JP2003163345A - 放射線変換基板、放射線検出装置 - Google Patents
放射線変換基板、放射線検出装置Info
- Publication number
- JP2003163345A JP2003163345A JP2001361259A JP2001361259A JP2003163345A JP 2003163345 A JP2003163345 A JP 2003163345A JP 2001361259 A JP2001361259 A JP 2001361259A JP 2001361259 A JP2001361259 A JP 2001361259A JP 2003163345 A JP2003163345 A JP 2003163345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- electrode
- substrate
- layer
- charges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射線変換基板の端部で発生した不要な電荷
を画素電極へ移動しないようにして、その電荷による画
質の異常を防止することができるようにする。 【解決手段】 放射線を電荷に変換する変換部と、前記
変換部の端面から発生した電荷を収集する電極を、前記
変換部の端面近傍に配設することにより、前記変換部を
有する放射線変換基板の端部に発生した不要な電荷を端
部近傍に備えた電極で収集し、高感度な放射線変換基板
を提供することができるようにする。
を画素電極へ移動しないようにして、その電荷による画
質の異常を防止することができるようにする。 【解決手段】 放射線を電荷に変換する変換部と、前記
変換部の端面から発生した電荷を収集する電極を、前記
変換部の端面近傍に配設することにより、前記変換部を
有する放射線変換基板の端部に発生した不要な電荷を端
部近傍に備えた電極で収集し、高感度な放射線変換基板
を提供することができるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線を直接電荷
に変換する放射線変換基板と、これと電荷転送部を併せ
もつ放射線検出装置に関し、特に、Ｘ線を含む撮像装置
に用いて好適なものである。
に変換する放射線変換基板と、これと電荷転送部を併せ
もつ放射線検出装置に関し、特に、Ｘ線を含む撮像装置
に用いて好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体技術の進歩に伴い、その技
術を応用した放射線機器のデジタル化が進んでいる。こ
の放射線機器のデジタル化により、従来はフィルムや紙
で保存していた画像や医療情報をデジタル情報として記
録でき、また、リアルタイムで画像や情報を表示した
り、遠隔地へ転送することを可能とするにとどまらず、
新しい原理、材料を用いてより高感度、高性能な装置を
誕生させるまでに至っている。
術を応用した放射線機器のデジタル化が進んでいる。こ
の放射線機器のデジタル化により、従来はフィルムや紙
で保存していた画像や医療情報をデジタル情報として記
録でき、また、リアルタイムで画像や情報を表示した
り、遠隔地へ転送することを可能とするにとどまらず、
新しい原理、材料を用いてより高感度、高性能な装置を
誕生させるまでに至っている。
【０００３】放射線機器の感度が向上することにより、
患者に照射する線量を少なくすることができ、患者の負
担が軽減できる。さらに、従来は別々の装置であった静
止画撮影装置と動画撮影装置を一つの装置で行うことが
可能となり、診断や検診の効率化により患者の負担を軽
減できることから、医療現場の大きな進歩として期待さ
れている。
患者に照射する線量を少なくすることができ、患者の負
担が軽減できる。さらに、従来は別々の装置であった静
止画撮影装置と動画撮影装置を一つの装置で行うことが
可能となり、診断や検診の効率化により患者の負担を軽
減できることから、医療現場の大きな進歩として期待さ
れている。
【０００４】Ｘ線撮像装置のデジタル化は、従来と同様
に蛍光体を用いて可視光に変換し、その可視光を半導体
光センサで読み取りを行い、さらに電気信号へと変換す
る方式で実現している。この方式を用いて、より高感度
のＸ線撮像装置を作る場合には、蛍光体の変更、半導体
光センサの効率向上やＳ／Ｎ比の向上を行う必要があ
る。
に蛍光体を用いて可視光に変換し、その可視光を半導体
光センサで読み取りを行い、さらに電気信号へと変換す
る方式で実現している。この方式を用いて、より高感度
のＸ線撮像装置を作る場合には、蛍光体の変更、半導体
光センサの効率向上やＳ／Ｎ比の向上を行う必要があ
る。
【０００５】しかしながら、Ｘ線から可視光への変換や
可視光から電気信号への変換での損失があるために、大
きな感度向上は困難である。
可視光から電気信号への変換での損失があるために、大
きな感度向上は困難である。
【０００６】その一方で、物質の光電効果を利用して、
Ｘ線を直接電気信号へと変換する材料を用いた変換素子
を有するＸ線撮像装置が注目されつつある。Ｘ線を直接
電気信号へ変換するために、前述の場合と比べて電気信
号を得るまでの損失は少なく、従来のデジタルＸ線撮像
装置に比べて十数倍〜数十倍の感度向上が望める。この
ような、Ｘ線を直接電気信号へ変換するＸ線撮像装置を
直接型Ｘ線撮像装置と呼ぶ。
Ｘ線を直接電気信号へと変換する材料を用いた変換素子
を有するＸ線撮像装置が注目されつつある。Ｘ線を直接
電気信号へ変換するために、前述の場合と比べて電気信
号を得るまでの損失は少なく、従来のデジタルＸ線撮像
装置に比べて十数倍〜数十倍の感度向上が望める。この
ような、Ｘ線を直接電気信号へ変換するＸ線撮像装置を
直接型Ｘ線撮像装置と呼ぶ。
【０００７】変換素子に用いられる材料は、Ｘ線などの
放射線を吸収しやすく、かつ効率よく電気信号に変換で
きるアモルファスセレン（α-Ｓｅ）や、ヨウ化水銀
（ＨｇＩ2）、砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）、シリコン
（Ｓｉ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）などの結晶
半導体材料があげられる。この中で、扱いの容易さ、材
料の入手のし易さ、室温での安定度や室温での感度を考
慮した上で直接型Ｘ線撮像装置に好適な材料は、砒素化
ガリウム（ＧａＡｓ）およびシリコン（Ｓｉ）などであ
る。
放射線を吸収しやすく、かつ効率よく電気信号に変換で
きるアモルファスセレン（α-Ｓｅ）や、ヨウ化水銀
（ＨｇＩ2）、砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）、シリコン
（Ｓｉ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）などの結晶
半導体材料があげられる。この中で、扱いの容易さ、材
料の入手のし易さ、室温での安定度や室温での感度を考
慮した上で直接型Ｘ線撮像装置に好適な材料は、砒素化
ガリウム（ＧａＡｓ）およびシリコン（Ｓｉ）などであ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧａＡ
ｓやＳｉを用いた直接型Ｘ線撮像装置では、実用的な大
きさの撮像素子を作ることが出来ないことが課題となっ
ている。
ｓやＳｉを用いた直接型Ｘ線撮像装置では、実用的な大
きさの撮像素子を作ることが出来ないことが課題となっ
ている。
【０００９】結晶半導体は一般的にウェハーと呼ばれる
円盤状のもので流通しており、これを切り出して使用す
る。現在もっとも大きな結晶半導体ウェハーは、シリコ
ンの直径３０ｃｍのウェハーである。また、Ｓｉより放
射線の感度が優れているＧａＡｓでは６インチの直径の
ものが最大である。
円盤状のもので流通しており、これを切り出して使用す
る。現在もっとも大きな結晶半導体ウェハーは、シリコ
ンの直径３０ｃｍのウェハーである。また、Ｓｉより放
射線の感度が優れているＧａＡｓでは６インチの直径の
ものが最大である。
【００１０】よって、レントゲンの一般的な撮影に必要
な面積（人体の胸部撮影）である４０ｃｍ×４０ｃｍ程
度の有効領域をもつ撮像装置を作るためには、変換素子
を複数枚タイル状に貼り合わせることが必然的となる。
な面積（人体の胸部撮影）である４０ｃｍ×４０ｃｍ程
度の有効領域をもつ撮像装置を作るためには、変換素子
を複数枚タイル状に貼り合わせることが必然的となる。
【００１１】ＧａＡｓ、Ｓｉを用いた変換素子は、半導
体ウェハーの厚さ方向にダイオードを形成し、このダイ
オードに電圧を印加して光電変換により発生した電荷を
引き出す方法をとっている。このとき半導体の端面部分
は、端面に存在する結晶欠陥による電荷の発生や、それ
を介したリーク電流の存在など電気的特性に問題があ
り、端部に近い画素は他の画素と異なる感度や特性とな
ってしまう。
体ウェハーの厚さ方向にダイオードを形成し、このダイ
オードに電圧を印加して光電変換により発生した電荷を
引き出す方法をとっている。このとき半導体の端面部分
は、端面に存在する結晶欠陥による電荷の発生や、それ
を介したリーク電流の存在など電気的特性に問題があ
り、端部に近い画素は他の画素と異なる感度や特性とな
ってしまう。
【００１２】変換素子を複数枚タイル状に貼り合わせて
大面積化することは、有効領域に感度や特性の異なる画
素が存在することとなり、大面積化をしても安定した画
質が得られないという問題がある。特に、大口径のウェ
ハーを手に入れるのが困難な砒素化ガリウムを変換素子
に用いる場合は、必要な面積にするために多くの変換基
板を複数枚貼り合わせる必要があり、端部の部分も多く
なってしまう。
大面積化することは、有効領域に感度や特性の異なる画
素が存在することとなり、大面積化をしても安定した画
質が得られないという問題がある。特に、大口径のウェ
ハーを手に入れるのが困難な砒素化ガリウムを変換素子
に用いる場合は、必要な面積にするために多くの変換基
板を複数枚貼り合わせる必要があり、端部の部分も多く
なってしまう。
【００１３】本発明は上述の問題点にかんがみてなされ
たもので、変換素子を有する放射線変換基板の端部で発
生した不要な電荷を画素電極へ移動しないようにして、
その電荷による画質の異常を防止する放射線変換基板、
放射線検出装置を提供することを目的とする。
たもので、変換素子を有する放射線変換基板の端部で発
生した不要な電荷を画素電極へ移動しないようにして、
その電荷による画質の異常を防止する放射線変換基板、
放射線検出装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の放射線変換基板
は、放射線を電荷に変換する変換部と、前記変換部によ
って変換された電荷を収集するための画素電極と、前記
画素電極とは別に、前記変換部の端面から発生した電荷
を収集し、前記変換部の端面近傍に配設された電極とを
有することを特徴としている。本発明の放射線変換基板
の他の態様は、前記変換部は、砒素化ガリウムを用いた
ダイオード型であることを特徴としている。
は、放射線を電荷に変換する変換部と、前記変換部によ
って変換された電荷を収集するための画素電極と、前記
画素電極とは別に、前記変換部の端面から発生した電荷
を収集し、前記変換部の端面近傍に配設された電極とを
有することを特徴としている。本発明の放射線変換基板
の他の態様は、前記変換部は、砒素化ガリウムを用いた
ダイオード型であることを特徴としている。
【００１５】本発明の放射線検出装置は、前記に記載さ
れた放射線変換基板と、前記画素電極と接続され、前記
変換部で変換された電荷を蓄積するキャパシタと、前記
キャパシタに蓄積された電荷を転送するスイッチング素
子とを有する電荷転送基板とを有することを特徴として
いる。本発明の放射線検出装置の他の態様は、前記電荷
転送基板は、少なくとも絶縁性基板上に下部電極層、絶
縁層、半導体層及び上部電極層をこの順で設けた構成を
有することを特徴としている。また、本発明の放射線検
出装置の更に他の態様は、前記画素電極がマトリクス状
に形成されていることを特徴としている。また、本発明
の放射線検出装置の更に他の態様は、前記放射線変換基
板が複数に分割されていることを特徴としている。
れた放射線変換基板と、前記画素電極と接続され、前記
変換部で変換された電荷を蓄積するキャパシタと、前記
キャパシタに蓄積された電荷を転送するスイッチング素
子とを有する電荷転送基板とを有することを特徴として
いる。本発明の放射線検出装置の他の態様は、前記電荷
転送基板は、少なくとも絶縁性基板上に下部電極層、絶
縁層、半導体層及び上部電極層をこの順で設けた構成を
有することを特徴としている。また、本発明の放射線検
出装置の更に他の態様は、前記画素電極がマトリクス状
に形成されていることを特徴としている。また、本発明
の放射線検出装置の更に他の態様は、前記放射線変換基
板が複数に分割されていることを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照しながら、
本発明の放射線変換基板、放射線検出装置の実施形態に
ついて説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
おける放射線変換基板の概略断面図である。本実施の形
態では、変換素子としてＧａＡｓを用いた例を示し説明
する。
本発明の放射線変換基板、放射線検出装置の実施形態に
ついて説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
おける放射線変換基板の概略断面図である。本実施の形
態では、変換素子としてＧａＡｓを用いた例を示し説明
する。
【００１７】図１において、１００は変換素子の上部電
極で、複数の画素電極に対して共通して設けられた共通
電極である。この上部電極１００を用いて変換素子に電
圧を印加する。１０１は有機金属化学気相堆積（ＭＯＣ
ＶＤ）法などで形成したＰ型ＧａＡｓ層であり、上部電
極１００とのオーミックコンタクトおよびエレクトロン
ブロッキング層として働く。１０２は高抵抗Ｎ型ＧａＡ
ｓ層であり抵抗率１０ 8Ωｃｍ程度のものが用いられ
る。
極で、複数の画素電極に対して共通して設けられた共通
電極である。この上部電極１００を用いて変換素子に電
圧を印加する。１０１は有機金属化学気相堆積（ＭＯＣ
ＶＤ）法などで形成したＰ型ＧａＡｓ層であり、上部電
極１００とのオーミックコンタクトおよびエレクトロン
ブロッキング層として働く。１０２は高抵抗Ｎ型ＧａＡ
ｓ層であり抵抗率１０ 8Ωｃｍ程度のものが用いられ
る。
【００１８】１０３はＭＯＣＶＤ法などで形成したＮ型
ＧａＡｓ層であり、画素電極とのオーミックコンタクト
およびエレクトロンブロッキング層として働く。１０４
は画素電極であり、後述する電荷転送基板と接続され
る。１０５は端部電極で、各放射線変換基板の端部に設
けられて、端部１０６に発生した電荷を吸収する。放射
線変換基板は、共通電極、Ｐ型半導体層１０１、高抵抗
Ｎ型半導体層１０２、Ｎ型半導体層１０３、及び画素電
極１０４を含む変換部と端部電極１０５から構成されて
いる。
ＧａＡｓ層であり、画素電極とのオーミックコンタクト
およびエレクトロンブロッキング層として働く。１０４
は画素電極であり、後述する電荷転送基板と接続され
る。１０５は端部電極で、各放射線変換基板の端部に設
けられて、端部１０６に発生した電荷を吸収する。放射
線変換基板は、共通電極、Ｐ型半導体層１０１、高抵抗
Ｎ型半導体層１０２、Ｎ型半導体層１０３、及び画素電
極１０４を含む変換部と端部電極１０５から構成されて
いる。
【００１９】本実施形態における放射線変換基板の原理
について、図２を用いて説明する。本実施形態の放射線
変換基板はＰＮ型フォトダイオードとなっている。図２
（ａ）は放射線変換基板の層構成図を示し、また、図２
（ｂ）に放射線変換基板の上部電極１００に電圧を印加
しない平衡状態のバンドダイアグラムを、図２（ｃ）に
放射線変換基板の上部電極１００にマイナスの電圧を与
えたときのバンドダイアグラムを示す。
について、図２を用いて説明する。本実施形態の放射線
変換基板はＰＮ型フォトダイオードとなっている。図２
（ａ）は放射線変換基板の層構成図を示し、また、図２
（ｂ）に放射線変換基板の上部電極１００に電圧を印加
しない平衡状態のバンドダイアグラムを、図２（ｃ）に
放射線変換基板の上部電極１００にマイナスの電圧を与
えたときのバンドダイアグラムを示す。
【００２０】１０8Ωｃｍ程度の抵抗率をもつ高抵抗Ｎ
型ＧａＡｓ基板１０２を用いた場合、図２（ｂ）に示す
ように上部電極１００に電圧を印加しない状態では、Ｐ
Ｎ接合のビルトイン電圧によって、高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ
層１０２の電子は、Ｎ型ＧａＡｓ層１０３へ（電子２０
１）、また、その正孔はＰ型ＧａＡｓ層１０１へ拡散す
るため（正孔２０２）、高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ基板１０２
内にはキャリアが枯渇した層、つまり空乏層２０３が形
成される。
型ＧａＡｓ基板１０２を用いた場合、図２（ｂ）に示す
ように上部電極１００に電圧を印加しない状態では、Ｐ
Ｎ接合のビルトイン電圧によって、高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ
層１０２の電子は、Ｎ型ＧａＡｓ層１０３へ（電子２０
１）、また、その正孔はＰ型ＧａＡｓ層１０１へ拡散す
るため（正孔２０２）、高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ基板１０２
内にはキャリアが枯渇した層、つまり空乏層２０３が形
成される。
【００２１】この空乏層２０３では、電子／正孔の濃度
が極めて低いため、図２（ｃ）に示すように光電効果に
よって発生した電子２０４／正孔２０５が、再結合によ
って消滅するまでの時間は長い。
が極めて低いため、図２（ｃ）に示すように光電効果に
よって発生した電子２０４／正孔２０５が、再結合によ
って消滅するまでの時間は長い。
【００２２】しかしながら、ＰＮ接合によるビルトイン
電圧はせいぜい１Ｖ程度であり、光電効果によって発生
した電子２０４／正孔２０５が消滅する前に、光電効果
によって発生した電子２０４をＮ型ＧａＡｓ層１０３ま
たは、光電効果によって発生した正孔２０５をＰ型Ｇａ
Ａｓ層１０１へ移動させるに十分なエネルギーを与える
ことが出来ない。
電圧はせいぜい１Ｖ程度であり、光電効果によって発生
した電子２０４／正孔２０５が消滅する前に、光電効果
によって発生した電子２０４をＮ型ＧａＡｓ層１０３ま
たは、光電効果によって発生した正孔２０５をＰ型Ｇａ
Ａｓ層１０１へ移動させるに十分なエネルギーを与える
ことが出来ない。
【００２３】このため、上部電極１００にマイナス電圧
を与えて電子をＮ型ＧａＡｓ層１０３へ、正孔をＰ型Ｇ
ａＡｓ層１０１へ移動させるエネルギーを与え、消滅す
る前に電極へ導くことで光電効果によって発生した電子
２０４／正孔２０５を電気信号として取り出すことが出
来る。
を与えて電子をＮ型ＧａＡｓ層１０３へ、正孔をＰ型Ｇ
ａＡｓ層１０１へ移動させるエネルギーを与え、消滅す
る前に電極へ導くことで光電効果によって発生した電子
２０４／正孔２０５を電気信号として取り出すことが出
来る。
【００２４】電気信号として取り出すのに必要な電圧
は、使用する高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ基板１０２の抵抗率や
結晶の質によって左右されるが、１００Ｖ程度の電圧で
光電効果により発生した電子２０４／正孔２０５を取り
出すことが出来る。尚、キャリアの飽和速度に達するま
では、印加する電圧が高いほど効率がよくなることは言
うまでもない。
は、使用する高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ基板１０２の抵抗率や
結晶の質によって左右されるが、１００Ｖ程度の電圧で
光電効果により発生した電子２０４／正孔２０５を取り
出すことが出来る。尚、キャリアの飽和速度に達するま
では、印加する電圧が高いほど効率がよくなることは言
うまでもない。
【００２５】また、放射光が照射されない場合には、変
換素子に流れる電流は空乏層で熱的に発生したキャリア
および、拡散電流によるものであり、光電効果により発
生する電流に比べてごく僅かである。
換素子に流れる電流は空乏層で熱的に発生したキャリア
および、拡散電流によるものであり、光電効果により発
生する電流に比べてごく僅かである。
【００２６】以上より、変換素子は照射された放射線量
に応じた電気信号を発生することができる。
に応じた電気信号を発生することができる。
【００２７】本実施形態で用いる変換素子は、前述のよ
うに上部電極１００に電圧を印加することにより、光電
変換によって発生した電荷を電極へ導いている。半導体
上下面に形成されている電極が同じ大きさであれば、半
導体内部の電界分布や電位分布は一様となるが、図１に
示すように画素ごとに分割された画素電極１０４の形状
であると、画素電極１０４へ電荷を集中させるように電
界が発生する。図１に示すように放射線変換基板の端部
１０６で発生した電荷は、電界によって画素電極１０４
へ引き寄せられ画像信号として蓄積されてしまう。この
放射線変換基板端面からの電荷分が画素値異常などの原
因となる。
うに上部電極１００に電圧を印加することにより、光電
変換によって発生した電荷を電極へ導いている。半導体
上下面に形成されている電極が同じ大きさであれば、半
導体内部の電界分布や電位分布は一様となるが、図１に
示すように画素ごとに分割された画素電極１０４の形状
であると、画素電極１０４へ電荷を集中させるように電
界が発生する。図１に示すように放射線変換基板の端部
１０６で発生した電荷は、電界によって画素電極１０４
へ引き寄せられ画像信号として蓄積されてしまう。この
放射線変換基板端面からの電荷分が画素値異常などの原
因となる。
【００２８】本実施形態では、図１に示すように放射線
変換基板の端部１０６に端部電極１０５を設けて、これ
を画素電極１０４と同じ電位か、または接地電位にする
ことで端部電極１０５へ電荷を引きよせるように電界を
発生させ、半導体の端部１０６で発生した電荷を収集
し、放射線変換基板内において電界を均一にするための
ものである。
変換基板の端部１０６に端部電極１０５を設けて、これ
を画素電極１０４と同じ電位か、または接地電位にする
ことで端部電極１０５へ電荷を引きよせるように電界を
発生させ、半導体の端部１０６で発生した電荷を収集
し、放射線変換基板内において電界を均一にするための
ものである。
【００２９】ここで、端部電極１０５を設け、画素電極
と同電位にしたとき、放射線変換基板の端部１０６で発
生した電荷の振る舞いを考える。Ｐ型ＧａＡｓ層１０１
と高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ層１０２の接合面と端面の交点を
原点とし、接合面に垂直な方向にｘ軸を、厚み方向をｙ
軸にとる。
と同電位にしたとき、放射線変換基板の端部１０６で発
生した電荷の振る舞いを考える。Ｐ型ＧａＡｓ層１０１
と高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ層１０２の接合面と端面の交点を
原点とし、接合面に垂直な方向にｘ軸を、厚み方向をｙ
軸にとる。
【００３０】電子のｘ軸方向、ｙ軸方向の初速度をそれ
ぞれvx0、vy0とおくと、電子のｘ軸方向、ｙ軸方向の速
度は、それぞれ式１、式２のようになる。
ぞれvx0、vy0とおくと、電子のｘ軸方向、ｙ軸方向の速
度は、それぞれ式１、式２のようになる。
【００３１】
【数１】
【００３２】ここでτｃは電子の平均衝突時間、ｍｅ ＊
は電子の有効質量、Ｅは高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ層１０２に
発生する電界である。
は電子の有効質量、Ｅは高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ層１０２に
発生する電界である。
【００３３】ここで電界は高抵抗のＮ型ＧａＡｓである
ことからｙ軸方向にほぼ一定であるとしている。また、
ｘ軸方向の電界は端部電極１０５上では０であるとす
る。
ことからｙ軸方向にほぼ一定であるとしている。また、
ｘ軸方向の電界は端部電極１０５上では０であるとす
る。
【００３４】電子が、原点から出て端部電極１０５まで
に到達する時間をtdとすると、td間に電子が移動する距
離ｘ、ｙは、それぞれ式３、式４のようになる。
に到達する時間をtdとすると、td間に電子が移動する距
離ｘ、ｙは、それぞれ式３、式４のようになる。
【００３５】
【数２】
【００３６】ここで高抵抗ＧａＡｓ基板の厚みを６００
μｍ、抵抗率１×１０8Ωｃｍと仮定し、電子が端部電
極１０５に到達するまでにｘ方向へ移動する距離を求め
ると、ｙ＝６００μｍ、抵抗率から求めたτｃ＝2.13×
10-13sec、初速度として電子の熱速度を式４に代入しtd
を求めるとtd＝５nsecとなる。このときｘ方向への移動
距離は9.6×10-2μｍとなる。よって端部電極１０５の
厚みは１μｍもあれば十分と言える。
μｍ、抵抗率１×１０8Ωｃｍと仮定し、電子が端部電
極１０５に到達するまでにｘ方向へ移動する距離を求め
ると、ｙ＝６００μｍ、抵抗率から求めたτｃ＝2.13×
10-13sec、初速度として電子の熱速度を式４に代入しtd
を求めるとtd＝５nsecとなる。このときｘ方向への移動
距離は9.6×10-2μｍとなる。よって端部電極１０５の
厚みは１μｍもあれば十分と言える。
【００３７】（第２の実施形態）図３は、本発明の第２
の実施形態における撮像装置の概略断面図である。本実
施形態の撮像装置は、放射線を電荷に変換する変換素子
とその電荷を転送する電荷転送部（基板）とをマトリク
ス状に構成したものである。以下、撮像装置の１画素分
を説明する。
の実施形態における撮像装置の概略断面図である。本実
施形態の撮像装置は、放射線を電荷に変換する変換素子
とその電荷を転送する電荷転送部（基板）とをマトリク
ス状に構成したものである。以下、撮像装置の１画素分
を説明する。
【００３８】図３に示すように、３００は放射線変換基
板の上面、放射線入射側を保護する保護層であり、シリ
コン窒化膜や絶縁性の樹脂などで形成される。３０６は
画素電極面に形成された下部保護層であり、シリコン窒
化膜によって形成される。
板の上面、放射線入射側を保護する保護層であり、シリ
コン窒化膜や絶縁性の樹脂などで形成される。３０６は
画素電極面に形成された下部保護層であり、シリコン窒
化膜によって形成される。
【００３９】次に、３０７はバンプメタル３０８を形成
するときに形成されるバリアメタルであり、チタンとパ
ラジウム、金をスパッタで積層したものである。３０８
はメッキ処理で形成した金のバンプメタルである。ま
た、３０９は、バンプメタル３０８を介して放射線変換
基板３２２と電荷転送基板３２３とを電気的に接続する
接続電極である。
するときに形成されるバリアメタルであり、チタンとパ
ラジウム、金をスパッタで積層したものである。３０８
はメッキ処理で形成した金のバンプメタルである。ま
た、３０９は、バンプメタル３０８を介して放射線変換
基板３２２と電荷転送基板３２３とを電気的に接続する
接続電極である。
【００４０】３２３は放射線変換基板３２２の各画素電
極にバンプメタル３０８を介して接続されている電荷転
送基板であり、キャパシタ３２１、そのキャパシタ３２
１に蓄積された電荷をリセットするリセットＴＦＴ３１
９、その蓄積された電荷を転送する転送用ＴＦＴ３２０
から構成されている。
極にバンプメタル３０８を介して接続されている電荷転
送基板であり、キャパシタ３２１、そのキャパシタ３２
１に蓄積された電荷をリセットするリセットＴＦＴ３１
９、その蓄積された電荷を転送する転送用ＴＦＴ３２０
から構成されている。
【００４１】電荷転送基板３２３は、少なくとも絶縁性
をもつガラスなどの絶縁基板３１０上に形成されてお
り、絶縁基板３１０上に、クロムなどの金属をスパッタ
しリソグラフィーによりパターニングして形成した、リ
セットＴＦＴ（薄膜トランジスタ）ゲート電極３１１、
転送用ＴＦＴゲート電極３１３、キャパシタ下部電極３
１２が形成されている。
をもつガラスなどの絶縁基板３１０上に形成されてお
り、絶縁基板３１０上に、クロムなどの金属をスパッタ
しリソグラフィーによりパターニングして形成した、リ
セットＴＦＴ（薄膜トランジスタ）ゲート電極３１１、
転送用ＴＦＴゲート電極３１３、キャパシタ下部電極３
１２が形成されている。
【００４２】まず、リセットＴＦＴ３１９については、
リセットＴＦＴゲート電極３１１上にアモルファス窒化
シリコン膜で形成したＴＦＴの絶縁層３１４が形成され
ており、また、アモルファスシリコン膜で形成されたチ
ャネル層と、そのチャネル層と金属電極とのオーミック
コンタクト取るためＮ+型アモルファスシリコン膜で形
成されたオーミックコンタクト層３１６と、アルミなど
の金属をスパッタで堆積しリソグラフィーによって形成
したリセットライン３１８などで構成されている。
リセットＴＦＴゲート電極３１１上にアモルファス窒化
シリコン膜で形成したＴＦＴの絶縁層３１４が形成され
ており、また、アモルファスシリコン膜で形成されたチ
ャネル層と、そのチャネル層と金属電極とのオーミック
コンタクト取るためＮ+型アモルファスシリコン膜で形
成されたオーミックコンタクト層３１６と、アルミなど
の金属をスパッタで堆積しリソグラフィーによって形成
したリセットライン３１８などで構成されている。
【００４３】次に、転送用ＴＦＴ３２０については、転
送用ＴＦＴゲート電極３１３上に絶縁アモルファス窒化
シリコン膜で形成した絶縁膜と、チャネル層となるアモ
ルファスシリコン膜で形成されたチャネル層３１５、金
属電極とチャネル層をオーミックコンタクト取るために
Ｎ+型アモルファスシリコン膜のオーミックコンタクト
層３１６、および、アルミなど金属をスパッタで堆積し
リソグラフィーによって形成した、信号線３１７などで
構成されている。
送用ＴＦＴゲート電極３１３上に絶縁アモルファス窒化
シリコン膜で形成した絶縁膜と、チャネル層となるアモ
ルファスシリコン膜で形成されたチャネル層３１５、金
属電極とチャネル層をオーミックコンタクト取るために
Ｎ+型アモルファスシリコン膜のオーミックコンタクト
層３１６、および、アルミなど金属をスパッタで堆積し
リソグラフィーによって形成した、信号線３１７などで
構成されている。
【００４４】さらに、キャパシタ３２１については、キ
ャパシタ下部電極３１２上に絶縁アモルファス窒化シリ
コン膜で形成した絶縁膜と、また、金属電極とのオーミ
ックコンタクト取るためＮ+型アモルファスシリコン膜
で形成されのオーミックコンタクト層と、アルミなど金
属をスパッタで堆積しリソグラフィーによって形成した
キャパシタ上部電極３２１などで構成されている。
ャパシタ下部電極３１２上に絶縁アモルファス窒化シリ
コン膜で形成した絶縁膜と、また、金属電極とのオーミ
ックコンタクト取るためＮ+型アモルファスシリコン膜
で形成されのオーミックコンタクト層と、アルミなど金
属をスパッタで堆積しリソグラフィーによって形成した
キャパシタ上部電極３２１などで構成されている。
【００４５】また、電荷転送基板３２３は、リセットＴ
ＦＴ３１９、キャパシタ３２１、転送用ＴＦＴ３２０を
湿度などから保護するために、シリコン窒化膜によって
形成されるパッシベーション層３２５も有している。放
射線変換基板３２２と電荷転送基板３２３との接続は、
図３には図示されていないが、アモルファスシリコンの
ＴＦＴなどに影響を与えない程度の低融点ハンダ、また
は、導電性接着材によって、バンプメタル３０８と接続
電極３０９を電気的及び、機械的に接続することで行わ
れる。
ＦＴ３１９、キャパシタ３２１、転送用ＴＦＴ３２０を
湿度などから保護するために、シリコン窒化膜によって
形成されるパッシベーション層３２５も有している。放
射線変換基板３２２と電荷転送基板３２３との接続は、
図３には図示されていないが、アモルファスシリコンの
ＴＦＴなどに影響を与えない程度の低融点ハンダ、また
は、導電性接着材によって、バンプメタル３０８と接続
電極３０９を電気的及び、機械的に接続することで行わ
れる。
【００４６】次に、図３に示した撮像装置の動作につい
て図４を用いて説明する。図４は、本実施形態の撮像装
置の１画素に相当する回路図を示したものである。
て図４を用いて説明する。図４は、本実施形態の撮像装
置の１画素に相当する回路図を示したものである。
【００４７】まず、放射線変換基板中の変換素子４０２
にセンサバイアス源４００が、またリセットＴＦＴ３１
９にリセットバイアス４０１がそれぞれバイアスされて
いる。
にセンサバイアス源４００が、またリセットＴＦＴ３１
９にリセットバイアス４０１がそれぞれバイアスされて
いる。
【００４８】次に、図４を用いて電荷を読み出す動作に
ついて説明する。変換素子４０２にＸ線が入射すると、
変換素子４０２はＸ線量に比例した電荷を流し、その電
荷はキャパシタ３２１に蓄積される。電荷の読み出し
は、転送用ＴＦＴ３２０のゲート電圧をＨｉにして、転
送用ＴＦＴ３２０をＯＮにし、キャパシタ３２１に蓄積
した電荷を信号線３１７へ転送することで行われる。
ついて説明する。変換素子４０２にＸ線が入射すると、
変換素子４０２はＸ線量に比例した電荷を流し、その電
荷はキャパシタ３２１に蓄積される。電荷の読み出し
は、転送用ＴＦＴ３２０のゲート電圧をＨｉにして、転
送用ＴＦＴ３２０をＯＮにし、キャパシタ３２１に蓄積
した電荷を信号線３１７へ転送することで行われる。
【００４９】転送用ＴＦＴ３２０のゲート電圧をＬＯＷ
にして、転送用ＴＦＴ３２０をＯＦＦにし電荷の転送が
終了した後、リセットＴＦＴ３１９をＯＮにし、キャパ
シタ３２１を所望の電圧になるようにリセットをかけ
る。以上の動作の各部位におけるタイミングチャート
を、図４の回路図の下に示す。
にして、転送用ＴＦＴ３２０をＯＦＦにし電荷の転送が
終了した後、リセットＴＦＴ３１９をＯＮにし、キャパ
シタ３２１を所望の電圧になるようにリセットをかけ
る。以上の動作の各部位におけるタイミングチャート
を、図４の回路図の下に示す。
【００５０】図５に本発明の第２の実施形態における撮
像装置の回路図を示す。図５では、３×３画素の回路図
を示しているが、本発明はこれに限らない。
像装置の回路図を示す。図５では、３×３画素の回路図
を示しているが、本発明はこれに限らない。
【００５１】図５では、転送用ＴＦＴ３２０のゲートバ
イアス線のすべては垂直駆動回路５０３へ接続されてい
る。この垂直駆動回路５０３は接続されたゲートバイア
ス線Vgtrに順次Ｈｉ/ＬＯＷのバイアスをかけることが
出来る。リセットＴＦＴ３１９のゲートバイアス線Vgr
はすべての画素で共通になっており、リセットＴＦＴゲ
ートバイアス源５０１でＨｉ/ＬＯＷを一括で制御す
る。
イアス線のすべては垂直駆動回路５０３へ接続されてい
る。この垂直駆動回路５０３は接続されたゲートバイア
ス線Vgtrに順次Ｈｉ/ＬＯＷのバイアスをかけることが
出来る。リセットＴＦＴ３１９のゲートバイアス線Vgr
はすべての画素で共通になっており、リセットＴＦＴゲ
ートバイアス源５０１でＨｉ/ＬＯＷを一括で制御す
る。
【００５２】信号増幅ＡＭＰ５０４は転送用ＴＦＴ３２
０から転送された電荷を増幅する。マルチプレキサー５
０２は各信号増幅ＡＭＰ５０４からの信号をシリアル信
号へと変換する装置である。さらに各信号線３１７に接
続されている信号リセットスイッチ５０５は、信号線３
１７に蓄積した電荷をリセットするためのものである。
０から転送された電荷を増幅する。マルチプレキサー５
０２は各信号増幅ＡＭＰ５０４からの信号をシリアル信
号へと変換する装置である。さらに各信号線３１７に接
続されている信号リセットスイッチ５０５は、信号線３
１７に蓄積した電荷をリセットするためのものである。
【００５３】また、図５では図示されていないが、本実
施形態の撮像装置は、端部の電極の電位を固定するため
の電源または、電位を持つ。
施形態の撮像装置は、端部の電極の電位を固定するため
の電源または、電位を持つ。
【００５４】次に、３×３画素の信号読み出し方法につ
いて説明する。信号線３１７は、信号リセットスイッチ
５０５によってリセットされ、また、Ｘ線が照射され、
各画素のキャパシタ３２１に電荷が蓄積された状態で、
垂直駆動回路５０３によってVgtr１の電位がＨｉとな
り、Vgtr1に接続されている転送用ＴＦＴ３２０がＯＮ
になる。これにより、横１ラインの画素のキャパシタ３
２１に蓄積されている電荷が各信号線３１７へと転送さ
れる。信号は信号線３１７に接続されている信号増幅Ａ
ＭＰ５０４によって増幅されマルチプレキサー５０２へ
送られる。
いて説明する。信号線３１７は、信号リセットスイッチ
５０５によってリセットされ、また、Ｘ線が照射され、
各画素のキャパシタ３２１に電荷が蓄積された状態で、
垂直駆動回路５０３によってVgtr１の電位がＨｉとな
り、Vgtr1に接続されている転送用ＴＦＴ３２０がＯＮ
になる。これにより、横１ラインの画素のキャパシタ３
２１に蓄積されている電荷が各信号線３１７へと転送さ
れる。信号は信号線３１７に接続されている信号増幅Ａ
ＭＰ５０４によって増幅されマルチプレキサー５０２へ
送られる。
【００５５】Vgtr1のＯＮ時間は電荷を信号線３１７へ
完全に転送される時間であり、この時間は転送用ＴＦＴ
３２０のＯＮ抵抗と信号線容量からなる時定数によって
決まる。Vgtr1をＬＯＷにし転送用ＴＦＴ３２０をＯＦ
Ｆにすることで、電荷の転送が終了する。電荷転送終了
後、信号線３１７のリセットを行う。
完全に転送される時間であり、この時間は転送用ＴＦＴ
３２０のＯＮ抵抗と信号線容量からなる時定数によって
決まる。Vgtr1をＬＯＷにし転送用ＴＦＴ３２０をＯＦ
Ｆにすることで、電荷の転送が終了する。電荷転送終了
後、信号線３１７のリセットを行う。
【００５６】以上を、順次にすべてのラインについて行
うことで、すべての画素信号を読みだすことが出来る。
すべての画素の読みだしが終了した後、各画素のキャパ
シタ３２１をリセットＴＦＴ３１９によってリセットす
る。
うことで、すべての画素信号を読みだすことが出来る。
すべての画素の読みだしが終了した後、各画素のキャパ
シタ３２１をリセットＴＦＴ３１９によってリセットす
る。
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば、放射線変換基板の端部
に発生する不要な電荷を端部近傍に備えた電極で収集す
ることができる。これにより、端部で発生した電荷によ
る画質の異常を防止することができ、高感度な放射線変
換基板とすることができる。また、放射線変換基板の端
部に発生する不要な電荷を収集する電極を設けたこと
で、この放射線変換基板を複数枚貼り合わせた大面積を
有する高感度な放射線検出装置の作製が可能となる。
に発生する不要な電荷を端部近傍に備えた電極で収集す
ることができる。これにより、端部で発生した電荷によ
る画質の異常を防止することができ、高感度な放射線変
換基板とすることができる。また、放射線変換基板の端
部に発生する不要な電荷を収集する電極を設けたこと
で、この放射線変換基板を複数枚貼り合わせた大面積を
有する高感度な放射線検出装置の作製が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態における放射線変換基
板の概略断面図である。
板の概略断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における放射線変換基
板の原理を説明する図である。
板の原理を説明する図である。
【図３】本発明の第２の実施形態における撮像装置の概
略断面図である。
略断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態における撮像装置の１
画素に相当する回路図である。
画素に相当する回路図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における撮像装置の回
路図である。
路図である。
１００ 上部電極
１０１ Ｐ型ＧａＡｓ層
１０２ 高抵抗Ｎ型ＧａＡｓ層（基板）
１０３ Ｎ型ＧａＡｓ層
１０４ 画素電極
１０５ 端部電極
１０６ （放射線変換基板の）端部
２０１ Ｎ型ＧａＡｓ層の電子
２０２ Ｐ型ＧａＡｓ層の正孔
２０３ 空乏層
２０４ 光電効果で発生した電子
２０５ 光電効果で発生した正孔
３００ 保護層
３０６ 下部保護膜
３０７ バリアメタル
３０８ バンプメタル
３０９ 接続電極
３１０ 絶縁基板
３１１ リセットＴＦＴゲート電極
３１２ キャパシタ下部電極
３１３ 転送用ＴＦＴゲート電極
３１４ 絶縁層
３１５ チャネル層
３１６ オーミックコンタクト層
３１７ 信号線
３１８ リセットライン
３１９ リセットＴＦＴ
３２０ 転送用ＴＦＴ
３２１ キャパシタ
３２２ 放射線変換基板
３２３ 電荷転送基板
３２４ キャパシタ上部電極
３２５ パッシベーション層
４００ センサバイアス源
４０１ リセットバイアス
４０２ 変換素子
５０１ リセットＴＦＴゲートバイアス源
５０２ マルチプレキサー
５０３ 垂直駆動回路
５０４ 信号増幅ＡＭＰ
５０５ 信号線リセットスイッチ
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ
5/335 27/14 Ｋ
Ｄ
(72)発明者 沼居 貴陽
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG21 JJ05 JJ31
KK32 LL11 LL12
4M118 AA01 AA05 AB01 BA04 BA19
CA03 CA32 CB02 CB05 DD12
EA01 FB13 FB16 GA10 HA21
HA31
5C024 AX11 CX38 CX41 CY47 EX17
GX03
5F049 MA02 MB02 MB07 NA01 NA04
NB05 RA08 SS01 WA07
Claims (6)
- 【請求項１】 放射線を電荷に変換する変換部と、 前記変換部によって変換された電荷を収集するための画
素電極と、 前記画素電極とは別に、前記変換部の端面から発生した
電荷を収集し、前記変換部の端面近傍に配設された電極
とを有することを特徴とする放射線変換基板。 - 【請求項２】 前記変換部は、砒素化ガリウムを用いた
ダイオード型であることを特徴とする請求項１に記載の
放射線変換基板。 - 【請求項３】 請求項１に記載された放射線変換基板
と、 前記画素電極と接続され、前記変換部で変換された電荷
を蓄積するキャパシタと、前記キャパシタに蓄積された
電荷を転送するスイッチング素子とを有する電荷転送基
板とを有することを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項４】 前記電荷転送基板は、少なくとも絶縁性
基板上に下部電極層、絶縁層、半導体層及び上部電極層
をこの順で設けた構成を有することを特徴とする請求項
３に記載の放射線検出装置。 - 【請求項５】 前記画素電極がマトリクス状に形成され
ていることを特徴とする請求項３に記載の放射線検出装
置。 - 【請求項６】 前記放射線変換基板が複数に分割されて
いることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記
載の放射線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001361259A JP2003163345A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 放射線変換基板、放射線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001361259A JP2003163345A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 放射線変換基板、放射線検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003163345A true JP2003163345A (ja) | 2003-06-06 |
| JP2003163345A5 JP2003163345A5 (ja) | 2006-12-28 |
Family
ID=19171950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001361259A Pending JP2003163345A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 放射線変換基板、放射線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003163345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009139346A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-25 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 放射線検出センサおよび放射線検出センサユニット |
| WO2012008072A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
-
2001
- 2001-11-27 JP JP2001361259A patent/JP2003163345A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009139346A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-25 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 放射線検出センサおよび放射線検出センサユニット |
| WO2012008072A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7897930B2 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
| US6259085B1 (en) | Fully depleted back illuminated CCD | |
| WO2012034401A1 (zh) | 辐射探测器及其成像装置、电极结构和获取图像的方法 | |
| JP4147186B2 (ja) | 感光及び／又は感ｘ線センサからなるセンサ配置 | |
| US9812604B2 (en) | Photosensing device with graphene | |
| US20220008029A1 (en) | Methods for Determining Misalignment of X-ray Detectors | |
| JP2008244251A (ja) | アモルファスシリコンフォトダイオード及びその製造方法ならびにｘ線撮像装置 | |
| KR20030033931A (ko) | 방사선 검출장치 | |
| JPH11345994A (ja) | ２次元光センサ、それを用いた放射線検出装置及び放射線診断システム | |
| JP2004241653A (ja) | Ｘ線撮像素子 | |
| JP2002139571A (ja) | 電磁波変換装置 | |
| JP3703217B2 (ja) | Ｘ線検出装置 | |
| TWI603463B (zh) | 光感測器及光感測模組 | |
| JP2002217444A (ja) | 放射線検出装置 | |
| TWI825249B (zh) | X射線檢測器的製備方法及其使用方法 | |
| US7388185B2 (en) | Pixel detector and method of manufacture and assembly thereof | |
| JP2005203708A (ja) | Ｘ線撮像素子 | |
| KR102659426B1 (ko) | 디지털 엑스레이 검출기 | |
| TWI804502B (zh) | 製造ｘ射線檢測器的方法 | |
| KR20180044681A (ko) | 검출효율이 향상된 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법 | |
| JP2001111020A (ja) | 撮像装置および撮像システム | |
| JP2003163345A (ja) | 放射線変換基板、放射線検出装置 | |
| KR101103790B1 (ko) | 방사선 촬영 시스템 및 그 제조 방법 | |
| JPH0763859A (ja) | 放射線２次元検出器 | |
| JP2697767B2 (ja) | 放射線撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041126 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061115 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070220 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080415 |