KR102080763B1 - Substrate processing apparatus, and tray therefor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 기판들이이 안착된 트레이를 이용하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 기판처리장치의 트레이에 관한 것이다.
본 발명은 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 상기 공정챔버 내에 복수의 기판들이 간격을 두고 안착된 트레이를 지지하는 트레이지지부를 포함하는 기판처리장치의 트레이로서, 상기 복수의 기판들의 배치에 대응되어 기판의 가장자리 저면을 지지하는 패드부가 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이를 개시한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a tray of the substrate processing apparatus for performing substrate processing using a tray on which a plurality of substrates are mounted.
The present invention is a tray of a substrate processing apparatus including a process chamber forming a processing space, and a tray support portion supporting a tray in which a plurality of substrates are seated at a distance in the process chamber, corresponding to the arrangement of the plurality of substrates Disclosed is a tray of a substrate processing apparatus, characterized in that a pad portion supporting an edge bottom surface of the substrate is formed to protrude.
Description
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 기판들이이 안착된 트레이를 이용하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 기판처리장치의 트레이에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a tray of the substrate processing apparatus for performing substrate processing using a tray on which a plurality of substrates are mounted.
기판처리장치란 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 처리공간에 처리가스를 주입하면서 전원을 인가하여 기판의 표면을 식각하거나 증착하는 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.The substrate processing apparatus refers to a process chamber that forms a closed processing space and a device that performs substrate processing such as etching or depositing the surface of the substrate by applying power while injecting the processing gas into the processing space.
여기서 상기 기판처리장치에 의하여 처리되는 기판은 반도체용 웨이퍼, LCD패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등이 있다.Here, the substrate processed by the substrate processing apparatus includes a semiconductor wafer, an LCD panel glass substrate, and a solar cell substrate.
상기 기판처리장치의 일례로서, 기판지지대 상에 트레이를 사용하여 다수개의 태양전지용 기판을 안착시킨 후 반응성 이온 에칭과 같은 건식 식각을 이용하여 기판의 표면에 미세한 요철-요철형성의 목적은 소자의 특성에 따라 달라질 수 있으며 특히 태양전지소자의 효율을 높이기 위하여 기판에 의한 빛의 반사율을 낮추는 것이 그 하나이다-을 형성하도록 기판처리를 수행하는 기판처리장치가 있다.As an example of the substrate processing apparatus, a plurality of solar cell substrates are mounted on a substrate support by using a tray, and then the purpose of forming fine irregularities and irregularities on the surface of the substrate using dry etching such as reactive ion etching is a characteristic of the device. There is a substrate processing apparatus that performs substrate processing to form a substrate that can be varied depending on the type, and in particular, to reduce the reflectance of light by the substrate in order to increase the efficiency of the solar cell device.
상기와 같이 기판의 표면에 미세한 요철을 형성하는 기판처리장치는 다음과 같은 공정을 거쳐 기판의 표면에 요철을 형성한다.The substrate processing apparatus for forming minute irregularities on the surface of the substrate as described above forms irregularities on the surface of the substrate through the following steps.
종래의 일 예에 따른 기판처리장치는 공정챔버 내에 가스를 주입하면서 전원을 인가하면 처리공간 내에서 플라즈마를 형성하여 기판의 표면을 식각한다.The substrate processing apparatus according to an example of the related art etches the surface of the substrate by forming plasma in the processing space when power is applied while injecting gas into the process chamber.
그리고 기판식각에 의하여 형성되는 화합물 중 일부는 기판의 표면에 부착되어 기판식각 과정에서 마스크로서 작용하여 기판표면에 미세요철의 형성을 촉진한다.In addition, some of the compounds formed by the substrate etching are attached to the surface of the substrate to act as a mask during the substrate etching process, thereby promoting the formation of unevenness on the substrate surface.
도 5a는 종래의 기판처리장치에 의하여 기판처리된 기판을 보여주는 사진이며, 도 5b는 도 5a의 기판에서 중앙부분에 대한 수직단면, 도 5c는 도 5a의 기판에서 가장자리에 대한 수직단면을 전자현미경으로 촬영한 사진이다.5A is a photograph showing a substrate processed by a conventional substrate processing apparatus, FIG. 5B is a vertical cross-section of the center portion of the substrate of FIG. 5A, and FIG. 5C is an electron microscope of a vertical cross-section of the edge of the substrate of FIG. 5A. It is a picture taken with.
한편 미세요철을 형성하는 종래의 기판처리방법은 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 트레이 상에 안착된 기판은 가장자리에서 미세요철 형성의 편차가 발생하여 기판에 색차를 야기하는 문제점이 있다.On the other hand, the conventional substrate processing method of forming the unevenness, as shown in Figures 5a to 5c, the substrate seated on the tray has a problem that causes variations in the formation of unevenness at the edges, causing color difference on the substrate.
기판 표면에 형성되는 색차는 반사율의 차이를 의미하며 기판 상의 미세요철의 형성에 의한 반사율저감 효과를 충분히 달성되지 못하여 태양전지소자의 효율을 저하시키는 문제점이 있다.The color difference formed on the substrate surface means a difference in reflectance, and the effect of reducing the reflectance due to the formation of unevenness on the substrate is not sufficiently achieved, thereby deteriorating the efficiency of the solar cell device.
또한 색차가 있는 기판은 시각적으로 좋지 않아 불량품으로 오인되는 등 시장에서 제품에 대한 신뢰도를 떨어뜨리고 색차없는 기판에 비하여 낮은 가격으로 유통되는 등 시장에서 판매가 용이하지 않은 문제점이 있다. In addition, there is a problem in that the substrate having a color difference is not visually good, and thus it is not easy to sell in the market, such as being mistaken for a defective product, thereby lowering the reliability of the product in the market and being distributed at a lower price compared to the substrate without the color difference.
본 발명의 목적은, 복수의 기판들을 간격을 두고 트레이에 안착된 상태에서 기판처리함에 있어서 각 기판의 중앙부분 및 가장자리에서의 기판처리의 편차를 최소화할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리장치의 트레이를 제공하는 데 있다.An object of the present invention, the substrate processing apparatus and the tray of the substrate processing apparatus that can minimize the deviation of the substrate processing at the central portion and the edge of each substrate in processing the substrate in a state of being seated in the tray with a plurality of substrates spaced apart To provide.
본 발명의 목적은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 것으로서, 본 발명은 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 상기 공정챔버 내에 복수의 기판들이 간격을 두고 안착된 트레이를 지지하는 트레이지지부를 포함하는 기판처리장치의 트레이로서, 상기 복수의 기판들의 배치에 대응되어 기판의 가장자리 저면을 지지하는 패드부가 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이를 개시한다.An object of the present invention is to achieve the object of the present invention as described above, the present invention is a process chamber forming a processing space, and a plurality of substrates in the process chamber, the tray support portion for supporting a tray seated at a distance Disclosed is a tray of a substrate processing apparatus, wherein the tray of the substrate processing apparatus is characterized in that a pad portion supporting an edge bottom surface of the substrate is projected to correspond to the arrangement of the plurality of substrates.
상기 패드부는, 상기 기판 가장자리 저면을 지지하는 돌출부와, 상기 돌출부에 의해 지지되는 부분을 제외한 나머지 부분에 대응되는 함몰홈부 또는 관통부를 포함할 수 있다.The pad portion may include a protrusion portion supporting a bottom surface of the substrate edge, and a recessed groove portion or a penetration portion corresponding to a portion other than the portion supported by the protrusion portion.
상기 패드부는, 격자패턴으로 설치될 수 있다.The pad portion may be installed in a grid pattern.
상기 패드부는, 상기 트레이의 상면에 부착되거나, 코팅될 수 있다.The pad portion may be attached to or coated on the upper surface of the tray.
상기 패드부는, 가공에 의하여 상기 트레이의 상면에 일체로 형성될 수 있다.The pad portion may be integrally formed on the upper surface of the tray by processing.
상기 트레이는, 상기 패드부가 설치되는 플레이트부재와, 상기 플레이트부재의 가장자리를 따라서 결합되는 외곽프레임을 포함할 수 있다.The tray may include a plate member on which the pad portion is installed, and an outer frame coupled along the edge of the plate member.
상기 패드부는, 전기적으로 절연인 절연재질을 가질 수 있다.The pad portion may have an insulating material that is electrically insulating.
상기 패드부는, 실리콘 폴리머 재질을 가질 수 있다.The pad portion may have a silicone polymer material.
상기 패드부는, 폴리머 재질, 엔지니어링플라스틱 재질, 세라믹 재질 및 결정계실리콘 재질 중 어느 하나의 재질을 가질 수 있다.The pad portion may have any one of a polymer material, engineering plastic material, ceramic material, and crystalline silicon material.
상기 패드부는, 폴리머 재질을 가지며 저면에 접착물질이 도포되어 상기 트레이의 상면에 부착될 수 있다.The pad portion may have a polymer material, and an adhesive material may be applied to the bottom surface to be attached to the top surface of the tray.
본 발명은 또한 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 상기 공정챔버 내에 복수의 기판들이 간격을 두고 안착된 트레이를 지지하는 트레이지지부를 포함하는 기판처리장치로서, 상기 트레이는 상기와 같은 구성을 가지는 트레이를 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention is also a substrate processing apparatus including a process chamber forming a processing space, and a tray support portion supporting a tray in which a plurality of substrates are seated at intervals in the process chamber, wherein the tray has a tray having the above-described configuration. Disclosed is a substrate processing apparatus characterized by using.
상기 기판처리장치는 건식식각을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus may perform dry etching.
상기 기판처리장치는 반응성이온에칭에 의하여 기판의 표면에 요철을 형성할 수 있다.The substrate processing apparatus may form irregularities on the surface of the substrate by reactive ion etching.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 그에 사용되는 트레이는, 복수의 기판들을 간격을 두고 트레이에 안착된 상태에서 기판처리함에 있어서 기판의 가장자리 저면 모두를 지지하는 패드부를 상면에 추가로 설치함으로써 각 기판의 중앙부분 및 가장자리에서의 기판처리의 편차를 최소화할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention and the tray used therein, by providing a pad portion supporting both the bottom and bottom edges of the substrate in processing the substrate in a state where the plurality of substrates are placed on the tray at intervals, are additionally provided on the upper surface of each substrate. It has the advantage of minimizing variations in substrate processing at the center and edges.
특히 반응성이온에칭 등의 건식식각에 의하여 기판표면에 다수의 미세요철을 형성하는 기판처리의 수행시 기판의 가장자리 저면 모두를 지지하는 패드부를 상면에 추가로 설치함으로써 각 기판의 중앙부분 및 가장자리에서의 기판처리의 편차를 최소화할 수 있는 이점이 있다.In particular, when performing substrate processing to form a large number of microscopic irregularities on the substrate surface by dry etching such as reactive ion etching, pad portions supporting both the bottom and bottom edges of the substrate are additionally installed on the upper surface, thereby forming a central portion and an edge of each substrate. This has the advantage of minimizing variations in substrate processing.
구체적으로 동일한 공정조건에서 기판처리의 결과를 살펴보면, 종래기술, 즉 트레이에 본 발명의 패드부가 설치되지 않은 경우는 도 5a 내지 도 5c에 도시되어 있고, 본 발명의 패드부가 설치된 경우는 도 5a 내지 도 5c에 도시되어 있다.Specifically, when looking at the results of the substrate processing under the same process conditions, the prior art, that is, when the pad portion of the present invention is not installed in the tray is shown in FIGS. 5A to 5C, and when the pad portion of the present invention is installed, FIGS. 5A to 5A It is shown in Figure 5c.
종래기술에 의한 경우, 도 5a를 참조하면 기판의 가장자리에 검은 색의 띠(검은색의 띠는 식각과정에서 미세요철의 형성에 편차가 있으며 미세요철의 편차는 반사율에 영향을 주며 검은 부분에서 반사율이 더 작은 상태를 보여준다)를 볼 수 있고, 도 5b 및 도 5c에서 볼 수 있듯이 기판의 중앙부분 및 가장자리에서 형성된 미세요철이 서로 다름을 알 수 있다.In the case of the prior art, referring to FIG. 5A, a black band at the edge of the substrate (the black band has a deviation in the formation of unevenness during the etching process, and the deviation of the unevenness affects the reflectivity and reflectance in the black area) This shows a smaller state), and as shown in FIGS. 5B and 5C, it can be seen that the unevenness formed at the central portion and the edge of the substrate is different from each other.
본 발명에 의한 경우, 도 6a를 참조하면 도 5a와 같은 검은 색의 띠가 형성되지 않으며(이는 미세요철이 기판표면 전체에 걸쳐 균일하게 형성되었음을 의미한다), 도 6b 및 도 6c에서 볼 수 있듯이 기판의 중앙부분 및 가장자리에서 형성된 미세요철이 큰 편차가 없음을 알 수 있다.In the case of the present invention, referring to FIG. 6A, a black band as shown in FIG. 5A is not formed (this means that unevenness is uniformly formed over the entire surface of the substrate), as shown in FIGS. 6B and 6C. It can be seen that the unevenness formed at the center and edge of the substrate does not have a large deviation.
즉, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 각 기판의 중앙부분 및 가장자리에서의 기판처리의 편차를 최소화할 수 있음을 알 수 있다.That is, it can be seen that the substrate processing apparatus according to the present invention can minimize variations in substrate processing at the central portion and edges of each substrate.
도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치에서 트레이 및 트레이 상에 안착되는 기판을 보여주는 사시도이다.
도 3은, 도 1의 기판처리장치에서 트레이를 보여주는 평면도이다.
도 4는, 도 3에서 Ⅳ-Ⅳ방향의 단면 일부를 보여주는 일부단면도이다.
도 5a는 종래의 기판처리장치에 의하여 기판처리된 기판을 보여주는 사진이며, 도 5b는 도 5a의 기판에서 중앙부분에 대한 수직단면, 도 5c는 도 5a의 기판에서 가장자리에 대한 수직단면을 전자현미경으로 촬영한 사진이다.
도 6a는 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 기판처리된 기판을 보여주는 사진이며, 도 6b는 도 6a의 기판에서 중앙부분에 대한 수직단면, 도 6c는 도 6a의 기판에서 가장자리에 대한 수직단면을 전자현미경으로 촬영한 사진이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a tray and a substrate mounted on the tray in the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a plan view showing a tray in the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a partial cross-sectional view showing a part of a cross section in the direction IV-IV in FIG. 3.
5A is a photograph showing a substrate processed by a conventional substrate processing apparatus, FIG. 5B is a vertical cross-section of the center portion of the substrate of FIG. 5A, and FIG. 5C is an electron microscope of a vertical cross-section of the edge of the substrate of FIG. 5A. It is a picture taken with.
Figure 6a is a photograph showing a substrate processed by the substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 6b is a vertical cross-section for the central portion in the substrate of Figure 6a, Figure 6c is a vertical cross-section for the edge in the substrate of Figure 6a This is a picture taken with an electron microscope.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리장치의 트레이에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus and a tray of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(S) 내에 설치되어 하나 이상의 기판(10)이 안착되는 트레이(200)를 지지하는 트레이지지부(130)와; 공정챔버(100)의 상부에 설치되어 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스공급부(140)를 포함하여 구성될 수 있다. The substrate processing apparatus according to the present invention, as shown in Figure 1, the
상기 기판처리장치는, 증착, 식각 등의 기판처리를 수행할 수 있으며, PECVD, LPCVD, 플라즈마를 이용한 기판처리 등의 증착공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus may perform substrate processing such as deposition and etching, and may perform deposition processes such as PECVD, LPCVD, and substrate processing using plasma.
특히 상기 기판처리장치는, 건식식각 특히 반응성이온에칭에 의하여 기판 표면에 미세요철을 형성하는 공정을 수행할 수 있다.In particular, the substrate processing apparatus may perform a process of forming unevenness on the surface of the substrate by dry etching, particularly reactive ion etching.
여기서 기판처리의 대상인 기판(10)은 실리콘 재질 등의 태양전지용 기판 등의 기판으로서 어떠한 재질도 가능하며, 그 형상은 직사각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.Here, the
상기 공정챔버(100)는 기판처리를 수행하기 위한 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측이 개방된 챔버본체(120)와 챔버본체(120)와 탈착가능하게 결합되는 상부리드(110)를 포함하여 구성될 수 있다.The
상기 챔버본체(120)는 상측이 개방된 그릇 형태를 가지며, 기판(10)이 입출될 수 있는 게이트가 하나 또는 2개 이상 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 장방형의 챔버본체(120)에서 한 쌍의 게이트(121, 122)들이 서로 대향되도록 형성된다.The
상기 상부리드(110)는 챔버본체(120)의 상측에 실링부재(미도시)가 개재되어 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 플레이트 또는 하측이 개방된 그릇 형태를 가질 수 있다.The
상기 트레이지지부(130)는 기판처리가 원활하게 수행될 수 있도록 트레이(200)를 지지하기 위한 구성으로서, 설계조건 및 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다. 여기서 상기 트레이지지부(130)는 트레이(200)의 안착을 위하여 상하로 이동될 수 있다.The
특히 상기 트레이지지부(130)는, 기판처리의 종류에 따라서 접지되거나, 전원이 인가될 수 있으며 더 나아가 기판(10)을 가열하기 위한 히터가 설치되는 등 다양한 구성이 가능하다.In particular, the
상기 가스분사부(140)는 소위 샤워헤드로서 처리공간(S)의 상측에 설치되어 외부에 설치된 가스공급장치(미도시)로부터 공급받아 처리공간(S)으로 처리가스를 분사하는 구성으로서 가스의 종류 및 수, 분사방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The
한편 상기 공정챔버(100)는, 처리공간(S)의 가스를 배출하여, 처리공간(S)의 압력 및 배기를 위한 배기부가 설치되며 일예로서, 상기 가스배출부는 챔버본체(130)의 저부, 측면 등에 형성된 하나 이상의 배기구(160)에 연결됨과 아울러, 진공펌프 등과 연결되는 배기관을 포함할 수 있다. On the other hand, the
한편 본 발명에 따른 기판처리장치는 복수개의 기판(10)들이 m×n(m, n은 2 이상의 자연수)의 배열로 간격을 두고 트레이(200)에 적재하여 이송하면서 기판처리를 수행하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the substrate processing apparatus according to the present invention is characterized in that a plurality of
여기서 상기 기판처리장치에 있어서 트레이(200)는 각 모듈들 및 각 모듈들을 지지하는 프레임 등에 설치된 롤러, 벨트 등 다양한 방법에 의하여 이송될 수 있다.Here, in the substrate processing apparatus, the
또한 상기 기판처리장치에 있어서 트레이(200)는 트레이(200)를 지지하는 로봇암을 구비한 반송로봇(미도시)에 의하여 이송될 수도 있다.In addition, in the substrate processing apparatus, the
또한 본 발명에 따른 기판처리장치는 로드락모듈 및 언로드락모듈과 함께 인라인으로 배치되거나, 반송챔버가 추가로 설치되어 클러스터 형태로 배치될 수 있다. 이 경우 반송챔버에 트레이(200)의 이송을 위한 반송로봇이 설치될 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may be arranged in-line with the load lock module and the unload lock module, or a transport chamber may be additionally installed to be disposed in a cluster form. In this case, a transport robot for transport of the
상기 트레이(200)는 다수의 기판(10)을 적재하여 이송하기 위한 구성으로서,다양한 구성이 가능하다.The
예로서, 상기 트레이(200)는, 후술하는 패드부(300)가 설치되는 플레이트부재(210)와, 플레이트부재(210)의 가장자리를 따라서 결합되는 외곽프레임(220)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 플레이트부재(210)는, 후술하는 패드부(300)가 설치되어 기판을 지지하는 구성으로서 전기전도성이 없는 절연재질로서, Al2O3, 유리(Glass), 석영, 붕규산유리(pyrex), 폴리에테르케톤(PEK)과 같은 엔지니어링 플라스틱 등 플라즈마에 강한 재질이 사용될 수 있다.The
상기 외곽프레임(220)은, 플레이트부재(210)의 가장자리를 따라서 결합되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The
특히 상기 외곽프레임(220)는, 플레이트부재(210)를 지지하고 앞서 설명한 롤러 등에 의하여 지지될 수 있도록 다양한 구성을 가지며 구조적 강성을 고려하여 저면에는 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 금속재질을 사용하고 상면에는 Al2O3, 유리(Glass), 석영, 붕규산유리(pyrex), 폴리에테르케톤(PEK)과 같은 엔지니어링 플라스틱 등 플라즈마에 강한 재질의 부재가 설치되어 구성될 수 있다.In particular, the
여기서 상기 외곽프레임(220)는, Al2O3, 유리(Glass), 석영, 붕규산유리(pyrex), 폴리에테르케톤(PEK)과 같은 엔지니어링 플라스틱 등 플라즈마에 강한 재질의 부재들로만 구성될 수 있음은 물론이다.Here, the
한편 상기 트레이(200)는, 복수의 기판(10)들이 안착된 상태에서 반응성 이온에칭 공정을 이용하여 기판표면에 다수의 미세요철을 형성하는 기판처리가 수행됨에 있어서 미세요철의 형성효과를 극대화하기 위하여 상측으로 기판(10)과 간격을 두어 설치되며 상하방향으로 다수의 개구부들이 형성된 커버부재(미도시)가 안착된 상태에서 기판처리가 수행될 수 있다.Meanwhile, the
상기 커버부재는, 기판(10)과 간격을 두어 설치되며 상하방향으로 다수의 개구부들이 형성됨으로써 개구를 통하여 플라즈마가 침투하여 기판표면을 식각하고 식각되어 부유되는 잔사들이 커버부재 및 트레이(200) 상면에 잔류하여 기판표면에 부착되어 미세요철의 형성효과를 극대화할 수 있다.The cover member is installed at a distance from the
한편 상기 트레이(200)는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(10)들의 배치에 대응되어 기판(10)의 가장자리 저면을 지지하는 패드부(300)가 돌출형성됨을 특징으로 한다.On the other hand, the
상기 패드부(300)는, 트레이(200), 즉 플레이트부재(210)에 설치되어 복수의 기판(10)들의 배치에 대응되어 기판(10)의 가장자리 저면을 지지하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The
특히 상기 패드부(300)는, 트레이(200), 즉 플레이트부재(210)에 설치됨에 있어서 트레이(200)의 상면에 부착되거나, 코팅될 수 있다.Particularly, the
또한 상기 패드부(300)는, 기계가공, 플라즈마 용사 등에 의하여 트레이(200), 즉 플레이트부재(210)의 상면에 일체로 형성될 수도 있음은 물론이다.Further, the
그리고 상기 패드부(300)는, 트레이(200), 즉 플레이트부재(210)의 상면에 설치됨에 있어서 복수의 기판(10)들의 배치에 대응되어 기판(10)의 가장자리 저면을 지지하도록 돌출형성되도록 구성되는바 기판(10)의 배치 방식에 따라서 다양한 패턴으로 설치될 수 있다.And the
특히 상기 패드부(300)는, 기판(10) 가장자리 저면을 지지하는 돌출부(310)와, 돌출부에 의해 지지되는 부분을 제외한 나머지 부분에 대응되는 함몰홈부 또는 관통부(320)를 포함할 수 있다.Particularly, the
예로서, 상기 기판(10)이 직사각형 형상을 가지는 경우 패드부(300)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 격자패턴으로 설치될 수 있다.For example, when the
그리고 상기 패드부(300)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 가장자리의 저면을 지지하며 나머지 부분은 트레이(200)의 상면과 간격을 두고 기판(10)을 지지함이 바람직하다.And the
여기서 기판(10)의 저면 및 트레이(200)의 상면 사이에서 이루어지는 함몰홈부 또는 관통부(320)는, 비워진 상태로 유지됨이 바람직하다.Here, the recessed groove portion or the through
물론, 상기 함몰홈부 또는 관통부(320)는, 패드부(300)의 열전달율보다 낮은 열전달율을 가지는 완충물질이 채어질 수 있다.Of course, the recessed groove portion or the through
한편 상기 패드부(300)의 재질은, 전기적으로 절연인 절연재질이 사용되는 것이 바람직하다.On the other hand, the material of the
예로서, 상기 패드부(300)의 재질은, 실리콘 폴리머 등의 폴리머 재질, PTFE, FKM, PEEK 등의 엔지니어링플라스틱 재질, Al2O3 와 같은 세라믹 재질, 단결정실리콘, 다결정 실리콘 등의 결정계실리콘 재질 등이 사용될 수 있으며, 실리콘 폴리머 재질이 사용되는 것이 보다 바람직하다.For example, the material of the
한편 상기 패드부(300)는, 폴리머 재질을 가질 때, 폴리머 재질의 띠 부재를 포함하며 그 저면에 접착물질이 도포되어 트레이(200)의 상면에 부착될 수 있다.Meanwhile, when the
상기와 같이, 상기 패드부(300)가 띠형 부재로 이루어져 트레이(200)의 상면에 부착되는 경우 트레이(200)의 상면에의 패드부(300)의 설치가 보다 용이한 이점이 있다.As described above, when the
한편 상기 패드부(300)는, 트레이(200)의 상면에 부착되기 전에 그 저면에는 이형지(미도시)가 부착됨이 바람직하다.
On the other hand, before the
- 실험예-Experimental example
한편 종래기술에 따른 기판처리장치 및 본 발명에 따른 트레이를 사용하여 기판처리를 수행한바 도 5a 내지 도 6c와 같다.Meanwhile, the substrate processing is performed using the substrate processing apparatus according to the prior art and the tray according to the present invention, as shown in FIGS. 5A to 6C.
그리고 구체적인 실험조건은, 태양전기 기판은 다결정 실리콘 기판이며, Cl2, SF6 및 O2를 반응가스로 사용하여 반응성이온에칭 공정에 의하여 기판표면에 반사율을 낮추기 위한 미세요철을 형성하는 공정을 수행하였다.And the specific experimental conditions, the solar electric substrate is a polycrystalline silicon substrate, Cl 2 , SF 6 and O 2 is used as a reaction gas to perform a process of forming a fine concavo-convex for lowering the reflectivity on the substrate surface by a reactive ion etching process. Did.
그리고 패드부(300)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 실리콘 폴리머 재질의 띠형부재(상용의 실리콘 폴리머 패드), 즉 스티커 형식으로 트레이(200)의 상면에 기판(10)이 안착되는 위치에 대응시켜 기판(10)의 가장자리의 저면 모두를 지지하도록 트레이(200)의 상면에 설치하였다.And, the
상기와 같은 실험을 통하여, 도 5a 내지 도 6c에 도시된 바와 같이, 종래기술에 비하여 기판처리 후 기판의 중앙부분 및 가장자리 부분에서의 편차가 현저하게 개선되었음을 확인하였다.
Through the above experiments, as shown in FIGS. 5A to 6C, it was confirmed that the deviation in the central portion and the edge portion of the substrate was significantly improved after the substrate treatment compared to the prior art.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.The above is merely a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, so, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and the present invention described above. It will be said that both the technical idea and the technical idea together with the fundamental are included in the scope of the present invention.
10 : 기판 100 : 공정챔버
200 : 트레이 300 : 패드부10: substrate 100: process chamber
200: Tray 300: Pad portion
Claims (17)
상기 복수의 기판들의 배치에 대응되어 기판의 가장자리 저면을 지지하는 패드부가 돌출 형성되며,
상기 트레이는, 상기 패드부가 설치되는 플레이트부재와, 상기 플레이트부재의 가장자리를 따라서 결합되는 외곽프레임을 포함하며,
상기 패드부는, 절연재질을 가지며 상기 플레이트부재의 상면에 돌출 형성되어 상기 기판 가장자리 저면을 지지하는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이.A tray of a substrate processing apparatus including a process chamber for forming a processing space for forming irregularities on the surface of a substrate by reactive ion etching, and a tray support for supporting a tray in which a plurality of substrates are placed at intervals within the process chamber. as,
A pad portion supporting the bottom surface of the substrate is formed protrudingly corresponding to the arrangement of the plurality of substrates,
The tray includes a plate member on which the pad portion is installed, and an outer frame coupled along the edge of the plate member,
The pad portion, the tray of the substrate processing apparatus, characterized in that it has an insulating material and is formed to protrude on the upper surface of the plate member to support the bottom surface of the substrate edge.
상기 패드부는, 상기 돌출부에 의해 지지되는 부분을 제외한 나머지 부분에 대응되는 함몰홈부 또는 관통부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이.The method according to claim 1,
The pad portion, the tray of the substrate processing apparatus, characterized in that it includes a recess or a through portion corresponding to the rest of the portion except for the portion supported by the protrusion.
상기 패드부는, 격자패턴으로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이.The method according to claim 1,
The pad portion, the tray of the substrate processing apparatus, characterized in that installed in a grid pattern.
상기 패드부는, 상기 트레이의 상면에 부착되거나, 코팅되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이.The method according to claim 1,
The pad portion is attached to the upper surface of the tray, the tray of the substrate processing apparatus characterized in that the coating.
상기 패드부는, 가공에 의하여 상기 트레이의 상면에 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이.The method according to claim 1,
The pad portion, the tray of the substrate processing apparatus, characterized in that integrally formed on the upper surface of the tray by processing.
상기 패드부는, 전기적으로 절연인 절연재질을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이.The method according to any one of claims 1 to 5,
The pad portion, the tray of the substrate processing apparatus characterized in that it has an insulating material that is electrically insulated.
상기 패드부는, 실리콘 폴리머 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이.The method according to claim 7,
The pad portion, the tray of the substrate processing apparatus characterized in that it has a silicone polymer material.
상기 패드부는, 폴리머 재질, 엔지니어링플라스틱 재질, 세라믹 재질 및 결정계실리콘 재질 중 어느 하나의 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이.The method according to claim 7,
The pad portion, the tray of the substrate processing apparatus, characterized in that it has any one of a polymer material, engineering plastic material, ceramic material and crystalline silicon material.
상기 패드부는, 폴리머 재질을 가지며 저면에 접착물질이 도포되어 상기 트레이의 상면에 부착되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 트레이.The method according to any one of claims 1 to 5,
The pad portion, the tray of the substrate processing apparatus, characterized in that the polymer material and the adhesive material is applied to the bottom surface is attached to the upper surface of the tray.
상기 트레이는 청구항 1 내지 5 중 어느 하나의 항에 따른 트레이를 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A substrate processing apparatus comprising a process chamber forming a processing space and a tray support part supporting a tray in which a plurality of substrates are seated at intervals in the process chamber,
The tray is a substrate processing apparatus characterized in that the tray according to any one of claims 1 to 5.
상기 패드부는, 전기적으로 절연인 절연재질을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 11,
The pad portion, the substrate processing apparatus characterized in that it has an insulating material that is electrically insulating.
상기 패드부는, 실리콘 폴리머 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 12,
The pad portion, the substrate processing apparatus characterized in that it has a silicone polymer material.
상기 패드부는, 폴리머 재질, 엔지니어링플라스틱, 세라믹 재질 및 결정계실리콘 중 어느 하나의 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 12,
The pad portion, the substrate processing apparatus characterized in that it has any one of a polymer material, engineering plastics, ceramic material and crystalline silicon.
상기 패드부는, 폴리머 재질을 가지며 저면에 접착물질이 도포되어 상기 트레이의 상면에 부착되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 12,
The pad portion has a polymer material, the substrate processing apparatus characterized in that the adhesive material is applied to the bottom surface is attached to the upper surface of the tray.
상기 기판처리장치는 건식식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 12,
The substrate processing apparatus is characterized in that to perform a dry etching substrate processing apparatus.
상기 기판처리장치는 반응성이온에칭에 의하여 기판의 표면에 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 16,
The substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus characterized in that to form the unevenness on the surface of the substrate by reactive ion etching.
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