KR102090459B1 - Cleaning apparatus for substrate - Google Patents

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류명학
이종혁
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엘지디스플레이 주식회사
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    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Abstract

본 발명은 기판 세정장치에 관한 것으로, 특히 기판으로 토네이도 형식으로 세정가스를 분사하여 기판을 세정하는 건식세정장치에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 건식세정장치의 가압유로와 토출부 사이에 가압유로로부터 공급되는 세정가스의 추력(thrust)에 의해 회전하는 회전유도구조체를 구비하여, 회전유도구조체의 회전에 의해 토출부를 통해 분사노즐의 외부로 토출되는 세정가스가 토네이도 형식으로 분사되도록 함으로써, 기판 상에 잔존하는 이물을 보다 손쉽게 제거할 수 있어, 매우 강력한 세정력을 통해 기판을 세정할 수 있다.
또한, 낮은 분사유속으로도 기판 상에 잔존하는 이물을 손쉽게 제거할 수 있어, 높은 분사유속에 의해 기판의 표면 손상이 발생하는 것을 방지할 수도 있다.
또한, 세정 공정 후 별도의 건조공정을 필요치 않아, 공정 시간 단축 및 공정비용을 절감할 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있으며, 또한 건조공정 시 세정액에 의한 물얼룩 등의 재오염과 화학적 세정액에 의한 기판의 표면 손상 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
The present invention relates to a substrate cleaning apparatus, and more particularly, to a dry cleaning apparatus for cleaning a substrate by spraying a cleaning gas in a tornado form to the substrate.
A feature of the present invention is to provide a rotary induction structure that rotates by thrust of the cleaning gas supplied from the pressurized flow path between the pressurized flow path and the discharge portion of the dry cleaning device, and sprays through the discharge portion by rotation of the rotary induction structure. Since the cleaning gas discharged to the outside of the nozzle is sprayed in a tornado type, foreign substances remaining on the substrate can be more easily removed, and the substrate can be cleaned through a very strong cleaning power.
In addition, it is possible to easily remove foreign substances remaining on the substrate even at a low injection flow rate, thereby preventing damage to the surface of the substrate due to the high injection flow rate.
In addition, since a separate drying process is not required after the cleaning process, it is possible to shorten the process time and reduce the process cost, thereby improving the efficiency of the process. It is possible to prevent occurrence of damage to the surface of the substrate.

Description

기판 세정장치{Cleaning apparatus for substrate}Cleaning apparatus for substrate

본 발명은 기판 세정장치에 관한 것으로, 특히 기판으로 토네이도 형식으로 세정가스를 분사하여 기판을 세정하는 건식세정장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate cleaning apparatus, and more particularly, to a dry cleaning apparatus for cleaning a substrate by spraying a cleaning gas in a tornado form to the substrate.

근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 평판표시장치가 개발되어 각광받고 있다. In recent years, as the society has entered a full-fledged information age, the display field for processing and displaying a large amount of information has rapidly developed, and in response, various various flat panel display devices have been developed and attracting attention.

이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD), 유기발광소자(organic light emitting diodes : OLED) 등을 들 수 있는데, 이들 평판표시장치는 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 보여 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다. Specific examples of such a flat panel display device include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel device (PDP), a field emission display device (FED), and an electroluminescent display device (Electroluminescence display device: ELD), organic light emitting diodes (OLED), and the like. These flat panel display devices show excellent performance of thinning, lightening, and low power consumption. Conventional cathode ray tube (CRT) ) Is quickly replacing it.

한편, 이 같은 평판표시장치 제조공정에는 기판 표면에 소정물질의 박막층을 형성하는 박막증착(deposition)공정, 박막의 선택된 일부를 노출시키는 포토리소그라피(photo lithography)공정, 박막의 노출된 부분을 제거하여 목적하는 형태로 패터닝(patterning) 하는 식각(etching) 공정이 수 차례 반복 포함되며, 그 외에도 세정과 절단 등의 수많은 공정이 수반된다. Meanwhile, in the manufacturing process of the flat panel display device, a thin film deposition process of forming a thin film layer of a predetermined material on a substrate surface, a photo lithography process of exposing a selected portion of the thin film, and removing the exposed portion of the thin film The etching process of patterning in a desired shape is repeatedly included, and in addition, numerous processes such as cleaning and cutting are involved.

이중 세정공정은 그 외 공정에 대한 신뢰도 향상은 물론 불량률 저감을 위해 빼놓을 수 없는 중요한 공정으로서, 평판표시장치 전체 제조공정의 30% 이상의 비중을 차지하며 특히 기판 사이즈(size)가 대면적화 되는 현 추세에 있어서 불량감소에 따른 비용절감 측면을 고려할 경우 갈수록 그 중요성을 더해 가고 있다. The double cleaning process is an important process that is essential for reducing reliability as well as improving the reliability of other processes, and it occupies more than 30% of the entire manufacturing process of flat panel display devices. In the case of considering the cost reduction aspect due to the reduction of defects, the importance is gradually increasing.

그리고 이 같은 기판 세정공정은 통상 기판이송과 동시에 진행되는 이른바 인라인(in-line) 방식을 채택하여 시간과 비용의 절감을 꾀하고 있으며, 이러한 인라인 방식은 IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 DI(Deionized) 세정액을 기판 상에 분사하여 세정을 한다. In addition, the substrate cleaning process adopts a so-called in-line method, which is usually performed simultaneously with the transfer of the substrate, to save time and money, and the inline method is an IPA (Isopropyl Alcohol) or DI (Deionized) cleaning solution. Is sprayed onto the substrate for cleaning.

그러나, IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 DI(Deionized) 세정액을 분사하여 기판 상의 이물질을 제거하는 습식 세정방식은 세정 후 건조공정을 진행해야 하며, 건조공정 시 세정액에 의한 물얼룩 등에 의한 재오염과 화학적으로 세정액에 의한 제품의 표면 손상 등이 발생하는 문제점을 야기하게 된다.However, the wet cleaning method, which removes foreign substances on the substrate by spraying IPA (Isopropyl Alcohol) or DI (Deionized) cleaning solution, is required to proceed with the drying process after cleaning. This causes problems such as surface damage of the product due to the cleaning liquid.

이와 같은 문제를 감안하여 최근에는 습식 세정방식에 비해 공정의 편리성이나 저비용의 효과가 있는 고압의 CDA등을 오염된 표면에 물리적으로 충돌시켜 기판의 표면을 세정하는 건식 세정방식에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. In view of these problems, recently, research on the dry cleaning method has been actively conducted to clean the surface of the substrate by physically colliding high-pressure CDA, which has the effect of convenience or low cost, on the contaminated surface compared to the wet cleaning method. Is going on.

특히, 건식 세정방식은 미세회로의 세정에도 탁월한 효과를 갖는다. In particular, the dry cleaning method has an excellent effect for cleaning the microcircuit.

그러나, 고압의 CDA를 분사하는 건식 세정방법 또한 기판 상의 이물을 제거하기에는 효과적이지 못하다. 따라서, 세정되지 못한 이물들이 기판 상에 잔존하게 되고, 이와 같이 잔존하는 이물에 의해 후속 공정에 제품의 불량을 유발하게 된다.
However, the dry cleaning method of spraying high pressure CDA is also not effective to remove foreign substances on the substrate. Therefore, uncleaned foreign substances remain on the substrate, and the residual foreign substances cause product defects in a subsequent process.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 평판표시장치의 기판 세정공정의 세정력을 더욱 향상시키고자 하는 것을 목적으로 한다.
The present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to further improve the cleaning power of the substrate cleaning process of the flat panel display device.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판과; 상기 기판 상부에 위치하며, 토출구에 회전유도구조체가 구비된 다수개의 분사노즐을 포함하는 건식세정장치를 포함하며, 상기 세정가스는 상기 회전유도구조체의 회전에 의해 회전력을 갖고 상기 토출구를 통해 상기 기판 상으로 분사되어, 상기 기판 상에 잔존하는 이물의 상면 및 측면으로 타격을 가하는 기판 세정장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention is a substrate; It is located on the substrate, and includes a dry cleaning device including a plurality of injection nozzles having a rotation inducing structure at the discharge port, and the cleaning gas has a rotational force by rotation of the rotation induction structure and has the substrate through the discharge port. Provided is a substrate cleaning apparatus that is blown upward and applies a blow to the top and side surfaces of a foreign object remaining on the substrate.

이때, 상기 분사노즐은 체결부와 분사부로 정의되며, 상기 분사부는 상기 세정가스를 공급받는 유입부와, 상기 세정가스를 외부로 토출하는 상기 토출구 그리고 상기 유입부로부터 상기 토출구를 향해 상기 세정가스를 공급하는 가압유로로 이루어지며, 상기 가압유로는 상기 분사노즐의 내측 가장자리를 따라 상기 유입부에 비해 좁은 폭으로 형성되며, 상기 회전유도구조체는 상기 가압유로와 상기 토출구 사이에 위치하며, 상기 회전유도구조체는 원반부와, 상기 원반부의 일측면에 구비되어 방사상으로 배치되는 다수개의 가이드블록으로 이루어지며, 상기 가이드블록 사이에는 상기 원반부의 중심을 향하는 일방향을 기준으로 시계방향 또는 반시계방향으로 일정각 기울어져 상기 회전유도구조체의 외측으로 상기 세정가스를 유도하는 에어슬릿이 형성된다. At this time, the injection nozzle is defined as a fastening part and an injection part, and the injection part receives the cleaning gas, the discharge port for discharging the cleaning gas to the outside, and the cleaning gas from the inlet toward the discharge port. It consists of a pressurized flow path to be supplied, and the pressurized flow path is formed with a narrower width than the inlet along the inner edge of the injection nozzle, and the rotary induction structure is located between the pressurized flow path and the outlet, and the rotary induction The structure is composed of a disc portion and a plurality of guide blocks provided on one side of the disc portion and disposed radially, and between the guide blocks is fixed at an angle in a clockwise or counterclockwise direction based on one direction toward the center of the disc portion. Air slits that incline to induce the cleaning gas to the outside of the rotating induction structure It is formed.

그리고, 상기 건식세정장치는 바(bar) 형상으로, 내부에 상기 세정가스가 공급되는 공급로와, 상기 공급로로 외부로부터 세정가스를 공급하는 주입구를 포함하며, 상기 분사노즐은 상기 체결부를 통해 상기 공급로에 장착되며, 상기 분사부는 상기 체결부로부터 30도에서 90도의 각도조절된다. In addition, the dry cleaning device has a bar shape, a supply path through which the cleaning gas is supplied, and an injection port through which the cleaning gas is supplied from the outside through the supply path, and the injection nozzle is through the fastening part. It is mounted on the supply path, and the injection portion is angled from 30 to 90 degrees from the fastening portion.

이때, 상기 세정가스는 질소(N2)가스 또는 CDA(clean dry air)중 선택된 하나로 이루어지며, 이산화탄소(CO2) 또는 아르곤(Ar)가스와 혼합되어 이루어진다. At this time, the cleaning gas is made of one selected from nitrogen (N2) gas or CDA (clean dry air), and is made by mixing with carbon dioxide (CO2) or argon (Ar) gas.

위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 건식세정장치의 가압유로와 토출부 사이에 가압유로로부터 공급되는 세정가스의 추력(thrust)에 의해 회전하는 회전유도구조체를 구비하여, 회전유도구조체의 회전에 의해 토출부를 통해 분사노즐의 외부로 토출되는 세정가스가 토네이도 형식으로 분사되도록 함으로써, 기판 상에 잔존하는 이물을 보다 손쉽게 제거할 수 있어, 매우 강력한 세정력을 통해 기판을 세정할 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, a rotary induction structure rotated by thrust of the cleaning gas supplied from the pressurized flow path between the pressurized flow path and the discharge portion of the dry cleaning apparatus is provided, and the rotational induction structure is rotated. By allowing the cleaning gas discharged to the outside of the injection nozzle through the discharge portion to be sprayed in a tornado type, foreign substances remaining on the substrate can be more easily removed, thereby cleaning the substrate through a very strong cleaning power.

또한, 낮은 분사유속으로도 기판 상에 잔존하는 이물을 손쉽게 제거할 수 있어, 높은 분사유속에 의해 기판의 표면 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. In addition, it is possible to easily remove foreign substances remaining on the substrate even at a low injection flow rate, thereby preventing the surface damage of the substrate from being caused by the high injection flow rate.

또한, 세정 공정 후 별도의 건조공정을 필요치 않아, 공정 시간 단축 및 공정비용을 절감할 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, 또한 건조공정 시 세정액에 의한 물얼룩 등의 재오염과 화학적 세정액에 의한 기판의 표면 손상 등이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
In addition, since there is no need for a separate drying process after the cleaning process, it is possible to shorten the process time and reduce the process cost, thereby improving the efficiency of the process. There is an effect that can prevent the damage to the surface of the substrate caused by the chemical cleaning solution.

도 1은 평판표시장치의 제조공정을 단계적으로 도시한 흐름도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치의 구조를 개략적으로 도시한 사시도.
도 3a는 도 2의 토네이도형 분사노즐을 개략적으로 도시한 사시도.
도 3b는 도 3a의 분해사시도.
도 3c는 도 3a의 단면도.
도 4는 회전유도구조체를 개략적으로 도시한 사시도.
도 5a ~ 5b는 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치의 분사노즐을 통해 토네이도 형식으로 분사되는 세정가스에 의한 처리대상물인 기판 상의 이물이 제거되는 모습을 개략적으로 도시한 단면도.
도 6a ~ 6b는 Sample 1과 Sample 2를 통해 동일한 3m/s의 분사유속으로 세정가스를 분사하여 건식세정공정을 진행한 후의 기판 표면을 찍은 사진.
1 is a flow chart showing the manufacturing process of a flat panel display step by step.
Figure 2 is a perspective view schematically showing the structure of a dry cleaning device according to an embodiment of the present invention.
Figure 3a is a perspective view schematically showing the tornado injection nozzle of Figure 2;
Figure 3b is an exploded perspective view of Figure 3a.
Figure 3c is a cross-sectional view of Figure 3a.
Figure 4 is a perspective view schematically showing the rotation induction structure.
5A to 5B are cross-sectional views schematically illustrating a state in which foreign substances on a substrate, which is an object to be treated by a cleaning gas injected in a tornado type, are removed through an injection nozzle of a dry cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
6A to 6B are photographs of the substrate surface after performing the dry cleaning process by spraying the cleaning gas at the same 3 m / s injection flow rate through Sample 1 and Sample 2.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 평판표시장치의 제조공정을 단계적으로 도시한 흐름도로, 평판표시장치 중 콘트라스트 비(contrast ratio)가 크고 동화상 표시에 적합하며 소비전력이 적어, 노트북, 모니터, TV 등의 다양한 분야에서 활용되고 있는 액정표시장치를 일예로서 설명하도록 하겠다. 1 is a flowchart showing the manufacturing process of a flat panel display device step by step. Among the flat panel display devices, the contrast ratio is large, suitable for moving picture display, and has low power consumption, and is used in various fields such as laptops, monitors, and TVs. The liquid crystal display device being used will be described as an example.

액정표시장치는 먼저, TFT-LCD 셀(cell) 공정(St10)을 진행하는데, 이러한 셀 공정(St10)을 통해 액정셀을 형성한다. The liquid crystal display device first performs a TFT-LCD cell process (St10), and forms a liquid crystal cell through the cell process (St10).

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, TFT-LCD 셀 공정(St10)은 크게 컬러필터기판과 어레이기판 형성(St11), 배향막 형성(St12), 실패턴 및 스페이서 형성(St13), 액정주입(St14), 합착(St15), 절단(St17) 그리고, 검사공정(St17)으로 이루어진다. Looking at this in more detail, the TFT-LCD cell process (St10) largely consists of forming a color filter substrate and an array substrate (St11), forming an alignment layer (St12), forming failure turns and spacers (St13), injecting liquid crystal (St14), and bonding ( St15), cutting (St17), and inspection process (St17).

이에, TFT-LCD 셀 공정(St10)의 제 1 단계(St11)는, 컬러필터기판인 상부기판과 어레이기판인 하부기판을 각각 형성하는 단계이다. Accordingly, the first step (St11) of the TFT-LCD cell process (St10) is a step of forming an upper substrate as a color filter substrate and a lower substrate as an array substrate, respectively.

이때, 어레이기판 내면에는 다수의 게이트라인과 데이터라인이 교차하여 화소(pixel)가 정의되고, 각각의 교차점마다 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)가 구비되어 각 화소에 형성된 투명 화소전극과 일대일 대응 연결된다.  At this time, a plurality of gate lines and data lines are intersected on the inner surface of the array substrate, and pixels are defined, and thin film transistors (TFTs) are provided at each intersection to correspond one-to-one with the transparent pixel electrodes formed on each pixel. Connected.

그리고 컬러필터기판 내면으로는 각 화소에 대응되는 일례로 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러의 컬러필터(color filter) 및 이들 각각을 두르며 게이트라인과 데이터라인 그리고 박막트랜지스터 등의 비표시요소를 가리는 블랙매트릭스(black matrix)가 구비되고, 이들을 덮는 투명 공통전극이 구비된다. In addition, as an example corresponding to each pixel on the inner surface of the color filter substrate, there are red (R), green (G), and blue (B) color filters, and each of them has a gate line, a data line, and a thin film transistor. A black matrix is provided to cover non-display elements such as, and a transparent common electrode is provided to cover them.

제 2 단계(St12)는, 컬러필터기판과 어레이기판 상에 배향막을 형성하는 단계이며, 배향막의 도포 및 경화 그리고, 러빙(rubbing)처리 공정이 포함된다. The second step (St12) is a step of forming an alignment film on the color filter substrate and the array substrate, and includes coating and curing of the alignment film and a rubbing treatment process.

제 3 단계(St13)는, 컬러필터기판과 어레이기판 사이에 개재될 액정이 새지 않도록 실패턴을 인쇄하고, 컬러필터기판과 어레이기판 사이의 갭을 정밀하고 균일하게 유지하기 위해 일정한 크기의 스페이서를 산포하는 공정이다. In the third step (St13), a failure turn is printed so that the liquid crystal to be interposed between the color filter substrate and the array substrate does not leak, and a spacer of a constant size is maintained to maintain a precise and uniform gap between the color filter substrate and the array substrate. It is a process of spreading.

TFT-LCD 셀 공정(St10)의 제 4 단계(St14)는, 양 기판 중 선택된 한 기판 상에 액정을 적하하는 단계이며, 제 5 단계(St15)는, 컬러필터기판과 어레이기판의 합착공정 단계이며 이후, 기판을 셀 단위로 절단하는 제 6 단계(St16)를 진행한다. The fourth step (St14) of the TFT-LCD cell process (St10) is a step of dropping liquid crystal on a selected one of both substrates, and the fifth step (St15) is a step of bonding the color filter substrate and the array substrate. Then, a sixth step (St16) of cutting the substrate in units of cells is performed.

마지막으로 TFT-LCD 셀 공정(St10)의 제 7 단계(St17)는 액정셀의 검사 공정이다. 검사 공정을 거쳐 양질의 액정셀을 선별하게 된다. Finally, the seventh step (St17) of the TFT-LCD cell process (St10) is an inspection process of the liquid crystal cell. Through the inspection process, high quality liquid crystal cells are selected.

이로써, TFT-LCD 셀(cell) 공정(St10)이 완료되며, 액정셀을 완성하게 된다. Thus, the TFT-LCD cell process (St10) is completed, and the liquid crystal cell is completed.

다음으로, 완성된 액정셀의 어레이기판 및 컬러필터기판의 각 외측으로 편광판을 부착하는 편광판 부착공정(St20)을 진행하는데, 편광판은 액정셀을 중심으로 양면에서 광원을 직선광으로 바꿔주는 역할을 한다. Next, a polarizing plate attaching process (St20) of attaching a polarizing plate to each outside of the array substrate and the color filter substrate of the completed liquid crystal cell is performed. do.

그리고, 다음으로 구동회로 부착공정(St30)을 진행하는데, 구동회로는 액정셀의 어레이기판과 전기적 신호를 연결하는 구동회로를 테이프 캐리어 패키지(Tape carrier package : TCP) 상에 직접 실장하는 TAB방식으로, 액정셀에 부착한다. Then, a process of attaching a driving circuit (St30) is performed. The driving circuit is a TAB method in which a driving circuit connecting an electrical signal with an array substrate of a liquid crystal cell is directly mounted on a tape carrier package (TCP). , Attached to the liquid crystal cell.

이로써, 실제 구동 가능한 액정패널을 완성하게 된다. Thus, a liquid crystal panel that can be actually driven is completed.

이 같은 구동회로는 액정패널의 게이트라인으로 박막트랜지스터의 온/오프(on/off) 신호를 스캔 전달하는 게이트구동회로 그리고 데이터라인으로 프레임별 화상신호를 전달하는 데이터구동회로로 구분되어 액정패널의 서로 인접한 두 가장자리로 위치될 수 있다. The driving circuit is divided into a gate driving circuit that scans and transmits an on / off signal of a thin film transistor as a gate line of a liquid crystal panel and a data driving circuit that transmits an image signal for each frame to a data line. It can be positioned with two adjacent edges.

이에 상술한 구조의 액정패널은 스캔 전달되는 게이트구동회로의 온/오프(on/off) 신호에 의해 각 게이트라인 별로 선택된 박막트랜지스터가 온(on) 되면 데이터구동회로의 신호전압이 데이터라인을 통해서 해당 화소전극으로 전달되고, 이에 따른 화소전극과 공통전극 사이의 전기장에 의해 액정분자의 배열방향이 변화되어 투과율 차이를 나타낸다. Accordingly, when the thin film transistor selected for each gate line is turned on by the on / off signal of the gate driving circuit, the liquid crystal panel having the above-described structure transmits the signal voltage of the data driving circuit through the data line. It is transferred to the corresponding pixel electrode, and accordingly, the arrangement direction of the liquid crystal molecules is changed by an electric field between the pixel electrode and the common electrode, thereby indicating a difference in transmittance.

다음은 셀 테스트 공정(St40)으로, 셀 테스트 공정은 구동회로까지 부착된 하나의 액정패널이 완성되면 이를 완전히 구동하여 디스플레이 가능한지를 검사한다.  The next step is a cell test process (St40), and when a liquid crystal panel attached to a driving circuit is completed, the cell test process is completely driven to check whether it is possible to display.

이러한 검사 공정을 거쳐 양질의 액정패널을 선별하게 된다. After such an inspection process, a good quality liquid crystal panel is selected.

다음은 백라이트 유닛 조립 및 케이스 조립공정(St50)으로, 백라이트 유닛 조립공정은 액정패널 하면에 광원과, 광원을 가이드 하는 광원가이드와, 광원으로부터 입사된 빛을 액정패널 방향으로 진행하게 하는 도광판 및 다수의 광학시트를 포함한다. The following is a backlight unit assembly and case assembly process (St50). The backlight unit assembly process includes a light source on a lower surface of a liquid crystal panel, a light source guide guiding a light source, and a light guide plate for advancing light incident from the light source toward the liquid crystal panel. Includes an optical sheet.

또는, 이상의 설명에 있어서 도광판을 사용하는 에지(edge)형 방식에 대해 설명하였지만, 도광판을 생략한 상태로 다수개의 광원을 액정패널 하부에 나란하게 배열하는 직하(direct)형도 가능하다. Alternatively, in the above description, although an edge type method using a light guide plate has been described, a direct type in which a plurality of light sources are arranged side by side under the liquid crystal panel in a state in which the light guide plate is omitted is also possible.

백라이트 유닛 조립공정 후 케이스 조립을 한다. 케이스 조립은 탑커버과 서포트메인 그리고 커버버툼을 통해 모듈화 되는데, 탑커버는 액정패널의 상면 및 측면 가장자리를 덮도록 단면이“ㄱ”형태로 절곡된 사각테 형상으로, 탑커버의 전면을 개구하여 액정패널에서 구현되는 화상을 표시하도록 구성한다.  After the backlight unit assembly process, the case is assembled. The case assembly is modularized through the top cover, support main, and cover bottom. The top cover is a rectangular frame shape with a cross section bent in the shape of “a” to cover the top and side edges of the liquid crystal panel. The liquid crystal is opened by opening the front of the top cover. It is configured to display an image implemented in a panel.

또한, 액정패널 및 백라이트 유닛이 안착하여 액정표시장치모듈 전체 기구물 조립에 기초가 되는 커버버툼은 사각모양의 하나의 판 형상으로 이의 네 가장자리를 소정높이 수직 절곡하여 구성한다. In addition, the cover bottom, which is the basis for assembling the entire structure of the liquid crystal display module by mounting the liquid crystal panel and the backlight unit, is constituted by vertically bending the four edges of the plate in a square shape.

또한, 이러한 커버버툼 상에 안착되며 액정패널 및 백라이트 유닛의 가장자리를 두르는 서포트메인이 탑커버 및 커버버툼과 조립 체결되어 액정표시장치모듈을 완성한다. In addition, the support main seating on the cover bottom and covering the edges of the liquid crystal panel and the backlight unit is assembled with the top cover and cover bottom to complete the liquid crystal display module.

한편, 전술한 바와 같이 본 발명의 액정표시장치는 액정패널을 구성하는 컬러필터기판과 어레이기판이 다수의 기계적, 화학적 처리공정을 수반하므로, 각 공정 이후 표면을 세정하는 세정공정이 필수적으로 뒤따른다. On the other hand, as described above, in the liquid crystal display device of the present invention, since the color filter substrate and the array substrate constituting the liquid crystal panel involve a number of mechanical and chemical treatment processes, a cleaning process for cleaning the surface after each process is essential. .

특히, 본 발명의 액정표시장치는 습식 세정방식에 비해 공정의 편리성이나 저비용의 효과가 있는 고압의 CDA등을 오염된 표면에 물리적으로 충돌시켜 기판의 표면을 세정하는 건식세정장치를 통한 건식 세정방식을 통해 세정공정을 진행하는 것을 특징으로 한다. In particular, the liquid crystal display device of the present invention is dry-cleaned through a dry cleaning device that physically collides high-pressure CDA, which has the convenience of process or low cost, on a contaminated surface compared to a wet cleaning method to clean the surface of the substrate. Characterized in that the cleaning process through a method.

이때, 본 발명의 실시예에 따른 건식 세정방식은 보다 강력한 세정력을 통해 기판을 세정하게 된다. At this time, the dry cleaning method according to the embodiment of the present invention cleans the substrate through a stronger cleaning power.

이에 대해 도 2와 도 3a ~ 3b 그리고 도 4를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. This will be described in more detail with reference to FIGS. 2, 3A to 3B, and FIG. 4.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치의 구조를 개략적으로 도시한 사시도이다. 2 is a perspective view schematically showing the structure of a dry cleaning device according to an embodiment of the present invention.

그리고, 도 3a는 도 2a의 토네이도형 분사노즐을 개략적으로 도시한 사시도이며, 도 3b는 도 3a의 분해사시도이다. And, Figure 3a is a perspective view schematically showing the tornado-type injection nozzle of Figure 2a, Figure 3b is an exploded perspective view of Figure 3a.

그리고, 도 3c는 도 3a의 단면도이며, 도 4는 회전유도구조체를 개략적으로 도시한 사시도이다. And, Figure 3c is a cross-sectional view of Figure 3a, Figure 4 is a perspective view schematically showing the rotation induction structure.

도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(100)는 처리대상물인 기판(도 5a의 160)에 대응되는 길이를 가지고 기판(도 5a의 160) 상부를 가로지르는 바(bar) 형상으로, 세정가스(150)가 공급되는 공급로(110)와, 공급로(110)를 통해 공급되는 세정가스(150)를 외부로 분사하기 위한 토출부(139)가 구성된 다수개의 분사노즐(130)을 포함한다.As shown, the dry cleaning apparatus 100 according to an embodiment of the present invention has a length corresponding to the substrate (160 in FIG. 5A) to be processed, and a bar (bar) across the upper portion of the substrate (160 in FIG. 5A) In the shape, a plurality of injection nozzles configured with a supply passage 110 through which the cleaning gas 150 is supplied and a discharge part 139 for injecting the cleaning gas 150 supplied through the supply passage 110 to the outside 130).

여기서, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(100)는 분사노즐(130)이 형성된 하부면(112)과, 이에 대응되는 상부면(114) 그리고 하부면(112)과 상부면(114)을 연결하며 내부로 세정가스(150)가 공급되는 공급로(110)를 정의하는 측면(116)으로 이루어진다. Here, the dry cleaning apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the lower surface 112, the upper surface 114 and the lower surface 112 and the upper surface 114, the injection nozzle 130 is formed It is made of a side 116 that defines a supply path 110 through which the cleaning gas 150 is supplied.

이때, 상부면(114)에는 다수개의 주입구(120)가 구비되며, 각각의 주입구(120)를 통해 공급로(110) 내부로 건식세정장치(100)의 외부에 위치하는 세정가스(150) 저장 및 공급하는 저장부(미도시)로부터 세정가스(150)를 공급받는다. At this time, the upper surface 114 is provided with a plurality of injection ports 120, and through each injection port 120, the cleaning gas 150 located outside the dry cleaning device 100 is stored in the supply path 110 inside. And receiving the cleaning gas 150 from a storage unit (not shown).

여기서, 주입구(120) 상에는 압력조절기(미도시)와 유량조절기(미도시)가 차례로 설치되며, 압력조절기(미도시)는 주입구(120)를 통해 외부의 저장부(미도시)로부터 공급되는 세정가스(150)의 압력을 조절하게 되며, 유량조절기(미도시)는 저장부(미도시)로부터 공급되는 세정가스(150)의 배출 유량을 조절하는 역할을 한다.Here, a pressure regulator (not shown) and a flow regulator (not shown) are sequentially installed on the inlet 120, and the pressure regulator (not shown) is cleaned from an external storage (not shown) through the inlet 120. The pressure of the gas 150 is controlled, and a flow regulator (not shown) serves to control the discharge flow rate of the cleaning gas 150 supplied from the storage unit (not shown).

그리고, 건식세정장치(100)의 하부면(112)에 형성된 분사노즐(130)은 다수개가 일정간격 이격되어 형성된다. In addition, a plurality of injection nozzles 130 formed on the lower surface 112 of the dry cleaning device 100 are formed at regular intervals.

한편, 세정가스(150)는 고순도의 질소(N2) 가스나 CDA(clean dry air)로 이루어질 수 있으며, 고순도의 이산화탄소(CO2) 또는 아르곤(Ar)가스가 압축된 고순도의 질소(N2) 가스나 CDA(clean dry air)와 혼합되어 이루어질 수도 있다. Meanwhile, the cleaning gas 150 may be made of high-purity nitrogen (N2) gas or CDA (clean dry air), and high-purity carbon dioxide (CO2) or argon (Ar) gas is compressed high-purity nitrogen (N2) gas or It may be mixed with CDA (clean dry air).

이와 같은, 건식세정장치(100)는 분사노즐(130)을 통해 세정가스(150)를 진공 분위기 또는 대기압 분위기의 처리실에서 분사하게 되며, 처리대상물인 기판(도 5a의 160)의 종류에 따라 기판(도 5a의 160)을 기준으로 약 30도에서 90도 각도로 분사각도가 조절될 수 있다.As described above, the dry cleaning apparatus 100 sprays the cleaning gas 150 through the injection nozzle 130 in the processing chamber in a vacuum atmosphere or an atmospheric pressure atmosphere, and the substrate is processed according to the type of the substrate (160 in FIG. 5A). The injection angle may be adjusted at an angle of about 30 to 90 degrees based on (160 in FIG. 5A).

여기서, 세정가스(150)는 분사노즐(130)을 통해 고속, 고압으로 기판(도 5a의 160) 상에 분사되는데, 본 발명의 건식세정장치(100)는 분사노즐(130)을 통해 외부로 분사되는 세정가스(150)가 토네이도 형식으로 분사되는 것을 특징으로 한다. Here, the cleaning gas 150 is injected onto the substrate (160 in FIG. 5A) at high speed and high pressure through the injection nozzle 130, and the dry cleaning apparatus 100 of the present invention is external to the injection nozzle 130. Characterized in that the cleaning gas 150 is injected in a tornado type.

즉, 본 발명의 건식세정장치(100)의 분사노즐(130)은 세정가스(150)가 분사노즐(130)을 통해 외부로 분사되는 순간 회전력을 갖게 하여, 토네이도 형식으로 분사되도록 하는 것이다.That is, the injection nozzle 130 of the dry cleaning apparatus 100 of the present invention is to have a momentary rotational force when the cleaning gas 150 is injected to the outside through the injection nozzle 130, so that it is injected in a tornado type.

이러한 토네이도 형식으로 분사되는 세정가스(150)는 기판(도 5a의 160) 상에 잔존하는 이물(도 5a의 170)의 상면 및 측면으로 모두 타격을 가하게 됨으로써, 기판(도 5a의 160) 상에 잔존하는 이물(도 5a의 170)을 보다 손쉽게 제거할 수 있게 된다. The cleaning gas 150 injected in the form of a tornado hits both the upper surface and the side surface of the foreign material (170 in FIG. 5A) remaining on the substrate (160 in FIG. 5A), thereby being applied to the substrate (160 in FIG. 5A). The remaining foreign matter (170 in FIG. 5A) can be more easily removed.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(100)는 매우 강력한 세정력을 통해 기판(도 5a의 160)을 세정하게 된다. Therefore, the dry cleaning apparatus 100 according to the embodiment of the present invention cleans the substrate (160 in FIG. 5A) through a very strong cleaning power.

여기서, 분사노즐(130)은 크게 공급로(110)에 장착되는 체결부(131)와, 세정가스(150)를 분사하는 분사부(133)로 이루어지는데, 분사부(133)는 체결부(131)로부터 약 30도에서 90도 각도로 분사각도가 조절될 수 있다. Here, the injection nozzle 130 is largely composed of a fastening unit 131 mounted on the supply path 110 and an injection unit 133 for spraying the cleaning gas 150, wherein the injection unit 133 is a fastening unit ( From 131), the injection angle can be adjusted from about 30 to 90 degrees.

그리고, 체결부(131) 내부에는 공급로(110)로부터 세정가스(150)를 공급받는 유입부(132)와, 세정가스(150)를 외부로 분사하는 토출구(139) 그리고 유입부(132)로부터 토출구(139)를 향해 세정가스(150)를 공급하는 가압유로(134)로 이루어진다. And, inside the fastening part 131, the inlet 132 receiving the cleaning gas 150 from the supply path 110, the discharge port 139 for injecting the cleaning gas 150 to the outside and the inlet 132 It consists of a pressurized flow path (134) for supplying the cleaning gas 150 from the discharge port (139).

여기서, 가압유로(134)는 분사노즐(130)의 중심부에 형성되는 버퍼(buffer : 135)에 의해 분사노즐(130)의 내측 가장자리를 따라 유입부(132)에 비해 좁은 폭을 갖도록 형성되며, 가압유로(134)와 토출부(139) 사이에는 가압유로(134)로부터 공급되는 세정가스(150)의 추력(thrust)에 의해 회전하는 회전유도구조체(137)가 구비되며, 회전유도구조체(137)의 회전에 의해 토출부(139)를 통해 분사노즐(130)의 외부로 토출되는 세정가스(150)는 회전력을 갖게 된다. Here, the pressurized flow path 134 is formed to have a narrower width than the inlet 132 along the inner edge of the injection nozzle 130 by a buffer (135) formed in the center of the injection nozzle 130, Between the pressurized flow path 134 and the discharge portion 139, a rotation induction structure 137 rotated by thrust of the cleaning gas 150 supplied from the pressurized flow path 134 is provided, and the rotation induction structure 137 ), The cleaning gas 150 discharged to the outside of the injection nozzle 130 through the discharge unit 139 has rotational force.

따라서, 분사노즐(130)을 통해 외부로 토출되는 세정가스(150)는 토네이도 형식으로 분사되어, 기판(도 5a의 160) 상에 잔존하는 이물(도 5a의 170)의 상면 및 측면으로 모두 타격을 가하게 됨으로써, 기판(도 5a의 160) 상에 잔존하는 이물(도 5a의 170)을 보다 손쉽게 제거할 수 있게 된다. Accordingly, the cleaning gas 150 discharged to the outside through the injection nozzle 130 is injected in a tornado type, and hits both the upper and side surfaces of the foreign material (170 in FIG. 5A) remaining on the substrate (160 in FIG. 5A). By applying, it is possible to more easily remove the foreign matter (170 in FIG. 5A) remaining on the substrate (160 in FIG. 5A).

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(100)는 매우 강력한 세정력을 통해 기판을 세정하게 된다. Therefore, the dry cleaning apparatus 100 according to the embodiment of the present invention cleans the substrate through a very strong cleaning power.

여기서, 도 4를 참조하여 회전유도구조체에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(100)의 분사노즐(130) 내부에 구비되는 회전유도구조체(137)는 중심에 버퍼(135)가 끼움되는 끼움홀(137b)이 형성된 원반부(137a)와, 원반부(137a)의 일측면에 구비되어 끼움홀(137b)을 중심으로 방사상으로 배치되는 다수개의 가이드블록(137c)으로 이루어지며, 각 가이드블록(137c) 사이에는 회전유도구조체의 외측으로 세정가스(150)를 유도하는 에어슬릿(137d)이 형성된다. Here, referring to FIG. 4, the rotation induction structure 137 provided inside the injection nozzle 130 of the dry cleaning apparatus 100 according to the embodiment of the present invention will be described in more detail with respect to the rotation induction structure 137. 135) a disc portion 137a having a fitting hole 137b into which it is fitted, and a plurality of guide blocks 137c provided on one side of the disc portion 137a and disposed radially around the fitting hole 137b. It is made, between each guide block (137c) is formed an air slit (137d) for guiding the cleaning gas 150 to the outside of the rotating induction structure.

이때, 에어슬릿(137d)은 모두 회전유도구조체(137)의 외측으로부터 끼움홀(137b)을 향해 비스듬하게 형성되는 것을 특징으로 한다. At this time, all of the air slits 137d are formed obliquely toward the fitting hole 137b from the outside of the rotation induction structure 137.

즉, 에어슬릿(137d)은 회전유도구조체(137)의 외측으로부터 끼움홀(137b)을 향하는 일방향을 기준으로 시계반대방향 또는 시계방향으로 모두 일정각 기울어져 형성되는 것이다. That is, the air slit 137d is formed to be inclined at a constant angle both in the counterclockwise direction or in the clockwise direction based on one direction toward the fitting hole 137b from the outside of the rotation induction structure 137.

이를 통해, 가압유로(134)를 통해 공급되는 세정가스(150)는 회전유도구조체(137)의 내측으로부터 에어슬릿(137d)을 통해 회전유도구조체(137)의 외측으로 유도되게 되는데, 이때 회전유도구조체(137)의 내측으로부터 외측으로 유도되는 세정가스(150)는 회전유도구조체(137)의 원주방향으로 유도되게 된다. Through this, the cleaning gas 150 supplied through the pressurized flow path 134 is guided from the inside of the rotating induction structure 137 to the outside of the rotating induction structure 137 through the air slit 137d, at this time. The cleaning gas 150 induced from the inside of the structure 137 to the outside is guided in the circumferential direction of the rotation induction structure 137.

따라서, 원주방향으로 유도되는 세정가스(150)의 추력(thrust)에 의해 회전유도구조체(137)는 에어슬릿(137d)이 비스듬하게 형성된 방향을 따라 일 방향으로 회전하게 된다.Therefore, the rotation induction structure 137 is rotated in one direction along the direction in which the air slits 137d are formed obliquely by thrust of the cleaning gas 150 induced in the circumferential direction.

이와 같이, 일 방향으로 회전유도구조체(137)가 회전하게 됨에 따라, 회전유도구조체(137)의 외측으로 유도되는 세정가스(150)는 회전력을 부여받게 되며, 따라서, 토출부(139)를 통해 분사노즐(130)의 외부로 토출되는 세정가스(150) 또한 회전력을 갖게 되는 것이다. As described above, as the rotation induction structure 137 is rotated in one direction, the cleaning gas 150 induced to the outside of the rotation induction structure 137 is given rotational force, and thus, through the discharge unit 139 The cleaning gas 150 discharged to the outside of the injection nozzle 130 also has rotational force.

도 5a ~ 5b는 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치의 분사노즐을 통해 토네이도 형식으로 분사되는 세정가스에 의한 처리대상물인 기판 상의 이물이 제거되는 모습을 개략적으로 도시한 단면도이다. 5A to 5B are cross-sectional views schematically illustrating a state in which foreign substances on a substrate, which is an object to be treated, are removed by a cleaning gas injected in a tornado form through an injection nozzle of a dry cleaning device according to an embodiment of the present invention.

도 5a에 도시한 바와 같이, 처리대상물인 기판(160) 상에는 다수의 공정을 진행하는 과정에서 이물(170)이 잔존하게 되는데, 이러한 기판(160) 상부로 건식세정장치(도 2a의 100)의 분사노즐(130)을 통해 토네이도 형식의 세정가스(150)를 분사하여 기판(160) 상에 잔존하는 이물(170)을 제거하게 된다. As shown in FIG. 5A, a foreign material 170 remains in the process of performing a plurality of processes on a substrate 160 as a processing object, and the dry cleaning device (100 of FIG. 2A) is applied to the upper surface of the substrate 160. The tornado type cleaning gas 150 is injected through the injection nozzle 130 to remove the foreign matter 170 remaining on the substrate 160.

이때, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(도 2a의 100)는 분사노즐(130)의 가압유로(134)를 통해 공급되는 세정가스(150)의 추력에 의해 회전유도구조체(137)가 회전하게 되고, 이를 통해 세정가스(150)는 회전력을 부여받아 기판(160) 상으로 토네이도 형식으로 분사되게 된다. At this time, the dry cleaning device according to an embodiment of the present invention (100 in FIG. 2A) has a rotating induction structure 137 by thrust of the cleaning gas 150 supplied through the pressurized flow path 134 of the injection nozzle 130. Through this, the cleaning gas 150 is supplied with a rotational force and is sprayed onto the substrate 160 in the form of a tornado.

따라서, 도 5b에 도시한 바와 같이 기판(160) 상에 잔존하는 이물(170)의 상면 및 측면으로 모두 타격을 가하게 됨으로써, 실질적으로 기판(160) 상에 잔존하는 이물(170)에 큰 힘을 가하게 되고, 따라서, 기판(160) 상에 잔존하는 이물(170)을 보다 손쉽게 제거할 수 있게 된다. Therefore, as shown in FIG. 5B, both the upper surface and the side surface of the foreign material 170 remaining on the substrate 160 are hit, thereby substantially applying a large force to the foreign material 170 remaining on the substrate 160. Therefore, the foreign material 170 remaining on the substrate 160 can be more easily removed.

즉, 본 발명의 건식세정장치(도 2a의 100)는 토네이도 형식으로 세정가스(150)를 기판(160) 상에 분사함으로써, 기판(160) 상에 잔존하는 이물(170)을 보다 손쉽게 제거할 수 있어, 매우 강력한 세정력을 통해 기판(160)을 세정하게 된다. That is, the dry cleaning device of the present invention (100 in FIG. 2A) sprays the cleaning gas 150 on the substrate 160 in a tornado form, thereby more easily removing the foreign matter 170 remaining on the substrate 160. It is possible to clean the substrate 160 through a very strong cleaning power.

또한, 낮은 분사유속으로도 기판(160) 상에 잔존하는 이물(170)을 손쉽게 제거할 수 있어, 높은 분사유속에 의해 기판(160)의 표면 손상이 발생하는 것을 방지할 수도 있다. In addition, it is possible to easily remove the foreign matter 170 remaining on the substrate 160 even at a low injection flow rate, it is possible to prevent the surface damage of the substrate 160 caused by the high injection flow rate.

일예로 기판(160) 상에 러빙축이 형성된 배향막이 형성되어 있으며, 배향막 상부의 이물(170)을 제거하고자, 높은 분사유속로 세정가스(150)를 분사할 경우, 기판(160) 상의 이물(170)은 제거될 지라도 배향막의 러빙축을 변동시키게 됨으로써, 콘트라스트 특성을 저하시키게 된다. As an example, an alignment layer having a rubbing axis formed on the substrate 160 is formed, and in order to remove the foreign material 170 on the alignment layer, when the cleaning gas 150 is injected at a high jet flow rate, the foreign material on the substrate 160 ( Although 170) is removed, the rubbing axis of the alignment layer is changed, thereby lowering the contrast characteristic.

그러나, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(도 2a의 100)는 낮은 분사유속으로도 일반적인 건식세정장치에 비해 우수한 세정력으로 기판(160) 상의 이물을 제거함으로써, 위와 같은 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있는 것이다. However, the dry cleaning device according to an embodiment of the present invention (100 in FIG. 2A) removes foreign substances on the substrate 160 with excellent cleaning power compared to a general dry cleaning device even at a low injection flow rate, thereby causing the above problems. It can be prevented.

또한, 세정 공정 후 별도의 건조공정을 필요치 않아, 공정 시간 단축 및 공정비용을 절감할 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있으며, 또한 건조공정 시 세정액에 의한 물얼룩 등의 재오염과 화학적 세정액에 의한 기판(160)의 표면 손상 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, since a separate drying process is not required after the cleaning process, the process time can be shortened and the process cost can be reduced, thereby improving the efficiency of the process. It is possible to prevent the damage to the surface of the substrate 160 caused.

아래 표(1)은 일반적인 건식세정장치와 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(도 2a의 100)의 세정력을 비교 측정한 시뮬레이션 결과이며, 도 6a ~ 6b는 Sample 1과 Sample 2를 통해 동일한 3m/s의 분사유속으로 세정가스(150)를 분사하여 건식세정공정을 진행한 후의 기판(160) 표면을 찍은 사진이다. Table (1) below is a simulation result of comparing and measuring the cleaning power of a general dry cleaning device and a dry cleaning device according to an embodiment of the present invention (100 in FIG. 2A), and FIGS. 6A to 6B are identical through Sample 1 and Sample 2 This is a photograph of the surface of the substrate 160 after the dry cleaning process is performed by spraying the cleaning gas 150 at an injection flow rate of 3 m / s.

분사유속Injection flow rate 세정력(=제거율)Cleaning power (= removal rate) Sample 1Sample 1 Sample 2Sample 2 2 m/s2 m / s -- 65%65% 3 m/s3 m / s 50%50% 100%100% 4 m/s4 m / s -- 100%100% 5 m/s5 m / s 70%70% 6 m/s6 m / s -- 7 m/s7 m / s 80%80%

여기서, Sample 1은 일반적인 건식세정장치이며, Sample 2는 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(도 2a의 100)를 나타낸다. Here, Sample 1 is a general dry cleaning device, and Sample 2 shows a dry cleaning device (100 in FIG. 2A) according to an embodiment of the present invention.

위의 표(1)을 참조하면, Sample 1은 3m/s의 분사유속으로 세정가스(150)를 기판(160) 상에 분사할 경우 기판(160) 상의 이물(170) 제거율이 50% 밖에 되지 않으나, Sample 2는 Sample 1과 동일한 분사유속으로 기판(160) 상에 분사될 경우 기판(160) 상의 이물(170) 제거율이 100%인 것을 확인할 수 있다. Referring to the table (1) above, when the cleaning gas 150 is sprayed onto the substrate 160 at an injection flow rate of 3 m / s, the removal rate of the foreign material 170 on the substrate 160 is only 50%. However, when Sample 2 is injected onto the substrate 160 at the same injection flow rate as Sample 1, it can be confirmed that the removal rate of the foreign material 170 on the substrate 160 is 100%.

즉, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(도 2a의 100)는 세정가스(150)를 토네이도 형식으로 분사함으로써, 일반적인 건식세정장치에 비해 훨씬 강력한 세정력을 갖는다. That is, the dry cleaning device according to an embodiment of the present invention (100 in FIG. 2A) has a much stronger cleaning power than a general dry cleaning device by spraying the cleaning gas 150 in a tornado type.

이에 대해, 도 6a 와 도 6b를 참조하면 확연히 그 차이를 확인할 수 있다. On the other hand, referring to FIGS. 6A and 6B, the difference can be clearly confirmed.

즉, 도 6a를 참조하면, 기판(160) 상에 동일한 분사유속(3m/s)으로 세정가스(150)를 분사하더라도, 일반적인 건식세정장치를 사용한 Sample 1에 의한 건식세정공정을 진행한 기판(160) 상에는 많은 양의 이물(170)이 그대로 잔존하는 것을 확인할 수 있다. That is, referring to FIG. 6A, even if the cleaning gas 150 is injected at the same injection flow rate (3 m / s) on the substrate 160, the substrate subjected to the dry cleaning process according to Sample 1 using a general dry cleaning device ( 160) It can be seen that a large amount of foreign matter 170 remains on the image.

이때의 세정력은 약 50% 밖에 되지 않는다. The cleaning power at this time is only about 50%.

이에 반해, 도 6b를 참조하면 기판(160) 상에 동일한 분사유속(3m/s)으로 세정가스(150)를 분사하더라도, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(도 2a의 100)를 통해 건식세정공정을 진행한 기판(160) 상에는 이물(170)이 전혀 잔존하지 않는 것을 확인할 수 있다. On the other hand, referring to Figure 6b, even if the cleaning gas 150 is injected at the same injection flow rate (3m / s) on the substrate 160, through the dry cleaning device (100 in Figure 2a) according to an embodiment of the present invention It can be seen that the foreign material 170 does not remain on the substrate 160 that has undergone the dry cleaning process.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(도 2a의 100)는 세정가스(150)를 토네이도 형식으로 분사함으로써, 기판(160) 상에 잔존하는 이물(170)을 보다 손쉽게 제거할 수 있어, 일반적인 건식세정장치에 비해 훨씬 강력한 세정력을 갖는다. Therefore, the dry cleaning device according to an embodiment of the present invention (100 in FIG. 2A) can more easily remove the foreign matter 170 remaining on the substrate 160 by spraying the cleaning gas 150 in a tornado format. , It has a much stronger cleaning power than a general dry cleaning device.

또한, 낮은 분사유속으로도 높은 세정력을 가짐으로써, 분사유속을 높일 필요가 없어 높은 분사유속에 의해 기판(160)의 표면 손상이 발생하는 것을 방지할 수도 있다. In addition, by having a high cleaning power even at a low injection flow rate, it is not necessary to increase the injection flow rate, and thus it is possible to prevent the surface damage of the substrate 160 from being caused by the high injection flow rate.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 건식세정장치(도 2a의 100)는 가압유로(134)와 토출부(139) 사이에 가압유로(134)로부터 공급되는 세정가스(150)의 추력(thrust)에 의해 회전하는 회전유도구조체(137)를 구비하여, 회전유도구조체(137)의 회전에 의해 토출부(139)를 통해 분사노즐(130)의 외부로 토출되는 세정가스(150)가 토네이도 형식으로 분사되도록 함으로써, 기판(160) 상에 잔존하는 이물(170)을 보다 손쉽게 제거할 수 있어, 매우 강력한 세정력을 통해 기판(160)을 세정하게 된다. As described above, the dry cleaning device according to an embodiment of the present invention (100 in FIG. 2A) is the thrust of the cleaning gas 150 supplied from the pressure passage 134 between the pressure passage 134 and the discharge part 139. The cleaning gas 150 discharged to the outside of the injection nozzle 130 through the discharge part 139 by the rotation of the rotation induction structure 137 is provided with a rotation induction structure 137 rotated by (thrust) By spraying in a tornado type, foreign substances 170 remaining on the substrate 160 can be more easily removed, thereby cleaning the substrate 160 through a very strong cleaning power.

또한, 낮은 분사유속으로도 기판(160) 상에 잔존하는 이물(170)을 손쉽게 제거할 수 있어, 높은 분사유속에 의해 기판(160)의 표면 손상이 발생하는 것을 방지할 수도 있다. In addition, since the foreign material 170 remaining on the substrate 160 can be easily removed even at a low injection flow rate, surface damage of the substrate 160 may be prevented from occurring due to the high injection flow rate.

또한, 세정 공정 후 별도의 건조공정을 필요치 않아, 공정 시간 단축 및 공정비용을 절감할 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있으며, 또한 건조공정 시 세정액에 의한 물얼룩 등의 재오염과 화학적 세정액에 의한 기판(160)의 표면 손상 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, since a separate drying process is not required after the cleaning process, it is possible to shorten the process time and reduce the process cost, thereby improving the efficiency of the process. It is possible to prevent the damage to the surface of the substrate 160 caused.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented by variously changing within the limits without departing from the gist of the present invention.

130 : 분사노즐
131 : 체결부, 132 : 유입부, 133 : 분사부, 134 : 가압유로
135 : 버퍼, 137 : 회전유도구조체, 139 : 토출구
150 : 세정가스, 160 : 기판, 170 : 이물
130: spray nozzle
131: fastening part, 132: inlet part, 133: injection part, 134: pressurized flow path
135: buffer, 137: rotating induction structure, 139: discharge port
150: cleaning gas, 160: substrate, 170: foreign matter

Claims (6)

기판과;
상기 기판 상부에 위치하며, 토출구에 회전유도구조체가 구비된 다수개의 분사노즐을 포함하는 건식세정장치
를 포함하며,
상기 분사노즐은 세정가스를 공급받는 유입부와, 상기 세정가스를 외부로 토출하는 상기 토출구 그리고 상기 유입부로부터 상기 토출구를 향해 상기 세정가스를 공급하는 가압유로를 포함하며,
상기 회전유도구조체는 원반부와, 상기 원반부의 일측면에 구비되어 방사상으로 배치되는 다수개의 가이드블록을 포함하며, 상기 가이드블록 사이에는 상기 원반부의 중심을 향하는 일방향을 기준으로 시계방향 또는 반시계방향으로 일정각 기울어져 상기 회전유도구조체의 외측으로 상기 세정가스를 유도하는 에어슬릿이 형성되며,
상기 회전유도구조체는 상기 가압유로와 상기 토출구 사이로 위치하며,
상기 세정가스는 상기 회전유도구조체의 회전에 의해 회전력을 갖고 상기 토출구를 통해 상기 기판 상으로 분사되어, 상기 기판 상에 잔존하는 이물의 상면 및 측면으로 타격을 가하는 기판 세정장치.
A substrate;
Dry cleaning device that is located on the substrate, and includes a plurality of injection nozzles equipped with a rotating induction structure at the discharge port
It includes,
The injection nozzle includes an inlet through which a cleaning gas is supplied, a discharge port through which the cleaning gas is discharged, and a pressurized flow path through which the cleaning gas is supplied from the inlet toward the discharge port.
The rotating induction structure includes a disc portion and a plurality of guide blocks provided on one side of the disc portion and disposed radially, and between the guide blocks is clockwise or counterclockwise based on one direction toward the center of the disc portion The slits are inclined at an angle to form an air slit for guiding the cleaning gas to the outside of the rotating induction structure,
The rotating induction structure is located between the pressurized flow path and the discharge port,
The cleaning gas has a rotational force by rotation of the rotation-inducing structure and is sprayed onto the substrate through the discharge port to strike the upper surface and side surfaces of foreign matter remaining on the substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 분사노즐은 체결부와 분사부로 정의되며, 상기 분사부는 상기 유입부와, 상기 토출구 그리고 상기 가압유로를 포함하며,
상기 가압유로는 상기 분사노즐의 내측 가장자리를 따라 상기 유입부에 비해 좁은 폭으로 형성되며, 상기 회전유도구조체는 상기 가압유로와 상기 토출구 사이에 위치하는 기판 세정장치.
According to claim 1,
The injection nozzle is defined as a fastening portion and an injection portion, the injection portion includes the inlet portion, the discharge port and the pressurized flow path,
The pressurized flow path is formed with a narrower width than the inlet portion along the inner edge of the injection nozzle, and the rotating induction structure is a substrate cleaning apparatus positioned between the pressurized flow path and the discharge port.
삭제delete 제 2 항에 있어서,
상기 건식세정장치는 바(bar) 형상으로, 내부에 상기 세정가스가 공급되는 공급로와, 상기 공급로로 외부로부터 세정가스를 공급하는 주입구를 포함하며, 상기 분사노즐은 상기 체결부를 통해 상기 공급로에 장착되는 기판 세정장치.
According to claim 2,
The dry cleaning device has a bar shape, and includes a supply path through which the cleaning gas is supplied, and an injection port through which the cleaning gas is supplied from the outside. A substrate cleaning device mounted on the furnace.
제 4 항에 있어서,
상기 분사부는 상기 체결부로부터 30도에서 90도의 각도조절되는 기판 세정장치.
The method of claim 4,
The injection unit is a substrate cleaning apparatus that is angle-adjusted from 30 to 90 degrees from the fastening portion.
제 1 항에 있어서,
상기 세정가스는 질소(N2)가스 또는 CDA(clean dry air)중 선택된 하나로 이루어지며, 이산화탄소(CO2) 또는 아르곤(Ar)가스와 혼합되어 이루어지는 기판 세정장치.
According to claim 1,
The cleaning gas is a substrate cleaning apparatus made of nitrogen (N2) gas or CDA (clean dry air) selected from carbon dioxide (CO2) or argon (Ar) gas.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6782900B2 (en) * 2001-09-13 2004-08-31 Micell Technologies, Inc. Methods and apparatus for cleaning and/or treating a substrate using CO2
US6861371B2 (en) * 2001-11-05 2005-03-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method
KR20100013651A (en) * 2008-07-31 2010-02-10 주식회사 케이씨텍 Jet unit and wafer cleaning apparatus having the same
KR20110004561U (en) * 2009-10-30 2011-05-09 주식회사 케이씨텍 Dry type cleaner for large area substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102312841B1 (en) * 2021-03-16 2021-10-14 여정동 Nozzle bar and cleaning unit

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