JP6637120B2 - Drawing apparatus, exposure drawing apparatus, program and drawing method - Google Patents

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Description

本発明は、描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法に係り、特に、基板に対して描画パターンを描画する描画装置、基板に対して描画パターンを露光により描画する露光描画装置、上記描画装置により実行されるプログラム、及び、基板に対して描画パターンを描画する描画方法に関する。   The present invention relates to a drawing apparatus, an exposure drawing apparatus, a program, and a drawing method, and in particular, to a drawing apparatus for drawing a drawing pattern on a substrate, an exposure drawing apparatus for drawing a drawing pattern on a substrate by exposure, and the above-described drawing apparatus. And a drawing method for drawing a drawing pattern on a substrate.

従来、ガラス布に対して含浸処理を行い乾燥させたプリプレグや、剛性機能の優れた金属板等をコア基板とし、これらのコア基板上に樹脂層と配線層とを多層に積み重ねた多層配線構造を有する多層配線基板が知られている。また、近年、この多層配線基板に対して薄型化及び省スペース化が要求されていることから、コア層を有さない薄型の多層配線基板が提案されている。   Conventionally, a multilayer wiring structure in which a prepreg obtained by impregnating and drying a glass cloth or a metal plate having excellent rigidity function is used as a core substrate, and a resin layer and a wiring layer are stacked in multiple layers on these core substrates. Is known. Further, in recent years, a demand has been made for a reduction in the thickness and space of the multilayer wiring board. Therefore, a thin multilayer wiring board having no core layer has been proposed.

これらの多層配線基板では、化学処理によって基板が反ってしまったり、強度不足により基板が変形してしまったりすることにより、各層に描画される描画パターン(配線パターン)の層間の位置合わせが困難になる場合がある。それにも関わらず、描画パターンの高密度化によって描画パターンにおけるランド径及び穴径が微細化されているため、高精度な層間の位置合わせが要求されている。   In these multilayer wiring boards, it is difficult to align the drawing patterns (wiring patterns) drawn on each layer between the layers due to warpage of the substrate due to chemical treatment or deformation of the substrate due to insufficient strength. May be. Nevertheless, since the land diameter and the hole diameter in the drawing pattern are becoming finer due to the higher density of the drawing pattern, high-precision interlayer alignment is required.

この要求を満たすために、基板の反り及び変形によって発生する基板の歪みに応じて描画パターンを変形させた上で基板に描画する技術が提案されてきた。この技術によると、層間の位置合わせの精度は向上するが、層を重ねるごとに歪みが蓄積するため、上位層に描画される描画パターンの形状が設計上の描画パターンの形状から乖離し、基板上への電子部品の実装が困難になることが懸念される。   In order to satisfy this requirement, there has been proposed a technique of drawing a pattern on a substrate after deforming a drawing pattern in accordance with substrate distortion caused by warpage and deformation of the substrate. According to this technology, the accuracy of alignment between layers is improved, but distortion is accumulated each time the layers are stacked, so that the shape of the drawing pattern drawn on the upper layer deviates from the shape of the designed drawing pattern, and There is a concern that mounting electronic components on top of the electronic components will be difficult.

また、描画パターンを示す画像を複数の領域に分割し、基板の歪みに応じて分割領域毎に上記画像を回転移動させる技術も提案されている。この技術によると、各分割領域において、設計上の描画パターンの形状と実際に描画される描画パターンの形状とのずれ量が低減される。しかし、この技術では、画像処理が複雑になるという課題、及び描画パターンを層間で接続するための位置決め孔を各分割領域に対して形成する機構が必要となるという課題があった。   Further, a technique has been proposed in which an image indicating a drawing pattern is divided into a plurality of regions, and the image is rotated and moved for each divided region according to distortion of a substrate. According to this technique, in each divided region, the amount of deviation between the shape of the designed drawing pattern and the shape of the actually drawn drawing pattern is reduced. However, this technique has a problem that image processing becomes complicated and a problem that a mechanism for forming a positioning hole for connecting a drawing pattern between layers in each divided region is required.

これらの課題を解決するための技術として、特許文献1及び特許文献2には、画像処理が複雑になることなく、描画される描画パターンの設計上の描画パターンからのずれを抑制することができる描画装置が開示されている。   As techniques for solving these problems, Patent Literature 1 and Patent Literature 2 can suppress a deviation of a drawn pattern from a designed drawing pattern without complicating image processing. A drawing device is disclosed.

すなわち、上記特許文献1の描画装置は、基板の変形情報を予め取得しておき、当該変形情報に基づいて、変形後の基板に記録された描画パターンがラスターデータによって示される描画パターンと同一形状となるように当該ラスターデータを変換する。そして、変換されたラスターデータに基づいて変形前の基板に描画パターンを記録する。   That is, the drawing apparatus of Patent Document 1 acquires deformation information of a substrate in advance, and based on the deformation information, the drawing pattern recorded on the deformed substrate has the same shape as the drawing pattern indicated by the raster data. The raster data is converted so that Then, a drawing pattern is recorded on the substrate before deformation based on the converted raster data.

また、上記特許文献2の描画装置は、描画対象とする領域を規定する位置座標と、上記領域に設けられた基準点の位置とを有する描画データを用いて、基板の位置座標の変位態様に基づいて基準点の位置を補正する。そして、補正した基準点の位置に基づいて上記領域の形状を維持したまま当該領域内の各座標を補正する。   Further, the drawing apparatus of Patent Document 2 described above uses a drawing data having a position coordinate defining a region to be drawn and a position of a reference point provided in the region to change the position coordinate of the substrate. The position of the reference point is corrected based on the position. Then, based on the corrected position of the reference point, each coordinate in the area is corrected while maintaining the shape of the area.

特開2005−157326号公報JP 2005-157326 A 特開2011−95742号公報JP 2011-95742 A

上記特許文献1に開示されている技術では、取得した変形情報に基づいて描画パターンを大きく変形させるため、最終的に得られる基板への電子部品の実装は改善されるが、下層との位置合わせの精度が悪化する可能性がある、という課題があった。   In the technique disclosed in Patent Document 1, since the drawing pattern is largely deformed based on the acquired deformation information, the mounting of the electronic component on the finally obtained substrate is improved. There is a problem that the accuracy of the method may be deteriorated.

また、上記特許文献2に開示されている技術でも、描画対象とする領域の大きさが補正前の領域の大きさから変化することに伴って、最終的に実装用パッドと電子部品の電極との位置ずれが発生し、基板上への電子部品の実装が困難になってしまう可能性がある。   Also, in the technique disclosed in Patent Document 2, as the size of the region to be drawn changes from the size of the region before correction, the mounting pad and the electrode of the electronic component are finally connected. May occur, which may make it difficult to mount electronic components on a substrate.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、実装用パッドと電子部品の電極とのピッチずれを抑制しつつ、高精度な層間の位置合わせを実現することができる描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and has a drawing device and an exposure drawing device capable of realizing highly accurate alignment between layers while suppressing a pitch shift between a mounting pad and an electrode of an electronic component. , A program, and a drawing method.

上記目的を達成するために、本発明に係る描画装置は、被露光基板に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、上記第1の位置を基準として定められた上記被露光基板に描画する描画パターンを示す座標データ、及び上記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得部と、上記第1の位置及び上記第2の位置に基づいて上記被露光基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ上記複数の基準マークの各々毎に、上記第1の位置及び上記第2の位置のずれに対する補正量を導出する導出部と、上記導出部で導出された補正量の各々から、上記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減部と、上記第2の位置を基準として上記被露光基板に上記描画パターンを描画する場合、上記低減部で低減された補正量に基づいて上記描画パターンを示す座標データを補正する補正部と、を備えている。   In order to achieve the above object, a drawing apparatus according to the present invention includes: coordinate data indicating a first position, which is a design position of a plurality of reference marks provided on a substrate to be exposed; An acquisition unit configured to acquire coordinate data indicating a drawing pattern to be drawn on the substrate to be exposed, defined as, and coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks; A physical quantity indicating the magnitude of distortion of the substrate to be exposed based on the position and the second position, and for each of the plurality of reference marks, the physical amount of the first position and the second position A deriving unit that derives a correction amount for the deviation; a reducing unit that reduces an amount that is larger as the physical quantity increases from each of the correction amounts derived by the deriving unit; and the substrate to be exposed with reference to the second position. Above drawing pattern When drawing the emissions, and a, a correction unit for correcting the coordinate data representing the drawing pattern based on the correction amount is reduced by the reduction unit.

本発明に係る描画装置によれば、取得部により、被露光基板に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、上記第1の位置を基準として定められた上記被露光基板に描画する描画パターンを示す座標データ、及び上記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データが取得される。また、導出部により、上記第1の位置及び上記第2の位置に基づいて上記被露光基板の歪みの大きさを示す物理量が導出され、かつ上記複数の基準マークの各々毎に、上記第1の位置及び上記第2の位置のずれに対する補正量が導出される。   According to the drawing apparatus of the present invention, the acquisition unit sets the coordinate data indicating the first position, which is the designed position of the plurality of reference marks provided on the substrate to be exposed, based on the first position. The obtained coordinate data indicating the drawing pattern to be drawn on the substrate to be exposed and the coordinate data indicating the second position, which is the actual position of each of the plurality of reference marks, are obtained. In addition, the deriving unit derives a physical quantity indicating the magnitude of the distortion of the substrate to be exposed based on the first position and the second position, and, for each of the plurality of reference marks, the first amount. And a correction amount for the deviation between the second position and the second position.

ここで、本発明に係る描画装置では、低減部により、上記導出部で導出された補正量の各々から、上記物理量が大きくなるほど多い量が低減される。   Here, in the drawing apparatus according to the present invention, the reduction unit reduces, from each of the correction amounts derived by the derivation unit, a larger amount as the physical quantity increases.

また、本発明に係る描画装置では、補正部により、上記第2の位置を基準として上記被露光基板に上記描画パターンを描画する場合、上記低減部で低減された補正量に基づいて上記描画パターンを示す座標データが補正される。   Further, in the drawing apparatus according to the present invention, when the correction unit draws the drawing pattern on the substrate to be exposed based on the second position, the drawing pattern is based on the correction amount reduced by the reduction unit. Is corrected.

すなわち、本発明に係る描画装置は、基準マークの設計上の位置と実際の位置とのずれ量から導出した補正量の各々から、上記物理量が大きくなるほど多い量を低減させ、低減させた補正量に基づいて上記描画パターンを示す座標データを補正する。   That is, the drawing apparatus according to the present invention reduces the larger amount as the physical amount increases from each of the correction amounts derived from the deviation amount between the designed position of the reference mark and the actual position, and reduces the reduced correction amount. Is used to correct the coordinate data indicating the drawing pattern.

このように、本発明に係る描画装置によれば、被露光基板の歪みの大きさが大きくなるほど補正量を小さくする結果、補正後の描画パターンの形状が被露光基板の歪みの形状に近付き、実装用パッドと電子部品の電極とのピッチずれを抑制しつつ、高精度な層間の位置合わせを実現することができる。   As described above, according to the drawing apparatus of the present invention, as the magnitude of the distortion of the substrate to be exposed increases, the correction amount decreases.As a result, the shape of the drawing pattern after correction approaches the shape of the distortion of the substrate to be exposed, High-precision interlayer alignment can be realized while suppressing a pitch shift between the mounting pad and the electrode of the electronic component.

なお、本発明に係る描画装置は、上記導出部が、上記物理量として、上記複数の基準マークの各々毎の上記第1の位置及び上記第2の位置のずれ量の最大値、上記ずれ量の各々の平均値、及び上記ずれ量の各々の積算値の少なくとも1つを導出するようにしても良い。また、本発明に係る描画装置は、上記導出部が、上記物理量として、上記第1の位置に基づいて得られる上記複数の基準マークの相互間の距離と、対応する上記第2の位置に基づいて得られる上記複数の基準マークの相互間の距離との差分の最大値、上記差分の各々の平均値、及び上記差分の各々の積算値の少なくとも1つを導出するようにしても良い。上記物理量として基準マークの各々毎のずれ量の最大値を導出することにより、より確実に補正を行うことができる。また、基準マークの各々毎のずれ量の平均値を導出することにより、特異なずれに起因する誤補正の発生を抑制することができる。更に、基準マークの各々毎のずれ量の積算値を導出することにより、全てのずれ量を反映した補正を行うことができる。   In the drawing apparatus according to the present invention, the deriving unit may determine, as the physical quantity, a maximum value of a shift amount between the first position and the second position for each of the plurality of reference marks, At least one of each of the average values and the integrated value of each of the shift amounts may be derived. Further, in the drawing apparatus according to the present invention, the deriving unit may determine the physical quantity based on a distance between the plurality of reference marks obtained based on the first position and a corresponding second position. At least one of a maximum value of a difference from the distance between the plurality of reference marks, an average value of each of the differences, and an integrated value of each of the differences may be derived. By deriving the maximum value of the shift amount for each of the reference marks as the physical quantity, the correction can be performed more reliably. In addition, by deriving the average value of the deviation amount for each of the reference marks, it is possible to suppress occurrence of erroneous correction due to the peculiar deviation. Further, by deriving the integrated value of the shift amount for each of the reference marks, it is possible to perform the correction reflecting all the shift amounts.

なお、本発明に係る描画装置は、上記低減手段が、上記導出部で導出された補正量の各々に、上記物理量が大きくなるほど小さい1未満の正の値を乗算すること、上記物理量が大きくなるほど大きい1を超える値で除算すること、及び上記物理量が大きくなるほど大きくかつ当該補正量より小さい正の値を減算することの少なくとも1つを行うことにより、上記導出部で導出された補正量の各々から、上記物理量が大きくなるほど多い量を低減するようにしても良い。これにより、簡易な演算により補正量を低減させることができる。   Note that in the drawing apparatus according to the present invention, the reducing unit multiplies each of the correction amounts derived by the deriving unit by a positive value smaller than 1 as the physical quantity increases, and increases the physical quantity as the physical quantity increases. By performing at least one of dividing by a value larger than 1 and subtracting a positive value that is larger as the physical quantity becomes larger and smaller than the correction quantity, each of the correction quantities derived by the derivation unit is obtained. Therefore, a larger amount may be reduced as the physical amount increases. Thus, the correction amount can be reduced by a simple calculation.

なお、本発明に係る描画装置は、上記描画パターンが、電子配線を示す回路パターンであり、上記補正部が、上記低減部で低減された補正量が、上記描画パターンにおけるランドの内部に導通ビアが収まるものとして定められた第1の補正量より大きい場合、当該第1の補正量に基づいて上記描画パターンを示す座標データを補正するようにしても良い。これにより、被露光基板の不良の原因となるランド欠け(導通ビアのランド外へのはみ出し)を防止することができる。   Note that in the drawing apparatus according to the present invention, the drawing pattern is a circuit pattern indicating an electronic wiring, and the correction unit sets the correction amount reduced by the reduction unit to a conductive via inside a land in the drawing pattern. May be corrected based on the first correction amount, the coordinate data indicating the drawing pattern may be corrected. This can prevent chipping of the land (protrusion of the conductive via out of the land) which causes a defect of the substrate to be exposed.

なお、本発明に係る描画装置は、上記描画パターンが、ソルダーレジスト層の部品実装用の開口穴を示すソルダーレジストパターンであり、上記補正部が、上記低減部で低減された補正量が、上記開口穴が部品と接合するための導体パッドの内部に納まるものとして定められた第2の補正量より大きい場合、当該第2の補正量に基づいて上記描画パターンを示す座標データを補正するようにしても良い。これにより、被露光基板の不良の原因となる導体パッドと開口穴との位置ずれを防止することができる。   Note that, in the drawing apparatus according to the present invention, the drawing pattern is a solder resist pattern indicating an opening for component mounting of the solder resist layer, and the correction unit reduces the correction amount reduced by the reduction unit. When the opening is larger than a second correction amount determined to fit inside the conductor pad for joining with the component, the coordinate data indicating the drawing pattern is corrected based on the second correction amount. May be. Thus, it is possible to prevent a displacement between the conductive pad and the opening hole, which causes a defect of the substrate to be exposed.

なお、本発明に係る描画装置は、上記導出手段が、上記第1の位置及び上記第2の位置のずれ量から、上記被露光基板の平行移動によるずれ、回転によるずれ、及び伸縮によるずれの少なくとも1つを減算したずれ量に基づいて上記補正量を導出するようにしても良い。これにより、実装用パッドと電子部品の電極とのピッチずれをより確実に抑制することができる。   In the drawing apparatus according to the present invention, the deriving unit may determine whether the displacement due to the parallel movement, the displacement due to the rotation, and the displacement due to expansion and contraction of the substrate to be exposed are based on the displacement between the first position and the second position. The correction amount may be derived based on a deviation amount obtained by subtracting at least one. This makes it possible to more reliably suppress the pitch deviation between the mounting pad and the electrode of the electronic component.

なお、本発明に係る描画装置は、上記物理量及び上記補正量の低減率が各々対応付けられた低減情報の入力を受け付ける受付部を更に備え、上記低減部が、上記受付部で受け付けられた低減情報において上記導出部で導出された上記物理量に対応付けられた低減率を用いて、上記導出部で導出された補正量を低減するようにしても良い。これにより、補正量の低減の度合いを容易に設定することができる結果、ユーザにとっての利便性を向上させることができる。   In addition, the drawing apparatus according to the present invention further includes a receiving unit that receives an input of reduction information in which the reduction rate of the physical quantity and the reduction rate of the correction amount are associated with each other, wherein the reduction unit receives the reduction received by the reception unit. The correction amount derived by the deriving unit may be reduced by using a reduction rate associated with the physical quantity derived by the deriving unit in the information. As a result, the degree of reduction of the correction amount can be easily set, so that convenience for the user can be improved.

一方、上記目的を達成するために、本発明に係る露光描画装置は、本発明に係る描画装置と、上記描画装置の上記補正手段で補正された座標データに基づいて上記被露光基板に上記描画パターンを露光して描画する露光手段と、を備えている。   On the other hand, in order to achieve the above object, an exposure / drawing apparatus according to the present invention includes a drawing apparatus according to the present invention and the drawing / drawing apparatus on the substrate to be exposed based on coordinate data corrected by the correction unit of the drawing apparatus. Exposure means for exposing and drawing the pattern.

従って、本発明に係る露光描画装置によれば、本発明に係る描画装置と同様に作用するので、当該描画装置と同様に、実装用パッドと電子部品の電極とのピッチずれを抑制しつつ、高精度な層間の位置合わせを実現することができる。   Therefore, according to the exposure and drawing apparatus according to the present invention, since it operates in the same manner as the drawing apparatus according to the present invention, similarly to the drawing apparatus, while suppressing the pitch shift between the mounting pad and the electrode of the electronic component, Highly accurate alignment between layers can be realized.

なお、本発明に係る露光描画装置は、上記被露光基板に複数の層の描画パターンを積層させて描画する場合に、上記取得部、上記導出部、上記低減部、上記補正部、及び上記露光部を制御し、上記複数の層の各々毎に、上記取得部による取得、上記導出部による導出、上記低減部による低減、上記補正部による補正、及び上記露光部による露光の各々を行う制御部を更に備えるようにしても良い。これにより、複数の描画パターンを積層させて描画する場合であっても、実装用パッドと電子部品の電極とのピッチずれを抑制しつつ、高精度な層間の位置合わせを実現することができる。   The exposure / drawing apparatus according to the present invention is configured such that, when a drawing pattern of a plurality of layers is stacked and drawn on the substrate to be exposed, the acquisition unit, the derivation unit, the reduction unit, the correction unit, and the exposure unit A control unit that controls a unit and performs, for each of the plurality of layers, acquisition by the acquisition unit, derivation by the derivation unit, reduction by the reduction unit, correction by the correction unit, and exposure by the exposure unit. May be further provided. Accordingly, even when a plurality of drawing patterns are stacked and drawn, it is possible to realize high-precision interlayer alignment while suppressing a pitch shift between the mounting pad and the electrode of the electronic component.

なお、本発明に係る露光描画装置は、上記被露光基板の歪みの大きさとして許容される上限である上記物理量の最大許容量を示す許容量情報を記憶する記憶部を更に備え、上記制御部が、上記導出部で導出された上記物理量が上記許容量情報によって示される最大許容量より大きい場合、上記被露光基板に対する上記露光部による露光を禁止するようにしても良い。これにより、無駄な露光の実施を回避することができる。   The exposure / drawing apparatus according to the present invention further includes a storage unit for storing permissible amount information indicating a maximum permissible amount of the physical amount, which is an upper limit permissible as the magnitude of the distortion of the substrate to be exposed, and the control unit However, when the physical quantity derived by the derivation unit is larger than the maximum allowable amount indicated by the allowable amount information, the exposure of the substrate to be exposed by the exposure unit may be prohibited. Thus, useless exposure can be avoided.

また、上記目的を達成するために、本発明に係るプログラムは、コンピュータを、被露光基板に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、上記第1の位置を基準として定められた上記被露光基板に描画する描画パターンを示す座標データ、及び上記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得部と、上記第1の位置及び上記第2の位置に基づいて上記被露光基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ上記複数の基準マークの各々毎に、上記第1の位置及び上記第2の位置のずれに対する補正量を導出する導出部と、上記導出部で導出された補正量の各々から、上記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減部と、上記第2の位置を基準として上記被露光基板に上記描画パターンを描画する場合、上記低減部で低減された補正量に基づいて上記描画パターンを示す座標データを補正する補正部と、として機能させる。   In order to achieve the above object, a program according to the present invention includes: a computer which stores coordinate data indicating a first position which is a design position of a plurality of reference marks provided on a substrate to be exposed; An acquisition unit that acquires coordinate data indicating a drawing pattern to be drawn on the substrate to be exposed determined based on the position of the reference mark, and coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks. Deriving a physical quantity indicating the magnitude of the distortion of the substrate to be exposed based on the first position and the second position, and for each of the plurality of reference marks, the first position and the second position. A deriving unit that derives a correction amount for the displacement of the second position, a reducing unit that reduces, from each of the correction amounts derived by the deriving unit, a larger amount as the physical quantity increases, and a second position based on the second position. the above When drawing the drawing pattern on the exposed substrate, and a correcting unit for correcting the coordinate data representing the drawing pattern based on the correction amount is reduced by the reduction unit, to function as a.

従って、本発明に係るプログラムによれば、コンピュータを本発明に係る描画装置と同様に作用させることができるので、当該描画装置と同様に、実装用パッドと電子部品の電極とのピッチずれを抑制しつつ、高精度な層間の位置合わせを実現することができる。   Therefore, according to the program according to the present invention, the computer can be operated in the same manner as the drawing apparatus according to the present invention, and thus, similarly to the drawing apparatus, the pitch deviation between the mounting pad and the electrode of the electronic component is suppressed. In addition, highly accurate alignment between layers can be realized.

さらに、上記目的を達成するために、本発明に係る描画方法は、被露光基板に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、上記第1の位置を基準として定められた上記被露光基板に描画する描画パターンを示す座標データ、及び上記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得ステップと、上記第1の位置及び上記第2の位置に基づいて上記被露光基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ上記複数の基準マークの各々毎に、上記第1の位置及び上記第2の位置のずれに対する補正量を導出する導出ステップと、上記導出ステップで導出された補正量の各々から、上記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減ステップと、上記第2の位置を基準として上記被露光基板に上記描画パターンを描画する場合、上記低減ステップで低減された補正量に基づいて上記描画パターンを示す座標データを補正する補正ステップと、を備えている。   Further, in order to achieve the above object, the drawing method according to the present invention comprises: a coordinate data indicating a first position which is a design position of a plurality of fiducial marks provided on the substrate to be exposed; An acquisition step of acquiring coordinate data indicating a drawing pattern to be drawn on the substrate to be exposed determined with reference to the reference position, and acquiring coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks; A physical quantity indicating the magnitude of the distortion of the substrate to be exposed is derived based on the first position and the second position, and the first position and the second position are determined for each of the plurality of reference marks. A deriving step of deriving a correction amount for the position shift; a reducing step of reducing the larger amount from the correction amounts derived in the deriving step as the physical quantity increases; and When drawing the drawing pattern on the substrate to be exposed Te, and a, a correction step of correcting the coordinate data representing the drawing pattern based on the correction amount is reduced by the reduction step.

従って、本発明に係る描画方法によれば、本発明に係る描画装置と同様に作用するので、当該描画装置と同様に、実装用パッドと電子部品の電極とのピッチずれを抑制しつつ、高精度な層間の位置合わせを実現することができる。   Therefore, according to the drawing method according to the present invention, since it operates in the same manner as the drawing apparatus according to the present invention, similarly to the drawing apparatus, it is possible to suppress a pitch shift between the mounting pad and the electrode of the electronic component while maintaining a high pitch. Accurate alignment between layers can be realized.

本発明によれば、実装用パッドと電子部品の電極とのピッチずれを抑制しつつ、高精度な層間の位置合わせを実現する、という効果を奏する。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is effective in realizing highly accurate alignment between layers, suppressing the pitch shift between the mounting pad and the electrode of the electronic component.

実施形態に係る露光描画装置の外観を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating an appearance of an exposure / drawing apparatus according to an embodiment. 実施形態に係る露光描画装置の主要部の構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration of a main part of an exposure / drawing apparatus according to an embodiment. 実施形態に係る露光描画装置の露光ヘッドの構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view illustrating a configuration of an exposure head of the exposure / drawing apparatus according to the embodiment. 実施形態に係る露光描画装置において被露光基板に形成される露光済み領域を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing an exposed area formed on the substrate to be exposed in the exposure / drawing apparatus according to the embodiment. 実施形態に係る露光描画装置の電気系の構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of an electric system of the exposure / drawing apparatus according to the embodiment. 歪みが発生していない被露光基板の一例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing an example of a substrate to be exposed where no distortion has occurred. 歪みが発生している被露光基板の一例を示す平面図である。It is a top view showing an example of a to-be-exposed substrate in which distortion has occurred. 実施形態に係る露光制御処理における歪み量の導出方法の説明に供する平面図である。FIG. 9 is a plan view for describing a method for deriving a distortion amount in exposure control processing according to the embodiment. 実施形態に係る露光制御処理における歪み量の導出方法の別例の説明に供する平面図である。FIG. 11 is a plan view for explaining another example of a method for deriving a distortion amount in the exposure control processing according to the embodiment. 実施形態に係る低減情報の一例を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing an example of reduction information concerning an embodiment. 実施形態に係る露光制御処理における被露光基板の歪みの大きさを示す物理量と低減率との関係の一例を示すグラフである。6 is a graph illustrating an example of a relationship between a physical quantity indicating a magnitude of distortion of a substrate to be exposed and a reduction rate in an exposure control process according to the embodiment. 実施形態に係る露光描画装置において、被露光基板の歪みに応じた座標変換の対象とされる領域の一例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing an example of an area to be subjected to coordinate conversion according to distortion of a substrate to be exposed in the exposure and drawing apparatus according to the embodiment. 実施形態に係る露光描画装置において、被露光基板の歪みに応じた座標変換の対象とされる領域の別例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating another example of an area to be subjected to coordinate conversion according to distortion of a substrate to be exposed in the exposure / drawing apparatus according to the embodiment. 実施形態に係る露光描画装置において、被露光基板の歪みに応じた座標変換の対象とされる領域の別例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating another example of an area to be subjected to coordinate conversion according to distortion of a substrate to be exposed in the exposure / drawing apparatus according to the embodiment. 第1実施形態に係る露光制御処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。5 is a flowchart illustrating a flow of processing of an exposure control processing program according to the first embodiment. 実施形態に係る露光制御処理における被露光基板の歪みに応じた座標変換の方法の説明に供する平面図である。FIG. 6 is a plan view for describing a method of coordinate conversion according to distortion of a substrate to be exposed in an exposure control process according to the embodiment. 第1実施形態に係る露光描画装置において、被露光基板の歪みに応じた座標変換を行っていない場合の対象画像の一例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a target image when coordinate conversion according to distortion of a substrate to be exposed is not performed in the exposure and drawing apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光描画装置において、被露光基板の歪みに応じた座標変換を、補正量を低減させつつ行った場合の座標変換後の対象画像の一例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view illustrating an example of the target image after the coordinate conversion when the coordinate conversion according to the distortion of the substrate to be exposed is performed while reducing the correction amount in the exposure and drawing apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光描画装置において被露光基板に多層に描画パターンを描画した場合の被露光基板の一例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate to be exposed when a multilayer pattern is drawn on the substrate to be exposed in the exposure and drawing apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光描画装置において被露光基板に多層に描画パターンを描画した場合の各層に描画される対象画像の一例を示す平面図である、FIG. 3 is a plan view illustrating an example of target images drawn on each layer when a drawing pattern is drawn on a substrate to be exposed in multiple layers in the exposure / drawing apparatus according to the first embodiment. アニュラーリングの説明に供する平面図である。It is a top view for explanation of an annular ring. 第2実施形態に係る露光制御処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flow chart which shows a flow of processing of an exposure control processing program concerning a 2nd embodiment. 第2実施形態に係る露光描画装置において、被露光基板の歪みに応じた座標変換を、補正量を低減させつつ行った場合の座標変換後の対象画像の一例を示す拡大平面図である。FIG. 11 is an enlarged plan view illustrating an example of a target image after coordinate conversion when coordinate conversion according to distortion of a substrate to be exposed is performed while reducing the amount of correction in the exposure and drawing apparatus according to the second embodiment. 第2実施形態に係る露光描画装置において、被露光基板の歪みに応じた座標変換を、低減補正量を制限せずに行った場合の座標変換後の対象画像の一例(左図)、及び低減補正量を制限しつつ行った場合の座標変換後の対象画像の一例(右図)を示す平面図である。In the exposure / drawing apparatus according to the second embodiment, an example of the target image after the coordinate conversion when the coordinate conversion according to the distortion of the substrate to be exposed is performed without limiting the reduction correction amount (left diagram), and the reduction. It is a top view showing an example (right figure) of a target picture after coordinate conversion when it is performed, limiting the amount of correction.

〔第1実施形態〕
以下、実施形態に係る露光描画装置について添付図面を用いて詳細に説明する。本実施形態では、本発明を、被露光基板(後述する被露光基板C)に光ビームを露光して回路パターン、ソルダーレジスト層の部品実装用の開口穴を示すソルダーレジストパターン等の描画パターンを描画する露光描画装置に適用した場合を例に挙げて説明する。なお、被露光基板としては、プリント配線基板、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板等の平板基板が例示される。また、本実施形態に係る露光描画装置では、露光描画の対象とする被露光基板が矩形状の形状を呈したものとされている。
[First Embodiment]
Hereinafter, an exposure drawing apparatus according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present embodiment, the present invention is applied to a method in which a substrate to be exposed (substrate C to be described later) is exposed to a light beam to form a drawing pattern such as a circuit pattern or a solder resist pattern indicating an opening for mounting a component in a solder resist layer. A case where the present invention is applied to an exposure drawing apparatus for drawing will be described as an example. As the substrate to be exposed, a flat board such as a printed wiring board or a glass substrate for a flat panel display is exemplified. In the exposure and drawing apparatus according to the present embodiment, the substrate to be exposed and drawn has a rectangular shape.

図1及び図2に示すように、本実施形態に係る露光描画装置10は、被露光基板Cを固定するための平板状のステージ12を備えている。ステージ12の上面には、空気を吸入する複数の吸入孔(図示省略)が設けられている。これにより、ステージ12の上面に被露光基板Cが載置された際に、被露光基板C及びステージ12間の空気が吸入されることで被露光基板Cがステージ12に真空吸着される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment includes a flat stage 12 for fixing a substrate C to be exposed. A plurality of suction holes (not shown) for sucking air are provided on the upper surface of the stage 12. Thus, when the substrate C to be exposed is placed on the upper surface of the stage 12, the air between the substrate C to be exposed and the stage 12 is sucked, so that the substrate C to be exposed is vacuum-adsorbed to the stage 12.

本実施形態に係るステージ12は、卓状の基体14の上面に移動可能に設けられた平板状の基台16に支持されている。すなわち、基体14の上面には、1本または複数本(本実施形態では、2本)のガイドレール18が設けられている。基台16は、ガイドレール18に沿って自在に移動できるようにガイドレール18に支持されており、モータ、油圧ポンプ等により構成された駆動機構(後述するステージ駆動部42)により駆動されて移動する。したがって、ステージ12は、基台16の移動に連動してガイドレール18に沿って移動する。   The stage 12 according to the present embodiment is supported on a flat base 16 movably provided on the upper surface of a table-like base 14. That is, one or more (two in this embodiment) guide rails 18 are provided on the upper surface of the base 14. The base 16 is supported by the guide rail 18 so as to be freely movable along the guide rail 18, and is driven and moved by a driving mechanism (a stage driving unit 42 described later) including a motor, a hydraulic pump, and the like. I do. Therefore, the stage 12 moves along the guide rail 18 in conjunction with the movement of the base 16.

なお、図2に示すように、以下では、ステージ12が移動する方向をY方向と定め、このY方向に対して水平面内で直交する方向をX方向と定め、Y方向に鉛直面内で直交する方向をZ方向と定める。   In addition, as shown in FIG. 2, hereinafter, the direction in which the stage 12 moves is defined as a Y direction, a direction orthogonal to the Y direction in a horizontal plane is defined as an X direction, and the direction orthogonal to the Y direction in a vertical plane is defined. Is defined as the Z direction.

基体14の上面には、2本のガイドレール18を跨ぐように立設された門型のゲート20が設けられている。ステージ12に載置された被露光基板Cは、ゲート20の開口部をガイドレール18に沿って出入りするようにして移動する。ゲート20の開口部の上部には、当該開口部に向けて光ビームを露光する露光部22が取り付けられている。この露光部22により、ステージ12がガイドレール18に沿って移動して上記開口部に位置している場合に、ステージ12に載置された被露光基板Cの上面に光ビームが露光される。   On the upper surface of the base 14, a gate-shaped gate 20 erected so as to straddle the two guide rails 18 is provided. The substrate C to be exposed placed on the stage 12 moves so as to enter and exit the opening of the gate 20 along the guide rail 18. An exposure unit 22 for exposing a light beam toward the opening is attached above the opening of the gate 20. When the stage 12 moves along the guide rail 18 and is positioned at the opening, the exposure unit 22 exposes the upper surface of the substrate C to be exposed placed on the stage 12 with a light beam.

本実施形態に係る露光部22は、複数個(本実施形態では、10個)の露光ヘッド22aを含んで構成されている。また、露光部22には、後述する光源ユニット24から引き出された光ファイバ26と、後述する画像処理ユニット28から引き出された信号ケーブル30とがそれぞれ接続されている。   The exposure unit 22 according to the present embodiment includes a plurality of (ten in the present embodiment) exposure heads 22a. Further, an optical fiber 26 drawn from a light source unit 24 described later and a signal cable 30 drawn from an image processing unit 28 described later are connected to the exposure unit 22, respectively.

露光ヘッド22aの各々は、反射型の空間光変調素子としてのデジタルマイクロミラーデバイス(DMD)を有している。一方、露光描画装置10は、露光ヘッド22aに対して光ビームを出射する光源ユニット24、及び、露光ヘッド22aに対して画像情報を出力する画像処理ユニット28を備えている。露光ヘッド22aは、画像処理ユニット28から入力した画像情報に基づいてDMDを制御することで光源ユニット24からの光ビームを変調する。露光描画装置10は、この変調した光ビームを被露光基板Cに照射することにより被露光基板Cに対する露光を行う。なお、空間光変調素子は反射型に限定されず、液晶等の透過型の空間光変調素子であっても良い。   Each of the exposure heads 22a has a digital micromirror device (DMD) as a reflective spatial light modulator. On the other hand, the exposure drawing apparatus 10 includes a light source unit 24 that emits a light beam to the exposure head 22a, and an image processing unit 28 that outputs image information to the exposure head 22a. The exposure head 22a modulates the light beam from the light source unit 24 by controlling the DMD based on the image information input from the image processing unit 28. The exposure drawing apparatus 10 exposes the substrate C by irradiating the substrate C with the modulated light beam. The spatial light modulator is not limited to the reflection type, but may be a transmission type spatial light modulator such as a liquid crystal.

基体14の上面には、さらに、2本のガイドレール18を跨ぐように立設された門型のゲート32が設けられている。ステージ12に載置された被露光基板Cは、ゲート32の開口部をガイドレール18に沿って出入りするようにして移動する。   On the upper surface of the base 14, there is further provided a gate-shaped gate 32 erected so as to straddle the two guide rails 18. The substrate C to be exposed placed on the stage 12 moves so as to enter and exit the opening of the gate 32 along the guide rail 18.

ゲート32の開口部の上部には、当該開口部を撮影するための1個または複数個(本実施形態では、2個)の撮影部34が取り付けられている。撮影部34は、1回の発光時間が極めて短いストロボを内蔵したCCDカメラ等である。また、ゲート32の開口部の上部には、ステージ12の移動方向(Y方向)に対して水平面内において垂直な方向(X方向)に沿ってレール34aが設けられ、撮影部34の各々はレール34aに案内されて移動可能に設けられている。この撮影部34により、ステージ12がガイドレール18に沿って移動して上記開口部に位置している場合に、ステージ12に載置された被露光基板Cの上面が撮影される。   Above the opening of the gate 32, one or more (two in the present embodiment) photographing units 34 for photographing the opening are attached. The photographing unit 34 is a CCD camera or the like having a built-in strobe with a very short light emission time. A rail 34a is provided above the opening of the gate 32 along a direction (X direction) perpendicular to the horizontal direction of the movement of the stage 12 (Y direction). It is provided movably guided by 34a. When the stage 12 moves along the guide rail 18 and is positioned at the opening, the photographing section 34 photographs the upper surface of the substrate C to be exposed placed on the stage 12.

次に、本実施形態に係る露光ヘッド22aによる露光処理について説明する。   Next, an exposure process by the exposure head 22a according to the present embodiment will be described.

図3に示すように、本実施形態に係る露光ヘッド22aで露光される領域である画像領域22bは、一方の辺が、ステージ12の移動方向(Y方向)に対して予め定められた傾斜角で傾斜した矩形状である。また、ステージ12がゲート20の開口部を移動している際に露光ヘッド22aにより光ビームが露光されると、ステージ12の移動に伴って被露光基板Cに露光ヘッド22a毎に帯状の露光済み領域22cが形成される。   As shown in FIG. 3, an image area 22b which is an area exposed by the exposure head 22a according to the present embodiment has one side having a predetermined inclination angle with respect to the moving direction (Y direction) of the stage 12. It is a rectangular shape inclined at. When the stage 12 is moving through the opening of the gate 20 and the light beam is exposed by the exposure head 22a, the substrate C to be exposed is strip-shaped exposed for each exposure head 22a as the stage 12 moves. A region 22c is formed.

また、図2及び図3に示すように、露光ヘッド22aの各々は、露光部22にマトリクス状に配列され、図4に示すように、X方向に、画像領域22bの長辺の長さを自然数倍(本実施形態では、1倍)した距離ずつずらして配置されている。そして、露光済み領域22cの各々は、隣接する露光済み領域22cと部分的に重ねられて形成される。   Also, as shown in FIGS. 2 and 3, each of the exposure heads 22a is arranged in a matrix in the exposure unit 22, and as shown in FIG. They are shifted by a distance that is a natural number times (in this embodiment, 1). Each of the exposed areas 22c is formed so as to partially overlap with the adjacent exposed area 22c.

次に、本実施形態に係る露光描画装置10の電気系の構成について説明する。   Next, a configuration of an electric system of the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment will be described.

図5に示すように、露光描画装置10には、装置各部にそれぞれ電気的に接続されるシステム制御部40が設けられており、このシステム制御部40により露光描画装置10の各部が統括的に制御される。また、露光描画装置10は、ステージ駆動部42、操作装置44、撮影駆動部46、及び外部入出力部48を有している。   As shown in FIG. 5, the exposure / drawing apparatus 10 is provided with a system control unit 40 which is electrically connected to each unit of the apparatus. The system control unit 40 controls each unit of the exposure / drawing apparatus 10 in an integrated manner. Controlled. Further, the exposure / drawing apparatus 10 includes a stage drive unit 42, an operation device 44, a photographing drive unit 46, and an external input / output unit 48.

システム制御部40は、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、及びHDD(Hard Disk Drive)40Aを有している。また、システム制御部40は、上記CPUにより、光源ユニット24から光ビームを出射させると共に、ステージ12の移動に応じたタイミングで対応する画像情報を画像処理ユニット28により出力させることで、被露光基板Cに対する光ビームの露光を制御する。   The system control unit 40 has a CPU (Central Processing Unit), a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), and a HDD (Hard Disk Drive) 40A. The system control unit 40 causes the CPU to emit a light beam from the light source unit 24 and cause the image processing unit 28 to output corresponding image information at a timing corresponding to the movement of the stage 12, thereby allowing the substrate to be exposed to light. The exposure of the light beam to C is controlled.

ステージ駆動部42は、上述したように、モータ、油圧ポンプ等により構成された駆動機構を有しており、システム制御部40の制御によってステージ12を移動させる。   The stage drive unit 42 has a drive mechanism including a motor, a hydraulic pump, and the like, as described above, and moves the stage 12 under the control of the system control unit 40.

操作装置44は、システム制御部40の制御により各種情報を表示する表示部と、ユーザ操作により各種情報を入力する入力部とを有している。   The operation device 44 has a display unit that displays various information under the control of the system control unit 40, and an input unit that inputs various information by a user operation.

撮影駆動部46は、モータ、油圧ポンプ等により構成された駆動機構を有しており、システム制御部40の制御によって撮影部34を移動させる。   The imaging driving unit 46 has a driving mechanism including a motor, a hydraulic pump, and the like, and moves the imaging unit 34 under the control of the system control unit 40.

外部入出力部48は、露光描画装置10に接続されたパーソナルコンピュータ等の情報処理装置との間で各種情報の入出力を行う。   The external input / output unit 48 inputs and outputs various information to and from an information processing apparatus such as a personal computer connected to the exposure / drawing apparatus 10.

ところで、図2に示すように、本実施形態に係る被露光基板Cには、画像が描画される際の位置決めの基準とされる複数(本実施形態では、4つ)のアライメントマーク(以下、「基準マーク」という。)Mが設けられている。一例として図6Aに示すように、本実施形態に係る露光描画装置10では、被露光基板Cの角部の各々に基準マークM1乃至M4(以下、4つをまとめて「基準マークM」ともいう。)が設けられている。具体的には、被露光基板Cの図6Aの正面視左上の位置に基準マークM1、右上の位置に基準マークM2、左下の位置に基準マークM3、及び右下の位置に基準マークM4が各々設けられている。   By the way, as shown in FIG. 2, a plurality of (four in the present embodiment) alignment marks (hereinafter, referred to as a reference) for positioning when an image is drawn are formed on a substrate C to be exposed according to the present embodiment. M is provided. As an example, as shown in FIG. 6A, in the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment, reference marks M1 to M4 (hereinafter, four are collectively referred to as “reference marks M”) are provided at each corner of the substrate C to be exposed. .) Is provided. Specifically, the reference mark M1 is located at the upper left position in the front view of FIG. 6A of the exposed substrate C, the reference mark M2 is located at the upper right position, the reference mark M3 is located at the lower left position, and the reference mark M4 is located at the lower right position. Is provided.

本実施形態に係る露光描画装置10は、被露光基板Cに、基準マークMの各々に対して予め定められた相対位置に画像情報によって示される描画パターン等の画像(以下、「対象画像」という。)62を描画する。本実施形態に係る露光描画装置10では、対象画像62の外郭形状が矩形状であるが、これに限定されず、楕円形状、星型形状等、任意の形状であっても良い。   The exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment includes an image of a drawing pattern or the like (hereinafter, referred to as a “target image”) indicated by image information at a predetermined relative position with respect to each of the reference marks M on a substrate C to be exposed. .) 62 is drawn. In the exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment, the outer shape of the target image 62 is rectangular, but is not limited thereto, and may be any shape such as an elliptical shape or a star shape.

露光描画装置10は、対象画像62を描画する際、被露光基板Cに対して光ビームを露光する前に、撮影部34によって基準マークMの各々を撮影し、撮影画像から基準マークMの各々の位置を計測する。そして露光描画装置10は、計測した基準マークMの各々の位置に基づいて対象画像62を描画させる領域を決定し、決定した領域に対象画像62を描画する。   When drawing the target image 62, the exposure / drawing apparatus 10 captures each of the reference marks M by the capturing unit 34 before exposing the exposure target substrate C to the light beam. Measure the position of. Then, the exposure drawing apparatus 10 determines an area in which the target image 62 is drawn based on the measured positions of the reference marks M, and draws the target image 62 in the determined area.

また、一例として図6Bに示すように、従来の露光描画装置10には、被露光基板Cに対象画像62を描画する前に、基準マークMの各々の位置から被露光基板Cの歪み量を導出するものがあった。そして、この従来の露光描画装置10では、導出した歪みの大きさに応じて対象画像62の形状を補正する。   As an example, as shown in FIG. 6B, the conventional exposure and drawing apparatus 10 calculates the amount of distortion of the substrate C from each position of the reference mark M before drawing the target image 62 on the substrate C. There was something to derive. Then, in the conventional exposure and drawing apparatus 10, the shape of the target image 62 is corrected according to the magnitude of the derived distortion.

この際、本実施形態に係る露光描画装置10は、設計上の対象画像62の形状と描画される対象画像62の形状とが乖離することによって電子部品の実装の精度が低下することを防止するため、対象画像62の被露光基板Cの歪みに対する補正量を低減する。このとき、本実施形態に係る露光描画装置10は、基準マークMの各々のずれ量に対応する補正量(以下、「純補正量」という。)から、被露光基板Cの歪みの大きさを示す物理量が大きくなるほど多い量を低減する。これにより、対象画像62の設計上の形状からの変形が抑制される。そして、本実施形態に係る露光描画装置10は、低減した基準マークMの各々の補正量(以下、「低減補正量」という。)に応じて対象画像62を変形させる。   At this time, the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment prevents the accuracy of the mounting of the electronic component from being degraded due to the difference between the design shape of the target image 62 and the shape of the target image 62 to be drawn. Therefore, the correction amount for the distortion of the substrate C to be exposed of the target image 62 is reduced. At this time, the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment calculates the magnitude of the distortion of the substrate C to be exposed from the correction amount corresponding to each shift amount of the reference mark M (hereinafter, referred to as “pure correction amount”). The larger the physical quantity shown, the more the quantity is reduced. Thereby, the deformation of the target image 62 from the designed shape is suppressed. Then, the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment deforms the target image 62 according to each of the reduced correction amounts of the reference mark M (hereinafter, referred to as “reduction correction amount”).

なお、一例として図7に示すように、本実施形態に係る露光描画装置10は、上記物理量として、基準マークMの各々毎の設計上の位置と計測で得られた位置(実際の位置)とのずれ量deの最大値を用いる。図7では、設計上の基準マークMの各々の位置を実線で接続して示し、計測で得られた基準マークMの各々の位置を点線で接続して示している。また、図7の正面視左右方向をx方向、正面視上下方向をy方向とし、x方向に対するずれ量をずれ量dx、y方向に対するずれ量をずれ量dyとすると、ずれ量deは、下記の(1)式で表される。   As an example, as shown in FIG. 7, the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment includes, as the physical quantity, a design position for each of the reference marks M and a position obtained by measurement (actual position). The maximum value of the deviation amount de is used. In FIG. 7, the positions of the reference marks M in design are connected by solid lines, and the positions of the reference marks M obtained by measurement are connected by dotted lines. Further, assuming that the horizontal direction in front view in FIG. 7 is the x direction, the vertical direction in front view is the y direction, the shift amount in the x direction is the shift amount dx, and the shift amount in the y direction is the shift amount dy, the shift amount de is as follows. (1)


このように、本実施形態に係る露光描画装置10では、上記ずれ量の最大値を上記物理量として用いるが、これに限定されず、当該ずれ量の各々の平均値、または当該ずれ量の各々の積算値を上記物理量として用いても良い。また、上記最大値、上記平均値、上記積算値の複数の組み合わせを上記物理量として用いても良い。

As described above, in the exposure and drawing apparatus 10 according to the present embodiment, the maximum value of the shift amount is used as the physical quantity, but is not limited thereto, and the average value of the shift amounts or the respective values of the shift amounts are used. The integrated value may be used as the physical quantity. Further, a plurality of combinations of the maximum value, the average value, and the integrated value may be used as the physical quantity.

あるいは、一例として図8に示すように、基準マークM1乃至M4の相互間の設計上の距離Pa1乃至Pa6と計測で得られた距離Pb1乃至Pb6との対応する距離同士の差分の最大値を上記物理量として用いても良い。なお、図8では、図7と同様に、設計上の基準マークMの各々の位置を実線で接続して示し、計測で得られた基準マークMの各々の位置を点線で接続して示している。なお、上記差分の各々の平均値、または上記差分の各々の積算値を上記物理量として用いても良い。更に、上記最大値、上記平均値、及び上記積算値の複数の組み合わせを上記物理量として用いても良い。   Alternatively, as shown in FIG. 8 as an example, the maximum value of the difference between the corresponding distances between the design distances Pa1 to Pa6 between the reference marks M1 to M4 and the distances Pb1 to Pb6 obtained by the measurement is calculated as described above. It may be used as a physical quantity. In FIG. 8, similarly to FIG. 7, each position of the design reference mark M is shown by connecting with a solid line, and each position of the reference mark M obtained by measurement is shown by connecting with a dotted line. I have. The average value of each of the differences or the integrated value of each of the differences may be used as the physical quantity. Further, a plurality of combinations of the maximum value, the average value, and the integrated value may be used as the physical quantity.

一方、本実施形態に係る露光描画装置10は、低減補正量を導出するために、設計上の基準マークMの各々の位置が座標データで表された位置情報と、低減情報50とを、システム制御部40のHDD40Aの所定領域に予め記憶している。   On the other hand, in order to derive the reduction correction amount, the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment uses the position information in which each position of the design reference mark M is represented by coordinate data and the reduction information 50 as a system. It is stored in a predetermined area of the HDD 40A of the control unit 40 in advance.

一例として図9に示すように、本実施形態に係る低減情報50は、上記物理量を示す物理量情報と、純補正量を低減させる際の低減率を示す低減率情報と、被露光基板Cに対する処理内容を示す処理内容情報とが各々対応付づけられた情報である。なお、同図に示すように、上記低減率情報において、低減率が範囲で示されている場合には、低減率が当該範囲内で直線的または曲線的に大きくなることを示している。   As an example, as illustrated in FIG. 9, the reduction information 50 according to the present embodiment includes physical quantity information indicating the physical quantity, reduction rate information indicating a reduction rate when the pure correction amount is reduced, and processing for the exposed substrate C. The processing content information indicating the content is information associated with each other. As shown in the figure, when the reduction rate is indicated in a range in the reduction rate information, it indicates that the reduction rate increases linearly or in a curve within the range.

また、本実施形態に係る低減情報50では、上記処理内容情報として、被露光基板Cに対象画像62を描画する露光描画処理、及び被露光基板Cに対象画像62を描画せずに被露光基板Cを排出するエラー処理の何れか一方を記憶する。露光描画装置10は、低減情報50において上記物理量に対応付けられた処理内容情報によって示される処理内容が露光描画処理であった場合、当該物理量に対応付けられた低減率情報によって示される低減率で純補正量を低減させた上で、露光描画処理を実行する。一方、露光描画装置10は、低減情報50において上記物理量に対応付けられた処理内容情報によって示される処理内容がエラー処理であった場合、露光描画処理を行うことなく被露光基板Cを露光描画装置10から排出する。ただし、エラー処理の処理内容はこれに限定されず、被露光基板Cに対する低減率を固定値とし、露光描画処理を行った上で、エラーが発生したことを示す情報を被露光基板Cに描画しても良い。なお、本実施形態に係る露光描画装置10では、図9に示すように、低減情報50において、上記物理量が100μm以上である場合の処理内容がエラー処理とされている。   Further, in the reduction information 50 according to the present embodiment, as the processing content information, an exposure drawing process of drawing the target image 62 on the substrate C to be exposed, and a substrate to be exposed without drawing the target image 62 on the substrate C to be exposed. Any one of error processing for discharging C is stored. If the processing content indicated by the processing content information associated with the physical quantity in the reduction information 50 is the exposure writing processing, the exposure / drawing apparatus 10 uses the reduction rate indicated by the reduction rate information associated with the physical quantity. After reducing the net correction amount, the exposure drawing process is executed. On the other hand, when the processing content indicated by the processing content information associated with the physical quantity in the reduction information 50 is an error process, the exposure / drawing apparatus 10 removes the exposure target drawing C without performing the exposure / drawing process. Discharge from 10 However, the processing content of the error processing is not limited to this. After the exposure / drawing processing is performed with the reduction rate for the exposed substrate C being a fixed value, information indicating that an error has occurred is drawn on the exposed substrate C. You may. Note that, in the exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment, as shown in FIG. 9, in the reduction information 50, the processing content when the physical quantity is 100 μm or more is an error processing.

ここで、一例として図9及び図10に示すように、本実施形態に係る露光描画装置10では、低減情報50において、上記物理量が大きくなる程、上記低減率を大きくしている。これは、上記物理量が大きくなる程、純補正量に対する低減量が多くなる、すなわち低減補正量が少なくなることを意味する。この場合、対象画像62が、低減補正量を用いない場合に比較して、対象画像62の設計上の形状より被露光基板Cの歪みの形状に近い形状に変形される。これにより、実装用パッドと電子部品の電極との位置ずれが抑制される。   Here, as shown in FIGS. 9 and 10 as an example, in the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment, in the reduction information 50, as the physical quantity increases, the reduction rate increases. This means that as the physical quantity increases, the amount of reduction with respect to the net correction amount increases, that is, the amount of reduction correction decreases. In this case, the target image 62 is deformed to a shape closer to the shape of the distortion of the substrate C to be exposed than the designed shape of the target image 62, as compared with the case where the reduction correction amount is not used. Thereby, the displacement between the mounting pad and the electrode of the electronic component is suppressed.

なお、本実施形態に係る露光描画装置10では、図10に示すように、上記物理量が大きくなる程、低減率を階段状に多くしていくが、低減率を多くする方法はこれに限定されない。例えば、上記物理量が大きくなる程、低減率を直線状に多くしていっても良い。また、上記物理量が大きくなる程、低減率の増加量が多くなる曲線状、または上記物理量が大きくなる程、低減率の増加量を少なくなる曲線状に各々多くしていっても良い。   In the exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment, as shown in FIG. 10, as the physical quantity increases, the reduction rate increases stepwise, but the method of increasing the reduction rate is not limited to this. . For example, the reduction rate may be increased linearly as the physical quantity increases. Further, the amount of increase in the reduction rate may increase as the physical quantity increases, or the amount of increase in the reduction rate may decrease as the physical quantity increases.

本実施形態に係る露光描画装置10は、上記物理量と低減情報50とを用いて低減率を決定し、純補正量と低減率とから低減補正量を導出する。そして、露光描画装置10は、導出した低減補正量に応じて基準マークMの各々の位置を補正し、補正した基準マークMの各々の位置に基づいて対象画像62を変形させ、変形させた対象画像62を被露光基板Cに描画する。   The exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment determines the reduction rate using the physical quantity and the reduction information 50, and derives the reduction correction amount from the pure correction amount and the reduction rate. Then, the exposure / drawing apparatus 10 corrects each position of the reference mark M according to the derived reduction correction amount, deforms the target image 62 based on each position of the corrected reference mark M, and The image 62 is drawn on the substrate C to be exposed.

なお、本実施形態に係る露光描画装置10では、ユーザにより操作装置44の入力部を介して低減情報50の入力を受け付け、受け付けた低減情報50をシステム制御部40のHDD40Aに記憶する。しかし、これに限定されず、例えば、低減情報50における各情報を固定値として、システム制御部40のHDD40Aに予め記憶しておいても良い。   In the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment, the input of the reduction information 50 is received by the user via the input unit of the operation device 44, and the received reduction information 50 is stored in the HDD 40A of the system control unit 40. However, the present invention is not limited to this. For example, each information in the reduction information 50 may be stored in the HDD 40A of the system control unit 40 as a fixed value in advance.

また、本実施形態に係る露光描画装置10では、対象画像62を変形させる際に、一例として図11Aに示すように、対象画像62の領域全体を、座標変換の対象である対象領域(図11A及び図11Bにおいてドット模様で示す領域)64とする。しかし、対象領域64はこれに限定されず、一例として図11Bに示すように、4つの基準マークM1乃至M4の重心の位置を角点とした矩形状の領域を対象領域64としても良い。または、一例として図11Cに示すように、被露光基板Cの露光対象とする面の全体を対象領域64としても良く、あるいは、対象画像62の一部の領域を対象領域64としても良い。   Further, in the exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment, when deforming the target image 62, as shown in FIG. 11A as an example, the entire area of the target image 62 is converted into a target area (FIG. 11B (area indicated by a dot pattern in FIG. 11B). However, the target area 64 is not limited to this. For example, as shown in FIG. 11B, a rectangular area having the positions of the centers of gravity of the four reference marks M1 to M4 as corner points may be set as the target area 64. Alternatively, as shown in FIG. 11C, for example, the entire surface to be exposed of the substrate C to be exposed may be the target region 64, or a partial region of the target image 62 may be the target region 64.

また、被露光基板Cの端部等に、被露光基板Cの識別番号等の回路パターン以外の画像を描画する場合があるが、この場合には、当該画像の描画領域については座標変換を行わずに回路パターンの描画領域のみ座標変換を行うようにすると良い。これは、被露光基板Cの識別番号等の文字列を示す画像は、被露光基板Cに歪みの状況に依らず、変形させない方が描画内容を確認しやすいからである
次に、図12を参照して、本実施形態に係る露光描画装置10の作用を説明する。なお、図12は、操作装置44の入力部を介して実行指示が入力された際に露光描画装置10のシステム制御部40によって実行される露光制御処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。当該プログラムは、システム制御部40に上記ROMの所定領域に予め記憶されている。
Further, an image other than the circuit pattern such as the identification number of the substrate C to be exposed may be drawn on an end portion of the substrate C to be exposed, etc. In this case, coordinate conversion is performed for the drawing region of the image. Instead, the coordinate conversion may be performed only in the drawing area of the circuit pattern. This is because the image showing the character string such as the identification number of the substrate C to be exposed is easy to confirm the drawing content without being deformed regardless of the state of the distortion of the substrate C to be exposed. The operation of the exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a flowchart illustrating a process flow of an exposure control processing program executed by the system control unit 40 of the exposure drawing apparatus 10 when an execution instruction is input via the input unit of the operation device 44. The program is stored in a predetermined area of the ROM in the system control unit 40 in advance.

また、錯綜を回避するために、対象画像62を示す座標データ(本実施形態では、ベクトルデータ)である画像情報が、システム制御部40のHDD40Aに記憶されている場合を例に挙げて説明する。なお、本実施形態に係る露光描画装置10では、上記画像情報が描画パターンを示すベクトルデータであるが、これに限定されず、ラスターデータであっても良い。   Also, in order to avoid confusion, an example will be described in which image information that is coordinate data (in the present embodiment, vector data) indicating the target image 62 is stored in the HDD 40A of the system control unit 40. . In the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment, the image information is vector data indicating a drawing pattern, but is not limited thereto, and may be raster data.

まず、ステップS101では、描画する対象画像62を示す座標データである画像情報を、HDD40Aから読み出すことにより取得する。しかし、システム制御部40は、外部入出力部48を介して外部から画像情報を入力することにより、画像情報を取得しても良い。   First, in step S101, image information that is coordinate data indicating the target image 62 to be drawn is obtained by reading from the HDD 40A. However, the system control unit 40 may acquire image information by inputting image information from outside via the external input / output unit 48.

次のステップS103では、上述した、設計上の基準マークMの各々の位置が座標データで表された位置情報を、HDD40Aから読み出すことにより取得する。   In the next step S103, the above-described position information in which each position of the design reference mark M is represented by coordinate data is obtained by reading from the HDD 40A.

このように、本実施形態に係る露光描画装置10では、システム制御部40は、上記位置情報をHDD40Aから読み出すことにより取得するが、取得方法はこれに限定されず、外部入出力部48を介して外部から位置情報を入力する方法であっても良い。   As described above, in the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment, the system control unit 40 acquires the position information by reading it from the HDD 40A. However, the acquisition method is not limited to this, and the acquisition method is not limited to this. Alternatively, a method of inputting position information from outside may be used.

次のステップS105では、基準マークMの各々が撮影部34の撮影領域に含まれる位置を被露光基板Cが通過するように、ステージ12を移動させる。   In the next step S105, the stage 12 is moved so that the exposure target substrate C passes through the position where each of the reference marks M is included in the imaging region of the imaging unit 34.

次のステップS107では、実際の基準マークMの各々の位置を計測する。この際、システム制御部40は、撮影部34による撮影画像から基準マークMの各々に対応する領域を抽出し、抽出した領域の重心座標を基準マークMの各々の位置座標として導出する。このように、本実施形態に係る露光描画装置10では、上記撮影画像を用いて基準マークMの各々の位置を計測するが、これに限定されず、当該計測を外部装置で行い、計測結果を示す情報を外部入出力部48を介して外部から入力しても良い。   In the next step S107, the actual position of each reference mark M is measured. At this time, the system control unit 40 extracts an area corresponding to each of the reference marks M from the image captured by the imaging unit 34, and derives the barycentric coordinates of the extracted area as the position coordinates of each of the reference marks M. As described above, in the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment, each position of the reference mark M is measured using the photographed image. However, the present invention is not limited to this. The indicated information may be input from outside via the external input / output unit 48.

次のステップS109では、ステップS103の処理で取得した設計上の基準マークMの各々の位置とステップS107の処理で計測した基準マークMの各々の位置とのずれ量から、被露光基板Cの回転量、オフセット量、伸縮倍率の各々を導出する。なお、ここでいう上記回転量は、予め定められた直交座標系(本実施の形態では、一例として図9に示すx−y座標系)における設計上の基準マークMの位置から対応する実際の基準マークMの位置に至る回転角度である。また、ここでいう上記オフセット量は、上記直交座標系における設計上の基準マークMの位置から対応する実際の基準マークMの位置に至る平行移動量である。さらに、ここでいう上記伸縮倍率は、上記直交座標系における設計上の基準マークMの位置から対応する実際の基準マークMの位置に至る拡大倍率または縮小倍率である。   In the next step S109, the rotation of the substrate C to be exposed is determined from the amount of deviation between each position of the design reference mark M obtained in the processing of step S103 and each position of the reference mark M measured in the processing of step S107. The amount, offset amount, and expansion / contraction ratio are derived. Note that the rotation amount mentioned here is based on the position of the design reference mark M in the predetermined orthogonal coordinate system (in the present embodiment, as an example, the xy coordinate system shown in FIG. 9). This is the rotation angle that reaches the position of the reference mark M. Further, the offset amount here is a parallel movement amount from the position of the design reference mark M in the orthogonal coordinate system to the corresponding position of the actual reference mark M. Further, the expansion / contraction magnification here is an enlargement / reduction magnification from the position of the design reference mark M in the orthogonal coordinate system to the position of the corresponding actual reference mark M.

システム制御部40は、基準マークMの各々の位置座標を用いた最小二乗法により、x方向のオフセット量ofsx、y方向のオフセット量ofsy、x方向の伸縮倍率kx、y方向の伸縮倍率ky、及び回転量θの各パラメータを被露光基板Cの各々毎に導出する。   The system control unit 40 calculates the offset amount ofsx in the x direction, the offset amount ofsy in the y direction, the expansion and contraction magnification kx in the x direction, the expansion and contraction magnification ky in the y direction, by the least square method using the position coordinates of each reference mark M. And the parameters of the rotation amount θ are derived for each of the exposed substrates C.

すなわち、上記各パラメータを導出する際、被露光基板Cの歪みを考えず、設計上の基準マークMの各々の位置と、計測した基準マークMの各々の位置とが、上記各パラメータを含んで一義的な関係にあると仮定する。そして、上記各パラメータの平均的な偏差が最小になるように上記各パラメータを決定する(一例として特開昭61−44429号公報等を参照)。この上記各パラメータを決定する方法は、アフィン変換等で用いられる既知の方法であるため、これ以上のここでの説明を省略する。   That is, when deriving the above parameters, the positions of the design reference marks M and the positions of the measured reference marks M include the above parameters without considering the distortion of the substrate C to be exposed. Assume a unique relationship. Then, the parameters are determined so that the average deviation of the parameters is minimized (see, for example, JP-A-61-44429). Since the method of determining each of the above parameters is a known method used in affine transformation and the like, further description is omitted here.

次のステップS111では、ステップS107の処理で計測した基準マークMの各々の位置座標を、上記ステップS109の処理で導出した回転量、オフセット量、及び伸縮倍率に基づいて変換する。これにより、被露光基板Cをステージ12に配置する際の配置位置のずれによる基準マークMの各々の位置のずれ量が打ち消される。   In the next step S111, the position coordinates of each of the reference marks M measured in the processing in step S107 are converted based on the rotation amount, the offset amount, and the expansion / contraction magnification derived in the processing in step S109. Thereby, the amount of displacement of each position of the reference mark M due to the displacement of the arrangement position when the substrate C to be exposed is arranged on the stage 12 is canceled.

このように、本実施形態に係る露光描画装置10では、ステップS107の処理で計測した基準マークMの各々の位置座標を、被露光基板Cの回転量、オフセット量、及び伸縮倍率の各々に基づいて変換するが、これに限らない。例えば、被露光基板Cの回転量、オフセット量、及び伸縮倍率の何れか1つに基づいて変換しても良く、複数の組み合わせに基づいて変換しても良い。   As described above, in the exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment, the position coordinates of each of the reference marks M measured in the process of step S107 are determined based on each of the rotation amount, the offset amount, and the expansion / contraction magnification of the substrate C to be exposed. , But is not limited to this. For example, the conversion may be performed based on any one of the rotation amount, the offset amount, and the expansion / contraction magnification of the exposure target substrate C, or may be performed based on a plurality of combinations.

次のステップS113では、上記ステップS111の処理で座標変換された基準マークMの各々の位置座標に基づいて純補正量を導出する。以下、基準マークM1、M2、M3、M4の各々の純補正量をそれぞれ(dx0,dy0)、(dx1,dy1)、(dx2,dy2)、(dx3,dy3)と表す。   In the next step S113, a net correction amount is derived on the basis of the position coordinates of each of the reference marks M subjected to the coordinate conversion in the process of step S111. Hereinafter, the pure correction amounts of the reference marks M1, M2, M3, and M4 are represented as (dx0, dy0), (dx1, dy1), (dx2, dy2), and (dx3, dy3), respectively.

次のステップS114では、上記ステップS103で取得した上記位置情報、及び上記ステップS111の処理で座標変換された基準マークMの各々の位置座標に基づいて、上記物理量(本実施形態では、基準マークMの各々のずれ量の最大値)を導出する。   In the next step S114, based on the position information acquired in the step S103 and the position coordinates of each of the reference marks M subjected to the coordinate conversion in the processing in the step S111, the physical quantity (in the present embodiment, the reference mark M (The maximum value of each shift amount).

次のステップS115では、低減情報50をシステム制御部40のHDD40Aから読み出す。   In the next step S115, the reduction information 50 is read from the HDD 40A of the system control unit 40.

次のステップS117では、読み出した低減情報50において、上記ステップS114の処理で導出した物理量を示す物理量情報に対応付けられた処理内容情報によって示される処理内容が、露光描画処理であるか否かを判定する。   In the next step S117, in the read reduction information 50, it is determined whether or not the processing content indicated by the processing content information associated with the physical quantity information indicating the physical quantity derived in the processing in step S114 is the exposure drawing processing. judge.

ステップS117で肯定判定となった場合はステップS119に移行する。一方、ステップS117で否定判定となった場合はステップS135に移行し、エラー処理として、被露光基板Cがステージ12から取り外される位置までステージ12を移動させて、本露光制御処理プログラムの実行を終了する。この場合、被露光基板Cは、露光描画処理が行われることなくステージ12から取り外され、露光描画装置10の外部に排出される。   When an affirmative determination is made in step S117, the process proceeds to step S119. On the other hand, when a negative determination is made in step S117, the process proceeds to step S135, and as an error process, the stage 12 is moved to a position where the substrate C to be exposed is removed from the stage 12, and the execution of the main exposure control processing program ends. I do. In this case, the substrate to be exposed C is removed from the stage 12 without performing the exposure / drawing processing, and is discharged to the outside of the exposure / drawing apparatus 10.

一方、ステップS119では、読み出した低減情報50において、上記ステップS114の処理で導出した物理量を示す物理量情報に対応付けられた低減率情報によって示される低減率Nを用いて純補正量を低減することにより、低減補正量を導出する。以下、基準マークM1、M2、M3、M4の各々の低減補正量をそれぞれ(dx0’,dy0’)、(dx1’,dy1’)、(dx2’,dy2’)、(dx3’,dy3’)と表す。   On the other hand, in step S119, in the read-out reduction information 50, the net correction amount is reduced by using the reduction rate N indicated by the reduction rate information associated with the physical quantity information indicating the physical quantity derived in step S114. Derives a reduction correction amount. Hereinafter, the reduction correction amounts of the reference marks M1, M2, M3, and M4 are respectively (dx0 ', dy0'), (dx1 ', dy1'), (dx2 ', dy2'), (dx3 ', dy3'). It expresses.

本実施形態に係る露光描画装置10では、低減補正量(dx0’,dy0’)乃至(dx3’,dy3’)は、純補正量(dx0,dy0)乃至(dx3,dy3)に対して低減率Nを乗算して得られ、下記の(2)式で表される。   In the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment, the reduction correction amounts (dx0 ′, dy0 ′) to (dx3 ′, dy3 ′) are reduced by a reduction rate with respect to the pure correction amounts (dx0, dy0) to (dx3, dy3). It is obtained by multiplying N and is represented by the following equation (2).

次のステップS127では、ステップS119の処理により得られた低減補正量(dx’,dy’)を用いて、対象画像62の対象領域64内の各座標の座標変換を行う。   In the next step S127, coordinate conversion of each coordinate in the target area 64 of the target image 62 is performed using the reduction correction amount (dx ', dy') obtained by the processing in step S119.

ここで、本実施形態に係る露光描画装置10における対象画像62の対象領域64内の各座標の座標変換の方法について説明する。まず、システム制御部40は、一例として図13に示すように、座標変換の対象とされる座標に基づいて、対象画像62を複数(本実施形態では、4つ)の領域に分割し、各分割領域の面積SA0乃至SA3を導出する。この際、同図に示すように、対象画像62の内部に、各辺に対して平行となりかつ変換対象とされる座標を通る直線を引くことにより、対象画像62を4つの領域に分割する。   Here, a method of coordinate conversion of each coordinate in the target area 64 of the target image 62 in the exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment will be described. First, as shown in FIG. 13 as an example, the system control unit 40 divides the target image 62 into a plurality of (four in the present embodiment) regions based on the coordinates to be subjected to the coordinate conversion. The areas SA0 to SA3 of the divided areas are derived. At this time, as shown in the drawing, the target image 62 is divided into four regions by drawing a straight line inside the target image 62 that is parallel to each side and passes through the coordinates to be converted.

なお、各分割領域の各々について、基準マークM1に対抗する領域(すなわち基準マークM4を含む領域)である図10の正面視右下の領域の面積をSA0と表す。また、基準マークM2に対抗する領域(すなわち基準マークM3を含む領域)である左下の領域の面積をSA1と表す。また、基準マークM3に対抗する領域(すなわち基準マークM2を含む領域)である右上の領域の面積をSA2と表す。更に、基準マークM4に対抗する領域(すなわち基準マークM1を含む領域)である左上の領域の面積をSA3と表す。   Note that, for each of the divided regions, the area of the lower right region in front view in FIG. 10 which is the region facing the reference mark M1 (that is, the region including the reference mark M4) is represented as SA0. Further, the area of the lower left area which is the area opposed to the reference mark M2 (that is, the area including the reference mark M3) is represented as SA1. Further, the area of the upper right area which is the area opposed to the reference mark M3 (that is, the area including the reference mark M2) is represented as SA2. Further, the area of the upper left area which is an area opposed to the reference mark M4 (that is, an area including the reference mark M1) is represented as SA3.

また、システム制御部40は、このようにして得られた分割領域SA0乃至SA3の面積と、ステップS115の処理により得られた低減補正量(dx0’,dy0’)乃至(dx3’,dy3’)とを、下記の(3)式に代入する。これにより得られる値が、上記座標変換の対象とされる座標の、被露光基板Cの歪みに対する補正量(ddx,ddy)となる。   The system control unit 40 also determines the areas of the divided areas SA0 to SA3 obtained in this way and the reduced correction amounts (dx0 ′, dy0 ′) to (dx3 ′, dy3 ′) obtained by the processing in step S115. Are substituted into the following equation (3). The value obtained as a result is the correction amount (ddx, ddy) of the coordinates to be subjected to the coordinate conversion with respect to the distortion of the substrate C to be exposed.

例えば、同図に示すように、dx0’=1,dx1’=2,dx2’=5,dx3’=10,SA0=3,SA1=9,SA2=3,SA3=1,SS=16であった場合には、ddx=(3×1+9×2+3×5+1×10)/16≒2.9となる。   For example, as shown in the figure, dx0 ′ = 1, dx1 ′ = 2, dx2 ′ = 5, dx3 ′ = 10, SA0 = 3, SA1 = 9, SA2 = 3, SA3 = 1, and SS = 16. In this case, ddx = (3 × 1 + 9 × 2 + 3 × 5 + 1 × 10) /16≒2.9.

なお、被露光基板Cの歪みに対する補正量(ddx,ddy)の導出方法はこれに限定されない。すなわち、座標変換前の対象画像62の所定位置である位置A(x、y)から対象画像62の各辺に対して垂線を引くことにより、対象画像62の各辺を内分する。これにより、位置Aに対する対象画像62の各辺の内分比が求められる。座標変換後の対象画像62においてその内分比に対応する位置Bを定め、位置Aと位置Bとのずれ量を補正量(ddx,ddy)として定めても良い。   The method for deriving the correction amount (ddx, ddy) for the distortion of the substrate C to be exposed is not limited to this. That is, each side of the target image 62 is internally divided by drawing a perpendicular to each side of the target image 62 from a predetermined position A (x, y) of the target image 62 before the coordinate conversion. Thus, the internal division ratio of each side of the target image 62 with respect to the position A is obtained. In the target image 62 after the coordinate conversion, a position B corresponding to the internal division ratio may be determined, and a shift amount between the position A and the position B may be determined as a correction amount (ddx, ddy).

さらに、システム制御部40は、対象画像62における各座標の補正量(ddx,ddy)と、x方向のオフセット量ofsx、y方向のオフセット量ofsy、x方向の伸縮倍率kx、y方向の伸縮倍率ky、回転量θを次の(4)式に代入する。この(4)式により、座標変換の対象とされる各座標(xl,yl)についての座標変換後の座標(xm,ym)が求められる。   Further, the system control unit 40 calculates the correction amount (ddx, ddy) of each coordinate in the target image 62, the offset amount ofx in the x direction, the offset amount ofsy in the y direction, the expansion and contraction magnification kx in the x direction, and the expansion and contraction magnification in the y direction. ky and the rotation amount θ are substituted into the following equation (4). The coordinates (xm, ym) of the coordinates (xl, yl) to be subjected to the coordinate conversion after the coordinate conversion are obtained by the equation (4).


次のステップS129では、露光部22から出射される光ビームによって被露光基板Cの上面が露光される位置まで、ステージ12を移動させるようにステージ駆動部42を制御する。   In the next step S129, the stage driving unit 42 is controlled to move the stage 12 to a position where the upper surface of the substrate C to be exposed is exposed by the light beam emitted from the exposure unit 22.

次のステップS131では、座標変換後の座標(xm,ym)を用いて被露光基板Cに対象画像62を描画させるように光源ユニット24及び画像処理ユニット28を介して露光ヘッド22aを制御する。この際、システム制御部40は、ステージ12を予め定められた速度で移動させるようにステージ駆動部42を制御することにより被露光基板Cを移動させつつ、被露光基板Cに対象画像62を描画させるように露光ヘッド22aを制御する。   In the next step S131, the exposure head 22a is controlled via the light source unit 24 and the image processing unit 28 to draw the target image 62 on the substrate C to be exposed using the coordinates (xm, ym) after the coordinate conversion. At this time, the system control unit 40 draws the target image 62 on the exposure target substrate C while moving the exposure target substrate C by controlling the stage driving unit 42 so as to move the stage 12 at a predetermined speed. The exposure head 22a is controlled so as to cause the exposure.

次のステップS133では、被露光基板Cがステージ12から取り外される位置まで、ステージ12を移動させて、本露光制御処理プログラムの実行を終了する。   In the next step S133, the stage 12 is moved to a position where the substrate C to be exposed is removed from the stage 12, and the execution of the exposure control processing program is terminated.

このように、本実施形態に係る露光描画装置10では、一例として図14Aに示すように、上記低減率が0%であった場合(N=0)、システム制御部40は、被露光基板Cの歪みに対する補正量を低減させずに対象画像62を描画する。   As described above, in the exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment, as shown in FIG. 14A as an example, when the reduction rate is 0% (N = 0), the system control unit 40 The target image 62 is drawn without reducing the correction amount for the distortion.

一方、一例として図14Bに示すように、上記低減率が0%より大きい場合(N>0)、システム制御部40は、被露光基板Cの歪みに対する補正量を低減率に応じて低減させた上で対象画像62を変形させて描画する。なお、図14A及び図14Bでは、描画対象とされる描画パターンに、ランド66及び導通ビア68の位置関係がわかりやすいように、描画対象とされる層の基準マークMの位置にランド66が設けられ、他層の基準マークMの位置に導通ビア68が設けられている。   On the other hand, as shown in FIG. 14B as an example, when the reduction rate is greater than 0% (N> 0), the system control unit 40 reduces the correction amount for the distortion of the substrate C to be exposed according to the reduction rate. Above, the target image 62 is transformed and drawn. In FIGS. 14A and 14B, the land 66 is provided at the position of the reference mark M of the layer to be drawn so that the positional relationship between the land 66 and the conductive via 68 can be easily understood in the drawing pattern to be drawn. The conductive via 68 is provided at the position of the reference mark M in another layer.

一般的な露光描画装置では、例えば、図15に示すように、被露光基板Cに複数の層(例えば4層)の描画パターン62A乃至62Dを下位側から順に積層させて描画する場合、各層における描画が終了する毎に現像、エッチング、剥離等の化学処理を行う。また、一般的な露光描画装置では、さらにレイヤを重ねるために、プリプレグ層の積層、導通ビアの加工、フィルドビアメッキ、粗化処理、DFR(Dry Film photoResist)のラミネーション等が行われる。そのため、図16に示すように、1層目の描画パターン62A、2層目の描画パターン62B、3層目の描画パターン62C、4層目の描画パターン62Dと、層を重ねる毎に被露光基板Cの歪みが大きくなっていくことが想定される。   In a general exposure and drawing apparatus, for example, as shown in FIG. 15, when drawing patterns 62A to 62D of a plurality of layers (for example, four layers) are sequentially stacked on a substrate C to be exposed from the lower side, and drawing is performed. Each time drawing is completed, chemical processing such as development, etching, and peeling is performed. Further, in a general exposure and drawing apparatus, in order to further overlap layers, lamination of a prepreg layer, processing of a conductive via, filling via plating, roughening, lamination of DFR (Dry Film photoResist), and the like are performed. Therefore, as shown in FIG. 16, each time the first layer drawing pattern 62A, the second layer drawing pattern 62B, the third layer drawing pattern 62C, the fourth layer drawing pattern 62D and the layer It is assumed that the distortion of C increases.

しかし、本実施形態に係る露光描画装置10では、描画パターンを描画する際に、層毎に、上記物理量が大きくなる程、低減量を多くしつつ、被露光基板Cの歪みに対する補正量を低減させる。これにより、電子部品を基板上へ高精度で実装することができる。   However, in the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment, when drawing a drawing pattern, the correction amount for the distortion of the substrate C to be exposed is reduced while increasing the reduction amount as the physical amount increases for each layer. Let it. Thereby, the electronic component can be mounted on the substrate with high accuracy.

また、本実施形態に係る露光描画装置10では、基準マークMの各々の補正量に対して1より小さい正の値(低減率)を乗算することにより、純補正量を低減させるが、これに限定されない。すなわち、純補正量を1を超える値で除算すること、または純補正量から正の値を減算することにより、純補正量を低減させても良い。あるいは、上記乗算、除算、減算を複数組み合わせて純補正量を低減させても良い。   Further, in the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment, the net correction amount is reduced by multiplying each correction amount of the reference mark M by a positive value (reduction rate) smaller than 1. Not limited. That is, the net correction amount may be reduced by dividing the net correction amount by a value exceeding 1, or by subtracting a positive value from the net correction amount. Alternatively, the net correction amount may be reduced by combining a plurality of the above multiplications, divisions, and subtractions.

さらに、被露光基板Cに描画パターンを複数積層させて描画する場合で、かつ被露光基板Cの最下位の層に描画パターンを描画する場合、被露光基板Cの歪みの補正を行わなくても良い。   Further, in the case where a plurality of drawing patterns are laminated on the substrate to be exposed C and the drawing is performed on the lowest layer of the substrate to be exposed C, the distortion of the substrate to be exposed C is not corrected. good.

そして、本実施形態に係る露光描画装置10では、本発明を、被露光基板Cに光ビームを露光して描画パターンを描画する露光描画装置10に適用する場合について説明したが、これに限定されない。すなわち、本発明を、被描画体に設けられた基準マークMの位置に基づいて、描画対象とされる画像を描画する任意の描画装置に適用することができる。また、本発明を、描画パターンを描画する各層の層間を電気的に接続する導通ビア等を形成するレーザ加工装置及びドリル加工装置に適用しても良い。また、基板の描画パターンを保護するためのソルダーレジスト層における部品実装用穴を形成するための露光描画装置及び加工装置に適用しても良い。これにより、高精度に電子部品を基板上へ実装することができる。   In the exposure / drawing apparatus 10 according to the present embodiment, a case has been described where the present invention is applied to the exposure / drawing apparatus 10 that exposes a substrate C to be exposed with a light beam to draw a drawing pattern. However, the present invention is not limited to this. . That is, the present invention can be applied to any drawing apparatus that draws an image to be drawn based on the position of the reference mark M provided on the drawing object. Further, the present invention may be applied to a laser processing apparatus and a drill processing apparatus that form a conductive via or the like that electrically connects layers of each layer for drawing a drawing pattern. Further, the present invention may be applied to an exposure drawing apparatus and a processing apparatus for forming a component mounting hole in a solder resist layer for protecting a drawing pattern on a substrate. Thereby, the electronic component can be mounted on the board with high accuracy.

〔第2実施形態〕
以下、本発明の第2実施形態に係る露光描画装置10について説明する。
[Second embodiment]
Hereinafter, an exposure drawing apparatus 10 according to a second embodiment of the present invention will be described.

第2実施形態に係る露光描画装置10は、第1実施形態に係る露光描画装置10と同様の構成を有するため、各構成の説明を省略する。   The exposure and drawing apparatus 10 according to the second embodiment has the same configuration as the exposure and drawing apparatus 10 according to the first embodiment, and a description of each configuration will be omitted.

第2実施形態に係る露光描画装置10は、被露光基板Cの歪みに応じて補正を行う際に、アニュラーリングの値に応じて低減補正量(dx’,dy’)に制限を設けている。図17に示すように、アニュラーリングは、ランド66の内部に導通ビア68が空けられている場合の導通ビア68の全周を囲む環状領域であり、ランド径をD、穴径をdとした場合の環状領域の幅であるアニュラーリングの幅Lは、L=(D−d)/2で表される。   When performing the correction according to the distortion of the substrate C to be exposed, the exposure drawing apparatus 10 according to the second embodiment limits the reduction correction amount (dx ′, dy ′) according to the value of the annular ring. . As shown in FIG. 17, the annular ring is an annular region surrounding the entire periphery of the conductive via 68 when the conductive via 68 is opened inside the land 66, and the land diameter is D and the hole diameter is d. The width L of the annular ring, which is the width of the annular region in the case, is represented by L = (D−d) / 2.

本実施形態に係る露光描画装置10では、システム制御部40のHDD40Aに、ランド66のランド径D及び導通ビア68の穴径dを示す情報が予め記憶されている。   In the exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment, information indicating the land diameter D of the land 66 and the hole diameter d of the conductive via 68 is stored in the HDD 40A of the system control unit 40 in advance.

次に、図18を参照して、本実施形態に係る露光描画装置10の作用を説明する。なお、図18は、操作装置44を介して実行指示が入力された際に第2実施形態に係る露光描画装置10のシステム制御部40によって実行される露光制御処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。当該プログラムは、システム制御部40の上記ROMの所定領域に予め記憶されている。また、図18における図12と同一の処理を行うステップには図12と同一のステップ番号を付して、その説明を極力省略する。   Next, the operation of the exposure and drawing apparatus 10 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 18 is a flowchart illustrating a flow of an exposure control processing program executed by the system control unit 40 of the exposure / drawing apparatus 10 according to the second embodiment when an execution instruction is input via the operation device 44. It is. The program is stored in a predetermined area of the ROM of the system control unit 40 in advance. Steps in FIG. 18 that perform the same processing as in FIG. 12 are assigned the same step numbers as in FIG. 12, and descriptions thereof are omitted as much as possible.

本第2実施形態に係る露光描画装置10では、上記ステップS119の処理を行った後、ステップS121に移行する。   In the exposure / drawing apparatus 10 according to the second embodiment, the process proceeds to step S121 after performing the processing in step S119.

ステップS121では、アニュラーリングの幅Lを示す情報を取得する。本実施形態に係る露光描画装置10では、ランド66のランド径D及び導通ビア68の穴径dを示す情報をシステム制御部40のHDD40Aから読み出し、ランド径D及び穴径dの値を次の(5)式に代入することにより、アニュラーリングの幅Lを導出する。   In step S121, information indicating the width L of the annular ring is obtained. In the exposure drawing apparatus 10 according to the present embodiment, information indicating the land diameter D of the land 66 and the hole diameter d of the conductive via 68 is read from the HDD 40A of the system control unit 40, and the values of the land diameter D and the hole diameter d are calculated as follows. The width L of the annular ring is derived by substituting into the equation (5).


なお、ランド径D及び穴径dは、被露光基板Cの種類や描画パターンの設計値に基づいてユーザが操作装置44を介して入力しても良い。   The land diameter D and the hole diameter d may be input by the user via the operation device 44 based on the type of the substrate C to be exposed and the design value of the drawing pattern.

なお、アニュラーリングの幅Lの取得方法はこれに限定されない。当該取得方法は、例えば、外部に接続された情報処理装置から外部入出力部48を介して入力する方法であっても良い。また、当該取得方法は、アニュラーリングの幅L(例えば30μm)を示す情報をシステム制御部40のRAM、HDD40A等の記憶手段に予め記憶しておき、当該記憶手段から読み出す方法であっても良い。また、被露光基板Cの載置位置の誤差、描画する位置の誤差等を考慮し、アニュラーリングの幅Lの値を実物より狭くすることで、ランド66から導通ビア68がはみ出すことがないように余裕をもたせるようにしても良い。   The method of obtaining the width L of the annular ring is not limited to this. The acquisition method may be, for example, a method of inputting from an externally connected information processing device via the external input / output unit 48. In addition, the acquisition method may be a method in which information indicating the width L of the annular ring (for example, 30 μm) is stored in advance in a storage unit such as the RAM or the HDD 40A of the system control unit 40 and read out from the storage unit. . In addition, by taking into account errors in the mounting position of the substrate C to be exposed, errors in the drawing position, and the like, the value of the width L of the annular ring is made smaller than the actual one so that the conductive via 68 does not protrude from the land 66. May be given a margin.

次のステップS123では、純補正量(dx0,dy0)乃至(dx3,dy3)から低減補正量(dx0’,dy0’)乃至(dx3’,dy3’)を減算した値が、アニュラーリングの幅Lより大きいか否かを判定する。この際、基準マークMの各々について判定を行い、1つでもこの条件を満たしている場合に肯定判定とする。ステップS123で否定判定となった場合は上記ステップS127に移行する一方、肯定判定となった場合はステップS126に移行する。   In the next step S123, a value obtained by subtracting the reduced correction amounts (dx0 ′, dy0 ′) to (dx3 ′, dy3 ′) from the net correction amounts (dx0, dy0) to (dx3, dy3) is the width L of the annular ring. It is determined whether it is greater than. At this time, a determination is made for each of the reference marks M, and an affirmative determination is made when at least one of the reference marks M satisfies this condition. If a negative determination is made in step S123, the process proceeds to step S127, whereas if an affirmative determination is made, the process proceeds to step S126.

ステップS126では、被露光基板Cの歪みに対する補正によってランド66と導通ビア68との位置ずれが発生することを回避するために、低減補正量(dx0’,dy0’)乃至(dx3’,dy3’)を制限する。この際、純補正量(dx0,dy0)乃至(dx3,dy3)、アニュラーリングの幅Lを下記の(6)式に代入して得られた値を、低減補正量(dx0’,dy0’)乃至(dx3’,dy3’)とする。   In step S126, the amount of reduction correction (dx0 ′, dy0 ′) to (dx3 ′, dy3 ′) is set in order to prevent the displacement of the land 66 and the conductive via 68 from occurring due to the correction for the distortion of the substrate C to be exposed. ). At this time, the values obtained by substituting the net correction amounts (dx0, dy0) to (dx3, dy3) and the width L of the annular ring into the following equation (6) are used as the reduction correction amounts (dx0 ′, dy0 ′). To (dx3 ′, dy3 ′).

なお、上記(6)式において、上述したように低減補正量(dx0’,dy0’)乃至(dx3’,dy3’)を制限することによって得られるずれ量を、ずれ量de’としている。   In the above equation (6), the shift amount obtained by limiting the reduction correction amounts (dx0 ', dy0') to (dx3 ', dy3') as described above is referred to as a shift amount de '.

これにより、図19に示すように、被露光基板Cに対する最低限の補正量を確保しつつ、ランド66の内部に導通ビア68が収まるように、被露光基板Cの歪みに対する補正量が低減された上で上記画像が変形される。これにより、導通ビア68がランド66の内部に収まり、電子部品を被露光基板C上へ高精度に実装することができる。   As a result, as shown in FIG. 19, the amount of correction for the distortion of the substrate to be exposed C is reduced such that the conductive via 68 is accommodated inside the land 66 while the minimum amount of correction for the substrate to be exposed C is secured. Then, the image is deformed. As a result, the conductive via 68 fits inside the land 66, and the electronic component can be mounted on the substrate C with high accuracy.

一例として図20の左図に示すように、低減率Nを40%として低減補正量を導出して対象画像62を変形させた場合に、ランド66と導通ビア68との位置がずれてしまうとする。この場合、図20の右図に示すように、アニュラーリングの幅Lに基づいて低減補正量を制限することによって、導通ビア68をランド66の内部に収めることができる。なお、図20では、描画対象とされる描画パターンに、ランド66及び導通ビア68の位置関係がわかりやすいように、描画対象とされる層の基準マークMの位置にランド66が設けられ、他層の基準マークMの位置に導通ビア68が設けられている。   As an example, as shown in the left diagram of FIG. 20, when the reduction rate N is 40%, the reduction correction amount is derived, and the target image 62 is deformed, the position of the land 66 and the conduction via 68 is shifted. I do. In this case, as shown in the right diagram of FIG. 20, by limiting the amount of reduction correction based on the width L of the annular ring, the conductive via 68 can be accommodated inside the land 66. In FIG. 20, the land 66 is provided at the position of the reference mark M of the layer to be drawn so that the positional relationship between the land 66 and the conductive via 68 can be easily understood in the drawing pattern to be drawn. The conductive via 68 is provided at the position of the reference mark M.

以上のように構成された露光描画装置10による露光制御処理を実現するための各種処理は、プログラムを実行することにより、コンピュータを利用してソフトウェア構成により実現してもよい。ただし、ソフトウェア構成による実現に限られるものではなく、ハードウェア構成や、ハードウェア構成とソフトウェア構成の組み合わせによって実現してもよいことは言うまでもない。   Various processes for realizing the exposure control process by the exposure drawing apparatus 10 configured as described above may be realized by a software configuration using a computer by executing a program. However, it is needless to say that the present invention is not limited to the realization by the software configuration, but may be realized by a hardware configuration or a combination of the hardware configuration and the software configuration.

10 露光描画装置
12 ステージ
22 露光部
22a 露光ヘッド
34 撮影部
40 システム制御部
40A HDD
62 対象画像
C 被露光基板
M、M1乃至M4 基準マーク
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Exposure drawing apparatus 12 Stage 22 Exposure part 22a Exposure head 34 Imaging part 40 System control part 40A HDD
62 Target image C Exposure substrate M, M1 to M4 Reference mark

Claims (11)

多層配線基板に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、前記第1の位置を基準として定められた前記多層配線基板に描画する、ソルダーレジスト層の部品実装用の開口穴を示すソルダーレジストパターンである描画パターンを示す座標データ、及び前記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得部と、
前記第1の位置及び前記第2の位置に基づいて前記多層配線基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ前記複数の基準マークの各々毎に、前記第1の位置及び前記第2の位置のずれに対する、前記多層配線基板の歪みに応じて前記描画パターンを補正するための補正量を導出する導出部と、
前記導出部で導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減部であって、前記開口穴が、部品と接合するための導体パッドの内部に納まるよう低減する低減部と、
前記第2の位置を基準として前記多層配線基板に前記描画パターンを描画する場合、前記低減部で低減された補正量に基づいて前記描画パターンを示す座標データを補正する補正部と、
を備えた描画装置。
Coordinate data indicating a first position, which is a design position of a plurality of reference marks provided on the multilayer wiring board, and a solder resist layer for drawing on the multilayer wiring board defined based on the first position . An acquisition unit that acquires coordinate data indicating a drawing pattern that is a solder resist pattern indicating an opening for component mounting , and coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks;
A physical quantity indicating the magnitude of the distortion of the multilayer wiring board is derived based on the first position and the second position, and the first position and the second position are determined for each of the plurality of reference marks. Derivation unit for deriving a correction amount for correcting the drawing pattern according to the distortion of the multilayer wiring board for the displacement of the position,
A reduction unit configured to reduce a larger amount as the physical amount increases from each of the correction amounts derived by the derivation unit , wherein the opening hole is reduced so as to fit inside a conductor pad for joining with a component. Department and
When drawing the drawing pattern on the multilayer wiring board based on the second position, a correction unit that corrects coordinate data indicating the drawing pattern based on the correction amount reduced by the reduction unit;
Drawing device provided with.
前記導出部は、前記物理量として、前記複数の基準マークの各々毎の前記第1の位置及び前記第2の位置のずれ量の最大値、前記ずれ量の各々の平均値、及び前記ずれ量の各々の積算値の少なくとも1つを導出する
請求項1記載の描画装置。
The deriving unit may determine, as the physical quantity, a maximum value of a shift amount of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks, an average value of the shift amounts, and a value of the shift amount. The drawing apparatus according to claim 1, wherein at least one of the integrated values is derived.
前記導出部は、前記物理量として、前記第1の位置に基づいて得られる前記複数の基準マークの相互間の距離と、対応する前記第2の位置に基づいて得られる前記複数の基準マークの相互間の距離との差分の最大値、前記差分の各々の平均値、及び前記差分の各々の積算値の少なくとも1つを導出する
請求項1記載の描画装置。
The deriving unit determines, as the physical quantity, a distance between the plurality of reference marks obtained based on the first position and a mutual distance between the plurality of reference marks obtained based on the corresponding second position. The drawing apparatus according to claim 1, wherein at least one of a maximum value of a difference between the distance and an average value of each of the differences and an integrated value of each of the differences is derived.
前記低減部は、前記導出部で導出された補正量の各々に、前記物理量が大きくなるほど小さい1未満の正の値を乗算すること、前記物理量が大きくなるほど大きい1を超える値で除算すること、及び前記物理量が大きくなるほど大きくかつ当該補正量より小さい正の値を減算することの少なくとも1つを行うことにより、前記導出部で導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する
請求項1乃至3の何れか1項記載の描画装置。
The reduction unit multiplies each of the correction amounts derived by the derivation unit by a positive value that is smaller than 1 as the physical quantity increases, and divides by a value that exceeds 1 that increases as the physical quantity increases. And performing at least one of subtracting a positive value that is larger as the physical quantity becomes larger and smaller than the correction quantity, thereby increasing the larger quantity as the physical quantity becomes larger from each of the correction quantities derived by the derivation unit. The drawing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the writing apparatus is reduced.
前記導出部は、前記第2の位置を示す座標データを、前記多層配線基板の平行移動によるずれ、回転によるずれ、及び伸縮によるずれの少なくとも1つに基づいて変換して、前記多層配線基板を描画用のステージに配置する際の配置位置のずれによる基準マークの各々の位置ずれを打ち消した座標データに基づく前記補正量を導出する
請求項1乃至4の何れか1項記載の描画装置。
The deriving unit converts the coordinate data indicating the second position based on at least one of a displacement due to parallel movement, a displacement due to rotation, and a displacement due to expansion and contraction of the multilayer wiring board, and converts the multilayer wiring board. The drawing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the correction amount is derived based on coordinate data in which each position shift of the reference mark due to a shift in the arrangement position at the time of arrangement on the drawing stage is canceled.
前記物理量及び前記補正量の低減率が各々対応付けられた低減情報の入力を受け付ける受付部を更に備え、
前記低減部は、前記受付部で受け付けられた低減情報において前記導出部で導出された前記物理量に対応付けられた低減率を用いて、前記導出部で導出された補正量を低減する
請求項1乃至5の何れか1項記載の描画装置。
A receiving unit that receives an input of reduction information in which the reduction rates of the physical quantity and the correction amount are respectively associated with each other;
The reduction unit reduces a correction amount derived by the derivation unit using a reduction rate associated with the physical quantity derived by the derivation unit in the reduction information received by the reception unit. The drawing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein
請求項1乃至6の何れか1項記載の描画装置と、
前記描画装置の前記補正部で補正された座標データに基づいて前記多層配線基板に前記描画パターンを露光して描画する露光部と、
を備えた露光描画装置。
A drawing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
An exposure unit configured to expose and draw the drawing pattern on the multilayer wiring board based on the coordinate data corrected by the correction unit of the drawing apparatus;
Exposure drawing apparatus provided with.
前記多層配線基板に複数の層の描画パターンを積層させて描画する場合に、前記取得部、前記導出部、前記低減部、前記補正部、及び前記露光部を制御し、前記複数の層の各々毎に、前記取得部による取得、前記導出部による導出、前記低減部による低減、前記補正部による補正、及び前記露光部による露光の各々を行う制御部を更に備えた
請求項7記載の露光描画装置。
In the case of drawing by stacking a plurality of drawing patterns on the multilayer wiring board, and controlling the acquisition unit, the derivation unit, the reduction unit, the correction unit, and the exposure unit, each of the plurality of layers The exposure drawing according to claim 7, further comprising a control unit that performs each of acquisition by the acquisition unit, derivation by the derivation unit, reduction by the reduction unit, correction by the correction unit, and exposure by the exposure unit for each. apparatus.
前記多層配線基板の歪みの大きさとして許容される上限である前記物理量の最大許容量を示す許容量情報を記憶する記憶部を更に備え、
前記制御部は、前記導出部で導出された前記物理量が前記許容量情報によって示される最大許容量より大きい場合、前記多層配線基板に対する前記露光部による露光を禁止する
請求項8記載の露光描画装置。
A storage unit that stores allowable amount information indicating a maximum allowable amount of the physical amount, which is an upper limit allowable as the magnitude of distortion of the multilayer wiring board,
The exposure drawing apparatus according to claim 8, wherein the control unit prohibits exposure of the multilayer wiring board by the exposure unit when the physical amount derived by the derivation unit is larger than a maximum allowable amount indicated by the allowable amount information. .
コンピュータを、
多層配線基板に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、前記第1の位置を基準として定められた前記多層配線基板に描画する、ソルダーレジスト層の部品実装用の開口穴を示すソルダーレジストパターンである描画パターンを示す座標データ、及び前記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得部と、
前記第1の位置及び前記第2の位置に基づいて前記多層配線基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ前記複数の基準マークの各々毎に、前記第1の位置及び前記第2の位置のずれに対する、前記多層配線基板の歪みに応じて前記描画パターンを補正するための補正量を導出する導出部と、
前記導出部で導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減部であって、前記開口穴が、部品と接合するための導体パッドの内部に納まるよう低減する低減部と、
前記第2の位置を基準として前記多層配線基板に前記描画パターンを描画する場合、前記低減部で低減された補正量に基づいて前記描画パターンを示す座標データを補正する補正部と、
として機能させるためのプログラム。
Computer
Coordinate data indicating a first position, which is a design position of a plurality of reference marks provided on the multilayer wiring board, and a solder resist layer for drawing on the multilayer wiring board defined based on the first position . An acquisition unit that acquires coordinate data indicating a drawing pattern that is a solder resist pattern indicating an opening for component mounting , and coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks;
A physical quantity indicating the magnitude of the distortion of the multilayer wiring board is derived based on the first position and the second position, and the first position and the second position are determined for each of the plurality of reference marks. Derivation unit for deriving a correction amount for correcting the drawing pattern according to the distortion of the multilayer wiring board for the displacement of the position,
A reduction unit configured to reduce a larger amount as the physical amount increases from each of the correction amounts derived by the derivation unit , wherein the opening hole is reduced so as to fit inside a conductor pad for joining with a component. Department and
When drawing the drawing pattern on the multilayer wiring board based on the second position, a correction unit that corrects coordinate data indicating the drawing pattern based on the correction amount reduced by the reduction unit;
Program to function as
多層配線基板に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、前記第1の位置を基準として定められた前記多層配線基板に描画する、ソルダーレジスト層の部品実装用の開口穴を示すソルダーレジストパターンである描画パターンを示す座標データ、及び前記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得ステップと、
前記第1の位置及び前記第2の位置に基づいて前記多層配線基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ前記複数の基準マークの各々毎に、前記第1の位置及び前記第2の位置のずれに対する、前記多層配線基板の歪みに応じて前記描画パターンを補正するための補正量を導出する導出ステップと、
前記導出ステップで導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減ステップであって、前記開口穴が、部品と接合するための導体パッドの内部に納まるよう低減する低減ステップと、
前記第2の位置を基準として前記多層配線基板に前記描画パターンを描画する場合、前記低減ステップで低減された補正量に基づいて前記描画パターンを示す座標データを補正する補正ステップと、
を備えた描画方法。
Coordinate data indicating a first position, which is a design position of a plurality of reference marks provided on the multilayer wiring board, and a solder resist layer for drawing on the multilayer wiring board defined based on the first position . An acquisition step of acquiring coordinate data indicating a drawing pattern that is a solder resist pattern indicating an opening for component mounting , and acquiring coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks;
A physical quantity indicating the magnitude of the distortion of the multilayer wiring board is derived based on the first position and the second position, and the first position and the second position are determined for each of the plurality of reference marks. A deriving step of deriving a correction amount for correcting the drawing pattern according to the distortion of the multilayer wiring board for the displacement of the position,
A reduction step of reducing, from each of the correction amounts derived in the deriving step, a larger amount as the physical quantity increases, wherein the reduction is such that the opening hole is reduced to fit inside a conductor pad for joining with a component. Steps and
When drawing the drawing pattern on the multilayer wiring board based on the second position, a correction step of correcting coordinate data indicating the drawing pattern based on the correction amount reduced in the reduction step;
Drawing method with.
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