KR101862603B1 - Light emitting display device - Google Patents
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Abstract
각 화소별 구동스위칭소자들간의 전류 구동능력 편차를 최소화하여 화질을 향상시킬 수 있는 발광표시장치에 관한 것으로, 화상을 표시하기 위한 다수의 화소들을 포함하며; 각 화소가, 스캔라인으로부터의 스캔신호에 따라 제어되며, 데이터 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 데이터스위칭소자; 감지라인으로부터의 감지신호에 따라 제어되며, 기준전압을 전송하는 기준전원라인과 상기 제 1 노드 사이에 접속된 기준스위칭소자; 발광제어라인으로부터의 발광제어신호에 따라 제어되며, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 발광제어스위칭소자; 상기 제 2 노드의 전압에 따라 제어되며, 제 1 구동전원을 전송하는 제 1 구동전원라인과 제 3 노드 사이에 접속된 구동스위칭소자; 초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 제 3 노드와 초기전압을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된 초기스위칭소자; 상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 1 스토리지 커패시터; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스토리지 커패시터; 및, 상기 제 3 노드에 애노드전극이 접속되고 제 2 구동전원을 전송하는 제 2 구동전원라인에 캐소드전극이 접속된 발광다이오드를 포함하며; 상기 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호는 순차적으로 발생되는 초기화기간, 문턱전압검출기간, 데이터기입기간 및 발광기간에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화하며; 상기 초기화기간 동안 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 문턱전압검출기간 동안 상기 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 데이터기입기간 동안 상기 스캔신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 데이터기입기간 동안 상기 데이터 라인으로 데이터 신호가 공급되며; 상기 발광기간 동안 상기 발광제어신호가 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 가지는 반면, 상기 스캔신호, 초기화신호 및 감지신호가 비액티브 상태로 유지됨을 특징으로 한다.The present invention relates to a light emitting display device capable of improving image quality by minimizing a current drivability deviation between drive switching elements for each pixel, and more particularly, to a light emitting display device including a plurality of pixels for displaying an image; Each pixel being controlled in accordance with a scan signal from a scan line and being connected between a data line and a first node; A reference switching element connected between a reference power supply line for transmitting a reference voltage and the first node, the reference switching element being controlled according to a sensing signal from the sensing line; A light emission control switching element controlled in accordance with a light emission control signal from the light emission control line and connected between the first node and the second node; A driving switching element controlled between a voltage of the second node and connected between a first driving power supply line and a third node for transmitting a first driving power supply; An initial switching element controlled in accordance with an initialization signal from an initialization line and connected between the third node and an initial power supply line for transmitting an initial voltage; A first storage capacitor connected between the first node and the third node; A second storage capacitor connected between the first node and the second node; And a light emitting diode having an anode electrode connected to the third node and a cathode electrode connected to a second driving power supply line for transmitting a second driving power supply; Wherein the scan signal, the initialization signal, the emission control signal, and the sensing signal change to an active state or an inactive state based on sequentially generated initialization period, threshold voltage detection period, data writing period, and light emission period; During the initialization period, the initialization signal, the sensing signal, and the emission control signal are kept active, while the scan signal is kept inactive; The initialization signal, the scan signal, and the emission control signal remain inactive while the sense signal remains active during the threshold voltage detection period; The scan signal remains active during the data write period, while the initialization signal, the sense signal, and the emission control signal remain inactive; A data signal is supplied to the data line during the data writing period; During the light emission period, the emission control signal sequentially has an active state and an inactive state, while the scan signal, the initialization signal, and the sense signal are kept inactive.
Description
본 발명은 발광표시장치에 관한 것으로, 특히 각 화소별 구동스위칭소자들간의 전류 구동능력 편차를 최소화하여 화질을 향상시킬 수 있는 발광표시장치에 대한 것이다.BACKGROUND OF THE
발광표시장치의 화소들은 정전류소자인 구동스위칭소자를 포함한다. 이 구동스위칭소자들의 전류 구동능력은 이들의 문턱전압에 많은 영향을 받는다.The pixels of the light emitting display include a drive switching element which is a constant current element. The current drive capability of these drive switching elements is greatly affected by their threshold voltages.
따라서, 화소별 구동스위칭소자들간의 전류 구동능력 편차를 보정하는 것이 표시장치의 화질개선에 있어서 중요한 요소이다.Therefore, it is an important factor in improving the picture quality of the display device to correct the current drivability deviation between the pixel-by-pixel driving switching elements.
본 발명은 상술된 구동스위칭소자들간 전류 구동능력 편차를 줄여 표시장치의 화질을 개선할 수 있는 발광표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light emitting display device capable of improving the image quality of a display device by reducing a current drivability deviation between the driving switching devices.
상술된 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광표시장치는, 화상을 표시하기 위한 다수의 화소들을 포함하며; 각 화소가, 스캔라인으로부터의 스캔신호에 따라 제어되며, 데이터 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 데이터스위칭소자; 감지라인으로부터의 감지신호에 따라 제어되며, 기준전압을 전송하는 기준전원라인과 상기 제 1 노드 사이에 접속된 기준스위칭소자; 발광제어라인으로부터의 발광제어신호에 따라 제어되며, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 발광제어스위칭소자; 상기 제 2 노드의 전압에 따라 제어되며, 제 1 구동전원을 전송하는 제 1 구동전원라인과 제 3 노드 사이에 접속된 구동스위칭소자; 초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 제 3 노드와 초기전압을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된 초기스위칭소자; 상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 1 스토리지 커패시터; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스토리지 커패시터; 및, 상기 제 3 노드에 애노드전극이 접속되고 제 2 구동전원을 전송하는 제 2 구동전원라인에 캐소드전극이 접속된 발광다이오드를 포함하며; 상기 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호는 순차적으로 발생되는 초기화기간, 문턱전압검출기간, 데이터기입기간 및 발광기간에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화하며; 상기 초기화기간 동안 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 문턱전압검출기간 동안 상기 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 데이터기입기간 동안 상기 스캔신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 데이터기입기간 동안 상기 데이터 라인으로 데이터 신호가 공급되며; 상기 발광기간 동안 상기 발광제어신호가 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 가지거나, 또는 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호, 초기화신호 및 감지신호가 비액티브 상태로 유지됨을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting display including a plurality of pixels for displaying an image; Each pixel being controlled in accordance with a scan signal from a scan line and being connected between a data line and a first node; A reference switching element connected between a reference power supply line for transmitting a reference voltage and the first node, the reference switching element being controlled according to a sensing signal from the sensing line; A light emission control switching element controlled in accordance with a light emission control signal from the light emission control line and connected between the first node and the second node; A driving switching element controlled between a voltage of the second node and connected between a first driving power supply line and a third node for transmitting a first driving power supply; An initial switching element controlled in accordance with an initialization signal from an initialization line and connected between the third node and an initial power supply line for transmitting an initial voltage; A first storage capacitor connected between the first node and the third node; A second storage capacitor connected between the first node and the second node; And a light emitting diode having an anode electrode connected to the third node and a cathode electrode connected to a second driving power supply line for transmitting a second driving power supply; Wherein the scan signal, the initialization signal, the emission control signal, and the sensing signal change to an active state or an inactive state based on sequentially generated initialization period, threshold voltage detection period, data writing period, and light emission period; During the initialization period, the initialization signal, the sensing signal, and the emission control signal are kept active, while the scan signal is kept inactive; The initialization signal, the scan signal, and the emission control signal remain inactive while the sense signal remains active during the threshold voltage detection period; The scan signal remains active during the data write period, while the initialization signal, the sense signal, and the emission control signal remain inactive; A data signal is supplied to the data line during the data writing period; During the light emission period, the emission control signal has an active state and an inactive state sequentially, or is maintained in an active state, while the scan signal, the initialization signal, and the detection signal are kept inactive.
액티브 상태에서의 스캔신호의 펄스폭이 액티브 상태에서의 초기화신호의 펄스폭과 동일하며; 그리고, p번째(p는 자연수) 화소와 p+x번째(x는 자연수) 화소가 서로 다른 화소행에 위치하며; 상기 p번째 화소에 공급되는 스캔신호와 상기 p+x번째 화소에 공급되는 스캔신호의 위상이 서로 다르며; 상기 p번째 화소에 공급되는 스캔신호와 상기 p+x번째 화소에 공급되는 초기화신호의 위상이 동일하며; 상기 p번째 화소의 데이터스위칭소자에 접속된 스캔라인과 상기 p+x번째 화소의 발광제어스위칭소자에 접속된 감지라인이 서로 연결된 것을 특징으로 한다.The pulse width of the scan signal in the active state is equal to the pulse width of the initialization signal in the active state; The pth (p is a natural number) pixel and the p + xth (x is a natural number) pixel are located on different pixel rows; A scan signal supplied to the p-th pixel and a scan signal supplied to the p + x-th pixel are different in phase from each other; A scan signal supplied to the p-th pixel and an initialization signal supplied to the p + x-th pixel are the same in phase; And a scan line connected to the data switching element of the pth pixel and a sense line connected to the emission control switching element of the p + xth pixel are connected to each other.
또한, 상술된 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 또 다른 발광표시장치는, 화상을 표시하기 위한 다수의 화소들을 포함하며; 각 화소가, 스캔라인으로부터의 스캔신호에 따라 제어되며, 데이터 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 데이터스위칭소자; 감지라인으로부터의 감지신호에 따라 제어되며, 기준전압을 전송하는 기준전원라인과 상기 제 1 노드 사이에 접속된 제 1 기준스위칭소자; 초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 기준전원라인과 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 기준스위칭소자; 발광제어라인으로부터의 발광제어신호에 따라 제어되며, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 발광제어스위칭소자; 상기 제 2 노드의 전압에 따라 제어되며, 제 1 구동전원을 전송하는 제 1 구동전원라인과 제 3 노드 사이에 접속된 구동스위칭소자; 상기 초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 제 3 노드와 초기전압을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된 초기스위칭소자; 상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 1 스토리지 커패시터; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스토리지 커패시터; 및, 상기 제 3 노드에 애노드전극이 접속되고 제 2 구동전원을 전송하는 제 2 구동전원라인에 캐소드전극이 접속된 발광다이오드를 포함하며; 상기 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호는 순차적으로 발생되는 초기화기간, 문턱전압검출기간, 데이터기입기간 및 발광기간에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화하며; 상기 초기화기간 동안 상기 초기화신호 및 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 문턱전압검출기간 동안 상기 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 데이터기입기간 동안 상기 스캔신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 데이터기입기간 동안 상기 데이터 라인으로 데이터 신호가 공급되며; 상기 발광기간 동안 상기 발광제어신호가 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 가지거나, 또는 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호, 초기화신호 및 감지신호가 비액티브 상태로 유지됨을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting display including a plurality of pixels for displaying an image; Each pixel being controlled in accordance with a scan signal from a scan line and being connected between a data line and a first node; A first reference switching element connected between a reference power supply line for transmitting a reference voltage and the first node, the first reference switching element being controlled according to a sensing signal from the sensing line; A second reference switching element controlled in accordance with an initialization signal from an initialization line, the second reference switching element being connected between the reference power supply line and a second node; A light emission control switching element controlled in accordance with a light emission control signal from the light emission control line and connected between the first node and the second node; A driving switching element controlled between a voltage of the second node and connected between a first driving power supply line and a third node for transmitting a first driving power supply; An initial switching device controlled in accordance with an initialization signal from the initialization line and connected between the third node and an initial power supply line for transmitting an initial voltage; A first storage capacitor connected between the first node and the third node; A second storage capacitor connected between the first node and the second node; And a light emitting diode having an anode electrode connected to the third node and a cathode electrode connected to a second driving power supply line for transmitting a second driving power supply; Wherein the scan signal, the initialization signal, the emission control signal, and the sensing signal change to an active state or an inactive state based on sequentially generated initialization period, threshold voltage detection period, data writing period, and light emission period; During the initialization period, the initialization signal and the sense signal are kept active, while the scan signal and the emission control signal are kept inactive. The initialization signal, the scan signal, and the emission control signal remain inactive while the sense signal remains active during the threshold voltage detection period; The scan signal remains active during the data write period, while the initialization signal, the sense signal, and the emission control signal remain inactive; A data signal is supplied to the data line during the data writing period; During the light emission period, the emission control signal has an active state and an inactive state sequentially, or is maintained in an active state, while the scan signal, the initialization signal, and the detection signal are kept inactive.
액티브 상태에서의 발광제어신호의 펄스폭이 액티브 상태에서의 감지신호의 펄스폭과 동일하며; p번째(p는 자연수) 화소와 p+x번째(x는 자연수) 화소가 서로 다른 화소행에 위치하며; 상기 p번째 화소에 공급되는 스캔신호와 상기 p+x번째 화소에 공급되는 스캔신호의 위상이 서로 다르며; 상기 p번째 화소에 공급되는 발광제어신호와 상기 p+x번째 화소에 공급되는 감지신호의 위상이 동일하며; 상기 p번째 화소의 발광제어스위칭소자에 접속된 발광제어라인과 상기 p+x번째 화소의 감지스위칭소자에 접속된 감지라인이 서로 연결된 것을 특징으로 한다.The pulse width of the light emission control signal in the active state is equal to the pulse width of the detection signal in the active state; the pth (p is a natural number) pixel and the (p + x) th (x is a natural number) pixel are located on different pixel rows; A scan signal supplied to the p-th pixel and a scan signal supplied to the p + x-th pixel are different in phase from each other; The emission control signal supplied to the p-th pixel and the detection signal supplied to the p + x-th pixel are the same in phase; A light emission control line connected to the light emission control switching element of the pth pixel and a sensing line connected to the sensing switching element of the p + xth pixel are connected to each other.
각 화소가 상기 스캔신호에 따라 제어되며, 상기 기준전원라인과 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 3 기준스위칭소자를 더 포함함을 특징으로 한다.Each of the pixels being controlled according to the scan signal, and a third reference switching element connected between the reference power line and the second node.
상기 제 2 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 게이트-소스 커패시터를 더 포함함을 특징으로 한다.And a gate-source capacitor connected between the second node and the third node.
상기 초기전압이 기준전압보다 작으며, 상기 기준전압은 상기 제 2 구동전압보다 작으며, 그리고 상기 제 2 구동전압이 상기 제 1 구동전압보다 작음을 특징으로 한다.The initial voltage is smaller than the reference voltage, the reference voltage is smaller than the second driving voltage, and the second driving voltage is smaller than the first driving voltage.
또한, 상술된 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 또 다른 발광표시장치는,화상을 표시하기 위한 다수의 화소들을 포함하며; 각 화소가, 스캔라인으로부터의 스캔신호에 따라 제어되며, 데이터 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 데이터스위칭소자; 감지라인으로부터의 감지신호에 따라 제어되며, 기준전압을 전송하는 기준전원라인과 상기 제 1 노드 사이에 접속된 기준스위칭소자; 발광제어라인으로부터의 발광제어신호에 따라 제어되며, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 발광제어스위칭소자; 상기 제 2 노드의 전압에 따라 제어되며, 발광다이오드의 캐소드전극과 제 3 노드 사이에 접속된 구동스위칭소자; 초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 제 3 노드와 초기전압을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된 초기스위칭소자; 상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 1 스토리지 커패시터; 및 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스토리지 커패시터를 포함하며; 상기 발광다이오드의 애노드전극이 상기 제 1 구동전원라인에 접속되며; 상기 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호는 순차적으로 발생되는 초기화기간, 문턱전압검출기간, 데이터기입기간 및 발광기간에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화하며; 상기 초기화기간 동안 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 문턱전압검출기간 동안 상기 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 데이터기입기간 동안 상기 스캔신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 데이터기입기간 동안 상기 데이터 라인으로 데이터 신호가 공급되며; 상기 발광기간 동안 상기 발광제어신호가 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 가지거나, 또는 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호, 초기화신호 및 감지신호가 비액티브 상태로 유지됨을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting display including a plurality of pixels for displaying an image; Each pixel being controlled in accordance with a scan signal from a scan line and being connected between a data line and a first node; A reference switching element connected between a reference power supply line for transmitting a reference voltage and the first node, the reference switching element being controlled according to a sensing signal from the sensing line; A light emission control switching element controlled in accordance with a light emission control signal from the light emission control line and connected between the first node and the second node; A driving switching element controlled in accordance with the voltage of the second node and connected between the cathode electrode of the light emitting diode and the third node; An initial switching element controlled in accordance with an initialization signal from an initialization line and connected between the third node and an initial power supply line for transmitting an initial voltage; A first storage capacitor connected between the first node and the third node; And a second storage capacitor connected between the first node and the second node; An anode electrode of the light emitting diode is connected to the first driving power supply line; Wherein the scan signal, the initialization signal, the emission control signal, and the sensing signal change to an active state or an inactive state based on sequentially generated initialization period, threshold voltage detection period, data writing period, and light emission period; During the initialization period, the initialization signal, the sensing signal, and the emission control signal are kept active, while the scan signal is kept inactive; The initialization signal, the scan signal, and the emission control signal remain inactive while the sense signal remains active during the threshold voltage detection period; The scan signal remains active during the data write period, while the initialization signal, the sense signal, and the emission control signal remain inactive; A data signal is supplied to the data line during the data writing period; During the light emission period, the emission control signal has an active state and an inactive state sequentially, or is maintained in an active state, while the scan signal, the initialization signal, and the detection signal are kept inactive.
상술된 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 또 다른 발광표시장치는, 화상을 표시하기 위한 다수의 화소들을 포함하며; 각 화소가, 스캔라인으로부터의 스캔신호에 따라 제어되며, 데이터 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 데이터스위칭소자;According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting display including a plurality of pixels for displaying an image; Each pixel being controlled in accordance with a scan signal from a scan line and being connected between a data line and a first node;
감지라인으로부터의 감지신호에 따라 제어되며, 기준전압을 전송하는 기준전원라인과 상기 제 1 노드 사이에 접속된 제 1 기준스위칭소자; 초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 기준전원라인과 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 기준스위칭소자; 발광제어라인으로부터의 발광제어신호에 따라 제어되며, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 발광제어스위칭소자; 상기 제 2 노드의 전압에 따라 제어되며, 발광다이오드의 캐소드전극과 제 3 노드 사이에 접속된 구동스위칭소자; 상기 초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 제 3 노드와 초기전압을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된 초기스위칭소자; 상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 1 스토리지 커패시터; 및, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스토리지 커패시터를 포함하며; 상기 발광다이오드의 애노드전극이 상기 제 1 구동전원라인에 접속되며; 상기 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호는 순차적으로 발생되는 초기화기간, 문턱전압검출기간, 데이터기입기간 및 발광기간에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화하며; 상기 초기화기간 동안 상기 초기화신호 및 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 문턱전압검출기간 동안 상기 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 데이터기입기간 동안 상기 스캔신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며; 상기 데이터기입기간 동안 상기 데이터 라인으로 데이터 신호가 공급되며; 상기 발광기간 동안 상기 발광제어신호가 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 가지거나, 또는 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호, 초기화신호 및 감지신호가 비액티브 상태로 유지됨을 특징으로 한다.A first reference switching element connected between a reference power supply line for transmitting a reference voltage and the first node, the first reference switching element being controlled according to a sensing signal from the sensing line; A second reference switching element controlled in accordance with an initialization signal from an initialization line, the second reference switching element being connected between the reference power supply line and a second node; A light emission control switching element controlled in accordance with a light emission control signal from the light emission control line and connected between the first node and the second node; A driving switching element controlled in accordance with the voltage of the second node and connected between the cathode electrode of the light emitting diode and the third node; An initial switching device controlled in accordance with an initialization signal from the initialization line and connected between the third node and an initial power supply line for transmitting an initial voltage; A first storage capacitor connected between the first node and the third node; And a second storage capacitor connected between the first node and the second node; An anode electrode of the light emitting diode is connected to the first driving power supply line; Wherein the scan signal, the initialization signal, the emission control signal, and the sensing signal change to an active state or an inactive state based on sequentially generated initialization period, threshold voltage detection period, data writing period, and light emission period; During the initialization period, the initialization signal and the sense signal are kept active, while the scan signal and the emission control signal are kept inactive. The initialization signal, the scan signal, and the emission control signal remain inactive while the sense signal remains active during the threshold voltage detection period; The scan signal remains active during the data write period, while the initialization signal, the sense signal, and the emission control signal remain inactive; A data signal is supplied to the data line during the data writing period; During the light emission period, the emission control signal has an active state and an inactive state sequentially, or is maintained in an active state, while the scan signal, the initialization signal, and the detection signal are kept inactive.
각 화소가, 상기 스캔신호에 따라 제어되며, 상기 기준전원라인과 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 3 기준스위칭소자를 더 포함함을 특징으로 한다.Each of the pixels further includes a third reference switching element controlled in accordance with the scan signal and connected between the reference power line and the second node.
상기 데이터스위칭소자, 기준스위칭소자, 발광제어스위칭소자, 구동스위칭소자 및 초기스위칭소자가 모두 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 한다.Wherein the data switching element, the reference switching element, the emission control switching element, the driving switching element, and the initial switching element are both composed of an n-type transistor and a p-type transistor.
상기 데이터스위칭소자, 제 1 기준스위칭소자, 제 2 기준스위칭소자, 발광제어스위칭소자, 구동스위칭소자 및 초기스위칭소자가 모두 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 한다.The data switching element, the first reference switching element, the second reference switching element, the emission control switching element, the driving switching element, and the initial switching element are all formed of an n-type transistor or a p-type transistor.
상기 데이터스위칭소자, 제 1 기준스위칭소자, 제 2 기준스위칭소자, 제 3 기준스위칭소자, 발광제어스위칭소자, 구동스위칭소자 및 초기스위칭소자가 모두 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 한다.The data switching element, the first reference switching element, the second reference switching element, the third reference switching element, the light emission control switching element, the driving switching element, and the initial switching element are all formed of either an n-type transistor or a p- .
본 발명에 따른 발광표시장치는 다음과 같은 효과를 갖는다.The light emitting display device according to the present invention has the following effects.
첫째, 제 1 내지 제 3 노드로부터 보이는 각 스위칭소자의 기생 커패시터의 수가 작은 구조이기 때문에 이들 기생 커패시터에 의해서 유실되는 전하의 량이 작다. 따라서, 문턱전압의 보상 구간이 향상되어, 문턱전압의 보상율이 높고 동시에 문턱전압의 보상 범위 또한 크다.First, since the number of parasitic capacitors of each switching element seen from the first to third nodes is small, the amount of charge lost by these parasitic capacitors is small. Therefore, the compensating period of the threshold voltage is improved, and the compensating rate of the threshold voltage is high and the compensating range of the threshold voltage is also large.
둘째, 초기화기간에 제 1 구동전압에 의해 발생된 전류가 구동스위칭소자로부터 초기전압원으로 싱크되는 구조이므로, 구동스위칭소자의 문턱전압이 0보다 작은 경우에도 우수한 문턱전압 보상능력을 나타낸다.Second, since the current generated by the first driving voltage in the initialization period is synchronized with the initial voltage source from the driving switching device, the threshold voltage compensation capability is excellent even when the threshold voltage of the driving switching device is less than zero.
셋째, 발광기간에 발광제어스위칭소자의 다음단에 감지스위칭소자가 위치하고 있어 노멀리 오프(normally off) 상태의 보상 화소이다. 따라서 데이터스위칭소자의 신뢰성을 높일 수 있다.Thirdly, a compensating pixel in the normally off state because the sensing switching element is located at the next stage of the light emission control switching element in the light emitting period. Therefore, the reliability of the data switching element can be increased.
넷째, 초기화기간에 제 1 및 제 2 노드, 또는 제 1 내지 제 3 노드가 동시에 정전압으로 동시에 초기화되므로 이들 노드들간의 초기화 타이밍 문제를 제거할 수 있다. 따라서 양산에 적합한 구조이다.Fourth, since the first and second nodes or the first to third nodes are initialized simultaneously with the constant voltage in the initialization period, the initialization timing problem between these nodes can be eliminated. Therefore, it is a structure suitable for mass production.
다섯째, 데이터 신호가 제 1 노드에 인가되는 데이터기입기간 동안 제 2 노드로 일정한 정전압, 즉 기준전압을 공급함으로써 데이터 신호에 의한 계조 영향성을 제거할 수 있다. 따라서, 화소별 구동스위칭소자의 문턱전압간 편차를 줄일 수 있다.Fifth, during the data writing period in which the data signal is applied to the first node, the constant voltage, that is, the reference voltage is supplied to the second node, thereby eliminating the gradation influence due to the data signal. Accordingly, the deviation between the threshold voltages of the pixel-by-pixel driving switching elements can be reduced.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광표시장치를 나타낸 도면
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면
도 3은 도 2의 화소에 공급되는 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호의 타이밍도를 나타낸 도면
도 4는 도 3의 신호들이 수직으로 배열된 다수의 화소들로 공급될 때 각 화소별 인가 신호들의 타이밍도를 나타낸 도면
도 5는 n번째 화소에 공급되는 한 세트의 신호들과 n+x번째 화소에 공급되는 한 세트의 신호들간의 타이밍도를 나타낸 도면
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소의 동작을 설명하기 위한 도면
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면
도 8은 도 7의 화소에 공급되는 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호의 타이밍도를 나타낸 도면
도 9는 도 8의 신호들이 수직으로 배열된 다수의 화소들로 공급될 때 각 화소별 인가 신호들의 타이밍도를 나타낸 도면
도 10은 n번째 화소에 공급되는 한 세트의 신호들과 n+x번째 화소에 공급되는 한 세트의 신호들간의 타이밍도를 나타낸 도면
도 11a 내지 도 11d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화소의 동작을 설명하기 위한 도면
도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면
도 13a 내지 도 13d는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화소의 동작을 설명하기 위한 도면
도 14는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면
도 15는 도 14의 화소에 공급되는 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호의 타이밍도를 나타낸 도면
도 16은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면
도 17은 도 16의 화소에 공급되는 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호의 타이밍도를 나타낸 도면
도 18은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면
도 19는 본 발명의 실시예에 따른 화소에 구비된 구동스위칭소자의 각 계조별 문턱전압의 보상효과를 설명하기 위한 도면
도 20은 본 발명의 화소들을 구비한 표시부내의 제 1 구동전압의 전압강하 및 제 2 구동전압의 전압상승에 따른 전류변화를 나타낸 도면1 is a view illustrating a light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel according to the first embodiment of the present invention;
3 is a timing chart of scan signals, initialization signals, emission control signals, and sense signals supplied to the pixels of FIG. 2
FIG. 4 is a timing chart of applied signals for respective pixels when the signals of FIG. 3 are supplied to a plurality of vertically arranged pixels
5 is a timing chart of a set of signals supplied to an n-th pixel and a set of signals supplied to an (n + x) -th pixel;
6A to 6D are diagrams for explaining the operation of the pixel according to the first embodiment of the present invention;
7 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel according to a second embodiment of the present invention;
8 is a timing chart of scan signals, initialization signals, emission control signals, and sense signals supplied to the pixels in FIG. 7;
FIG. 9 is a timing chart of applied signals for each pixel when the signals of FIG. 8 are supplied to a plurality of vertically arranged pixels; FIG.
10 is a timing diagram showing a timing diagram between a set of signals supplied to the n-th pixel and a set of signals supplied to the (n + x) -th pixel
11A to 11D are diagrams for explaining the operation of the pixel according to the second embodiment of the present invention
12 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel according to the third embodiment of the present invention
13A to 13D are diagrams for explaining the operation of the pixel according to the third embodiment of the present invention
14 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel according to a fourth embodiment of the present invention;
FIG. 15 is a timing chart of scan signals, initialization signals, emission control signals, and sense signals supplied to the pixels in FIG. 14; FIG.
16 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel according to a fifth embodiment of the present invention;
FIG. 17 is a timing chart of the scan signal, the initialization signal, the emission control signal, and the detection signal supplied to the pixel of FIG. 16
18 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel according to the sixth embodiment of the present invention;
19 is a view for explaining a compensating effect of a threshold voltage for each gradation of a driving switching element provided in a pixel according to an embodiment of the present invention;
20 is a graph showing a voltage drop of a first drive voltage and a current change due to a voltage rise of a second drive voltage in a display unit having pixels of the present invention
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광표시장치를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting display according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 발광표시장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 표시부(DSP), 시스템(SYS), 제어 드라이버(CD), 데이터 드라이버(DD), 타이밍 컨트롤러(TC) 및 전원 공급부(PS)를 포함한다.1, a light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display unit DSP, a system SYS, a control driver CD, a data driver DD, a timing controller TC, (PS).
표시부(DSP)는 다수의 화소(PXL)들과, 이들 화소(PXL)들을 수평라인 단위로 순차적으로 구동하기 위한 다수의 스캔신호들을 전송하는 다수의 스캔라인들(SL1 내지 SLi), 다수의 데이터라인들(DL1 내지 DLj) 및 전원공급라인들을 포함한다. 한편, 도시하지 않았지만, 이 표시부(DSP)는 다수의 초기화라인들, 발광제어라인들 및 감지라인들을 더 포함한다. 여기서, 스캔라인들의 수, 초기화라인들의 수, 발광제어라인들의 수 및 감지라인들의 수는 동일할 수로 구성될 수 있다.The display unit DSP includes a plurality of pixels PXL, a plurality of scan lines SL1 to SLi for transmitting a plurality of scan signals for sequentially driving the pixels PXL on a horizontal line basis, Lines DL1 to DLj, and power supply lines. On the other hand, although not shown, the display unit DSP further includes a plurality of initialization lines, emission control lines and sense lines. Here, the number of scan lines, the number of initialization lines, the number of emission control lines, and the number of sense lines may be the same.
이 화소(PXL)들은 매트릭스 형태로 표시부(DSP)에 배열되어 있다. 이 화소(PXL)들은 적색을 표시하는 적색 화소(PXL), 녹색을 표시하는 녹색 화소(PXL) 및 청색을 표시하는 청색 화소(PXL)로 구분된다.These pixels PXL are arranged in a matrix on the display unit DSP. The pixels PXL are divided into a red pixel PXL for displaying red, a green pixel PXL for displaying green, and a blue pixel PXL for displaying blue.
시스템(SYS)은 그래픽 콘트롤러의 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 송신기를 통하여 수직동기신호, 수평 동기신호, 클럭신호 및 영상 데이터들을 인터페이스회로를 통해 출력한다. 이 시스템(SYS)으로부터 출력된 수직/수평 동기신호 및 클럭신호는 타이밍 컨트롤러(TC)에 공급된다. 또한, 이 시스템(SYS)으로부터 순차적으로 출력된 영상 데이터들은 타이밍 컨트롤러(TC)에 공급된다.The system SYS outputs a vertical synchronizing signal, a horizontal synchronizing signal, a clock signal, and image data through an interface circuit through a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) transmitter of a graphic controller. The vertical / horizontal synchronizing signal and the clock signal output from the system SYS are supplied to the timing controller TC. In addition, the image data sequentially output from the system SYS is supplied to the timing controller TC.
타이밍 컨트롤러(TC)는 자신에게 입력되는 수평동기신호, 수직동기신호, 및 클럭신호를 이용하여 데이터 제어신호, 스캔 제어신호, 발광 제어신호를 발생시켜 데이터 드라이버(DD) 및 제어 드라이버(CD)로 공급한다. The timing controller TC generates a data control signal, a scan control signal, and a light emission control signal by using a horizontal synchronizing signal, a vertical synchronizing signal, and a clock signal input to the timing controller TC, Supply.
데이터 드라이버(DD)는 타이밍 컨트롤러(TC)로부터의 데이터 제어신호에 따라 영상 데이터들을 샘플링한 후에, 매 수평기간(Horizontal Time : 1H, 2H, ...)마다 한 수평라인분에 해당하는 샘플링 영상 데이터들을 래치하고 래치된 영상 데이터들을 데이터라인들(DL1 내지 DLj)에 공급한다. 즉, 데이터 드라이버(DD)는 타이밍 컨트롤러(TC)로부터의 영상 데이터를 전원 공급부(PS)로부터 입력되는 감마전압을 이용하여 아날로그 화소 신호(데이터신호)로 변환하여 데이터라인들(DL1 내지 DLj)에 공급한다.The data driver DD samples the image data according to the data control signal from the timing controller TC and then outputs the sampling image corresponding to one horizontal line per horizontal period (1H, 2H, ...) Latches the data and supplies the latched image data to the data lines DL1 to DLj. That is, the data driver DD converts the video data from the timing controller TC into an analog pixel signal (data signal) by using the gamma voltage inputted from the power supply unit PS and supplies the converted video data to the data lines DL1 to DLj Supply.
제어 드라이버(CD)는 타이밍 컨트롤러(TC)로부터의 제어신호에 따라 스캔펄스들, 초기화신호들, 발광제어신호들 및 감지신호들을 출력한다. 이때, 이 제어 드라이버는 매 프레임 마다 i개의 스캔신호들을 제 1 스캔신호부터 제 i 스캔신호까지 순차적으로 출력하며, 또한 매 프레임마다 i개의 초기화신호들을 제 1 초기화신호부터 제 i 초기화신호까지 순차적으로 출력하며, 또한 매 프레임마다 i개의 발광제어신호들을 제 1 발광제어신호부터 제 i 발광제어신호까지 순차적으로 출력하며, 또한 매 프레임마다 i개의 감지신호들을 제 1 감지신호부터 제 i 감지신호까지 순차적으로 출력한다. The control driver CD outputs scan pulses, initialization signals, emission control signals, and sense signals in accordance with a control signal from the timing controller TC. At this time, the control driver sequentially outputs i scan signals from the first scan signal to the i < th > scan signal every frame, and sequentially outputs i initialization signals from the first initialization signal to the i < th & Sequentially outputs i emission control signals from the first emission control signal to the i < th > emission control signal every frame, and sequentially outputs i detection signals from the first detection signal to the i < th > .
전원 공급부(PS)는 화소(PXL)의 구동에 필요한 감마전압, 제 1 구동전압(VDD), 제 2 구동전압(VSS), 기준전압(Vref) 및 초기전압(Vinit)을 생성한다. 이때, 초기전압(Vinit)은 기준전압(Vref)보다 작으며, 이 기준전압(Vref)은 제 2 구동전압(VSS)보다 작으며, 그리고 제 2 구동전압(VSS)은 제 1 구동전압(VDD)보다 작게 설정된다. 예를 들어, 제 1 구동전압(VDD)은 약 10[V] 이상의 정전압이 될 수 있으며, 제 2 구동전압(VSS)은 0[V]의 정전압이 될 수 있으며, 기준전압(Vref)은 약 -2[V] 내지 0[V]의 크기를 갖는 정전압이 될 수 있으며, 초기전압(Vinit)은 -7[V] 내지 -6[V]의 크기를 갖는 정전압이 될 수 있다. 여기서 제 1 구동전압(VDD)은 발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth)을 고려하여 결정되므로, 회로에 사용되는 발광다이오드(OLED)의 문턱전압에 따라 변경된다.The power supply unit PS generates a gamma voltage, a first driving voltage VDD, a second driving voltage VSS, a reference voltage Vref, and an initial voltage Vinit necessary for driving the pixel PXL. At this time, the initial voltage Vinit is smaller than the reference voltage Vref, the reference voltage Vref is smaller than the second driving voltage VSS, and the second driving voltage VSS is the first driving voltage VDD . For example, the first driving voltage VDD may be a constant voltage of about 10 V or more, the second driving voltage VSS may be a constant voltage of 0 [V], and the reference voltage Vref may be about The initial voltage Vinit may be a constant voltage having a magnitude of -2 [V] to 0 [V], and the initial voltage Vinit may be a constant voltage having a magnitude of -7 [V] to -6 [V]. Since the first driving voltage VDD is determined in consideration of the threshold voltage Vth of the light emitting diode OLED, the first driving voltage VDD is changed according to the threshold voltage of the light emitting diode OLED used in the circuit.
제 1 1st 실시예Example
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면으로서, 이 도 2는 도 1의 임의의 하나의 화소(PXL)에 구비된 회로 구성을 나타낸 도면이다.Fig. 2 is a circuit diagram of a pixel according to the first embodiment of the present invention. Fig. 2 is a diagram showing a circuit configuration provided in any one pixel PXL of Fig. 1. In Fig.
하나의 화소(PXL)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR), 초기스위칭소자(Tr_IT), 제 1 스토리지 커패시터(Cst), 제 2 스토리지 커패시터(Cem), 게이트-소스 커패시터(Cgss) 및 발광다이오드(OLED)를 포함한다. 여기서, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR)) 및 초기스위칭소자(Tr_IT)는 모두 n타입의 트랜지스터이다.One pixel PXL includes a data switching element Tr_DS, a reference switching element Tr_RE, an emission control switching element Tr_EC, a driving switching element Tr_DR, an initial switching element Tr_IT ), A first storage capacitor Cst, a second storage capacitor Cem, a gate-source capacitor Cgss, and a light emitting diode OLED. Here, the data switching element Tr_DS, the reference switching element Tr_RE, the light emission control switching element Tr_EC, the driving switching element Tr_DR, and the initial switching element Tr_IT are all n-type transistors.
데이터스위칭소자(Tr_DS)는 스캔라인으로부터의 스캔신호(SC)에 따라 제어되며, 데이터 라인(DL)과 제 1 노드(N1) 사이에 접속된다.The data switching element Tr_DS is controlled according to the scan signal SC from the scan line and is connected between the data line DL and the first node N1.
기준스위칭소자(Tr_RE)는 감지라인으로부터의 감지신호(SS)에 따라 제어되며, 기준전압(Vref)을 전송하는 기준전원라인과 제 1 노드(N1) 사이에 접속된다.The reference switching element Tr_RE is controlled according to the sense signal SS from the sense line and is connected between the reference power supply line for transmitting the reference voltage Vref and the first node N1.
발광제어스위칭소자(Tr_EC)는 발광제어라인으로부터의 발광제어신호(EM)에 따라 제어되며, 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 접속된다.The light emission control switching element Tr_EC is controlled in accordance with the light emission control signal EM from the light emission control line and is connected between the first node N1 and the second node N2.
구동스위칭소자(Tr_DR)는 제 2 노드(N2)의 전압에 따라 제어되며, 제 1 구동전압(VDD)을 전송하는 제 1 구동전원라인과 제 3 노드(N3) 사이에 접속된다. 여기서, 제 1 구동전원라인은 제 1 구동전원으로부터의 제 1 구동전압(VDD)을 전송한다.The driving switching element Tr_DR is controlled according to the voltage of the second node N2 and is connected between the first driving power supply line for transmitting the first driving voltage VDD and the third node N3. Here, the first driving power supply line transmits the first driving voltage (VDD) from the first driving power supply.
초기스위칭소자(Tr_IT)는 초기화라인으로부터의 초기화신호(INT)에 따라 제어되며, 제 3 노드(N3)와 초기전압(Vinit)을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된다.The initial switching element Tr_IT is controlled according to the initialization signal INT from the initialization line and is connected between the third node N3 and the initial power supply line for transmitting the initial voltage Vinit.
제 1 스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1)와 상기 제 3 노드(N3) 사이에 접속된다.The first storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the third node N3.
제 2 스토리지 커패시터(Cem)는 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 접속된다.The second storage capacitor Cem is connected between the first node N1 and the second node N2.
게이트-소스 커패시터(Cgss)는 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3) 사이에 접속된다. 구동스위칭소자(Tr_DR)의 크기가 충분히 커서 이 구동스위칭소자(Tr_DR)의 게이트전극과 소스전극 사이에 형성된 기생 커패시터의 용량이 충분히 클 경우, 이 기생 커패시터가 이 게이트-소스 커패시터(Cgss)를 대신할 수 있다. 다시 말하여, 구동스위칭소자(Tr_DR)의 크기가 충분히 클 경우, 게이트-소스 커패시터(Cgss)는 도 2의 회로로부터 제거될 수 있다.The gate-source capacitor Cgss is connected between the second node N2 and the third node N3. When the size of the driving switching element Tr_DR is sufficiently large so that the capacitance of the parasitic capacitor formed between the gate electrode and the source electrode of the driving switching element Tr_DR is sufficiently large, this parasitic capacitor replaces this gate-source capacitor Cgss can do. In other words, when the size of the drive switching element Tr_DR is sufficiently large, the gate-source capacitor Cgss can be removed from the circuit of Fig.
발광다이오드(OLED)는 제 3 노드(N3)와 제 2 구동전원라인 사이에 접속된다. 이때, 이 발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 제 3 노드(N3)에 접속되며, 캐소드전극은 제 2 구동전원라인에 접속된다. 제 2 구동전원라인은 제 2 구동전원으로부터의 제 2 구동전압(VSS)을 전송한다.The light emitting diode OLED is connected between the third node N3 and the second driving power supply line. At this time, the anode electrode of the light emitting diode OLED is connected to the third node N3, and the cathode electrode is connected to the second driving power supply line. And the second driving power supply line transmits the second driving voltage VSS from the second driving power supply.
도 3은 도 2의 화소에 공급되는 스캔신호(SC), 초기화신호(INT), 발광제어신호(EM) 및 감지신호(SS)의 타이밍도를 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a timing chart of the scan signal SC, the initialization signal INT, the emission control signal EM, and the sense signal SS supplied to the pixel of FIG.
도 3에 도시된 바와 같이, 스캔신호(SC), 초기화신호(INT), 발광제어신호(EM) 및 감지신호(SS)는 순차적으로 발생되는 초기화기간(Ti), 문턱전압검출기간(Tth), 데이터기입기간(Td) 및 발광기간(Te)에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화한다. 여기서 어느 신호의 액티브 상태란 이 신호가 해당 스위칭소자에 공급될 때 이 스위칭소자를 턴-온시킬 수 있는 레벨의 상태를 의미한다. 반면, 어느 신호의 비액티브 상태란 이 신호가 해당 스위칭소자에 공급될 때 이 스위칭소자를 턴-오프시킬 수 있는 레벨의 상태를 의미한다. 예를 들어, 스위칭소자가 n타입일 경우, 이에 공급되는 신호의 액티브 상태란 상대적으로 높은 하이레벨의 전압을 의미한다. 반면 비액티브 상태란 상대적으로 낮은 로우레벨의 전압을 의미한다.3, the scan signal SC, the initialization signal INT, the emission control signal EM and the sense signal SS are sequentially generated in an initialization period Ti, a threshold voltage detection period Tth, The data writing period Td, and the light emitting period Te. Here, the active state of a signal means a state of a level at which the switching element can be turned on when the signal is supplied to the switching element. On the other hand, the inactive state of a signal means a state of a level at which the switching element can be turned off when a signal is supplied to the switching element. For example, when the switching element is of the n type, the active state of the signal supplied thereto means a relatively high level voltage. On the other hand, the inactive state means a relatively low-level voltage.
초기화기간(Ti) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)는 액티브 상태로 유지된다. 반면, 스캔신호(SC)는 비액티브 상태로 유지된다.During the initialization period Ti, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the emission control signal EM are maintained in the active state. On the other hand, the scan signal SC remains inactive.
문턱전압검출기간(Tth) 동안 감지신호(SS)는 액티브 상태로 유지된다. 반면, 초기화신호(INT), 스캔신호(SC) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다.During the threshold voltage detection period Tth, the sense signal SS is maintained in the active state. On the other hand, the initialization signal INT, the scan signal SC and the emission control signal EM are kept inactive.
데이터기입기간(Td) 동안 스캔신호(SC)는 액티브 상태로 유지된다. 이때, 이 데이터기입기간(Td)의 전체 기간동안 스캔신호(SC)가 완전히 액티브 상태로 유지되지 않고, 도 3에 도시된 바와 같이, 이 데이터기입기간(Td)의 일정 기간동안은 액티브 상태로 유지되고 나머지 기간동안 비액티브 상태로 유지될 수 있다. 이때, 이 데이터기입기간(Td) 동안 이 스캔신호(SC)가 액티브 상태로 유지되는 기간이 비액티브 상태로 유지되는 기간보다 더 크게 설정될 수 있다. 반면, 이 데이터기입기간(Td) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다. 한편, 이 데이터기입기간(Td) 동안 데이터 라인(DL)으로는 데이터 신호(Vdata)가 공급된다.During the data writing period Td, the scan signal SC remains active. At this time, the scan signal SC is not completely maintained in the active state for the entire period of the data write period Td, and is maintained in the active state for a certain period of the data write period Td, as shown in FIG. And remain inactive for the remainder of the period. At this time, the period during which the scan signal SC is maintained in the active state during the data write period Td may be set to be larger than the period during which the scan signal SC remains in the inactive state. On the other hand, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the emission control signal EM remain inactive during this data writing period Td. Meanwhile, the data signal Vdata is supplied to the data line DL during the data writing period Td.
발광기간(Te) 동안 발광제어신호(EM)는 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 갖는다. 즉, 이 발광기간(Te)이 시작하는 순간 발광제어신호(EM)는 액티브 상태로 유지되며, 이후 일정 기간이 지나면 비액티브 상태로 천이한다. 이때, 이 발광기간(Te) 동안 이 발광제어신호(EM)가 비액티브 상태로 유지되는 기간이 액티브 상태로 유지되는 기간보다 더 크게 설정된다. 반면, 이 발광기간(Te) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 스캔신호(SC)는 비액티브 상태로 유지된다.During the light emission period Te, the emission control signal EM sequentially has an active state and an inactive state. That is, the emission control signal EM is maintained in the active state at the start of the emission period Te, and then transitions to the inactive state after a certain period of time. At this time, the period during which the emission control signal EM is maintained in the inactive state during the emission period Te is set to be larger than the period during which the emission control signal EM is maintained in the active state. On the other hand, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the scan signal SC remain inactive during the light emission period Te.
한편, 다른 실시예로서, 이 발광기간(Te) 동안 상기 발광제어신호(EM)를 액티브 상태로 계속 유지할 수도 있다.Meanwhile, as another embodiment, the light emission control signal EM may be maintained in the active state during the light emission period Te.
한편, 도 3에 도시된 한 세트의 신호들은 수직방향으로 배열된 화소들별로 다른 타이밍에 인가되는 바, 이를 도 4를 통해 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Meanwhile, the signals of one set shown in FIG. 3 are applied at different timings for the pixels arranged in the vertical direction, which will be described in more detail with reference to FIG.
도 4는 도 3의 신호들이 수직으로 배열된 다수의 화소들로 공급될 때 각 화소별 인가 신호들의 타이밍도를 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a timing diagram of application signals for each pixel when the signals of FIG. 3 are supplied to a plurality of vertically arranged pixels.
도 4의 (a)에 도시된 한 세트의 신호들(IT_n, SS_n, SC_n, EM_n)은 n번째 화소에 공급되는 신호들이고, 도 4의 (b)에 도시된 한 세트의 신호들(IT_n+1, SS_n+1, SC_n+1, EM_n+1)은 n+1번째 화소에 공급되는 신호들이고, 그리고 도 4의 (c)에 도시된 한 세트의 신호들(IT_n+2, SS_n+2, SC_n+2, EM_n+2)은 n+2번째 화소에 공급되는 신호들이다. 여기서 n번째 화소는 n번째 화소행에 위치한(제 n 스캔라인에 공통으로 접속된) j개의 화소들 중 어느 하나를 의미하며, n+1번째 화소는 n+1번째 화소행에 위치한(제 n+1 스캔라인에 공통으로 접속된) j개의 화소들 중 어느 하나를 의미하며, 그리고 n+2번째 화소는 n+2번째 화소행에 위치한(제 n+2 스캔라인에 공통으로 접속된) j개의 화소들 중 어느 하나를 의미한다.The set of signals IT_n, SS_n, SC_n and EM_n shown in FIG. 4A are signals supplied to the n-th pixel, and the set of
도 4에 도시된 바와 같이, 각 화소에 공급될 스캔신호(SC_n, SC_n+1, SC_n+2)들이 순차적으로 출력됨을 알 수 있다. 구체적으로, n번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n)보다 n+1번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n+1)가 더 늦게 출력되고, 그리고 n+1번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n+1)보다 n+2번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n+2)보다 더 늦게 출력됨을 알 수 있다. 이와 같이 각 화소별 스캔신호(SC_n, SC_n+1, SC_n+2)들은 이의 액티브 상태에서의 펄스폭만큼 지연되어 출력된다. 마찬가지로 다른 신호들, 즉 초기화신호들(INT_n, INT_n+1, INT_n+2), 발광제어신호들(EM_n, EM_n+1, EM_n+2) 및 감지신호들(SS_n, SS_n+1, SS_n+2) 역시 화소별로 상기 스캔신호의 한 펄스폭만큼 지연되어 출력된다.As shown in FIG. 4, the scan signals SC_n, SC_n + 1, and SC_n + 2 to be supplied to the respective pixels are sequentially output. More specifically, the scan signal SC_n + 1 supplied to the (n + 1) th pixel is supplied later than the scan signal SC_n supplied to the (n + 1) 1) than the scan signal SC_n + 2 supplied to the (n + 2) -th pixel. Thus, the scan signals SC_n, SC_n + 1, and SC_n + 2 for each pixel are delayed by a pulse width in the active state thereof. Similarly, the other signals, i.e., the initialization signals INT_n, INT_n + 1, INT_n + 2, the emission control signals EM_n, EM_n + 1, EM_n + 2 and the sensing signals SS_n, SS_n + Is also delayed by one pulse width of the scan signal for each pixel.
이와 같이 한 세트의 신호들이 매 수평기간마다 지연되어 출력됨에 따라, 어느 하나의 화소에 공급되는 스캔신호의 출력 타이밍과 다른 어느 하나의 화소에 공급되는 초기화신호의 출력 타이밍이 서로 일치할 수도 있는 바, 이와 같은 경우 서로 다른 두 종의 신호들을 하나의 라인을 통해 공통으로 출력할 수 있다. 이를 도 5를 통해 구체적으로 설명한다.The output timing of the scan signal supplied to any one of the pixels and the output timing of the initialization signal supplied to any one of the other pixels may coincide with each other as the signals of one set are delayed and outputted every horizontal period In this case, signals of two different types can be commonly output through one line. This will be described in detail with reference to FIG.
도 5는 n번째 화소에 공급되는 한 세트의 신호들과 n+x번째 화소에 공급되는 한 세트의 신호들간의 타이밍도를 나타낸 도면이다.5 is a diagram showing a timing diagram between a set of signals supplied to an n-th pixel and a set of signals supplied to an (n + x) -th pixel.
도 5에 도시된 바와 같이, n번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n)의 출력 타이밍과 이 화소보다 더 후단에 위치한 n+x번째 화소에 공급되는 초기화신호(INT_n+x)의 출력 타이밍이 서로 일치하며, 또한 액티브 상태에서의 스캔신호(SC_n)의 펄스폭과 액티브 상태에서의 초기화신호(INT_n+x)의 펄스폭과 동일함을 알 수 있다. 이 x는 자연수로서, 신호들의 출력 타이밍에 따라 달라질 수 있다. 이와 같이 서로 다른 두 화소에 공급되는 서로 다른 종의 신호들의 출력 타이밍이 일치하고 그 펄스폭들이 서로 동일할 경우, 예를 들어 n번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n)와 n+x번째 화소에 공급되는 초기화신호(INT_n+x)를 동일한 라인을 통해 공급할 수 있다. 즉, n번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n)가 제 n 스캔라인에 의해 전송되고, 그리고 n+x번째 화소에 공급되는 초기화신호(INT_n+x)가 제 n+x 초기화라인에 의해 전송된다고 할 때, 이 제 n 스캔라인과 제 n+x 초기화라인들 중 어느 하나만을 사용하여 상기 스캔신호(SC_n)와 초기화신호(INT_n+x)를 동시에 전송할 수 있다. 이와 같은 경우, 사용되지 않은 어느 하나의 라인을 회로로부터 제거함으로써 회로의 크기 및 비용을 줄일 있는 부수적인 효과가 발생된다.5, when the output timing of the scan signal SC_n supplied to the n-th pixel and the output timing of the initialization signal INT_n + x supplied to the (n + x) -th pixel located further behind the pixel are opposite to each other And the pulse width of the scan signal SC_n in the active state is equal to the pulse width of the initialization signal INT_n + x in the active state. This x is a natural number and can be varied depending on the output timing of the signals. When the output timings of signals of different kinds supplied to two different pixels coincide with each other and their pulse widths are equal to each other, for example, the scan signal SC_n supplied to the n-th pixel and the scan signal SC_n supplied to the The supplied initialization signal INT_n + x can be supplied through the same line. That is, the scan signal SC_n supplied to the n-th pixel is transferred by the n-th scan line and the initialization signal INT_n + x supplied to the (n + x) th pixel is transferred by the (n + x) , The scan signal SC_n and the initialization signal INT_n + x may be transmitted simultaneously using only the nth scan line and the n + x initialization lines. In this case, any one of the unused lines is removed from the circuit, thereby generating a side effect that reduces the size and cost of the circuit.
이하, 상술된 도 3, 그리고 도 6a 내지 도 6d를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소의 동작을 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the pixel according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 6A to 6D.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 6a 내지 도 6d에서 점선으로 도시된 스위칭소자는 턴-오프된 상태를 의미하며, 원형의 점선으로 둘러싸인 스위칭소자는 턴-온된 상태를 의미한다.6A to 6D are diagrams for explaining the operation of the pixel according to the first embodiment of the present invention. Here, the switching elements shown by the dotted lines in FIGS. 6A to 6D indicate the turned-off state, and the switching elements surrounded by the circular dotted lines indicate the turned-on state.
1) 초기화기간(1) Initialization period ( TiTi ))
먼저, 도 3 및 도 6a를 참조하여, 초기화기간(Ti)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.First, with reference to FIG. 3 and FIG. 6A, let us consider the operation of the pixel PXL in the initialization period Ti.
초기화기간(Ti) 동안에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)는 액티브 상태로 유지된다. 반면, 스캔신호(SC)는 비액티브 상태로 유지된다. During the initialization period Ti, as shown in Fig. 3, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the emission control signal EM are maintained in the active state. On the other hand, the scan signal SC remains inactive.
이와 같은 신호들에 따라, 도 6a에 도시된 바와 같이, 액티브 상태의 감지신호(INT)를 공급받는 기준스위칭소자(Tr_RE) 및 액티브 상태의 초기화신호(INT)를 공급받는 초기스위칭소자(Tr_IT)가 턴-온되고, 또한 액티브 상태의 발광제어신호(EM)를 공급받는 발광제어스위칭소자(Tr_EC)가 턴-온된다. 반면, 비액티브 상태의 스캔신호(SC)를 공급받는 데이터스위칭소자(Tr_DS)는 턴-오프된다.6A, an initial switching element Tr_IT receives a reference switching element Tr_RE supplied with an active state detection signal INT and an active state initialization signal INT, And the emission control switching element Tr_EC receiving the emission control signal EM in the active state is turned on. On the other hand, the data switching element Tr_DS supplied with the scan signal SC in an inactive state is turned off.
그러면, 턴-온된 기준스위칭소자(Tr_RE)를 통해 기준전압(Vref)이 제 1 노드(N1)에 공급된다. 또한 턴-온된 발광제어스위칭소자(Tr_EC)를 통해 제 2 노드(N2)에도 기준전압(Vref)이 공급된다. 이에 따라, 제 1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2)가 모두 기준전압(Vref)의 레벨로 유지된다.Then, the reference voltage Vref is supplied to the first node N1 through the turn-on reference switching element Tr_RE. The reference voltage Vref is also supplied to the second node N2 through the turn-on emission control switching element Tr_EC. Thus, both the first node N1 and the second node N2 are maintained at the level of the reference voltage Vref.
한편, 턴-온된 초기스위칭소자(Tr_IT)를 통해 초기전압(Vinit)이 제 3 노드(N3)에 공급된다. 이에 따라 제 3 노드(N3)가 초기전압(Vinit)의 레벨로 유지된다. 여기서, 제 3 노드(N3)에 인가된 초기전압(Vinit)의 레벨은 구동스위칭소자(Tr_DR)의 내부 저항과 초기스위칭소자(Tr_IT)의 내부 저항의 비에 의해 결정된다. 이때 이 초기전압(Vinit)이 제 2 구동전압(VSS)보다 작음과 아울러 발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 작기 때문에 발광다이오드(OLED)는 역방향으로 바이어스되어 이 발광다이오드(OLED)는 오프된 상태를 유지한다. On the other hand, the initial voltage Vinit is supplied to the third node N3 through the turn-on initial switching element Tr_IT. Accordingly, the third node N3 is maintained at the level of the initial voltage Vinit. Here, the level of the initial voltage Vinit applied to the third node N3 is determined by the ratio of the internal resistance of the drive switching element Tr_DR to the internal resistance of the initial switching element Tr_IT. At this time, since the initial voltage Vinit is smaller than the second driving voltage VSS and smaller than the threshold voltage of the light emitting diode OLED, the light emitting diode OLED is biased in the reverse direction, and the light emitting diode OLED is turned off Lt; / RTI >
한편, 이 초기화기간(Ti)에는 구동스위칭소자(Tr_DR)의 게이트전극이 접속된 제 2 노드(N2)가 기준전압(Vref)의 레벨로 유지되고, 소스전극이 접속된 제 3 노드(N3)가 초기전압(Vinit)의 레벨로 유지되고, 그리고 드레인전극이 제 1 구동전압(VDD)의 레벨로 유지됨에 따라 이 구동스위칭소자(Tr_DR)가 초기화된다. 이때, 이 구동스위칭소자(Tr_DR)는 자신의 게이트전극과 소스전극간의 전압차가 자신의 문턱전압을 초과함에 이 구동스위칭소자(Tr_DR)가 턴-온되고, 이 턴-온된 구동스위칭소자(Tr_DR)를 통해 전류가 흐른다. 이때, 상술된 바와 같이, 발광다이오드(OLED)가 역방향의 바이어스를 이루므로, 이 구동스위칭소자(Tr_DR)에 의해 발생된 전류는 발광다이오드(OLED)로 흐르지 못하고 초기전압(Vinit)을 공급하는 초기전압(Vinit)원으로 싱크된다. 이에 따라, 발광다이오드(OLED)는 꺼진 상태를 유지한다.The second node N2 connected to the gate electrode of the driving switching element Tr_DR is maintained at the level of the reference voltage Vref during the initialization period Ti and the third node N3 connected to the source electrode thereof. Is maintained at the level of the initial voltage Vinit and the drive switching element Tr_DR is initialized as the drain electrode is maintained at the level of the first drive voltage VDD. At this time, the driving switching element Tr_DR is turned on because the voltage difference between its gate electrode and the source electrode exceeds its threshold voltage, and the turn-on driving switching element Tr_DR is turned on, Current flows. At this time, as described above, since the light emitting diode OLED forms a reverse bias, the current generated by the driving switching element Tr_DR can not flow to the light emitting diode OLED, and the initial voltage Vinit It is sinked into a voltage (Vinit) circle. Thus, the light emitting diode (OLED) remains off.
이와 같이 초기화기간(Ti)에는, 발광다이오드(OLED)가 꺼진 상태를 유지하게 되며, 또한 구동스위칭소자(Tr_DR)가 초기화된다.As described above, in the initialization period Ti, the light emitting diode OLED is kept turned off, and the drive switching element Tr_DR is also initialized.
특히, 이 초기화기간(Ti) 동안 제 3 노드(N3)를 낮은 값을 갖는 초기전압(Vinit)으로 방전시킴으로써 구동스위칭소자(Tr_DR)의 턴-온시에도 이 제 3 노드(N3)의 전압이 상승하는 것을 방지할 수 있으므로 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압검출 보상 범위가 상당히 넓어진다.Particularly, by discharging the third node N3 to an initial voltage Vinit having a low value during the initialization period Ti, even when the driving switching element Tr_DR is turned on, the voltage of the third node N3 rises The threshold voltage detection compensation range of the drive switching device Tr_DR is considerably widened.
2) 문턱전압검출기간(2) Threshold voltage detection period ( TthTth ))
이어서, 도 3, 도 6b를 참조하여, 문턱전압검출기간(Tth)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.Next, the operation of the pixel PXL in the threshold voltage detection period Tth will be described with reference to Figs. 3 and 6B.
문턱전압검출기간(Tth) 동안에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 감지신호(SS)는 액티브 상태로 유지된다. 반면, 초기화신호(INT), 스캔신호(SC) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다. During the threshold voltage detection period Tth, as shown in Fig. 3, the sense signal SS is kept in an active state. On the other hand, the initialization signal INT, the scan signal SC and the emission control signal EM are kept inactive.
이에 따라, 도 6b에 도시된 바와 같이, 액티브 상태의 감지신호(SS)를 공급받는 기준스위칭소자(Tr_RE)는 턴-온상태를 그대로 유지한다. 반면, 비액티브 상태의 스캔신호(SC), 초기화신호(INT) 및 발광제어신호(EM)를 공급받는 데이터스위칭소자(Tr_DS), 초기스위칭소자(Tr_IT) 및 발광제어스위칭소자(Tr_EC)는 턴-오프된다.Accordingly, as shown in FIG. 6B, the reference switching element Tr_RE, which receives the sense signal SS in the active state, maintains the turn-on state. On the other hand, the data switching element Tr_DS, the initial switching element Tr_IT and the emission control switching element Tr_EC, which are supplied with the scan signal SC, the initialization signal INT and the emission control signal EM in the inactive state, - Off.
이때, 구동스위칭소자(Tr_DR)는 자신의 게이트전극(제 2 노드(N2)) 및 소스전극(제 3 노드(N3))간의 차전압(즉, 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3)간의 차전압)에 의해 턴-온된 상태를 유지한다. 이 턴-온된 구동스위칭소자(Tr_DR) 및 감지스위칭소자(Tr_SS)를 통해 전류패쓰가 형성된다. 즉, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제 2 노드(N2), 구동스위칭소자(Tr_DR), 제 3 노드(N3) 및 게이트-소스 커패시터(Cgss)로 구성된 전류패쓰가 형성된다. 이에 의해 제 2 노드(N2) 및 제 3 노드(N3)의 전압이 상승하기 시작한다. 이때, 제 3 노드(N3)의 전압이 제 2 노드(N2)의 전압 방향으로 변화함으로써 소스 팔로워(source follower) 방식으로 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압(Vth)이 검출된다. 이때, 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 스토리지 커패시터(Cem)에 의해 유지(holding)되는 바, 이 제 2 스토리지 커패시터(Cem)의 값을 고정하기 위해 기준전압(Vref)이 턴-온된 기준스위칭소자(Tr_RE)를 통해 제 1 노드(N1)로 공급된다. 여기서, 제 2 스토리지 커패시터(Cem)의 용량과 게이트-소스 커패시터(Cgss)의 용량간의 비율에 의해 제 2 노드(N2)의 전압이 결정되는 바, 이 제 2 노드(N2)의 전압은 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압(Vth)에 따라 다른 값을 나타낸다. 이 제 2 노드(N2)의 전압보다 제 3 노드(N3)의 전압이 더 빠르게 증가한다. 이에 따라 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3)간의 전압차가 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압에 도달하면 이 구동스위칭소자(Tr_DR)는 턴-오프되고 상술된 전류패쓰가 차단된다. 즉, 게이트-소스 커패시터(Cgss)에 이 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압에 해당하는 전하량이 축적되면 제 2 노드(N2) 및 제 3 노드(N3)의 전압 상승이 멈추며 이때 구동스위칭소자(Tr_DR)를 통해 흐르는 전류의 흐름도 차단되며, 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압이 검출되어 게이트-소스 커패시터(Cgss)에 저장된다. 이때 제 3 노드(N3)의 전압은 이 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압(Vth)을 포함하게 된다. 즉, 이 제 3 노드(N3)의 전압은 기준전압(Vref)으로부터 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압을 차감한 값(Vref-Vth)에 알파(α)가 곱해진 값[(Vref-Vth)*α]으로 정의된다. 이 알파는 문턱전압의 증폭치를 나타낸 것으로, 본 발명에서는 도 2에 도시된 바와 같은 회로 구성 및 도 3에 도시된 바와 같은 신호들을 이용하여 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압을 증폭함으로써 문턱전압의 보상 범위를 넓힐 수 있다. 이로써 이 문턱전압검출기간(Tth) 동안 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압이 증폭되어 검출된다.At this time, the driving switching element Tr_DR has a difference voltage between the gate electrode (the second node N2) and the source electrode (the third node N3) (i.e., the second node N2 and the third node N3 ) Between the first and second electrodes (not shown). A current path is formed through the turn-on drive switching element Tr_DR and the sense switching element Tr_SS. That is, as shown in Fig. 6B, a current path composed of the second node N2, the driving switching element Tr_DR, the third node N3 and the gate-source capacitor Cgss is formed. As a result, the voltages of the second node N2 and the third node N3 start to rise. At this time, the voltage of the third node N3 changes in the direction of the voltage of the second node N2, so that the threshold voltage Vth of the drive switching device Tr_DR is detected in the source follower manner. At this time, since the voltage of the second node N2 is held by the second storage capacitor Cem and the reference voltage Vref is turned on to fix the value of the second storage capacitor Cem And is supplied to the first node N1 through the reference switching element Tr_RE. Here, the voltage of the second node N2 is determined by the ratio between the capacitance of the second storage capacitor Cem and the capacitance of the gate-source capacitor Cgss, And a different value depending on the threshold voltage Vth of the element Tr_DR. The voltage of the third node N3 increases more rapidly than the voltage of the second node N2. Accordingly, when the voltage difference between the second node N2 and the third node N3 reaches the threshold voltage of the driving switching element Tr_DR, the driving switching element Tr_DR is turned off and the above-described current path is cut off. That is, when the amount of charge corresponding to the threshold voltage of the driving switching device Tr_DR is accumulated in the gate-source capacitor Cgss, the voltage rise of the second node N2 and the third node N3 is stopped. At this time, Tr_DR is also cut off, and the threshold voltage of the drive switching element Tr_DR is detected and stored in the gate-source capacitor Cgss. At this time, the voltage of the third node N3 includes the threshold voltage Vth of the driving switching element Tr_DR. That is, the voltage of the third node N3 is a value [Vref-Vth (Vref-Vth)] obtained by multiplying the value Vref-Vth obtained by subtracting the threshold voltage of the drive switching element Tr_DR from the reference voltage Vref, ) * [alpha]. This alpha represents an amplification value of the threshold voltage. In the present invention, by amplifying the threshold voltage of the driving switching element Tr_DR using the circuit configuration as shown in FIG. 2 and the signals shown in FIG. 3, The compensation range can be widened. Thus, the threshold voltage of the driving switching element Tr_DR is amplified and detected during the threshold voltage detection period Tth.
3) 데이터기입기간(3) Data entry period ( TdTd ))
이어서, 도 3, 도 6c를 참조하여, 데이터기입기간(Td)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.Next, the operation of the pixel PXL in the data writing period Td will be described with reference to Figs. 3 and 6C.
데이터기입기간(Td) 동안에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 스캔신호(SC)는 액티브 상태로 유지된다. 이때, 이 데이터기입기간(Td)의 전체 기간동안 스캔신호(SC)가 완전히 액티브 상태로 유지되지 않고, 도 3에 도시된 바와 같이, 이 데이터기입기간(Td)의 일정 기간동안은 액티브 상태로 유지되고 나머지 기간동안 비액티브 상태로 유지될 수 있다. 반면, 이 데이터기입기간(Td) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다. 그리고, 이 데이터기입기간(Td) 동안 데이터 라인(DL)으로는 데이터 신호(Vdata)가 공급된다.During the data writing period Td, as shown in Fig. 3, the scan signal SC is kept in the active state. At this time, the scan signal SC is not completely maintained in the active state for the entire period of the data write period Td, and is maintained in the active state for a certain period of the data write period Td, as shown in FIG. And remain inactive for the remainder of the period. On the other hand, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the emission control signal EM remain inactive during this data writing period Td. During this data writing period Td, the data signal Vdata is supplied to the data line DL.
이에 따라, 도 6c에 도시된 바와 같이, 액티브 상태의 스캔신호(SC)를 공급받는 데이터스위칭소자(Tr_DS)가 턴-온된다. 반면, 비액티브 상태의 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)를 공급받는 초기스위칭소자(Tr_IT), 기준스위칭소자(Tr_RE) 및 발광제어스위칭소자(Tr_EC)는 턴-오프된다. 한편, 구동스위칭소자(Tr_DR)는 턴-오프 상태를 유지한다.Accordingly, as shown in FIG. 6C, the data switching element Tr_DS supplied with the scan signal SC in an active state is turned on. On the other hand, the initial switching device Tr_IT, the reference switching device Tr_RE and the emission control switching device Tr_EC, which are supplied with the initialization signal INT, the detection signal SS and the emission control signal EM in the inactive state, - Off. On the other hand, the driving switching element Tr_DR maintains the turn-off state.
그러면, 턴-온된 데이터스위칭소자(Tr_DS)를 통해 데이터 신호(Vdata)가 제 1 노드(N1)에 공급된다. 이후 상기 스캔신호(SC)가 비액티브 상태로 천이함에 따라 이 데이터스위칭소자(Tr_DS)가 턴-오프되면, 이 제 1 노드(N1)에 공급된 데이터 신호(Vdata)는 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 유지된다.Then, the data signal Vdata is supplied to the first node N1 through the turn-on data switching element Tr_DS. The data signal Vdata supplied to the first node N1 is applied to the storage capacitor Cst when the data switching element Tr_DS is turned off as the scan signal SC transits to the inactive state. Lt; / RTI >
4) 발광기간(4) Light emitting period ( TeTe ))
이어서, 도 3, 도 6d를 참조하여, 발광기간(Te)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.Next, the operation of the pixel PXL in the light emission period Te will be described with reference to Figs. 3 and 6D.
발광기간(Te) 동안에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 발광제어신호(EM)는 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 갖는다. 즉, 이 발광기간(Te)이 시작하는 순간 발광제어신호(EM)는 액티브 상태로 유지되며, 이후 일정 기간이 지나면 비액티브 상태로 천이한다. 반면, 이 발광기간(Te) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 스캔신호(SC)는 비액티브 상태로 유지된다.During the light emission period Te, as shown in Fig. 3, the light emission control signal EM sequentially has an active state and an inactive state. That is, the emission control signal EM is maintained in the active state at the start of the emission period Te, and then transitions to the inactive state after a certain period of time. On the other hand, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the scan signal SC remain inactive during the light emission period Te.
이에 따라, 액티브 상태의 발광제어신호(EM)를 공급받는 발광제어스위칭소자(Tr_EC)가 턴-온된다. 반면, 비액티브 상태의 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 스캔신호(SC)를 공급받는 초기스위칭소자(Tr_IT), 기준스위칭소자(Tr_RE) 및 데이터스위칭소자(Tr_DS)는 턴-오프된다.Thereby, the light emission control switching element Tr_EC supplied with the light emission control signal EM in the active state is turned on. On the other hand, the initial switching element Tr_IT, the reference switching element Tr_RE and the data switching element Tr_DS, which are supplied with the initialization signal INT, the sense signal SS and the scan signal SC in an inactive state, do.
그러면, 턴-온된 발광제어스위칭소자(Tr_EC)를 통해 제 1 노드(N1)의 데이터 신호(Vdata)가 제 2 노드(N2)로 인가된다. 따라서 구동스위칭소자(Tr_DR)가 턴-온되고, 이 턴-온된 구동스위칭소자(Tr_DR)는 자신에게 공급된 데이터 신호(Vdata)에 따른 구동 전류를 발생시킨다. 이 구동 전류가 발광다이오드(OLED)로 공급됨에 따라 이 발광다이오드(OLED)는 발광하기 시작한다. 이때, 제 3 노드(N3)의 전압이 게이트-소스 커패시터(Cgss) 및 구동스위칭소자(Tr_DR)의 기생 커패시터에 의해 홀딩(holding)됨에 따라 한 프레임 동안 이 발광다이오드는 안정적으로 발광 상태를 유지한다.Then, the data signal (Vdata) of the first node (N1) is applied to the second node (N2) through the turn-on emission control switching element (Tr_EC). Therefore, the driving switching element Tr_DR is turned on, and the turned-on driving switching element Tr_DR generates a driving current corresponding to the data signal Vdata supplied thereto. As this driving current is supplied to the light emitting diode (OLED), the light emitting diode (OLED) starts to emit light. At this time, as the voltage of the third node N3 is held by the parasitic capacitor of the gate-source capacitor Cgss and the driving switching element Tr_DR, the light emitting diode stably emits light for one frame .
제 2 Second 실시예Example
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면으로서, 이 도 7은 도 1의 임의의 하나의 화소(PXL)에 구비된 회로 구성을 나타낸 도면이다.7 is a circuit diagram of a pixel according to a second embodiment of the present invention. FIG. 7 is a diagram showing a circuit configuration provided in any one pixel PXL in FIG.
하나의 화소(PXL)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR), 초기스위칭소자(Tr_IT), 제 1 스토리지 커패시터(Cst), 제 2 스토리지 커패시터(Cem), 게이트-소스 커패시터(Cgss) 및 발광다이오드(OLED)를 포함한다. 여기서, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR) 및 초기스위칭소자(Tr_IT)는 모두 n타입의 트랜지스터이다.One pixel PXL includes a data switching element Tr_DS, a first reference switching element Tr_RE, a second reference switching element Tr_RE, an emission control switching element Tr_EC, And includes a switching element Tr_DR, an initial switching element Tr_IT, a first storage capacitor Cst, a second storage capacitor Cem, a gate-source capacitor Cgss, and a light emitting diode OLED. Here, the data switching element Tr_DS, the first reference switching element Tr_RE, the second reference switching element Tr_RE, the light emission control switching element Tr_EC, the driving switching element Tr_DR and the initial switching element Tr_IT type transistor.
데이터스위칭소자(Tr_DS)는 스캔라인으로부터의 스캔신호(SC)에 따라 제어되며, 데이터 라인(DL)과 제 1 노드(N1) 사이에 접속된다.The data switching element Tr_DS is controlled according to the scan signal SC from the scan line and is connected between the data line DL and the first node N1.
제 1 기준스위칭소자(Tr_RE)는 감지라인으로부터의 감지신호(SS)에 따라 제어되며, 기준전압(Vref)을 전송하는 기준전원라인과 제 1 노드(N1) 사이에 접속된다.The first reference switching element Tr_RE is controlled according to the sense signal SS from the sense line and is connected between the reference power supply line for transmitting the reference voltage Vref and the first node N1.
제 2 기준스위칭소자(Tr_RE)는 초기화라인으로부터의 초기화신호(INT)에 따라 제어되며, 기준전압(Vref)을 전송하는 기준전원라인과 제 2 노드(N2) 사이에 접속된다.The second reference switching element Tr_RE is controlled in accordance with the initialization signal INT from the initialization line and is connected between the reference power supply line for transmitting the reference voltage Vref and the second node N2.
발광제어스위칭소자(Tr_EC)는 발광제어라인으로부터의 발광제어신호(EM)에 따라 제어되며, 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 접속된다.The light emission control switching element Tr_EC is controlled in accordance with the light emission control signal EM from the light emission control line and is connected between the first node N1 and the second node N2.
구동스위칭소자(Tr_DR)는 제 2 노드(N2)의 전압에 따라 제어되며, 제 1 구동전압(VDD)을 전송하는 제 1 구동전원라인과 제 3 노드(N3) 사이에 접속된다.The driving switching element Tr_DR is controlled according to the voltage of the second node N2 and is connected between the first driving power supply line for transmitting the first driving voltage VDD and the third node N3.
초기스위칭소자(Tr_IT)는 초기화라인으로부터의 초기화신호(INT)에 따라 제어되며, 제 3 노드(N3)와 초기전압(Vinit)을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된다.The initial switching element Tr_IT is controlled according to the initialization signal INT from the initialization line and is connected between the third node N3 and the initial power supply line for transmitting the initial voltage Vinit.
제 1 스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1)와 상기 제 3 노드(N3) 사이에 접속된다.The first storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the third node N3.
제 2 스토리지 커패시터(Cem)는 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 접속된다.The second storage capacitor Cem is connected between the first node N1 and the second node N2.
게이트-소스 커패시터(Cgss)는 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3) 사이에 접속된다. 구동스위칭소자(Tr_DR)의 크기가 충분히 커서 이 구동스위칭소자(Tr_DR)의 게이트전극과 소스전극 사이에 형성된 기생 커패시터의 용량이 충분히 클 경우, 이 기생 커패시터가 이 게이트-소스 커패시터(Cgss)를 대신할 수 있다. 다시 말하여, 구동스위칭소자(Tr_DR)의 크기가 충분히 클 경우, 게이트-소스 커패시터(Cgss)는 도 7의 회로로부터 제거될 수 있다.The gate-source capacitor Cgss is connected between the second node N2 and the third node N3. When the size of the driving switching element Tr_DR is sufficiently large so that the capacitance of the parasitic capacitor formed between the gate electrode and the source electrode of the driving switching element Tr_DR is sufficiently large, this parasitic capacitor replaces this gate-source capacitor Cgss can do. In other words, when the size of the drive switching element Tr_DR is sufficiently large, the gate-source capacitor Cgss can be removed from the circuit of Fig.
발광다이오드(OLED)는 제 3 노드(N3)와 제 2 구동전원라인 사이에 접속된다. 이때, 이 발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 제 3 노드(N3)에 접속되며, 캐소드전극은 제 2 구동전원라인에 접속된다.The light emitting diode OLED is connected between the third node N3 and the second driving power supply line. At this time, the anode electrode of the light emitting diode OLED is connected to the third node N3, and the cathode electrode is connected to the second driving power supply line.
도 8은 도 7의 화소에 공급되는 스캔신호(SC), 초기화신호(INT), 발광제어신호(EM) 및 감지신호(SS)의 타이밍도를 나타낸 도면이다.8 is a timing chart of the scan signal SC, the initialization signal INT, the emission control signal EM and the sense signal SS supplied to the pixel of FIG.
도 8에 도시된 바와 같이, 스캔신호(SC), 초기화신호(INT), 발광제어신호(EM) 및 감지신호(SS)는 순차적으로 발생되는 초기화기간(Ti), 문턱전압검출기간(Tth), 데이터기입기간(Td) 및 발광기간(Te)에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화한다. 여기서 어느 신호의 액티브 상태란 이 신호가 해당 스위칭소자에 공급될 때 이 스위칭소자를 턴-온시킬 수 있는 레벨의 상태를 의미한다. 반면, 어느 신호의 비액티브 상태란 이 신호가 해당 스위칭소자에 공급될 때 이 스위칭소자를 턴-오프시킬 수 있는 레벨의 상태를 의미한다. 예를 들어, 스위칭소자가 n타입일 경우, 이에 공급되는 신호의 액티브 상태란 상대적으로 높은 하이레벨의 전압을 의미한다. 반면 비액티브 상태란 상대적으로 낮은 로우레벨의 전압을 의미한다.8, the scan signal SC, the initialization signal INT, the emission control signal EM and the sense signal SS are sequentially generated in an initialization period Ti, a threshold voltage detection period Tth, The data writing period Td, and the light emitting period Te. Here, the active state of a signal means a state of a level at which the switching element can be turned on when the signal is supplied to the switching element. On the other hand, the inactive state of a signal means a state of a level at which the switching element can be turned off when a signal is supplied to the switching element. For example, when the switching element is of the n type, the active state of the signal supplied thereto means a relatively high level voltage. On the other hand, the inactive state means a relatively low-level voltage.
초기화기간(Ti) 동안 초기화신호(INT) 및 감지신호(SS)는 액티브상태로 유지된다. 반면, 스캔신호(SC) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다.During the initialization period Ti, the initialization signal INT and the sense signal SS are maintained in the active state. On the other hand, the scan signal SC and the emission control signal EM are kept inactive.
문턱전압검출기간(Tth) 동안 감지신호(SS)는 액티브 상태로 유지된다. 반면, 초기화신호(INT), 스캔신호(SC) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다.During the threshold voltage detection period Tth, the sense signal SS is maintained in the active state. On the other hand, the initialization signal INT, the scan signal SC and the emission control signal EM are kept inactive.
데이터기입기간(Td) 동안 스캔신호(SC)는 액티브 상태로 유지된다. 이때, 이 데이터기입기간(Td)의 전체 기간동안 스캔신호(SC)가 완전히 액티브 상태로 유지되지 않고, 도 3에 도시된 바와 같이, 이 데이터기입기간(Td)의 일정 기간동안은 액티브 상태로 유지되고 나머지 기간동안 비액티브 상태로 유지될 수 있다. 이때, 이 데이터기입기간(Td) 동안 이 스캔신호(SC)가 액티브 상태로 유지되는 기간이 비액티브 상태로 유지되는 기간보다 더 크게 설정될 수 있다. 반면, 이 데이터기입기간(Td) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다. 한편, 이 데이터기입기간(Td) 동안 데이터 라인(DL)으로는 데이터 신호(Vdata)가 공급된다.During the data writing period Td, the scan signal SC remains active. At this time, the scan signal SC is not completely maintained in the active state for the entire period of the data write period Td, and is maintained in the active state for a certain period of the data write period Td, as shown in FIG. And remain inactive for the remainder of the period. At this time, the period during which the scan signal SC is maintained in the active state during the data write period Td may be set to be larger than the period during which the scan signal SC remains in the inactive state. On the other hand, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the emission control signal EM remain inactive during this data writing period Td. Meanwhile, the data signal Vdata is supplied to the data line DL during the data writing period Td.
발광기간(Te) 동안 발광제어신호(EM)는 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 갖는다. 즉, 이 발광기간(Te)이 시작하는 순간 발광제어신호(EM)는 액티브 상태로 유지되며, 이후 일정 기간이 지나면 비액티브 상태로 천이한다. 이때, 이 발광기간(Te) 동안 이 발광제어신호(EM)가 비액티브 상태로 유지되는 기간이 액티브 상태로 유지되는 기간보다 더 크게 설정된다. 반면, 이 발광기간(Te) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 스캔신호(SC)는 비액티브 상태로 유지된다.During the light emission period Te, the emission control signal EM sequentially has an active state and an inactive state. That is, the emission control signal EM is maintained in the active state at the start of the emission period Te, and then transitions to the inactive state after a certain period of time. At this time, the period during which the emission control signal EM is maintained in the inactive state during the emission period Te is set to be larger than the period during which the emission control signal EM is maintained in the active state. On the other hand, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the scan signal SC remain inactive during the light emission period Te.
한편, 다른 실시예로서, 이 발광기간(Te) 동안 상기 발광제어신호(EM)를 액티브 상태로 계속 유지할 수도 있다.Meanwhile, as another embodiment, the light emission control signal EM may be maintained in the active state during the light emission period Te.
한편, 도 8에 도시된 한 세트의 신호들은 수직방향으로 배열된 화소들별로 다른 타이밍에 인가되는 바, 이를 도 9를 통해 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 8 is applied at different timings to the pixels arranged in the vertical direction. This will be described in more detail with reference to FIG. 9 as follows.
도 9는 도 8의 신호들이 수직으로 배열된 다수의 화소들로 공급될 때 각 화소별 인가 신호들의 타이밍도를 나타낸 도면이다.FIG. 9 is a timing diagram of application signals for each pixel when the signals of FIG. 8 are supplied to a plurality of vertically arranged pixels.
도 9의 (a)에 도시된 한 세트의 신호들(IT_n, SS_n, SC_n, EM_n)은 n번째 화소에 공급되는 신호들이고, 도 9의 (b)에 도시된 한 세트의 신호들(IT_n+1, SS_n+1, SC_n+1, EM_n+1)은 n+1번째 화소에 공급되는 신호들이고, 그리고 도 9의 (c)에 도시된 한 세트의 신호들(IT_n+2, SS_n+2, SC_n+2, EM_n+2)은 n+2번째 화소에 공급되는 신호들이다. 여기서 n번째 화소는 n번째 화소행에 위치한(제 n 스캔라인에 공통으로 접속된) j개의 화소들 중 어느 하나를 의미하며, n+1번째 화소는 n+1번째 화소행에 위치한(제 n+1 스캔라인에 공통으로 접속된) j개의 화소들 중 어느 하나를 의미하며, 그리고 n+2번째 화소는 n+2번째 화소행에 위치한(제 n+2 스캔라인에 공통으로 접속된) j개의 화소들 중 어느 하나를 의미한다.The set of signals IT_n, SS_n, SC_n and EM_n shown in FIG. 9A are signals supplied to the n-th pixel, and the set of
도 9에 도시된 바와 같이, 각 화소에 공급될 스캔신호(SC_n, SC_n+1, SC_n+2)들이 순차적으로 출력됨을 알 수 있다. 구체적으로, n번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n)보다 n+1번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n+1)가 더 늦게 출력되고, 그리고 n+1번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n+1)보다 n+2번째 화소에 공급되는 스캔신호(SC_n+2)보다 더 늦게 출력됨을 알 수 있다. 이와 같이 각 화소별 스캔신호(SC_n, SC_n+1, SC_n+2)들은 이의 액티브 상태에서의 펄스폭만큼 지연되어 출력된다. 마찬가지로 다른 신호들, 즉 초기화신호(INT)들, 발광제어신호(EM)들 및 감지신호(SS)들 역시 화소별로 상기 스캔신호(SC)의 한 펄스폭만큼 지연되어 출력된다.As shown in FIG. 9, it can be seen that the scan signals SC_n, SC_n + 1, and SC_n + 2 to be supplied to each pixel are sequentially output. More specifically, the scan signal SC_n + 1 supplied to the (n + 1) th pixel is supplied later than the scan signal SC_n supplied to the (n + 1) 1) than the scan signal SC_n + 2 supplied to the (n + 2) -th pixel. Thus, the scan signals SC_n, SC_n + 1, and SC_n + 2 for each pixel are delayed by a pulse width in the active state thereof. Similarly, the other signals, i.e., the initialization signals INT, the emission control signals EM, and the sensing signals SS are delayed by one pulse width of the scan signal SC for each pixel.
이와 같이 한 세트의 신호들이 매 수평기간마다 지연되어 출력됨에 따라, 어느 하나의 화소에 공급되는 발광제어신호의 출력 타이밍과 다른 어느 하나의 화소에 공급되는 감지신호의 출력 타이밍이 서로 일치할 수도 있는 바, 이와 같은 경우 서로 다른 두 종의 신호들을 하나의 라인을 통해 공통으로 출력할 수 있다. 이를 도 10을 통해 구체적으로 설명한다.As one set of signals is delayed for every horizontal period, the output timing of the emission control signal supplied to one pixel may coincide with the output timing of the sense signal supplied to any one of the pixels In this case, two kinds of signals of different kinds can be commonly outputted through one line. This will be described in detail with reference to FIG.
도 10은 n번째 화소에 공급되는 한 세트의 신호들과 n+x번째 화소에 공급되는 한 세트의 신호들간의 타이밍도를 나타낸 도면이다.10 is a diagram showing a timing diagram between a set of signals supplied to an n-th pixel and a set of signals supplied to an (n + x) -th pixel.
도 10에 도시된 바와 같이, n번째 화소에 공급되는 발광제어신호(EM_n)의 출력 타이밍과 이 화소보다 더 후단에 위치한 n+x번째 화소에 공급되는 감지신호(SS_n+x)의 출력 타이밍이 서로 일치하고, 또한 액티브 상태에서의 발광제어신호(EM_n)의 펄스폭과 액티브 상태에서의 감지신호(SS_n+x)의 펄스폭이 동일함을 알 수 있다. 이 x는 자연수로서, 신호들의 출력 타이밍에 따라 달라질 수 있다. 이와 같이 서로 다른 두 화소에 공급되는 서로 다른 종의 신호들의 출력 타이밍이 일치하고 그 펄스폭들이 서로 동일할 경우, 예를 들어 n번째 화소에 공급되는 발광제어신호(EM_n)와 n+x번째 화소에 공급되는 감지신호(SS_n+x)를 동일한 라인을 통해 공급할 수 있다. 즉, n번째 화소에 공급되는 발광제어신호(EM_n)가 제 n 발광제어라인에 의해 전송되고, 그리고 n+x번째 화소에 공급되는 감지신호(SS_n+x)가 제 n+x 감지라인에 의해 전송된다고 할 때, 이 제 n 발광제어라인과 제 n+x 감지라인들 중 어느 하나만을 사용하여 상기 발광제어신호(EM_n)와 감지신호(SS_n+x)를 동시에 전송할 수 있다. 이와 같은 경우, 사용되지 않은 어느 하나의 라인을 회로로부터 제거함으로써 회로의 크기 및 비용을 줄일 있는 부수적인 효과가 발생된다.10, the output timing of the emission control signal EM_n supplied to the n-th pixel and the output timing of the sense signal SS_n + x supplied to the (n + x) -th pixel located further behind the pixel And the pulse width of the emission control signal EM_n in the active state is equal to the pulse width of the detection signal SS_n + x in the active state. This x is a natural number and can be varied depending on the output timing of the signals. When the output timings of different kinds of signals supplied to two different pixels coincide with each other and their pulse widths are equal to each other, for example, the emission control signal EM_n supplied to the n-th pixel and the emission control signal EM_n supplied to the (SS_n + x) to be supplied to the
이하, 상술된 도 8, 그리고 도 11a 내지 도 11d를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화소의 동작을 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the pixel according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 8 and 11A to 11D.
도 11a 내지 도 11d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화소의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 11a 내지 도 11d에서 점선으로 도시된 스위칭소자는 턴-오프된 상태를 의미하며, 원형의 점선으로 둘러싸인 스위칭소자는 턴-온된 상태를 의미한다.11A to 11D are diagrams for explaining the operation of the pixel according to the second embodiment of the present invention. Here, the switching element shown by a dotted line in FIGS. 11A to 11D means a turned-off state, and a switching element surrounded by a circular dotted line means a turned-on state.
1) 초기화기간(1) Initialization period ( TiTi ))
먼저, 도 8 및 도 11a를 참조하여, 초기화기간(Ti)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.First, with reference to FIG. 8 and FIG. 11A, let us consider the operation of the pixel PXL in the initialization period Ti.
초기화기간(Ti) 동안에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)는 액티브 상태로 유지된다. 반면, 스캔신호(SC)는 비액티브 상태로 유지된다. During the initialization period Ti, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the emission control signal EM are maintained in an active state, as shown in Fig. On the other hand, the scan signal SC remains inactive.
이와 같은 신호들에 따라, 도 11a에 도시된 바와 같이, 액티브 상태의 감지신호(INT)를 공급받는 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE1)가 턴-온되고, 액티브 상태의 초기화신호(INT)를 공급받는 초기스위칭소자(Tr_IT) 및 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE2)가 턴-온된다. 반면, 비액티브 상태의 스캔신호(SC)를 공급받는 데이터스위칭소자(Tr_DS)는 턴-오프된다.According to such signals, as shown in FIG. 11A, the first reference switching element Tr_RE1, which is supplied with the sense signal INT of the active state, is turned on, and the initialization signal INT of the active state is supplied The receiving initial switching element Tr_IT and the second reference switching element Tr_RE2 are turned on. On the other hand, the data switching element Tr_DS supplied with the scan signal SC in an inactive state is turned off.
그러면, 턴-온된 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE1)를 통해 기준전압(Vref)이 제 1 노드(N1)에 공급된다. 또한 턴-온된 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE2)를 통해 제 2 노드(N2)에도 기준전압(Vref)이 공급된다. 이에 따라, 제 1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2)가 모두 기준전압(Vref)의 레벨로 유지된다.Then, the reference voltage Vref is supplied to the first node N1 through the turned-on first reference switching element Tr_RE1. The reference voltage Vref is also supplied to the second node N2 through the turn-on second reference switching element Tr_RE2. Thus, both the first node N1 and the second node N2 are maintained at the level of the reference voltage Vref.
한편, 턴-온된 초기스위칭소자(Tr_IT)를 통해 초기전압(Vinit)이 제 3 노드(N3)에 공급된다. 이에 따라 제 3 노드(N3)가 초기전압(Vinit)의 레벨로 유지된다. 여기서, 제 3 노드(N3)에 인가된 초기전압(Vinit)의 레벨은 구동스위칭소자(Tr_DR)의 내부 저항과 초기스위칭소자(Tr_IT)의 내부 저항의 비에 의해 결정된다. 이때 이 초기전압(Vinit)이 제 2 구동전압(VSS)보다 작음과 아울러 발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 작기 때문에 발광다이오드(OLED)는 역방향으로 바이어스되어 이 발광다이오드(OLED)는 오프된 상태를 유지한다. On the other hand, the initial voltage Vinit is supplied to the third node N3 through the turn-on initial switching element Tr_IT. Accordingly, the third node N3 is maintained at the level of the initial voltage Vinit. Here, the level of the initial voltage Vinit applied to the third node N3 is determined by the ratio of the internal resistance of the drive switching element Tr_DR to the internal resistance of the initial switching element Tr_IT. At this time, since the initial voltage Vinit is smaller than the second driving voltage VSS and smaller than the threshold voltage of the light emitting diode OLED, the light emitting diode OLED is biased in the reverse direction, and the light emitting diode OLED is turned off Lt; / RTI >
한편, 이 초기화기간(Ti)에는 구동스위칭소자(Tr_DR)의 게이트전극이 접속된 제 2 노드(N2)가 기준전압(Vref)의 레벨로 유지되고, 소스전극이 접속된 제 3 노드(N3)가 초기전압(Vinit)의 레벨로 유지되고, 그리고 드레인전극이 제 1 구동전압(VDD)의 레벨로 유지됨에 따라 이 구동스위칭소자(Tr_DR)가 초기화된다. 이때, 이 구동스위칭소자(Tr_DR)는 자신의 게이트전극과 소스전극간의 전압차가 자신의 문턱전압을 초과함에 이 구동스위칭소자(Tr_DR)가 턴-온되고, 이 턴-온된 구동스위칭소자(Tr_DR)를 통해 전류가 흐른다. 이때, 상술된 바와 같이, 발광다이오드(OLED)가 역방향의 바이어스를 이루므로, 이 구동스위칭소자(Tr_DR)에 의해 발생된 전류는 발광다이오드(OLED)로 흐르지 못하고 초기전압(Vinit)을 공급하는 초기전압(Vinit)원으로 싱크된다. 이에 따라, 발광다이오드(OLED)는 꺼진 상태를 유지한다.The second node N2 connected to the gate electrode of the driving switching element Tr_DR is maintained at the level of the reference voltage Vref during the initialization period Ti and the third node N3 connected to the source electrode thereof. Is maintained at the level of the initial voltage Vinit and the drive switching element Tr_DR is initialized as the drain electrode is maintained at the level of the first drive voltage VDD. At this time, the driving switching element Tr_DR is turned on because the voltage difference between its gate electrode and the source electrode exceeds its threshold voltage, and the turn-on driving switching element Tr_DR is turned on, Current flows. At this time, as described above, since the light emitting diode OLED forms a reverse bias, the current generated by the driving switching element Tr_DR can not flow to the light emitting diode OLED, and the initial voltage Vinit It is sinked into a voltage (Vinit) circle. Thus, the light emitting diode (OLED) remains off.
이와 같이 초기화기간(Ti)에는, 발광다이오드(OLED)가 꺼진 상태를 유지하게 되며, 또한 구동스위칭소자(Tr_DR)가 초기화된다.As described above, in the initialization period Ti, the light emitting diode OLED is kept turned off, and the drive switching element Tr_DR is also initialized.
특히, 이 초기화기간(Ti) 동안 제 3 노드(N3)를 낮은 값을 갖는 초기전압(Vinit)으로 방전시킴으로써 구동스위칭소자(Tr_DR)의 턴-온시에도 이 제 3 노드(N3)의 전압이 상승하는 것을 방지할 수 있으므로 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압검출 보상 범위가 상당히 넓어진다.Particularly, by discharging the third node N3 to an initial voltage Vinit having a low value during the initialization period Ti, even when the driving switching element Tr_DR is turned on, the voltage of the third node N3 rises The threshold voltage detection compensation range of the drive switching device Tr_DR is considerably widened.
2) 문턱전압검출기간(2) Threshold voltage detection period ( TthTth ))
이어서, 도 8, 도 11b를 참조하여, 문턱전압검출기간(Tth)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.Next, the operation of the pixel PXL in the threshold voltage detection period Tth will be described with reference to Figs. 8 and 11B.
문턱전압검출기간(Tth) 동안에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 감지신호(SS)는 액티브 상태로 유지된다. 반면, 초기화신호(INT), 스캔신호(SC) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다. During the threshold voltage detection period Tth, as shown in Fig. 8, the sense signal SS is kept in an active state. On the other hand, the initialization signal INT, the scan signal SC and the emission control signal EM are kept inactive.
이에 따라, 도 11b에 도시된 바와 같이, 액티브 상태의 감지신호(SS)를 공급받는 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE1)는 턴-온상태를 그대로 유지한다. 반면, 비액티브 상태의 스캔신호(SC), 초기화신호(INT) 및 발광제어신호(EM)를 공급받는 데이터스위칭소자(Tr_DS), 초기스위칭소자(Tr_IT), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE2) 및 발광제어스위칭소자(Tr_EC)는 턴-오프된다.Accordingly, as shown in FIG. 11B, the first reference switching element Tr_RE1, which is supplied with the sense signal SS in the active state, maintains the turn-on state. On the other hand, the data switching element Tr_DS, the initial switching element Tr_IT, the second reference switching element Tr_RE2 and the data switching element Tr_DS, which are supplied with the scan signal SC, the initialization signal INT and the emission control signal EM in an inactive state, The light emission control switching element Tr_EC is turned off.
이때, 구동스위칭소자(Tr_DR)는 자신의 게이트전극(제 2 노드(N2)) 및 소스전극(제 3 노드(N3))간의 차전압(즉, 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3)간의 차전압)에 의해 턴-온된 상태를 유지한다. 이 턴-온된 구동스위칭소자(Tr_DR) 및 감지스위칭소자(Tr_SS)를 통해 전류패쓰가 형성된다. 즉, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제 2 노드(N2), 구동스위칭소자(Tr_DR), 제 3 노드(N3) 및 게이트-소스 커패시터(Cgss)로 구성된 전류패쓰가 형성된다. 이에 의해 제 2 노드(N2) 및 제 3 노드(N3)의 전압이 상승하기 시작한다. 이때, 제 3 노드(N3)의 전압이 제 2 노드(N2)의 전압 방향으로 변화함으로써 소스 팔로워 방식으로 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압(Vth)이 검출된다. 이때, 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 스토리지 커패시터(Cem)에 의해 유지(holding)되는 바, 이 제 2 스토리지 커패시터(Cem)의 값을 고정하기 위해 기준전압(Vref)이 턴-온된 기준스위칭소자(Tr_RE)를 통해 제 1 노드(N1)로 공급된다. 여기서, 제 2 스토리지 커패시터(Cem)의 용량과 게이트-소스 커패시터(Cgss)의 용량간의 비율에 의해 제 2 노드(N2)의 전압이 결정되는 바, 이 제 2 노드(N2)의 전압은 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압(Vth)에 따라 다른 값을 나타낸다. 이 제 2 노드(N2)의 전압보다 제 3 노드(N3)의 전압이 더 빠르게 증가한다. 이에 따라 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3)간의 전압차가 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압에 도달하면 이 구동스위칭소자(Tr_DR)는 턴-오프되고 상술된 전류패쓰가 차단된다. 즉, 게이트-소스 커패시터(Cgss)에 이 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압에 해당하는 전하량이 축적되면 제 2 노드(N2) 및 제 3 노드(N3)의 전압 상승이 멈추며 이때 구동스위칭소자(Tr_DR)를 통해 흐르는 전류의 흐름도 차단되며, 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압이 검출되어 게이트-소스 커패시터(Cgss)에 저장된다. 이때 제 3 노드(N3)의 전압은 이 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압(Vth)을 포함하게 된다. 즉, 이 제 3 노드(N3)의 전압은 기준전압(Vref)으로부터 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압을 차감한 값(Vref-Vth)에 알파(α)가 곱해진 값[(Vref-Vth)*α]으로 정의된다. 이 알파는 문턱전압의 증폭치를 나타낸 것으로, 본 발명에서는 도 7에 도시된 바와 같은 회로 구성 및 도 8에 도시된 바와 같은 신호들을 이용하여 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압을 증폭함으로써 문턱전압의 보상 범위를 넓힐 수 있다. 이로써 이 문턱전압검출기간(Tth) 동안 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압이 증폭되어 검출된다.At this time, the driving switching element Tr_DR has a difference voltage between the gate electrode (the second node N2) and the source electrode (the third node N3) (i.e., the second node N2 and the third node N3 ) Between the first and second electrodes (not shown). A current path is formed through the turn-on drive switching element Tr_DR and the sense switching element Tr_SS. That is, as shown in Fig. 6B, a current path composed of the second node N2, the driving switching element Tr_DR, the third node N3 and the gate-source capacitor Cgss is formed. As a result, the voltages of the second node N2 and the third node N3 start to rise. At this time, the voltage of the third node N3 changes in the voltage direction of the second node N2, so that the threshold voltage Vth of the drive switching device Tr_DR is detected in the source follower manner. At this time, since the voltage of the second node N2 is held by the second storage capacitor Cem and the reference voltage Vref is turned on to fix the value of the second storage capacitor Cem And is supplied to the first node N1 through the reference switching element Tr_RE. Here, the voltage of the second node N2 is determined by the ratio between the capacitance of the second storage capacitor Cem and the capacitance of the gate-source capacitor Cgss, And a different value depending on the threshold voltage Vth of the element Tr_DR. The voltage of the third node N3 increases more rapidly than the voltage of the second node N2. Accordingly, when the voltage difference between the second node N2 and the third node N3 reaches the threshold voltage of the driving switching element Tr_DR, the driving switching element Tr_DR is turned off and the above-described current path is cut off. That is, when the amount of charge corresponding to the threshold voltage of the driving switching device Tr_DR is accumulated in the gate-source capacitor Cgss, the voltage rise of the second node N2 and the third node N3 is stopped. At this time, Tr_DR is also cut off, and the threshold voltage of the drive switching element Tr_DR is detected and stored in the gate-source capacitor Cgss. At this time, the voltage of the third node N3 includes the threshold voltage Vth of the driving switching element Tr_DR. That is, the voltage of the third node N3 is a value [Vref-Vth (Vref-Vth)] obtained by multiplying the value Vref-Vth obtained by subtracting the threshold voltage of the drive switching element Tr_DR from the reference voltage Vref, ) * [alpha]. In the present invention, by amplifying the threshold voltage of the driving switching device Tr_DR using the circuit configuration as shown in FIG. 7 and the signals shown in FIG. 8, the threshold voltage The compensation range can be widened. Thus, the threshold voltage of the driving switching element Tr_DR is amplified and detected during the threshold voltage detection period Tth.
3) 데이터기입기간(3) Data entry period ( TdTd ))
이어서, 도 8, 도 11c를 참조하여, 데이터기입기간(Td)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.Next, the operation of the pixel PXL in the data writing period Td will be described with reference to Figs. 8 and 11C.
데이터기입기간(Td) 동안에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 스캔신호(SC)는 액티브 상태로 유지된다. 이때, 이 데이터기입기간(Td)의 전체 기간동안 스캔신호(SC)가 완전히 액티브 상태로 유지되지 않고, 도 8에 도시된 바와 같이, 이 데이터기입기간(Td)의 일정 기간동안은 액티브 상태로 유지되고 나머지 기간동안 비액티브 상태로 유지될 수 있다. 반면, 이 데이터기입기간(Td) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다. 그리고, 이 데이터기입기간(Td) 동안 데이터 라인(DL)으로는 데이터 신호(Vdata)가 공급된다.During the data writing period Td, as shown in Fig. 8, the scan signal SC is kept in the active state. At this time, the scan signal SC is not completely maintained in the active state for the entire period of the data write period Td, and is maintained in the active state for a certain period of the data write period Td, as shown in FIG. And remain inactive for the remainder of the period. On the other hand, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the emission control signal EM remain inactive during this data writing period Td. During this data writing period Td, the data signal Vdata is supplied to the data line DL.
이에 따라, 도 11c에 도시된 바와 같이, 액티브 상태의 스캔신호(SC)를 공급받는 데이터스위칭소자(Tr_DS)가 턴-온된다. 반면, 비액티브 상태의 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)를 공급받는 초기스위칭소자(Tr_IT), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE2), 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE1) 및 발광제어스위칭소자(Tr_EC)는 턴-오프된다. 한편, 구동스위칭소자(Tr_DR)는 턴-오프 상태를 유지한다.Thus, as shown in Fig. 11C, the data switching element Tr_DS supplied with the scan signal SC in an active state is turned on. On the other hand, the initial switching element Tr_IT, the second reference switching element Tr_RE2, the first reference switching element Tr_RE1, the first reference switching element Tr_RE1, and the second reference switching element Tr_RE1 are supplied with the initialization signal INT, the sensing signal SS and the light emission control signal EM, And the emission control switching element Tr_EC are turned off. On the other hand, the driving switching element Tr_DR maintains the turn-off state.
그러면, 턴-온된 데이터스위칭소자(Tr_DS)를 통해 데이터 신호(Vdata)가 제 1 노드(N1)에 공급된다. 이후 상기 스캔신호(SC)가 비액티브 상태로 천이함에 따라 이 데이터스위칭소자(Tr_DS)가 턴-오프되면, 이 제 1 노드(N1)에 공급된 데이터 신호(Vdata)는 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 유지된다.Then, the data signal Vdata is supplied to the first node N1 through the turn-on data switching element Tr_DS. The data signal Vdata supplied to the first node N1 is applied to the storage capacitor Cst when the data switching element Tr_DS is turned off as the scan signal SC transits to the inactive state. Lt; / RTI >
4) 발광기간(4) Light emitting period ( TeTe ))
이어서, 도 8, 도 11d를 참조하여, 발광기간(Te)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.Next, the operation of the pixel PXL in the light emission period Te will be described with reference to Figs. 8 and 11D.
발광기간(Te) 동안에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 발광제어신호(EM)는 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 갖는다. 즉, 이 발광기간(Te)이 시작하는 순간 발광제어신호(EM)는 액티브 상태로 유지되며, 이후 일정 기간이 지나면 비액티브 상태로 천이한다. 반면, 이 발광기간(Te) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 스캔신호(SC)는 비액티브 상태로 유지된다.During the light emission period Te, as shown in Fig. 8, the light emission control signal EM sequentially has an active state and an inactive state. That is, the emission control signal EM is maintained in the active state at the start of the emission period Te, and then transitions to the inactive state after a certain period of time. On the other hand, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the scan signal SC remain inactive during the light emission period Te.
이에 따라, 액티브 상태의 발광제어신호(EM)를 공급받는 발광제어스위칭소자(Tr_EC)가 턴-온된다. 반면, 비액티브 상태의 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 스캔신호(SC)를 공급받는 초기스위칭소자(Tr_IT), 기준스위칭소자(Tr_RE) 및 데이터스위칭소자(Tr_DS)는 턴-오프된다.Thereby, the light emission control switching element Tr_EC supplied with the light emission control signal EM in the active state is turned on. On the other hand, the initial switching element Tr_IT, the reference switching element Tr_RE and the data switching element Tr_DS, which are supplied with the initialization signal INT, the sense signal SS and the scan signal SC in an inactive state, do.
그러면, 턴-온된 발광제어스위칭소자(Tr_EC)를 통해 제 1 노드(N1)의 데이터 신호(Vdata)가 제 2 노드(N2)로 인가된다. 따라서 구동스위칭소자(Tr_DR)가 턴-온되고, 이 턴-온된 구동스위칭소자(Tr_DR)는 자신에게 공급된 데이터 신호(Vdata)에 따른 구동 전류를 발생시킨다. 이 구동 전류가 발광다이오드(OLED)로 공급됨에 따라 이 발광다이오드(OLED)는 발광하기 시작한다. 이때, 제 3 노드(N3)의 전압이 게이트-소스 커패시터(Cgss) 및 구동스위칭소자(Tr_DR)의 기생 커패시터에 의해 홀딩(holding)됨에 따라 한 프레임 동안 이 발광다이오드는 안정적으로 발광 상태를 유지한다.Then, the data signal (Vdata) of the first node (N1) is applied to the second node (N2) through the turn-on emission control switching element (Tr_EC). Therefore, the driving switching element Tr_DR is turned on, and the turned-on driving switching element Tr_DR generates a driving current corresponding to the data signal Vdata supplied thereto. As this driving current is supplied to the light emitting diode (OLED), the light emitting diode (OLED) starts to emit light. At this time, as the voltage of the third node N3 is held by the parasitic capacitor of the gate-source capacitor Cgss and the driving switching element Tr_DR, the light emitting diode stably emits light for one frame .
제 3 Third 실시예Example
도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면으로서, 이 도 12는 도 1의 임의의 하나의 화소(PXL)에 구비된 회로 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 12 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a diagram showing a circuit configuration provided in any one pixel PXL in FIG.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 화소의 회로 구성은, 도 12에 도시된 바와 같이, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 3 기준스위칭소자(Tr_RE3), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR), 초기스위칭소자(Tr_IT), 제 1 스토리지 커패시터(Cst), 제 2 스토리지 커패시터(Cem), 게이트-소스 커패시터(Cgss) 및 발광다이오드(OLED)를 포함한다. 여기서, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR) 및 초기스위칭소자(Tr_IT)는 모두 n타입의 트랜지스터이다.12, the circuit configuration of the pixel according to the third embodiment of the present invention includes a data switching element Tr_DS, a first reference switching element Tr_RE, a second reference switching element Tr_RE, A first storage capacitor Cst, a second storage capacitor Cem, a gate-source capacitor Cst, and a gate electrode of the reference switching element Tr_RE3, the emission control switching element Tr_EC, the driving switching element Tr_DR, the initial switching element Tr_IT, Cgss) and a light emitting diode (OLED). Here, the data switching element Tr_DS, the first reference switching element Tr_RE, the second reference switching element Tr_RE, the light emission control switching element Tr_EC, the driving switching element Tr_DR and the initial switching element Tr_IT type transistor.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 화소는, 전술된 도 7의 구조에 제 3 기준스위칭소자(Tr_RE3)가 더 포함된 회로 구성을 갖는다. 이 제 3 기준스위칭소자(Tr_RE3)는 스캔라인으로부터의 스캔신호(SC)에 따라 제어되며, 기준전압(Vref)을 전송하는 기준전원라인과 제 1 노드(N1) 사이에 접속된다. 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화소에 포함된 나머지 구성 요소들은 전술된 도 7의 화소에 포함된 구성 요소들과 동일하다.The pixel according to the third embodiment of the present invention has a circuit configuration in which the above-described structure of Fig. 7 further includes a third reference switching element Tr_RE3. The third reference switching element Tr_RE3 is controlled according to the scan signal SC from the scan line and is connected between the reference power supply line for transmitting the reference voltage Vref and the first node N1. The remaining components included in the pixel according to the third embodiment of the present invention are the same as those included in the pixel of Fig. 7 described above.
또한, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화소는, 전술된 도 8 내지 도 10에 제시된 신호들을 제공받는다. Further, the pixel according to the third embodiment of the present invention is provided with the signals shown in Figs. 8 to 10 described above.
이하, 상술된 도 8, 그리고 도 13a 내지 도 13d를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화소의 동작을 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the pixel according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 8 and 13A to 13D.
도 13a 내지 도 13d는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화소의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 13a 내지 도 13d에서 점선으로 도시된 스위칭소자는 턴-오프된 상태를 의미하며, 원형의 점선으로 둘러싸인 스위칭소자는 턴-온된 상태를 의미한다.13A to 13D are diagrams for explaining the operation of the pixel according to the third embodiment of the present invention. Here, the switching elements shown by dotted lines in FIGS. 13A to 13D indicate the turned-off state, and the switching elements surrounded by the circular dotted lines indicate the turned-on state.
1) 초기화기간(1) Initialization period ( TiTi ))
먼저, 도 8 및 도 13a를 참조하여, 초기화기간(Ti)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.First, with reference to FIG. 8 and FIG. 13A, let us consider the operation of the pixel PXL in the initialization period Ti.
초기화기간(Ti) 동안에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)는 액티브 상태로 유지된다. 반면, 스캔신호(SC)는 비액티브 상태로 유지된다. During the initialization period Ti, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the emission control signal EM are maintained in an active state, as shown in Fig. On the other hand, the scan signal SC remains inactive.
이와 같은 신호들에 따라, 도 13a에 도시된 바와 같이, 액티브 상태의 감지신호(INT)를 공급받는 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE1)가 턴-온되고, 액티브 상태의 초기화신호(INT)를 공급받는 초기스위칭소자(Tr_IT) 및 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE2)가 턴-온된다. 반면, 비액티브 상태의 스캔신호(SC)를 공급받는 데이터스위칭소자(Tr_DS)는 턴-오프된다.According to such signals, as shown in FIG. 13A, the first reference switching element Tr_RE1 supplied with the sense signal INT in the active state is turned on, and the initialization signal INT in the active state is supplied The receiving initial switching element Tr_IT and the second reference switching element Tr_RE2 are turned on. On the other hand, the data switching element Tr_DS supplied with the scan signal SC in an inactive state is turned off.
그러면, 턴-온된 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE1)를 통해 기준전압(Vref)이 제 1 노드(N1)에 공급된다. 또한 턴-온된 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE2)를 통해 제 2 노드(N2)에도 기준전압(Vref)이 공급된다. 이에 따라, 제 1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2)가 모두 기준전압(Vref)의 레벨로 유지된다.Then, the reference voltage Vref is supplied to the first node N1 through the turned-on first reference switching element Tr_RE1. The reference voltage Vref is also supplied to the second node N2 through the turn-on second reference switching element Tr_RE2. Thus, both the first node N1 and the second node N2 are maintained at the level of the reference voltage Vref.
한편, 턴-온된 초기스위칭소자(Tr_IT)를 통해 초기전압(Vinit)이 제 3 노드(N3)에 공급된다. 이에 따라 제 3 노드(N3)가 초기전압(Vinit)의 레벨로 유지된다. 여기서, 제 3 노드(N3)에 인가된 초기전압(Vinit)의 레벨은 구동스위칭소자(Tr_DR)의 내부 저항과 초기스위칭소자(Tr_IT)의 내부 저항의 비에 의해 결정된다. 이때 이 초기전압(Vinit)이 제 2 구동전압(VSS)보다 작음과 아울러 발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 작기 때문에 발광다이오드(OLED)는 역방향으로 바이어스되어 이 발광다이오드(OLED)는 오프된 상태를 유지한다. On the other hand, the initial voltage Vinit is supplied to the third node N3 through the turn-on initial switching element Tr_IT. Accordingly, the third node N3 is maintained at the level of the initial voltage Vinit. Here, the level of the initial voltage Vinit applied to the third node N3 is determined by the ratio of the internal resistance of the drive switching element Tr_DR to the internal resistance of the initial switching element Tr_IT. At this time, since the initial voltage Vinit is smaller than the second driving voltage VSS and smaller than the threshold voltage of the light emitting diode OLED, the light emitting diode OLED is biased in the reverse direction, and the light emitting diode OLED is turned off Lt; / RTI >
한편, 이 초기화기간(Ti)에는 구동스위칭소자(Tr_DR)의 게이트전극이 접속된 제 2 노드(N2)가 기준전압(Vref)의 레벨로 유지되고, 소스전극이 접속된 제 3 노드(N3)가 초기전압(Vinit)의 레벨로 유지되고, 그리고 드레인전극이 제 1 구동전압(VDD)의 레벨로 유지됨에 따라 이 구동스위칭소자(Tr_DR)가 초기화된다. 이때, 이 구동스위칭소자(Tr_DR)는 자신의 게이트전극과 소스전극간의 전압차가 자신의 문턱전압을 초과함에 이 구동스위칭소자(Tr_DR)가 턴-온되고, 이 턴-온된 구동스위칭소자(Tr_DR)를 통해 전류가 흐른다. 이때, 상술된 바와 같이, 발광다이오드(OLED)가 역방향의 바이어스를 이루므로, 이 구동스위칭소자(Tr_DR)에 의해 발생된 전류는 발광다이오드(OLED)로 흐르지 못하고 초기전압(Vinit)을 공급하는 초기전압(Vinit)원으로 싱크된다. 이에 따라, 발광다이오드(OLED)는 꺼진 상태를 유지한다.The second node N2 connected to the gate electrode of the driving switching element Tr_DR is maintained at the level of the reference voltage Vref during the initialization period Ti and the third node N3 connected to the source electrode thereof. Is maintained at the level of the initial voltage Vinit and the drive switching element Tr_DR is initialized as the drain electrode is maintained at the level of the first drive voltage VDD. At this time, the driving switching element Tr_DR is turned on because the voltage difference between its gate electrode and the source electrode exceeds its threshold voltage, and the turn-on driving switching element Tr_DR is turned on, Current flows. At this time, as described above, since the light emitting diode OLED forms a reverse bias, the current generated by the driving switching element Tr_DR can not flow to the light emitting diode OLED, and the initial voltage Vinit It is sinked into a voltage (Vinit) circle. Thus, the light emitting diode (OLED) remains off.
이와 같이 초기화기간(Ti)에는, 발광다이오드(OLED)가 꺼진 상태를 유지하게 되며, 또한 구동스위칭소자(Tr_DR)가 초기화된다.As described above, in the initialization period Ti, the light emitting diode OLED is kept turned off, and the drive switching element Tr_DR is also initialized.
특히, 이 초기화기간(Ti) 동안 제 3 노드(N3)를 낮은 값을 갖는 초기전압(Vinit)으로 방전시킴으로써 구동스위칭소자(Tr_DR)의 턴-온시에도 이 제 3 노드(N3)의 전압이 상승하는 것을 방지할 수 있으므로 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압검출 보상 범위가 상당히 넓어진다.Particularly, by discharging the third node N3 to an initial voltage Vinit having a low value during the initialization period Ti, even when the driving switching element Tr_DR is turned on, the voltage of the third node N3 rises The threshold voltage detection compensation range of the drive switching device Tr_DR is considerably widened.
2) 문턱전압검출기간(2) Threshold voltage detection period ( TthTth ))
이어서, 도 8, 도 13b를 참조하여, 문턱전압검출기간(Tth)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.Next, the operation of the pixel PXL in the threshold voltage detection period Tth will be described with reference to Figs. 8 and 13B.
문턱전압검출기간(Tth) 동안에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 감지신호(SS)는 액티브 상태로 유지된다. 반면, 초기화신호(INT), 스캔신호(SC) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다. During the threshold voltage detection period Tth, as shown in Fig. 8, the sense signal SS is kept in an active state. On the other hand, the initialization signal INT, the scan signal SC and the emission control signal EM are kept inactive.
이에 따라, 도 13b에 도시된 바와 같이, 액티브 상태의 감지신호(SS)를 공급받는 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE1)는 턴-온상태를 그대로 유지한다. 반면, 비액티브 상태의 스캔신호(SC), 초기화신호(INT) 및 발광제어신호(EM)를 공급받는 데이터스위칭소자(Tr_DS), 초기스위칭소자(Tr_IT), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE2) 및 발광제어스위칭소자(Tr_EC)는 턴-오프된다.Accordingly, as shown in FIG. 13B, the first reference switching element Tr_RE1, which is supplied with the sense signal SS in the active state, maintains the turn-on state. On the other hand, the data switching element Tr_DS, the initial switching element Tr_IT, the second reference switching element Tr_RE2 and the data switching element Tr_DS, which are supplied with the scan signal SC, the initialization signal INT and the emission control signal EM in an inactive state, The light emission control switching element Tr_EC is turned off.
이때, 구동스위칭소자(Tr_DR)는 자신의 게이트전극(제 2 노드(N2)) 및 소스전극(제 3 노드(N3))간의 차전압(즉, 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3)간의 차전압)에 의해 턴-온된 상태를 유지한다. 이 턴-온된 구동스위칭소자(Tr_DR) 및 감지스위칭소자(Tr_SS)를 통해 전류패쓰가 형성된다. 즉, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제 2 노드(N2), 구동스위칭소자(Tr_DR), 제 3 노드(N3) 및 게이트-소스 커패시터(Cgss)로 구성된 전류패쓰가 형성된다. 이에 의해 제 2 노드(N2) 및 제 3 노드(N3)의 전압이 상승하기 시작한다. 이때, 제 3 노드(N3)의 전압이 제 2 노드(N2)의 전압 방향으로 변화함으로써 소스 팔로워 방식으로 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압(Vth)이 검출된다. 이때, 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 스토리지 커패시터(Cem)에 의해 유지(holding)되는 바, 이 제 2 스토리지 커패시터(Cem)의 값을 고정하기 위해 기준전압(Vref)이 턴-온된 기준스위칭소자(Tr_RE)를 통해 제 1 노드(N1)로 공급된다. 여기서, 제 2 스토리지 커패시터(Cem)의 용량과 게이트-소스 커패시터(Cgss)의 용량간의 비율에 의해 제 2 노드(N2)의 전압이 결정되는 바, 이 제 2 노드(N2)의 전압은 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압(Vth)에 따라 다른 값을 나타낸다. 이 제 2 노드(N2)의 전압보다 제 3 노드(N3)의 전압이 더 빠르게 증가한다. 이에 따라 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3)간의 전압차가 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압에 도달하면 이 구동스위칭소자(Tr_DR)는 턴-오프되고 상술된 전류패쓰가 차단된다. 즉, 게이트-소스 커패시터(Cgss)에 이 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압에 해당하는 전하량이 축적되면 제 2 노드(N2) 및 제 3 노드(N3)의 전압 상승이 멈추며 이때 구동스위칭소자(Tr_DR)를 통해 흐르는 전류의 흐름도 차단되며, 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압이 검출되어 게이트-소스 커패시터(Cgss)에 저장된다. 이때 제 3 노드(N3)의 전압은 이 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압(Vth)을 포함하게 된다. 즉, 이 제 3 노드(N3)의 전압은 기준전압(Vref)으로부터 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압을 차감한 값(Vref-Vth)에 알파(α)가 곱해진 값[(Vref-Vth)*α]으로 정의된다. 이 알파는 문턱전압의 증폭치를 나타낸 것으로, 본 발명에서는 도 12에 도시된 바와 같은 회로 구성 및 도 8에 도시된 바와 같은 신호들을 이용하여 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압을 증폭함으로써 문턱전압의 보상 범위를 넓힐 수 있다. 이로써 이 문턱전압검출기간(Tth) 동안 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압이 증폭되어 검출된다.At this time, the driving switching element Tr_DR has a difference voltage between the gate electrode (the second node N2) and the source electrode (the third node N3) (i.e., the second node N2 and the third node N3 ) Between the first and second electrodes (not shown). A current path is formed through the turn-on drive switching element Tr_DR and the sense switching element Tr_SS. That is, as shown in Fig. 6B, a current path composed of the second node N2, the driving switching element Tr_DR, the third node N3 and the gate-source capacitor Cgss is formed. As a result, the voltages of the second node N2 and the third node N3 start to rise. At this time, the voltage of the third node N3 changes in the voltage direction of the second node N2, so that the threshold voltage Vth of the drive switching device Tr_DR is detected in the source follower manner. At this time, since the voltage of the second node N2 is held by the second storage capacitor Cem and the reference voltage Vref is turned on to fix the value of the second storage capacitor Cem And is supplied to the first node N1 through the reference switching element Tr_RE. Here, the voltage of the second node N2 is determined by the ratio between the capacitance of the second storage capacitor Cem and the capacitance of the gate-source capacitor Cgss, And a different value depending on the threshold voltage Vth of the element Tr_DR. The voltage of the third node N3 increases more rapidly than the voltage of the second node N2. Accordingly, when the voltage difference between the second node N2 and the third node N3 reaches the threshold voltage of the driving switching element Tr_DR, the driving switching element Tr_DR is turned off and the above-described current path is cut off. That is, when the amount of charge corresponding to the threshold voltage of the driving switching device Tr_DR is accumulated in the gate-source capacitor Cgss, the voltage rise of the second node N2 and the third node N3 is stopped. At this time, Tr_DR is also cut off, and the threshold voltage of the drive switching element Tr_DR is detected and stored in the gate-source capacitor Cgss. At this time, the voltage of the third node N3 includes the threshold voltage Vth of the driving switching element Tr_DR. That is, the voltage of the third node N3 is a value [Vref-Vth (Vref-Vth)] obtained by multiplying the value Vref-Vth obtained by subtracting the threshold voltage of the drive switching element Tr_DR from the reference voltage Vref, ) * [alpha]. This alpha represents an amplification value of the threshold voltage. In the present invention, by amplifying the threshold voltage of the driving switching element Tr_DR using the circuit configuration as shown in FIG. 12 and the signals shown in FIG. 8, The compensation range can be widened. Thus, the threshold voltage of the driving switching element Tr_DR is amplified and detected during the threshold voltage detection period Tth.
3) 데이터기입기간(3) Data entry period ( TdTd ))
이어서, 도 8, 도 13c를 참조하여, 데이터기입기간(Td)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.Next, the operation of the pixel PXL in the data writing period Td will be described with reference to Figs. 8 and 13C.
데이터기입기간(Td) 동안에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 스캔신호(SC)는 액티브 상태로 유지된다. 이때, 이 데이터기입기간(Td)의 전체 기간동안 스캔신호(SC)가 완전히 액티브 상태로 유지되지 않고, 도 8에 도시된 바와 같이, 이 데이터기입기간(Td)의 일정 기간동안은 액티브 상태로 유지되고 나머지 기간동안 비액티브 상태로 유지될 수 있다. 반면, 이 데이터기입기간(Td) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)는 비액티브 상태로 유지된다. 그리고, 이 데이터기입기간(Td) 동안 데이터 라인(DL)으로는 데이터 신호(Vdata)가 공급된다.During the data writing period Td, as shown in Fig. 8, the scan signal SC is kept in the active state. At this time, the scan signal SC is not completely maintained in the active state for the entire period of the data write period Td, and is maintained in the active state for a certain period of the data write period Td, as shown in FIG. And remain inactive for the remainder of the period. On the other hand, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the emission control signal EM remain inactive during this data writing period Td. During this data writing period Td, the data signal Vdata is supplied to the data line DL.
이에 따라, 도 13c에 도시된 바와 같이, 액티브 상태의 스캔신호(SC)를 공급받는 데이터스위칭소자(Tr_DS) 및 제 3 기준스위칭소자(Tr_RE3)가 턴-온된다. 반면, 비액티브 상태의 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 발광제어신호(EM)를 공급받는 초기스위칭소자(Tr_IT), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE2), 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE1) 및 발광제어스위칭소자(Tr_EC)는 턴-오프된다. 한편, 구동스위칭소자(Tr_DR)는 턴-오프 상태를 유지한다.Thus, as shown in FIG. 13C, the data switching element Tr_DS and the third reference switching element Tr_RE3, which are supplied with the scan signal SC in the active state, are turned on. On the other hand, the initial switching element Tr_IT, the second reference switching element Tr_RE2, the first reference switching element Tr_RE1, the first reference switching element Tr_RE1, and the second reference switching element Tr_RE1 are supplied with the initialization signal INT, the sensing signal SS and the light emission control signal EM, And the emission control switching element Tr_EC are turned off. On the other hand, the driving switching element Tr_DR maintains the turn-off state.
그러면, 턴-온된 데이터스위칭소자(Tr_DS)를 통해 데이터 신호(Vdata)가 제 1 노드(N1)에 공급된다. 이후 상기 스캔신호(SC)가 비액티브 상태로 천이함에 따라 이 데이터스위칭소자(Tr_DS)가 턴-오프되면, 이 제 1 노드(N1)에 공급된 데이터 신호(Vdata)는 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 유지된다.Then, the data signal Vdata is supplied to the first node N1 through the turn-on data switching element Tr_DS. The data signal Vdata supplied to the first node N1 is applied to the storage capacitor Cst when the data switching element Tr_DS is turned off as the scan signal SC transits to the inactive state. Lt; / RTI >
한편, 턴-온된 제 3 기준스위칭소자(Tr_RE3)를 통해 기준전압(Vref)이 제 2 노드(N2)에 공급되는 바, 이에 의해 이 데이터기입기간(Td)에서의 커플링 현상에 따른 문턱전압 보상 손실을 방지할 수 있다. 즉, 이 데이터기입기간(Td) 동안 제 1 노드(N1)에 인가된 데이터 신호(Vdata) 및 제 2 스토리지 커패시터(Cem)의 커플링 현상에 의해 제 2 노드(N2)의 전압에 변화가 발생할 수 있다. 본 발명의 구조가 소스 팔로워 방식이므로, 이 제 2 노드(N2)의 전압 변화는 결국 제 3 노드(N3)의 전압 변화를 야기한다. 이때 상기 제 2 노드(N2)의 전압 변화는 상기 데이터 신호(Vdata)의 계조에 따라 그 크기가 달라진다. 이는 서로 다른 계조의 데이터 신호(Vdata)를 공급받는 화소(PXL)들이 이 데이터기입기간(Td) 동안 공급되는 데이터 신호에 따라 이들의 제 2 노드(N2)의 전압이 다르게 변화한다는 것을 의미하며, 이는 결국 각 화소(PXL)들의 구동스위칭소자의 문턱전압간 편차가 발생한다는 것을 의미한다. 다시 말하여, 제 2 노드(N2)의 전압이 데이터 신호(Vdata)의 계조에 영향을 받을 수 있다는 것이다. 본 발명의 제 3 실시예에서는 데이터 신호(Vdata)가 제 1 노드(N1)에 인가되는 데이터기입기간(Td) 동안 제 2 노드(N2)로 일정한 정전압, 즉 기준전압(Vref)을 공급함으로써 상술된 데이터 신호에 의한 계조 영향성을 제거할 수 있다. On the other hand, the reference voltage Vref is supplied to the second node N2 through the turned-on third reference switching device Tr_RE3, whereby the threshold voltage Vdf corresponding to the coupling phenomenon in the data writing period Td Compensation loss can be prevented. That is, the voltage of the second node N2 is changed by the coupling of the data signal Vdata applied to the first node N1 and the second storage capacitor Cem during the data writing period Td . Since the structure of the present invention is of the source follower type, the voltage change of this second node N2 eventually causes the voltage change of the third node N3. At this time, the voltage change of the second node N2 varies in accordance with the gradation of the data signal Vdata. This means that the voltages of the second node N2 vary depending on the data signals supplied by the pixels PXL supplied with the data signals Vdata of different gradations during the data writing period Td, This means that a deviation between the threshold voltages of the driving switching elements of the respective pixels PXL occurs. In other words, the voltage of the second node N2 may be influenced by the gradation of the data signal Vdata. In the third embodiment of the present invention, by supplying a constant positive voltage, that is, the reference voltage Vref, to the second node N2 during the data writing period Td during which the data signal Vdata is applied to the first node N1, It is possible to eliminate the influences of gradation by the data signal.
4) 발광기간(4) Light emitting period ( TeTe ))
이어서, 도 8, 도 13d를 참조하여, 발광기간(Te)에서의 화소(PXL)의 동작을 살펴보자.Next, the operation of the pixel PXL in the light emission period Te will be described with reference to Figs. 8 and 13D.
발광기간(Te) 동안에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 발광제어신호(EM)는 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 갖는다. 즉, 이 발광기간(Te)이 시작하는 순간 발광제어신호(EM)는 액티브 상태로 유지되며, 이후 일정 기간이 지나면 비액티브 상태로 천이한다. 반면, 이 발광기간(Te) 동안 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 스캔신호(SC)는 비액티브 상태로 유지된다.During the light emission period Te, as shown in Fig. 8, the light emission control signal EM sequentially has an active state and an inactive state. That is, the emission control signal EM is maintained in the active state at the start of the emission period Te, and then transitions to the inactive state after a certain period of time. On the other hand, the initialization signal INT, the sense signal SS, and the scan signal SC remain inactive during the light emission period Te.
이에 따라, 액티브 상태의 발광제어신호(EM)를 공급받는 발광제어스위칭소자(Tr_EC)가 턴-온된다. 반면, 비액티브 상태의 초기화신호(INT), 감지신호(SS) 및 스캔신호(SC)를 공급받는 초기스위칭소자(Tr_IT), 기준스위칭소자(Tr_RE) 및 데이터스위칭소자(Tr_DS)는 턴-오프된다.Thereby, the light emission control switching element Tr_EC supplied with the light emission control signal EM in the active state is turned on. On the other hand, the initial switching element Tr_IT, the reference switching element Tr_RE and the data switching element Tr_DS, which are supplied with the initialization signal INT, the sense signal SS and the scan signal SC in an inactive state, do.
그러면, 턴-온된 발광제어스위칭소자(Tr_EC)를 통해 제 1 노드(N1)의 데이터 신호(Vdata)가 제 2 노드(N2)로 인가된다. 따라서 구동스위칭소자(Tr_DR)가 턴-온되고, 이 턴-온된 구동스위칭소자(Tr_DR)는 자신에게 공급된 데이터 신호(Vdata)에 따른 구동 전류를 발생시킨다. 이 구동 전류가 발광다이오드(OLED)로 공급됨에 따라 이 발광다이오드(OLED)는 발광하기 시작한다. 이때, 제 3 노드(N3)의 전압이 게이트-소스 커패시터(Cgss) 및 구동스위칭소자(Tr_DR)의 기생 커패시터에 의해 홀딩(holding)됨에 따라 한 프레임 동안 이 발광다이오드는 안정적으로 발광 상태를 유지한다.Then, the data signal (Vdata) of the first node (N1) is applied to the second node (N2) through the turn-on emission control switching element (Tr_EC). Therefore, the driving switching element Tr_DR is turned on, and the turned-on driving switching element Tr_DR generates a driving current corresponding to the data signal Vdata supplied thereto. As this driving current is supplied to the light emitting diode (OLED), the light emitting diode (OLED) starts to emit light. At this time, as the voltage of the third node N3 is held by the parasitic capacitor of the gate-source capacitor Cgss and the driving switching element Tr_DR, the light emitting diode stably emits light for one frame .
제 4 Fourth 실시예Example
도 14는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면으로서, 이 도 14는 도 1의 임의의 하나의 화소(PXL)에 구비된 회로 구성을 나타낸 도면이다.Fig. 14 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel according to a fourth embodiment of the present invention. Fig. 14 is a diagram showing a circuit configuration provided in any one pixel PXL in Fig.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 화소의 회로 구성은, 도 14에 도시된 바와 같이, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR), 초기스위칭소자(Tr_IT), 제 1 스토리지 커패시터(Cst), 제 2 스토리지 커패시터(Cem), 게이트-소스 커패시터(Cgss) 및 발광다이오드(OLED)를 포함한다. 여기서, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR)) 및 초기스위칭소자(Tr_IT)는 p타입의 트랜지스터로 구성된다. 그리고, 발광다이오드(OLED)의 애노드전극이 제 1 구동전압(VDD)을 전송하는 제 1 구동전원라인에 접속되며, 캐소드전극이 구동스위칭소자(Tr_DR)에 접속된다. 나머지 구성요소들은 상술된 제 1 실시예의 그것들과 동일하다.14, the circuit configuration of a pixel according to the fourth embodiment of the present invention includes a data switching element Tr_DS, a reference switching element Tr_RE, an emission control switching element Tr_EC, a driving switching element Tr_DR ), An initial switching device Tr_IT, a first storage capacitor Cst, a second storage capacitor Cem, a gate-source capacitor Cgss, and a light emitting diode OLED. Here, the data switching element Tr_DS, the reference switching element Tr_RE, the light emission control switching element Tr_EC, the driving switching element Tr_DR) and the initial switching element Tr_IT are composed of p-type transistors. The anode electrode of the light emitting diode OLED is connected to the first driving power supply line for transmitting the first driving voltage VDD, and the cathode electrode is connected to the driving switching element Tr_DR. The remaining components are the same as those of the first embodiment described above.
도 15는 도 14의 화소에 공급되는 스캔신호(SC), 초기화신호(INT), 발광제어신호(EM) 및 감지신호(SS)의 타이밍도를 나타낸 도면이다.FIG. 15 is a timing chart of the scan signal SC, the initialization signal INT, the emission control signal EM, and the sense signal SS supplied to the pixel of FIG.
도 15에 도시된 바와 같이, 초기화신호(INT), 감지신호(SS), 스캔신호(SC) 및 발광제어신호(EM)는 순차적으로 발생되는 초기화기간(Ti), 문턱전압검출기간(Tth), 데이터기입기간(Td) 및 발광기간(Te)에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화한다. 도 15에서의 각 신호의 액티브 상태는 로우전압의 레벨을 의미하는 것으로, 이 도 15에 도시된 타이밍도는 실상 도 3의 타이밍도와 동일하며, 단지 액티브 상태가 로우전압으로 설정되어 있다. 한편, 다른 실시예로서, 도 15에서의 발광기간(Te) 동안 발광제어신호(EM)를 액티브 상태로 계속 유지할 수도 있다.15, the initialization signal INT, the sense signal SS, the scan signal SC and the emission control signal EM are sequentially generated in an initialization period Ti, a threshold voltage detection period Tth, The data writing period Td, and the light emitting period Te. The active state of each signal in Fig. 15 means the level of the low voltage, and the timing chart shown in Fig. 15 is substantially the same as the timing in Fig. 3, and the active state is set to the low voltage. On the other hand, as another embodiment, the emission control signal EM may be maintained in the active state during the emission period Te in Fig.
제 5 Fifth 실시예Example
도 16은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면으로서, 이 도 16은 도 1의 임의의 하나의 화소(PXL)에 구비된 회로 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 16 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a diagram showing a circuit configuration provided in any one pixel PXL in FIG.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 화소의 회로 구성은, 도 16에 도시된 바와 같이, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR), 초기스위칭소자(Tr_IT), 제 1 스토리지 커패시터(Cst), 제 2 스토리지 커패시터(Cem), 게이트-소스 커패시터(Cgss) 및 발광다이오드(OLED)를 포함한다. 여기서, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR) 및 초기스위칭소자(Tr_IT)는 모두 p타입의 트랜지스터로 구성된다. 그리고, 발광다이오드(OLED)의 애노드전극이 제 1 구동전압(VDD)을 전송하는 제 1 구동전원라인에 접속되며, 캐소드전극이 구동스위칭소자(Tr_DR)에 접속된다. 나머지 구성요소들은 상술된 제 2 실시예의 그것들과 동일하다.As shown in FIG. 16, the circuit configuration of a pixel according to the fifth embodiment of the present invention includes a data switching element Tr_DS, a first reference switching element Tr_RE, a second reference switching element Tr_RE, The first switching transistor Tr_IT, the first storage capacitor Cst, the second storage capacitor Cem, the gate-source capacitor Cgss, and the light emitting diode OLED are connected to the switching element Tr_EC, the driving switching element Tr_DR, . Here, the data switching element Tr_DS, the first reference switching element Tr_RE, the second reference switching element Tr_RE, the emission control switching element Tr_EC, the driving switching element Tr_DR and the initial switching element Tr_IT and a p-type transistor. The anode electrode of the light emitting diode OLED is connected to the first driving power supply line for transmitting the first driving voltage VDD, and the cathode electrode is connected to the driving switching element Tr_DR. The remaining components are the same as those of the second embodiment described above.
도 17은 도 16의 화소에 공급되는 스캔신호(SC), 초기화신호(INT), 발광제어신호(EM) 및 감지신호(SS)의 타이밍도를 나타낸 도면이다.FIG. 17 is a timing chart of the scan signal SC, the initialization signal INT, the emission control signal EM, and the sense signal SS supplied to the pixel of FIG.
도 17에 도시된 바와 같이, 초기화신호(INT), 감지신호(SS), 스캔신호(SC) 및 발광제어신호(EM)는 순차적으로 발생되는 초기화기간(Ti), 문턱전압검출기간(Tth), 데이터기입기간(Td) 및 발광기간(Te)에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화한다. 도 15에서의 각 신호의 액티브 상태는 로우전압의 레벨을 의미하는 것으로, 이 도 15에 도시된 타이밍도는 실상 도 8의 타이밍도와 동일하며, 단지 액티브 상태가 로우전압으로 설정되어 있다. 한편, 다른 실시예로서, 도 17에서의 발광기간(Te) 동안 발광제어신호(EM)를 액티브 상태로 계속 유지할 수도 있다.17, the initialization signal INT, the sense signal SS, the scan signal SC and the emission control signal EM are sequentially generated in the initialization period Ti, the threshold voltage detection period Tth, The data writing period Td, and the light emitting period Te. The active state of each signal in FIG. 15 means the level of the low voltage, and the timing chart shown in FIG. 15 is substantially the same as the timing of FIG. 8, and the active state is set to the low voltage. On the other hand, as another embodiment, the emission control signal EM may be kept in the active state during the emission period Te in Fig.
제 6 6th 실시예Example
도 18은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 화소의 회로 구성을 나타낸 도면으로서, 이 도 18은 도 1의 임의의 하나의 화소(PXL)에 구비된 회로 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 18 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel according to the sixth embodiment of the present invention, and FIG. 18 is a diagram showing a circuit configuration provided in any one pixel PXL of FIG.
본 발명의 제 6 실시예에 따른 화소의 회로 구성은, 도 18에 도시된 바와 같이, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 3 기준스위칭소자(Tr_RE3), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR), 초기스위칭소자(Tr_IT), 제 1 스토리지 커패시터(Cst), 제 2 스토리지 커패시터(Cem), 게이트-소스 커패시터(Cgss) 및 발광다이오드(OLED)를 포함한다. 여기서, 데이터스위칭소자(Tr_DS), 제 1 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 2 기준스위칭소자(Tr_RE), 제 3 기준스위칭소자(Tr_RE3), 발광제어스위칭소자(Tr_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR) 및 초기스위칭소자(Tr_IT)는 모두 p타입의 트랜지스터로 구성된다. 그리고, 발광다이오드(OLED)의 애노드전극이 제 1 구동전압(VDD)을 전송하는 제 1 구동전원라인에 접속되며, 캐소드전극이 구동스위칭소자(Tr_DR)에 접속된다. 나머지 구성요소들은 상술된 제 3 실시예의 그것들과 동일하다.The circuit configuration of the pixel according to the sixth embodiment of the present invention is the same as the configuration of the pixel shown in FIG. 18 except that the data switching element Tr_DS, the first reference switching element Tr_RE, the second reference switching element Tr_RE, A first storage capacitor Cst, a second storage capacitor Cem, a gate-source capacitor Cst, and a gate electrode of the reference switching element Tr_RE3, the emission control switching element Tr_EC, the driving switching element Tr_DR, the initial switching element Tr_IT, Cgss) and a light emitting diode (OLED). Here, the data switching element Tr_DS, the first reference switching element Tr_RE, the second reference switching element Tr_RE, the third reference switching element Tr_RE3, the emission control switching element Tr_EC, the driving switching element Tr_DR, And the initial switching element Tr_IT are all p-type transistors. The anode electrode of the light emitting diode OLED is connected to the first driving power supply line for transmitting the first driving voltage VDD, and the cathode electrode is connected to the driving switching element Tr_DR. The remaining components are the same as those of the third embodiment described above.
한편, 이 제 6 실시예에 따른 화소는 도 17에 도시된 바와 같은 신호들을 공급받는다.On the other hand, the pixel according to the sixth embodiment is supplied with signals as shown in Fig.
도 19는 본 발명의 실시예에 따른 화소에 구비된 구동스위칭소자(Tr_DR)의 각 계조별 문턱전압의 보상효과를 설명하기 위한 도면으로서, 도 19의 (a)는 도 12에 도시된 화소에 구비된 구동스위칭소자(Tr_DR)의 각 계조별 문턱전압의 보상효과를 설명하는 도면이며, 그리고 도 19의 (b)는 도 2에 도시된 화소에 구비된 구동스위칭소자(Tr_DR)의 각 계조별 문턱전압의 보상효과를 설명하는 도면이다.19A and 19B are diagrams for explaining the compensating effect of threshold voltage for each gradation of the driving switching element Tr_DR provided in the pixel according to the embodiment of the present invention. FIG. 19B is a view for explaining the compensation effect of the threshold voltage for each gradation of the drive switching element Tr_DR provided in each pixel of the driving switching element Tr_DR according to each gradation of the driving switching element Tr_DR Fig. 5 is a diagram for explaining the compensation effect of the threshold voltage. Fig.
도 19에서 X축은 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압(Vth)을 나타내며, Y축은 정규화된(normalized) 발광다이오드(OLED)의 전류 변화율을 나타낸다.19, the X axis represents the threshold voltage Vth of the driving switching element Tr_DR and the Y axis represents the rate of current change of the normalized light emitting diode OLED.
도 19의 (a)에 도시된 바와 같이, 발광다이오드(OLED)의 전류 변화율이 95% 내지 105%( 5%)일 때, 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압이 -1.8[V] 내지 5.5[V]에서 넓은 범위(7.3[V]의 범위)내에서 쉬프트하더라도 각 계조에서 전류 변화율이 거의 일정함을 알 수 있다. 19 (a), when the current change rate of the light emitting diode OLED is 95% to 105% (5%), the threshold voltage of the drive switching device Tr_DR is -1.8 [V] to 5.5 It can be seen that the rate of current change in each gradation is almost constant even when shifted within a wide range (7.3 [V]) in [V].
도 19의 (b)에 도시된 바와 같이, 발광다이오드(OLED)의 전류 변화율이 95% 내지 105%( 5%)일 때, 구동스위칭소자(Tr_DR)의 문턱전압이 -0.7[V] 내지 5.5[V]에서 넓은 범위(6.2[V]의 범위)내에서 쉬프트하더라도 각 계조에서 전류 변화율이 거의 일정함을 알 수 있다.19 (b), when the threshold voltage of the drive switching element Tr_DR is changed from -0.7 [V] to 5.5 [V], when the current change rate of the light emitting diode OLED is 95% to 105% It can be seen that the rate of current change in each gradation is almost constant even when shifted within a wide range (range of 6.2 [V]) from [V].
도 20은 본 발명의 화소들을 구비한 표시부내의 제 1 구동전압(VDD)의 전압강하(IR Drop) 및 제 2 구동전압(VSS)의 전압상승(IR Rising)에 따른 전류변화(보상능력)를 나타낸 도면으로서, 도 20의 (a)는 도 12에 도시된 화소들을 구비한 표시부내의 제 1 구동전압(VDD)의 전압강하에 따른 전류변화를 나타낸 도면이고, 그리고 도 20의 (b)는 도 12에 도시된 화소들을 구비한 표시부내의 제 2 구동전압(VSS)의 전압상승에 따른 전류변화를 나타낸 도면이다.20 is a graph showing a relationship between a voltage drop (IR Drop) of a first driving voltage (VDD) and a current change (compensation ability) according to a voltage rising (IR Rising) of a second driving voltage (VSS) 20A is a diagram showing a current change according to the voltage drop of the first driving voltage VDD in the display unit having the pixels shown in FIG. 12, and FIG. 12 is a diagram showing a current change according to a voltage increase of the second driving voltage VSS in the display unit having the pixels shown in FIG.
도 20에서 X축은 제 1 구동전압(VDD)을 나타내며, Y축은 정규화된(normalized) 발광다이오드(OLED)의 전류 변화율을 나타낸다.20, the X axis represents the first driving voltage VDD and the Y axis represents the rate of current change of the normalized light emitting diode OLED.
도 20의 (a)에 도시된 바와 같이, 64계조(2/8 계조)를 기준으로 하여 제 1 구동전압(VDD)의 전압강하(IR Drop)가 3[V]일 때, 발광다이오드(OLED)의 전류(OLED current)가 초기 대비 99.9%의 높은 수준으로 보상됨을 알 수 있다.20A, when the voltage drop (IR Drop) of the first driving voltage VDD is 3 [V] based on 64 gradations (2/8 gradation), the light emitting diodes OLED ) Current (OLED current) is compensated to a high level of 99.9% from the initial value.
도 20의 (b)에 도시된 바와 같이, 64계조(2/8 계조)를 기준으로 하여 제 2 구동전압(VSS)의 전압상승(IR Rising)이 0.8[V]일 때, 발광다이오드(OLED)의 전류(OLED current)가 초기 대비 87%의 높은 수준으로 보상됨을 알 수 있다. 여기서, 발광다이오드(OLED)가 n타입 트랜지스터인 구동스위칭소자(Tr_DR)의 소스전극에 접속된 구조임을 감안하면, 이러한 수치(91%)는 표시부내의 휘도 균일도에 크게 문제가 되지 않는 수준의 보상 능력이다.20B, when the voltage rising (IR Rising) of the second driving voltage VSS is 0.8 [V] based on 64 gradations (2/8 gradation), the light emitting diodes OLED ) Current (OLED current) is compensated to a high level of 87% from the initial value. Considering that the light emitting diode OLED is connected to the source electrode of the driving switching element Tr_DR, which is an n-type transistor, such a value (91%) is a compensation level at which luminance uniformity in the display unit does not become a significant problem Ability.
한편, 도 2, 도 7, 도 12, 도 14, 도 16 및 도 18에 도시된 스위칭소자들은 모두 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터 중 어느 하나로 구성될 수 있다.The switching elements shown in FIGS. 2, 7, 12, 14, 16, and 18 may be either n-type transistors or p-type transistors.
예를 들어, 도 2에서의 데이터스위칭소자(Tr_DS), 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(TR_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR) 및 초기스위칭소자(TrIT)가 모두 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터 중 어느 하나로 구성될 수 있다.For example, when the data switching element Tr_DS, the reference switching element Tr_RE, the emission control switching element TR_EC, the driving switching element Tr_DR and the initial switching element TrIT in FIG. 2 are all n-type transistors and p Type transistors.
또한, 도 14에서의 데이터스위칭소자(Tr_DS), 기준스위칭소자(Tr_RE), 발광제어스위칭소자(TR_EC), 구동스위칭소자(Tr_DR) 및 초기스위칭소자(TrIT)가 모두 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터 중 어느 하나로 구성될 수 있다.이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The data switching element Tr_DS, the reference switching element Tr_RE, the emission control switching element TR_EC, the driving switching element Tr_DR and the initial switching element TrIT in FIG. 14 are both n-type transistors and p-type transistors It should be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and that various substitutions, modifications, and alterations are possible within the scope of the technical idea of the present invention And will be apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains.
Tr_DS: 데이터스위칭소자 Tr_EC: 발광제어스위칭소자
Tr_RE: 기준스위칭소자 Tr_IT: 초기스위칭소자
DL: 데이터 라인 Tr_DR: 구동스위칭소자
OLED: 발광다이오드 N#: 제 # 노드
Cgds: 게이트-드레인 커패시터 Cgss: 게이트-소스 커패시터
Cst: 스토리지 커패시터 SC: 스캔신호
INT: 초기화신호 EM: 발광제어신호
SS: 감지신호 Vdata; 데이터 신호
VDD: 제 1 구동전압 VSS: 제 2 구동전압
Vref; 기준전압 Vinit: 초기전압Tr_DS: Data switching element Tr_EC: Emission control switching element
Tr_RE: reference switching element Tr_IT: initial switching element
DL: Data line Tr_DR: Driving switching element
OLED: Light Emitting Diode N #: Primary Node
Cgds: Gate-drain capacitors Cgss: Gate-source capacitors
Cst: storage capacitor SC: scan signal
INT: initialization signal EM: emission control signal
SS: detection signal Vdata; Data signal
VDD: first drive voltage VSS: second drive voltage
Vref; Reference voltage Vinit: Initial voltage
Claims (13)
각 화소가,
스캔라인으로부터의 스캔신호에 따라 제어되며, 데이터 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 데이터스위칭소자;
감지라인으로부터의 감지신호에 따라 제어되며, 기준전압을 전송하는 기준전원라인과 상기 제 1 노드 사이에 접속된 기준스위칭소자;
발광제어라인으로부터의 발광제어신호에 따라 제어되며, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 발광제어스위칭소자;
상기 제 2 노드의 전압에 따라 제어되며, 제 1 구동전압을 전송하는 제 1 구동전원라인과 제 3 노드 사이에 접속된 구동스위칭소자;
초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 제 3 노드와 초기전압을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된 초기스위칭소자;
상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 1 스토리지 커패시터;
상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스토리지 커패시터; 및,
상기 제 3 노드에 애노드전극이 접속되고 제 2 구동전압을 전송하는 제 2 구동전원라인에 캐소드전극이 접속된 발광다이오드를 포함하며;
상기 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호는 순차적으로 발생되는 초기화기간, 문턱전압검출기간, 데이터기입기간 및 발광기간에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화하며;
상기 초기화기간 동안 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 문턱전압검출기간 동안 상기 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 데이터기입기간 동안 상기 스캔신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 데이터기입기간 동안 상기 데이터 라인으로 데이터 신호가 공급되며;
상기 발광기간 동안 상기 발광제어신호가 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 가지거나, 또는 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호, 초기화신호 및 감지신호가 비액티브 상태로 유지됨을 특징으로 하는 발광표시장치.A plurality of pixels for displaying an image;
Each pixel has,
A data switching element controlled in accordance with a scan signal from the scan line and connected between the data line and the first node;
A reference switching element connected between a reference power supply line for transmitting a reference voltage and the first node, the reference switching element being controlled according to a sensing signal from the sensing line;
A light emission control switching element controlled in accordance with a light emission control signal from the light emission control line and connected between the first node and the second node;
A driving switching element controlled between a voltage of the second node and connected between a first driving power supply line and a third node for transmitting a first driving voltage;
An initial switching element controlled in accordance with an initialization signal from an initialization line and connected between the third node and an initial power supply line for transmitting an initial voltage;
A first storage capacitor connected between the first node and the third node;
A second storage capacitor connected between the first node and the second node; And
And an anode electrode connected to the third node, and a cathode electrode connected to a second driving power supply line for transmitting a second driving voltage;
Wherein the scan signal, the initialization signal, the emission control signal, and the sensing signal change to an active state or an inactive state based on sequentially generated initialization period, threshold voltage detection period, data writing period, and light emission period;
During the initialization period, the initialization signal, the sensing signal, and the emission control signal are kept active, while the scan signal is kept inactive;
The initialization signal, the scan signal, and the emission control signal remain inactive while the sense signal remains active during the threshold voltage detection period;
The scan signal remains active during the data write period, while the initialization signal, the sense signal, and the emission control signal remain inactive;
A data signal is supplied to the data line during the data writing period;
Wherein the scan signal, the reset signal, and the sense signal are maintained in an inactive state while the emission control signal is in an active state or an inactive state sequentially or in an active state during the light emission period, Device.
액티브 상태에서의 스캔신호의 펄스폭이 액티브 상태에서의 초기화신호의 펄스폭과 동일하며; 그리고,
p번째(p는 자연수) 화소와 p+x번째(x는 자연수) 화소가 서로 다른 화소행에 위치하며;
상기 p번째 화소에 공급되는 스캔신호와 상기 p+x번째 화소에 공급되는 스캔신호의 위상이 서로 다르며;
상기 p번째 화소에 공급되는 스캔신호와 상기 p+x번째 화소에 공급되는 초기화신호의 위상이 동일하며;
상기 p번째 화소의 데이터스위칭소자에 접속된 스캔라인과 상기 p+x번째 화소의 발광제어스위칭소자에 접속된 감지라인이 서로 연결된 것을 특징으로 하는 발광표시장치.The method according to claim 1,
The pulse width of the scan signal in the active state is equal to the pulse width of the initialization signal in the active state; And,
the pth (p is a natural number) pixel and the (p + x) th (x is a natural number) pixel are located on different pixel rows;
A scan signal supplied to the p-th pixel and a scan signal supplied to the p + x-th pixel are different in phase from each other;
A scan signal supplied to the p-th pixel and an initialization signal supplied to the p + x-th pixel are the same in phase;
And a scan line connected to the data switching element of the pth pixel and a sense line connected to the emission control switching element of the p + xth pixel are connected to each other.
각 화소가,
스캔라인으로부터의 스캔신호에 따라 제어되며, 데이터 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 데이터스위칭소자;
감지라인으로부터의 감지신호에 따라 제어되며, 기준전압을 전송하는 기준전원라인과 상기 제 1 노드 사이에 접속된 제 1 기준스위칭소자;
초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 기준전원라인과 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 기준스위칭소자;
발광제어라인으로부터의 발광제어신호에 따라 제어되며, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 발광제어스위칭소자;
상기 제 2 노드의 전압에 따라 제어되며, 제 1 구동전압을 전송하는 제 1 구동전원라인과 제 3 노드 사이에 접속된 구동스위칭소자;
상기 초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 제 3 노드와 초기전압을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된 초기스위칭소자;
상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 1 스토리지 커패시터;
상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스토리지 커패시터; 및,
상기 제 3 노드에 애노드전극이 접속되고 제 2 구동전압을 전송하는 제 2 구동전원라인에 캐소드전극이 접속된 발광다이오드를 포함하며;
상기 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호는 순차적으로 발생되는 초기화기간, 문턱전압검출기간, 데이터기입기간 및 발광기간에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화하며;
상기 초기화기간 동안 상기 초기화신호 및 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 문턱전압검출기간 동안 상기 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 데이터기입기간 동안 상기 스캔신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 데이터기입기간 동안 상기 데이터 라인으로 데이터 신호가 공급되며;
상기 발광기간 동안 상기 발광제어신호가 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 가지거나, 또는 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호, 초기화신호 및 감지신호가 비액티브 상태로 유지됨을 특징으로 하는 발광표시장치.A plurality of pixels for displaying an image;
Each pixel has,
A data switching element controlled in accordance with a scan signal from the scan line and connected between the data line and the first node;
A first reference switching element connected between a reference power supply line for transmitting a reference voltage and the first node, the first reference switching element being controlled according to a sensing signal from the sensing line;
A second reference switching element controlled in accordance with an initialization signal from an initialization line, the second reference switching element being connected between the reference power supply line and a second node;
A light emission control switching element controlled in accordance with a light emission control signal from the light emission control line and connected between the first node and the second node;
A driving switching element controlled between a voltage of the second node and connected between a first driving power supply line and a third node for transmitting a first driving voltage;
An initial switching device controlled in accordance with an initialization signal from the initialization line and connected between the third node and an initial power supply line for transmitting an initial voltage;
A first storage capacitor connected between the first node and the third node;
A second storage capacitor connected between the first node and the second node; And
And an anode electrode connected to the third node, and a cathode electrode connected to a second driving power supply line for transmitting a second driving voltage;
Wherein the scan signal, the initialization signal, the emission control signal, and the sensing signal change to an active state or an inactive state based on sequentially generated initialization period, threshold voltage detection period, data writing period, and light emission period;
During the initialization period, the initialization signal and the sense signal are kept active, while the scan signal and the emission control signal are kept inactive.
The initialization signal, the scan signal, and the emission control signal remain inactive while the sense signal remains active during the threshold voltage detection period;
The scan signal remains active during the data write period, while the initialization signal, the sense signal, and the emission control signal remain inactive;
A data signal is supplied to the data line during the data writing period;
Wherein the scan signal, the reset signal, and the sense signal are maintained in an inactive state while the emission control signal is in an active state or an inactive state sequentially or in an active state during the light emission period, Device.
액티브 상태에서의 발광제어신호의 펄스폭이 액티브 상태에서의 감지신호의 펄스폭과 동일하며;
p번째(p는 자연수) 화소와 p+x번째(x는 자연수) 화소가 서로 다른 화소행에 위치하며;
상기 p번째 화소에 공급되는 스캔신호와 상기 p+x번째 화소에 공급되는 스캔신호의 위상이 서로 다르며;
상기 p번째 화소에 공급되는 발광제어신호와 상기 p+x번째 화소에 공급되는 감지신호의 위상이 동일하며;
상기 p번째 화소의 발광제어스위칭소자에 접속된 발광제어라인과 상기 p+x번째 화소의 감지스위칭소자에 접속된 감지라인이 서로 연결된 것을 특징으로 하는 발광표시장치. The method of claim 3,
The pulse width of the light emission control signal in the active state is equal to the pulse width of the detection signal in the active state;
the pth (p is a natural number) pixel and the (p + x) th (x is a natural number) pixel are located on different pixel rows;
A scan signal supplied to the p-th pixel and a scan signal supplied to the p + x-th pixel are different in phase from each other;
The emission control signal supplied to the p-th pixel and the detection signal supplied to the p + x-th pixel are the same in phase;
Wherein the emission control line connected to the emission control switching element of the pth pixel and the sensing line connected to the sensing switching element of the p + xth pixel are connected to each other.
각 화소가,
상기 스캔신호에 따라 제어되며, 상기 기준전원라인과 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 3 기준스위칭소자를 더 포함함을 특징으로 하는 발광표시장치.The method of claim 3,
Each pixel has,
Further comprising a third reference switching element controlled according to the scan signal and connected between the reference power line and the second node.
상기 제 2 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 게이트-소스 커패시터를 더 포함함을 특징으로 하는 발광표시장치.The method according to claim 1 or 3,
And a gate-source capacitor connected between the second node and the third node.
상기 초기전압이 기준전압보다 작으며, 상기 기준전압은 상기 제 2 구동전압보다 작으며, 그리고 상기 제 2 구동전압이 상기 제 1 구동전압보다 작음을 특징으로 하는 발광표시장치.The method according to claim 1 or 3,
Wherein the initial voltage is less than a reference voltage, the reference voltage is less than the second driving voltage, and the second driving voltage is less than the first driving voltage.
각 화소가,
스캔라인으로부터의 스캔신호에 따라 제어되며, 데이터 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 데이터스위칭소자;
감지라인으로부터의 감지신호에 따라 제어되며, 기준전압을 전송하는 기준전원라인과 상기 제 1 노드 사이에 접속된 기준스위칭소자;
발광제어라인으로부터의 발광제어신호에 따라 제어되며, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 발광제어스위칭소자;
상기 제 2 노드의 전압에 따라 제어되며, 발광다이오드의 캐소드전극과 제 3 노드 사이에 접속된 구동스위칭소자;
초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 제 3 노드와 초기전압을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된 초기스위칭소자;
상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 1 스토리지 커패시터; 및
상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스토리지 커패시터를 포함하며;
상기 발광다이오드의 애노드전극이 제 1 구동전압을 전송하는 제 1 구동전원라인에 접속되며;
상기 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호는 순차적으로 발생되는 초기화기간, 문턱전압검출기간, 데이터기입기간 및 발광기간에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화하며;
상기 초기화기간 동안 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 문턱전압검출기간 동안 상기 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 데이터기입기간 동안 상기 스캔신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 데이터기입기간 동안 상기 데이터 라인으로 데이터 신호가 공급되며;
상기 발광기간 동안 상기 발광제어신호가 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 가지거나, 또는 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호, 초기화신호 및 감지신호가 비액티브 상태로 유지됨을 특징으로 하는 발광표시장치.A plurality of pixels for displaying an image;
Each pixel has,
A data switching element controlled in accordance with a scan signal from the scan line and connected between the data line and the first node;
A reference switching element connected between a reference power supply line for transmitting a reference voltage and the first node, the reference switching element being controlled according to a sensing signal from the sensing line;
A light emission control switching element controlled in accordance with a light emission control signal from the light emission control line and connected between the first node and the second node;
A driving switching element controlled in accordance with the voltage of the second node and connected between the cathode electrode of the light emitting diode and the third node;
An initial switching element controlled in accordance with an initialization signal from an initialization line and connected between the third node and an initial power supply line for transmitting an initial voltage;
A first storage capacitor connected between the first node and the third node; And
And a second storage capacitor connected between the first node and the second node;
An anode electrode of the light emitting diode is connected to a first driving power supply line for transmitting a first driving voltage;
Wherein the scan signal, the initialization signal, the emission control signal, and the sensing signal change to an active state or an inactive state based on sequentially generated initialization period, threshold voltage detection period, data writing period, and light emission period;
During the initialization period, the initialization signal, the sensing signal, and the emission control signal are kept active, while the scan signal is kept inactive;
The initialization signal, the scan signal, and the emission control signal remain inactive while the sense signal remains active during the threshold voltage detection period;
The scan signal remains active during the data write period, while the initialization signal, the sense signal, and the emission control signal remain inactive;
A data signal is supplied to the data line during the data writing period;
Wherein the scan signal, the initialization signal, and the sensing signal are maintained in an inactive state while the emission control signal is in an active state or an inactive state sequentially or in an active state during the light emission period, Device.
각 화소가,
스캔라인으로부터의 스캔신호에 따라 제어되며, 데이터 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 데이터스위칭소자;
감지라인으로부터의 감지신호에 따라 제어되며, 기준전압을 전송하는 기준전원라인과 상기 제 1 노드 사이에 접속된 제 1 기준스위칭소자;
초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 기준전원라인과 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 기준스위칭소자;
발광제어라인으로부터의 발광제어신호에 따라 제어되며, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 발광제어스위칭소자;
상기 제 2 노드의 전압에 따라 제어되며, 발광다이오드의 캐소드전극과 제 3 노드 사이에 접속된 구동스위칭소자;
상기 초기화라인으로부터의 초기화신호에 따라 제어되며, 상기 제 3 노드와 초기전압을 전송하는 초기전원라인 사이에 접속된 초기스위칭소자;
상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 1 스토리지 커패시터; 및,
상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스토리지 커패시터를 포함하며;
상기 발광다이오드의 애노드전극이 제 1 구동전압을 전송하는 제 1 구동전원라인에 접속되며;
상기 스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호 및 감지신호는 순차적으로 발생되는 초기화기간, 문턱전압검출기간, 데이터기입기간 및 발광기간에 근거하여 액티브 상태 또는 비액티브 상태로 변화하며;
상기 초기화기간 동안 상기 초기화신호 및 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 문턱전압검출기간 동안 상기 감지신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 스캔신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 데이터기입기간 동안 상기 스캔신호가 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 초기화신호, 감지신호 및 발광제어신호가 비액티브 상태로 유지되며;
상기 데이터기입기간 동안 상기 데이터 라인으로 데이터 신호가 공급되며;
상기 발광기간 동안 상기 발광제어신호가 액티브 상태 및 비액티브 상태를 순차적으로 가지거나, 또는 액티브 상태로 유지되는 반면, 상기 스캔신호, 초기화신호 및 감지신호가 비액티브 상태로 유지됨을 특징으로 하는 발광표시장치.A plurality of pixels for displaying an image;
Each pixel has,
A data switching element controlled in accordance with a scan signal from the scan line and connected between the data line and the first node;
A first reference switching element connected between a reference power supply line for transmitting a reference voltage and the first node, the first reference switching element being controlled according to a sensing signal from the sensing line;
A second reference switching element controlled in accordance with an initialization signal from an initialization line, the second reference switching element being connected between the reference power supply line and a second node;
A light emission control switching element controlled in accordance with a light emission control signal from the light emission control line and connected between the first node and the second node;
A driving switching element controlled in accordance with the voltage of the second node and connected between the cathode electrode of the light emitting diode and the third node;
An initial switching device controlled in accordance with an initialization signal from the initialization line and connected between the third node and an initial power supply line for transmitting an initial voltage;
A first storage capacitor connected between the first node and the third node; And
And a second storage capacitor connected between the first node and the second node;
An anode electrode of the light emitting diode is connected to a first driving power supply line for transmitting a first driving voltage;
Wherein the scan signal, the initialization signal, the emission control signal, and the sensing signal change to an active state or an inactive state based on sequentially generated initialization period, threshold voltage detection period, data writing period, and light emission period;
During the initialization period, the initialization signal and the sense signal are kept active, while the scan signal and the emission control signal are kept inactive.
The initialization signal, the scan signal, and the emission control signal remain inactive while the sense signal remains active during the threshold voltage detection period;
The scan signal remains active during the data write period, while the initialization signal, the sense signal, and the emission control signal remain inactive;
A data signal is supplied to the data line during the data writing period;
Wherein the scan signal, the reset signal, and the sense signal are maintained in an inactive state while the emission control signal is in an active state or an inactive state sequentially or in an active state during the light emission period, Device.
각 화소가,
상기 스캔신호에 따라 제어되며, 상기 기준전원라인과 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 3 기준스위칭소자를 더 포함함을 특징으로 하는 발광표시장치.10. The method of claim 9,
Each pixel has,
Further comprising a third reference switching element controlled according to the scan signal and connected between the reference power line and the second node.
상기 데이터스위칭소자, 기준스위칭소자, 발광제어스위칭소자, 구동스위칭소자 및 초기스위칭소자가 모두 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 발광표시장치.The method according to claim 1 or 8,
Wherein the data switching element, the reference switching element, the emission control switching element, the driving switching element, and the initial switching element are all formed of an n-type transistor or a p-type transistor.
상기 데이터스위칭소자, 제 1 기준스위칭소자, 제 2 기준스위칭소자, 발광제어스위칭소자, 구동스위칭소자 및 초기스위칭소자가 모두 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 발광표시장치.10. The method according to claim 3 or 9,
Wherein the data switching element, the first reference switching element, the second reference switching element, the emission control switching element, the driving switching element, and the initial switching element are all formed of an n-type transistor or a p-type transistor.
상기 데이터스위칭소자, 제 1 기준스위칭소자, 제 2 기준스위칭소자, 제 3 기준스위칭소자, 발광제어스위칭소자, 구동스위칭소자 및 초기스위칭소자가 모두 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 발광표시장치.11. The method according to claim 5 or 10,
The data switching element, the first reference switching element, the second reference switching element, the third reference switching element, the light emission control switching element, the driving switching element, and the initial switching element are all formed of either an n-type transistor or a p- .
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