KR102460311B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
KR102460311B1
KR102460311B1 KR1020180096870A KR20180096870A KR102460311B1 KR 102460311 B1 KR102460311 B1 KR 102460311B1 KR 1020180096870 A KR1020180096870 A KR 1020180096870A KR 20180096870 A KR20180096870 A KR 20180096870A KR 102460311 B1 KR102460311 B1 KR 102460311B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tilting
substrate
plate
substrate support
support
Prior art date
Application number
KR1020180096870A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200021293A (en
Inventor
위규용
정청환
박종오
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020180096870A priority Critical patent/KR102460311B1/en
Publication of KR20200021293A publication Critical patent/KR20200021293A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102460311B1 publication Critical patent/KR102460311B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판에 박막을 증착할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 기판을 처리할 수 있는 내부 공간이 형성되는 공정 챔버와, 상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 내부 공간에 구비되는 기판 지지대와, 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 샤워 헤드와, 상기 공정 챔버의 하면에 설치된 챔버 플레이트의 하방에 적어도 삼점 지지에 의해 상기 챔버 플레이트와 일정 거리 이격되게 설치되고, 삼점 지지부 중 적어도 어느 하나의 높이 조절에 의해 상기 챔버 플레이트를 기준으로 기울기가 조절되어 틸팅될 수 있도록 구비되는 틸팅 플레이트와, 상기 틸팅 플레이트의 일측에 설치되어, 상기 기판 상에 증착되는 박막에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지대간의 공정 갭을 조절할 수 있도록 상기 기판 지지대를 상하로 이동가능하게 지지하고, 상기 틸팅 플레이트의 틸팅에 따라 상기 기판 지지대와 함께 상기 틸팅 플레이트와 동일한 기울기로 틸팅되는 레벨링 장치와, 상기 삼점 지지부 중 적어도 어느 하나의 높이를 조절할 수 있도록 구비되어 상기 틸팅 플레이트를 틸팅하고, 상기 틸팅 플레이트의 틸팅이 용이하게 이루어질 수 있도록 상기 삼점 지지부 중 높이가 조절되는 지지부는 베어링 부재에 의해 상기 틸팅 플레이트와 회전 자유도를 가지도록 연결되는 틸팅 장치와, 상기 챔버 플레이트에 상기 틸팅 플레이트의 틸팅 범위를 감지할 수 있도록 설치되어, 상기 틸팅 장치에 의해 상기 틸팅 플레이트가 틸팅 시 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 측정하는 센서 및 상기 틸팅 플레이트를 틸팅하여 상기 기판에 균일한 두께 산포로 상기 박막을 증착할 수 있는 목표 기울기로 상기 기판 지지대의 기울기를 조절할 수 있도록, 상기 틸팅 장치의 구동 모터를 제어하여 상기 틸팅 장치를 구동시키는 제어부를 포함할 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of depositing a thin film on a substrate. A substrate support provided in the space, a shower head provided above the process chamber to face the substrate support and spraying a processing gas toward the substrate support, and at least three points below the chamber plate installed on the lower surface of the process chamber A tilting plate which is installed to be spaced apart from the chamber plate by a predetermined distance by support and provided to be tilted by adjusting the inclination relative to the chamber plate by adjusting the height of at least one of the three-point support parts, and one side of the tilting plate installed on the substrate to movably support the substrate support so that a process gap between the shower head and the substrate support can be adjusted according to the thin film deposited on the substrate, and according to the tilting of the tilting plate, the substrate support and A leveling device that is tilted at the same inclination as the tilting plate together with the three-point support unit is provided to adjust the height of at least one of the three-point support parts to tilt the tilting plate, and the tilting of the tilting plate can be easily made. The support part whose height is adjusted includes a tilting device connected to the tilting plate with a degree of rotational freedom by a bearing member, and installed in the chamber plate to sense a tilting range of the tilting plate, When the tilting plate tilts, a sensor for measuring the tilt of the tilting plate and tilting the tilting plate to adjust the tilt of the substrate support to a target tilt for depositing the thin film with a uniform thickness distribution on the substrate, A control unit may be included to control a driving motor of the tilting device to drive the tilting device.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and substrate processing method}Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판에 박막을 증착할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of depositing a thin film on a substrate.

반도체 소자나 디스플레이 소자 혹은 태양전지를 제조하기 위해서는 진공 분위기의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에서 각종 공정이 수행된다. 예컨대, 챔버 내에 기판을 로딩하고 기판 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다. 여기서, 기판은 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지대에 지지되며, 기판 지지대와 대향되도록 기판 지지대의 상부에 설치되는 샤워 헤드를 통해 공정 가스를 기판으로 분사할 수 있다.In order to manufacture a semiconductor device, a display device, or a solar cell, various processes are performed in a substrate processing apparatus including a process chamber in a vacuum atmosphere. For example, a process such as loading a substrate into the chamber and depositing a thin film on the substrate or etching the thin film may be performed. Here, the substrate is supported on a substrate support installed in the process chamber, and a process gas may be sprayed to the substrate through a shower head installed on the substrate support to face the substrate support.

이러한 기판 처리 장치에 있어서, 기판이 안착되는 기판 지지대와 공정 가스를 분사하는 샤워헤드 간의 간격인 갭 조절과 기판 지지대의 기울기 조절은, 기판에 균일한 박막을 증착하여 양품의 반도체 소자를 제조하는데 중요한 요소로 작용하게 된다. 일반적으로, 기판 처리 장치의 기판 지지대의 기울기는 하나의 정해진 기준 높이에서 수동으로 설정되고 있다.In such a substrate processing apparatus, gap control, which is a gap between the substrate support on which the substrate is seated and the showerhead that sprays the process gas, and control of the inclination of the substrate support are important for manufacturing a high-quality semiconductor device by depositing a uniform thin film on the substrate. will act as a factor. In general, the inclination of the substrate support of the substrate processing apparatus is manually set at one predetermined reference height.

그러나, 기판 처리 장치는 증착하는 박막의 종류에 따라서 기판 지지대의 높이가 조절될 필요가 있는데, 이 경우 기판 지지대의 높이 조절 시 기판 지지대의 기울기가 변경되는 문제점이 있었다. 또한, 박막의 종류에 따라서 기판 지지대의 기울기를 조절할 필요가 있으나 기울기 조절을 하기 위해 별도의 측정 지그가 필요하고 수동으로 기울기 조절을 함에 따라 장시간이 소요되는 등의 문제점이 있었다.However, in the substrate processing apparatus, the height of the substrate support needs to be adjusted according to the type of thin film to be deposited. In this case, there is a problem in that the inclination of the substrate support is changed when the height of the substrate support is adjusted. In addition, although it is necessary to adjust the inclination of the substrate support according to the type of thin film, a separate measuring jig is required to adjust the inclination, and it takes a long time as the inclination is adjusted manually.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 기판의 박막 증착 중 샤워 헤드와 기판 지지대 간의 갭 조절과 기판 지지대의 기울기 조절을 자동으로 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of automatically adjusting the gap between the shower head and the substrate support and the inclination of the substrate support during thin film deposition of a substrate, and to solve various problems including the above problems aims to provide However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는, 기판을 처리할 수 있는 내부 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 내부 공간에 구비되는 기판 지지대; 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 샤워 헤드; 상기 공정 챔버의 하면에 설치된 챔버 플레이트의 하방에 적어도 삼점 지지에 의해 상기 챔버 플레이트와 일정 거리 이격되게 설치되고, 삼점 지지부 중 적어도 어느 하나의 높이 조절에 의해 상기 챔버 플레이트를 기준으로 기울기가 조절되어 틸팅될 수 있도록 구비되는 틸팅 플레이트; 상기 틸팅 플레이트의 일측에 설치되어, 상기 기판 상에 증착되는 박막에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지대간의 공정 갭을 조절할 수 있도록 상기 기판 지지대를 상하로 이동가능하게 지지하고, 상기 틸팅 플레이트의 틸팅에 따라 상기 기판 지지대와 함께 상기 틸팅 플레이트와 동일한 기울기로 틸팅되는 레벨링 장치; 상기 삼점 지지부 중 적어도 어느 하나의 높이를 조절할 수 있도록 구비되어 상기 틸팅 플레이트를 틸팅하고, 상기 틸팅 플레이트의 틸팅이 용이하게 이루어질 수 있도록 상기 삼점 지지부 중 높이가 조절되는 지지부는 베어링 부재에 의해 상기 틸팅 플레이트와 회전 자유도를 가지도록 연결되는 틸팅 장치; 상기 챔버 플레이트에 상기 틸팅 플레이트의 틸팅 범위를 감지할 수 있도록 설치되어, 상기 틸팅 장치에 의해 상기 틸팅 플레이트가 틸팅 시 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 측정하는 센서; 및 상기 틸팅 플레이트를 틸팅하여 상기 기판에 균일한 두께 산포로 상기 박막을 증착할 수 있는 목표 기울기로 상기 기판 지지대의 기울기를 조절할 수 있도록, 상기 틸팅 장치의 구동 모터를 제어하여 상기 틸팅 장치를 구동시키는 제어부;를 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, a substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus may include: a process chamber in which an internal space capable of processing a substrate is formed; a substrate support provided in the inner space of the process chamber to support the substrate; a shower head provided above the process chamber to face the substrate support and spraying a processing gas toward the substrate support; It is installed to be spaced apart from the chamber plate by at least a three-point support under the chamber plate installed on the lower surface of the process chamber, and the inclination is adjusted based on the chamber plate by adjusting the height of at least one of the three-point support parts. a tilting plate provided so that it can be; It is installed on one side of the tilting plate to movably support the substrate support so as to adjust the process gap between the shower head and the substrate support according to the thin film deposited on the substrate, and to tilt the tilting plate. a leveling device that is tilted at the same inclination as the tilting plate together with the substrate support; The three-point support part is provided to adjust the height of at least one of the three-point support parts to tilt the tilting plate, and the support part whose height is adjusted among the three-point support part so that the tilting of the tilting plate can be easily achieved is the tilting plate by a bearing member and a tilting device connected to have a degree of freedom of rotation; a sensor installed in the chamber plate to detect a tilting range of the tilting plate and measuring a tilt of the tilting plate when the tilting plate is tilted by the tilting device; and controlling the driving motor of the tilting device to drive the tilting device so as to adjust the tilt of the substrate support to a target tilt for depositing the thin film with a uniform thickness distribution on the substrate by tilting the tilting plate control unit; may include.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 기판 상에 증착되는 상기 박막이 서로 다른 이종막을 포함하는 경우, 상기 제어부는, 제 1 박막을 증착하기 위해 상기 틸팅 장치의 상기 구동 모터를 제어하여 상기 레벨링 장치에 의해 제 1 높이로 이동된 상기 기판 지지대를 제 1 목표 기울기로 조절하고, 제 2 박막을 증착하기 위해 상기 틸팅 장치의 상기 구동 모터를 제어하여 상기 레벨링 장치에 의해 제 2 높이로 이동된 상기 기판 지지대를 제 2 목표 기울기로 조절할 수 있다.In the substrate processing apparatus, when the thin film deposited on the substrate includes different heterogeneous films, the controller controls the driving motor of the tilting device to deposit the first thin film to be formed by the leveling device. Adjusting the substrate support moved to one height to a first target inclination, and controlling the drive motor of the tilting device to deposit a second thin film to remove the substrate support moved to a second height by the leveling device 2 It can be adjusted to the target inclination.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는, 상기 틸팅 장치의 상기 구동 모터로부터 인가받은 엔코더 신호로 산출된 상기 기판 지지대의 기울기 값과, 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 실시간으로 측정한 상기 센서의 센싱 신호로 산출된 상기 기판 지지대의 기울기 값이 상이할 경우, 상기 기판 지지대 기울기 조절에 이상이 있는 것으로 판단하고 알람신호를 발생할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the control unit, the inclination value of the substrate support calculated by the encoder signal applied from the drive motor of the tilting apparatus, and the inclination of the tilting plate is calculated as a sensing signal of the sensor measured in real time When the inclination value of the substrate support is different, it may be determined that there is an abnormality in the inclination adjustment of the substrate support and an alarm signal may be generated.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 틸팅 장치는, 상기 챔버 플레이트와 상기 틸팅 플레이트 사이에 복수개로 설치되어 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 조절하는 제 1, 2, 3 틸팅부;를 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the tilting apparatus may include a plurality of first, second, and third tilting units installed between the chamber plate and the tilting plate to adjust the tilt of the tilting plate.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 1 틸팅부는, 높이가 고정되는 고정형 지지부이고, 상기 제 2, 3 틸팅부는, 높이 조절이 가능한 높이 조절형 지지부일 수 있다.In the substrate processing apparatus, the first tilting part may be a fixed support part having a fixed height, and the second and third tilting parts may be a height-adjustable support part capable of height adjustment.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 2, 3 틸팅부는, 상기 챔버 플레이트의 하부에 고정되는 상기 구동 모터; 상기 구동 모터의 모터축과 커플링에 의해 동기화되어 상기 구동 모터의 구동에 따라 회전운동하는 승하강 나사봉; 및 일측에 상기 승하강 나사봉과 나사 결합되는 너트 부재가 구비되어 상기 승하강 나사봉의 회전 운동에 의해 승하강되고, 상기 틸팅 플레이트의 측면으로 돌출되게 형성된 틸트 샤프트를 타측에 구비된 구면 베어링에 의해 회전 자유도를 가지도록 고정하여, 승하강 운동에 따라 상기 틸트 샤프트를 고정하는 상기 구면 베어링이 회동하여 상기 틸팅 플레이트를 틸팅시키는 구동 브라켓;을 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the second and third tilting units may include: the driving motor fixed to a lower portion of the chamber plate; an elevating screw rod that is synchronized with the motor shaft of the driving motor and rotates according to the driving of the driving motor; And a nut member screw-coupled to the elevating screw rod is provided on one side to elevate and lower by the rotational movement of the elevating screw rod, and a tilt shaft formed to protrude from the side of the tilting plate is rotated by a spherical bearing provided on the other side. and a driving bracket for tilting the tilting plate by rotating the spherical bearing for fixing the tilt shaft according to the lifting and lowering motion by fixing it to have a degree of freedom.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 2, 3 틸팅부는, 상기 챔버 플레이트의 하부에 고정되고, 베어링에 의해 상기 승하강 나사봉을 회전운동이 가능하게 고정하는 고정 브라켓; 상기 고정 브라켓의 하부에 설치되어 상기 구동 모터를 고정하는 모터 브라켓; 및 상기 고정 브라켓과 상기 구동 브라켓 사이에 설치되어 상기 구동 브라켓의 승하강 운동을 가이드 하는 리니어 가이드;를 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the second and third tilting units may include a fixing bracket fixed to a lower portion of the chamber plate and rotatably fixed to the elevating screw rod by a bearing; a motor bracket installed under the fixing bracket to fix the driving motor; and a linear guide installed between the fixing bracket and the driving bracket to guide an elevating movement of the driving bracket.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 2, 3 틸팅부는, 상기 구동 브라켓의 승하강 범위를 제한하기 위한 리미트 장치;를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 틸팅 플레이트의 과도한 기울기 조절로 인한 상기 틸팅 장치의 손상을 방지할 수 있도록, 상기 리미트 장치에 의해 상기 틸팅 플레이트의 틸팅 범위를 제한할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the second and third tilting units include a limit device for limiting the elevating/lowering range of the driving bracket, and the control unit, damage to the tilting device due to excessive tilt adjustment of the tilting plate To prevent this, it is possible to limit the tilting range of the tilting plate by the limit device.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부는, 상기 챔버 플레이트와 상기 틸팅 플레이트 사이에 내각이 60도가 되도록 삼각 배치될 수 있다.In the substrate processing apparatus, the first, second, and third tilting units may be triangularly disposed so that an interior angle between the chamber plate and the tilting plate is 60 degrees.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 레벨링 장치는, 상기 틸팅 플레이트의 일측에 설치되어 상기 틸팅 플레이트의 틸팅에 따라 상기 틸팅 플레이트와 동일한 기울기로 틸팅될 수 있는 레벨링 구동 장치; 및 상기 기판 지지대를 지지하고, 상기 레벨링 구동 장치와 리니어 가이드에 의해 승하강할 수 있도록 연결되어 상기 기판 지지대의 높이를 조절하는 레벨링 플레이트;를 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the leveling device may include: a leveling driving device installed on one side of the tilting plate and capable of tilting at the same inclination as the tilting plate according to the tilting of the tilting plate; and a leveling plate supporting the substrate support and connected to elevate by the leveling driving device and the linear guide to adjust the height of the substrate support.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 처리 방법이 제공된다. 상기 기판 처리 방법은, 상기 공정 챔버로 상기 기판을 인입 받은 후 상기 기판 상에 증착되는 박막에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지대 간의 상기 공정 갭을 조절하기 위해 상기 기판 지지대를 이동하는 레벨링 단계; 상기 틸팅 장치의 상기 구동 모터를 제어하여 상기 목표 기울기로 상기 기판 지지대의 기울기를 조절하는 틸팅 단계; 상기 틸팅 단계 후 상기 기판 상에 공정 가스를 분사하여 상기 박막을 증착하는 공정 단계; 및 상기 박막 증착이 완료된 상기 기판을 상기 공정 챔버 외부로 반출하는 반출 단계;를 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, a method of processing a substrate is provided. The substrate processing method may include: a leveling step of moving the substrate support to adjust the process gap between the shower head and the substrate support according to a thin film deposited on the substrate after the substrate is introduced into the process chamber; a tilting step of controlling the driving motor of the tilting device to adjust the tilt of the substrate support to the target tilt; a process step of depositing the thin film by spraying a process gas on the substrate after the tilting step; and carrying out the substrate on which the thin film deposition has been completed to the outside of the process chamber.

상기 기판 처리 방법은, 상기 틸팅 단계에서, 상기 틸팅 장치의 상기 구동 모터로부터 인가받은 엔코더 신호로 산출된 상기 기판 지지대의 기울기 값과, 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 실시간으로 측정한 상기 센서의 센싱 신호로 산출된 상기 기판 지지대의 기울기 값이 상이할 경우, 상기 기판 지지대 기울기 조절에 이상이 있는 것으로 판단하고 알람신호를 발생할 수 있다.In the substrate processing method, in the tilting step, the inclination value of the substrate support calculated by the encoder signal applied from the driving motor of the tilting device and the inclination of the tilting plate are measured in real time as a sensing signal of the sensor. When the calculated inclination values of the substrate support are different, it may be determined that there is an abnormality in the inclination adjustment of the substrate support and an alarm signal may be generated.

상기 기판 처리 방법에서, 상기 틸팅 장치는, 상기 챔버 플레이트와 상기 틸팅 플레이트 사이에 복수개로 설치되어 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 조절하는 제 1, 2, 3 틸팅부를 포함하며, 상기 틸팅 단계는, 상기 제 1, 2, 3 틸팅부 중 적어도 어느 하나의 높이를 제어하여 상기 기판 지지대의 기울기를 조절할 수 있다.In the substrate processing method, the tilting device includes a plurality of first, second, and third tilting units installed between the chamber plate and the tilting plate to adjust the tilt of the tilting plate, wherein the tilting step includes: The inclination of the substrate support may be adjusted by controlling the height of at least one of 1, 2, and 3 tilting units.

상기 기판 처리 방법에서, 상기 기판 상에 증착되는 상기 박막이 서로 다른 이종막을 포함하는 경우, 상기 레벨링 단계는, 제 1 박막을 증착하기 위해 상기 기판 지지대를 제 1 높이로 이동하는 제 1 레벨링 단계; 및 제 2 박막을 증착하기 위해 상기 기판 지지대를 제 2 높이로 이동하는 제 2 레벨링 단계;를 포함하고, 상기 틸팅 단계는, 제 1 높이로 이동된 상기 기판 지지대를 제 1 목표 기울기로 조절하는 제 1 틸팅 단계; 및 제 2 높이로 이동된 상기 기판 지지대를 제 2 목표 기울기로 조절하는 제 2 틸팅 단계;를 포함할 수 있다.In the substrate processing method, when the thin film deposited on the substrate includes different heterogeneous films, the leveling may include: a first leveling step of moving the substrate support to a first height to deposit a first thin film; and a second leveling step of moving the substrate supporter to a second height in order to deposit a second thin film, wherein the tilting comprises adjusting the substrate supporter moved to the first height to a first target inclination. 1 tilting step; and a second tilting step of adjusting the substrate support moved to a second height to a second target inclination.

상기 기판 처리 방법에서, 상기 공정 단계는, 상기 제 1 틸팅 단계 후 상기 기판에 상기 제 1 박막을 형성하는 제 1 박막 형성 단계; 및 상기 제 2 틸팅 단계 후 상기 기판에 상기 제 2 박막을 형성하는 제 2 박막 형성 단계;를 포함할 수 있다.In the substrate processing method, the processing step may include: a first thin film forming step of forming the first thin film on the substrate after the first tilting step; and a second thin film forming step of forming the second thin film on the substrate after the second tilting step.

상기 기판 처리 방법에서, 상기 틸팅 단계에서, 상기 기판에 형성된 상기 제 1 박막 또는 상기 제 2 박막의 두께 산포를 확인하고, 상기 두께 산포에 따라서 상기 기판 지지대를 제 3 목표 기울기 또는 제 4 목표 기울기로 조절할 수 있다.In the substrate processing method, in the tilting step, the thickness distribution of the first thin film or the second thin film formed on the substrate is checked, and the substrate supporter is adjusted to a third target inclination or a fourth target inclination according to the thickness distribution. can be adjusted

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 기판의 박막 증착 중 샤워 헤드와 기판 지지대 간의 갭 조절과 기판 지지대의 기울기 조절이 자동으로 가능하여, 기판 지지대의 기울기 조절이 단시간 내에 가능하고 기판에 증착되는 박막의 산포를 개선할 수 있는 효과를 가지는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to an embodiment of the present invention made as described above, it is possible to automatically adjust the gap between the shower head and the substrate support and the inclination of the substrate support during the thin film deposition of the substrate, the substrate support It is possible to implement a substrate processing apparatus and a substrate processing method having the effect of improving the dispersion of the thin film deposited on the substrate and can control the slope of the substrate within a short time. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 사시도들이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 측면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 틸팅 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치의 정면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 6 및 도 7은 도 5의 기판 처리 장치의 틸팅 장치가 틸팅 플레이트를 틸팅하는 것을 개략적으로 나타내는 확대 단면도들이다.
도 8은 도 5의 기판 처리 장치의 틸팅 장치의 리미트 장치를 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.1 and 2 are perspective views schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically illustrating a side surface of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
4 is a perspective view schematically illustrating a tilting apparatus of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically illustrating a front surface of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
6 and 7 are enlarged cross-sectional views schematically illustrating that the tilting apparatus of the substrate processing apparatus of FIG. 5 tilts the tilting plate.
8 is an enlarged cross-sectional view schematically illustrating a limit device of a tilting apparatus of the substrate processing apparatus of FIG. 5 .
9 is a flowchart illustrating a substrate processing method of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, several preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.Examples of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows It is not limited to an Example. Rather, these embodiments are provided so as to more fully and complete the present disclosure, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, in the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated for convenience and clarity of description.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically illustrating ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the illustrated shape can be envisaged, for example depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the inventive concept should not be construed as limited to the specific shape of the region shown in the present specification, but should include, for example, changes in shape caused by manufacturing.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 개략적으로 나타내는 사시도들이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치(100)의 측면을 나타내는 단면도이며, 도 4는 도 1의 기판 처리 장치(100)의 틸팅 장치(60)를 개략적으로 나타내는 사시도이다. 그리고, 도 5는 도 1의 기판 처리 장치(100)의 정면을 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 6 및 도 7은 도 5의 기판 처리 장치(100)의 틸팅 장치(60)가 틸팅 플레이트(50)를 틸팅하는 것을 개략적으로 나타내는 확대 단면도들이며, 도 8은 도 5의 기판 처리 장치(100)의 틸팅 장치(60)의 리미트 장치(80)를 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.1 and 2 are perspective views schematically illustrating a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a side surface of the substrate processing apparatus 100 of FIG. 1 , and FIG. 4 is FIG. It is a perspective view schematically showing the tilting apparatus 60 of the substrate processing apparatus 100 of 1 . And, FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the front of the substrate processing apparatus 100 of FIG. 1 , and FIGS. 6 and 7 are a tilting plate 50 of the tilting apparatus 60 of the substrate processing apparatus 100 of FIG. 5 . It is an enlarged cross-sectional view schematically illustrating tilting the , and FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view schematically illustrating the limit device 80 of the tilting apparatus 100 of the substrate processing apparatus 100 of FIG. 5 .

먼저, 도 1 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 공정 챔버(10)와, 기판 지지대(20)와, 샤워 헤드(30)와, 레벨링 장치(40)와, 틸팅 플레이트(50)와, 틸팅 장치(60)와, 센서(70)와, 리미트 장치(80) 및 제어부(미도시)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIGS. 1 to 8 , a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 10 , a substrate support 20 , a shower head 30 , It may include a leveling device 40, a tilting plate 50, a tilting device 60, a sensor 70, a limit device 80, and a control unit (not shown).

도 1에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(10)는, 기판(S)을 처리할 수 있는 내부 공간이 형성될 수 있다. 더욱 구체적으로, 공정 챔버(10)는, 내부에 원형 형상 또는 사각 형상으로 형성되는 상기 내부 공간이 형성되어, 상기 내부 공간에 설치된 기판 지지대(20)에 지지되는 기판(S) 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다. 또한, 공정 챔버(10)의 일측면에는 기판(S)을 상기 내부 공간으로 로딩 또는 언로딩할 수 있는 게이트가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the process chamber 10 may have an internal space capable of processing the substrate S. More specifically, in the process chamber 10, the inner space formed in a circular shape or a square shape is formed therein, and a thin film is deposited on the substrate S supported by the substrate support 20 installed in the inner space. Alternatively, a process such as etching the thin film may be performed. Also, a gate for loading or unloading the substrate S into the inner space may be formed on one side of the process chamber 10 .

또한, 기판 지지대(20)는, 기판(S)을 지지할 수 있도록 공정 챔버(10)의 상기 내부 공간에 구비되어 공정 챔버(10)의 중심축을 기준으로 회전 가능하게 설치될 수 있다. 더욱 구체적으로, 기판 지지대(20)는, 기판(S)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블 등의 기판지지 구조체일 수 있다.In addition, the substrate support 20 may be provided in the inner space of the process chamber 10 to support the substrate S and may be rotatably installed based on the central axis of the process chamber 10 . More specifically, the substrate support 20 may be a substrate support structure such as a susceptor or table capable of supporting the substrate S.

여기서, 기판 지지대(20)는, 공정 온도로 가열되어 기판 지지대(20)에 지지되는 기판(S)을 가열시키는 히터를 구비하여, 그 상면에 안착되는 기판(S)을 박막을 증착하는 공정 또는 박막을 식각하는 공정이 가능한 일정온도로 가열시킬 수 있다. 또한, 기판 지지대(20)는, 공정 가스를 플라즈마화 하기 위한 하부 전극으로의 기능을 할 수도 있다. 또한, 샤워 헤드(30)는, 기판 지지대(20)와 대향되도록 공정 챔버(10)의 상부에 구비되어 기판 지지대(20)를 향해 공정 가스 및 클리닝 가스 등 각종 처리 가스를 분사할 수 있다.Here, the substrate support 20 is provided with a heater for heating the substrate S supported on the substrate support 20 by being heated to a process temperature, and depositing a thin film on the substrate S seated on the upper surface thereof, or The thin film can be heated to a predetermined temperature that can be etched. Also, the substrate support 20 may function as a lower electrode for converting the process gas into plasma. In addition, the shower head 30 may be provided in the upper portion of the process chamber 10 to face the substrate support 20 , and may spray various processing gases, such as a process gas and a cleaning gas, toward the substrate support 20 .

또한, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 레벨링 장치(40)는, 공정 챔버(10)의 외부에서 기판 지지대(20)를 지지하고, 기판(S) 상에 증착되는 박막에 따라 샤워 헤드(30)와 기판 지지대(20) 간의 공정 갭을 조절할 수 있도록 기판 지지대(20)를 상하로 이동시킬 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 1 to 5 , the leveling apparatus 40 supports the substrate support 20 from the outside of the process chamber 10 , and a shower head according to a thin film deposited on the substrate S The substrate support 20 may be moved up and down to adjust the process gap between the 30 and the substrate support 20 .

더욱 구체적으로, 레벨링 장치(40)는, 틸팅 플레이트(50)의 일측에 설치되어 틸팅 플레이트(50)의 틸팅에 따라 틸팅 플레이트(50)와 동일한 기울기로 틸팅될 수 있는 레벨링 구동 장치(42) 및 기판 지지대(20)를 지지하고, 레벨링 구동 장치(42)와 리니어 가이드(L)에 의해 승하강할 수 있도록 연결되어 기판 지지대(20)의 높이를 조절하는 레벨링 플레이트(41)를 포함할 수 있다. 이때, 기판 지지대(20)가 공정 챔버(10)의 외부에 위치한 레벨링 플레이트(41)에 지지될 수 있도록 기판 지지대(20)의 공정 챔버(10) 외부로 노출된 부분은, 기판 지지대(20)의 외부 노출 부분을 둘러싸도록 레벨링 플레이트(41)와 챔버 플레이트(11) 사이를 신축 가능하게 연결하는 벨로우즈(BL)에 의해 보호되고, 이에 따라 공정 챔버(10)의 진공 또한 유지할 수 있다.More specifically, the leveling device 40 is installed on one side of the tilting plate 50 and can be tilted at the same inclination as the tilting plate 50 according to the tilting of the tilting plate 50. A leveling driving device 42 and It may include a leveling plate 41 that supports the substrate support 20 and is connected to be elevated by the leveling driving device 42 and the linear guide L to adjust the height of the substrate support 20 . At this time, the portion of the substrate support 20 exposed to the outside of the process chamber 10 so that the substrate support 20 can be supported by the leveling plate 41 located outside the process chamber 10 is the substrate support 20 . It is protected by the bellows BL that stretchably connects between the leveling plate 41 and the chamber plate 11 so as to surround the externally exposed portion of the , and thus the vacuum of the process chamber 10 can also be maintained.

또한, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 틸팅 플레이트(50)는, 공정 챔버(10)의 하면에 설치된 챔버 플레이트(11)의 하방에 삼점 지지에 의해 챔버 플레이트(11)와 일정 거리 이격되게 설치되고, 삼점 지지부 중 적어도 어느 하나의 높이 조절에 의해 챔버 플레이트(11)를 기준으로 기울기가 조절될 수 있도록 구비되어, 일측에 설치된 레벨링 장치(40) 및 레벨링 장치(40)가 지지하는 기판 지지대(20)와 함께 동일한 기울기로 틸팅될 수 있다. 이에 따라, 틸팅 플레이트(50)가 틸팅되어 기울기가 조절되면 틸팅 플레이트(50)의 일측에 설치되고 기판 지지대(20)를 지지하는 레벨링 장치(40)도 함께 기울기가 조절됨으로써, 틸팅 플레이트(50)와 레벨링 장치(40) 및 기판 지지대(20)가 함께 연동되어 동일한 기울기로 기울기가 조절될 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 1 to 5 , the tilting plate 50 is spaced apart from the chamber plate 11 by a predetermined distance by three-point support under the chamber plate 11 installed on the lower surface of the process chamber 10 . A substrate supported by the leveling device 40 and the leveling device 40 installed on one side and provided so that the inclination can be adjusted based on the chamber plate 11 by adjusting the height of at least one of the three-point support parts. It can be tilted at the same inclination together with the support 20 . Accordingly, when the tilting plate 50 is tilted and the inclination is adjusted, the leveling device 40 installed on one side of the tilting plate 50 and supporting the substrate support 20 is also adjusted to the tilt, so that the tilting plate 50 is adjusted. and the leveling device 40 and the substrate support 20 are interlocked together to adjust the inclination to the same inclination.

또한, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 틸팅 장치(60)는, 상기 삼점 지지부 중 적어도 어느 하나의 높이를 조절할 수 있도록 구비되어 틸팅 플레이트(50)를 틸팅하고, 틸팅 플레이트(50)의 틸팅이 용이하게 이루어질 수 있도록 상기 삼점 지지부 중 높이가 조절되는 지지부는 구면 베어링과 같은 베어링 부재에 의해 틸팅 플레이트(50)와 회전 자유도를 가지도록 연결될 수 있다. 예컨대, 틸팅 장치(60)는, 챔버 플레이트(11)와 틸팅 플레이트(50) 사이에 복수개로 설치되어 틸팅 플레이트(50)의 기울기를 조절하는 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3)를 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 1 to 5 , the tilting device 60 is provided to adjust the height of at least one of the three-point support parts to tilt the tilting plate 50 , and In order to facilitate tilting, the height-adjusted support part of the three-point support part may be connected to the tilting plate 50 by a bearing member such as a spherical bearing to have rotational freedom. For example, the tilting device 60 includes a plurality of first, second, and third tilting units 60 - 1 and 60 installed between the chamber plate 11 and the tilting plate 50 to adjust the tilt of the tilting plate 50 . -2, 60-3).

더욱 구체적으로, 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3)는, 챔버 플레이트(11)와 틸팅 플레이트(50) 사이에 내각이 60도가 되도록 삼각 배치될 수 있다. 예컨대, 틸팅 플레이트(50)를 삼점 지지할 수 있도록, 제 1 틸팅부(60-1)는, 챔버 플레이트(11) 하면의 중심선상에 형성되고, 제 2, 3 틸팅부(60-2, 60-3)는, 챔버 플레이트(11) 하면의 상기 중심선상을 기준으로 대칭되게 형성될 수 있다.More specifically, the first, second, and third tilting units 60 - 1 , 60 - 2 and 60 - 3 may be triangularly arranged so that an interior angle is 60 degrees between the chamber plate 11 and the tilting plate 50 . . For example, the first tilting part 60-1 is formed on the center line of the lower surface of the chamber plate 11 so as to support the tilting plate 50 at three points, and the second and third tilting parts 60-2, 60 -3) may be formed symmetrically with respect to the center line of the lower surface of the chamber plate 11 .

이때, 제 1 틸팅부(60-1)는, 높이가 고정되는 고정형 지지부일 수 있고, 제 2, 3 틸팅부(60-2, 60-3)는, 높이 조절이 가능한 높이 조절형 지지부일 수 있다. 또한, 틸팅 장치(60)는, 도 1 내지 도 5에 반드시 국한되지 않고, 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3) 모두 높이 조절이 가능한 높이 조절형 지지부일 수도 있다.In this case, the first tilting part 60-1 may be a fixed support part having a fixed height, and the second and third tilting parts 60-2 and 60-3 may be a height-adjustable support part capable of height adjustment. have. In addition, the tilting device 60 is not necessarily limited to FIGS. 1 to 5 , and all of the first, second, and third tilting units 60-1, 60-2, and 60-3 are height-adjustable height-adjustable support. it could be a boon

따라서, 틸팅 장치(60)는, 제 1 틸팅부(60-1)와 제 2 틸팅부(60-2) 및 제 3 틸팅부(60-3)를 구비하여 챔버 플레이트(11)로부터 틸팅 플레이트(50)를 삼점 지지할 수 있다. 더불어, 제 1 틸팅부(60-1)는, 볼 조인트나 스프링과 같은 관절 부재를 구비하여 제 2 틸팅부(60-2) 및 제 3 틸팅부(60-3)의 가변 시 제 1 틸팅부(60-1)가 비틀림 응력을 받아 파손되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the tilting device 60 includes a first tilting part 60-1, a second tilting part 60-2, and a third tilting part 60-3, and is provided from the chamber plate 11 to the tilting plate ( 50) can be supported by three points. In addition, the first tilting part 60-1 is provided with a joint member such as a ball joint or a spring, so that when the second tilting part 60-2 and the third tilting part 60-3 are variable, the first tilting part (60-1) can be prevented from being damaged by torsional stress.

또한, 틸팅 장치(60)는, 도 1 내지 도 5에 반드시 국한되지 않고, 틸팅 플레이트(50)를 더욱 안정되게 지지하고 기울기를 더욱 정밀하게 조절할 수 있도록, 3포인트 이상으로 지지할 수도 있다. 예컨대, 도시되지 않았지만, 챔버 플레이트(11)와 틸팅 플레이트(50) 사이에 설치되고 제 1 틸팅부(60-1)의 높이를 기준으로 틸팅 플레이트(50)의 또 다른 타측을 상하로 조절하는 제 4 틸팅부를 더 포함하여 틸팅 플레이트(50)의 기울기를 더욱 정밀하게 조정할 수 있다.In addition, the tilting device 60 is not necessarily limited to FIGS. 1 to 5 , and may be supported by three or more points to more stably support the tilting plate 50 and more precisely control the inclination. For example, although not shown, it is installed between the chamber plate 11 and the tilting plate 50 and controls the other side of the tilting plate 50 up and down based on the height of the first tilting part 60-1. 4 It is possible to more precisely adjust the inclination of the tilting plate 50 by including a tilting part.

그러므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 제 1 틸팅부(60-1)의 높이를 기준점으로 고정하고 제 2 틸팅부(60-2) 및 제 3 틸팅부(60-3)를 제 1 틸팅부(60-1)의 높이를 기준으로 각각 상하로 조절하여, 기판 지지대(20)를 지지하면서 높이를 조절하는 레벨링 장치(40)가 설치된 틸팅 플레이트(50)의 기울기를 조절함으로써, 기판 지지대(20)의 기울기를 함께 조절하는 효과를 가질 수 있다.Therefore, in the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the height of the first tilting part 60-1 is fixed as a reference point, and the second tilting part 60-2 and the third tilting part 60 are fixed. -3) is adjusted vertically based on the height of the first tilting unit 60-1, and the tilting plate 50 is provided with a leveling device 40 that supports the substrate support 20 and adjusts the height of the tilting plate 50. By adjusting , it may have the effect of adjusting the inclination of the substrate support 20 together.

또한, 상기 제어부는, 틸팅 플레이트(50)를 틸팅하여 기판(S)에 균일한 두께 산포로 상기 박막을 증착할 수 있는 목표 기울기로 기판 지지대(20)의 기울기를 조절할 수 있도록, 틸팅 장치(60)의 구동 모터(M)를 제어하여 틸팅 장치(60)를 구동시킬 수 있다. 더욱 구체적으로, 기판(S) 상에 증착되는 박막이 서로 다른 이종막을 포함하는 경우, 상기 제어부는, 제 1 박막을 증착하기 위해 틸팅 장치(60)의 구동 모터(M)를 제어하여 레벨링 장치(40)에 의해 제 1 높이로 이동된 기판 지지대(20)를 제 1 목표 기울기로 조절하고, 제 2 박막을 증착하기 위해 틸팅 장치(60)의 구동 모터(M)를 제어하여 레벨링 장치(40)에 의해 제 2 높이로 이동된 기판 지지대(20)를 제 2 목표 기울기로 조절할 수 있다.In addition, the controller may tilt the tilting plate 50 to adjust the tilt of the substrate support 20 to a target tilt for depositing the thin film with a uniform thickness distribution on the substrate S, the tilting device 60 ) by controlling the driving motor M to drive the tilting device 60 . More specifically, when the thin film deposited on the substrate S includes different heterogeneous films, the controller controls the driving motor M of the tilting device 60 to deposit the first thin film to deposit the leveling device ( The leveling device 40 by controlling the drive motor M of the tilting device 60 to adjust the substrate support 20 moved to the first height by 40) to a first target inclination, and to deposit the second thin film. It is possible to adjust the substrate support 20 moved to the second height by the second target inclination.

이때, 센서(70)는, 챔버 플레이트(11)의 하측에 틸팅 플레이트(50)의 틸팅 범위를 감지할 수 있도록 설치되어, 틸팅 장치(60)에 의해 틸팅 플레이트(50)가 틸팅 시 틸팅 플레이트(50)의 기울기를 실시간으로 측정할 수 있다. 더욱 구체적으로, 센서(70)는, 틸팅 플레이트(50)의 제 2 틸팅부(60-2) 연결부측과 제 3 틸팅부(60-3) 연결부측으로 각각 돌출되게 형성된 센싱 플레이트(51)를 감지할 수 있도록, 챔버 플레이트(11)의 제 2 틸팅부(60-2) 인근과 제 3 틸팅부(60-3) 인근에 각각 설치될 수 있다. 이에 따라, 틸팅 장치(60)가 구동되어 틸팅 플레이트(50)의 기울기가 조절되면, 센서(70)가 제 2 틸팅부(60-2) 측의 센싱 플레이트(51)와 제 3 틸팅부(60-3) 측의 센싱 플레이트(51)의 높이를 각각 센싱함으로써, 틸팅 플레이트(50)의 기울기 정도를 실시간으로 확인할 수 있다.At this time, the sensor 70 is installed on the lower side of the chamber plate 11 to detect the tilting range of the tilting plate 50, and when the tilting plate 50 is tilted by the tilting device 60, the tilting plate ( 50) can be measured in real time. More specifically, the sensor 70 detects the sensing plate 51 formed to protrude toward the second tilting part 60-2 connection part side and the third tilting part 60-3 connection part side of the tilting plate 50, respectively. To do this, the chamber plate 11 may be installed in the vicinity of the second tilting part 60-2 and the third tilting part 60-3, respectively. Accordingly, when the tilting device 60 is driven to adjust the tilt of the tilting plate 50 , the sensor 70 detects the sensing plate 51 and the third tilting part 60 on the second tilting part 60-2 side. -3) By sensing the height of the sensing plate 51 on the side, the degree of inclination of the tilting plate 50 can be checked in real time.

여기서, 센서(70)는, 레이저 변위 센서 또는 CMOS 레이저 변위 센서가 사용될 수 있으며, 레이저를 틸팅 플레이트(50)의 센싱 플레이트(51) 측으로 방사해서 센서(70)와 센싱 플레이트(51) 간의 거리를 측정하고, 측정된 거리 값을 이용하여 틸팅 플레이트(50)의 기울기 정도를 계산할 수 있다.Here, as the sensor 70 , a laser displacement sensor or a CMOS laser displacement sensor may be used, and the distance between the sensor 70 and the sensing plate 51 is determined by emitting a laser toward the sensing plate 51 of the tilting plate 50 . It is measured and the degree of inclination of the tilting plate 50 can be calculated using the measured distance value.

이에 따라, 상기 제어부는, 기판 지지대(20)의 기울기를 조절 시, 틸팅 장치(60)의 구동 모터(M)로부터 인가받은 엔코더 신호로 산출된 기판 지지대(20)의 기울기 값과, 틸팅 플레이트(50)의 기울기을 실시간으로 측정한 센서(70)의 센싱 신호로 산출된 기판 지지대(20)의 기울기 값이 상이할 경우, 기판 지지대(20) 기울기 조절에 이상이 있는 것으로 판단하고 작업자가 인지할 수 있도록 알람신호를 발생할 수 있다.Accordingly, the control unit, when adjusting the inclination of the substrate support 20, the inclination value of the substrate support 20 calculated by the encoder signal applied from the driving motor M of the tilting device 60, and the tilting plate ( If the inclination value of the substrate support 20 calculated by the sensing signal of the sensor 70 measuring the inclination of 50) in real time is different, it is determined that there is an abnormality in the inclination adjustment of the substrate support 20 and the operator can recognize An alarm signal can be generated so that

따라서, 상기 제어부는, 틸팅 장치(60)의 구동 모터(M)를 제어하여 틸팅 장치(60)를 구동시킴으로써, 기 설정된 목표 기울기 정보와 동일하게 기판 지지대(20)의 기울기를 자동으로 조절할 수 있다. 더불어, 상기 제어부는, 기판 지지대(20)의 기울기 조절 시, 구동 모터(M)의 상기 엔코더 신호와 센서(70)의 상기 센싱 신호를 이용하여, 기판 지지대(20)의 기울기 조절 중의 이상 유무를 함께 판단함으로써, 기판 지지대(20)의 기울기 조절이 신속하고 정확하게 이루어질 수 있도록 제어할 수 있다.Accordingly, the controller may control the driving motor M of the tilting device 60 to drive the tilting device 60 to automatically adjust the tilt of the substrate support 20 in the same manner as the preset target tilt information. . In addition, the control unit, when adjusting the tilt of the substrate support 20, using the encoder signal of the drive motor (M) and the sensing signal of the sensor 70, whether there is an abnormality during the tilt adjustment of the substrate support 20 By determining together, it is possible to control the inclination adjustment of the substrate support 20 to be performed quickly and accurately.

또한, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 챔버 플레이트(11)에 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3)가 예비로 미리 조립될 수 있다. 이에 따라, 챔버 플레이트(11)에 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3)를 미리 조립한 다음, 챔버 플레이트(11)를 공정 챔버(10)의 하면에 일괄 조립하여 조립성을 향상시킬 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 1 to 5 , in the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the first, second, and third tilting units 60 - 1 and 60 - are provided on the chamber plate 11 . 2, 60-3) can be pre-assembled as a spare. Accordingly, the first, second, and third tilting parts 60-1, 60-2, and 60-3 are pre-assembled on the chamber plate 11, and then, the chamber plate 11 is mounted on the lower surface of the process chamber 10. It is possible to improve assembling property by collectively assembling.

예컨대, 사전에 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3)를 챔버 플레이트(11)에 조립한 후, 공정 챔버(10)를 챔버 플레이트(11) 위에 조립함으로써, 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3)를 공정 챔버(10)에 직접 조립할 때 보다 조립 공정의 난이도를 낮추고, 기판(S)의 공정 진행 시 공정 챔버(10)의 열이 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3)로 직접적으로 전달되는 것을 방지하여, 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3)가 열에 의한 손상을 받는 것을 방지할 수 있다.For example, by assembling the first, second, and third tilting parts 60-1, 60-2, and 60-3 to the chamber plate 11 in advance, and then assembling the process chamber 10 on the chamber plate 11 . , lowering the difficulty of the assembly process than when assembling the first, second, and third tilting parts 60-1, 60-2, and 60-3 directly in the process chamber 10, and when the process of the substrate S is performed, the process chamber By preventing the heat of (10) from being directly transferred to the first, second, and third tilting parts 60-1, 60-2, and 60-3, the first, second, and third tilting parts 60-1, 60 -2, 60-3) can be prevented from being damaged by heat.

그러므로, 기판 처리 장치(100)는, 기판(S)에 단일막 또는 복합막을 증착 시 기판 지지대(20)가 각 공정의 공정 가스의 적합한 갭 영역으로 자동으로 레벨링되고, 이어서, 각각의 갭 영역에서 자동으로 기판 지지대(20)를 틸팅하여, 기판 지지대(20)의 레벨링 및 틸팅이 자동으로 신속하고 정확하게 이루어질 수 있도록 함으로써, 기판(S)에 증착되는 막질의 균일도를 고르게 하고 단일막은 물론, 복합막을 용이하게 생산할 수 있으며, 이에 따라 생산 비용 및 생산 시간을 절감할 수 있는 등 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.Therefore, in the substrate processing apparatus 100, when a single film or a composite film is deposited on the substrate S, the substrate support 20 is automatically leveled to a suitable gap region of the process gas of each process, and then in each gap region By automatically tilting the substrate support 20, the leveling and tilting of the substrate support 20 can be automatically and quickly and accurately, so that the uniformity of the film quality deposited on the substrate S is evened and the single film as well as the composite film It can be easily produced, thereby greatly improving productivity, such as reducing production cost and production time.

도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제 2, 3 틸팅부(60-2, 60-3)는, 챔버 플레이트의 하부에 고정되는 구동 모터(M)와, 구동 모터(M)의 모터축과 커플링(C)에 의해 동기화되어 구동 모터(M)의 구동에 따라 회전운동하는 승하강 나사봉(63) 및 일측에 승하강 나사봉(63)과 나사 결합되는 너트 부재(64a)가 구비되어 승하강 나사봉(63)의 회전 운동에 의해 승하강되고, 틸팅 플레이트(50)의 측면으로 돌출되게 형성된 틸트 샤프트(T)를 타측에 구비된 구면 베어링(64b)에 의해 회전 자유도를 가지도록 고정하여, 승하강 운동에 따라 틸트 샤프트(T)를 고정하는 구면 베어링(64b)이 회동하여 틸팅 플레이트(50)를 틸팅시키는 구동 브라켓(64)을 포함할 수 있다.5 to 7 , the second and third tilting parts 60-2 and 60-3 include a driving motor M fixed to a lower portion of the chamber plate, and a motor shaft of the driving motor M. A nut member 64a screwed with the elevating screw rod 63 and the elevating screw rod 63 on one side is provided in synchronization with the coupling (C) and rotating according to the driving of the driving motor (M) to have a degree of freedom of rotation by a spherical bearing 64b provided on the other side of the tilt shaft T, which is raised and lowered by the rotational movement of the elevating screw rod 63, and protrudes from the side of the tilting plate 50 It may include a driving bracket 64 for tilting the tilting plate 50 by rotating the spherical bearing 64b for fixing the tilt shaft T according to the elevating motion.

더불어, 제 2, 3 틸팅부(60-2, 60-3)는, 챔버 플레이트(11)의 하부에 고정되고 베어링(B)에 의해 승하강 나사봉(63)을 회전운동이 가능하게 고정하는 고정 브라켓(61)과, 고정 브라켓(61)의 하부에 설치되어 구동 모터(M)를 고정하는 모터 브라켓(62) 및 고정 브라켓(61)과 구동 브라켓(64) 사이에 설치되어 구동 브라켓(64)의 승하강 운동을 가이드하는 리니어 가이드(65)를 포함할 수 있다.In addition, the second and third tilting parts (60-2, 60-3) are fixed to the lower part of the chamber plate (11) and fixed to the rotational movement of the elevating screw rod (63) by the bearing (B). The fixing bracket 61, the motor bracket 62 installed under the fixing bracket 61 to fix the driving motor M, and the driving bracket 64 installed between the fixing bracket 61 and the driving bracket 64 ) may include a linear guide 65 for guiding the elevating movement.

더욱 구체적으로, 챔버 플레이트(11)로부터 고정 브라켓(61)을 관통하게 형성되는 승하강 나사봉(63)은, 각각 베어링(B)에 의해 챔버 플레이트(11) 및 고정 브라켓(61)에 회전 가능하게 고정될 수 있다. 이때, 베어링(B)은, 볼 베어링 및 스러스트 베어링이 설치될 수 있다. 이에 따라, 승하강 나사봉(63)이 챔버 플레이트(11) 및 고정 브라켓(61)에 고정되어 자유롭게 회전운동 하도록 유도할 수 있다.More specifically, the elevating screw rod 63 formed from the chamber plate 11 through the fixing bracket 61 is rotatable to the chamber plate 11 and the fixing bracket 61 by the bearing B, respectively. can be firmly fixed. In this case, the bearing B may include a ball bearing and a thrust bearing. Accordingly, the elevating screw rod 63 is fixed to the chamber plate 11 and the fixing bracket 61 and can be induced to freely rotate.

따라서, 도 7에 도시된 바와 같이, 구동 모터(M)가 구동되어 회전 운동을 하면 커플링(C)에 의해 구동 모터(M)의 모터축과 동기화된 승하강 나사봉(63)이 함께 회전 운동을 할 수 있다. 이에 따라, 승하강 나사봉(63)과 나사 결합되는 너트 부재(64a)가 구비된 구동 브라켓(64)이 승하강 나사봉(63)의 회전 운동에 따라 상승 또는 하강할 수 있다. 이때, 구동 브라켓(64)과 틸팅 플레이트(50)의 틸팅 샤프트(T)는 구면 베어링(64b)에 의해 결합되어, 구동 브라켓(64)의 상승 또는 하강에 따라 구면 베어링(64b)이 회동하면서 틸팅 플레이트(50)의 기울기를 용이하게 조절할 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 7 , when the driving motor M is driven and rotated, the elevating screw rod 63 synchronized with the motor shaft of the driving motor M by the coupling C rotates together. You can exercise. Accordingly, the drive bracket 64 provided with the nut member 64a screw-coupled to the elevating screw rod 63 may rise or fall according to the rotational movement of the elevating screw rod 63 . At this time, the driving bracket 64 and the tilting shaft T of the tilting plate 50 are coupled by a spherical bearing 64b, and the spherical bearing 64b rotates and tilts according to the rising or falling of the driving bracket 64 . The inclination of the plate 50 can be easily adjusted.

또한, 제 1 틸팅부(60-1)가 고정형 결합 구조가 아닌 제 2, 3 틸팅부(60-2, 60-3)와 같이 높이 조절이 가능한 높이 조절형 결합 구조일 경우에, 제 1 틸팅부(60-1)에도 상술된 제 2, 3 틸팅부(60-2, 60-3)의 구성 요소들이 동일하게 포함될 수 있다.In addition, when the first tilting unit 60-1 is a height-adjustable coupling structure such as the second and third tilting units 60-2 and 60-3, rather than a fixed coupling structure, the first tilting unit 60-1 The components of the second and third tilting units 60-2 and 60-3 described above may be equally included in the unit 60-1.

그러므로, 기판 처리 장치(100)의 틸팅 장치(60)는, 기판 지지대(20)의 기울기를 정밀하게 제어 및 조절할 수 있는 제 2, 3 틸팅부(60-2, 60-3)를 구비하여, 기판 지지대(20)의 틸팅이 정확하게 이루어질 수 있으며, 기판(S)에 증착되는 막질의 균일도를 더욱 고르게 할 수 있다. 또한, 제 2, 3 틸팅부(60-2, 60-3)가 구변 베어링(64b)을 이용하여 틸팅 플레이트(50)의 틸팅 샤프트(T)와 연결되어 연결부가 회전 자유도를 가짐으로써, 제 2, 3 틸팅부(60-2, 60-3)가 상승 또는 하강 시 틸팅 샤프트(T)와의 연결부가 비틀림 응력을 받아 파손되는 것을 방지하고 틸팅 플레이트(50)의 틸팅이 원활하게 이루어질 수 있도록 유도할 수 있다.Therefore, the tilting apparatus 60 of the substrate processing apparatus 100 includes the second and third tilting units 60-2 and 60-3 capable of precisely controlling and adjusting the inclination of the substrate support 20, The tilting of the substrate support 20 may be accurately performed, and the uniformity of the film quality deposited on the substrate S may be more even. In addition, the second and third tilting parts 60-2 and 60-3 are connected to the tilting shaft T of the tilting plate 50 using a spherical bearing 64b so that the connection part has a degree of rotational freedom, so that the second , 3 When the tilting part (60-2, 60-3) is raised or lowered, the connection part with the tilting shaft (T) is prevented from being damaged by torsional stress, and the tilting of the tilting plate (50) can be smoothly made. can

또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 틸팅 장치(60)의 제 2, 3 틸팅부(60-2, 60-3)는, 구동 브라켓(64)의 승하강 범위를 제한하기 위한 리미트 장치(80)를 포함할 수 있다. 예컨대, 리미트 장치(80)는, 상기 제어부와 연동되고, 상기 제어부는, 틸팅 플레이트(50)의 과도한 기울기 조절로 인한 틸팅 장치(60)의 손상을 방지할 수 있도록, 리미트 장치(80)에 의해 틸팅 플레이트(50)의 틸팅 범위를 제한할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 8 , the second and third tilting parts 60 - 2 and 60 - 3 of the tilting device 60 are limit devices 80 for limiting the range of elevating and lowering of the drive bracket 64 . ) may be included. For example, the limit device 80 is interlocked with the control unit, the control unit, to prevent damage to the tilting device 60 due to excessive tilt adjustment of the tilting plate 50, by the limit device 80 The tilting range of the tilting plate 50 may be limited.

더욱 구체적으로, 리미트 장치(80)는, 구동 브라켓(64)의 승하강 운동 범위에 위치하도록 챔버 플레이트(11) 일측에 설치되는 리미트 브라켓(81)과, 구동 브라켓(64)의 상부에 설치되는 제 1 스토퍼(82a)와, 구동 브라켓(64)의 하부에 설치되는 제 2 스토퍼(82b)와, 제 1 스토퍼(82a)의 하방에 위치할 수 있도록 리미트 브라켓(81)에 설치되어, 구동 브라켓(64)의 하강 시 제 1 스토퍼(82a)가 근접하는 것을 센싱하여 구동 브라켓(64)의 하강 범위를 제한하는 제 1 리미트 센서(83a) 및 제 2 스토퍼(82b)의 상방에 위치할 수 있도록 리미트 브라켓(81)에 설치되어, 구동 브라켓(64)이 상승 시 제 2 스토퍼(82b)가 근접하는 것을 센싱하여 구동 브라켓(64)의 상승 범위를 제한하는 제 2 리미트 센서(83b)를 포함할 수 있다.More specifically, the limit device 80, the limit bracket 81 installed on one side of the chamber plate 11 so as to be located in the elevating movement range of the drive bracket 64, and the drive bracket 64 is installed on top The first stopper 82a, the second stopper 82b installed under the driving bracket 64, and the limit bracket 81 so as to be positioned below the first stopper 82a, the driving bracket To be positioned above the first limit sensor 83a and the second stopper 82b that senses the proximity of the first stopper 82a during the descent of the drive bracket 64 and limits the descent range of the drive bracket 64 Installed on the limit bracket 81, when the drive bracket 64 is raised, sensing the proximity of the second stopper 82b to include a second limit sensor 83b that limits the range of the drive bracket 64 rising. can

여기서, 제 1 리미트 센서(83a) 및 제 2 리미트 센서(83b)는, 제 1 스토퍼(82a) 및 제 2 스토퍼(82b)가 근접하는 것을 센싱할 수 있는 비접촉식 근접 센서 또는 제 1 스토퍼(82a) 및 제 2 스토퍼(82b)와 직접적으로 접촉되어 근접하는 것을 센싱할 수 있는 접촉식 센서 중 어느 하나를 사용할 수 있다.Here, the first limit sensor 83a and the second limit sensor 83b are a non-contact proximity sensor or a first stopper 82a that can sense the proximity of the first stopper 82a and the second stopper 82b. and a contact-type sensor capable of sensing proximity by being in direct contact with the second stopper 82b.

따라서, 리미트 장치(80)는, 틸팅 장치(60)가 틸팅 플레이트(50)의 상승 또는 하강을 일정 범위 이내로만 할 수 있도록 제한하여, 틸팅 플레이트(50)가 일정 범위 이내로만 틸팅할 수 있도록 동작 범위를 제한함으로써, 틸팅 장치(60)의 오작동으로 인한 틸팅 장치(60) 또는 기판 지지대(20)의 파손을 예방할 수 있다.Therefore, the limit device 80 is operated so that the tilting device 60 can only raise or lower the tilting plate 50 within a certain range, so that the tilting plate 50 can only tilt within a certain range. By limiting the range, it is possible to prevent damage to the tilting device 60 or the substrate support 20 due to a malfunction of the tilting device 60 .

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.9 is a flowchart illustrating a substrate processing method of the substrate processing apparatus 100 according to an exemplary embodiment.

도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 기판 처리 방법은, 공정 챔버(10)로 기판(S)을 인입 받은 후 기판(S) 상에 증착되는 박막에 따라 샤워 헤드(30)와 기판 지지대(20) 간의 상기 공정 갭을 조절하기 위해 기판 지지대(20)를 이동하는 레벨링 단계(S10)와, 틸팅 장치(60)의 구동 모터(M)를 제어하여 상기 목표 기울기로 기판 지지대(20)의 기울기를 조절하는 틸팅 단계(S20)와, 틸팅 단계(S20) 후 기판(S) 상에 공정 가스를 분사하여 상기 박막을 증착하는 공정 단계(S30) 및 상기 박막 증착이 완료된 기판(S)을 공정 챔버(10) 외부로 반출하는 반출 단계(S40)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 9 , in the substrate processing method of the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the substrate S is introduced into the process chamber 10 and then deposited on the substrate S. A leveling step (S10) of moving the substrate support 20 to adjust the process gap between the shower head 30 and the substrate support 20 according to the thin film, and controlling the driving motor M of the tilting device 60 a tilting step (S20) of adjusting the tilt of the substrate support 20 to the target tilt, and a process step of depositing the thin film by spraying a process gas on the substrate (S) after the tilting step (S20) (S30) and It may include a carrying-out step (S40) of carrying out the substrate S on which the thin film deposition has been completed to the outside of the process chamber 10.

예컨대, 기판(S) 상에 증착되는 상기 박막이 서로 다른 이종막을 포함하는 경우, 레벨링 단계(S10)는, 제 1 박막을 증착하기 위해 기판 지지대(20)를 제 1 높이로 이동하는 제 1 레벨링 단계 및 제 2 박막을 증착하기 위해 기판 지지대(20)를 제 2 높이로 이동하는 제 2 레벨링 단계를 포함하고, 틸팅 단계(S20)는, 레벨링 장치(40)에 의해 제 1 높이로 이동된 기판 지지대(20)를 제 1 목표 기울기로 조절하는 제 1 틸팅 단계 및 레벨링 장치(40)에 의해 제 2 높이로 이동된 기판 지지대(20)를 제 2 목표 기울기로 조절하는 제 2 틸팅 단계를 포함할 수 있다. 더불어, 공정 단계(S30)는, 상기 제 1 틸팅 단계 후 기판(S)에 상기 제 1 박막을 형성하는 제 1 박막 형성 단계 및 상기 제 2 틸팅 단계 후 기판(S)에 상기 제 2 박막을 형성하는 제 2 박막 형성 단계를 포함할 수 있다.For example, when the thin film deposited on the substrate S includes different heterogeneous films, the leveling step S10 is a first leveling step of moving the substrate support 20 to a first height in order to deposit the first thin film. and a second leveling step of moving the substrate support 20 to a second height to deposit a second thin film, wherein the tilting step S20 includes the substrate moved to the first height by the leveling device 40 . A first tilting step of adjusting the support 20 to a first target inclination and a second tilting step of adjusting the substrate support 20 moved to a second height by the leveling device 40 to a second target inclination. can In addition, in the process step (S30), the first thin film forming step of forming the first thin film on the substrate (S) after the first tilting step and the second thin film forming on the substrate (S) after the second tilting step It may include a second thin film forming step.

이때, 틸팅 장치(60)는, 챔버 플레이트(11)와 틸팅 플레이트(50) 사이에 복수개로 설치되어 틸팅 플레이트(50)의 기울기를 조절하는 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3)를 포함하며, 틸팅 단계(S20)는, 제 1, 2, 3 틸팅부(60-1, 60-2, 60-3) 중 적어도 어느 하나의 높이를 제어하여 기판 지지대(20)의 기울기를 조절할 수 있다. 위와 같은, 틸팅 단계(S20)에서, 구동 모터(M)로부터 인가받은 엔코더 신호로 산출된 기판 지지대(20)의 기울기 값과, 틸팅 플레이트(50)의 기울기를 실시간으로 측정한 센서(70)의 센싱 신호로 산출된 기판 지지대(20)의 기울기 값이 상이할 경우, 기판 지지대(20) 기울기 조절에 이상이 있는 것으로 판단하고 작업자가 인지할 수 있도록 알람신호를 발생할 수 있다.At this time, the tilting device 60 is provided in plurality between the chamber plate 11 and the tilting plate 50 to adjust the inclination of the tilting plate 50 , the first, second, and third tilting parts 60 - 1 and 60 . -2, 60-3), and the tilting step (S20) is performed by controlling the height of at least one of the first, second, and third tilting units 60-1, 60-2, and 60-3 to control the substrate support. The slope of (20) can be adjusted. As described above, in the tilting step (S20), the inclination value of the substrate support 20 calculated by the encoder signal applied from the driving motor M and the inclination of the tilting plate 50 are measured in real time by the sensor 70 of When the inclination value of the substrate support 20 calculated by the sensing signal is different, it is determined that there is an abnormality in the inclination adjustment of the substrate support 20 and an alarm signal may be generated so that the operator can recognize it.

또한, 틸팅 단계(S20)에서, 기판(S)에 형성된 상기 제 1 박막 또는 상기 제 2 박막의 두께 산포를 확인하고, 상기 두께 산포에 따라서 기판 지지대(20)를 제 3 목표 기울기 또는 제 4 목표 기울기로 조절할 수 있다. 예컨대, 기판(S)에 상기 제 1 박막을 증착 후 기판(S)에 증착된 상기 제 1 박막의 두께 산포를 측정하고, 측정된 상기 제 1 박막의 두께 산포를 고려하여 상기 제 2 목표 기울기를 재설정하고, 이를 상기 제 4 목표 기울기로하여 기판 지지대(20)를 상기 제 4 목표 기울기로 조절할 수 있다.In addition, in the tilting step (S20), the thickness distribution of the first thin film or the second thin film formed on the substrate (S) is checked, and the substrate supporter 20 is adjusted to a third target inclination or a fourth target according to the thickness distribution. The inclination can be adjusted. For example, after depositing the first thin film on the substrate S, the thickness distribution of the first thin film deposited on the substrate S is measured, and the second target slope is calculated in consideration of the measured thickness distribution of the first thin film. By resetting and setting this as the fourth target inclination, the substrate support 20 may be adjusted to the fourth target inclination.

이와 같은 방법으로 제 1 박막 또는 제 2 박막의 두께 산포를 확인하여 상기 제 1 목표 기울기를 재설정하고, 이를 상기 제 3 목표 기울기로할 수 있다. 이외에도, 틸팅 단계(S20)에서, 상기 제 1 높이 또는 상기 제 2 높이 외에도 다양한 높이에서 기판 지지대(20)의 틸팅을 할 수 있으며, 상기 제 1 높이에서 상기 제 2 높이로 연속적으로 레벨링 되면서 기판 지지대(20)의 틸팅을 하는 것도 가능할 수 있다.In this way, the first target slope may be reset by checking the thickness distribution of the first thin film or the second thin film, and this may be set as the third target slope. In addition, in the tilting step (S20), the substrate support 20 may be tilted at various heights other than the first height or the second height, and the substrate support is continuously leveled from the first height to the second height. It may also be possible to do the tilt of (20).

또한, 공정 단계(S30)는, 상기 제 1 틸팅 단계 후 상기 제 1 박막을 형성하는 상기 제 1 박막 형성 단계 및 상기 제 2 틸팅 단계 후 상기 제 2 박막을 형성하는 상기 제 2 박막 형성 단계를 포함하고, 상기 제 1 박막 형성 단계와 상기 제 2 박막 형성 단계를 1 사이클로 하여 반복 실시할 수 있다.In addition, the process step (S30) includes the first thin film forming step of forming the first thin film after the first tilting step and the second thin film forming step of forming the second thin film after the second tilting step and repeating the first thin film forming step and the second thin film forming step as one cycle.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 기판(S)에 단일막 또는 복합막을 증착 시 기판 지지대(20)가 각 공정의 공정 가스의 적합한 갭 영역으로 자동으로 레벨링되고, 이어서, 각각의 갭 영역에서 자동으로 기판 지지대(20)를 틸팅하여, 기판 지지대(20)의 레벨링 및 틸팅이 자동으로 신속하고 정확하게 이루어질 수 있도록 함으로써, 기판(S)에 증착되는 막질의 균일도를 고르게 하고 단일막은 물론, 복합막을 용이하게 생산할 수 있으며, 이에 따라 생산 비용 및 생산 시간을 절감할 수 있는 등 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.Therefore, in the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, when a single film or a composite film is deposited on the substrate S, the substrate support 20 is automatically leveled to an appropriate gap region of the process gas of each process, and then, By automatically tilting the substrate support 20 in each gap region so that the leveling and tilting of the substrate support 20 can be automatically and quickly and accurately, the uniformity of the film quality deposited on the substrate S is even and single The membrane as well as the composite membrane can be easily produced, thereby greatly improving productivity, such as reducing production cost and production time.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, which is only exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10: 공정 챔버
20: 기판 지지대
30: 샤워 헤드
40: 레벨링 장치
50: 틸팅 플레이트
60: 틸팅 장치
70: 센서
80: 리미트 장치
S: 기판
M: 구동 모터
C: 커플링
T: 틸트 샤프트
100: 기판 처리 장치10: process chamber
20: substrate support
30: shower head
40: leveling device
50: tilting plate
60: tilting device
70: sensor
80: limit device
S: substrate
M: drive motor
C: coupling
T: tilt shaft
100: substrate processing device

Claims (16)

기판을 처리할 수 있는 내부 공간이 형성되는 공정 챔버;
상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 내부 공간에 구비되는 기판 지지대;
상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 샤워 헤드;
상기 공정 챔버의 하면에 설치된 챔버 플레이트의 하방에 적어도 삼점 지지에 의해 상기 챔버 플레이트와 일정 거리 이격되게 설치되고, 삼점 지지부 중 적어도 어느 하나의 높이 조절에 의해 상기 챔버 플레이트를 기준으로 기울기가 조절되어 틸팅될 수 있도록 구비되는 틸팅 플레이트;
상기 틸팅 플레이트의 일측에 설치되어, 상기 기판 상에 증착되는 박막에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지대간의 공정 갭을 조절할 수 있도록 상기 기판 지지대를 상하로 이동가능하게 지지하고, 상기 틸팅 플레이트의 틸팅에 따라 상기 기판 지지대와 함께 상기 틸팅 플레이트와 동일한 기울기로 틸팅되는 레벨링 장치;
상기 삼점 지지부 중 적어도 어느 하나의 높이를 조절할 수 있도록 구비되어 상기 틸팅 플레이트를 틸팅하고, 상기 틸팅 플레이트의 틸팅이 용이하게 이루어질 수 있도록 상기 삼점 지지부 중 높이가 조절되는 지지부는 베어링 부재에 의해 상기 틸팅 플레이트와 회전 자유도를 가지도록 연결되는 틸팅 장치;
상기 챔버 플레이트에 상기 틸팅 플레이트의 틸팅 범위를 감지할 수 있도록 설치되어, 상기 틸팅 장치에 의해 상기 틸팅 플레이트가 틸팅 시 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 측정하는 센서; 및
상기 틸팅 플레이트를 틸팅하여 상기 기판에 균일한 두께 산포로 상기 박막을 증착할 수 있는 목표 기울기로 상기 기판 지지대의 기울기를 조절할 수 있도록, 상기 틸팅 장치의 구동 모터를 제어하여 상기 틸팅 장치를 구동시키는 제어부;를 포함하고,
상기 틸팅 장치는,
상기 챔버 플레이트와 상기 틸팅 플레이트 사이에 복수개로 설치되어 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 조절할 수 있도록, 높이가 고정되는 고정형 지지부인 제 1 틸팅부; 및 높이 조절이 가능한 높이 조절형 지지부인 제 2, 3 틸팅부;를 포함하고,
상기 제 2, 3 틸팅부는,
상기 챔버 플레이트의 하부에 고정되는 상기 구동 모터;
상기 구동 모터의 모터축과 커플링에 의해 동기화되어 상기 구동 모터의 구동에 따라 회전운동하는 승하강 나사봉;
일측에 상기 승하강 나사봉과 나사 결합되는 너트 부재가 구비되어 상기 승하강 나사봉의 회전 운동에 의해 승하강되고, 상기 틸팅 플레이트의 측면으로 돌출되게 형성된 틸트 샤프트를 타측에 구비된 구면 베어링에 의해 회전 자유도를 가지도록 고정하여, 승하강 운동에 따라 상기 틸트 샤프트를 고정하는 상기 구면 베어링이 회동하여 상기 틸팅 플레이트를 틸팅시키는 구동 브라켓;
상기 챔버 플레이트의 하부에 고정되고, 베어링에 의해 상기 승하강 나사봉을 회전운동이 가능하게 고정하는 고정 브라켓;
상기 고정 브라켓의 하부에 설치되어 상기 구동 모터를 고정하는 모터 브라켓; 및
상기 고정 브라켓과 상기 구동 브라켓 사이에 설치되어 상기 구동 브라켓의 승하강 운동을 가이드 하는 리니어 가이드;
를 포함하는, 기판 처리 장치.a process chamber in which an internal space capable of processing a substrate is formed;
a substrate support provided in the inner space of the process chamber to support the substrate;
a shower head provided above the process chamber to face the substrate support and spraying a processing gas toward the substrate support;
It is installed to be spaced apart from the chamber plate by at least a three-point support under the chamber plate installed on the lower surface of the process chamber, and the inclination is adjusted based on the chamber plate by adjusting the height of at least one of the three-point support parts. a tilting plate provided so that it can be;
It is installed on one side of the tilting plate to movably support the substrate support so as to adjust the process gap between the shower head and the substrate support according to the thin film deposited on the substrate, and to tilt the tilting plate. a leveling device that is tilted at the same inclination as the tilting plate together with the substrate support;
The three-point support part is provided to adjust the height of at least one of the three-point support parts to tilt the tilting plate, and the support part whose height is adjusted among the three-point support part so that the tilting of the tilting plate can be easily achieved is the tilting plate by a bearing member and a tilting device connected to have a degree of freedom of rotation;
a sensor installed in the chamber plate to detect a tilting range of the tilting plate and measuring a tilt of the tilting plate when the tilting plate is tilted by the tilting device; and
A control unit for driving the tilting device by controlling a driving motor of the tilting device so as to adjust the tilt of the substrate support to a target tilt for depositing the thin film with a uniform thickness distribution on the substrate by tilting the tilting plate including;
The tilting device is
a first tilting part installed between the chamber plate and the tilting plate in plurality, the first tilting part being a fixed support part having a fixed height so as to adjust the inclination of the tilting plate; and second and third tilting parts that are height-adjustable height-adjustable support parts;
The second and third tilting units,
the drive motor fixed to the lower portion of the chamber plate;
an elevating screw rod that is synchronized with the motor shaft of the driving motor and rotates according to the driving of the driving motor;
A nut member screw-coupled to the elevating screw rod is provided on one side to elevate and lower by the rotational movement of the elevating screw rod, and the tilt shaft formed to protrude from the side of the tilting plate is rotated by a spherical bearing provided on the other side. a driving bracket for tilting the tilting plate by rotating the spherical bearing for fixing the tilt shaft according to the elevating motion;
a fixing bracket fixed to a lower portion of the chamber plate and rotatably fixed to the elevating screw rod by a bearing;
a motor bracket installed under the fixing bracket to fix the driving motor; and
a linear guide installed between the fixing bracket and the driving bracket to guide an elevating movement of the driving bracket;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 상에 증착되는 상기 박막이 서로 다른 이종막을 포함하는 경우,
상기 제어부는,
제 1 박막을 증착하기 위해 상기 틸팅 장치의 상기 구동 모터를 제어하여 상기 레벨링 장치에 의해 제 1 높이로 이동된 상기 기판 지지대를 제 1 목표 기울기로 조절하고,
제 2 박막을 증착하기 위해 상기 틸팅 장치의 상기 구동 모터를 제어하여 상기 레벨링 장치에 의해 제 2 높이로 이동된 상기 기판 지지대를 제 2 목표 기울기로 조절하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
When the thin film deposited on the substrate includes different heterogeneous films,
The control unit is
Controlling the drive motor of the tilting device to deposit the first thin film to adjust the substrate support moved to a first height by the leveling device to a first target inclination,
Controlling the driving motor of the tilting device to deposit a second thin film to adjust the substrate support moved to a second height by the leveling device to a second target inclination. 제 2 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 틸팅 장치의 상기 구동 모터로부터 인가받은 엔코더 신호로 산출된 상기 기판 지지대의 기울기 값과, 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 실시간으로 측정한 상기 센서의 센싱 신호로 산출된 상기 기판 지지대의 기울기 값이 상이할 경우, 상기 기판 지지대 기울기 조절에 이상이 있는 것으로 판단하고 알람신호를 발생하는, 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The control unit is
The inclination value of the substrate support calculated by the encoder signal applied from the driving motor of the tilting device and the inclination value of the substrate support calculated by the sensing signal of the sensor measuring the inclination of the tilting plate in real time may be different In this case, it is determined that there is an abnormality in the tilt adjustment of the substrate support and generates an alarm signal. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 2, 3 틸팅부는,
상기 구동 브라켓의 승하강 범위를 제한하기 위한 리미트 장치;를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 틸팅 플레이트의 과도한 기울기 조절로 인한 상기 틸팅 장치의 손상을 방지할 수 있도록, 상기 리미트 장치에 의해 상기 틸팅 플레이트의 틸팅 범위를 제한하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The second and third tilting units,
Including; a limit device for limiting the elevating range of the drive bracket;
The control unit is
A substrate processing apparatus for limiting a tilting range of the tilting plate by the limit device so as to prevent damage to the tilting device due to excessive tilt adjustment of the tilting plate. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1, 2, 3 틸팅부는,
상기 챔버 플레이트와 상기 틸팅 플레이트 사이에 내각이 60도가 되도록 삼각 배치되는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The first, second, and third tilting parts,
The substrate processing apparatus is triangularly disposed between the chamber plate and the tilting plate so that an interior angle is 60 degrees. 제 1 항에 있어서,
상기 레벨링 장치는,
상기 틸팅 플레이트의 일측에 설치되어 상기 틸팅 플레이트의 틸팅에 따라 상기 틸팅 플레이트와 동일한 기울기로 틸팅될 수 있는 레벨링 구동 장치; 및
상기 기판 지지대를 지지하고, 상기 레벨링 구동 장치와 리니어 가이드에 의해 승하강할 수 있도록 연결되어 상기 기판 지지대의 높이를 조절하는 레벨링 플레이트;
를 포함하는 기판 처리 장치The method of claim 1,
The leveling device is
a leveling driving device installed on one side of the tilting plate and capable of tilting at the same inclination as the tilting plate according to the tilting of the tilting plate; and
a leveling plate supporting the substrate support and connected to elevate by the leveling driving device and the linear guide to adjust the height of the substrate support;
Substrate processing apparatus comprising 제 1 항의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서,
상기 공정 챔버로 상기 기판을 인입 받은 후 상기 기판 상에 증착되는 박막에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지대 간의 상기 공정 갭을 조절하기 위해 상기 기판 지지대를 이동하는 레벨링 단계;
상기 틸팅 장치의 상기 구동 모터를 제어하여 상기 목표 기울기로 상기 기판 지지대의 기울기를 조절하는 틸팅 단계;
상기 틸팅 단계 후 상기 기판 상에 공정 가스를 분사하여 상기 박막을 증착하는 공정 단계; 및
상기 박막 증착이 완료된 상기 기판을 상기 공정 챔버 외부로 반출하는 반출 단계;
를 포함하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method using the substrate processing apparatus of claim 1, comprising:
a leveling step of moving the substrate support to adjust the process gap between the shower head and the substrate support according to a thin film deposited on the substrate after receiving the substrate into the process chamber;
a tilting step of controlling the driving motor of the tilting device to adjust the tilt of the substrate support to the target tilt;
a process step of depositing the thin film by spraying a process gas on the substrate after the tilting step; and
carrying out the substrate on which the thin film deposition has been completed to the outside of the process chamber;
A substrate processing method comprising a. 제 11 항에 있어서,
상기 틸팅 단계에서,
상기 틸팅 장치의 상기 구동 모터로부터 인가받은 엔코더 신호로 산출된 상기 기판 지지대의 기울기 값과, 상기 틸팅 플레이트의 기울기를 실시간으로 측정한 상기 센서의 센싱 신호로 산출된 상기 기판 지지대의 기울기 값이 상이할 경우, 상기 기판 지지대 기울기 조절에 이상이 있는 것으로 판단하고 알람신호를 발생하는, 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
In the tilting step,
The inclination value of the substrate support calculated by the encoder signal applied from the driving motor of the tilting device and the inclination value of the substrate support calculated by the sensing signal of the sensor measuring the inclination of the tilting plate in real time may be different In this case, it is determined that there is an abnormality in the tilt adjustment of the substrate support and generates an alarm signal. 제 11 항에 있어서,
상기 틸팅 단계는,
상기 제 2, 3 틸팅부 중 적어도 어느 하나의 높이를 제어하여 상기 기판 지지대의 기울기를 조절하는, 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
The tilting step is
Controlling the height of at least one of the second and third tilting units to adjust the inclination of the substrate support. 제 11 항에 있어서,
상기 기판 상에 증착되는 상기 박막이 서로 다른 이종막을 포함하는 경우,
상기 레벨링 단계는,
제 1 박막을 증착하기 위해 상기 기판 지지대를 제 1 높이로 이동하는 제 1 레벨링 단계; 및
제 2 박막을 증착하기 위해 상기 기판 지지대를 제 2 높이로 이동하는 제 2 레벨링 단계;를 포함하고,
상기 틸팅 단계는,
제 1 높이로 이동된 상기 기판 지지대를 제 1 목표 기울기로 조절하는 제 1 틸팅 단계; 및
제 2 높이로 이동된 상기 기판 지지대를 제 2 목표 기울기로 조절하는 제 2 틸팅 단계;
를 포함하는, 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
When the thin film deposited on the substrate includes different heterogeneous films,
The leveling step is
a first leveling step of moving the substrate support to a first height to deposit a first thin film; and
a second leveling step of moving the substrate support to a second height to deposit a second thin film;
The tilting step is
a first tilting step of adjusting the substrate support moved to a first height to a first target inclination; and
a second tilting step of adjusting the substrate support moved to a second height to a second target inclination;
A substrate processing method comprising a. 제 14 항에 있어서,
상기 공정 단계는,
상기 제 1 틸팅 단계 후 상기 기판에 상기 제 1 박막을 형성하는 제 1 박막 형성 단계; 및
상기 제 2 틸팅 단계 후 상기 기판에 상기 제 2 박막을 형성하는 제 2 박막 형성 단계;
를 포함하는, 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
The process step is
a first thin film forming step of forming the first thin film on the substrate after the first tilting step; and
a second thin film forming step of forming the second thin film on the substrate after the second tilting step;
A substrate processing method comprising a. 제 14 항에 있어서,
상기 틸팅 단계에서,
상기 기판에 형성된 상기 제 1 박막 또는 상기 제 2 박막의 두께 산포를 확인하고, 상기 두께 산포에 따라서 상기 기판 지지대를 제 3 목표 기울기 또는 제 4 목표 기울기로 조절하는, 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
In the tilting step,
A method for processing a substrate, confirming a thickness distribution of the first thin film or the second thin film formed on the substrate, and adjusting the substrate supporter to a third target inclination or a fourth target inclination according to the thickness distribution.
KR1020180096870A 2018-08-20 2018-08-20 Substrate processing apparatus and substrate processing method KR102460311B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180096870A KR102460311B1 (en) 2018-08-20 2018-08-20 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180096870A KR102460311B1 (en) 2018-08-20 2018-08-20 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200021293A KR20200021293A (en) 2020-02-28
KR102460311B1 true KR102460311B1 (en) 2022-10-28

Family

ID=69638456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180096870A KR102460311B1 (en) 2018-08-20 2018-08-20 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102460311B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12107000B2 (en) 2019-07-10 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102325102B1 (en) * 2020-06-18 2021-11-11 주식회사 플레이티지 Auto-leveling apparatus for heater chuck
JP7515340B2 (en) 2020-08-17 2024-07-12 東京エレクトロン株式会社 Vacuum processing apparatus and method for controlling the vacuum processing apparatus
JP7474688B2 (en) * 2020-12-03 2024-04-25 東京エレクトロン株式会社 Correction method and substrate transport device
US20220316066A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 Applied Materials, Inc. Level monitoring and active adjustment of a substrate support assembly
KR102657929B1 (en) * 2021-10-20 2024-04-16 주식회사 에이치지에스 Leveling apparatus of substrate treating equipment
KR102405963B1 (en) * 2021-11-26 2022-06-07 (주)해피글로벌솔루션 Auto-leveling device having a tilt-adjusting member
KR102405959B1 (en) * 2021-11-26 2022-06-07 (주)해피글로벌솔루션 Auto-leveling device having a member for adjusting the tilting displacement
KR102678236B1 (en) * 2022-06-08 2024-06-25 주식회사 파인솔루션 Auto-leveling apparatus for substrate processing equipment
KR102678243B1 (en) * 2022-07-04 2024-06-25 주식회사 파인솔루션 Auto-leveling apparatus for substrate processing equipment
KR20240048761A (en) * 2022-10-07 2024-04-16 (주)에이엔에이치 Positioning device for substrate support
KR102571863B1 (en) * 2022-12-27 2023-08-29 (주)네오스테크놀로지스 auto leveling device for a tilting type having multi axis
CN117976508B (en) * 2024-04-02 2024-07-23 浙江求是创芯半导体设备有限公司 Wafer driving device and semiconductor device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102114264B1 (en) * 2015-08-24 2020-05-22 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10249525B2 (en) * 2016-10-03 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Dynamic leveling process heater lift
KR102269342B1 (en) * 2016-12-19 2021-06-28 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12107000B2 (en) 2019-07-10 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200021293A (en) 2020-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102460311B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102114264B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US9428833B1 (en) Method and apparatus for backside deposition reduction by control of wafer support to achieve edge seal
KR102591950B1 (en) Plasma processing apparatus, and method and program for controlling elevation of focus ring
CN103151290B (en) In order to the apparatus and method at treatment chamber inner support, location and rotary plate
TWI446440B (en) Plasma reactor with tiltable overhead rf inductive source
TW201823505A (en) Dynamic leveling process heater lift
CN104040710A (en) Adaptive heat transfer methods and systems for uniform heat transfer
TWI788356B (en) Detection system for tunable/replaceable edge coupling ring
KR20210093167A (en) Polishing head system and polishing apparatus
TW202037749A (en) Dynamic sheath control with edge ring lift
KR102355932B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR20120140218A (en) Spiral coating apparatus and spiral coating method
TW202249148A (en) Level monitoring and active adjustment of a substrate support assembly
KR101589667B1 (en) Device for controlling level of heater block
KR20210157212A (en) Leveling apparatus of substrate treating equipment
KR20230056324A (en) Leveling apparatus of substrate treating equipment
KR102269342B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20220031219A (en) Substrate processing apparatus
KR102466924B1 (en) Measurement of Flatness of Susceptor of Display CVD Chamber
KR101766778B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus
KR20230056325A (en) Leveling apparatus of substrate treating equipment
KR20220096564A (en) Aligning apparatus in substrate processing equipment and aligning method thereof
JP2002313730A (en) Substrate processor
KR102707273B1 (en) Apparatus for semiconductor process

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant