KR102111205B1 - Backlight circuit board structure with high reflectivity and method for making thereof - Google Patents

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Abstract

In a kind of a backlight circuit board structure with high reflectivity and a manufacturing method thereof, the backlight circuit board structure with high reflectivity includes a substrate, at least one light emitting element, at least one metal base, a solder mask layer, and a reflective plating layer. The light emitting unit is electrically connected with a connection terminal on the surface of the substrate. The metal base is formed on the surface of the substrate. The solder mask layer is formed on the surface of the substrate and has a first opening corresponding to the connection terminal and a second opening corresponding to the metal base. The reflective plating layer is formed on the surface of the metal base for reflecting light emitted from the light emitting unit.

Description

고반사 백라이트 회로기판 구조 및 그 제조 방법{Backlight circuit board structure with high reflectivity and method for making thereof}{Backlight circuit board structure with high reflectivity and method for making thereof}

본 발명은 일종의 인쇄회로기판 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이며, 특히 일종의 고반사 백라이트 회로기판 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a structure of a printed circuit board and a method of manufacturing the same, and particularly to a structure of a highly reflective backlight circuit board and a method of manufacturing the same.

1965년 처음 개발된 발광 다이오드(Light-Emitting Diode, LED)는 LED 패키징 기술 및 발광 효율의 향상을 따라 소형, 낮은 전력 소모, 긴 수명 및 신속한 조작 반응의 LED도 개발되기 시작했다. 또한 에너지 절감 탄소 배출 감소의 필요성 및 친환경 의식의 대두에 따라, 현재 LED는 신호등, 광고등, 자동차나 모터사이클 광원, 옥외 또는 가정용 조명장치, 디스플레이 또는 컴퓨터 주변장치 등 전자제품의 백라이트 광원에 널리 응용되고 있다. Light-Emitting Diode (LED), which was first developed in 1965, has started to develop LEDs with small size, low power consumption, long life, and rapid operation response, with the improvement of LED packaging technology and luminous efficiency. In addition, according to the need for energy saving and carbon emission reduction and the rising awareness of eco-friendly, LEDs are widely applied to backlight sources of electronic products such as traffic lights, advertising lights, automobile or motorcycle light sources, outdoor or household lighting devices, displays or computer peripherals. Is becoming.

종래의 기술에서, 전자제품 중의 LED를 대부분 백라이트 회로기판에 배치하는 것은 백라이트 회로기판의 전체적 밝기를 향상시키기 위해서이며, 일반적으로 알루미늄 호일 등 반사재질을 LED주변의 솔더 마스크층에 적층시킴으로써, 알루미늄 호일의 반사 광선을 이용하여 백라이트 회로기판의 전체적 밝기를 향상시킨다. 그러나 알루미늄 호일의 적층 방식은 제조 과정이 비교적 복잡할 뿐 아니라, 백라이트 회로기판의 전체적 두께도 증가된다. 또 다른 측면에서, 알루미늄 호일 적층 과정에서 이미 배치된 회로기판의 기타 전자 부품이 손상되기 쉬워서 백라이트 회로기판 제조 수율이 감소된다. In the prior art, it is mostly to arrange the LEDs in the electronic products on the backlight circuit board in order to improve the overall brightness of the backlight circuit board, and generally, aluminum foil is laminated by laminating a reflective material such as aluminum foil on the solder mask layer around the LED. By using the reflected light of the to improve the overall brightness of the backlight circuit board. However, the lamination method of the aluminum foil is not only relatively complicated in the manufacturing process, but also increases the overall thickness of the backlight circuit board. In another aspect, in the process of laminating aluminum foil, other electronic components of the circuit board already disposed are liable to be damaged, thereby reducing the production yield of the backlight circuit board.

따라서, 백라이트 회로기판의 제조 프로세스를 간소화하는 동시에, 백라이트 회로기판의 전체적 두께를 줄이는 방법은 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제이다.Therefore, a method of reducing the overall thickness of the backlight circuit board while simplifying the manufacturing process of the backlight circuit board is a technical problem to be solved by the present invention.

이러한 점에서, 본 발명의 주요 목적은 일종의 제조가 간단한 고반사 백라이트 회로기판 구조 및 그 제조 방법의 제공에 있다. In this regard, the main object of the present invention is to provide a high-reflection backlight circuit board structure which is simple to manufacture and a method for manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명이 제공하는 일종의 고반사 백라이트 회로기판 구조는 기판, 적어도 하나의 발광소자, 적어도 하나의 금속 베이스, 솔더 마스크층 및 반사 도금층을 포함한다. 그중, 기판은 다수의 접속단자를 갖고, 발광소자는 접속단자에 전기적으로 연결되며, 금속 베이스는 기판 표면에 형성된다. 상기 솔더 마스크층은 기판 표면에 형성되어 접속단자 위치에 대응하는 제 1 개구 및 금속 베이스 위치에 대응하는 제 2 개구를 갖는다. 그중, 반사 도금층은 금속 베이스 표면에 형성되어 발광소자가 생산하는 광선을 반사하고, 발광소자가 생산하는 광선에 대한 반사 도금층의 반사율은 80%보다 크다. In order to achieve the above object, a high-reflection backlight circuit board structure provided by the present invention includes a substrate, at least one light emitting device, at least one metal base, a solder mask layer, and a reflective plating layer. Among them, the substrate has a plurality of connection terminals, the light emitting element is electrically connected to the connection terminal, and a metal base is formed on the surface of the substrate. The solder mask layer is formed on the surface of the substrate and has a first opening corresponding to a connection terminal location and a second opening corresponding to a metal base location. Among them, the reflective plating layer is formed on the surface of the metal base to reflect the light produced by the light emitting device, and the reflectance of the reflective plating layer to the light produced by the light emitting device is greater than 80%.

상기 솔더 마스크층의 일부는 금속 베이스를 덮는다. A portion of the solder mask layer covers the metal base.

상기 반사 도금층의 재질은 니켈, 은, 카드뮴이나 그 합금이고, 금속 베이스의 재질은 구리이다. The material of the reflective plating layer is nickel, silver, cadmium or an alloy thereof, and the material of the metal base is copper.

상기 접속단자 표면은 전도성 도금층을 가지며, 전도성 도금층의 재질은 니켈, 은, 카드뮴 또는 그 합금이다. The surface of the connection terminal has a conductive plating layer, and the material of the conductive plating layer is nickel, silver, cadmium, or an alloy thereof.

본 발명이 또 제공하는 일종의 고반사 백라이트 회로기판 구조의 제조 방법은 다음의 단계를 포함한다.A method of manufacturing a high-reflection backlight circuit board structure provided by the present invention also includes the following steps.

(a). 기판을 제공한다.(a). Provide a substrate.

(b). 다수의 접속단자 및 적어도 하나의 금속 베이스를 기판 표면에 형성한다.(b). A plurality of connection terminals and at least one metal base are formed on the surface of the substrate.

(c). 접속단자 및 금속 베이스를 덮는 솔더 마스크층을 형성한다.(c). A solder mask layer covering the connection terminal and the metal base is formed.

(d). 솔더 마스크층에 접속단자 위치에 대응하는 제 1 개구 및 금속 베이스 위치에 대응하는 제 2 개구를 형성한다.(d). A first opening corresponding to the position of the connection terminal and a second opening corresponding to the position of the metal base are formed in the solder mask layer.

(e). 전도성 도금층을 접속단자 표면에 형성하고 반사 도금층을 금속 베이스 표면에 형성한다. 및(e). A conductive plating layer is formed on the surface of the connection terminal, and a reflective plating layer is formed on the surface of the metal base. And

(f). 적어도 하나의 발광소자를 접속단자에 전기적으로 연결한다. (f). At least one light emitting element is electrically connected to the connection terminal.

그중, 발광소자가 생산하는 광선에 대한 반사 도금층의 반사율은 80%보다 크다. Among them, the reflectance of the reflective plated layer with respect to the light produced by the light emitting element is greater than 80%.

금속 베이스 표면에 형성된 반사 도금층을 통해 빛을 반사하며, 발광소자가 생산하는 광선에 대한 반사 도금층의 반사율이 80%보다 크고, 비교적 우수한 경우는 90% 이상이기 때문에, 고반사 백라이트 회로기판 구조의 전체적 밝기를 효율적으로 향상시키고, 종래의 알루미늄 호일 적층 프로세스를 간소화할 수 있으며, 고반사 백라이트 회로기판 구조의 전체적 두께 감소에 도움이 된다. The light is reflected through the reflective plating layer formed on the surface of the metal base, and since the reflectance of the reflective plating layer to the light rays produced by the light emitting element is greater than 80%, and in relatively excellent cases, is 90% or more, the overall structure of the high-reflection backlight circuit board structure It can effectively improve the brightness, simplify the conventional aluminum foil lamination process, and help reduce the overall thickness of the high-reflection backlight circuit board structure.

도 1a에서 도 1c는 본 발명 중의 실시예가 제공하는 솔더 마스크층을 가진 기판의 제조 과정 단면도,
도 2a에서 도 2c는 본 발명 제 1 실시예의 고반사 백라이트 회로기판 구조의 제조 과정 단면도,
도 3a에서 도 3c는 본 발명 제 2 실시예의 고반사 백라이트 회로기판 구조의 제조 과정 단면도,
도 4a에서 도 4c는 본 발명 제 3 실시예의 고반사 백라이트 회로기판 구조의 제조 과정 단면도,
도 5는 본 발명 제 4 실시예의 고반사 백라이트 회로기판 구조의 단면도,
도 6a는 본 발명 제 5 실시예의 고반사 백라이트 회로기판 구조의 조감도,
도 6b는 본 발명 제 6 실시예의 고반사 백라이트 회로기판 구조의 조감도이다.
1A to 1C are cross-sectional views of a manufacturing process of a substrate having a solder mask layer provided by an embodiment of the present invention,
2A to 2C are cross-sectional views of a manufacturing process of a high-reflection backlight circuit board structure according to the first embodiment of the present invention,
3A to 3C are cross-sectional views showing the manufacturing process of the high-reflection backlight circuit board structure of the second embodiment of the present invention,
4A to 4C are cross-sectional views showing the manufacturing process of the high-reflection backlight circuit board structure of the third embodiment of the present invention,
5 is a cross-sectional view of a high-reflection backlight circuit board structure of the fourth embodiment of the present invention,
6A is an aerial view of a high-reflection backlight circuit board structure according to a fifth embodiment of the present invention;
6B is an aerial view of a high-reflection backlight circuit board structure of the sixth embodiment of the present invention.

먼저, 도 1a에서 도 1c를 참조하면, 도 1a에서 도 1c는 본 발명 중의 실시예가 제공하는 솔더 마스크층을 가진 기판의 제조 과정 단면도이다. 먼저, 기판 10을 제공하고, 기판 10은 제 1 표면 101 및 제 2 표면 102를 가지며, 기판 10은 단층 보드 구조 또는 다층 복합 보드 구조이고, 기판 10은 연성 인쇄회로(Flexible Printed Circuit, FPC)기판 또는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB)의 기판이다. 본 실시예 중에서, 제 1 표면 101층에는 구리 도금을 진행할 수 있는 얇은 구리 호일을 적층하여(도면 미표시), 기판 10의 제 1 표면 101에 베이스 구리 11을 형성시킨다(도 1a 표시). 이어서 회로 이미지 전송 기술을 통해 베이스 구리 11을 형상화하여 기판 10 표면에 접속단자 111과 금속 베이스 112를 형성시키며(도 1b 참조), 형상화를 거치면, 다수의 접속단자 111 사이 및 접속단자 111과 금속 베이스 112 사이는 간극을 갖는다. 그중, 접속단자 111은 회로기판 구조와 표면 실장 부품(surface-mounted device)이 연결되는 부분이고, 금속 베이스 112는 원칙적으로 표면 실장 부품과 접촉되지 않으며, 일반적으로 접속단자 111 및 금속 베이스 112를 제조하는 재료는 구리이지만, 이에 국한되지는 않는다. First, referring to FIG. 1A to FIG. 1C, FIGS. 1A to 1C are cross-sectional views of a manufacturing process of a substrate having a solder mask layer provided by an embodiment of the present invention. First, a substrate 10 is provided, the substrate 10 has a first surface 101 and a second surface 102, the substrate 10 is a single-layer board structure or a multilayer composite board structure, and the substrate 10 is a flexible printed circuit (FPC) substrate Or it is a substrate of a printed circuit board (PCB) In this embodiment, the first surface 101 layer is formed by laminating a thin copper foil capable of performing copper plating (not shown), and the first surface 101 of the substrate 10 To form the base copper 11 (shown in FIG. 1A), the base copper 11 is then formed through a circuit image transmission technique to form the connection terminal 111 and the metal base 112 on the surface of the substrate 10 (see FIG. 1B). There is a gap between the plurality of connection terminals 111 and between the connection terminal 111 and the metal base 112. Among them, the connection terminal 111 is a portion to which a circuit board structure and a surface-mounted device are connected, In the base 112 is in principle not in contact with the surface-mounted components, but the material for general manufacturing the connection terminal 111 and the metal base 112 with the copper, but is not limited to this.

도 1c를 참조하면, 솔더 마스크 재료를 기판 10의 제 1 표면 101에 도포하여 기판 10, 접속단자 111 및 금속 베이스 112를 덮는 솔더 마스크층 12를 형성한다. 솔더 마스크층 12는 절연층이고, 솔더 마스크 재료는 에폭시 수지, 규소 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 불소 수지, 이산화 규소 또는 산화 알루미늄이다. Referring to FIG. 1C, a solder mask material is applied to the first surface 101 of the substrate 10 to form a solder mask layer 12 covering the substrate 10, the connection terminals 111, and the metal base 112. The solder mask layer 12 is an insulating layer, and the solder mask material is epoxy resin, silicon resin, polyimide resin, phenol resin, fluorine resin, silicon dioxide or aluminum oxide.

도 2a에서 도 2c의 고반사 백라이트 회로기판 구조 제 1 실시예의 제조 과정 단면도를 참조한다. 도 1c를 이어서 도 2a 중에서, 솔더 마스크층 12 상에 창을 열어 접속단자 111 위치에 대응하는 제 1 개구 121을 형성할 수 있으며, 솔더 마스크층 12는 접속단자 111를 덮지 않는다. 솔더 마스크층 12에 창을 열어 금속 베이스 112 위치에 대응하는 제 2 개구 122를 형성할 수 있으며, 솔더 마스크층 12 일부는 접속단자 111을 덮는다. 그후, 화학 도금(chemical plating)이나 전기 도금 방식을 통해 접속단자 111 표면 및 금속 베이스 112 표면에 금속 도금층 13을 형성할 수 있고, 그중, 금속 도금층 13은 접속단자 111 표면에 형성되는 전도성 도금층 131 및 금속 베이스 112 표면에 형성되는 반사 도금층 132를 포함하고 (도 2b 표시), 금속 도금층 13의 재질은 니켈, 은, 카드뮴 또는 그 합금이다. 2A to 2C, the manufacturing process of the first embodiment of the high-reflection backlight circuit board structure is referred to. 1C, in FIG. 2A, a window may be opened on the solder mask layer 12 to form a first opening 121 corresponding to the position of the connection terminal 111, and the solder mask layer 12 does not cover the connection terminal 111. A window may be opened on the solder mask layer 12 to form a second opening 122 corresponding to the metal base 112 position, and a part of the solder mask layer 12 covers the connection terminal 111. Thereafter, a metal plating layer 13 may be formed on the surface of the connection terminal 111 and the surface of the metal base 112 through chemical plating or electroplating, among which the metal plating layer 13 is a conductive plating layer 131 formed on the surface of the connection terminal 111 and It includes a reflective plating layer 132 formed on the surface of the metal base 112 (shown in Fig. 2B), and the material of the metal plating layer 13 is nickel, silver, cadmium, or an alloy thereof.

도 2c를 계속 참조한 후, 발광소자 14를 접속단자 111 위치에 배치하고, 접속단자 111과 전기적으로 연결하여 고반사 백라이트 회로기판 구조 1을 형성한다. 도 2c 중에서, 발광소자 14는 발광 다이오드 칩 141, P극 연결패드 142와 N극 연결패드 143을 포함한다. 그중, P극 연결패드 142와 N극 연결패드 143은 발광 다이오드 칩 141의 바닥면에 위치해서 각각 표면에 전도성 도금층 131을 지닌 접속단자 111과 전기적으로 연결된다. 이렇게 하면, 고반사 백라이트 회로기판 구조 1의 발광소자 14가 작동할 때, 기판 10이나 솔더 마스크층 12로 일부 투사되는 광선이 반사 도금층 132에 의해 반사됨에 따라, 고반사 백라이트 회로기판 구조 1의 전체적 밝기를 향상시킨다. 본 실시예에서는 비록 기판 10의 제 1 표면 101에 접속단자 111, 금속 베이스 112, 솔더 마스크층 12, 금속 도금층 13 및 발광소자 14를 형성시키는 실시방식만을 제시하였지만, 실제 응용 시에는 상기 구성요소가 제 1 표면 101 및 제 2 표면 102 상에 동시에 형성될 수 있으며, 본 실시예가 제시한 실시방식으로 국한되지 않는다.After continuing referring to FIG. 2C, the light emitting element 14 is disposed at the position of the connection terminal 111 and electrically connected to the connection terminal 111 to form a highly reflective backlight circuit board structure 1. 2C, the light emitting device 14 includes a light emitting diode chip 141, a P pole connection pad 142, and an N pole connection pad 143. Among them, the P-pole connection pad 142 and the N-pole connection pad 143 are located on the bottom surface of the light emitting diode chip 141 and are electrically connected to the connection terminals 111 each having a conductive plating layer 131 on the surface. In this way, when the light-emitting element 14 of the high-reflection backlight circuit board structure 1 is operated, as the light beam partially projected to the substrate 10 or the solder mask layer 12 is reflected by the reflective plating layer 132, the entirety of the high-reflection backlight circuit board structure 1 is Improves brightness. In this embodiment, although only the method of forming the connection terminal 111, the metal base 112, the solder mask layer 12, the metal plating layer 13, and the light emitting element 14 on the first surface 101 of the substrate 10 is presented, in actual application, the above components are provided. It may be formed on the first surface 101 and the second surface 102 at the same time, and is not limited to the implementation method suggested by the present embodiment.

도 3a부터 도 3c의 고반사 백라이트 회로기판 구조 제 2 실시예의 제조 과정 단면도를 참조하면, 제 1 실시예와 비슷하고, 차이점은 솔더 마스크층 12가 전부 접속단자 111 및 금속 베이스 112를 덮지 않는 데에 있다. Referring to the cross-sectional view of the manufacturing process of the second embodiment of the high-reflection backlight circuit board structure of FIGS. 3A to 3C, similar to the first embodiment, the difference is that the solder mask layer 12 does not entirely cover the connection terminal 111 and the metal base 112. Is in

도 4a에서 도 4c의 고반사 백라이트 회로기판 구조 제 3 실시예의 제조 과정 단면도를 참조하면, 제 1 실시예와 비슷하고, 차이점은 솔더 마스크층 12 일부가 접속단자 111를 덮지만 금속 베이스 112를 덮지 않는 데에 있다. 4A to 4C, the high-reflection backlight circuit board structure Referring to the sectional view of the manufacturing process of the third embodiment, similar to the first embodiment, the difference is that a part of the solder mask layer 12 covers the connection terminal 111 but does not cover the metal base 112 Not in place.

도 5의 고반사 백라이트 회로기판 구조 제 4 실시예의 단면도를 참조하면, 제 3 실시예와 비슷하고, 차이점은 솔더 마스크층 12에 각각 단일 접속단자 111에 대응하는 두 개의 제 1 개구 121이 형성되는 점에 있다. 본 실시예 중에서, 서로 인접한 접속단자 111 사이에는 여전히 일부의 솔더 마스크층 12가 남아있기 때문에, 서로 인접한 전도성 도금층 131이 너무 근접해서 발생되는 회로 단락 문제를 효율적으로 방지할 수 있다. Referring to the cross-sectional view of the fourth embodiment of the high-reflection backlight circuit board structure of FIG. 5, similar to the third embodiment, the difference is that two first openings 121 corresponding to a single connection terminal 111 are formed in the solder mask layer 12, respectively. Is in point. In this embodiment, since some solder mask layers 12 still remain between the connection terminals 111 adjacent to each other, it is possible to effectively prevent the short circuit problem caused by the conductive plating layers 131 adjacent to each other being too close.

도 6a의 고반사 백라이트 회로기판 구조 제 5 실시예의 조감도를 참조하면, 발광 다이오드 칩 141의 주변에 4개의 곡선 모양 윤곽의 반사 도금층 132이 형성되고, 발광 다이오드 칩 141 일부가 기판 10이나 솔더 마스크층 12 표면으로 투사되는 광선을 반사시킴으로써, 고반사 백라이트 회로기판 구조 1의 전체적 밝기를 향상시킨다. 도 6b의 고반사 백라이트 회로기판 구조 제 6 실시예의 조감도를 참조하면, 발광 다이오드 칩 141의 주변에는 환형 외관의 반사 도금층 132가 형성되고, 발광 다이오드 칩 141 일부가 기판 10이나 솔더 마스크층 12 표면으로 투사되는 광선을 반사시킴으로써, 고반사 백라이트 회로기판 구조 1의 전체적 밝기를 향상시킨다. 기타 가능한 실시방식 중에서, 발광소자의 배치 및 전체적 밝기의 필요성에 따라, 회로 이미지 전송 기술을 이용해 다양한 모양이나 높이의 금속 베이스를 제조한 후, 금속 베이스 표면에 반사 도금층을 도금할 수 있다. Referring to the bird's-eye view of the fifth embodiment of the high-reflection backlight circuit board structure of FIG. 6A, four curved-shaped reflective plating layers 132 are formed around the light-emitting diode chip 141, and part of the light-emitting diode chip 141 is a substrate 10 or a solder mask layer. 12 By reflecting the light beam projected onto the surface, the overall brightness of the highly reflective backlight circuit board structure 1 is improved. Referring to the bird's-eye view of the sixth embodiment of the high-reflection backlight circuit board structure of FIG. 6B, a reflective plating layer 132 having an annular appearance is formed around the light emitting diode chip 141, and a part of the light emitting diode chip 141 is transferred to the surface of the substrate 10 or the solder mask layer 12 By reflecting the projected light beam, the overall brightness of the high-reflection backlight circuit board structure 1 is improved. Among other possible implementation methods, depending on the arrangement of the light emitting elements and the need for overall brightness, after manufacturing a metal base of various shapes or heights using circuit image transmission technology, a reflective plating layer may be plated on the surface of the metal base.

본 발명은 금속 베이스 112 표면에 형성되는 반사 도금층 132를 통해 반사를 진행하며, 발광소자 14가 생산하는 광선에 대한 반사 도금층 132의 반사율은 90%보다 크고, 비교적 우수할 때는 90%보다 크기 때문에, 고반사 백라이트 회로기판 구조 1의 전체적 밝기를 효율적으로 향상시킬 수 있고, 종래의 알루미늄 호일 적층 프로세스를 간소화할 수 있으며, 고반사 백라이트 회로기판 구조 1의 전체적 두께의 감소에 유익하다. In the present invention, the reflection proceeds through the reflective plating layer 132 formed on the surface of the metal base 112, and since the reflectance of the reflective plating layer 132 for the light produced by the light emitting device 14 is greater than 90%, and relatively excellent, it is greater than 90%. It is possible to efficiently improve the overall brightness of the high-reflection backlight circuit board structure 1, simplify the conventional aluminum foil lamination process, and is beneficial in reducing the overall thickness of the high-reflection backlight circuit board structure 1.

고반사 백라이트 회로기판 구조 1 기판 10
제 1 표면 101 제 2 표면 102
베이스 구리 11 접속단자 111
금속 베이스 112 솔더 마스크층 12
제 1 개구 121 제 2 개구 122
금속 도금층 13 전도성 도금층 131
반사 도금층 132 발광소자 14
발광 다이오드 칩 141 P극 연결패드 142
N극 연결패드 143
High reflective backlight circuit board structure 1 Substrate 10
First surface 101 Second surface 102
Base copper 11 connection terminal 111
Metal Base 112 Solder Mask Layer 12
First opening 121 Second opening 122
Metal plating layer 13 Conductive plating layer 131
Reflective plating layer 132 Light-emitting element 14
Light emitting diode chip 141 P-pole connecting pad 142
N-pole connection pad 143

Claims (7)

제1 표면과 제2 표면을 가지는 기판;
상기 제1 표면에 형성된 적어도 한 쌍의 접속단자 및 적어도 하나의 금속 베이스;
상기 제1 표면에 형성되고, 상기 접속단자 위치에 대응하는 제1 개구 및 상기 금속 베이스 위치에 대응하는 제2 개구를 가지도록 형성되며, 상기 접속단자 사이에 일부가 남아있는 솔더 마스크층;
상기 접속단자 표면에 형성되는 전도성 도금층과, 상기 금속 베이스 표면에 형성되어 발광 소자가 생산하는 광선을 방사하는 반사 도금층을 포함하는 금속 도금층;
발광 다이오드 칩 및 상기 발광 다이오드 칩의 바닥면에 위치하여 상기 전도성 도금층을 지닌 접속단자와 각각 전기적으로 연결되는 P극 연결패드 및 N극 연결패드를 가지는 발광소자;를 포함하고,
상기 반사 도금층은 상기 발광소자가 생산하는 광선에 대한 상기 반사 도금층의 반사율은 80%보다 큰 반사 도금층이고,
상기 발광소자가 작동하면 상기 기판이나 솔더 마스크 층으로 일부 투과되는 광선이 상기 반사 도금층에 의해 반사되는 것을 특징으로 하는 고반사 백라이트 회로기판 구조.

A substrate having a first surface and a second surface;
At least one pair of connection terminals and at least one metal base formed on the first surface;
A solder mask layer formed on the first surface and having a first opening corresponding to the position of the connection terminal and a second opening corresponding to the position of the metal base, and a part of the solder mask layer remaining between the connection terminals;
A metal plating layer including a conductive plating layer formed on the surface of the connection terminal and a reflective plating layer formed on the surface of the metal base to emit light produced by the light emitting device;
Includes a light emitting diode chip and a light emitting device having a P-pole connection pad and an N-pole connection pad respectively located on the bottom surface of the light-emitting diode chip and electrically connected to the connection terminal having the conductive plating layer.
The reflective plated layer is a reflective plated layer having a reflectance of greater than 80% of the reflective plated layer with respect to the light produced by the light emitting device,
When the light emitting device is operated, a highly reflective backlight circuit board structure characterized in that light partially transmitted to the substrate or solder mask layer is reflected by the reflective plating layer.

제 1항에 있어서,
상기 솔더 마스크층 일부가 상기 금속 베이스를 덮는 것을 특징으로 하는 고반사 백라이트 회로기판 구조.
According to claim 1,
A high-reflection backlight circuit board structure, characterized in that a portion of the solder mask layer covers the metal base.
제 1항에 있어서,
상기 반사 도금층의 재질이 크롬, 은, 카드뮴 또는 그 합금인 것을 특징으로 하는 고반사 백라이트 회로기판 구조.
According to claim 1,
High reflective backlight circuit board structure, characterized in that the material of the reflective plating layer is chromium, silver, cadmium, or an alloy thereof.
제 1항에 있어서,
상기 금속 베이스의 재질이 구리인 것을 특징으로 하는 고반사 백라이트 회로기판 구조.
According to claim 1,
High-reflection backlight circuit board structure, characterized in that the material of the metal base is copper.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 전도성 도금층의 재질이 크롬, 은, 카드뮴 또는 그 합금인 것을 특징으로 하는 고반사 백라이트 회로기판 구조.
According to claim 1,
Highly reflective backlight circuit board structure, characterized in that the material of the conductive plating layer is chromium, silver, cadmium, or an alloy thereof.
기판을 제공하는 단계;
다수의 접속단자 및 적어도 하나의 금속 베이스를 상기 기판 표면에 형성하는 단계;
상기 접속단자 및 상기 금속 베이스를 덮고, 상기 접속단자 사이에 일부가 남아있도록 솔더 마스크층을 형성하는 단계;
상기 솔더 마스크층에 상기 접속단자 위치에 대응하는 제 1 개구 및 상기 금속 베이스 위치에 대응하는 제 2 개구를 형성하는 단계;
전도성 도금층을 상기 접속단자 표면에 형성하고 반사 도금층을 상기 금속 베이스 표면에 형성하는 단계:
발광 다이오드 칩의 바닥면에 위치하는 P극 연결패드 및 N극 연결패드를 상기 접속단자에 각각 전기적으로 연결하는 단계를 포함하며,
상기 발광소자가 생산하는 광선에 대한 상기 반사 도금층의 반사율이 80%보다 크고,
상기 발광소자가 작동하면 상기 기판이나 솔더 마스크 층으로 일부 투과되는 광선이 상기 반사 도금층에 의해 반사되는 것을 특징으로 하는 고반사 백라이트 회로기판 제조 방법.
Providing a substrate;
Forming a plurality of connection terminals and at least one metal base on the substrate surface;
Forming a solder mask layer so as to cover the connection terminal and the metal base, and to partially remain between the connection terminal;
Forming a first opening corresponding to the connection terminal position and a second opening corresponding to the metal base position on the solder mask layer;
Forming a conductive plating layer on the surface of the connection terminal and forming a reflective plating layer on the surface of the metal base:
And electrically connecting the P-pole connection pad and the N-pole connection pad located on the bottom surface of the light emitting diode chip to the connection terminals, respectively.
The reflectance of the reflective plated layer with respect to the light produced by the light emitting element is greater than 80%,
When the light emitting device is operated, a method for manufacturing a high-reflection backlight circuit board, characterized in that light partially transmitted to the substrate or the solder mask layer is reflected by the reflective plating layer.
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