KR20150070497A - Organic light emitting display device and method for driving thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting display device capable of correcting the threshold voltage of a switching transistor included in a pixel, and a method for driving the same. An organic light emitting display device according to the present invention includes: a display panel which has multiple pixels which include an organic light emitting device, a driving transistor of controlling a current flowing along the driving light emitting device, a first switching transistor of supplying a data voltage to a first node as the gate electrode of the driving transistor, and a second switching transistor of supplying a voltage supplied to a reference line to a second node between the organic light emitting device and the driving transistor; and a panel driving part which operates the pixel with a sensing mode or a display mode. In the sensing mode, the panel driving part fixes the voltage level of a first gate high voltage supplied to the gate electrode of the second switching transistor, changes the voltage level of a second gate high voltage supplied to the gate electrode of the first switching transistor by frame unit, and senses the threshold voltage of the first switching transistor included in a corresponding pixel through the reference line of each pixel.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a driving method thereof.

최근, 평판 표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치가 상용화되고 있다. 이러한, 평판 표시 장치 중에서 유기 발광 표시 장치는 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, the importance of flat panel display devices has been increasing with the development of multimedia. In response to this, flat panel display devices such as liquid crystal display devices, plasma display devices, and organic light emitting display devices have been commercialized. Among such flat panel display devices, organic light emitting display devices have attracted attention as a next generation flat panel display device because they have a high response speed, low power consumption, and self light emission, so that there is no problem in viewing angle.

도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.1 is a circuit diagram for explaining a pixel structure of a general organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소(P)는 스위칭 트랜지스터(Tsw), 구동 트랜지스터(Tdr), 커패시터(Cst), 및 유기 발광 소자(OLED)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a pixel P of a general organic light emitting display includes a switching transistor Tsw, a driving transistor Tdr, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode (OLED).

상기 스위칭 트랜지스터(Tsw)는 스캔 라인(SL)에 공급되는 스캔 펄스(SP)에 따라 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(Tdr)에 공급한다. 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 스위칭 트랜지스터(Tsw)로부터 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 따라 스위칭되어 구동 전원 라인으로부터 공급되는 구동 전원(EVdd)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 데이터 전류(Ioled)를 제어한다. 상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자와 소스 단자 사이에 접속되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 트랜지스터(Tdr)의 턴-온시킨다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자와 캐소드 라인(EVss) 사이에 전기적으로 접속되어 구동 트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 데이터 전류(Ioled)에 의해 발광한다. 이러한 일반적인 유기 발광 표시 장치의 각 화소(P)는 데이터 전압(Vdata)에 따른 구동 트랜지스터(Tdr)의 스위칭을 이용하여 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 데이터 전류(Ioled)의 크기를 제어하여 유기 발광 소자(OLED)를 발광시킴으로써 소정의 영상을 표시하게 된다.The switching transistor Tsw is switched according to the scan pulse SP supplied to the scan line SL and supplies the data voltage Vdata supplied to the data line DL to the drive transistor Tdr. The driving transistor Tdr is switched in accordance with the data voltage Vdata supplied from the switching transistor Tsw and supplies the data current Ioled flowing from the driving power supply line EVdd supplied from the driving power supply line to the organic light emitting diode OLED . The capacitor Cst is connected between the gate terminal and the source terminal of the driving transistor Tdr to store a voltage corresponding to the data voltage Vdata supplied to the gate terminal of the driving transistor Tdr, (Tdr). The organic light emitting diode OLED is electrically connected between the source terminal of the driving transistor Tdr and the cathode line EVss and emits light by the data current Ioled supplied from the driving transistor Tdr. Each pixel P of the general organic light emitting display device controls the magnitude of the data current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED by using the switching of the driving transistor Tdr according to the data voltage Vdata, And a predetermined image is displayed by causing the element OLED to emit light.

이와 같은, 일반적인 유기 발광 표시 장치에서는 박막 트랜지스터의 제조 공정의 불균일성에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)/이동도(Mobility) 특성이 유기 발광 표시 패널의 위치에 따라 다르게 나타나는 문제점이 있다. 이에 따라, 일반적인 유기 발광 표시 장치에서는 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)에 동일한 데이터 전압(Vdata)을 인가하더라도 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류의 편차로 인해 균일한 화질을 구현할 수 없다는 문제점이 있다.In such a general organic light emitting display device, the threshold voltage Vth / mobility characteristic of the driving transistor Tdr varies depending on the position of the organic light emitting display panel depending on the non-uniformity of the manufacturing process of the thin film transistor . Accordingly, in a general organic light emitting display device, even if the same data voltage (Vdata) is applied to the driving transistor Tdr of each pixel P, a uniform image quality can not be realized due to a variation in current flowing through the organic light emitting diode OLED There is a problem.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0076215호(이하, "선행기술문헌"이라 함)의 유기전계발광표시장치는 각 화소에 센서 트랜지스터를 추가하고, 스위칭 트랜지스터와 센서 트랜지스터의 스위칭을 이용해 센서 트랜지스터에 연결된 레퍼런스 라인을 통해 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 외부 보상 기술이 개시되어 있다.In order to solve such a problem, an organic electroluminescent display device of Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2012-0076215 (hereinafter referred to as "prior art document") adds a sensor transistor to each pixel, Discloses an external compensation technique for compensating a threshold voltage of a driving transistor by sensing a threshold voltage of a driving transistor through a reference line connected to a sensor transistor using switching of the driving transistor.

그러나, 상기 선행기술문헌의 유기 발광 표시 장치에서는 외부 보상 기술을 통해 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 보상할 수 있지만, 고온 장시간 구동에 따른 전압 스트레스(voltage stress)로 인하여 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)/이동도(Mobility) 특성이 변화함에 따라 휘도 저하가 발생되고 이로 인하여 수명이 감소한다는 문제점이 있다. 즉, 상기 선행기술문헌의 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터는 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 역할을 하는 것으로, 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압이 변화될 경우, 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화량에 따라 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압이 변화되므로 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 원하는 데이터 전압을 공급할 수 없게 된다.However, in the organic light emitting display device of the prior art document, the threshold voltage of the driving transistor Tdr can be compensated by the external compensation technique. However, due to the voltage stress due to the driving at a high temperature for a long time, Vth) / mobility characteristics are changed, the luminance is lowered and the lifetime is reduced. That is, the switching transistor included in the pixel of the prior art document serves to supply the data voltage to the gate electrode of the driving transistor. When the threshold voltage of the switching transistor is changed, The gate-source voltage of the driving transistor is changed, so that the desired data voltage can not be supplied to the gate electrode of the driving transistor.

따라서, 각 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)/이동도(Mobility) 특성을 센싱하고, 보상할 수 있는 방안이 필요하다.Therefore, it is necessary to measure and compensate the threshold voltage (Vth) / mobility characteristic of the switching transistor included in each pixel.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 화소에 포함된 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 보상할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode (OLED) display device capable of compensating a threshold voltage of a switching transistor included in a pixel and a driving method thereof.

또한, 본 발명은 화소에 포함된 구동 트랜지스터와 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 동시에 보상할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of driving the same that can simultaneously compensate a threshold voltage of a driving transistor and a switching transistor included in a pixel.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be obvious to those skilled in the art from the description and the claims.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자, 상기 구동 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극인 제 1 노드에 데이터 전압을 공급하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 및 레퍼런스 라인에 공급되는 전압을 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이인 제 2 노드에 공급하는 제 2 스위칭 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소를 가지는 표시 패널; 및 상기 복수의 화소를 센싱 모드 또는 표시 모드로 구동하는 패널 구동부를 포함하며, 상기 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 1 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 고정하고, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 프레임 단위로 가변하면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: an organic light emitting diode; a driving transistor for controlling a current flowing through the driving light emitting diode; a first transistor for supplying a data voltage to a first node, A display panel having a first switching transistor and a second switching transistor for supplying a voltage supplied to a reference line to a second node between the organic light emitting element and the driving transistor; And a panel driving unit for driving the plurality of pixels in a sensing mode or a display mode, wherein in the sensing mode, the panel driving unit sets the voltage level of the first gate high voltage supplied to the gate electrode of the second switching transistor to a fixed A threshold voltage of the first switching transistor included in the corresponding pixel is sensed through the reference line of each pixel while varying a voltage level of a second gate high voltage supplied to the gate electrode of the first switching transistor in units of a frame, .

상기 패널 구동부는 상기 프레임 단위마다 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 설정된 전압 레벨만큼 단계적으로 높이는 것을 특징으로 한다.And the panel driving unit steps the voltage level of the second gate high voltage stepwise by the set voltage level for each frame unit.

상기 패널 구동부는 상기 프레임 단위마다 상기 레퍼런스 라인의 전압을 센싱하여 각 프레임의 센싱 데이터를 생성하고, 각 프레임의 센싱 데이터에 기초하여 상기 각 화소에 포함된 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 산출하는 것을 특징으로 한다.The panel driver senses the voltage of the reference line for each frame unit to generate sensing data of each frame and calculates a threshold voltage of the first switching transistor included in each pixel based on sensing data of each frame .

상기 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 스위칭을 통해 상기 구동 트랜지스터를 포화(saturation) 구동 모드로 동작시키면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 메모리부에 저장하는 것을 특징으로 한다.In the sensing mode, the panel driver operates the driving transistor in the saturation driving mode through the switching of the first and second switching transistors, and drives the driving transistor in the sensing transistor through the reference line of each pixel. And stores the sensed threshold voltage in the memory unit.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법은 유기 발광 소자, 상기 구동 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극인 제 1 노드에 데이터 전압을 공급하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 및 레퍼런스 라인에 공급되는 전압을 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이인 제 2 노드에 공급하는 제 2 스위칭 트랜지스터를 가지는 복수의 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 복수의 화소 각각을 센싱 모드로 구동하는 단계(A); 및 상기 복수의 화소 각각을 표시 모드로 구동하는 단계(B)를 포함하며, 상기 단계(A)는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 1 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 고정하고, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 프레임 단위로 가변하면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting diode display, the method including driving an organic light emitting diode, a driving transistor for controlling a current flowing through the driving light emitting diode, And a second switching transistor for supplying a voltage supplied to the reference line to a second node between the organic light emitting element and the driving transistor, A method comprising: (A) driving each of the plurality of pixels in a sensing mode; And (B) driving each of the plurality of pixels in a display mode, wherein the step (A) fixes a voltage level of a first gate high voltage supplied to the gate electrode of the second switching transistor, Sensing the threshold voltage of the first switching transistor included in the pixel through the reference line of each pixel while varying the voltage level of the second gate high voltage supplied to the gate electrode of the first switching transistor in frame units .

상기 단계(A)에서, 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨은 설정된 전압 레벨만큼 상기 프레임 단위마다 단계적으로 높아질 수 있다.In the step (A), the voltage level of the second gate high voltage may be increased stepwise for each frame unit by a set voltage level.

상기 단계(A)는 상기 프레임 단위마다 상기 레퍼런스 라인의 전압을 센싱하여 각 프레임의 센싱 데이터를 생성하는 단계(A1); 및 각 프레임의 센싱 데이터에 기초하여 상기 각 화소에 포함된 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 산출하는 단계(A2)를 포함할 수 있다.The step (A) comprises: (A1) sensing voltage of the reference line per frame unit to generate sensing data of each frame; And a step (A2) of calculating a threshold voltage of the first switching transistor included in each pixel based on sensing data of each frame.

상기 단계(A)는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 스위칭을 통해 상기 구동 트랜지스터를 포화(saturation) 구동 모드로 동작시키면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 메모리부에 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.Wherein the driving transistor is operated in a saturation driving mode through the switching of the first and second switching transistors and the threshold voltage of the driving transistor included in the corresponding pixel through the reference line of each pixel, And storing the sensed data in the memory unit.

상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.According to the solution of the above-mentioned problems, the present invention has the following effects.

첫째, 데이터 전압을 구동 트랜지스터에 전달하는 역할을 하는 스위칭 트랜지스터를 스위칭시키는 스캔 펄스의 게이트 하이 전압을 가변함으로써 스위칭 트랜지스터의 전압 전달율 변화를 이용해 스위칭 트랜지스터의 특성 변화를 센싱할 수 있다.First, by varying the gate high voltage of the scan pulse for switching the switching transistor, which serves to transfer the data voltage to the driving transistor, a change in the characteristics of the switching transistor can be sensed by using the voltage transfer rate change of the switching transistor.

둘째, 센싱 모드에 의해 센싱된 스위칭 트랜지스터의 특성 변화에 기초하여 스캔 펄스의 게이트 하이 전압을 최적화함으로써 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압 변화에 따른 전압 전달율의 저하를 방지하고, 이를 통해 유기 발광 표시 장치의 고온 장시간 구동에 따른 신뢰성 및 수명을 확보할 수 있다.Second, by optimizing the gate high voltage of the scan pulse based on the change in the characteristics of the switching transistor sensed by the sensing mode, the voltage transfer rate is prevented from being lowered according to the threshold voltage change of the switching transistor, It is possible to secure reliability and lifetime in accordance with driving.

셋째, 각 화소에 포함된 구동 트랜지스터와 스위칭 트랜지스터의 특성 변화를 각각 센싱하고 이를 기반으로 데이터 보정과 스캔 펄스의 게이트 하이 전압을 최적함으로써 구동 트랜지스터와 스위칭 트랜지스터의 특성 변화를 동시에 보상할 수 있다.Third, the characteristic changes of the driving transistor and the switching transistor included in each pixel are sensed, and the data correction and the gate high voltage of the scan pulse are optimized based on this, so that the characteristics of the driving transistor and the switching transistor can be simultaneously compensated.

도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 각 화소의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 컬럼(column) 구동부를 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 1 센싱 모드의 화소 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 1 센싱 모드의 구동 파형도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 2 센싱 모드의 화소 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 2 센싱 모드의 구동 파형도이다.
도 9는 본 발명에 있어서, 제 2 게이트 하이 전압의 가변에 따른 센싱 전압을 측정한 시뮬레이션 파형도이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 표시 모드시 구동 파형도이다.
1 is a circuit diagram for explaining a pixel structure of a general organic light emitting display device.
2 is a view for explaining an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
3 is a view schematically showing the structure of each pixel shown in FIG.
FIG. 4 is a block diagram for explaining a column driver shown in FIG. 2. FIG.
5 is a view for explaining a pixel operation in the first sensing mode in the organic light emitting display according to the embodiment of the present invention.
6 is a driving waveform diagram of the first sensing mode in the OLED display according to the embodiment of the present invention.
7 is a diagram for explaining pixel operation in a second sensing mode in an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
8 is a driving waveform diagram of the second sensing mode in the OLED display according to the embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a simulation waveform diagram in which a sensing voltage according to a variation of the second gate high voltage is measured in the present invention. FIG.
10 is a driving waveform diagram in the display mode in the organic light emitting diode display according to the embodiment of the present invention.

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. The meaning of the terms described herein should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the right should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the organic light emitting diode display and the driving method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 각 화소의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view schematically showing the structure of each pixel shown in FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널(100), 및 패널 구동부(200)를 포함하여 구성된다.2 and 3, the organic light emitting diode display according to the embodiment of the present invention includes a display panel 100 and a panel driver 200.

상기 표시 패널(100)은 제 1 내지 제 m(단, m은 자연수) 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm), 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm), 제 1 내지 제 n(단, n은 m보다 큰 자연수) 데이터 라인(DL1 내지 DLn), 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn), 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn), 캐소드 전극(미도시), 및 복수의 화소(P)를 포함한다.The display panel 100 includes first to mth scan control lines SL1 to SLm, first to mth sensing control lines SSL1 to SSLm, first to nth scan control lines SL1 to SLm, (n is a natural number greater than m) data lines DL1 to DLn, first to nth reference lines RL1 to RLn, first to nth driving power lines PL1 to PLn, a cathode electrode And includes a plurality of pixels (P).

상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각은 상기 표시 패널(100)의 제 1 방향, 즉 가로 방향을 따라 일정한 간격을 가지도록 나란하게 형성된다.Each of the first to mth scan control lines SL1 to SLm is formed in parallel to the display panel 100 so as to be spaced apart from each other along the first direction, i.e., the horizontal direction.

상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm) 각각은 상기 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성된다.Each of the first through m-th sensing control lines SSL1 through SSLm is formed at regular intervals so as to be parallel to each of the scan control lines SL1 through SLm.

상기 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)은 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 및 센싱 제어 라인들(SSL1 내지 SSLm) 각각과 교차하도록 상기 표시 패널(100)의 제 2 방향, 즉 세로 방향을 따라 일정한 간격을 가지도록 나란하게 형성된다.The first to the n-th data lines DL1 to DLn are connected to the scan control lines SL1 to SLm and the sensing control lines SSL1 to SSLm in the second direction of the display panel 100, And are formed so as to be spaced apart from each other at regular intervals along the longitudinal direction.

상기 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각은 상기 데이터 라인(DL1 내지 DLn) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성된다.Each of the first to nth reference lines RL1 to RLn is formed at regular intervals so as to be parallel to the data lines DL1 to DLn.

상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성된다. 여기서, 상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성될 수도 있다. 이러한 상기 제 1 내지 제 n 구동 전원 라인(PL1 내지 PLn) 각각은 상기 표시 패널(100)의 상측 및/또는 하측에 형성된 구동 전원 공통 라인(CPL)에 공통적으로 연결될 수 있다.Each of the first to nth driving power supply lines PL1 to PLn is formed at regular intervals to be parallel to the data lines DL1 to DLn. Here, each of the first to nth driving power supply lines PL1 to PLn may be formed at regular intervals so as to be parallel to each of the scan control lines SL1 to SLm. Each of the first to nth driving power supply lines PL1 to PLn may be commonly connected to a driving power supply common line CPL formed on the upper side and / or the lower side of the display panel 100. [

상기 캐소드 전극은 상기 표시 패널(100)의 전면(全面)에 통자로 형성되거나 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 또는 상기 스캔 제어 라인들(SL1 내지 SLm) 각각과 나란하도록 일정한 간격으로 형성될 수도 있다.The cathode electrode may be formed on the entire surface of the display panel 100 or may be formed at regular intervals to be parallel to the data lines DL1 to DLn or the scan control lines SL1 to SLm have.

상기 복수의 화소(P) 각각은 서로 교차하는 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각과 상기 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn) 각각에 의해 정의되는 화소 영역마다 형성된다. 여기서, 복수의 화소(P) 각각은 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소 중 어느 하나일 수 있다. 하나의 영상을 표시하는 하나의 단위 화소는 인접한 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소를 포함하거나, 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있다.Each of the plurality of pixels P is formed for each pixel region defined by each of the first to m-th scan control lines SL1 to SLm and the first to the n-th data lines DL1 to DLn, do. Here, each of the plurality of pixels P may be any one of a red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel. One unit pixel for displaying one image may include an adjacent red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel, or may include a red pixel, a green pixel, and a blue pixel.

상기 복수의 화소(P) 각각은 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1), 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2), 구동 트랜지스터(Tdr), 커패시터(Cst), 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 여기서, 트랜지스터(Tsw1, Tsw2, Tdr)는 박막 트랜지스터(TFT)로서 a-Si TFT, poly-Si TFT, Oxide TFT, Organic TFT 등이 될 수 있다.Each of the plurality of pixels P may include a first switching transistor Tsw1, a second switching transistor Tsw2, a driving transistor Tdr, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. Here, the transistors Tsw1, Tsw2, and Tdr may be an a-Si TFT, a poly-Si TFT, an oxide TFT, an organic TFT, or the like as the thin film transistor TFT.

상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 출력한다. 이를 위해, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)은 인접한 스캔 제어 라인(SCL)에 연결된 게이트 전극, 인접한 데이터 라인(DL)에 연결된 소스 전극, 및 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극인 제 1 노드(n1)에 연결된 드레인 전극을 포함한다.The first switching transistor Tsw1 is switched by the first scan pulse SP1 and outputs a data voltage Vdata supplied to the data line DL. The first switching transistor Tsw1 includes a gate electrode connected to an adjacent scan control line SCL, a source electrode connected to an adjacent data line DL, and a first node lt; RTI ID = 0.0 > n1. < / RTI >

상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)는 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 스위칭되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 전압(Vref or Vpre)을 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제 2 노드(n2)에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)는 인접한 센싱 제어 라인(SSCL)에 연결된 게이트 전극, 인접한 레퍼런스 라인(RL)에 연결된 소스 전극, 및 제 2 노드(n2)에 연결된 드레인 전극을 포함한다.The second switching transistor Tsw2 is switched by the second scan pulse SP2 to apply a voltage Vref or Vpre supplied to the reference line RL to the second node n2 which is the source electrode of the driving transistor Tdr, . To this end, the second switching transistor Tsw2 includes a gate electrode connected to an adjacent sensing control line SSCL, a source electrode connected to an adjacent reference line RL, and a drain electrode connected to the second node n2.

상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 소스 전극, 즉 제 1 및 제 2 노드(n1, n2) 간에 접속되는 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 상기 커패시터(Cst)의 제 1 전극은 상기 제 1 노드(n1)에 연결되고, 상기 커패시터(Cst)의 제 2 전극은 상기 제 2 노드(n2)에 연결된다. 이러한 상기 커패시터(Cst)는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 스위칭에 따라 제 1 및 제 2 노드(n1, n2) 각각에 공급되는 전압의 차 전압을 충전한 후, 충전된 전압에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)를 스위칭시킨다.The capacitor Cst includes first and second electrodes connected between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor Tdr, that is, the first and second nodes n1 and n2. A first electrode of the capacitor Cst is connected to the first node n1 and a second electrode of the capacitor Cst is connected to the second node n2. The capacitor Cst charges the difference voltage of the voltage supplied to the first and second nodes n1 and n2 according to the switching of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2, So that the driving transistor Tdr is switched according to the applied voltage.

상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 커패시터(Cst)의 전압에 의해 턴-온됨으로써 구동 전원 라인(PL)으로부터 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 전류 량을 제어한다. 이를 위해, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 제 1 노드(n1)에 연결된 게이트 전극, 상기 제 2 노드(n2)에 연결된 소스 전극, 및 구동 전원 라인(PL)에 연결된 드레인 전극을 포함한다.The driving transistor Tdr controls the amount of current flowing from the driving power supply line PL to the organic light emitting diode OLED by being turned on by the voltage of the capacitor Cst. To this end, the driving transistor Tdr includes a gate electrode connected to the first node n1, a source electrode connected to the second node n2, and a drain electrode connected to the driving power supply line PL.

상기 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 데이터 전류(Ioled)에 의해 발광하여 데이터 전류(Ioled)에 대응되는 휘도를 가지는 단색 광을 방출한다. 이를 위해, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 제 2 노드(n2)에 연결된 제 1 전극(예를 들어, 애노드 전극), 제 1 전극 상에 형성된 유기층(미도시), 및 유기층에 연결된 제 2 전극(예를 들어, 캐소드 전극)을 포함한다. 이때, 유기층은 정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층의 구조 또는 정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가지도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 유기층은 유기 발광층의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 기능층을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제 2 전극은 복수의 화소(P) 각각에 개별적으로 연결되거나, 복수의 화소(P)에 공통적으로 연결될 수 있으며, 이러한 상기 제 2 전극에는 저전위 전원(EVss)이 공급된다.The organic light emitting diode OLED emits a monochromatic light having a luminance corresponding to the data current Ioled by emitting a data current Ioled supplied from the driving transistor Tdr. For this, the OLED includes a first electrode (for example, an anode electrode) connected to the second node n2, an organic layer (not shown) formed on the first electrode, and a second electrode Electrode (e. G., A cathode electrode). At this time, the organic layer may have a structure of a hole transporting layer / an organic light emitting layer / an electron transporting layer or a structure of a hole injecting layer / a hole transporting layer / an organic light emitting layer / an electron transporting layer / an electron injecting layer. Further, the organic layer may further include a functional layer for improving the luminous efficiency and / or lifetime of the organic light emitting layer. The second electrode may be individually connected to each of the plurality of pixels P, or may be commonly connected to the plurality of pixels P, and the low potential power source EVss is supplied to the second electrode.

상기 패널 구동부(200)는 상기 표시 패널(100)을 제 1 센싱 모드, 제 2 센싱 모드, 또는 표시 모드로 구동한다.The panel driver 200 drives the display panel 100 in a first sensing mode, a second sensing mode, or a display mode.

상기 제 1 센싱 모드는 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 상기 표시 패널(100)의 구동으로 정의될 수 있고, 상기 제 2 센싱 모드는 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 상기 표시 패널(100)의 구동으로 정의될 수 있다. 여기서, 상기 제 1 및 제 2 센싱 모드는 유기 발광 표시 장치의 제품 출하 전 검사 공정, 설정된 주기, 유기 발광 표시 장치의 전원 온/오프 시점, 또는 사용자 설정마다 수행될 수 있다.The first sensing mode may be defined as driving the display panel 100 to sense a threshold voltage of a driving transistor Tdr included in each pixel P and the second sensing mode may be defined as driving each pixel P The threshold voltage of the first switching transistor Tswl included in the display panel 100 may be defined as the driving of the display panel 100 for sensing the threshold voltage of the first switching transistor Tswl. Here, the first and second sensing modes may be performed for each pre-shipment inspection process of the OLED display, a set period, a power on / off point of the OLED display, or a user setting.

상기 표시 모드는 상기 센싱 모드에 의해 센싱된 상기 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압이 보상된 화소 데이터(DATA)와 상기 각 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초한 전압 레벨을 가지는 제 1 스캔 펄스(SP1)를 이용하여 각 화소(P)에 영상을 표시하기 위한 상기 표시 패널(100)의 구동으로 정의될 수 있다.The display mode is a mode in which the threshold voltage of the driving transistor Tdr of each pixel P sensed by the sensing mode is compensated for and the pixel data DATA of the first switching transistor Tsw1 of each pixel P May be defined as driving the display panel 100 to display an image on each pixel P using a first scan pulse SP1 having a voltage level based on a threshold voltage.

상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부(200)는 각 화소(P)에 포함된 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각의 게이트 전압을 고정하여 상기 구동 트랜지스터(Tdr)를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시키면서 상기 레퍼런스 라인(RL)을 통해 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압을 센싱하여 제 1 센싱 데이터(Sdata_Tdr)를 생성하고, 상기 제 1 센싱 데이터(Sdata_Tdr)에 기초하여 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)에 대한 문턱 전압을 산출하여 메모리(미도시)에 저장한다. 그리고, 상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부(200)는 메모리에 저장된 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)에 대한 문턱 전압에 대응되는 보상 값을 산출하고, 산출된 보상 값과 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)에 대한 초기(또는 이전) 보상 값의 보상 편차 값을 산출한 다음, 산출된 보상 편차 값을 초기(또는 이전) 보상 값에 가산하거나 감산하여 각 화소(P)의 보상 데이터를 생성해 메모리부(212)에 저장한다.In the first sensing mode, the panel driver 200 fixes the gate voltages of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 included in each pixel P, The first sensing data Sdata_Tdr is generated by sensing the source voltage of the driving transistor Tdr through the reference line RL while operating in a source follow mode and generating first sensing data Sdata_Tdr based on the first sensing data Sdata_Tdr, And calculates a threshold voltage for the driving transistor Tdr of each pixel P and stores it in a memory (not shown). In the first sensing mode, the panel driver 200 calculates a compensation value corresponding to the threshold voltage of the driving transistor Tdr of each pixel P stored in the memory, (Or previous) compensation value for the driving transistor Tdr of each pixel P stored in the storage unit 212 and then outputs the calculated compensation deviation value to the initial (or previous) compensation value And generates and stores compensation data of each pixel P in the memory unit 212. [

상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부(200)는 각 화소(P)에 포함된 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 게이트 전압을 고정함과 아울러 프레임 단위로 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트 전압을 단계적으로 가변하여 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시키면서 상기 레퍼런스 라인(RL)을 통해 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압을 센싱하여 각 프레임의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw1)를 생성하고, 각 프레임의 상기 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw1)과 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)에 대한 문턱 전압에 기초하여 각 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)에 대한 문턱 전압을 산출하여 메모리(미도시)에 저장한다.In the second sensing mode, the panel driver 200 fixes the gate voltage of the second switching transistor Tsw2 included in each pixel P, and controls the gate voltage of the first switching transistor Tsw1 The source voltage of the driving transistor Tdr is sensed through the reference line RL while the first switching transistor Tsw1 is operated in a source follow mode by varying the gate voltage stepwise, 2 based on the second sensing data Sdata_Tsw1 of each frame and the threshold voltage of the driving transistor Tdr of each pixel P stored in the memory unit 212 The threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 of each pixel P is calculated and stored in a memory (not shown).

상기 표시 모드에서, 상기 패널 구동부(200)는 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)의 보상 데이터에 기초하여 각 화소(P)의 입력 데이터를 보정하여 보정된 데이터에 대응되는 데이터 전압을 해당 화소(P)에 공급하고, 이와 동기되도록 메모리부(212)에 저장되어 있는 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 따라 설정된 전압 레벨을 가지는 제 1 스캔 펄스(SP1)를 상기 스캔 제어 라인(SL)에 공급한다. 상기 패널 구동부(200)는 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)와 동시에 기준 전압 레벨을 가지는 제 2 스캔 펄스(SP2)를 상기 센싱 제어 라인(SSL)에 공급할 수도 있다.In the display mode, the panel driving unit 200 corrects the input data of each pixel P based on the compensation data of each pixel P stored in the memory unit 212, A first scan pulse SP1 having a voltage level set according to the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 stored in the memory unit 212 so as to supply the data voltage to the corresponding pixel P, And supplies it to the scan control line SL. The panel driver 200 may supply a second scan pulse SP2 having a reference voltage level to the sensing control line SSL simultaneously with the first scan pulse SP1.

상기 패널 구동부(200)는 타이밍 제어부(210), 전압 공급부(220), 로우(row) 구동부(230), 및 컬럼(column) 구동부(240)를 포함한다.The panel driver 200 includes a timing controller 210, a voltage supplier 220, a row driver 230, and a column driver 240.

상기 타이밍 제어부(210)는 사용자의 설정 또는 설정된 주기마다 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr) 및 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(또는 이동도)을 센싱하기 위한 제 1 및 제 2 센싱 모드 중 어느 하나의 센싱 모드에 따라 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 동작시킨다. 또한, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 표시 패널(100)에 영상을 표시하기 위한 표시 모드에 따라 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 동작시킨다.The timing controller 210 may include a first and a second transistors for sensing the threshold voltage (or mobility) of the driving transistor Tdr and the first switching transistor Tsw1 included in each pixel P, And operates the row driving unit 230 and the column driving unit 240 according to any one of the sensing modes of the first sensing mode and the second sensing mode. The timing controller 210 operates the row driving unit 230 and the column driving unit 240 according to a display mode for displaying an image on the display panel 100.

상기 제 1 또는 제 2 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 해당 트랜지스터(Tdr, Tsw1)를 소스 팔로워(source follow) 모드로 동작시켜 해당 트랜지스터(Tdr, Tsw1)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 센싱용 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2) 및 스캔 펄스 레벨 데이터(L1/L2/L3)를 생성한다. 예를 들어, 제 1 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 표시 패널(100)의 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 센싱용 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2)를 생성함과 아울러 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)의 전압 레벨을 기준 고전압 레벨로 설정하기 위한 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(L1)를 생성한다. 그리고, 제 2 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 표시 패널(100)의 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 센싱용 화소 데이터(DATA)와 제어 신호(DCS, RCS1, RCS2)를 생성함과 아울러 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)의 전압 레벨을 프레임 단위로 상기 기준 고전압 레벨보다 낮은 범위 내에서 단계적으로 가변하기 위한 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(L2)를 생성한다.In the first or second sensing mode, the timing controller 210 operates the corresponding transistors Tdr and Tswl in a source follow mode to sense the threshold voltages of the transistors Tdr and Tswl, (DCS, RCS1, RCS2) and scan pulse level data (L1 / L2 / L3). For example, in the first sensing mode, the timing controller 210 generates sensing pixel data (DATA) for sensing a threshold voltage of a driving transistor Tdr included in each pixel P of the display panel 100, And the first scan pulse level data L1 for setting the voltage level of the first scan pulse SP1 to a reference high voltage level. In the second sensing mode, the timing controller 210 generates sensing pixel data DATA for sensing a threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 included in each pixel P of the display panel 100, And second scan pulse level data for gradually changing the voltage level of the first scan pulse SP1 within a range lower than the reference high voltage level in units of a frame, wherein the control signal DCS, RCS1, RCS2, (L2).

상기 표시 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 외부의 구동 시스템(또는 그래픽 카드)으로부터 입력되는 각 화소(P)의 영상 데이터(Idata)를 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 해당 화소(P)의 보상 데이터에 따라 보정하여 각 화소(P)의 화소 데이터(DATA)를 생성하고, 생성된 화소 데이터(DATA)를 상기 컬럼(column) 구동부(240)에 제공하며, 외부의 구동 시스템(또는 그래픽 카드)으로부터 입력되는 타이밍 동기 신호(TSS)에 기초하여 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)와 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성한다.In the display mode, the timing controller 210 outputs image data (Idata) of each pixel P input from an external drive system (or a graphics card) to a corresponding pixel P And supplies the generated pixel data DATA to the column driver 240. The external drive system 240 supplies the pixel data DATA to the column drive unit 240, A data control signal DCS for controlling the row driving unit 230 and the column driving unit 240 based on a timing synchronization signal TSS inputted from the first and the second data driving unit 240, 2 low control signals RCS1 and RCS2.

또한, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초하여 제 1 스캔 펄스(SP1)의 전압 레벨을 설정하기 위한 제 3 스캔 펄스 레벨 데이터(L3)를 생성한다. 예를 들어, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 모든 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)들의 문턱 전압을 분석하여 최대 값, 최소 값, 평균 값, 상위 값들의 평균 값, 하위 값들의 평균 값, 최빈값 중 어느 하나를 보상 기준값으로 산출하고, 산출된 보상 기준값에 기초하여 제 3 스캔 펄스 레벨 데이터(L3)를 생성하여 전술한 전압 공급부(220)에 제공할 수 있다.The timing controller 210 may control the voltage level of the first scan pulse SP1 based on the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 included in each pixel P stored in the memory unit 212, The third scan pulse level data L3 for setting the scan pulse level L3. For example, the timing controller 210 analyzes a threshold voltage of all the first switching transistors Tsw1 stored in the memory unit 212 and calculates a maximum value, a minimum value, an average value, an average value of the upper values, The third scan pulse level data L3 may be generated based on the calculated compensation reference value and may be provided to the voltage supply unit 220 described above.

상기 전압 공급부(220)는 상기 제 1 및 제 2 센싱 모드와 상기 표시 모드시, 외부로부터 입력되는 입력 전원(Vin)을 이용하여 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)을 생성하고, 생성된 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 상기 게이트 로우 전압(VGL)을 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다.In the first and second sensing modes and the display mode, the voltage supply unit 220 generates a first gate high voltage VGH having a reference high voltage level and a reference low voltage level VGH using an input power Vin input from the outside, And provides the generated first gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL to the row driving unit 230. [

상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(L1)를 디지털-아날로그 변환하여 기준 고전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다.In the first sensing mode, the voltage supplier 220 converts the first scan pulse level data L1 supplied from the timing controller 210 to a second gate high voltage having a reference high voltage level VGH ') to the row driver 230.

상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(L2)를 디지털-아날로그 변환하여 기준 고전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지되, 프레임 단위로 단계적으로 가변되는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다. 예를 들어, 상기 전압 공급부(220)는 프레임 단위로 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(L2)에 따라 0.5V 또는 1V 등의 설정 전압만큼 단계적으로 상승되는 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성하여 출력할 수 있다.In the second sensing mode, the voltage supplier 220 converts the second scan pulse level data (L2) supplied from the timing controller 210 into a digital-to-analog converted voltage level that is lower than a reference high voltage level, Generates a second gate high voltage (VGH ') that varies step by step on a frame-by-frame basis, and provides the second gate high voltage (VGH') to the row driver 230. For example, the voltage supplier 220 may supply the second gate high voltage VGH ', which is stepped up by a set voltage of 0.5 V or 1 V, in accordance with the second scan pulse level data L2, And output it.

상기 표시 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 3 스캔 펄스 레벨 데이터(L3)를 디지털-아날로그 변환하여 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초한 전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다. 이러한 상기 전압 공급부(220)는 프로그래머블(programmable) 전압 생성기(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 프로그래머블 전압 생성기를 통해 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성할 수 있다.In the display mode, the voltage supplier 220 converts the third scan pulse level data L3 supplied from the timing controller 210 into digital-analog signals, And generates a second gate high voltage VGH 'having a voltage level based on the threshold voltage of the second transistor Tsw1 and provides the second gate high voltage VGH' to the row driver 230. The voltage supply unit 220 may include a programmable voltage generator (not shown), and may generate the second gate high voltage VGH 'through the programmable voltage generator.

상기 로우(row) 구동부(230)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 제 1 로우 제어 신호(RCS1)와 상기 전압 공급부(220)로부터 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)과 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 이용해 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급되는 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성한다. 또한, 상기 로우(row) 구동부(230)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 제 2 로우 제어 신호(RCS2)와 상기 전압 공급부(220)로부터 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)과 제 1 게이트 하이 전압(VGH)을 이용해 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm)에 순차적으로 공급되는 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성한다. 이를 위해, 일 예에 따른 로우(row) 구동부(230)는 스캔 라인 구동부(232) 및 센싱 라인 구동부(234)를 포함하여 구성된다.The row driver 230 drives the first row control signal RCS1 supplied from the timing controller 210 and the gate low voltage VGL supplied from the voltage supplier 220 and the second gate high voltage VGL The first scan pulse SP1 is sequentially supplied to the first to m-th scan control lines SL1 to SLm by using the first scan pulse VGH '. The row driving unit 230 drives the second row control signal RCS2 supplied from the timing controller 210 and the gate low voltage VGL supplied from the voltage supplying unit 220 to the first gate high And generates a second scan pulse SP2 sequentially supplied to the first through m-th sensing control lines SSL1 through SSLm using the voltage VGH. For this, a row driver 230 according to an exemplary embodiment includes a scan line driver 232 and a sensing line driver 234.

상기 스캔 라인 구동부(232)는 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm) 각각의 일측 및/또는 타측 각각 연결된다. 이러한 상기 스캔 라인 구동부(232)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 1 스캔 신호를 생성하고, 상기 게이트 로우 전압(VGL)과 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 이용하여 상기 제 1 스캔 신호를 제 1 스캔 펄스(SP1)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급한다. 예를 들어, 상기 스캔 라인 구동부(232)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 1 스캔 신호를 생성하는 제 1 쉬프트 레지스터부(미도시), 및 상기 게이트 로우 전압(VGL)과 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 이용하여 상기 제 1 쉬프트 레지스터부로부터 순차적으로 공급되는 상기 제 1 스캔 신호를 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 공급하는 제 1 레벨 쉬프팅부(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다.The scan line driver 232 is connected to one side and / or the other side of each of the first to mth scan control lines SL1 to SLm. The scan line driver 232 generates a first scan signal that is sequentially shifted based on the first row control signal RCS1 and outputs the gate low voltage VGL and the second gate high voltage VGH ' ) To level shift the first scan signal to a first scan pulse SP1 and sequentially supply the first scan signal to the first to m-th scan control lines SL1 to SLm. For example, the scan line driver 232 may include a first shift register unit (not shown) for generating a first scan signal that is sequentially shifted based on the first row control signal RCS1, Level shifting the first scan signal sequentially supplied from the first shift register unit to the first scan pulse SP1 by using the second gate high voltage VGL and the second gate high voltage VGH ' And a first level shifting unit (not shown) for supplying the scan signals to the m scan control lines SL1 to SLm.

상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 스캔 라인 구동부(232)는 기준 고전압 레벨을 가지는 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급하게 된다. 또한, 상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 스캔 라인 구동부(232)는 기준 고전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지되, 프레임 단위로 단계적으로 가변되는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급하게 된다. 그리고, 상기 표시 모드에서, 상기 스캔 라인 구동부(232)는 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초하여 생성된 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 상기 제 1 내지 제 m 스캔 제어 라인(SL1 내지 SLm)에 순차적으로 공급하게 된다.In the first sensing mode, the scan line driver 232 generates a first scan pulse SP1 of the second gate high voltage VGH 'having a reference high voltage level, (SL1 to SLm). In addition, in the second sensing mode, the scan line driver 232 generates a first scan pulse (VGH ') having a voltage level lower than the reference high voltage level and a second gate high voltage VGH' And sequentially supplies the scan control signals SL1 to SLm to the first to mth scan control lines SL1 to SLm. In the display mode, the scan line driver 232 outputs the first gate high voltage VGH 'generated based on the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 included in each pixel P And generates scan pulses SP1 to sequentially supply the scan pulses to the first to m-th scan control lines SL1 to SLm.

상기 센싱 라인 구동부(234)는 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm) 각각의 일측 및/또는 타측 각각 연결된다. 이러한 상기 센싱 라인 구동부(234)는 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 2 스캔 신호를 생성하고, 상기 게이트 로우 전압(VGL)과 상기 제 1 게이트 하이 전압(VGH)을 이용하여 상기 제 2 스캔 신호를 상기 제 2 스캔 펄스(SP2)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm)에 순차적으로 공급한다. 예를 들어, 상기 센싱 라인 구동부(234)는 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)에 기초하여 순차적으로 쉬프트되는 제 2 스캔 신호를 생성하는 제 2 쉬프트 레지스터부(미도시), 및 상기 게이트 로우 전압(VGL)과 상기 제 1 게이트 하이 전압(VGH)을 이용하여 상기 제 2 쉬프트 레지스터부로부터 순차적으로 공급되는 상기 제 2 스캔 신호를 상기 제 2 스캔 펄스(SP2)로 레벨 쉬프팅시켜 상기 제 1 내지 제 m 센싱 제어 라인(SSL1 내지 SSLm)에 공급하는 제 2 레벨 쉬프팅부(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다.The sensing line driver 234 is connected to one and / or the other of the first through m-th sensing control lines SSL1 through SSLm, respectively. The sensing line driver 234 generates a second scan signal that is sequentially shifted based on the second row control signal RCS2 and outputs the gate line voltage VGL and the first gate high voltage VGH, Level shifting the second scan signal to the second scan pulse SP2 and sequentially supplying the second scan signal to the first through m-th sensing control lines SSL1 through SSLm. For example, the sensing line driver 234 includes a second shift register unit (not shown) for generating a second scan signal that is sequentially shifted based on the second row control signal RCS2, Level shifting the second scan signal sequentially supplied from the second shift register unit to the second scan pulse (SP2) by using the first gate high voltage (VGL) and the first gate high voltage (VGH) and a second level shifting unit (not shown) for supplying the sensing signal to the sensing control lines SSL1 to SSLm.

상기 컬럼(column) 구동부(240)는 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)과 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되어 타이밍 제어부(210)의 모드 제어에 따라 제 1 센싱 모드, 제 2 센싱 모드 또는 표시 모드로 동작한다.The column driver 240 is connected to the first to the n-th data lines DL1 to DLn and the first to the n-th reference lines RL1 to RLn and controls the column driver 240 according to the mode control of the timing controller 210, A sensing mode, a second sensing mode, or a display mode.

상기 제 1 또는 제 2 센싱 모드에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 1 또는 제 2 센싱 모드의 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)을 통해 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압을 센싱하여 제 1 또는 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tdr/Sdata_Tsw1)를 생성하고, 생성된 제 1 또는 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tdr/Sdata_Tsw1)를 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 그리고, 상기 표시 모드에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 표시 모드의 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 수평 라인 단위로 데이터 전압(Vdata)을 해당 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 공급함과 동시에 레퍼런스 전압(Vref)을 해당 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각 공급한다. 이를 위해, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 데이터 구동부(242), 스위칭부(244), 및 센싱부(246)를 포함하여 구성된다.In the first or second sensing mode, the column driver 240 applies a data control signal DCS in response to the data control signal DCS of the first or second sensing mode supplied from the timing controller 210, The first or second sensing data Sdata_Tdr / Sdata_Tsw1 is sensed by sensing the source voltage of the driving transistor Tdr included in each pixel P through the first or second sensing data RL1 to RLn, (Sdata_Tdr / Sdata_Tsw1) to the timing control unit 210. In the display mode, the column driver 240 receives the data voltage Vdata in units of horizontal lines in response to the data control signal DCS of the display mode supplied from the timing controller 210 And supplies the reference voltages Vref to the corresponding reference lines RL1 to RLn while supplying the data lines DL1 to DLn. The column driver 240 includes a data driver 242, a switching unit 244, and a sensing unit 246, as shown in FIG.

상기 데이터 구동부(242)는 상기 표시 모드 또는 상기 센싱 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 화소 데이터(DATA)를 데이터 전압으로 변환하여 제 1 내지 제 n 데이터 라인(DL1 내지 DLn)에 각각 공급한다.The data driver 242 receives the pixel data DATA supplied from the timing controller 210 in response to the data control signal DCS supplied from the timing controller 210 according to the display mode or the sensing mode And supplies them to the first to the n-th data lines DL1 to DLn, respectively.

상기 스위칭부(244)는 상기 표시 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 외부로부터 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)을 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각 공급한다. 그리고, 상기 스위칭부(244)는 상기 센싱 모드에 따라 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여, 외부로부터 공급되는 프리차징 전압(Vpre)을 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 각각 공급하여 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각을 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화한 후, 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각을 센싱부(246)에 연결시킨다. 이를 위해, 일 예에 따른 스위칭부(244)는 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각과 센싱부(246)에 연결되는 제 1 내지 제 n 선택기(244a 내지 244n)를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 선택기(244a 내지 244n)는 멀티플렉서로 이루어질 수 있다.In response to the data control signal DCS supplied from the timing controller 210 according to the display mode, the switching unit 244 outputs the externally supplied reference voltage Vref to the first to nth reference lines RL1 To RLn, respectively. In response to the data control signal DCS supplied from the timing controller 210 according to the sensing mode, the switching unit 244 outputs the externally supplied precharging voltage Vpre to the first to nth reference Th reference lines RL1 to RLn are supplied to the lines RL1 to RLn to initialize each of the first to nth reference lines RL1 to RLn to a precharging voltage Vpre, (246). The switching unit 244 includes first to nth selectors 244a to 244n connected to the first to nth reference lines RL1 to RLn and the sensing unit 246, And the selectors 244a through 244n may be multiplexers.

상기 센싱부(246)는 상기 센싱 모드시 상기 스위칭부(244)를 통해 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되어 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn) 각각의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응되는 제 1 또는 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tdr/Sdata_Tsw1)를 생성하여 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 이를 위해, 상기 센싱부(246)는 상기 스위칭부(244)를 통해 제 1 내지 제 n 레퍼런스 라인(RL1 내지 RLn)에 연결되는 제 1 내지 제 n 아날로그-디지털 변환기(246a 내지 246n)를 포함하여 구성될 수 있다.The sensing unit 246 is connected to the first to the n-th reference lines RL1 to RLn through the switching unit 244 in the sensing mode and outputs a voltage of each of the first to nth reference lines RL1 to RLn And generates first or second sensing data (Sdata_Tdr / Sdata_Tsw1) corresponding to the sensed voltage and provides the first or second sensing data (Sdata_Tdr / Sdata_Tsw1) to the timing controller 210. To this end, the sensing unit 246 includes first through n-th analog-to-digital converters 246a through 246n connected to the first through nth reference lines RL1 through RLn through the switching unit 244, Lt; / RTI >

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 1 센싱 모드의 화소 동작을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 1 센싱 모드의 구동 파형도이다.FIG. 5 is a view for explaining a pixel operation in a first sensing mode in an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a diagram illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, 7 is a drive waveform diagram of the sensing mode.

우선, 도 2, 도 5, 및 도 6을 참조하면, 상기 제 1 센싱 모드에서, 각 화소(P)는 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 동작하게 된다.Referring to FIGS. 2, 5, and 6, in the first sensing mode, each pixel P operates in the first to third periods t1, t2, and t3.

상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(120)는 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 센싱용 데이터(DATA)를 생성하여 상기 컬럼(column) 구동부(240)에 제공하며, 입력되는 타이밍 동기 신호(TSS)에 기초하여 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 제 1 센싱 모드로 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)와 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성한다. 또한, 상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 제 1 스캔 펄스(SP1)의 게이트 하이 전압을 기준 고전압 레벨을 설정하기 위한 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(L1)를 생성하여 전압 공급부(220)에 제공한다.In the first sensing mode, the timing controller 120 generates sensing data (DATA) for sensing a threshold voltage of the driving transistor Tdr of each pixel P and supplies the sensed data DATA to the column driver 240, And a data control signal DCS for controlling the row driving unit 230 and the column driving unit 240 to the first sensing mode based on the input timing synchronization signal TSS. And first and second row control signals RCS1 and RCS2. Also, in the first sensing mode, the timing controller 210 generates first scan pulse level data L1 for setting a reference high voltage level to a gate high voltage of the first scan pulse SP1, 220.

상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 1 스캔 펄스 레벨 데이터(L1)에 대응되는 기준 고전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성함과 동시에 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다.In the first sensing mode, the voltage supplier 220 generates a second gate high voltage VGH 'having a reference high voltage level corresponding to the first scan pulse level data L1 supplied from the timing controller 210, And generates a first gate high voltage VGH having a reference high voltage level and a gate low voltage VGL having a reference low voltage level and provides the same to the row driving unit 230.

상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 로우(row) 구동부(230)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)와 상기 전압 공급부(220)로부터 공급되는 기준 고전압 레벨의 제 2 게이트 하이 전압(VGH')과 기준 저전압 레벨의 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)와 상기 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 상기 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성하여 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.In the first sensing mode, the row driving unit 230 receives the first row control signal RCS1 and the second gate high voltage VGH 'of the reference high voltage level supplied from the voltage supply unit 220, Generates a first scan pulse SP1 by using the gate low voltage VGL of the reference low voltage level and supplies the first scan pulse SP1 to the scan control line SL while simultaneously applying the second row control signal RCS2 and the first gate high voltage VGH And the gate low voltage VGL to supply the second scan pulse SP2 to the sensing control line SSL.

상기 제 1 센싱 모드에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는 상기 센싱용 화소 데이터(DATA)와 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 데이터 구동부(243)의 구동에 따라 센싱용 데이터 전압(Vdata)을 해당 데이터 라인(DL)에 공급하고, 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 스위칭부(244)와 센싱부(246)의 구동에 따라 레퍼런스 라인(RL)을 통해 수평 기간 단위로 상기 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 순차적으로 센싱한다.In the first sensing mode, the column driver 240 drives the data driver 243 based on the sensing pixel data DATA and the data control signal DCS to generate a sensing data voltage Vdata And supplies the data to the corresponding data lines DL in accordance with the driving of the switching unit 244 and the sensing unit 246 based on the data control signal DCS, The threshold voltage of the driving transistor Tdr included in the pixel P is sequentially sensed.

이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제 1 센싱 모드를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a first sensing mode of the OLED display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG.

상기 제 1 기간(t1)에서는, 기준 고전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 센싱용 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 프리차징 전압(Vpre)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이때, 상기 센싱용 데이터 전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위해 설정된 타겟 전압의 레벨을 갖는다. 이에 따라, 상기 제 1 기간(t1) 동안, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압과 상기 레퍼런스 라인(RL)은 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화된다.In the first period t1, the first switching transistor Tsw1 is turned on by the first scan pulse SP1 of the second gate high voltage VGH 'having the reference high voltage level to turn on the data line DL, The sensing data voltage Vdata supplied to the first node n1 is supplied to the gate electrode of the driving transistor Tdr and the second scanning pulse of the first gate high voltage VGH having the reference high voltage level The precharge voltage Vpre supplied to the reference line RL is turned on by the second switching transistor Tsw2 and supplied to the second node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr . At this time, the sensing data voltage Vdata has a level of the target voltage set for sensing the threshold voltage of the driving transistor Tdr. Accordingly, during the first period t1, the source voltage of the driving transistor Tdr and the reference line RL are initialized to the pre-charging voltage Vpre.

그런 다음, 상기 제 2 기간(t2)에서는, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2) 각각이 상기 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 선형(linear) 구동 모드로 동작하는 상태에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)의 스위칭부(244)에 의해 상기 레퍼런스 라인(RL)이 플로팅 상태로 전환된다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)가 게이트 전극에 공급되는 바이어스 전압인 센싱용 데이터 전압(Vdata)에 의해 포화(saturation) 구동 모드로 동작하게 되고, 이로 인하여 플로팅 상태의 레퍼런스 라인(RL)에는 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 차 전압(Vdata-Vth)이 충전되게 된다.Then, in the second period t2, each of the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 is driven in a linear driving mode by the first gate high voltage VGH having the reference high voltage level In operation, the reference line RL is switched to the floating state by the switching unit 244 of the column driver 240. Accordingly, the driving transistor Tdr operates in a saturation driving mode by the sensing data voltage Vdata, which is a bias voltage supplied to the gate electrode. As a result, the floating reference line RL receives data The difference voltage (Vdata-Vth) between the voltage (Vdata) and the threshold voltage (Vth) of the driving transistor (Tdr) is charged.

그런 다음, 상기 제 3 기간(t3)에서는, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 턴-온 상태가 유지된 상태에서 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-오프되고, 이와 동시에 상기 레퍼런스 라인(RL)이 상기 컬럼(column) 구동부(240)의 스위칭부(244)에 의해 상기 센싱부(246)에 연결된다. 이에 따라, 상기 센싱부(246)는 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되어 있는 전압(Vsense)을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense)을 아날로그-디지털 변환하여 제 1 센싱 데이터(Sdata_Tdr)를 생성해 타이밍 제어부(210)에 제공한다.Then, in the third period t3, the second scan pulse SP2 of the gate low voltage VGL having the reference low voltage level in the state where the turn-on state of the first switching transistor Tsw1 is maintained The second switching transistor Tsw2 is turned off and at the same time the reference line RL is connected to the sensing unit 246 by the switching unit 244 of the column driving unit 240. Accordingly, the sensing unit 246 senses the voltage Vsense charged in the reference line RL and generates the first sensing data Sdata_Tdr by analog-digital conversion of the sensed voltage Vsense And provides it to the timing control unit 210.

따라서, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 센싱부(246)로부터 제공되는 제 1 센싱 데이터(Sdata_Tdr)에 기초하여 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth_Tdr)을 산출하고, 산출된 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth_Tdr)을 메모리부(212)에 저장한다. 이때, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth_Tdr)은 상기 데이터 전압(Vdata)에서 상기 센싱부(246)의 센싱 전압(Vsense)을 뺀 전압(Vdata-Vsense)이 될 수 있다.Accordingly, the timing controller 210 calculates the threshold voltage Vth_Tdr of the driving transistor Tdr based on the data voltage Vdata and the first sensing data Sdata_Tdr provided from the sensing unit 246 , And stores the calculated threshold voltage (Vth_Tdr) of the driving transistor Tdr in the memory unit 212. At this time, the threshold voltage Vth_Tdr of the driving transistor Tdr may be a voltage (Vdata-Vsense) obtained by subtracting the sensing voltage Vsense of the sensing unit 246 from the data voltage Vdata.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 2 센싱 모드의 화소 동작을 설명하기 위한 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제 2 센싱 모드의 구동 파형도이다.FIG. 7 is a view for explaining a pixel operation in a second sensing mode in the organic light emitting display according to the embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a diagram illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, 7 is a drive waveform diagram of the sensing mode.

우선, 도 2, 도 7, 및 도 8을 참조하면, 상기 제 2 센싱 모드에서, 각 화소(P)는 제 1 내지 제 i 프레임(Frame[1] 내지 Frame[i])마다 제 1 내지 제 3 기간(t1, t2, t3)으로 동작하게 된다.Referring to FIGS. 2, 7 and 8, in the second sensing mode, each pixel P is divided into a first to an i-th frame (Frame [1] to Frame [i] 3 periods t1, t2, and t3.

상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(120)는 각 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱하기 위한 센싱용 데이터(DATA)를 생성하여 상기 컬럼(column) 구동부(240)에 제공하며, 입력되는 타이밍 동기 신호(TSS)에 기초하여 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 제 1 센싱 모드로 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)와 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성한다. 또한, 상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 제 1 스캔 펄스(SP1)의 게이트 하이 전압을 프레임 단위로 가변하기 위한 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(L2)를 생성하여 전압 공급부(220)에 제공한다.In the second sensing mode, the timing controller 120 generates sensing data DATA for sensing a threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 of each pixel P, and supplies the sensed data DATA to the column driver 240 for controlling the row driving unit 230 and the column driving unit 240 to the first sensing mode based on the input timing synchronization signal TSS, DCS and first and second row control signals RCS1 and RCS2. In addition, in the second sensing mode, the timing controller 210 generates second scan pulse level data L2 for varying the gate high voltage of the first scan pulse SP1 in frame units, and supplies the second scan pulse level data L2 to the voltage supply unit 220 ).

상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 2 스캔 펄스 레벨 데이터(L1)에 대응되는 전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 프레임 단위로 생성함과 동시에 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다.In the second sensing mode, the voltage supplier 220 supplies a second gate high voltage VGH 'having a voltage level corresponding to the second scan pulse level data L1 supplied from the timing controller 210 And generates a first gate high voltage VGH having a reference high voltage level and a gate low voltage VGL having a reference low voltage level and provides the first gate high voltage VGH and the row driving voltage VGL to the row driving unit 230.

상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 로우(row) 구동부(230)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)와 상기 전압 공급부(220)로부터 프레임 단위로 공급되는 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')과 기준 저전압 레벨의 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)과 상기 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 상기 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성하여 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.In the second sensing mode, the row driver 230 receives the first row control signal RCS1 and the second gate high voltage VGH 'supplied from the voltage supplier 220 in frame units, Generates the first scan pulse SP1 by using the gate low voltage VGL of the reference low voltage level and supplies the first scan pulse SP1 to the scan control line SL while simultaneously applying the second row control signal RCS2 and the first gate high voltage VGH And the gate low voltage VGL to supply the second scan pulse SP2 to the sensing control line SSL.

상기 제 2 센싱 모드에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는 상기 센싱용 화소 데이터(DATA)와 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 데이터 구동부(243)의 구동에 따라 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 해당 데이터 라인(DL)에 공급하고, 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 스위칭부(244)와 센싱부(246)의 구동에 따라 레퍼런스 라인(RL)을 통해 수평 기간 단위로 상기 각 화소(P)에 포함된 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압을 순차적으로 센싱한다.In the second sensing mode, the column driver 240 generates a data voltage Vdata according to the driving of the data driver 243 based on the sensing pixel data DATA and the data control signal DCS. And supplies the data to the corresponding data line DL in accordance with the driving of the switching unit 244 and the sensing unit 246 based on the data control signal DCS. And sequentially senses the source voltage of the driving transistor Tdr included in the pixel P.

이하에서는 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제 3 센싱 모드를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the third sensing mode of the OLED display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8. FIG.

먼저, 제 2 센싱 모드의 제 1 프레임(Frame[1])에 있어서, 상기 제 1 기간(t1)에서는, 상기 기준 고전압 레벨보다 낮은 제 1 전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 센싱용 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 프리차징 전압(Vpre)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이때, 상기 센싱용 데이터 전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위해 설정된 타겟 전압의 레벨을 갖는다. 이에 따라, 상기 제 1 기간(t1) 동안, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압과 상기 레퍼런스 라인(RL)은 프리차징 전압(Vpre)으로 초기화된다.First, in the first period (t1) of the first frame (Frame [1]) of the second sensing mode, a second gate high voltage (VGH ') having a first voltage level lower than the reference high voltage level The sensing data voltage Vdata supplied to the data line DL by the first switching transistor Tsw1 is turned on by the first scan pulse SP1 to the first node n1, And the second switching transistor Tsw2 is turned on by the second scan pulse SP2 of the first gate high voltage VGH having the reference high voltage level and supplied to the reference line RL The precharging voltage Vpre is supplied to the second node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr. At this time, the sensing data voltage Vdata has a level of the target voltage set for sensing the threshold voltage of the driving transistor Tdr. Accordingly, during the first period t1, the source voltage of the driving transistor Tdr and the reference line RL are initialized to the pre-charging voltage Vpre.

그런 다음, 상기 제 2 기간(t2)에서는, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)의 턴-온 상태가 유지됨과 아울러 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트 전압이 바이어스 전압인 제 1 전압 레벨의 제 2 게이트 하이 전압(VGH')으로 고정됨에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)가 센싱용 데이터 전압(Vdata)에 의해 턴-온된다. 이와 동시에, 상기 컬럼(column) 구동부(240)의 스위칭부(244)에 의해 상기 레퍼런스 라인(RL)이 플로팅 상태로 전환된다. 이에 따라, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 게이트 전극에 공급되는 제 1 전압 레벨의 제 2 게이트 하이 전압(VGH')에 의해 포화 구동 모드로 동작하게 되고, 이로 인하여 플로팅 상태의 상기 레퍼런스 라인(RL)에는 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 차 전압(Vdata-Vth)이 충전되게 된다.Then, in the second period t2, the turn-on state of the second switching transistor Tsw2 is maintained and the gate voltage of the first switching transistor Tswl is maintained at the first voltage level of the first voltage level The driving transistor Tdr is turned on by the sensing data voltage Vdata as it is fixed to the two-gate high voltage VGH '. At the same time, the reference line RL is switched to the floating state by the switching unit 244 of the column driver 240. Accordingly, the first switching transistor Tsw1 is operated in the saturation driving mode by the second gate high voltage VGH 'of the first voltage level supplied to the gate electrode, thereby causing the reference line RL is charged with the differential voltage Vdata-Vth between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr.

그런 다음, 상기 제 3 기간(T3)에서는, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 턴-온 상태가 유지된 상태에서 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-오프되고, 이와 동시에 상기 레퍼런스 라인(RL)이 상기 컬럼(column) 구동부(240)의 스위칭부(244)에 의해 상기 센싱부(246)에 연결된다. 이에 따라, 상기 센싱부(246)는 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되어 있는 전압(Vsense)을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense)을 아날로그-디지털 변환하여 제 1 프레임(Frame[1])의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 생성해 타이밍 제어부(210)에 제공한다. 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 센싱부(246)로부터 제공되는 제 1 프레임(Frame[1])의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 메모리부(212) 또는 내부 레지스터에 저장한다.Then, in the third period T3, the second scan pulse SP2 of the gate low voltage VGL having the reference low voltage level in the state where the turn-on state of the first switching transistor Tsw1 is maintained The second switching transistor Tsw2 is turned off and at the same time the reference line RL is connected to the sensing unit 246 by the switching unit 244 of the column driving unit 240. Accordingly, the sensing unit 246 senses the voltage Vsense charged in the reference line RL and converts the sensed voltage Vsense to analog-to-digital conversion to output the first voltage Vsense of the first frame Frame [1] And provides the second sensing data (Sdata_Tsw2) to the timing controller 210. The timing control unit 210 stores the second sensing data Sdata_Tsw2 of the first frame Frame [1] provided from the sensing unit 246 in the memory unit 212 or the internal register.

상기 제 2 센싱 모드의 제 2 프레임(Frame[2])에서는, 상기 기준 고전압 레벨보다 낮으면서 상기 제 1 전압 레벨보다 높은 제 2 전압 레벨을 가지는 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)를 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트 전극에 공급하는 것을 제외하고는 전술한 제 2 센싱 모드의 제 2 프레임(Frame[2])의 제 1 내지 제 3 구간(t1, t2, t3)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.(VGH ') having a second voltage level lower than the reference high voltage level but higher than the first voltage level in the second frame (Frame [2]) of the second sensing mode, The first to third sections t1 and t2 of the second frame (Frame [2]) of the second sensing mode described above except that one scanning pulse SP1 is supplied to the gate electrode of the first switching transistor Tsw1, t2, and t3), so that a duplicate description thereof will be omitted.

이러한 제 2 센싱 모드의 제 2 프레임(Frame[2])에서는, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 게이트 전극에 공급되는 제 2 전압 레벨의 제 2 게이트 하이 전압(VGH')에 의해 포화 구동 모드로 동작함으로써 플로팅 상태의 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되는 전압(Vdata-Vth)이 상기 제 2 프레임(Frame[2])에서 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되는 전압(Vdata-Vth)보다 높아지게 된다. 즉, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트 전압이 높아질 경우 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 전달되는 센싱용 데이터 전압(Vdata_sen)의 전달율이 증가하게 되고, 이로 인하여 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전압이 상승함에 따라 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되는 전압(Vdata-Vth)도 높아지게 된다. 상기 제 2 센싱 모드의 제 2 프레임(Frame[2])에서 상기 센싱부(246)는 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되어 있는 전압(Vsense)을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsense)을 아날로그-디지털 변환하여 제 2 프레임(Frame[1])의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 생성해 타이밍 제어부(210)에 제공하게 되고, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 센싱부(246)로부터 제공되는 제 2 프레임(Frame[2])의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 메모리부(212) 또는 내부 레지스터에 저장한다.In the second frame (Frame [2]) of the second sensing mode, the second gate high voltage (VGH ') of the second voltage level supplied to the gate electrode of the first switching transistor (Tsw1) (Vdata-Vth) charged in the floating reference line RL is higher than the voltage (Vdata-Vth) charged in the reference line RL in the second frame (Frame [2]) do. That is, when the gate voltage of the first switching transistor Tsw1 is increased, the transfer rate of the sensing data voltage Vdata_sen transmitted to the gate electrode of the driving transistor Tdr is increased. As a result, the source of the driving transistor Tdr As the voltage increases, the voltage (Vdata-Vth) charged in the reference line RL also increases. In the second frame (Frame [2]) of the second sensing mode, the sensing unit 246 senses the voltage Vsense charged in the reference line RL and outputs the sensed voltage Vsense to the analog- And supplies the second sensing data Sdata_Tsw2 of the second frame Frame [1] to the timing control unit 210. The timing control unit 210 receives the second sensing data Sdata_Tsw2 from the sensing unit 246, And stores the second sensing data (Sdata_Tsw2) of the second frame (Frame [2]) in the memory unit 212 or the internal register.

상기 제 2 센싱 모드의 제 3 내지 제 i 프레임 각각에서도, 상기 제 1 스캔 펄스(SP1)의 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 단계적으로 높아지도록 가변하여 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 포화 구동 모드로 동작시키면서 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되는 전압(Vdata-Vth)을 센싱하여 각 프레임의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 생성하게 된다. 그리고, 상기 타이밍 제어부(210)는 각 프레임의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 메모리부(212) 또는 내부 레지스터에 저장한다.The second gate high voltage (VGH ') of the first scan pulse (SP1) is changed so as to be gradually increased in each of the third to the i'th frames of the second sensing mode so that the first switching transistor (Tsw1) The second sensing data (Sdata_Tsw2) of each frame is generated by sensing the voltage (Vdata-Vth) charged in the reference line (RL) while operating in the saturated driving mode. The timing controller 210 stores the second sensing data Sdata_Tsw2 of each frame in the memory unit 212 or the internal register.

한편, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 제 2 센싱 모드의 각 프레임마다 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 전압 레벨이 가변되도록 제어하면서, 상기 센싱부(246)로부터 수신되는 현재 프레임들에 대한 상기 각 화소(P)의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)와 메모리부(212) 또는 내부 레지스터에 저장되어 있는 이전 프레임에 대한 상기 각 화소(P)의 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)를 비교 분석하여 동일한 값을 가지는 제 2 센싱 데이터(Sdata_Tsw2)에 대응되는 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 검출한다. 그런 다음, 상기 타이밍 제어부(210)는 검출된 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')에서 메모리부(212)에 저장되어 있는 해당 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth_Tdr)을 감산(-) 연산하고, 연산 결과(Vth_Tsw1-Vth_Tdr)를 해당 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth_Tsw1)으로 산출하여 메모리부(212)에 저장한다.Meanwhile, the timing controller 210 controls the voltage level of the second gate high voltage (VGH ') to be varied for each frame of the second sensing mode, and controls the current frame received from the sensing unit 246 The second sensing data Sdata_Tsw2 of each pixel P and the second sensing data Sdata_Tsw2 of each pixel P with respect to the previous frame stored in the memory unit 212 or the internal register are compared and analyzed And detects the second gate high voltage VGH 'corresponding to the second sensing data Sdata_Tsw2 having the same value. The timing controller 210 then sets the threshold voltage Vth_Tdr of the driving transistor Tdr of the corresponding pixel P stored in the memory unit 212 at the detected second gate high voltage VGH ' (Vth_Tsw1-Vth_Tdr) is calculated as the threshold voltage (Vth_Tsw1) of the first switching transistor Tsw1, and is stored in the memory unit 212. [

이와 같은, 제 2 센싱 모드에 있어서, 본 발명은 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 포화 구동 모드로 동작시키되, 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 단계적으로 가변하면서 상기 레퍼런스 라인(RL)에 충전되는 전압(Vdata-Vth)을 센싱하는 과정을 제 1 내지 제 i 프레임(Frame[1] 내지 Frame[i])에 걸쳐 반복하고, 도 9에 도시된 바와 같이, 각 프레임에서의 센싱 전압(Vsense)들이 포화되는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 전압 레벨에 기초하여 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth_Tsw1)을 검출하게 된다. 여기서, 도 9는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 가변에 따른 센싱 전압(Vsense)을 측정한 시뮬레이션 파형도이다. 결과적으로, 본 발명은 상기 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 가변에 따른 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 전압 전달율 차이로 인한 센싱 전압(Vsense)의 변화에 기초하여 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압(Vth_Tsw1)을 검출하게 된다.In the second sensing mode, the first switching transistor Tsw1 is operated in the saturation driving mode, and the second gate high voltage VGH 'is changed stepwise to the reference line RL The process of sensing the charged voltage Vdata-Vth is repeated over the first to the i-th frames (Frame [1] to Frame [i]), The threshold voltage Vth_Tsw1 of the first switching transistor Tsw1 is detected based on the voltage level of the second gate high voltage VGH 'to be saturated. Here, FIG. 9 is a simulation waveform chart in which the sensing voltage Vsense is measured according to the variation of the second gate high voltage VGH '. As a result, according to the present invention, the first switching transistor Tsw1 is turned on based on the change of the sensing voltage Vsense due to the voltage transmission rate difference of the first switching transistor Tsw1 according to the variation of the second gate high voltage VGH ' The threshold voltage Vth_Tsw1 is detected.

도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에 있어서, 표시 모드시 구동 파형도이다.10 is a driving waveform diagram in the display mode in the organic light emitting diode display according to the embodiment of the present invention.

우선, 도 2, 도 4, 및 도 10을 참조하면, 상기 표시 모드에서, 각 화소(P)는 어드레싱 기간(DM_t1) 및 발광 기간(DM_t2)으로 동작하게 된다.Referring to FIGS. 2, 4 and 10, in the display mode, each pixel P operates in the addressing period DM_t1 and the light emitting period DM_t2.

상기 표시 모드에서, 상기 타이밍 제어부(120)는 입력되는 각 화소(P)의 영상 데이터(Idata)를 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)의 구동 트랜지스터(Tdr)의 보상 데이터에 따라 보정하여 각 화소(P)의 화소 데이터(DATA)를 생성하고, 생성된 화소 데이터(DATA)를 상기 컬럼(column) 구동부(240)에 제공하며, 입력되는 타이밍 동기 신호(TSS)에 기초하여 상기 로우(row) 구동부(230)와 상기 컬럼(column) 구동부(240) 각각을 표시 모드로 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)와 제 1 및 제 2 로우 제어 신호(RCS1, RCS2)를 생성한다. 또한, 상기 표시 모드에서, 상기 타이밍 제어부(210)는 상기 메모리부(212)에 저장되어 있는 각 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초하여 제 1 스캔 펄스(SP1)의 전압 레벨을 설정하기 위한 제 3 스캔 펄스 레벨 데이터(L3)를 생성하여 전압 공급부(220)에 제공한다.In the display mode, the timing controller 120 outputs the image data Idata of the input pixel P to the compensation data of the driving transistor Tdr of each pixel P stored in the memory unit 212, And supplies the generated pixel data DATA to the column driving unit 240. The pixel driving unit 240 generates the pixel data DATA of each pixel P based on the input timing synchronization signal TSS, And generates a data control signal DCS and first and second row control signals RCS1 and RCS2 for controlling the row driving unit 230 and the column driving unit 240 in the display mode, do. In the display mode, the timing controller 210 generates a first scan pulse SP1 based on a threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 of each pixel P stored in the memory unit 212, And supplies the generated third scan pulse level data L3 to the voltage supply unit 220. The third scan pulse level data L3 is supplied to the voltage supply unit 220. [

상기 표시 모드에서, 상기 전압 공급부(220)는 상기 타이밍 제어부(210)로부터 공급되는 상기 제 3 스캔 펄스 레벨 데이터(L3)에 대응되는 전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')을 생성함과 동시에 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)을 생성하여 상기 로우(row) 구동부(230)에 제공한다.In the display mode, the voltage supplier 220 generates a second gate high voltage VGH 'having a voltage level corresponding to the third scan pulse level data L3 supplied from the timing controller 210 And simultaneously generates a first gate high voltage VGH having a reference high voltage level and a gate low voltage VGL having a reference low voltage level and provides the generated gate low voltage VGL to the row driving unit 230.

상기 표시 모드에서, 상기 로우(row) 구동부(230)는 상기 제 1 로우 제어 신호(RCS1)와 상기 전압 공급부(220)로부터 공급되는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')과 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 1 스캔 펄스(SP1)를 생성하여 스캔 제어 라인(SL)에 공급함과 동시에 상기 제 2 로우 제어 신호(RCS2)과 상기 제 1 게이트 하이 전압(VGH)과 상기 게이트 로우 전압(VGL)을 이용해 제 2 스캔 펄스(SP2)를 생성하여 센싱 제어 라인(SSL)에 공급한다.In the display mode, the row driving unit 230 drives the gate of the first row control signal RCS1, the second gate high voltage VGH 'supplied from the voltage supply unit 220, And generates a first scan pulse SP1 using the low voltage VGL and supplies the first scan pulse SP1 to the scan control line SL while simultaneously applying the second row control signal RCS2 and the first gate high voltage VGH, Generates a second scan pulse SP2 using the voltage VGL, and supplies the second scan pulse SP2 to the sensing control line SSL.

상기 표시 모드에서, 상기 컬럼(column) 구동부(240)는 상기 화소 데이터(DATA)와 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 데이터 구동부(243)의 구동에 따라 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 해당 데이터 라인(DL)에 공급하고, 상기 데이터 제어 신호(DCS)에 기초한 스위칭부(244)의 구동에 따라 레퍼런스 라인(RL)에 레퍼런스 전압(Vref)을 공급한다.In the display mode, the column driver 240 converts a data voltage Vdata according to driving of the data driver 243 based on the pixel data DATA and the data control signal DCS, And supplies the reference voltage Vref to the reference line RL in accordance with the driving of the switching unit 244 based on the data control signal DCS.

이하에서는 도 3 및 도 10을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 모드를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a display mode of the OLED display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 10. FIG.

먼저, 상기 어드레싱 기간(DM_t1)에서, 해당 화소(P)의 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초하여 설정된 전압 레벨을 가지는 제 2 게이트 하이 전압(VGH')의 제 1 스캔 펄스(SP1)에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)이 제 1 노드(n1), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 공급되며, 기준 고전압 레벨을 가지는 제 1 게이트 하이 전압(VGH)의 제 2 스캔 펄스(SP2)에 의해 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw2)가 턴-온되어 레퍼런스 라인(RL)에 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)이 제 2 노드(n2), 즉 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 공급된다. 이에 따라, 제 1 노드(n1)와 제 2 노드(n2)에 접속된 커패시터(Cst)는 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 레퍼런스 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)으로 충전된다. 여기서, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 자신의 문턱 전압 변화량이 반영된 제 2 게이트 하이 전압(VGH')에 의해 턴-온되기 때문에 상기 데이터 전압(Vdata)은 상기 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압 변화에 영향을 받지 않고 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 전달되게 된다. 또한, 상기 커패시터(Cst)에 충전되는 데이터 전압(Vdata)은 해당 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압이 포함되어 있다.First, in the addressing period DM_t1, the first scan pulse SP1 (VGH ') of the second gate high voltage VGH' having the voltage level set based on the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 of the pixel P The data voltage Vdata supplied to the data line DL is supplied to the gate electrode of the first node n1 or the driving transistor Tdr by the first switching transistor Tsw1, The second switching transistor Tsw2 is turned on by the second scan pulse SP2 of the first gate high voltage VGH having the high voltage level so that the reference voltage Vref supplied to the reference line RL becomes the second And is supplied to the node n2, that is, the source electrode of the driving transistor Tdr. The capacitor Cst connected to the first node n1 and the second node n2 is charged with the difference voltage Vdata-Vref between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref. Here, since the first switching transistor Tsw1 is turned on by the second gate high voltage VGH 'reflecting the variation of the threshold voltage of the first switching transistor Tsw1, the data voltage Vdata is applied to the first switching transistor Tsw1 And is transmitted to the gate electrode of the driving transistor Tdr without being affected by a change in the threshold voltage. The data voltage (Vdata) charged in the capacitor (Cst) includes a compensation voltage for compensating a threshold voltage of the corresponding driving transistor (Tdr).

그런 다음, 상기 발광 기간(DM_t2)에서는, 기준 저전압 레벨을 가지는 게이트 로우 전압(VGL)의 제 1 및 제 2 스캔 펄스(SP1, SP2) 각각에 의해 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)가 각각 턴-오프된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(Tdr)가 상기 커패시터(Cst)에 저장된 전압(Vdata-Vref)에 의해 턴-온된다. 이에 따라, 상기 턴-온된 구동 트랜지스터(Tdr)에 의해 상기 데이터 전압(Vdata)과 상기 기준 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)에 의해 결정되는 데이터 전류(Ioled)가 유기 발광 소자(OLED)에 흐름으로써 유기 발광 소자(OLED)가 구동 전원 라인(PL)으로부터 제 2 전극(또는 캐소드 전극)으로 흐르는 데이터 전류(Ioled)에 비례하여 발광하게 된다. 즉, 상기 발광 기간(DM_t2)에서, 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(Tsw1, Tsw2)가 턴-오프되면, 구동 트랜지스터(Tdr)에 전류가 흐르고, 이 전류에 비례하여 유기 발광 소자(OLED)가 발광을 시작하면서 제 2 노드(n2)의 전압 상승하게 되며, 상기 커패시터(Cst)에 의해 제 2 노드(n2)의 전압 상승만큼 제 1 노드(n1)의 전압이 상승함으로써 상기 커패시터(Cst)의 전압에 의해 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트-소스 전압(Vgs)이 지속적으로 유지되어 유기 발광 소자(OLED)가 다음 프레임의 어드레싱 기간(DM_t1)까지 발광을 지속하게 된다. 여기서, 상기 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)는 상기 보상 전압이 포함된 데이터 전압(Vdata)에 의해 해당 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 변화를 영향을 받지 않게 된다.Then, in the light emission period DM_t2, the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 are turned on by the first and second scan pulses SP1 and SP2 of the gate low voltage VGL having the reference low voltage level, Respectively. Accordingly, the driving transistor Tdr is turned on by the voltage (Vdata-Vref) stored in the capacitor Cst. Accordingly, the data current Ioled, which is determined by the difference voltage (Vdata-Vref) between the data voltage (Vdata) and the reference voltage (Vref) by the turn-on driving transistor (Tdr) The organic light emitting diode OLED emits light in proportion to the data current Ioled flowing from the driving power supply line PL to the second electrode (or the cathode electrode). That is, in the light emission period DM_t2, when the first and second switching transistors Tsw1 and Tsw2 are turned off, a current flows through the driving transistor Tdr, and the organic light emitting diode OLED is turned on in proportion to the current The voltage of the second node n2 is increased while the voltage of the first node n1 is raised by the voltage of the second node n2 by the capacitor Cst, The gate-source voltage Vgs of the driving transistor Tdr is constantly maintained by the voltage so that the organic light emitting diode OLED continues to emit light until the addressing period DM_t1 of the next frame. Here, the current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED is not affected by the threshold voltage change of the corresponding driving transistor Tdr due to the data voltage Vdata including the compensation voltage.

이상과 같은, 본 발명은 제 1 스캔 펄스(SP1)의 게이트 하이 전압을 가변하여 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 전압 전달율 변화를 센싱함으로써 구동 트랜지스터(Tdr)의 특성 변화에 상관없이 각 화소(P)에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압을 센싱할 수 있다.As described above, according to the present invention, the gate high voltage of the first scan pulse SP1 is varied to sense the voltage transfer rate change of the first switching transistor Tsw1 included in each pixel P, The threshold voltage of the first switching transistor Tsw1 included in each pixel P can be sensed regardless of the change.

또한, 본 발명은 센싱 모드에 의해 센싱된 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압에 기초하여 제 1 스캔 펄스(SP1)의 게이트 하이 전압을 최적화함으로써 제 1 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 문턱 전압 변화에 따른 전압 전달율의 저하를 방지하고, 이를 통해 유기 발광 표시 장치의 고온 장시간 구동에 따른 신뢰성 및 수명을 확보할 수 있다.Further, the present invention optimizes the gate high voltage of the first scan pulse (SP1) based on the threshold voltage of the first switching transistor (Tsw1) sensed by the sensing mode so that the threshold voltage of the first switching transistor It is possible to secure the reliability and lifetime of the organic light emitting diode display according to the high temperature long time driving of the organic light emitting diode display.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 표시 패널 210: 타이밍 제어부
220: 전원 공급부 230: 로우(row) 구동부
232: 스캔 라인 구동부 234: 센싱 라인 구동부
240: 로우(row) 구동부 242: 데이터 구동부
244: 스위칭부 246: 센싱부
100: display panel 210: timing controller
220: power supply unit 230: row driving unit
232: scan line driver 234: sensing line driver
240: row driver 242: data driver
244: Switching unit 246:

Claims (14)

유기 발광 소자, 상기 구동 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극인 제 1 노드에 데이터 전압을 공급하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 및 레퍼런스 라인에 공급되는 전압을 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이인 제 2 노드에 공급하는 제 2 스위칭 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소를 가지는 표시 패널; 및
상기 복수의 화소를 센싱 모드 또는 표시 모드로 구동하는 패널 구동부를 포함하며,
상기 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 1 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 고정하고, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 프레임 단위로 가변하면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
A first switching transistor for supplying a data voltage to a first node which is a gate electrode of the driving transistor, and a second switching transistor for supplying a voltage supplied to a reference line to the organic light emitting element, And a second switching transistor for supplying the second switching transistor to a second node between the driving transistor and the second transistor; And
And a panel driver for driving the plurality of pixels in a sensing mode or a display mode,
In the sensing mode, the panel driver fixes the voltage level of the first gate high voltage supplied to the gate electrode of the second switching transistor, and the voltage of the second gate high voltage supplied to the gate electrode of the first switching transistor And the threshold voltage of the first switching transistor included in the corresponding pixel is sensed through the reference line of each pixel.
제 1 항에 있어서,
상기 패널 구동부는 상기 프레임 단위마다 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 설정된 전압 레벨만큼 단계적으로 높이는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the panel driving unit step-wise increases the voltage level of the second gate high voltage by a set voltage level for each frame unit.
제 2 항에 있어서,
상기 패널 구동부는 상기 프레임 단위마다 상기 레퍼런스 라인의 전압을 센싱하여 각 프레임의 센싱 데이터를 생성하고, 각 프레임의 센싱 데이터에 기초하여 상기 각 화소에 포함된 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 산출하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
3. The method of claim 2,
The panel driver senses the voltage of the reference line for each frame unit to generate sensing data of each frame and calculates a threshold voltage of the first switching transistor included in each pixel based on sensing data of each frame The organic light emitting display device comprising:
제 3 항에 있어서,
상기 센싱 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 스위칭을 통해 상기 구동 트랜지스터를 포화(saturation) 구동 모드로 동작시키면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 메모리부에 저장하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 3,
In the sensing mode, the panel driver operates the driving transistor in the saturation driving mode through the switching of the first and second switching transistors, and drives the driving transistor in the sensing transistor through the reference line of each pixel. Wherein the threshold voltage of the organic light emitting diode is sensed and stored in the memory unit.
제 4 항에 있어서,
상기 패널 구동부는,
상기 각 화소 단위로 각 프레임의 센싱 데이터를 분석하여 동일한 값을 가지는 센싱 데이터에 대응되는 상기 제 2 게이트 하이 전압을 검출하고,
상기 검출된 상기 각 화소의 제 2 게이트 하이 전압과 상기 메모리부에 저장되어 있는 해당 화소의 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 따라 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 검출하여 상기 메모리부에 저장하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the panel-
The second gate high voltage corresponding to the sensing data having the same value is detected by analyzing the sensing data of each frame on the pixel basis,
And the threshold voltage of the first switching transistor is detected in accordance with the second gate high voltage of each of the pixels and the threshold voltage of the driving transistor of the corresponding pixel stored in the memory unit and is stored in the memory unit. To the organic light emitting display device.
제 4 항에 있어서,
상기 표시 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에 저장되어 있는 각 화소의 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 각 화소의 공급될 데이터를 보정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein in the display mode, the panel driving unit corrects data to be supplied to each pixel based on a threshold voltage of a driving transistor of each pixel stored in the memory unit.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 표시 모드에서, 상기 패널 구동부는 상기 메모리부에 저장되어 있는 각 화소의 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 설정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
The method according to claim 5 or 6,
Wherein the panel driving unit sets the voltage level of the second gate high voltage based on a threshold voltage of the first switching transistor of each pixel stored in the memory unit in the display mode.
유기 발광 소자, 상기 구동 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극인 제 1 노드에 데이터 전압을 공급하는 제 1 스위칭 트랜지스터, 및 레퍼런스 라인에 공급되는 전압을 상기 유기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터 사이인 제 2 노드에 공급하는 제 2 스위칭 트랜지스터를 가지는 복수의 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
상기 복수의 화소 각각을 센싱 모드로 구동하는 단계(A); 및
상기 복수의 화소 각각을 표시 모드로 구동하는 단계(B)를 포함하며,
상기 단계(A)는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 1 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 고정하고, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 프레임 단위로 가변하면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
A first switching transistor for supplying a data voltage to a first node which is a gate electrode of the driving transistor, and a second switching transistor for supplying a voltage supplied to a reference line to the organic light emitting element, And a second switching transistor for supplying the second switching transistor to a second node between the driving transistor and the driving transistor,
(A) driving each of the plurality of pixels in a sensing mode; And
(B) driving each of the plurality of pixels in a display mode,
Wherein the step (A) comprises: fixing a voltage level of a first gate high voltage supplied to a gate electrode of the second switching transistor; and a voltage level of a second gate high voltage supplied to a gate electrode of the first switching transistor, And sensing the threshold voltage of the first switching transistor included in the corresponding pixel through the reference line of each pixel.
제 8 항에 있어서,
상기 단계(A)에서, 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨은 설정된 전압 레벨만큼 상기 프레임 단위마다 단계적으로 높아지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the voltage level of the second gate high voltage increases stepwise for each frame unit by a set voltage level in the step (A).
제 9 항에 있어서,
상기 단계(A)는,
상기 프레임 단위마다 상기 레퍼런스 라인의 전압을 센싱하여 각 프레임의 센싱 데이터를 생성하는 단계(A1); 및
각 프레임의 센싱 데이터에 기초하여 상기 각 화소에 포함된 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 산출하는 단계(A2)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
10. The method of claim 9,
The step (A)
Sensing the voltage of the reference line for each frame unit to generate sensing data of each frame; And
And calculating (A2) a threshold voltage of the first switching transistor included in each pixel based on sensing data of each frame.
제 10 항에 있어서,
상기 단계(A)는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 스위칭을 통해 상기 구동 트랜지스터를 포화(saturation) 구동 모드로 동작시키면서 상기 각 화소의 상기 레퍼런스 라인을 통해 해당 화소에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 메모리부에 저장하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the driving transistor is operated in a saturation driving mode through the switching of the first and second switching transistors and the threshold voltage of the driving transistor included in the corresponding pixel through the reference line of each pixel, And storing the sensed data in the memory unit.
제 11 항에 있어서,
상기 단계(A2)는,
상기 각 화소 단위로 각 프레임의 센싱 데이터를 분석하여 동일한 값을 가지는 센싱 데이터에 대응되는 상기 제 2 게이트 하이 전압을 검출하는 단계; 및
상기 검출된 상기 각 화소의 제 2 게이트 하이 전압과 상기 메모리부에 저장되어 있는 해당 화소의 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 따라 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압을 검출하여 상기 메모리부에 저장하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
12. The method of claim 11,
The step (A2)
Analyzing sensing data of each frame on a pixel-by-pixel basis and detecting the second gate high voltage corresponding to the sensing data having the same value; And
Detecting a threshold voltage of the first switching transistor according to a second gate high voltage of the detected pixel and a threshold voltage of a driving transistor of the corresponding pixel stored in the memory unit and storing the detected threshold voltage in the memory unit And driving the organic light emitting display device.
제 12 항에 있어서,
상기 단계(B)는 상기 메모리부에 저장되어 있는 각 화소의 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 각 화소의 공급될 데이터를 보정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the step (B) comprises the step of correcting data to be supplied to each pixel based on a threshold voltage of a driving transistor of each pixel stored in the memory unit.
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 단계(B)는 상기 메모리부에 저장되어 있는 각 화소의 제 1 스위칭 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 상기 제 2 게이트 하이 전압의 전압 레벨을 설정하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
The method according to claim 12 or 13,
Wherein the step (B) further comprises the step of setting a voltage level of the second gate high voltage based on a threshold voltage of a first switching transistor of each pixel stored in the memory unit A method of driving a display device.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20170080800A (en) * 2015-12-30 2017-07-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display panel and organic light emitting display device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030210212A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Chun-Huai Li [method of driving display device]
KR101658037B1 (en) * 2010-11-09 2016-09-21 삼성전자주식회사 Method of driving active display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030210212A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Chun-Huai Li [method of driving display device]
KR101658037B1 (en) * 2010-11-09 2016-09-21 삼성전자주식회사 Method of driving active display device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170051785A (en) * 2015-10-30 2017-05-12 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display panel, organic light emitting display device, and the method for driving the organic light emitting display device
KR20170080800A (en) * 2015-12-30 2017-07-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display panel and organic light emitting display device

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