KR102081979B1

KR102081979B1 - 표시 장치

Info

Publication number: KR102081979B1
Application number: KR1020130079851A
Authority: KR
Inventors: 박준용; 김상갑; 정창오; 강태호; 김경섭; 김관하; 김병범; 닝홍롱; 신상원; 양수경; 여윤종; 이동민; 최신일; 강현주; 손상우; 손정하; 정유광; 조국래; 황진호
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-01-23
Filing date: 2013-07-08
Publication date: 2020-02-27
Also published as: KR20140095944A

Abstract

표시 장치는 광을 출력하는 백라이트 어셈블리 및 상기 광을 제공받아 영상을 표시하는 표시 패널을 포함한다. 상기 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판, 게이트 라인, 데이터 라인, 박막 트랜지스터 및 반사 방지막을 포함한다. 상기 제1 및 제2 기판들은 서로 마주하고, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판보다 상기 백라이트 어셈블리와 인접하게 배치된다. 상기 게이트 라인은 상기 제1 기판 위에 배치되고, 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인과 절연되어 상기 게이트 라인 위에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터는 상기 제1 기판 위에 배치되어 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 반사 방지막은 상기 제1 기판 및 상기 게이트 라인 사이에 배치되어 상기 게이트 라인에서 반사되는 반사광의 광량을 감소시킨다.

Description

표시 장치 {DISPLAY APPARATUS}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시품질이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.

액정표시장치와 같이 자체적으로 광을 발생하지 않는 표시패널을 포함하는 표시장치는 그 구성요소로 백라이트 어셈블리를 포함하고, 상기 표시패널은 상기 백라이트 어셈블리로부터 발생되는 광을 이용하여 영상을 표시한다.

상기 표시패널은 다수의 화소들이 형성된 표시기판, 상기 표시기판과 대향하는 대향기판, 및 상기 표시기판과 상기 대향기판 사이에 개재되는 액정층, 및 상기 표시패널의 전면 및 배면들에 배치되는 편광판들을 포함한다. 상기 표시기판에는 다수의 화소들과 전기적으로 연결되어 각 종 신호들을 전송하는 다수의 신호 라인들, 및 상기 다수의 화소들과 상기 다수의 신호 라인들과 전기적으로 연결되는 다수의 박막 트랜지스터들이 형성된다.

한편, 상기 표시기판 및 상기 대향기판 중 상기 표시기판이 외부광에 노출되도록 배치되는 경우에, 외부광은 상기 표시기판에 형성된 상기 다수의 신호 라인들 및 상기 다수의 박막 트랜지스터들의 전극들에서 반사되어 사용자에게 시인될 수 있다. 또한, 상기 편광판들 중 적어도 어느 하나가 금속재료로 형성되는 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)로 구현되는 경우에, 외부광은 상기 와이어 그리드 편광자에 반사되어 사용자에게 시인될 수 있다. 상술한 광 경로를 통해 사용자에게 시인되는 반사광은 상기 표시패널에서 표시되는 영상에 노이즈로 작용할 수 있다.

본 발명의 목적은 표시품질이 향상된 표시장치를 제공하는 데 있다.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는, 광을 출력하는 백라이트 어셈블리 및 상기 광을 제공받아 영상을 표시하는 표시 패널을 포함한다.

상기 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판, 게이트 라인, 데이터 라인, 박막 트랜지스터 및 반사 방지막을 포함한다. 상기 제1 및 제2 기판들은 서로 마주하고, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판보다 상기 백라이트 어셈블리와 인접하게 배치된다. 상기 게이트 라인은 상기 제1 기판 위에 배치되고, 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인과 절연되어 상기 게이트 라인 위에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터는 상기 제1 기판 위에 배치되어 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 반사 방지막은 상기 제1 기판 및 상기 게이트 라인 사이에 배치되어 상기 게이트 라인에서 반사되는 반사광의 광량을 감소시킨다.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다른 표시장치는, 광을 출력하는 백라이트 어셈블리 및 상기 광을 제공받아 영상을 표시하는 표시 패널을 포함한다.

상기 표시패널은 제1 기판, 제2 기판, 액정층, 격자 편광층들 및 반사 방지막을 포함한다. 상기 제1 기판은 화소 영역을 갖고, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과 마주한다. 상기 액정층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재된다. 상기 격자 편광층들은 상기 화소 영역에 대응하여 상기 제2 기판 위에 배치되고, 상기 격자 편광층들 각각은 일 방향으로 연장되어 상기 표시패널을 투과한 상기 광을 투과시키거나 반사한다. 또한, 상기 반사 방지막은 상기 격자 편광층들 위에 배치되어 상기 격자 편광층들에서 반사되는 반사광의 광량을 감소시킨다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 반사 방지막에 의해 외부광이 표시패널이 갖는 구성요소들에서 반사되는 반사광의 광량을 감소시킨다. 따라서, 상기 표시패널에서 영상을 표시하는 광과 상기 반사광이 혼합됨에 따라 상기 영상의 표시 품질이 저하되는 것이 방지될 수 있다.

또한, 상기 반사 방지막은 상기 반사 방지막에서 반사되는 반사광과 상기 표시패널이 갖는 구성요소들에서 반사되는 반사광 간에 발생되는 상쇄 간섭을 이용하여 상기 반사광의 광량을 감소시키므로, 상기 반사 방지막의 굴절률 및 두께를 조절하여 원하는 파장대의 반사광의 광량을 감소시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 일부분을 확대한 사시도이다.
도 3A는 도 2의 I-I`을 따라 절취된 부분을 나타낸 단면도이다.
도 3B는 도 3A에 도시된 반사 방지막 및 격자 편광층들을 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5b는 도 5a에 도시된 반사 방지막 및 격자 편광층들을 확대한 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치가 갖는 표시패널의 평면도이다.
도 8a는 도 7의 II-II`을 따라 절취된 부분을 나타낸 단면도이다.
도 8b는 도 7에 도시된 III-III`을 따라 절취된 부분을 나타낸 단면도이다.
도 9는 도 8b에 도시된 제1 기판, 반사 방지막 및 게이트 라인을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 11은 도 10b에 도시된 반사 방지막 및 게이트 라인을 확대한 도면이다.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 살펴보기로 한다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 도면과 관련된 실시예들을 통해서 용이하게 이해될 수 있을 것이다. 다만, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고, 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 후술될 본 발명의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고, 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명의 범위가 후술될 실시예들에 의해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 하기 실시예와 도면 상에 동일한 참조 번호들은 동일한 구성 요소를 나타낸다.

또한, 본 명세서에서 `제1`, `제2` 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 `위에` 또는 `상에` 있다고 할 때, 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 일부분을 확대한 사시도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(300)는 백라이트 어셈블리(100) 및 표시패널(150)을 포함한다.

이 실시예에서, 상기 표시 패널(150)은 표시 기판(110), 대향 기판(120), 액정층(도 3A의 LC), 편광판(105), 격자 편광층들(GP), 반사층(125) 및 반사 방지막(L0)을 포함한다. 상기 대향기판(120)은 상기 표시 기판(110)에 대향하고, 상기 액정층은 상기 표시기판(110) 및 상기 대향기판(120) 사이에 개재된다. 상기 편광판(105)은 상기 표시기판(110)의 하부에 배치되고, 상기 격자 편광층들(GP), 상기 반사층(125) 및 상기 반사 방지막(L0)은 상기 대향기판(120)의 상부에 배치된다. 상기 표시패널(150)의 구조에 대한 보다 상세한 설명은 후술된다.

상기 백라이트 어셈블리(100)는 상기 표시패널(150) 측으로 출사광(LT0)을 출력하고, 상기 표시패널(150)은 상기 출사광(LT0)을 제공받아 영상을 표시한다. 본 발명은 상기 백라이트 어셈블리(100)의 구조에 한정되지 않고, 이하 이 실시예에 따른 상기 백라이트 어셈블리(100)의 구조를 설명하면 다음과 같다.

상기 백라이트 어셈블리(100)는 수납용기(80), 발광 유닛(10), 반사 부재(70), 도광판(50), 몰드 프레임(30), 다수의 시트들(40) 및 커버부재(20)을 포함할 수 있다.

상기 수납용기(80)는 바닥부 및 상기 바닥부로부터 연장된 다수의 측벽들을 구비하여 수납 공간을 제공한다. 상기 발광 유닛(10)은 상기 수납 공간에 수납되어 상기 출사광(LT0)의 소오스가 되는 광을 발생한다. 이 실시예에서는, 상기 발광 유닛(10)은 인쇄회로기판(15) 및 상기 인쇄회로기판(15) 위에 실장되는 다수의 발광다이오드 패키지들(12)을 포함할 수 있다. 상기 발광 유닛(10)은 상기 도광판(50)의 일 측면과 마주하도록 배치될 수 있고, 이 경우에, 상기 다수의 발광다이오드 패키지들(12)로부터 발생되는 광은 상기 도광판(50)의 상기 일 측면을 통해 상기 도광판(50) 측으로 입사될 수 있다.

상기 도광판(50)은 상기 수납용기(80)의 상기 수납공간에 수납된다. 상기 도광판(50)은 그 배면에 형성된 요철 형상의 도광 패턴들(미도시)을 이용하여 상기 발광 유닛(10)으로부터 제공받은 광을 상기 표시패널(150) 측으로 가이드한다. 상기 반사 부재(70)는 알루미늄과 같은 광을 반사하는 물질을 포함하여 상기 수납용기(80)의 상기 바닥부 및 상기 도광판(50) 사이에 배치된다. 따라서, 상기 수납용기(80)의 내부에서 상기 반사부재(70) 측에 도달된 광, 특히 상기 격자 편광층들(GP)에서 반사되어 상기 반사 부재(70) 측으로 도달된 광은 상기 반사부재(70)에 의해 반사되어 상기 도광판(50) 측으로 제공될 수 있다. 따라서, 상기 백라이트 어셈블리(100)의 광의 이용 효율이 향상될 수 있다.

상기 다수의 시트들(40)은 상기 도광판(50) 및 상기 표시패널(150) 사이에 배치된다. 이 실시예에서는, 상기 다수의 시트들(40)은 보호 시트(41), 프리즘 시트(43) 및 확산 시트(45)를 포함할 수 있고, 상기 보호 시트(41)는 비 광학적 특성을 가져 상기 표시패널(150)의 배면을 보호할 수 있다. 상기 프리즘 시트(43)는 상기 표시패널(150)의 정면 휘도를 향상시키고, 상기 확산 시트(45)는 상기 도광판(50)에 의해 상기 표시패널(150) 측으로 가이드 되는 광을 확산시킨다.

상기 몰드 프레임(30)은 상기 수납 용기(80)와 결합되어 상기 도광판(50) 및 상기 다수의 시트들(40)의 가장자리를 지지한다. 또한, 상기 커버 부재(20)는 상기 표시 패널(150)의 표시 영역이 노출되도록 일부가 개구된 형상을 갖고, 상기 표시패널(150)의 테두리를 커버하여 상기 수납 용기(80)와 결합된다.

이하, 상기 표시패널(150)의 구조를 도 2, 도 3A 및 도 3B를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 3A는 도 2의 I-I`을 따라 절취된 부분을 나타낸 단면도이고, 도 3B는 도 3A에 도시된 반사 방지막 및 격자 편광층들을 확대한 도면이다.

도 2, 도 3A 및 도 3B를 참조하면, 표시기판(110)은 제1 기판(111), 박막 트랜지스터(TR) 및 화소 전극(PE)을 포함한다. 상기 제1 기판(111)은 화소영역(PA) 및 비화소영역(N_PA)를 갖는다. 이 실시예에서는, 상기 제1 기판(111)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있고, 상기 제1 기판(111)이 플라스틱 기판인 경우에 플렉서블(flexible)한 특성을 가질 수도 있다.

상기 박막 트랜지스터(TR)는 상기 비화소 영역(N_PA)에 배치될 수 있고, 상기 박막 트랜지스터(TR)는 게이트 전극(GE), 액티브 패턴(AP), 소오스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 게이트 라인(미도시)과 전기적으로 연결되어 상기 제1 기판(111) 위에 배치되고, 상기 액티브 패턴(AP)은 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 상기 게이트 전극(GE) 위에 배치된다.

이 실시예에서는, 상기 액티브 패턴(AP)은 비정질 실리콘과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 액티브 패턴(AP)이 갖는 반도체 물질에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 실시예에서는 상기 액티브 패턴(AP)은 IGZO, ZnO, SnO₂, In₂O₃, Zn₂SnO₄, Ge₂O₃ 및 HfO₂와 같은 산화물 반도체(oxide semiconductor)를 포함할 수도 있고, GaAs, GaP 및 InP와 같은 화합물 반도체(compound semiconductor)를 포함할 수도 있다.

상기 소오스 전극(SE)은 데이터 라인(미도시)과 전기적으로 연결되어 상기 액티브 패턴(AP) 위에 배치된다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 화소 영역(PA)에 배치되고, 상기 화소 전극(PE)은 상기 박막 트랜지스터(TR)를 커버하는 무기 절연막(113) 및 유기 절연막(114) 위에 배치된다. 또한, 상기 화소 전극(PE)은 상기 무기 절연막(113) 및 상기 유기 절연막(114)을 관통하여 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 접촉된다. 따라서, 상기 게이트 라인을 통해 상기 게이트 전극(GE)에 게이트 신호가 인가되면, 상기 박막 트랜지스터(TR)가 턴-온 될 수 있고, 그 결과, 상기 데이터 라인을 통해 상기 소오스 전극(SE)에 인가되는 데이터 신호는 상기 액티브 패턴(AP) 및 상기 드레인 전극(DE)을 통해 상기 화소 전극(PE) 측으로 인가될 수 있다.

이 실시예에서는, 상기 대향 기판(120)은 제2 기판(121), 공통 전극(CE), 차광층(BM), 및 컬러 필터(CF)를 포함할 수 있다. 상기 제2 기판(121)은 유리기판 및 플라스틱 기판과 같은 투명한 기판일 수 있고, 상기 공통 전극(CE)은 상기 제2 기판(121) 위에 배치되어 상기 화소 전극(PE)과 함께 상기 액정층(LC)이 갖는 액정 분자들의 방향자를 제어하는 전계를 형성한다.

상기 차광층(BM)은 상기 비화소 영역(N_PA)에 대응하여 상기 제2 기판(121) 위에 배치되고, 상기 컬러 필터(CF)는 상기 화소 영역(PA)에 대응하여 상기 제2 기판(121) 위에 배치된다. 따라서, 상기 출사광(LT0)의 일부는 상기 비화소 영역(N_PA) 측으로 진행하여 상기 차광층(BM)에 의해 차단되고, 상기 출사광(LT0)의 일부는 상기 화소 영역(PA) 측으로 진행하여 상기 컬러필터(CF)에 의해 컬러 광으로 필터링 될 수 있다.

한편, 본 발명이 상술한 상기 표시기판(110) 및 상기 대향기판(120) 각각의 구조에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 실시예에서는 상기 컬러 필터(CF)는 상기 화소 전극(PE)과 중첩되어 상기 제1 기판(111) 위에 배치될 수 있고, 상기 공통 전극(CE)은 상기 화소 전극(PE)과 이격되어 상기 제1 기판(111) 위에 배치될 수도 있다.

상기 편광판(105)은 상기 표시 패널(150)의 하부에 배치되어 상기 표시패널(150) 및 백라이트 어셈블리(100) 사이에 위치하고, 상기 격자 편광층들(GP), 상기 반사 방지막(L0) 및 상기 반사층(125)은 상기 표시패널(150)의 상부에 배치된다.

상기 반사층(125)은 상기 비화소영역(N_PA)에 대응하여 상기 제2 기판(121) 위에 배치되고, 상기 출사광(LT0)의 일부는 상기 표시패널(150)을 투과하여 상기 반사층(125)에서 반사되고, 상기 반사층(125)에서 반사된 광은 반사 부재(도 1의 70)에서 다시 반사될 수 있다.

상기 격자 편광층들(GP)은 상기 화소 영역(PA)에 대응하여 상기 제2 기판(121) 위에 배치된다. 이 실시예에서는, 상기 격자 편광층들(GP) 각각은 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 격자 편광층들(GP)은 서로 이격되고, 상기 격자 편광층들(GP)은 상기 제1 방향(D1)과 실질적으로 수직인 제2 방향(D2)으로 피치(PT)를 두고 배열된다.

상술한 구조를 갖는 상기 격자 편광층들(GP)에 있어서, 상기 피치(PT)가 상기 격자 편광층들(GP)에 입사되는 입사광의 파장보다 작은 경우에, 상기 격자 편광층들(GP)은 상기 입사광이 진동하는 방향에 따라 상기 입사광을 편광시키거나 반사시키는, 소위, 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)로 작용할 수 있다. 예를 들면, 상기 입사광 중 상기 제1 방향(D1)과 수직하게 진동하는 광 성분을 P편광으로 정의하고, 상기 입사광 중 상기 제1 방향(D1)과 평행하게 진동하는 광 성분을 S편광으로 정의하면, 상기 P편광은 상기 격자 편광층들(GP)을 투과할 수 있고, 상기 S편광은 상기 격자 편광층들(GP)에서 반사될 수 있다.

또한, 상기 격자 편광층들(GP)에서 반사된 상기 S편광은 상기 반사부재(도 1의 70)에서 다시 반사되어 다른 P편광 및 다른 S편광을 갖는 반사광(LT1)으로 변환될 수 있다. 상기 반사광(LT1)의 상기 P편광은 상기 격자 편광층들(GP)을 투과할 수 있고, 상기 반사광(LT1)의 상기 S편광은 상기 격자 편광층들(GP)에서 다시 반사될 수 있다. 상술한 상기 격자 편광층들(GP)의 기능에 따르면, 상기 출사광(LT0)이 상기 표시패널(150)에서 영상을 표시하는 데 사용되는 효율이 향상될 수 있다.

상기 반사 방지막(L0)은 상기 반사층(125) 및 상기 격자 편광층들(GP) 위에 배치되고, 상기 반사 방지막(L0)은 상기 반사층(125) 및 상기 격자 편광층들(GP)에서 반사되는 광의 광량을 감소시킨다. 도 3a 및 도 3b에 도시되는 실시예에서는, 상기 반사 방지막(L0)은 제1 보조막(L1) 및 제2 보조막(L2)을 포함할 수 있다.

상기 제1 보조막(L1)은 제1 굴절률을 갖고, 상기 제2 보조막(L2)은 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 갖는다. 상기 제2 보조막(L2)은 상기 반사층(125) 및 상기 격자 편광층들(GP) 위에 배치되고, 상기 제2 보조막(L2) 위에 상기 제1 보조막(L1)이 적층된다.

이 실시예에서는, 상기 제1 보조막(L1)은 상기 제2 보조막(L2)에 접촉되고, 상기 제2 보조막(L2)은 상기 격자 편광층들(GP) 및 상기 반사층(125)에 접촉된다. 또한, 상기 제1 보조막(L1)의 제1 두께(d1)는 약50옹스트롬 내지 약800옹스트롬일 수 있고, 상기 제2 보조막(L2)의 제2 두께(d2)는 약 50옹스트롬 내지 약 800옹스트롬일 수 있다.

이하, 상기 반사 방지막(L0)에 의해 상기 격자 편광층들(GP)에서 반사되는 광의 광량이 감소되는 원리를 설명하고, 상기 원리는 상기 반사 방지막(L0)에 의해 상기 반사층(125)에서 반사되는 광의 광량이 감소되는 원리와 동일하므로 이에 대한 설명은 생략된다.

외부광(ET)이 상기 표시패널(150) 측으로 제공되면, 상기 외부광(ET)의 일부는 상기 제1 보조막(L1)의 제1 면(S1)에서 반사되어 제1 반사광(RT1)이 발생된다. 상기 외부광(ET)의 일부는 상기 제1 보조막(L1)을 투과하여 상기 제1 보조막(L1) 및 상기 제2 보조막(L2) 사이의 제2 면(S2)에서 반사되어 제2 반사광(RT2)이 발생된다. 상기 외부광(ET)의 일부는 상기 제2 보조막(L2)을 투과하여 상기 격자 편광층들(GP)의 표면인 제3 면(S3)에서 반사되어 제3 반사광(RT3)이 발생된다.

상기 제1 내지 제3 반사광들(RT1, RT2, RT3)은 상기 표시패널(150)이 영상을 표시하는 데 사용되는 광과 혼합되어 상기 영상의 대비도(contrast ration)를 저하시키는 요인으로 작용할 수 있으나, 본 발명의 실시예에서는 상기 제1 내지 제3 반사광들(RT1, RT2, RT3) 간에 발생되는 상쇄 간섭을 이용하여 상기 제1 내지 제3 반사광들(RT1, RT2, RT3)의 광량이 감소될 수 있다. 이 실시예에서는, 아래 수학식 1이 만족되도록 상기 제1 및 제2 보조막들(L1, L2) 각각의 두께가 설정될 수 있고, 이 경우에, 상기 제3 반사광(RT3)과 상기 제1 및 제2 반사광들(RT1, RT2) 중 적어도 어느 하나 간에 상쇄 간섭이 발생될 수 있다.

[수학식 1]

(d1+d2) ≒ {(λ/4) ×(1/n₁)} + {(λ/4) ×(1/n₂)}

상기 수학식 1에서, d1은 상기 제1 보조막(L1)의 두께이고, d2는 상기 제2 보조막(L2)의 두께이고, λ는 상기 외부광(ET)의 파장이고, n₁는 상기 제1 보조막(L1)의 굴절률이고, n₂ 는 상기 제2 보조막(L2)의 굴절률이다.

이 실시예에 있어서, 상기 제1 보조막(L1)은 금속 산화물, 금속 질화물, 투명 도전 산화물 및 금속 중 어느 하나를 포함할 수 있고, 상기 제2 보조막(L2)은 금속 산화물, 금속 질화물, 및 투명 도전 산화물 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 외부광(ET)의 파장, 상기 제1 두께(d1), 상기 제2 두께(d2), 상기 제1 보조막(L1)의 굴절률 및 상기 제2 보조막(L2)의 굴절률을 고려하여, 상기 반사 방지막(L0)의 반사율이 0.1% 내지 5%가 구현될 수 있도록 상기 제1 및 제2 보조막들(L1, L2)의 성분들 및 두께들의 다양한 실시예들이 아래 표 1에서 개시된다.

반사방지막의 성분 (제1 보조막/제 2 보조막)	두께 (옹스트롬) (제1 보조막/ 제2보조 막)	반사율(%)	비고
MoOx/ TiNx	450/150	4.89	제1보조막은 금속 산화물을 포함
TiOx/ TiNx	450/200	4.73
AlOx/ CuOx	300/300	4.95
CuOx/TiNx	450/550	4.88
CuOx/MoNx	450/200	4.89
SiOx/CuOx	450/300	4.84
AlNx/TiNx	450/150	4.84	제1보조막은 금속 질화물을 포함
CuNx/SiOx	200/750	4.53
CuNx/AlOx	200/600	4.95
CuNx/GZO (GZO=Ga₂O₃:ZnO=11.8wt%:88.2wt%)	200/550	4.83
CuNx/AZO	200/550	4.89
CuNx/IZO	200/550	4.95
CuNx/SiNx	200/550	4.55
CuNx/GZO	200/500	4.80
CuNx/IZO	150/500	4.93
CuNx/MoOx	150/400	4.49
CuNx/AlNx	150/400	4.38
CuNx/TiOx	150/400	4.77
SiNx/CuOx	150/300	5.00
ITO/AlNx	200/500	4.90	제1보조막은 투명 도전막을 포함
ITO/CuOx	200/300	4.76
IZO/CuOx	100/300	4.74
GZO/CuOx (GZO=Ga₂O₃:ZnO=11.8wt%:88.2wt%)	150/300	4.90
GZO/CuOx (GZO=Ga₂O₃:ZnO=20.4wt%:79.6wt%)	100/300	4.72
AZO/CuOx	150/300	4.97
Ti/AlNx	100/300	4.58	제1보조막은 금속을 포함
Ti/GZO (GZO=Ga₂O₃:ZnO=20.4wt%:79.6wt%)	100/400	4.31
Ti/IZOO	100/450	4.40
TI/MoOx	100/300	4.64
Ti/TiOx	100/300	4.49

이 실시예에서는, 상기 표 1에 나타난 인듐 징크 옥사이드(IZO)에서 인듐 옥사이드(In₂O₃)의 중량%는 10wt% 내지 90 wt%일 수 있고, 상기 표 1에 나타난 알루미늄 징크 옥사이드(AZO)에서 알루미늄 옥사이드(Al₂O₃)의 중량%는 0.1wt% 내지 10wt%일 수 있고, 상기 표 1에 나타난 갈륨 징크 옥사이드(GZO)에서 갈륨 옥사이드(Ga2O3의 중량%는 0.1wt% 내지 30wt%일 수 있다.

상기 반사 방지막(L0)이 상기 표 1에 나타난 상기 제1 및 제2 보조막들(L1, L2)을 포함하는 경우에, 상기 반사 방지막(L0)의 반사율은 0.1% 내지 5.0%로 구현될 수 있다. 즉, 상기 외부광(ET)이 상기 격자 편광층들(GP) 측으로 제공될 때, 상기 외부광(ET)의 전체 광량 중 0.1% 내지 5% 만이 상기 격자 편광층들(GP)에서 반사되고, 나머지는 상기 반사 방지막(L0)에 의해 소멸될 수 있다.

한편, 상술한 바와 같이, 이 실시예에서는 상기 반사 방지막(L0)은 서로 다른 굴절율을 갖는 두 개의 보조막들을 포함한다. 하지만, 본 발명이 상기 반사 방지막(L0)이 갖는 보조막들의 개수에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 반사 방지막(L0)은 세 층 이상으로 적층된 다수의 보조막들을 포함할 수 있고, 이 경우에, 상기 다수의 보조막들의 굴절률은 상기 다수의 보조막들이 적층된 순서로 커질 수 있다.

도 4는 본 발명의 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 4를 설명함에 있어서, 앞서 도 1, 도 2, 도 3a 및 도3b를 참조하여 설명된 구성요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.

도 4를 참조하면, 표시장치(301)는 표시패널(151)을 포함하고, 상기 표시패널(151)은 표시기판(110) 및 대향기판(122)을 포함한다. 이 실시예에서는, 앞서 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명된 격자 편광층들(GP), 반사층(125) 및 반사 방지막(L0)은 상기 표시패널(151)의 내부에 위치한다. 보다 상세하게는, 상기 격자 편광층들(GP) 및 상기 반사층(125) 각각은 상기 제2 기판(121) 위에 배치되고, 상기 반사 방지막(L0)은 상기 격자 편광층들(GP)과 상기 제2 기판(121) 사이 및 상기 반사층(125)과 상기 제2 기판(121) 사이에 위치한다.

앞서 설명한 실시예와 마찬가지로, 이 실시예에서 상기 반사 방지막(L0)의 제1 및 제2 보조막들(L1, L2)의 두께들이 수학식 1에 근거하여 설정될 수 있고, 표 1에서 개시된 재료들 및 두께들을 갖는 다양한 막들이 상기 제1 및 제2 보조막들(L1, L2)에 적용될 수 있다. 따라서, 외부광이 상기 제2 기판(121)을 투과하여 상기 격자 편광층들(GP) 및 상기 반사층(125) 측에서 반사되어 반사광이 발생되더라도, 상기 반사광의 광량은 상기 반사 방지막(L0)에 의해 감소될 수 있다.

도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 5b는 도 5a에 도시된 반사 방지막 및 격자 편광층들을 확대한 도면이다. 한편, 반사 방지막(L3)을 제외하면, 도 5a 및 도 5b에 도시된 표시장치(302)는 도 3a에 도시된 표시장치(도 3a의 300)와 동일한 구조를 갖는다. 따라서, 도 5a 및 도 5b를 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성 요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.

도 5a를 참조하면, 표시장치(302)는 표시패널(152)을 포함하고, 대향 기판(120) 위에 반사층(125), 격자 편광층들(GP) 및 반사 방지막(L3)이 배치된다.

이 실시예에서는, 상기 반사 방지막(L3)은 단일막 형상을 갖는다. 상기 반사 방지막(L3)이 단일막 형상을 갖는 경우에, 외부광(ET)의 일부는 상기 반사 방지막(L3)의 제1 면(S1)에서 반사되어 제1 반사광(RT1)이 발생된다. 상기 외부광(ET)의 일부는 상기 반사 방지막(L3)을 투과하여 상기 격자 편광층들(GP)의 표면인 제2 면(S2)에서 반사되어 제2 반사광(RT2)이 발생될 수 있다.

상기 제1 및 제2 반사광들(RT1, RT2)은 상기 표시패널(150)이 영상을 표시하는 데 사용되는 광과 혼합되어 상기 영상의 대비도(contrast ration)를 저하시키는 요인으로 작용할 수 있으나, 본 발명의 실시예에서는 상기 제1 및 제2 반사광들(RT1, RT2) 간에 발생되는 상쇄 간섭을 이용하여 상기 제1 및 제2 반사광들(RT1, RT2)의 광량이 감소될 수 있다. 이 실시예에서는, 아래 수학식 2이 만족되도록 상기 반사 방지막(L3)의 두께가 설정되어 상기 상쇄 간섭이 발생될 수 있다.

[수학식 2]

d ≒ (λ/4) × (1/n)

상기 수학식 2에서, d는 상기 반사 방지막(L3)의 두께이고, λ는 상기 외부광(ET)의 파장이고, n은 상기 반사 방지막(L3)의 굴절률이다.

이 실시예에서는, 상기 반사 방지막(L3)은 금속 산화물, 금속 질화물 및 투명 도전 산화물 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 반사 방지막(L3)은 구리 산화물(CuOx)을 포함할 수 있고, 이 경우에, 상기 반사 방지막(L3)의 두께는 100옹스트롬 내지 500옹스트롬, 보다 상세하게는 280옹스트롬 내지 360옹스트롬으로 설정될 수 있다.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(303)의 단면도이다. 도 6을 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.

도 6을 참조하면, 표시장치(303)는 표시패널(153)을 포함하고, 상기 표시패널(153)은 표시기판(110) 및 대향기판(123)을 포함한다. 이 실시예에서는, 앞서 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명된 격자 편광층들(GP), 반사층(125) 및 반사 방지막(L3)은 상기 표시패널(153)의 내부에 위치한다. 보다 상세하게는, 상기 격자 편광층들(GP) 및 상기 반사층(125)은 상기 제2 기판(121) 위에 배치되고, 상기 반사 방지막(L3)은 상기 격자 편광층들(GP) 각각과 상기 제2 기판(121) 사이 및 상기 반사층(125)과 상기 제2 기판(121) 사이에 위치한다.

이 실시예에서는 상기 반사 방지막(L3)은 단일막 형상을 가지므로 상기 반사 방지막(L3)의 두께는 앞서 설명된 수학식 2에 근거하여 설정될 수 있다. 또한, 상기 반사 방지막(L3)은 금속 산화물, 금속 질화물 및 투명 도전 산화물 중 어느 하나를 포함할 수 있고, 예를 들면, 상기 반사 방지막(L3)은 구리 산화물(CuOx)을 포함할 수 있다. 따라서, 외부광이 상기 제2 기판(121)을 투과하여 상기 격자 편광층들(GP) 및 상기 반사층(125) 측에서 반사되어 반사광이 발생되더라도, 상기 반사광의 광량은 상기 반사 방지막(L3)에 의해 감소될 수 있다.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치가 갖는 표시패널의 평면도이고, 도 8a는 도 7의 II-II`을 따라 절취된 부분을 나타낸 단면도이고, 도 8b는 도 7에 도시된 III-III`을 따라 절취된 부분을 나타낸 단면도이다. 도 7, 도 8a 및 도 8b를 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성 요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.

도 7, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 표시 장치(304)는 백라이트 어셈블리(100) 및 표시패널(150_1)을 포함하고, 상기 표시패널(150_1)은 표시기판(110_1) 및 대향기판(120)을 포함한다. 이 실시예에서는, 상기 대향기판(120)은 상기 표시기판(110_1) 보다 상기 백라이트 어셈블리(100)에 인접하게 배치된다.

상기 표시기판(110_1) 위에는 게이트 라인들(GL) 및 상기 게이트 라인들(GL)과 절연되어 상기 게이트 라인들(GL) 위에 배치되는 데이터 라인들(DL)이 배치된다. 이 실시예에서는, 상기 게이트 라인들(GL) 및 상기 데이터 라인들(DL)이 교차하는 위치들에 일대일 대응하여 다수의 박막 트랜지스터들(TR)이 배치될 수 있다.

또한, 다수의 화소 영역들(PA)에 일대일 대응하여 다수의 화소 전극들(PE)이 배치되고, 상기 다수의 화소 전극들(PE)은 상기 다수의 박막 트랜지스터들(TR)과 일대일 대응하여 전기적으로 연결된다. 상기 다수의 박막 트랜지스터들(TR) 각각은 앞서 도 3a를 참조하여 설명된 박막 트랜지스터(도 3a의 TR)와 동일한 구조를 갖고, 상기 다수의 화소 전극들(PE) 각각은 앞서 도 3a를 참조하여 설명된 화소 전극(도 3a의 PE)과 동일한 구조를 갖는다.

이 실시예에서는, 반사 방지막(L0)은 상기 다수의 게이트 라인들(GL) 각각과 제1 기판(111) 사이 및 게이트 전극(GE)과 상기 제1 기판(111) 사이에 위치할 수 있다.

또한, 앞서 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 반사 방지막(L0)은 제1 보조막(L1) 및 제2 보조막(L2)을 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 상기 제1 보조막(L1)은 상기 제1 기판(111)에 접촉될 수 있고, 상기 제2 보조막(L2)은 상기 제1 보조막(L1)에 접촉될 수 있고, 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 게이트 전극(GE)은 상기 제2 보조막(L2)에 접촉될 수 있다.

상기 제1 보조막(L1)의 굴절률은 상기 제2 보조막(L2)의 굴절률보다 작다. 상기 제1 및 제2 보조막들(L1, L2)의 두께는 수학식 1에 근거하여 설정될 수 있고, 표 1에 개시된 다양한 재료들 및 두께들이 상기 제1 및 제2 보조막들(L1, L2)에 적용될 수 있다.

이하, 도 9를 참조하여 상기 반사 방지막(L0)에 의해 상기 다수의 게이트 라인들(GL)에서 반사되는 광의 광량이 감소되는 원리를 설명하고, 상기 원리는 상기 반사 방지막(L0)에 의해 상기 게이트 전극(GE)에서 반사되는 광의 광량이 감소되는 원리와 동일하므로 이에 대한 설명은 생략된다.

도 9는 도 8b에 도시된 제1 기판, 반사 방지막 및 게이트 라인을 확대하여 나타낸 도면이다.

도 9를 참조하면, 외부광(ET)이 표시기판(도 8b의 110_1) 측으로 제공되면, 상기 외부광(ET)의 일부는 제1 기판(111)을 투과한다. 그 이후에, 상기 외부광(ET)의 일부는 상기 제1 보조막(L1)의 제1 면(S1)에서 반사되어 제1 반사광(RT1)이 발생된다. 상기 외부광(ET)의 일부는 상기 제1 보조막(L1)을 투과하여 상기 제1 보조막(L1) 및 상기 제2 보조막(L2) 사이의 제2 면(S2)에서 반사되어 제2 반사광(RT2)이 발생된다. 상기 외부광(ET)의 일부는 상기 제2 보조막(L2)을 투과하여 게이트 라인(GL)의 표면인 제3 면(S3)에서 반사되어 제3 반사광(RT3)이 발생된다.

상기 제1 내지 제3 반사광들(RT1, RT2, RT3)은 상기 표시패널(150)이 영상을 표시하는 데 사용되는 광과 혼합되어 상기 영상의 대비도(contrast ration)를 저하시키는 요인으로 작용할 수 있으나, 본 발명의 실시예에서는 수학식 1이 만족되도록 상기 제1 및 제2 보조막들(L1, L2) 각각의 두께가 설정되어 상기 제3 반사광(RT3)과 상기 제1 및 제2 반사광들(RT1, RT2) 중 적어도 어느 하나 간에 상쇄 간섭이 발생될 수 있다.

따라서, 상기 반사 방지막(L0)에 의해 상기 게이트 라인(GL)에서 반사되는 반사광의 광량이 감소될 수 있고, 이에 따라 상기 반사광에 의해 표시패널(도 8b의 150_1)에서 표시되는 영상의 대비도가 저하되는 것이 방지될 수 있다.

이 실시예에서는, 상기 외부광(ET)의 파장, 상기 제1 보조막(L1)의 두께 및 굴절률, 상기 제2 보조막(L2)의 두께 및 굴절률을 고려하여, 표 1에서 개시되는 성분들 및 두께들이 상기 제1 및 제2 보조막들(L1, L2)에 적용될 수 있고, 이 경우에, 상기 반사 방지막(L0)의 반사율이 0.1% 내지 5%가 될 수 있다.

다른 실시예에서는, 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 게이트 라인(GL)과 동일한 물질을 포함하여 상기 제1 기판(111) 및 게이트 절연막(112) 사이에 배치되는 금속층들이 더 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(PE)에 전하량을 충전하는 스토리지 캐패시터의 전극 또는 이와 연결된 배선이 상기 제1 기판(111) 및 상기 게이트 절연막(112) 사이에 배치될 수 있고, 이 경우에, 상기 반사 방지막(L0)은 상기 제1 기판(111)과 상기 스토리지 캐패시터의 전극 사이 및 상기 제1 기판(111) 및 상기 스토리지 라인 사이에 더 배치될 수도 있다. 따라서, 상기 반사 방지막(L0)은 상기 외부광(ET)이 상기 스토리지 캐패시터의 전극 및 상기 스토리지 라인에서 반사되는 광의 광량을 감소시킬 수 있다.

도 10a 및 도 10b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이고, 도 11은 도 10b에 도시된 반사 방지막 및 게이트 라인을 확대한 도면이다. 한편, 반사 방지막(L3)을 제외하면, 도 10a 및 도 10b에 도시된 표시장치(305)는 도 8a 및 도 8b에 도시된 표시 장치(도 8a 및 도 8b의 304)와 동일한 구조를 갖는다. 따라서, 도 10a 및 도 10b를 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성 요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.

도 10a, 도 10b 및 도 11을 참조하면, 표시장치(305)는 표시패널(150_2) 및 백라이트 어셈블리(100)를 포함하고, 상기 표시패널(150_2)은 표시기판(110_2) 및 대향기판(120)을 포함한다. 이 실시예에서는, 상기 반사 방지막(L3)은 단일막 형상을 갖고, 상기 반사 방지막(L3)은 제1 기판(111)과 게이트 라인(GL) 사이 및 상기 제1 기판(111)과 게이트 전극(GE) 사이에 배치될 수 있다.

한편, 상기 반사 방지막(L3)이 단일막 형상을 갖는 경우에, 외부광(ET)의 일부는 상기 반사 방지막(L3)의 제1 면(S1)에서 반사되어 제1 반사광(RT1)이 발생되고, 상기 외부광(ET)의 일부는 상기 반사 방지막(L3)을 투과한다. 상기 반사 방지막(L3)을 투과한 광은 상기 게이트 라인(GL)의 표면인 제2 면(S2)에서 반사되어 제2 반사광(RT2)이 발생될 수 있다.

상기 제1 및 제2 반사광들(RT1, RT2)은 상기 표시패널(150_2)이 영상을 표시하는 데 사용되는 광과 혼합되어 상기 영상의 대비도를 저하시키는 요인으로 작용할 수 있으나, 본 발명의 실시예에서는 상기 제1 및 제2 반사광들(RT1, RT2) 간에 발생되는 상쇄 간섭을 이용하여 상기 제1 및 제2 반사광들(RT1, RT2)의 광량이 감소될 수 있다. 상기 상쇄 간섭을 발생되기 위해서는 상기 반사 방지막(L3)의 두께는 전술된 수학식 2에 근거하여 설정될 수 있다. 예를 들면, 상기 반사 방지막(L3)의 두께는 100옹스트롬 내지 500옹스트롬, 보다 상세하게는 280옹스트롬 내지 360옹스트롬으로 설정될 수 있다.

또한, 상기 반사 방지막(L3)은 금속 산화물, 금속 질화물 및 투명 도전 산화물 중 어느 하나를 포함할 수 있고, 예를 들면, 상기 반사 방지막(L3)은 구리 산화물(CuOx)을 포함할 수 있다. 따라서, 외부광이 상기 제1 기판(111)을 투과하여 상기 게이트 라인(GL) 측에서 반사되어 반사광이 발생되더라도, 상기 반사광의 광량은 상기 반사 방지막(L3)의 감소될 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

PA: 화소 영역 N_PA: 비화소영역
300: 표시 장치 150: 표시패널
GP: 격자 편광층들 L0: 반사 방지막
L1: 제1 보조막 L2: 제2 보조막
125: 반사층 GL: 게이트 라인
TFT: 박막 트랜지스터 PE: 화소 전극
500: 백라이트 어셈블리

Claims

광을 출력하는 백라이트 어셈블리; 및
상기 광을 제공받아 영상을 표시하는 표시 패널을 포함하고,
상기 표시 패널은,
제1 기판;
상기 제1 기판과 마주하고, 상기 제1 기판보다 상기 백라이트 어셈블리와 인접하게 배치된 제2 기판;
상기 제1 기판 위에 배치되는 게이트 라인;
상기 게이트 라인과 절연되어 상기 게이트 라인 위에 배치되는 데이터 라인;
상기 제1 기판 위에 배치되어 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터; 및
상기 제1 기판 및 상기 게이트 라인 사이에 배치되며, 상기 제1 기판 위에 배치되며 제1 굴절률을 갖는 제1 보조막 및 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 갖고, 상기 제1 보조막 및 상기 게이트 라인 사이에 위치하는 제2 보조막을 포함하는 반사 방지막을 포함하고,
외부광의 일부는 상기 제1 보조막과 상기 제1 기판 사이의 계면에서 반사되어 제1 반사광이 발생하고, 상기 외부광의 다른 일부는 상기 제1 보조막을 투과한 후 상기 제1 보조막과 상기 제2 보조막 사이의 계면에서 반사되어 제2 반사광이 발생되고, 상기 외부광의 나머지 일부는 상기 제2 보조막을 투과하여 상기 게이트 라인의 표면에서 반사되어 제3 반사광이 발생되고, 상기 제3 반사광은 상기 제1 및 제2 반사광들 중 적어도 하나와 상쇄 간섭되는 표시 장치.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 라인은 구리, 알루미늄, 몰리브데늄, 및 타이타늄 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 게이트 라인의 두께는 0.3 마이크로미터 내지 2.0마이크로미터인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
삭제
삭제
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제1 항에 있어서, 상기 제1 보조막의 두께 및 상기 제2 보조막의 두께는 아래 관계식2에 의해 정의되는 것을 특징으로 하는 표시 장치

(관계식2)
(d1+d2) ≒ {(λ/4) ×(1/n₁)} + {(λ/4) × (1/n₂)}
(상기 관계식2에서, d1은 상기 제1 보조막의 두께이고, d2는 상기 제2 보조막의 두께이고, λ는 상기 외부광의 파장이고, n₁는 상기 제1 보조막의 굴절률이고, n₂ 는 상기 제2 보조막의 굴절률)
제1 항에 있어서, 상기 제1 보조막은 금속 산화물, 금속 질화물, 투명 도전 산화물 및 금속 중 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 보조막은 금속 산화물, 금속 질화물, 및 투명 도전 산화물 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 12 항에 있어서, 상기 제1 보조막 및 상기 제2 보조막 각각의 두께는 50옹스트롬 내지 800옹스트롬인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 12 항에 있어서,
상기 제1 보조막은 몰리브데늄 산화물(MoOx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 타이타늄 산화물(TiOx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 타이타늄 산화물(TiOx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 타이타늄 질화물(TiNx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 알루미늄 산화물(AlOx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 구리 산화물(CuOx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 타이타늄 질화물(TiNx) 및 몰리브데늄 질화물(MoNx) 중 어느 하나를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 알루미늄 질화물(AlNx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 타이타늄 질화물(TiNx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 구리 질화물(CuNx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 규소 산화물(SiOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 알루미늄 징크 옥사이드(AZO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 실리콘 질화물(SiNx), 몰리브데늄 산화물(MoOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 타이타늄 산화물(TiOx) 및 구리 산화물(CuOx) 중 어느 하나를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막이 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 포함하고 상기 제2 보조막은 알루미늄 질화물(AlNx) 및 구리 산화물(CuOx) 중 어느 하나를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 인듐 징크 옥사이드(IZO)를 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 갈륨 징크 옥사이드(GZO)를 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 갈륨 징크 옥사이드(GZO)를 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막이 알루미늄 징크 옥사이드(AZO)를 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 타이타늄을 포함하고 상기 제2 보조막은 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 몰리브데늄 산화물(MoOx) 및 타이타늄 산화물(TiOx) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 14 항에 있어서, 상기 인듐 징크 옥사이드(IZO)에서 인듐 옥사이드(In₂O₃)의 중량%는 10wt% 내지 90 wt%인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 14 항에 있어서, 상기 알루미늄 징크 옥사이드에서 알루미늄 옥사이드(Al₂O₃)의 중량%는 0.1wt% 내지 10wt%인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 14 항에 있어서, 상기 갈륨 징크 옥사이드(GZO)에서 갈륨 옥사이드(Ga2O3의 중량%는 0.1wt% 내지 30wt%인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소전극을 더 포함하고,
상기 박막 트랜지스터는,
상기 제1 기판 위에 배치되어 상기 게이트 라인과 전기적으로 연결되는 게이트 전극;
상기 게이트 전극과 중첩되는 액티브 패턴;
상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되어 상기 액티브 패턴 위에 배치되는 소오스 전극; 및
상기 소오스 전극과 이격되어 상기 액티브 패턴 위에 배치되고, 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되는 드레인 전극을 포함하고,
상기 반사 방지막은 상기 게이트 전극 및 상기 제1 기판 사이에 배치되어 상기 게이트 전극에서 반사되는 반사광의 광량을 감소시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 반사 방지막의 반사율은 0.1% 내지 5.0%인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
광을 출력하는 백라이트 어셈블리;
상기 광을 제공받아 영상을 표시하는 표시 패널; 및
상기 백라이트 어셈블리와 상기 표시 패널 사이에 배치된 편광판을 포함하고,
상기 표시 패널은,
화소영역을 갖는 제1 기판;
상기 제1 기판과 마주하며, 상기 제1 기판을 사이에 두고 상기 백라이트 어셈블리와 이격된 제2 기판;
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재되는 액정층;
상기 화소 영역에 대응하여 상기 제2 기판 위에 배치되고, 각각이 일 방향으로 연장되어 상기 표시 패널을 투과한 상기 광을 투과시키거나 반사하는 격자 편광층들; 및
상기 격자 편광층들 위에 배치되며 제1 굴절률을 갖는 제1 보조막, 및 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 갖고 상기 제1 보조막과 상기 격자 편광층들 사이에 배치된 제2 보조막을 포함하는 반사 방지막을 포함하고,
외부광의 일부는 상기 제1 보조막의 상면에서 반사되어 제1 반사광이 발생하고, 상기 외부광의 다른 일부는 상기 제1 보조막을 투과한 후 상기 제1 보조막과 상기 제2 보조막 사이의 계면에서 반사되어 제2 반사광이 발생되고, 상기 외부광의 나머지 일부는 상기 제2 보조막을 투과하여 상기 격자 편광층들의 상면에서 반사되어 제3 반사광이 발생되고, 상기 제3 반사광은 상기 제1 및 제2 반사광들 중 적어도 하나와 상쇄 간섭되는 표시 장치.
제 20 항에 있어서, 상기 반사 방지막 및 상기 격자 편광층들은 상기 표시 패널의 내부에 위치하고, 상기 반사 방지막은 상기 격자 편광층들 각각과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 20 항에 있어서, 상기 반사 방지막 및 상기 격자 편광층들은 상기 표시 패널의 외부에 위치하고, 상기 격자 편광층들 각각은 상기 반사 방지막 및 상기 제2 기판 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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제20 항에 있어서, 상기 제1 보조막의 두께 및 상기 제2 보조막의 두께는 아래 관계식4에 의해 정의되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.

(관계식4)
(d1+d2) ≒ {(λ/4) × (1/n₁)} + {(λ/4) × (1/n₂)}
(상기 관계식4에서, d1은 상기 제1 보조막의 두께이고, d2는 상기 제2 보조막의 두께이고, λ는 상기 외부광의 파장이고, n₁는 상기 제1 보조막의 굴절률이고, n₂ 는 상기 제2 보조막의 굴절률)
제20 항에 있어서, 상기 제1 보조막은 금속 산화물, 금속 질화물, 투명 도전 산화물 및 금속 중 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 보조막은 금속 산화물, 금속 질화물, 및 투명 도전 산화물 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 31 항에 있어서, 상기 제1 보조막 및 상기 제2 보조막 각각의 두께는 50옹스트롬 내지 800옹스트롬인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 31 항에 있어서,
상기 제1 보조막은 몰리브데늄 산화물(MoOx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 타이타늄 산화물(TiOx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 타이타늄 산화물(TiOx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 타이타늄 질화물(TiNx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 알루미늄 산화물(AlOx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 구리 산화물(CuOx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 타이타늄 질화물(TiNx) 및 몰리브데늄 질화물(MoNx) 중 어느 하나를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 알루미늄 질화물(AlNx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 타이타늄 질화물(TiNx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 구리 질화물(CuNx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 규소 산화물(SiOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 알루미늄 징크 옥사이드(AZO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 실리콘 질화물(SiNx), 몰리브데늄 산화물(MoOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 타이타늄 산화물(TiOx) 및 구리 산화물(CuOx) 중 어느 하나를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막이 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)을 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 포함하고 상기 제2 보조막은 알루미늄 질화물(AlNx) 및 구리 산화물(CuOx) 중 어느 하나를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 인듐 징크 옥사이드(IZO)를 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 갈륨 징크 옥사이드(GZO)를 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 갈륨 징크 옥사이드(GZO)를 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막이 알루미늄 징크 옥사이드(AZO)를 포함하고 상기 제2 보조막은 구리 산화물(CuOx)를 포함하고, 또는,
상기 제1 보조막은 타이타늄을 포함하고 상기 제2 보조막은 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 몰리브데늄 산화물(MoOx) 및 타이타늄 산화물(TiOx) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 33 항에 있어서, 상기 인듐 징크 옥사이드(IZO)에서 인듐 옥사이드(In₂O₃)의 중량%는 10wt% 내지 90 wt%이고, 상기 알루미늄 징크 옥사이드에서 알루미늄 옥사이드(Al₂O₃)의 중량%는 0.1wt% 내지 10wt%이고, 상기 갈륨 징크 옥사이드(GZO)에서 갈륨 옥사이드(Ga2O3의 중량%는 0.1wt% 내지 30wt%인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 20 항에 있어서, 상기 반사 방지막의 반사율은 0.1% 내지 5.0%인 것을 특징으로 하는 표시 장치.