KR101338827B1 - Deposition apparatus - Google Patents

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    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally

Abstract

실시예에 따른 증착 장치는, 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하고, 기판을 지지하는 서셉터; 상기 기판 상에 위치하고, 반응 가스를 공급하는 샤워헤드; 상기 샤워헤드 하부에 위치하고, 반응 가스를 공급하는 보조공급부를 포함한다.Deposition apparatus according to the embodiment, the chamber; A susceptor located inside the chamber and supporting the substrate; A showerhead positioned on the substrate and supplying a reaction gas; Located under the shower head, and comprises an auxiliary supply for supplying a reaction gas.

Description

증착 장치{DEPOSITION APPARATUS}Deposition apparatus {DEPOSITION APPARATUS}

본 기재는 증착 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a deposition apparatus.

일반적으로 기판 또는 웨이퍼(wafer)상에 다양한 박막을 형성하는 기술 중에 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition; CVD)이 많이 사용되고 있다. 화학 기상 증착 방법은 화학 반응을 수반하는 증착 기술로, 소스 물질의 화학 반응을 이용하여 웨이퍼 표면상에 반도체 박막이나 절연막 등을 형성한다. In general, chemical vapor deposition (CVD) is widely used as a technique for forming various thin films on a substrate or a wafer. The chemical vapor deposition method is a deposition technique involving a chemical reaction, which uses a chemical reaction of a source material to form a semiconductor thin film, an insulating film, and the like on the wafer surface.

이러한 화학 기상 증착 방법 및 증착 장치는 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발 등으로 박막 형성 기술 중 매우 중요한 기술로 주목 받고 있다. 현재 웨이퍼 상에 실리콘 막, 산화물 막, 실리콘 질화물 막 또는 실리콘 산질화물 막, 텅스텐 막 등과 같은 다양한 박막들을 증착하기 위해 이용되고 있다.Such a chemical vapor deposition method and a vapor deposition apparatus have recently attracted attention as a very important technology among thin film forming techniques due to miniaturization of semiconductor devices and development of high efficiency and high output LED. And is currently being used for depositing various thin films such as a silicon film, an oxide film, a silicon nitride film or a silicon oxynitride film, a tungsten film, and the like on a wafer.

특히, 태양광 발전장치를 제조함에 있어서도, 태양전지의 다양한 박막을 형성함에 있어서 이러한 증착 장치가 이용될 수 있다.Particularly, in manufacturing a solar cell, such a deposition apparatus can be used in forming various thin films of solar cells.

이러한 증착 장치는 반응 가스를 공급하는 샤워헤드를 포함하는데, 이러한 샤워헤드는 이동이 불가하여, 기판을 회전시키거나 플레이트를 이용하여야 한다. 그러나 대면적의 기판은 회전시키기가 어렵다는 문제가 있다. 또한, 샤워헤드의 이동이 불가하여 기판에 증착되는 박막의 균일도가 떨어진다는 문제가 있다. Such deposition apparatus includes a showerhead for supplying a reaction gas, which is immovable and must rotate the substrate or use a plate. However, there is a problem that a large area substrate is difficult to rotate. In addition, there is a problem in that the movement of the shower head is impossible and the uniformity of the thin film deposited on the substrate is reduced.

실시예는 신뢰성이 향상된 증착 장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide a deposition apparatus with improved reliability.

실시예에 따른 증착 장치는, 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하고, 기판을 지지하는 서셉터; 상기 기판 상에 위치하고, 반응 가스를 공급하는 샤워헤드; 상기 샤워헤드 하부에 위치하고, 반응 가스를 공급하는 보조공급부를 포함한다.Deposition apparatus according to the embodiment, the chamber; A susceptor located inside the chamber and supporting the substrate; A showerhead positioned on the substrate and supplying a reaction gas; Located under the shower head, and comprises an auxiliary supply for supplying a reaction gas.

실시예에 따른 증착 장치는, 보조공급부를 포함하고, 상기 보조 공급부는 서로 다른 크기를 가지는 제1 분사구 및 제2 분사구를 가지는 플레이트들을 포함한다. 샤워헤드에서 분사된 반응 가스가 각기 다른 크기를 가지는 상기 제1 분사구 및 상기 제2 분사구를 통과하면서 챔버 내에 균일하게 분사될 수 있다. 따라서, 기판에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다.The deposition apparatus according to the embodiment includes an auxiliary supply unit, and the auxiliary supply unit includes plates having a first injection hole and a second injection hole having different sizes. The reaction gas injected from the shower head may be uniformly injected into the chamber while passing through the first injection hole and the second injection hole having different sizes. Therefore, the uniformity of the thin film deposited on the substrate can be improved.

도 1은 제1 실시예에 따른 증착 장치의 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 보조공급부의 사시도이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 제1 플레이트의 정면도이다.
도 4는 제1 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 제2 플레이트의 정면도이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 증착 장치의 단면도이다.
도 6은 제2 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 보조공급부의 사시도이다.
도 7은 제2 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 제1 플레이트의 정면도이다.
도 8은 제2 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 제2 플레이트의 정면도이다.1 is a sectional view of a deposition apparatus according to a first embodiment.
2 is a perspective view of an auxiliary supply unit included in a deposition apparatus according to a first embodiment.
3 is a front view of a first plate included in the deposition apparatus according to the first embodiment.
4 is a front view of a second plate included in the deposition apparatus according to the first embodiment.
5 is a sectional view of a deposition apparatus according to a second embodiment.
6 is a perspective view of an auxiliary supply included in a deposition apparatus according to a second embodiment.
7 is a front view of a first plate included in the deposition apparatus according to the second embodiment.
8 is a front view of a second plate included in the deposition apparatus according to the second embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 제1 실시예에 따른 증착 장치(200)를 상세하게 설명한다. 도 1은 제1 실시예에 따른 증착 장치의 단면도이다. 도 2는 제1 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 보조공급부의 사시도이다. 도 3은 제1 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 제1 플레이트의 정면도이다. 도 4는 제1 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 제2 플레이트의 정면도이다.Hereinafter, the deposition apparatus 200 according to the first embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4. 1 is a sectional view of a deposition apparatus according to a first embodiment. 2 is a perspective view of an auxiliary supply unit included in a deposition apparatus according to a first embodiment. 3 is a front view of a first plate included in the deposition apparatus according to the first embodiment. 4 is a front view of a second plate included in the deposition apparatus according to the first embodiment.

도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 증착 장치(200)는 챔버(210), 샤워헤드(230), 서셉터(240) 및 보조공급부(270)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the deposition apparatus 200 according to the first embodiment includes a chamber 210, a showerhead 230, a susceptor 240, and an auxiliary supply unit 270.

상기 챔버(210)에서는 기판(10)에 박막을 형성시키기 위한 공정이 이루어진다. 상기 챔버(210)에는 샤워헤드(230) 및 서셉터(240)가 설치될 수 있다.In the chamber 210, a process for forming a thin film on the substrate 10 is performed. The shower head 230 and the susceptor 240 may be installed in the chamber 210.

상기 챔버(210)는 처리공간의 기밀이 유지되도록 구성되되, 기판(10)의 출입이 가능하게 마련되는 구성되는 것이 바람직하다.The chamber 210 is configured to maintain the airtightness of the processing space, and is preferably configured to allow entry and exit of the substrate 10.

즉, 챔버(210)는 용기 형상의 본체(211) 및 본체(211)에 힌지 결합되어 본체(211)로부터 회동되는 리드(Lid;212)를 포함한다. 처리공간은 리드(212)의 회동에 따라 개폐가 가능하다. 도시되지 않았지만, 본체(211)의내측벽에는 본체(211)를 가열함으로써 처리공간의 온도를 조절할 수 있는 히터가 설치되는 것이 바람직하다.That is, the chamber 210 includes a container-shaped body 211 and a lid Lid 212 hinged to the body 211 and rotated from the body 211. The processing space can be opened and closed in accordance with the rotation of the lid 212. Although not shown, a heater that can adjust the temperature of the processing space by heating the main body 211 is preferably installed on the inner side wall of the main body 211.

상기 리드(212)에는 반응 가스 공급관(220)이 관통되며, 처리공간을 향한 리드(212)의 일면에는 샤워헤드(230)가 결합된다. 상기 반응 가스 공급관(220)은 외부로부터 공급되는 반응 가스를 상기 샤워헤드(230)로 안내한다. The reaction gas supply pipe 220 penetrates the lid 212, and a shower head 230 is coupled to one surface of the lid 212 facing the treatment space. The reaction gas supply pipe 220 guides the reaction gas supplied from the outside to the shower head 230.

상기 샤워헤드(230)는 상기 서셉터(240) 상에 위치되게 상기 챔버(210) 내부에 설치될 수 있다. 상기 샤워헤드(230)는 반응 가스가 확산되는 공간을 형성하며, 처리공간을 향해 개구되는 복수의 분사구(231)가 형성된다. 이러한 샤워헤드(230)는 반응 가스를 처리공간으로 균일하게 분사되도록 한다. The shower head 230 may be installed in the chamber 210 to be positioned on the susceptor 240. The shower head 230 forms a space in which the reaction gas is diffused, and a plurality of injection holes 231 opening toward the processing space are formed. The shower head 230 allows the reaction gas to be uniformly injected into the processing space.

상기 샤워헤드(230)를 통해 처리공간으로 분사되는 반응 가스는 금속원소를 포함할 수 있다. 일례로, 상기 반응 가스는 아연(Zn) 또는 알루미늄(Al)일 수 있다.The reaction gas injected into the processing space through the shower head 230 may include a metal element. For example, the reaction gas may be zinc (Zn) or aluminum (Al).

따라서 상기 반응 가스 공급관(220)은 서로 성질이 다른 반응 가스를 각각 별도의 경로로 상기 샤워헤드(230)로 공급하기 위해 복수개로 마련될 수 있다. 그리고 상기 샤워헤드(230)는 서로 성질이 다른 반응 가스를 각각 별도의 경로로 처리공간으로 분사하기 위한 복층구조를 가질 수 있다.Therefore, the reaction gas supply pipe 220 may be provided in plural to supply the reaction gas having different properties to the shower head 230 through separate paths. In addition, the shower head 230 may have a multilayer structure for injecting reaction gases having different properties from each other into a processing space through separate paths.

처리공간의 하부에는 상기 서셉터(240)가 배치된다. 상기 서셉터(240)는 상기 기판(10)을 지지할 수 있다. 상기 기판(10)은 진공흡착 또는 정전흡착에 의해 상기 서셉터(240)에 흡착될 수 있다. 상기 서셉터(240)는 상기 샤워헤드(230) 아래에 위치되게 상기 챔버(2)에 설치될 수 있다.The susceptor 240 is disposed below the processing space. The susceptor 240 may support the substrate 10. The substrate 10 may be adsorbed to the susceptor 240 by vacuum adsorption or electrostatic adsorption. The susceptor 240 may be installed in the chamber 2 to be positioned below the shower head 230.

상기 서셉터(240)의 상면에는 기판(10)이 수용되는 수용홈(241)이 형성된다. 수용홈(241)은 서셉터(240)에 복수의 기판(10)을 함께 지지하도록 복수개로 형성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 수용홈(241)에는 진공력에 의해 기판(10)을 지지하는 진공척, 정전력에 의해 기판(10)을 지지하는 정전척, 점착력에 의해 기판(10)을 지지하는 점착척 등과 같은 기판 지지수단이 설치되어 수용홈(241)에 안치된 기판(10)을 보다 안정적으로 지지하는 것이 바람직하다. 진공척, 정전척 및 점착척은 이미 널리 알려진 공지의 기술이므로 상세한 설명은 생략하도록 한다.An upper surface of the susceptor 240 is formed with a receiving groove 241 for receiving the substrate 10. The receiving groove 241 may be formed in plural to support the plurality of substrates 10 together with the susceptor 240. Although not shown, the receiving groove 241 has a vacuum chuck supporting the substrate 10 by vacuum force, an electrostatic chuck supporting the substrate 10 by electrostatic force, and an adhesive chuck supporting the substrate 10 by adhesive force. It is preferable to support the substrate 10 placed in the receiving groove 241 by a substrate supporting means such as the more stable. Since the vacuum chuck, the electrostatic chuck and the adhesive chuck are well known techniques, their detailed description will be omitted.

그리고 도시되지 않았지만, 서셉터(240)의 내부에는 서셉터(240)를 가열함으로써 가열된 서셉터(240)에 의해 기판(10)이 가열되도록 하는 히터가 설치되는 것이 바람직하다.Although not shown, it is preferable that a heater is installed inside the susceptor 240 so that the substrate 10 is heated by the heated susceptor 240 by heating the susceptor 240.

챔버(210)의 하부에는 회전모터(250)가 배치되며, 회전모터(250)의 회전축은 본체(211)의 바닥면을 관통하여 서셉터(240)를 지지한다. 회전모터(250)는 서셉터(240)를 회전시킴으로써, 서셉터(240)에 지지되는 복수의 기판(10)에 각 층이 균일한 두께로 성장될 수 있도록 한다.The rotary motor 250 is disposed below the chamber 210, and the rotary shaft of the rotary motor 250 passes through the bottom surface of the main body 211 to support the susceptor 240. The rotary motor 250 rotates the susceptor 240 so that each layer can be grown to a uniform thickness on the plurality of substrates 10 supported by the susceptor 240.

챔버(210)의 외부에는 처리공간의 진공배기를 수행하는 진공펌프(260)가 배치된다. 그리고 본체(211)의 하부에는 일단부가 본체(211)를 관통하여 처리공간에 연통되며, 타단부가 진공펌프(260)에 연결되는 배기관(261)이 설치된다. 진공펌프(260)는 배기관(261)을 통해 처리공간의 진공배기를 수행함으로써 처리공간이 고진공 상태로 유지되도록 하며, 샤워헤드(230)로부터 분사되는 반응 가스(G)가 서셉터(240)로 원활하게 이송되도록 한다.Outside the chamber 210, a vacuum pump 260 that performs vacuum evacuation of the processing space is disposed. In addition, an exhaust pipe 261 is provided at one end of the main body 211 so that one end thereof communicates with the processing space through the main body 211 and the other end is connected to the vacuum pump 260. The vacuum pump 260 maintains the processing space in a high vacuum state by performing vacuum exhaust of the processing space through the exhaust pipe 261, and the reaction gas G injected from the shower head 230 is transferred to the susceptor 240. Ensure smooth transfer.

상기 보조공급부(270)는 상기 샤워헤드(230) 하부에 위치한다. 구체적으로, 상기 보조공급부(270)는 상기 기판(10) 및 상기 샤워헤드(230) 사이에 위치한다. 상기 보조공급부(270)는 반응 가스를 공급한다. The auxiliary supply part 270 is located under the shower head 230. In detail, the auxiliary supply unit 270 is positioned between the substrate 10 and the shower head 230. The auxiliary supply unit 270 supplies a reaction gas.

상기 보조공급부(270)는 제1 플레이트(271) 및 상기 제1 플레이트(271)와 이격되어 위치하는 제2 플레이트(272)를 포함한다. 상기 제1 플레이트(271) 및 상기 제2 플레이트(272) 사이에는 상기 제1 플레이트(271) 및 상기 제2 플레이트(272)를 이격시키는 이격부(290)가 위치할 수 있다. The auxiliary supply part 270 includes a first plate 271 and a second plate 272 spaced apart from the first plate 271. A spacer 290 spaced apart from the first plate 271 and the second plate 272 may be disposed between the first plate 271 and the second plate 272.

도 1을 참조하면, 상기 제1 플레이트(271)는 상기 제2 플레이트(272)보다 상기 샤워헤드(230)에 더 가깝게 위치할 수 있다. Referring to FIG. 1, the first plate 271 may be located closer to the showerhead 230 than the second plate 272.

상기 제1 플레이트(271)는 상기 반응 가스를 분사하는 복수의 제1 분사구(271a)를 포함한다.The first plate 271 includes a plurality of first injection holes 271a for injecting the reaction gas.

상기 제2 플레이트(272)는 상기 반응 가스를 분사하는 복수의 제2 분사구(272a)를 포함한다. The second plate 272 includes a plurality of second injection holes 272a for injecting the reaction gas.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제1 분사구(271a) 및 상기 제2 분사구(272a)의 크기는 서로 다르게 구비된다. 구체적으로, 상기 제1 플레이트(271)는 상기 제2 플레이트(272)보다 상기 샤워헤드(230)에 더 가깝게 위치하고, 상기 제2 분사구(272a)는 상기 제1 분사구(271a)보다 작게 구비된다. 3 and 4, sizes of the first injection holes 271a and the second injection holes 272a are different from each other. In detail, the first plate 271 is located closer to the shower head 230 than the second plate 272, and the second injection hole 272a is provided smaller than the first injection hole 271a.

이를 통해, 상기 샤워헤드(230)에서 분사된 반응 가스가 각기 다른 크기를 가지는 상기 제1 분사구(271a) 및 상기 제2 분사구(272a)를 통과하면서 챔버(210) 내에 균일하게 분사될 수 있다. 따라서, 기판(10)에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다. Through this, the reaction gas injected from the shower head 230 may be uniformly injected into the chamber 210 while passing through the first injection hole 271a and the second injection hole 272a having different sizes. Therefore, the uniformity of the thin film deposited on the substrate 10 can be improved.

도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제2 플레이트(272)의 하부에 위치하는 제3 플레이트를 더 포함할 수 있다. 상기 제3 플레이트는 제3 분사구를 포함하며, 상기 제3 분사구는 상기 제2 분사구(272a)보다 작게 구비될 수 있다. Although not shown in the figure, it may further include a third plate positioned below the second plate 272. The third plate may include a third injection hole, and the third injection hole may be smaller than the second injection hole 272a.

즉, 상기 샤워헤드(230)에서 멀어질수록 분사구의 크기는 작아질 수 있다. That is, as the distance from the shower head 230, the size of the injection hole may be smaller.

기판(10)에 증착되는 박막의 균일도를 향상시키기 위해, 국부적으로 상기 분사구의 크기를 조절할 수 있다. In order to improve the uniformity of the thin film deposited on the substrate 10, the size of the injection hole can be adjusted locally.

이하, 도 5 내지 도 8을 참조하여, 제2 실시예에 따른 증착 장치를 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위해 앞서 설명한 부분과 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, the deposition apparatus according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 5 to 8. For the sake of clarity and conciseness, the same or similar parts as those described above will not be described in detail.

도 5는 제2 실시예에 따른 증착 장치의 단면도이다. 도 6은 제2 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 보조공급부의 사시도이다. 도 7은 제2 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 제1 플레이트의 정면도이다. 도 8은 제2 실시예에 따른 증착 장치에 포함되는 제2 플레이트의 정면도이다.5 is a sectional view of a deposition apparatus according to a second embodiment. 6 is a perspective view of an auxiliary supply included in a deposition apparatus according to a second embodiment. 7 is a front view of a first plate included in the deposition apparatus according to the second embodiment. 8 is a front view of a second plate included in the deposition apparatus according to the second embodiment.

도 5 내지 도 8을 참조하면, 제2 실시예에 따른 증착 장치(20)는 보조공급부(280)를 포함하고, 상기 보조공급부(280)는 제1 플레이트(281) 및 상기 제1 플레이트(281)와 이격되어 위치하는 제2 플레이트(282)를 포함한다.5 to 8, the deposition apparatus 20 according to the second embodiment includes an auxiliary supply unit 280, and the auxiliary supply unit 280 includes a first plate 281 and the first plate 281. And a second plate 282 positioned to be spaced apart.

도 7을 참조하면, 상기 제1 플레이트(281)는 상기 반응 가스를 분사하고, 제1 방향으로 형성되는 복수의 제1 분사홈(281a)을 포함한다. 상기 제1 분사홈(281a)은 상기 제1 방향을 따라 연속적인 형태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 분사홈(281a)은 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 분사홈(281a)은 상기 제1 플레이트(281)의 외곽에서 중앙으로 갈수록 폭이 줄어들 수 있다. Referring to FIG. 7, the first plate 281 may inject the reaction gas and include a plurality of first injection grooves 281a formed in a first direction. The first injection grooves 281a may have a continuous shape along the first direction. That is, the first injection grooves 281a may have a stripe shape. The first injection groove 281a may decrease in width toward the center from the outer side of the first plate 281.

도 8을 참조하면, 상기 제2 플레이트(282)는 상기 반응 가스를 분사하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성되는 복수의 제2 분사홈(282a)을 포함한다. 상기 제2 분사홈(282a)은 상기 제2 방향을 따라 연속적인 형태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제2 분사홈(282a)은 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 분사홈(282a)은 상기 제2 플레이트(282)의 외곽에서 중앙으로 갈수록 폭이 줄어들 수 있다. Referring to FIG. 8, the second plate 282 includes a plurality of second injection grooves 282a formed in a second direction that injects the reaction gas and crosses the first direction. The second injection groove 282a may have a continuous shape along the second direction. That is, the second injection groove 282a may have a stripe shape. The second injection groove 282a may decrease in width toward the center from the outer side of the second plate 282.

상기 제1 분사홈(281a) 및 상기 제2 분사홈(282a)이 서로 교차하여 위치함으로써, 상기 샤워헤드(230)로부터 공급된 반응 가스들이 상기 보조공급부(280)를 통과하면서 균일하게 분사될 수 있다. 따라서, 기판(10)에 균일한 박막을 증착할 수 있다. Since the first injection grooves 281a and the second injection grooves 282a cross each other, reaction gases supplied from the shower head 230 may be uniformly injected while passing through the auxiliary supply unit 280. have. Therefore, a uniform thin film can be deposited on the substrate 10.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (13)

챔버;
상기 챔버의 내부에 위치하고, 기판을 지지하는 서셉터;
상기 기판 상에 위치하고, 반응 가스를 공급하는 샤워헤드;
상기 샤워헤드 하부에 위치하고, 반응 가스를 공급하는 보조공급부를 포함하고,
상기 보조공급부는 제1 플레이트 및 상기 제1 플레이트와 이격되어 위치하는 제2 플레이트를 포함하고,
상기 제1 플레이트는 상기 반응 가스를 분사하고, 제1 방향으로 형성되는 복수의 제1 분사홈을 포함하고, 상기 제2 플레이트는 상기 반응 가스를 분사하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성되는 복수의 제2 분사홈을 포함하는 증착 장치.
chamber;
A susceptor located inside the chamber and supporting the substrate;
A showerhead positioned on the substrate and supplying a reaction gas;
Located under the shower head, and comprises an auxiliary supply for supplying a reaction gas,
The auxiliary supply part includes a first plate and a second plate spaced apart from the first plate,
The first plate injects the reaction gas and includes a plurality of first injection grooves formed in a first direction, and the second plate injects the reaction gas in a second direction crossing the first direction. A deposition apparatus comprising a plurality of second injection grooves are formed.
제1항에 있어서,
상기 보조공급부는 상기 기판 및 상기 샤워헤드 사이에 위치하는 증착 장치.
The method of claim 1,
And the auxiliary supply unit is positioned between the substrate and the shower head.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트 사이에는 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트를 이격시키는 이격부가 위치하는 증착 장치.
The method of claim 1,
And a separation part spaced apart from the first plate and the second plate is disposed between the first plate and the second plate.
제1항에 있어서,
상기 제1 플레이트는 상기 반응 가스를 분사하는 복수의 제1 분사구를 포함하고, 상기 제2 플레이트는 상기 반응 가스를 분사하는 복수의 제2 분사구를 포함하는 증착 장치.
The method of claim 1,
The first plate includes a plurality of first injection holes for injecting the reaction gas, and the second plate includes a plurality of second injection holes for injecting the reaction gas.
제5항에 있어서,
상기 제1 분사구 및 상기 제2 분사구의 크기는 서로 다른 증착 장치.
The method of claim 5,
Deposition apparatus having a different size of the first injection hole and the second injection hole.
제5항에 있어서,
상기 제1 플레이트는 상기 제2 플레이트보다 상기 샤워헤드에 더 가깝게 위치하고, 상기 제2 분사구는 상기 제1 분사구보다 작게 구비되는 증착 장치.
The method of claim 5,
The first plate is located closer to the shower head than the second plate, and the second injection hole is provided smaller than the first injection hole.
제5항에 있어서,
상기 제2 플레이트의 하부에 위치하는 제3 플레이트를 더 포함하고, 상기 제3 플레이트는 제3 분사구를 포함하며, 상기 제3 분사구는 상기 제2 분사구보다 작게 구비되는 증착 장치.
The method of claim 5,
And a third plate positioned below the second plate, wherein the third plate includes a third injection hole, and the third injection hole is smaller than the second injection hole.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 분사홈 및 상기 제2 분사홈은 스트라이프 형상을 가지는 증착 장치.
The method of claim 1,
And the first injection groove and the second injection groove have a stripe shape.
제10항에 있어서,
상기 제1 분사홈은 상기 제1 방향을 따라 연속적인 형태를 가지고,
상기 제2 분사홈은 상기 제2 방향을 따라 연속적인 형태를 가지는 증착 장치.
The method of claim 10,
The first injection groove has a continuous shape in the first direction,
The second injection groove has a continuous shape in the second direction.
제1항에 있어서,
상기 제1 분사홈은 상기 제1 플레이트의 외곽에서 중앙으로 갈수록 폭이 줄어드는 증착 장치.
The method of claim 1,
The first injection groove is a deposition apparatus that decreases in width toward the center from the outside of the first plate.
제1항에 있어서,
상기 제2 분사홈은 상기 제2 플레이트의 외곽에서 중앙으로 갈수록 폭이 줄어드는 증착 장치.The method of claim 1,
The second injection groove is reduced in width toward the center from the outside of the second plate deposition apparatus.
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