추출된 화소별 계수들과 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값을 이용하여 상기 문턱 전압 예측 함수의 연산을 통해 상기 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값을 산출하는 유기 발광 표시 장치.A display panel including a plurality of pixels including a driving transistor configured to emit light of an organic light emitting element by outputting a data current based on a data voltage;
A reference connected to a sensing node between the organic light-emitting device and the driving transistor while operating the display panel in a sensing mode or a display mode and operating the driving transistors of each pixel in a source follow mode in the sensing mode Through a line, the driving characteristic value of the driving transistor for each pixel consisting of the threshold voltage sensing value and the mobility sensing value of the driving transistor is sensed, and input data for each pixel is corrected based on the driving characteristic value of the driving transistor for each pixel in the display mode. A panel driver for driving each pixel; And
And a memory unit storing threshold voltage sensing values and mobility sensing values for the driving transistors for each pixel sensed by the sensing mode, and coefficients for mobility sensing values for the threshold voltage prediction function; and
In the sensing mode, the panel driver senses a driving characteristic value of the driving transistor at a short-circuit sensing time set before a voltage saturation period in which a sensing voltage according to a current flowing through the driving transistor is saturated, and
In the display mode, the panel driver extracts coefficients of a threshold voltage prediction function corresponding to a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel from the memory unit, and extracts coefficients for each pixel and a threshold voltage of the driving transistor for each pixel. An organic light emitting diode display device configured to calculate a threshold voltage predicted value of the driving transistor for each pixel by calculating the threshold voltage predicting function using a sensing value.
상기 표시 모드시, 상기 패널 구동부는 상기 단축 센싱 시점에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값을 기반으로, 상기 전압 포화 구간에 대응되는 상기 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값을 산출하고, 산출된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값을 기반으로 화소별 입력 데이터를 보정하여 각 화소를 구동하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
In the display mode, the panel driver predicts a threshold voltage of the driving transistor for each pixel corresponding to the voltage saturation period, based on a sensing value of a threshold voltage and a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel sensed at the short-axis sensing time. An organic light emitting diode display device configured to drive each pixel by calculating a value and correcting input data for each pixel based on the calculated threshold voltage predicted value of a driving transistor for each pixel.
상기 문턱 전압 예측 함수는 상기 단축 센싱 시점에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 제 1 문턱 전압 센싱 값과 상기 전압 포화 구간에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 제 2 문턱 전압 센싱 값에 토대로, 상기 이동도 센싱 값별로 제 1 문턱 전압 센싱 값에 대한 제 2 문턱 전압 센싱 값으로 좌표화하고 선형 보간하여 산출된 이동도 센싱 값별 제 1 함수를 기반으로 설정된 1차 함수인 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
The threshold voltage prediction function is based on a first threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel sensed at the short-circuit sensing time and a second threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel sensed in the voltage saturation period, and sensing the mobility. An organic light-emitting display device that is a linear function set based on a first function for each mobility sensing value calculated by coordinated with a second threshold voltage sensing value with respect to a first threshold voltage sensing value for each value and linearly interpolated.
상기 문턱 전압 예측 함수의 1차항 계수는 상기 이동도 센싱 값별 제 1 함수들의 1차항 계수들을 이동도 센싱 값에 대해 좌표화하고 선형 보간하여 산출된 제 2 함수로 이루어지고,
상기 문턱 전압 예측 함수의 0차항 계수는 상기 이동도 센싱 값별 제 1 함수들의 0차항 계수들을 이동도 센싱 값에 대해 좌표화하고 선형 보간하여 산출된 제 3 함수로 이루어지며,
상기 메모리부에 저장되어 있는 상기 문턱 전압 예측 함수의 계수들은 상기 제 2 함수의 1차항 계수와 0차항 계수, 및 상기 제 3 함수의 1차항 계수와 0차항 계수인 유기 발광 표시 장치.The method of claim 4,
The linear coefficient of the threshold voltage prediction function is composed of a second function calculated by linearly interpolating the linear coefficients of the first functions for each mobility sensing value, and
The zero-order coefficient of the threshold voltage prediction function is composed of a third function calculated by coordinating the zero-order coefficients of the first functions for each mobility sensing value with respect to a mobility sensing value and linear interpolation,
The coefficients of the threshold voltage prediction function stored in the memory unit are linear and zero-order coefficients of the second function, and linear and zero-order coefficients of the third function.
상기 표시 모드에서 상기 패널 구동부는,
상기 메모리부에서 상기 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값에 대응되는 상기 제 2 함수의 1차항 계수와 0차항 계수, 및 상기 제 3 함수의 1차항 계수와 0차항 계수를 추출하고,
상기 추출된 제 2 함수의 1차항 계수와 0차항 계수, 상기 추출된 상기 제 3 함수의 1차항 계수와 0차항 계수 및 상기 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값을 이용한 상기 제 2 및 제 3 함수 각각의 연산을 통해 상기 문턱 전압 예측 함수의 1차항 계수와 0차항 계수를 산출하고,
상기 산출된 문턱 전압 예측 함수의 1차항 계수와 0차항 계수 및 상기 단축 센싱 시점에서 센싱된 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값을 이용한 상기 문턱 전압 예측 함수의 연산을 통해 상기 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값을 산출하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 5,
In the display mode, the panel driver,
The memory unit extracts a first-order coefficient and a zero-order coefficient of the second function corresponding to a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel, and a first-order coefficient and a zero-order coefficient of the third function,
The second and third functions using the extracted linear and zero-order coefficients of the second function, the extracted linear and zero-order coefficients of the third function, and a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel Calculate the first-order coefficient and the zero-order coefficient of the threshold voltage prediction function through each operation,
The threshold of the driving transistor for each pixel through the calculation of the threshold voltage prediction function using the calculated first and zero order coefficients of the calculated threshold voltage prediction function and a threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel sensed at the short axis sensing time. An organic light emitting diode display that calculates a voltage prediction value.
상기 표시 모드에서 상기 패널 구동부는,
상기 메모리부에 저장되어 있는 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 예측 값과 화소별 구동 트랜지스터의 최초 문턱 전압 예측 값 간의 편차에 기초하여 화소별 특성 보상값을 산출하고, 산출된 화소별 특성 보상값에 따라 해당 화소의 입력 데이터를 보정하여 각 화소를 구동하는 유기 발광 표시 장치.The method according to any one of claims 1, 2, 4 to 6,
In the display mode, the panel driver,
A characteristic compensation value for each pixel is calculated based on a deviation between the predicted threshold voltage value of the driving transistor for each pixel stored in the memory unit and the initial threshold voltage predicted value for the driving transistor for each pixel, and the calculated characteristic compensation value for each pixel An organic light-emitting display device that drives each pixel by correcting input data of a corresponding pixel.
상기 표시 패널을 센싱 모드 또는 표시 모드로 동작시키고, 상기 센싱 모드시 상기 각 화소의 구동 트랜지스터를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시키면서 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이의 센싱 노드에 연결되는 레퍼런스 라인을 통해 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값으로 이루어진 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 센싱하고, 상기 표시 모드시 화소별 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 기반으로 화소별 입력 데이터를 보정하여 각 화소를 구동하는 패널 구동부;를 포함하며,
상기 센싱 모드시, 상기 패널 구동부는 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류에 따른 센싱 전압이 포화되는 전압 포화 구간 이전에 설정된 단축 센싱 시점에서 상기 구동 트랜지스터의 구동 특성 값을 센싱하고,
상기 센싱 모드시, 상기 패널 구동부는 상기 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값과 센싱용 기준 데이터 전압별로 설정된 이동도 계수를 기반으로, 화소별 센싱용 데이터 전압을 생성하고, 상기 화소별 센싱용 데이터 전압을 이용하여 상기 각 화소의 구동 트랜지스터를 소스 팔로워 모드로 동작시켜 상기 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압과 이동도 각각을 센싱하여 상기 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값 각각을 생성하는 유기 발광 표시 장치.A display panel including a plurality of pixels including a driving transistor configured to emit light of an organic light emitting element by outputting a data current based on a data voltage; And
A reference connected to a sensing node between the organic light-emitting device and the driving transistor while operating the display panel in a sensing mode or a display mode and operating the driving transistors of each pixel in a source follow mode in the sensing mode Through a line, the driving characteristic value of the driving transistor for each pixel consisting of the threshold voltage sensing value and the mobility sensing value of the driving transistor is sensed, and input data for each pixel is corrected based on the driving characteristic value of the driving transistor for each pixel in the display mode. And a panel driver configured to drive each pixel,
In the sensing mode, the panel driver senses a driving characteristic value of the driving transistor at a short-circuit sensing time set before a voltage saturation period in which a sensing voltage according to a current flowing through the driving transistor is saturated, and
In the sensing mode, the panel driver generates a sensing data voltage for each pixel based on a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel and a mobility coefficient set for each sensing reference data voltage, and generates the sensing data for each pixel. By operating the driving transistor of each pixel in a source follower mode using a voltage, the threshold voltage and the mobility of the driving transistor for each pixel are sensed to generate a threshold voltage sensing value and a mobility sensing value of the driving transistor for each pixel. Organic light emitting display device.
상기 센싱 모드에 의해 센싱된 화소별 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 센싱 값과 이동도 센싱 값, 및 센싱용 기준 데이터 전압별 이동도 계수가 저장되어 있는 메모리부를 더 포함하고,
상기 센싱 모드에서 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에 저장되어 있는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값과 센싱용 기준 데이터 전압별 이동도 계수를 기반으로 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값에 따른 이동도 보상 게인 값을 산출하고, 센싱용 기준 화소 데이터와 상기 이동도 보상 게인 값을 이용하여 상기 화소별 센싱용 데이터 전압을 생성하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 8,
Further comprising a memory unit storing a threshold voltage sensing value and a mobility sensing value for the driving transistor for each pixel sensed by the sensing mode, and a mobility coefficient for each sensing reference data voltage,
In the sensing mode, the panel driver includes a mobility sensing value of a driving transistor for each pixel stored in the memory unit and a mobility coefficient of a driving transistor for each pixel based on a mobility coefficient for each voltage of a sensing reference data. An organic light-emitting display device that calculates a compensation gain value and generates a sensing data voltage for each pixel by using sensing reference pixel data and the mobility compensation gain value.
상기 센싱 모드에서 상기 패널 구동부는,
상기 메모리부에 저장되어 있는 화소별 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값을 기반으로 평균 이동도 값을 산출하고,
상기 평균 이동도 값과 상기 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 값을 이용하여 이동도 보상 값을 산출하고,
상기 이동도 보상 값과 상기 이동도 계수를 이용하여 이동도 보상 게인 값을 산출하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 9,
In the sensing mode, the panel driver,
An average mobility value is calculated based on a mobility sensing value of a driving transistor for each pixel stored in the memory unit,
A mobility compensation value is calculated using the average mobility value and a mobility sensing value of the driving transistor,
An organic light-emitting display device that calculates a mobility compensation gain value using the mobility compensation value and the mobility coefficient.
상기 표시 모드에서 상기 패널 구동부는,
상기 메모리부에 저장되어 있는 화소별 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱 값과 화소별 구동 트랜지스터의 최초 문턱 전압 센싱 값 간의 편차에 기초하여 화소별 특성 보상값을 산출하고, 산출된 화소별 특성 보상값에 따라 해당 화소의 입력 데이터를 보정하여 각 화소를 구동하는 유기 발광 표시 장치.The method according to any one of claims 9 to 10,
In the display mode, the panel driver,
A characteristic compensation value for each pixel is calculated based on a deviation between the threshold voltage sensing value of the driving transistor for each pixel stored in the memory unit and the initial threshold voltage sensing value for the driving transistor for each pixel, and according to the calculated characteristic compensation value for each pixel. An organic light-emitting display device that drives each pixel by correcting input data of a corresponding pixel.
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