KR102116321B1 - 엑스선 디텍터 및 이를 이용한 엑스선 영상장치와 이의 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 상에 형성되고 제 1 구동전압(V1)이 인가되는 하부전극과; 상기 하부전극 주변에 형성되고 제 2 구동전압(V2)이 인가되는 보조전극과; 상기 하부전극 및 보조전극 상에 형성된 광도전층과; 상기 광도전층 상에 형성되고 제 3 구동전압(V3)이 인가되는 상부전극을 포함하며, X선 조사 오프 직후 상기 제 3 구동전압(V3)은 역 바이어스 전압인 X선 디텍터를 제공한다.

Description

엑스선 디텍터 및 이를 이용한 엑스선 영상장치와 이의 구동방법{X-ray detector, and X-ray imaging apparatus and driving method thereof}
본 발명은 X선 디텍터 및 이를 이용한 X선 영상장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 이미지 지연(image lag) 현상을 개선할 수 있는 직접 방식 X선 디텍터 그리고 이를 이용한 X선 영상장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
기존에는, 의료나 공업용 X선 촬영에서 필름과 스크린을 이용한 방식이 사용되었다. 이와 같은 경우에는, 촬영된 필름의 현상 및 보관상의 문제 등에 기인하여 비용 및 시간 측면에서 비효율적이었다.
이를 개선하기 위해, 디지털 방식의 디텍터가 현재 널리 사용되고 있다. 디텍터는 간접변환 방식과 직접변환 방식으로 구분될 수 있다.
간접변환 방식은 형광체(scintillator)를 사용하여 X선을 가시광선으로 변환한 후 가시광선을 전기적신호로 변환하게 된다. 반면, 직접변환 방식은 광도전층을 이용하여 X선을 직접 전기적신호로 변환하게 된다. 이러한 직접변환 방식은 별도의 형광체를 형성할 필요가 없고, 광의 퍼짐 현상 등이 발생하지 않아 고해상도 시스템에 적합한 특징을 갖는다.
직접변환 방식에 사용되는 광도전층은 CMOS 기판 표면 상에 CdTe 등의 다결정 반도체 물질을 진공열증착 등의 방법으로 증착하여 형성된다.
한편, 광도전층 하부 및 상부에는 각각 하부전극과 상부전극이 구성되고, X선 조사에 따라 광도전층에서 발생된 전하를 하부전극에서 수집하게 된다. 이를 위해, 상부전극에는 바이어스(bias) 전압이 인가된다.
그런데, X선 조사가 끝난 후에도, X선 조사 중 광도전층에 트랩(trap)되었던 전자와 정공들이 디트랩(detrap)되어 지연 신호를 만들어 내게 된다. 이와 같은 지연 신호를 줄이기 위해 광도전층에서의 트랩을 줄이는 방안이 제안될 수 있으나, 진공열증착으로 형성된 다결정 반도체의 특성상 트랩을 특정 수준 이하로 줄이는 것은 불가능하다.
한편, 다른 방안으로서 X선 조사후 상부전극에 역 바이어스 전압을 인가하여 디트랩되는 전하들을 리컴비네이션(recombination)시키는 방법이 제안될 수 있다. 그런데, 이와 같은 경우에, 고전압을 빠른 주파수로 인가하여야 하는데 이는 기술적 한계가 있으며, 더욱이 하부전극 및 광도전층 사이의 쇼트키 다이오드(schottky diode)와 CMOS 기판에 큰 손상을 줄 수 있어, 해당 방안을 적용할 수 없는 실정이다.
본 발명은 직접변환 방식 디텍터에서의 이미지 지연 현상을 효과적으로 개선하는 것에 과제가 있다.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 기판 상에 형성되고 제 1 구동전압(V1)이 인가되는 하부전극과; 상기 하부전극 주변에 형성되고 제 2 구동전압(V2)이 인가되는 보조전극과; 상기 하부전극 및 보조전극 상에 형성된 광도전층과; 상기 광도전층 상에 형성되고 제 3 구동전압(V3)이 인가되는 상부전극을 포함하며, X선 조사 오프 직후 상기 제 3 구동전압(V3)은 역 바이어스 전압인 X선 디텍터를 제공한다.
상기 X선 조사 온 구간에서 상기 제 1 내지 제 3 구동전압은 V2<V3<V1의 관계이고, X선 조사 오프 구간 중 적어도 일부에서 상기 제 1 내지 제 3 구동전압은 V2<V1<V3의 관계를 나타낼 수 있다.
상기 역 바이어스의 제 3 구동전압(V3)는 X선 조사 오프와 동시에 펄스 형태로 동기되는 펄스 형태일 수 있다.
상기 하부전극과 상기 보조전극 사이에 개재되어 상기 하부전극을 노출시키는 패드홀을 갖는 보호막을 더 포함하며, 상기 보조전극은 상기 패드홀 주변에 위치할 수 있다.
상기 광도전층은, CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2, GaAs, Se, TlBr, BiI3 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 기판 상에 형성된 하부전극과, 상기 하부전극 주변에 형성된 보조전극과, 상기 하부전극 및 보조전극 상에 형성된 광도전층과, 상기 광도전층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 X선 디텍터와; 상기 X선 디텍터에 X선을 조사하는 X선 조사장치와; 상기 하부전극과 상부전극과 보조전극 각각에 제1, 2, 3구동전압(V1, V2, V3)을 인가하는 전원부를 포함하고, 상기 X선 조사 오프 직후 상기 제3구동전압(V3)은 역 바이어스 전압인 X선 영상장치를 제공한다.
여기서, 상기 X선 조사 온 구간에서 상기 제 1 내지 제 3 구동전압(V1, V2, V3)은 V2<V3<V1의 관계이고, X선 조사 오프 구간 중 적어도 일부에서 상기 제 1 내지 제 3 구동전압(V1, V2, V3)은 V2<V1<V3의 관계를 나타낼 수 있다.
상기 역 바이어스의 제 3 구동전압(V3)는 X선 조사 오프와 동시에 펄스 형태로 동기될 수 있다
또 다른 측면에서, 본 발명은 기판 상에 형성된 하부전극과, 상기 하부전극 주변에 형성된 보조전극과, 상기 하부전극 및 보조전극 상에 형성된 광도전층과, 상기 광도전층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 X선 디텍터에 X선 조사 온 구간 동안 X선을 조사하는 단계와; 상기 X선 오프 구간에서 상기 보조전극에 역 바이어스 전압을 인가하는 단계를 포함하는 X선 영상장치 구동방법를 제공한다.
여기서, 상기 X선 조사 온 구간에서 상기 하부전극과 보조전극과 상부전극에 각각 제 1 내지 제 3 구동전압이 V2<V3<V1의 관계로 인가되고, 상기 X선 오프 구간 중 적어도 일부에서 상기 제 1 내지 제 3 구동전압이 V2<V1<V3의 관계로 인가될 수 있다.
상기 역 바이어스 전압은 X선 조사 오프와 동시에 펄스 형태로 동기될 수 있다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 제 1 전극; X선을 수광하여 전하를 발생시키는 광도전층; 상기 광도전체층을 사이에 두고 상기 제 1 전극의 적어도 일부와 마주보며, 상기 전하가 상기 제 1 전극에 수집되도록 전압을 인가받는 제 2 전극; 및 상기 광도전체층의 적어도 일부와 접하는 제 3 전극을 포함하며, 상기 X선 조사 과정 중 상기 제 3 전극의 전위는, 상기 제 1 전극의 전위와 제 2 전극의 전위 사이로 결정되고, 상기 X선 조사가 오프된 직후 상기 제 3 전극의 전위는, 상기 제 2 전극과 제 3 전극의 전위차가 상기 제 1 전극과 제 3 전극의 전위차 보다 높도록 인가되는 X선 디텍터를 제공한다.
여기서, 상기 제 1 전극, 제 2 전극, 제 3 전극은 서로 다른 층에 형성되며, 상기 제 3 전극은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 높이에 위치할 수 있다.
상기 X선 조사 과정 또는 X선 조사 오프 후, 상기 제 1 전극과 제 2 전극에 인가되는 전압은 변화가 없을 수 있다.
본 발명에 따르면, 광도전층 하부의 하부전극 주변에 보조전극을 구성하고, 보조전극에 대해 X선 조사 구간 동안에는 하부전극과 상부전극 사이의 바이어스 전압을 인가하고, X선 조사 직후 하부전극에 비해 높은 역 바이어스 전압을 인가하게 된다. 이에 따라, 하부전극에서의 전하 수집 효율이 상당한 정도로 높아지게 되고, 디트랩 전하에 의한 이미지 지연 현상이 개선될 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 X선 영상장치를 개략적으로 도시한 블록도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 X선 영상장치의 디텍터를 개략적으로 도시한 단면도.
도 3 및 4는 각각 본 발명의 실시예에 따라 X선 조사 온(ON) 구간 및 조사 후 오프(OFF) 구간에서의 디텍터의 상태를 개략적으로 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 X선 조사 온/오프 구간에서의 제2 및 3구동전압의 파형을 개략적으로 도시한 도면.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 X선 영상장치를 개략적으로 도시한 블록도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 X선 영상장치의 디텍터를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 X선 영상장치(10)는 X선 조사장치(100)와, 디텍터(200)와, 전원부(300)와, 제어부(400)를 포함할 수 있다.
X선 조사장치(100)는 X선을 발생시켜 조사하는 구성에 해당되며, 이와 같이 조사된 X선은 피검체(150)를 통과하여 디텍터(200)에 입사된다.
디텍터(200)는 입사된 X선을 전기적신호로 직접 변환하는 직접 방식으로서, X선 검출의 기본단위인 화소영역이 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
전원부(300)는 디텍터(200)를 구동하기 위한 구동전압을 발생시키는 구성에 해당된다. 특히, 전원부(300)는 제1 내지 3구동전압(V1 내지 V3)을 생성하여, 이를 디텍터(200)에 인가하게 된다.
한편, 전원부(300)는 디텍터(200) 내에 내장된 형태로 구현될 수 있다. 또한, 필요에 따라 전원부(300)는 X선 조사장치(100)를 구동하기 위한 구동전압을 발생시킬 수 있으며, 이와 달리 X선 조사장치(100)의 구동전압을 발생시키기 위한 별도의 전원부가 구비될 수도 있다.
제어부(400)는 X선 영상장치(10)를 구성하는 구성요소들의 동작을 제어하는 구성에 해당된다. 특히, 제어부(400)는 X선 조사장치(100)의 X선 조사 타이밍에 따라 전원부(300)에서 출력되는 구동전압(V1 내지 V3) 중 적어도 하나의 출력 타이밍을 조절하는 제어신호를 생성할 수 있다. 제어부(400)는 디텍터(200) 또는 전원부(300)에 무선 통신 방식으로 제어신호를 전송할 수도 있다.
이하, 도 2를 참조하여 디텍터의 구성에 대해 보다 상세하게 설명한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 디텍터(200)의 각 화소영역(P)에는 X선을 전기적신호로 변환하는 광전변환소자(PC)가 기판(210) 상에 구성될 수 있다.
여기서, 디텍터(200)에 사용되는 기판(210)으로서, 예를 들면, CMOS 기판, 유리기판, 그라파이트(graphite) 기판, 산화알루미늄(Al2O3) 베이스에 ITO를 적층한 기판 등이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, CMOS 기판을 사용하는 경우를 예로 든다.
기판(210)의 표면에는 보호막(215)이 형성되어 있다. 보호막(215)은 무기절연물질로서, 예를 들면, 산화실리콘(SiO2)이나 질화실리콘(SiNx)으로 형성될 수 있다.
보호막(215)에는, 각 화소영역(P) 마다 패드홀(217)이 형성될 수 있다. 패드홀(217)에는 하부전극(220)이 구성될 수 있다. 하부전극(220)은, 광전변환소자(PC)를 구성하는 전극으로서, 예를 들면 제1전극(220)에 해당된다.
하부전극(220)은 상부의 광도전층(240)과 쇼트키 접합을 형성하는 물질로 이루어질 수 있는데, 일예로 알루미늄(Al)이 사용될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 하부전극(220)에는 전원부(300)로부터 제1구동전압(V1)이 인가된다.
여기서, 본 발명의 실시예에서는, 정공에 비해 이동도가 높은 전자를 하부전극(220)을 통해 수집하는 경우를 예로 든다. 이와 같은 경우에, X선 조사시 하부전극(220)에 인가되는 제1구동전압(V1)은, 상부전극(250)에 인가되는 바이어스 전압인 제2구동전압(V2)에 비해 높은 레벨의 전압을 갖게 된다. 한편, 본 발명의 실시예에서는 설명의 편의를 위해, 제1구동전압(V1)으로서 접지전압이 인가되는 경우를 예로 든다.
하부전극(220)이 형성된 기판(210) 상에는, 보조전극(230)이 형성된다. 보조전극(230)은 하부전극(220)과 이격되어 전기적으로 단선된 상태를 갖도록 구성된다. 여기서, 보조전극(230)은 하부전극(220) 보다 높고 상부전극(240) 보다 낮은 위치에 구성될 수 있다. 즉, 각 화소영역(P)에 있어, 보조전극(230)은 하부전극(220)의 가장자리와 이격되면서 하부전극(220) 주변 상부층의 적어도 일부에 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따라, 보조전극(230)은 패드홀(217)과 이격되어, 패드홀(217) 주변의 보호막(215) 상의 적어도 일부에 형성되도록 구성될 수 있다.
보조전극(230)은 본 발명의 실시예에 따른 광전변환소자(PC)를 구성하는 전극으로서, 예를 들면 제3전극(230)에 해당된다. 보조전극(230)은 상부의 광도전층(240)과 오믹(ohmic) 접합을 형성하는 물질로 이루어질 수 있는데, 일예로 금(Au)이 사용될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 보조전극(230)에는 전원부(300)로부터 제3구동전압(V3)이 인가된다.
보조전극(230)이 형성된 기판(210) 상에는, 화소영역(P) 마다 광도전층(240)이 형성될 수 있다.
광도전층(240)은 X선이 입사되면 전자-정공 쌍을 발생시키게 된다. 광도전층(240)으로서는, 우수한 전하 이동 특성, 높은 흡수 계수, 낮은 암 전류, 낮은 전자-정공 쌍 발생 에너지의 특성을 가질 수 있는 물질이 사용될 수 있다. 예를 들면, CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2, GaAs, Se, TlBr, BiI3와 같은 광도전물질 그룹 중 적어도 하나가 사용될 수 있다.
광도전층(240)이 형성된 기판(210) 상에는, 상부전극(250)이 형성된다. 상부전극(250)은 광전변환소자(PC)를 구성하는 전극으로서, 예를 들면 제2전극(250)에 해당된다.
상부전극(250)은 광도전층(240)과 오믹(ohmic) 접합을 형성하는 물질로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상부전극(250)은, 광도전층(240)과 오믹 접합을 이루는 보조전극(230)과 동일한 물질로 이루어 질 수 있는데, 일예로 금(Au)이 사용될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
상부전극(250)에는 전원부(300)로부터 제2구동전압(V2)이 인가된다. 예를 들면, 제1구동전압(V1)에 비해 낮은 전압으로서 부극성 전압이 제2구동전압(V2)으로서 인가될 수 있으며, 이에 따라 광도전층(240)에서 발생된 전자는 하부전극(220)으로 유입될 수 있게 된다.
한편, 전술한 바와 같은 구성을 갖는 디텍터(200)에서는 광도전층(240) 하부의 하부전극(220) 주변에 보조전극(230)을 구성하고 이에 대해 제3구동전압(V3)을 인가하여, 이미지 지연 현상을 개선하고 더욱이 전하 수집 효율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다. 이에 대해, 도 3 내지 5를 더욱 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
도 3 및 4는 각각 본 발명의 실시예에 따라 X선 조사 온(ON) 구간 및 조사 후 오프(OFF) 구간에서의 디텍터의 상태를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 X선 조사 온/오프 구간에서의 제2 및 3구동전압의 파형을 개략적으로 도시한 도면이다.
먼저, 도 3 및 5를 참조하면, X선 조사장치(100)가 X선을 조사하는 구간 즉 X선 조사 온 구간(Ton) 동안에는, 상부전극(250)에는 제1구동전압(V1)에 비해 낮은 레벨을 갖는 바이어스 전압으로서 부극성의 제2구동전압(V2)이 인가된다.
이에 따라, X선 조사시 발생된 전자는 하부전극(220)으로 유입되어 수집될 수 있게 된다.
한편, 보조전극(230)에는 제3구동전압(V3)이 인가되는데, 제3구동전압(V3)은 제1구동전압(V1)보다 낮고 제2구동전압(V2)보다 높은 레벨의 바이어스 전압이 인가되는 것이 바람직하다 (즉, V2 < V3 < V1).
이와 같은 레벨을 갖는 제3구동전압(V3)이 인가되면, X선 조사시 광도전층(240)에서 발생된 전자의 하부전극(220)으로의 이동이 향상될 수 있게 되어, 하부전극(220)으로의 전하 수집이 상당한 정도로 증가될 수 있게 되고 광도전층(240)에서의 트랩 상태의 전자의 수를 줄일 수 있게 된다.
이와 관련하여, 만약 보조전극(230)에 전압이 인가되지 않은 플로팅(floating) 상태가 되면, 플로팅 상태의 보조전극(230) 상에 축적된 전자를 조절할 수 없게 된다. 그리고, 보조전극(230)이 접지 상태가 되면, 전자는 하부전극(220) 뿐만 아니라 보조전극(230)으로도 유입되어, 전하 수집 효율이 저하된다. 또한, 보조전극(230)에 인가되는 전압(V3)이 상부전극(250)에 인가되는 제2전압(V2) 보다 낮게 되면, 전자의 이동을 방해하게 된다.
이러한 측면에서 볼 때, X선 조사시 보조전극(230)에 인가되는 제3구동전압(V3)은, V2 < V3 < V1의 관계를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 4 및 5를 참조하면, X선 조사 온 구간(Ton)이 완료된 후 X선 조사가 수행되지 않는 구간 즉 X선 조사 오프 구간(Toff) 동안에는, 제1 및 2구동전압(V1, V2)으로서 온 구간(Ton)과 마찬가지의 전압이 인가될 수 있다. 이처럼, 제1 및 2구동전압(V1, V2)은 X선 조사 온 및 오프 구간(Ton, Toff) 동안 일정한 전압 레벨을 유지하는 DC 형태로 구성될 수 있게 된다.
한편, 보조전극(230)에 인가되는 제3구동전압(V3)으로서는, 제1구동전압(V1)보다 높은 레벨의 역 바이어스 전압이 인가되는 것이 바람직하다 (즉, V3 > V1). 특히, 역 바이어스의 제3구동전압(V3)은 오프 구간(Toff)의 시작에 동기하여 펄스 형태로 인가되는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다. 여기서, 펄스 형태의 전압은 예를 들면 대략 수 마이크로초 정도의 짧은 시간 동안 인가될 수 있다.
이와 같이 역 바이어스의 제3구동전압(V3)이 인가되면, 상부전극(250)과 하부전극(220) 사이의 전위차(V1-V2)에 비해, 상부전극(250)과 보조전극(230)의 전위차(V3-V2)가 크게 된다. 이에 따라, X선 조사 오프 상태에서 디트랩 전자들이 하부전극(220)으로 수집되지 않게 되며, 트랩되었던 전하들이 리컴비네이션될 수 있게 된다.
따라서, 디트랩된 전하에 의한 이미지 지연 현상이 효과적으로 개선될 수 있게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 광도전층 하부의 하부전극 주변에 보조전극을 구성하고, 보조전극에 대해 X선 조사 구간 동안에는 하부전극과 상부전극 사이의 바이어스 전압을 인가하고, X선 조사 후 구간 동안에는 하부전극에 비해 높은 역 바이어스 전압을 인가하게 된다. 이에 따라, 하부전극에서의 전하 수집 효율이 상당한 정도로 높아지게 되고, 디트랩 전하에 의한 이미지 지연 현상이 개선될 수 있게 된다.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
200: 디텍터 210: 기판
215: 보호막 217: 패드홀
220: 하부전극 230: 보조전극
240: 광도전층 250: 상부전극

Claims (14)

  1. 기판 상에 형성되고 제 1 구동전압(V1)이 인가되는 하부전극과;
    상기 하부전극 주변에 형성되고 제 3 구동전압(V3)이 인가되는 보조전극과;
    상기 하부전극 및 보조전극 상에 형성된 광도전층과;
    상기 광도전층 상에 형성되고 제 2 구동전압(V2)이 인가되는 상부전극을 포함하며,
    X선 조사 오프 직후 상기 제 3 구동전압(V3)은 역 바이어스 전압이고,
    상기 X선 조사 오프 구간 중 적어도 일부에서 상기 제 1 내지 제 3 구동전압은 V2<V1<V3의 관계를 나타내는
    X선 디텍터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 X선 조사 온 구간에서 상기 제 1 내지 제 3 구동전압은 V2<V3<V1의 관계를 나타내는 X선 디텍터.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 역 바이어스의 제 3 구동전압(V3)는 X선 조사 오프와 동시에 펄스 형태로 동기되는 펄스 형태인 X선 디텍터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부전극과 상기 보조전극 사이에 개재되어 상기 하부전극을 노출시키는 패드홀을 갖는 보호막을 더 포함하여,
    상기 보조전극은 상기 패드홀 주변에 위치하는 X선 디텍터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광도전층은, CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2, GaAs, Se, TlBr, BiI3 중 적어도 하나로 이루어진 X선 디텍터.
  6. 기판 상에 형성된 하부전극과, 상기 하부전극 주변에 형성된 보조전극과, 상기 하부전극 및 보조전극 상에 형성된 광도전층과, 상기 광도전층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 X선 디텍터와;
    상기 X선 디텍터에 X선을 조사하는 X선 조사장치와;
    상기 하부전극과 상부전극과 보조전극 각각에 제1, 2, 3구동전압(V1, V2, V3)을 인가하는 전원부를 포함하고,
    상기 X선 조사 오프 직후 상기 제3구동전압(V3)은 역 바이어스 전압이고,
    상기 X선 조사 오프 구간 중 적어도 일부에서 상기 제 1 내지 제 3 구동전압(V1, V2, V3)은 V2<V1<V3의 관계를 나타내는
    X선 영상장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 X선 조사 온 구간에서 상기 제 1 내지 제 3 구동전압(V1, V2, V3)은 V2<V3<V1의 관계를 나타내는 X선 영상장치.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 역 바이어스의 제 3 구동전압(V3)는 X선 조사 오프와 동시에 펄스 형태로 동기되는 X선 영상장치.
  9. 기판 상에 형성된 하부전극과, 상기 하부전극 주변에 형성된 보조전극과, 상기 하부전극 및 보조전극 상에 형성된 광도전층과, 상기 광도전층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 X선 디텍터에 X선 조사 온 구간 동안 X선을 조사하는 단계와;
    상기 X선 오프 구간에서 상기 보조전극에 역 바이어스 전압을 인가하는 단계를 포함하고,
    상기 X선 오프 구간 중 적어도 일부에서 상기 하부전극과 상부전극과 보조전극에 각각 제 1 내지 제 3 구동전압(V1, V2, V3)이 V2<V1<V3의 관계로 인가되는
    X선 영상장치 구동방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 X선 조사 온 구간에서 상기 제 1 내지 제 3 구동전압이 V2<V3<V1의 관계로 인가되는
    X선 영상장치 구동방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 역 바이어스 전압은 X선 조사 오프와 동시에 펄스 형태로 동기되는 X선 영상장치 구동방법.
  12. 제 1 전극;
    X선을 수광하여 전하를 발생시키는 광도전층;
    상기 광도전층을 사이에 두고 상기 제 1 전극의 적어도 일부와 마주보며, 상기 전하가 상기 제 1 전극에 수집되도록 전압을 인가받는 제 2 전극; 및
    상기 광도전층의 적어도 일부와 접하는 제 3 전극을 포함하며,
    상기 X선 조사 과정 중 상기 제 3 전극의 전위는, 상기 제 1 전극의 전위와 제 2 전극의 전위 사이로 결정되고,
    상기 X선 조사가 오프된 직후 상기 제 3 전극의 전위는, 상기 제 2 전극과 제 3 전극의 전위차가 상기 제 1 전극과 제 3 전극의 전위차 보다 높도록 인가되는
    X선 디텍터.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 전극, 제 2 전극, 제 3 전극은 서로 다른 층에 형성되며, 상기 제 3 전극은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 높이에 위치하는 X선 디텍터.
  14. 제 12 항 또는 제13 항에 있어서,
    상기 X선 조사 과정 또는 X선 조사 오프 후, 상기 제 1 전극과 제 2 전극에 인가되는 전압은 변화가 없는 X선 디텍터.
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