KR102114264B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판에 박막을 증착할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버와, 상기 반응 공간에 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드와, 상기 공정 챔버에 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 상에 증착되는 상기 박막에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지부간의 공정 갭을 조절하기 위해 상기 기판 지지부를 상하로 이동시키는 레벨링 장치와, 상기 기판 지지부의 기울기를 측정하는 센서와, 상기 기판 지지부의 기울기를 조절하는 틸팅 장치 및 상기 센서로부터 입력되는 상기 기판 지지부의 기울기 정보와 기 설정된 기준 기울기 정보를 이용하여 상기 기판 지지부 상면에 안착된 상기 기판에 균일한 상기 박막을 증착할 수 있도록 상기 틸팅 장치의 구동을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of depositing a thin film on a substrate, a process chamber in which a reaction space for depositing a thin film is formed, a shower head for supplying a process gas to the reaction space, and A leveling device installed in a process chamber and supporting a substrate, and a leveling device that moves the substrate support up and down to adjust a process gap between the shower head and the substrate support according to the thin film deposited on the substrate, and The substrate seated on the upper surface of the substrate support using a sensor for measuring the inclination of the substrate support, a tilting device for adjusting the inclination of the substrate support, and the inclination information of the substrate support input from the sensor and preset reference inclination information. It may include a control unit for controlling the driving of the tilting device to deposit the thin film uniformly.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and substrate processing method}Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판에 박막을 증착할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of depositing a thin film on a substrate.

통상적인 기판 처리 장치에 있어서, 기판이 안착되는 서셉터와 공정 가스를 공급하기 위한 샤워헤드 간의 간격인 갭 조절과 서셉터의 기울기 조절은 기판에 균일한 박막을 증착하여 양품의 반도체 소자를 제조하는데 중요한 요소로 작용하게 된다. 일반적으로, 서셉터의 기울기는 하나의 정해진 기준 높이에서 수동으로 설정된다. 하지만, 박막의 종류에 따라서 서셉터의 높이가 조절될 필요가 있는데, 이 경우 서셉터 높이 조절 시 서셉터의 기울기가 변경될 수 있다. 또한, 박막의 종류에 따라서 서셉터의 기울기를 조절할 필요가 있으나 기존 기판 처리 장치에서는 이를 구현하기 어렵다.In a typical substrate processing apparatus, the gap adjustment, which is the interval between the susceptor on which the substrate is seated and the showerhead for supplying process gas, and the slope adjustment of the susceptor, deposit a uniform thin film on the substrate to manufacture a good quality semiconductor device. It is an important factor. Generally, the slope of the susceptor is set manually at one given reference height. However, the height of the susceptor needs to be adjusted according to the type of the thin film. In this case, the slope of the susceptor may be changed when the height of the susceptor is adjusted. In addition, it is necessary to adjust the inclination of the susceptor according to the type of thin film, but it is difficult to implement this in the existing substrate processing apparatus.

본 발명은 상기와 같은 문제점들을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 서셉터의 레벨링이 변경됨에 따라서 서셉터의 기울기를 조절할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is to solve a number of problems, including the above problems, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of adjusting the inclination of the susceptor as the leveling of the susceptor is changed. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는, 박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 반응 공간에 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드; 상기 공정 챔버에 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 상에 증착되는 상기 박막에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지부간의 공정 갭을 조절하기 위해 상기 기판 지지부를 상하로 이동시키는 레벨링 장치; 상기 기판 지지부의 기울기를 측정하는 센서; 상기 기판 지지부의 기울기를 조절하는 틸팅 장치; 및 상기 센서로부터 입력되는 상기 기판 지지부의 기울기 정보와 기 설정된 기준 기울기 정보를 이용하여 상기 기판 지지부 상면에 안착된 상기 기판에 균일한 상기 박막을 증착할 수 있도록 상기 틸팅 장치의 구동을 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, a substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes a process chamber in which a reaction space for depositing a thin film is formed; A shower head that supplies process gas to the reaction space; A substrate support installed in the process chamber and supporting a substrate; A leveling device that moves the substrate support up and down to adjust a process gap between the shower head and the substrate support according to the thin film deposited on the substrate; A sensor for measuring the inclination of the substrate support; Tilting device for adjusting the inclination of the substrate support; And a control unit controlling driving of the tilting device to deposit a uniform thin film on the substrate seated on the upper surface of the substrate support by using the slope information of the substrate support input from the sensor and preset reference tilt information. It may include.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 기판 상에 증착되는 상기 박막이 서로 다른 이종막인 경우, 상기 제어부는, 제 1 박막을 증착하기 위해 제 1 높이로 이동된 상기 기판 지지부의 제 1 기울기 정보와 기 설정된 제 1 기준 기울기 정보를 이용하여 상기 틸팅 장치의 구동을 제어하고, 제 2 박막을 증착하기 위해 제 2 높이로 이동된 상기 기판 지지부의 제 2 기울기 정보와 기 설정된 제 2 기준 기울기 정보를 이용하여 상기 틸팅 장치의 구동을 제어할 수 있다.In the substrate processing apparatus, when the thin films deposited on the substrate are different heterogeneous films, the controller may be configured with first tilt information of the substrate support moved to a first height to deposit the first thin film. The first reference tilt information is used to control the driving of the tilting device, and the second reference tilt information of the substrate support moved to a second height to deposit a second thin film and second preset tilt information of the substrate support are used. The driving of the tilting device can be controlled.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 틸팅 장치는, 상기 공정 챔버의 하방에 상기 공정 챔버와 이격되게 설치되며 상기 레벨링 장치와 연결되는 틸팅 플레이트; 및 상기 공정 챔버와 상기 틸팅 플레이트 사이에 복수개로 설치되어 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 조정하는 제 1, 2, 3 틸팅부;를 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the tilting device includes a tilting plate installed below the process chamber and spaced apart from the process chamber and connected to the leveling device; And first, second, and third tilting units installed in plurality between the process chamber and the tilting plate to adjust the tilt of the tilting plate.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 레벨링 장치는, 상기 기판 지지부가 결합되는 레벨링 플레이트; 및 상기 레벨링 플레이트와 결합되어 상기 기판 지지부의 높이를 조절하며 상부에는 상기 틸팅 플레이트가 연결되는 레벨링 구동 장치;를 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the leveling apparatus includes: a leveling plate to which the substrate support is coupled; And a leveling driving device coupled to the leveling plate to adjust the height of the substrate support and connected to the tilting plate at the top.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부는, 상기 공정 챔버 하면에 내각이 60도가 되도록 삼각 배치 되는 것을 특징으로 할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the first, second, and third tilting portions may be triangularly arranged such that an inner angle is 60 degrees on a lower surface of the process chamber.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 틸팅 장치는, 구동 범위를 제한하기 위한 리미트 장치;를 더 포함하고, 상기 제어부는, 틸팅으로 인한 손상을 방지하기 위해 상기 리미트 장치에 의해 상기 틸팅 장치의 틸팅 범위를 제한하는 것을 특징으로 할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the tilting device further includes a limiting device for limiting a driving range, and the control unit limits the tilting range of the tilting device by the limiting device to prevent damage due to tilting. It can be characterized by doing.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 1 틸팅부는, 높이가 고정되는 고정형 결합 구조이고, 상기 제 2, 3 틸팅부는, 높이 조절이 가능한 높이 조절형 결합 구조인 것을 특징으로 할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the first tilting portion may be a fixed-type coupling structure in which height is fixed, and the second and third tilting portions may be a height-adjustable coupling structure in which height is adjustable.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 2, 3 틸팅부는, 상기 공정 챔버에 고정되는 너트 부재; 상기 너트 부재와 나사 결합되어 승하강 되는 승하강 나사봉; 상기 승하강 나사봉의 회전 운동에 의해 승하강 되도록 상기 승하강 나사봉과 결합되는 구동 장치; 및 상기 승하강 나사봉과 베어링에 의해 결합되며 상기 틸팅 플레이트와 결합되어 상기 승하강 나사봉의 승하강에 의해 상기 틸팅 플레이트를 승하강시키는 결합 부재;를 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the second and third tilting parts include a nut member fixed to the process chamber; An ascending and descending threaded rod screwed with the nut member; A driving device coupled with the elevating screw rod so as to elevate by the rotational movement of the elevating screw rod; And a coupling member coupled by the elevating screw rod and a bearing and coupled with the tilting plate to elevate the tilting plate by elevating and descending of the elevating screw rod.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부는, 높이 조절이 가능한 높이 조절형 결합 구조인 것을 특징으로 할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the first, second, and third tilting portions may be characterized by a height-adjustable coupling structure capable of height adjustment.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부는, 상기 공정 챔버에 고정되는 너트 부재; 상기 너트 부재와 나사 결합되어 승하강 되는 승하강 나사봉; 상기 승하강 나사봉의 회전 운동에 의해 승하강 되도록 상기 승하강 나사봉과 결합되는 구동 장치; 및 상기 승하강 나사봉과 베어링에 의해 결합되며 상기 틸팅 플레이트와 결합되어 상기 승하강 나사봉의 승하강에 의해 상기 틸팅 플레이트를 승하강시키는 결합 부재;를 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the first, second, and third tilting portions include a nut member fixed to the process chamber; An ascending and descending threaded rod screwed with the nut member; A driving device coupled with the elevating screw rod so as to elevate by the rotational movement of the elevating screw rod; And a coupling member coupled by the elevating screw rod and a bearing and coupled with the tilting plate to elevate the tilting plate by elevating and descending of the elevating screw rod.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 처리 방법이 제공된다. 상기 기판 처리 방법은, 제 1 항의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 챔버로 상기 기판을 인입 받은 후 상기 기판 상에 증착되는 박막에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지부 간의 상기 공정 갭을 조절하기 위해 상기 기판 지지부를 이동하는 레벨링 단계; 높이 조절된 상기 기판 지지부의 기울기를 측정하는 센싱 단계; 상기 센싱 단계를 통해 측정된 기울기 값과 기 설정된 기준 기울기 정보를 이용하여 상기 기판 지지부의 기울기를 조정하기 위한 틸팅 단계; 상기 틸팅 단계 후 상기 기판 상에 공정 가스를 분사하여 상기 박막을 증착하는 공정 단계; 및 상기 공정 챔버 외부로 상기 박막 증착이 완료된 상기 기판을 반출하는 반출 단계;를 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, a substrate processing method is provided. The substrate processing method is a substrate processing method using the substrate processing apparatus of claim 1, wherein the process gap between the shower head and the substrate support is formed according to a thin film deposited on the substrate after receiving the substrate into the process chamber. A leveling step of moving the substrate support to adjust; A sensing step of measuring a slope of the height-adjusted substrate support; A tilting step for adjusting the slope of the substrate support using the slope value measured through the sensing step and preset reference slope information; A process step of depositing the thin film by spraying a process gas onto the substrate after the tilting step; And a step of taking out the substrate on which the thin film deposition is completed, to the outside of the process chamber.

상기 기판 처리 방법에서, 상기 틸팅 장치는, 상기 공정 챔버의 하방에 상기 공정 챔버와 이격되게 설치되며, 상기 레벨링 장치와 연결되는 상기 틸팅 플레이트와, 상기 공정 챔버와 상기 틸팅 플레이트 사이에 복수개로 설치되어 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 조정하는 제 1, 2, 3 틸팅부를 포함하며, 상기 틸팅 단계는, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부 중 적어도 어느 하나의 높이를 제어하여 상기 기판 지지부의 기울기를 조정할 수 있다.In the method of processing the substrate, the tilting device is installed to be spaced apart from the process chamber below the process chamber, and is installed in plurality between the tilting plate connected to the leveling device and the process chamber and the tilting plate. It includes first, second, and third tilting portions for adjusting the tilt of the tilting plate, and the tilting step can control the height of at least one of the first, 2, and 3 tilting portions to adjust the tilt of the substrate support. have.

상기 기판 처리 방법에서, 상기 기판 상에 증착되는 상기 박막이 서로 다른 이종막인 경우, 상기 레벨링 단계는, 제 1 박막을 증착하기 위해 상기 기판 지지부를 제 1 높이로 이동하는 제 1 레벨링 단계; 및 제 2 박막을 증착하기 위해 상기 기판 지지부를 제 2 높이로 이동하는 제 2 레벨링 단계;를 포함하고, 상기 센싱 단계는, 상기 제 1 레벨링 단계 후 상기 기판 지지부의 기울기를 측정하는 제 1 센싱 단계; 및 상기 제 2 레벨링 단계 후 상기 기판 지지부의 기울기를 측정하는 제 2 센싱 단계;를 포함할 수 있다.In the substrate processing method, when the thin films deposited on the substrate are different heterogeneous films, the leveling step includes: a first leveling step of moving the substrate support to a first height to deposit the first thin film; And a second leveling step of moving the substrate support to a second height to deposit a second thin film; wherein the sensing step comprises: a first sensing step of measuring the slope of the substrate support after the first leveling step. ; And a second sensing step of measuring the inclination of the substrate support after the second leveling step.

상기 기판 처리 방법에서, 상기 틸팅 단계는, 상기 제 1 레벨링 단계 후 상기 제 1 센싱 단계에서 측정된 상기 기판 지지부의 제 1 기울기 값과 기 설정된 제 1 기준 기울기 정보를 이용하여, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부 중 적어도 어느 하나를 제어하여 상기 기판 지지부의 기울기를 조정하는 제 1 틸팅 단계; 및 상기 제 2 레벨링 단계 후 상기 제 2 센싱 단계에서 측정된 상기 기판 지지부의 제 2 기울기 값과 기 설정된 제 2 기준 기울기 정보를 이용하여, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부 중 적어도 어느 하나를 제어하여 상기 기판 지지부의 기울기를 조정하는 제 2 틸팅 단계;를 포함할 수 있다.In the substrate processing method, the tilting step uses the first slope value of the substrate support measured in the first sensing step after the first leveling step and preset first reference slope information, and the first and second tilting steps are performed. , A first tilting step of adjusting the inclination of the substrate support by controlling at least one of the three tilting parts; And after the second leveling step, control at least one of the first, second, and third tilting units by using the second tilt value of the substrate support measured in the second sensing step and preset second reference tilt information. And a second tilting step of adjusting the inclination of the substrate support.

상기 기판 처리 방법에서, 상기 공정 단계는, 상기 제 1 틸팅 단계 후 제 1 박막을 형성하는 제 1 박막 형성 단계; 및 상기 제 2 틸팅 단계 후 제 2 박막을 형성하는 제 2 박막 형성 단계;를 포함할 수 있다.In the substrate processing method, the process step includes: a first thin film forming step of forming a first thin film after the first tilting step; And a second thin film forming step of forming a second thin film after the second tilting step.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 서셉터의 레벨링이 변경되면서 서셉터의 기울기가 변경되는 경우 이를 감지하여 틸팅 장치를 이용하여 박막에 따라 기 설정된 기울기로 서셉터의 기울기를 조절함으로써 균일한 박막을 형성할 수 있게 된다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to an embodiment of the present invention made as described above, when the inclination of the susceptor is changed while the leveling of the susceptor is changed, the tilting device is used to detect and change the slope of the susceptor. By adjusting the inclination of the susceptor with the set inclination, it is possible to form a uniform thin film. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨링 장치의 제 2 포인트 장치 및 제 3 포인트 장치를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4의 제 2 포인트 장치 및 제 3 포인트 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are cross-sectional views showing the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a perspective view illustrating a second point device and a third point device of a leveling device according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating the second point device and the third point device of FIG. 4.
6 is a flowchart illustrating a substrate processing method of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to the Examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings is exaggerated for convenience and clarity of explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 나타내는 사시도이고, 도 2 및 도 3은 도 1의 기판 처리 장치(100)를 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are cross-sectional views illustrating the substrate processing apparatus 100 of FIG. 1.

먼저, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 기판 지지부(10)와, 틸팅 장치(20), 센서(30), 제어부(40), 리미트 장치(50) 및 레벨링 장치(60)를 포함할 수 있다.First, as shown in Figures 1 to 3, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the substrate support 10, the tilting device 20, the sensor 30, the control unit 40 ), A limit device 50 and a leveling device 60.

예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(10)는, 박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버(C)에 설치되고, 기판(S)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블 등의 기판 지지 구조체일 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, the substrate support 10 is installed in a process chamber C in which a reaction space for depositing a thin film is formed, and a susceptor or table capable of supporting the substrate S, etc. It may be a substrate support structure.

더욱 구체적으로 예를 들면, 기판 지지부(10)는, 그 상면에 안착되는 기판(S)을 일정온도로 가열시킬 수 있고, 또는 공정 가스를 플라즈마화 하기 위한 하부 전극으로의 기능을 할 수 있다. More specifically, for example, the substrate support 10 may heat the substrate S mounted on the upper surface to a constant temperature, or function as a lower electrode for plasma-processing the process gas.

또한, 기판 지지부(10)는, 기판(S)이 안착되어 지지할 수 있는 적절한 강도와 내구성을 갖는 구조체일 수 있다. 예컨대, 이러한 기판 지지부(10)는, 스틸, 스테인레스, 알루미늄, 마그네슘 및 아연 중 어느 하나 이상의 재질을 선택하여 구성되는 구조체일 수 있다. 그러나, 기판 지지부(10)는, 도 1에 반드시 국한되지 않고, 기판(S)을 지지할 수 있는 매우 다양한 형태나 종류나 재질의 부재들이 적용될 수 있다.In addition, the substrate support 10 may be a structure having a suitable strength and durability that the substrate S can be seated and supported. For example, the substrate support 10 may be a structure configured by selecting any one or more materials of steel, stainless steel, aluminum, magnesium, and zinc. However, the substrate support 10 is not necessarily limited to FIG. 1, and members of various shapes, types, or materials capable of supporting the substrate S may be applied.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 틸팅 장치(20)는, 기판(S)에 균일한 두께로 박막을 증착할 수 있도록, 기판 지지부(10)의 기울기를 조정할 수 있다. 예컨대, 틸팅 장치(20)는, 공정 챔버(C)의 하방에 공정 챔버(C)와 이격되게 설치되며 레벨링 장치(60)와 연결되는 틸팅 플레이트(27) 및 공정 챔버(C)와 틸팅 플레이트(27)의 사이에 복수개로 설치되어 틸팅 플레이트(27)의 기울기를 조정하는 제 1, 2, 3 틸팅부(21, 22, 23)를 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 1, the tilting device 20 may adjust the inclination of the substrate support 10 so as to deposit a thin film with a uniform thickness on the substrate S. For example, the tilting device 20 is provided to be spaced apart from the process chamber C below the process chamber C and is connected to the leveling device 60 and the tilting plate 27 and the process chamber C and the tilting plate ( It may include a first, 2, 3 tilting portion (21, 22, 23) for adjusting the inclination of the tilting plate 27 is installed in a plurality between (27).

여기서, 제 1, 2, 3 틸팅부(21, 22, 23)는, 공정 챔버(C)의 하면에 내각이 60도가 되도록 삼각 배치될 수 있다. 예컨대, 틸팅 플레이트(27)를 3점 지지할 수 있도록, 제 1 틸팅부(21)는, 공정 챔버(C) 하면의 중심선상에 형성되고, 제 2, 3 틸팅부(22, 23)는 공정 챔버(C) 하면의 상기 중심선상을 기준으로 대칭되게 형성될 수 있다. Here, the first, second, and third tilting parts 21, 22, and 23 may be triangularly arranged such that the inner angle is 60 degrees on the lower surface of the process chamber C. For example, the first tilting portion 21 is formed on the center line of the lower surface of the process chamber C so that the tilting plate 27 can be supported by three points, and the second and third tilting portions 22 and 23 are processed. It may be formed symmetrically with respect to the center line on the lower surface of the chamber (C).

이때, 제 1 틸팅부(21)는, 높이가 고정된 고정형 결합 구조일 수 있고, 제 2, 3 틸팅부(22, 23)는, 높이 조절이 가능한 높이 조절형 결합 구조일 수 있다. 또한, 틸팅 장치(20)는, 도 1 에 반드시 국한되지 않고, 제 1, 2, 3 틸팅부(21, 22, 23) 모두 높이 조절이 가능한 높이 조절형 결합 구조일 수도 있다.At this time, the first tilting portion 21 may be a fixed-type coupling structure having a fixed height, and the second and third tilting portions 22 and 23 may be a height-adjustable coupling structure capable of height adjustment. In addition, the tilting device 20 is not necessarily limited to FIG. 1, and may be a height-adjustable coupling structure in which all of the first, second, and third tilting portions 21, 22, and 23 are height-adjustable.

따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 틸팅 장치(20)는, 제 1 틸팅부(21)와, 제 2 틸팅부(22) 및 제 3 틸팅부(23)를 구비하여 틸팅 플레이트(27)를 3점 지지할 수 있다. 더불어, 제 1 틸팅부(21)는, 볼 조인트와 같은 관절 부재를 구비하여 제 2 틸팅부(22) 및 제 3 틸팅부(23)의 가변 시 제 1 틸팅부(21)가 비틀림 응력을 받아 파손되는 것을 방지할 수 있다. 이러한, 상기 관절 부재는 제 2 틸팅부(22) 및 제 3 틸팅부(23)에도 구비될 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 1, the tilting device 20 includes a first tilting portion 21, a second tilting portion 22 and a third tilting portion 23 to provide a tilting plate 27. Three points can be supported. In addition, the first tilting portion 21 is provided with a joint member such as a ball joint, and when the second tilting portion 22 and the third tilting portion 23 are varied, the first tilting portion 21 receives torsional stress It can be prevented from being damaged. The joint member may also be provided in the second tilting portion 22 and the third tilting portion 23.

그러나, 틸팅 장치(20)는, 도 1에 반드시 국한되지 않고, 기판 지지부(10)를 더욱 안정되게 지지하고 기울기를 정밀하게 조정할 수 있도록, 3포인트 이상으로 지지할 수도 있다. 예컨대, 도시되지 않았지만 공정 챔버(C)와 틸팅 플레이트(27) 사이에 설치되고 제 1 틸팅부(21)의 높이를 기준으로 틸팅 플레이트(27)의 또 다른 타측을 상하로 조정하는 제 4 틸팅부를 더 포함하여 기판 지지부(10)의 기울기를 더욱 정밀하게 조정할 수 있다.However, the tilting device 20 is not necessarily limited to FIG. 1, and may be supported by three or more points so that the substrate support 10 can be more stably supported and the tilt can be precisely adjusted. For example, although not shown, a fourth tilting part installed between the process chamber C and the tilting plate 27 and adjusting the other side of the tilting plate 27 up and down based on the height of the first tilting portion 21 In addition, the inclination of the substrate support 10 may be more precisely adjusted.

그러므로, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 제 1 틸팅부(21)의 높이를 기준점으로 고정하고 제 2 틸팅부(22) 및 제 3 틸팅부(23)를 제 1 틸팅부(21)의 높이를 기준으로 각각 상하로 조정하여, 기판 지지부(10)를 지지하고 있는 틸팅 플레이트(27)의 기울기를 조정함으로써, 기판 지지부(10)의 기울기를 간접적으로 조정하는 효과를 가질 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention fixes the height of the first tilting portion 21 as a reference point, and the second tilting portion 22 and the third By adjusting the inclination of the tilting plate 27 supporting the substrate supporting portion 10 by adjusting the tilting portion 23 up and down, respectively, based on the height of the first tilting portion 21, thereby adjusting the tilting portion of the substrate supporting portion 10 It can have the effect of indirectly adjusting the slope.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 제어부(40)는, 센서(30)로부터 입력되는 기판 지지부(10)의 기울기 정보와 기 설정된 기준 기울기 정보를 이용하여, 기판 지지부(10) 상면에 안착된 기판(S)에 균일한 박막을 증착할 수 있도록 틸팅 장치(20)의 구동을 제어할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 1, the control unit 40 is seated on the upper surface of the substrate support 10 using the slope information of the substrate support 10 input from the sensor 30 and preset reference tilt information. The driving of the tilting device 20 may be controlled to deposit a uniform thin film on the substrate S.

더욱 구체적으로 예를 들면, 제어부(40)는, 기판(S) 상에 증착되는 박막이 서로 다른 이종막인 경우에, 제 1 박막을 증착하기 위해 제 1 높이로 이동된 기판 지지부(10)의 제 1 기울기 정보와 기 설정된 제 1 기준 기울기 정보를 이용하여 틸팅 장치(20)의 구동을 제어하고, 제 2 박막을 증착하기 위해 제 2 높이로 이동된 기판 지지부(10)의 제 2 기울기 정보와 기 설정된 제 2 기준 기울기 정보를 이용하여 틸팅 장치(20)의 구동을 제어할 수 있다. 이때, 틸팅 플레이트(27) 상에 센서(30)를 구비하여 기판 지지부(10)의 기울기를 측정할 수 있다. 예컨대, 센서(30)는, 자이로 센서가 적용될 수 있다.More specifically, for example, the control unit 40, when the thin film deposited on the substrate (S) is a different heterogeneous film, of the substrate support 10 moved to a first height to deposit the first thin film The second slope information of the substrate support 10 moved to the second height to control the driving of the tilting device 20 and deposit the second thin film using the first slope information and the first reference slope information previously set. The driving of the tilting device 20 may be controlled using the preset second reference tilt information. At this time, the tilting of the substrate support 10 can be measured by providing the sensor 30 on the tilting plate 27. For example, the sensor 30 may be a gyro sensor.

따라서, 제어부(40)는, 센서(30)로부터 기판 지지부(10)의 기울기 정보를 전달받아 기 설정된 기준 기울기 정보와 상이할 경우에 틸팅 장치(20)에 제어 신호를 인가하여 기판 지지부(10)의 기울기 정보가 상기 기준 기울기 정보와 동일하도록 제어할 수 있다.Accordingly, the control unit 40 receives the tilt information of the substrate support 10 from the sensor 30 and applies a control signal to the tilting device 20 when it is different from the preset reference tilt information, thereby applying the control signal to the substrate support 10 It can be controlled so that the slope information of the same as the reference slope information.

그러므로, 센서(30) 및 제어부(40)는, 센서(30)로부터 전달받은 기판 지지부(10)의 상기 기울기 정보 및 제어부(40)에 저장된 상기 기준 기울기 정보를 이용하여 틸팅 장치(20)에 틸팅 제어 신호를 인가하여, 자동으로 기판 지지부(10)의 틸팅을 진행할 수 있으므로, 기판 지지부(10)의 틸팅이 신속하고 정확하게 이루어질 수 있다.Therefore, the sensor 30 and the control unit 40 tilt the tilting device 20 using the tilt information of the substrate support 10 received from the sensor 30 and the reference tilt information stored in the control unit 40. By applying a control signal, since the tilting of the substrate support 10 can be automatically performed, the tilting of the substrate support 10 can be made quickly and accurately.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 리미트 장치(50)를 더 포함하여 틸팅 장치(20)의 구동 범위를 제한할 수 있다. 예컨대, 리미트 장치(50)는 제어부(40)와 연동되고, 제어부(40)는, 틸팅 장치(20)의 틸팅으로 인한 기판 지지부(10)의 손상을 방지하기 위해 리미트 장치(50)에 의해 틸팅 장치(20)의 틸팅 범위를 제한할 수 있다. 예컨대, 틸팅 장치(20)의 구동 범위가 설정치를 벗어나면 리미트 장치(50)로부터 리미트 신호를 인가받아서 제어부(40)가 틸팅 장치(20)의 구동을 제한할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 may further include a limit apparatus 50 to limit the driving range of the tilting apparatus 20. For example, the limit device 50 is interlocked with the control unit 40, and the control unit 40 is tilted by the limit device 50 to prevent damage to the substrate support 10 due to the tilting of the tilting device 20. The tilting range of the device 20 can be limited. For example, when the driving range of the tilting device 20 is outside the set value, the limit signal 50 is applied from the limit device 50 so that the controller 40 can limit the driving of the tilting device 20.

따라서, 리미트 장치(50)는, 틸팅 장치(20)가 기판 지지부(10)를 일정 범위 이내로만 틸팅할 수 있도록 동작 범위를 제한하여 틸팅 장치(20)의 오작동으로 인한 기판(S) 또는 기판 지지부(10)의 파손을 예방할 수 있다.Therefore, the limiting device 50 limits the operating range so that the tilting device 20 can tilt the substrate support 10 only within a predetermined range, thereby limiting the operating range of the substrate S or the substrate due to malfunction of the tilting device 20. (10) Damage can be prevented.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 레벨링 장치(60)는, 기판(S) 상에 증착되는 박막에 따라, 공정 챔버(C)의 반응 공간에 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드(H)와, 기판 지지부(10)간의 공정 갭을 조절하기 위해 기판 지지부(10)를 상하로 이동시킬 수 있다.In addition, as shown in Figure 1, the leveling device 60, the shower head (H) for supplying a process gas to the reaction space of the process chamber (C), according to the thin film deposited on the substrate (S), The substrate support 10 may be moved up and down to adjust the process gap between the substrate supports 10.

더욱 구체적으로 예를 들면, 레벨링 장치(60)는, 틸팅 플레이트(27)와 연결되며 기판 지지부(10)가 결합되는 레벨링 플레이트(61) 및 레벨링 플레이트(61)와 결합되어 기판 지지부(10)의 높이를 조절하며 상부에는 틸팅 플레이트(27)가 연결되는 레벨링 구동 장치(62)를 포함할 수 있다.More specifically, for example, the leveling device 60 is connected to the tilting plate 27 and the leveling plate 61 to which the substrate support 10 is coupled and the leveling plate 61 to be coupled to the leveling plate 61 of the substrate support 10 Adjusting the height, the upper portion may include a leveling driving device 62 to which the tilting plate 27 is connected.

따라서, 기판 처리 장치(100)가 기판(S)에 복합막을 자동으로 증착할 수 있도록, 제어부(40)에 기판 지지부(10)의 기울기 정보를 사전에 저장할 수 있다. 이에 따라, 지판 지지부(10)가 레벨링 장치(60)에 의해서 상기 제 1 높이 또는 상기 제 2 높이로 레벨링될 때, 제어부(40)가 센서(30)로부터 기판 지지부(10)의 기울기 신호를 전달 받아 저장된 상기 기울기 정보와 상이할 경우 틸팅 장치(20)로 틸팅 제어 신호를 인가하여, 상기 기울기 정보로 기판 지지부(10)를 자동으로 틸팅할 수 있다. 또한, 상술된 공정을 이용하여 기판(S)에 단일막들을 반복하여 다층으로 분할 증착하는 경우에도 활용할 수 있다.Therefore, in order for the substrate processing apparatus 100 to automatically deposit the composite film on the substrate S, the tilt information of the substrate support 10 may be stored in the control unit 40 in advance. Accordingly, when the fingerboard support 10 is leveled to the first height or the second height by the leveling device 60, the control unit 40 transmits a tilt signal of the substrate support 10 from the sensor 30. If it is different from the stored tilt information, a tilt control signal may be applied to the tilting device 20 to automatically tilt the substrate support 10 with the tilt information. In addition, it can also be utilized in the case of repeatedly depositing and depositing single films on the substrate S in multiple layers by using the above-described process.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 제 1, 2, 3 틸팅부(21, 22, 23)가 예비로 미리 조립될 수 있는 통합 플레이트(T)를 더 포함할 수 있다. 따라서, 통합 플레이트(T)에 제 1, 2, 3 틸팅부(21, 22, 23)를 미리 조립한 다음, 통합 플레이트(T)를 공정 챔버(C)의 하면에 일괄 조립하여 조립성을 향상시킬 수 있다.In addition, as shown in Figure 3, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the first, 2, 3 tilting unit (21, 22, 23) can be pre-assembled to be integrated It may further include a plate (T). Therefore, the first, second, and third tilting portions 21, 22, and 23 are pre-assembled on the integrated plate T, and then the integrated plate T is collectively assembled on the lower surface of the process chamber C to improve the assembly. I can do it.

예컨대, 통합 플레이트(T)를 이용하여 장비 설치 시, 사전에 제 1, 2, 3 틸팅부(21, 22, 23)를 통합 플레이트(T)에 조립한 후, 공정 챔버(C)를 통합 플레이트(T)위에 조립함으로써, 제 1, 2, 3 틸팅부(21, 22, 23)를 공정 챔버(C)에 직접 조립할 때 보다 조립 공정의 난이도를 낮추는 효과를 가질 수 있다.For example, when the equipment is installed using the integrated plate T, the first, second, and third tilting parts 21, 22, and 23 are assembled to the integrated plate T in advance, and then the process chamber C is integrated plate. By assembling on (T), it is possible to have the effect of lowering the difficulty of the assembling process than when assembling the first, second, and third tilting parts 21, 22, 23 directly into the process chamber C.

그러므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 기판(S)에 단일막 또는 복합막을 증착 시 기판 지지부(10)가 각 공정의 공정 가스의 적합한 갭 영역으로 자동으로 레벨링되고, 이어서, 각각의 갭 영역에서 자동으로 기판 지지부(10)를 틸팅하여, 기판 지지부(10)의 레벨링 및 틸팅이 신속하고 정확하게 이루어질 수 있도록 함으로써, 기판(S)에 증착되는 막질의 균일도를 고르게 하고 단일막은 물론, 복합막을 용이하게 생산할 수 있으며, 이에 따라 생산 비용 및 생산 시간을 절감할 수 있는 등 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.Therefore, in the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, when a single film or a composite film is deposited on the substrate S, the substrate support 10 is automatically leveled to a suitable gap region of the process gas of each process. Subsequently, by automatically tilting the substrate support 10 in each gap region, the leveling and tilting of the substrate support 10 can be made quickly and accurately, thereby uniformizing the uniformity of the film quality deposited on the substrate S and A single membrane as well as a composite membrane can be easily produced, and accordingly, productivity can be greatly improved, such as reducing production cost and production time.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 틸팅 장치(20)의 제 2 틸팅부(22) 및 제 3 틸팅부(23)를 나타내는 사시도이고, 도 5는 도 4의 제 2 틸팅부(22) 및 제 3 틸팅부(23)를 나타내는 단면도이다.4 is a perspective view showing a second tilting unit 22 and a third tilting unit 23 of the tilting device 20 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is the second tilting unit 22 of FIG. 4 And a third tilting portion 23.

도 4에 도시된 바와 같이, 제 2, 3 틸팅부(22, 23)는, 공정 챔버(C)에 고정되는 너트 부재(25)와, 너트 부재(25)와 나사 결합되어 승하강 되는 승하강 나사봉(26)과, 승하강 나사봉(26)의 회전 운동에 의해 승하강 되도록 승하강 나사봉(26)과 결합되는 구동 장치(28) 및 승하강 나사봉(26)과 베어링(B)에 의해 결합되며 틸팅 플레이트(27)와 결합되어 승하강 나사봉(26)의 승하강에 의해 틸팅 플레이트(27)을 승하강시키는 결합 부재(29)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4, the second and third tilting portions 22 and 23 are a nut member 25 fixed to the process chamber C, and a screw member and a screw member 25 to be raised and lowered. The screw rod 26, the driving device 28 and the lifting screw rod 26 and the bearing (B) coupled with the lifting / lowering screw rod 26 so as to move up and down by the rotational movement of the lifting / lowering screw rod 26 It is coupled by and coupled to the tilting plate 27 may include a coupling member 29 for elevating and tilting the tilting plate 27 by elevating and descending of the elevating screw rod 26.

더욱 구체적으로, 구동 장치(28)는, 승하강 나사봉(26)의 하단부에 설치되어 승하강 나사봉(26)과 회전하는 웜휠기어(28a)와, 웜휠기어(28a)와 치합되어 회전하는 웜기어(28b) 및 웜기어(28b)를 회전 시키는 모터(28c)를 포함할 수 있다. 또한, 모터(28c)는 제 2 틸팅부(22) 및 제 3 틸팅부(23)를 더욱 정밀하게 제어할 수 있도록 고분해능 엔코더를 포함할 수 있다. 예컨대, 제 1 틸팅부(21)의 높이를 기준으로 제 2 틸팅부(22) 및 제 3 틸팅부(23)의 높이를 1mm당 50 ~ 100,000,000단계의 분해능으로 분류하여 정밀 조정할 수 있다.More specifically, the driving device 28 is installed at the lower end of the elevating screw rod 26 and rotates with the worm wheel gear 28a rotating with the elevating screw rod 26 and the worm wheel gear 28a. It may include a worm gear (28b) and a motor (28c) for rotating the worm gear (28b). In addition, the motor 28c may include a high-resolution encoder so that the second tilting portion 22 and the third tilting portion 23 can be more precisely controlled. For example, the height of the second tilting portion 22 and the third tilting portion 23 based on the height of the first tilting portion 21 can be classified into a resolution of 50 to 100,000,000 steps per 1 mm, and can be precisely adjusted.

또한, 승하강 나사봉(26)과 틸팅 플레이트(27)의 사이의 베어링(B)은, 볼 베어링 및 스러스트 베어링이 설치될 수 있다. 이에 따라, 기판 지지부(10)의 틸팅 시, 승하강 나사봉(27)이 승하강 나사봉(27)의 축방향과 축의 수직방향으로 하중을 받으면서 틸팅 플레이트(27)에서 원활하게 회전하도록 유도할 수 있다.In addition, the bearing B between the elevating screw rod 26 and the tilting plate 27 may be provided with a ball bearing and a thrust bearing. Accordingly, when the substrate support 10 is tilted, the lifting and lowering screw rod 27 is guided to rotate smoothly in the tilting plate 27 while receiving loads in the axial direction and the vertical direction of the lifting and lowering screw rod 27. Can be.

또한, 제 1 틸팅부(21)가 고정형 결합 구조가 아닌 제 2, 3 틸팅부(22, 23)와 같이 높이 조절이 가능한 높이 조절형 결합 구조일 경우에, 제 1 틸팅부(21)에도 상술된 제 2, 3 틸팅부(22, 23)의 구성 요소들이 동일하게 포함될 수 있다.In addition, when the first tilting portion 21 is a height-adjustable coupling structure capable of height adjustment, such as the second and third tilting portions 22 and 23 rather than the fixed coupling structure, the first tilting portion 21 is also described in detail. Components of the second and third tilting parts 22 and 23 may be identically included.

따라서, 제 2 틸팅부(22) 및 제 3 틸팅부(23)는, 웜기어(28b)와 웜휠기어(28a)간의 기어 조합으로 인해 높은 기어비를 구현하고 모터(28c)에 고분해능 엔코더를 포함하여 기판 지지부(10)의 기울기를 정밀하게 제어 및 조정할 수 있다.Therefore, the second tilting unit 22 and the third tilting unit 23 implement a high gear ratio due to the gear combination between the worm gear 28b and the worm wheel gear 28a, and include a high resolution encoder in the motor 28c to include the substrate. The inclination of the support 10 can be precisely controlled and adjusted.

그러므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 레벨링 장치(20)는, 기판 지지부(10)의 기울기를 정밀하게 제어 및 조정할 수 있는 제 2 틸팅부(22) 및 제 3 틸팅부(23)를 구비하여, 기판 지지부(10)의 틸팅이 정확하게 이루어질 수 있으며, 기판(S)에 증착되는 막질의 균일도를 더욱 고르게 할 수 있다.Therefore, the leveling device 20 of the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the second tilting unit 22 and the third tilting unit that can precisely control and adjust the inclination of the substrate support 10 By providing the part 23, the tilting of the substrate support 10 can be made accurately, and the uniformity of the film quality deposited on the substrate S can be made more even.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a substrate processing method of the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 기판 처리 방법은, 공정 챔버(C)로 기판(S)을 인입 받은 후 기판(S) 상에 증착되는 박막에 따라 샤워 헤드(H)와 기판 지지부(10) 간의 상기 공정 갭을 조절하기 위해 기판 지지부(10)을 이동하는 레벨링 단계(S10)와, 높이 조절된 기판 지지부(10)의 기울기를 측정하는 센싱 단계(S20)와, 센싱 단계(S20)을 통해 측정된 기울기 값과 기 설정된 기준 기울기 정보를 이용하여 기판 지지부(10)의 기울기를 조정하기 위한 틸팅 단계(S30)와, 틸팅 단계(S30) 후 기판(S) 상에 공정 가스를 분사하여 상기 박막을 증착하는 공정 단계(S40) 및 기판 지지부(10)을 하강하여 공정 챔버(C) 외부로 상기 박막 증착이 완료된 기판(S)을 반출하는 반출 단계(S50)를 포함할 수 있다.1 to 6, the substrate processing method of the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, after receiving the substrate (S) into the process chamber (C) on the substrate (S) Leveling step (S10) of moving the substrate support (10) to adjust the process gap between the shower head (H) and the substrate support (10) according to the thin film deposited on the, and the slope of the height-adjusted substrate support (10) The sensing step (S20) for measuring the, and the tilting step (S30) and the tilting step for adjusting the slope of the substrate support 10 using the preset slope information and the slope value measured through the sensing step (S20). After the (S30) process step (S40) for depositing the thin film by spraying a process gas on the substrate (S) and the substrate support 10 is lowered to the outside of the process chamber (C) the thin film deposition is completed substrate (S) It may include a carrying-out step (S50) for carrying out.

예컨대, 레벨링 단계(S10)는, 기판(S) 상에 증착되는 박막이 서로 다른 이종막인 경우, 제 1 박막을 증착하기 위해 기판 지지부(10)를 제 1 높이로 이동하는 제 1 레벨링 단계(S11) 및 제 2 박막을 증착하기 위해 기판 지지부(10)을 제 2 높이로 이동하는 제 2 레벨링 단계(S12)를 포함할 수 있다.For example, in the leveling step (S10), when the thin films deposited on the substrate S are different heterogeneous films, the first leveling step of moving the substrate support 10 to a first height in order to deposit the first thin film ( S11) and a second leveling step (S12) of moving the substrate support 10 to a second height to deposit the second thin film.

나아가, 센싱 단계(S20)는, 제 1 레벨링 단계 후 기판 지지부(10)의 기울기를 측정하는 제 1 센싱 단계와, 제 2 레벨링 단계 후 기판 지지부(10)의 기울기를 측정하는 제 2 센싱 단계를 포함할 수 있다.Furthermore, the sensing step (S20) includes a first sensing step of measuring the slope of the substrate support 10 after the first leveling step, and a second sensing step of measuring the slope of the substrate support 10 after the second leveling step. It can contain.

또한, 틸팅 단계(S30)는, 틸팅 장치(20)가 공정 챔버(C)의 하방에 공정 챔버(C)와 이격되게 설치되며, 레벨링 장치(60)와 연결되는 틸팅 플레이트(27)와, 공정 챔버(C)와 틸팅 플레이트(27) 사이에 복수개로 설치되어 틸팅 플레이트(27)의 기울기를 조정하는 제 1, 2, 3 틸팅부(21, 22, 23)을 포함하여, 제 1 레벨링 단계(S10) 후 제 1 센싱 단계에서 측정된 기판 지지부(10)의 제 1 기울기 값과 기 설정된 제 1 기준 기울기 정보를 이용하여, 제 1, 2, 3 틸팅부(21, 22, 23) 중 적어도 어느 하나를 제어하여 기판 지지부(10)의 기울기를 조정하는 제 1 틸팅 단계(S31) 및 제 2 레벨링 단계(S10) 후 제 2 센싱 단계에서 측정된 기판 지지부(10)의 제 2 기울기 값과 기 설정된 제 2 기준 기울기 정보를 이용하여, 제 1, 2, 3 틸팅부(21, 22, 23) 중 적어도 어느 하나를 제어하여 기판 지지부(10)의 기울기를 조정하는 제 2 틸팅 단계(S32)를 포함할 수 있다.In addition, in the tilting step (S30), the tilting device 20 is installed to be spaced apart from the process chamber C below the process chamber C, and the tilting plate 27 connected to the leveling device 60 and the process The first leveling step (including the first, second, and third tilting parts 21, 22, 23 for adjusting the inclination of the tilting plate 27) is provided in plural between the chamber (C) and the tilting plate (27) After S10), at least one of the first, second, and third tilting units 21, 22, and 23 is used by using the first tilt value of the substrate support 10 measured in the first sensing step and preset first reference tilt information. The second tilt value of the substrate support 10 measured in the second sensing step after the first tilting step (S31) and the second leveling step (S10) for adjusting the slope of the substrate support 10 by controlling one is preset And a second tilting step (S32) of adjusting the inclination of the substrate support 10 by controlling at least one of the first, second, and third tilting units 21, 22, and 23 using the second reference tilt information. can do.

또한, 공정 단계(S40)는, 제 1 틸팅 단계(S30) 후 제 1 박막을 형성하는 제 1 박막 형성 단계(S41) 및 제 2 틸팅 단계(S30) 후 제 2 박막을 형성하는 제 2 박막 형성 단계(S42)를 포함할 수 있다. 이때, 공정 단계(S40)는, 제 1 박막 형성 단계(S41)와 제 2 박막 형성 단계(S42)를 1 사이클로 하여 반복 실시할 수 있다.In addition, the process step (S40), a first thin film forming step (S41) forming a first thin film after the first tilting step (S30) and a second thin film forming a second thin film forming after the second tilting step (S30) Step S42 may be included. At this time, the process step (S40), the first thin film forming step (S41) and the second thin film forming step (S42) may be performed repeatedly in one cycle.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 제어부(40)에 기판 지지부(10)의 기준 기울기 정보를 사전에 측정하여 저장할 수 있다. 그러므로, 기판 지지부(10)가 레벨링 장치(60)에 의해서 상기 제 1 높이 또는 상기 제 2 높이로 레벨링될 때 센서(30)로부터 기울기 정보를 전달 받아, 제어부(40)에 저장된 상기 기준 기울기 정보와 상이할 경우 제어부(40)가 틸팅 장치(20)로 틸팅 제어 신호를 인가하여, 상기 기준 기울기 정보와 기울기가 동일하도록 기판 지지부(10)를 자동으로 틸팅할 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may measure and store reference tilt information of the substrate support 10 in the control unit 40 in advance. Therefore, when the substrate support 10 is leveled to the first height or the second height by the leveling device 60, the tilt information is received from the sensor 30, and the reference tilt information stored in the control unit 40 If different, the control unit 40 may apply the tilting control signal to the tilting device 20 to automatically tilt the substrate support 10 so that the reference tilt information and the tilt are the same.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 상기 제 1 높이 또는 상기 제 2 높이 이외에도 다양한 높이에서 기판 지지부(10)의 틸팅을 할 수 있다. 또한, 상기 제 1 높이에서 상기 제 2 높이로 연속적으로 레벨링되면서 기판 지지부(10)의 틸팅을 하는 것도 가능할 수 있다.However, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may tilt the substrate support 10 at various heights in addition to the first height or the second height. In addition, it may be possible to tilt the substrate support 10 while continuously leveling from the first height to the second height.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10: 기판 지지부
20: 틸팅 장치
30: 센서
40: 제어부
50: 리미트 장치
60: 레벨링 장치
100: 기판 처리 장치10: substrate support
20: Tilting device
30: sensor
40: control
50: limit device
60: leveling device
100: substrate processing apparatus

Claims (15)

박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버;
상기 반응 공간에 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드;
상기 공정 챔버에 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부;
상기 기판 상에 증착되는 상기 박막에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지부간의 공정 갭을 조절하기 위해 상기 기판 지지부를 상하로 이동시키는 레벨링 장치;
상기 기판 지지부의 기울기를 측정하는 센서;
상기 기판 지지부의 기울기를 조절하는 틸팅 장치; 및
상기 센서로부터 입력되는 상기 기판 지지부의 기울기 정보와 상기 기판 상에 증착되는 상기 박막에 따라 기 설정된 기준 기울기 정보를 이용하여 상기 기판 지지부 상면에 안착된 상기 기판에 균일한 상기 박막을 증착할 수 있도록 상기 틸팅 장치의 구동을 제어하는 제어부;
를 포함하는, 기판 처리 장치.A process chamber in which a reaction space for depositing a thin film is formed;
A shower head that supplies process gas to the reaction space;
A substrate support installed in the process chamber and supporting a substrate;
A leveling device that moves the substrate support up and down to adjust a process gap between the shower head and the substrate support according to the thin film deposited on the substrate;
A sensor for measuring the inclination of the substrate support;
Tilting device for adjusting the inclination of the substrate support; And
The uniformity of the thin film may be deposited on the substrate seated on the top surface of the substrate support by using the slope information of the substrate support input from the sensor and preset reference slope information according to the thin film deposited on the substrate. A control unit for controlling the driving of the tilting device;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 상에 증착되는 상기 박막이 서로 다른 이종막인 경우,
상기 제어부는,
제 1 박막을 증착하기 위해 제 1 높이로 이동된 상기 기판 지지부의 제 1 기울기 정보와 기 설정된 제 1 기준 기울기 정보를 이용하여 상기 틸팅 장치의 구동을 제어하고,
제 2 박막을 증착하기 위해 제 2 높이로 이동된 상기 기판 지지부의 제 2 기울기 정보와 기 설정된 제 2 기준 기울기 정보를 이용하여 상기 틸팅 장치의 구동을 제어하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
When the thin film deposited on the substrate is a different heterogeneous film,
The control unit,
In order to deposit the first thin film, the driving of the tilting device is controlled by using the first tilt information of the substrate support and the first reference tilt information of the substrate support moved to a first height,
A substrate processing apparatus for controlling driving of the tilting apparatus by using second tilt information of the substrate support portion moved to a second height and second preset tilt information of the substrate that is moved to a second height to deposit a second thin film. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 틸팅 장치는,
상기 공정 챔버의 하방에 상기 공정 챔버와 이격되게 설치되며 상기 레벨링 장치와 연결되는 틸팅 플레이트; 및
상기 공정 챔버와 상기 틸팅 플레이트 사이에 복수개로 설치되어 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 조정하는 제 1, 2, 3 틸팅부;
를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1 or 2,
The tilting device,
A tilting plate installed below the process chamber to be spaced apart from the process chamber and connected to the leveling device; And
A first, second, and third tilting unit installed in plurality between the process chamber and the tilting plate to adjust the tilt of the tilting plate;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 3 항에 있어서,
상기 레벨링 장치는,
상기 기판 지지부가 결합되는 레벨링 플레이트; 및
상기 레벨링 플레이트와 결합되어 상기 기판 지지부의 높이를 조절하며 상부에는 상기 틸팅 플레이트가 연결되는 레벨링 구동 장치;
를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The leveling device,
A leveling plate to which the substrate support is coupled; And
A leveling driving device coupled to the leveling plate to adjust the height of the substrate support and to which the tilting plate is connected;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 3 항에 있어서,
상기 제 1, 2, 3 틸팅부는, 상기 공정 챔버 하면에 내각이 60도가 되도록 삼각 배치되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The first, second, and third tilting portion, the substrate processing apparatus, characterized in that the triangular arrangement so that the interior angle is 60 degrees to the lower surface of the process chamber. 제 3 항에 있어서,
상기 틸팅 장치는,
구동 범위를 제한하기 위한 리미트 장치;를 더 포함하고,
상기 제어부는,
틸팅으로 인한 상기 기판 지지부의 손상을 방지하기 위해 상기 리미트 장치에 의해 틸팅 범위를 제한하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The tilting device,
Further comprising; a limit device for limiting the driving range,
The control unit,
In order to prevent damage to the substrate support due to tilting, characterized in that the limiting of the tilting range by the limit device, the substrate processing apparatus. 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 틸팅부는, 높이가 고정되는 고정형 결합 구조이고, 상기 제 2, 3 틸팅부는, 높이 조절이 가능한 높이 조절형 결합 구조인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the first tilting portion, the fixed height of the fixed coupling structure, the second, third tilting portion, characterized in that the height-adjustable height-adjustable coupling structure, the substrate processing apparatus. 제 7 항에 있어서,
상기 제 2, 3 틸팅부는,
상기 공정 챔버에 고정되는 너트 부재;
상기 너트 부재와 나사 결합되어 승하강되는 승하강 나사봉;
상기 승하강 나사봉의 회전 운동에 의해 승하강 되도록 상기 승하강 나사봉과 결합되는 구동 장치; 및
상기 승하강 나사봉과 베어링에 의해 결합되며 상기 틸팅 플레이트와 결합되어 상기 승하강 나사봉의 승하강에 의해 상기 틸팅 플레이트를 승하강시키는 결합 부재;
를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The second and third tilting portion,
A nut member fixed to the process chamber;
An ascending and descending threaded rod screwed with the nut member;
A driving device coupled with the elevating screw rod so as to elevate by the rotational movement of the elevating screw rod; And
A coupling member coupled by the elevating screw rod and a bearing and coupled with the tilting plate to elevate the tilting plate by elevating and descending of the elevating screw rod;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 3 항에 있어서,
상기 제 1, 2, 3 틸팅부는, 높이 조절이 가능한 높이 조절형 결합 구조인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The first, second, and third tilting portion, characterized in that the height-adjustable height-adjustable coupling structure, the substrate processing apparatus. 제 9 항에 있어서,
상기 제 1, 2, 3 틸팅부는,
상기 공정 챔버에 고정되는 너트 부재;
상기 너트 부재와 나사 결합되어 승하강 되는 승하강 나사봉;
상기 승하강 나사봉의 회전 운동에 의해 승하강 되도록 상기 승하강 나사봉과 결합되는 구동 장치; 및
상기 승하강 나사봉과 베어링에 의해 결합되며 상기 틸팅 플레이트와 결합되어 상기 승하강 나사봉의 승하강에 의해 상기 틸팅 플레이트를 승하강시키는 결합 부재;
를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The first, second, and third tilting portion,
A nut member fixed to the process chamber;
An ascending and descending threaded rod screwed with the nut member;
A driving device coupled with the elevating screw rod so as to elevate by the rotational movement of the elevating screw rod; And
A coupling member coupled by the elevating screw rod and a bearing and coupled with the tilting plate to elevate the tilting plate by elevating and descending of the elevating screw rod;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 1 항의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서,
상기 공정 챔버로 상기 기판을 인입 받은 후 상기 기판 상에 증착되는 박막에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지부 간의 상기 공정 갭을 조절하기 위해 상기 기판 지지부를 이동하는 레벨링 단계;
높이 조절된 상기 기판 지지부의 기울기를 측정하는 센싱 단계;
상기 센싱 단계를 통해 측정된 기울기 값과 기 설정된 기준 기울기 정보를 이용하여 상기 기판 지지부의 기울기를 조정하기 위한 틸팅 단계;
상기 틸팅 단계 후 상기 기판 상에 공정 가스를 분사하여 상기 박막을 증착하는 공정 단계; 및
상기 공정 챔버 외부로 상기 박막 증착이 완료된 상기 기판을 반출하는 반출 단계;
를 포함하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method using the substrate processing apparatus of claim 1,
A leveling step of moving the substrate support to adjust the process gap between the shower head and the substrate support according to a thin film deposited on the substrate after receiving the substrate into the process chamber;
A sensing step of measuring a slope of the height-adjusted substrate support;
A tilting step for adjusting the slope of the substrate support using the slope value measured through the sensing step and preset reference slope information;
A process step of depositing the thin film by spraying a process gas onto the substrate after the tilting step; And
A carrying out step of carrying out the substrate on which the thin film deposition is completed to the outside of the process chamber;
The substrate processing method comprising a. 제 11 항에 있어서,
상기 틸팅 장치는, 상기 공정 챔버의 하방에 상기 공정 챔버와 이격되게 설치되며, 상기 레벨링 장치와 연결되는 틸팅 플레이트와, 상기 공정 챔버와 상기 틸팅 플레이트 사이에 복수개로 설치되어 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 조정하는 제 1, 2, 3 틸팅부를 포함하며,
상기 틸팅 단계는, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부 중 적어도 어느 하나의 높이를 제어하여 상기 기판 지지부의 기울기를 조정하는, 기판 처리 방법.The method of claim 11,
The tilting device is installed to be spaced apart from the process chamber below the process chamber, and a plurality of tilting plates connected to the leveling device are installed between the process chamber and the tilting plate to adjust the tilt of the tilting plate. The first, second and third tilting parts are included,
The tilting step, the substrate processing method for adjusting the inclination of the substrate support by controlling the height of at least one of the first, second, and third tilting portion. 제 12 항에 있어서,
상기 기판 상에 증착되는 상기 박막이 서로 다른 이종막인 경우,
상기 레벨링 단계는,
제 1 박막을 증착하기 위해 상기 기판 지지부를 제 1 높이로 이동하는 제 1 레벨링 단계; 및
제 2 박막을 증착하기 위해 상기 기판 지지부를 제 2 높이로 이동하는 제 2 레벨링 단계;를 포함하고,
상기 센싱 단계는,
상기 제 1 레벨링 단계 후 상기 기판 지지부의 기울기를 측정하는 제 1 센싱 단계; 및
상기 제 2 레벨링 단계 후 상기 기판 지지부의 기울기를 측정하는 제 2 센싱 단계;
를 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 12,
When the thin film deposited on the substrate is a different heterogeneous film,
The leveling step,
A first leveling step of moving the substrate support to a first height to deposit a first thin film; And
It includes; a second leveling step of moving the substrate support to a second height to deposit a second thin film;
The sensing step,
A first sensing step of measuring the inclination of the substrate support after the first leveling step; And
A second sensing step of measuring the inclination of the substrate support after the second leveling step;
The substrate processing method comprising a. 제 13 항에 있어서,
상기 틸팅 단계는,
상기 제 1 레벨링 단계 후 상기 제 1 센싱 단계에서 측정된 상기 기판 지지부의 제 1 기울기 값과 기 설정된 제 1 기준 기울기 정보를 이용하여, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부 중 적어도 어느 하나를 제어하여 상기 기판 지지부의 기울기를 조정하는 제 1 틸팅 단계; 및
상기 제 2 레벨링 단계 후 상기 제 2 센싱 단계에서 측정된 상기 기판 지지부의 제 2 기울기 값과 기 설정된 제 2 기준 기울기 정보를 이용하여, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부 중 적어도 어느 하나를 제어하여 상기 기판 지지부의 기울기를 조정하는 제 2 틸팅 단계;
를 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 13,
The tilting step,
After the first leveling step, at least one of the first, second and third tilting parts is controlled by using the first slope value of the substrate support and the first reference slope information measured in the first sensing step. A first tilting step of adjusting the inclination of the substrate support; And
After the second leveling step, at least one of the first, second, and third tilting parts is controlled by using the second slope value of the substrate support and the second reference slope information measured in the second sensing step. A second tilting step of adjusting the inclination of the substrate support;
The substrate processing method comprising a. 제 14 항에 있어서,
상기 공정 단계는,
상기 제 1 틸팅 단계 후 제 1 박막을 형성하는 제 1 박막 형성 단계; 및
상기 제 2 틸팅 단계 후 제 2 박막을 형성하는 제 2 박막 형성 단계;
를 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 14,
The process step,
A first thin film forming step of forming a first thin film after the first tilting step; And
A second thin film forming step of forming a second thin film after the second tilting step;
The substrate processing method comprising a.
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