KR102094728B1 - Drawing device, exposure drawing device, drawing method, and recording medium whereon program is stored - Google Patents
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Abstract
피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 복수의 기준 마크의 각각의 실제의 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하고, 복수의 기준 마크의 각각마다 제 1 위치와 제 2 위치의 어긋남을 보정하기 위한 어긋남 보정량을 도출하고, 도출한 어긋남 보정량의 각각을 미리 정해진 비율로 저감하고, 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 기준으로 해서 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터에 의거하여 피노광 기판에 묘화 패턴을 묘화할 경우, 저감된 어긋남 보정량에 의거하여 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정한다.The coordinate data indicating the first position in the design of the plurality of reference marks formed on the substrate to be exposed, the coordinate data indicating the drawing pattern to be drawn on the substrate to be determined based on the first position, and the actuality of each of the plurality of reference marks Coordinate data indicating the second position of the data is obtained, and a shift correction amount for correcting the shift between the first position and the second position is derived for each of the plurality of reference marks, and each of the derived shift correction amounts is reduced to a predetermined ratio. When the drawing pattern is drawn on the substrate to be exposed on the basis of the coordinate data indicating the drawing pattern based on the coordinate data indicating the second position, coordinate data representing the drawing pattern is corrected based on the reduced misalignment correction amount.
Description
본 발명은 묘화 장치, 노광 묘화 장치, 묘화 방법 및 프로그램을 기억한 기록 매체에 관한 것이고, 특히 기판에 대하여 묘화 패턴을 묘화하는 묘화 장치, 기판에 대하여 묘화 패턴을 노광에 의해 묘화하는 노광 묘화 장치, 기판에 대하여 묘화 패턴을 묘화하는 묘화 방법 및 상기 묘화 장치에 의해 실행되는 프로그램을 기억한 기록 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a drawing device, an exposure drawing device, a recording medium storing a drawing method and a program, and in particular, a drawing device for drawing a drawing pattern on a substrate, and an exposure drawing device for drawing a drawing pattern on a substrate by exposure, The present invention relates to a drawing method for drawing a drawing pattern on a substrate and a recording medium storing a program executed by the drawing device.
종래, 유리 직물에 대하여 함침 처리를 행해서 건조시킨 프리프레그나 강성 기능이 우수한 금속판 등을 코어 기판으로 하고, 이들 코어 기판 상에 수지층과 배선층을 다층으로 적층한 다층 배선 구조를 갖는 다층 배선 기판이 알려져 있다. 또한, 최근 이 다층 배선 기판에 대하여 박형화 및 스페이스 절약화가 요구되고 있는 점으로부터 코어층을 갖지 않는 박형의 다층 배선 기판이 제안되어 있다.Conventionally, a multi-layer wiring board having a multi-layer wiring structure in which a prepreg dried by impregnating a glass fabric and dried or a metal plate having excellent stiffness functions is used as a core substrate, and a multilayer wiring structure in which a resin layer and a wiring layer are laminated in multiple layers on these core substrates is known. have. In addition, a thin multilayer wiring board having no core layer has been proposed in view of the recent need for thinning and space saving for this multilayer wiring board.
이들 다층 배선 기판에서는 화학 처리에 의해 기판이 휘어 버리거나 강도 부족에 의해 기판이 변형되어 버리거나 함으로써 각 층에 묘화되는 회로 패턴(배선 패턴)의 층간 위치 맞춤이 곤란해지는 경우가 있다. 그럼에도 불구하고 회로 패턴의 고밀도화에 의해 회로 패턴에 있어서의 랜드 지름 및 구멍 지름이 미세화되어 있기 때문에 고정밀도인 층간 위치 맞춤이 요구되고 있다.In these multi-layered wiring boards, the alignment of the circuit patterns (wiring patterns) interposed between the layers may be difficult because the substrates are bent by chemical treatment or the substrates are deformed due to insufficient strength. Nevertheless, since the land diameter and the hole diameter in the circuit pattern are miniaturized by the high density of the circuit pattern, high-precision interlayer alignment is required.
이 요구를 만족시키기 위해서 기판의 휨 및 변형에 의해 발생하는 기판의 변형에 따라서 회로 패턴을 변형시킨 후에 기판에 묘화하는 기술이 제안되어 왔다. 이 기술에 의하면 층간 위치 맞춤의 정밀도는 향상되지만, 층을 포갤 때마다 변형이 축적되기 때문에 상위층에 묘화되는 회로 패턴의 형상이 설계상의 회로 패턴의 형상으로부터 괴리되어서 기판 상으로의 전자 부품의 실장이 곤란해지는 것이 우려된다.In order to satisfy this demand, a technique of drawing on a substrate after deforming the circuit pattern according to the deformation of the substrate caused by the bending and deformation of the substrate has been proposed. According to this technique, the precision of interlayer alignment is improved, but since the deformation accumulates each time the layers are stacked, the shape of the circuit pattern drawn on the upper layer is deviated from the shape of the circuit pattern in the design, so that the mounting of electronic components on the substrate is prevented. I am concerned that it will be difficult.
또한, 회로 패턴을 나타내는 화상을 복수의 영역으로 분할하고, 분할 영역마다 기판의 변형에 따라서 상기 화상을 회전 이동시키는 기술도 제안되어 있다. 이 기술에 의하면 각 분할 영역에 있어서 설계상의 회로 패턴의 형상과 실제로 묘화되는 회로 패턴의 형상의 어긋남량이 저감된다. 그러나, 이 기술에서는 화상을 복수의 영역으로 분할하기 위해서 화상 처리가 복잡해진다는 과제 및 회로 패턴을 층간에서 접속하기 위한 위치 결정 구멍을 각 분할 영역에 대하여 형성하는 기구가 필요로 된다는 과제가 있었다.In addition, a technique for dividing an image representing a circuit pattern into a plurality of regions and rotating the image in accordance with the deformation of the substrate for each division region has been proposed. According to this technique, the amount of misalignment between the shape of the circuit pattern in the design and the shape of the circuit pattern actually drawn in each divided region is reduced. However, in this technique, there has been a problem that image processing is complicated in order to divide an image into a plurality of regions, and a mechanism that a positioning hole for connecting circuit patterns between layers is formed for each divided region.
이들 과제를 해결하기 위한 기술로서 일본 특허 공개 2005-157326호 공보 및 일본 특허 공개 2011-95742호 공보에는 화상 처리가 복잡해지는 일 없이 묘화되는 회로 패턴의 설계상의 회로 패턴으로부터의 어긋남을 억제할 수 있는 묘화 장치가 개시되어 있다.As a technique for solving these problems, Japanese Patent Application Publication No. 2005-157326 and Japanese Patent Application Publication No. 2011-95742 can suppress deviations from the circuit patterns in the design of circuit patterns drawn without complicated image processing. A drawing device is disclosed.
즉, 상기 일본 특허 공개 2005-157326호 공보의 묘화 장치는 기판의 변형 정보를 미리 취득해 두고, 상기 변형 정보에 의거하여 변형 후의 기판에 기록된 회로 패턴이 래스터 데이터에 의해 나타내어지는 회로 패턴과 동일 형상이 되도록 상기 래스터 데이터를 변환한다. 그리고, 변환된 래스터 데이터에 의거하여 변형 전의 기판에 회로 패턴을 기록한다.That is, the drawing device of Japanese Patent Laid-Open No. 2005-157326 obtains the deformation information of the substrate in advance, and based on the deformation information, the circuit pattern recorded on the substrate after deformation is the same as the circuit pattern indicated by raster data. The raster data is converted into a shape. Then, based on the converted raster data, a circuit pattern is recorded on the substrate before deformation.
또한, 상기 일본 특허 공개 2011-95742호 공보의 묘화 장치는 묘화 대상으로 하는 대상 영역을 규정하는 위치 좌표와, 상기 대상 영역에 형성된 기준점의 위치를 갖는 묘화 데이터를 사용해서 기판의 위치 좌표의 변위 실시형태에 의거하여 기준점의 위치를 보정한다. 그리고, 보정한 기준점의 위치에 의거하여 상기 대상 영역의 형상을 유지한채 상기 대상 영역 내의 각 좌표를 보정한다.In addition, the drawing device of Japanese Patent Laid-Open No. 2011-95742 discloses displacement of the positional coordinates of the substrate by using the positional coordinates that define the target area to be imaged and the drawing data having the position of the reference point formed in the target area. Correct the position of the reference point based on the shape. Then, based on the position of the corrected reference point, each coordinate in the target area is corrected while maintaining the shape of the target area.
여기서, 다층 배선 기판의 각 층에 회로 패턴을 묘화할 때, 묘화 대상의 층의 상위측과 하위측에 각각 회로 패턴의 층이 형성되는 경우가 있다. 이 경우에 기판의 변형에 따른 회로 패턴의 변형을 행하면 상위측 또는 하위측에 있어서 실장용 패드의 피치가 전자 부품의 전극의 피치로부터 어긋나서 최종적으로 기판 상으로의 전자 부품의 실장이 곤란해져 버릴 가능성이 있다는 문제가 있었다. 또한, 기판에 묘화된 회로 패턴 상에 회로를 보호하기 위한 솔더 레지스트 패턴을 묘화할 때, 기판의 변형에 따라서 솔더 레지스트 패턴의 변형을 행하면 마찬가지의 문제가 발생한다.Here, when drawing a circuit pattern on each layer of a multilayer wiring board, a layer of a circuit pattern may be formed on the upper side and the lower side of the layer to be drawn, respectively. In this case, if the circuit pattern is deformed according to the deformation of the substrate, the pitch of the mounting pad on the upper side or the lower side deviates from the pitch of the electrode of the electronic component, and finally it becomes difficult to mount the electronic component on the substrate. There was a problem that there was a possibility. In addition, when drawing a solder resist pattern for protecting a circuit on a circuit pattern drawn on a substrate, a similar problem occurs when the solder resist pattern is deformed according to the deformation of the substrate.
그러나, 일본 특허 공개 2005-157326호 공보에 개시되어 있는 기술에서는 미리 파악한 변형 상태에 의거하여 회로 패턴을 변형시키기 때문에 이미 하위측의 층에 회로 패턴이 형성되어 있는 경우에는 하위측에 있어서의 층간 배선을 접속시키기 위한 위치 맞춤의 정밀도가 악화된다. 그 경우에는 기판 상으로의 전자 부품의 실장이 곤란해져 버릴 가능성이 있다.However, in the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2005-157326, the circuit pattern is deformed based on the deformation state previously recognized, so that if the circuit pattern is already formed on the lower layer, the interlayer wiring on the lower side The precision of the positioning for connecting the deteriorates. In this case, there is a possibility that mounting of the electronic component on the substrate becomes difficult.
또한, 일본 특허 공개 2011-95742호 공보에 개시되어 있는 기술에서는 각 대상 영역의 크기가 보정 전의 대상 영역의 크기로부터 변화됨에 따라서 실장용의 패드의 피치가 설정상의 수치로부터 크게 변화될 가능성이 있다. 이 경우에도 기판 상으로의 전자 부품의 실장이 곤란해져 버린다.In addition, in the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-95742, as the size of each target region changes from the size of the target region before correction, there is a possibility that the pitch of the mounting pad is greatly changed from the set value. Even in this case, it becomes difficult to mount the electronic component on the substrate.
본 발명은 상기 과제를 감안해서 이루어진 것이며, 기판의 변형에 따라서 묘화 패턴을 변형시킨 경우에도 전자 부품을 기판 상으로 고정밀도로 실장할 수 있는 묘화 장치, 노광 묘화 장치, 묘화 방법 및 프로그램을 기억한 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and even when the drawing pattern is modified in accordance with the deformation of the substrate, a recording device, an exposure drawing device, a drawing method, and a program capable of mounting electronic components on a substrate with high precision are stored. The purpose is to provide a medium.
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명에 의한 묘화 장치는 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하는 취득 수단과, 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치의 어긋남을 보정하기 위한 어긋남 보정량을 도출하는 도출 수단과, 상기 도출 수단에서 도출된 어긋남 보정량의 각각을 미리 정해진 비율로 저감하는 저감 수단과, 상기 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감 수단에 의해 저감된 어긋남 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 보정 수단을 구비하고 있다.In order to achieve the above object, the drawing apparatus according to the present invention is coordinate data indicating a first position that is a design position of a plurality of reference marks formed on a substrate to be exposed, and is drawn on the substrate to be exposed based on the first position. Acquisition means for acquiring coordinate data indicating a drawing pattern to be performed and coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks, and the first position and the second position for each of the plurality of reference marks Derivation means for deriving the misalignment correction amount for correcting the misalignment of the, Reduction means for reducing each of the misalignment correction amounts derived from the derivation means at a predetermined ratio, and the pinot on the basis of the coordinate data indicating the second position In the case of drawing the drawing pattern on the optical substrate, the deviation reduced by the reducing means is corrected. Correction means is provided for correcting coordinate data representing the drawing pattern based on the amount.
본 발명에 의한 묘화 장치에 의하면 취득 수단에 의해 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터가 취득되고, 도출 수단에 의해 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치의 어긋남을 보정하기 위한 어긋남 보정량이 도출된다.According to the drawing apparatus according to the present invention, coordinate data indicating a first position that is a design position of a plurality of reference marks formed on a substrate to be exposed by an acquisition means, and to be drawn on the substrate to be exposed based on the first position Coordinate data indicating a drawing pattern and coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks are obtained, and the first position and the second position for each of the plurality of reference marks are derived by derivation means The amount of misalignment correction for correcting the misalignment of is derived.
여기서, 본 발명에 의한 묘화 장치에서는 저감 수단에 의해 상기 도출 수단에 의해 도출된 어긋남 보정량의 각각이 미리 정해진 비율로 저감된다.Here, in the drawing apparatus according to the present invention, each of the offset correction amounts derived by the derivation means by the reduction means is reduced by a predetermined ratio.
또한, 본 발명에 의한 묘화 장치에서는 보정 수단에 의해 상기 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감 수단에 의해 저감된 어긋남 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터가 보정된다.In the drawing apparatus according to the present invention, when drawing the drawing pattern on the substrate to be exposed on the basis of coordinate data indicating the second position by the correction means, based on the amount of misalignment correction reduced by the reduction means. Coordinate data representing the drawing pattern is corrected.
즉, 본 발명에 의한 묘화 장치는 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 피노광 기판의 변형에 따라서 보정할 경우, 피노광 기판의 변형에 의한 어긋남 보정량을 저감시킨 후에 상기 어긋남 보정량에 의거하여 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정한다. 본 발명에 의한 묘화 장치는 이와 같이 해서 피노광 기판의 변형에 의한 기준 마크의 어긋남에 대한 위치 맞춤(변형)의 정도를 저감시킨다.That is, in the case of correcting the coordinate data representing the drawing pattern to be drawn according to the deformation of the substrate to be exposed, the drawing apparatus according to the present invention reduces the displacement correction amount due to deformation of the substrate to be exposed and then draws the drawing pattern based on the deviation correction amount. Correct the coordinate data representing. The drawing apparatus according to the present invention thus reduces the degree of alignment (deformation) with respect to the displacement of the reference mark due to deformation of the substrate to be exposed.
이와 같이, 본 발명에 의한 묘화 장치에 의하면 피노광 기판의 변형에 의한 기준 마크의 어긋남에 대한 위치 맞춤의 정도를 저감시켜서 형상성을 향상시키고 있으므로 본 발명을 적용하지 않는 경우와 비교해서 기판의 변형에 따라서 묘화 패턴을 변형시킨 경우에도 전자 부품을 기판 상으로 고정밀도로 실장할 수 있다. 또한, 본 발명을 다층 배선 기판으로의 묘화 패턴의 형성에 적용함으로써 층을 포갤 때마다 서서히 형상성이 유지된 묘화 패턴으로 보정되어 최종적으로 보다 정밀도가 높은 부품 실장을 실현할 수 있다.As described above, according to the drawing device according to the present invention, since the degree of alignment with respect to the displacement of the reference mark due to deformation of the substrate to be exposed is improved to improve the shape, the substrate is deformed compared to the case where the present invention is not applied. Accordingly, even when the drawing pattern is modified, the electronic component can be mounted on the substrate with high precision. In addition, by applying the present invention to the formation of a drawing pattern on a multi-layered wiring board, each time the layers are nested, the pattern is gradually corrected to a drawing pattern whose shape is maintained, and finally, a more accurate component mounting can be realized.
또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 저감 수단이 상기 어긋남 보정량에 1 미만의 값을 곱하는 것, 상기 어긋남 보정량을 1을 초과하는 값으로 나누는 것 및 상기 어긋남 보정량으로부터 미리 정해진 양을 빼는 것 중 적어도 하나를 행함으로써 상기 도출된 어긋남 보정량의 각각을 미리 정해진 비율로 저감하도록 해도 좋다. 이에 의해 위치 맞춤의 정도는 나빠지지만, 패턴 변형을 경감할 수 있다.Further, in the drawing apparatus according to the present invention, at least one of the reduction means multiplying the misalignment correction amount by a value less than 1, dividing the misalignment correction amount by a value exceeding 1, and subtracting a predetermined amount from the misalignment correction amount By performing one, each of the derived offset correction amounts may be reduced to a predetermined ratio. As a result, the degree of alignment is deteriorated, but pattern deformation can be reduced.
또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 묘화 패턴이 전자 배선을 나타내는 회로 패턴이며, 상기 비율이 상기 묘화 패턴에 있어서의 랜드의 내부에 전도 비아가 들어가도록 정해진 비율이 되도록 해도 좋다. 이들에 의해 제품 불량의 원인이 되는 랜드 결함(전도 비아의 랜드 밖으로의 돌출)을 방지할 수 있다.In addition, in the drawing apparatus according to the present invention, the drawing pattern is a circuit pattern indicating electronic wiring, and the ratio may be set to a ratio determined so that conductive vias enter the land in the drawing pattern. These can prevent land defects (protrusion of the conductive vias out of the land) that cause product defects.
또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 묘화 패턴이 솔더 레지스트층의 부품 실장용 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴이며, 상기 비율이 상기 개구 구멍이 부품과 접합하기 위한 도체 패드의 내부에 들어가도록 정해진 비율이 되도록 해도 좋다. 이에 의해 제품 불량이 되는 도체 패드와 개구 구멍의 어긋남을 방지할 수 있다.In addition, in the drawing apparatus according to the present invention, the drawing pattern is a solder resist pattern indicating an opening hole for mounting a component of the solder resist layer, and the ratio is such that the opening hole is set inside the conductor pad for joining the component. You may be able to do this. Thereby, the shift | offset | difference of the conductor pad and opening hole which becomes a product defect can be prevented.
또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 도출 수단이 상기 피노광 기판의 평행 이동에 의한 어긋남, 회전에 의한 어긋남 및 신축에 의한 어긋남 중 적어도 하나를 뺀 어긋남량으로부터 상기 어긋남 보정량을 도출하도록 해도 좋다. 이에 의해 피노광 기판의 변형에 의한 어긋남량을 보다 정확하게 도출할 수 있다.In addition, in the drawing apparatus according to the present invention, the deviation correcting amount may be derived from the amount of deviation obtained by subtracting at least one of the deviation caused by parallel movement of the substrate to be exposed, the displacement caused by rotation, and the displacement caused by stretching. Thereby, the amount of displacement due to deformation of the substrate to be exposed can be more accurately derived.
또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 묘화 패턴이 상기 피노광 기판에 있어서의 복수의 영역의 각각에 묘화되고, 상기 기준 마크가 상기 묘화 패턴이 묘화되는 상기 복수의 영역의 각각마다 형성되고, 상기 저감 수단이 상기 복수의 영역의 각각마다 상기 어긋남 보정량의 각각을 저감하도록 해도 좋다. 이에 의해 기능으로서의 복잡도는 증가하지만, 변형에 대하여 튼튼해져서 보다 고정밀도로 전자 부품을 기판 상으로 실장할 수 있다.Further, in the drawing apparatus according to the present invention, the drawing pattern is drawn on each of the plurality of regions on the substrate to be exposed, and the reference mark is formed on each of the plurality of regions on which the drawing pattern is drawn, and the The reduction means may reduce each of the misalignment correction amounts for each of the plurality of regions. This increases the complexity as a function, but it is strong against deformation, so that electronic components can be mounted on the substrate with higher accuracy.
또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 도출 수단에서 도출된 어긋남 보정량의 각각을 저감시키기 위한 조정 파라미터의 입력을 접수하는 접수 수단을 더 구비하고, 상기 저감 수단이 상기 접수 수단에서 접수된 조정 파라미터를 기초로 상기 비율을 산출하도록 해도 좋다. 이에 의해 유저에 의한 편리성을 보다 향상시킬 수 있다.In addition, the drawing apparatus according to the present invention further includes receiving means for accepting input of an adjustment parameter for reducing each of the deviation correction amounts derived from the derivation means, and the reduction means receives the adjustment parameters received by the acceptance means. You may make it calculate based on the said ratio. Thereby, the convenience by a user can be improved more.
또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 도출 수단이 상기 피노광 기판에 묘화 패턴을 복수 적층시켜서 묘화할 경우에, 또한 상기 피노광 기판의 최상위의 층에 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 어긋남 보정량을 0으로 하도록 해도 좋다. 이에 의해 보다 확실하게 전자 부품을 기판 상으로 실장할 수 있다.In addition, in the drawing apparatus according to the present invention, when the drawing means draws by stacking a plurality of drawing patterns on the substrate to be exposed, and when drawing a drawing pattern on the uppermost layer of the substrate to be exposed, the deviation correction amount is adjusted. It may be set to 0. Thereby, an electronic component can be mounted more reliably on a board | substrate.
한편, 상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명에 의한 노광 묘화 장치는 본 발명에 의한 묘화 장치와, 상기 묘화 장치의 상기 보정 수단에 의해 보정된 좌표 데이터에 의거하여 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 노광해서 묘화하는 노광 수단을 구비하고 있다.On the other hand, in order to achieve the above object, the exposure drawing apparatus according to the present invention exposes the drawing pattern to the substrate to be exposed based on the drawing apparatus according to the present invention and coordinate data corrected by the correction means of the drawing apparatus. It is provided with exposure means for drawing.
따라서, 본 발명에 의한 노광 묘화 장치에 의하면 본 발명에 의한 묘화 장치와 마찬가지로 작용하므로 상기 묘화 장치와 마찬가지로 기판의 변형에 따라서 묘화 패턴을 변형시킨 경우에도 전자 부품을 기판 상으로 고정밀도로 실장할 수 있다.Therefore, according to the exposure drawing apparatus according to the present invention, since it functions like the drawing apparatus according to the present invention, the electronic components can be mounted on the substrate with high precision even when the drawing pattern is modified according to the deformation of the substrate as in the drawing apparatus. .
또한, 상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명에 의한 프로그램은 컴퓨터를 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하는 취득 수단과, 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치의 어긋남을 보정하기 위한 어긋남 보정량을 도출하는 도출 수단과, 상기 도출 수단에 의해 도출된 어긋남 보정량의 각각을 미리 정해진 비율로 저감하는 저감 수단과, 상기 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감 수단에 의해 저감된 어긋남 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 보정 수단으로서 기능시킨다.In addition, in order to achieve the above object, the program according to the present invention uses a computer to coordinate data indicating a first position in the design of a plurality of reference marks formed on a substrate to be exposed, and to the substrate to be exposed based on the first position. Acquisition means for acquiring coordinate data indicating a drawing pattern to be drawn, and coordinate data indicating actual second positions of the plurality of reference marks, and the first position and the second position for each of the plurality of reference marks Derivation means for deriving the misalignment correction amount for correcting the misalignment of the unit; Reduction means for reducing each of the misalignment correction amounts derived by the derivation means at a predetermined ratio; and the coordinate data indicating the second position. When the drawing pattern is drawn on the substrate to be exposed, the shift reduced by the reduction means On the basis of the amount thereby functions as a correction means for correcting the coordinate data representing the imaged pattern.
따라서, 본 발명에 의한 프로그램에 의하면 컴퓨터를 본 발명에 의한 묘화 장치와 마찬가지로 작용시킬 수 있으므로 상기 묘화 장치와 마찬가지로 기판의 변형에 따라서 묘화 패턴을 변형시킨 경우에도 전자 부품을 기판 상으로 고정밀도로 실장할 수 있다.Therefore, according to the program according to the present invention, the computer can be operated similarly to the drawing device according to the present invention. Thus, even in the case where the drawing pattern is modified according to the deformation of the substrate as in the drawing device, the electronic components can be mounted on the substrate with high precision. You can.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명에 의한 묘화 방법은 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하는 취득 스텝과, 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치의 어긋남을 보정하기 위한 어긋남 보정량을 도출하는 도출 스텝과, 상기 도출 스텝에서 도출된 어긋남 보정량의 각각을 미리 정해진 비율로 저감하는 저감 스텝과, 상기 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감 스텝에서 저감된 어긋남 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 보정 스텝을 구비하고 있다.In addition, in order to achieve the above object, the drawing method according to the present invention is coordinate data indicating the first position in the design of a plurality of reference marks formed on the substrate to be exposed, and is drawn on the substrate to be exposed based on the first position. An acquisition step of acquiring coordinate data indicating a drawing pattern to be performed, and coordinate data indicating an actual second position of each of the plurality of reference marks, and of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks Derivation step for deriving the amount of misalignment correction for correcting the misalignment, Reduction step for reducing each of the misalignment correction amounts derived in the derivation step at a predetermined ratio, and the exposed subject based on coordinate data indicating the second position. When drawing the drawing pattern on the substrate, based on the amount of misalignment correction reduced in the reduction step. W and a correction step for correcting the coordinate data representing the imaged pattern.
따라서, 본 발명에 의한 묘화 방법에 의하면 본 발명에 의한 묘화 장치와 마찬가지로 작용하므로 상기 묘화 장치와 마찬가지로 기판의 변형에 따라서 묘화 패턴을 변형시킨 경우에도 전자 부품을 기판 상으로 고정밀도로 실장할 수 있다.Therefore, according to the drawing method according to the present invention, since it acts like the drawing device according to the present invention, the electronic components can be mounted on the substrate with high precision even when the drawing pattern is modified in accordance with the deformation of the substrate as in the drawing device.
(발명의 효과)(Effects of the Invention)
본 발명에 의하면 기판의 변형에 따라서 묘화 패턴을 변형시킨 경우에도 전자 부품을 기판 상으로 고정밀도로 실장할 수 있다는 효과를 발휘한다.According to the present invention, even when the drawing pattern is deformed in accordance with the deformation of the substrate, the effect that the electronic component can be mounted on the substrate with high precision is exhibited.
도 1은 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 2는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 주요부의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 노광 헤드의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판에 형성되는 노광 완료 영역을 나타내는 평면도이다.
도 5는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 전기계의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 6a는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서의 노광 제어 처리의 원리의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 6b는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서의 노광 제어 처리의 원리의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 7a는 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상으로 하는 영역을 나타내는 평면도이다.
도 7b는 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상으로 하는 영역을 나타내는 평면도이다.
도 8은 제 1 실시형태에 의한 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다.
도 9는 제 1 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 설계상의 마크의 위치와 계측된 마크의 위치를 나타내는 평면도이다.
도 10은 제 1 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 방법의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 11a는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 의한 좌표 변환 후의 화상의 일례를 나타내는 평면도이며, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 행하고 있지 않는 경우를 나타낸다.
도 11b는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 의한 좌표 변환 후의 화상의 일례를 나타내는 평면도이며, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 변형 보정량을 저감시켜서 행했을 경우를 나타낸다.
도 11c는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 의한 좌표 변환 후의 화상의 일례를 나타내는 평면도이며, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 변형 보정량을 저감시키지 않고 행했을 경우를 나타낸다.
도 12는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판에 다층으로 회로 패턴을 묘화했을 경우의 피노광 기판의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 13은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판에 다층으로 회로 패턴을 묘화했을 경우의 각 층에 묘화되는 화상의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 14는 애뉼러 링의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 15는 제 2 실시형태에 의한 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다.
도 16a는 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 의한 좌표 변환 후의 화상의 일례를 나타내는 평면도이며, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 행하고 있지 않는 경우를 나타낸다.
도 16b는 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 의한 좌표 변환 후의 화상의 일례를 나타내는 평면도이며, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 애뉼러 링에 의거한 제한을 설정해서 행했을 경우를 나타낸다.
도 16c는 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 의한 좌표 변환 후의 화상의 일례를 나타내는 평면도이며, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 상기 제한을 설정하지 않고 행했을 경우를 나타낸다.
도 17은 제 2 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 방법의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 18은 제 3 실시형태에 의한 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다.
도 19a는 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상으로 하는 영역을 나타내는 평면도이다.
도 19b는 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상으로 하는 영역을 나타내는 평면도이다.
도 19c는 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상으로 하는 영역을 나타내는 평면도이다.
도 20a는 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상으로 하는 영역을 나타내는 평면도이다.
도 20b는 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상으로 하는 영역을 나타내는 평면도이다.
도 20c는 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상으로 하는 영역을 나타내는 평면도이다.
도 21은 제 4 실시형태에 의한 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다.1 is a perspective view showing the appearance of an exposure drawing apparatus according to an embodiment.
It is a perspective view which shows the structure of the main part of the exposure drawing apparatus by embodiment.
It is a perspective view which shows the structure of the exposure head of the exposure drawing apparatus by embodiment.
4 is a plan view showing an exposed area formed on a substrate to be exposed in the exposure drawing apparatus according to the embodiment.
5 is a block diagram showing the configuration of the electric system of the exposure drawing apparatus according to the embodiment.
6A is a plan view for explaining the principle of exposure control processing in the exposure drawing apparatus according to the embodiment.
6B is a plan view for explaining the principle of exposure control processing in the exposure drawing apparatus according to the embodiment.
It is a top view which shows the area | region which is the object of coordinate conversion according to the deformation | transformation of the to-be-exposed board | substrate in the exposure drawing apparatus by 1st Embodiment and 2nd Embodiment.
It is a top view which shows the area | region which is the object of coordinate conversion according to the deformation | transformation of the to-be-exposed substrate in the exposure drawing apparatus by 1st Embodiment and 2nd Embodiment.
8 is a flow chart showing the flow of processing of the exposure control processing program according to the first embodiment.
9 is a plan view showing a position of a mark in a design and a position of a measured mark in the exposure control process according to the first embodiment.
10 is a plan view for explaining a method of coordinate conversion according to deformation of a substrate to be exposed in the exposure control process according to the first embodiment.
11A is a plan view showing an example of an image after coordinate conversion by the exposure drawing apparatus according to the first embodiment, and shows a case where coordinate conversion according to deformation of the substrate to be exposed is not performed.
Fig. 11B is a plan view showing an example of an image after coordinate conversion by the exposure drawing apparatus according to the first embodiment, and shows a case where the coordinate correction according to the deformation of the substrate to be exposed is performed by reducing the distortion correction amount.
11C is a plan view showing an example of an image after coordinate conversion by the exposure drawing apparatus according to the first embodiment, and shows a case where coordinate conversion according to deformation of a substrate to be exposed is performed without reducing a deformation correction amount.
12 is a cross-sectional view showing an example of a substrate to be exposed when a circuit pattern is drawn in multiple layers on the substrate to be exposed in the exposure drawing apparatus according to the first embodiment.
13 is a plan view showing an example of an image drawn on each layer when a circuit pattern is drawn in multiple layers on an exposed substrate in the exposure drawing apparatus according to the first embodiment.
14 is a plan view provided for explanation of the annular ring.
15 is a flow chart showing the flow of processing in the exposure control processing program according to the second embodiment.
16A is a plan view showing an example of an image after coordinate conversion by the exposure drawing apparatus according to the second embodiment, and shows a case where coordinate conversion according to deformation of the substrate to be exposed is not performed.
16B is a plan view showing an example of an image after coordinate conversion by the exposure drawing apparatus according to the second embodiment, and shows a case in which coordinate conversion according to deformation of an exposed substrate is performed by setting a limit based on an annealing. .
16C is a plan view showing an example of an image after coordinate conversion by the exposure drawing apparatus according to the second embodiment, and shows a case where coordinate conversion according to deformation of an exposed substrate is performed without setting the above limitation.
17 is a plan view for explaining a method of coordinate conversion according to deformation of a substrate to be exposed in the exposure control process according to the second embodiment.
18 is a flow chart showing the flow of processing of the exposure control processing program according to the third embodiment.
19A is a plan view showing an area to be subjected to coordinate transformation according to deformation of a substrate to be exposed in the exposure drawing apparatus according to the fourth embodiment.
19B is a plan view showing an area to be subjected to coordinate transformation according to deformation of a substrate to be exposed in the exposure drawing apparatus according to the fourth embodiment.
19C is a plan view showing an area to be subjected to coordinate transformation according to deformation of a substrate to be exposed in the exposure drawing apparatus according to the fourth embodiment.
20A is a plan view showing an area to be subjected to coordinate transformation according to deformation of a substrate to be exposed in the exposure drawing apparatus according to the fourth embodiment.
20B is a plan view showing an area to be subjected to coordinate transformation according to deformation of a substrate to be exposed in the exposure drawing apparatus according to the fourth embodiment.
20C is a plan view showing an area to be subjected to coordinate transformation according to deformation of a substrate to be exposed in the exposure drawing apparatus according to the fourth embodiment.
21 is a flow chart showing the flow of processing in the exposure control processing program according to the fourth embodiment.
[제 1 실시형태][First Embodiment]
이하, 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 대해서 첨부 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 실시형태에서는 본 발명을 피노광 기판(후술하는 피노광 기판(C))에 광빔을 노광해서 회로 패턴, 솔더 레지스트층의 부품 실장용 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴 등의 묘화 패턴을 묘화하는 노광 묘화 장치에 적용했을 경우를 예를 들어서 설명한다. 또한, 피노광 기판(C)은 프린트 배선 기판, 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판 등의 평판 기판이다.Hereinafter, the exposure drawing apparatus according to the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in the present embodiment, the present invention is drawn by exposing a light beam to a substrate to be exposed (the substrate to be exposed (C) to be described later) to draw a drawing pattern such as a circuit pattern, a solder resist pattern showing opening holes for mounting components in the solder resist layer A case in which it is applied to an exposure drawing apparatus to be described will be described as an example. Further, the substrate to be exposed C is a flat substrate such as a printed wiring board or a glass substrate for a flat panel display.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 피노광 기판(C)을 고정하기 위한 평판 형상의 스테이지(12)를 구비하고 있다. 스테이지(12)의 상면에는 공기를 흡입하는 복수의 흡입 구멍이 형성되어 있다. 이에 의해 스테이지(12)의 상면에 피노광 기판(C)이 탑재되었을 때에 피노광 기판(C) 및 스테이지(12) 사이의 공기가 흡입됨으로써 피노광 기판(C)이 스테이지(12)에 진공 흡착된다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the
또한, 이하에서는 스테이지(12)가 이동하는 방향을 Y 방향으로 정하고, 이 Y 방향에 대하여 수평면 내에서 직교하는 방향을 X 방향으로 정하고, Y 방향으로 연직면 내에서 직교하는 방향을 Z 방향으로 정한다.In addition, hereinafter, the direction in which the
또한, 스테이지(12)는 탁자 형상의 기체(14)의 상면으로 이동 가능하게 설치된 평판 형상의 기대(16)에 지지되어 있다. 즉, 기체(14)의 상면에는 1개 또는 복수개(본 실시형태에서는 2개)의 가이드 레일(18)이 설치되어 있다. 기대(16)는 가이드 레일(18)을 따라서 Y 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 지지되어 있고, 모터 등에 의해 구성된 구동 기구(후술하는 스테이지 구동부(42))에 의해 구동되어 이동한다. 스테이지(12)는 기대(16)의 이동에 연동해서 가이드 레일(18)을 따라서 Y 방향으로 이동한다.In addition, the
기체(14)의 상면에는 2개의 가이드 레일(18)을 걸치도록 세워서 설치된 게이트(20)가 설치되어 있다. 스테이지(12)에 탑재된 피노광 기판(C)은 게이트(20)의 개구부를 가이드 레일(18)을 따라서 출입하도록 해서 이동한다. 게이트(20)의 개구부의 상부에는 상기 개구부를 향해서 광빔을 노광하는 노광부(22)가 부착되어 있다. 이 노광부(22)에 의해 스테이지(12)가 가이드 레일(18)을 따라서 이동해서 상기 개구부에 위치하고 있을 경우에 스테이지(12)에 탑재된 피노광 기판(C)의 상면에 광빔이 노광된다.On the upper surface of the
본 실시형태에 의한 노광부(22)는 복수개(본 실시형태에서는 10개)의 노광 헤드(22a)를 포함해서 구성되어 있다. 또한, 노광부(22)에는 후술하는 광원 유닛(24)으로부터 인출된 광 파이버(26)와 후술하는 화상 처리 유닛(28)으로부터 인출된 신호 케이블(30)이 각각 접속되어 있다.The
노광 헤드(22a)의 각각은 반사형 공간 광 변조 소자로서의 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)를 갖고 있다. 노광 헤드(22a)는 화상 처리 유닛(28)으로부터 입력되는 화상 정보에 의거하여 DMD를 제어함으로써 광원 유닛(24)으로부터의 광빔을 변조한다. 노광 묘화 장치(10)는 이 변조된 광빔을 피노광 기판(C)에 조사함으로써 피노광 기판(C)에 대한 노광을 행한다. 또한, 공간 광 변조 소자는 반사형에 한정되지 않고, 액정 등의 투과형 공간 광 변조 소자이어도 좋다.Each of the exposure heads 22a has a digital micromirror device (DMD) as a reflective spatial light modulation element. The
기체(14)의 상면에는 2개의 가이드 레일(18)을 걸치도록 세워서 설치된 게이트(32)가 더 설치되어 있다. 스테이지(12)에 탑재된 피노광 기판(C)은 게이트(32)의 개구부를 가이드 레일(18)을 따라서 출입하도록 해서 이동한다.On the upper surface of the
게이트(32)의 개구부의 상부에는 개구부를 촬영하기 위한 1개 또는 복수개(본 실시형태에서는 2개)의 촬영부(34)가 부착되어 있다. 촬영부(34)는 1회의 발광 시간이 극히 짧은 스트로보를 내장한 CCD 카메라 등이다. 또한, 게이트(32)의 개구부의 상부에는 수평면 내에 있어서 스테이지(12)의 이동 방향(Y 방향)에 대하여 수직인 방향(X 방향)을 따라서 레일(34a)이 설치되고, 촬영부(34)의 각각은 레일(34a)로 안내되어 이동 가능하게 형성되어 있다. 이 촬영부(34)에 의해 스테이지(12)가 가이드 레일(18)을 따라서 이동해서 상기 개구부에 위치하고 있을 경우에 스테이지(12)에 탑재된 피노광 기판(C)의 상면이 촬영된다.On the upper portion of the opening portion of the
이어서, 본 실시형태에 의한 노광 헤드(22a)에 의한 노광 처리에 대해서 설명한다.Next, exposure processing by the
도 3에 나타내는 바와 같이, 노광 헤드(22a)에서 노광되는 영역인 화상 영역(P1)은 한쪽 변이 스테이지(12)의 이동 방향(Y 방향)에 대하여 미리 정해진 경사각으로 경사진 직사각형상이다. 또한, 스테이지(12)가 게이트(20)의 개구부를 이동하고 있을 때에 노광 헤드(22a)에 의해 광빔이 노광되면 스테이지(12)의 이동을 따라서 피노광 기판(C)에 노광 헤드(22a)마다 대상의 노광 완료 영역(P2)이 형성된다.As shown in Fig. 3, the image area P1, which is the area exposed by the
또한, 도 4에 나타내는 바와 같이 매트릭스 형상으로 배열된 노광 헤드(22a)의 각각은 X 방향으로 화상 영역(P1)의 장변의 길이를 자연수 배(본 실시형태에서는 1배)한 거리씩 어긋나게 배치되어 있다. 그리고, 노광 완료 영역(P2)의 각각은 인접하는 노광 완료 영역(P2)과 부분적으로 포개어져서 형성된다.Further, as shown in Fig. 4, each of the exposure heads 22a arranged in a matrix shape is arranged to be shifted by a distance that is a natural number multiple (1 time in this embodiment) of the long side of the image area P1 in the X direction. have. Then, each of the exposed areas P2 is formed to partially overlap with the adjacent exposed areas P2.
이어서, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 전기계의 구성에 대해서 설명한다.Next, the configuration of the electric system of the
도 5에 나타내는 바와 같이, 노광 묘화 장치(10)에는 장치 각 부에 각각 전기적으로 접속되는 시스템 제어부(40)가 형성되어 있고, 이 시스템 제어부(40)에 의해 노광 묘화 장치(10)의 각 부가 통괄적으로 제어된다. 또한, 노광 묘화 장치(10)는 스테이지 구동부(42), 조작 장치(44), 촬영 구동부(46) 및 외부 입출력부(48)를 갖고 있다.As shown in FIG. 5, the
시스템 제어부(40)는 CPU(Central Processing Unit), RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory) 및 HDD(Hard Disk Drive)를 갖고 있다. 또한, 시스템 제어부(40)는 상기 CPU에 의해 광원 유닛(24)으로부터 광빔을 출사시킴과 아울러 스테이지(12)의 이동에 따른 타이밍으로 대응하는 화상 정보를 화상 처리 유닛(28)에 의해 출력시킴으로써 피노광 기판(C)에 대한 광빔의 노광을 제어한다.The
스테이지 구동부(42)는 모터 또는 유압 펌프 등에 의해 구성된 구동 기구를 갖고 있고, 시스템 제어부(40)의 제어에 의해 스테이지(12)를 구동한다.The
조작 장치(44)는 시스템 제어부(40)의 제어에 의해 각종 정보를 표시하는 표시부와, 유저 조작에 의해 각종 정보를 입력하는 입력부를 갖고 있다.The
촬영 구동부(46)는 모터 또는 유압 펌프 등에 의해 구성된 구동 기구를 갖고 있고, 시스템 제어부(40)의 제어에 의해 촬영부(34)를 구동한다.The photographing
외부 입출력부(48)는 노광 묘화 장치(10)에 접속된 퍼스널컴퓨터 등의 정보 처리 장치와의 사이에서 각종 정보의 입출력을 행한다.The external input /
여기서, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 상술한 바와 같이 피노광 기판(C)에 대하여 화상 정보에 의해 나타내어지는 묘화 패턴 등의 화상을 묘화한다. 한편, 도 2에 나타내는 바와 같이 피노광 기판(C)에는 화상이 묘화될 때의 위치 결정의 기준이 되는 얼라인먼트 마크(이하, 「기준 마크」라 함)(M)가 형성되어 있다. 노광 묘화 장치(10)는 피노광 기판(C)에 대하여 광빔을 노광하기 전에 촬영부(34)에 의해 기준 마크(M)를 촬영하고, 촬영한 화상으로부터 기준 마크(M)의 위치를 계측한다. 그리고, 노광 묘화 장치(10)는 계측한 위치에 따라서 화상을 묘화시키는 영역을 결정한다.Here, the
즉, 도 6a에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 의한 피노광 기판(C)에는 상술한 4개의 기준 마크(M1~M4)(이하, 4개를 통틀어 기준 마크(M)라고도 함)가 형성되어 있다. 또한, 피노광 기판(C)에는 통상 기준 마크(M1~M4)에 대하여 미리 정해진 상대 위치에 화상(62)이 묘화된다. 또한, 본 실시형태에서는 도 6a 및 도 6b의 정면시 좌측 상부의 위치에 기준 마크(M1), 우측 상부의 위치에 기준 마크(M2), 좌측 하부의 위치에 기준 마크(M3) 및 우측 하부의 위치에 기준 마크(M4)가 각각 형성되어 있다. 노광 묘화 장치(10)는 계측한 기준 마크(M1~M4)의 각각의 위치의 설계상의 기준 마크(M1~M4)의 위치로부터의 어긋남량에 의거하여 피노광 기판(C)의 변형을 추측한다. 그리고, 노광 묘화 장치(10)는 추측한 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 일례로서 도 6b에 나타내는 바와 같이 화상(62)을 변형시키고, 변형시킨 화상(62)을 피노광 기판(C)에 묘화한다.That is, as shown in Fig. 6A, the four reference marks M1 to M4 (hereinafter, referred to as reference marks M in all four) are formed on the substrate C to be exposed according to the present embodiment. . Further, an
또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 화상을 변형시킬 때에 일례로서 도 7a에 나타내는 바와 같이 묘화의 대상으로 하는 영역 전체를 좌표 변환의 대상인 대상 영역(도 7a 및 도 7b에 있어서 도트 모양으로 나타내는 영역)(64)으로 하면 좋다. 그러나, 상기 대상 영역(64)은 이에 한정되지 않고, 기준 마크(M1~M4)에 대한 상대 위치를 미리 알고 있으면 임의의 크기 및 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 예를 들면, 도 7b에 나타내는 바와 같이 4개의 기준 마크(M1~M4)로 둘러싸인 직사각형상의 영역을 대상 영역(64)으로 해도 좋다.In addition, in the
또한, 피노광 기판(C)의 단부 등에 피노광 기판(C)의 식별 번호 등의 회로 패턴 이외의 화상을 묘화할 경우에는 상기 화상의 묘화 영역에 대해서는 좌표 변환을 행하지 않고 회로 패턴의 묘화 영역만 좌표 변환을 행하도록 하면 좋다. 예를 들면, 피노광 기판(C)의 식별 번호를 나타내는 화상을 노광 묘화할 경우 등에는 상기 화상을 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 변형시키지 않는 편이 묘화 내용을 확인하기 쉽기 때문이다.In addition, when an image other than a circuit pattern such as an identification number of the substrate C is drawn at the end of the substrate C, the coordinates are not converted to the drawing area of the image, and only the drawing area of the circuit pattern is drawn. It is good to perform coordinate conversion. This is because, for example, when an image representing the identification number of the substrate C to be exposed is exposed, etc., it is easy to confirm the contents of the drawing when the image is not deformed according to the deformation of the substrate C to be exposed.
이어서, 도 8을 참조해서 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 작용을 설명한다. 또한, 도 8은 조작 장치(44)를 통해서 실행 지시가 입력되었을 때에 노광 묘화 장치(10)의 시스템 제어부(40)에 의해 실행되는 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다. 상기 프로그램은 시스템 제어부(40)에 설치된 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다.Next, the operation of the
우선, 스텝 S101에서는 피노광 기판(C)에 묘화하는 화상(본 실시형태에서는 외곽 형상이 직사각형상으로 된 묘화 패턴을 나타내는 화상)을 나타내는 좌표 데이터(본 실시형태에서는 벡터 데이터)인 화상 정보를 취득한다. 이 때, 시스템 제어부(40)는 HDD에 기억된 화상 정보를 판독하거나, 또는 외부 입출력부(48)를 통해서 외부로부터 화상 정보를 입력함으로써 화상 정보를 취득한다. 본 실시형태에서는 화상 정보에 의해 나타내어지는 화상의 외곽 형상은 직사각형상이지만, 이에 한정되지 않고, 임의의 형상이어도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는 상기 화상 정보는 묘화 패턴 등을 나타내는 벡터 데이터이지만, 이에 한정되지 않고 래스터 데이터이어도 좋다.First, in step S101, image information that is coordinate data (vector data in the present embodiment) representing the image to be drawn on the substrate C to be exposed (in this embodiment, an image in which the outer shape is a rectangular drawing pattern) is acquired. do. At this time, the
다음의 스텝 S103에서는 피노광 기판(C)에 있어서의 설계상의 기준 마크(M1~M4)의 위치(제 1 위치)를 나타내는 위치 정보를 좌표 데이터로서 취득한다. 이 때, 시스템 제어부(40)는 HDD에 미리 기억되어 있는 위치 정보를 판독하거나, 또는 외부 입출력부(48)를 통해서 외부로부터 위치 정보를 입력함으로써 상기 위치 정보를 취득한다.In the next step S103, position information indicating the positions (first positions) of the design reference marks M1 to M4 on the substrate C is acquired as coordinate data. At this time, the
또는 피노광 기판(C)의 식별 정보와 설계상의 기준 마크(M1~M4)의 위치를 나타내는 위치 정보를 대응시킨 대응표를 HDD에 미리 기억해 두고, 상기 대응표에 의거하여 설계상의 기준 마크(M1~M4)의 위치를 도출해도 좋다. 보다 구체적으로는 후술하는 스텝 S107의 기록 계측에 의해 얻어진 기준 마크(M1~M4)의 위치에 따라서 피노광 기판(C)을 식별함과 아울러 식별에 의해 얻어진 피노광 기판(C)의 식별 정보에 대응된 위치 정보를 취득해도 좋다.Alternatively, the correspondence table in which the identification information of the substrate C to be exposed and the positional information indicating the position of the design reference marks M1 to M4 are stored in advance in the HDD, and the design reference marks M1 to M4 based on the correspondence table ) May be derived. More specifically, the substrate to be exposed C is identified according to the positions of the reference marks M1 to M4 obtained by recording measurement in step S107, which will be described later, and the identification information of the substrate to be exposed C obtained by identification is also described. Corresponding location information may be acquired.
다음의 스텝 S105에서는 기준 마크(M1~M4)의 각각이 촬영부(34)의 촬영 영역에 포함되는 위치에 피노광 기판(C)이 위치될 때까지 스테이지(12)를 이동시킨다.In the next step S105, the
다음의 스텝 S107에서는 실제 기준 마크(M1~M4)의 위치(제 2 위치)를 계측한다. 이 때, 시스템 제어부(40)는 촬영부(34)에 의해 촬영된 화상으로부터 기준 마크(M1~M4)에 대응하는 영역을 추출하고, 기준 마크(M)의 위치 좌표를 도출한다. 본 실시형태에서는 상기 촬영된 화상에 있어서의 기준 마크(M)의 영역의 중심의 좌표를 기준 마크(M1~M4)의 위치 좌표로 한다. 또한, 본 실시형태에서는 촬영된 화상으로부터 기준 마크(M)의 위치 좌표를 도출하지만, 이에 한정되지 않고 계측으로 얻어진 기준 마크(M)의 위치 좌표를 나타내는 정보를 외부로부터 입력해도 좋다.In the next step S107, the positions (second positions) of the actual reference marks M1 to M4 are measured. At this time, the
일례로서 도 9에 나타내는 바와 같이, 계측된 기준 마크(M1~M4)의 위치는 설계상의 기준 마크(M1~M4)의 위치로부터 각각 어긋나 있는 경우가 있다. 또한, 도 9에서는 계측된 기준 마크(M1~M4)의 위치를 실선으로 나타내고, 설계상의 기준 마크(M1~M4)의 위치를 점선으로 나타내고 있다. 또한, 이하에서는 도 9에 나타내는 바와 같이 피노광 기판(C)의 정면시 좌우 방향을 x 방향으로 하고, 정면시 상하 방향을 y 방향으로 해서 설명한다.As an example, as shown in FIG. 9, the measured positions of the reference marks M1 to M4 may deviate from the positions of the reference marks M1 to M4 in the design, respectively. 9, the measured positions of the reference marks M1 to M4 are indicated by solid lines, and the positions of the reference marks M1 to M4 on the design are indicated by dotted lines. In addition, hereinafter, as shown in Fig. 9, the left and right directions of the substrate to be exposed C are set in the x direction, and the up and down directions in the front view are described in the y direction.
다음의 스텝 S109에서는 스텝 S103에서 취득한 설계상의 기준 마크(M1~M4)의 위치와 스텝 S107에서 계측한 기준 마크(M1~M4)의 위치의 어긋남량으로부터 피노광 기판(C)의 회전량, 오프셋량, 신축 배율 중 적어도 하나를 도출한다. 또한, 여기서 말하는 상기 회전량은 미리 정해진 직교 좌표계(본 실시형태에서는 일례로서 도 9에 나타내는 x-y 좌표계)에 있어서의 설계상의 기준 마크(M)의 위치로부터 대응하는 실제 기준 마크(M)의 위치에 이르는 회전 각도이다. 또한, 여기서 말하는 상기 오프셋량은 상기 직교 좌표계에 있어서의 설계상의 기준 마크(M)의 위치로부터 대응하는 실제 기준 마크(M)의 위치에 이르는 평행 이동량이다. 또한, 여기서 말하는 상기 신축 배율은 상기 직교 좌표계에 있어서의 설계상의 기준 마크(M)의 위치로부터 대응하는 실제 기준 마크(M)의 위치에 이르는 확대 또는 축소 배율이다. 본 실시형태에서는 피노광 기판(C)의 회전량, 오프셋량, 신축 배율 모두를 도출한다. 이 때, 4개의 기준 마크(M1~M4)의 각 좌표를 사용한 최소 제곱법에 의해 피노광 기판(C)에 대해서 x 방향의 오프셋량(ofsx), y 방향의 오프셋량(ofsy), x 방향의 신축 배율(kx), y 방향의 신축 배율(ky), 회전량(θ)의 각 파라미터를 도출한다.In the next step S109, the amount of rotation and offset of the substrate C to be exposed from the amount of displacement between the position of the design reference marks M1 to M4 obtained in step S103 and the position of the reference marks M1 to M4 measured in step S107. We derive at least one of the quantity and the stretching ratio. In addition, the said rotation amount here refers to the position of the corresponding reference mark M from the position of the design reference mark M in a predetermined orthogonal coordinate system (xy coordinate system shown in FIG. 9 as an example in this embodiment as an example). The angle of rotation to reach. In addition, the said offset amount here is the amount of parallel movement from the position of the design reference mark M in the Cartesian coordinate system to the position of the corresponding real reference mark M. In addition, the expansion / contraction magnification referred to herein is an enlargement or reduction magnification from the position of the design reference mark M in the Cartesian coordinate system to the position of the corresponding actual reference mark M. In this embodiment, both the rotation amount, the offset amount, and the stretching ratio of the substrate C to be exposed are derived. At this time, the amount of offset in the x direction (ofsx), the amount of offset in the y direction (ofsy), and the x direction with respect to the substrate C to be exposed by the least square method using the respective coordinates of the four reference marks M1 to M4 The respective parameters of the stretching ratio (kx), the stretching ratio (ky) in the y direction, and the rotation amount (θ) are derived.
즉, 상기 각 파라미터를 도출할 때, 설계상의 기준 마크(M1~M4)의 위치와 스텝 S107의 처리에서 계측한 기준 마크(M1~M4)의 위치가 상기 각 파라미터를 포함해서 일의적인 관계에 있다고 한다. 이 경우, 상기 각 파라미터의 평균적인 편차가 최소가 되도록 상기 각 파라미터를 결정한다(일례로서 일본 특허 공개 소 61-44429호 공보 등을 참조). 이 상기 각 파라미터를 결정하는 방법은 아핀 변환 등에서 사용되는 기지의 방법이기 때문에 이 이상의 여기서의 설명을 생략한다.That is, when deriving each of the above parameters, the position of the reference marks M1 to M4 in the design and the positions of the reference marks M1 to M4 measured in the processing in step S107 are uniquely related to each parameter including the above parameters. It is said to be. In this case, each of the above parameters is determined so that the average deviation of each of the above parameters is minimal (see Japanese Patent Laid-Open No. 61-44429, etc.). Since the method for determining each of the above parameters is a known method used in affine transformation or the like, the description herein above is omitted.
다음의 스텝 S111에서는 피노광 기판(C)의 변형을 보정하기 위한 변형 보정량(dx, dy)을 도출한다. 또한, 피노광 기판(C)의 변형량은 4개의 기준 마크(M1~M4)의 각각의 어긋남량에 의해 나타내어진다. 따라서, 이 피노광 기판(C)의 변형을 보정하기 위한 변형 보정량을 기준 마크(M1~M4)마다 각각 (dx0, dy0)~(dx3, dy3)으로 나타낸다. 본 실시형태에서는 각 기준 마크(M1~M4)의 변형 보정량을 스텝 S109에서 도출된 오프셋량, 신축 배율 및 회전량에 의거한 보정을 행한 후의 설계상의 기준 마크(M1~M4)의 위치와 계측한 기준 마크(M1~M4)의 위치의 잔차(어긋남량)로 한다.In the next step S111, deformation correction amounts dx and dy for correcting the deformation of the substrate C to be exposed are derived. The amount of deformation of the substrate C to be exposed is represented by the amount of displacement of each of the four reference marks M1 to M4. Therefore, the amount of deformation correction for correcting the deformation of the substrate C is represented by (dx0, dy0) to (dx3, dy3) for each of the reference marks M1 to M4. In this embodiment, the displacement correction amount of each of the reference marks M1 to M4 is measured and the position of the reference marks M1 to M4 in the design after the correction based on the offset amount, the stretching ratio and the rotation amount derived in step S109. Let the residual (displacement amount) of the position of the reference marks M1-M4 be.
다음의 스텝 S113에서는 피노광 기판(C)의 변형 보정량에 따라서 상기 화상 정보에 있어서의 각 좌표를 보정할 때의 조정 파라미터(Mx, My)(0<Mx<1, 0<My<1)를 나타내는 정보를 상기 HDD로부터 판독한다. 또한, Mx는 x 방향의 조정 파라미터이며, My는 y 방향의 조정 파라미터이다. 본 실시형태에 있어서의 조정 파라미터(Mx, My)에 의해 피노광 기판(C)의 변형에 의한 기준 마크(M1~M4)의 어긋남에 대한 위치 맞춤의 정도가 결정된다. 본 실시형태에서는 상기 조정 파라미터를 변형 보정량을 저감시키는 비율(이하, 「보정의 비율」이라고도 함)로 한다. 즉, 조정 파라미터(Mx, My)=(0, 0)인 경우에는 피노광 기판(C)의 변형에 따른 보정을 행하지 않고 조정 파라미터가 (Mx, My)=(1, 1)인 경우에는 피노광 기판(C)의 변형에 따른 보정을 보정량을 저감시키지 않고 행한다. 또한, 조정 파라미터가 0보다 크고 1보다 작을 경우에는 피노광 기판(C)의 변형에 따른 보정을 조정 파라미터에 따라서 변형 보정량을 저감하면서 행한다.In the next step S113, adjustment parameters (Mx, My) (0 <Mx <1, 0 <My <1) when correcting each coordinate in the image information according to the amount of deformation correction of the substrate C to be exposed are The indicated information is read from the HDD. Further, Mx is an adjustment parameter in the x direction, and My is an adjustment parameter in the y direction. The degree of alignment with respect to the displacement of the reference marks M1 to M4 due to deformation of the substrate to be exposed C is determined by the adjustment parameters Mx and My in this embodiment. In the present embodiment, the adjustment parameter is defined as a rate at which the deformation correction amount is reduced (hereinafter, also referred to as "the correction rate"). That is, when adjustment parameters (Mx, My) = (0, 0), correction is not performed according to deformation of the substrate to be exposed C. When adjustment parameters are (Mx, My) = (1, 1), pinot Correction according to deformation of the optical substrate C is performed without reducing the correction amount. In addition, when the adjustment parameter is larger than 0 and smaller than 1, correction according to the deformation of the substrate C to be exposed is performed while reducing the amount of deformation correction according to the adjustment parameter.
본 실시형태에서는 이 조정 파라미터를 나타내는 정보는 유저에 의해 미리 조작 장치(44)를 통해서 입력되어 상기 HDD에 기억되어 있다. 또한, 상기 스텝 S113에 있어서 조작 장치(44)를 통하는 조정 파라미터를 나타내는 정보의 입력을 접수해도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는 0<Mx<1, 0<My<1로 한다. 그러나, 이에 한정되지 않고 피노광 기판(C)의 변형에 따른 보정을 행하지 않을 경우 및 상기 보정을 보정량을 저감시키지 않고 행할 경우를 포함해서 0≤Mx≤1, 0≤My≤1로 해도 좋다.In the present embodiment, information indicating this adjustment parameter is previously inputted by the user through the operating
다음의 스텝 S115에서는 스텝 S113에 있어서 판독한 조정 파라미터(Mx, My)에 의거하여 피노광 기판(C)의 변형 보정량(dx, dy)을 저감시킨다. 또한, 본 실시형태에서는 다음의 (1)식에 의해 변형 보정량(dx, dy)을 저감시킨 변형 보정량(dx', dy')을 산출한다.In the next step S115, the deformation correction amounts dx and dy of the substrate C to be exposed are reduced based on the adjustment parameters Mx and My read in step S113. Further, in the present embodiment, the deformation correction amounts dx 'and dy' in which the deformation correction amounts dx and dy are reduced by the following equation (1) are calculated.
다음의 스텝 S117에서는 스텝 S115의 처리에 의해 얻어진 변형 보정량(dx', dy')을 사용하여 상기 화상 정보에 있어서 좌표 변환의 대상으로 하는 좌표(xl, yl)를 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 보정한 좌표(xm, ym)로 변환한다.In the following step S117, the deformation (dx ', dy') obtained by the processing in step S115 is used to deform the coordinates (xl, yl) to be coordinated in the image information to be the substrate to be exposed (C). According to this, it is converted into the corrected coordinates (xm, ym).
이 때, 본 실시형태에서는 시스템 제어부(40)에 의해 일례로서 도 10에 나타내는 바와 같이 좌표 변환의 대상으로 하는 좌표에 의거하여 상기 화상 정보에 의해 나타내어지는 화상을 복수(본 실시형태에서는 4개)의 영역으로 분할하고, 각 분할 영역의 면적(SA0~SA3)을 도출한다. 여기서, 상기 분할을 행할 때에는 도 10에 나타내는 바와 같이 상기 화상 정보에 의해 나타내어지는 화상에 있어서 상기 화상의 각 변에 대하여 평행하고, 또한 상기 변환 대상으로 하는 좌표를 지나는 직선을 그음으로써 상기 4개의 영역으로 분할한다. 본 실시형태에서는 각 분할 영역에 대해서 도 10의 정면시 좌측 상부의 영역의 면적을 SA0, 우측 상부의 영역의 면적을 SA1, 좌측 하부의 영역의 면적을 SA2, 우측 하부의 영역의 면적을 SA3으로 각각 나타낸다.At this time, in this embodiment, as shown in Fig. 10 as an example by the
또한, 시스템 제어부(40)는 이와 같이 해서 얻어진 분할 영역의 면적(SA0~SA3)과, 스텝 S115의 처리에 의해 얻어진 변형 보정량(dx', dy')을 하기의 (2)식에 대입한다. 이에 의해 얻어지는 값이 상기 화상 정보에 있어서 좌표 변환의 대상이 되는 각 좌표(xl, yl)의 변형 보정량(ddx, ddy)이다.In addition, the
예를 들면, 도 10에 나타내는 바와 같이 dx0'=1, dx1'=2, dx2'=5, dx3'=10, SA0=1, SA1=3, SA2=3, SA3=9, SS=16이었을 경우에는 ddx=(10×9+5×3+2×3+1×1)/16=7이 된다.For example, as shown in FIG. 10, dx0 '= 1, dx1' = 2, dx2 '= 5, dx3' = 10, SA0 = 1, SA1 = 3, SA2 = 3, SA3 = 9, SS = 16 In this case, ddx = (10 × 9 + 5 × 3 + 2 × 3 + 1 × 1) / 16 = 7.
또한, 변형 보정량(ddx, ddy)의 도출 방법은 이에 한정되지 않는다. 즉, 묘화 대상이 되는 화상의 좌표 데이터에 있어서의 위치 좌표를 P(x, y)로 했을 경우, 기준 직사각형의 각 변에 대한 내분비가 요구된다. 보정 후의 화상에 대하여 그 내분비에 따른 위치(P')를 정하고, 위치(P)와 위치(P')의 어긋남량을 변형 보정량(ddx, ddy)으로서 정해도 좋다.In addition, the method for deriving the deformation correction amounts ddx and ddy is not limited to this. That is, when the position coordinate in the coordinate data of the image to be imaged is P (x, y), the endocrine for each side of the reference rectangle is required. The position P 'according to the endocrine may be determined for the image after correction, and the amount of misalignment between the position P and the position P' may be determined as the deformation correction amount ddx, ddy.
또한, 시스템 제어부(40)는 상기 화상 정보에 있어서의 각 좌표의 변형 보정량(ddx, ddy)과, x 방향의 오프셋량(ofsx), y 방향의 오프셋량(ofsy), x 방향의 신축 배율(kx), y 방향의 신축 배율(ky), 회전량(θ)을 다음의 (3)식에 대입한다. 이에 의해 얻어진 값이 각 좌표(xl, yl)를 피노광 기판(C)의 변형 보정량에 의거하여 보정한 좌표(xm, ym)가 된다.In addition, the
다음의 스텝 S119에서는 노광부(22)로부터 출사되는 광빔에 의해 피노광 기판(C)의 상면이 노광되는 위치까지 스테이지(12)를 이동시키도록 스테이지 구동부(42)를 제어한다.In the next step S119, the
다음의 스텝 S121에서는 상기 스텝 S117의 처리에 의해 얻어진 좌표(xm, ym)를 사용하여 피노광 기판(C)에 상기 화상 정보에 의해 나타내어지는 화상을 묘화시키도록 광원 유닛(24) 및 화상 처리 유닛(28)을 통해서 노광 헤드(22a)를 제어한다. 이 때, 시스템 제어부(40)는 스테이지(12)를 미리 정해진 속도로 이동시키도록 스테이지 구동부(42)를 제어함으로써 피노광 기판(C)을 이동시키면서 피노광 기판(C)에 상기 화상을 묘화시키도록 노광 헤드(22a)를 제어한다.In the next step S121, the
다음의 스텝 S123에서는 피노광 기판(C)이 스테이지(12)로부터 분리되는 위치까지 스테이지(12)를 이동시켜서 본 노광 제어 처리 프로그램의 실행을 종료한다.In the next step S123, the
예를 들면, 노광 제어 처리 프로그램의 스텝 S113에서 판독한 조정 파라미터가 0%(Mx=0, My=0)이었을 경우, 즉 피노광 기판(C)의 변형에 따른 보정을 행하지 않을 경우에는 도 11a에 나타내는 바와 같이 피노광 기판(C)의 변형과는 무관하게 직사각형상의 묘화 패턴이 묘화된다.For example, when the adjustment parameter read in step S113 of the exposure control processing program is 0% (Mx = 0, My = 0), that is, when correction due to deformation of the substrate C is not performed, Fig. 11A As shown in the figure, a rectangular drawing pattern is drawn irrespective of the deformation of the substrate C to be exposed.
또한, 상기 조정 파라미터가 50%(절반)이었을 경우, 일례로서 도 11b에 나타내는 바와 같이 기준 마크(M)의 변형 보정량을 50%로 한 후에 상기 변형 보정량에 의거하여 묘화 패턴이 변형되어서 묘화된다.In addition, when the adjustment parameter is 50% (half), as an example, as shown in Fig. 11B, after the deformation correction amount of the reference mark M is set to 50%, the drawing pattern is deformed based on the deformation correction amount to be drawn.
또한, 상기 조정 파라미터가 100%(Mx=1, My=1)이었을 경우, 일례로서 도 11c에 나타내는 바와 같이 기준 마크(M)의 변형 보정량 그 자체를 사용하여 화상이 변형되어서 묘화된다. 이 경우에는 기준 마크(M1~M4)의 위치에 따라서 화상이 변형되기 때문에 피노광 기판(C)의 변형에 따른 형상으로 묘화 패턴이 변형되어서 묘화된다.In addition, when the adjustment parameter is 100% (Mx = 1, My = 1), as an example, as shown in Fig. 11C, the image is deformed using the distortion correction amount itself of the reference mark M and is drawn. In this case, since the image is deformed according to the positions of the reference marks M1 to M4, the drawing pattern is deformed in a shape according to the deformation of the substrate C to be exposed and is drawn.
또한, 예를 들면 도 12에 나타내는 바와 같이 피노광 기판(C)에 복수의 층(예를 들면, 4층)의 회로 패턴(62A~62D)을 하위측으로부터 순차적으로 적층시켜서 묘화할 경우, 각 층에 있어서의 묘화가 종료될 때마다 현상, 에칭, 박리 등의 화학 처리를 행한다. 또한, 레이어를 포개기 위해서 프리프레그층의 적층, 전도 비아의 가공, 필드 비아 도금, 조화 처리, DFR(Dry Film photoResist)의 라미네이션 등이 행해진다. 그 때문에 도 13에 나타내는 바와 같이, 1층째의 회로 패턴(62A), 2층째의 회로 패턴(62B), 3층째의 회로 패턴(62C), 4층째의 회로 패턴(62D)으로 층을 포갤 때마다 피노광 기판(C)의 변형이 커져 가는 것이 상정된다.Further, for example, as shown in Fig. 12, when the
또한, 도 11a~도 11c에서는 묘화 대상이 되는 회로 패턴에 랜드(66)와 전도 비아(68)의 위치 관계를 알기 쉽도록 묘화 대상으로 하는 층의 기준 마크(M)의 위치에 랜드(66)가 설치되고, 다른 층의 기준 마크(M)의 위치에 전도 비아(68)가 설치되어 있다. 본 실시형태에서는 회로 패턴을 묘화할 때에 층마다 피노광 기판(C)의 변형에 따른 보정의 보정량을 피노광 기판(C)에 있어서의 랜드(66)의 내부에 전도 비아(68)가 들어가도록 저감시킨다. 이에 의해 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 회로 패턴을 변형시킨 경우에도 전자 부품을 기판 상으로 고정밀도로 실장할 수 있다.11A to 11C, the
또한, 본 실시형태에서는 각 기준 마크(M1~M4)의 변형 보정량에 대하여 1보다 작은 값(조정 파라미터(Mx, My))을 곱함으로써 상기 변형 보정량을 저감시키지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 상기 변형 보정량을 1을 초과하는 값으로 나누는 것, 또는 상기 변형 보정량으로부터 미리 정해진 양을 뺌으로써 상기 변형 보정량을 저감시켜도 좋다. 또는 상기 곱셈, 나눗셈, 뺄셈을 복수 조합해서 상기 변형 보정량을 저감시켜도 좋다.Further, in the present embodiment, the deformation correction amount of each reference mark M1 to M4 is multiplied by a value smaller than 1 (adjustment parameters Mx, My), but the deformation correction amount is not limited to this. That is, the deformation correction amount may be reduced by dividing the deformation correction amount by a value exceeding 1, or by subtracting a predetermined amount from the deformation correction amount. Alternatively, the distortion correction amount may be reduced by combining a plurality of the multiplication, division, and subtraction.
또한, 피노광 기판(C)에 회로 패턴을 복수 적층시켜서 묘화할 경우이며, 또한 피노광 기판(C)의 최상위의 층에 회로 패턴을 묘화할 경우, 변형 보정량(dx', dy')을 (0, 0)으로 해서 상기 (2)식의 계산을 행해도 좋다. 즉, 다층 배선 기판의 최상위의 층에 미리 정해진 형상(예를 들면, 직사각형상)의 전자 부품을 적재시킬 경우, 최상위에 묘화하는 회로 패턴의 변형 보정량이 크면 묘화한 회로 패턴이 크게 변형되어서 상기 전자 부품을 실장할 수 없을 가능성이 있다. 그러나, 최상위의 층에 있어서 변형을 보정하지 않음으로써 최상위의 층에 있어서의 회로 패턴의 변형이 회피되어 피노광 기판(C)에 상기 전자 부품을 확실하게 실장할 수 있다.Also, when a plurality of circuit patterns are stacked on the substrate C to be exposed and drawn, and when a circuit pattern is drawn on the top layer of the substrate C, the deformation correction amounts dx 'and dy' are ( 0, 0) may be used to calculate the formula (2) above. That is, when an electronic component having a predetermined shape (for example, a rectangular shape) is placed on the uppermost layer of the multilayer wiring board, if the amount of correction correction of the circuit pattern to be drawn on the top is large, the drawn circuit pattern is greatly deformed and the electronic There is a possibility that parts cannot be mounted. However, by not correcting the strain in the uppermost layer, deformation of the circuit pattern in the uppermost layer is avoided, and the electronic component can be reliably mounted on the substrate to be exposed C.
그리고, 본 실시형태에서는 본 발명을 피노광 기판(C)에 광빔을 노광해서 회로 패턴을 묘화하는 노광 묘화 장치(10)에 적용할 경우에 대해서 설명했지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명을 피묘화체에 형성된 기준 마크의 위치에 의거하여 묘화 대상이 되는 화상을 묘화하는 임의의 묘화 장치에 적용할 수 있다. 또한, 본 발명을 회로 패턴을 묘화하는 각 층의 층간을 전기적으로 접속하는 전도 비아 등을 형성하는 레이저 가공 장치 및 드릴 가공 장치에 적용해도 좋다. 또한, 기판의 회로 패턴을 보호하기 위한 솔더 레지스트층에 있어서의 부품 실장용 구멍을 형성하기 위한 노광 장치 및 가공 장치에 적용해도 좋다. 이에 의해 보다 확실하게 전자 부품을 기판 상으로 실장할 수 있다.In the present embodiment, the case where the present invention is applied to the
[제 2 실시형태][Second Embodiment]
이하, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에 대해서 설명한다.Hereinafter, the
제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)와 마찬가지로 도 1~도 6b에 나타내는 구성으로 되어 있다.The
제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 보정을 행할 때에 애뉼러 링의 값에 따라서 변형 보정량(dx, dy)에 제한을 설정하고 있다. 도 14에 나타내는 바와 같이, 애뉼러 링은 랜드(66)의 내부에 전도 비아(68)가 비워져 있을 경우의 전도 비아(68)의 전체 둘레를 둘러싸는 환상 영역이며, 랜드 지름을 D, 구멍 지름을 d로 했을 경우의 환상 영역의 폭인 애뉼러 링의 폭(L)은 L=(D-d)/2로 나타내어진다.The
이어서, 도 15를 참조해서 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 작용을 설명한다. 또한, 도 15는 조작 장치(44)를 통해서 실행 지시가 입력되었을 때에 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 시스템 제어부(40)에 의해 실행되는 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다. 상기 프로그램은 시스템 제어부(40)의 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다. 또한, 도 15에 있어서의 도 8과 동일한 처리를 행하는 스텝에는 도 8과 동일한 스텝 번호를 붙이고, 그 설명을 원칙적으로 생략한다.Next, the operation of the
처음으로, 스텝 S101~스텝 S111에서는 각각 제 1 실시형태의 스텝 S101~스텝 S111과 마찬가지의 처리를 행한다.First, in steps S101 to S111, processing similar to steps S101 to S111 of the first embodiment is performed, respectively.
다음의 스텝 S201에서는 애뉼러 링의 폭(L)을 도출한다. 본 실시형태에서는 랜드(66)의 랜드 지름(D) 및 전도 비아(68)의 구멍 지름(d)을 나타내는 정보를 취득하고, 랜드 지름(D) 및 구멍 지름(d)을 다음의 (4)식에 대입함으로써 애뉼러 링의 폭(L)을 얻는다.In the following step S201, the width L of the annular ring is derived. In the present embodiment, the information indicating the land diameter (D) of the
또한, 랜드 지름(D) 및 구멍 지름(d)은 회로 패턴의 설계값에 의거하여 유저가 조작 장치(44)를 통해서 입력해도 좋다. 또한, 애뉼러 링의 폭(L)의 도출 방법은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 외부에 접속된 정보 처리 장치로부터 외부 입출력부(48)를 통해서 입력되어도 좋고, RAM, HDD 등의 기억 수단에 미리 기억해 두어도 좋다. 또한, 묘화 오차를 고려해서 애뉼러 링의 폭(L)을 실제보다 작게 설정하고, 랜드(66)로부터 전도 비아(68)가 돌출되는 일이 없도록 여유를 갖도록 해도 좋다.Further, the land diameter D and the hole diameter d may be input by the user through the
다음의 스텝 S203에서는 다음의 (5)식에 의해 나타내어지는 피노광 기판(C)의 변형에 의한 기준 마크(M1~M4) 중 어느 하나의 어긋남량(dE)이 애뉼러 링의 폭(L)보다 큰지의 여부를 판정한다.In the following step S203, the deviation amount dE of any one of the reference marks M1 to M4 due to deformation of the substrate C to be expressed by the following equation (5) is the width L of the annular ring It is determined whether it is larger.
스텝 S203에서 기준 마크(M1~M4)의 어긋남량(dE)이 애뉼러 링의 폭(L)보다 크다고 판정했을 경우, 스텝 S205로 이행하고, 전도 비아(68)가 랜드(66)로 들어가면서 가능한 한 형상성을 유지하는 변형 보정량(dx, dy)이 되도록 변형 보정량(dx, dy)을 제한한다. 이는 피노광 기판(C)에 복수층으로 회로 패턴을 묘화할 때에 층간의 랜드(66)와 전도 비아(68)의 위치가 어긋나는 것을 회피하면서 가능한 한 형상성을 유지하기 위한 처리이다. 본 실시형태에서는 다음의 (6)식에 어긋남량(dE), 애뉼러 링의 폭(L), 상기 변형 보정량(dx, dy)을 대입함으로써 스텝 S111의 처리에 의해 도출한 변형 보정량(dx, dy)을 변형 보정량(dx', dy')으로 보정한다. 이에 의해 변형 보정량(dx, dy)이 전도 비아(68)가 랜드(66)의 내부에 들어가는 범위 내에서 최대의 변형 보정량(dx', dy')으로 보정된다. 또한, 묘화 패턴으로서 솔더 레지스트층의 부품 실장용 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴을 묘화할 경우, 개구 구멍이 부품과 접합하기 위한 도체 패드의 내부에 들어가도록 변형 보정량(dx, dy)을 제한하면 좋다.When it is determined in step S203 that the displacement amount dE of the reference marks M1 to M4 is larger than the width L of the annular ring, the flow proceeds to step S205, and the conduction via 68 enters the
한편, 스텝 S203에서 기준 마크(M1~M4)의 어긋남량(dE)이 애뉼러 링의 폭(L) 이하라고 판정되었을 경우, 스텝 S207로 이행하고, 보정에 사용하는 변형 보정량(dx, dy)에 제한을 설정하지 않는 것으로 한다. 즉, 다음의 (7)식을 사용하여 스텝 S111에서 도출한 변형 보정량(dx, dy)을 그대로 변형 보정량(dx', dy')으로 치환한다.On the other hand, when it is determined in step S203 that the displacement amount dE of the reference marks M1 to M4 is equal to or less than the width L of the annular ring, the flow advances to step S207, and the deformation correction amount used for correction (dx, dy) It is assumed that no limit is set. That is, the deformation correction amounts dx and dy derived in step S111 are replaced with the deformation correction amounts dx 'and dy' using the following equation (7).
다음의 스텝 S117~스텝 S123에서는 각각 제 1 실시형태의 스텝 S117~스텝 S123과 마찬가지의 처리를 행하고, 본 노광 제어 처리 프로그램의 실행을 종료한다.In the following steps S117 to S123, processing similar to steps S117 to S123 of the first embodiment is performed, respectively, and the execution of this exposure control processing program ends.
예를 들면, 피노광 기판(C)의 변형에 따른 보정을 행하지 않을 경우에는 도 16a에 나타내는 바와 같이 피노광 기판(C)의 변형과는 무관하게 직사각형상의 화상이 묘화된다. 이 경우에는 피노광 기판(C)의 변형이 발생하고 있어도 묘화하는 화상이 변형되어 있지 않기 때문에 반드시 전도 비아(68)를 랜드(66)의 내부에 넣을 수 있다고는 할 수 없다. 또한, 도 11a~도 11c와 마찬가지로 도 16a~도 16c에 있어서도 묘화 대상이 되는 회로 패턴에 랜드(66)와 전도 비아(68)의 위치 관계를 알기 쉽도록 묘화 대상으로 하는 층의 기준 마크(M)의 위치에 랜드(66)가 설치되고, 다른 층의 기준 마크(M)의 위치에 전도 비아(68)가 설치되어 있다.For example, when correction is not performed due to deformation of the substrate C, a rectangular image is drawn regardless of the deformation of the substrate C, as shown in Fig. 16A. In this case, even if the substrate to be exposed C is deformed, the image to be drawn is not deformed, so it is not always possible that the conductive via 68 can be placed inside the
또한, 스텝 S207에서 도출한 애뉼러 링의 폭(L)이 소정값(예를 들면, 20㎛)이며, 또한 상기 어긋남량이 애뉼러 링의 폭(L)보다 클 경우에는 일례로서 도 16b에 나타내는 바와 같이, 기준 마크(M)의 변형 보정량이 저감된 후에 상기 변형 보정량에 의거하여 화상이 변형되어서 묘화된다. 이 때, 도 17에 나타내는 바와 같이 랜드(66)의 내부에 전도 비아(68)가 들어가도록 변형 보정량(dx, dy)에 대한 보정량이 제한된 후에 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 화상이 변형된다. 이에 의해 전도 비아(68)를 랜드(66)의 내부에 넣을 수 있고, 전자 부품을 피노광 기판(C) 상으로 확실하게 실장할 수 있다.In addition, when the width L of the annular ring derived in step S207 is a predetermined value (for example, 20 µm), and the amount of displacement is larger than the width L of the annular ring, as an example, shown in Fig. 16B. As described above, after the deformation correction amount of the reference mark M is reduced, an image is deformed and drawn based on the deformation correction amount. At this time, as shown in Fig. 17, after the correction amount for the deformation correction amount dx, dy is limited so that the conductive via 68 enters inside the
또한, 상기 애뉼러 링의 폭(L)이 소정값(예를 들면, 20㎛)이며, 또한 상기 어긋남량이 애뉼러 링의 폭(L) 이하일 경우에는 일례로서 도 16c에 나타내는 바와 같이 기준 마크(M)의 변형 보정량 그 자체를 사용하여 화상이 변형되어서 묘화된다. 이 경우에는 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 묘화하는 화상을 변형시키기 때문에 전도 비아(68)를 랜드(66)의 내부에 확실하게 넣을 수 있지만, 상기 변형이 클 경우 등에 전자 부품의 실장 영역이 변형됨으로써 반드시 전자 부품을 피노광 기판(C) 상으로 실장할 수 있다고는 할 수 없다.In addition, when the width L of the annular ring is a predetermined value (for example, 20 µm), and the deviation amount is equal to or less than the width L of the annular ring, as an example, a reference mark ( The image is deformed and drawn using the distortion correction amount itself of M). In this case, since the image to be drawn is deformed in accordance with the deformation of the substrate C to be exposed, the conductive via 68 can be reliably placed inside the
[제 3 실시형태][Third Embodiment]
이하, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에 대해서 설명한다.Hereinafter, the
제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)와 마찬가지로 도 1~도 6b에 나타내는 구성으로 되어 있다.The
제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 보정을 행할 때에 조정 파라미터(Mx, My)에 따라서 변형 보정량(dx, dy)을 저감시킴과 아울러 애뉼러 링의 폭(L)에 따라서 변형 보정량(dx, dy)에 제한을 설정하고 있다.The
이어서, 도 18을 참조해서 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 작용을 설명한다. 또한, 도 18은 조작 장치(44)를 통해서 실행 지시가 입력되었을 때에 노광 묘화 장치(10)의 시스템 제어부(40)에 의해 실행되는 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다. 상기 프로그램은 시스템 제어부(40)의 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다.Next, the operation of the
또한, 도 18에 있어서의 도 8 또는 도 15와 동일한 처리를 행하는 스텝에는 도 8 또는 도 15와 동일한 스텝 번호를 붙이고, 그 설명을 원칙적으로 생략한다.In addition, the step which performs the same process as FIG. 8 or 15 in FIG. 18 is given the same step number as FIG. 8 or FIG. 15, and the description is omitted in principle.
처음으로 스텝 S101~스텝 S113에서는 각각 제 1 실시형태의 스텝 S101~스텝 S113과 마찬가지의 처리를 행한다. 다음의 스텝 S201 및 스텝 S203에서는 제 2 실시형태의 스텝 S201 및 스텝 S203과 마찬가지의 처리를 행한다.First, in steps S101 to S113, the same processing as steps S101 to S113 of the first embodiment is performed, respectively. In the following steps S201 and S203, the same processing as steps S201 and S203 of the second embodiment is performed.
스텝 S203에서 기준 마크(M1~M4)의 어긋남량(dE)이 애뉼러 링의 폭(L)보다 크다고 판정했을 경우, 스텝 S301로 이행하고, 전도 비아(68)가 랜드(66)에 들어가면서 가능한 한 형상성을 유지하는 변형 보정량(dx, dy)이 되도록 변형 보정량(dx, dy)을 제한한다. 본 실시형태에서는 다음의 (8)식에 변형 보정량(dx, dy), 어긋남량(dE), 애뉼러 링의 폭(L), 및 스텝 S113에서 판독한 조정 파라미터(Mx, My)를 대입함으로써 스텝 S111에서 도출한 변형 보정량(dx, dy)을 변형 보정량(dx', dy')으로 보정한다. 이에 의해 변형 보정량(dx, dy)이 전도 비아(68)가 랜드(66)의 내부에 들어가고, 또한 형상성이 조정된 변형 보정량(dx', dy')으로 보정된다.When it is determined in step S203 that the displacement amount dE of the reference marks M1 to M4 is larger than the width L of the annular ring, the flow proceeds to step S301, and the conduction via 68 enters the
한편, 스텝 S203에서 기준 마크(M1~M4)의 어긋남량(dE)이 애뉼러 링의 폭(L) 이하라고 판정되었을 경우, 스텝 S303으로 이행하고, 보정에 사용하는 변형 보정량(dx, dy)에 제한을 설정하지 않는 것으로 한다. 즉, 다음의 (9)식에 스텝 S113에서 판독한 조정 파라미터(Mx, My)를 대입해서 스텝 S111에서 도출한 변형 보정량(dx, dy)을 변형 보정량(dx',dy')으로 보정한다.On the other hand, when it is determined in step S203 that the displacement amount dE of the reference marks M1 to M4 is equal to or less than the width L of the annular ring, the flow advances to step S303, and the deformation correction amount used for correction (dx, dy) It is assumed that no limit is set. That is, the distortion correction amounts dx and dy derived in step S111 are corrected to the deformation correction amounts dx 'and dy' by substituting the adjustment parameters Mx and My read in step S113 into the following equation (9).
다음의 스텝 S117~스텝 S123에서는 각각 제 1 실시형태의 스텝 S117~스텝 S123과 마찬가지의 처리를 행하고, 본 노광 제어 처리 프로그램의 실행을 종료한다.In the following steps S117 to S123, processing similar to steps S117 to S123 of the first embodiment is performed, respectively, and the execution of this exposure control processing program ends.
[제 4 실시형태][Fourth Embodiment]
이하, 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에 대해서 설명한다.Hereinafter, the
제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 제 1 실시형태~제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)와 마찬가지로 도 1~도 6b에 나타내는 구성으로 되어 있다.The
제 1 실시형태~제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 1개의 대상 영역(64)에 있어서 4개의 기준 마크(M1~M4)에 의거하여 피노광 기판(C)의 변형에 따른 좌표 변환을 행한다. 한편, 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 복수의 대상 영역(64)에 대해서 각각 별개의 기준 마크(M)에 의거하여 피노광 기판(C)의 변형에 따른 좌표 변환을 행한다.The
예를 들면, 상기 복수의 대상 영역(64)은 도 19a에 나타내는 바와 같이 화상 정보에 의해 나타내어지는 화상을 복수(예를 들면, 4개)의 영역으로 분할한 각각의 영역으로 하면 좋다. 또한, 상기 화상을 분할할 때, 격자상으로 배열하도록 형성된 기준 마크(M) 중 2행 2열로 배열된 4개의 기준 마크(M)가 각 분할 영역에 포함되도록 분할한다.For example, as shown in Fig. 19A, the plurality of
또는 도 19b에 나타내는 바와 같이 상기 화상의 외주부를 비대상 영역으로 한 후에 상기 화상으로부터 비대상 영역을 제외한 영역을 복수(예를 들면, 4개)의 영역으로 분할한 영역을 대상 영역(64)으로 해도 좋다. 또한, 상기 화상을 분할할 때, 매트릭스 형상으로 배열하도록 형성된 기준 마크(M) 중 2행 2열로 배열된 4개의 기준 마크(M)에 둘러싸인 영역이 각 분할 영역이 되도록 분할한다.Alternatively, as shown in Fig. 19B, after the outer circumference of the image is the non-target region, the region excluding the non-target region from the image is divided into a plurality (for example, four) regions as the
또는 도 19c에 나타내는 바와 같이, 상기 화상 중 일부의 영역을 복수(예를 들면, 4개) 추출하고, 추출한 각각의 영역을 대상 영역(64)으로 해도 좋다. 또한, 매트릭스 형상으로 배열하도록 형성된 기준 마크(M) 중 2행 2열로 배열된 4개의 기준 마크(M)의 각각의 부근에 각 대상 영역(64)의 모서리부가 각각 위치하도록 상기 일부의 영역의 각각이 추출되면 좋다.Alternatively, as shown in Fig. 19C, a plurality of (for example, four) regions of a part of the image may be extracted, and each of the extracted regions may be the
또는 상기 복수의 대상 영역(64)은 도 20a에 나타내는 바와 같이, 화상 정보에 의해 나타내어지는 화상을 복수(예를 들면, 4개)의 영역으로 분할한 각각의 영역으로 해도 좋다. 또한, 상기 복수의 대상 영역(64)의 각각에 2행 2열로 배열된 4개의 기준 마크(M)가 포함되도록 분할한다.Alternatively, as shown in Fig. 20A, the plurality of
또는 도 20b에 나타내는 바와 같이, 상기 화상의 외주부를 비대상 영역으로 한 후에 상기 화상으로부터 비대상 영역을 제외한 영역을 복수(예를 들면, 4개)의 영역으로 분할한 영역을 대상 영역(64)으로 해도 좋다. 또한, 상기 복수의 대상 영역(64)의 각각에 2행 2열로 배열된 4개의 기준 마크(M)가 포함되도록 분할한다.Alternatively, as shown in Fig. 20B, after the outer circumference of the image is the non-target region, the region excluding the non-target region from the image is divided into a plurality (for example, four) regions of the
또는 도 20c에 나타내는 바와 같이, 상기 화상 중 일부의 영역을 복수개(예를 들면, 4개) 추출하고, 추출한 각각의 영역을 대상 영역(64)으로 해도 좋다. 또한, 각 대상 영역(64)의 형상 또는 크기에 따라서 각 대상 영역(64)의 내부 또는 각 대상 영역(64)의 외주 부근에 2행 2열로 배열된 4개의 기준 마크(M)가 형성되도록 한다.Alternatively, as shown in Fig. 20C, a plurality of (for example, four) regions of a part of the image may be extracted, and each extracted region may be the
이어서, 도 21을 참조해서 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 작용을 설명한다. 또한, 도 21은 조작 장치(44)를 통해서 실행 지시가 입력되었을 때에 노광 묘화 장치(10)의 시스템 제어부(40)에 의해 실행되는 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다. 상기 프로그램은 시스템 제어부(40)의 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다.Next, the operation of the
또한, 도 21에 있어서의 도 8과 동일한 처리를 행하는 스텝에는 도 8과 동일한 스텝 번호를 붙이고, 그 설명을 원칙적으로 생략한다.In addition, the step which performs the process similar to FIG. 8 in FIG. 21 is given the same step number as FIG. 8, and the description is omitted in principle.
처음으로, 스텝 S101~스텝 S107에서는 각각 제 1 실시형태의 스텝 S101~스텝 S107과 마찬가지의 처리를 행한다.First, in steps S101 to S107, the same processing as steps S101 to S107 of the first embodiment is performed, respectively.
다음의 스텝 S401에서는 복수의 대상 영역(64) 중 1개의 대상 영역(64)에 대응하는 기준 마크(M)에 대해서 스텝 S109와 마찬가지의 수법으로 피노광 기판(C)의 회전량, 오프셋량, 신축 배율을 도출한다.In the following step S401, for the reference mark M corresponding to one
다음의 스텝 S111~스텝 S117에서는 각각 제 1 실시형태의 스텝 S111~스텝 S117과 마찬가지의 처리를 행한다.In the following steps S111 to S117, processing similar to steps S111 to S117 of the first embodiment is performed, respectively.
다음의 스텝 S403에서는 복수의 대상 영역(64) 중 모든 대상 영역(64)에 대응하는 기준 마크(M)에 대해서 스텝 S117에서의 좌표 변환을 행했는지의 여부를 판정한다. 스텝 S117에 있어서 부정 판정이었을 경우, 스텝 S401로 돌아간다.In the next step S403, it is determined whether coordinate conversion in step S117 has been performed for the reference mark M corresponding to all the
한편, 스텝 S403에 있어서 긍정 판정이었을 경우, 스텝 S119로 이행한다. 스텝 S119~스텝 S123에서는 각각 제 1 실시형태의 스텝 S119~스텝 S123과 마찬가지의 처리를 행하고, 본 노광 제어 처리 프로그램의 실행을 종료한다.On the other hand, when it is affirmative determination in step S403, it transfers to step S119. In steps S119 to S123, the same processing as steps S119 to S123 of the first embodiment is performed, respectively, and the execution of the exposure control processing program is ended.
또한, 피노광 기판(C)에 있어서의 복수의 영역의 각각에 묘화시키는 회로 패턴을 변형시켰을 경우에 인접하는 영역 사이에서 묘화시키는 회로 패턴이 겹치지 않도록 회로 패턴의 묘화 영역을 평행 이동 또는 회전 이동에 의해 조정해도 좋다.In addition, when the circuit pattern to be drawn in each of the plurality of areas on the substrate C is deformed, the drawing area of the circuit pattern is shifted in parallel or rotation to prevent overlapping circuit patterns drawn between adjacent areas. You may adjust by.
또한, 제 4 실시형태는 피노광 기판(C)에 있어서의 복수의 영역의 각각에 회로 패턴을 묘화함과 아울러 복수의 영역의 각각마다 변형 보정량을 저감하는 구성을 제 1 실시형태에 적용하는 실시형태이지만, 상기 구성을 적용하는 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 즉, 제 4 실시형태의 구성을 제 2 실시형태 또는 제 3 실시형태에 적용시켜도 좋다.In addition, in the fourth embodiment, a circuit pattern is drawn on each of the plurality of areas on the substrate C to be exposed, and a configuration for reducing the amount of distortion correction for each of the plurality of areas is applied to the first embodiment. Although it is a form, embodiment which applies the said structure is not limited to this. That is, the configuration of the fourth embodiment may be applied to the second embodiment or the third embodiment.
일본 특허 출원 2012-1779935호의 개시는 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 포함된다.As for the indication of the Japan patent application 2012-1779935, the whole is taken in into this specification by reference.
본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허 출원 및 기술 규격은 개개의 문헌, 특허 출원 및 기술 규격이 참조에 의해 포함되는 것이 구체적, 또한 개별적으로 기록된 경우와 동일한 정도로 본 명세서 중에 참조에 의해 포함된다.All documents, patent applications and technical specifications described in this specification are incorporated by reference in the present specification to the same extent that individual documents, patent applications and technical specifications are incorporated by reference, and to the same extent as if recorded individually.
Claims (11)
상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치의 어긋남에 의거한 오프셋량, 신축 배율 및 회전량을 이용하여 상기 피노광 기판의 변형에 따른 상기 묘화 패턴을 보정하기 위한 어긋남 보정량을 도출하는 도출 수단과,
상기 도출 수단에 의해 도출된 어긋남 보정량의 각각을 미리 정해진 비율로 저감하는 저감 수단과,
상기 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감 수단에 의해 저감된 어긋남 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 보정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 묘화 장치.Coordinate data indicating a first position, which is a design position of a plurality of reference marks formed on four corners of a target area of the target substrate, and coordinate data indicating a drawing pattern to be drawn on the target substrate which is defined based on the first position And acquisition means for acquiring coordinate data indicating a second position which is an actual position of each of the plurality of reference marks,
A shift correction amount for correcting the drawing pattern according to the deformation of the substrate to be exposed by using the offset amount, the stretching ratio, and the rotation amount based on the shift of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks Derivation means for deriving,
Reduction means for reducing each of the offset correction amounts derived by the derivation means at a predetermined ratio,
Correction means for correcting coordinate data indicating the drawing pattern based on the amount of misalignment correction reduced by the reduction means when drawing the drawing pattern on the substrate to be exposed based on the coordinate data indicating the second position. A drawing device characterized in that it is provided.
상기 저감 수단은 상기 어긋남 보정량에 1 미만의 값을 곱하는 것, 상기 어긋남 보정량을 1을 초과하는 값으로 나누는 것, 및 상기 어긋남 보정량으로부터 미리 정해진 양을 빼는 것 중 적어도 하나를 행함으로써 상기 도출된 어긋남 보정량의 각각을 미리 정해진 비율로 저감하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.According to claim 1,
The reduction means is derived by performing at least one of multiplying the misalignment correction amount by a value less than 1, dividing the misalignment correction amount by a value exceeding 1, and subtracting a predetermined amount from the misalignment correction amount. A drawing device characterized in that each of the correction amounts is reduced to a predetermined ratio.
상기 묘화 패턴은 전자 배선을 나타내는 회로 패턴이며,
상기 비율은 상기 묘화 패턴에 있어서의 랜드의 내부에 전도 비아가 들어가도록 정해진 비율인 것을 특징으로 하는 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
The drawing pattern is a circuit pattern representing electronic wiring,
The ratio is the ratio of the drawing pattern, characterized in that the ratio is set so that conductive vias enter the interior of the land.
상기 묘화 패턴은 솔더 레지스트층의 부품 실장용 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴이며,
상기 비율은 상기 개구 구멍이 부품과 접합하기 위한 도체 패드의 내부에 들어가도록 정해진 비율인 것을 특징으로 하는 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
The drawing pattern is a solder resist pattern showing opening holes for mounting parts of the solder resist layer,
The ratio is a drawing device characterized in that the opening hole is set to enter the inside of the conductor pad for joining the part.
상기 도출 수단은 상기 피노광 기판의 평행 이동에 의한 어긋남, 회전에 의한 어긋남 및 신축에 의한 어긋남 중 적어도 하나를 뺀 어긋남량으로부터 상기 어긋남 보정량을 도출하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
And the derivation means derives the offset correction amount from the amount of offset obtained by subtracting at least one of a shift due to parallel movement of the substrate to be exposed, a shift caused by rotation, and a shift caused by stretching.
상기 묘화 패턴은 상기 피노광 기판에 있어서의 복수의 영역의 각각에 묘화되고,
상기 기준 마크는 상기 묘화 패턴이 묘화되는 상기 복수의 영역의 각각마다 형성되고,
상기 저감 수단은 상기 복수의 영역의 각각마다 상기 어긋남 보정량의 각각을 저감하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
The drawing pattern is drawn on each of a plurality of regions in the substrate to be exposed,
The reference mark is formed for each of the plurality of areas where the drawing pattern is drawn,
The reducing device reduces the amount of the shift correction amount for each of the plurality of regions.
상기 도출 수단에 의해 도출된 어긋남 보정량의 각각을 저감시키기 위한 조정 파라미터의 입력을 접수하는 접수 수단을 더 구비하고,
상기 저감 수단은 상기 접수 수단에서 접수된 조정 파라미터를 기초로 상기 비율을 산출하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
And receiving means for accepting an input of an adjustment parameter for reducing each of the deviation correction amounts derived by the derivation means,
The reduction means calculates the ratio based on the adjustment parameter received by the reception means.
상기 도출 수단은 상기 피노광 기판에 묘화 패턴을 복수 적층시켜서 묘화할 경우에, 또한 상기 피노광 기판의 최상위의 층에 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 어긋남 보정량을 0으로 하는 것으로 특징으로 하는 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
The drawing means is characterized in that the deviation correction amount is set to 0 when drawing by stacking a plurality of drawing patterns on the substrate to be exposed, and when drawing a drawing pattern on the uppermost layer of the substrate to be exposed. .
상기 묘화 장치의 상기 보정 수단에 의해 보정된 좌표 데이터에 의거하여 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 노광해서 묘화하는 노광 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.The drawing device according to claim 1 or 2,
And exposure means for exposing and drawing the drawing pattern on the substrate to be exposed on the basis of coordinate data corrected by the correction means of the drawing device.
(b) 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치의 어긋남에 의거한 오프셋량, 신축 배율 및 회전량을 이용하여 상기 피노광 기판의 변형에 따른 상기 묘화 패턴을 보정하기 위한 어긋남 보정량을 도출하고,
(c) 상기 (b)에서 도출된 어긋남 보정량의 각각을 미리 정해진 비율로 저감하고,
(d) 상기 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 (c)에서 저감된 어긋남 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 묘화 방법.(a) Coordinate data indicating the first position in the design of a plurality of reference marks formed on four corners of the target area of the target substrate, coordinates indicating a drawing pattern to be drawn on the target substrate which is defined based on the first position Data and coordinate data indicating actual second positions of the plurality of reference marks,
(b) correcting the drawing pattern according to the deformation of the substrate to be exposed by using the offset amount, the stretching ratio, and the rotation amount based on the displacement of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks Derive the amount of deviation correction for
(c) each of the offset correction amounts derived in (b) is reduced to a predetermined ratio,
(d) When drawing the drawing pattern on the substrate to be exposed on the basis of the coordinate data indicating the second position, correcting the coordinate data representing the drawing pattern based on the amount of misalignment correction reduced in (c). Drawing method comprising the one.
상기 묘화 프로세스는,
(a) 피노광 기판의 대상 영역의 네 모퉁이에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제의 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하고,
(b) 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치의 어긋남에 의거한 오프셋량, 신축 배율 및 회전량을 이용하여 상기 피노광 기판의 변형에 따른 상기 묘화 패턴을 보정하기 위한 어긋남 보정량을 도출하고,
(c) 상기 (b)에서 도출된 어긋남 보정량의 각각을 미리 정해진 비율로 저감하고,
(d) 상기 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 (c)에서 저감된 어긋남 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능 기록 매체.A computer-readable recording medium storing a program for executing a drawing process on a computer,
The drawing process,
(a) Coordinate data indicating the first position in the design of a plurality of reference marks formed on four corners of the target area of the target substrate, coordinates indicating a drawing pattern to be drawn on the target substrate which is defined based on the first position Data and coordinate data indicating actual second positions of the plurality of reference marks,
(b) correcting the drawing pattern according to the deformation of the substrate to be exposed by using the offset amount, the stretching ratio, and the rotation amount based on the displacement of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks Derive the amount of deviation correction for
(c) each of the offset correction amounts derived in (b) is reduced to a predetermined ratio,
(d) When drawing the drawing pattern on the substrate to be exposed on the basis of the coordinate data indicating the second position, correcting the coordinate data representing the drawing pattern based on the amount of misalignment correction reduced in (c). And a computer readable recording medium.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2012-179935 | 2012-08-14 | ||
JP2012179935A JP6085433B2 (en) | 2012-08-14 | 2012-08-14 | Drawing apparatus, exposure drawing apparatus, program, and drawing method |
PCT/JP2013/062291 WO2014027483A1 (en) | 2012-08-14 | 2013-04-25 | Drawing device, exposure drawing device, drawing method, and recording medium whereon program is stored |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150043329A KR20150043329A (en) | 2015-04-22 |
KR102094728B1 true KR102094728B1 (en) | 2020-03-30 |
Family
ID=50286371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157003800A KR102094728B1 (en) | 2012-08-14 | 2013-04-25 | Drawing device, exposure drawing device, drawing method, and recording medium whereon program is stored |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6085433B2 (en) |
KR (1) | KR102094728B1 (en) |
CN (1) | CN104583873B (en) |
TW (1) | TWI620999B (en) |
WO (1) | WO2014027483A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112255887B (en) * | 2016-07-19 | 2023-09-22 | 应用材料公司 | Segment alignment modeling method |
JP6326170B2 (en) * | 2017-06-14 | 2018-05-16 | 株式会社アドテックエンジニアリング | Drawing apparatus, exposure drawing apparatus, program, and drawing method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005157326A (en) * | 2003-10-29 | 2005-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image recording apparatus and method |
JP2009290119A (en) | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Orc Mfg Co Ltd | Exposure device capable of correcting drawing data |
JP2011039264A (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Sony Chemical & Information Device Corp | Method of manufacturing laminated substrate |
JP2012053296A (en) | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Hitachi High-Technologies Corp | Exposure device, exposure method and method of manufacturing display panel substrate |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3087899B2 (en) * | 1989-06-16 | 2000-09-11 | 株式会社日立製作所 | Method for manufacturing thick film thin film hybrid multilayer wiring board |
JPH1048835A (en) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Ibiden Co Ltd | Production device and production of print circuit board |
JP2002184684A (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Fujitsu Ltd | Method of aligning reduced projection aligner |
JP2002190655A (en) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing printed wiring board and method of exposing the same |
JP2003008238A (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Toppan Printing Co Ltd | Drilling machine for multilayer printed wiring board, and manufacturing method using the same |
KR100519252B1 (en) * | 2003-11-24 | 2005-10-06 | 삼성전자주식회사 | Overlay mark, method for forming overlay mark and mearsurement method for overlay |
JP4273030B2 (en) * | 2004-03-29 | 2009-06-03 | 富士フイルム株式会社 | Exposure apparatus calibration method and exposure apparatus |
CN1766738A (en) * | 2004-09-30 | 2006-05-03 | 富士胶片株式会社 | Method and apparatus for recording images on deformed image-recordable object |
JP2006251160A (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Drawing method and apparatus |
JP2008058797A (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Fujifilm Corp | Drawing device and drawing method |
JP2008078464A (en) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | Manufacturing method of printed wiring board and drilling apparatus |
JP2008251797A (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | Reference position detection apparatus and method, and drawing apparatus |
JP2009223262A (en) * | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Orc Mfg Co Ltd | Exposure system and exposure method |
WO2010125813A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | 株式会社ニコン | Exposure method, method for manufacturing device, and method for measuring superposition error |
JP2011022329A (en) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Fujifilm Corp | Drawing device, program, and drawing method |
US8271919B2 (en) * | 2009-10-30 | 2012-09-18 | Ibiden Co., Ltd. | Method for correcting image rendering data, method for rendering image, method for manufacturing wiring board, and image rendering system |
JP5441633B2 (en) * | 2009-11-16 | 2014-03-12 | 富士フイルム株式会社 | Mark recognition device |
-
2012
- 2012-08-14 JP JP2012179935A patent/JP6085433B2/en active Active
-
2013
- 2013-04-25 CN CN201380042910.XA patent/CN104583873B/en active Active
- 2013-04-25 WO PCT/JP2013/062291 patent/WO2014027483A1/en active Application Filing
- 2013-04-25 KR KR1020157003800A patent/KR102094728B1/en active IP Right Grant
- 2013-05-21 TW TW102117818A patent/TWI620999B/en active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005157326A (en) * | 2003-10-29 | 2005-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image recording apparatus and method |
JP2009290119A (en) | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Orc Mfg Co Ltd | Exposure device capable of correcting drawing data |
JP2011039264A (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Sony Chemical & Information Device Corp | Method of manufacturing laminated substrate |
JP2012053296A (en) | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Hitachi High-Technologies Corp | Exposure device, exposure method and method of manufacturing display panel substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014038175A (en) | 2014-02-27 |
WO2014027483A1 (en) | 2014-02-20 |
CN104583873B (en) | 2017-05-10 |
KR20150043329A (en) | 2015-04-22 |
TW201407294A (en) | 2014-02-16 |
JP6085433B2 (en) | 2017-02-22 |
CN104583873A (en) | 2015-04-29 |
TWI620999B (en) | 2018-04-11 |
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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